JPS6298783A - 発光ダイオ−ド - Google Patents
発光ダイオ−ドInfo
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- JPS6298783A JPS6298783A JP60237512A JP23751285A JPS6298783A JP S6298783 A JPS6298783 A JP S6298783A JP 60237512 A JP60237512 A JP 60237512A JP 23751285 A JP23751285 A JP 23751285A JP S6298783 A JPS6298783 A JP S6298783A
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
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- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
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- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は発光ダイオードの構造にかかり、特に発光ダ
イオードの順方向電圧よりも高電圧の回路に接続できる
ように電流制限用の抵抗器を発光ダイオードに組込む構
造に適用される。
イオードの順方向電圧よりも高電圧の回路に接続できる
ように電流制限用の抵抗器を発光ダイオードに組込む構
造に適用される。
発光ダイオード(以下LEDと略称)をその順方向動作
電圧を超える回路電圧の回路に接続し動作させるものが
多い。これは一般のOA機器の回路電圧がDC5Vに設
定されていることからLEDが挿入される上記回路の部
分に抵抗器を直列に挿入し電流制限を施して用いられる
。すなわち、第3図に示すように、LEDlooの容器
101から導出したリード102.102の一方とこれ
が接続される回路パターン103との間に電流制限用抵
抗器1α4がその端子114.1]、4をはんだ105
で接合挿入されたものである。なお、図中の106は一
方のリード102に直結されたチップベッド、107は
チップベッド106の上面に被着された例えば導電性の
エポキシ樹脂の接着層で、LEDチップ108に対しそ
の下部電極(図示省略)を接着してこのチップを取着す
る。また、109はLEDチップの上部電極(図示省略
)とLEDの他方のり−ド102とを接続するボンディ
ングワイヤである。
電圧を超える回路電圧の回路に接続し動作させるものが
多い。これは一般のOA機器の回路電圧がDC5Vに設
定されていることからLEDが挿入される上記回路の部
分に抵抗器を直列に挿入し電流制限を施して用いられる
。すなわち、第3図に示すように、LEDlooの容器
101から導出したリード102.102の一方とこれ
が接続される回路パターン103との間に電流制限用抵
抗器1α4がその端子114.1]、4をはんだ105
で接合挿入されたものである。なお、図中の106は一
方のリード102に直結されたチップベッド、107は
チップベッド106の上面に被着された例えば導電性の
エポキシ樹脂の接着層で、LEDチップ108に対しそ
の下部電極(図示省略)を接着してこのチップを取着す
る。また、109はLEDチップの上部電極(図示省略
)とLEDの他方のり−ド102とを接続するボンディ
ングワイヤである。
上記従来のLEDは回路に装着するにあたり、電流制限
を施すための抵抗器を用意することと、抵抗器をLED
のリードに接続すること等を必要とする問題、このよう
に取着された抵抗器により回路の専有面積効率が低下す
る問題がある。
を施すための抵抗器を用意することと、抵抗器をLED
のリードに接続すること等を必要とする問題、このよう
に取着された抵抗器により回路の専有面積効率が低下す
る問題がある。
この発明は上記従来の問題点に鑑み、LEDの改良構造
を提供する。
を提供する。
この発明にかかるLEDはチップベッドのLEDチップ
のチップペットにマウントされる側の主面に抵抗層を蒸
着形成することにより電流制限用の抵抗器を内装させ、
LEDの順方向電圧を超える電圧の回路にLEDを直接
取着けできる。
のチップペットにマウントされる側の主面に抵抗層を蒸
着形成することにより電流制限用の抵抗器を内装させ、
LEDの順方向電圧を超える電圧の回路にLEDを直接
取着けできる。
以下、この発明の一実施例を第1図および第2図を参照
して説明する。なお、説明において従来と変わらない部
分については図中の各部に従来と同じ符号を付けて示し
説明を省略する。
して説明する。なお、説明において従来と変わらない部
分については図中の各部に従来と同じ符号を付けて示し
説明を省略する。
第1図に示されるLEDIIの構造はLEDチップ10
8の下主面、すなわち、このチップがチップベッド10
6にマウントされる側の主面に、第2図aに示すように
一例の窒化タンタル(TaN)層12が被着されたもの
である。このチップはウェーハの状態で電極形成後にT
aNを蒸着またはスパッタリングにより被着しておいて
分割してチップに形成される。上記TaN層の形成条件
は、このLEDが配設される回路の回路電圧が5ボルト
であり、LEDノVF(順電圧)が2.5ボルト、IF
(順電流)が10mAの場合、IFを上記に適合させる
ためには250Ωの抵抗を直列に挿入接続すればよい。
8の下主面、すなわち、このチップがチップベッド10
6にマウントされる側の主面に、第2図aに示すように
一例の窒化タンタル(TaN)層12が被着されたもの
である。このチップはウェーハの状態で電極形成後にT
aNを蒸着またはスパッタリングにより被着しておいて
分割してチップに形成される。上記TaN層の形成条件
は、このLEDが配設される回路の回路電圧が5ボルト
であり、LEDノVF(順電圧)が2.5ボルト、IF
(順電流)が10mAの場合、IFを上記に適合させる
ためには250Ωの抵抗を直列に挿入接続すればよい。
すなわち、LEDチップ主面の面積が0.3X0.3m
mのとき、シート抵抗値が50Ω/口のTaN層はその
層厚を1.5no+に形成して適する。ついで、上記チ
ップ108はそのTaN層12を導電性エポキシ樹脂の
如き接着層13でチップベッド106に接着される。
mのとき、シート抵抗値が50Ω/口のTaN層はその
層厚を1.5no+に形成して適する。ついで、上記チ
ップ108はそのTaN層12を導電性エポキシ樹脂の
如き接着層13でチップベッド106に接着される。
この発明によれば、電流制限抵抗器をTaN層でLED
チップの一方の主面に蒸着形成してLED容器に内装し
たので、特に抵抗器を用意し、更に抵抗器をリードに接
続する必要が全くない。また。
チップの一方の主面に蒸着形成してLED容器に内装し
たので、特に抵抗器を用意し、更に抵抗器をリードに接
続する必要が全くない。また。
抵抗器を内装したので抵抗器による回路の専有面積効率
を低下させることなく抵抗器が設置できる顕著な利点が
ある。
を低下させることなく抵抗器が設置できる顕著な利点が
ある。
なお、この発明は実施例に限られるものでなく、発光ダ
イオード表示素子やフォトトランジスタカブラ等におい
ても適用できることはいうまでもない。
イオード表示素子やフォトトランジスタカブラ等におい
ても適用できることはいうまでもない。
第1図はこの発明の一実施例のLEDの側面断面図、第
2図は第1図の要部の構成をさらに説明するために同図
a、bで組立の順序を説明するいずれも斜視図、第3図
は従来のLEDの側面断面図である。 旦、100 LED 12 TaN層(抵抗層)13、107
接着層 1.01 LEDの容器 1.02 リート
2図は第1図の要部の構成をさらに説明するために同図
a、bで組立の順序を説明するいずれも斜視図、第3図
は従来のLEDの側面断面図である。 旦、100 LED 12 TaN層(抵抗層)13、107
接着層 1.01 LEDの容器 1.02 リート
Claims (1)
- 発光ダイオードの順方向電圧を超える電圧の回路に直接
接続される発光ダイオードが、発光ダイオードチップの
チップベッドにマウントされる側の主面に被着された窒
化タンタルの抵抗層を具備したことを特徴とする発光ダ
イオード。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60237512A JPS6298783A (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | 発光ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60237512A JPS6298783A (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | 発光ダイオ−ド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6298783A true JPS6298783A (ja) | 1987-05-08 |
Family
ID=17016419
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60237512A Pending JPS6298783A (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | 発光ダイオ−ド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6298783A (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US10262881B2 (en) | 2014-11-26 | 2019-04-16 | Kateeva, Inc. | Environmentally controlled coating systems |
US10309665B2 (en) | 2008-06-13 | 2019-06-04 | Kateeva, Inc. | Gas enclosure assembly and system |
US10434804B2 (en) | 2008-06-13 | 2019-10-08 | Kateeva, Inc. | Low particle gas enclosure systems and methods |
US10442226B2 (en) | 2008-06-13 | 2019-10-15 | Kateeva, Inc. | Gas enclosure assembly and system |
US10500880B2 (en) | 2008-06-13 | 2019-12-10 | Kateeva, Inc. | Gas enclosure systems and methods utilizing an auxiliary enclosure |
US10519535B2 (en) | 2008-06-13 | 2019-12-31 | Kateeva Inc. | Method and apparatus for load-locked printing |
US11034176B2 (en) | 2008-06-13 | 2021-06-15 | Kateeva, Inc. | Gas enclosure assembly and system |
US11107712B2 (en) | 2013-12-26 | 2021-08-31 | Kateeva, Inc. | Techniques for thermal treatment of electronic devices |
US11338319B2 (en) | 2014-04-30 | 2022-05-24 | Kateeva, Inc. | Gas cushion apparatus and techniques for substrate coating |
US11975546B2 (en) | 2008-06-13 | 2024-05-07 | Kateeva, Inc. | Gas enclosure assembly and system |
US12018857B2 (en) | 2008-06-13 | 2024-06-25 | Kateeva, Inc. | Gas enclosure assembly and system |
US12064979B2 (en) | 2008-06-13 | 2024-08-20 | Kateeva, Inc. | Low-particle gas enclosure systems and methods |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5017777A (ja) * | 1973-05-11 | 1975-02-25 | ||
JPS59119777A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-11 | Toshiba Corp | 発光表示装置 |
-
1985
- 1985-10-25 JP JP60237512A patent/JPS6298783A/ja active Pending
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JPS5017777A (ja) * | 1973-05-11 | 1975-02-25 | ||
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US10900678B2 (en) | 2008-06-13 | 2021-01-26 | Kateeva, Inc. | Gas enclosure assembly and system |
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US10309665B2 (en) | 2008-06-13 | 2019-06-04 | Kateeva, Inc. | Gas enclosure assembly and system |
US12064979B2 (en) | 2008-06-13 | 2024-08-20 | Kateeva, Inc. | Low-particle gas enclosure systems and methods |
US10654299B2 (en) | 2008-06-13 | 2020-05-19 | Kateeva, Inc. | Low-particle gas enclosure systems and methods |
US12018857B2 (en) | 2008-06-13 | 2024-06-25 | Kateeva, Inc. | Gas enclosure assembly and system |
US11975546B2 (en) | 2008-06-13 | 2024-05-07 | Kateeva, Inc. | Gas enclosure assembly and system |
US11633968B2 (en) | 2008-06-13 | 2023-04-25 | Kateeva, Inc. | Low-particle gas enclosure systems and methods |
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