JPS60262304A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPS60262304A JPS60262304A JP11550284A JP11550284A JPS60262304A JP S60262304 A JPS60262304 A JP S60262304A JP 11550284 A JP11550284 A JP 11550284A JP 11550284 A JP11550284 A JP 11550284A JP S60262304 A JPS60262304 A JP S60262304A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は導電体に係り、とくに透明導電膜上の所要部分
に金属被膜を形成した導電体に関する０ 酸化イノジウムや酸化スズ等を主成分とする透明導電膜
が、液晶やエレクトロクロミイ等の表示素子の電極や、
太陽電池の電極等として広く用いられている。この透明
導電膜上に半田付けを行ったりソケット類の接続端子と
して用いる際の、強度の補強や抵抗値の外戚等の目的で
、該透明導電膜上の所要部分に金属被膜を形成すること
がしばし、ば行われる。
に金属被膜を形成した導電体に関する０ 酸化イノジウムや酸化スズ等を主成分とする透明導電膜
が、液晶やエレクトロクロミイ等の表示素子の電極や、
太陽電池の電極等として広く用いられている。この透明
導電膜上に半田付けを行ったりソケット類の接続端子と
して用いる際の、強度の補強や抵抗値の外戚等の目的で
、該透明導電膜上の所要部分に金属被膜を形成すること
がしばし、ば行われる。
この余端被膜の形成方法として、Ｎｉ陽イオンの原料と
して硫酸ニッケル又は塩化ニッケルを含み、次亜リン酸
塩を還元剤として含むメッキ液にて無電解メッキ法によ
り透明電極上にＮ１−Ｐメッキ被膜を施す方法が一般に
行われている。しかるに、次亜リン酸塩によるＮ４−
ｐメッキ被膜は、内部応力が太きいため膜厚２５００＾
近傍に透明導電膜との密着強度のピークが存在し１、そ
れ以上膜′厚を厚くすると密着強度が急１１□ に低下
するという欠点を有していた。このため、内部応力を少
くする目的でメッキ液にサッカリン等の添加剤を加える
方法も行われているが、この方法ではメッキ後のＮｉ
−Ｐメッキ被膜の経時変化が起り信頼性に乏しいという
欠点があった。また、密着強度を保つためにＮ１−Ｐメ
ッキ被膜の膜厚ｔ ｚｓｏｏＸ程度に保つと、メッキ被
膜の膜厚が薄いため、半田付けを施す際に透明導電膜が
溶融するいわゆる「半田喰れ」現象により該メッキ被膜
の膜厚が減少し５、ついにはメッキ被膜が消失してしま
う場合がある。このためメッキ被膜の膜厚はある程度以
上の厚さを確保しなけれはならない。更に、Ｎ１−Ｐメ
ッキ被膜は半田に対する濡れ性も悪く半田付の作業能率
が悪いという欠点も有していた。
して硫酸ニッケル又は塩化ニッケルを含み、次亜リン酸
塩を還元剤として含むメッキ液にて無電解メッキ法によ
り透明電極上にＮ１−Ｐメッキ被膜を施す方法が一般に
行われている。しかるに、次亜リン酸塩によるＮ４−
ｐメッキ被膜は、内部応力が太きいため膜厚２５００＾
近傍に透明導電膜との密着強度のピークが存在し１、そ
れ以上膜′厚を厚くすると密着強度が急１１□ に低下
するという欠点を有していた。このため、内部応力を少
くする目的でメッキ液にサッカリン等の添加剤を加える
方法も行われているが、この方法ではメッキ後のＮｉ
−Ｐメッキ被膜の経時変化が起り信頼性に乏しいという
欠点があった。また、密着強度を保つためにＮ１−Ｐメ
ッキ被膜の膜厚ｔ ｚｓｏｏＸ程度に保つと、メッキ被
膜の膜厚が薄いため、半田付けを施す際に透明導電膜が
溶融するいわゆる「半田喰れ」現象により該メッキ被膜
の膜厚が減少し５、ついにはメッキ被膜が消失してしま
う場合がある。このためメッキ被膜の膜厚はある程度以
上の厚さを確保しなけれはならない。更に、Ｎ１−Ｐメ
ッキ被膜は半田に対する濡れ性も悪く半田付の作業能率
が悪いという欠点も有していた。
一方、還元剤として水素化ホウ素ナトリウムを含むメッ
キ液を用い、無電解メッキ法で透明導電膜上にＮ１−Ｂ
メッキ被膜を形成する方法も用いられている。Ｎ１−Ｂ
メッキ被膜は、Ｎ１−Ｐメッキ被膜に比べ内部応力が１
７３ないし１／４と低く、抵抗値も約１７２であり、ま
た、高温でアニーリング処理を施して本良好な半田濡れ
性を示すという利点を有している。しかるに（透明褥’
Ｆ［膜上にＮ１−Ｂメッキ被膜を単層で）形成した場合
に［、Ｎ１−Ｐメッキ被膜に比して透明導１！膜との間
に十分な密着強度が得られないため、上述の利点にもか
かわらず実用化されにくかった。
キ液を用い、無電解メッキ法で透明導電膜上にＮ１−Ｂ
メッキ被膜を形成する方法も用いられている。Ｎ１−Ｂ
メッキ被膜は、Ｎ１−Ｐメッキ被膜に比べ内部応力が１
７３ないし１／４と低く、抵抗値も約１７２であり、ま
た、高温でアニーリング処理を施して本良好な半田濡れ
性を示すという利点を有している。しかるに（透明褥’
Ｆ［膜上にＮ１−Ｂメッキ被膜を単層で）形成した場合
に［、Ｎ１−Ｐメッキ被膜に比して透明導１！膜との間
に十分な密着強度が得られないため、上述の利点にもか
かわらず実用化されにくかった。
本発明は、この様な透明導電膜上の所要部分に金属被膜
を形成した従来の導電体の欠点を解消するためになされ
たものである。即ち、本発明は、半田喰れ現象に対して
も十分な耐性を有し、透明導電膜に対する密着強度も強
く、抵抗値が小く、半田濡れ性の良い金属被膜を透明導
電膜上の所要部分に形成した導電体を提供することを目
的とする。
を形成した従来の導電体の欠点を解消するためになされ
たものである。即ち、本発明は、半田喰れ現象に対して
も十分な耐性を有し、透明導電膜に対する密着強度も強
く、抵抗値が小く、半田濡れ性の良い金属被膜を透明導
電膜上の所要部分に形成した導電体を提供することを目
的とする。
本発明は、Ｎ１−Ｂ金属被膜の上記の利点と、Ｎ１−Ｂ
金属被膜はＮ１−Ｂ金属被膜に対して良好な密着性を示
すという特性金利用したものであり、酸化インジウムま
たは酸化スズのいずれか一方あるいは双方ケ主成分とす
る透明導電膜上の所要部分に、Ｎｉ元素にＰ元素が融合
１、膜状となったＮ１−Ｂ金属被膜を形成し７、該Ｎｉ
−Ｐ金属被膜上に、Ｎ１元素にホウ素元素が融合し膜
状となったＮ１−Ｂ金属被膜を形成してなることを特徴
とする導電体である。
金属被膜はＮ１−Ｂ金属被膜に対して良好な密着性を示
すという特性金利用したものであり、酸化インジウムま
たは酸化スズのいずれか一方あるいは双方ケ主成分とす
る透明導電膜上の所要部分に、Ｎｉ元素にＰ元素が融合
１、膜状となったＮ１−Ｂ金属被膜を形成し７、該Ｎｉ
−Ｐ金属被膜上に、Ｎ１元素にホウ素元素が融合し膜
状となったＮ１−Ｂ金属被膜を形成してなることを特徴
とする導電体である。
本発明の導電体音さらに詳しく説明する。
ｉ明導電膜としては酸化インジウムまたは酸化スズを主
成分とする公知の物質を用い、−例トシては、インシュ
ウムチンオキサイドを用いる０ 透明導電膜上にＮ１−Ｂ金属被膜またはＮ１−Ｂ金属被
膜を形成する方法とし、ては、メッキ法。
成分とする公知の物質を用い、−例トシては、インシュ
ウムチンオキサイドを用いる０ 透明導電膜上にＮ１−Ｂ金属被膜またはＮ１−Ｂ金属被
膜を形成する方法とし、ては、メッキ法。
蒸着法、スパッタ法、印刷法、エツチング法等のいずれ
の方法を用いてもよいが、形成方法の答易さ、形成され
た被膜の密着強度等の特性上無電解メッキ法が望ましい
。
の方法を用いてもよいが、形成方法の答易さ、形成され
た被膜の密着強度等の特性上無電解メッキ法が望ましい
。
Ｎｃ−ｐ金属被膜および旧−Ｂ金属被膜の膜厚は、内部
応力による密着強度特性、半田喰れ、現象、抵抗値等を
考慮し、各膜厚ｙ２５００Ｘないし５０００＾に形成す
るのが望ましい。特に、Ｎ１−Ｂ金属被膜は透明導電膜
に対する密着強度が膜厚２゛５００Ｘ近傍で最大となる
ため、Ｎ１＝Ｐ金属被膜の膜厚を２５００＾とし、該Ｎ
１−Ｐ金属被膜の上面に形成するＮ１−Ｂ金属被膜の膜
厚を、耐半田付性全考慮し、５００Ｘないし ５ｏｏｏ
；、の範囲内で所望の膜厚に形成し、た場合良好な特性
が得られる。即ち、この様に形成し、た複層被膜はＮ１
−Ｐの単層被１関全同じ膜厚で形成したものに比べ、半
田濡れ性も良く、密着強度も３０％ないし４０％高い値
が得られる。
応力による密着強度特性、半田喰れ、現象、抵抗値等を
考慮し、各膜厚ｙ２５００Ｘないし５０００＾に形成す
るのが望ましい。特に、Ｎ１−Ｂ金属被膜は透明導電膜
に対する密着強度が膜厚２゛５００Ｘ近傍で最大となる
ため、Ｎ１＝Ｐ金属被膜の膜厚を２５００＾とし、該Ｎ
１−Ｐ金属被膜の上面に形成するＮ１−Ｂ金属被膜の膜
厚を、耐半田付性全考慮し、５００Ｘないし ５ｏｏｏ
；、の範囲内で所望の膜厚に形成し、た場合良好な特性
が得られる。即ち、この様に形成し、た複層被膜はＮ１
−Ｐの単層被１関全同じ膜厚で形成したものに比べ、半
田濡れ性も良く、密着強度も３０％ないし４０％高い値
が得られる。
被膜の抵抗値を特に小さくシ、たい場合や、■ａ等ｌ半
田付けする際に該ＩＣ等の保護のため半田付けの除用い
るフラックスにハロゲン物質が低量しか含まれない弱活
性ロジン系のものを使用する場合には、Ｎ１−Ｂ金属被
膜は半田の乗りが悪くなるため、弱活性ロジン系の７ラ
ツクスを用いても半田乗りが良く、また抵抗値の小さく
金属被膜をＮｉ−Ｂ金属被膜上に形成するのが望ましい
。この様な金属被膜としては、Ｃｕ若しくはＡｌｌまた
はＡ１若しくはＩｎ若しくは錫等の金属をメッキ法、蒸
着法等の被膜形成方法により形成したものを用いると好
ましい結果が得られる。Ｏｕ又はＡｕ被膜をメッキ法で
形成する場合には、膜厚を１μｍ以下として、Ｎｊ、−
Ｂ金属被膜の半田付けを行う部分上に被膜を形成すれば
良い。
田付けする際に該ＩＣ等の保護のため半田付けの除用い
るフラックスにハロゲン物質が低量しか含まれない弱活
性ロジン系のものを使用する場合には、Ｎ１−Ｂ金属被
膜は半田の乗りが悪くなるため、弱活性ロジン系の７ラ
ツクスを用いても半田乗りが良く、また抵抗値の小さく
金属被膜をＮｉ−Ｂ金属被膜上に形成するのが望ましい
。この様な金属被膜としては、Ｃｕ若しくはＡｌｌまた
はＡ１若しくはＩｎ若しくは錫等の金属をメッキ法、蒸
着法等の被膜形成方法により形成したものを用いると好
ましい結果が得られる。Ｏｕ又はＡｕ被膜をメッキ法で
形成する場合には、膜厚を１μｍ以下として、Ｎｊ、−
Ｂ金属被膜の半田付けを行う部分上に被膜を形成すれば
良い。
以下、本発明を実施例に基づき更に詳細に説明する。
実施例
第１図の断面図に示すように、ソーダガラス１上にイン
ジウムチンオキサイド（工ＴＯ）からなる透明導電膜２
を膜厚４００Ｘに形成し、基板３を構成し５た。この基
板３を前処理としてヘモゾール、アルカリ洗浄をし、次
に触媒処理、活性化処理を施し、た後に次亜リン酸塩を
還元剤として含む硫酸ニッケルメッキ溶液を温度８０℃
に温め、前記基板３を６０秒間該メッキ溶液に浸漬しＮ
１−Ｐメッキ被膜４を該、基板３上の所定位置に２５０
０ Ｘの膜厚で形成した。その後肢基板３を室温乾燥し
、更に２００℃で１時間大気中でのアニーリング処理を
行った。次に第２層目のメッキを施す前処理として該基
板３上のＮ１−Ｐメッキ被膜４を酸で洗浄し１、環元剤
としてホウ木酸ナトリウムを含む硫酸ニッケルメッキ溶
液を６０℃に温め、該メッキ溶液に前記基板３を６０秒
間浸漬し前記Ｎ１−Ｐメッキ被膜４上に２５００Ｘの膜
厚のＮ１−Ｂメッキ被膜５を形成した。その後塩化第２
鉄溶液で透明導電膜及び各メッキ被膜を所定のパターン
にエツチングし導電体を形成し７た。
ジウムチンオキサイド（工ＴＯ）からなる透明導電膜２
を膜厚４００Ｘに形成し、基板３を構成し５た。この基
板３を前処理としてヘモゾール、アルカリ洗浄をし、次
に触媒処理、活性化処理を施し、た後に次亜リン酸塩を
還元剤として含む硫酸ニッケルメッキ溶液を温度８０℃
に温め、前記基板３を６０秒間該メッキ溶液に浸漬しＮ
１−Ｐメッキ被膜４を該、基板３上の所定位置に２５０
０ Ｘの膜厚で形成した。その後肢基板３を室温乾燥し
、更に２００℃で１時間大気中でのアニーリング処理を
行った。次に第２層目のメッキを施す前処理として該基
板３上のＮ１−Ｐメッキ被膜４を酸で洗浄し１、環元剤
としてホウ木酸ナトリウムを含む硫酸ニッケルメッキ溶
液を６０℃に温め、該メッキ溶液に前記基板３を６０秒
間浸漬し前記Ｎ１−Ｐメッキ被膜４上に２５００Ｘの膜
厚のＮ１−Ｂメッキ被膜５を形成した。その後塩化第２
鉄溶液で透明導電膜及び各メッキ被膜を所定のパターン
にエツチングし導電体を形成し７た。
このようにして、Ｎ１−Ｐ、Ｎ１−Ｂ各メッキ［い燵飛
２５ Ｃ’ ＯＹ、総厚５０００ 大の膜厚で透明導電
膜２上に形成した本実施例の導電体を、本実施例のＮ１
−Ｐ メッキ被膜を形成したのと同一の方法で透明導電
膜上に単層のＮ土−Ｐメッキ被膜を形成した導電体と比
較すると、半田濡れ性、密着強度ともに本実施例の導電
体のメッキ被膜の方が優れた特性を示し、た。特に密着
強度については、９０°ビール法で本実施例のメッキ被
膜が平均で１． Ｏ）ｒｑ／２ Ｘ ２祁であったに比
べＮ１−Ｐ単層被膜は０．５卸／ ２ Ｘ ２ ｗｍと
１／２の密着強度しか得られなかった。
２５ Ｃ’ ＯＹ、総厚５０００ 大の膜厚で透明導電
膜２上に形成した本実施例の導電体を、本実施例のＮ１
−Ｐ メッキ被膜を形成したのと同一の方法で透明導電
膜上に単層のＮ土−Ｐメッキ被膜を形成した導電体と比
較すると、半田濡れ性、密着強度ともに本実施例の導電
体のメッキ被膜の方が優れた特性を示し、た。特に密着
強度については、９０°ビール法で本実施例のメッキ被
膜が平均で１． Ｏ）ｒｑ／２ Ｘ ２祁であったに比
べＮ１−Ｐ単層被膜は０．５卸／ ２ Ｘ ２ ｗｍと
１／２の密着強度しか得られなかった。
以上述べたように、本発明の導電体は、透明導電膜上に
Ｎ１−Ｐ金属被膜とＮ１−Ｂ金属被膜とを複層に形成し
たので、半田喰れ現象に対して十分な耐性を有し、金属
被膜の透明導電膜に対する密着強度も強く、抵抗値も小
さく半田濡れ性も良く半田付作業の能率も良く、かつ、
経時的にも変化が少ないという効果を有する。
Ｎ１−Ｐ金属被膜とＮ１−Ｂ金属被膜とを複層に形成し
たので、半田喰れ現象に対して十分な耐性を有し、金属
被膜の透明導電膜に対する密着強度も強く、抵抗値も小
さく半田濡れ性も良く半田付作業の能率も良く、かつ、
経時的にも変化が少ないという効果を有する。
従って、同一基板上に例えば液晶表示素子とその駆動用
ＩＣを塔載して透明導電膜を表示用電極と回路パターン
用リードとして共用する場合のように、透明導電膜上に
直接ＩＣのリードやその他の素子を半田付けし、また透
明導電膜を他の機器との接続用リードとして用いる場合
など透明導電膜上に金属被膜を形成した導電体に耐半田
付性や機械的強度が要求される場合に、特にその使用価
値の高いものである。
ＩＣを塔載して透明導電膜を表示用電極と回路パターン
用リードとして共用する場合のように、透明導電膜上に
直接ＩＣのリードやその他の素子を半田付けし、また透
明導電膜を他の機器との接続用リードとして用いる場合
など透明導電膜上に金属被膜を形成した導電体に耐半田
付性や機械的強度が要求される場合に、特にその使用価
値の高いものである。
第１図は不発明の一実施例の導電体の断面図である。
１・・・ソーダガラス、 ２・・・透明導電被膜、４・
・・Ｎ１−Ｐメッキ被膜、 ５・・・Ｎ１〜Ｂメツキ被膜 第１図
・・Ｎ１−Ｐメッキ被膜、 ５・・・Ｎ１〜Ｂメツキ被膜 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、酸化インジウムまたは酸化スズのいずれが一方ある
いは双方を主成分とする透明導電膜と、該透明導電膜上
の所微部分に形成されたニッケル元素にリン元素が融合
し膜状となったニッケルリン金属被膜と、該ニッケルリ
ン金属被膜上に形成されたニッケル元素にホウ素元素が
融合し膜状となったニッケルホウ素金属被膜とを有する
ことを特徴とする導電体。 ２ ニッケルリン金属被膜はニッケルリンメッキ被膜で
ある特許請求の範囲第１項記載の導電体。 ３、ニッケル７ｆｔつ素金属被膜はニッケルポウ素メッ
キ被膜である特許請求の範囲第１項記載の導電体。 ４ ニッケルリン金属被膜または二゛ツヶルホウ素金属
被膜のいずれか一方あるいは双方の膜厚は５００Ｘない
し５０００＾である特許請求の範囲第１項ないし篤３項
のいずれか１項記載の導電体。 ５、ニッケルホウ累金属被膜上の所要部分に第３の金属
被膜を形成した特許請求の範囲第１項記載の導電体。 ６、 第３の金属被膜は、銅メッキ被膜または金メツキ
被膜である特許請求の範囲第５項記載の導電体。 ７、 第３の金属被膜は、アルミニュウム被膜若しくは
インジュウム被膜又は錫被膜である特許請求の範囲第５
項記載の導電体。 ８、 第３の金属被膜は膜厚が１μｍ以下である特許請
求の範囲第５項ないし第７項のいずれか１項記載の□導
電体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11550284A JPS60262304A (ja) | 1984-06-07 | 1984-06-07 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11550284A JPS60262304A (ja) | 1984-06-07 | 1984-06-07 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60262304A true JPS60262304A (ja) | 1985-12-25 |
| JPH0447923B2 JPH0447923B2 (ja) | 1992-08-05 |
Family
ID=14664102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11550284A Granted JPS60262304A (ja) | 1984-06-07 | 1984-06-07 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60262304A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6344628A (ja) * | 1986-08-12 | 1988-02-25 | Citizen Watch Co Ltd | カラ−液晶パネルの製造方法 |
| JPS6344627A (ja) * | 1986-08-12 | 1988-02-25 | Citizen Watch Co Ltd | カラ−液晶パネル |
| WO2003081609A1 (en) * | 2002-03-26 | 2003-10-02 | Fujikura Ltd. | Conductive glass and photoelectric conversion device using same |
| AU2001249204B2 (en) * | 2000-11-17 | 2006-10-12 | 3M Innovative Properties Company | Color tailorable pigmented optical bodies with surface metalization |
| JP2008117782A (ja) * | 2002-03-26 | 2008-05-22 | Fujikura Ltd | 導電性ガラスおよびこれを用いた光電変換素子 |
-
1984
- 1984-06-07 JP JP11550284A patent/JPS60262304A/ja active Granted
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6344628A (ja) * | 1986-08-12 | 1988-02-25 | Citizen Watch Co Ltd | カラ−液晶パネルの製造方法 |
| JPS6344627A (ja) * | 1986-08-12 | 1988-02-25 | Citizen Watch Co Ltd | カラ−液晶パネル |
| AU2001249204B2 (en) * | 2000-11-17 | 2006-10-12 | 3M Innovative Properties Company | Color tailorable pigmented optical bodies with surface metalization |
| WO2003081609A1 (en) * | 2002-03-26 | 2003-10-02 | Fujikura Ltd. | Conductive glass and photoelectric conversion device using same |
| AU2003236063B2 (en) * | 2002-03-26 | 2006-04-06 | Fujikura Ltd. | Conductive glass and photoelectric conversion device using same |
| CN1326158C (zh) * | 2002-03-26 | 2007-07-11 | 株式会社藤仓 | 导电性玻璃和使用其的光电变换元件 |
| JP2008117782A (ja) * | 2002-03-26 | 2008-05-22 | Fujikura Ltd | 導電性ガラスおよびこれを用いた光電変換素子 |
| US8546683B2 (en) | 2002-03-26 | 2013-10-01 | Fujikura Ltd. | Electrically conductive glass and photoelectric conversion element using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0447923B2 (ja) | 1992-08-05 |
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