JPS5956391A - Ｅｌデイスプレイ装置 - Google Patents
Ｅｌデイスプレイ装置Info
- Publication number
- JPS5956391A JPS5956391A JP57166553A JP16655382A JPS5956391A JP S5956391 A JPS5956391 A JP S5956391A JP 57166553 A JP57166553 A JP 57166553A JP 16655382 A JP16655382 A JP 16655382A JP S5956391 A JPS5956391 A JP S5956391A
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- JP
- Japan
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- light
- emitting layer
- film
- display device
- display
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の属する技術分野コ
本発明は、発光ディスプレイ装置に関する。
［従来技術とその問題点］
ディスプレイ装置は、最近特に需要が増加しておシ，用
途にあわせて各種のディスプレイ装置が開発されている
。現在、最も多く使われているのは、カラー・ブラウン
管（Ｃ−ＣＲＴ）であり、その長所としては高輝度、高
分解能、低価格等があり短所としては表示面積に比し、
奥行きが大きいこと、内部を真空に保っているため、大
きさが限られることがある。
途にあわせて各種のディスプレイ装置が開発されている
。現在、最も多く使われているのは、カラー・ブラウン
管（Ｃ−ＣＲＴ）であり、その長所としては高輝度、高
分解能、低価格等があり短所としては表示面積に比し、
奥行きが大きいこと、内部を真空に保っているため、大
きさが限られることがある。
このＣ−ＣＲＴが、表示面積に比し、大きな容積を必要
とするという欠点を克服するため、エレクトロ・ルミネ
ッセンス（ＰＬ）素子、プラズマ・ディスプレイ・パネ
ル（ＦＤＰ）などの平板状ディスプレイ装置が開発され
ている。しかし、これらのディスプレイ装置は、ほとん
どが単色しか表示できず、カラー化がなされていない。
とするという欠点を克服するため、エレクトロ・ルミネ
ッセンス（ＰＬ）素子、プラズマ・ディスプレイ・パネ
ル（ＦＤＰ）などの平板状ディスプレイ装置が開発され
ている。しかし、これらのディスプレイ装置は、ほとん
どが単色しか表示できず、カラー化がなされていない。
わずかに、ＰＤＰの一部にカラー表示の可能なものもあ
るが、構造が複雑で、信頼性に乏しく、またＣＣ１’Ｌ
Ｔと同様、内部が真空であるため面積に限シがある。
るが、構造が複雑で、信頼性に乏しく、またＣＣ１’Ｌ
Ｔと同様、内部が真空であるため面積に限シがある。
しかも、Ｃ−ＣＲＴを含め、これらのカラー表示方式は
、第１図に示すように、同一平面上に赤、緑、青の発光
層を重ならないように配置しているため、色ににじみが
出たり、近距離でみると色が分離して見えだりするとい
う欠点がある。
、第１図に示すように、同一平面上に赤、緑、青の発光
層を重ならないように配置しているため、色ににじみが
出たり、近距離でみると色が分離して見えだりするとい
う欠点がある。
［発明の目的］
本発明は、上述した点に鑑み、構造が単純で、信頼性の
高い、多色表示の可能な薄膜ＥＬディスプレイ装置を提
供するものである。
高い、多色表示の可能な薄膜ＥＬディスプレイ装置を提
供するものである。
［発明の概要］
本発明においては、基板上に透明導電膜と、異った発光
波長特性を持つ発光層とを、交互に積層し、最上部に背
面電極を形成して、ディスプレイ装置を構成し、発光層
に、例えば交番電界を印加して、電界による発光素子、
いわゆるＥＬ素子として駆動させる。
波長特性を持つ発光層とを、交互に積層し、最上部に背
面電極を形成して、ディスプレイ装置を構成し、発光層
に、例えば交番電界を印加して、電界による発光素子、
いわゆるＥＬ素子として駆動させる。
発光層として、バンド間遷移を示す物質を選べば、その
ＥＬ発光、ピーク波長は、エネルギーギャップＥｇよシ
、少し小さなエネルギーの所に生じる。従って、ＥＩＺ
の異なる物質は、異なる発光波長特性を示す。
ＥＬ発光、ピーク波長は、エネルギーギャップＥｇよシ
、少し小さなエネルギーの所に生じる。従って、ＥＩＺ
の異なる物質は、異なる発光波長特性を示す。
そこで、例えばａ−８ＩＸＣＩＸのように、組成比Ｘの
変化で、エネルギー・ギャップＥｇが変化するような物
質を用いれば、はとんど同じプロセスで、異った発光波
長特性の発光層を積層することができ、組成比Ｘを選べ
ば、３原色を発光させることができる。
変化で、エネルギー・ギャップＥｇが変化するような物
質を用いれば、はとんど同じプロセスで、異った発光波
長特性の発光層を積層することができ、組成比Ｘを選べ
ば、３原色を発光させることができる。
また、そのエネルギー・ギャップＥｇより大きなエネル
ギー光は、その物質に吸収されるから、光の射出する面
に近い発光層はど、エネルギー・ギャップＥｇの大きな
ものを選べば、内部からの光が吸収されることなく、外
部に達することができ、発光効率がよくなる。
ギー光は、その物質に吸収されるから、光の射出する面
に近い発光層はど、エネルギー・ギャップＥｇの大きな
ものを選べば、内部からの光が吸収されることなく、外
部に達することができ、発光効率がよくなる。
［発明の効果］
本発明により、従来困難であった薄膜発光ディスプレイ
装置のカラー化が容易に行なえるようになる。真空容器
内部へ構造部品を設けるなどの必要がなく、装置を一固
体として扱えるため、高信頼度であり、低価格化を図る
のも容易となる。また、発光層に非晶質薄膜、例えばａ
−８ＩＸＣ１ｚ膜を用いると、製造面積に対する原理的
制約がなくなり、大面積表示素子を作るのも可能となる
。
装置のカラー化が容易に行なえるようになる。真空容器
内部へ構造部品を設けるなどの必要がなく、装置を一固
体として扱えるため、高信頼度であり、低価格化を図る
のも容易となる。また、発光層に非晶質薄膜、例えばａ
−８ＩＸＣ１ｚ膜を用いると、製造面積に対する原理的
制約がなくなり、大面積表示素子を作るのも可能となる
。
また、本発明によるカラー表示においては、第２図に示
すように、３原色が同じ所から発光するため、従来（第
１図）あった視差がなくなり、さらに高分解能が可能と
なる。
すように、３原色が同じ所から発光するため、従来（第
１図）あった視差がなくなり、さらに高分解能が可能と
なる。
［発明の実施例］
本発明の一実施例を第３図を用いて詳しく説明する。透
明絶縁基板３１と１〜で、ガラス基板、または石英ガラ
ス基板を準備する。この基板の片面に透明導電膜３２ａ
として例えば、Ｉ’ｒＯ膜を形成する。
明絶縁基板３１と１〜で、ガラス基板、または石英ガラ
ス基板を準備する。この基板の片面に透明導電膜３２ａ
として例えば、Ｉ’ｒＯ膜を形成する。
この基板上に、透明絶縁物３３ａとして、例えば、Ｙ２
Ｏ３膜を形成し、その上に、発光層３４ａとして、ａ−
８ｉｘＣＩ Ｘ膜（ｘ ＝ ０．１〜０．８ ）を形成
した後、さらに、透明絶縁膜３５ａを積層する。この過
程をちと２回繰り返すことで、透明絶縁膜に覆われた３
層の発光層３４ａ、ｂ、ｃを形成し、最後に背面電極あ
として例えばｈｌ膜を形成すると、ディスプレイ装置が
得られる。
Ｏ３膜を形成し、その上に、発光層３４ａとして、ａ−
８ｉｘＣＩ Ｘ膜（ｘ ＝ ０．１〜０．８ ）を形成
した後、さらに、透明絶縁膜３５ａを積層する。この過
程をちと２回繰り返すことで、透明絶縁膜に覆われた３
層の発光層３４ａ、ｂ、ｃを形成し、最後に背面電極あ
として例えばｈｌ膜を形成すると、ディスプレイ装置が
得られる。
代表的な膜厚としては、ガラス基板が０．８１１１１１
．透明導電膜３２が０．１−０．３μｍ、 透明絶縁
膜３３ 、３５が０．１〜１μｍ１発光層詞が０．１〜
１μｍ、背面電極間が０．５〜２μｍである。
．透明導電膜３２が０．１−０．３μｍ、 透明絶縁
膜３３ 、３５が０．１〜１μｍ１発光層詞が０．１〜
１μｍ、背面電極間が０．５〜２μｍである。
発光層３４ ａ−ｓｉｘｃ、 、 の形成方法としては
、容量結合型プラズマＣＶＤ装置を用い、基板温度２０
０〜２５０℃の条件下で、ｓ ｉＨ４＋ ＣＨ４の混合
ガスを真空容器内に導入し、低圧下でグロー放電分解さ
せることによシ、形成する。組成比Ｘは、Ｓ ｉＨ４と
ＣＨ４の混合比を変えるととで制御する。ＣＨ４を多く
すれば青色に近くなる。本実施例においては第１の発光
層３４ａとして、Ｘ＝０．３、第２の発光層３４ｂとし
てＸ＝０．５．第３の発光層３４ｃとして、！＝０．６
とした。それぞれの発光ピーク波長及びエネルギーギャ
ップＥｇを表１に示す。このようにすれば色補正フィル
ターも不要となる。
、容量結合型プラズマＣＶＤ装置を用い、基板温度２０
０〜２５０℃の条件下で、ｓ ｉＨ４＋ ＣＨ４の混合
ガスを真空容器内に導入し、低圧下でグロー放電分解さ
せることによシ、形成する。組成比Ｘは、Ｓ ｉＨ４と
ＣＨ４の混合比を変えるととで制御する。ＣＨ４を多く
すれば青色に近くなる。本実施例においては第１の発光
層３４ａとして、Ｘ＝０．３、第２の発光層３４ｂとし
てＸ＝０．５．第３の発光層３４ｃとして、！＝０．６
とした。それぞれの発光ピーク波長及びエネルギーギャ
ップＥｇを表１に示す。このようにすれば色補正フィル
ターも不要となる。
以下余白
表 １
なお、本実施例では、透明基板上に積層しだがこれをＡ
７ 、ステンレスなどの金属基板、あるいは不透明基板
とし、背面電極をＡＩＪでなく透明導電膜としても良い
。その場合、第１の発光層と第３の発光層を交換するこ
とが望ましい。
７ 、ステンレスなどの金属基板、あるいは不透明基板
とし、背面電極をＡＩＪでなく透明導電膜としても良い
。その場合、第１の発光層と第３の発光層を交換するこ
とが望ましい。
また、透明導電膜として、ＩＴＯ膜でなく、５ｎｏ２膜
、あるいはＩ’ｒＯ膜＋ＳｎＯ２膜などとしても良いし
、透明絶縁膜としてＹ２Ｏ３膜以外にＡｌ２Ｏ３，５ｉ
０２などを用いても良く、背面電極もＡｌでな（ＭＯ，
ＡＬＩなどの他、ＩＴＯなどの透明導電膜としても良い
。
、あるいはＩ’ｒＯ膜＋ＳｎＯ２膜などとしても良いし
、透明絶縁膜としてＹ２Ｏ３膜以外にＡｌ２Ｏ３，５ｉ
０２などを用いても良く、背面電極もＡｌでな（ＭＯ，
ＡＬＩなどの他、ＩＴＯなどの透明導電膜としても良い
。
［発明の他の実施例］
上に述べた実施例においては、発光層別を透明絶縁膜３
３．３５で覆う構造を示したが、この透明絶縁膜オ、３
５のうちどちらか一方、もしくは両方とも々シ去った構
造とすることも可能である。
３．３５で覆う構造を示したが、この透明絶縁膜オ、３
５のうちどちらか一方、もしくは両方とも々シ去った構
造とすることも可能である。
このような構造に変えることによって、高電圧に対する
絶縁破壊強度は低下するが、発光開始電圧を１／２程度
にまで下げることができ、駆動回路の製作が容易になる
という利点がある。
絶縁破壊強度は低下するが、発光開始電圧を１／２程度
にまで下げることができ、駆動回路の製作が容易になる
という利点がある。
また、上に述べた実施例においては、−個で１つの表示
素子であったが、エツチング加工によって、マトリック
ス表示を行うことも可能である。
素子であったが、エツチング加工によって、マトリック
ス表示を行うことも可能である。
すなわち、透明導電膜３２ａ、３２ｃをＸ軸方向にスト
ライプに形成１〜、透明導膜３２ｂと背面電極３６をそ
れに直交するｙ方向にストライブ状に形成して、マトリ
ックス表示を行う。発光層３４８ ％ Ｃはエツチング
加工せずに連続膜として残しておくことができる。
ライプに形成１〜、透明導膜３２ｂと背面電極３６をそ
れに直交するｙ方向にストライブ状に形成して、マトリ
ックス表示を行う。発光層３４８ ％ Ｃはエツチング
加工せずに連続膜として残しておくことができる。
ここで、透明絶縁膜３３としてシリコーン等の樹脂材料
を用いることによυ平坦に形成し、その下の透明導電体
３２の段差を解消することができる。
を用いることによυ平坦に形成し、その下の透明導電体
３２の段差を解消することができる。
さらに、ａ−８ｔｘＣ１ｚの形成方法として、テトラメ
チルシラン（８ｉＣＣＨ４）とシラン（Ｓ！Ｈ４）
との混合ガスを用いることができる。又、基板温度室温
で分解する方法を用いることにより、透明絶縁膜３３に
用いた樹脂の劣化を防ぐことができる。
チルシラン（８ｉＣＣＨ４）とシラン（Ｓ！Ｈ４）
との混合ガスを用いることができる。又、基板温度室温
で分解する方法を用いることにより、透明絶縁膜３３に
用いた樹脂の劣化を防ぐことができる。
また、このような方法で、マトリックス表示素子を作る
と、発光層別自身のエツチング加工が不要であるためエ
ツチング加工の難しいａ−８ｉｘＣ１−ｘ膜を発光層ど
して用いても何の不便もない。
と、発光層別自身のエツチング加工が不要であるためエ
ツチング加工の難しいａ−８ｉｘＣ１−ｘ膜を発光層ど
して用いても何の不便もない。
第４図（ａ）は、この様なマトリックス表示を行なう場
合の回路図を示す。発光層３４Ｃによって赤の表示を行
なう場合には、透明電極層３２ｃを例えば接地して、背
面電極側に２００ｖの交番電圧をかける（第４図ｂ）。
合の回路図を示す。発光層３４Ｃによって赤の表示を行
なう場合には、透明電極層３２ｃを例えば接地して、背
面電極側に２００ｖの交番電圧をかける（第４図ｂ）。
赤及び緑を発光させる場合には３４ｂに同時に第４図Ｃ
の電圧をかける。白色、即ち全てを発光させる場合には
３４ａを接地させておくか、強度が異なる場合には第４
図ｃｌＫ示す様に電圧印加し、有効電圧Ｖｅｆｆを得れ
ば良い。
の電圧をかける。白色、即ち全てを発光させる場合には
３４ａを接地させておくか、強度が異なる場合には第４
図ｃｌＫ示す様に電圧印加し、有効電圧Ｖｅｆｆを得れ
ば良い。
第１図は発光層を同一平面に並べた発光素子の断面図、
第２図は発光層を積層した発光素子の断面図、第３図は
ディスプレイ装置の断面図、第４図（ａ）は回路図、（
ｂ）〜（ｄ）は電圧の波形図である。 図において。 １１ 、２１・・・基板、１２．２２・・・発光層、１
３ 、２３・・・眼、３１・・・透明絶縁基板、３２・
・・透明導電膜、３３ 、３５・・・透明絶縁膜、調・
・・発光層、３６・・・背面電極。
第２図は発光層を積層した発光素子の断面図、第３図は
ディスプレイ装置の断面図、第４図（ａ）は回路図、（
ｂ）〜（ｄ）は電圧の波形図である。 図において。 １１ 、２１・・・基板、１２．２２・・・発光層、１
３ 、２３・・・眼、３１・・・透明絶縁基板、３２・
・・透明導電膜、３３ 、３５・・・透明絶縁膜、調・
・・発光層、３６・・・背面電極。
Claims (4)
- （１）基板上に発光波長特性の異なる複数の発光層を積
層するさ共Ｋ、各発光層を挾む電極層を設けこの電極層
の印加電圧を制御して３原色（赤、緑。 青）及び白を発光し得る様にしたことを特徴とするＢＬ
ディスプレイ装置。 - （２）発光層として、ａ −８ｉＸＣ１−ｘ （Ｘ＝０
．１〜０．８ ）を用いることを特徴とする特許 記載のＥＬディスプレイ装置。 - （３）発光層の発光波長特性の変化をａ ＳＩＸＣＩ
Ｘの組成比Ｘの制御によって生じさせることを特徴と
する前記特許請求の範囲第２項記載のＥＬディスプレイ
装置。 - （４）光の射出する面に近い発光層ほど、エネルギー・
ギャップＥｇの大きなものを積層することを特徴とする
前記特許請求の範囲第１項、第２項及び第３項記載のＫ
Ｌディスプレイ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57166553A JPS5956391A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | Ｅｌデイスプレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57166553A JPS5956391A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | Ｅｌデイスプレイ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5956391A true JPS5956391A (ja) | 1984-03-31 |
Family
ID=15833392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57166553A Pending JPS5956391A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | Ｅｌデイスプレイ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5956391A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60202685A (ja) * | 1984-03-27 | 1985-10-14 | セイコーエプソン株式会社 | 固体発光装置 |
| JPS61284091A (ja) * | 1985-06-07 | 1986-12-15 | アルプス電気株式会社 | 薄膜ｅｌ表示素子 |
| JPS62147693A (ja) * | 1985-12-23 | 1987-07-01 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜ｅｌ素子 |
| JPS62147297U (ja) * | 1986-03-11 | 1987-09-17 | ||
| WO1988000382A1 (en) * | 1986-07-03 | 1988-01-14 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Color display device |
| JPH01102894A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-20 | Canon Inc | 電界発光素子及びその製造方法 |
| US6264805B1 (en) | 1994-12-13 | 2001-07-24 | The Trustees Of Princeton University | Method of fabricating transparent contacts for organic devices |
| US6358631B1 (en) | 1994-12-13 | 2002-03-19 | The Trustees Of Princeton University | Mixed vapor deposited films for electroluminescent devices |
| US6365270B2 (en) | 1994-12-13 | 2002-04-02 | The Trustees Of Princeton University | Organic light emitting devices |
| US6548956B2 (en) | 1994-12-13 | 2003-04-15 | The Trustees Of Princeton University | Transparent contacts for organic devices |
-
1982
- 1982-09-27 JP JP57166553A patent/JPS5956391A/ja active Pending
Cited By (15)
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| JPH0527838Y2 (ja) * | 1986-03-11 | 1993-07-15 | ||
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| US6358631B1 (en) | 1994-12-13 | 2002-03-19 | The Trustees Of Princeton University | Mixed vapor deposited films for electroluminescent devices |
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| US6548956B2 (en) | 1994-12-13 | 2003-04-15 | The Trustees Of Princeton University | Transparent contacts for organic devices |
| US6596134B2 (en) * | 1994-12-13 | 2003-07-22 | The Trustees Of Princeton University | Method of fabricating transparent contacts for organic devices |
| US7173369B2 (en) | 1994-12-13 | 2007-02-06 | The Trustees Of Princeton University | Transparent contacts for organic devices |
| US7714504B2 (en) | 1994-12-13 | 2010-05-11 | The Trustees Of Princeton University | Multicolor organic electroluminescent device formed of vertically stacked light emitting devices |
| US8324803B2 (en) | 1994-12-13 | 2012-12-04 | The Trustees Of Princeton University | Transparent contacts for organic devices |
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