JPS5920804A - 膜厚監視装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 いるものは第１図の如き構成を有している。第１図にお
いて、（２）はタングステンランプからなる光源、（４
）はコリメートレンズ、（６）はハーフミラ−１（８）
は真空蒸着用の真空チェンバーで（１０）は該チェンバ
ー（８）内に配置され、図の下面に光学的薄膜が真空蒸
着されるモニターガラスである。光源（２）から発せら
れた光はコリメートレンズ（４）によってコリメートさ
れ、ハーフミラ−（６）によって二分割される。ハーフ
ミラ−（６）によって反射された光は光検出部（１２）
に入射され、光検出部（１２）の出力は処理回路０４）
において光源変動を検知する為のレファレンス信号とし
て用いられる。一方、ノ＼−フミラ−（６）を透過した
光はモニターガラス（１０）に垂直入射し、該モニター
ガラス（１α及び真空蒸着中の光学的薄膜によって反射
される。この光は、ノー−７ミラー（６）によって反射
され、特定波長のみを透過するフィルタ　（１６）を透
過して光検出部（１８）に入射される。すなわち、光検
出部（１８）の出力は真空蒸着中の光学的薄膜の反射率
に応したものとなり、該出力は処理回路（１４）に入力
されて増巾され、その信号が順次レコーダー（２０）に
記録される。（２２）は光源（２）用の電源であり、上
記両光検出部（１２）　（１８）としては一般にシリコ
ンフォトダイオードやフォトマルが用いられる。

しかしながら、このような構成では、タングステンラン
プの発光強度が弱い為に光路をなるべく短くする必要が
あり、従って、光検出部（１８）は真空蒸着装置のチェ
ンバー（８）に近接して配置せねばならないのに対し、
真空蒸着装置のヒータ・電源や制御用リレースイッチな
どによる電気ノイズ及びロータリーポンプ等による振動
ノイズがチェンバー（８）近傍に存在し、この電気ノイ
ズ及び振動ノイズの為に光検出部（１８）からモニター
ガラス（１０）の反射光量のみに応じた安定した信号を
検出しにくいという欠点がある。更に、第１図の従来構
成では、モニターガラス（１０）からの反射光が正確に
光検出部（１８）に入射するようにモニターガラス（１
０）やノー−７ミラー（６）の傾きを調整せねばならず
、これら光学系の調整が非常にめんどうである。

目的 本発明は上述の如き点に鑑みてなされたものであり、そ
の目的は、真空チェンバー近傍の電気ノイズ及び振動ノ
イズによって影響゛されることなく光学薄膜の反射光強
度のみに応じた安定した信号することにある。

実施例 以下、図面に基いて、本発明の詳細な説明する。

第２図は本発明一実施例装置を示す概略図で、同図にお
いて、（２４）は真空チェンバー、（２６）は蒸発源ル
ツボ、（２８）は光学的薄膜が真空蒸着されるしンズを
多数その内面に保持するドームで、ドームｃ２８）の中
央には透明な平行平面ガラスからなるモニターガラス（
３０）が固定されている。（３２）はヒータドーム、’
　（３４）は遮熱１筒・で遮熱筒（３４）の内部には、
モニターガラス（３０）に近接して互いに同様の成分か
らなる２本の長いオプティカルファイバ（３６）　（３
８）が配置きれている。両オプティカルファイバ（３６
）（３８）の先端部は、それぞれステンレス管によって
被覆され、かつ樹脂によって封止されている。両オプテ
ィカルファイバ（３６）　（３８）の後端は共にコント
ロールボックス（４０）に接続され、該コントロールボ
ックス（４０）はＣＲＴからなる表示部（４２ａ）を有
するマイクロコンピュータ（４２）とケーブルによって
接続されている。

本実施例の光学的及び電気的構成について、第３図を用
いて説明する。第３図において、両オプティカルファイ
バ（３６）　’（３８）の一方（３６）は、後端（３６
ａ）　カコントロールボックス（４０）内の光ｉ　（４
４）　Ｋ対向するよう配置されている。光源（４４）は
電子閃光放電管（本実施例ではキセノンフラッシュ管）
よりなり、その発光タイミングはマイクロコンピュータ
（４２）によって制御される。（４６）も両オプティカ
ルファイバ（３６）　（３８）と同様の成分からなるオ
プティカルファイバで、一端は光源（４４）に対向し、
他ｔｍは単一のシリコンフォトダイオードを有する第１
の光検出部（４８）Ｋ対向するよう配置されている。第
１の光検出部（４８）の出力は光源（４４）の発光強度
をモニタする為のレファレンス信号として用いられる。

このような構成によって、光源（４４）から発せられた
光は、オプティカルファイバ（３６）によってモニター
ガラス（３０）に導かれるとともに、オプティカルファ
イバ（４６）によって第１の光検出部（４８）に導かれ
る。このように、モニタガラス照射用光路とレファレン
ス用光路とを共に同じ成分のオプティカルファイバによ
って導くよう構成することによって、該オプティカルフ
ァイバの透過率を加味したレファレンス信号を容易に得
ることができる。更に、光源（４４）と第１の光検出部
（４８）とを互いに遠くに配置し、その間の光路をオプ
ティカルファイバ（４６）によって構成することによっ
て、光源（４４）を構成する電子閃光放電管の閃光発光
時における電気的ノイズが第１の光検出部（４８）によ
って検出されるのを解消することができる。

一方、先端（３８ｂ）がモニターガラス（３０）［対向
する他方のオプティカルファイバ（３８）の後端（３８
ａ）は第２の光検出部（５０）に対向されるよう配置さ
れている。第２の光検出部（５０）の構成については後
述する。第１及び第２の光検出部（４８）　（５０）の
出力は共に処理回路（５２）に入力され、処理回路（５
２）によって処理されて各検出部（４８）　（５０）の
出力に応じた情報かマイクロコンピュータ（４２）に入
力される。

以上の如き構成により、本実施例によれば、真空チェン
バー（２４）内のモニターカラス（３０）とその反射光
を検出する第２の検出部（５０）とを離して配置し、そ
の間の光路を長いオプティカルファイバ（３８）で導く
ので、真空蒸着装置の電気的ノイズが第２の検出部（５
０）によって検出されることはなく、ハーフミラ−が不
要となり光学系を筒単にできる。

更に長いオプティカルファイバを用いれば光損失は大き
くなりモニターガラス（３０）に到達する光量や第２の
光検出部（５０）によって受光される光量は減少しがち
であるが、本実施例では、光源として発光強度の強い電
子閃光放電管を用いるので、充分な光量を得ることがで
きる。

次に、両オプティカルファイバ（３６）　（３８）の先
端（３６ｂ）　（３８ｂ’）とモニターカラス（３０）
との配置関係について第４図を用いて説明する。第４図
に示されるように、両オプティカルファイバの先端（３
６ｂ）（３８ｂ）は両者の間の角θが５°以内となるよ
うに固定されている。そして、モニターガラス（３０）
は、両オプティカルファイバ（３６）　（３８）の先端
面から約２０間の距離ｔに、両ファイバ（３６）　（３
８）のなす角θの二等分線（Ｐ）がモニターガラス（３
０）に垂直となるよう配置される。光照射用オプティカ
ルファイバ（３６）の先端面から射出された光は、図の
光路（α、）（α２）によって示されるように約６０°
に拡がるが、反射光受光用オプティカルファイバ（３８
）は光路（β１）（Ｊ３→に示されるように約６０°の
角度範囲内をにらむので一方のオプティカルファイバ（
３６）から射出されモニターガラス（３０）によって反
射されて他方のファイバ（３８）に入射される光は、図
中斜線に示される如く、はぼ平行光となり、モニターガ
ラス（３０）に垂直入射する光の反射光を検出する場合
とほとんど大差ない。

これは、両オプティカルファイバ（３６）　（３８）の
先端面が小さくて、射出・入射する光の角度を良好に規
制するからである。また、両オプティカルファイバ（３
６）　（３ｓ）の先端の間の角を変えられるように構成
すれば、垂直入射の場合のみならず、斜入射光に対する
反射光検出も行う（とができる。

尚、両オプティカルファイバ（３６）　（３８）の先端
部は、第５図（ａ）（すのように一本にまとめても良い
。第５図（ａ）は光照射用オプティカルファイバ（３６
）を外側反射蓋受光用オプティカルファイバ（３８）を
内側に配置した同心円状の構成、第５図（ｂ）は各オプ
ティカルファイバ（３６）　（３８）の先端を細分し１
混在させてモザイク状とした構成を示すものである。細
分された両オプティカルファイバ（３６）　（３８）の
間は樹脂にて封止されている。一本にまとめられたオプ
ティカルファイバの先端部は、第５図（Ｃ）のように、
一本のステンレス管によって被覆され、モニターガラス
（３０）に垂直に配置される。このように一本にまとめ
ることによってオプティカルファイバの位置設定を更に
筒単にすることができる。

本実施例は、多数の波長について同時にモニターガラス
（３０）の反射率を検出可能なものであり、その為の第
２の光検出部（５０）の構成について、以下、第６図〜
第８図を用いて説明する。第６図は第３図のオプティカ
ルファイバ（３８）の後端面に対向するよう配置された
光センサーを示す断面図である。第６図において、（５
４）はＩＣセラミックパッケージ、（５６）は該パッケ
ージ（５４）上に固着された多数の微小なシリコンフォ
トダイオ−、ドからなるアレイセンサーである。各シリ
コンフォトダイオードはそれぞれ１つずつパッケージ（
５４）に固着された。

各出力ピン（５８）に金線にてワイヤボンディングされ
ている。（６０）はアレイセンサー（５６）に入射する
光束を規制する為のスリット（６ｏ　ａ）を有するマス
ク板で、ガラス板（６２）の上に金属膜（６４）を形成
しスリット（６０ａ）をエツチングによって作成するこ
とによって簡単に製造される。ガラス板（６２）の裏面
には、アレイセンサー（５６）の各シリコンフォトダイ
オードによって検出される光の波長を異ならしめる為の
干渉フィルター（６６）が透明な接着剤によって貼着さ
れている。

干渉フィルター（６６）の断面図を第７図（ａ）に示す
。

干渉フィルター（６６）は第７図（ａ）図示のように、
ガラス板（６８）の上に、順次、銀層（Ａｇ）、二酸化
シリコン層（Ｓｉ０２）及び銀層（Ａ　ｇ）か真空蒸着
によって形成されたものであり、中間の二酸化シリコン
層（ｓｉｏ２）の膜厚が図示の如く検出に用いられる波
長の数だけのステップ数ステップ状に異ならしめである
。従って、二酸化シリコン層（Ｓｉ０２）の最もうすい
■の部分は、第７図（ｂ）のグラフに示されるように最
も短波長側の光のみを透過し、二酸化シリコン膜（Ｓｉ
０２）が厚くなるにつれてより長波長の光のみを透過す
る。銀層（Ａ　ｇ）及び二酸化シリコン層（ｓ１ｏ２’
）の膜厚は検出に用いられるべき所定の波長に応じて定
められる。各ステップ巾Ｗは、・アレイセンサー（５６
）の各シリコンフォトダイオードの巾に対応するよう定
められる。

第８図は本実施例の光センサーを示す斜視図である。こ
のような光センサーを用いることによって、本実施例に
よれば、モニターガラス（３０）の反射率を多数の波長
について同時に検出することができる。

第９図は第２の光検出部の別の構成を示す分解図で、基
板（７０）上に図示の如く７個のシリコンフォトダイオ
ード（７２）が固着されており、各シリコンフォトダイ
オード（７２）はそれぞれアノード側が対応するリード
線（７４）と電気的接続されており、カソード側は共通
のアース用リード線（７６）と電気的接続されている。

各シリコンフォトダイオード（７２）の受光面上にはそ
れぞれ透過波長の異なる干渉フィルタ（７８）が配置さ
れ、その上には各シリコ。

ンフオトダイオード（７２）への入射光束中を規制する
為の透孔（８０ａ）を有するマスク板（８０）が配置さ
れている。このように光検出部をアレイセンサーを用い
ずに構成することもできる。

次に、コントロールボックス（４０）内の回路構成及び
その動作について第１０図を用いて説明する。

第１０図において、（Ｐ＋）（Ｂ２）（Ｐｎｌ　　は第
６図のアレイセンサーを構成するシリコンフォトダイオ
ードのひとつひとつを示し、（Ｐｒ）はレファレンス信
号を得る為の第’＋１の光検出部（４８）を構成するシ
リコンフォトダイオードであり、その出力は光源の強度
変化を補償する為に用いられる。フォトダイオード（Ｐ
ｌ）を例にとって以下の構成を説明すると、フォトダイ
オード（Ｐｌ）はオペアンプ（Ａ、）の反転、非反転入
力端子間に接続されており、オペアンプ（Ａ１）の非反
転入力端子は接地されている。オペアンプ（Ａ１）の出
力端子０反転入力端子間には負帰還抵抗（Ｒ＋）が接続
されている。オペアンプ（Ａ１）の出力は、マイクロコ
ンピュータ（４２）によってＯＮ　−ＯＦＦ　が制御さ
れるスイッチ（ＳＡ　Ｉ）及び抵抗を介して積分器（Ｂ
１）の反転入力端子に入力される。積分器（Ｂ、）の反
転入力端子・出力端子間には、メモリ用コンデンサ（ｃ
＋）　、及びマイクロコンピュータ（４２）Ｋ、Ｊ：っ
てＯＮ　−ＯＦＦ　　が制御されるスイッチ（ＳＢＩ）
が並列接続されており、非反転入力端子は接地されてい
る。

積分器（Ｂ１）の出力は、マイクロコンピュータ（４２
）によってコントロールされる制御回路（８２）により
ＯＮ　−ＯＦＦ　が制御されるスイッチ＋（Ｂ３菊を介
してＡ／Ｄ変換器（８４）に入力されている。Ａ／Ｄ変
換器（８４）の出力はマイクロコンピュータ（４２）に
入力される。

以下、各シ・リコンフ７オトダイオード　（Ｂ２）・・
・（Ｐｎ）　　及び（Ｐｒ）についても（Ｐ、）と同様
の回路構成となっている。

図中、点線で囲んだ部分が処理回路（５２）を構成して
いる。尚、図示されてはいないが、マイクロコンピュー
タ（４２）は光源の閃光発光タイミングをも゛制御する
。

以下、第１０図の回路動作について説明すると、まず、
光源発光前にはスイッチ（ＳＡ　Ｉ）　（ＳＡ　２）　
〜（ＳＡｎ）（Ｓ　Ａ　ｒ）がＯＮ、スイッチ（ＳＢ　
１）（ＳＢ　２）　〜（ＳＢｎ）　（ＳＢ　ｒ）及び（
Ｓ、）（Ｂ２）〜（Ｓ　ｎ）　（Ｓ　ｒ）がＯＦＦの状
態とされている。この状態で、光源である電子閃光放電
管が閃光発光させられ、その光が、オプティカルファイ
バ（４６）を介してフォトダイオード（ＬＦｒ）に導か
れるとともに、オプティカルファイバ（３６）を介して
真空蒸着装置にて薄膜が真空蒸着されているモニターガ
ラス（３０）に照射され、モニターガラス（３０）から
の反射光はオプティカルファイバ（３８）を介して、そ
れぞれ、′！！；一定波長の光のみを検出するようにさ
れた多数（図ではｎ個）のシリコンフォトダイオード（
Ｐｌ）〜（Ｐｎ）を有するアレイセンサーに導かれる。

従って、各フォトダイオード（Ｐｌ）〜（Ｐｎ）には、
モニターガラスの反射光のうち各特定波長の光強度に比
例した光電流（工１）〜（Ｉ　ｎ）が流れ、各電流は各
オペアンプ（Ａ１）〜（Ａｎ）によって、それぞれの電
流値に比例した電圧（ｖｌ）〜（Ｖｎ）に変換される。

それと同時に、シリコンフォトダイオード（Ｐｒ）にも
光源の発光強度に応じた光電流（工ｒ）が流れ、この電
流はオペアンプ（Ａｒ）によって電圧（Ｖｒ）に変換さ
れる。

各電圧（ｖｌ）〜（ｖｎ）（ｖｒ）は、それぞれＯＮ　
　状態にあるスイッチ（ＳＡ　１）　〜（ＳＡｎ）　（
ＳＡｒ）を介して積分器（Ｂｌ）　〜（Ｂｎ）（Ｂ　ｒ
）にそれぞれ印加され、各コンデンサ（ｃｌ）〜（Ｏｎ
）（Ｏｒ）に各電圧（Ｖ　＋）　〜（Ｖ　ｎ）　（Ｖ　
ｒ）がメモリされる。すなわち、コンデンサ（Ｃ１）〜
（Ｏｎ）　（ｃ　ｒ）　Ｋは、各フォトダイオード（Ｐ
、）〜（Ｐｎ）　（Ｐ　ｒ）に受光される強度に応じた
電圧（Ｖ、）〜（Ｖｎ）　（Ｖｒ）がそれぞれメモリさ
れる。

次に、上記メモリが完了した後に、マイクロコンピュー
タ（４２）からの信号によって制御回路（８２）か、第
１１図に示す如く、スイッチ（Ｓ、）〜（Ｓ　ｎ）　（
Ｓ　ｒ）を順次、一定時間のみ　ＯＮさせる。これによ
ってＡ／Ｄ変換器（８４）にはコンデンサＣＣ＋）　〜
（Ｏｎ）　（Ｏｒ）にそれぞれメモリされた電圧（ｖｌ
）〜（Ｖｎ）　（Ｖ　ｒ）が順次入力される電圧（Ｖ　
＋）　〜（Ｖｎ）（Ｖｒ）を順次Ａ／Ｄ変換して、それ
に応じた信号を順次マイクロコンピュータ（４２）に送
る。すなわち、マイクロコンピュータ（４２）は、各フ
ォトダイオード（Ｐｌ）〜（Ｐ　ｎ）　（Ｐ　ｒ）に受
光される光強度に応じたデジタル信号を順次取り込む。

全取り込みが完了すると、マイクロコンピュータ（４２
）によってスイッチ（ＳＢ　＋）　〜（ＳＢｎ）　（ｓ
Ｂｒ）が全てＯＮされ、各メモリ用コンデンサ（ａ＋）
〜（Ｃ！　ｎ）　（Ｏｒ）がリセットされる。

以上がモニターガラスに真空蒸着される薄膜の膜厚を監
視する為にモニターガラスの反射光強度を測定する１回
の動作であり、マイクロコンピュータ（４２）によって
上記動作を一定時間ごと（例えば５秒ごと）にくり返す
ことにより、モニターガラスの反射光強度を時々刻々と
測定するよう本実施例は構成されている。

マイクロコンピュータ（４２）は上述の如くシて得られ
る反射光強度をもとに薄膜を真空蒸着中のモニターガラ
スの反射率を各特定波長ごとに演算する。この演算につ
いて説明する。まず、薄膜を真空蒸着する前の真空中に
おけるモニターガラスの反射光強度を上述の如くして各
特定波長ごとに測定し、マイクロコンピュータ（４２）
にメモリする。

これを各特定波長ごとにそれぞれＸｏ１〜Ｘｏｎとする
。

ｎは特定波長の個数、すなわちアレイセンサー内の測定
に用いられるセルの数である。この反射光強度は、モニ
ターガラスの蒸着面及びその裏面の反射率に対応するも
のであるから、計算によってこの裏面反射分を補正して
、反射率を演算する。

モニターガラスとして屈折率１５２の青板ガラスが用い
られると、表裏両面の反射率は８．０１％、片面では４
２％であるから、第１番目の特定波長（１＝　１．２．
・・・、ｎ）のに回目の測定における反射光強度をＸｋ
ｉとすると、その反射率Ｒ１は、で得られる。但し、 Ａ＝０．０８０１ Ｂ＝０．０４２ ０＝０．９１５６ である。マイクロコンピュータ（４２）はこのようにし
て演算された各波長に対する時々刻々の反射率を全てメ
モリしており、それらを用いて表示部（４２ａ）上に、
真空蒸着中のある時点における各波長の反射率をリアム
タイムで同時に表示したり、ある単一の特定波長におけ
る反射率の時間的変化を表示したり、この両者を同時に
表示したりすることができるよう構成されている。

一例として、空気側から基板ガラス側へ順に、第１層が
膜厚λ／４（λ−５１０−のＭｇＦ２．第２層が膜厚λ
／２のＺｒＯ２＋第３層が膜厚λ／４のＡ１２ｏｓから
なる三層反射防止膜を写真用レンズに真空蒸着する場合
の、モニターガラスを交換することなく各膜厚を監視す
る累積モニタリングを本実施例装置を用いて行うケース
を説明する。第１２図（ａ）は、上記第３層の真空蒸着
が完了した状態の表示部（４２ａ）の表示を示している
。縦軸は反射率を示し、横軸は波長及び時間をあられす
。図中、休）印のプロットは各波長における反射率を示
し、（・）印のプロットは（×）印の左から６番目のプ
ロット（波長５１０＋ｎ＋ｎ）で示される反射率の経時
変化を示している。本実施例装置を用いて上記第３層の
膜厚を制御するには、予め実験や計算によって第３層が
所定膜厚となったときの分光反射率曲線を想定しておき
、各プロ７）　（Ｘ）が該曲線上に位置したとき蒸着を
停止すれば良い。また、従来と同様に、０印のプロット
がピークを示したときに蒸着を停止しても良い。

続いて第２層の真空蒸着が完了した状態の表示を第１２
図０）に、第１層の真空蒸着が完了した状態を第１２図
（Ｃ）にそれぞれ示す。第１２図（Ｃ）の（×）印のプ
ロットを見ると明らかなように、第１層蒸着完了時には
、反射防止膜全体としての分光反射率効　　果 以上のように、本発明は、光源からの光を真空蒸着装置
内の光学筒Ｉｌｌξ」に照射し、該光学薄膜からの反射
光を反射光測光用光電変換検出部によって受光して該光
学薄膜の膜厚に関する情報を得る膜厚監視装置において
、上記反射光測光用光電変換検出部を上ｉ己真柴蒸着装
置醒から離して配置し、上記光源として電子閃光放電、
管を用いるとともに、上記光学薄膜からの反射光を一端
が該光学薄膜に向けて近接配置直された第１のオプティ
カルファイバを用いて上記反射光測光用光電変換検出部
に導き、更に、上記称子閃光放電肯から発せられた光を
上記光学薄膜を介することなく直接第２のオプラーイカ
ルファイバ全用いて、該電子閃光放電管から離して配閘
された光源測光用光電変換検出部に導いてその出力によ
り光諒光の強度全補償するよう構成されていることを特
徴とするものであり、このように構成することによって
、真空蒸着装置の市゛、気的ノイズ及び振動ノイズが光
重変換検出に悪影ｅｆｔ及はすことを防止して光学薄膜
の反射率のみに応じた安定した信号ケ得ることができる
し、従来装置のようにハーフミラ−やモニターガラスの
位ｉ首調節を厳密に行なわすとも良いので光学系の調整
が非常に簡単になり、更に、上６１シノイズ防止の為に
反射光測光用光電変換検出部から離して配閾しても光源
として発光強度の強い電子閃光放電管を用いるので充分
な光強度を検出することかでき、電子閃光放電管、管の
発光強度のばらつきはそれを測光する光源測光用光電変
換検出部の出力によって補償され、かつ、該電子閃光放
電管と光源測光用光電変換検出部とを離して配置し、そ
の間に光路をオプティカルファイバを用いたので、閃光
発光時の電気的ノイズか該検出部に検出されることはな
い。

更に、実施態様のように、光源から発せられた光をも第
３のオプティカルファイバで光学薄膜に導くよう構成す
れば、コリメートレンズを用いずとも従来装置と同様に
垂直入射光に対する光学薄膜の反射光を測光することが
でき、光学系自体及びその調整が更に容易になる。

更に、実施態様のように、上記第１及び＠３の２本のオ
プティカルファイバの先端を１本にまとめると、その位
置鵠（３にを更に簡単にすることかできる。

更に、実施態様のように、反射光測光用光電変換検出部
が互いに異なる多数の特定波長について光学薄膜の反射
光を同時に受光するよう構成すれは、光学薄膜の分光反
射率をリアムタイムに検出することができ、この分光反
射率によって膜厚制御を行うこともできる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来例の概略図、第２図は本発明一実施例装置
の概略図１、第３図はその光学的及び電気的構成を示す
概略図、第４図はオプティカルファイバの先端とモニタ
ーガラスとの位置関係を示す図、第５図（ａ）　（ｂ）
　（ｃ）はオプティカルファイバの変形例を示す図、第
６図は光検出部の構成を示す断面図、第７図（ａ）　（
ｂ）はその干渉フィルターを示す断面図及びグラフ、第
８図は光検出部の斜視図、第９図は光検出部の他の実施
例を示す分解斜視図、第１０図は本実施例の電気回路要
部を示す回路図、第１１図はそノスイッチ（Ｓｌ）〜（
ｓｎ）（ｓｒ）ノ０Ｎ−ＯＦＦを示すタイムチャート、
第１２図（ａｌ　（ｂｌ　（ｃｌは表示部の表示を示す
図である。 （２４）（２６）（２８）（３２）；真空蒸着袋筒、（
３８）；　第１のオプティカルファイバ、（４４）ｉ光
源、 （４６）；第２のオプティカルファイバ、（４８）；光
源測光用光電変換検出部、（５０）；反射光測光用光電
変換検出部。 出願人　　ミノルタカメラ株式会社 第３図 Ｉｎ 第４図 第５図（Ｃ） 第Ｃ図 第７図（α） 第７図（ｂ）。 第２図 Ｓに立−−−−−−ｓｇ ６ 第１／図 ２ｏＦＥｔ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　光源からの光を真空蒸着装置内の光学薄膜に照射し
   、該光学薄膜からの反射光を反射光測光用光電変換検出
   部によって受光して該光学薄膜の膜厚に関する情報を鴫
   る膜厚監視袋［６゛において、上記反射光側光用光電変
   換検出部を上記真空蒸着装置から離して配置し、上記光
   源として市′子閃光放雷１管を用いるとともに、上記光
   学薄膜からの反射光を一端が該光学薄膜に向けて近接配
   置された第１のオプティカルファイバを用いて上記反射
   光側光用光電変換検出部に導き、更に、上記霜゛５子閃
   光放電管から発せられた光を上記光学薄膜ケ介すること
   なく直接箱２のオプティカルファイバを用いて、該電子
   閃光放電管から離して配置された光源測光用光電変換検
   出部に導いてその出力により光源光の強度を補償するよ
   う構成されている膜厚監視装置。 ２　前記電子閃光放電管から発せられた光は、一端が前
   記光学薄膜に向けて近接配置された第３のオプティカル
   ファイバを介して上記光学薄膜に照射されるよう構成さ
   れている特許請求の範囲第１項記載の膜厚監視装置。 ３　前記第１のオプティカルファイバと、前記第３のオ
   プティカルファイバとは、上記光学薄膜に近接配置され
   る先端が一本に１とめられている特許請求の範囲第２項
   記載の膜厚監視装置。 ４　前記反射光測光用光電変換検出部は、互いに異なる
   多数の特定波長の光のみをそれぞれ同時に受光するよう
   構成された多数の光電変換装置を有する特許請求の範囲
   第１項記載の膜厚監視装置０５　前記多数の光重変換装
   置は、多数のフォトダイオードと各フォトダイオードの
   受光面前に配置された互いに透過波長の異なる多数のフ
   ィルタとを有する特許請求の範囲第４項記載の膜厚監視
   装置。 ６　前記多数の光学変換装置は、多数のフォトダイオー
   ドセルが少なくとも一列に配列されたフォトダイオード
   アレイと、各セルの長さに対応する長さでステップ状に
   膜厚の異なるよう構成された干渉フィルタとを有する特
   許請求の範囲第１項記載の膜厚監視装置。 ７　前記多数の光学変換装置の多数の出力に応した多数
   の信号をそれぞれ同時に記憶する記憶手段と、記憶され
   た各信号を経時的に出力する出力手段と、該出力手段の
   出力ｋ　ｌＴｈ次とり込み各特定波長に関する光学薄膜
   の反射率全演算する演算手段とを有する特許請求の範囲
   第４項記載の膜厚監視装置。 ８　前記演算手段はマイクロコンピュータからなる特許
   請求の範囲第７項記載の膜厚監視装置。 ９　各特定波長に関する光学Ｎ膜の反射率を同時に表示
   する分光反射率表示部？有する特許請求の範囲第７項又
   は第８頓記載の膜厚監視装置。 １０　　多数の特定波長のうちの単一の波長について反
   射率の経時変化を表示する反射率変化表示部分有し、前
   記分光反射率表示部と同時に表示可能