JPS59163514A - Electrostatic capacity type sensor - Google Patents
Electrostatic capacity type sensorInfo
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- JPS59163514A JPS59163514A JP58037515A JP3751583A JPS59163514A JP S59163514 A JPS59163514 A JP S59163514A JP 58037515 A JP58037515 A JP 58037515A JP 3751583 A JP3751583 A JP 3751583A JP S59163514 A JPS59163514 A JP S59163514A
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
- G01L9/0075—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a ceramic diaphragm, e.g. alumina, fused quartz, glass
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
この発明は圧力、差圧、荷重またはレベル等(以下、圧
力で代表する。)の物理的な童を静電容量的に検出する
検出部(センサ)の構造に関するものである。[Detailed description of the invention] [Technical field to which the invention pertains] The present invention relates to a detection unit that capacitively detects physical factors such as pressure, differential pressure, load, or level (hereinafter referred to as pressure). (sensor) structure.
第1図は静電容量式圧力センサの従来例を示す断面図、
第1A図は電極部の構造を示す上面図、第1B図はセン
サの電気的な等何回路を示す回路図である。第4図にお
いて、1はノ・ウジング、2゜3は電極ミ4は圧力測定
ダイアフラム、5は絶縁体、6,9は連通孔、7,8は
電極管、10〜12は端子である。すなわち、電極2,
3が取シ付けられた絶縁体5は、金属性のハウジング1
にメタライズ等の方法によって接合され、該ハウジング
1は電子ビーム溶接等によって金属製の測定ダイアフラ
ム4に取シ付けられる。第1A図に示されるように、電
極2と3は互いに同心円状に配置されるとともに、その
断面積S 1 r 82は互いに等しくなるように選ば
れている(S1=82= S)。そして、中央の電極3
には外部へ通じる連通孔6を有する電極管7が取シ付け
られていて、圧力測定ダイアフラム4へ圧力が伝達され
る如く構成されておシ、また、外周の電極2には同じく
連通孔9を有する電極管8が取υ付けられている。なお
、電極3とダイアフラム4および電極2とダイアフラム
4によってそれぞれ静電容量C1,C2なるコンデンサ
が形成される。したがって、例えば連通孔6よシ圧力が
導入されるとダイアフラム4が変位することになるが、
この変位を、従来は測定ダイアフラム4の中央部付近で
は犬きく、その外周では殆んどない、つまシ第1B図の
等節回路に示すように容量C2は不変であると考え、以
下の如き演算式から求めるようにしていた。Figure 1 is a sectional view showing a conventional example of a capacitive pressure sensor.
FIG. 1A is a top view showing the structure of the electrode section, and FIG. 1B is a circuit diagram showing the electrical circuits of the sensor. In FIG. 4, 1 is a housing, 2.3 is an electrode, 4 is a pressure measuring diaphragm, 5 is an insulator, 6 and 9 are communicating holes, 7 and 8 are electrode tubes, and 10 to 12 are terminals. That is, electrode 2,
The insulator 5 to which the insulator 3 is attached is attached to the metal housing 1
The housing 1 is attached to a metal measuring diaphragm 4 by electron beam welding or the like. As shown in FIG. 1A, electrodes 2 and 3 are arranged concentrically with each other and their cross-sectional areas S 1 r 82 are chosen to be equal to each other (S1=82=S). And the center electrode 3
An electrode tube 7 having a communication hole 6 leading to the outside is attached to the electrode tube 7, which is configured to transmit pressure to the pressure measuring diaphragm 4, and the electrode 2 on the outer periphery also has a communication hole 9. An electrode tube 8 having a diameter is attached. Note that the electrode 3 and the diaphragm 4 and the electrode 2 and the diaphragm 4 form capacitors having capacitances C1 and C2, respectively. Therefore, for example, when pressure is introduced through the communication hole 6, the diaphragm 4 will be displaced.
Conventionally, this displacement is large near the center of the measurement diaphragm 4, but almost non-existent at the outer periphery.Considering that the capacitance C2 remains unchanged as shown in the equinodal circuit of Figure 1B, we consider the following: I was trying to find it from an arithmetic expression.
(1) 、 (21式より
なお、C0は電極間の誘電率、Sは電極の面積、doは
電極間の間隙、Δdは測定ダイアフラムの平均変位であ
る。(1), (From Equation 21, C0 is the dielectric constant between the electrodes, S is the area of the electrodes, do is the gap between the electrodes, and Δd is the average displacement of the measurement diaphragm.
ところが、実際にはダイアフラム4の固定端近傍におい
ても変位が生じて容量C2が変化するため、直線性が悪
くなシ測定精度が低下するという欠点があるばかシでな
く、以下に列記する如き欠点がおる。However, in reality, displacement also occurs near the fixed end of the diaphragm 4 and the capacitance C2 changes, so there are not only drawbacks such as poor linearity and reduced measurement accuracy, but also the following drawbacks: There is.
イ)2つの電極が互いに隣接して配置されるため、これ
らの間で浮遊容量が形成され易い。b) Since the two electrodes are arranged adjacent to each other, stray capacitance is likely to be formed between them.
口)測定ダイアフラムに対向して2つの電極を設けるも
のであるため、それぞれの静電容量値が小さくなシ、そ
の結果、上記の如き浮遊容量の影響を受は易い。Since two electrodes are provided facing the measurement diaphragm, their capacitance values are small, and as a result, they are easily affected by stray capacitance as described above.
ハ)金属と絶縁体の複合体を設けなければならないため
、一般に高価となる。c) It is generally expensive because a composite of metal and insulator must be provided.
二)金属ダイアフラムによって圧力を測定するものであ
るため、金属ダイアフラムのヒステリシスが測定結果に
含まれ、高精度の測定が困難である。2) Since the pressure is measured using a metal diaphragm, the hysteresis of the metal diaphragm is included in the measurement results, making it difficult to measure with high precision.
この発明は上述の如き諸点に鑑みてなされたもので、高
精度な測定が可能でしかも小型化が容易な静電容量式セ
ンサを提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above-mentioned points, and an object of the present invention is to provide a capacitive sensor that can perform highly accurate measurements and is easy to downsize.
その特徴は、互いに同じ面積を有する同心円状の第1.
第2電極部が形成された支持体と、該支持体と対向する
面に第3電極部を有し該第3電極部の少なくとも第1.
第2電極部と対向する位置に物理的な力に応動するダイ
アフラム部が形成された基板とを互いに向かい合わせ所
定の間隙をもって接合するだめの接合部を第1.第2電
極間に配置した点、また、少なくとも上記基板の材料を
物理的特性が良好で微細加工が可能なものとした点にあ
る。Its feature is that the first concentric circles have the same area.
A support body on which a second electrode part is formed, a third electrode part on a surface facing the support body, and at least the first electrode part of the third electrode part.
A first bonding portion is used to connect the second electrode portion and a substrate on which a diaphragm portion that responds to physical force is formed at a position facing each other with a predetermined gap between them. This is because the substrate is arranged between the second electrodes, and at least the material of the substrate has good physical properties and can be microfabricated.
以下、この発明の実施例を図面を参照して説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第2図はこの発明の実施例を示す構造図で、同図(イ)
は全体的な構造を示す断面図、(ロ)は電極部の構造を
示す上面図、(ハ)は同じくその断面図である。FIG. 2 is a structural diagram showing an embodiment of this invention, and FIG.
1 is a cross-sectional view showing the overall structure, (b) is a top view showing the structure of the electrode part, and (c) is a cross-sectional view thereof.
同図において、21は例えば溶融石灰、水晶、ガラス、
セラミックスまたはサファイア等の材料からなシ、その
表面に同図(ロ)の如く同心円状の2つの電極22.2
4が形成された電極支持体であシ、これら電極22.2
4は該支持体210所定深さの位置に蒸着等によシ形成
される。なお、該支持体21には同図(ハ)の如くリン
グ状の突出部21’が形成されるとともに、第1図と同
様の連通孔27および電極管31が設けられている。2
6は支持体21と同様の材料からなる測定ダイアフラム
であシ、支持体21と対向する全面には所定の金属が蒸
着等の手段によって取シ付けられ、これによって電極2
3が形成される。そして、これら支持体21と測定ダイ
アフラム26とは、互いに電極どうしが向き合うように
して低融点ガラス、ガラス、有機接着剤または金属等の
接着層25により接合される。なお、この接合に当って
は、使用される物質に応じて共晶反応を利用する方法ま
たは陽極接合法等の公知の方法が用いられる。こうして
、電極23と24にょシ平板コンデンサc1カ、また電
極22と23にょシ平板コンデンサc2がそれぞれ形成
される。この場合、コンデンサc2は圧力等に応じてそ
の容量が変化するのに対し、コンデンサC1は圧力等に
応動しないので、これを基準のコンデンサとして用いる
ことができる。In the figure, 21 is, for example, molten lime, crystal, glass,
It is made of a material such as ceramics or sapphire, and there are two concentric electrodes 22.2 on its surface as shown in the same figure (b).
4, these electrodes 22.2
4 is formed at a predetermined depth on the support 210 by vapor deposition or the like. The support body 21 is provided with a ring-shaped protrusion 21' as shown in FIG. 2
Reference numeral 6 denotes a measuring diaphragm made of the same material as the support 21, and a predetermined metal is attached to the entire surface facing the support 21 by means such as vapor deposition.
3 is formed. The support body 21 and the measurement diaphragm 26 are bonded to each other by an adhesive layer 25 made of low melting point glass, glass, an organic adhesive, metal, or the like, with the electrodes facing each other. Note that for this bonding, a known method such as a method utilizing a eutectic reaction or an anodic bonding method may be used depending on the substance used. In this way, a flat plate capacitor c1 is formed on electrodes 23 and 24, and a flat plate capacitor c2 is formed on electrodes 22 and 23, respectively. In this case, the capacitance of the capacitor c2 changes depending on the pressure and the like, whereas the capacitor C1 does not respond to the pressure and the like, so it can be used as a reference capacitor.
なお、同図(イ)において、28〜3oはボンディング
、はんだ付は等の手段にょシ各電極に接続される端子で
ある。In addition, in the same figure (a), 28-3o are terminals connected to each electrode by means of bonding, soldering, etc.
こ\で、測定ダイアフラムを挾んで圧力差が生じると、
該圧力差に比例して測定ダイアフラム26がたわむため
、電極22.23の電極間々隔、つま)静電容量C2は
変化するが、電極23.24の電極間々隔は変化しない
。いま、電極間(23と22.24との間)の間隙をd
os電極間の誘電率をε、電極(22’、24)の面積
をA1Δdを差圧に比例する量とすると、これらの量と
容量C1,C2との間には上式(1)〜(3)と同様に
、以下の如き関係式が成立する。Now, if a pressure difference occurs across the measuring diaphragm,
Since the measuring diaphragm 26 deflects in proportion to the pressure difference, the electrode spacing of the electrodes 22.23 and the capacitance C2 change, but the electrode spacing of the electrodes 23.24 does not change. Now, the gap between the electrodes (between 23 and 22.24) is d
Assuming that the dielectric constant between the os electrodes is ε, and the area of the electrodes (22', 24) is A1Δd, which is a quantity proportional to the differential pressure, the relationship between these quantities and the capacitances C1 and C2 is expressed by the above equations (1) to ( Similar to 3), the following relational expression holds true.
C1−a、 ・・・・・・(4)C2−d
o−Δ、 −°−(51(4) 、 (5)式
より
したがって、コンデンサcl、c2の容量を測定するこ
とにより、第(6)式から差圧に比例する量を得ること
ができる。なお、上記(4)〜(6)式は圧力等の方向
を一致させれば、(1)〜(3)式と全く同じである。C1-a, ......(4) C2-d
o-Δ, -°-(51(4)) According to equation (5), by measuring the capacitances of capacitors cl and c2, a quantity proportional to the differential pressure can be obtained from equation (6). Note that the above equations (4) to (6) are exactly the same as equations (1) to (3) if the directions of pressure and the like are matched.
第3図、第4図および第5図は、それぞれこの発明の別
の実施例を示す構成断面図、第6図は第4.5図の実施
例の場合に使用される電極部の構造を示す上面図である
。Figures 3, 4 and 5 are cross-sectional views showing different embodiments of the present invention, and Figure 6 shows the structure of the electrode section used in the embodiment of Figures 4 and 5. FIG.
1ず、第3図に示されるものは、測定ダイアフラムを第
2図0)の如く平板状に形成するかわりに、所定厚さの
基板20に凹部、すなわちざぐp(座繰)20”を形成
することによυ、その肉薄部を測定ダイアフラム26と
して機能させるようにしたものである。その結果、第2
図の場合に比べてダイアフラム材料のヒステリシスによ
る影響が少なくなるようにしたものである(この点は、
実験的に確かめられている。)。なお、基板20の肉厚
部の厚さ′(il−hl、肉薄部の厚さをh2とすると
、その比γ(=hx/h2)は、γ≧3となるようにす
るのが好適であることも実験的に確かめられている。1. In the device shown in FIG. 3, instead of forming the measurement diaphragm in a flat plate shape as shown in FIG. By doing this, the thin part is made to function as the measuring diaphragm 26. As a result, the second
Compared to the case shown in the figure, the influence of hysteresis of the diaphragm material is reduced (this point is
It has been confirmed experimentally. ). Note that, assuming that the thickness of the thick part of the substrate 20 is '(il-hl) and the thickness of the thin part is h2, the ratio γ (=hx/h2) is preferably set such that γ≧3. This has also been experimentally confirmed.
第4図に示されるものは、第2図および第3図に示され
るものが支持体21に形成されたリング状突起21’を
介してダイアフラム26と接合するように構成されてい
るのに対し、この突起部を削除した平面の支持体上に第
6図の如く電極22゜24を蒸着する等して形成し、電
極22と24との間の部分21′に有機接着剤、低融点
ガラスまたはガラス等の絶縁体からなる接着層を作シ、
この部分25によって支持体21とダイアフラム26を
接着して構成したものである。こうすることによシ、支
持体21の加工を容易にすることができる。なお、第6
図の如く、電極22に引き出し部22′ヲ設けることに
よシ、端子の取シ出しを容易にすることができる。また
、この実施例におけるダイアフラム26を中央部に肉薄
部を有する第3図の如きダイアフラムに置き換えること
が可能である。The one shown in FIG. 4 is configured to be connected to the diaphragm 26 via a ring-shaped projection 21' formed on the support 21, whereas the one shown in FIGS. 2 and 3 is As shown in FIG. 6, electrodes 22 and 24 are formed by vapor deposition on a planar support from which the protrusions have been removed, and organic adhesive and low-melting glass are applied to the portion 21' between the electrodes 22 and 24. Or create an adhesive layer made of an insulator such as glass,
The support body 21 and the diaphragm 26 are bonded together using this portion 25. By doing so, processing of the support body 21 can be facilitated. In addition, the 6th
As shown in the figure, by providing the electrode 22 with a lead-out portion 22', the terminal can be easily taken out. Further, the diaphragm 26 in this embodiment can be replaced with a diaphragm as shown in FIG. 3 having a thinner part in the center.
第2図〜第4図に示される例はいずれも、支持体側にの
み同心円状の電極を設ける例であるが、これと同様の電
極をダイアフラム側に形成してもよいことは、いま\で
の説明からも明らかであシ、かかる観点に立つ実施例が
第5図に示されている。In all of the examples shown in FIGS. 2 to 4, concentric electrodes are provided only on the support side, but it is now clear that similar electrodes may be formed on the diaphragm side. As will be clear from the description, an embodiment based on this point of view is shown in FIG.
すなわち、この例は、支持体21および測定ダイアフラ
ムの双方に第6図の如き電極を形成し、これらを互いに
向かい合わせて接着層25で接着したもので、静電容量
値を個別に取シ出す場合に好適である。That is, in this example, electrodes as shown in FIG. 6 are formed on both the support 21 and the measurement diaphragm, and these are bonded together with an adhesive layer 25 facing each other, and the capacitance values are taken out individually. Suitable for cases where
第7図は容量センサの電気的な等価回路を示す回路図で
、同図(イ)は第2〜4図に示される各センサに、また
同図(ロ)は第5図に示されるセンサにそれぞれ対応す
るものである。なお、28〜30゜28’、 32 、
32’はいずれも端子を表わし、clは基準コンデンサ
、C2は測定コンデンサを表わしている。Fig. 7 is a circuit diagram showing the electrical equivalent circuit of a capacitive sensor, in which (a) shows each sensor shown in Figs. 2 to 4, and (b) shows a sensor shown in Fig. 5. These correspond to the following. In addition, 28~30°28', 32,
32' represent terminals, cl represents a reference capacitor, and C2 represents a measurement capacitor.
この発明によれば、支持体およびダイアフラム(基板を
含む)を溶融石英、水晶、ガラス、セラミックスまたは
サファイア等で形成するようにしているため、金属性の
ものに比べてその物理的特性(弾性特性)がすぐれてい
るという理由から、その測定精度を向上させることがで
きる。また、このような材料は微細加工に適しており、
特に半導体製造技術を用いて数ミクロン程度の加工が可
能であるため、小屋化しうる利点をもたらすものである
。さらに、この発明によれば、次の如き効果を期待する
ことができる。According to this invention, since the support and the diaphragm (including the substrate) are made of fused silica, crystal, glass, ceramics, sapphire, etc., their physical properties (elastic properties) are better than those made of metal. ), the measurement accuracy can be improved. In addition, such materials are suitable for microfabrication,
In particular, it can be processed to a size of several microns using semiconductor manufacturing technology, so it has the advantage of being able to be made into a shed. Furthermore, according to the present invention, the following effects can be expected.
イ)同心円状に形成される2つの電極間に接着層と支持
部を設け、ダイアフラムが変位しても外側の基準コンデ
ンサの容量は変化しないように構成されているため、測
定値の直線性が改善される。b) An adhesive layer and a support part are provided between two concentric electrodes, and the capacitance of the outer reference capacitor does not change even if the diaphragm is displaced, so the linearity of the measured value is improved. Improved.
口)同心円状に形成される2つの電極間に接着層を設け
て電極の分離を図るようにしているため、その間の浮遊
容量を無視することができる。(Example) Since an adhesive layer is provided between two concentric electrodes to separate the electrodes, stray capacitance between them can be ignored.
ハ)電極部が形成されたダイアフラムは、その全面を電
極として使用できるので、静電容量が太きくなシ、シた
がって浮遊容量の影響を無視することが可能になる。c) Since the entire surface of the diaphragm on which the electrode portion is formed can be used as an electrode, the capacitance is not large, and therefore the influence of stray capacitance can be ignored.
二)金属と絶縁体との複合体を使用しなくて済むため、
コストを低減させることができる。2) There is no need to use a composite of metal and insulator,
Cost can be reduced.
ホ)測定ダイアフラムを金属以外の弾性特性のすぐれた
材料で構成するようにしているため、ダイアフラム変位
の直線性が改善され、かつヒステリシスを小さくするこ
とができる。e) Since the measurement diaphragm is made of a material other than metal with excellent elastic properties, the linearity of diaphragm displacement is improved and hysteresis can be reduced.
なお、上記の説明では支持体、ダイアワラ6.ム(基板
)をともに溶融石英、水晶、ガラス、セラミックスまた
はサファイア等の材料を用いるようにしたが、ダイアフ
ラム部の方にだけががる材料を用いるだけで充分である
。In addition, in the above explanation, the support body and the diamond waller 6. Although materials such as fused silica, crystal, glass, ceramics, or sapphire are used for both the diaphragm (substrate), it is sufficient to use a material that is flexible only toward the diaphragm portion.
また、この発明は上述の如き圧力測定たけでなく、機械
的または物理的な種々の量を測定するセンサとして広く
適用することができる。Further, the present invention can be widely applied not only to pressure measurement as described above but also as a sensor for measuring various mechanical or physical quantities.
第1図は静電容量式圧力センサの従来例を示す構造断面
図、第1A図は電極の構造を示す上面図、第1B図は第
1図に示されるセンサの電気的な等価回路を示す回路図
、第2図はこの発明の実施例を示す構成図、第3〜5図
はそれぞれこの発明の別の実施例を示す断面図、第6図
は支持体に形成される電極構造の他の例を示す上面図、
第7図は容量センサの電気的な等価回路を示す回路図で
ある。
符号説明
l・・・ハウジング、2,3.22,23.24・・・
電極、4,26・・・ダイアフラム、5・・・絶縁体、
6゜9 、27 、、、連通孔、7 、8 、31−・
・電極管、10〜12 、28−30 、28’、 3
2 、32’・・・端子、21・・・支持体、21′川
突起部、21“用電極間平坦部、25・・・接着層
代理人 弁理士 並 木 昭 夫
代理人 弁理士 松 崎 清
第1図
第1A図 第1B図第2図
第3図
、6244EJ
□□□□□北で
2’2
第5図
第6図
1
第7図
(ロ)Figure 1 is a structural cross-sectional view showing a conventional example of a capacitive pressure sensor, Figure 1A is a top view showing the structure of an electrode, and Figure 1B is an electrical equivalent circuit of the sensor shown in Figure 1. 2 is a block diagram showing an embodiment of the present invention, FIGS. 3 to 5 are cross-sectional views showing other embodiments of the invention, and FIG. 6 is a diagram showing an electrode structure formed on a support. A top view showing an example of
FIG. 7 is a circuit diagram showing an electrical equivalent circuit of a capacitive sensor. Code explanation l...Housing, 2, 3.22, 23.24...
Electrode, 4, 26... diaphragm, 5... insulator,
6゜9, 27,..., communicating hole, 7, 8, 31-...
・Electrode tube, 10-12, 28-30, 28', 3
2, 32'...Terminal, 21...Support, 21' protruding part, 21' flat part between electrodes, 25...Adhesive layer agent Patent attorney Akio Namiki Patent attorney Matsuzaki Qing Figure 1 Figure 1A Figure 1B Figure 2 Figure 3, 6244EJ □□□□□ 2'2 north Figure 5 Figure 6 Figure 1 Figure 7 (B)
Claims (1)
極部が形成されてなる支持体と、該支持体と対向する面
に第3電極部を備え該第3電極部の少なくとも前記第1
または第2電極部のいずれかと対応する位置に物理的な
力に応動するダイアフラム部が形成されてなる基板とを
備え、前記第1゜第2電極部と第3電極部とを向かい合
わせ所定の間隙をもって接合するための接合部が該第1
電極と第2電極間に形成されてなることを特徴とする静
電容量式センサ。 2、特許請求の範囲第1項に記載の静電容量式センサに
おいて、前記基板のみまたは基板と支持体の双方を溶融
石英、水晶、ガラス、セラミックスまたはサファイア等
の材料で形成することを特徴とする静電容量式センサ。 3)特許請求の範囲第1項または第2項のいずれかに記
載の静電容量式センサにおいて、前記基板にざぐシ部を
形成し、該ざぐシ部によってダイアフラム部を形成する
ことを特徴とする静電容量式センサ。 4)特許請求の範囲第1項ないし第3項のいずれかに記
載の静電容量式センサにおいて、前記基板の厚さを所定
の厚さにし、該基板全体をダイアフラム部とすることを
特徴とする静電容量式センサ。[Scope of Claims] 1) A support body formed with concentric first and second electrode parts having the same area and the same area, and a third electrode part provided on a surface facing the support body, and the third electrode part. At least the first of the three electrode parts
or a substrate on which a diaphragm part that responds to physical force is formed at a position corresponding to one of the second electrode parts; The first joint is for joining with a gap.
A capacitive sensor formed between an electrode and a second electrode. 2. The capacitive sensor according to claim 1, characterized in that only the substrate or both the substrate and the support are made of a material such as fused silica, crystal, glass, ceramics, or sapphire. capacitive sensor. 3) The capacitive sensor according to claim 1 or 2, characterized in that a counterbore portion is formed on the substrate, and a diaphragm portion is formed by the counterbore portion. capacitive sensor. 4) In the capacitive sensor according to any one of claims 1 to 3, the thickness of the substrate is set to a predetermined thickness, and the entire substrate is a diaphragm portion. capacitive sensor.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58037515A JPS59163514A (en) | 1983-03-09 | 1983-03-09 | Electrostatic capacity type sensor |
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Applications Claiming Priority (1)
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JP58037515A JPS59163514A (en) | 1983-03-09 | 1983-03-09 | Electrostatic capacity type sensor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JPS59163514A true JPS59163514A (en) | 1984-09-14 |
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Family Applications (1)
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JP58037515A Pending JPS59163514A (en) | 1983-03-09 | 1983-03-09 | Electrostatic capacity type sensor |
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Country | Link |
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