JPH11307604A - プロセスモニタ方法及びプロセス装置 - Google Patents

プロセスモニタ方法及びプロセス装置

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JPH11307604A
JPH11307604A JP10107689A JP10768998A JPH11307604A JP H11307604 A JPH11307604 A JP H11307604A JP 10107689 A JP10107689 A JP 10107689A JP 10768998 A JP10768998 A JP 10768998A JP H11307604 A JPH11307604 A JP H11307604A
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film
film thickness
substrate
measuring
processed
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JP10107689A
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Hiroyuki Yano
博之 矢野
Katsuya Okumura
勝弥 奥村
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Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】プラズマＣＶＤ装置内に搭載された被処理基体
上の薄膜の膜厚分布を測定する。 【解決手段】光源１１から照射された白色光がハーフミ
ラー１２，レンズ１３を介して、ウェハ１０上のある広
さを持った測定領域に照射されている。測定領域からの
反射光がレンズ１３及びハーフミラー１２を介して分光
器１４に入射している。分光器１４を通過した反射光
は、２次元ＣＣＤ１５に入射している。２次元ＣＣＤ１
５がデータ処理部１６に接続されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜の膜厚変化が
生じるプロセスを行うプロセス装置に設置された基体上
の薄膜の膜厚分布又は膜種分布を測定するプロセスモニ
タ方法及びプロセス装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】成膜の際や化学的機械研磨（ＣＭＰ）等
の膜厚が変化するプロセス装置内で、被処理基体上の膜
厚の測定が行われている。従来の膜厚測定部の構成を図
１０に示す。
【０００３】図１０において、１００は試料、１０１は
光源、１０２はハーフミラー、１０３はレンズ、１０４
は分光器、１０５は１次元ＣＣＤ、１０６はデータ処理
部である。
【０００４】光源１０１からの光が、ハーフミラー１０
２及びレンズ１０３を介して試料１００の１点に入射す
る。そして、試料１００からの反射光がレンズ１０３を
介して分光器１０４に入射する。分光器１０４は、入射
した反射光を分光し、１次元ＣＣＤ１０５の各画素に対
して異なる波長の光を出射する。そして、１次元ＣＣＤ
１０５は、各画素の光強度、つまり波長毎の強度をデー
タ処理部１０６に出力する。そして、データ処理部１０
６は、複数波長の光強度から、試料１００に入射光が照
射した位置の膜厚を求める。
【０００５】ところが、例えば段差があるウェハの上に
プラズマＣＶＤ装置でシリコン酸化膜を成膜した場合、
マイクロローディング効果によって、シリコン酸化膜の
膜厚がウェハの位置によって異なるので、１点のみの膜
厚測定では、情報が不十分であるという問題があった。
【０００６】ところで、溝が形成された絶縁膜上に配線
材を堆積した後、配線材の研磨を行って溝に配線を埋め
込み形成する、いわゆるダマシンプロセスにおいては、
凸部の表面の高さが異なると、凸部の低い部分に金属配
線材が残る、いわゆるメタル残りが発生し、隣接する配
線が短絡することがある。
【０００７】メタル残りを検知するには、ＫＬＡのよう
な高価でスループットが低い欠陥検査装置や、光学顕微
鏡を用いて目視によって検査しなければならない。検査
の間、ウェハは次の工程に進めず、工期が長くなり製造
コストが増大するという問題があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
のプロセス装置に設けられた膜厚測定部で測定できる部
位は１ヶ所であった。その為、マイクロローディング効
果による膜厚の変化を装置内では知ることができないと
いう問題があった。
【０００９】なお、装置内部で膜厚分布を知ることがで
きないという問題は、プラズマＣＶＤ装置に限った問題
ではなく、他の成膜装置，ＲＩＥ装置や化学的機械研磨
装置等の膜厚変化が生じさせるプロセス装置にも発生す
る問題である。
【００１０】また、ダマシンプロセスにおいて、メタル
残りの検出を行うためには、工期が長くなり製造コスト
が増大するという問題があった。本発明の目的は、膜厚
変化を生じさせるプロセス装置内に設置された被処理基
体上の膜厚分布又は膜種分布を測定し得るプロセスモニ
タ方法及びプロセス装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】［構成］本発明は、上記
目的を達成するために以下のように構成されている。 （１） 本発明（請求項１）のプロセスモニタ方法は、
膜厚変化が生じる処理を行うプロセス装置内に格納され
た被処理基体上の薄膜の膜厚を測定するプロセスモニタ
方法であって、前記被処理基体の所定領域に光を照射
し、波長の異なる複数の所定波長に対応する該基体の２
次元画像をそれぞれ取得するステップと、前記複数の所
定波長に対応した複数の２次元画像から前記薄膜の膜厚
分布を測定するステップとを含むことを特徴とする。
【００１２】本発明（請求項１）の好ましい実施態様を
以下に示す。膜厚変化が生じる処理が、化学気相成長法
を用いた成膜工程である。膜厚変化が生じる処理が、反
応性イオンエッチング法を用いたエッチング工程であ
る。
【００１３】膜厚変化が生じる処理が化学的機械研磨法
を用いた研磨工程である。 （２） 本発明（請求項３）のプロセスモニタ方法は、
エッチング又は研磨の処理を行い、膜厚変化が生じる処
理を行うプロセス装置内に格納された被処理基体の所定
領域に光を照射し、波長の異なる複数の所定波長に対応
する該基体の２次元画像をそれぞれ取得するステップ
と、前記複数の所定波長に対応した複数の２次元画像か
ら前記薄膜の膜種分布を測定するステップとを含むこと
を特徴とする。
【００１４】本発明（請求項３）の好ましい実施態様を
以下に示す。膜厚変化が生じる処理が、化学的機械研磨
法を用いた研磨処理である。膜厚変化が生じる処理が、
反応性イオンエッチング法を用いたエッチング処理であ
る。 （３） 本発明（請求項６）のプロセス装置は、被処理
基体上の薄膜の膜厚変化が生じるプロセスを行うプロセ
ス装置において、前記被処理基体の所定領域に光を照射
し、波長の異なる複数の所定波長に対応する該基体の２
次元画像をそれぞれ取得する手段と、前記複数の所定波
長に対応した複数の２次元画像から前記薄膜の膜厚分布
を測定する手段とを具備してなることを特徴とする。
【００１５】本発明（請求項６）の好ましい実施態様を
以下に示す。前記プロセス装置が、化学気相成長法を用
いて成膜を行う成膜装置である。前記プロセス装置が、
反応性イオンエッチング法を用いてエッチングを行うエ
ッチング装置である。
【００１６】前記プロセス装置が、化学的機械研磨法を
用いて基体表面の研磨を行う化学的機械研磨装置であ
る。 （４） 本発明（請求項８）のプロセス装置は、被処理
基体上の膜の研磨又はエッチングを行うプロセス装置に
おいて、前記被処理基体の所定領域に光を照射し、波長
の異なる複数の所定波長に対応する該基体の２次元画像
をそれぞれ取得する手段と、前記複数の所定波長に対応
した複数の２次元画像から前記薄膜の膜種分布を測定す
る手段とを具備してなることを特徴とする。
【００１７】本発明（請求項９）の好ましい実施態様を
以下に示す。前記プロセス装置が、化学的機械研磨法を
用いて基体表面の研磨を行う化学的機械研磨装置である
ことである。
【００１８】前記プロセス装置が、反応性イオンエッチ
ング法を用いてエッチングを行うエッチング装置であ
る。 ［作用］本発明は、上記構成によって以下の作用・効果
を有する。
【００１９】膜厚変化が生じる処理を行うプロセス装置
内に格納された被処理基体上の薄膜の膜厚分布を測定す
ることによって、プラズマＣＶＤの際のマイクロローデ
ィング，ＲＩＥの際のトレンチング等を検出することが
できる。
【００２０】プロセス装置から取り出さずに測定を行う
ことが可能なので、迅速に被処理基体上の薄膜の膜厚分
布を測定することができる。また、エッチングまたはＣ
ＭＰを行うプロセス装置内に格納された被処理基体表面
の膜種を測定することによって、例えばダマシンプロセ
スにおけるメタル残りを装置内で検知することができ
る。従って、ＫＬＡのような高価でスループットが低い
欠陥検査装置や、光学顕微鏡を用いた目視による検査が
不要となり、工期の短縮化、並びに製造コストの低減を
図ることができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を以下に図面
を参照して説明する。 ［第１実施形態］本実施形態では、複数の位置の膜厚を
測定可能な膜厚測定手段が設置されたプラズマＣＶＤ装
置について説明する。なお、プラズマＣＶＤ装置自体
は、従来の装置と何ら変わるところがないので、プラズ
マＣＶＤ装置全体の図示を省略し、本実施形態の特徴で
ある膜厚測定部についてのみ図示する。
【００２２】図１は、本発明の第１実施形態に係わるプ
ラズマＣＶＤ装置の膜厚測定部の構成を示す模式図であ
る。光源１１から照射された白色光がハーフミラー１
２，レンズ１３を介して、ウェハ１０上のある広さを持
った測定領域に照射されている。測定領域からの反射光
がレンズ１３及びハーフミラー１２を介して分光器１４
に入射している。分光器１４を通過した反射光は、２次
元ＣＣＤ１５に入射している。２次元ＣＣＤ１５がデー
タ処理部１６に接続されている。
【００２３】この膜厚測定部の測定動作について説明す
る。先ず、光源１１から白色光をハーフミラー１２及び
レンズ１３を介してウェハ１０上の測定領域に対して照
射する。ウェハ１０からの反射光は、レンズ１３及びハ
ーフミラー１２を介して分光器１４に入射する。
【００２４】分光器１４は、入射した反射光の内、特定
の波長成分のみを２次元ＣＣＤ１５に向けて出射する。
なお、分光器１４は、出射する光の波長成分を時系列的
に変化させる。
【００２５】そして、２次元ＣＣＤ１５は、分光器から
の光を複数の画素で受光し、その光強度に応じた信号を
データ処理部１６に出力する。そして、データ処理部１
６では、複数の波長成分の光強度の違いから画素毎の膜
厚を測定する。
【００２６】２次元ＣＣＤ１５の各画素は、ウェハ１０
の各位置に対応しているので、複数の波長成分の光強度
から画素毎の膜厚を測定することは、すなわちウェハ１
０の膜厚分布を測定することである。
【００２７】なお、膜厚の測定は、成膜の最中又は、成
膜後に行うことが可能である。そして、上述した膜厚測
定をＣＶＤ法による成膜を行いながら行った結果を図２
に示す。なお、幅５０μｍ，深さ４００ｎｍの凹部が２
０μｍの間隔で配置されたＳｉ基板（被処理基体）２１
上にシリコン酸化膜２２の成膜を行った。Ｓｉ基板２１
の凹部から離れた領域のシリコン酸化膜２２の膜厚は１
２６０ｎｍであったのに対し、凹部のシリコン酸化膜２
２の膜厚は１１９８ｎｍ、凹部に隣接したシリコン酸化
膜２２の膜厚は１２００ｎｍであり、マイクロローディ
ング効果により、凹部内のシリコン酸化膜２２の膜厚が
薄くなっっていることが確認された。
【００２８】本実施形態によれば、段差を有する被処理
基体上に成膜した場合、マイクロローディング効果によ
るチップ内の膜厚のバラツキの検知を行うことができ、
プラズマＣＶＤ装置の異常の検知やプロセス条件の最適
化に有効である。
【００２９】［第２実施形態］本実施形態では、複数の
位置の膜厚を測定可能な膜厚測定部が設置されたプラズ
マＲＩＥ装置について説明する。
【００３０】なお、本実施形態の膜厚測定部を有するＲ
ＩＥ装置は、膜厚測定部の構成は図１と同様であり、Ｒ
ＩＥ装置そのものの構成は従来と同様なので、その図示
を省略する。
【００３１】本実施形態のＲＩＥ装置を用いて、Ｓｉ基
板上に形成され、所定領域がレジストパターンで覆われ
たシリコン酸化膜のエッチングを行い、膜厚測定部を用
いて、シリコン酸化膜の膜厚、すなわちシリコン酸化膜
のエッチング量を求めた。
【００３２】そのエッチング状態を図３に示す。レジス
トパターン３２に近接する領域のシリコン酸化膜３１の
エッチング量は４００ｎｍであり、開口部の中央部のシ
リコン酸化膜３１のエッチング量は３８０ｎｍであっ
た。
【００３３】シリコン酸化膜のＲＩＥにおいて、しばし
ば凹部のエッジ部のエッチング量が、凹部の中央部に比
べ大きくなる、いわゆるトレンチングという現象が発生
する。
【００３４】本実施形態によれば、凹部の複数の場所の
膜厚を同時に測定することにより、トレンチングの検知
を行うことができる。又、異常エッチングの検知による
ＲＩＥ装置の異常の検出や、プロセス条件の最適化に有
効である。
【００３５】［第３実施形態］本実施形態では、膜厚分
布を測定可能な膜厚測定部が設置されたＣＭＰ装置につ
いて説明する。
【００３６】なお、本実施形態のＣＭＰ装置は、装置そ
のものの構成は従来と同様であり、膜厚測定部の構成は
図１と同様であるので、その図示及び膜厚の測定方法の
説明を省略する。
【００３７】本実施形態のＣＭＰ装置を用いて、図４に
示す試料に対してＣＭＰを行い、膜厚測定部を用いて、
シリコン酸化膜の膜厚、すなわちシリコン酸化膜のエッ
チング量を求めた。
【００３８】なお、図４に示す試料は、Ｓｉ基板（不図
示）上に厚さ４００ｎｍのＡｌ配線４１が複数本形成さ
れ、Ａｌ配線４１上の厚さが１２００ｎｍのシリコン酸
化膜４２が全面に形成されたものである。
【００３９】２本のＡｌ配線４１が離れて配置された領
域のシリコン酸化膜４２の表面は、周囲の表面より低く
なっており、段差が存在する。段差のある膜に対してＣ
ＭＰ法による研磨を行うとディッシングが発生すること
がある。ディッシングは、ＣＭＰ装置のセッティング
時、特に研磨布と膜との密着状態によりその量が変化す
る。膜厚分布を測定することで、ディッシング量を知る
ことができる。ディッシング量を知ることは、研磨布の
異常検知や、プロセス条件の最適化に有効である。
【００４０】本実施形態では、ダイヤモンドのグリッド
サイズが８０μｍと２５０μｍとの２種類のダイヤモン
ドコンディショニングで研磨布の１５秒間のコンディシ
ョニングを行った後、図４に示した試料に対しＣＭＰを
行い、ＣＭＰ後の試料を図５の断面図に示す。
【００４１】８０μｍのグリッドサイズでコンディショ
ニングを行った場合（図５（ａ））、ディッシング量は
２４ｎｍであった。それに対し、２５０μｍのグリッド
サイズのダイヤモンドコンディショニングでコンディシ
ョニングを行った場合（図５（ｂ））、ディッシング量
は８６ｎｍであった。
【００４２】従って、８０μｍのグリッドサイズのダイ
ヤモンドコンディショニングで研磨布のコンディショニ
ングを行ったほうが、シリコン酸化膜４１のディッシン
グ量が少ないことが分かる。
【００４３】また、図４に示した試料に対し、グリッド
サイズが８０μｍであるダイヤモンドコンディショニン
グでコンディショニングを行った後、７００ｎｍのシリ
コン酸化膜４２を一気に研磨した場合と、シリコン酸化
膜４２を３５０ｎｍの研磨を行った後、研磨を一端停止
して再度コンディショニングを行い、更に３５０ｎｍの
研磨を行って計７００ｎｍの研磨を行った場合とでは、
ディッシング量に差があることが分かった。
【００４４】本実施形態のＣＭＰ装置を用いることによ
って、装置内でシリコン酸化膜の膜厚、すなわち研磨量
を測定することによって、ディッシングを検出すること
ができ、研磨条件の最適化を図ることが容易になる。
【００４５】［第４実施形態］先ず、ダマシンプロセス
におけるメタル残りを図６，７を用いて説明する。図６
は、本発明の第４実施形態に係わるダマシンプロセスを
示す工程断面図である。又、図７はダマシンプロセスを
示す平面図である。なお、図７（ａ），（ｂ），（ｄ）
はそれぞれ、図６（ａ），（ｂ），（ｄ）の断面図に対
応した状態を示す平面図である。
【００４６】図６（ａ）及び図７（ａ）に示すような、
ＣＭＰ工程においてディッシングが生じたディッシング
領域６２を有するシリコン酸化膜６１に対してダマシン
プロセスを適用する。
【００４７】先ず、図６（ｂ）及び図７（ｂ）に示すよ
うに、シリコン酸化膜に対してリソグラフィ技術及びＲ
ＩＥ法を用いて、複数本の溝６３を形成する。次いで、
図６（ｃ）に示すように、全面にＷ膜６４1 を堆積す
る。
【００４８】次いで、図６（ｄ）及び図７（ｄ）に示す
ように、Ｗ膜６４1 に対してＣＭＰを行い溝６３内にＷ
配線６４を形成するが、ディッシング領域６２内にＷ膜
が残ったメタル残り領域６５が存在する。
【００４９】このとき、従来の膜厚測定部を用いてメタ
ル残りの検出を行った場合、測定できるのは一つの測定
点７２であり、測定点７２がメタル残り領域６５からは
ずれていればメタル残りを検知することはできない。
【００５０】そこで、本実施形態では、膜種分布測定部
を用いて膜種分布を測定することで、メタル残りの検出
を行うことが可能なＣＭＰ装置について説明する。な
お、膜種測定部の構成は、例えば図１に示した膜厚測定
部と同様であり、データ処理部の処理内容が異なるだけ
であるのでその図示を省略する。
【００５１】図８及び図９を用いて、本実施形態のダマ
シンプロセスにおける研磨工程を説明する。図８は、本
発明の第４実施形態に係わるＣＭＰ装置の構成を示す図
である。図９は、本発明の第４実施形態に係わる研磨工
程のフローチャートを示す図である。
【００５２】先ず、ウェハカセットＡ８１内に搭載され
たウェハをロボットＡ８２を用いて、反転機Ａ８３に受
け渡す。反転機Ａ８３は、受け渡されたウェハの表裏を
反転させ、ロボットＢ８４を用いてウェハキャリア８５
に反転されたウェハを受け渡す。
【００５３】ウェハキャリア８５は、テーブル８６上に
移動後下降して（ステップＳ１）、ウェハをテーブル８
６に密着させて研磨を開始する（ステップＳ２）。所定
時間が経過した後、ウェハの研磨を停止する（ステップ
Ｓ３）。
【００５４】次いで、ウェハキャリア８５を上昇させて
ウェハをテーブルから離す。そして、ウェハの下方にセ
ンサーヘッド８７を移動させ、メタル残りの存在を確認
するための測定を行う（ステップＳ４）。
【００５５】なお、センサヘッド８７の内部構成は、図
１に示したものと同様であり、本実施形態の場合、２次
元ＣＣＤによって取得された２次元画像からメタル残り
の検出を行う。
【００５６】２次元画像からメタル残りを検出するに
は、画像のコントラスト変化や、反射率測定を用いて行
うことが可能である。またさらには、金属配線材が残っ
ている部分のシリコン酸化膜の膜厚は検査できないの
で、シリコン酸化膜の膜厚を測定を行おうとした際、測
定エラーの発生を確認することによってもメタル残りを
検出することができる。
【００５７】メタル残りが存在する場合、センサヘッド
８７をテーブル８５上から退避させた後、ウェハキャリ
ア８７を下降させて、再度ウェハの研磨を行い、ステッ
プＳ３〜５を順次行う。
【００５８】また、メタル残りが存在しない場合、セン
サヘッド８７をテーブル８５上から退避させた後、ロボ
ットＢ８４を用いて、反転機Ｂ８９に受け渡す。そし
て、反転機Ｂ８９によって表裏が反転されたウェハをロ
ボットＢ８４を用いて、ウェハを洗浄機Ａ９０に受け渡
す。洗浄機Ａ９０で洗浄されたウェハを、ロボットＢ８
４を用いて洗浄機Ｂ９１に受け渡す。洗浄機Ｂ９１で洗
浄されたウェハを、ロボットＡ８２を用いて、スピン乾
燥機９２に受け渡す。そして、スピン乾燥機９２を用い
てウェハを乾燥させた後、ウェハをロボットＡ８２を用
いてウェハカセットＢ９３に格納する。
【００５９】本実施形態に示したように、メタル残りを
検知することによって、工期を延ばすことなくメタル残
りを検知し、歩留まりを向上させることができる。な
お、本実施形態のＣＭＰ装置は、ダマシンプロセスにお
けるメタル残りの検出以外にも適用することが可能であ
る。
【００６０】以上、面で測定する事による様々な利点を
述べたが、スループットについても大きな利点がある。
点で測定する場合、特定の場所を測定するには、ウェハ
のノッチアライメント→ラフアライメント→ファインア
ライメント→測定というような手順を踏まなければ、測
定を行うことができず、測定を行う前に３種のアライメ
ントが通常必要である。ところが、面で測定を行うと、
ラフアライメント→測定という手順で特定の場所の膜厚
を測定することができ、測定の前のアライメント調整は
一つで十分である。アライメント調整の数が点で測定す
る場合に比べて、少ないので、スループットの向上に直
接つながる。
【００６１】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではない。例えば、第１〜３実施形態に記載の膜
厚測定部は、上記実施形態に述べた装置以外にも、スパ
ッタリング装置等の膜厚の変化が生じる装置に適用する
ことが可能である。
【００６２】また、第４実施形態に記載の膜種測定部
は、ＣＭＰ装置以外に、ＲＩＥ装置等のエッチング装置
に搭載することが可能である。その他、本発明は、その
要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することが
可能である。
【００６３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、膜
厚変化が生じる処理を行うプロセス装置内に格納された
被処理基体上の薄膜の膜厚分布を測定することによっ
て、プラズマＣＶＤの際のマイクロローディング，ＲＩ
Ｅの際のトレンチング等を検出することができる。
【００６４】また、エッチングまたはＣＭＰを行うプロ
セス装置内に格納された被処理基体表面の膜種を測定す
ることによって、例えばダマシンプロセスにおけるメタ
ル残りを装置内で検知することができ、工期の短縮化、
並びに製造コストの低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態に係わるプラズマＣＶＤ装置の膜
厚測定部の構成を示す図。
【図２】第１実施形態に係わる膜厚測定を行った結果を
示す断面図。
【図３】第２実施形態に係わるエッチング量の結果を示
す断面図。
【図４】第３実施形態に係わるＣＭＰを行う前の試料の
状態を示す断面図。
【図５】図４の試料に対してＣＭＰを行った状態を示す
断面図。
【図６】第４実施形態に係わるダマシンプロセスを示す
工程断面図。
【図７】図６に示したダマシンプロセスを示す平面図。
【図８】ＣＭＰ装置の構成を示す図。
【図９】第４実施形態に係わる研磨工程のフローチャー
トを示す図。
【図１０】従来の膜厚測定部を示す図。
【符号の説明】
１０…ウェハ １１…光源 １２…ハーフミラー １３…レンズ １４…分光器 １５…２次元ＣＣＤ １６…データ処理部 ２１…Ｓｉ基板 ２２…シリコン酸化膜 ３１…シリコン酸化膜 ３２…レジスト ４１…Ａｌ配線 ４２…シリコン酸化膜 ６１…シリコン酸化膜 ６２…ディッシング領域 ６３…凹部 ６４…Ｗ膜 ６５…メタル残り領域 ７１…測定領域 ７２…従来の測定点
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６２２ Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｅ

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】膜厚変化が生じる処理を行うプロセス装置
    内に格納された被処理基体上の薄膜の膜厚を測定するプ
    ロセスモニタ方法であって、 前記被処理基体の所定領域に光を照射し、波長の異なる
    複数の所定波長に対応する該基体の２次元画像をそれぞ
    れ取得するステップと、 前記複数の所定波長に対応した複数の２次元画像から前
    記薄膜の膜厚分布を測定するステップとを含むことを特
    徴とするプロセスモニタ方法。
  2. 【請求項２】膜厚変化が生じる処理が、化学気相成長法
    を用いた成膜処理であることを特徴とする請求項１に記
    載のプロセスモニタ方法。
  3. 【請求項３】エッチング又は研磨の処理を行い、膜厚変
    化が生じる処理を行うプロセス装置内に格納された被処
    理基体の所定領域に光を照射し、波長の異なる複数の所
    定波長に対応する該基体の２次元画像をそれぞれ取得す
    るステップと、 前記複数の所定波長に対応した複数の２次元画像から前
    記薄膜の膜種分布を測定するステップとを含むことを特
    徴とするプロセスモニタ方法。
  4. 【請求項４】膜厚変化が生じる処理が、反応性イオンエ
    ッチング法を用いたエッチング処理であることを特徴と
    する請求項１又は３に記載のプロセスモニタ方法。
  5. 【請求項５】膜厚変化が生じる処理が、化学的機械研磨
    法を用いた研磨処理であることを特徴とする請求項１又
    は３に記載のプロセスモニタ方法。
  6. 【請求項６】被処理基体上の薄膜の膜厚変化が生じるプ
    ロセスを行うプロセス装置において、 前記被処理基体の所定領域に光を照射し、波長の異なる
    複数の所定波長に対応する該基体の２次元画像をそれぞ
    れ取得する手段と、 前記複数の所定波長に対応した複数の２次元画像から前
    記薄膜の膜厚分布を測定する手段とを具備してなること
    を特徴とするプロセス装置。
  7. 【請求項７】前記プロセス装置が、化学気相成長法を用
    いて成膜を行う成膜装置であることを特徴とする請求項
    ６に記載のプロセス装置。
  8. 【請求項８】被処理基体上の膜の研磨又はエッチングを
    行うプロセス装置において、 前記被処理基体の所定領域に光を照射し、波長の異なる
    複数の所定波長に対応する該基体の２次元画像をそれぞ
    れ取得する手段と、 前記複数の所定波長に対応した複数の２次元画像から前
    記薄膜の膜種分布を測定する手段とを具備してなること
    を特徴とするプロセス装置。
  9. 【請求項９】前記プロセス装置が、反応性イオンエッチ
    ング法を用いてエッチングを行うエッチング装置である
    ことを特徴とする請求項６又は８に記載のプロセス装
    置。
  10. 【請求項１０】前記プロセス装置が、化学的機械研磨法
    を用いて前記被処理基体表面の研磨を行う化学的機械研
    磨装置であることを特徴とする請求項６又は８に記載の
    プロセス装置。
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