JPH11186996A - 位相乗り換え回路 - Google Patents

位相乗り換え回路

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JPH11186996A
JPH11186996A JP9364443A JP36444397A JPH11186996A JP H11186996 A JPH11186996 A JP H11186996A JP 9364443 A JP9364443 A JP 9364443A JP 36444397 A JP36444397 A JP 36444397A JP H11186996 A JPH11186996 A JP H11186996A
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JP
Japan
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data
input data
circuit
delay amount
input
Prior art date
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Pending
Application number
JP9364443A
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English (en)
Inventor
Kazuhiro Kawamura
和宏 河村
Toru Takahashi
透 高橋
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OKI TEC KK
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
OKI TEC KK
Oki Electric Industry Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【解決手段】 同期回路5は、入力データ1の各フレー
ム中の基準信号の位置を入力データ位置Pとしてデータ
ホールド部に送り込む。この入力データ位置Pと装置内
タイミング信号7とによって、入力データ1に対する装
置内タイミング信号7の遅れを求める。これを遅延量D
として可変遅延回路3に供給する。この遅延量Dに従っ
て、可変遅延回路3は入力データ1を遅延させて出力す
る。 【効果】 数値化された遅延量Dを受け入れて、入力デ
ータを遅延させて装置内データを得るため、FIFOメ
モリのような大容量メモリを必要としない。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、伝送装置におい
て、比較的短周期のディジタルデータを受け入れて、そ
の位相をシフトさせ、出力側に転送する場合に適する位
相乗り換え回路に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば、ディジタル通信網におけるST
フレーム伝送路の終端においては、1フレームが8ビッ
ト構成のディジタルデータがシリアルに入力した場合
に、このデータの位相をシフトさせて出力側に送り出す
ことが行われている。このような処理を行う回路を位相
乗り換え回路と呼び、入力データを位相シフトに必要な
だけ蓄積してから出力するFIFO(先入れ先出し)メ
モリを用いて構成している。
【0003】この回路は、FIFOメモリ中に入力デー
タを格納する前に、入力データ中の同期パターンを検出
する。その同期パターンを検出した位置は1つのフレー
ムの先頭位置である。これを入力タイミングに設定し
て、入力データを1フレームずつ順にFIFOメモリに
格納する。そして、出力側では、FIFOメモリから出
力側のタイミング信号を用いて、入力順にそのデータを
取り出す。入力側のタイミング信号と出力側のタイミン
グ信号の位相がずれていても、この処理により出力側で
位相合わせができる。このようにして、入力データと出
力データの位相乗り換え処理が行われていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な従来の技術には次のような解決すべき課題があった。
入力するシリアルデータをFIFOメモリに所定量蓄積
し、そこから所定のタイミングで出力データを取り出す
という構成は、メモリ容量が大きくなる傾向がある。従
って、比較的短周期のSTフレームやベアラ信号等のデ
ータ伝送処理においては、ハードウェア構成が過剰にな
るという問題があった。
【0005】更に、入力する信号中に位相乗り換えすべ
きフレームが多重化されたものについては、同一の機能
を持つ多数の位相乗り換え回路を組み合わせる必要があ
る。これでは回路構成が非常に複雑になり、無駄も多い
という問題があった。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は以上の点を解決
するため次の構成を採用する。 〈構成1〉入力データを受け入れる装置の装置内タイミ
ング信号に対する、上記入力データの遅延量を算出する
遅延量算出部と、上記入力データを受け入れて、上記遅
延量算出部の出力する遅延量に相当する時間だけ入力デ
ータを遅延させて出力する可変遅延回路とを備えたこと
を特徴とする位相乗り換え回路。
【0007】〈構成2〉構成1において、遅延量算出部
は、入力データを構成する各フレーム中の基準信号の位
置を検出して、これを入力データ位置として出力する同
期回路と、この同期回路の出力する入力データ位置を受
け入れて保持し、装置内タイミング信号の入力するタイ
ミングでその入力データ位置を、フレーム毎の遅延量と
して可変遅延回路に出力するデータホールド回路とを備
えたことを特徴とする位相乗り換え回路。
【0008】〈構成3〉入力データを受け入れる装置の
装置内タイミング信号に対する、上記入力データの入力
タイミング信号の遅延量をフレーム毎に算出する遅延量
算出部と、上記入力データをフレーム毎に受け入れて、
上記遅延量算出部の出力する遅延量に相当する時間だけ
入力データをフレーム毎に遅延させて出力する可変遅延
回路とを備えたことを特徴とする位相乗り換え回路。
【0009】〈構成4〉構成3において、遅延量算出部
は、入力データの入力タイミング信号によりカウントを
開始するカウンタを含む同期回路と、この同期回路の出
力するカウント値を装置内タイミング信号により保持し
て遅延量を得るデータホールド回路とを備えたことを特
徴とする位相乗り換え回路。
【0010】〈構成5〉構成3において、遅延量算出部
には、入力データのフレーム毎の入力データ位置を順に
格納し、格納した順に出力する先入れ先出しメモリと、
この先入れ先出しメモリの出力を装置内タイミング信号
により保持して遅延量を得るデータホールド回路とを備
え、可変遅延回路には、入力データを受け入れて出力順
に配列する先入れ先出しメモリを備えたことを特徴とす
る位相乗り換え回路。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を具体
例を用いて説明する。 〈具体例1〉図1は、本発明による位相乗り換え回路の
具体例を示すブロック図である。この図に示す回路は、
本発明の原理的な構成を示している。入力データ1は可
変遅延回路3において、所定の遅延量に相当する時間だ
け遅延されて装置内データ2として出力される。可変遅
延回路3には位相乗り換え処理部4が設けられている。
また、入力データ1を受け入れて、その特定の信号位置
を検出し、その信号位置に対応する信号を入力データ位
置Pとして出力する同期回路5が設けられている。ま
た、同期回路5の出力はデータホールド部6により一時
的に保持される。これが装置内タイミング信号の入力に
よってとりだされ、遅延量Dとして位相乗り換え処理部
4に向け出力される構成となっている。
【0012】データホールド部6には、装置内データ2
の各フレームの転送を制御する装置内タイミング信号7
が入力する。また、同期回路5や位相乗り換え処理部
4、データホールド部6には、いずれも装置内の動作タ
イミングを制御する装置内クロック8が入力する構成に
なっている。
【0013】従来は、可変遅延回路3の部分にFIFO
が使用されていた。このFIFOは、シリアルに入力す
る入力データを1フレームずつ並べて保持し、位相のず
れに対応する時間だけずれたタイミングで各フレームを
出力側に取り出す。これを実現するためには、FIFO
メモリには位相の最大ずれ時間を考慮した十分な記憶容
量のものを用意する必要がある。例えば1フレームが8
ビットならば最大8ビット分の位相のずれがあるため、
少なくとも8フレーム分を記憶できる容量のFIFOメ
モリが必要となる。
【0014】一方、この発明では可変遅延回路3を用い
ることから、例えば最もシンプルなものは、入力側と出
力側にそれぞれ8ビット分程度のバッファがあればよ
い。このように記憶容量を十分に小さくし、汎用の集積
回路を構成部品として用いることができる構成となって
いる。
【0015】図2には、具体例1による位相乗り換え回
路の具体的な例を示すブロック図を図示した。図の可変
遅延回路3は、保持回路11と選択出力回路12とから
構成されている。そして、両者の回路には、それぞれ例
えば図中に示したような汎用のIC(集積回路)が使用
される。
【0016】図に示す同期回路5は、入力フレームの最
初のビットが入力するとカウントを開始し、入力フレー
ムの最後のビットまでカウントをしたら再びはじめから
カウントを行う図示しないカウンタを備える。このカウ
ント値を入力データ位置Pとして出力する。フレームの
長さが8ビットであれば、入力データ位置Pは3ビット
のディジタルデータで表現できる。これがデータホール
ド部6に入力する。データホールド部6も図に示すよう
な簡単なフリップフロップにより構成できる。そして、
入力データ位置Pがこのフリップフロップに保持され、
装置内タイミング信号7の入力するタイミングで選択出
力回路12に向けてこの信号が出力されるという構成に
なっている。
【0017】図3には、具体例1の回路の動作タイミン
グチャートを示す。この図を用いて、図2に示すような
具体例1の回路の動作を説明する。まず、図3の(a)
に示すような入力データが図2に示す可変遅延回路3と
同期回路5に入力する。可変遅延回路3に入力した入力
データ1は、例えば8ビットずつ保持回路11にシリア
ルに入力し保持される。8ビット分のデータが入力する
と、このデータはパラレルに選択出力回路12の側に転
送される。選択出力回路12は、この8ビットの信号
を、データホールド部6の出力する遅延量に相当するビ
ット分だけシフトさせて装置内データ2として読み出し
ていく動作を行う。
【0018】入力データ1の入力によって、同期回路5
は図3の(b)に示すような入力タイミング信号を生成
する。更に、同期回路5に組み込まれた図示しないカウ
ンタは、この入力タイミング信号の立ち上がりの際に
“0”にリセットされて、その後(d)に示す出力クロ
ックのタイミングで、順に1,2,3とカウントアップ
する。このカウント値は、“7”までカウントアップす
ると再び“0”に戻る。これによって、同期回路5から
はフレームの先頭位置から何番目のビットが現在シリア
ルに入力しているかという、入力データ位置Pに相当す
るデータが出力され、データホールド部6に入力する。
【0019】一方、出力側からは出力側の装置内タイミ
ング信号7がデータホールド部6に入力する。図3の
(d)に示すタイミングで出力タイミング信号がデータ
ホールド部6に入力すると、入力データ位置Pが“5”
のとき、装置内タイミング信号7が入力するから、
“5”という数値がデータホールド部6に保持される。
このデータが入力データに対する出力データの遅延量と
なり、これによって選択出力回路12が制御される。即
ち、この遅延量に相当するビット数だけシフトした位置
から、選択出力回路12に保持されたデータが順に読み
出される。その結果、図3に示す(c)に示すように、
入力データを所定量だけ遅延した出力データが装置内デ
ータ2として取り出される。
【0020】〈具体例1の効果〉可変遅延回路2に入力
データを受け入れて保持し、その入力データの装置内タ
イミング信号に対する遅れを検出して、その遅れに該当
する遅延量分だけ入力データを遅延させて取り出す構成
にしたので、入力データを大量に保持する回路が必要で
なく、小規模で単純な位相を乗り換え回路が実現する。
また、回路規模が小規模になるため、低消費電力化も可
能となる。なお、上記のように遅延量を得る同期回路5
やデータホールド部6のことを遅延量算出部と呼ぶこと
にするが、遅延量の算出方法は上記の例に限定されるも
のではない。
【0021】〈具体例2〉次の例では、図2に示した具
体例1の回路動作を基本的な原理とし、フレームごとに
多重化された信号について同様の位相乗り換え処理がで
きるよう回路を構成した。図4には、具体例2による位
相乗り換え回路のブロック図を示す。この装置は、可変
遅延回路3に入力データ1をシリアルに順に受け入れな
がら、そのデータを並べ替えて、多重化されたデータの
分だけ保持する機能を持つデータ用FIFO14を設け
ている。出力側の選択出力回路12の構成は、具体例1
のものと同様である。また、入力データ1を受け入れる
同期回路16の出力側には、具体例1で説明したのと同
様の入力データ位置Dを、多重化されたデータの数だけ
保持する位置用FIFO17を設けた。
【0022】同期回路16の構成は具体例1のものとや
や異なるため別の符号を付した。入力データ1を受け入
れて装置内タイミング信号7の入力するタイミングで可
変遅延回路3に遅延量Dを供給する回路の部分は具体例
1のものと同様である。
【0023】図5には、具体例2の回路の動作タイミン
グチャートを示す。図5(a)は装置内クロック、図5
(b)は入力データである。入力データはこの図に示す
ように、例えば図の最上行の左から右方向にシリアルに
20ビット分入力し、続いて次の第2行の20ビットが
入力するといった順に図4に示すデータ用FIFO14
に書き込まれて蓄積される。
【0024】図3に示す具体例1の場合には、シリアル
に8ビットずつ入力する0番から7番までの番号を付し
た信号が1フレームを構成した。一方、この図の例で
は、図5の(b)に示した入力データを縦方向に見たと
き、8ビットずつが1フレームを構成する。各フレーム
の(F)と表示したビットを基準信号とする。従って、
フレームごとの基準信号の位置が入力データ位置Pとな
る。このデータが同期回路16から出力される。例え
ば、図5(b)に示す例の場合、最初の1番左側の縦1
列を見ると、基準信号が1ビット目に存在する。従っ
て、同期回路16の出力は“1”となる。また、左から
2番目の8ビット分の列に着目すると、基準信号の位置
は2番目のビットとなる。従って、同期回路16からは
“2”という数値が出力される。
【0025】図5(b)の例でいえば、同期回路16か
らはこのように1,2,4,7,6,5というように基
準信号の位置に相当するデータが位置用FIFO17に
入力し保持される。一方、データ用FIFO14には8
ビット×20のデータを保持する。また、位置用FIF
O17は3ビット×20のデータが保持される。位置用
FIFO17に保持された入力データ位置Pは、順にデ
ータホールド部6に供給される。装置内タイミング信号
7がデータホールド部6に入力すると、これが遅延量D
として可変遅延回路3に供給される。可変遅延回路3の
選択出力回路の動作は具体例1と変わらない。
【0026】なお、データ用FIFO14には図5に示
した(b)に示す入力データが1番上の第1行目から第
2行目、第3行目というような順に、左から右に向かう
方向にシリアルに入力する。これらはデータ用FIFO
14に入力すると、1行ずつ順番に配列され、最終的に
図5(b)に示したような内容のデータ配列が得られ
る。その後、図5(b)に示す入力データを縦方向に見
た8ビットずつが選択出力回路12から出力される。2
0フレームの入力データの各フレームのビットを具体例
1と同様にしてカウントするならば、同期回路16に、
例えば20個のカウンタを設けて、個別に入力データ位
置Pを得る構成としてもよい。
【0027】しかしながら、これでは回路規模が大きく
なりすぎる。そこで、この図に示すように、同期回路1
6へシリアルに入力する入力データ中から基準信号の位
置を検出すると、これがそのつど順に位置用FIFO1
7に格納されていくようにする。従って、この具体例で
は、位置用FIFO17の出力を同期回路16へ8行分
8回戻すことによって、位置用FIFO17に全ての基
準信号の位置が書き込まれる。これによって、その後、
位置用FIFO17からは図5に示す最初の縦1列分8
ビットのデータの入力データ位置Pから順に各データの
入力位置Pがデータホールド部6に向けて出力されるこ
とになる。
【0028】なお、以上の要領で、図5(b)に示すよ
うに多重化された入力データの各フレームのデータが、
いずれも基準信号(F)の位置が先頭になるように位相
乗り換え処理されて、図5(c)に示すような装置内デ
ータとなる。位置用FIFO17とデータ用FIFO1
4とは、いずれも、図5(d)に示した多重周期パルス
の入力タイミングで一括クリアされて、はじめの状態に
戻る。
【0029】〈具体例2の効果〉以上のように、フレー
ムごとに多重化された入力データも、具体例1と同様に
して、入力データ位置Pを基準にした位相乗り換えを行
って、装置内データを得ることができる。また、こうし
た機能を最小限の記憶容量の可変遅延回路や同期回路や
データホールド部等によって実現することから、回路の
小規模化を図ることができる。これによって、一般的な
伝送装置においてSTフレームを有している伝送路の終
端に有効に利用することができる。
【0030】〈具体例3〉図6には、具体例3による位
相乗り換え回路のブロック図を示す。ここでは、具体例
2の回路をより一般的な伝送装置における複数のX50
マルチフレームの位相合わせにも利用できるような構成
とした。図に示すデータ用FIFO14は、入力データ
の位相合わせの対象となるフレームのビット数分だけビ
ット幅が設定されている。具体例2の場合にはこのビッ
ト幅は8であったが、具体例3では例えば20ビットで
ある。
【0031】選択出力回路15はこのビット幅に合わせ
たデータ受け入れ端子を有する構成のもので、その機能
自体は具体例1や具体例2に示したものと変わるところ
はない。同期回路16、位置用FIFO17、データホ
ールド部6等の構成は、具体例2の場合と同様である。
【0032】図7には、具体例3の回路の動作タイミン
グチャートを示す。図7(a)には装置内クロックを示
す。この回路でも、入力データは、図7(b)に示すよ
うに、左から右に向かって、一番上の行から順に行ごと
に順に入力する。即ち、図の左から右に向かう最上部の
1行分のデータを受け入れ、更にその次の行の1行分の
データを順に受け入れるというようにして、図7(b)
に示す左上の8ビット分のデータから右下の8ビット分
のデータまでの入力を受け付ける。その要領は、具体例
2と同様である。ただし、データはシリアルに見て8ビ
ットを1単位としている。この周期で、図7(d)に示
す多重周期パルスが出力される。
【0033】こうして受け入れた信号は、図7(b)に
示すように、縦方向に見た場合に、8ビットずつ、F
1,F2,F3,…F20という順に配列されている。
この例では、8ビット×20が1フレームとして扱われ
る。従って、8ビット分ずつを1単位として位相乗り換
えを行う。入力データの最も左にあるフレームのデータ
配列が正常とすれば、中央にあるフレームのデータ配列
はF1が下から4番目に存在する(図では隠れてい
る)。従って、そのデータ位置Pは上から数えて16番
目とされ、具体例2と同様の位相乗り換えが行われる。
【0034】このように、8ビットを1単位とし、これ
が図の縦方向に見て任意の数だけ配列されるというデー
タ構成は、低速の伝送装置即ち低速端末インタフェース
に比較的一般的なものである。従って、本発明はこのよ
うな低速装置に対しても広く利用することが可能にな
る。
【0035】〈具体例3の効果〉1ビット単位で多重化
されたデータだけでなく、例えば8ビット単位で多重化
されたデータについても比較的小容量のFIFOを用
い、遅延量に基づいて多重化されたデータの組み合せ毎
に所定のタイミングで出力データを得ることができる。
これにより、メモリ容量を小容量化し、小型化ができる
一方、比較的簡単な構成で多重化処理を行うことができ
るという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による位相乗り換え回路のブロック図で
ある。
【図2】具体例1による位相乗り換え回路のブロック図
である。
【図3】具体例1の回路の動作タイミングチャートであ
る。
【図4】具体例2による位相乗り換え回路ブロック図で
ある。
【図5】具体例2の回路の動作タイミングチャートであ
る。
【図6】具体例3による位相乗り換え回路のブロック図
である。
【図7】具体例3の回路の動作タイミングチャートであ
る。
【符号の説明】
1 入力データ 2 装置内データ 3 可変遅延回路 5 同期回路 6 データホールド部 7 装置内タイミング信号

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 入力データを受け入れる装置の装置内タ
    イミング信号に対する、前記入力データの遅延量を算出
    する遅延量算出部と、 前記入力データを受け入れて、前記遅延量算出部の出力
    する遅延量に相当する時間だけ入力データを遅延させて
    出力する可変遅延回路とを備えたことを特徴とする位相
    乗り換え回路。
  2. 【請求項2】 請求項1において、 遅延量算出部は、 入力データを構成する各フレーム中の基準信号の位置を
    検出して、これを入力データ位置として出力する同期回
    路と、この同期回路の出力する入力データ位置を受け入
    れて保持し、装置内タイミング信号の入力するタイミン
    グでその入力データ位置を、フレーム毎の遅延量として
    可変遅延回路に出力するデータホールド回路とを備えた
    ことを特徴とする位相乗り換え回路。
  3. 【請求項3】 入力データを受け入れる装置の装置内タ
    イミング信号に対する、前記入力データの入力タイミン
    グ信号の遅延量をフレーム毎に算出する遅延量算出部
    と、 前記入力データをフレーム毎に受け入れて、前記遅延量
    算出部の出力する遅延量に相当する時間だけ入力データ
    をフレーム毎に遅延させて出力する可変遅延回路とを備
    えたことを特徴とする位相乗り換え回路。
  4. 【請求項4】 請求項3において、 遅延量算出部は、 入力データの入力タイミング信号によりカウントを開始
    するカウンタを含む同期回路と、この同期回路の出力す
    るカウント値を装置内タイミング信号により保持して遅
    延量を得るデータホールド回路とを備えたことを特徴と
    する位相乗り換え回路。
  5. 【請求項5】 請求項3において、 遅延量算出部には、入力データのフレーム毎の入力デー
    タ位置を順に格納し、格納した順に出力する先入れ先出
    しメモリと、この先入れ先出しメモリの出力を装置内タ
    イミング信号により保持して遅延量を得るデータホール
    ド回路とを備え、 可変遅延回路には、入力データを受け入れて出力順に配
    列する先入れ先出しメモリを備えたことを特徴とする位
    相乗り換え回路。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7999356B2 (en) 2008-09-25 2011-08-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Composition for film formation, insulating film, semiconductor device, and process for producing the semiconductor device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7999356B2 (en) 2008-09-25 2011-08-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Composition for film formation, insulating film, semiconductor device, and process for producing the semiconductor device

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