JPH1051070A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JPH1051070A JPH1051070A JP19939096A JP19939096A JPH1051070A JP H1051070 A JPH1051070 A JP H1051070A JP 19939096 A JP19939096 A JP 19939096A JP 19939096 A JP19939096 A JP 19939096A JP H1051070 A JPH1051070 A JP H1051070A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 短波長光の発振に適したＧａＮ系半導体を用
いた半導体レーザに関し、ｐ型電極のコンタクト抵抗が
低いＧａＮ系半導体レーザを提供することである。 【解決手段】 ＧａＮを少なくとも成分として含むＧａ
Ｎ系半導体を用い、活性層、ｎ型クラッド層、ｐ型クラ
ッド層を含むレーザ構造と、前記ｐ型クラッド層上に形
成され、ｐ型ＩｎＮまたはｐ型Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ（ｘ＞
０．２）で形成されたｐ型コンタクト層とを有する。
いた半導体レーザに関し、ｐ型電極のコンタクト抵抗が
低いＧａＮ系半導体レーザを提供することである。 【解決手段】 ＧａＮを少なくとも成分として含むＧａ
Ｎ系半導体を用い、活性層、ｎ型クラッド層、ｐ型クラ
ッド層を含むレーザ構造と、前記ｐ型クラッド層上に形
成され、ｐ型ＩｎＮまたはｐ型Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ（ｘ＞
０．２）で形成されたｐ型コンタクト層とを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザに関
し、特に短波長光の発振に適したＧａＮ系半導体を用い
た半導体レーザに関する。
し、特に短波長光の発振に適したＧａＮ系半導体を用い
た半導体レーザに関する。
【０００２】本明細書において、ＧａＮ系半導体とは、
ＧａＮを少なくとも成分として含む半導体を言う。
ＧａＮを少なくとも成分として含む半導体を言う。
【０００３】
【従来の技術】ＧａＮ系半導体、特にＧａＮ系窒化物半
導体（ＧａＮ、Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ、Ａｌy Ｇａ1-y Ｎ
等）は比較的広いバンドギャップを有し、特に青から紫
外域に発光波長を有する発光素子の構成材料として注目
されている。たとえば現在赤色発光の半導体レーザが用
いられている光磁気ディスク等のデジタル情報記録装置
に青色発光や紫外域発光の半導体レーザを用いることが
できれば、記録密度を大幅に向上させることが可能とな
る。
導体（ＧａＮ、Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ、Ａｌy Ｇａ1-y Ｎ
等）は比較的広いバンドギャップを有し、特に青から紫
外域に発光波長を有する発光素子の構成材料として注目
されている。たとえば現在赤色発光の半導体レーザが用
いられている光磁気ディスク等のデジタル情報記録装置
に青色発光や紫外域発光の半導体レーザを用いることが
できれば、記録密度を大幅に向上させることが可能とな
る。
【０００４】図２は、１９９６年に日亜化学工業のグル
ープにより初めて実現されたＧａＮ系レーザの層構造を
概略的に示す（S. Nakamura et al, Jpn. J. Appl. Phy
s. 35, L74 (1996) ）。サファイア基板５１上に、ｎ型
ＧａＮバッファ層５１、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層５
２、ｎ型ＧａＮ光閉じ込め層５３を積層した後、ＩｎＧ
ａＮ多重量子井戸（ＭＱＷ）活性層５４を形成する。Ｍ
ＱＷ活性層５４は、厚さ２．５ｎｍのＩｎ0.2 Ｇａ0.8
Ｎ井戸層と、厚さ５ｎｍのＩｎ0.5 Ｇａ0.5 Ｎのバリア
層の２６周期から構成されている。
ープにより初めて実現されたＧａＮ系レーザの層構造を
概略的に示す（S. Nakamura et al, Jpn. J. Appl. Phy
s. 35, L74 (1996) ）。サファイア基板５１上に、ｎ型
ＧａＮバッファ層５１、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層５
２、ｎ型ＧａＮ光閉じ込め層５３を積層した後、ＩｎＧ
ａＮ多重量子井戸（ＭＱＷ）活性層５４を形成する。Ｍ
ＱＷ活性層５４は、厚さ２．５ｎｍのＩｎ0.2 Ｇａ0.8
Ｎ井戸層と、厚さ５ｎｍのＩｎ0.5 Ｇａ0.5 Ｎのバリア
層の２６周期から構成されている。
【０００５】ＭＱＷ活性層５４の上に、ｐ型ＧａＮ光閉
じ込め層５５、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層５６、ｐ型Ｇ
ａＮコンタクト層５７を積層し、ｐｎ接合ダイオードが
形成される。このｐｎ接合構造のうち、ｎ型層はＳｉで
ドープされ、ｐ型層はＭｇでドープされている。ｐ型Ｇ
ａＮコンタクト層５７表面から、ｎ型ＧａＮバッファ層
５１の途中までをエッチングで除去し、ストライプ状の
メサ構造が形成される。
じ込め層５５、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層５６、ｐ型Ｇ
ａＮコンタクト層５７を積層し、ｐｎ接合ダイオードが
形成される。このｐｎ接合構造のうち、ｎ型層はＳｉで
ドープされ、ｐ型層はＭｇでドープされている。ｐ型Ｇ
ａＮコンタクト層５７表面から、ｎ型ＧａＮバッファ層
５１の途中までをエッチングで除去し、ストライプ状の
メサ構造が形成される。
【０００６】ｎ型バッファ層５１表面上にｎ型電極６０
が形成され、ｐ型コンタクト層５７表面上にｐ型電極６
１が形成される。ｎ型電極６０は、Ｔｉ／Ａｌ積層で形
成され、ｐ型電極６１は、Ｎｉ／Ａｕで形成されてい
る。この構成により、波長４１７ｎｍで発振が得られた
と報告されている。
が形成され、ｐ型コンタクト層５７表面上にｐ型電極６
１が形成される。ｎ型電極６０は、Ｔｉ／Ａｌ積層で形
成され、ｐ型電極６１は、Ｎｉ／Ａｕで形成されてい
る。この構成により、波長４１７ｎｍで発振が得られた
と報告されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】バンドギャップの広い
ＧａＮに良好なオーミックコンタクトを取ることは容易
ではない。特に、ｐ型領域に対するｐ型電極の抵抗が高
くなり易い。通常、ｐ型ＧａＮのドーパントとしては、
Ｍｇが用いられる。
ＧａＮに良好なオーミックコンタクトを取ることは容易
ではない。特に、ｐ型領域に対するｐ型電極の抵抗が高
くなり易い。通常、ｐ型ＧａＮのドーパントとしては、
Ｍｇが用いられる。
【０００８】しかしながら、Ｍｇドープのｐ型層のキャ
リア濃度は一般的には１×１０18ｃｍ-3程度、例外的に
高くても５×１０18ｃｍ-3程度である。ＧａＮの仕事関
数は、真空準位から離れており、ｎ型領域には低抵抗の
コンタクトを取りやすいが、ｐ型領域には低抵抗のコン
タクトを取りにくい特性を有する。このような事情によ
り、ｐ型電極のコンタクト抵抗は１０-3Ωｃｍ程度であ
り、レーザ装置としては、満足できるほど低抵抗とはな
っていない。
リア濃度は一般的には１×１０18ｃｍ-3程度、例外的に
高くても５×１０18ｃｍ-3程度である。ＧａＮの仕事関
数は、真空準位から離れており、ｎ型領域には低抵抗の
コンタクトを取りやすいが、ｐ型領域には低抵抗のコン
タクトを取りにくい特性を有する。このような事情によ
り、ｐ型電極のコンタクト抵抗は１０-3Ωｃｍ程度であ
り、レーザ装置としては、満足できるほど低抵抗とはな
っていない。
【０００９】コンタクト抵抗が大きいと、レーザの駆動
に大きな電圧が必要となる。コンタクト抵抗部分の電圧
降下は無駄に消費される電力を生じさせ、この無駄な電
力消費により発熱も生じ、レーザ特性を悪化させる。
に大きな電圧が必要となる。コンタクト抵抗部分の電圧
降下は無駄に消費される電力を生じさせ、この無駄な電
力消費により発熱も生じ、レーザ特性を悪化させる。
【００１０】本発明の目的は、ｐ型電極のコンタクト抵
抗が低いＧａＮ系半導体レーザを提供することである。
抗が低いＧａＮ系半導体レーザを提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の一観点によれ
ば、ＧａＮを少なくとも成分として含むＧａＮ系半導体
を用い、活性層、ｎ型クラッド層、ｐ型クラッド層を含
むレーザ構造と、前記ｐ型クラッド層上に形成され、ｐ
型ＩｎＮまたはｐ型Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ（ｘ＞０．２）で
形成されたｐ型コンタクト層とを有する。
ば、ＧａＮを少なくとも成分として含むＧａＮ系半導体
を用い、活性層、ｎ型クラッド層、ｐ型クラッド層を含
むレーザ構造と、前記ｐ型クラッド層上に形成され、ｐ
型ＩｎＮまたはｐ型Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ（ｘ＞０．２）で
形成されたｐ型コンタクト層とを有する。
【００１２】ＩｎＮはＧａＮに比べて狭いバンドギャッ
プ（約１．９ｅＶ）を有し、低抵抗率の領域を作るのに
適している。Ｉｎ組成の高いＩｎＧａＮ混晶も、ＩｎＮ
に近い性質を有する。Ｉｎ組成が０．２より大であれ
ば、ＩｎＮ類似の効果が期待できよう。このようなＩｎ
ＮまたはＩｎ組成の高いＩｎＧａＮ層にｐ型電極を接触
させると、低いコンタクト抵抗を得ることが可能とな
る。
プ（約１．９ｅＶ）を有し、低抵抗率の領域を作るのに
適している。Ｉｎ組成の高いＩｎＧａＮ混晶も、ＩｎＮ
に近い性質を有する。Ｉｎ組成が０．２より大であれ
ば、ＩｎＮ類似の効果が期待できよう。このようなＩｎ
ＮまたはＩｎ組成の高いＩｎＧａＮ層にｐ型電極を接触
させると、低いコンタクト抵抗を得ることが可能とな
る。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施例によるＧ
ａＮ系半導体レーザの構成を概略的に示す。結晶構造６
Ｈを有するＳｉＣの（０００１）面基板上に有機金属気
相成長法（ＭＯＶＰＥ）により、半導体レーザを構成す
るのに必要な各層の成長を行う。まず、基板１表面上に
厚さ約２μｍ、不純物濃度５×１０18ｃｍ-3のＳｉドー
プｎ型ＧａＮバッファ層２を成長した後、厚さ約０．４
μｍ、不純物濃度約５×１０17ｃｍ-3のＳｉドープｎ型
Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層３、厚さ約０．１μｍ、
不純物濃度約５×１０17ｃｍ-3のＳｉドープｎ型ＧａＮ
光閉じ込め層４を成長する。クラッド層３は、光閉じ込
め層４よりも屈折率が低く、光閉じ込め層４内の光に対
し、光閉じ込め効果を発する。
ａＮ系半導体レーザの構成を概略的に示す。結晶構造６
Ｈを有するＳｉＣの（０００１）面基板上に有機金属気
相成長法（ＭＯＶＰＥ）により、半導体レーザを構成す
るのに必要な各層の成長を行う。まず、基板１表面上に
厚さ約２μｍ、不純物濃度５×１０18ｃｍ-3のＳｉドー
プｎ型ＧａＮバッファ層２を成長した後、厚さ約０．４
μｍ、不純物濃度約５×１０17ｃｍ-3のＳｉドープｎ型
Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層３、厚さ約０．１μｍ、
不純物濃度約５×１０17ｃｍ-3のＳｉドープｎ型ＧａＮ
光閉じ込め層４を成長する。クラッド層３は、光閉じ込
め層４よりも屈折率が低く、光閉じ込め層４内の光に対
し、光閉じ込め効果を発する。
【００１４】図１（Ｂ）に示すように、光閉じ込め層４
の表面上に、ノンドープのＩｎＧａＮ多重量子井戸（Ｍ
ＱＷ）活性層５を形成する。ＭＱＷ活性層５は、それぞ
れ厚さ３ｎｍの３０層のＩｎ0.3 Ｇａ0.7 Ｎ井戸層５ａ
の間に、厚さ３ｎｍのＧａＮバリア層５ｂを挟んだ構成
である。
の表面上に、ノンドープのＩｎＧａＮ多重量子井戸（Ｍ
ＱＷ）活性層５を形成する。ＭＱＷ活性層５は、それぞ
れ厚さ３ｎｍの３０層のＩｎ0.3 Ｇａ0.7 Ｎ井戸層５ａ
の間に、厚さ３ｎｍのＧａＮバリア層５ｂを挟んだ構成
である。
【００１５】ＭＱＷ活性層５の上に、ｎ側領域と対称的
なｐ側領域を形成する。すなわち、ＭＱＷ活性層５の上
に、厚さ約０．１μｍ、不純物濃度約５×１０17ｃｍ-3
のＭｇドープｐ型ＧａＮ光閉じ込め層６、厚さ約０．４
μｍ、不純物濃度約５×１０ 17ｃｍ-3のＭｇドープｐ型
Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層７を成長する。クラッド
層７の上に、さらに厚さ約０．３μｍ、不純物濃度約２
×１０18ｃｍ-3、Ｍｇドープのｐ型ＧａＮコンタクト層
８を成長する。
なｐ側領域を形成する。すなわち、ＭＱＷ活性層５の上
に、厚さ約０．１μｍ、不純物濃度約５×１０17ｃｍ-3
のＭｇドープｐ型ＧａＮ光閉じ込め層６、厚さ約０．４
μｍ、不純物濃度約５×１０ 17ｃｍ-3のＭｇドープｐ型
Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層７を成長する。クラッド
層７の上に、さらに厚さ約０．３μｍ、不純物濃度約２
×１０18ｃｍ-3、Ｍｇドープのｐ型ＧａＮコンタクト層
８を成長する。
【００１６】このｐ型コンタクト層８の上に、Ｉｎ組成
が次第に増加するｐ型ＩｎＧａＮ組成傾斜層９を形成す
る。組成傾斜層は、たとえば厚さ約０．１μｍ、ｐ型不
純物濃度２×１０18ｃｍ-3以上である。Ｉｎ組成は、コ
ンタクト層８側で約０であり、上部表面で約１である。
が次第に増加するｐ型ＩｎＧａＮ組成傾斜層９を形成す
る。組成傾斜層は、たとえば厚さ約０．１μｍ、ｐ型不
純物濃度２×１０18ｃｍ-3以上である。Ｉｎ組成は、コ
ンタクト層８側で約０であり、上部表面で約１である。
【００１７】なお、ＩｎＮ組成傾斜層９のＩｎ組成は、
ＧａＮコンタクト層８側からＩｎＮコンタクト層１０側
に向かって徐々に増大することが望ましい。Ｉｎ組成の
変化は、連続的に変化しても、階段的に変化してもよ
い。
ＧａＮコンタクト層８側からＩｎＮコンタクト層１０側
に向かって徐々に増大することが望ましい。Ｉｎ組成の
変化は、連続的に変化しても、階段的に変化してもよ
い。
【００１８】また、ＩｎＮ層とＧａＮ層を積層し、超格
子を形成すると、ＩｎＧａＮ混晶類似の特性を実現する
ことができる。超格子内の隣接するＩｎＮ層とＧａＮ層
の厚さの比を徐々に変化させることにより、混晶組成を
変化させたのと同等の特性を得ることができる。組成傾
斜層９はこのような超格子構造によっても作成するとこ
ができる。
子を形成すると、ＩｎＧａＮ混晶類似の特性を実現する
ことができる。超格子内の隣接するＩｎＮ層とＧａＮ層
の厚さの比を徐々に変化させることにより、混晶組成を
変化させたのと同等の特性を得ることができる。組成傾
斜層９はこのような超格子構造によっても作成するとこ
ができる。
【００１９】ＩｎＧａＮ組成傾斜層９の上に、厚さ約
０．５μｍ、不純物濃度約１×１０19ｃｍ-3のＭｇドー
プｐ型ＩｎＮコンタクト層１０を形成する。ＩｎＮは、
比較的バンドギャップが狭いため、高濃度までアクセプ
タをドープすることができる。ＩｎＧａＮ組成傾斜層９
は、ｐ型コンタクト層８とｐ型コンタクト層１０の間の
電位障壁を低減し、低い接触抵抗を可能にする。
０．５μｍ、不純物濃度約１×１０19ｃｍ-3のＭｇドー
プｐ型ＩｎＮコンタクト層１０を形成する。ＩｎＮは、
比較的バンドギャップが狭いため、高濃度までアクセプ
タをドープすることができる。ＩｎＧａＮ組成傾斜層９
は、ｐ型コンタクト層８とｐ型コンタクト層１０の間の
電位障壁を低減し、低い接触抵抗を可能にする。
【００２０】ＩｎＮは、ＧａＮの上に単結晶成長するこ
とが可能であるが、格子不整合を有する。ＩｎＧａＮ組
成傾斜層９を挿入することにより、格子不整合は緩和さ
れるが、ＩｎＮコンタクト層１０を形成することによ
り、ＧａＮコンタクト層８界面付近より上に格子欠陥を
発生させることが避けにくい。しかしながら、このよう
な格子欠陥が発生しても、格子欠陥はＭＱＷ活性層５か
ら離れた位置にあり、レーザ素子特性に与える悪影響は
少ない。
とが可能であるが、格子不整合を有する。ＩｎＧａＮ組
成傾斜層９を挿入することにより、格子不整合は緩和さ
れるが、ＩｎＮコンタクト層１０を形成することによ
り、ＧａＮコンタクト層８界面付近より上に格子欠陥を
発生させることが避けにくい。しかしながら、このよう
な格子欠陥が発生しても、格子欠陥はＭＱＷ活性層５か
ら離れた位置にあり、レーザ素子特性に与える悪影響は
少ない。
【００２１】積層を結晶成長した後、ＩｎＮコンタクト
層１０表面からＧａＮバッファ層２中間までをストライ
プ状領域を残してエッチングする。ストライプの方向は
〔１−１００〕方向とする。これは、６Ｈ−ＳｉＣ基板
および各エピタキシャル成長層の（１−１００）面をへ
き開面として共振器を作成できるようにするためであ
る。なお、このエッチングはたとえば塩素を用いたドラ
イエッチングにより行うことができる。
層１０表面からＧａＮバッファ層２中間までをストライ
プ状領域を残してエッチングする。ストライプの方向は
〔１−１００〕方向とする。これは、６Ｈ−ＳｉＣ基板
および各エピタキシャル成長層の（１−１００）面をへ
き開面として共振器を作成できるようにするためであ
る。なお、このエッチングはたとえば塩素を用いたドラ
イエッチングにより行うことができる。
【００２２】露出したｎ型ＧａＮバッファ層２表面にス
トライプ状のＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ積層によるｎ型電極１１
を形成し、ＩｎＮコンタクト層１０表面にＮｉ／Ａｕ積
層によるｐ型電極１２を形成する。
トライプ状のＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ積層によるｎ型電極１１
を形成し、ＩｎＮコンタクト層１０表面にＮｉ／Ａｕ積
層によるｐ型電極１２を形成する。
【００２３】その後、エピタキシャル成長層および基板
を（１−１００）面でへき開し、〔１−１００〕方向に
長いレーザ共振器を作成する。図１（Ａ）において、紙
面に垂直な方向がレーザ共振器の共振方向となる。この
ようにして、ＧａＮ系半導体レーザが作成される。
を（１−１００）面でへき開し、〔１−１００〕方向に
長いレーザ共振器を作成する。図１（Ａ）において、紙
面に垂直な方向がレーザ共振器の共振方向となる。この
ようにして、ＧａＮ系半導体レーザが作成される。
【００２４】なお、基板はＳｉＣの他、他の材料を用い
ることもできる。たとえば、図２で説明したサファイア
基板を用いてもよい。活性層は、上述の構成に限らな
い。たとえば、図２で説明した混晶組成の井戸層とバリ
ア層で形成されるＭＱＷ活性層を用いてもよい。また、
ＭＱＷ活性層以外の活性層を用いてもよい。その他、混
晶組成の変更等により設計を変更することもできる。
ることもできる。たとえば、図２で説明したサファイア
基板を用いてもよい。活性層は、上述の構成に限らな
い。たとえば、図２で説明した混晶組成の井戸層とバリ
ア層で形成されるＭＱＷ活性層を用いてもよい。また、
ＭＱＷ活性層以外の活性層を用いてもよい。その他、混
晶組成の変更等により設計を変更することもできる。
【００２５】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ｐ型電極のコンタクト抵抗が低いＧａＮ系半導体レーザ
を提供することができる。
ｐ型電極のコンタクト抵抗が低いＧａＮ系半導体レーザ
を提供することができる。
【図１】本発明の実施例によるＧａＮ系半導体レーザの
構成を概略的に示す断面図である。
構成を概略的に示す断面図である。
【図２】従来の技術によるＧａＮ系半導体レーザの構成
を概略的に示す断面図である。
を概略的に示す断面図である。
１ ＳｉＣ基板 ２ ｎ型ＧａＮバッファ層 ３ ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層 ４ ｎ型ＧａＮ光閉じ込め層 ５ ＩｎＧａＮＭＱＷ活性層 ６ ｐ型ＧａＮ光閉じ込め層 ７ ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層 ８ ｐ型ＧａＮコンタクト層 ９ ｐ型ＡｌＧａＮ組成傾斜層 １０ ｐ型ＩｎＮコンタクト層 １１ ｎ型電極 １２ ｐ型電極
Claims (4)
- 【請求項１】 ＧａＮを少なくとも成分として含むＧａ
Ｎ系半導体を用い、活性層、ｎ型クラッド層、ｐ型クラ
ッド層を含むレーザ構造と、 前記ｐ型クラッド層上に形成され、ｐ型ＩｎＮまたはｐ
型Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ（ｘ＞０．２）で形成されたｐ型コ
ンタクト層とを有する半導体レーザ。 - 【請求項２】 さらに、前記ｐ型クラッド層と前記ｐ型
コンタクト層との間に配置され、実質的Ｉｎ組成が徐々
に変化するＩｎＧａＮ層で構成された組成傾斜層を有す
る請求項１記載の半導体レーザ。 - 【請求項３】 前記組成傾斜層のＩｎの組成が、単調か
つ連続的または単調かつ階段的に変化する請求項２記載
の半導体レーザ。 - 【請求項４】 前記組成傾斜層がＩｎＮ／ＧａＮ超格子
層であって、隣接するＩｎＮ層とＧａＮ層の厚さの比が
徐々に変化するＩｎＮ／ＧａＮ超格子層である請求項２
記載の半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19939096A JPH1051070A (ja) | 1996-07-29 | 1996-07-29 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19939096A JPH1051070A (ja) | 1996-07-29 | 1996-07-29 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1051070A true JPH1051070A (ja) | 1998-02-20 |
Family
ID=16406988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19939096A Pending JPH1051070A (ja) | 1996-07-29 | 1996-07-29 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1051070A (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2002094110A (ja) * | 2000-09-12 | 2002-03-29 | ▲さん▼圓光電股▲ふん▼有限公司 | 発光ダイオードの構造 |
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| KR100418888B1 (ko) * | 2001-06-20 | 2004-02-14 | 엘지전자 주식회사 | ＬＥＤ/ＬＤ의 ｐ-콘택층 성장 방법 |
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