JPH10335299A

JPH10335299A - ウェーハ乾燥装置

Info

Publication number: JPH10335299A
Application number: JP14697597A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Ishiyama; 弘石山
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1997-06-05
Filing date: 1997-06-05
Publication date: 1998-12-18

Abstract

(57)【要約】【課題】簡素な構成で、ウエット洗浄されたウェーハ
を乾燥する際に用いられる有機溶剤を、外部に全く漏ら
すことなく、乾燥を行うことのできるウェーハ乾燥装置
を提供すること。【解決手段】洗浄槽２０の内槽２１に浸水されている
ウェーハＷを覆うように、上方から密閉槽３０を降下さ
せ、密閉槽３０内に、内槽２１の水によって水封された
内部空間３１を形成する。そして、この内部空間３１
に、ミスト状のイソプロピルアルコールを含有したＮ₂
ガスを供給し続け、このガスの圧力により内部空間３１
の液面を降下させながら、マランゴニ現象を用いて、ウ
ェーハＷを乾燥させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ウェーハをウエッ
ト洗浄した後、ウェーハを乾燥させるウェーハ乾燥装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の特性は、公知のように、ウ
ェーハの表面のダストの量に関係し、よい特性の半導体
装置を得るためには、ダストの量は少ないのがよい。例
えば、ウェーハの表面には、エッチングやイオン打ち込
みなどの各工程で、ダストが残留するが、このダストを
除くために、各工程の最後に、ウェーハを洗浄する。こ
の洗浄する方法としては、ドライ洗浄とウエット洗浄が
あるが、現在の主流は、ウエット洗浄である。ウエット
洗浄では、酸やアルカリや有機溶媒などの洗浄液で洗浄
した後、これらを除くために純水でリンスするが、この
後、そのまま自然乾燥させると、ウェーハ上に、ウォー
タマークが残り、ダストも多くなる。又、乾燥時間も長
くなる。すなわち、良好な特性の半導体装置を製造する
ことができなくなる。そこで、ウェーハを、その洗浄の
最終工程において、いわば強制的に乾燥している。

【０００３】ウェーハを乾燥させる方法として、従来、
ウェーハを高速回転させ、遠心力で表面の水分を吹き飛
ばすという方法があったが、これでは、吹き飛んだ水が
壁に当たってはね返ってウェーハに再付着するというこ
とがあるので、現在では、アルコール等の、親水性があ
り、蒸発しやすい（沸点の低い）溶剤との置換法が用い
られている。これは、溶剤の蒸気にウェーハが触れる
と、この蒸気がウェーハに付着している水を溶解しなが
らウェーハから離れるということを繰り返すことによ
り、ウェーハが乾燥されるというものである。なお、公
知のように、イソプロピルアルコール（以下、ＩＰＡと
記載する）が、通常、用いられているが、これは親水性
よく、また純度の高い溶剤を容易に得ることができるか
らである。

【０００４】ＩＰＡをガス化する方法としては、まず、
図７に示すように、乾燥装置の乾燥容器６の下部に封入
されているＩＰＡ（溶剤）Ｐ中に配設されているヒータ
ｈを１００℃以上に熱する方法があるが、ＩＰＡは可燃
性であるため、安全のために、図示しないところに、色
々な装備（例えば消火器を設けるなど）やインターロッ
クを取らなければならず、乾燥装置全体が大掛かりとな
る。なお、この他に、超音波によってガス化し、これを
ウェーハ面上に吹きかける方法もある。

【０００５】また、最近では、ＩＰＡを用いた置換法と
異なる、マランゴニ現象を用いた乾燥方法もある。この
方法は、次のようにして行われている。図８に示すよう
に、浸水しているウェーハ２を引き上げる（矢印Ｂの方
向に移動させる）際に、その雰囲気をＩＰＡ蒸気Ｇで充
満させると、水とＩＰＡは水溶性であるので、ＩＰＡ蒸
気Ｇが矢印Ａで示されるように、表面から水３に拡散す
る。水３の領域Ｘでは、その層が薄いので、ＩＰＡの濃
度が高く、領域ＹではＩＰＡの水３への拡散が進むので
濃度が小さい。そのため、この濃度差によって、領域Ｘ
から領域Ｙにかけて表面張力に勾配が生じ、ウェーハ２
の表面２ａ上の水は、引き上げ速度に対応して、常に、
領域Ｘから領域Ｙに矢印Ｆで示されるように運ばれる。
従って、ウェーハ２は、ウェーハを引き上げるだけで、
残留水分が極めて少ない乾燥が行われる。なお、上記で
は、ウェーハ２が引き上げられるとしたが、ウェーハ２
が浸水されている水３を下方より排水し、液面３ａを下
げることでも、同様な乾燥が行われる。

【０００６】しかしながら、上述した有機溶媒を用いた
乾燥方法を行う乾燥容器は、ＩＰＡガスの雰囲気として
おり、これは、従来、どの乾燥方法でも、メカニカルな
構造で密閉されている。例えば、図７で示す乾燥容器６
では、その蓋（又はカバー）５は、軸８を支点として回
転可能にされており、蓋５と乾燥容器６との間にはＯリ
ング７が配設されている。そして、乾燥する際には、蓋
５が点線で示すように配設され、乾燥容器６の内部が密
閉されるのであるが、しかしながら、例えば、Ｏリング
７を設けているにもかかわらず、蓋５と乾燥容器６との
隙間からＩＰＡが漏れてしまう。このＩＰＡは、可燃性
で気化しやすく、また有機溶剤中毒予防規則に危険物と
して規定されている程、有毒であるので、漏れた場合に
は周囲の環境を脅かす恐れがある。また、半導体の製造
工程においては、他の薬品との化学反応なども考えられ
る。従って、乾燥容器６からＩＰＡが漏れても、外部ま
では漏れないような構成としたり、また安全設備（例え
ば消火器など）を具備する必要があったりして、乾燥装
置を簡素化することができなかった。

【０００７】また、上述した有機溶媒を用いたいずれも
乾燥方法においても、乾燥装置を洗浄装置に組込むと、
すなわち、複合機能洗浄装置とすると、有機溶媒を排気
する有機排気設備を設ける必要がある。従って、この場
合にも、装置全体が大きくなるという問題があった。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述の問題
に鑑みてなされ、有機溶媒を用いたウェーハ乾燥装置に
おいて、簡素な構成で、その有機溶媒を外部に漏らすこ
との全くないウェーハ乾燥装置を提供することを課題と
する。

【０００９】

【課題を解決するための手段】以上の課題は、ウェット
洗浄されたウェーハを、水封された空間で、有機溶剤を
用いて乾燥するウェーハ乾燥装置とすることで、達成さ
れる。水封することで、ウェーハを乾燥している雰囲気
中にある有機溶剤は外部に漏れることがない。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明では、ウエット洗浄された
ウェーハを、水封された空間で、乾燥するために用いら
れる有機溶媒により乾燥を行う。乾燥するために用いら
れる有機溶媒は、可溶性であるので、水封している水に
溶けることはあっても、水封された空間から外部に気体
として漏れることはない。すなわち、簡素な構成で、乾
燥に使用された有機溶媒を、外部に漏れることが防止で
きる。従って、簡素な構成にしても安全であるので、従
来の安全対策に必要であった大掛かりな設備が不要であ
る。また、可溶性である乾燥に用いた有機溶剤を、水封
する際に用いた水に混合させれば、この有機溶剤は、水
と一緒に排水されるので、排水設備と別に、有機物を気
体として排除するための設備、すなわち有機排気設備を
不要とすることができる。

【００１１】この乾燥装置の具体的な構成としては、少
なくとも水槽と、この水槽の中央に配設され、下方に開
口を有した昇降可能な乾燥槽と、この乾燥槽の内部と連
通し、乾燥に用いられる有機溶剤が含有されたＮ₂ ガス
を供給するガス供給管とを有した構造として、水槽の水
に浸漬されているウエット洗浄されたウェーハを囲むよ
うに、水槽の内部に乾燥槽を降下させて、この乾燥槽内
に水封された空間を形成し、この空間に、有機溶剤が含
有された前記Ｎ₂ ガスを供給して乾燥するようにすれば
よい。このとき、有機溶剤として、アルコール類を使用
することができるが、親水性が良好で、不純物が少ない
高純度の溶液であるＩＰＡを用いるのがよい。更に、例
えば、ＩＰＡのガス又はＩＰＡが含有されたＮ₂ ガスの
圧力により、水封していた水の液面を徐々に低下させな
がら、すなわち上記従来技術で説明したマランゴニ現象
を使用して、乾燥することも可能である。また、ＩＰＡ
のガスを水封された内部空間３１に供給しながら、水を
水槽の下方より排水しながら、水の液面を下方させて乾
燥するようにしてもよい。なお、この際に、ＩＰＡがミ
スト状態で含有されたＮ₂ ガスを用いれば、このＮ₂ ガ
スがウェーハＷに残留するということはなく、かつＩＰ
Ａの使用量を低下させることができる。

【００１２】また、水封する水を入れた水槽が、洗浄槽
であれば、すなわち、洗浄に使用した水を、乾燥装置の
水封用として兼用すれば、水を節約することも可能であ
り、またウェーハが浸水した状態からすぐに乾燥を行う
ことができるので、全体の処理時間を短くすることもで
きる。勿論、上述したように、洗浄装置と乾燥装置を１
つとしても、乾燥に使用された有機溶媒は、水に溶けて
排水されるので、この有機溶媒を気体として排出するた
めの排気設備を不要とすることができる。すなわち、乾
燥な構成で、洗浄槽に乾燥装置を組込むことが可能であ
る。なお、従来、洗浄槽と乾燥装置とを一体化する際に
は、洗浄槽の内部全体をＩＰＡのガス雰囲気としなけば
成らなかったが、洗浄槽の中央で、ウェーハを覆える水
封された空間を形成すればよいので、乾燥に使用される
ＩＰＡの量を少なくすることができる。

【００１３】なお、洗浄槽が、ウェーハを配置する内槽
と、この内槽の外周を囲む外槽とからなり、この内槽の
上端を上下にジグザグ状とすれば、その洗浄の際に、内
槽から外槽へと均一に水が流れるので、内槽において水
の流れが停滞することがない。また、内槽の下方に整流
板を設け、この上にウェーハを収納しているカセットを
支持するための部材を設けることによっても、一層、内
槽における水の流れの停滞を防止することができる。従
って、このような構造を具備させることにより、乾燥装
置を洗浄装置と一体化したときでも、ウェーハを均一に
洗浄することができる。

【００１４】

【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
して説明する。

【００１５】図１は、本発明の乾燥装置を水洗装置に組
み込んだ装置１０の正面断面図を示しており、図２は図
１における［２］−［２］線方向の平面図、図３は斜視
図である。この装置１０は、水洗いを行う洗浄槽２０
（例えば石英ガラスでなる）と、この洗浄槽２０の中央
に配設されている密閉槽３０（例えば石英ガラスでな
る）とを有している。洗浄槽２０は、上部２１ａがギザ
ギザ状になっている内槽２１と、内槽２１の外周を覆う
ように設けられている外槽２２から成る。この外槽２２
は、図１に示すように排水管２３を有し、内槽２１の上
部２１ａから流れる水を受け止め、排水管２３へと流し
ている。なお、内槽２１の高さは、本実施例では３００
ｍｍ〜４００ｍｍ程度である。また、内槽２１には、底
部の中央に管２５が配設されているが、これは、排水管
２６及び給水管２７に接続されている。更に、内槽２１
の内部には、多数の孔１２ａを有した整流板１２が水平
に配設されているおり、この上面の中央には、カセット
載置部材１４が配設されている。このカセット載置部材
１４は、内側に溝１４ａａが形成されたブロック形状の
２つの部材１４ａから構成されている。

【００１６】カセット載置部材１４の溝１４ａに、その
２つの側部５３の下端部を嵌合することによって、カセ
ット１３が載置されている。このカセット１３は、例え
ば合成樹脂でなり、２つの側部５３と、これらを結合さ
せている薄板部１３ｂとから構成されている。側部５３
の上端部には、水平方向に突出した突出部５３ａが設け
られている。また、側部５３は、下部が内側に傾斜して
おり、この傾斜部分に、ウェーハＷ（これは、図３では
カセット１３と区別するために点線でなく一点鎖線で示
している）を保持するための孔５３ｂが設けられてい
る。また、壁部１３ｂには、ウェーハＷを孔５３ｂに保
持させるためのガイド溝５３ｃが設けられている。な
お、本実施例のカセット１３は、ウェーハＷが２５枚、
収納可能である。

【００１７】一方、密閉槽３０は、その下面が開口した
箱形状をして、洗浄槽２０の内槽２１の中央に配設され
ている。そして、その上面には、排気バルブ１８を有し
た排気管１７及び保持アーム１５が設けられている。保
持アーム１５は、その外方に位置する端部には、例え
ば、ボールねじなどの回り止めされた状態のねじ部１５
ａが形成されている。これに、モータ３３に回転される
ねじ部材３２が螺合しており、モータ３３を回転するこ
とによって、保持アーム１５を介して密閉槽３０が昇降
可能になっている。また、保持アーム１５には、ガス供
給管１９が接続されており、保持アーム１５には、密閉
槽３０の内部空間３１とガス供給管１９とを連通させる
ための孔１５ｂが内部に形成されている。

【００１８】ガス供給管１９は、図４に示されている霧
化室４５に連通しているが、この霧化室４５は、ＩＰＡ
供給装置４０のノズル部材４２の外周部に取り付けられ
たカバー４３によって形成されている。この霧化室４５
は、更に、Ｎ₂ ガスが供給される搬送管４４（これは、
流速を大きくするために、霧化室４５の入口で径を細く
している）に連通しているおり、更に、この霧化室４５
の下方には、ガス供給管１９に運ばれずに残ったＩＰＡ
を容器４１へと戻すための孔４３ａが設けられている。
なお、この孔４３ａは、霧化室４５から容器４１への流
れは許容し、容器４１から霧化室４５への流れは遮断す
る逆止弁４６を設けられたバイパス４７に接続されてい
る。また、霧化室４５の内部には、ノズル部材４２の先
端が突出している。ノズル部材４２は、液状のイソプロ
ピルアルコールＩが封入されている容器４１に螺合して
おり、その内孔４２ａは容器４１に設けられた管４１ａ
の内孔に整合している。また、容器４１には、送気管４
８が設けられ、この送気管４８から供給される不活性ガ
ス（例えばＮ₂ ガス）の圧力によって、イソプロピルア
ルコールＩをノズル部材４２の先端から噴霧している。
また、容器４１内は、リリーフ弁５０を有した排気管４
９が接続されている。なお、このリリーフ弁５０は、容
器４１内の圧力が、ある一定値以上になったときに、開
弁し、その圧力を逃がすものである。

【００１９】本実施例の乾燥装置が組み込まれた装置１
０は、以上のようにして構成されるが、次に、その乾燥
方法について、説明する。

【００２０】まず、公知のように、有機溶媒や酸などの
洗浄液によって、ウェーハＷを洗浄する。そして、図５
に示すように、ウェーハＷを収納したカセット１３を、
洗浄槽２０の内孔２１の中央に、すなわちカセット１３
の側部５３の下端部を、カセット載置部材１４の溝１４
ａに係合させる。このとき、支持アーム１５のねじ部１
５ａは、ねじ部材３２の上方に配設されて、すなわち密
閉槽３０が洗浄槽２０の上方に位置している。

【００２１】そして、公知のオーバーフロー式によって
ウェーハＷの水洗いが行われる。すなわち、給水管２６
から超純水が供給され、整流板１２を介して、内槽２１
に水が満たされた後、内槽の上部２１ａから水が、矢印
Ｅの方向に、均一に外槽２２へと流れる。更に、超純水
が供給され続け、内槽２１内の上に向かう超純水の流れ
によって、ウェーハＷが（カセット１３、洗浄槽２０に
付着しているダストも）水洗いされる。なお、このとき
外槽２２に流れた超純水は、排水管２３を介して排水さ
れる。そして、充分にウェーハＷが水洗いされると、超
純水の供給が停止される。すると、図５に示すように、
ウェーハＷは水Ｖ中に浸漬された状態となる。なお、細
線Ｈで示される線は、このときの水面を示している。

【００２２】水洗いの動作が終了すると、次に、モータ
３３が稼動され、密閉槽３０が降下される。これは、排
気バルブ１８を開けて、密閉槽３０の内部空間３１から
空気を排出しながら行う。そして、密閉槽３０は、図１
に示すように、密閉槽３０が、ウェーハＷを収納したカ
セット１３をほとんど覆うまで降下されると、排気バル
ブ１８を閉じる。すると、密閉槽３０の内部空間３１
は、水封された空間となる。なお、図１で一点鎖線で示
される線は、このときの密閉槽３０内の水面Ｈ’を示し
ており、これは密閉槽３０の外周の水面Ｈ”と同じ高さ
である。

【００２３】次に、図４に示すように、排気管４８か
ら、すなわち矢印Ｃの方向に、例えばＮ₂ などの不活性
ガスを、例えば０．５ｋｇ／ｃｍ² の圧力で流し、容器
４１の内圧を高くする。この圧力によって、イソプロピ
ルアルコールＩは管４１ａの内孔及びノズル部材４２の
内孔４２ａを通って、霧化室４５にミスト状となって噴
出される。同時に、搬送管４４から、すなわち矢印Ｄの
方向に、Ｎ₂ ガスが、例えば０．１ｍ／ｓ以上の速度で
供給される。供給されたＮ₂ ガスは、霧化室４５にある
ＩＰＡのミストＭを混合して、ガス供給管１９へと流れ
る。なお、霧化室４５でミスト状となったＩＰＡが搬送
管４４からのＮ₂ ガスによって搬送されずに、霧化室４
５の下方に溜ったＩＰＡは、逆止弁４６を開け、バイパ
ス４７を介して、容器４１内へと戻される。

【００２４】すなわち、ＩＰＡのミストＭを含有したＮ
₂ ガスが、図１で示すように、ガス供給管１９から密閉
槽３０の内部空間３１に供給される。供給されたガスの
圧力により、密閉槽３０にある水Ｖは下方へと押圧さ
れ、すなわち、その内部空間３１の水面Ｈ’は、徐々に
下がる。なお、供給されたＩＰＡのミストＭは、水Ｖよ
りも比重が軽いので、その一部は液面Ｈ’の上に堆積
し、膜ｔを作るが、水Ｖと膜ｔとの境界面（これは水面
Ｈ’と同じレベルとして示されている）では、ＩＰＡが
水Ｖの中に拡散する。従って、従来の技術で上述したよ
うに、マランゴニ現象によって、その膜ｔの液面の降下
とともに、ウェーハＷは上方から乾燥される。なお、こ
のとき、液面が低下したために、内槽２１にある水は、
矢印Ｅで示すように外槽２２へと流れ、排水管２３を介
して排水される。そして、図６に示されるように、ガス
の圧力によって低下した膜ｔの液面ｔａが、ウェーハＷ
の下端部を下回ると、図２の送気管４８のＮ₂ ガスの供
給を停止し、密閉槽３０へのガスの供給を停止させる。
すなわち、これにてウェーハＷの乾燥が終了する。

【００２５】乾燥が終了すると、管１５に接続されてい
る排水管２６を介して、洗浄槽２０の内槽２１にある水
Ｖを排水する。このときには、密閉槽３０に供給された
ＩＰＡは、可溶性であるため、すべて密閉槽３０の水Ｖ
に溶ける。従って、洗浄槽２０の内槽２１の水Ｖを排水
することで、密閉槽３０に供給されたＩＰＡはすべて排
出される。そして、密閉槽３０にある水がほとんどすべ
て排水された後、モータ３３を、密閉槽３０を降下させ
た時とは逆方向に回転させて、密閉槽３０を上昇させ
る。そして、乾燥したウェーハＷを収納したカセット１
３を取り出す。

【００２６】本実施例では、水封された空間である内部
空間３１において、ウェーハＷを乾燥させたので、乾燥
に用いたＩＰＡが外部に漏れるということがない。ま
た、乾燥するために供給されたＩＰＡは、水封として使
用された水Ｖに溶け、水Ｖと一緒に洗浄槽２０から排出
される。従って、乾燥に供給されたＩＰＡを気体として
排出するための排気設備が不要となる。また、乾燥が行
われる内部空間３１は、ウェーハＷが収納されたカセッ
ト１３を覆うだけの容積でよいので、この中に供給され
るＩＰＡの量を少なくすることもできる。

【００２７】また、本実施例では、水封している水の液
面を低下させながら、ミスト状のＩＰＡをその水の表面
に拡散しているので、すなわちマランゴニ現象によっ
て、ウェーハを乾燥しているので、マランゴニ現象を用
いた乾燥で得られる効果が本実施例でも得られる。ま
た、マランゴニ現象を用いたので、密閉槽３０の内部空
間３１には、ガス状でなくミスト状のＩＰＡを供給して
もよく、例えば管の継ぎ目などからＩＰＡが漏れるとい
う恐れも一層なくなる。また、ＩＰＡがガスでないた
め、密閉槽３０の液面低下の速さは、ミスト状のＩＰＡ
を搬送するＮ₂ ガスによる内部空間３１の圧力上昇によ
り制御することができる。なお、ミスト状のＩＰＡをＮ
₂ ガスによって搬送させたので、このＮ₂ ガスがウェー
ハＷに残留するということはなく、かつＩＰＡの使用量
を低下させることができる。

【００２８】また、本実施例では、水封する水槽を洗浄
槽３０としたので、すなわち、乾燥装置と洗浄装置とを
一体化させても、排気設備は不要であり、コンパクトに
することができる。また、洗浄槽１０は、その内槽２１
の上部２１ａを上下にジグザグ形状をしているので、水
洗いを行う場合には、内槽２１の周囲から、均一に外槽
へと水を流すことができる。従って、内槽２１で水の流
れが停滞することがなく、均一に水洗いをすることがで
きる。また、内槽２１に、整流板１２を設けたので、水
の流れが一様となる効果がある。

【００２９】以上、本発明の実施例について説明した
が、勿論、本発明はこれに限定されることなく、本発明
の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。

【００３０】例えば、上記実施例では、ミスト状とした
ＩＰＡをＮ₂ ガスにより搬送したが、ガス化したＩＰＡ
を内部空間３１に供給して行ってもよい。ただし、この
場合、マランゴニ現象を用いて乾燥するには、ガス化し
たＩＰＡの圧力で液面を低下させればならないので、上
記実施例よりも乾燥に供給されるＩＰＡの量が増加する
可能性もある。また、上記実施例では、マランゴニ現象
を用いて乾燥を行ったが、すなわち、液面を低下させな
がら乾燥をするようにしたが、先に内部空間に水封され
た空間を作り、ここにガス化したＩＰＡを供給して、こ
の中で従来例で説明した置換法による乾燥を行っても、
乾燥に使用されるＩＰＡ等の有機溶媒が外部に漏れるこ
とはない。また、ＩＰＡ以外の有機溶媒、他のアルコー
ル類や、アセトン、キシレン、フロンＲ１１３などを使
用して乾燥する場合には、本発明は適用可能である。

【００３１】また、上記実施例では、水洗いを行う洗浄
装置と乾燥装置とを一つの槽で行える装置１０について
説明したが、乾燥装置だけとしてもよいし、また、１つ
の槽で、洗浄液（例えば塩酸、硫酸、フッ酸、アンモニ
アなどの酸や有機溶媒）を使用した洗浄も行えるように
してもよい。ただし、この場合、洗浄した酸を排気する
ための酸排気設備が必要となる。

【００３２】また、装置の細部、例えば、洗浄槽２０の
形状やカセット１３の形状などについては、上記実施例
で示したものに限定される必要は全くなく、種々のもの
が可能である。また、上記実施例では、モータ３３の回
転を直線運動に変えて密閉槽３０を昇降させたが、この
機構の代わりに、空気圧を利用したシリンダーを用いて
密閉槽３０を昇降させるようにしてもよい。更に、洗浄
槽２０やカセット１３などの材質も、上記実施例で限定
される必要はなく、例えば洗浄槽であれば、ＰＦＡ（フ
ッ素化合物）や塩化ビニールなどであってもよい。ただ
し、洗浄液を用いた洗浄をも１つの槽で行うには、フッ
素系の以外の薬品に強い石英ガラスを用いるのがよい。

【００３３】

【発明の効果】以上述べたように、本発明のウェーハ乾
燥装置によれば、水封した空間で乾燥を行うということ
により、簡素な構成で、乾燥に用いられる有機溶媒が外
部に漏れるということを防止して乾燥を行うことができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例における洗浄装置と乾燥装置と
を一体化した装置の正面断面図である。

【図２】図１における［２］−［２］線方向の平面図で
ある。

【図３】本発明の実施例における洗浄装置と乾燥装置と
を一体化した装置の斜視図である。

【図４】本発明の実施例に使用されるＩＰＡを含有した
Ｎ₂ ガスを内部空間へと供給するためのＩＰＡ供給装置
の正面断面図である。

【図５】本発明の実施例における乾燥方法を説明するた
めの、洗浄装置と乾燥装置とを一体化した装置正面断面
図であり、水洗いが終了した状態を示している。

【図６】本発明の実施例における乾燥方法を説明するた
めの、洗浄装置と乾燥装置とを一体化した装置正面断面
図であり、乾燥が終了した状態を示している。

【図７】従来例における乾燥装置の概略図である。

【図８】マランゴニ現象を説明するたの模式図である。

【符号の説明】

１０……装置、１２……整流板、１３……カセット、１
４……カセット載置部材、１５ｂ……孔、１９……ガス
供給管、２０……洗浄槽、２１……内槽、２２……外
槽、３０……密閉槽、３１……内部空間、３２……ねじ
部材、３３……モータ、４０……ＩＰＡ供給装置、４１
……容器、４４……搬送管、４５……霧化室、４８……
送気管、Ｉ……イソプロピルアルコール、Ｈ’……水
面、Ｍ……ＩＰＡのミスト、Ｖ……水、Ｗ……ウェー
ハ。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ウェット洗浄されたウェーハを、有機溶
剤を用いて乾燥するウェーハ乾燥装置において、水封された空間で前記ウェーハを乾燥するようにしたこ
とを特徴とするウェーハ乾燥装置。
【請求項２】少なくとも、水槽と、前記水槽の中央に配設され、下方に開口を有した昇降可
能な乾燥槽と、前記乾燥槽の内部と連通し、前記有機溶剤のガス又は前
記有機溶剤が含有されたＮ₂ ガスを供給するガス供給管
とを有し、前記水槽の水に浸漬されている前記ウェーハを囲むよう
に、前記水槽の内部に前記乾燥槽を降下させて前記乾燥
槽内に、前記空間を形成し、前記空間に、前記有機溶剤のガス又は前記有機溶剤が含
有された前記Ｎ₂ ガスを供給して乾燥するようにしたこ
とを特徴とする請求項１に記載のウェーハ乾燥装置。
【請求項３】前記有機溶剤がイソプロピルアルコール
であることを特徴とする請求項２に記載のウェーハ乾燥
装置。
【請求項４】前記有機溶剤のガスの圧力又は前記有機
溶剤が含有された前記Ｎ₂ ガスの圧力により、前記水の液面を下げながら、前記乾燥が行なわれるよう
にしたことを特徴とする請求項３に記載のウェーハ乾燥
装置。
【請求項５】前記有機溶剤が含有された前記Ｎ₂ ガス
は、ミスト状態の前記有機溶剤が、Ｎ₂ ガスに含有され
てなることを特徴とする請求項４に記載のウェーハ乾燥
装置。
【請求項６】前記水槽が、洗浄槽であることを特徴と
する請求項２乃至請求項５の何れかに記載のウェーハ乾
燥装置。
【請求項７】前記洗浄槽が、前記ウェーハを配置する内槽と、前記内槽の外周を囲む外槽とから成り、前記内槽の上端が上下にジグザグ状をしていることを特
徴とする請求項６に記載のウェーハ乾燥装置。
【請求項８】前記内槽の下方には、整流板が配設さ
れ、この上に、前記ウェーハを収納しているカセットを
支持するための部材が設けられていることを特徴とする
請求項７に記載のウェーハ乾燥装置。