JPH10333601A - エレクトロ・ルミネセンス素子及びその製造法 - Google Patents
エレクトロ・ルミネセンス素子及びその製造法Info
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- JPH10333601A JPH10333601A JP9143836A JP14383697A JPH10333601A JP H10333601 A JPH10333601 A JP H10333601A JP 9143836 A JP9143836 A JP 9143836A JP 14383697 A JP14383697 A JP 14383697A JP H10333601 A JPH10333601 A JP H10333601A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/127—Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising two substrates, e.g. display comprising OLED array and TFT driving circuitry on different substrates
- H10K59/1275—Electrical connections of the two substrates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高精細、高密度、高輝度発光の大型カラーデ
ィスプレイを実現させるＥＬ素子及びその製造法を提供
すること。 【解決手段】 ドレイン電極パッド、及び該ドレイン電
極パッドと並列接続したコンデンサを備えたトランジス
タ基板、並びに複数の行及び列に沿って配置し、一対の
電極及び該一対の電極間に配置したエレクトロ、ルミネ
センス体を備えたエレクトロ・ルミネセンス基板を有
し、ドレイン電極パッドとエレクトロ・ルミネセンス体
とが対向する様に、薄膜トランジスタ基板とエレクトロ
・ルミネセンス基板とを配向配置し、ドレイン電極パッ
ドと一対の電極の一方の電極とを接着性電気接続体を通
して接続してなるエレクトロ・ルミネセンス素子。
ィスプレイを実現させるＥＬ素子及びその製造法を提供
すること。 【解決手段】 ドレイン電極パッド、及び該ドレイン電
極パッドと並列接続したコンデンサを備えたトランジス
タ基板、並びに複数の行及び列に沿って配置し、一対の
電極及び該一対の電極間に配置したエレクトロ、ルミネ
センス体を備えたエレクトロ・ルミネセンス基板を有
し、ドレイン電極パッドとエレクトロ・ルミネセンス体
とが対向する様に、薄膜トランジスタ基板とエレクトロ
・ルミネセンス基板とを配向配置し、ドレイン電極パッ
ドと一対の電極の一方の電極とを接着性電気接続体を通
して接続してなるエレクトロ・ルミネセンス素子。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表示装置、発光光
源又は電子写真プリンタのプリンタ・ヘッドに適用可能
なエレクトロ・ルミネセンス素子及びその製造法に関す
る。特に、本発明は、大画面のフルカラー表示に適した
有機エレクトロ・ルミネセンス体を用いた素子及びその
製造法に関する。
源又は電子写真プリンタのプリンタ・ヘッドに適用可能
なエレクトロ・ルミネセンス素子及びその製造法に関す
る。特に、本発明は、大画面のフルカラー表示に適した
有機エレクトロ・ルミネセンス体を用いた素子及びその
製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機エレクトロ・ルミネセンス体とし
て、例えば特開昭特開平６−２５６７５９号公報、特開
平６−１３６３６０号公報、特開平６−１８８０７４号
公報、特開平６−１９２６５４号公報や特開平８−４１
４５２号公報に開示されたものが知られている。
て、例えば特開昭特開平６−２５６７５９号公報、特開
平６−１３６３６０号公報、特開平６−１８８０７４号
公報、特開平６−１９２６５４号公報や特開平８−４１
４５２号公報に開示されたものが知られている。
【０００３】また、これらの有機エレクトロ・ルミネセ
ンス体は、例えば特開平８−２４１０４８号公報に記載
の薄膜トランジスタによって駆動することが知られてい
る。
ンス体は、例えば特開平８−２４１０４８号公報に記載
の薄膜トランジスタによって駆動することが知られてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、有機エ
レクトロ・ルミネセンス体を薄膜トランジスタによって
駆動するために、薄膜トランジスタのドレイン電極パッ
ド毎に有機エレクトロ・ルミネセンス体を設けることを
必要とし、特にフルカラー表示の場合には、青色、緑色
及び赤色の三原色をエレクトロ・ルミネセンス発光させ
る３種のエレクトロ・ルミネセンス体を薄膜トランジス
タ基板上で、パターニング形成することが必要であった
が、薄膜トランジスタ表面は、エレクトロ・ルミネセン
ス体薄膜と比較し、大きい凹凸面を形成しているため、
エレクトロ・ルミネセンス体薄膜を高精細・高密度でパ
ターニングするのが困難であり、更に薄膜トランジスタ
基板上にトランジスタとエレクトロ・ルミネセンス体と
の２種の機能素子を集中させたことに基づく低レベルの
生産性に問題点を持っていた。
レクトロ・ルミネセンス体を薄膜トランジスタによって
駆動するために、薄膜トランジスタのドレイン電極パッ
ド毎に有機エレクトロ・ルミネセンス体を設けることを
必要とし、特にフルカラー表示の場合には、青色、緑色
及び赤色の三原色をエレクトロ・ルミネセンス発光させ
る３種のエレクトロ・ルミネセンス体を薄膜トランジス
タ基板上で、パターニング形成することが必要であった
が、薄膜トランジスタ表面は、エレクトロ・ルミネセン
ス体薄膜と比較し、大きい凹凸面を形成しているため、
エレクトロ・ルミネセンス体薄膜を高精細・高密度でパ
ターニングするのが困難であり、更に薄膜トランジスタ
基板上にトランジスタとエレクトロ・ルミネセンス体と
の２種の機能素子を集中させたことに基づく低レベルの
生産性に問題点を持っていた。
【０００５】本発明の目的は、上記問題点を解決する大
画面のフルカラー表示に適した有機エレクトロ・ルミネ
センス体を用いた素子及びその製造法を提供することに
ある。
画面のフルカラー表示に適した有機エレクトロ・ルミネ
センス体を用いた素子及びその製造法を提供することに
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、第１に、複数
の行及び列に沿って配置した薄膜トランジスタ、行毎
に、該行上の複数の薄膜トランジスタのゲートを共通に
接続したゲート線、列毎に、該列上の複数の薄膜トラン
ジスタのソースを共通に接続したソース線、薄膜トラン
ジスタの各ドレイン毎に接続したドレイン電極パッド、
及び該ドレイン電極パッドと並列接続したコンデンサを
備えたトランジスタ基板、並びに複数の行及び列に沿っ
て配置し、一対の電極及び該一対の電極間に配置したエ
レクトロ・ルミネセンス体を備えたエレクトロ・ルミネ
センス基板を有し、ドレイン電極パッドとエレクトロ・
ルミネセンス体とが対向する様に、薄膜トランジスタ基
板とエレクトロ・ルミネセンス基板とを配向配置し、ド
レイン電極パッドと一対の電極の一方の電極とを接着性
電気接続体を通して接続してなるエレクトロ・ルミネセ
ンス素子に、第１の特徴を有し、第２に、複数の行及び
列に沿って配置した第１薄膜トランジスタ、行毎に、該
行上の複数の第１薄膜トランジスタのゲートを共通に接
続したゲート線、列毎に、該列上の複数の第１薄膜トラ
ンジスタのソースを共通に接続したソース線、第１薄膜
トランジスタの各ドレイン毎に接続した第２薄膜トラン
ジスタ、及び該第２薄膜トランジスタと並列接続したコ
ンデンサを備え、該第２薄膜トランジスタのゲートを第
１薄膜トランジスタのドレインに接続させ、該第２薄膜
トランジスタの各ドレイン毎にドレイン電極パッドを接
続させ、そして第２薄膜トランジスタのソースと該コン
デンサの一方の電極とを接続させてなるトランジスタ基
板、並びに複数の行及び列に沿って配置し、一対の電極
及び該一対の電極間に配置したエレクトロ・ルミネセン
ス体を備えたエレクトロ・ルミネセンス基板を有し、ド
レイン電極パッドとエレクトロ・ルミネセンス体とが対
向する様に、薄膜トランジスタ基板とエレクトロ・ルミ
ネセンス基板とを配向配置し、ドレイン電極パッドと一
対の電極の一方の電極とを接着性電気接続体を通して接
続してなるエレクトロ・ルミネセンス素子に、第２の特
徴を有し、第３に、複数の行及び列に沿って配置した薄
膜トランジスタ、行毎に、該行上の複数の薄膜トランジ
スタのゲートを共通に接続したゲート線、列毎に、該列
上の複数の薄膜トランジスタのソースを共通に接続した
ソース線、薄膜トランジスタの各ドレイン毎に接続した
ドレイン電極パッド、及び該ドレイン電極パッドと並列
接続したコンデンサを備えたトランジスタ基板を用意
し、複数の行及び列に沿って配置し、一対の電極及び該
一対の電極間に配置したエレクトロ・ルミネセンス体を
備えたエレクトロ・ルミネセンス基板を用意し、トラン
ジスタ基板のドレイン電極パッド及びエレクトロ・ルミ
ネセンス体のうち少なくとも一方に接着性電気接続体を
配置し、ドレイン電極パッドとエレクトロ・ルミネセン
ス体とが対向する様に、薄膜トランジスタ基板とエレク
トロ・ルミネセンス基板とを配向配置し、重ね合せるエ
レクトロ・ルミネセンス素子の製造法に、第３の特徴を
有し、第４に、複数の行及び列に沿って配置した薄膜ト
ランジスタ、行毎に、該行上の複数の薄膜トランジスタ
のゲートを共通に接続したゲート線、列毎に、該列上の
複数の薄膜トランジスタのソースを共通に接続したソー
ス線、薄膜トランジスタの各ドレイン毎に接続したドレ
イン電極パッド、及び該ドレイン電極パッドと並列接続
したコンデンサを備えたトランジスタ基板を用意する工
程、複数の行及び列に沿って配置し、一対の電極及び該
一対の電極間に配置したエレクトロ・ルミネセンス体を
備えたエレクトロ・ルミネセンス基板を用意する工程、
トランジスタ基板のドレイン電極パッド及びエレクトロ
・ルミネセンス体のうちの少なくとも一方に接着性電気
接続体を配置する工程、トランジスタ基板のドレイン電
極パッド及びエレクトロ・ルミネセンス体のうちの少な
くとも一方に接着性電気絶縁体を該接着性電気接続体の
外周部となる位置に配置する工程、並びにドレイン電極
パッドとエレクトロ・ルミネセンス体とが対向する様
に、薄膜トランジスタ基板とエレクトロ・ルミネセンス
基板とを配向配置し、重ね合せる工程を有するエレクト
ロ・ルミネセンス素子の製造法に、第４の特徴を有し、
第５に、複数の行及び列に沿って配置した薄膜トランジ
スタ、行毎に、該行上の複数の薄膜トランジスタのゲー
トを共通に接続したゲート線、列毎に、該列上の複数の
薄膜トランジスタのソースを共通に接続したソース線、
薄膜トランジスタの各ドレイン毎に接続したドレイン電
極パッド、及び該ドレイン電極パッドと並列接続したコ
ンデンサを備えたトランジスタ基板を用意する工程、複
数の行及び列に沿って配置し、一対の電極及び該一対の
電極間に配置したエレクトロ・ルミネセンス体を備えた
エレクトロ・ルミネセンス基板を用意する工程、トラン
ジスタ基板のドレイン電極パッド及びエレクトロ・ルミ
ネセンス体のうちの少なくとも一方に接着性電気接続体
を配置する工程、トランジスタ基板のドレイン電極パッ
ド及びエレクトロ・ルミネセンス体のうちの少なくとも
一方に接着性電気絶縁体を該接着性電気接続体の外周部
となる位置に配置する工程、ドレイン電極パッドとエレ
クトロ・ルミネセンス体とが対向する様に、薄膜トラン
ジスタ基板とエレクトロ・ルミネセンス基板とを配向配
置し、重ね合せる工程、並びに薄膜トランジスタ基板と
エレクトロ・ルミネセンス基板との間を真空排気し、接
着性電気接続体及び接着性静電気絶縁体を加熱硬化させ
る工程を有するエレクトロ・ルミネセンス素子の製造法
に、第５の特徴を有する。
の行及び列に沿って配置した薄膜トランジスタ、行毎
に、該行上の複数の薄膜トランジスタのゲートを共通に
接続したゲート線、列毎に、該列上の複数の薄膜トラン
ジスタのソースを共通に接続したソース線、薄膜トラン
ジスタの各ドレイン毎に接続したドレイン電極パッド、
及び該ドレイン電極パッドと並列接続したコンデンサを
備えたトランジスタ基板、並びに複数の行及び列に沿っ
て配置し、一対の電極及び該一対の電極間に配置したエ
レクトロ・ルミネセンス体を備えたエレクトロ・ルミネ
センス基板を有し、ドレイン電極パッドとエレクトロ・
ルミネセンス体とが対向する様に、薄膜トランジスタ基
板とエレクトロ・ルミネセンス基板とを配向配置し、ド
レイン電極パッドと一対の電極の一方の電極とを接着性
電気接続体を通して接続してなるエレクトロ・ルミネセ
ンス素子に、第１の特徴を有し、第２に、複数の行及び
列に沿って配置した第１薄膜トランジスタ、行毎に、該
行上の複数の第１薄膜トランジスタのゲートを共通に接
続したゲート線、列毎に、該列上の複数の第１薄膜トラ
ンジスタのソースを共通に接続したソース線、第１薄膜
トランジスタの各ドレイン毎に接続した第２薄膜トラン
ジスタ、及び該第２薄膜トランジスタと並列接続したコ
ンデンサを備え、該第２薄膜トランジスタのゲートを第
１薄膜トランジスタのドレインに接続させ、該第２薄膜
トランジスタの各ドレイン毎にドレイン電極パッドを接
続させ、そして第２薄膜トランジスタのソースと該コン
デンサの一方の電極とを接続させてなるトランジスタ基
板、並びに複数の行及び列に沿って配置し、一対の電極
及び該一対の電極間に配置したエレクトロ・ルミネセン
ス体を備えたエレクトロ・ルミネセンス基板を有し、ド
レイン電極パッドとエレクトロ・ルミネセンス体とが対
向する様に、薄膜トランジスタ基板とエレクトロ・ルミ
ネセンス基板とを配向配置し、ドレイン電極パッドと一
対の電極の一方の電極とを接着性電気接続体を通して接
続してなるエレクトロ・ルミネセンス素子に、第２の特
徴を有し、第３に、複数の行及び列に沿って配置した薄
膜トランジスタ、行毎に、該行上の複数の薄膜トランジ
スタのゲートを共通に接続したゲート線、列毎に、該列
上の複数の薄膜トランジスタのソースを共通に接続した
ソース線、薄膜トランジスタの各ドレイン毎に接続した
ドレイン電極パッド、及び該ドレイン電極パッドと並列
接続したコンデンサを備えたトランジスタ基板を用意
し、複数の行及び列に沿って配置し、一対の電極及び該
一対の電極間に配置したエレクトロ・ルミネセンス体を
備えたエレクトロ・ルミネセンス基板を用意し、トラン
ジスタ基板のドレイン電極パッド及びエレクトロ・ルミ
ネセンス体のうち少なくとも一方に接着性電気接続体を
配置し、ドレイン電極パッドとエレクトロ・ルミネセン
ス体とが対向する様に、薄膜トランジスタ基板とエレク
トロ・ルミネセンス基板とを配向配置し、重ね合せるエ
レクトロ・ルミネセンス素子の製造法に、第３の特徴を
有し、第４に、複数の行及び列に沿って配置した薄膜ト
ランジスタ、行毎に、該行上の複数の薄膜トランジスタ
のゲートを共通に接続したゲート線、列毎に、該列上の
複数の薄膜トランジスタのソースを共通に接続したソー
ス線、薄膜トランジスタの各ドレイン毎に接続したドレ
イン電極パッド、及び該ドレイン電極パッドと並列接続
したコンデンサを備えたトランジスタ基板を用意する工
程、複数の行及び列に沿って配置し、一対の電極及び該
一対の電極間に配置したエレクトロ・ルミネセンス体を
備えたエレクトロ・ルミネセンス基板を用意する工程、
トランジスタ基板のドレイン電極パッド及びエレクトロ
・ルミネセンス体のうちの少なくとも一方に接着性電気
接続体を配置する工程、トランジスタ基板のドレイン電
極パッド及びエレクトロ・ルミネセンス体のうちの少な
くとも一方に接着性電気絶縁体を該接着性電気接続体の
外周部となる位置に配置する工程、並びにドレイン電極
パッドとエレクトロ・ルミネセンス体とが対向する様
に、薄膜トランジスタ基板とエレクトロ・ルミネセンス
基板とを配向配置し、重ね合せる工程を有するエレクト
ロ・ルミネセンス素子の製造法に、第４の特徴を有し、
第５に、複数の行及び列に沿って配置した薄膜トランジ
スタ、行毎に、該行上の複数の薄膜トランジスタのゲー
トを共通に接続したゲート線、列毎に、該列上の複数の
薄膜トランジスタのソースを共通に接続したソース線、
薄膜トランジスタの各ドレイン毎に接続したドレイン電
極パッド、及び該ドレイン電極パッドと並列接続したコ
ンデンサを備えたトランジスタ基板を用意する工程、複
数の行及び列に沿って配置し、一対の電極及び該一対の
電極間に配置したエレクトロ・ルミネセンス体を備えた
エレクトロ・ルミネセンス基板を用意する工程、トラン
ジスタ基板のドレイン電極パッド及びエレクトロ・ルミ
ネセンス体のうちの少なくとも一方に接着性電気接続体
を配置する工程、トランジスタ基板のドレイン電極パッ
ド及びエレクトロ・ルミネセンス体のうちの少なくとも
一方に接着性電気絶縁体を該接着性電気接続体の外周部
となる位置に配置する工程、ドレイン電極パッドとエレ
クトロ・ルミネセンス体とが対向する様に、薄膜トラン
ジスタ基板とエレクトロ・ルミネセンス基板とを配向配
置し、重ね合せる工程、並びに薄膜トランジスタ基板と
エレクトロ・ルミネセンス基板との間を真空排気し、接
着性電気接続体及び接着性静電気絶縁体を加熱硬化させ
る工程を有するエレクトロ・ルミネセンス素子の製造法
に、第５の特徴を有する。
【０００７】前記エレクトロ・クロシック体としては、
青色、緑色及び赤色の三原色を発光する媒体であって、
有機エレクトロ・ルミネセンス体が好ましい。
青色、緑色及び赤色の三原色を発光する媒体であって、
有機エレクトロ・ルミネセンス体が好ましい。
【０００８】前記接着性電気接続体としては、導電性粒
子を接着剤中に分散含有させ、特にシランカップリング
剤を含有させたものが好ましい。
子を接着剤中に分散含有させ、特にシランカップリング
剤を含有させたものが好ましい。
【０００９】前記接着性電気接続体の外周部は、接着性
電気絶縁体を配置した接着構造を採用するのが好まし
い。
電気絶縁体を配置した接着構造を採用するのが好まし
い。
【００１０】前記薄膜トランジスタは、ポリシリコン半
導体、結晶シリコン半導体、微結晶シリコン半導体又は
アモルファスシリコン半導体を用いるのが好ましい。
導体、結晶シリコン半導体、微結晶シリコン半導体又は
アモルファスシリコン半導体を用いるのが好ましい。
【００１１】前記エレクトロ・ルミネセンス体をはさむ
一対の電極のうち、少なくとも一方の電極は、テクスチ
ャ構造をもつＺｎＯ透明電極であるのが好ましい。
一対の電極のうち、少なくとも一方の電極は、テクスチ
ャ構造をもつＺｎＯ透明電極であるのが好ましい。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明を図面に沿って説明する。
以下、上記薄膜トランジスタを「ＴＦＴ」と記載し、上
記エレクトロ・ルミネセンス体を「ＥＬ」と記憶する。
以下、上記薄膜トランジスタを「ＴＦＴ」と記載し、上
記エレクトロ・ルミネセンス体を「ＥＬ」と記憶する。
【００１３】図１は能動マトリックス４端子ＴＦＴ−Ｅ
Ｌ素子の概略図を示す。各画素の素子は２つのＴＦＴと
記憶コンデンサとＥＬ素子とを含む。４端子方式の主な
特徴はＥＬ励起信号からのアドレッシング信号を分離す
る能力である。ＥＬ素子は論理ＴＦＴ（Ｔ１）を介して
選択され、ＥＬ素子に対する励起電力は電力ＴＦＴ（Ｔ
２）により制御される。記憶コンデンサはそれがいった
ん選択されたアドレスされたＥＬ素子に励起電力を留め
ることを可能にする。斯くして回路はＥＬ素子がアドレ
ッシングに対して割り当てられた時間を無視して１００
％に近いデュティサイクルで動作することを許容する。
Ｌ素子の概略図を示す。各画素の素子は２つのＴＦＴと
記憶コンデンサとＥＬ素子とを含む。４端子方式の主な
特徴はＥＬ励起信号からのアドレッシング信号を分離す
る能力である。ＥＬ素子は論理ＴＦＴ（Ｔ１）を介して
選択され、ＥＬ素子に対する励起電力は電力ＴＦＴ（Ｔ
２）により制御される。記憶コンデンサはそれがいった
ん選択されたアドレスされたＥＬ素子に励起電力を留め
ることを可能にする。斯くして回路はＥＬ素子がアドレ
ッシングに対して割り当てられた時間を無視して１００
％に近いデュティサイクルで動作することを許容する。
【００１４】ゲートラインＹj ，Ｙj+1 は、好ましくは
６４０本、１１２０本などの様に多数本数配線し、順次
ゲートパルスが印加される。ゲートパルスは、インター
レース走査またはノン・インタレース走査の何れであっ
てもよい。
６４０本、１１２０本などの様に多数本数配線し、順次
ゲートパルスが印加される。ゲートパルスは、インター
レース走査またはノン・インタレース走査の何れであっ
てもよい。
【００１５】ソース・ラインＸj ，Ｘj+1 ，Ｘj+2 は、
好ましくは８４０本、１２８０本などの様に多数本数配
線し、ゲートパルスと同期させて、映像データに応じて
設定した電圧の情報信号パルスが印加される。
好ましくは８４０本、１２８０本などの様に多数本数配
線し、ゲートパルスと同期させて、映像データに応じて
設定した電圧の情報信号パルスが印加される。
【００１６】図中のＲＥＬは赤色発光ＥＬ、ＧＥＬは緑
色発光ＥＬ、ＢＥＬは青色発光ＥＬで、ソースラインＸ
j には赤色の情報信号パルス、Ｘj+1 には緑色情報パル
ス、Ｘj+2 には赤色情報パルスが印加される。これによ
ってフルカラー表示が行なわれる。
色発光ＥＬ、ＢＥＬは青色発光ＥＬで、ソースラインＸ
j には赤色の情報信号パルス、Ｘj+1 には緑色情報パル
ス、Ｘj+2 には赤色情報パルスが印加される。これによ
ってフルカラー表示が行なわれる。
【００１７】図２は、本発明のＴＦＴ基板３の代表例を
示す平面図である。ＴＦＴ１は図１のＴ１に対応し、Ｔ
ＦＴ２は図１のＴ２に対応し、コンデンサ２１は図１の
Ｃｓに対応し、ドレイン電極パッド２２は図１の各ＥＬ
毎のＴ2 のドレイン接続電極に対応している。
示す平面図である。ＴＦＴ１は図１のＴ１に対応し、Ｔ
ＦＴ２は図１のＴ２に対応し、コンデンサ２１は図１の
Ｃｓに対応し、ドレイン電極パッド２２は図１の各ＥＬ
毎のＴ2 のドレイン接続電極に対応している。
【００１８】図３は、図２のＡ−Ａ′断面図である。図
４は、図２のＢ−Ｂ′断面図である。
４は、図２のＢ−Ｂ′断面図である。
【００１９】本発明で用いたＴＦＴ１及びＴＦＴ２とし
ては、ソースバス２４をｎ+ ポリシリコンに接続し、ド
レインをｎ+ ポリシリコンに接続し、Ｉ型ポリシリコン
膜をはさんで配置したゲート絶縁膜にＰＥＣＶＤ（プラ
ズマ増強ＣＶＤ）−ＳｉＯ2膜３２を配置し、ゲートバ
スをｎ+ ポリシリコンに接続したトランジスタ構造を採
用した。
ては、ソースバス２４をｎ+ ポリシリコンに接続し、ド
レインをｎ+ ポリシリコンに接続し、Ｉ型ポリシリコン
膜をはさんで配置したゲート絶縁膜にＰＥＣＶＤ（プラ
ズマ増強ＣＶＤ）−ＳｉＯ2膜３２を配置し、ゲートバ
スをｎ+ ポリシリコンに接続したトランジスタ構造を採
用した。
【００２０】本発明は、上述したトランジスタ構造に限
定されることなく、アモルファスシリコンＣ微結晶シリ
コン半導体を用いたスタガー構造又はコプレナー構造の
何れをも適用することができる。
定されることなく、アモルファスシリコンＣ微結晶シリ
コン半導体を用いたスタガー構造又はコプレナー構造の
何れをも適用することができる。
【００２１】また、本発明は、結晶シリコンを用いたＳ
Ｏ１（シリコン・オン・インシュレータ）構造のＭＯＳ
トランジスタに適用することができる。
Ｏ１（シリコン・オン・インシュレータ）構造のＭＯＳ
トランジスタに適用することができる。
【００２２】コンデンサＣｓは、図４の一対のコンデン
サ電極４１と４２及び該一対のコンデンサ電極間に設け
たＳｉＯ2 膜３３によって形成される。コンデンサ電極
は、Ａｌ等によって成膜され、グランドバス２５と接続
配線され、コンデンサ電極４２はｎ+ ポリシリコン膜に
よって成膜され、ＴＦＴ２のドレインに接続される。
サ電極４１と４２及び該一対のコンデンサ電極間に設け
たＳｉＯ2 膜３３によって形成される。コンデンサ電極
は、Ａｌ等によって成膜され、グランドバス２５と接続
配線され、コンデンサ電極４２はｎ+ ポリシリコン膜に
よって成膜され、ＴＦＴ２のドレインに接続される。
【００２３】ゲートバス２３及びソースバス２４は、ク
ロム／アルミ積層配線が好ましく用いられる。
ロム／アルミ積層配線が好ましく用いられる。
【００２４】パシベーション３４としては、プラズマＣ
ＶＤによってチッ化シリコン膜が適している。
ＶＤによってチッ化シリコン膜が適している。
【００２５】ドレイン電極パット２２としては、反射性
能を持たせるために、アルミニウム、銀などの金属膜を
用いることができるが、ＩＴＯやＺｎＯの様な透明導電
膜であってもよい。
能を持たせるために、アルミニウム、銀などの金属膜を
用いることができるが、ＩＴＯやＺｎＯの様な透明導電
膜であってもよい。
【００２６】図５は、本発明で用いたＥＬ基板６の平面
図で、図６のは、図５のＣ−Ｃ′断面図である。
図で、図６のは、図５のＣ−Ｃ′断面図である。
【００２７】ＥＬ基板６は、ガラス基板６１、ガラス基
板６１上に設けた一対の電極である透明電極５１と反射
面を形成するアルミニウムなどのＥＬ電極パッド６２及
び該一対の電極間に設けたＥＬによって構成される。
板６１上に設けた一対の電極である透明電極５１と反射
面を形成するアルミニウムなどのＥＬ電極パッド６２及
び該一対の電極間に設けたＥＬによって構成される。
【００２８】ＥＬ５２としては、有機ＥＬが好ましく、
特にＲＥＬ、ＧＥＬ及びＢＥＬを構成するものが配置さ
れる。
特にＲＥＬ、ＧＥＬ及びＢＥＬを構成するものが配置さ
れる。
【００２９】具体的なＲＥＬ、ＧＥＬ及びＢＥＬを下記
に列挙するが、本発明はこれらに限定されるものではな
く、また有機ＥＬの代わりに無機ＥＬを適用することも
できる。
に列挙するが、本発明はこれらに限定されるものではな
く、また有機ＥＬの代わりに無機ＥＬを適用することも
できる。
【００３０】本発明の有機ＥＬでの材料は、Ｓｃｏｚｚ
ａｆａｖａのＥＰＡ３４９，２６５（１９９０）；Ｔａ
ｎｇのアメリカ特許第４，３５６，４２９号；ＶａｎＳ
ｌｙｋｅ等のアメリカ特許第４，５３９，５０７号；Ｖ
ａｎＳｌｙｋｅ等のアメリカ特許第４，７２０，４３
２；Ｔａｎｇ等のアメリカ特許第４，７６９，２９２
号；Ｔａｎｇ等のアメリカ特許第４，８８５，２１１
号；Ｐｅｒｒｙ等のアメリカ特許第４，９５０，９５
０；Ｌｉｔｔｍａｎ等のアメリカ特許第５，０５９，８
６１号；ＶａｎＳｌｙｋｅのアメリカ特許第５，０４
７，６８７号；Ｓｃｏｚｚａｆａｖａ等のアメリカ特許
第５，０７３，４４６号；ＶａｎＳｌｙｋｅ等のアメリ
カ特許第５，０５９，８６２号；ＶａｎＳｌｙｋｅ等の
アメリカ特許第５，０６１，６１７号；ＶａｎＳｌｙｋ
ｅのアメリカ特許第５，１５１，６２９号；Ｔａｎｇ等
のアメリカ特許第５，２９４，８６９号；Ｔａｎｇ等の
アメリカ特許第５，２９４，８７０号）に開示のものを
用いることができる。ＥＬ層は陽極と接触する有機ホー
ル注入及び移動帯と、有機ホール注入及び移動帯と接合
を形成する電子注入及び移動帯とからなる。ホール注入
及び移動帯は単一の材料又は複数の材料から形成され
え、陽極及び、ホール注入層と電子注入及び移動帯の間
に介装される連続的なホール移動層と接触するホール注
入層からなる。同様に電子注入及び移動帯は単一材料又
は複数の材料から形成されえ、陽極及び、電子注入層と
ホール注入及び移動帯の間に介装される連続的な電子移
動層と接触する電子注入層からなる。ホールと電子の再
結合とルミネセンスは電子注入及び移動帯とホール注入
及び移動帯の接合に隣接する電子注入及び移動帯内で発
生する。有機ＥＬ層を形成する化合物は典型的には蒸着
により堆積されるが、他の従来技術によりまた堆積され
うる。
ａｆａｖａのＥＰＡ３４９，２６５（１９９０）；Ｔａ
ｎｇのアメリカ特許第４，３５６，４２９号；ＶａｎＳ
ｌｙｋｅ等のアメリカ特許第４，５３９，５０７号；Ｖ
ａｎＳｌｙｋｅ等のアメリカ特許第４，７２０，４３
２；Ｔａｎｇ等のアメリカ特許第４，７６９，２９２
号；Ｔａｎｇ等のアメリカ特許第４，８８５，２１１
号；Ｐｅｒｒｙ等のアメリカ特許第４，９５０，９５
０；Ｌｉｔｔｍａｎ等のアメリカ特許第５，０５９，８
６１号；ＶａｎＳｌｙｋｅのアメリカ特許第５，０４
７，６８７号；Ｓｃｏｚｚａｆａｖａ等のアメリカ特許
第５，０７３，４４６号；ＶａｎＳｌｙｋｅ等のアメリ
カ特許第５，０５９，８６２号；ＶａｎＳｌｙｋｅ等の
アメリカ特許第５，０６１，６１７号；ＶａｎＳｌｙｋ
ｅのアメリカ特許第５，１５１，６２９号；Ｔａｎｇ等
のアメリカ特許第５，２９４，８６９号；Ｔａｎｇ等の
アメリカ特許第５，２９４，８７０号）に開示のものを
用いることができる。ＥＬ層は陽極と接触する有機ホー
ル注入及び移動帯と、有機ホール注入及び移動帯と接合
を形成する電子注入及び移動帯とからなる。ホール注入
及び移動帯は単一の材料又は複数の材料から形成され
え、陽極及び、ホール注入層と電子注入及び移動帯の間
に介装される連続的なホール移動層と接触するホール注
入層からなる。同様に電子注入及び移動帯は単一材料又
は複数の材料から形成されえ、陽極及び、電子注入層と
ホール注入及び移動帯の間に介装される連続的な電子移
動層と接触する電子注入層からなる。ホールと電子の再
結合とルミネセンスは電子注入及び移動帯とホール注入
及び移動帯の接合に隣接する電子注入及び移動帯内で発
生する。有機ＥＬ層を形成する化合物は典型的には蒸着
により堆積されるが、他の従来技術によりまた堆積され
うる。
【００３１】好ましい実施例ではホール注入層からなる
有機材料は以下のような一般的な式を有する：
有機材料は以下のような一般的な式を有する：
【００３２】
【外１】
【００３３】ここで：ＱはＮ又はＣ−Ｒ Ｍは金属、金属酸化物、又は金属ハロゲン化物 Ｔ１、Ｔ２は水素を表すか又はアルキル又はハロゲンの
ような置換器を含む不飽和六員環を共に満たす。好まし
いアルキル部分は約１から６の炭素原子を含む一方でフ
ェニルは好ましいアリル部分を構成する。
ような置換器を含む不飽和六員環を共に満たす。好まし
いアルキル部分は約１から６の炭素原子を含む一方でフ
ェニルは好ましいアリル部分を構成する。
【００３４】好ましい実施例ではホール移動層は芳香族
第三アミンである。芳香族第三アミンの好ましいサブク
ラスは以下の式を有するテトラアリルジアミンを含む：
第三アミンである。芳香族第三アミンの好ましいサブク
ラスは以下の式を有するテトラアリルジアミンを含む：
【００３５】
【外２】
【００３６】ここでＡｒｅはアリレン群であり、ｎは１
から４の整数であり、Ａｒ、Ｒ7 ，Ｒ8 ，Ｒ9 はそれぞ
れ選択されたアリル群である。好ましい実施例ではルミ
ネセンス、電子注入及び移動帯は金属オキシノイド（ｏ
ｘｉｎｏｉｄ）化合物を含む。金属オキシノイド化合物
の好ましい例は以下の一般的な式を有する：
から４の整数であり、Ａｒ、Ｒ7 ，Ｒ8 ，Ｒ9 はそれぞ
れ選択されたアリル群である。好ましい実施例ではルミ
ネセンス、電子注入及び移動帯は金属オキシノイド（ｏ
ｘｉｎｏｉｄ）化合物を含む。金属オキシノイド化合物
の好ましい例は以下の一般的な式を有する：
【００３７】
【外３】
【００３８】ここでＲ2 −Ｒ7 は置き換え可能性を表
す。他の好ましい実施例では金属オキシノイド化合物は
以下の式を有する：
す。他の好ましい実施例では金属オキシノイド化合物は
以下の式を有する：
【００３９】
【外４】
【００４０】ここでＲ2 −Ｒ7 は上記で定義されたもの
であり、Ｌ１−Ｌ５は集中的に１２又はより少ない炭素
原子を含み、それぞれ別々に１から１２の炭素原子の水
素又は炭水化物群を表し、Ｌ１，Ｌ２は共に、又はＬ
２，Ｌ３は共に連合されたベンゾ環を形成しうる。他の
好ましい実施例では金属オキシノイド化合物は以下の式
である。
であり、Ｌ１−Ｌ５は集中的に１２又はより少ない炭素
原子を含み、それぞれ別々に１から１２の炭素原子の水
素又は炭水化物群を表し、Ｌ１，Ｌ２は共に、又はＬ
２，Ｌ３は共に連合されたベンゾ環を形成しうる。他の
好ましい実施例では金属オキシノイド化合物は以下の式
である。
【００４１】
【外５】
【００４２】ここでＲ2 −Ｒ6 は水素又は他の置き換え
可能性を表す。上記例は単にエレクトロルミネセンス層
内で用いられるある好ましい有機材料を表すのみであ
る。それらは本発明の視野を制限することを意図するも
のではなく、これは一般に有機エレクトロルミネセンス
層を指示するものである。上記例からわかるように有機
ＥＬ材料は有機リガンドを有する配位化合物を含む。
可能性を表す。上記例は単にエレクトロルミネセンス層
内で用いられるある好ましい有機材料を表すのみであ
る。それらは本発明の視野を制限することを意図するも
のではなく、これは一般に有機エレクトロルミネセンス
層を指示するものである。上記例からわかるように有機
ＥＬ材料は有機リガンドを有する配位化合物を含む。
【００４３】次のプロセス段階ではＥＬ陽極８４はデバ
イスの表面上に堆積される。ＥＬ陽極はどのような導電
性の材料でも良いが、好ましくは４ｅＶ以下の仕事関数
を有する材料で作られる（Ｔａｎｇ等のアメリカ国特許
等４８８５２１１号を参照）。低い仕事関数材料は陽極
に好ましい。何故ならばそれらは電子移動層内に容易に
電子を放出するからである。最も低い仕事関数の金属は
アルカリ金属であるが、しかしながらそれらの空気中で
の不安定性はそれらの使用をある条件下で実際的でなく
している。陽極材料は典型的には化学蒸着により堆積さ
れるが、他の適切堆積技術も適用可能である。ＥＬ陽極
に対して特に好ましい材料は１０：１（原子比で）マグ
ネシウム：銀合金であることが見いだされた。好ましく
は陽極は表示パネルの全表面にわたる連続層として適用
される。他の実施例ではＥＬ陽極は有機電子注入及び移
動帯に隣接した低い仕事関数の金属のより低い層からな
り、低い仕事関数の金属をオーバーレイし、低い仕事関
数の金属を酸素及び湿度から保護する保護層とからな
る。
イスの表面上に堆積される。ＥＬ陽極はどのような導電
性の材料でも良いが、好ましくは４ｅＶ以下の仕事関数
を有する材料で作られる（Ｔａｎｇ等のアメリカ国特許
等４８８５２１１号を参照）。低い仕事関数材料は陽極
に好ましい。何故ならばそれらは電子移動層内に容易に
電子を放出するからである。最も低い仕事関数の金属は
アルカリ金属であるが、しかしながらそれらの空気中で
の不安定性はそれらの使用をある条件下で実際的でなく
している。陽極材料は典型的には化学蒸着により堆積さ
れるが、他の適切堆積技術も適用可能である。ＥＬ陽極
に対して特に好ましい材料は１０：１（原子比で）マグ
ネシウム：銀合金であることが見いだされた。好ましく
は陽極は表示パネルの全表面にわたる連続層として適用
される。他の実施例ではＥＬ陽極は有機電子注入及び移
動帯に隣接した低い仕事関数の金属のより低い層からな
り、低い仕事関数の金属をオーバーレイし、低い仕事関
数の金属を酸素及び湿度から保護する保護層とからな
る。
【００４４】典型的には陽極材料は透明であり、陰極材
料は不透明であり、それにより光は陽極材料を通して透
過する。しかしながら代替実施例では光は陽極よりもむ
しろ陰極を等して放射される。この場合には陰極は光透
過性であり、陽極は不透明である。光透過と技術的伝導
性の実際的なバランスは典型的には５−２５ｎｍの範囲
の厚さである。
料は不透明であり、それにより光は陽極材料を通して透
過する。しかしながら代替実施例では光は陽極よりもむ
しろ陰極を等して放射される。この場合には陰極は光透
過性であり、陽極は不透明である。光透過と技術的伝導
性の実際的なバランスは典型的には５−２５ｎｍの範囲
の厚さである。
【００４５】また、本発明では、ＥＬ基板６に用いたガ
ラス基板６１に代えて、プラスチックフィルムを用いる
ことができ、また透明電極５１としてＩＴＯ、ＺｎＯを
用いることができる。
ラス基板６１に代えて、プラスチックフィルムを用いる
ことができ、また透明電極５１としてＩＴＯ、ＺｎＯを
用いることができる。
【００４６】透明電極５１は、ＥＬ５２の表面積を増大
させるために、その表面を微細な凹凸をもつテクスチャ
ー構造を採用することができる。好適なテクスチャー構
造を形成するためには、ＺｎＯを堆積する時の基板温度
を２５０℃−３００℃の様な比較的高湿度とした条件下
でのスパッタ法を用いることができる。
させるために、その表面を微細な凹凸をもつテクスチャ
ー構造を採用することができる。好適なテクスチャー構
造を形成するためには、ＺｎＯを堆積する時の基板温度
を２５０℃−３００℃の様な比較的高湿度とした条件下
でのスパッタ法を用いることができる。
【００４７】また、透明電極５１の非ＥＬ５２領域は、
遮光マスク（図示せず）を設けることができる。この際
の遮光マスクとしては、アルミニウム膜、クロス膜の様
な金属膜、またはこれら金属膜による反射光の発生を防
止するための酸化クロム膜や酸化アルミニウム膜を単独
で、あるいは金属膜に積層させて設けることができる。
金属膜は透明電極５１の抵抗を実質的に低下させるの
で、透明電極５１の上に金属膜を積層し、さらにこの上
に酸化金属膜を設けるのが好ましい。
遮光マスク（図示せず）を設けることができる。この際
の遮光マスクとしては、アルミニウム膜、クロス膜の様
な金属膜、またはこれら金属膜による反射光の発生を防
止するための酸化クロム膜や酸化アルミニウム膜を単独
で、あるいは金属膜に積層させて設けることができる。
金属膜は透明電極５１の抵抗を実質的に低下させるの
で、透明電極５１の上に金属膜を積層し、さらにこの上
に酸化金属膜を設けるのが好ましい。
【００４８】透明電極５１は、本発明のＥＬ素子に駆動
中は、アースまたは所定のＤＣ電圧に設定される。
中は、アースまたは所定のＤＣ電圧に設定される。
【００４９】図７は、本発明のＥＬ素子の断面図であ
る。ＥＬ素子は、ＴＦＴ基板３とＥＬ基板６とが互いに
対向し、これによってＥＬ基板６側のＥＬ電極パッド６
２とＴＦＴ基板３側のドレイン電極パッド２２とを対向
配置し、両方の電極間を接着性電気接続体７１によって
電気的な接続を行なう。
る。ＥＬ素子は、ＴＦＴ基板３とＥＬ基板６とが互いに
対向し、これによってＥＬ基板６側のＥＬ電極パッド６
２とＴＦＴ基板３側のドレイン電極パッド２２とを対向
配置し、両方の電極間を接着性電気接続体７１によって
電気的な接続を行なう。
【００５０】接着性電気接続体７１は、エポキシ系又は
フェノール系熱硬化接着剤中にカーボン粒子、銀粒子や
銅粒子の様な導電性粒子が分散含有された導電性接着剤
を用い、これをスクリーン印刷法、オフセット印刷法又
はディスペンサー塗布法などの採用によって、ＥＬ基板
６またはＴＦＴ基板３、あるいはその両方の所定位置に
塗布し、乾燥させることによって得られる。
フェノール系熱硬化接着剤中にカーボン粒子、銀粒子や
銅粒子の様な導電性粒子が分散含有された導電性接着剤
を用い、これをスクリーン印刷法、オフセット印刷法又
はディスペンサー塗布法などの採用によって、ＥＬ基板
６またはＴＦＴ基板３、あるいはその両方の所定位置に
塗布し、乾燥させることによって得られる。
【００５１】上述の導電性接着剤中には、界面接着力を
増強するために、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミ
ノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノ
エチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３
−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロ
ピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピ
ルトリメトキシシランなどのシランカップリング剤を含
有させることができる。
増強するために、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミ
ノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノ
エチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３
−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロ
ピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピ
ルトリメトキシシランなどのシランカップリング剤を含
有させることができる。
【００５２】接着性電気接続体７１の他の例としては、
ハンダなどが挙げられる。
ハンダなどが挙げられる。
【００５３】上述の接着性電気接続体７１の外周部に
は、接着性電気絶縁体７２が設けられる。接着性電気絶
縁体７２は、エポキシ系又はフェノール系絶縁接着剤を
ＥＬ基板６またはＴＦＴ基板、あるいはその両方の所定
位置に、オフセット印刷法、スクリーン印刷法又はディ
スペンサー塗布法などの方法によって、塗布し、乾燥さ
せることによって得られる。この際、絶縁接着剤及び導
電性接着剤の塗布に当って、ＥＬ基板６またはＴＦＴ基
板３の一方の基板に対して絶縁接着剤を設け、この絶縁
接着剤を設けていない方の基板に対して導電性接着剤を
設ける製造方法を用いるのが好適である。
は、接着性電気絶縁体７２が設けられる。接着性電気絶
縁体７２は、エポキシ系又はフェノール系絶縁接着剤を
ＥＬ基板６またはＴＦＴ基板、あるいはその両方の所定
位置に、オフセット印刷法、スクリーン印刷法又はディ
スペンサー塗布法などの方法によって、塗布し、乾燥さ
せることによって得られる。この際、絶縁接着剤及び導
電性接着剤の塗布に当って、ＥＬ基板６またはＴＦＴ基
板３の一方の基板に対して絶縁接着剤を設け、この絶縁
接着剤を設けていない方の基板に対して導電性接着剤を
設ける製造方法を用いるのが好適である。
【００５４】また、本発明では、上述の接着性電気絶縁
体７２に代えて、接着力を持っていない絶縁体、例えば
有機溶媒、特に高沸点有機溶媒やネマチック液晶、コレ
ステリック液晶、スメクチック液晶の様な液晶などの液
体絶縁体を用いることもできる。
体７２に代えて、接着力を持っていない絶縁体、例えば
有機溶媒、特に高沸点有機溶媒やネマチック液晶、コレ
ステリック液晶、スメクチック液晶の様な液晶などの液
体絶縁体を用いることもできる。
【００５５】また、上述の接着性電気絶縁体７２または
非接着性電気絶縁体には、遮光硬化を併せ持つ様に、着
色顔料や塗料などの着色体を含有させることもできる。
非接着性電気絶縁体には、遮光硬化を併せ持つ様に、着
色顔料や塗料などの着色体を含有させることもできる。
【００５６】本発明のＥＬ素子の製造に当って、ＴＦＴ
基板３のドレイン電極パッド２２の上に導電性接着剤を
例えばオフセット印刷法を用いて塗布し、ＥＬ基板６の
ＥＬ電極パッド６２以外の領域（ＥＬ電極パッド６２の
外周部）に絶縁接触剤を例えばオフセット印刷法を用い
て塗布し、ドレイン電極パッド２２とＥＬ電極パッド６
２とが相対向する様に、ＴＦＴ基板３とＥＬ基板６とを
重ね合せ、次いでＴＦＴ基板３とＥＬ基板６との間隔の
空気を通常の方法で排気し、両基板３と６とに対し圧着
加熱を付加し、密着固定する方法を採用することができ
る。
基板３のドレイン電極パッド２２の上に導電性接着剤を
例えばオフセット印刷法を用いて塗布し、ＥＬ基板６の
ＥＬ電極パッド６２以外の領域（ＥＬ電極パッド６２の
外周部）に絶縁接触剤を例えばオフセット印刷法を用い
て塗布し、ドレイン電極パッド２２とＥＬ電極パッド６
２とが相対向する様に、ＴＦＴ基板３とＥＬ基板６とを
重ね合せ、次いでＴＦＴ基板３とＥＬ基板６との間隔の
空気を通常の方法で排気し、両基板３と６とに対し圧着
加熱を付加し、密着固定する方法を採用することができ
る。
【００５７】図８は、上記間隔の空気を排気した時に用
いた真空排気装置である。ＴＦＴ基板３とＥＬ基板６と
を重ね合せた状態で、ステージ８１の上に載置し、周囲
に配置固定された一対Ｏ−リング８２と８３との間にプ
ラスチックフィルムなどのシート８３によって、図示の
如く覆い、しかる後に真空排気ポンプ８４を作動させ、
シート８３内の空気を排気する。
いた真空排気装置である。ＴＦＴ基板３とＥＬ基板６と
を重ね合せた状態で、ステージ８１の上に載置し、周囲
に配置固定された一対Ｏ−リング８２と８３との間にプ
ラスチックフィルムなどのシート８３によって、図示の
如く覆い、しかる後に真空排気ポンプ８４を作動させ、
シート８３内の空気を排気する。
【００５８】図９は、本発明の別のＥＬ素子の等価回路
である。
である。
【００５９】
【発明の効果】本発明によれば、高精細で、且つ高密度
のＥＬ画素を大面積に亘って、高い生産性をもって得る
ことができた。
のＥＬ画素を大面積に亘って、高い生産性をもって得る
ことができた。
【００６０】また、本発明によれば、高輝度の発光を得
ることができ、高精細で、高密度でしかも高輝度発光の
カラーディスプレイを高い生産性を持って得ることがで
きた。
ることができ、高精細で、高密度でしかも高輝度発光の
カラーディスプレイを高い生産性を持って得ることがで
きた。
【００６１】さらに、本発明によれば、衝撃に対する安
定性、長期間の使用における表示安定性を実現したカラ
ーディスプレイを得ることができた。
定性、長期間の使用における表示安定性を実現したカラ
ーディスプレイを得ることができた。
【図１】本発明のＥＬ素子の等価回路図である。
【図２】本発明のＥＬ素子で用いたＴＦＴ基板側におけ
るＥＬ画素の平面図である。
るＥＬ画素の平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ′断面図である。
【図４】図３のＢ−Ｂ′断面図である。
【図５】本発明のＥＬ素子で用いたＥＬ基板側における
ＥＬ画素の平面図である。
ＥＬ画素の平面図である。
【図６】図５のＣ−Ｃ′断面図である。
【図７】本発明のＥＬ素子の断面図である。
【図８】本発明の方法で用いた真空排気装置の断面図で
ある。
ある。
【図９】本発明の別のＥＬ素子の等価回路図である。
Ｔ１ 第１薄膜トランジスタ Ｔ２ 第２薄膜トランジスタ Ｃｓ コンデンサ ＲＥＬ 赤色発光ＥＬ ＧＥＬ 緑色発光ＥＬ ＢＥＬ 青色発光ＥＬ ２１ コンデンサ ２２ ドレイン電極パッド ２３ ゲートバス ２４ ソースバス ２５ グランドバス ３ ＴＦＴ基板 ３１ ガラス基板 ３２ ＰＥＣＶＤ膜 ３３ ＳｉＯ２ 膜 ３４ パシベーション膜 ４１、４２ コンデンサ電極 ６ ＥＬ基板 ５１ 透明電極 ５２ ＥＬ ６１ ガラス基板 ６２ ＥＬ電極パッド ７１ 接着性電気接続体 ７２ 接着性電気絶縁体 ８１ ステージ ８２、８３ Ｏ−リング ８３ シート ８４ 真空排気ポンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 橋本 雄一 東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ ン株式会社内 (72)発明者 妹尾 章弘 東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ ン株式会社内
Claims (30)
- 【請求項１】 複数の行及び列に沿って配置した薄膜ト
ランジスタ、行毎に、該行上の複数の薄型トランジスタ
のゲートを共通に接続したゲート線、列毎に、該列上の
複数の薄膜トランジスタのソースを共通に接続したソー
ス線、薄膜トランジスタの各ドレイン毎に接続したドレ
イン電極パッド、及び該ドレイン電極パッドと並列接続
したコンデンサを備えたトランジスタ基板、並びに複数
の行及び列に沿って配置し、一対の電極及び該一対の電
極間に配置したエレクトロ・ルミネセンス体を備えたエ
レクトロ・ルミネセンス基板を有し、ドレイン電極パッ
ドとエレクトロ・ルミネセンス体とが対向する様に、薄
膜トランジスタ基板とエレクトロ・ルミネセンス基板と
を配向配置し、ドレイン電極パッドと一対の電極の一方
の電極とを接着性電気接続体を通して接続してなるエレ
クトロ・ルミネセンス素子。 - 【請求項２】 前記エレクトロ・ルミネセンス体は、青
色、緑色及び赤色の三原色を発光する媒体を備えたこと
を特徴とする請求項１記載のエレクトロ・ルミネセンス
素子。 - 【請求項３】 前記エレクトロ・ルミネセンス体は、青
色、緑色及び赤色の三原色を発光する有機物質媒体を備
えたことを特徴とする請求項１記載のエレクトロ・ルミ
ネセンス素子。 - 【請求項４】 前記接着性電気接続体は、導電性粒子を
接着剤中に分散含有させてなることを特徴とする請求項
１記載のエレクトロ・ルミネセンス素子。 - 【請求項５】 前記接着性電気接続体は、導電性粒子を
接着剤中に分散含有させ、そしてシランカップリング剤
を含有させてなることを特徴とする請求項１記載のエレ
クトロ・ルミネセンス素子。 - 【請求項６】 前記接着性電気接続体の外周部に電気絶
縁体を配置したことを特徴とする請求項１記載のエレク
トロ・ルミネセンス素子。 - 【請求項７】 前記接着性電気接続体の外周部に接着性
電気絶縁体を配置したことを特徴とする請求項１記載の
エレクトロ・ルミネセンス素子。 - 【請求項８】 前記接着性電気接続体の外周部に着色体
を含有した電気絶縁体を配置したことを特徴とする請求
項１記載のエレクトロ・ルミネセンス素子。 - 【請求項９】 前記接着性電気接続体の外周部に液体状
電気絶縁体を配置したことを特徴とする請求項１記載の
エレクトロ・ルミネセンス素子。 - 【請求項１０】 前記薄膜トランジスタは、ポリシリコ
ン半導体層を有することを特徴とする請求項１記載のエ
レクトロ・ルミネセンス素子。 - 【請求項１１】 前記薄膜トランジスタは、アモルファ
スシリコン半導体又は微結晶シリコン半導体を有するこ
とを特徴とする請求項１記載のエレクトロ・ルミネセン
ス素子。 - 【請求項１２】 前記薄膜トランジスタは、結晶シリコ
ン半導体を有することを特徴とする請求項１記載のエレ
クトロ・ルミネセンス素子。 - 【請求項１３】 前記エレクトロ・ルミネセンス体をは
さむ一対の電極のうち、少なくとも一方の電極は、テク
スチャ構造をもつ透明電極である請求項１記載のエレク
トロ・ルミネセンス素子。 - 【請求項１４】 前記エレクトロ・ルミネセンス体をは
さむ一対の電極のうち、少なくとも一方の電極は、テク
スチャ構造をもつＺｎＯ透明電極である請求項１記載の
エレクトロ・ルミネセンス素子。 - 【請求項１５】 複数の行及び列に沿って配置した第１
薄膜トランジスタ、行毎に、該行上の複数の第１薄膜ト
ランジスタのゲートを共通に接続したゲート線、列毎
に、該列上の複数の第１薄膜トランジスタのソースを共
通に接続したソース線、第１薄膜トランジスタの各ドレ
イン毎に接続した第２薄膜トランジスタ、及び該第２薄
膜トランジスタと並列接続したコンデンサを備え、該第
２薄膜トランジスタのゲートを第１薄膜トランジスタの
ドレインに接続させ、該第２薄膜トランジスタの各ドレ
イン毎にドレイン電極パッドと接続させ、そして第２薄
膜トランジスタのソースと該コンデンサの一方の電極と
を接続させてなるトランジスタ基板、並びに複数の行及
び列に沿って配置し、一対の電極及び該一対の電極間に
配置したエレクトロ・ルミネセンス体を備えたエレクト
ロ・ルミネセンス基板を有し、ドレイン電極パッドとエ
レクトロ・ルミネセンス体とが対向する様に、薄膜トラ
ンジスタ基板とエレクトロ・ルミネセンス基板とを配向
配置し、ドレイン電極パッドと一対の電極の一方の電極
とを接着性電気接続体を通して接続してなるエレクトロ
・ルミネセンス素子。 - 【請求項１６】 前記エレクトロ・ルミネセンス体は、
青色、緑色及び赤色の三原色を発光する媒体を備えたこ
とを特徴とする請求項１５記載のエレクトロ・ルミネセ
ンス素子。 - 【請求項１７】 前記エレクトロ・ルミネセンス体は、
青色、緑色及び赤色の三原色を発光する有機物質媒体を
備えたことを特徴とする請求項１５記載のエレクトロ・
ルミネセンス素子。 - 【請求項１８】 前記接着性電気接続体は、導電性粒子
を接着剤中に分散含有させてなることを特徴とする請求
項１５記載のエレクトロ・ルミネセンス素子。 - 【請求項１９】 前記接着性電気接続体は、導電性粒子
を接着剤中に分散含有させ、そしてシランカップリング
剤を含有させてなることを特徴とする請求項１５記載の
エレクトロ・ルミネセンス素子。 - 【請求項２０】 前記接着性電気接続体の外周部に接着
性電気絶縁体を配置したことを特徴とする請求項１５記
載のエレクトロ・ルミネセンス素子。 - 【請求項２１】 前記薄膜トランジスタは、ポリシリコ
ン半導体層を有することを特徴とする請求項請求項１５
記載のエレクトロ・ルミネセンス素子。 - 【請求項２２】 前記薄膜トランジスタは、アモルファ
スシリコン半導体又は微結晶シリコン半導体を有するこ
とを特徴とする請求項１５記載のエレクトロ・ルミネセ
ンス素子。 - 【請求項２３】 前記薄膜トランジスタは、結晶シリコ
ン半導体を有することを特徴とする請求項１５記載のエ
レクトロ・ルミネセンス素子。 - 【請求項２４】 複数の行及び列に沿って配置した薄膜
トランジスタ、行毎に、該行上の複数の薄膜トランジス
タのゲートを共通に接続したゲート線、列毎に、該列上
の複数の薄膜トランジスタのソースを共通に接続したソ
ース線、薄膜トランジスタの各ドレイン毎に接続したド
レイン電極パッド、及び該ドレイン電極パッドと並列接
続したコンデンサを備えたトランジスタ基板を用意し、
複数の行及び列に沿って配置し、一対の電極及び該一対
の電極間に配置したエレクトロ・ルミネセンス体を備え
たエレクトロ・ルミネセンス基板を用意し、トランジス
タ基板のドレイン電極パッド及びエレクトロ・ルミネセ
ンス体のうちの少なくとも一方に接着性電気接続体を配
置し、ドレイン電極パッドとエレクトロ・ルミネセンス
体とが対向する様に、薄膜トランジスタ基板とエレクト
ロ・ルミネセンス基板とを配向配置し、重ね合せること
を特徴とするエレクトロ・ルミネセンス素子の製造法。 - 【請求項２５】 前記エレクトロ・ルミネセンス体は、
青色、緑色及び赤色の三原色を発光する媒体を備えたこ
とを特徴とする請求項２４記載のエレクトロ・ルミネセ
ンス素子の製造法。 - 【請求項２６】 前記エレクトロ・ルミネセンス体は、
青色、緑色及び赤色の三原色を発光する有機物質媒体を
備えたことを特徴とする請求項２４記載のエレクトロ・
ルミネセンス素子の製造法。 - 【請求項２７】 前記接着性電気接続体は、導電性粒子
を接着剤中に分散含有させてなることを特徴とする請求
項２４記載のエレクトロ・ルミネセンス素子の製造法。 - 【請求項２８】 前記接着性電気接続体は、導電性粒子
を接着剤中に分散含有させ、そしてシランカップリング
剤を含有させてなることを特徴とする請求項２７記載の
エレクトロ・ルミネセンス素子の製造法。 - 【請求項２９】 複数の行及び列に沿って配置した薄膜
トランジスタ、行毎に、該行上の複数の薄膜トランジス
タのゲートを共通に接続したゲート線、列毎に、該列上
の複数の薄膜トランジスタのソースを共通に接続したソ
ース線、薄膜トランジスタの各ドレイン毎に接続したド
レイン電極パッド、及び該ドレイン電極パッドと並列接
続したコンデンサを備えたトランジスタ基板を用意する
工程、複数の行及び列に沿って配置し、一対の電極及び
該一対の電極間に配置したエレクトロ・ルミネセンス体
を備えたエレクトロ・ルミネセンス基板を用意する工
程、トランジスタ基板のドレイン電極パッド及びエレク
トロ・ルミネセンス体のうちの少なくとも一方に接着性
電気接続体を配置する工程、トランジスタ基板のドレイ
ン電極パッド及びエレクトロ・ルミネセンス体のうちの
少なくとも一方に接着性電気絶縁体を該接着性電気接続
体の外周部となる位置に配置する工程、並びにドレイン
電極パッドとエレクトロ・ルミネセンス体とが対向する
様に、薄膜トランジスタ基板とエレクトロ・ルミネセン
ス基板とを配向配置し、重ね合せる工程を有することを
特徴とするエレクトロ・ルミネセンス素子の製造法。 - 【請求項３０】 複数の行及び列に沿って配置した薄膜
トランジスタ、行毎に、該行上の複数の薄膜トランジス
タのゲートを共通に接続したゲート線、列毎に、該列上
の複数の薄膜トランジスタのソースを共通に接続したソ
ース線、薄膜トランジスタの各ドレイン毎に接続したド
レイン電極パッド、及び該ドレイン電極パッドと並列接
続したコンデンサを備えたトランジスタ基板を用意する
工程、複数の行及び列に沿って配置し、一対の電極及び
該一対の電極間に配置したエレクトロ・ルミネセンス体
を備えたエレクトロ・ルミネセンス基板を用意する工
程、トランジスタ基板のドレイン電極パッド及びエレク
トロ・ルミネセンス体のうち少なくとも一方に接着性電
気接続体を配置する工程、トランジスタ基板のドレイン
電極パッド及びエレクトロ・ルミネセンス体のうちの少
なくとも一方に接着性電気絶縁体を該接着性電気接続体
の外周部となる位置に配置する工程、ドレイン電極パッ
ドとエレクトロ・ルミネセンス体とが対向する様に、薄
膜トランジスタ基板とエレクトロ・ルミネセンス基板と
を配向配置し、重ね合せる工程、並びに薄膜トランジス
タ基板とエレクトロ・ルミネセンス基板との間を真空排
気し、接着性電気接続体及び接着性静電気絶縁体を加熱
硬化させる工程を有することを特徴とするエレクトロ・
ルミネセンス素子の製造法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9143836A JPH10333601A (ja) | 1997-06-02 | 1997-06-02 | エレクトロ・ルミネセンス素子及びその製造法 |
| US09/084,994 US6175345B1 (en) | 1997-06-02 | 1998-05-28 | Electroluminescence device, electroluminescence apparatus, and production methods thereof |
| EP98304275A EP0883191A3 (en) | 1997-06-02 | 1998-05-29 | Electroluminescence device, electroluminescence apparatus, and production methods thereof |
| EP09172441A EP2151865A1 (en) | 1997-06-02 | 1998-05-29 | Electroluminescence device, electroluminescence apparatus, and production methods thereof |
| US09/694,274 US6373455B1 (en) | 1997-06-02 | 2000-10-24 | Electroluminescence device, electroluminescence apparatus, and production methods thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9143836A JPH10333601A (ja) | 1997-06-02 | 1997-06-02 | エレクトロ・ルミネセンス素子及びその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10333601A true JPH10333601A (ja) | 1998-12-18 |
Family
ID=15348084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9143836A Pending JPH10333601A (ja) | 1997-06-02 | 1997-06-02 | エレクトロ・ルミネセンス素子及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10333601A (ja) |
Cited By (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001035663A (ja) * | 1999-07-27 | 2001-02-09 | Pioneer Electronic Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子表示装置及びその製造方法 |
| JP2001093661A (ja) * | 1999-09-22 | 2001-04-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Ｅｌ表示装置及び電子装置 |
| JP2003157029A (ja) * | 2001-09-06 | 2003-05-30 | Sharp Corp | 表示装置及びその製造方法 |
| KR20030086166A (ko) * | 2002-05-03 | 2003-11-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
| KR20030086165A (ko) * | 2002-05-03 | 2003-11-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
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