JPH10156679A - ウエハ裏面の研削装置及びウエハ裏面の研削方法 - Google Patents
ウエハ裏面の研削装置及びウエハ裏面の研削方法Info
- Publication number
- JPH10156679A JPH10156679A JP32247496A JP32247496A JPH10156679A JP H10156679 A JPH10156679 A JP H10156679A JP 32247496 A JP32247496 A JP 32247496A JP 32247496 A JP32247496 A JP 32247496A JP H10156679 A JPH10156679 A JP H10156679A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- grinding
- back surface
- holder
- stage
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- Pending
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- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 工程数が少なく、保護テープ等の消耗品を削
減できるウエハ裏面研削方法及びウエハ裏面研削装置を
提供する。 【解決手段】 本研削装置３０は、ウエハホルダー３２
と、ウエハステージ３４と、研削ホイール３６とを備え
る。ウエハホルダーは、下方に開口する円筒形中空状の
ウエハ保持部４０、その上面のウエハ表面保護シート３
８、保護シートの周縁のガス噴出ノズル４２、ウエハＷ
を保持するチャック４２を備え、チャックによりウエハ
を保持し、保護シートに直交する軸回りに回転する。ウ
エハステージは、ウエハ保持部に対面したウエハ載置面
に吸着チャック等のウエハ保持具を備え、ウエハ表面を
上にしてウエハを保持しつつウエハホルダーに対して自
在に昇降する。研削ホイールは、砥粒を植設した研削面
４４を有し、研削面に直交する軸の回りに回転しつつ自
在に昇降し、かつ横方向に自在に移動して、ウエハホル
ダーに保持されたウエハＷのウエハ裏面を研削する。
減できるウエハ裏面研削方法及びウエハ裏面研削装置を
提供する。 【解決手段】 本研削装置３０は、ウエハホルダー３２
と、ウエハステージ３４と、研削ホイール３６とを備え
る。ウエハホルダーは、下方に開口する円筒形中空状の
ウエハ保持部４０、その上面のウエハ表面保護シート３
８、保護シートの周縁のガス噴出ノズル４２、ウエハＷ
を保持するチャック４２を備え、チャックによりウエハ
を保持し、保護シートに直交する軸回りに回転する。ウ
エハステージは、ウエハ保持部に対面したウエハ載置面
に吸着チャック等のウエハ保持具を備え、ウエハ表面を
上にしてウエハを保持しつつウエハホルダーに対して自
在に昇降する。研削ホイールは、砥粒を植設した研削面
４４を有し、研削面に直交する軸の回りに回転しつつ自
在に昇降し、かつ横方向に自在に移動して、ウエハホル
ダーに保持されたウエハＷのウエハ裏面を研削する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハ裏面の研削
装置に関し、更に詳細には、従来の研削装置に比べて装
置数及び作業工程数を少なくできる研削装置及び研削方
法に関するものである。
装置に関し、更に詳細には、従来の研削装置に比べて装
置数及び作業工程数を少なくできる研削装置及び研削方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ウエハ表面にＩＣ回路を形成したウエハ
をチップに切断する際には、先ず、ウエハの裏面を研削
してウエハを薄くしている。そのウエハ裏面研削の際、
従来、ウエハの表面を保護するために、テープ貼付装置
を使用してウエハ表面に保護テープを貼付し、次いで保
護テープが貼付されたウエハを表裏反転させ、ウエハ裏
面を表にして研削装置で研削している。そして、研削終
了した段階で、保護テープ剥離装置を使用して、保護テ
ープ剥がしテープによりウエハ表面から保護テープを剥
離している。
をチップに切断する際には、先ず、ウエハの裏面を研削
してウエハを薄くしている。そのウエハ裏面研削の際、
従来、ウエハの表面を保護するために、テープ貼付装置
を使用してウエハ表面に保護テープを貼付し、次いで保
護テープが貼付されたウエハを表裏反転させ、ウエハ裏
面を表にして研削装置で研削している。そして、研削終
了した段階で、保護テープ剥離装置を使用して、保護テ
ープ剥がしテープによりウエハ表面から保護テープを剥
離している。
【０００３】以下に、図３を参照して、更に、従来のウ
エハ裏面研削方法を説明する。先ず、図３（ａ）に示す
ように、保護テープ貼付装置を使用して、ウエハＷのウ
エハ表面に保護テープＴ1 を貼り、ローラ１２を左右に
移動してウエハ表面と保護テープＴ1 との間に閉じ込め
られた空気を押し出す。次いで、ウエハＷの外縁に沿っ
て保護テープＴ1 をカッター１４で切断し、図３（ｂ）
に示すように、再びローラ１２を左右に移動させ、保護
テープＴ1 をウエハ表面に一層確実に密着させる。次い
で、図３（ｃ）に示すように、保護テープＴ1 を貼付し
たウエハＷを表裏反転し、ウエハ裏面を表にして研削装
置のウエハステージ１６上にセットし、ウエハステージ
１２を時計回りに回転させる。一方、研削ホイール１８
を反時計回りに回転させつつ下降させ、ウエハ裏面に接
触させ、左右に移動させながら、ウエハ裏面を全面にわ
たり研削する。研削が終了した段階で、研削装置からウ
エハＷを取り出し、再び表裏反転してウエハ表面の保護
テープＴ1 を上にし、保護テープ剥離装置を使用して、
ウエハ表面の保護テープＴ1 上に保護テープ剥がしテー
プＴ2 を貼り付け、図３（ｄ）に示すように、保護テー
プＴ1 の縁部にローラ２０を位置させる。続いて、ロー
ラ２０で保護テープＴ1 を押圧しつつ保護テープ剥がし
テープＴ2 の上端部を右側に引っ張ってローラ２０を移
動させながら保護テープ剥がしテープＴ2 と共に保護テ
ープＴ1 をウエハＷから剥離している。
エハ裏面研削方法を説明する。先ず、図３（ａ）に示す
ように、保護テープ貼付装置を使用して、ウエハＷのウ
エハ表面に保護テープＴ1 を貼り、ローラ１２を左右に
移動してウエハ表面と保護テープＴ1 との間に閉じ込め
られた空気を押し出す。次いで、ウエハＷの外縁に沿っ
て保護テープＴ1 をカッター１４で切断し、図３（ｂ）
に示すように、再びローラ１２を左右に移動させ、保護
テープＴ1 をウエハ表面に一層確実に密着させる。次い
で、図３（ｃ）に示すように、保護テープＴ1 を貼付し
たウエハＷを表裏反転し、ウエハ裏面を表にして研削装
置のウエハステージ１６上にセットし、ウエハステージ
１２を時計回りに回転させる。一方、研削ホイール１８
を反時計回りに回転させつつ下降させ、ウエハ裏面に接
触させ、左右に移動させながら、ウエハ裏面を全面にわ
たり研削する。研削が終了した段階で、研削装置からウ
エハＷを取り出し、再び表裏反転してウエハ表面の保護
テープＴ1 を上にし、保護テープ剥離装置を使用して、
ウエハ表面の保護テープＴ1 上に保護テープ剥がしテー
プＴ2 を貼り付け、図３（ｄ）に示すように、保護テー
プＴ1 の縁部にローラ２０を位置させる。続いて、ロー
ラ２０で保護テープＴ1 を押圧しつつ保護テープ剥がし
テープＴ2 の上端部を右側に引っ張ってローラ２０を移
動させながら保護テープ剥がしテープＴ2 と共に保護テ
ープＴ1 をウエハＷから剥離している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この従来の方
法では、ウエハ裏面を研削するのに３種類の異なった装
置、即ち、保護テープ貼付装置、裏面研削装置及び保護
テープ剥離装置を使用した３工程数の作業が必要にな
る。しかも、消耗品として保護テープ及び保護テープ剥
がしテープも必要になる。更に、保護テープカッターも
随時取り替える必要がある。これらの３種類の異なった
装置を使って３工程の作業を行うと、それだけ作業コス
トが嵩み、また消耗品の材料費も嵩む。更には、工程間
でリードタイムが増加し、作業能率の向上が難しいのが
現状である。
法では、ウエハ裏面を研削するのに３種類の異なった装
置、即ち、保護テープ貼付装置、裏面研削装置及び保護
テープ剥離装置を使用した３工程数の作業が必要にな
る。しかも、消耗品として保護テープ及び保護テープ剥
がしテープも必要になる。更に、保護テープカッターも
随時取り替える必要がある。これらの３種類の異なった
装置を使って３工程の作業を行うと、それだけ作業コス
トが嵩み、また消耗品の材料費も嵩む。更には、工程間
でリードタイムが増加し、作業能率の向上が難しいのが
現状である。
【０００５】そこで、本発明は、工程数が少なく、保護
テープ等の消耗品を削減できるウエハ裏面研削方法及び
ウエハ裏面研削装置を提供することである。
テープ等の消耗品を削減できるウエハ裏面研削方法及び
ウエハ裏面研削装置を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係るウエハ裏面の研削装置は、円筒形中空
状のウエハ保持部と、ウエハ保持部の上面に取り付けら
れたウエハ表面保護シートと、ウエハ表面保護シートの
周縁に設けられたガス噴出ノズルと、ウエハ保持部の内
側壁に設けられたウエハチャックとを有し、ウエハ表面
保護シートにウエハ表面を接触させるようにしてウエハ
チャックによりウエハをウエハ保持部内に保持しながら
ウエハ表面保護シートに直交する軸回りに回転するウエ
ハホルダーと、ウエハホルダーのウエハ保持部に対面し
て設けられ、ウエハ表面を上にして保持しつつウエハホ
ルダーに対して昇降自在なウエハステージと、砥粒を植
設した研削面を有し、研削面に直交する軸の回りに回転
しつつ、自在に昇降し、かつ横方向に自在に移動して、
ウエハホルダーに保持されたウエハ裏面を研削する研削
ホイールとを備えていることを特徴としている。
に、本発明に係るウエハ裏面の研削装置は、円筒形中空
状のウエハ保持部と、ウエハ保持部の上面に取り付けら
れたウエハ表面保護シートと、ウエハ表面保護シートの
周縁に設けられたガス噴出ノズルと、ウエハ保持部の内
側壁に設けられたウエハチャックとを有し、ウエハ表面
保護シートにウエハ表面を接触させるようにしてウエハ
チャックによりウエハをウエハ保持部内に保持しながら
ウエハ表面保護シートに直交する軸回りに回転するウエ
ハホルダーと、ウエハホルダーのウエハ保持部に対面し
て設けられ、ウエハ表面を上にして保持しつつウエハホ
ルダーに対して昇降自在なウエハステージと、砥粒を植
設した研削面を有し、研削面に直交する軸の回りに回転
しつつ、自在に昇降し、かつ横方向に自在に移動して、
ウエハホルダーに保持されたウエハ裏面を研削する研削
ホイールとを備えていることを特徴としている。
【０００７】本発明で使用するウエハ表面保護シート
は、ウエハ表面に形成されたＩＣ構造を損傷しないよう
な柔軟な材料で出来ている。研削ホイール及びウエハス
テージは、それぞれ、従来の研削装置に使用している研
削ホイール及びウエハステージと同じもので良い。ま
た、ガス噴出ノズルから噴出するガスは、研削中、ウエ
ハ表面への研削クズが回り込むのを防止するためであ
り、例えば、Ｎ2 ガス及びＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガスを
使用する。
は、ウエハ表面に形成されたＩＣ構造を損傷しないよう
な柔軟な材料で出来ている。研削ホイール及びウエハス
テージは、それぞれ、従来の研削装置に使用している研
削ホイール及びウエハステージと同じもので良い。ま
た、ガス噴出ノズルから噴出するガスは、研削中、ウエ
ハ表面への研削クズが回り込むのを防止するためであ
り、例えば、Ｎ2 ガス及びＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガスを
使用する。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下に、実施例を挙げ、添付図面
を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細に説
明する。実施例１ 本実施例は、本発明に係るウエハ裏面の研削装置（以
下、簡単に研削装置と言う）の実施例の一つであって、
図１（ａ）及び（ｂ）は、実施例１の研削装置の構成を
示す模式図である。本研削装置３０は、図１（ａ）及び
図（ｂ）に示すように、ウエハホルダー３２と、ウエハ
ステージ３４と、研削ホイール３６とを備えている。
を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細に説
明する。実施例１ 本実施例は、本発明に係るウエハ裏面の研削装置（以
下、簡単に研削装置と言う）の実施例の一つであって、
図１（ａ）及び（ｂ）は、実施例１の研削装置の構成を
示す模式図である。本研削装置３０は、図１（ａ）及び
図（ｂ）に示すように、ウエハホルダー３２と、ウエハ
ステージ３４と、研削ホイール３６とを備えている。
【０００９】ウエハホルダー３２は、下方に開口する円
筒形中空状のウエハ保持部４０と、その上面に貼着され
たウエハ表面保護シート３８と、ウエハ表面保護シート
３８の周縁に設けられたガス噴出ノズル４２と、ウエハ
保持部４０の側壁に沿って設けられたウエハＷ保持用の
チャック４２とを備えている。ウエハホルダー３２は、
ウエハ表面保護シート３８にウエハ表面を接触させつつ
チャック４２によりウエハを保持し、ウエハ表面保護シ
ート３８に直交する軸回りに回転する。ウエハステージ
３４は、ウエハホルダー３２のウエハ保持部４０に対面
して設けられたウエハ載置面に既知の吸着チャック等の
ウエハ保持具（図示せず）を備え、ウエハ表面を上にし
て保持しつつウエハホルダー３２に対して自在に昇降す
る。研削ホイール３６は、砥粒を植設した研削面４４を
有し、研削面４４に直交する軸の回りに回転しつつ、自
在に昇降し、かつ横方向に自在に移動して、ウエハホル
ダー３２に保持されたウエハＷのウエハ裏面を研削す
る。
筒形中空状のウエハ保持部４０と、その上面に貼着され
たウエハ表面保護シート３８と、ウエハ表面保護シート
３８の周縁に設けられたガス噴出ノズル４２と、ウエハ
保持部４０の側壁に沿って設けられたウエハＷ保持用の
チャック４２とを備えている。ウエハホルダー３２は、
ウエハ表面保護シート３８にウエハ表面を接触させつつ
チャック４２によりウエハを保持し、ウエハ表面保護シ
ート３８に直交する軸回りに回転する。ウエハステージ
３４は、ウエハホルダー３２のウエハ保持部４０に対面
して設けられたウエハ載置面に既知の吸着チャック等の
ウエハ保持具（図示せず）を備え、ウエハ表面を上にし
て保持しつつウエハホルダー３２に対して自在に昇降す
る。研削ホイール３６は、砥粒を植設した研削面４４を
有し、研削面４４に直交する軸の回りに回転しつつ、自
在に昇降し、かつ横方向に自在に移動して、ウエハホル
ダー３２に保持されたウエハＷのウエハ裏面を研削す
る。
【００１０】実施例２ 本実施例は、実施例１の研削装置３０の構成に加えて、
図３に示すように、ウエハステージ３４に超純水又は超
音波純水を噴出する超純水噴出ノズル４６を備え、かつ
ウエハステージ３４は保持したウエハＷに直交する方向
の軸回りに回転するようにする。これにより、裏面研削
終了後、ウエハステージ３４に保持されたウエハＷを回
転させつつ、ウエハＷの表面に超純水を噴出して洗浄す
ることができる。また、ウエハ研削後に研削ホイール３
６を下方に移動させ、ウエハ裏面側に向かって超音波純
水を噴射させることで、ウエハ裏面の研削クズを除去す
るようにしても良い。
図３に示すように、ウエハステージ３４に超純水又は超
音波純水を噴出する超純水噴出ノズル４６を備え、かつ
ウエハステージ３４は保持したウエハＷに直交する方向
の軸回りに回転するようにする。これにより、裏面研削
終了後、ウエハステージ３４に保持されたウエハＷを回
転させつつ、ウエハＷの表面に超純水を噴出して洗浄す
ることができる。また、ウエハ研削後に研削ホイール３
６を下方に移動させ、ウエハ裏面側に向かって超音波純
水を噴射させることで、ウエハ裏面の研削クズを除去す
るようにしても良い。
【００１１】次に、実施例２の研削装置を使用して実施
する、ウエハ裏面の研削方法を説明する。先ず、ウエハ
表面を上にしてウエハＷをウエハステージ３４上に保持
する。次いで、ウエハステージ３４を上昇させ、図１
（ａ）の仮想線で示すように、ウエハ裏面を下面にして
ウエハホルダー３２のウエハ保持部４０内にウエハＷを
保持させる。次いで、ウエハホルダー３２のガス噴出ノ
ズル４２から窒素ガスを噴出させつつ、ウエハホルダー
３２を反時計回りに回転させる。一方、図１（ｂ）に示
すように、研削ホイール３６を時計回りに回転させつつ
ウエハホルダー３２に接近させ、研削面４４をウエハ裏
面に接触させて、研削する。必要に応じて、横方向に移
動する。その際、ウエハ表面に付着した研削クズは噴出
する窒素ガスにより飛散、除去される。研削終了後、ウ
エハホルダー３２のチャック４２を解除して、ウエハ表
面を表にしてウエハＷをウエハステージ３４上に保持
し、次いで超純水噴出ノズル４６から超純水を噴出して
ウエハ表面を洗浄する。クリーニングも乾燥もウエハ自
体を回転させながら実施する。この際、超音波流水（Ｄ
ＩＷ＋ＵＳＷ）で洗浄すれば、更に良い。
する、ウエハ裏面の研削方法を説明する。先ず、ウエハ
表面を上にしてウエハＷをウエハステージ３４上に保持
する。次いで、ウエハステージ３４を上昇させ、図１
（ａ）の仮想線で示すように、ウエハ裏面を下面にして
ウエハホルダー３２のウエハ保持部４０内にウエハＷを
保持させる。次いで、ウエハホルダー３２のガス噴出ノ
ズル４２から窒素ガスを噴出させつつ、ウエハホルダー
３２を反時計回りに回転させる。一方、図１（ｂ）に示
すように、研削ホイール３６を時計回りに回転させつつ
ウエハホルダー３２に接近させ、研削面４４をウエハ裏
面に接触させて、研削する。必要に応じて、横方向に移
動する。その際、ウエハ表面に付着した研削クズは噴出
する窒素ガスにより飛散、除去される。研削終了後、ウ
エハホルダー３２のチャック４２を解除して、ウエハ表
面を表にしてウエハＷをウエハステージ３４上に保持
し、次いで超純水噴出ノズル４６から超純水を噴出して
ウエハ表面を洗浄する。クリーニングも乾燥もウエハ自
体を回転させながら実施する。この際、超音波流水（Ｄ
ＩＷ＋ＵＳＷ）で洗浄すれば、更に良い。
【００１２】以上の構成により、実施例１及び２の研削
装置は、１種類の装置で構成され、ウエハ裏面の研削を
１種類の装置で連続的に行い、しかも保護テープ、保護
テープ剥がしテープを必要としない。
装置は、１種類の装置で構成され、ウエハ裏面の研削を
１種類の装置で連続的に行い、しかも保護テープ、保護
テープ剥がしテープを必要としない。
【００１３】
【発明の効果】本発明の構成によれば、保護テープを必
要とすることなくウエハ裏面を研削でき、しかも、従
来、３種類の装置が必要であったウエハ裏面の研削加工
を一種類の装置を使用することにより施すことができ
る。よって、ウエハ裏面研削に必要な装置の種類が従来
の１／３になり、更には装置間の搬送等の時間が無くな
るので、ウエハ裏面の研削作業に費やす時間が削減で
き、リードタイムを短縮することができる。また、装置
の台数が少なくなることにより、装置管理に必要な人工
数も約１／３に削減できる。更には、ウエハ裏面研削に
使用する消耗品、即ち保護テープ、保護テープ剥がしテ
ープが不要になるので、研削コストが節減される。
要とすることなくウエハ裏面を研削でき、しかも、従
来、３種類の装置が必要であったウエハ裏面の研削加工
を一種類の装置を使用することにより施すことができ
る。よって、ウエハ裏面研削に必要な装置の種類が従来
の１／３になり、更には装置間の搬送等の時間が無くな
るので、ウエハ裏面の研削作業に費やす時間が削減で
き、リードタイムを短縮することができる。また、装置
の台数が少なくなることにより、装置管理に必要な人工
数も約１／３に削減できる。更には、ウエハ裏面研削に
使用する消耗品、即ち保護テープ、保護テープ剥がしテ
ープが不要になるので、研削コストが節減される。
【図１】図１（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、本発明に
係る研削装置の構成を示す模式図である。
係る研削装置の構成を示す模式図である。
【図２】本発明に係る研削装置の実施例２の構成を示す
模式図である。
模式図である。
【図３】図３（ａ）から（ｄ）は、それぞれ、ウエハ裏
面の研削作業の工程を説明する模式図である。
面の研削作業の工程を説明する模式図である。
１２……ローラ、１４……カッター、１６……ウエハス
テージ、１８……研削ホイール、２０……ローラ、３０
……本発明に係る研削装置、３２……ウエハホルダー、
３４……ウエハステージ、３６……研削ホイール、３８
……ウエハ表面保護シート、４０……ウエハ保持部、４
２……チャック、４４……研削面、４６……超純水噴出
ノズル。
テージ、１８……研削ホイール、２０……ローラ、３０
……本発明に係る研削装置、３２……ウエハホルダー、
３４……ウエハステージ、３６……研削ホイール、３８
……ウエハ表面保護シート、４０……ウエハ保持部、４
２……チャック、４４……研削面、４６……超純水噴出
ノズル。
Claims (3)
- 【請求項１】 円筒形中空状のウエハ保持部と、ウエハ
保持部の上面に取り付けられたウエハ表面保護シート
と、ウエハ表面保護シートの周縁に設けられたガス噴出
ノズルと、ウエハ保持部の内側壁に設けられたウエハチ
ャックとを有し、ウエハ表面保護シートにウエハ表面を
接触させるようにしてウエハチャックによりウエハをウ
エハ保持部内に保持しながらウエハ表面保護シートに直
交する軸回りに回転するウエハホルダーと、 ウエハホルダーのウエハ保持部に対面して設けられ、ウ
エハ表面を上にして保持しつつウエハホルダーに対して
昇降自在なウエハステージと、 砥粒を植設した研削面を有し、研削面に直交する軸の回
りに回転しつつ、自在に昇降し、かつ横方向に自在に移
動して、ウエハホルダーに保持されたウエハ裏面を研削
する研削ホイールとを備えていることを特徴とするウエ
ハ裏面の研削装置。 - 【請求項２】 ウエハステージに保持されたウエハに向
け超純水又は超音波純水を噴出する噴出ノズルを備え、 ウエハ裏面研削の後にウエハホルダーからウエハ表面を
表にしてウエハステージ上にウエハを受け取って、ウエ
ハ表面を超純水又は超音波純水で洗浄するようにしたこ
とを特徴とする請求項１に記載のウエハ裏面の研削装
置。 - 【請求項３】 請求項２に記載のウエハ裏面の研削装置
を使用してウエハ裏面を研削する方法であって、 ウエハ表面を上にしてウエハをウエハステージ上に保持
し、 次いで、ウエハステージを上昇させ、ウエハ裏面を表に
してウエハチャックによりウエハホルダーのウエハ保持
部内にウエハを保持し、 ガス噴出ノズルから窒素ガスを噴出させつつ、研削ホイ
ールによりウエハ裏面を研削し、 研削終了後、ウエハ表面を表にしてウエハをウエハステ
ージ上に載せ、次いで噴出ノズルから超純水又は超音波
純水を噴出してウエハ表面を洗浄することを特徴とする
ウエハ裏面の研削方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32247496A JPH10156679A (ja) | 1996-12-03 | 1996-12-03 | ウエハ裏面の研削装置及びウエハ裏面の研削方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32247496A JPH10156679A (ja) | 1996-12-03 | 1996-12-03 | ウエハ裏面の研削装置及びウエハ裏面の研削方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10156679A true JPH10156679A (ja) | 1998-06-16 |
Family
ID=18144047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32247496A Pending JPH10156679A (ja) | 1996-12-03 | 1996-12-03 | ウエハ裏面の研削装置及びウエハ裏面の研削方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10156679A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7601615B2 (en) | 2005-10-31 | 2009-10-13 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Method of grinding back surface of semiconductor wafer and semiconductor wafer grinding apparatus |
| US8206198B2 (en) | 2007-12-21 | 2012-06-26 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Wafer grinding machine and wafer grinding method |
| KR101580102B1 (ko) * | 2015-02-10 | 2015-12-28 | 장경덕 | 수압을 이용한 웨이퍼 이면 연마장치 |
| CN112077158A (zh) * | 2019-06-12 | 2020-12-15 | 宝山钢铁股份有限公司 | 金属板带磨削除鳞装置及方法 |
-
1996
- 1996-12-03 JP JP32247496A patent/JPH10156679A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7601615B2 (en) | 2005-10-31 | 2009-10-13 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Method of grinding back surface of semiconductor wafer and semiconductor wafer grinding apparatus |
| US8206198B2 (en) | 2007-12-21 | 2012-06-26 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Wafer grinding machine and wafer grinding method |
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| CN112077158A (zh) * | 2019-06-12 | 2020-12-15 | 宝山钢铁股份有限公司 | 金属板带磨削除鳞装置及方法 |
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