JPH0831513B2 - 基板の吸着装置 - Google Patents
基板の吸着装置Info
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- JPH0831513B2 JPH0831513B2 JP63039206A JP3920688A JPH0831513B2 JP H0831513 B2 JPH0831513 B2 JP H0831513B2 JP 63039206 A JP63039206 A JP 63039206A JP 3920688 A JP3920688 A JP 3920688A JP H0831513 B2 JPH0831513 B2 JP H0831513B2
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- Japan
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- substrate
- holes
- wafer
- mounting surface
- mounting
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体素子や液晶素子等を製造するための半
導体ウェハ、もしくはガラスプレート等の基板を平坦に
吸着固定する装置に関し、特に基板の自動受け渡し機構
と組み合わせるのに好適な吸着装置に関する。
導体ウェハ、もしくはガラスプレート等の基板を平坦に
吸着固定する装置に関し、特に基板の自動受け渡し機構
と組み合わせるのに好適な吸着装置に関する。
従来より投影型露光装置、Ｘ線露光装置、半導体ウェ
ハ検査装置、レーザリペア装置等では、加工又は検査す
べきウェハ等の基板を平坦に保持するために、真空吸着
ホルダーが使われている。
ハ検査装置、レーザリペア装置等では、加工又は検査す
べきウェハ等の基板を平坦に保持するために、真空吸着
ホルダーが使われている。
第４図（Ａ）、（Ｂ）は従来の吸着ホルダーの代表的
な構造を示す平面図と部分断面図である。第４図
（Ａ）、（Ｂ）において、リニアガイド１に沿って矢印
Ｅ方向に直線移動するスライダー２には、２本のフォー
ク部3a、3bが設けられ、水平面内で一次元的にウェハを
搬送する。
な構造を示す平面図と部分断面図である。第４図
（Ａ）、（Ｂ）において、リニアガイド１に沿って矢印
Ｅ方向に直線移動するスライダー２には、２本のフォー
ク部3a、3bが設けられ、水平面内で一次元的にウェハを
搬送する。
フォーク部3a、3bの上面にはウェハを載置して固定す
る吸着孔4a、4bが形成される。２次元に移動するウェハ
ステージSTは予めローディング位置（第４図（Ａ）の位
置）に位置決めされる。フォーク部3a、3b上のウェハは
ステージSTの上に設けられたウェハホルダーWHの真上の
位置まで運ばれる。
る吸着孔4a、4bが形成される。２次元に移動するウェハ
ステージSTは予めローディング位置（第４図（Ａ）の位
置）に位置決めされる。フォーク部3a、3b上のウェハは
ステージSTの上に設けられたウェハホルダーWHの真上の
位置まで運ばれる。
ウェハホルダーWHの載置面５には細い溝６が環状に複
数本形成され、この細い溝６はウェハ裏面を吸着するた
めに真空源によって減圧される。さらにウェハホルダー
WHの載置面５の中央部には、センターアップ部７が上下
動可能に設けられている。さて、フォーク部3a、3bが所
定の位置にくると、第４図（Ｂ）に示すようにセンター
アップ部７が載置面５、及びフォーク部3a、3bよりも上
方に移動し、ウェハＷを受け取る。
数本形成され、この細い溝６はウェハ裏面を吸着するた
めに真空源によって減圧される。さらにウェハホルダー
WHの載置面５の中央部には、センターアップ部７が上下
動可能に設けられている。さて、フォーク部3a、3bが所
定の位置にくると、第４図（Ｂ）に示すようにセンター
アップ部７が載置面５、及びフォーク部3a、3bよりも上
方に移動し、ウェハＷを受け取る。
この状態でセンターアップ部７はウェハＷの裏面を真
空吸着し、フォーク部3a、3bは再び第４図（Ａ）の位置
まで戻る。そして最後にセンターアップ部７を載置面５
よりも下方に移動させ、ウェハＷをホルダーWHの載置面
５に受け渡し、溝６を減圧してウェハＷを吸着固定す
る。これによってウェハＷは載置面５の平面度にならっ
て平坦化矯正される。また載置面５上のウェハＷを取り
出すときは、全く逆のシーケンスが行なわれる。ただし
搬出専用に別のフォーク部を設け、搬入方向（矢印Ｅ方
向）と異なる方向へウェハＷを送り出してもよい。
空吸着し、フォーク部3a、3bは再び第４図（Ａ）の位置
まで戻る。そして最後にセンターアップ部７を載置面５
よりも下方に移動させ、ウェハＷをホルダーWHの載置面
５に受け渡し、溝６を減圧してウェハＷを吸着固定す
る。これによってウェハＷは載置面５の平面度にならっ
て平坦化矯正される。また載置面５上のウェハＷを取り
出すときは、全く逆のシーケンスが行なわれる。ただし
搬出専用に別のフォーク部を設け、搬入方向（矢印Ｅ方
向）と異なる方向へウェハＷを送り出してもよい。
上記従来のウェハホルダーでは、ウェハＷを安定に、
かつ正確に受け渡しさせるために、センサーアップ部７
のウェハ載置面は比較的大きな面積を必要とした。この
ためウェハホルダーの中心部には比較的大きな貫通穴が
設けられる。このことはウェハホルダーWHの載置面５の
中央部、すなわちウェハ中心部に真空吸着による矯正力
が作用しないことを意味する。近年、ウェハの大口径化
がすすみ、各種プロセスの影響で、数十ミクロン、ある
いは数百ミクロンのオーダでウェハがそったり、歪んだ
りしてくることによる悪影響が問題となってきた。この
ように変形の激しいウェハは、ウェハホルダーへの吸着
力を大きくしないと、平坦化矯正が不十分なまま加工
（露光、レーザリペア等）されてしまう。ところが従来
のものでは、ウェハ中央部にまったく吸着力が働いてい
ないため、ウェハの中央が載置面５から盛り上がり、ウ
ェハ周辺部から１〜3cm程度の部分が載置面５に密着
し、さらにウェハ周辺では載置面５から浮き上がったよ
うな状態で吸着固定されてしまう。現在の投影型露光装
置（ステッパー）の投影レンズの焦点深度はたかだか±
１μｍ程度のレンズしかなく、平坦化矯正が不十分なま
まだと、レチクル（マスク）パターンの投影像面（最良
結像面）とウェハ上の１つのショット領域内の面とが相
対的に大きく傾くこととなり、半導体素子等の製造に大
きな障害となってしまう。
かつ正確に受け渡しさせるために、センサーアップ部７
のウェハ載置面は比較的大きな面積を必要とした。この
ためウェハホルダーの中心部には比較的大きな貫通穴が
設けられる。このことはウェハホルダーWHの載置面５の
中央部、すなわちウェハ中心部に真空吸着による矯正力
が作用しないことを意味する。近年、ウェハの大口径化
がすすみ、各種プロセスの影響で、数十ミクロン、ある
いは数百ミクロンのオーダでウェハがそったり、歪んだ
りしてくることによる悪影響が問題となってきた。この
ように変形の激しいウェハは、ウェハホルダーへの吸着
力を大きくしないと、平坦化矯正が不十分なまま加工
（露光、レーザリペア等）されてしまう。ところが従来
のものでは、ウェハ中央部にまったく吸着力が働いてい
ないため、ウェハの中央が載置面５から盛り上がり、ウ
ェハ周辺部から１〜3cm程度の部分が載置面５に密着
し、さらにウェハ周辺では載置面５から浮き上がったよ
うな状態で吸着固定されてしまう。現在の投影型露光装
置（ステッパー）の投影レンズの焦点深度はたかだか±
１μｍ程度のレンズしかなく、平坦化矯正が不十分なま
まだと、レチクル（マスク）パターンの投影像面（最良
結像面）とウェハ上の１つのショット領域内の面とが相
対的に大きく傾くこととなり、半導体素子等の製造に大
きな障害となってしまう。
そこで本発明では、従来のようにウェハ等の基板の自
動搬送の際の安定性と確実性を維持しまま、基板全面で
ほぼ均一な平坦化矯正力の得られる吸着装置を提供する
ことを目的とする。
動搬送の際の安定性と確実性を維持しまま、基板全面で
ほぼ均一な平坦化矯正力の得られる吸着装置を提供する
ことを目的とする。
上記問題点を解決する為に、本発明ではウェハホルダ
ー等の載置台のほぼ中央付近に複数の小さな貫通穴を互
いに所定量だけ離して設け、この貫通穴の夫々に貫入し
て基板の受け渡しを行なう複数の支持部材を、従来のセ
ンターアップ部と同等の機能として設けるようにした。
さらに実施例で説明するように支持部材を３本にし、こ
れら３本で囲まれた載置面の領域にも真空吸着及び平坦
化矯正のために必要な局在化された複数の凸部を形成す
るようにした。
ー等の載置台のほぼ中央付近に複数の小さな貫通穴を互
いに所定量だけ離して設け、この貫通穴の夫々に貫入し
て基板の受け渡しを行なう複数の支持部材を、従来のセ
ンターアップ部と同等の機能として設けるようにした。
さらに実施例で説明するように支持部材を３本にし、こ
れら３本で囲まれた載置面の領域にも真空吸着及び平坦
化矯正のために必要な局在化された複数の凸部を形成す
るようにした。
本発明によれば、複数の支持部材が通る貫通穴が互い
に離れているため、その間の領域に真空吸着力を発生さ
せる凸部（凹部）を形成できるため、全面に渡って均一
な平坦化が可能となる。
に離れているため、その間の領域に真空吸着力を発生さ
せる凸部（凹部）を形成できるため、全面に渡って均一
な平坦化が可能となる。
第１図（Ａ）、（Ｂ）は本発明の実施例による吸着装
置の平面図と部分断面図であり、第１図（Ｂ）は第１図
（Ａ）の１−Ｂ矢視断面である。第１図（Ａ）に示すよ
うにウェハホルダーWHは金属の円盤であり、その上面に
はウェハＷの平面形状に合わせて、円周部5aと直線的な
フラット部5bとを有する載置面５が形成されている。載
置面５の中心（ウェハ中心）O1をセンターとする直径Ｌ
の円CC上にほぼ３等分された位置の夫々には、直径Ｒの
貫通穴10a、10b、10cが設けられている。ここで載置面
５の円周部5aの直径をＤとすると、直径ＬはＤよりも十
分小さく定められ、かつＬ≧2Rとなるように定められて
いる。さらに中心O1をセンサーとする直径（Ｌ＋Ｒ）の
円は、第４図に示した２本のフォーク部3a、3bの間隔よ
りも小さくなるように定められる。また各貫通穴10a、1
0b、10cの周辺にはウェハＷの裏面と接触する環状のリ
ム（微小凸部）11a、11b、11cが形成され、リム11a、11
b、11cの上面は載置面５の円周部5a及びフラット部5bの
外側の上面と精密に同一面（基準面）になるように作ら
れている。従って載置面５の直径ＤをウェハＷの外形
（国際規格により統一されている）よりもわずかに（２
〜3mm程度）に小さなものにしておくと、載置面５、す
なわちリム11a、11b、11cの各々の外側で、かつ円周部5
a、フラット部5bで囲まれた円側の領域の全てが、ウェ
ハＷによっておおわれることになる。そこで載置面５内
の任意の位置に、１つもしくは複数の真空吸着孔（第１
図（Ａ）では４ケ所）12a、12b、12c、12dを設けると、
ウェハＷの裏面は載置面５に吸着固定される。
置の平面図と部分断面図であり、第１図（Ｂ）は第１図
（Ａ）の１−Ｂ矢視断面である。第１図（Ａ）に示すよ
うにウェハホルダーWHは金属の円盤であり、その上面に
はウェハＷの平面形状に合わせて、円周部5aと直線的な
フラット部5bとを有する載置面５が形成されている。載
置面５の中心（ウェハ中心）O1をセンターとする直径Ｌ
の円CC上にほぼ３等分された位置の夫々には、直径Ｒの
貫通穴10a、10b、10cが設けられている。ここで載置面
５の円周部5aの直径をＤとすると、直径ＬはＤよりも十
分小さく定められ、かつＬ≧2Rとなるように定められて
いる。さらに中心O1をセンサーとする直径（Ｌ＋Ｒ）の
円は、第４図に示した２本のフォーク部3a、3bの間隔よ
りも小さくなるように定められる。また各貫通穴10a、1
0b、10cの周辺にはウェハＷの裏面と接触する環状のリ
ム（微小凸部）11a、11b、11cが形成され、リム11a、11
b、11cの上面は載置面５の円周部5a及びフラット部5bの
外側の上面と精密に同一面（基準面）になるように作ら
れている。従って載置面５の直径ＤをウェハＷの外形
（国際規格により統一されている）よりもわずかに（２
〜3mm程度）に小さなものにしておくと、載置面５、す
なわちリム11a、11b、11cの各々の外側で、かつ円周部5
a、フラット部5bで囲まれた円側の領域の全てが、ウェ
ハＷによっておおわれることになる。そこで載置面５内
の任意の位置に、１つもしくは複数の真空吸着孔（第１
図（Ａ）では４ケ所）12a、12b、12c、12dを設けると、
ウェハＷの裏面は載置面５に吸着固定される。
さて、３つの貫通穴10a、10b、10cの各々には、第１
図（Ｂ）で示すように、３本の支持部材14a、14b、14c
を貫入させ、上下動機構16によって一体に上下動するよ
うな構成にする。上下動機構16は駆動源18によってシー
ケンスに応じて適宜駆動される。
図（Ｂ）で示すように、３本の支持部材14a、14b、14c
を貫入させ、上下動機構16によって一体に上下動するよ
うな構成にする。上下動機構16は駆動源18によってシー
ケンスに応じて適宜駆動される。
支持部材14a、14b、14cは本実施例では円柱状であ
り、その上端面は同一面になるように構成され、各上端
面には、図のようにウェハＷを保持する際に、排気パイ
プ21、吸気路20を介して真空吸着する吸着孔が設けられ
ている。この３本の支持部材14a、14b、14cの上端面
は、ウェハＷの自動受け渡しの際は、第４図（Ｂ）に示
したセンターアップ部７と同様に載置面５から一定量上
方に持ち上げられ、ウェハＷを載置面５に吸着する際は
支持部材14a、14b、14cの各上端面が載置面５（正確に
はリム11a、11b、11cの上面）よりも下方に沈み込むま
で降下される。
り、その上端面は同一面になるように構成され、各上端
面には、図のようにウェハＷを保持する際に、排気パイ
プ21、吸気路20を介して真空吸着する吸着孔が設けられ
ている。この３本の支持部材14a、14b、14cの上端面
は、ウェハＷの自動受け渡しの際は、第４図（Ｂ）に示
したセンターアップ部７と同様に載置面５から一定量上
方に持ち上げられ、ウェハＷを載置面５に吸着する際は
支持部材14a、14b、14cの各上端面が載置面５（正確に
はリム11a、11b、11cの上面）よりも下方に沈み込むま
で降下される。
尚、吸気孔12a、12b、12c、12dの各々はパイプ23を介
して共通の給排気源につながれる。これは、ウェハＷを
吸着した後、パイプ23の真空源（排気源）との連通を遮
断しても、ウェハＷの裏面空隙はただちに大気にリーク
されることがないため、吸気孔12a、12b、12c、12dから
一時的に陽圧の空気をウェハ裏面へ供給することでウェ
ハＷの載置面５からの取りはずしを容易、かつ迅速にす
るためである。
して共通の給排気源につながれる。これは、ウェハＷを
吸着した後、パイプ23の真空源（排気源）との連通を遮
断しても、ウェハＷの裏面空隙はただちに大気にリーク
されることがないため、吸気孔12a、12b、12c、12dから
一時的に陽圧の空気をウェハ裏面へ供給することでウェ
ハＷの載置面５からの取りはずしを容易、かつ迅速にす
るためである。
ところで、第１図（Ａ）、（Ｂ）に示した載置面５の
全面には例えば第２図（Ａ）、（Ｂ）に示すような微小
凸部50がほぼ一定の間隔で多数形成されている。第２図
（Ａ）は第１図（Ａ）で示したリム11aと中心O1とを含
む一部分の平面形状を表わし、第２図（Ｂ）はリム11a
を含む一部分の断面形状を表わす。微小凸部50は中心O1
をセンターとするほぼ一定間隔毎の同心円上に位置する
ように配列され、その同心円の周方向の長さと、径方向
の幅は、ともに加工上の安定性が維持される範囲でなく
べく小さくなるように定められる。第２図（Ｂ）に示す
ように各微小凸部50の上面はリム11a（11b、11c及び円
周部5a、フラット部5b）と上面と同一の基準面RFに一致
するように形成されている。基準平面RFに対する面精度
は、装置の仕様によって異なるが、最もきびしいもので
は全面で±１μｍ以内というものもある。また微小凸部
50の上面の中心O1を通る径方向の幅P1と凸部に挟まれた
凹部の幅P2との比（P2/P1）は極端に大きくならなけれ
ばよい。一例として通常の６インチ程度のウェハに対し
てはP1＝0.5〜2mm、P2＝１〜6mmの範囲で良好な平坦化
矯正が行なわれた。また微小凸部50は周方向についても
細かく分断された状態で形成されるが、例えば1/4円周
分、あるいは1/3円周分だけ連続した円弧状とし、同一
径の円弧と円弧の接続部は通気のために凹部にしておい
てもよい。
全面には例えば第２図（Ａ）、（Ｂ）に示すような微小
凸部50がほぼ一定の間隔で多数形成されている。第２図
（Ａ）は第１図（Ａ）で示したリム11aと中心O1とを含
む一部分の平面形状を表わし、第２図（Ｂ）はリム11a
を含む一部分の断面形状を表わす。微小凸部50は中心O1
をセンターとするほぼ一定間隔毎の同心円上に位置する
ように配列され、その同心円の周方向の長さと、径方向
の幅は、ともに加工上の安定性が維持される範囲でなく
べく小さくなるように定められる。第２図（Ｂ）に示す
ように各微小凸部50の上面はリム11a（11b、11c及び円
周部5a、フラット部5b）と上面と同一の基準面RFに一致
するように形成されている。基準平面RFに対する面精度
は、装置の仕様によって異なるが、最もきびしいもので
は全面で±１μｍ以内というものもある。また微小凸部
50の上面の中心O1を通る径方向の幅P1と凸部に挟まれた
凹部の幅P2との比（P2/P1）は極端に大きくならなけれ
ばよい。一例として通常の６インチ程度のウェハに対し
てはP1＝0.5〜2mm、P2＝１〜6mmの範囲で良好な平坦化
矯正が行なわれた。また微小凸部50は周方向についても
細かく分断された状態で形成されるが、例えば1/4円周
分、あるいは1/3円周分だけ連続した円弧状とし、同一
径の円弧と円弧の接続部は通気のために凹部にしておい
てもよい。
以上のように微小凸部によってウェハＷの裏面を支持
するのは、ウェハＷと凸部（基準面RF）との間に異物が
挟み込まれる確率を著しく小さくするためである。すな
わち載置面５の全面積に対して、ウェハ裏面と接触する
凸部（基準面RF）の総面積を数％〜十数％に低下させる
ためである。
するのは、ウェハＷと凸部（基準面RF）との間に異物が
挟み込まれる確率を著しく小さくするためである。すな
わち載置面５の全面積に対して、ウェハ裏面と接触する
凸部（基準面RF）の総面積を数％〜十数％に低下させる
ためである。
この第２図（Ａ）からも明らかなように、貫通穴10
a、10b、10cに囲まれた中心領域においても複数の微小
凸部50が形成されるため、その中心領域でも十分な吸着
力が得られる。また凸部50の周囲の凹部は、本実施例の
場合、載置面５の全面のどこにおいても連通しているた
め、吸気孔12a、12b、12c、12dは、例えば中心O1の１ケ
所だけにしても吸着が可能である。
a、10b、10cに囲まれた中心領域においても複数の微小
凸部50が形成されるため、その中心領域でも十分な吸着
力が得られる。また凸部50の周囲の凹部は、本実施例の
場合、載置面５の全面のどこにおいても連通しているた
め、吸気孔12a、12b、12c、12dは、例えば中心O1の１ケ
所だけにしても吸着が可能である。
第３図は微小凸部の変形例であり、小さな矩形の凸部
52をｘ、ｙ方向に一定ピッチでマトリックス状に形成し
たものである。この場合も、凸部52の上面の寸法範囲0.
5〜2mm、凸部52と52の間の凹部の寸法範囲を１〜6mmと
して、任意の組み合わせが可能である。
52をｘ、ｙ方向に一定ピッチでマトリックス状に形成し
たものである。この場合も、凸部52の上面の寸法範囲0.
5〜2mm、凸部52と52の間の凹部の寸法範囲を１〜6mmと
して、任意の組み合わせが可能である。
ところで第４図（Ａ）、（Ｂ）で示したステージSTが
ステッパー（投影型露光装置、Ｘ線露光装置等）のステ
ッピングステージの場合、ステージSTは転写すべき回路
パターンの寸法（ショットサイズ）に応じて一定ピッチ
ずつｘ、ｙ方向にステッピングしていく。投影レンズを
用いたステッパーでは、１回のステッピングによって露
光できる最大領域は、1/5縮小投影レンズの場合、通常
は15mm×15mm（21φ）の大きさである。Ｘ線露光ではプ
ロキシミティー方式を採用するため光学系による転写領
域の制限はないものの、実用上の観点から20mm×20mm程
度に定められている。
ステッパー（投影型露光装置、Ｘ線露光装置等）のステ
ッピングステージの場合、ステージSTは転写すべき回路
パターンの寸法（ショットサイズ）に応じて一定ピッチ
ずつｘ、ｙ方向にステッピングしていく。投影レンズを
用いたステッパーでは、１回のステッピングによって露
光できる最大領域は、1/5縮小投影レンズの場合、通常
は15mm×15mm（21φ）の大きさである。Ｘ線露光ではプ
ロキシミティー方式を採用するため光学系による転写領
域の制限はないものの、実用上の観点から20mm×20mm程
度に定められている。
このためウェハＷ上の各ショットの配列によっては、
ある特定のショット領域の直下に貫通穴10a、10b、10c
のいずれか１つが位置することも起り得る。この場合、
その特定のショット領域の全面に対しては貫通穴によっ
て吸着力が作用しないことになり、最悪の場合はそのシ
ョット領域が解像不良を起してしまう。そこで貫通穴10
a、10b、10cの径寸法Ｒ（又は面積）は、転写すべきシ
ョット領域の寸法（又は面積）よりも小さくなるよう
に、好ましくはショット領域（矩形）の対角線の長さの
2/3以下になるように定めるとよい。
ある特定のショット領域の直下に貫通穴10a、10b、10c
のいずれか１つが位置することも起り得る。この場合、
その特定のショット領域の全面に対しては貫通穴によっ
て吸着力が作用しないことになり、最悪の場合はそのシ
ョット領域が解像不良を起してしまう。そこで貫通穴10
a、10b、10cの径寸法Ｒ（又は面積）は、転写すべきシ
ョット領域の寸法（又は面積）よりも小さくなるよう
に、好ましくはショット領域（矩形）の対角線の長さの
2/3以下になるように定めるとよい。
また３ケ所の貫通穴10a、10b、10cで囲まれた内側の
領域は、その他の領域と同等の吸着力が得られることが
望ましい。ところが貫通穴10a、10b、10cの夫々を中心O
1に近づけすぎると、中心部領域での凸部50、52の数、
すなわち凹部の面積が少なくなってくるため、必然的に
吸着力が低下する。このため、かならずＬ≧2Rの条件を
満たすようにする。さらに３つの貫通穴10a、10b、10c
に内接する円、又は直径Ｌの円CCを考えたとき、この円
の最小径は１つのショット領域を概ね含む程度の大きさ
に定めておくとよい。
領域は、その他の領域と同等の吸着力が得られることが
望ましい。ところが貫通穴10a、10b、10cの夫々を中心O
1に近づけすぎると、中心部領域での凸部50、52の数、
すなわち凹部の面積が少なくなってくるため、必然的に
吸着力が低下する。このため、かならずＬ≧2Rの条件を
満たすようにする。さらに３つの貫通穴10a、10b、10c
に内接する円、又は直径Ｌの円CCを考えたとき、この円
の最小径は１つのショット領域を概ね含む程度の大きさ
に定めておくとよい。
以上のようにウェハ上のショット領域毎にステップア
ンドリピート方式で露光する場合に、貫通穴の径Ｒ、円
CCの径Ｌ等の関係をショット領域の寸法を考慮して最適
的に決めることで、各ショット領域の夫々を最良の解像
条件で露光することができる。
ンドリピート方式で露光する場合に、貫通穴の径Ｒ、円
CCの径Ｌ等の関係をショット領域の寸法を考慮して最適
的に決めることで、各ショット領域の夫々を最良の解像
条件で露光することができる。
さらに本実施例の構成によって、ウェハ吸着時のウェ
ハフラットネスは最良に矯正されるため、例えウェハ固
有の厚みムラ、テーパ等のために、ウェハホルダーWHを
レベリング（傾斜）させるとしても、その量が少なくな
り、レベリング動作によるスループットの低下を極めて
小さく押えることができる。
ハフラットネスは最良に矯正されるため、例えウェハ固
有の厚みムラ、テーパ等のために、ウェハホルダーWHを
レベリング（傾斜）させるとしても、その量が少なくな
り、レベリング動作によるスループットの低下を極めて
小さく押えることができる。
また本実施例では、ウェハの平坦化矯正を例示した
が、液晶表示素子（テレビ画面）等を作り込む大型のガ
ラスプレートを吸着する場合も同様に適用できる。本実
施例では支持部材を３本としたが、ウェハ裏面との接触
面が細長い矩形状をした上面を有する板状の支持部材の
２本を、互いに平行に一定間隔だけ離して設けてもよ
い。この場合、載置面５上には２本の支持部材が貫入す
るスリット状の貫通穴が２つ形成される。
が、液晶表示素子（テレビ画面）等を作り込む大型のガ
ラスプレートを吸着する場合も同様に適用できる。本実
施例では支持部材を３本としたが、ウェハ裏面との接触
面が細長い矩形状をした上面を有する板状の支持部材の
２本を、互いに平行に一定間隔だけ離して設けてもよ
い。この場合、載置面５上には２本の支持部材が貫入す
るスリット状の貫通穴が２つ形成される。
さらに支持部材（14a、14b、14c）は載置台としての
ウェハホルダーWHに対して上下動するものとしたが、装
置によってはウェハホルダーWHの方を支持部材に対して
上下動させてもよい。
ウェハホルダーWHに対して上下動するものとしたが、装
置によってはウェハホルダーWHの方を支持部材に対して
上下動させてもよい。
以上本発明によれば、基板を載置して吸着する実効的
な面積を、従来のものと比較して大きく取れるととも
に、吸着力を発生しない部分が分散されているため、基
板の全面にわたってほぼ均一な平坦化矯正力が得られ
る。このため平面度の悪いウェハ等を確実に矯正するこ
とができる。特に現在、生産現場で使われはじめた８イ
ンチ等の大口径ウェハにおいては、ウェハのそり量も大
きくなるため、本発明の構成を採用することで、確実な
平坦化、安定な受け渡し動作の両方を十分な精度で維持
することができる。
な面積を、従来のものと比較して大きく取れるととも
に、吸着力を発生しない部分が分散されているため、基
板の全面にわたってほぼ均一な平坦化矯正力が得られ
る。このため平面度の悪いウェハ等を確実に矯正するこ
とができる。特に現在、生産現場で使われはじめた８イ
ンチ等の大口径ウェハにおいては、ウェハのそり量も大
きくなるため、本発明の構成を採用することで、確実な
平坦化、安定な受け渡し動作の両方を十分な精度で維持
することができる。
第１図（Ａ）は本発明の実施例による吸着装置の載置台
の構成を示す平面図、第１図（Ｂ）は第１図（Ａ）の１
−Ｂ矢視断面を示す部分断面図、第２図（Ａ）は載置面
の一部分の構成を示す平面図、第２図（Ｂ）は第２図
（Ａ）の一部分の断面構造を示す断面図、第３図は載置
面の構造の他の例を示す平面図、第４図（Ａ）、第４図
（Ｂ）は従来の吸着装置の構造を示す平面図と部分断面
図である。 〔主要部分の符号の説明〕 Ｗ……ウェハ、WH……ウェハホルダー、 ５……載置面、７……センターアップ部、 10a、10b、10c……貫通穴、 14a、14b、14c……支持部材、 16……上下動機構、50、52……微小凸部、
の構成を示す平面図、第１図（Ｂ）は第１図（Ａ）の１
−Ｂ矢視断面を示す部分断面図、第２図（Ａ）は載置面
の一部分の構成を示す平面図、第２図（Ｂ）は第２図
（Ａ）の一部分の断面構造を示す断面図、第３図は載置
面の構造の他の例を示す平面図、第４図（Ａ）、第４図
（Ｂ）は従来の吸着装置の構造を示す平面図と部分断面
図である。 〔主要部分の符号の説明〕 Ｗ……ウェハ、WH……ウェハホルダー、 ５……載置面、７……センターアップ部、 10a、10b、10c……貫通穴、 14a、14b、14c……支持部材、 16……上下動機構、50、52……微小凸部、
Claims (4)
- 【請求項１】平坦化矯正すべき基板の外形とほぼ同形の
載置面を有し、該載置面の全面に局在化された凸部をほ
ぼ均等な分布で形成し、該局在化された凸部の囲りの凹
部を減圧することによって前記基板の裏面を前記複数の
凸部の上面で規定される基準面にならわせて吸着する載
置台を備えた装置であって、前記載置台には前記載置面
を貫通した複数の貫通穴が相互に離間して設けられ、前
記載置面に前記基板の裏面を接触させて載置するととも
に、前記基板の裏面を前記載置面から所定量だけ離すた
めに、前記複数の貫通穴の夫々に貫入して前記載置台と
相対的に上下動する複数の支持部材と；該複数の支持部
材の夫々の上端面に設けられ、前記基板が前記載置面か
ら離れているとき、前記基板の裏面を吸着する吸気孔と
を備えたことを特徴とする基板の吸着装置。 - 【請求項２】前記複数の貫通穴の夫々は、前記載置面の
ほぼ中央に設定された直径Ｌの円上の３ケ所にほぼ等角
度間隔で形成され、前記載置面は円形基板にあわせて直
径Ｄのほぼ円形に形成され、前記３ケ所の各貫通穴の径
寸法をＲとしたとき、 Ｄ＞Ｌ≧2R を満し、前記３ケ所の貫通穴で内包された領域及び各貫
通穴の間の領域に前記局在化された凸部の複数が形成さ
れていることを特徴とする請求項（１）記載の装置。 - 【請求項３】ステップアンドリピート方式でマスクのパ
ターンを感応基板の小領域の夫々に順次転写するため
に、該感応基板を保持して２次元的にステッピングする
可動ステージに前記吸着装置を設ける場合に、前記３ケ
所の貫通穴の夫々の位置する直径Ｌの円の最小径が前記
感応基板上の転写すべき小領域を含む程度の大きさに定
められていることを特徴とする請求項（２）記載の装
置。 - 【請求項４】前記３ケ所の貫通穴の夫々の面積を、前記
感応基板上に１回のステッピング時に転写し得る最大の
領域の面積よりも小さく定めたことを特徴とする請求項
（３）記載の装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63039206A JPH0831513B2 (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 | 基板の吸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63039206A JPH0831513B2 (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 | 基板の吸着装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01214042A JPH01214042A (ja) | 1989-08-28 |
| JPH0831513B2 true JPH0831513B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=12546661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63039206A Expired - Lifetime JPH0831513B2 (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 | 基板の吸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0831513B2 (ja) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6902616B1 (en) | 1995-07-19 | 2005-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method and apparatus for producing semiconductor device |
| US5923408A (en) * | 1996-01-31 | 1999-07-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate holding system and exposure apparatus using the same |
| JP2000100895A (ja) | 1998-09-18 | 2000-04-07 | Nikon Corp | 基板の搬送装置、基板の保持装置、及び基板処理装置 |
| US7717696B2 (en) * | 2000-07-18 | 2010-05-18 | Nanonex Corp. | Apparatus for double-sided imprint lithography |
| TW200303593A (en) * | 2002-02-19 | 2003-09-01 | Olympus Optical Co | Substrate sucking apparatus |
| JP3693972B2 (ja) | 2002-03-19 | 2005-09-14 | 富士通株式会社 | 貼合せ基板製造装置及び基板貼合せ方法 |
| KR101037057B1 (ko) | 2002-12-10 | 2011-05-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| EP3229077A1 (en) | 2003-04-09 | 2017-10-11 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus, and method for fabricating device |
| TWI511179B (zh) | 2003-10-28 | 2015-12-01 | 尼康股份有限公司 | 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法 |
| TWI519819B (zh) | 2003-11-20 | 2016-02-01 | 尼康股份有限公司 | 光束變換元件、光學照明裝置、曝光裝置、以及曝光方法 |
| TWI389174B (zh) | 2004-02-06 | 2013-03-11 | 尼康股份有限公司 | 偏光變換元件、光學照明裝置、曝光裝置以及曝光方法 |
| JP2005259870A (ja) * | 2004-03-10 | 2005-09-22 | Nikon Corp | 基板保持装置、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法 |
| US7583357B2 (en) * | 2004-11-12 | 2009-09-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| KR101544336B1 (ko) | 2005-05-12 | 2015-08-12 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영 광학계, 노광 장치 및 노광 방법 |
| WO2008065645A1 (en) * | 2006-11-27 | 2008-06-05 | Camtek Ltd. | A supporting system and a method for supporting an object |
| JP5267029B2 (ja) | 2007-10-12 | 2013-08-21 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
| US8379187B2 (en) | 2007-10-24 | 2013-02-19 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9116346B2 (en) | 2007-11-06 | 2015-08-25 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| CN114156223A (zh) * | 2021-12-27 | 2022-03-08 | 盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司 | 晶圆吸附装置 |
-
1988
- 1988-02-22 JP JP63039206A patent/JPH0831513B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01214042A (ja) | 1989-08-28 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |