JPH0821337B2 - Electron gun structure - Google Patents

Electron gun structure

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JPH0821337B2
JPH0821337B2 JP18932183A JP18932183A JPH0821337B2 JP H0821337 B2 JPH0821337 B2 JP H0821337B2 JP 18932183 A JP18932183 A JP 18932183A JP 18932183 A JP18932183 A JP 18932183A JP H0821337 B2 JPH0821337 B2 JP H0821337B2
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grid
electron gun
electron beam
halo
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拓 浦田
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/46Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
    • H01J29/48Electron guns
    • H01J29/50Electron guns two or more guns in a single vacuum space, e.g. for plural-ray tube
    • H01J29/503Three or more guns, the axes of which lay in a common plane

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は電子銃構体に係り、特にカラー受像管に使用
される3本の電子銃が一列に配設された所謂インライン
型電子銃構体に関するものである。
Description: TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to an electron gun assembly, and more particularly to a so-called in-line type electron gun assembly in which three electron guns used for a color picture tube are arranged in a line. Is.

〔発明の技術的背景とその問題点〕[Technical background of the invention and its problems]

第1図に示すようにカラー受像管(10)はパネル、フ
ァンネル及びネックからなるガラス外囲器(11)のネッ
ク内に封入された電子銃構体(12)から射出される複数
本の電子ビーム(13)をガラス外囲器(11)外の偏向装
置(14)により偏向走査し、シャドウマスク(15)に穿
設された多数の電子ビーム通過孔部を介して蛍光面(1
6)に射突させ、この蛍光面(16)にカラー映像を描か
せるようになっている。
As shown in FIG. 1, a color picture tube (10) has a plurality of electron beams emitted from an electron gun assembly (12) enclosed in a neck of a glass envelope (11) including a panel, a funnel and a neck. The deflecting device (14) outside the glass envelope (11) deflects and scans (13), and the fluorescent screen (1) is passed through a large number of electron beam passage holes formed in the shadow mask (15).
It is made to hit the 6) and a color image can be drawn on this fluorescent screen (16).

このようなカラー受像管(10)に使用される電子銃構
体(12)として、3本の電子銃が一列に配設された所謂
インライン型と呼ばれる構造の電子銃が一般的に用いら
れている。
As an electron gun assembly (12) used for such a color picture tube (10), an electron gun having a so-called in-line type in which three electron guns are arranged in a line is generally used. .

また偏向装置(14)の発生する偏向磁界は、水平偏向
磁界が強い糸巻状、垂直偏向磁界が強い樽状を呈する非
斉一磁界とし、画面周辺部で3本の電子ビーム(13)を
一致させる所謂セルフコンバーゼンス方式と呼ばれる磁
界分布を形成するのが一般的である。
The deflection magnetic field generated by the deflecting device (14) is a non-uniform magnetic field exhibiting a pincushion having a strong horizontal deflection magnetic field and a barrel having a strong vertical deflection magnetic field, and the three electron beams (13) are matched at the peripheral portion of the screen. It is common to form a so-called self-convergence magnetic field distribution.

このような偏向磁界中を電子ビーム(13)が通過する
と、電子ビーム(13)は偏向収差と呼ばれる歪を受け
る。この結果、画面周辺部で電子ビーム(13)の形状は
第2図に示すように著しく歪んだものとなる。
When the electron beam (13) passes through such a deflection magnetic field, the electron beam (13) undergoes distortion called deflection aberration. As a result, the shape of the electron beam (13) becomes significantly distorted in the peripheral portion of the screen as shown in FIG.

即ち、輝点は斜線で示すコア(23)とハロー(24)の
2つの成分により構成され、水平軸(X−X)端部(2
1)ではコア(23)が横長になり、垂直方向にハロー(2
4)が見られ、対角部(22)ではコア(23)が斜めに傾
き、このコア(23)の垂直方向にハロー(24)が見ら
れ、垂直軸(Y−Y)端部(25)ではコア(23)が横長
になり、垂直方向にハロー(24)が見られる。
That is, the bright spot is composed of two components, the core (23) and the halo (24), which are shown by diagonal lines, and the horizontal axis (XX) end (2
In 1) the core (23) becomes horizontally long and the halo (2
4) is seen, the core (23) is slanted in the diagonal part (22), the halo (24) is seen in the vertical direction of this core (23), and the vertical axis (YY) end (25 ), The core (23) becomes horizontally long, and the halo (24) is seen in the vertical direction.

このように、電子ビームの形状が歪んだものとなるた
め、画面周辺部では解像度が劣化し、フォーカスの均一
性が損なわれる。
As described above, since the shape of the electron beam is distorted, the resolution is deteriorated in the peripheral portion of the screen and the uniformity of focus is impaired.

次に従来最も一般的なバイポテンシャル型電子銃構体
について第3図により説明する。但し、この第3図は1
つの電子銃を模式図で示したものである。
Next, the most general bi-potential type electron gun structure of the related art will be described with reference to FIG. However, this FIG.
FIG. 2 is a schematic diagram showing two electron guns.

即ち、電子銃構体は陰極(30)、第1グリッド(3
1)、第2グリッド(32)、第3グリッド(33)及び第
4グリッド(34)が中心軸(35)上に順次配列された構
造に形成されている。このうち陰極(30)、第1グリッ
ド(31)、第2グリッド(32)は3極部と呼ばれ、第3
グリッド(33)と第4グリッド(34)間には主レンズ
(36)が形成される。
That is, the electron gun structure includes a cathode (30) and a first grid (3
1), the second grid (32), the third grid (33) and the fourth grid (34) are sequentially arranged on the central axis (35). Of these, the cathode (30), the first grid (31), and the second grid (32) are called the three-pole part, and the third
A main lens (36) is formed between the grid (33) and the fourth grid (34).

この様な電子銃構体において、例えば陰極(30)には
約150V、第1グリッド(31)は接地、第2グリッド(3
2)には600V、第3グリッド(33)には約5kV、第4グリ
ッド(34)には約25kVの電圧が夫々印加される。
In such an electron gun assembly, for example, the cathode (30) is about 150 V, the first grid (31) is grounded, and the second grid (3
Voltage of 600V is applied to 2), voltage of about 5kV is applied to the third grid (33), and voltage of about 25kV is applied to the fourth grid (34).

このような電圧の印加により、陰極(30)、第1グリ
ッド(31)及び第2グリッド(32)の3極部は電子ビー
ムの発生と主レンズ(36)に対する物点を形成し、この
3極部からの電子ビームは第3グリッド(33)と第4グ
リッド(34)により形成される主レンズ(36)により集
束され、蛍光面上に集束された電子ビームのスポットが
得られる。また第2グリッド(32)と第3グリッド(3
3)によりフォーカスレンズ(37)が形成される。この
フォーカスレンズ(37)は、主レンズ(36)に対して電
子ビームを予備集束する作用を有している。
By applying such a voltage, the three poles of the cathode (30), the first grid (31) and the second grid (32) form an electron beam and an object point for the main lens (36). The electron beam from the pole is focused by the main lens (36) formed by the third grid (33) and the fourth grid (34), and the focused electron beam spot is obtained on the fluorescent screen. The second grid (32) and the third grid (3
The focus lens (37) is formed by 3). The focus lens (37) has a function of pre-focusing the electron beam on the main lens (36).

このような電子銃構体から射出される電子ビームは主
レンズ(36)の集束作用により大4図に示すように、主
レンズ(36)の球面収差により蛍光面(16)より外側で
集束する特性即ちアンダーフォーカス特性を示すコア
(41)と、蛍光面(16)より内側で集束する特性即ちオ
ーバーフォーカス特性を示すハロー(42)の2つの構成
成分を有する電子ビームとなる。
The electron beam emitted from such an electron gun assembly is focused on the outside of the fluorescent screen (16) by the spherical aberration of the main lens (36) due to the focusing action of the main lens (36). That is, the electron beam has two components, a core (41) showing an underfocus characteristic and a halo (42) showing a characteristic of focusing inside the phosphor screen (16), that is, an overfocus characteristic.

この両成分のフォーカス状態は、主レンズ(36)の形
成状態により異なる。一般的には、画面の中心でコア
(41)とハロー(42)が重なるように第3グリッド(3
3)の電圧で調整される。
The focus state of these two components differs depending on the formation state of the main lens (36). Generally, the third grid (3) is arranged so that the core (41) and the halo (42) overlap at the center of the screen.
3) Adjusted by voltage.

しかし、画面周辺部に偏向されると、その偏向磁界の
偏向収差の影響により、画面周辺部では、コア(41)と
ハロー(42)とは精確には重なり合わず、第2図に示し
たように輝点部であるコア(23)のまわりに、にじみお
してのハロー(24)が現われることになる。
However, when it is deflected to the peripheral portion of the screen, the core (41) and the halo (42) do not precisely overlap each other in the peripheral portion of the screen due to the influence of the deflection aberration of the deflection magnetic field, and the result is shown in FIG. As shown in the figure, a halo (24) appears to bleed around the core (23), which is the bright spot.

この対策として、フォーカスの均一性を向上させるた
めに、電子銃内に非回転対称レンズを形成し、電子ビー
ムの形状を改良する構造が提案されている。
As a countermeasure against this, in order to improve the uniformity of focus, a structure is proposed in which a non-rotationally symmetric lens is formed in the electron gun to improve the shape of the electron beam.

その一例として第3グリッドの陰極側の垂直方向にス
リット状凹溝部が設置された電子銃構体を第5図の模式
図により説明する。
As an example thereof, an electron gun assembly in which slit-shaped concave groove portions are installed in the vertical direction on the cathode side of the third grid will be described with reference to the schematic view of FIG.

即ち、陰極(30)、第1グリッド(31)、第2グリッ
ド(32)、第3グリッド(33)、第4グリッド(34)か
らなる電子銃構体の第3グリッド(33)の第2グリッド
(32)に対する電子ビーム通過孔部(33a)を垂直方向
(Y−Y)に設けたスリット状凹溝部(50)内に設ける
ことにより、電子ビーム通過孔部(33a)近傍に垂直方
向の断面図である第5図(a)に示したように垂直方向
に肉薄部(51)、水平方向(X−X)の断面図である第
5図(b)に示すように水平方向に肉厚部(52)を形成
するようになる。従って、この部分での電界分布の形状
は垂直方向の電界分布(53)に比べて水平方向の電界分
布(54)が主レンズ(36)側に深く浸透し、その結果、
電子ビームの発散角は垂直方向よりも大きくなる。
That is, the second grid of the third grid (33) of the electron gun assembly including the cathode (30), the first grid (31), the second grid (32), the third grid (33), and the fourth grid (34). By providing the electron beam passage hole portion (33a) for the (32) in the slit-shaped concave groove portion (50) provided in the vertical direction (YY), a vertical cross section near the electron beam passage hole portion (33a). As shown in FIG. 5 (a), which is a drawing, a thin portion (51) is provided in the vertical direction, and as shown in FIG. 5 (b) which is a sectional view in the horizontal direction (XX), the thickness is provided in the horizontal direction. To form a part (52). Therefore, the shape of the electric field distribution in this portion is such that the horizontal electric field distribution (54) penetrates deeper into the main lens (36) side than the vertical electric field distribution (53), and as a result,
The divergence angle of the electron beam becomes larger than that in the vertical direction.

このように垂直方向と水平方向で発散角が異なる電子
ビームは主レンズ(36)に入射する際に発散角の小さい
垂直成分は主レンズ(36)内側に入射する。そして内側
に入射した垂直成分は主レンズ(36)の球面収差によ
り、その集束位置が主レンズ(36)の外側を通る水平成
分の集束位置より離された位置となる。その結果、電子
ビームのコアは蛍光面(16)上で例えば垂直偏向時には
垂直方向に長くなり、偏向収差によう水平方向に長くな
る現象に対処している。
Thus, when the electron beam having different divergence angles in the vertical direction and the horizontal direction enters the main lens (36), the vertical component having a small divergence angle enters the inside of the main lens (36). Then, due to the spherical aberration of the main lens (36), the vertical component incident on the inner side has its focus position separated from the focus position of the horizontal component passing outside the main lens (36). As a result, the electron beam core on the phosphor screen (16) becomes longer in the vertical direction during vertical deflection, for example, and copes with the phenomenon that the core becomes longer in the horizontal direction like deflection aberration.

このことを電子ビームのハローについて説明すると、
ハローについても同様に集束位置は垂直方向成分の方が
水平方向成分に比べて主レンズ(36)から離れた位置に
あるが、ハローはオーバーフォーカス特性を呈するため
に蛍光面(16)上で例えば垂直偏向時には、垂直方向が
短くなるようになる。これは垂直方向に出るハローを抑
えることになる。
If you explain this to the electron beam halo,
Similarly for the halo, the vertical position of the halo is more distant from the main lens (36) than that of the horizontal component, but the halo exhibits an overfocus characteristic, so that for example on the fluorescent screen (16) At the time of vertical deflection, the vertical direction becomes shorter. This will suppress the vertical halo.

以上の原理より非回転対称レンズを用いれば、電子ビ
ームの歪を補正でき、かつにじみを小さくすることがで
きる。
By using the non-rotationally symmetric lens based on the above principle, the distortion of the electron beam can be corrected and the bleeding can be reduced.

しかしながら非回転対称レンズを3本の電子ビームに
対して同じ構成で用いると次のような問題が生ずる。
However, if the non-rotationally symmetric lens is used with the same configuration for three electron beams, the following problems occur.

即ち、インライン型に配列された3本の電子銃から射
出される3本の電子ビームは、管軸近傍を通り、3電子
ビームの中央に位置するセンタービームとその両側に位
置するサイドビームとからなるが、電子ビームの歪みの
原因である偏向収差、すなわち偏向磁界の歪の状態は3
本の電子ビームの通過位置によって異なる。そのために
3本の電子ビームの歪の状態は同一ではない。このよう
に歪の異なる3本の電子ビームに対して同じ構成の非回
転対称レンズを用いて偏向収差の歪を補正するのは適当
でない。
That is, the three electron beams emitted from the three electron guns arranged in an in-line type pass through the vicinity of the tube axis and are divided into a center beam located at the center of the three electron beams and side beams located on both sides thereof. However, the deflection aberration that causes the distortion of the electron beam, that is, the distortion state of the deflection magnetic field is 3
It depends on the passing position of the electron beam of the book. Therefore, the distortion states of the three electron beams are not the same. As described above, it is not appropriate to correct the distortion of the deflection aberration by using the non-rotationally symmetric lens having the same structure for the three electron beams having different distortions.

このことを第6図を用いて説明すると、強い樽形を示
す垂直磁界(60)中をインライン型に配設された電子ビ
ーム(61),(62),(63)が通過する場合、3本の電
子ビームはその通過位置が異なるため、磁界分布の状態
が違う場所を通り、偏向磁界より受ける力(64),(6
5),(66)の大きさと方向が異なる。そのため、蛍光
面(16)では電子ビームは第7図に示すような形状とな
り、コア(71)やハロー(72)の大きさ、形状が異なっ
たものとなる。即ちサイドビームはコア、ハローとも垂
直方向長がセンタービームに比べて大きくなる。
Explaining this with reference to FIG. 6, when the electron beams (61), (62), (63) arranged in an in-line type pass through the vertical magnetic field (60) showing a strong barrel shape, 3 Since the electron beam of the book has different passing positions, it passes through the place where the magnetic field distribution is different and the force (64), (6
The sizes and directions of 5) and (66) are different. Therefore, the electron beam has a shape as shown in FIG. 7 on the fluorescent screen (16), and the core (71) and the halo (72) have different sizes and shapes. That is, the side beam has a larger vertical length in both the core and the halo than the center beam.

実際の測定によって得られた垂直偏向された電子ビー
ムのコアとハローの垂直軸方向長を第1表に示す。ただ
し測定条件はインライン型電子銃構体と非斉一磁界を生
じるセルフコンバーゼンス方式の偏向ヨークを用いて陰
極電流4mA、陽極電圧25kVとした。
Table 1 shows the vertical axial lengths of the core and the halo of the vertically deflected electron beam obtained by the actual measurement. However, the measurement conditions were a cathode current of 4 mA and an anode voltage of 25 kV using an in-line type electron gun structure and a self-convergence type deflection yoke that generates a non-uniform magnetic field.

第1表から明らかなように、偏向収差による影響がセ
ンタービーム(G)とサイドビーム(R),(B)とで
は異なり、電子ビームの垂直方向長はコアで0.5mm、ハ
ローで0.35mmのサイドビームの平均値の方がセンタービ
ームより大きくなっている。
As is clear from Table 1, the influence of deflection aberration is different between the center beam (G) and side beams (R) and (B), and the vertical length of the electron beam is 0.5 mm at the core and 0.35 mm at the halo. The average value of the side beam is larger than that of the center beam.

このような偏向収差により垂直方向長の異なった3本
の電子ビームに対して同じ構成による非回転対称レンズ
を用いると、非回転対称レンズは電子ビームのコアを縦
長にする作用があるために、偏差収差により垂直方向に
長くなったサイドビームはセンタービームと同じ比率だ
け大きくなるとしても、実際の蛍光面上での垂直方向の
差はより大きくなる。
When a non-rotationally symmetric lens having the same configuration is used for three electron beams having different vertical lengths due to such deflection aberration, the non-rotationally symmetric lens has an action of making the core of the electron beam vertically long. Even if the side beam lengthened in the vertical direction due to the deviation aberration is increased by the same ratio as the center beam, the difference in the vertical direction on the actual fluorescent screen becomes larger.

この非回転対称レンズを用いた場合について実際の測
定によって得られた垂直偏向された電子ビームのコアと
ハローの垂直方向長を第2表に示す。測定条件は第1表
と同様である。なお、第2表では第3グリッドの陰極側
に0.3mm幅の縦方向(垂直方向)のスリットを形成した
インライン型電子銃構体を使用した。
Table 2 shows the vertical lengths of the core and the halo of the vertically deflected electron beam obtained by actual measurement in the case of using this non-rotationally symmetric lens. The measurement conditions are the same as in Table 1. In Table 2, an in-line type electron gun assembly was used in which a slit of 0.3 mm width in the vertical direction (vertical direction) was formed on the cathode side of the third grid.

第2表から明らかなように偏向収差による影響はセン
タービーム(G)とサイドビーム(R),(B)とで一
層異なり、コアで1.45mm、ハローで1.7mmになる。
As is clear from Table 2, the influence of the deflection aberration is further different between the center beam (G) and the side beams (R) and (B), which is 1.45 mm at the core and 1.7 mm at the halo.

一方非回転対称レンズの長所であるハローの垂直方向
長を抑える効果については、第1表及び第2表を比較す
ると、第1表では3電子ビーム平均でハローが8.4mm、
コアが4.6mmなのに対して、非回転対称レンズを用いた
第2表ではハローが7.3mm、コアが5.5mmである。
On the other hand, regarding the effect of suppressing the vertical length of the halo, which is an advantage of the non-rotationally symmetric lens, comparing Tables 1 and 2, Table 1 shows that the average halo of three electron beams is 8.4 mm,
While the core is 4.6 mm, in Table 2 using a non-rotationally symmetric lens, the halo is 7.3 mm and the core is 5.5 mm.

上述のように3電子ビームに対して同じ構成よりなる
非回転対称レンズを用いて非斉一磁界の偏向収差による
電子ビームの形状の歪や大きさを改善する構造では、電
子ビームの垂直方向の大きさがセンタービームとサイド
ビームとで著しく異なる。しかもこれを改善する有効な
対策は未だ見出されていない現状である。
As described above, in the structure for improving the distortion and size of the shape of the electron beam due to the deflection aberration of the non-uniform magnetic field by using the non-rotationally symmetric lens having the same configuration for the three electron beams, the size of the electron beam in the vertical direction is increased. Is significantly different between the center beam and the side beam. Moreover, effective measures to improve this have not yet been found.

〔発明の目的〕[Object of the Invention]

本発明は上述した問題点に鑑みなされたものであり、
陰極及び複数のグリッドから構成され、少なくとも1ヶ
所に非回転対称レンズを有する電子銃が3個一列に配設
されてなる電子銃構体に於て、この非回転対称レンズを
中央及び両側の電子銃で異ならしめることにより、これ
ら電子銃からの電子ビームの大きさ、形状の差異を少く
することが可能な電子銃構体を提供することを目的とし
ている。
The present invention has been made in view of the above problems,
An electron gun structure comprising three cathodes and a plurality of grids, each having at least one non-rotationally symmetric lens arranged in a row. It is an object of the present invention to provide an electron gun assembly capable of reducing the difference in size and shape of electron beams from these electron guns by making them different from each other.

〔発明の概要〕[Outline of Invention]

即ち、本発明は陰極及び複数のグリッドから構成さ
れ、陰極から射出される電子ビームを少なくとも1ヶ所
の非回転対称レンズを介して螢光面に射突するようにな
された電子銃を中央及び両側に一列に配設されてなる電
子銃構体において、非回転対称レンズが中央及び両側の
電子銃の配列方向と直角方向に設けられた電子ビーム通
過孔部を含む凹溝部により形成され、凹溝部の深さが中
央の電子銃と両側の電子銃とで異なっていることを特徴
とする電子銃構体であり、両側の電子銃の凹溝部の深さ
に比し中央側の電子銃の凹溝部の深さが浅いこと、非回
転対称レンズを形成する電子ビーム通過孔部を含む凹溝
部が第3グリッドの陰極側に設けられていることを実施
態様としており、このような構成にすることにより、中
央の電子銃からのセンタービームと両側の電子銃からの
サイドビームの偏向収差の影響度合に応じて垂直方向と
水平方向の集束作用を異ならせることにより3本の電子
ビームの大きさ、形状を等しくして画面全体の解像度を
向上させようとするものである。
That is, the present invention comprises an electron gun which is composed of a cathode and a plurality of grids, and which is configured to project an electron beam emitted from the cathode onto a fluorescent surface through at least one non-rotationally symmetric lens in the center and both sides. In the electron gun assembly that is arranged in a row, the non-rotationally symmetric lens is formed by a concave groove portion including an electron beam passage hole portion that is provided in a direction orthogonal to the arrangement direction of the electron guns at the center and both sides. The depth of the electron gun is different between the electron gun in the center and the electron guns on both sides, and the depth of the groove in the electron gun on the center side is greater than the depth in the groove in the electron gun on both sides. The embodiment is that the depth is shallow, and the concave groove portion including the electron beam passage hole portion forming the non-rotationally symmetric lens is provided on the cathode side of the third grid. Sen from the central electron gun The vertical and horizontal focusing actions are made different according to the degree of influence of the deflection aberration of the beam and the side beams from the electron guns on both sides, so that the size and shape of the three electron beams are made equal and the resolution of the entire screen is improved. Is to improve.

〔発明の実施例〕Example of Invention

次に本発明の電子銃構体の一実施例を第8図及び第9
図により説明する。
Next, an embodiment of the electron gun assembly of the present invention is shown in FIGS.
It will be described with reference to the drawings.

即ち、電子銃構体(81)はそれぞれヒータ(82)を内
装する一列に配設された3個の陰極(83)に対応する位
置に電子ビーム通過孔部の穿設された第1グリッド(8
4)、第2グリッド(85)、第3グリッド(86)、第4
グリッド(87)及びコンバーゼンス電極(88)が図示し
ない絶縁支持棒にそれぞれの植設部を介して互いに所定
間隔をもつように固定されている。このうち、第1グリ
ッド(84)及び第2グリッド(85)はほぼ平板状電極、
第3グリッド(86)は2個のカップ状電極(86a),(8
6b)、第4グリッド(87)、コンバーゼンス電極(88)
はそれぞれカップ状電極から構成され、3本の電子ビー
ム(89a),(89b),(89c)を射出するようになって
いるのは良く知られているバイポテンシャル型一体化イ
ンライン電子銃構体とほぼ同様な構造であるが、本実施
例においては第3グリッド(86)のカップ状電極(86
a)の陰極(84)側に中央及び両側の電子銃の配列方向
(水平方向)と直角(垂直)方向に電子ビーム通過孔部
(90a),(90b),(90c)を含むスリット状凹溝部(9
1a),(91b),(91c)が設けられ、かつセンタービー
ム(89b)を射出する中央の電子銃のスリット状凹溝部
(91b)の深さがサイドビーム(89a),(89c)を射出
する両側の電子銃のスリット状凹溝部(91a),(91c)
の深さよりも浅く形成されていることを特徴としてい
る。
That is, the electron gun assembly (81) has a first grid (8) having electron beam passage holes at positions corresponding to the three cathodes (83) arranged in a row, each containing a heater (82).
4), 2nd grid (85), 3rd grid (86), 4th
The grid (87) and the convergence electrode (88) are fixed to an insulating support rod (not shown) so as to have a predetermined distance from each other through their respective implantation portions. Of these, the first grid (84) and the second grid (85) are substantially flat electrodes,
The third grid (86) has two cup-shaped electrodes (86a), (8
6b), 4th grid (87), convergence electrode (88)
Are composed of cup-shaped electrodes, respectively, and are configured to emit three electron beams (89a), (89b), and (89c) with a well-known bipotential integrated in-line electron gun assembly. Although the structure is almost the same, the cup-shaped electrode (86) of the third grid (86) is used in this embodiment.
The slit-shaped recess including the electron beam passage holes (90a), (90b), (90c) in the direction (horizontal direction) perpendicular to the arrangement direction (horizontal direction) of the electron guns on the cathode (84) side of (a). Groove (9
1a), (91b), (91c) are provided, and the depth of the slit-like groove (91b) of the central electron gun that emits the center beam (89b) emits the side beams (89a), (89c) Slit-shaped concave grooves (91a) and (91c) of the electron gun on both sides
It is characterized by being formed shallower than the depth of.

この様な構成による非回転対称レンズによれば、セン
タービーム(89b)のハローに比較し、サイドビーム(8
9a),(89c)のハローが垂直方向に長いという従来の
非回転対称レンズに対して、両側の電極の非回転対称レ
ンズを形成するスリット状凹溝部(91a),(91c)を中
央の電子銃の非回転対称レンズを形成するスリット状凹
溝部(91b)より深くすることにより、両側の電子銃で
はカップ状電極(86a)内に浸入する浸透電界はより陰
極(83)側で抑えられるため、浸透電界による電子ビー
ムの発散角が小さくなり、主レンズへの入射位置は球面
収差の小さい内側を通過することになる。その結果サイ
ドビーム(89a),(89c)の垂直方向成分の集束位置は
オーバーフォーカス特性を呈する。ハロー成分について
は、より蛍光面へ移動し、サイドビームのハローの縦方
向長を小さくすることができる。
According to the non-rotationally symmetric lens having such a configuration, compared to the halo of the center beam (89b), the side beam (8b
9a) and (89c) have a long halo in the vertical direction, which is different from the conventional non-rotationally symmetric lens. By making it deeper than the slit-like groove (91b) that forms the non-rotationally symmetric lens of the gun, the penetrating electric field that penetrates into the cup-shaped electrode (86a) in the electron guns on both sides is further suppressed at the cathode (83) side. The divergence angle of the electron beam due to the permeation electric field becomes small, and the incident position on the main lens passes through the inside where the spherical aberration is small. As a result, the focus positions of the vertical components of the side beams (89a) and (89c) exhibit overfocus characteristics. With regard to the halo component, the halo component can be further moved to the phosphor screen, and the vertical length of the halo of the side beam can be reduced.

この原理から中央の電子銃に対して両側の電子銃のス
リット状凹溝部の深さを深くすれば、センタービームと
サイドビームの垂直偏向磁界による偏向収差の影響の度
合を加味した電子ビームの補正が可能となる。実際の設
計値としてはスリット状凹溝部の深さを中央の電子銃で
0.3mm、両側の電子銃で0.45mm〜0.6mm程度にしたとき、
好結果が得られた。
Based on this principle, if the depth of the slit-shaped grooves of the electron guns on both sides of the central electron gun is made deeper, the electron beam correction that takes into account the degree of deflection aberration due to the vertical deflection magnetic fields of the center beam and side beams Is possible. As an actual design value, the depth of the slit-like groove is
0.3mm, with electron guns on both sides of 0.45mm to 0.6mm,
Good results were obtained.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

上述のように本発明によれば、画面周辺部での3本の
電子ビーム形状の歪の差によるフォーカスの不均一を改
善することができるし、また構造も比較的簡単である。
As described above, according to the present invention, it is possible to improve the non-uniformity of the focus due to the difference in the distortion of the shapes of the three electron beams in the peripheral portion of the screen, and the structure is relatively simple.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図はカラー受像管の構成を示す概略説明用断面図、
第2図は蛍光面上の電子ビーム形状を示す説明用平面
図、第3図はバイポテンシャル型電子銃の構成を示す説
明用模式図、第4図は第3図における主レンズからの電
子ビームの軌跡を示す説明用模式図、第5図は非回転対
称レンズによる効果を示す図であり、第5図(a)は電
子ビームの垂直方向成分を示す説明図、第5図(b)は
電子ビームの水平方向成分を示す説明図、第5図(c)
は第5図(a)及び第5図(b)の第3グリッドの陰極
側に設けられたスリット状凹溝部を示す一部拡大斜視
図、第6図は樽状の非斉一な垂直磁界中で3本の電子ビ
ームが受ける力を示す説明用模式図、第7図は第6図の
電子ビームの蛍光面上の形状を示す平面図、第8図及び
第9図は本発明の電子銃構体の一実施例を示す図であ
り、第8図はバイポテンシャル型一体化インライン電子
銃構体の説明用断面図、第9図(a)は第3グリッドを
構成する陰極側のカップ状電極を示す斜視図、第9図
(b)は第3グリッドを構成する陰極側のカップ状電極
を示す側面図である。 12…電子銃、13,41,43…電子ビーム 14…偏向装置、15…シャドウマスク 16…蛍光面、23…コア 24…ハロー、30,83…陰極 31,84…第1グリッド、32,85…第2グリッド 33,86…第3グリッド、34,87…第4グリッド 36…主レンズ、37…フォーカスレンズ 33a,90a,90b,90c…電子ビーム通過孔部 50,91a,91b,91c…スリット状凹溝部
FIG. 1 is a schematic sectional view showing the structure of a color picture tube,
2 is an explanatory plan view showing the electron beam shape on the fluorescent screen, FIG. 3 is an explanatory schematic diagram showing the structure of a bipotential type electron gun, and FIG. 4 is an electron beam from the main lens in FIG. 5 is a schematic diagram for explaining the locus of FIG. 5, FIG. 5 is a diagram showing the effect of the non-rotationally symmetric lens, FIG. 5 (a) is an explanatory diagram showing the vertical component of the electron beam, and FIG. 5 (b) is Explanatory drawing showing the horizontal direction component of the electron beam, FIG. 5 (c)
Is a partially enlarged perspective view showing a slit-shaped groove provided on the cathode side of the third grid in FIGS. 5 (a) and 5 (b), and FIG. 6 is in a barrel-shaped non-uniform vertical magnetic field. 6 is a schematic view for explaining the force received by the three electron beams, FIG. 7 is a plan view showing the shape of the electron beam on the fluorescent surface of FIG. 6, and FIGS. 8 and 9 are electron guns of the present invention. FIG. 8 is a view showing an example of the structure, FIG. 8 is a sectional view for explaining a bipotential type integrated in-line electron gun structure, and FIG. 9 (a) is a cup-shaped electrode on the cathode side forming the third grid. FIG. 9B is a side view showing the cup-shaped electrode on the cathode side which constitutes the third grid. 12 ... electron gun, 13,41,43 ... electron beam 14 ... deflecting device, 15 ... shadow mask 16 ... phosphor screen, 23 ... core 24 ... halo, 30,83 ... cathode 31,84 ... first grid, 32,85 … Second grid 33,86… Third grid, 34,87… Fourth grid 36… Main lens, 37… Focus lens 33a, 90a, 90b, 90c… Electron beam passage hole 50,91a, 91b, 91c… Slit Groove

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】陰極及び複数のグリッドから構成され、前
記陰極から射出される電子ビームを少なくとも1ヶ所の
非回転対称レンズを介して螢光面に射突するようになさ
れた電子銃が中央及び両側に一列に配設されてなる電子
銃構体において、前記非回転対称レンズが中央及び両側
の電子銃の配列方向と直角方向に設けられた電子ビーム
通過孔部を含む凹溝部により形成され、前記凹溝部の深
さを前記中央の電子銃と前記両側の電子銃とで異ならし
めたことを特徴とする電子銃構体。
1. An electron gun comprising a cathode and a plurality of grids, wherein an electron beam emitted from the cathode is projected onto a fluorescent surface through at least one non-rotationally symmetric lens in the center and In an electron gun assembly arranged in a row on both sides, the non-rotationally symmetric lens is formed by a concave groove portion including an electron beam passage hole portion provided in the center and in a direction orthogonal to the arrangement direction of the electron guns on both sides, An electron gun assembly characterized in that the depth of the groove is different between the electron gun in the center and the electron guns on both sides.
【請求項2】前記両側の電子銃の凹溝部の深さに比し前
記中央側の電子銃の凹溝部の深さが浅いことを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の電子銃構体。
2. The electron gun assembly according to claim 1, wherein the depth of the concave groove portion of the central electron gun is shallower than the depth of the concave groove portions of the electron guns on both sides. .
【請求項3】前記非回転対称レンズを形成する電子ビー
ム通過孔部を含む凹溝部が第3グリッドの陰極側に設け
られていることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の電子銃構体。
3. The electron gun according to claim 1, wherein a concave groove portion including an electron beam passage hole portion forming the non-rotationally symmetric lens is provided on the cathode side of the third grid. Structure.
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