JPH08181118A - Plasma processor - Google Patents
Plasma processorInfo
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- JPH08181118A JPH08181118A JP6323353A JP32335394A JPH08181118A JP H08181118 A JPH08181118 A JP H08181118A JP 6323353 A JP6323353 A JP 6323353A JP 32335394 A JP32335394 A JP 32335394A JP H08181118 A JPH08181118 A JP H08181118A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、エッチング装置、ＣＶ
Ｄ装置、その他、ウェーハ等の試料をプラズマを用いて
処理するプラズマ処理装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to an etching device, a CV
The present invention relates to a plasma processing apparatus for processing a sample such as a D device and a wafer using plasma.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）装置等
のプラズマ処理装置は、プラズマを用いて試料を処理す
ることにより化学反応を速く進行させることから処理効
率や処理品質が高く、半導体製造装置等の分野ですでに
工業的に定着している。2. Description of the Related Art A plasma processing apparatus such as an RIE (Reactive Ion Etching) apparatus has a high processing efficiency and processing quality because a chemical reaction is rapidly advanced by processing a sample using plasma, and thus a semiconductor manufacturing apparatus such as a semiconductor manufacturing apparatus. Already industrially established in the field.
【０００３】例えば、プラズマエッチング装置は、図３
に示すように、チャンバ（図示せず）内に充填されたエ
ッチングガスを、高周波電源２１によりグロー放電させ
ることで発生したプラズマによりウェーハ２２をエッチ
ングするようになっている。ウェーハ２２は、チャンバ
内に固定された下部電極２３上に絶縁膜２４を介して載
置されている。For example, a plasma etching apparatus is shown in FIG.
As shown in FIG. 5, the wafer 22 is etched by the plasma generated by glow discharge of the etching gas filled in the chamber (not shown) by the high frequency power source 21. The wafer 22 is placed on the lower electrode 23 fixed in the chamber via the insulating film 24.
【０００４】このプラズマエッチング装置では、プラズ
マの発生に伴って生じるウェーハ２２の自己バイアス電
圧と、直流電源２５から下部電極２３に印加される直流
電圧とにより静電気力を発生させて、ウェーハ２２を下
部電極２３上に吸着保持するようになっている。ウェー
ハ２２に静電気力を作用させる際には、高周波電源２１
と直流電源２５とのそれぞれの通電路を開閉するスイッ
チ２６が同時に投入される。このときの直流電圧および
高周波電力は、通常、図４に示すように矩形波状にＯＮ
される。In this plasma etching apparatus, an electrostatic force is generated by the self-bias voltage of the wafer 22 generated by the generation of plasma and the DC voltage applied from the DC power supply 25 to the lower electrode 23, and the wafer 22 is lowered. It is adapted to be adsorbed and held on the electrode 23. When applying electrostatic force to the wafer 22, the high frequency power source 21
The switches 26 for opening and closing the respective energization paths of the DC power supply 25 and the DC power supply 25 are simultaneously turned on. At this time, the DC voltage and the high frequency power are normally turned on in a rectangular wave as shown in FIG.
To be done.
【０００５】また、上記のプラズマエッチング装置で
は、直流電圧を計測するための計測アンプ２７が設けら
れている。この計測アンプ２７は、直流電源２５の接地
側電極に直列に接続された抵抗２８の両端の電位差を計
測するようになっている。Further, the above plasma etching apparatus is provided with a measuring amplifier 27 for measuring a DC voltage. The measurement amplifier 27 is configured to measure the potential difference between both ends of the resistor 28 connected in series to the ground side electrode of the DC power supply 25.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記の構成
では、ウェーハ２２、下部電極２３および絶縁膜２４に
よりコンデンサが形成されているので、上記のように瞬
時に直流電圧が立ち上がると、図４に示すように、コン
デンサの充電電流として過大な突入電流が流れる。この
ため、計測アンプ２７に過大な電圧が入力され、計測ア
ンプ２７が損傷するおそれがある。この現象は、高周波
電力と直流電圧とをＯＮするタイミングを変化させても
同様に生じる。また、上記のような突入電流により、絶
縁膜２４に電気的な劣化が生じて絶縁膜２４の寿命を縮
めるという不都合もある。However, in the above configuration, since the capacitor is formed by the wafer 22, the lower electrode 23 and the insulating film 24, when the DC voltage instantly rises as shown in FIG. As shown, an excessive inrush current flows as the charging current of the capacitor. Therefore, an excessive voltage is input to the measurement amplifier 27, which may damage the measurement amplifier 27. This phenomenon also occurs when the timing of turning on the high frequency power and the direct current voltage is changed. Further, there is a disadvantage that the rush current as described above causes electrical deterioration of the insulating film 24 and shortens the life of the insulating film 24.
【０００７】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
のであって、突入電流を抑えることにより、計測回路や
絶縁膜を保護することを目的としている。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to protect a measurement circuit and an insulating film by suppressing an inrush current.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマ処理装
置は、絶縁膜を介して電極上に載置されたウェーハ等の
被処理物を、その電極に高周波電力が付与されることに
より生成されたプラズマにて処理するとともに、プラズ
マ発生により上記被処理物に生じた自己バイアス電圧に
て発生した静電気力および上記電極に直流電圧が印加さ
れることにより発生した静電気力にて上記電極上に吸着
保持するプラズマ処理装置において、上記の課題を解決
するために、次の二つの異なる構成を採用していること
を特徴としている。The plasma processing apparatus of the present invention is produced by applying a high frequency power to an electrode to be processed such as a wafer placed on the electrode through an insulating film. And is attracted to the electrode by the electrostatic force generated by the self-bias voltage generated on the object to be processed by the plasma generation and the electrostatic force generated by applying the DC voltage to the electrode. The plasma processing apparatus to be held is characterized by adopting the following two different configurations in order to solve the above problems.
【０００９】まず、第１の構成は、電源の投入時に直流
電圧を時間の経過とともに上昇させる制御手段を備えて
いる。First, the first structure is provided with control means for increasing the DC voltage with the passage of time when the power is turned on.
【００１０】また、第２の構成は、電源の投入時に直流
電圧および高周波電力を時間の経過とともに上昇させる
制御手段を備えている。The second configuration also includes control means for increasing the DC voltage and the high frequency power with the passage of time when the power is turned on.
【００１１】[0011]
【作用】上記の第１の構成では、制御手段により、電源
投入時に直流電圧を時間の経過とともに上昇させるの
で、被処理物、電極および絶縁膜により構成されるコン
デンサに過大な充電電流が流れ込むことがなくなる。こ
れにより、突入電流を減少させることが可能になり、計
測回路等に突入電流による影響が及ぶことを防止でき
る。In the above first structure, the control means causes the DC voltage to rise with the passage of time when the power is turned on, so that an excessive charging current may flow into the capacitor composed of the object to be processed, the electrode and the insulating film. Disappears. This makes it possible to reduce the inrush current and prevent the measurement circuit and the like from being affected by the inrush current.
【００１２】主に直流電圧が急激に立ち上がることによ
り突入電流が流れることから、上記の第１の構成では直
流電圧を徐々に立ち上げて突入電流の発生を抑えている
が、高周波電力の付与によっても少ないながら突入電流
が生じる。これに対し、上記の第２の構成では、直流電
圧に加えて高周波電力も制御手段により時間の経過とと
もに上昇させているので、より突入電流の減少を図るこ
とができる。Since the rush current flows mainly due to the sudden rise of the DC voltage, the DC voltage is gradually raised to suppress the generation of the rush current in the above-mentioned first configuration, but by applying the high frequency power. Inrush current occurs although it is small. On the other hand, in the above-described second configuration, in addition to the DC voltage, the high-frequency power is also increased by the control means over time, so that the inrush current can be further reduced.
【００１３】[0013]
【実施例】本発明の一実施例について図１に基づいて説
明すれば、以下の通りである。EXAMPLE An example of the present invention will be described below with reference to FIG.
【００１４】本実施例に係るプラズマエッチング装置
は、処理室として図示しないチャンバを備えており、こ
のチャンバは、真空引きがなされるとともに、ガス導入
口から導入されるエッチングガスで満たされるようにな
っている。このチャンバは、アノードとしての機能を有
しており、接地されている。The plasma etching apparatus according to the present embodiment is provided with a chamber (not shown) as a processing chamber. The chamber is evacuated and is filled with the etching gas introduced from the gas inlet. ing. This chamber has a function as an anode and is grounded.
【００１５】また、本プラズマエッチング装置は、電極
としての下部電極１を備えている。この下部電極１は、
上記のチャンバ内に配置されており、中央部に上下に貫
通する穴１ａが形成され、その内周面が円筒状の絶縁体
２により覆われている。Further, the plasma etching apparatus has a lower electrode 1 as an electrode. This lower electrode 1 is
The hole 1a is arranged in the above-mentioned chamber and vertically penetrates in the central portion, and the inner peripheral surface thereof is covered with the cylindrical insulator 2.
【００１６】また、下部電極１の上端面には、その径よ
り小さい径の絶縁膜３が設けられている。この絶縁膜３
は、絶縁体２の内径にほぼ等しい穴３ａを中央部に有
し、上端面に被処理物としてのウェーハ４が載置される
ようになっている。An insulating film 3 having a diameter smaller than that of the lower electrode 1 is provided on the upper end surface of the lower electrode 1. This insulating film 3
Has a hole 3a substantially equal to the inner diameter of the insulator 2 in the center, and a wafer 4 as an object to be processed is placed on the upper end surface.
【００１７】下部電極１の下端面における穴１ａの開口
部周囲には、上下方向に伸縮するベローズ５が取り付け
られている。ベローズ５は、内部がチャンバ内と同様に
大気に対して気密状態となるように設けられる一方、底
面部５ａが絶縁体（図示せず）を介してエアシリンダ
（図示せず）により上下方向に駆動されるようになって
いる。また、底面部５ａ上には、搬送アーム（図示せ
ず）による搬送位置にウェーハ４を昇降させるペディス
タル６が固定されている。A bellows 5 which expands and contracts in the vertical direction is attached around the opening of the hole 1a in the lower end surface of the lower electrode 1. The bellows 5 is provided so that the inside thereof is airtight to the atmosphere similarly to the inside of the chamber, while the bottom surface portion 5a is vertically moved by an air cylinder (not shown) via an insulator (not shown). It is designed to be driven. A pedestal 6 for raising and lowering the wafer 4 is fixed to the bottom surface 5a at a transfer position by a transfer arm (not shown).
【００１８】下部電極１には、可変出力の高周波電源７
が、マッチングネットワーク（図示せず）を介して接続
されるとともに、この高周波電源７と並列に設けられた
可変出力の直流電源８が接続されている。また、直流電
源８と下部電極１との間には、高周波電源７からの高周
波の阻止およびウェーハ４のバイアス電圧を測定する目
的でＬＣ回路９が設けられている。The lower electrode 1 has a variable output high frequency power supply 7
Are connected via a matching network (not shown), and a variable output DC power supply 8 provided in parallel with the high frequency power supply 7 is connected. Further, an LC circuit 9 is provided between the DC power source 8 and the lower electrode 1 for the purpose of blocking the high frequency from the high frequency power source 7 and measuring the bias voltage of the wafer 4.
【００１９】直流電源８の負極側には抵抗１０が接続さ
れており、この抵抗１０と直流電源８との接続点は、計
測アンプ１１の入力端子に接続されている。計測アンプ
１１は、演算増幅器等により形成されており、抵抗１０
の両端の電位差により直流電圧を計測するようになって
いる。A resistor 10 is connected to the negative side of the DC power source 8, and the connection point between the resistor 10 and the DC power source 8 is connected to the input terminal of the measurement amplifier 11. The measurement amplifier 11 is formed by an operational amplifier or the like, and has a resistance 10
The DC voltage is measured by the potential difference between the two ends.
【００２０】上記の高周波電源７と下部電極１との間に
はスイッチ１２が設けられ、上記の直流電源８の正極側
とＬＣ回路９との間にはスイッチ１３が設けられてい
る。これらのスイッチ１２・１３は、制御装置１４によ
り制御され、同時にＯＮ／ＯＦＦするようになってい
る。制御装置１４は、本プラズマエッチング装置の動作
を制御する装置であり、計測アンプ１１の出力を監視し
て、プラズマ処理にフィードバックするようになってい
る。また、制御装置１４は、高周波電源７の高周波電力
および直流電源８の直流電圧を、後述するように、電源
投入時に指数関数的に上昇させるとともに、電源遮断時
に指数関数的に低下させるようになっており、制御手段
としての機能を有している。A switch 12 is provided between the high frequency power supply 7 and the lower electrode 1, and a switch 13 is provided between the positive electrode side of the DC power supply 8 and the LC circuit 9. These switches 12 and 13 are controlled by the control device 14 and are turned on / off at the same time. The control device 14 is a device that controls the operation of the present plasma etching apparatus, and monitors the output of the measurement amplifier 11 and feeds it back to the plasma processing. Further, the control device 14 increases the high frequency power of the high frequency power supply 7 and the direct current voltage of the direct current power supply 8 exponentially when the power is turned on and decreases exponentially when the power is turned off, as described later. It has a function as a control means.
【００２１】上記の構成において、エッチング処理を行
なう際には、まず、スイッチ１２・１３がＯＮすること
により、下部電極１に高周波電源７により高周波電力が
付与されるとともに、下部電極１に直流電圧が印加され
る。エッチングガスが満たされたチャンバ内には、高周
波電力で生じたグロー放電によりプラズマが生成され
て、このプラズマによりウェーハ４がエッチング処理さ
れる。このとき、プラズマの発生により、ウェーハ４に
は、自己バイアス電圧が生じる。すると、ウェーハ４
は、この自己バイアス電圧により発生した静電気力と上
記の直流電圧により発生した静電気力とが併せて作用し
て下部電極１上に吸着保持される。In the above structure, when the etching process is performed, first, the switches 12 and 13 are turned on so that the high frequency power is applied to the lower electrode 1 by the high frequency power source 7, and the DC voltage is applied to the lower electrode 1. Is applied. In the chamber filled with the etching gas, plasma is generated by the glow discharge generated by the high frequency power, and the wafer 4 is etched by the plasma. At this time, a self-bias voltage is generated on the wafer 4 due to the generation of plasma. Then, wafer 4
The electrostatic force generated by the self-bias voltage and the electrostatic force generated by the DC voltage act together to be adsorbed and held on the lower electrode 1.
【００２２】高周波電力および直流電圧は、図２に示す
ように、時刻ｔ＝ｔ1 における高周波電源７および直流
電源８の投入時から所定の時定数をもって指数関数的に
上昇し、時刻ｔ2 後に定常値に達する。続いて、時刻ｔ
3 で高周波電源７および直流電源８が遮断されると電源
出力が次第に低下し時刻ｔ4 で０となる。このように、
電源出力を徐々に立ち上げることにより、下部電極１、
ウェーハ４および絶縁膜３により形成されるコンデンサ
に流れ込む充電電流（突入電流）は、同図に示すように
大幅に低減される。As shown in FIG. 2, the high frequency power and the DC voltage exponentially rise with a predetermined time constant from the time when the high frequency power supply 7 and the DC power supply 8 are turned on at time t = t 1, and after time t 2 . Reach steady value. Then, time t
When the high frequency power supply 7 and the DC power supply 8 are cut off at 3 , the power supply output gradually decreases and becomes 0 at time t 4 . in this way,
By gradually raising the power output, the lower electrode 1,
The charging current (rush current) flowing into the capacitor formed by the wafer 4 and the insulating film 3 is significantly reduced as shown in FIG.
【００２３】なお、高周波電源７および直流電源８の時
定数は、電源からみた負荷回路（下部電極１等）の時定
数以上となるように設定されている。これにより、電源
出力の立ち上がり時間は、負荷回路の時定数ではなく、
電源の時定数に依存することになる。The time constants of the high frequency power supply 7 and the DC power supply 8 are set to be equal to or more than the time constant of the load circuit (the lower electrode 1 etc.) viewed from the power supply. As a result, the rise time of the power output is not the time constant of the load circuit,
It will depend on the time constant of the power supply.
【００２４】ここで、直流電源８の出力電圧を次式で表
される時間ｔの関数とする。Here, the output voltage of the DC power supply 8 is a function of the time t represented by the following equation.
【００２５】[0025]
【数１】 [Equation 1]
【００２６】また、上記のコンデンサの容量をＣとし、
上記の負荷回路の合成インピーダンスをＲとすると、
（１）式により表される直流電圧を発生する直流電源８
に流れる電流は、次式のように表される。The capacitance of the above capacitor is C,
If the synthetic impedance of the above load circuit is R,
DC power supply 8 for generating a DC voltage represented by the equation (1)
The current flowing through is expressed by the following equation.
【００２７】[0027]
【数２】 [Equation 2]
【００２８】なお、（２）式において、Ｅ0 は直流電源
８の定常電圧であり、τ1 は直流電源８の時定数であ
る。そこで、τ1 を負荷回路の時定数ＣＲと同一の値と
すると、電流Ｉ(t) が最大となるのはｔ＝0.６９ＣＲの
ときである。また、そのときの充電電流Ｉ′は、Ｉ′＝
0.２５Ｉ0 となり、Ｉ0 の１／４に抑えられる。また、
τ1 を２ＣＲとするとＩ′＝0.１４８Ｉ0 となり、τ1
を１０ＣＲとするとＩ′＝0.０３５Ｉ0 となる。In the equation (2), E 0 is a steady voltage of the DC power supply 8 and τ 1 is a time constant of the DC power supply 8. Therefore, assuming that τ 1 has the same value as the time constant CR of the load circuit, the current I (t) becomes maximum at t = 0.69CR. The charging current I'at that time is I '=
It becomes 0.25I 0 , which is suppressed to ¼ of I 0 . Also,
If τ 1 is 2CR, then I ′ = 0.148I 0 , and τ 1
Is 10CR, I '= 0.035I 0 .
【００２９】本実施例においては、Ｃが約１００００Ｐ
Ｆ（１０-8Ｆ）であり、Ｒが１０6Ω程度であるので、
負荷回路の時定数ＣＲが１０-2秒となり、また、直流電
源８の時定数τ1 は１秒である。このような設定による
突入電流のピーク値は、（２）式の演算により、電源投
入から0.９９５×１０-2秒後にＩ′＝3.６６×１０-3Ｉ
0 となり、従来の千分の一程度にまで抑えることができ
た。In this embodiment, C is about 10,000P.
Since it is F (10 -8 F) and R is about 10 6 Ω,
The time constant CR of the load circuit is 10 -2 seconds, and the time constant τ 1 of the DC power supply 8 is 1 second. The peak value of the inrush current with such a setting is calculated by the equation (2), and I '= 3.66 × 10 −3 I after 0.995 × 10 −2 seconds after the power is turned on.
It was 0 , and could be suppressed to about one-thousandth of the conventional level.
【００３０】以上述べたように、本プラズマエッチング
装置では、電源投入時に直流電源８の出力電圧を時間の
経過とともに上昇させているので、上記のコンデンサに
流れ込む充電電流（突入電流）を大幅に減少させること
ができる。As described above, in the present plasma etching apparatus, the output voltage of the DC power supply 8 is increased with the passage of time when the power is turned on, so that the charging current (rush current) flowing into the capacitor is greatly reduced. Can be made.
【００３１】なお、本実施例では、高周波電力と直流電
圧とを同様に徐々に立ち上げるようにしているが、直流
電圧のみ徐々に立ち上げても十分突入電流を抑えること
が可能である。これは、過大な突入電流が主に直流電圧
を瞬時に立ち上げることによって生じることから明らか
である。しかし、高周波電力の付与に伴って流れる電流
も少ないながら突入電流となるので、高周波電力を徐々
に立ち上げることで、より突入電流を抑えることができ
る。In this embodiment, the high frequency power and the DC voltage are gradually raised in the same manner, but it is possible to sufficiently suppress the inrush current by gradually raising only the DC voltage. This is apparent from the fact that the excessive inrush current is mainly caused by the instantaneous rise of the DC voltage. However, since the current that flows with the application of the high-frequency power is small, but it becomes the inrush current, the inrush current can be further suppressed by gradually raising the high-frequency power.
【００３２】また、本実施例では、本発明をプラズマエ
ッチング装置に適用した場合について説明したが、ＣＶ
Ｄ装置等のプラズマ処理装置にも、上記の同様な構成が
適用できることは勿論である。In the present embodiment, the case where the present invention is applied to the plasma etching apparatus has been described.
Needless to say, the same configuration as described above can be applied to the plasma processing apparatus such as the D apparatus.
【００３３】[0033]
【発明の効果】本発明のプラズマ処理装置は、以上のよ
うに、絶縁膜を介して電極上に載置された被処理物を、
その電極に高周波電力が付与されることにより生成され
たプラズマにて処理するとともに、プラズマ発生により
上記被処理物に生じた自己バイアス電圧にて発生した静
電気力および上記電極に直流電圧が印加されることによ
り発生した静電気力にて上記電極上に吸着保持する一
方、電源の投入時に直流電圧を時間の経過とともに上昇
させる制御手段を備えているので、被処理物、電極およ
び絶縁膜により構成されるコンデンサに過大な充電電流
が流れ込むことがなくなる。これにより、突入電流を大
幅に減少させることが可能になる。それゆえ、このプラ
ズマ処理装置を採用すれば、計測回路等の突入電流によ
る損傷を防止するとともに、絶縁膜の電気的な劣化を防
止することができるという効果を奏する。As described above, the plasma processing apparatus according to the present invention can remove the object to be processed placed on the electrode through the insulating film.
The electrode is treated with plasma generated by applying high-frequency power, and at the same time, an electrostatic force generated by the self-bias voltage generated on the object to be treated by plasma generation and a DC voltage are applied to the electrode. While being attracted and held on the electrode by the electrostatic force generated by the above, it is provided with a control means for increasing the direct current voltage with the passage of time when the power is turned on, so that it is composed of the object to be treated, the electrode and the insulating film. Excessive charging current will not flow into the capacitor. This makes it possible to greatly reduce the inrush current. Therefore, if this plasma processing apparatus is adopted, it is possible to prevent damage to the measurement circuit and the like due to inrush current and to prevent electrical deterioration of the insulating film.
【００３４】また、本発明の他のプラズマ処理装置は、
電源の投入時に直流電圧および高周波電力を時間の経過
とともに上昇させる制御手段を備えているので、高周波
電力の付与によって生じる突入電流も減少させることが
できる。それゆえ、このプラズマ処理装置を採用すれ
ば、より突入電流の減少を図ることができるという効果
を奏する。Further, another plasma processing apparatus of the present invention is
Since the control means for increasing the DC voltage and the high frequency power at the time of turning on the power supply is provided, the inrush current generated by the application of the high frequency power can also be reduced. Therefore, if this plasma processing apparatus is adopted, it is possible to further reduce the inrush current.
【図１】本発明の一実施例に係るプラズマエッチング装
置の要部を示す構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram showing a main part of a plasma etching apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】図１のプラズマエッチング装置における高周波
電力および直流電圧の変化および負荷回路に形成される
コンデンサへの充電電流を示す波形図である。FIG. 2 is a waveform diagram showing changes in high frequency power and DC voltage in the plasma etching apparatus of FIG. 1 and charging current to a capacitor formed in a load circuit.
【図３】従来のプラズマエッチング装置の要部を示す構
成図である。FIG. 3 is a configuration diagram showing a main part of a conventional plasma etching apparatus.
【図４】図３のプラズマエッチング装置における高周波
電力および直流電圧の変化および負荷回路に形成される
コンデンサへの充電電流を示す波形図である。FIG. 4 is a waveform diagram showing changes in high-frequency power and DC voltage in the plasma etching apparatus of FIG. 3 and charging current to a capacitor formed in a load circuit.
１ 下部電極（電極） ３ 絶縁膜 ４ ウェーハ（被処理物） ７ 高周波電源 ８ 直流電源 １２・１３ スイッチ １４ 制御装置（制御手段） 1 Lower Electrode (Electrode) 3 Insulating Film 4 Wafer (Processing Object) 7 High Frequency Power Supply 8 DC Power Supply 12/13 Switch 14 Control Device (Control Means)
Claims (2)
物を、その電極に高周波電力が付与されることにより生
成されたプラズマにて処理するとともに、プラズマ発生
により上記被処理物に生じた自己バイアス電圧にて発生
した静電気力および上記電極に直流電圧が印加されるこ
とにより発生した静電気力にて上記電極上に吸着保持す
る一方、電源の投入時に直流電圧を時間の経過とともに
上昇させる制御手段を備えていることを特徴とするプラ
ズマ処理装置。1. An object to be processed placed on an electrode via an insulating film is treated with plasma generated by applying high frequency power to the electrode, and the object to be processed is generated by plasma generation. The electrostatic force generated by the self-bias voltage generated on the electrodes and the electrostatic force generated by applying the DC voltage to the electrodes are attracted and held on the electrodes, while the DC voltage is changed with the passage of time when the power is turned on. A plasma processing apparatus comprising a control means for raising the temperature.
物を、その電極に高周波電力が付与されることにより生
成されたプラズマにて処理するとともに、プラズマ発生
により上記被処理物に生じた自己バイアス電圧にて発生
した静電気力および上記電極に直流電圧が印加されるこ
とにより発生した静電気力にて上記電極上に吸着保持す
る一方、電源の投入時に直流電圧および高周波電力を時
間の経過とともに上昇させる制御手段を備えていること
を特徴とするプラズマ処理装置。2. An object to be processed placed on an electrode through an insulating film is treated with plasma generated by applying high-frequency power to the electrode, and the object to be processed is generated by plasma generation. The electrostatic force generated by the self-bias voltage generated on the electrode and the electrostatic force generated by applying the DC voltage to the electrode are attracted and held on the electrode, while the DC voltage and the high frequency power are turned on at the time of turning on the power. A plasma processing apparatus comprising a control means for increasing the temperature with the passage of time.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6323353A JPH08181118A (en) | 1994-12-26 | 1994-12-26 | Plasma processor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6323353A JPH08181118A (en) | 1994-12-26 | 1994-12-26 | Plasma processor |
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Family Applications (1)
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| JP6323353A Pending JPH08181118A (en) | 1994-12-26 | 1994-12-26 | Plasma processor |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1994
- 1994-12-26 JP JP6323353A patent/JPH08181118A/en active Pending
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