JPH07191055A - 静電容量式加速度センサ - Google Patents
静電容量式加速度センサInfo
- Publication number
- JPH07191055A JPH07191055A JP5331003A JP33100393A JPH07191055A JP H07191055 A JPH07191055 A JP H07191055A JP 5331003 A JP5331003 A JP 5331003A JP 33100393 A JP33100393 A JP 33100393A JP H07191055 A JPH07191055 A JP H07191055A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- acceleration sensor
- movable electrode
- capacitance type
- fixed electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P1/00—Details of instruments
- G01P1/02—Housings
- G01P1/023—Housings for acceleration measuring devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/125—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by capacitive pick-up
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
- G01P2015/0822—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
- G01P2015/0825—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass
- G01P2015/0828—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass the mass being of the paddle type being suspended at one of its longitudinal ends
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】高信頼性にすぐれ、コストメリットが期待でき
る加速度センサを提供するものである。 【構成】加速度センサのゲージ部の固定電極部を誘電体
の外側に設けて電極を引き出すようにしたこと。 【効果】固定電極の引き出しが容易になりセンサの信頼
性が向上する。
る加速度センサを提供するものである。 【構成】加速度センサのゲージ部の固定電極部を誘電体
の外側に設けて電極を引き出すようにしたこと。 【効果】固定電極の引き出しが容易になりセンサの信頼
性が向上する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は加速度センサに関し、特
に自動車に搭載してエアバッグシステム,サスペンショ
ン制御システム,四輪トルク制御システムなどその運動
を制御するのに好適な加速度センサに関する。
に自動車に搭載してエアバッグシステム,サスペンショ
ン制御システム,四輪トルク制御システムなどその運動
を制御するのに好適な加速度センサに関する。
【0002】
【従来の技術】加速度センサとしては圧力形,抵抗歪
形,静電容量形等各種の方式が提案,開発されている。
特に静電容量型は温度等に対しての精度が良いのでエア
バッグセンサ等に適用が始まりつつある。
形,静電容量形等各種の方式が提案,開発されている。
特に静電容量型は温度等に対しての精度が良いのでエア
バッグセンサ等に適用が始まりつつある。
【0003】この種のセンサは、例えば、米国特許第5,
095,750 号公報あるいは特開平1−253657号公報に記載
されている。図8に従来形の静電容量式加速度センサの
代表的構成を示す。図8において検出部(センサではゲ
ージ部と呼ばれることが多い)1は加速度Gを検出し、
この信号を静電容量検出用電子回路(ΔC検出器)2に
与え、さらに保持回路3及び調整回路4(通常ゼロ点の
バイアス補正と入出比の感度の補正をする)にて信号を
処理することで加速度Gに比例した出力電圧形Voを端
子13に得る。
095,750 号公報あるいは特開平1−253657号公報に記載
されている。図8に従来形の静電容量式加速度センサの
代表的構成を示す。図8において検出部(センサではゲ
ージ部と呼ばれることが多い)1は加速度Gを検出し、
この信号を静電容量検出用電子回路(ΔC検出器)2に
与え、さらに保持回路3及び調整回路4(通常ゼロ点の
バイアス補正と入出比の感度の補正をする)にて信号を
処理することで加速度Gに比例した出力電圧形Voを端
子13に得る。
【0004】ゲージ部1は上下の固定電極6と7の間に
重りの役目をする可動電極5(重錘と呼ばれることが多
い)をはさみ込んだものであり、重りはビームによって
(図には表示していない)固定電極6と7の間に固定さ
れている。
重りの役目をする可動電極5(重錘と呼ばれることが多
い)をはさみ込んだものであり、重りはビームによって
(図には表示していない)固定電極6と7の間に固定さ
れている。
【0005】固定電極6,7と可動電極5とは平面的に
向き合っているため、この間には静電容量(電気容量)
C1,C2が存在し、この値はΔC検出器2を構成する
オペアンプ10の入力の一端に与えられる。
向き合っているため、この間には静電容量(電気容量)
C1,C2が存在し、この値はΔC検出器2を構成する
オペアンプ10の入力の一端に与えられる。
【0006】加速度Gがゲージ部1に加わると可動電極
5が加速度に基づく慣性力のため移動する(図では上ま
たは下の上下のいずれかに移動する)。このため、両電
極間の距離が変化し、静電容量C1,C2が変わる。Δ
C検出器2はパルス電圧発生器8,9及び電荷積分用コ
ンデンサ11,電荷放電用スイッチ12によってC1−
C2の差(ΔC)を検出するように動作するので(本動
作は本発明とは直接相関がないので詳細は省略する)、
ΔCに比例した電圧をアンプ10の出力に取り出すこと
ができる。この電圧は前記検出動作の影響をうけている
ので、時間的には常に一定とはなっていない。このため
保持回路3によって時間的に一定の電圧とし、加速度G
に比例したアナログ電圧V0 を得る。
5が加速度に基づく慣性力のため移動する(図では上ま
たは下の上下のいずれかに移動する)。このため、両電
極間の距離が変化し、静電容量C1,C2が変わる。Δ
C検出器2はパルス電圧発生器8,9及び電荷積分用コ
ンデンサ11,電荷放電用スイッチ12によってC1−
C2の差(ΔC)を検出するように動作するので(本動
作は本発明とは直接相関がないので詳細は省略する)、
ΔCに比例した電圧をアンプ10の出力に取り出すこと
ができる。この電圧は前記検出動作の影響をうけている
ので、時間的には常に一定とはなっていない。このため
保持回路3によって時間的に一定の電圧とし、加速度G
に比例したアナログ電圧V0 を得る。
【0007】図9にゲージ部1の従来例における代表的
な構造を示す。可動電極部は重錘(容量検出のための可
動電極も兼ねる)5,ビーム14,重錘固定部20(2
1も重錘固定部の一部であり図面では表示されていない
が図面の前後において接続されている構造となってい
る)より構成されており、重錘固定部20,21はその
上下において支持材ガラス板22,23によって接合さ
れている。
な構造を示す。可動電極部は重錘(容量検出のための可
動電極も兼ねる)5,ビーム14,重錘固定部20(2
1も重錘固定部の一部であり図面では表示されていない
が図面の前後において接続されている構造となってい
る)より構成されており、重錘固定部20,21はその
上下において支持材ガラス板22,23によって接合さ
れている。
【0008】固定電極6はガラス板22の片面に位置し
ており、ガラス板22の一部を加工して(くり抜く)作
られた貫通部15を介して外側電極16に接続される。
下側のガラス板23の構造も類似であり、固定電極7は
ガラス板23の片面に位置しており、ガラス板23の一
部をくり抜いて作られた貫通部17を介して外側電極1
9に接続される。
ており、ガラス板22の一部を加工して(くり抜く)作
られた貫通部15を介して外側電極16に接続される。
下側のガラス板23の構造も類似であり、固定電極7は
ガラス板23の片面に位置しており、ガラス板23の一
部をくり抜いて作られた貫通部17を介して外側電極1
9に接続される。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】これまで説明したよう
に従来の技術ではガラス板に貫通の孔をあけて電極の取
り出しを行わなければならず、この部分の加工が技術的
に難しく、この点センサの製造上、大きな問題となって
いた。
に従来の技術ではガラス板に貫通の孔をあけて電極の取
り出しを行わなければならず、この部分の加工が技術的
に難しく、この点センサの製造上、大きな問題となって
いた。
【0010】本発明の目的は、固定電極の引き出しを極
めて容易に行うことができる静電容量式加速度センサを
提供することにある。
めて容易に行うことができる静電容量式加速度センサを
提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的は、加速度に応
じて変位する可動電極が形成されたシリコン板と、前記
シリコン板の可動電極に対向するように設けられた固定
電極とを有する静電容量式加速度センサにおいて、前記
可動電極と前記固定電極との間に誘電体を設けることに
よって達成される。
じて変位する可動電極が形成されたシリコン板と、前記
シリコン板の可動電極に対向するように設けられた固定
電極とを有する静電容量式加速度センサにおいて、前記
可動電極と前記固定電極との間に誘電体を設けることに
よって達成される。
【0012】また、上記目的は、加速度に応じて変位す
る可動電極が形成されたシリコン板と、前記シリコン板
の可動電極に対向するように設けられた固定電極とを有
する静電容量式加速度センサにおいて、前記可動電極と
前記固定電極との間に前記固定電極を支持する支持部材
を設けることによって達成される。
る可動電極が形成されたシリコン板と、前記シリコン板
の可動電極に対向するように設けられた固定電極とを有
する静電容量式加速度センサにおいて、前記可動電極と
前記固定電極との間に前記固定電極を支持する支持部材
を設けることによって達成される。
【0013】さらに、上記目的は、シリコン板を両面か
にエッチングして形成した可動電極と、シリコン板を両
面からエッチングして形成したカンチレバーとを一体に
連設して、上記カンチレバーによって可動電極を弾性的
に支承し、前記可動電極及び前記カンチレバーを形成し
たシリコン板を1対の支持部材で挾持し、上記1対の支
持部材のそれぞれが前記の可動電極に対向している部分
の外側に板状の固定電極を固着し、前記支持部材に固着
された固定電極と前記カンチレバーによって弾性的に支
承された可動電極との間に空隙を形成することによって
達成される。
にエッチングして形成した可動電極と、シリコン板を両
面からエッチングして形成したカンチレバーとを一体に
連設して、上記カンチレバーによって可動電極を弾性的
に支承し、前記可動電極及び前記カンチレバーを形成し
たシリコン板を1対の支持部材で挾持し、上記1対の支
持部材のそれぞれが前記の可動電極に対向している部分
の外側に板状の固定電極を固着し、前記支持部材に固着
された固定電極と前記カンチレバーによって弾性的に支
承された可動電極との間に空隙を形成することによって
達成される。
【0014】さらに、上記目的は加速度に応じて変位す
る可動電極が形成されたシリコン板と、前記シリコン板
の両側に設けられ、内側の前記可動電極に対向した部分
に導体部を有する誘電体と、前記誘電体の外側に設けら
れた固定電極とを有することによって達成される。
る可動電極が形成されたシリコン板と、前記シリコン板
の両側に設けられ、内側の前記可動電極に対向した部分
に導体部を有する誘電体と、前記誘電体の外側に設けら
れた固定電極とを有することによって達成される。
【0015】
【作用】固定電極を支持部材(ガラス板)の外側に設け
られているため、固定電極の引き出しを容易にすること
ができる。
られているため、固定電極の引き出しを容易にすること
ができる。
【0016】
【実施例】以下、本発明の実施例を図1において説明す
る。図1においてはこれまでの構成と同一の要素に対し
ては同一の番号を付している。可動電極部の構造は可動
電極5,ビーム14,重錘固定部20,重錘固定部21
より構成されるが、固定電極は24,25のみとなり、
図3の構成要素6,7,15,17はない。このような
構造においても従来よりの静電容量の検出は可能であ
り、加速度による可動電極部の重錘5と固定電極24
(あるいは25)間の静電容量の変化を確実に検出する
ことができる。
る。図1においてはこれまでの構成と同一の要素に対し
ては同一の番号を付している。可動電極部の構造は可動
電極5,ビーム14,重錘固定部20,重錘固定部21
より構成されるが、固定電極は24,25のみとなり、
図3の構成要素6,7,15,17はない。このような
構造においても従来よりの静電容量の検出は可能であ
り、加速度による可動電極部の重錘5と固定電極24
(あるいは25)間の静電容量の変化を確実に検出する
ことができる。
【0017】図1の構造における静電容量に対する等価
回路は図2のように表わすことができる。d1 はガラス
板の厚さ、d0 は加速度が加わらないときの重錘5とガ
ラス板22(23)とのギャップの初期距離、xは加速
度印加によるギャップの距離の変化、ε0 は真空の誘電
率、ε1 はガラスの誘電率である。このようにすると、
等価外側電極24Aと重錘部5の静電容量C1 は次のよ
うになる。
回路は図2のように表わすことができる。d1 はガラス
板の厚さ、d0 は加速度が加わらないときの重錘5とガ
ラス板22(23)とのギャップの初期距離、xは加速
度印加によるギャップの距離の変化、ε0 は真空の誘電
率、ε1 はガラスの誘電率である。このようにすると、
等価外側電極24Aと重錘部5の静電容量C1 は次のよ
うになる。
【0018】
【数1】
【0019】Sは可動電極として働く重錘部5の電極2
4に対する静電的容量の有効面積である。これよりわか
るように加速度の印加によってギャップ変化xが生じる
と静電容量C1 が変化するので加速度の大きさC1 を測
ることで知ることができる。下側の電極についてもほぼ
同様に(ギャップの増減のみ逆)に考えることができ、
その容量C2 は次のようになる。
4に対する静電的容量の有効面積である。これよりわか
るように加速度の印加によってギャップ変化xが生じる
と静電容量C1 が変化するので加速度の大きさC1 を測
ることで知ることができる。下側の電極についてもほぼ
同様に(ギャップの増減のみ逆)に考えることができ、
その容量C2 は次のようになる。
【0020】
【数2】
【0021】図3は本発明の別の実施例を示す。この場
合は重錘部5に対応して導体部26,27を設けてい
る。こうすることにより、静電容量C1 ,C2 を決定す
る誘電束が効率よく、固定電極24,25上に集まる。
即ち、26,27は容量を正確に集めるための電極の機
能を有する。このため、検出精度の向上を図ることがで
きる。
合は重錘部5に対応して導体部26,27を設けてい
る。こうすることにより、静電容量C1 ,C2 を決定す
る誘電束が効率よく、固定電極24,25上に集まる。
即ち、26,27は容量を正確に集めるための電極の機
能を有する。このため、検出精度の向上を図ることがで
きる。
【0022】図4に本発明の他の実施例を示す。この例
では固定電極24(25)の一部28(29)を可動電
極部5に対応してガラス22(23)側に部分的に厚さ
を変える(せり出す)構造となっている。この場合、両
電極の距離が短かくなるため静電容量C1(C2)がガラ
スの影響をうけにくくなり正確度を増すことができる
上、さらにガラス板の加工は比較的容易であるので、セ
ンサのコストを下げ得る特徴を有する。
では固定電極24(25)の一部28(29)を可動電
極部5に対応してガラス22(23)側に部分的に厚さ
を変える(せり出す)構造となっている。この場合、両
電極の距離が短かくなるため静電容量C1(C2)がガラ
スの影響をうけにくくなり正確度を増すことができる
上、さらにガラス板の加工は比較的容易であるので、セ
ンサのコストを下げ得る特徴を有する。
【0023】図5は本発明の他の実施例を示す。この場
合は3つの電極(可動電極1,固定電極2)の取り出し
と電気的接続方法を構造も含めて具体的に示している。
上側固定電極は24より取り出し、下側固定電極は25
の下面に導体部32を付け(ハイブリッドIC等に用い
られるセラミック基板の導体部として作成が容易であ
る)、32Aの部分より取り出し、さらに可動電極の固
定部21はガラス22に凹部30を作り、この部分導体
31によって貫通させることで電極として利用すること
ができる。本実施例は回路に対する接続がしやすい特徴
を有する。
合は3つの電極(可動電極1,固定電極2)の取り出し
と電気的接続方法を構造も含めて具体的に示している。
上側固定電極は24より取り出し、下側固定電極は25
の下面に導体部32を付け(ハイブリッドIC等に用い
られるセラミック基板の導体部として作成が容易であ
る)、32Aの部分より取り出し、さらに可動電極の固
定部21はガラス22に凹部30を作り、この部分導体
31によって貫通させることで電極として利用すること
ができる。本実施例は回路に対する接続がしやすい特徴
を有する。
【0024】図6に本発明の他の実施例を示す。この例
ではゲージ1とΔC検出器,保持回路,調整回路等を含
むICチップ2とを1つのキャンパッケージ33に封入
しており、端子34等を介して、出力信号はセンサの出
力V0 として取り出される。ゲージ1は3層構造となっ
ており、その各層の各々から接続用の線により、チップ
2への回路的接続を行う。本実施では金属のキャンによ
ってゲージ及びICの周囲を囲むので、パッケージの外
側よりの電気的な障害(Electro MagneticInterferenc
e)を受けにくくなる。
ではゲージ1とΔC検出器,保持回路,調整回路等を含
むICチップ2とを1つのキャンパッケージ33に封入
しており、端子34等を介して、出力信号はセンサの出
力V0 として取り出される。ゲージ1は3層構造となっ
ており、その各層の各々から接続用の線により、チップ
2への回路的接続を行う。本実施では金属のキャンによ
ってゲージ及びICの周囲を囲むので、パッケージの外
側よりの電気的な障害(Electro MagneticInterferenc
e)を受けにくくなる。
【0025】図7に本発明の他の実施例を示す。この例
ではゲージとIC回路とが一枚のシリコン基板40を用
いて形成される。IC回路41は集積化されて基板40
上に形成される。この形成は通常のICを作る半導体プ
ロセスで行うことができる。固定電極23,24はリー
ド線42,25AによってIC回路41に接続される。
ではゲージとIC回路とが一枚のシリコン基板40を用
いて形成される。IC回路41は集積化されて基板40
上に形成される。この形成は通常のICを作る半導体プ
ロセスで行うことができる。固定電極23,24はリー
ド線42,25AによってIC回路41に接続される。
【0026】この実施例では今までの例に比し接続のた
めのリード線を短かくできるので容量検出の精度を向上
させ得る。また、IC回路と固定電極23,24は接近
して置かれているので両電極間の漏洩電気容量は少なく
なり、外的要因(温湿度,EMI,外部実装等)の影響
を受けにくくなる。特にリード線42,25Aが短かく
なり、固定電極面が有効な電磁シールド作用をもつの
で、電波障害や電気的誘導に効果が大きい。
めのリード線を短かくできるので容量検出の精度を向上
させ得る。また、IC回路と固定電極23,24は接近
して置かれているので両電極間の漏洩電気容量は少なく
なり、外的要因(温湿度,EMI,外部実装等)の影響
を受けにくくなる。特にリード線42,25Aが短かく
なり、固定電極面が有効な電磁シールド作用をもつの
で、電波障害や電気的誘導に効果が大きい。
【0027】
【発明の効果】本発明によれば、固定電極の取り出しが
容易となり、センサの信頼度向上及び製造工程の簡素化
が図れる。
容易となり、センサの信頼度向上及び製造工程の簡素化
が図れる。
【図1】本発明の加速度センサの一実施例を示す図。
【図2】図1の電気的等価回路を示す図。
【図3】本発明の他の実施例を示す図。
【図4】本発明の他の実施例を示す図。
【図5】本発明の他の実施例を示す図。
【図6】本発明の他の実施例を示す図。
【図7】本発明の他の実施例を示す図。
【図8】従来の加速度センサを示す図。
【図9】従来の加速度センサを示す図。
1…ゲージ部、5…可動電極、6,7,24,25…固
定電極、20,21…可動電極固定部、22,23…支
持体(ガラス)。
定電極、20,21…可動電極固定部、22,23…支
持体(ガラス)。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 笹山 隆生 茨城県勝田市大字高場2520番地 株式会社 日立製作所自動車機器事業部内 (72)発明者 半沢 恵二 茨城県勝田市大字高場字鹿島谷津2477番地 3 日立オートモティブエンジニアリング 株式会社内 (72)発明者 市川 範男 茨城県勝田市大字高場字鹿島谷津2477番地 3 日立オートモティブエンジニアリング 株式会社内 (72)発明者 堀江 潤一 茨城県勝田市大字高場2520番地 株式会社 日立製作所自動車機器事業部内 (72)発明者 杉沢 由紀子 茨城県勝田市大字高場字鹿島谷津2477番地 3 日立オートモティブエンジニアリング 株式会社内 (72)発明者 小笠原 雄二 茨城県勝田市大字高場字鹿島谷津2477番地 3 日立オートモティブエンジニアリング 株式会社内
Claims (12)
- 【請求項1】加速度に応じて変位する可動電極が形成さ
れたシリコン板と、前記シリコン板の可動電極に対向す
るように設けられた固定電極とを有する静電容量式加速
度センサにおいて、前記可動電極と前記固定電極との間
に誘電体を設けたことを特徴とする静電容量式加速度セ
ンサ。 - 【請求項2】請求項1において、前記誘電体はガラス板
であることを特徴とする静電容量式加速度センサ。 - 【請求項3】加速度に応じて変位する可動電極が形成さ
れたシリコン板と、前記シリコン板の可動電極に対向す
るように設けられた固定電極とを有する静電容量式加速
度センサにおいて、前記可動電極と前記固定電極との間
に前記固定電極を支持する支持部材を設けたことを特徴
とする静電容量式加速度センサ。 - 【請求項4】請求項3において、前記支持部材は誘電体
であるガラス板であることを特徴とする静電容量式加速
度センサ。 - 【請求項5】シリコン板を両面からエッチングして形成
した可動電極と、シリコン板を両面からエッチングして
形成したカンチレバーとを一体に連設して、上記カンチ
レバーによって可動電極を弾性的に支承し、前記可動電
極及び前記カンチレバーを形成したシリコン板を1対の
支持部材で挾持し、上記1対の支持部材のそれぞれが前
記の可動電極に対向している部分の外側に板状の固定電
極を固着し、前記支持部材に固着された固定電極と前記
カンチレバーによって弾性的に支承された可動電極との
間に空隙を形成したことを特徴とする静電容量式加速度
センサ。 - 【請求項6】請求項5において、前記支持部材はガラス
板であることを特徴とする静電容量式加速度センサ。 - 【請求項7】加速度に応じで変位する可動電極が形成さ
れたシリコン板と、前記シリコン板の両側に設けられ、
内側の前記可動電極に対向した部分に導体部を有する誘
電体と、前記誘電体の外側に設けられた固定電極とを有
することを特徴とする静電容量式加速度センサ。 - 【請求項8】請求項7において、前記誘電体はガラス板
であることを特徴とする静電容量式加速度センサ。 - 【請求項9】請求項1ないし請求項8のいずれかにおい
て、前記可動電極に対向した部分の前記固定電極を前記
可動電極に近づくように構成したことを特徴とする静電
容量式加速度センサ。 - 【請求項10】請求項1ないし請求項8のいずれかにお
いて、前記可動電極と外部との電気的接続を前記支持部
材または前記誘電体を貫通して行うようにしたことを特
徴とする静電容量式加速度センサ。 - 【請求項11】請求項1ないし請求項10のいずれかに
おいて、前記可動電極及び前記固定電極とからなるケー
ジ部と、その電子回路部とを1つのパッケージに封入し
たことを特徴とする静電容量式加速度センサ。 - 【請求項12】請求項1ないし請求項10のいずれかに
おいて、前記可動電極及び前記固定電極とからなるケー
ジ部と、その電子回路とを同一のシリコン基板に形成し
たことを特徴とする静電容量式加速度センサ。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5331003A JPH07191055A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 静電容量式加速度センサ |
US08/364,098 US5616844A (en) | 1993-12-27 | 1994-12-27 | Capacitance type acceleration sensor |
DE4446890A DE4446890A1 (de) | 1993-12-27 | 1994-12-27 | Kapazitiver Beschleunigungssensor und Verfahren zu dessen Herstellung |
US08/723,875 US5676851A (en) | 1993-12-27 | 1996-09-23 | Method of making a capacitance type acceleration sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5331003A JPH07191055A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 静電容量式加速度センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07191055A true JPH07191055A (ja) | 1995-07-28 |
Family
ID=18238746
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5331003A Pending JPH07191055A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 静電容量式加速度センサ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5616844A (ja) |
JP (1) | JPH07191055A (ja) |
DE (1) | DE4446890A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007046927A (ja) * | 2005-08-08 | 2007-02-22 | Wacoh Corp | 加速度・角速度センサおよびその製造方法 |
JP2008275628A (ja) * | 2008-05-09 | 2008-11-13 | Denso Corp | 半導体力学量センサ |
JP2008306637A (ja) * | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Audio Technica Corp | 電気音響変換器 |
Families Citing this family (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5911738A (en) * | 1997-07-31 | 1999-06-15 | Medtronic, Inc. | High output sensor and accelerometer implantable medical device |
DE19541388A1 (de) * | 1995-11-07 | 1997-05-15 | Telefunken Microelectron | Mikromechanischer Beschleunigungssensor |
JP3567052B2 (ja) * | 1996-09-02 | 2004-09-15 | 三菱電機株式会社 | 半導体のマイクロマシニング方法 |
US5917264A (en) * | 1996-09-05 | 1999-06-29 | Nagano Keiki Co Ltd | Electrostatic capacitance type transducer and method for producing the same |
JPH1090299A (ja) * | 1996-09-12 | 1998-04-10 | Mitsubishi Electric Corp | 静電容量式加速度センサ |
DE19637079C2 (de) * | 1996-09-12 | 2000-05-25 | Telefunken Microelectron | Anordnung zur Beschleunigungsmessung |
US6146917A (en) * | 1997-03-03 | 2000-11-14 | Ford Motor Company | Fabrication method for encapsulated micromachined structures |
US6167757B1 (en) | 1997-09-08 | 2001-01-02 | The Regents Of The University Of Michigan | Single-side microelectromechanical capacitive accelerometer and method of making same |
US6035714A (en) | 1997-09-08 | 2000-03-14 | The Regents Of The University Of Michigan | Microelectromechanical capacitive accelerometer and method of making same |
US6718605B2 (en) | 1997-09-08 | 2004-04-13 | The Regents Of The University Of Michigan | Single-side microelectromechanical capacitive accelerometer and method of making same |
TW425478B (en) * | 1997-09-26 | 2001-03-11 | Hokuriku Elect Ind | Acceleration sensor and 3-axis acceleration sensor |
JPH11258265A (ja) * | 1998-03-16 | 1999-09-24 | Akebono Brake Ind Co Ltd | 半導体加速度センサ及びその製造方法 |
US6196067B1 (en) * | 1998-05-05 | 2001-03-06 | California Institute Of Technology | Silicon micromachined accelerometer/seismometer and method of making the same |
CA2254535C (en) | 1998-11-26 | 2003-10-28 | Canpolar East Inc. | Sensor for detection of acceleration and attitude within a vehicle |
CA2254538C (en) | 1998-11-26 | 2006-02-07 | Canpolar East Inc. | Collision deformation sensor for use in the crush zone of a vehicle |
US6871544B1 (en) * | 1999-03-17 | 2005-03-29 | Input/Output, Inc. | Sensor design and process |
AT3609U1 (de) * | 1999-06-02 | 2000-05-25 | Austria Mikrosysteme Int | Mikrosensor |
DE19931773C1 (de) * | 1999-07-08 | 2000-11-30 | Daimler Chrysler Ag | Mikromechanisches Bauelement mit Kontaktdurchführungen, sowie Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements |
JP3932302B2 (ja) * | 2000-12-27 | 2007-06-20 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 圧力センサ |
AUPR245301A0 (en) * | 2001-01-10 | 2001-02-01 | Silverbrook Research Pty Ltd | An apparatus (WSM06) |
WO2002073673A1 (en) * | 2001-03-13 | 2002-09-19 | Rochester Institute Of Technology | A micro-electro-mechanical switch and a method of using and making thereof |
WO2002097865A2 (en) * | 2001-05-31 | 2002-12-05 | Rochester Institute Of Technology | Fluidic valves, agitators, and pumps and methods thereof |
US7211923B2 (en) * | 2001-10-26 | 2007-05-01 | Nth Tech Corporation | Rotational motion based, electrostatic power source and methods thereof |
US7378775B2 (en) * | 2001-10-26 | 2008-05-27 | Nth Tech Corporation | Motion based, electrostatic power source and methods thereof |
US6854330B2 (en) * | 2001-10-26 | 2005-02-15 | Nth Tech Corporation | Accelerometer and methods thereof |
US6829937B2 (en) * | 2002-06-17 | 2004-12-14 | Vti Holding Oy | Monolithic silicon acceleration sensor |
US6862795B2 (en) * | 2002-06-17 | 2005-03-08 | Vty Holding Oy | Method of manufacturing of a monolithic silicon acceleration sensor |
US7287328B2 (en) * | 2003-08-29 | 2007-10-30 | Rochester Institute Of Technology | Methods for distributed electrode injection |
US7217582B2 (en) * | 2003-08-29 | 2007-05-15 | Rochester Institute Of Technology | Method for non-damaging charge injection and a system thereof |
DE102005003548A1 (de) * | 2004-02-02 | 2006-02-09 | Volkswagen Ag | Bedienelement für ein Kraftfahrzeug |
US8581308B2 (en) * | 2004-02-19 | 2013-11-12 | Rochester Institute Of Technology | High temperature embedded charge devices and methods thereof |
US20070074731A1 (en) * | 2005-10-05 | 2007-04-05 | Nth Tech Corporation | Bio-implantable energy harvester systems and methods thereof |
US7180019B1 (en) * | 2006-06-26 | 2007-02-20 | Temic Automotive Of North America, Inc. | Capacitive accelerometer or acceleration switch |
FR2924813B1 (fr) * | 2007-12-11 | 2011-06-24 | Memscap | Accelerometre pendulaire et procede de fabrication de celui-ci |
US8322216B2 (en) * | 2009-09-22 | 2012-12-04 | Duli Yu | Micromachined accelerometer with monolithic electrodes and method of making the same |
CA2826558C (en) | 2011-02-07 | 2021-01-26 | Ion Geophysical Corporation | Method and apparatus for sensing underwater signals |
CN102156203B (zh) * | 2011-03-15 | 2013-07-24 | 迈尔森电子(天津)有限公司 | Mems惯性传感器及其形成方法 |
JP2013007653A (ja) * | 2011-06-24 | 2013-01-10 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 外力検出装置及び外力検出センサー |
DE102014204727A1 (de) * | 2014-03-14 | 2015-09-17 | Robert Bosch Gmbh | Inertialsensor und Herstellungsverfahren zum Herstellen eines Inertialsensors |
DE102015212669B4 (de) * | 2015-07-07 | 2018-05-03 | Infineon Technologies Ag | Kapazitive mikroelektromechanische Vorrichtung und Verfahren zum Ausbilden einer kapazitiven mikroelektromechanischen Vorrichtung |
KR20170069806A (ko) * | 2015-12-11 | 2017-06-21 | 현대자동차주식회사 | 멤스센서의 제조방법 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4783237A (en) * | 1983-12-01 | 1988-11-08 | Harry E. Aine | Solid state transducer and method of making same |
JPH0672899B2 (ja) * | 1988-04-01 | 1994-09-14 | 株式会社日立製作所 | 加速度センサ |
SU1620944A1 (ru) * | 1988-10-03 | 1991-01-15 | Предприятие П/Я А-1891 | Электростатический акселерометр |
US5095570A (en) * | 1989-12-12 | 1992-03-17 | Orthofeet Inc. | Method for producing an insole |
EP0459723B1 (en) * | 1990-05-30 | 1996-01-17 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor acceleration sensor and vehicle control system using the same |
JP3194594B2 (ja) * | 1990-09-26 | 2001-07-30 | 株式会社日立製作所 | 構造体の製造方法 |
-
1993
- 1993-12-27 JP JP5331003A patent/JPH07191055A/ja active Pending
-
1994
- 1994-12-27 DE DE4446890A patent/DE4446890A1/de not_active Withdrawn
- 1994-12-27 US US08/364,098 patent/US5616844A/en not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-09-23 US US08/723,875 patent/US5676851A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007046927A (ja) * | 2005-08-08 | 2007-02-22 | Wacoh Corp | 加速度・角速度センサおよびその製造方法 |
JP2008306637A (ja) * | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Audio Technica Corp | 電気音響変換器 |
JP2008275628A (ja) * | 2008-05-09 | 2008-11-13 | Denso Corp | 半導体力学量センサ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5676851A (en) | 1997-10-14 |
US5616844A (en) | 1997-04-01 |
DE4446890A1 (de) | 1995-06-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH07191055A (ja) | 静電容量式加速度センサ | |
CN1105908C (zh) | 微力学传感器 | |
JP6580804B2 (ja) | Mems圧力センサとmems慣性センサの集積構造 | |
EP0973012B1 (en) | Transducer | |
US5095752A (en) | Capacitance type accelerometer | |
US5495761A (en) | Integrated accelerometer with a sensitive axis parallel to the substrate | |
JP4562762B2 (ja) | 静電容量型センサ及びその製造方法 | |
US5388460A (en) | Capacitive sensor for detecting a physical value such as acceleration | |
JP5425824B2 (ja) | 複合センサ | |
US6153917A (en) | Semiconductor acceleration sensor and manufacturing method thereof | |
US8096180B2 (en) | Inertial sensor | |
US20040017209A1 (en) | Capacitive dynamic quantity sensor, method for manufacturing capacitive dynamic quantity sensor, and detector including capacitive dynamic quantity sensor | |
JP4665942B2 (ja) | 半導体力学量センサ | |
US8776337B2 (en) | Methods of forming capacitive sensors | |
TW202108997A (zh) | 電容式壓力感測器設備的微機械組件 | |
US5623099A (en) | Two-element semiconductor capacitive acceleration sensor | |
US5747991A (en) | Capacitance type acceleration sensor | |
WO2007126269A1 (en) | Touch mode capacitive pressure sensor | |
JPH09318656A (ja) | 静電容量式加速度センサ | |
US5614673A (en) | Acceleration sensing device | |
JPH06180325A (ja) | 加速度センサ | |
US20240302404A1 (en) | Acceleration sensor | |
JP2003136494A (ja) | マイクロ構造体、物理量検出装置及びその製造方法 | |
JP3178143B2 (ja) | 静電容量式加速度センサ | |
JPH07306222A (ja) | 加速度センサ |