JPH07176475A - 投影露光装置及び該投影露光装置を用いたデバイスの製造方法 - Google Patents
投影露光装置及び該投影露光装置を用いたデバイスの製造方法Info
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- JPH07176475A JPH07176475A JP6247213A JP24721394A JPH07176475A JP H07176475 A JPH07176475 A JP H07176475A JP 6247213 A JP6247213 A JP 6247213A JP 24721394 A JP24721394 A JP 24721394A JP H07176475 A JPH07176475 A JP H07176475A
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
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- G03F7/701—Off-axis setting using an aperture
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- G03F7/70125—Use of illumination settings tailored to particular mask patterns
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Light Sources And Details Of Projection-Printing Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 レチクル面の照明モードを適切に設定し高解
像力の投影パターン像が得られる投影露光装置及び該投
影露光装置を用いたデバイスの製造方法を得ること。 【構成】 光入出射面を有し、前記光入射面で光源から
の光を受け、前記光出射面側に２次光源を形成する２次
光源形成手段と、前記２次光源からの光を物平面に照射
する光照射手段と、光照射された前記物平面上のパター
ンを像平面上に投影する投影手段と、前記２次光源の光
強度分布を変える２次光源調整手段と、前記光強度分布
の変更に伴い前記像平面に生じる光軸に関して非対称な
照度むらを実質的に補正する照度補正手段とを有するこ
と。
像力の投影パターン像が得られる投影露光装置及び該投
影露光装置を用いたデバイスの製造方法を得ること。 【構成】 光入出射面を有し、前記光入射面で光源から
の光を受け、前記光出射面側に２次光源を形成する２次
光源形成手段と、前記２次光源からの光を物平面に照射
する光照射手段と、光照射された前記物平面上のパター
ンを像平面上に投影する投影手段と、前記２次光源の光
強度分布を変える２次光源調整手段と、前記光強度分布
の変更に伴い前記像平面に生じる光軸に関して非対称な
照度むらを実質的に補正する照度補正手段とを有するこ
と。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は投影露光装置及び該投影
露光装置を用いたデバイスの製造方法に関し、特にＩ
Ｃ，ＬＳＩ，磁気ヘッド，液晶パネル，ＣＣＤ等の微細
構造を有するデバイスを製造する際に好適なものであ
り、具体的にはデバイスの製造装置である所謂ステッパ
ーにおいて、レチクル面上のパターンを適切に照明し高
い解像力が容易に得られるようにしたものである。
露光装置を用いたデバイスの製造方法に関し、特にＩ
Ｃ，ＬＳＩ，磁気ヘッド，液晶パネル，ＣＣＤ等の微細
構造を有するデバイスを製造する際に好適なものであ
り、具体的にはデバイスの製造装置である所謂ステッパ
ーにおいて、レチクル面上のパターンを適切に照明し高
い解像力が容易に得られるようにしたものである。
【０００２】
【従来の技術】最近の半導体チップの製造技術の進展は
目覚ましく、又それに伴う微細加工技術の進展も著し
い。特に光加工技術は１MDRAM の半導体チップの製造を
境にサブミクロンの解像力まで達している。解像力を向
上させる手段として、これまで多くの場合、露光波長を
固定して光学系のＮＡ（開口数）を大きくしていく方法
を用いていた。
目覚ましく、又それに伴う微細加工技術の進展も著し
い。特に光加工技術は１MDRAM の半導体チップの製造を
境にサブミクロンの解像力まで達している。解像力を向
上させる手段として、これまで多くの場合、露光波長を
固定して光学系のＮＡ（開口数）を大きくしていく方法
を用いていた。
【０００３】しかし最近では露光波長をｇ線からｉ線に
変えることにより解像力を向上させる試みも種々と行な
われている。又、ＫｒＦエキシマレーザーからの光に代
表される、更に短い波長の光を用いることにより解像力
の向上を図る方法が提案されている。
変えることにより解像力を向上させる試みも種々と行な
われている。又、ＫｒＦエキシマレーザーからの光に代
表される、更に短い波長の光を用いることにより解像力
の向上を図る方法が提案されている。
【０００４】この他、本出願人はレチクル面上への照明
方法を変えることにより、即ち投影光学系の瞳面上に形
成される０次光の光強度分布（有効光源分布）を変える
ことにより、より解像力を高めた露光方法及びそれを用
いた投影露光装置を、例えば特開平４−２６７５１５号
公報で提案している。
方法を変えることにより、即ち投影光学系の瞳面上に形
成される０次光の光強度分布（有効光源分布）を変える
ことにより、より解像力を高めた露光方法及びそれを用
いた投影露光装置を、例えば特開平４−２６７５１５号
公報で提案している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】実際の半導体チップの
製造工程は、高い解像力が必要とされる工程、それほど
解像力は必要とされない工程と種々様々である。又、レ
チクル面上に形成されているパターンの形状も水平方
向、垂直方向の他に斜方向に延びるパターンと種々あ
る。
製造工程は、高い解像力が必要とされる工程、それほど
解像力は必要とされない工程と種々様々である。又、レ
チクル面上に形成されているパターンの形状も水平方
向、垂直方向の他に斜方向に延びるパターンと種々あ
る。
【０００６】一般に、投影光学系の瞳面上の有効光源分
布（光強度分布）が投影するパターン像の解像力に大き
く影響してくる。この為、現在の半導体チップ製造用の
投影露光装置に各工程毎に最適な方法でレチクルを照明
できる複数の照明モードをもつ照明系を設けることが提
案されている。
布（光強度分布）が投影するパターン像の解像力に大き
く影響してくる。この為、現在の半導体チップ製造用の
投影露光装置に各工程毎に最適な方法でレチクルを照明
できる複数の照明モードをもつ照明系を設けることが提
案されている。
【０００７】一般に、複数の照明モードのうち、ある照
明モードＡで照度が最大・照度むらが最小になるように
光源の発光部の位置を調整されている。しかしながら照
明モードを照明モードＡと異なる照明モードＢに変えた
ときは照明モードＡと同じ発光部の位置で必ずしも照度
が最大・照度むらが最小とはならなかった。
明モードＡで照度が最大・照度むらが最小になるように
光源の発光部の位置を調整されている。しかしながら照
明モードを照明モードＡと異なる照明モードＢに変えた
ときは照明モードＡと同じ発光部の位置で必ずしも照度
が最大・照度むらが最小とはならなかった。
【０００８】従って、発光部の位置を調整した照明モー
ドＡでは照度・照度むらについて露光装置の実力が発揮
できるが、照明モードＢでは照度・照度むらについて露
光装置の実力を十分発揮することができないという問題
点があった。
ドＡでは照度・照度むらについて露光装置の実力が発揮
できるが、照明モードＢでは照度・照度むらについて露
光装置の実力を十分発揮することができないという問題
点があった。
【０００９】特に照明モードＡが通常の露光条件でσが
大（０．６〜０．７）で照明モードＢが位相シフトマス
クを利用した露光でσが小（０．３〜０．４）の場合、
照明モードＢでの光量の落ちが大きいという問題点があ
った。
大（０．６〜０．７）で照明モードＢが位相シフトマス
クを利用した露光でσが小（０．３〜０．４）の場合、
照明モードＢでの光量の落ちが大きいという問題点があ
った。
【００１０】本発明は、照明モードＡから照明モードＢ
に切り替えても、照度が最大又は／及び照度むらが最小
となりレチクル面上の各種のパターンをウエハ面上に高
い解像力で投影できる投影露光装置とデバイス製造方法
を提供することを目的とする。
に切り替えても、照度が最大又は／及び照度むらが最小
となりレチクル面上の各種のパターンをウエハ面上に高
い解像力で投影できる投影露光装置とデバイス製造方法
を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成する本発
明の第１の形態は、光入出射面を有し、前記光入射面で
光源からの光を受け、前記光出射面側に２次光源を形成
する２次光源形成手段と、前記２次光源からの光を物平
面に照射する光照射手段と、光照射された前記物平面上
のパターンを像平面上に投影する投影手段と、前記２次
光源の光強度分布を変える２次光源調整手段と、前記光
強度分布の変更に伴い前記像平面に生じる光軸に関して
非対称な照度むらを実質的に補正する照度補正手段とを
有する投影露光装置である。
明の第１の形態は、光入出射面を有し、前記光入射面で
光源からの光を受け、前記光出射面側に２次光源を形成
する２次光源形成手段と、前記２次光源からの光を物平
面に照射する光照射手段と、光照射された前記物平面上
のパターンを像平面上に投影する投影手段と、前記２次
光源の光強度分布を変える２次光源調整手段と、前記光
強度分布の変更に伴い前記像平面に生じる光軸に関して
非対称な照度むらを実質的に補正する照度補正手段とを
有する投影露光装置である。
【００１２】前記目的を達成する本発明の第２の形態
は、光入出射面を有し、前記光入射面で光源からの光を
受け、前記光出射面側に２次光源を形成する２次光源形
成手段と、前記２次光源からの光を物平面に照射する光
照射手段と、光照射された前記物平面上のパターンを像
平面上に投影する投影手段と、前記２次光源の光強度分
布を変える２次光源調整手段と、前記光強度分布の変更
に伴い低下する前記物平面に照射される光の量を実質的
に増加させる照度調整手段とを有する投影露光装置であ
る。
は、光入出射面を有し、前記光入射面で光源からの光を
受け、前記光出射面側に２次光源を形成する２次光源形
成手段と、前記２次光源からの光を物平面に照射する光
照射手段と、光照射された前記物平面上のパターンを像
平面上に投影する投影手段と、前記２次光源の光強度分
布を変える２次光源調整手段と、前記光強度分布の変更
に伴い低下する前記物平面に照射される光の量を実質的
に増加させる照度調整手段とを有する投影露光装置であ
る。
【００１３】前記目的を達成する本発明の第３の形態
は、光入出射面を有し、前記光入射面で光源からの光を
受け、前記光出射面側に２次光源を形成する２次光源形
成手段と、前記２次光源からの光を物平面に照射する光
照射手段と、光照射された前記物平面上のパターンを像
平面上に投影する投影手段と、前記２次光源の光強度分
布を変える２次光源調整手段と、前記光強度分布の変更
に伴い前記像平面に生じる光軸に関して非対称な照度む
らを実質的に補正し且つ、前記光強度分布の変更に伴い
低下する前記物平面に照射される光の量を実質的に増加
させる照度調整手段とを有する投影露光装置である。
は、光入出射面を有し、前記光入射面で光源からの光を
受け、前記光出射面側に２次光源を形成する２次光源形
成手段と、前記２次光源からの光を物平面に照射する光
照射手段と、光照射された前記物平面上のパターンを像
平面上に投影する投影手段と、前記２次光源の光強度分
布を変える２次光源調整手段と、前記光強度分布の変更
に伴い前記像平面に生じる光軸に関して非対称な照度む
らを実質的に補正し且つ、前記光強度分布の変更に伴い
低下する前記物平面に照射される光の量を実質的に増加
させる照度調整手段とを有する投影露光装置である。
【００１４】前記目的を達成する本発明の第４の形態
は、前記第１〜第３の形態の投影露光装置によりレチク
ルのデバイスパターンを基板上に投影し且つ転写する段
階を含むデバイス製造方法である。
は、前記第１〜第３の形態の投影露光装置によりレチク
ルのデバイスパターンを基板上に投影し且つ転写する段
階を含むデバイス製造方法である。
【００１５】
【実施例】図１は本発明の実施例１の要部概略図であ
る。
る。
【００１６】図中、２は楕円鏡である。１は光源として
の発光管であり、紫外線及び遠紫外線等を放射する高輝
度の発光部１ａを有している。発光部１ａは楕円鏡２の
第１焦点２ａ近傍に配置している。３はコールドミラー
であり、多層膜を備え、発光部１ａからの光の内の大部
分の赤外光と可視光を透過させると共に大部分の紫外光
を反射する。楕円鏡２はコールドミラー３を介して第２
焦点２ｂ近傍に発光部１ａの像（光源像）１ｂを形成し
ている。
の発光管であり、紫外線及び遠紫外線等を放射する高輝
度の発光部１ａを有している。発光部１ａは楕円鏡２の
第１焦点２ａ近傍に配置している。３はコールドミラー
であり、多層膜を備え、発光部１ａからの光の内の大部
分の赤外光と可視光を透過させると共に大部分の紫外光
を反射する。楕円鏡２はコールドミラー３を介して第２
焦点２ｂ近傍に発光部１ａの像（光源像）１ｂを形成し
ている。
【００１７】４はシャッター装置であり、露光時間を制
御する為に使用される。５は光学系であり、コンデンサ
ーレンズやズームレンズ（変倍光学系）等から成り、第
２焦点２ｂ近傍に形成した発光部像１ｂをオプティカル
インテグレータ６の光入射面６ａに再結像させている。
この時の結像倍率は、ズームレンズにより変更可能であ
る。
御する為に使用される。５は光学系であり、コンデンサ
ーレンズやズームレンズ（変倍光学系）等から成り、第
２焦点２ｂ近傍に形成した発光部像１ｂをオプティカル
インテグレータ６の光入射面６ａに再結像させている。
この時の結像倍率は、ズームレンズにより変更可能であ
る。
【００１８】本実施例では、開口絞り（絞り）７の開口
径に合わせて、光の利用効率が良くなるように発光部像
１ｂの再結像時の倍率を変えている。
径に合わせて、光の利用効率が良くなるように発光部像
１ｂの再結像時の倍率を変えている。
【００１９】オプティカルインテグレータ６は複数の微
小レンズ６−ｉ（ｉ＝１〜Ｎ）を光軸と直交する平面に
沿って２次元的に所定のピッチで配列してハエの眼レン
ズを構成しており、その光射出面６ｂ近傍に２次光源を
形成している。
小レンズ６−ｉ（ｉ＝１〜Ｎ）を光軸と直交する平面に
沿って２次元的に所定のピッチで配列してハエの眼レン
ズを構成しており、その光射出面６ｂ近傍に２次光源を
形成している。
【００２０】ここでオプティカルインテグレータ６は光
入射面を有し、光入射面で光源１からの光を受け、光出
射面に２次光源を形成する２次光源形成手段の一要素を
構成している。又楕円鏡２、ミラー３、そして光学系５
は光源１の像を２次光源形成手段の光入射面に投影する
光源像投影手段の一要素を構成している。
入射面を有し、光入射面で光源１からの光を受け、光出
射面に２次光源を形成する２次光源形成手段の一要素を
構成している。又楕円鏡２、ミラー３、そして光学系５
は光源１の像を２次光源形成手段の光入射面に投影する
光源像投影手段の一要素を構成している。
【００２１】７は可変開口絞りであり、通常の円形開口
の絞りを含む、図２（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），（Ｄ）に
示すような投影レンズ１５の瞳面１６上の光強度分布を
変化させる各種の絞りから成っている。
の絞りを含む、図２（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），（Ｄ）に
示すような投影レンズ１５の瞳面１６上の光強度分布を
変化させる各種の絞りから成っている。
【００２２】図２（Ａ）が示す絞りは通常用いられてい
る開口絞りであり、開口径はσ値（＝照明光学系のＮＡ
／投影光学系のＮＡ）が０．５〜０．７程度となる大き
さである。図２（Ｂ）が示す絞りはσ値が０．３〜０．
４程度となる開口径をもつ開口絞りであり、位相シフト
マスクを用いたとき等に用いられる。図２（Ｃ）が示す
絞りは輪帯照明用開口絞りであり、図２（Ｄ）が示す開
口絞りは４重極照明用開口絞りであり、双方共、解像力
及び焦点深度を向上させる変形照明を行なう絞りの一種
である。
る開口絞りであり、開口径はσ値（＝照明光学系のＮＡ
／投影光学系のＮＡ）が０．５〜０．７程度となる大き
さである。図２（Ｂ）が示す絞りはσ値が０．３〜０．
４程度となる開口径をもつ開口絞りであり、位相シフト
マスクを用いたとき等に用いられる。図２（Ｃ）が示す
絞りは輪帯照明用開口絞りであり、図２（Ｄ）が示す開
口絞りは４重極照明用開口絞りであり、双方共、解像力
及び焦点深度を向上させる変形照明を行なう絞りの一種
である。
【００２３】本実施例では、可変開口絞り７として７
ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄの何れかを選択することにより照
明モードを変えている。この為に、開口絞り７ａ〜７ｄ
を形成した円盤状ターレットを用いている。開口絞り７
や光学系５等は２次光源の光強度分布を変える２次光源
調整手段の一要素を構成している。
ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄの何れかを選択することにより照
明モードを変えている。この為に、開口絞り７ａ〜７ｄ
を形成した円盤状ターレットを用いている。開口絞り７
や光学系５等は２次光源の光強度分布を変える２次光源
調整手段の一要素を構成している。
【００２４】７ｐはアクチエーターであり、絞り７を切
り替えるべくターレットを回転させている。８は集光レ
ンズとしてのコンデンサーレンズであり、照明モードを
切り替える時に生じる光軸に対して対称な照度むらを取
るための可動レンズを備える。この可動レンズとして
は、例えば米国特許第４９４７０３０号に示すものが適
用される。集光レンズ８は２次光源の光強度分布の変更
に伴い像平面に生じる光軸に関して対称な照度むらを実
質的に補正する照度むら補正手段の一要素を構成してい
る。
り替えるべくターレットを回転させている。８は集光レ
ンズとしてのコンデンサーレンズであり、照明モードを
切り替える時に生じる光軸に対して対称な照度むらを取
るための可動レンズを備える。この可動レンズとして
は、例えば米国特許第４９４７０３０号に示すものが適
用される。集光レンズ８は２次光源の光強度分布の変更
に伴い像平面に生じる光軸に関して対称な照度むらを実
質的に補正する照度むら補正手段の一要素を構成してい
る。
【００２５】９はハーフミラーであり、入射光のうち数
パーセントの光を反射して光測定器（測定器）１０に入
射させている。光測定器１０はマスキングブレード１２
と略共役（鏡像）関係にあり、ブレード１２の開口面上
の照度を測定している。光測定器１０からの照度（光
量）の情報は、制御装置２１に入力され、制御装置２１
の指令がシャッター装置４に送られ、この指令によりシ
ャッターの閉動作や速度の制御を行なっている。
パーセントの光を反射して光測定器（測定器）１０に入
射させている。光測定器１０はマスキングブレード１２
と略共役（鏡像）関係にあり、ブレード１２の開口面上
の照度を測定している。光測定器１０からの照度（光
量）の情報は、制御装置２１に入力され、制御装置２１
の指令がシャッター装置４に送られ、この指令によりシ
ャッターの閉動作や速度の制御を行なっている。
【００２６】オプティカルインテグレーター６の光射出
面６ｂ近傍の２次光源から射出した複数の光束は、集光
レンズ８で集光され、ミラー１１で反射し、マスキング
ブレード１２に入射し、該マスキングブレード１２の開
口面を均一に照明している。マスキングブレード１２
は、複数の可動の遮光板より成り、任意の開口形状が形
成されるようにしている。マスキングブレード１２の具
体的構成は米国特許第４５８９７６９に示してある。
面６ｂ近傍の２次光源から射出した複数の光束は、集光
レンズ８で集光され、ミラー１１で反射し、マスキング
ブレード１２に入射し、該マスキングブレード１２の開
口面を均一に照明している。マスキングブレード１２
は、複数の可動の遮光板より成り、任意の開口形状が形
成されるようにしている。マスキングブレード１２の具
体的構成は米国特許第４５８９７６９に示してある。
【００２７】１３は結像レンズであり、マスキングブレ
ード１２の開口を被照射面としてのレチクル１４面上に
結像し且つ、レチクル１４面上の必要な領域を均一に照
明している。ここで集光レンズ８、ミラー１１、結像レ
ンズ１３等は２次光源からの光を物平面に照射する光照
射手段の一要素を構成している。
ード１２の開口を被照射面としてのレチクル１４面上に
結像し且つ、レチクル１４面上の必要な領域を均一に照
明している。ここで集光レンズ８、ミラー１１、結像レ
ンズ１３等は２次光源からの光を物平面に照射する光照
射手段の一要素を構成している。
【００２８】１５はレンズ系より成る投影光学系であ
り、レチクル１４面上の回路パターンをウエハチャック
に載置したウエハ（基板）１７面上に縮小投影してい
る。投影光学系は屈折系の他に投影ミラーなどの反射系
を含む反射屈折光学系等により構成しても良い。
り、レチクル１４面上の回路パターンをウエハチャック
に載置したウエハ（基板）１７面上に縮小投影してい
る。投影光学系は屈折系の他に投影ミラーなどの反射系
を含む反射屈折光学系等により構成しても良い。
【００２９】１６は投影光学系１５の瞳面（絞り）であ
る。１８は光検出器（測定器）であり、例えば紫外線検
出器より成っている。紫外線検出器１８は、その受光面
がウエハ１７と略同一平面上に位置するように設けてい
る。そしてアクチュエーター１９，２０により像平面に
沿って２次元的に移動可能となっており、像面における
照度と照度むらを測定している。
る。１８は光検出器（測定器）であり、例えば紫外線検
出器より成っている。紫外線検出器１８は、その受光面
がウエハ１７と略同一平面上に位置するように設けてい
る。そしてアクチュエーター１９，２０により像平面に
沿って２次元的に移動可能となっており、像面における
照度と照度むらを測定している。
【００３０】紫外線検出器１８はウエハ１７をおく面と
共役であるレチクル１４をおく面上に設けても良い。光
検出器１８、アクチュエーター１９，２０は像平面又は
物平面における照度分布を検出する照度検出手段の一要
素を構成している。
共役であるレチクル１４をおく面上に設けても良い。光
検出器１８、アクチュエーター１９，２０は像平面又は
物平面における照度分布を検出する照度検出手段の一要
素を構成している。
【００３１】本実施例における光学系では、発光部１ａ
と第２焦点２ｂとオプティカルインテグレータ６の入射
面６ａが略共役関係となっている。又、マスキングブレ
ード１２とレチクル１４とウエハ１７が共役関係となっ
ている。又、絞り７と投影光学系１５の瞳面１６とが略
共役関係となっている。
と第２焦点２ｂとオプティカルインテグレータ６の入射
面６ａが略共役関係となっている。又、マスキングブレ
ード１２とレチクル１４とウエハ１７が共役関係となっ
ている。又、絞り７と投影光学系１５の瞳面１６とが略
共役関係となっている。
【００３２】本実施例では以上のような構成により、レ
チクル１４面上の回路パターンをウエハ１７面上に縮小
投影し、ウエハ１７を回路パターン像により露光してい
る。そして所定の現像処理過程を経て半導体素子を製造
している。
チクル１４面上の回路パターンをウエハ１７面上に縮小
投影し、ウエハ１７を回路パターン像により露光してい
る。そして所定の現像処理過程を経て半導体素子を製造
している。
【００３３】次に、本実施例において絞り７の開口形状
を変えて照明モードを変えると共に光源１の発光部１ａ
の位置を調整することにより照明効率と照度均一性を良
好に維持する為の構成について説明する。
を変えて照明モードを変えると共に光源１の発光部１ａ
の位置を調整することにより照明効率と照度均一性を良
好に維持する為の構成について説明する。
【００３４】図１において、１０１は光源１のＸ方向の
位置を調整する為のアクチュエーター、１０２は光源１
のＹ方向の位置を調整する為のアクチュエーター、１０
３は光源１のＺ方向（光軸方向の位置）を調整する為の
アクチュエーターである。光源１の最初の調整はいくつ
かの照明モードのうちのどれか一つの照明モードＡで行
なっておく。そして次の照明モードＢに切り替えた時に
は、測定器１８で照度及び照度むらを測定し、制御装置
２２を介して照度が最大となり、又照度むらが最小にな
るように光源１の位置を調整してオプティカルインテグ
レータ６に入射する光束の光強度分布を変える。アクチ
ュエーター１０１，１０２，１０３そして制御装置２２
等は光強度分布変更手段（２次光源形成手段の光入射面
上での光源１からの光の強度分布を調整する強度分布調
整手段や光入射面内における光源の位置を変える光源像
移動手段）の一要素を構成している。
位置を調整する為のアクチュエーター、１０２は光源１
のＹ方向の位置を調整する為のアクチュエーター、１０
３は光源１のＺ方向（光軸方向の位置）を調整する為の
アクチュエーターである。光源１の最初の調整はいくつ
かの照明モードのうちのどれか一つの照明モードＡで行
なっておく。そして次の照明モードＢに切り替えた時に
は、測定器１８で照度及び照度むらを測定し、制御装置
２２を介して照度が最大となり、又照度むらが最小にな
るように光源１の位置を調整してオプティカルインテグ
レータ６に入射する光束の光強度分布を変える。アクチ
ュエーター１０１，１０２，１０３そして制御装置２２
等は光強度分布変更手段（２次光源形成手段の光入射面
上での光源１からの光の強度分布を調整する強度分布調
整手段や光入射面内における光源の位置を変える光源像
移動手段）の一要素を構成している。
【００３５】このうち制御装置２２とアクチュエータ１
０１，１０２は光軸と直交する平面上での光源１の位置
を変える光源位置調整手段の一要素を構成している。又
制御装置２２とアクチュエータ１０３は２次光源の光強
度分布の変更に伴い低下する物平面に照射される光量を
実質的に増加させる光量増加手段の一要素を構成してい
る。
０１，１０２は光軸と直交する平面上での光源１の位置
を変える光源位置調整手段の一要素を構成している。又
制御装置２２とアクチュエータ１０３は２次光源の光強
度分布の変更に伴い低下する物平面に照射される光量を
実質的に増加させる光量増加手段の一要素を構成してい
る。
【００３６】照度の調整は、測定器１８を像平面上の任
意の点（例えば露光領域の中心点）に固定し、光源１を
Ｚ方向に動かして照度が最大になる点を求めて行ってい
る。この場合測定器１８を用いて照度を測定するのでは
なく測定器１０を用いて照度を測定するようにしても良
い。
意の点（例えば露光領域の中心点）に固定し、光源１を
Ｚ方向に動かして照度が最大になる点を求めて行ってい
る。この場合測定器１８を用いて照度を測定するのでは
なく測定器１０を用いて照度を測定するようにしても良
い。
【００３７】本実施例において照度補正手段は強度分布
調整手段、光源像移動手段、光量増加手段、照度検出手
段、照度むら補正手段等を有している。又２次光源の光
強度分布の変更に伴い低下する物平面に照射される光量
を実質的に増加させる照度調整手段は強度分布調整手
段、光源像移動手段、照度検出手段、照度むら補正手段
等を有している。
調整手段、光源像移動手段、光量増加手段、照度検出手
段、照度むら補正手段等を有している。又２次光源の光
強度分布の変更に伴い低下する物平面に照射される光量
を実質的に増加させる照度調整手段は強度分布調整手
段、光源像移動手段、照度検出手段、照度むら補正手段
等を有している。
【００３８】本実施例において照度の調整手順は例えば
図３のフローチャートに従って行っている。光源１のＺ
方向の調整範囲をｎ分割し、そのそれぞれの点での照度
を測定し、照度が最大になるＺＭＡＸを求めている。以
下、図３のフローチャートを説明する。
図３のフローチャートに従って行っている。光源１のＺ
方向の調整範囲をｎ分割し、そのそれぞれの点での照度
を測定し、照度が最大になるＺＭＡＸを求めている。以
下、図３のフローチャートを説明する。
【００３９】〈ステップ１〉光源１をＺ方向にＺ＝Ｚ１
に動かす 〈ステップ２〉照度測定 〈ステップ３〉光源１の位置がＺ＝Ｚｎになったらステ
ップ４へ Ｚ＜Ｚｎであればステップ３′へ 〈ステップ４〉照度最大となる光源のＺ方向の位置ＺＭ
ＡＸを求める ＺＭＡＸの求め方は例えば下記のようにして求めてい
る。
に動かす 〈ステップ２〉照度測定 〈ステップ３〉光源１の位置がＺ＝Ｚｎになったらステ
ップ４へ Ｚ＜Ｚｎであればステップ３′へ 〈ステップ４〉照度最大となる光源のＺ方向の位置ＺＭ
ＡＸを求める ＺＭＡＸの求め方は例えば下記のようにして求めてい
る。
【００４０】光源１の位置Ｚ１〜Ｚｎでのそれぞれの照
度をグラフに表すと、図４のようになる。その測定点を
元に最小自乗法等の方法で近似曲線を求め、その近似曲
線から照度が最大になるＺＭＡＸを求める。
度をグラフに表すと、図４のようになる。その測定点を
元に最小自乗法等の方法で近似曲線を求め、その近似曲
線から照度が最大になるＺＭＡＸを求める。
【００４１】〈ステップ５〉光源１のＺ方向をＺ＝ＺＭ
ＡＸに動かす 非対称照度むらの調整は、光源１のＸ及びＹ方向の位置
を調整するがその手順は下記のようにする。
ＡＸに動かす 非対称照度むらの調整は、光源１のＸ及びＹ方向の位置
を調整するがその手順は下記のようにする。
【００４２】図５は露光領域を示しており、図５の座標
軸は光軸を原点とし、Ｘ軸，Ｙ軸の方向は図１の光源１
のＸ軸，Ｙ軸に対応している。点Ｙ+ ，Ｙ− ，Ｘ+ ，
Ｘ-の座標は夫々
軸は光軸を原点とし、Ｘ軸，Ｙ軸の方向は図１の光源１
のＸ軸，Ｙ軸に対応している。点Ｙ+ ，Ｙ− ，Ｘ+ ，
Ｘ-の座標は夫々
【００４３】
【外１】 図６は光源１のＸ，Ｙ方向の調整手順を示したフローチ
ャートである。
ャートである。
【００４４】〈ステップ１〉Ｘ軸上の２点Ｘ+ ，Ｘ- の
照度を測定する 〈ステップ２〉点Ｘ+ の照度と点Ｘ- の照度差（むら）
を判断する。
照度を測定する 〈ステップ２〉点Ｘ+ の照度と点Ｘ- の照度差（むら）
を判断する。
【００４５】 （点Ｘ+ の照度）−（点Ｘ- の照度）≧γ１（γ１はＸ方向の照度差の閾値） であればステップ２′へ進み、光源１をＸ方向に動かし
調整し、（点Ｘ+の照度）−（点Ｘ-の照度）＜γ１であ
ればステップ３へ進む。
調整し、（点Ｘ+の照度）−（点Ｘ-の照度）＜γ１であ
ればステップ３へ進む。
【００４６】〈ステップ３〉Ｙ軸上の２点Ｙ+ ，Ｙ- の
照度を測定する 〈ステップ４〉点Ｙ+ の照度と点Ｙ- の照度差（むら）
を判断する。
照度を測定する 〈ステップ４〉点Ｙ+ の照度と点Ｙ- の照度差（むら）
を判断する。
【００４７】 （点Ｙ+ の照度）−（点Ｙ- の照度）≧γ２（γ２はＹ方向の照度差の閾値） であればステップ４′へ進み、光源１をＹ方向に動かし
調整し、（点Ｙ+ の照度）−（点Ｙ- の照度）＜γ２で
あればステップ５へ進む。
調整し、（点Ｙ+ の照度）−（点Ｙ- の照度）＜γ２で
あればステップ５へ進む。
【００４８】〈ステップ５〉Ｘ軸上の２点Ｘ+ ，Ｘ- の
照度を測定する 〈ステップ６〉点Ｘ+ の照度と点Ｘ- の照度差（むら）
を判断する。
照度を測定する 〈ステップ６〉点Ｘ+ の照度と点Ｘ- の照度差（むら）
を判断する。
【００４９】 （点Ｘ+ の照度）−（点Ｘ- の照度）≧γ３（γ３はＸ方向の照度差の閾値） であればステップ６′へ進み、光源１をＸ方向に動かし
調整し、（点Ｘ+ の照度）−（点Ｘ- の照度）＜γ３で
あれば終了。
調整し、（点Ｘ+ の照度）−（点Ｘ- の照度）＜γ３で
あれば終了。
【００５０】尚、本実施例では照度及び非対称照度むら
を補正しているが、照度のみ又は照度むらのみを補正す
るようにしても良い。
を補正しているが、照度のみ又は照度むらのみを補正す
るようにしても良い。
【００５１】照度のみの場合は光源１のＺ方向の位置の
みを調整すれば良いので機構としては簡単になる。又前
述のように照度を調整する場合は測定器１８ではなく測
定器１０を用いて照度を測定しても良い。
みを調整すれば良いので機構としては簡単になる。又前
述のように照度を調整する場合は測定器１８ではなく測
定器１０を用いて照度を測定しても良い。
【００５２】図７は本発明の実施例２の要部概略図であ
る。
る。
【００５３】実施例１では光源１の位置を調整すること
により照度及び照度むらを調整していた。このことは楕
円鏡２の第２焦点２ｂ近傍の発光部１ａの光源像１ｂ及
び光入射面６ａ上での光源像１ｂの像の光強度分布を変
えることに他ならない。
により照度及び照度むらを調整していた。このことは楕
円鏡２の第２焦点２ｂ近傍の発光部１ａの光源像１ｂ及
び光入射面６ａ上での光源像１ｂの像の光強度分布を変
えることに他ならない。
【００５４】本実施例では、この点を鑑みて、光源像移
動手段として光偏向手段を用い、該光偏向手段として可
動楕円鏡２を用いている。そして楕円鏡２を動かすこと
により、楕円鏡２の第２焦点２ｂ近傍の発光部１ａの光
源像１ｂの光強度分布を変え、実施例１と同等の効果を
得ている。
動手段として光偏向手段を用い、該光偏向手段として可
動楕円鏡２を用いている。そして楕円鏡２を動かすこと
により、楕円鏡２の第２焦点２ｂ近傍の発光部１ａの光
源像１ｂの光強度分布を変え、実施例１と同等の効果を
得ている。
【００５５】図７において、図１との同一の要素には図
１と同一の番号を付している。本実施例の特徴は楕円鏡
２の位置調整機構にある。
１と同一の番号を付している。本実施例の特徴は楕円鏡
２の位置調整機構にある。
【００５６】図７において、１０４は楕円鏡２のＸ方向
の位置を調整するためのアクチュエーター、１０５は楕
円鏡２のＹ方向の位置を調整するためのアクチュエータ
ー、１０６は楕円鏡２のＺ方向（光軸方向）の位置を調
整するためのアクチュエーターである。楕円鏡２の初期
調整はいくつかの照明モードのうちのどれか一つの照明
モードＡで行う。
の位置を調整するためのアクチュエーター、１０５は楕
円鏡２のＹ方向の位置を調整するためのアクチュエータ
ー、１０６は楕円鏡２のＺ方向（光軸方向）の位置を調
整するためのアクチュエーターである。楕円鏡２の初期
調整はいくつかの照明モードのうちのどれか一つの照明
モードＡで行う。
【００５７】そして次の照明モードＢに切り替えたとき
には、測定器１８で照度及び照度むらを測定し、制御装
置２２ａを介して、それぞれが最小になるように楕円鏡
２の位置を調整する。アクチュエーター１０４〜１０
６、制御装置２２ａ等は光強度分布変更手段の一要素を
構成している。又、楕円鏡２、アクチュエータ１０４，
１０５、制御装置２２９は光源位置調整手段の一要素を
構成している。
には、測定器１８で照度及び照度むらを測定し、制御装
置２２ａを介して、それぞれが最小になるように楕円鏡
２の位置を調整する。アクチュエーター１０４〜１０
６、制御装置２２ａ等は光強度分布変更手段の一要素を
構成している。又、楕円鏡２、アクチュエータ１０４，
１０５、制御装置２２９は光源位置調整手段の一要素を
構成している。
【００５８】照度の調整は測定器１８を像平面上の任意
の点（例えば露光領域の中心点）に固定し、楕円鏡２の
Ｚ方向を動かして照度が最大になる点を求めている。
の点（例えば露光領域の中心点）に固定し、楕円鏡２の
Ｚ方向を動かして照度が最大になる点を求めている。
【００５９】この場合、測定器１８を用いて照度を測定
するのではなく、測定器１０を用いて照度を測定しても
良い。照度の調整手順は実施例１と同じである。照度む
らの調整は、楕円鏡２のＸ及びＹ方向を調整するが、そ
の手順は実施例１と同じである。
するのではなく、測定器１０を用いて照度を測定しても
良い。照度の調整手順は実施例１と同じである。照度む
らの調整は、楕円鏡２のＸ及びＹ方向を調整するが、そ
の手順は実施例１と同じである。
【００６０】尚、本実施例では照度及び非対称照度むら
を補正しているが、照度のみ又は照度むらのみを補正し
ても良い。照度のみの場合は、楕円鏡２のＺ方向のみを
調整すれば良いので、機構としては簡単になる。又前述
のように照度を調整する場合は測定器１８ではなく測定
器１０を用いて照度を測定しても良い。
を補正しているが、照度のみ又は照度むらのみを補正し
ても良い。照度のみの場合は、楕円鏡２のＺ方向のみを
調整すれば良いので、機構としては簡単になる。又前述
のように照度を調整する場合は測定器１８ではなく測定
器１０を用いて照度を測定しても良い。
【００６１】本実施例において楕円鏡２、制御装置２２
ａ、アクチュエータ１０４，１０５は２次光源の光強度
分布の変更に伴い像平面に生じる光軸に対して非対称な
照度むらを実質的に補正する照度補正手段の一要素を構
成している。
ａ、アクチュエータ１０４，１０５は２次光源の光強度
分布の変更に伴い像平面に生じる光軸に対して非対称な
照度むらを実質的に補正する照度補正手段の一要素を構
成している。
【００６２】図８は本発明の実施例３の光源１近傍の要
部概略図である。図８において図１と同一要素には図１
と同一番号を付してある。不図示の部分は図１と同一構
成を有する。
部概略図である。図８において図１と同一要素には図１
と同一番号を付してある。不図示の部分は図１と同一構
成を有する。
【００６３】図８において、１は水銀ランプ等の紫外線
を放射する光源である。２は楕円鏡であり、２ａはその
第１焦点であり、第１焦点２ａ付近に光源１の発光部
（電極）１ａが置かれている。楕円鏡２及びレンズ（可
動レンズ）２０１が第２焦点２ｂ近傍に発光部１ａの像
を含む光源像１ｂを形成している。光源像１ｂ以降の光
学系は実施例１と同様なので説明を省略する。
を放射する光源である。２は楕円鏡であり、２ａはその
第１焦点であり、第１焦点２ａ付近に光源１の発光部
（電極）１ａが置かれている。楕円鏡２及びレンズ（可
動レンズ）２０１が第２焦点２ｂ近傍に発光部１ａの像
を含む光源像１ｂを形成している。光源像１ｂ以降の光
学系は実施例１と同様なので説明を省略する。
【００６４】１０７〜１０８は各々レンズ２０１の調整
機構である。１０７はレンズ２０１のＸ方向の位置を調
整する為のアクチュエーター、１０８はレンズ２０１の
Ｙ方向の位置を調整する為のアクチュエーター、１０９
はレンズ２０１のＺ方向の位置を調整する為のアクチュ
エーターである。
機構である。１０７はレンズ２０１のＸ方向の位置を調
整する為のアクチュエーター、１０８はレンズ２０１の
Ｙ方向の位置を調整する為のアクチュエーター、１０９
はレンズ２０１のＺ方向の位置を調整する為のアクチュ
エーターである。
【００６５】レンズ２０の初期調整はいくつかの照明モ
ードのうちのどれか一つの照明モードＡで行う。そして
次の照明モードＢに切り替えたときには図１と同様の測
定器１８で照度及び照度むらを測定し、図８の制御装置
２２ｂを介して、照度が最大となり、且つ照度むらが最
小になるようにレンズ２０１の位置を調整する。照度の
調整及びその手順は実施例１と同じである。アクチュエ
ーター１０７〜１０９と制御装置２２ｂは光強度分布変
更手段の一要素を構成している。
ードのうちのどれか一つの照明モードＡで行う。そして
次の照明モードＢに切り替えたときには図１と同様の測
定器１８で照度及び照度むらを測定し、図８の制御装置
２２ｂを介して、照度が最大となり、且つ照度むらが最
小になるようにレンズ２０１の位置を調整する。照度の
調整及びその手順は実施例１と同じである。アクチュエ
ーター１０７〜１０９と制御装置２２ｂは光強度分布変
更手段の一要素を構成している。
【００６６】照度むらの調整及びその手順は、レンズ２
０１のＸ及びＹ方向を調整するが、実施例１と同じであ
る。
０１のＸ及びＹ方向を調整するが、実施例１と同じであ
る。
【００６７】図８では第２焦点２ｂの近くのレンズ２０
１を用いて発光部１ａの光源像１ｂの位置を変化させた
が、レンズ２０１より成る屈折光学系の代わりに鏡を用
いた反射光学系を用いても良い。
１を用いて発光部１ａの光源像１ｂの位置を変化させた
が、レンズ２０１より成る屈折光学系の代わりに鏡を用
いた反射光学系を用いても良い。
【００６８】尚、本実施例では照度及び非対称照度むら
を補正しているが、照度のみ又は照度むらのみを補正し
ても良い。この場合はレンズ２０１のＺ方向の位置のみ
を調整すれば良いので、機構としては簡単になる。又前
述のように照度を調整する場合は図１の測定器１８では
なく図１の測定器１０を用いて照度を測定しても良い。
を補正しているが、照度のみ又は照度むらのみを補正し
ても良い。この場合はレンズ２０１のＺ方向の位置のみ
を調整すれば良いので、機構としては簡単になる。又前
述のように照度を調整する場合は図１の測定器１８では
なく図１の測定器１０を用いて照度を測定しても良い。
【００６９】図９（Ａ）は本発明の実施例４の光源１近
傍の要部概略図である。図９（Ａ）において図１と同一
要素には図１と同一番号が付してある。不図示の部分は
図１と同一構成を有する。
傍の要部概略図である。図９（Ａ）において図１と同一
要素には図１と同一番号が付してある。不図示の部分は
図１と同一構成を有する。
【００７０】本実施例は図８の実施例３のレンズ２０１
の代わりに透明な可動板としてウエッジ（クサビ状の
板）２０２，２０３を用いて楕円鏡２の第２焦点２ｂ近
傍の発光部１ａの光源像１ｂの光強度分布を変え、実施
例１と同等の効果を得ている。
の代わりに透明な可動板としてウエッジ（クサビ状の
板）２０２，２０３を用いて楕円鏡２の第２焦点２ｂ近
傍の発光部１ａの光源像１ｂの光強度分布を変え、実施
例１と同等の効果を得ている。
【００７１】図９（Ｂ）は同図（Ａ）のウエッジ２０
２，２０３の拡大説明図である。
２，２０３の拡大説明図である。
【００７２】本実施例において照度を補正する場合に
は、ウエッジの斜面２０２ａ，２０３ａに沿った図のα
軸の方向にウエッジ２０３をアクチュエーター１１０に
より移動させる。ウエッジ２０３をα軸の正方向（矢印
方向）に動かすと光学的な厚さは薄くなるので発光部１
ａの光源像１ｂはＺ軸の負の方向（光源１側）にずれ、
ウエッジ２０３をα軸の負方向に動かすと光学的な厚さ
は厚くなるので発光部１ａの光源像１ｂはＺ軸の正方向
にずれる。
は、ウエッジの斜面２０２ａ，２０３ａに沿った図のα
軸の方向にウエッジ２０３をアクチュエーター１１０に
より移動させる。ウエッジ２０３をα軸の正方向（矢印
方向）に動かすと光学的な厚さは薄くなるので発光部１
ａの光源像１ｂはＺ軸の負の方向（光源１側）にずれ、
ウエッジ２０３をα軸の負方向に動かすと光学的な厚さ
は厚くなるので発光部１ａの光源像１ｂはＺ軸の正方向
にずれる。
【００７３】このようにして発光部１ａの光源像１ｂの
位置を光軸に沿ってずらすことにより、照度を最適な値
にしている。尚本実施例に置いてウエッジ２０３のみを
動かす代わりにウエッジ２０２又はウエッジ２０２とウ
エッジ２０３の両方を動かしても良い。ウエッジ２０
２，２０３そしてアクチュエータ１１０は光量増加手段
の一要素を構成している。又ウエッジをＸ，Ｙ軸の周り
に回転させても良く、これによれば非対称照度むらを取
ることもできる。
位置を光軸に沿ってずらすことにより、照度を最適な値
にしている。尚本実施例に置いてウエッジ２０３のみを
動かす代わりにウエッジ２０２又はウエッジ２０２とウ
エッジ２０３の両方を動かしても良い。ウエッジ２０
２，２０３そしてアクチュエータ１１０は光量増加手段
の一要素を構成している。又ウエッジをＸ，Ｙ軸の周り
に回転させても良く、これによれば非対称照度むらを取
ることもできる。
【００７４】本実施例において可動楕円鏡、可動レン
ズ、そして透明な可動板等は光偏向手段の一要素を構成
している。
ズ、そして透明な可動板等は光偏向手段の一要素を構成
している。
【００７５】以上の実施例１〜４では、測定器１８の出
力に基づいて各部材の位置を調整していたが、予め各照
明モード（開口形状）と各部材の最適位置の関係を求め
ておき、照明モードが切り換わったら、自動的に各部材
の位置を所定位置にアライメントするよう構成しても良
い。
力に基づいて各部材の位置を調整していたが、予め各照
明モード（開口形状）と各部材の最適位置の関係を求め
ておき、照明モードが切り換わったら、自動的に各部材
の位置を所定位置にアライメントするよう構成しても良
い。
【００７６】図１０は本発明の実施例５の要部概略図で
ある。同図も本発明の照明装置を所謂ステッパーと呼称
される縮小型の投影露光装置に適用した場合を示してい
る。
ある。同図も本発明の照明装置を所謂ステッパーと呼称
される縮小型の投影露光装置に適用した場合を示してい
る。
【００７７】同図において、４１は光源であり、比較的
空間的コヒーレンシィーが小さな（横モードの数が多
い）ＫｒＦエキシマレーザーから成っている。光源４１
からはコヒーレントな平行光束が放射されている。
空間的コヒーレンシィーが小さな（横モードの数が多
い）ＫｒＦエキシマレーザーから成っている。光源４１
からはコヒーレントな平行光束が放射されている。
【００７８】３２は透明な平行板から成る光学部材であ
り、傾動可能となっており、光源４１からの光束の平行
移動を行っている。３３は第１のビームスプリッターで
あり光学部材３２を通過したコヒーレント光束を反射光
と透過光の２つの光束Ｌａ，Ｌｂに振幅分割している。
第１のビームスプリッター３３で反射分割された光束Ｌ
ａは第２のビームスプリッター３４ａで再度反射光と透
過光の２つの光束Ｌａ1 ，Ｌａ2 に振幅分割せしめられ
る。このうち反射分割された反射光束Ｌａ1 は４つの楔
型プリズム３８ａ1 ，３８ａ2 ，３８ｂ1 ，３８ｂ2 を
有した、複数の入射光束を屈折偏向させて重ね合わせる
第１偏向部材３８の１つの楔型プリズム３８ａ1 に入射
する。また、４つの楔形プリズム３８ａ1 ，３８ａ2 ，
３８ｂ1，３８ｂ2 は各々独立に矢印で示す光軸方向に
移動可能となっており、これらの各楔形プリズムを移動
させることにより、開口絞りの開口形状を変更したとき
の後述するレクチル面（物平面）やウエハ面（像平面）
上における照度分布（非対称照度むら）を調整する照度
分布調整手段を構成している。
り、傾動可能となっており、光源４１からの光束の平行
移動を行っている。３３は第１のビームスプリッターで
あり光学部材３２を通過したコヒーレント光束を反射光
と透過光の２つの光束Ｌａ，Ｌｂに振幅分割している。
第１のビームスプリッター３３で反射分割された光束Ｌ
ａは第２のビームスプリッター３４ａで再度反射光と透
過光の２つの光束Ｌａ1 ，Ｌａ2 に振幅分割せしめられ
る。このうち反射分割された反射光束Ｌａ1 は４つの楔
型プリズム３８ａ1 ，３８ａ2 ，３８ｂ1 ，３８ｂ2 を
有した、複数の入射光束を屈折偏向させて重ね合わせる
第１偏向部材３８の１つの楔型プリズム３８ａ1 に入射
する。また、４つの楔形プリズム３８ａ1 ，３８ａ2 ，
３８ｂ1，３８ｂ2 は各々独立に矢印で示す光軸方向に
移動可能となっており、これらの各楔形プリズムを移動
させることにより、開口絞りの開口形状を変更したとき
の後述するレクチル面（物平面）やウエハ面（像平面）
上における照度分布（非対称照度むら）を調整する照度
分布調整手段を構成している。
【００７９】第２のビームスプリッター３４ａで透過分
割された透過光束Ｌａ2 は、反射ミラー３５ａ，３６
ａ，３７ａで順次反射せしめられ、光束Ｌａ1 に対して
光束断面に関して方向を１８０度回転されて第１偏向部
材３８の１つの楔型プリズム３８ａ2 に入射する。
割された透過光束Ｌａ2 は、反射ミラー３５ａ，３６
ａ，３７ａで順次反射せしめられ、光束Ｌａ1 に対して
光束断面に関して方向を１８０度回転されて第１偏向部
材３８の１つの楔型プリズム３８ａ2 に入射する。
【００８０】一方、第１のビームスプリッター３３で透
過分割された透過光束Ｌｂは、反射ミラー６１，６２で
反射した後、第３のビームスプリッター３４ｂで、再度
反射光と透過光の２つの光束Ｌｂ1 ，Ｌｂ2 に振幅分割
せしめられる。
過分割された透過光束Ｌｂは、反射ミラー６１，６２で
反射した後、第３のビームスプリッター３４ｂで、再度
反射光と透過光の２つの光束Ｌｂ1 ，Ｌｂ2 に振幅分割
せしめられる。
【００８１】このうち反射分割された反射光束Ｌｂ1
は、第１偏向部材３８の１つの楔型プリズム３８ｂ1 に
入射する。又、第３のビームスプリッター３４ｂで透過
分割された透過光束Ｌｂ2 は、反射ミラー３５ｂ，３６
ｂ，３７ｂで順次反射して、光束Ｌｂ1 に対して光束断
面に関して方向を１８０度回転されて第１偏向部材３８
の１つの楔型プリズム３８ｂ2 に入射する。
は、第１偏向部材３８の１つの楔型プリズム３８ｂ1 に
入射する。又、第３のビームスプリッター３４ｂで透過
分割された透過光束Ｌｂ2 は、反射ミラー３５ｂ，３６
ｂ，３７ｂで順次反射して、光束Ｌｂ1 に対して光束断
面に関して方向を１８０度回転されて第１偏向部材３８
の１つの楔型プリズム３８ｂ2 に入射する。
【００８２】第１偏向部材３８に入射した４つの光束Ｌ
ａ1 ，Ｌａ2 ，Ｌｂ1 ，Ｌｂ2 は、各々、楔型プリズム
３８ａ1 ，３８ａ2 ，３８ｂ1 ，３８ｂ2 で屈折偏向し
て、楔型プリズムより成る第２偏向部材５１を通過し、
複数のバーレンズより成るオプティカルインテグレータ
５２の光入射面に、互いに重畳して入射している。この
とき４つの光束Ｌａ1 ，Ｌａ2 ，Ｌｂ1 ，Ｌｂ2 は後述
するように互いにインコヒーレント光束となっている。
尚、第２偏向部材５１はコンデンサーレンズ５３の光軸
を中心に回転可能となっている。
ａ1 ，Ｌａ2 ，Ｌｂ1 ，Ｌｂ2 は、各々、楔型プリズム
３８ａ1 ，３８ａ2 ，３８ｂ1 ，３８ｂ2 で屈折偏向し
て、楔型プリズムより成る第２偏向部材５１を通過し、
複数のバーレンズより成るオプティカルインテグレータ
５２の光入射面に、互いに重畳して入射している。この
とき４つの光束Ｌａ1 ，Ｌａ2 ，Ｌｂ1 ，Ｌｂ2 は後述
するように互いにインコヒーレント光束となっている。
尚、第２偏向部材５１はコンデンサーレンズ５３の光軸
を中心に回転可能となっている。
【００８３】２次光源形成手段の一要素であるオプティ
カルインテグレータ５２の光射出面側は２次光源面とな
っており、オプティカルインテグレータ５２を構成する
バーレンズの数とそこに入射する入射光束の数とでその
数が定まる多数個の光スポットが形成される。
カルインテグレータ５２の光射出面側は２次光源面とな
っており、オプティカルインテグレータ５２を構成する
バーレンズの数とそこに入射する入射光束の数とでその
数が定まる多数個の光スポットが形成される。
【００８４】ＡＰは開口絞り（絞り）であり、オプティ
カルインテグレータ５２の光射出面側に設けており、例
えば図２（Ｄ）のような４重極照明用の絞り開口を有し
ている。又絞りＡＰの位置は瞳位置となっており、投影
レンズ系５４の瞳と共役である。
カルインテグレータ５２の光射出面側に設けており、例
えば図２（Ｄ）のような４重極照明用の絞り開口を有し
ている。又絞りＡＰの位置は瞳位置となっており、投影
レンズ系５４の瞳と共役である。
【００８５】オプティカルインテグレータ５２の光射出
面からの光束は、絞りＡＰを介して光照射手段の一要素
であるコンデンサーレンズ５３で集光され、被照射面で
あるレチクルＲを照明する。
面からの光束は、絞りＡＰを介して光照射手段の一要素
であるコンデンサーレンズ５３で集光され、被照射面で
あるレチクルＲを照明する。
【００８６】投影手段を構成する投影レンズ系５４によ
りレチクルＲ面上の回路パターンをウエハＷ面上に所定
倍率で縮小投影している。
りレチクルＲ面上の回路パターンをウエハＷ面上に所定
倍率で縮小投影している。
【００８７】本実施例では、第１，第２，第３のビーム
スプリッター３３，３４ａ，３４ｂで光分割手段を構成
し、又第１ビームスプリッター３３から第１偏向部材３
８に至る光路に沿って配列した各光学要素で１つのコヒ
ーレント光を互いにインコヒーレントな４つの光に変換
する光学手段５０を構成している。
スプリッター３３，３４ａ，３４ｂで光分割手段を構成
し、又第１ビームスプリッター３３から第１偏向部材３
８に至る光路に沿って配列した各光学要素で１つのコヒ
ーレント光を互いにインコヒーレントな４つの光に変換
する光学手段５０を構成している。
【００８８】図１１は、図１０において矢印Ａ〜Ｄで示
す、各光路中の光束断面と、レチクルＲ上における光強
度分布を示す説明図である。
す、各光路中の光束断面と、レチクルＲ上における光強
度分布を示す説明図である。
【００８９】本実施例において、光源４１から発せられ
る光束断面の基準の向きを図１４に示すＬとした時、楔
型プリズム３８ａ1 ，３８ａ2 ，３８ｂ1 ，３８ｂ2 に
入射する光束Ｌａ1 ，Ｌａ2 ，Ｌｂ1 ，Ｌｂ2 の向きは
図１２に示すように基準点Ｐ（コンデンサーレンズ５３
の光軸に一致している。）を中心に放射状に配置される
ようになっている。
る光束断面の基準の向きを図１４に示すＬとした時、楔
型プリズム３８ａ1 ，３８ａ2 ，３８ｂ1 ，３８ｂ2 に
入射する光束Ｌａ1 ，Ｌａ2 ，Ｌｂ1 ，Ｌｂ2 の向きは
図１２に示すように基準点Ｐ（コンデンサーレンズ５３
の光軸に一致している。）を中心に放射状に配置される
ようになっている。
【００９０】尚、図１２は第１偏向部材３８に入射する
４つの光束Ｌａ1 ，Ｌａ2 ，Ｌｂ1，Ｌｂ2 の断面をウ
エハＷ側から見たときを示している。
４つの光束Ｌａ1 ，Ｌａ2 ，Ｌｂ1，Ｌｂ2 の断面をウ
エハＷ側から見たときを示している。
【００９１】第１偏向部材３８の各楔型プリズムに入射
する４つの光束Ｌａ1 ，Ｌａ2 ，Ｌｂ1 ，Ｌｂ2 は各々
第１のビームスプリッター３３から第１偏向部材３８に
至るまでの光路長が互いに異っており、光源４１の波長
幅で定められる時間的
する４つの光束Ｌａ1 ，Ｌａ2 ，Ｌｂ1 ，Ｌｂ2 は各々
第１のビームスプリッター３３から第１偏向部材３８に
至るまでの光路長が互いに異っており、光源４１の波長
幅で定められる時間的
【００９２】
【外２】 となるように構成されている。
【００９３】これにより４つの光束間のインコヒーレン
ト化を図り、４つの光束が互いにオプティカルインテグ
レータ５２の光入射面で重なり合った時、殆んど干渉し
ないようにしている。
ト化を図り、４つの光束が互いにオプティカルインテグ
レータ５２の光入射面で重なり合った時、殆んど干渉し
ないようにしている。
【００９４】本実施例では第１偏向部材３８に入射する
４つの光束Ｌａ1 ，Ｌａ2 ，Ｌｂ1，Ｌｂ2 は略同強度
のエネルギーを持っている。
４つの光束Ｌａ1 ，Ｌａ2 ，Ｌｂ1，Ｌｂ2 は略同強度
のエネルギーを持っている。
【００９５】使用するビームスプリッターの数が２i −
１（ｉ＝２，３，４，‥‥ｎ）であり、光学手段５０で
分割する光束の数が２i （ｉ＝２，３，４，‥‥ｎ）の
時はビームスプリッタの反射率と透過率は各々略５０％
となっている。これ以外の数のビームスプリッターと分
割光束を用いて構成する場合は、照度ムラ及び有効光源
歪が生じないように第１偏向部材３８に入射する各々の
光束のエネルギー強度が一定となるようにビームスプリ
ッターの反射率と透過率の比率を調整する必要がある。
１（ｉ＝２，３，４，‥‥ｎ）であり、光学手段５０で
分割する光束の数が２i （ｉ＝２，３，４，‥‥ｎ）の
時はビームスプリッタの反射率と透過率は各々略５０％
となっている。これ以外の数のビームスプリッターと分
割光束を用いて構成する場合は、照度ムラ及び有効光源
歪が生じないように第１偏向部材３８に入射する各々の
光束のエネルギー強度が一定となるようにビームスプリ
ッターの反射率と透過率の比率を調整する必要がある。
【００９６】尚、この時第１偏向部材３８の楔型プリズ
ムの数は分割光束の数に応じて設けることは当然であ
る。
ムの数は分割光束の数に応じて設けることは当然であ
る。
【００９７】本実施例で光源として用いるエキシマレー
ザは空間的コヒーレンシィが一般に比較的小さい。しか
しながら、本実施例では投影レンズ５４で生じる色収差
を極力小さくする為にエタロン、プリズム等の狭帯域化
素子でレーザ光の波長幅（バンド幅）を非常に狭くして
いる為時間的コヒーレンシィが大きくなっている。
ザは空間的コヒーレンシィが一般に比較的小さい。しか
しながら、本実施例では投影レンズ５４で生じる色収差
を極力小さくする為にエタロン、プリズム等の狭帯域化
素子でレーザ光の波長幅（バンド幅）を非常に狭くして
いる為時間的コヒーレンシィが大きくなっている。
【００９８】本実施例ではエキシマレーザーで生成され
る光束のうち中心波長λ＝２４８．４ｎｍ、波長幅Δλ
＝０．００３ｎｍの光束を使用している為、各光束Ｌａ
1 ，Ｌａ2 ，Ｌｂ1 ，Ｌｂ2 の時間的コヒーレンス長が
比較的長くなっている。
る光束のうち中心波長λ＝２４８．４ｎｍ、波長幅Δλ
＝０．００３ｎｍの光束を使用している為、各光束Ｌａ
1 ，Ｌａ2 ，Ｌｂ1 ，Ｌｂ2 の時間的コヒーレンス長が
比較的長くなっている。
【００９９】この為、光学手段５０により各々の光束に
所定の光路長差を与えることにより互いにインコヒーレ
ントな光束としてオプティカルインテグレータ５２の光
入射面上に第１偏向部材３８で屈折偏向させ互いに重ね
合わせて入射させた時、各光束間の干渉で干渉縞が形成
されないようにしている。
所定の光路長差を与えることにより互いにインコヒーレ
ントな光束としてオプティカルインテグレータ５２の光
入射面上に第１偏向部材３８で屈折偏向させ互いに重ね
合わせて入射させた時、各光束間の干渉で干渉縞が形成
されないようにしている。
【０１００】又楔型プリズムより成る第２偏向部材５１
を、駆動手段３０２で、コンデンサーレンズ５３と投影
レンズ系５４より成る光学系の光軸を中心に回転させ
て、第２偏向部材５１を通過した４つの光束Ｌａ1 ，Ｌ
ａ2 ，Ｌｂ1 ，Ｌｂ2 のオプティカルインテグレータ５
２の光入射面への入射角と入射位置を時間的に変化させ
ている。
を、駆動手段３０２で、コンデンサーレンズ５３と投影
レンズ系５４より成る光学系の光軸を中心に回転させ
て、第２偏向部材５１を通過した４つの光束Ｌａ1 ，Ｌ
ａ2 ，Ｌｂ1 ，Ｌｂ2 のオプティカルインテグレータ５
２の光入射面への入射角と入射位置を時間的に変化させ
ている。
【０１０１】第１、第２偏向部材３８、５１は、光束Ｌ
ａ1 ，Ｌａ2 ，Ｌｂ1 ，Ｌｂ2 がオプティカルインテグ
レータ５２の光入射面上で部分的に常に重なり合うよう
に配列してある。
ａ1 ，Ｌａ2 ，Ｌｂ1 ，Ｌｂ2 がオプティカルインテグ
レータ５２の光入射面上で部分的に常に重なり合うよう
に配列してある。
【０１０２】図１１（Ａ）に示すように、レーザー４１
からのレーザー光の断面強度分布は、ガウス分布或いは
この分布に近い分布であるため、図１１（Ｂ）に示すよ
うに、第１偏向部材３８に入射する光束Ｌａ1 ，Ｌａ
2 ，Ｌｂ1 ，Ｌｂ2 の断面強度分布もほぼガウス分布を
呈する。さて、この光束Ｌａ1 ，Ｌａ2 ，Ｌｂ1 ，Ｌｂ
2 がオプティカルインテグレータ５２の光入射面に入射
して重なり合った時の光束の断面強度分布は、図１１
（Ｃ）に示すように光軸に関して対称で、しかもほぼ均
一な分布になる。これは、前述のように光束Ｌａ1 ，Ｌ
ａ2 ，Ｌｂ1 ，Ｌｂ2 をオプティカルインテグレータ５
２の光入射面上で部分的に重ね合わせたことによる効果
である。又、この時のオプティカルインテグレータ５２
の光出射近傍（平面Ｄ）での光強度分布は図１１（Ｄ）
に示すような形である。光束Ｌａ1 ，Ｌａ2 ，Ｌｂ1 ，
Ｌｂ2 の平面Ｂにおける断面強度分布がガウス分布以外
の場合にも、オプティカルインテグレータ５２の光入射
面（平面Ｃ）での強度分布が均一になるように、光束Ｌ
ａ1 ，Ｌａ2 ，Ｌｂ1 ，Ｌｂ2 をオプティカルインテグ
レータ２２の光入射面上で重ね合わせることが好まし
い。
からのレーザー光の断面強度分布は、ガウス分布或いは
この分布に近い分布であるため、図１１（Ｂ）に示すよ
うに、第１偏向部材３８に入射する光束Ｌａ1 ，Ｌａ
2 ，Ｌｂ1 ，Ｌｂ2 の断面強度分布もほぼガウス分布を
呈する。さて、この光束Ｌａ1 ，Ｌａ2 ，Ｌｂ1 ，Ｌｂ
2 がオプティカルインテグレータ５２の光入射面に入射
して重なり合った時の光束の断面強度分布は、図１１
（Ｃ）に示すように光軸に関して対称で、しかもほぼ均
一な分布になる。これは、前述のように光束Ｌａ1 ，Ｌ
ａ2 ，Ｌｂ1 ，Ｌｂ2 をオプティカルインテグレータ５
２の光入射面上で部分的に重ね合わせたことによる効果
である。又、この時のオプティカルインテグレータ５２
の光出射近傍（平面Ｄ）での光強度分布は図１１（Ｄ）
に示すような形である。光束Ｌａ1 ，Ｌａ2 ，Ｌｂ1 ，
Ｌｂ2 の平面Ｂにおける断面強度分布がガウス分布以外
の場合にも、オプティカルインテグレータ５２の光入射
面（平面Ｃ）での強度分布が均一になるように、光束Ｌ
ａ1 ，Ｌａ2 ，Ｌｂ1 ，Ｌｂ2 をオプティカルインテグ
レータ２２の光入射面上で重ね合わせることが好まし
い。
【０１０３】本実施例では、図１２に示すように４つの
光束Ｌａ1 ，Ｌａ2 ，Ｌｂ1 ，Ｌｂ2 の方向が第１偏向
部材３８において基準点Ｐを中心に放射上に位置するよ
うに構成している。そして光源４１からの出射時の光束
Ｌとその相対位置関係
光束Ｌａ1 ，Ｌａ2 ，Ｌｂ1 ，Ｌｂ2 の方向が第１偏向
部材３８において基準点Ｐを中心に放射上に位置するよ
うに構成している。そして光源４１からの出射時の光束
Ｌとその相対位置関係
【０１０４】
【外３】 Ｌａ1 ，Ｌａ2 ，Ｌｂ1 ，Ｌｂ2 が基準点Ｐに向かって
移動するようにしている。これにより、駆動手段３０１
で平行板より成る光学部材３２を光軸に対して傾けて光
束Ｌを光軸に関して平行移動させたときオプティカルイ
ンテグレータ５２上の４つの光束Ｌａ1 ，Ｌａ2 ，Ｌｂ
1 ，Ｌｂ2 が基準点Ｐに対して中心に向かったり遠ざか
ったりしてオプティカルインテグレータ５２に入射する
光束の光強度分布を変化させている。この大きさの変更
により、オプティカルインテグレータ５２の射出面に設
定された２次光源面の光強度分布を変化せしめることが
できる。レジストの種類やレチクルＲの回路パターンの
線巾等の露光条件に応じて、駆動手段３０１により装置
のσ値を種々変化させて最適条件で露光が出来る。
移動するようにしている。これにより、駆動手段３０１
で平行板より成る光学部材３２を光軸に対して傾けて光
束Ｌを光軸に関して平行移動させたときオプティカルイ
ンテグレータ５２上の４つの光束Ｌａ1 ，Ｌａ2 ，Ｌｂ
1 ，Ｌｂ2 が基準点Ｐに対して中心に向かったり遠ざか
ったりしてオプティカルインテグレータ５２に入射する
光束の光強度分布を変化させている。この大きさの変更
により、オプティカルインテグレータ５２の射出面に設
定された２次光源面の光強度分布を変化せしめることが
できる。レジストの種類やレチクルＲの回路パターンの
線巾等の露光条件に応じて、駆動手段３０１により装置
のσ値を種々変化させて最適条件で露光が出来る。
【０１０５】又、４つの光束Ｌａ1 ，Ｌａ2 ，Ｌｂ1 ，
Ｌｂ2 の矢印方向が図１２に示すように上、下、左、右
方向に互いに内側に向いていることにより各光束を重ね
合わせた時ビームプロファイルの形状をよりフラットに
することが出来、照度ムラの低減化をより効果的に行う
ことができるようにしている。
Ｌｂ2 の矢印方向が図１２に示すように上、下、左、右
方向に互いに内側に向いていることにより各光束を重ね
合わせた時ビームプロファイルの形状をよりフラットに
することが出来、照度ムラの低減化をより効果的に行う
ことができるようにしている。
【０１０６】本実施例において光学部材３２と駆動手段
３０１は光源からの光の２次光源形成手段の光入射面上
への入射位置を変える光偏向部材の一要素を構成してい
る。
３０１は光源からの光の２次光源形成手段の光入射面上
への入射位置を変える光偏向部材の一要素を構成してい
る。
【０１０７】本実施例においてレチクルＲ上での照度分
布の均一性は、通常、オプティカルインテグレータ５２
の光入射面における光強度分布の均一性と、オプティカ
ルインテグレータ５２を構成するレンズエレメントの数
とに比例する。一方、光束Ｌａ1 ，Ｌａ2 ，Ｌｂ1 ，Ｌ
ｂ2 のようなコヒーレントな光束がオプティカルインテ
グレータ５２に入射する場合、ある光束が入射するレン
ズエレメントの数が多い程、オプティカルインテグレー
タ５２の光射出近傍に、互いにコヒーレントな光スポッ
トが多く形成されるので、これらの光スポットからのコ
ヒーレント光同志の干渉によりレチクルＲ上にコントラ
ストの高い干渉縞が形成され易い。オプティカルインテ
グレータ５２は入射光束の波面を分割するように機能す
るので、この干渉縞のコントラストは、レーザー４１の
空間的コヒーレンシィの度合いにより決まる。
布の均一性は、通常、オプティカルインテグレータ５２
の光入射面における光強度分布の均一性と、オプティカ
ルインテグレータ５２を構成するレンズエレメントの数
とに比例する。一方、光束Ｌａ1 ，Ｌａ2 ，Ｌｂ1 ，Ｌ
ｂ2 のようなコヒーレントな光束がオプティカルインテ
グレータ５２に入射する場合、ある光束が入射するレン
ズエレメントの数が多い程、オプティカルインテグレー
タ５２の光射出近傍に、互いにコヒーレントな光スポッ
トが多く形成されるので、これらの光スポットからのコ
ヒーレント光同志の干渉によりレチクルＲ上にコントラ
ストの高い干渉縞が形成され易い。オプティカルインテ
グレータ５２は入射光束の波面を分割するように機能す
るので、この干渉縞のコントラストは、レーザー４１の
空間的コヒーレンシィの度合いにより決まる。
【０１０８】本実施例では、レーザー４１として空間的
コヒーレンシィが小さいものを用いて、オプティカルイ
ンテグレータ５２のレンズエレメントの数を増やす代わ
りにいくつかのレンズエレメントに光束Ｌａ1 ，Ｌａ
2 ，Ｌｂ1 ，Ｌｂ2 を入射させて光スポットの数を増や
し、レチクルＲ上に形成される干渉縞がレチクルＲ上で
の照度分布の均一性を阻害しないようにしている。又、
光束Ｌａ1 ，Ｌａ2 ，Ｌｂ1 ，Ｌｂ2 は互いに異なる方
向からオプティカルインテグレータ５２に向けられてい
るので、オプティカルインテグレータ５２を介して、光
束Ｌａ1 ，Ｌａ2，Ｌｂ1 ，Ｌｂ2 の各々によりレチク
ルＲ上に形成されるコントラストの弱い各干渉縞の位相
は互いに異なる。従って、これらの干渉縞により定まる
光強度分布は平滑化されたものとなり、レチクルＲ上で
の照度分布にあまり影響しない。
コヒーレンシィが小さいものを用いて、オプティカルイ
ンテグレータ５２のレンズエレメントの数を増やす代わ
りにいくつかのレンズエレメントに光束Ｌａ1 ，Ｌａ
2 ，Ｌｂ1 ，Ｌｂ2 を入射させて光スポットの数を増や
し、レチクルＲ上に形成される干渉縞がレチクルＲ上で
の照度分布の均一性を阻害しないようにしている。又、
光束Ｌａ1 ，Ｌａ2 ，Ｌｂ1 ，Ｌｂ2 は互いに異なる方
向からオプティカルインテグレータ５２に向けられてい
るので、オプティカルインテグレータ５２を介して、光
束Ｌａ1 ，Ｌａ2，Ｌｂ1 ，Ｌｂ2 の各々によりレチク
ルＲ上に形成されるコントラストの弱い各干渉縞の位相
は互いに異なる。従って、これらの干渉縞により定まる
光強度分布は平滑化されたものとなり、レチクルＲ上で
の照度分布にあまり影響しない。
【０１０９】更に、本実施例では、第２偏向部材５１を
回転させることにより、光束Ｌａ1，Ｌａ2 ，Ｌｂ1 ，
Ｌｂ2 のオプティカルインテグレータ５２に対する入射
角と入射位置を変化させているので、オプティカルイン
テグレータ５２の光入射面上での光強度分布は、順次生
じるいくつかの光強度分布を重畳させた形になり、更に
均一性が向上している。この時、光束Ｌａ1 ，Ｌａ2 ，
Ｌｂ1 ，Ｌｂ2 によりオプティカルインテグレータ５２
の光射出面近傍に形成される２次光源の分布（有効光
源）も時々刻々と変化するので、光スポットの数が実質
的に増加することになる。
回転させることにより、光束Ｌａ1，Ｌａ2 ，Ｌｂ1 ，
Ｌｂ2 のオプティカルインテグレータ５２に対する入射
角と入射位置を変化させているので、オプティカルイン
テグレータ５２の光入射面上での光強度分布は、順次生
じるいくつかの光強度分布を重畳させた形になり、更に
均一性が向上している。この時、光束Ｌａ1 ，Ｌａ2 ，
Ｌｂ1 ，Ｌｂ2 によりオプティカルインテグレータ５２
の光射出面近傍に形成される２次光源の分布（有効光
源）も時々刻々と変化するので、光スポットの数が実質
的に増加することになる。
【０１１０】エキシマレーザー４１はパルスレーザーで
あるため、所定の間隔でパルスレーザー光を放射する。
レチクルＲ上の回路パターンでウエハＷのレジスト層を
露光するのに必要なパルス数をＭとすると、露光中に第
２偏向部材５１が回転し続けるとすれば、オプティカル
インテグレータ５２の光入射面での光強度分布はＭ個の
光強度分布が重なり合った形になる。又、光束Ｌａ1 ，
Ｌａ2 ，Ｌｂ1 ，Ｌｂ2 により、１パルス当たりＮ個の
２次光源が形成されるとすると、ウエハＷはＭ×Ｎ個の
２次光源からの光を用いて露光されることになる。次に
オプティカルインテグレータ５２以降の光学系に関して
説明する。
あるため、所定の間隔でパルスレーザー光を放射する。
レチクルＲ上の回路パターンでウエハＷのレジスト層を
露光するのに必要なパルス数をＭとすると、露光中に第
２偏向部材５１が回転し続けるとすれば、オプティカル
インテグレータ５２の光入射面での光強度分布はＭ個の
光強度分布が重なり合った形になる。又、光束Ｌａ1 ，
Ｌａ2 ，Ｌｂ1 ，Ｌｂ2 により、１パルス当たりＮ個の
２次光源が形成されるとすると、ウエハＷはＭ×Ｎ個の
２次光源からの光を用いて露光されることになる。次に
オプティカルインテグレータ５２以降の光学系に関して
説明する。
【０１１１】コンデンサレンズ５３は複数のレンズエレ
メントを光軸に沿って設けたレンズアセンブリであり、
オプティカルインテグレータ５２の光射出面近傍に形成
した絞りＡＰ位置での多数個の光スポットからの光束を
レチクルＲ上へ向ける。多数個の光スポットはコンデン
サレンズ５３の光軸に垂直な面内に分布しており、この
面（２次光源形成面）とコンデンサレンズ５３の光入射
側（前側）主平面との間隔はコンデンサレンズ５３の焦
点距離と等しい。一方、コンデンサレンズ５３の光射出
側（後側）主平面とレチクルＲとの間隔間もコンデンサ
レンズ５３の焦点距離と等しくなるように設定してあ
る。このような構成において、多数個の２次光源からの
各光束はコンデンサレンズ５３により平行光束にされレ
チクルＲ上で互いに効率良く重ね合わせられる。この時
のレチクルＲ上の照度分布は、図１１（Ｅ）に示すよう
に、均一である。
メントを光軸に沿って設けたレンズアセンブリであり、
オプティカルインテグレータ５２の光射出面近傍に形成
した絞りＡＰ位置での多数個の光スポットからの光束を
レチクルＲ上へ向ける。多数個の光スポットはコンデン
サレンズ５３の光軸に垂直な面内に分布しており、この
面（２次光源形成面）とコンデンサレンズ５３の光入射
側（前側）主平面との間隔はコンデンサレンズ５３の焦
点距離と等しい。一方、コンデンサレンズ５３の光射出
側（後側）主平面とレチクルＲとの間隔間もコンデンサ
レンズ５３の焦点距離と等しくなるように設定してあ
る。このような構成において、多数個の２次光源からの
各光束はコンデンサレンズ５３により平行光束にされレ
チクルＲ上で互いに効率良く重ね合わせられる。この時
のレチクルＲ上の照度分布は、図１１（Ｅ）に示すよう
に、均一である。
【０１１２】投影レンズ５４も、複数のレンズエレメン
トを光軸に沿って設けたレンズアセンブリであり、レチ
クルＲの回路パターン面とウエハＷの被露光面とを光学
的に共役にする。本実施例では、投影レンズ５４が１／
５の縮小倍率でレチクルＲの回路パターン像をウエハＷ
上に形成するように設定してある。投影レンズ系５４の
入射瞳は、オプティカルインテグレータ５２の光射出面
近傍の２次光源と光学的に共役であり、ウエハＷは、レ
チクルＲと同じ様に、ケーラー照明される。
トを光軸に沿って設けたレンズアセンブリであり、レチ
クルＲの回路パターン面とウエハＷの被露光面とを光学
的に共役にする。本実施例では、投影レンズ５４が１／
５の縮小倍率でレチクルＲの回路パターン像をウエハＷ
上に形成するように設定してある。投影レンズ系５４の
入射瞳は、オプティカルインテグレータ５２の光射出面
近傍の２次光源と光学的に共役であり、ウエハＷは、レ
チクルＲと同じ様に、ケーラー照明される。
【０１１３】又、オプティカルインテグレータ５２の光
入射面とレチクルＲの回路パターン面が光学的に共役に
なるように、オプティカルインテグレータ５２とコンデ
ンサレンズ５３が構成されている。
入射面とレチクルＲの回路パターン面が光学的に共役に
なるように、オプティカルインテグレータ５２とコンデ
ンサレンズ５３が構成されている。
【０１１４】本実施例の照明装置では、光源として空間
的コヒーレンシィが小さなエキシマレーザー４１を用
い、光学手段５０により、オプティカルインテグレータ
５２の光入射面に、互いにインコヒーレントな光束Ｌａ
1 ，Ｌａ2 ，Ｌｂ1 ，Ｌｂ2 を互いに異なる方向から入
射させて重畳しているため、オプティカルインテグレー
タ５２の光射出面近傍に非常に多くの光スポットを形成
できる。従って、光スポットが密に分布した有効光源を
形成することが可能になり、レチクルＲの回路パターン
面を良好に照明してレチクルＲの回路パターン像をウエ
ハＷ上に正確に投影する。
的コヒーレンシィが小さなエキシマレーザー４１を用
い、光学手段５０により、オプティカルインテグレータ
５２の光入射面に、互いにインコヒーレントな光束Ｌａ
1 ，Ｌａ2 ，Ｌｂ1 ，Ｌｂ2 を互いに異なる方向から入
射させて重畳しているため、オプティカルインテグレー
タ５２の光射出面近傍に非常に多くの光スポットを形成
できる。従って、光スポットが密に分布した有効光源を
形成することが可能になり、レチクルＲの回路パターン
面を良好に照明してレチクルＲの回路パターン像をウエ
ハＷ上に正確に投影する。
【０１１５】又、光学手段５０は、エキシマレーザー４
１からのレーザー光を振幅分割して複数個の光束を形成
するので、レーザー光を波面分割するタイプの光学系に
比べて、光学系が小型になる。
１からのレーザー光を振幅分割して複数個の光束を形成
するので、レーザー光を波面分割するタイプの光学系に
比べて、光学系が小型になる。
【０１１６】回転可能な第２偏向部材５１の配置は、レ
ーザー４１とオプティカルインテグレータ５２との間に
設けても良い。又、光学手段５０内の光路中において光
束の回折損失が多い時には、アフォーカルコンバーター
などの結像系を光路中に設けて、光束Ｌａ1 ，Ｌａ2 と
Ｌｂ1 ，Ｌｂ2 を効率良くオプティカルインテグレータ
５２まで伝送すると良い。この結像系は光学手段５０を
構成する所定のエレメント光通過面同志を光学的に共役
関係にするように設ける。
ーザー４１とオプティカルインテグレータ５２との間に
設けても良い。又、光学手段５０内の光路中において光
束の回折損失が多い時には、アフォーカルコンバーター
などの結像系を光路中に設けて、光束Ｌａ1 ，Ｌａ2 と
Ｌｂ1 ，Ｌｂ2 を効率良くオプティカルインテグレータ
５２まで伝送すると良い。この結像系は光学手段５０を
構成する所定のエレメント光通過面同志を光学的に共役
関係にするように設ける。
【０１１７】尚、本実施例では第１偏向部材３８として
透過型の楔型プリズムより成る場合を示したが、各光束
毎に対応させて設けた光反射方式の複数のミラーを用い
て偏向部材を構成しても良い。この場合には、各ミラー
を独立して駆動制御できる駆動手段を設ける。
透過型の楔型プリズムより成る場合を示したが、各光束
毎に対応させて設けた光反射方式の複数のミラーを用い
て偏向部材を構成しても良い。この場合には、各ミラー
を独立して駆動制御できる駆動手段を設ける。
【０１１８】本実施例において、照明モードの切り換え
は、図１０の絞りＡＰを交換（開口形状を変える）する
ことにより行われる。照明モードを切り換えた場合、照
度むらが変化する可能性があるが、本実施例では、不図
示の測定器１８の出力をみながら、或いは予め決めた位
置に楔形プリズム３８ａ1 ，３８ａ2 ，３８ｂ1 ，３８
ｂ2 を光軸方向にそれぞれ独立に動かすことにより照度
むらを小さくする。
は、図１０の絞りＡＰを交換（開口形状を変える）する
ことにより行われる。照明モードを切り換えた場合、照
度むらが変化する可能性があるが、本実施例では、不図
示の測定器１８の出力をみながら、或いは予め決めた位
置に楔形プリズム３８ａ1 ，３８ａ2 ，３８ｂ1 ，３８
ｂ2 を光軸方向にそれぞれ独立に動かすことにより照度
むらを小さくする。
【０１１９】図１１（Ｃ）のように、光束Ｌａ1 ，Ｌａ
2 ，Ｌｂ1 ，Ｌｂ2 を楔形プリズム３８ａ1 ，３８ａ
2 ，３８ｂ1 ，３８ｂ2 で重ね合わせているが、これら
の楔形プリズム３８ａ1 ，３８ａ2 ，３８ｂ1 ，３８ｂ
2 を動かすと光束Ｌａ1 ，Ｌａ2 ，Ｌｂ1 ，Ｌｂ2 によ
り作られる光強度分布の形状が変化し、結果として照度
分布が変化するので、これを利用して照度むらの補正を
行なっている。
2 ，Ｌｂ1 ，Ｌｂ2 を楔形プリズム３８ａ1 ，３８ａ
2 ，３８ｂ1 ，３８ｂ2 で重ね合わせているが、これら
の楔形プリズム３８ａ1 ，３８ａ2 ，３８ｂ1 ，３８ｂ
2 を動かすと光束Ｌａ1 ，Ｌａ2 ，Ｌｂ1 ，Ｌｂ2 によ
り作られる光強度分布の形状が変化し、結果として照度
分布が変化するので、これを利用して照度むらの補正を
行なっている。
【０１２０】次に上記説明した投影露光装置を利用した
デバイスの製造方法の実施例を説明する。
デバイスの製造方法の実施例を説明する。
【０１２１】図１３はデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導
体チップ、或いは磁気ヘッド液晶パネルやＣＣＤ等）の
製造のフローを示す。ステップ１（回路設計）では半導
体デバイスの回路設計を行なう。ステップ２（マスク製
作）では設計した回路パターンを形成したマスクを製作
する。
体チップ、或いは磁気ヘッド液晶パネルやＣＣＤ等）の
製造のフローを示す。ステップ１（回路設計）では半導
体デバイスの回路設計を行なう。ステップ２（マスク製
作）では設計した回路パターンを形成したマスクを製作
する。
【０１２２】一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリ
コン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４
（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマ
スクとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ
上に実際の回路を形成する。
コン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４
（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマ
スクとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ
上に実際の回路を形成する。
【０１２３】次のステップ５（組立て）は後工程と呼ば
れ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシ
ング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ
５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久
性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体
デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
れ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシ
ング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ
５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久
性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体
デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【０１２４】図１４は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。
【０１２５】ステップ１６（露光）では上記説明した露
光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露
光する。ステップ１７（現像）では露光したウエハを現
像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジ
スト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト
剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを
取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによ
って、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露
光する。ステップ１７（現像）では露光したウエハを現
像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジ
スト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト
剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを
取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによ
って、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【０１２６】本実施例の製造方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを製造するこ
とができる。
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを製造するこ
とができる。
【０１２７】
【発明の効果】本発明によれば、以上のように、例えば
照度が最大で照度むらが最小になるように発光部の位置
が調整された照明モードＡから照明モードＢに切り替え
ても、照度が最大及び／又は照度むらが最小とすること
ができ、レチクル面上の各種のパターンをウエハ面上に
高い解像力で投影することができる投影露光装置及びデ
バイスの製造方法を提供することができる。
照度が最大で照度むらが最小になるように発光部の位置
が調整された照明モードＡから照明モードＢに切り替え
ても、照度が最大及び／又は照度むらが最小とすること
ができ、レチクル面上の各種のパターンをウエハ面上に
高い解像力で投影することができる投影露光装置及びデ
バイスの製造方法を提供することができる。
【図１】本発明の実施例１の要部概略図
【図２】図１の可変開口絞りの説明図
【図３】実施例１の照度の調整手順を示すフローチャー
ト
ト
【図４】図１の光源１のＺ方向の位置と照度の説明図
【図５】実施例１の照度むらを補正する為に照度を測定
する像平面上の点を示す説明図
する像平面上の点を示す説明図
【図６】実施例１の照度むらの調整手順を示すフローチ
ャート
ャート
【図７】本発明の実施例２の要部概略図
【図８】本発明の実施例３の一部分の拡大説明図
【図９】本発明の実施例４の一部分の拡大説明図
【図１０】本発明の実施例５の要部概略図
【図１１】実施例５の光束断面強度分布の説明図
【図１２】実施例５における４つの光束の回転状況を示
す説明図
す説明図
【図１３】デバイスの製造工程を示すフローチャート
【図１４】図１４の工程中のウエハプロセスの詳細を示
すフローチャート
すフローチャート
１，４１ 水銀ランプ等の紫外線光源 １ａ 発光部 １ｂ 光源像 ２ 楕円鏡 ２ａ 第１焦点 ２ｂ 第２焦点 ３ コールドミラー ４ シャッター ５，８，５３ コンデンサーレンズ ６，５１ オプティカルインテグレータ（フライアイ
レンズ） ６ａ フライアイレンズ入射部 ６ｂ フライアイレンズ射出部 ７，７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ，ＡＰ 開口絞り ７ｐ アクチュエーター ９ ハーフミラー １０ 光測定器 １１ 反射鏡 １２ マスキングブレード １３ 結像レンズ １４，Ｒ レチクル １５，５４ 投影レンズ １６ 投影レンズの瞳 １７，Ｗ ウエハ １８ 光検出器 １９〜２０ アクチュエーター ２１〜２２，２２ａ，２２ｂ 制御装置 １０１〜１０９ アクチュエーター ２０１ レンズ ３８ 偏光部材（照度分布調整手段）
レンズ） ６ａ フライアイレンズ入射部 ６ｂ フライアイレンズ射出部 ７，７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ，ＡＰ 開口絞り ７ｐ アクチュエーター ９ ハーフミラー １０ 光測定器 １１ 反射鏡 １２ マスキングブレード １３ 結像レンズ １４，Ｒ レチクル １５，５４ 投影レンズ １６ 投影レンズの瞳 １７，Ｗ ウエハ １８ 光検出器 １９〜２０ アクチュエーター ２１〜２２，２２ａ，２２ｂ 制御装置 １０１〜１０９ アクチュエーター ２０１ レンズ ３８ 偏光部材（照度分布調整手段）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/20 ５２１
Claims (42)
- 【請求項１】 光入出射面を有し、前記光入射面で光源
からの光を受け、前記光出射面側に２次光源を形成する
２次光源形成手段と、前記２次光源からの光を物平面に
照射する光照射手段と、光照射された前記物平面上のパ
ターンを像平面上に投影する投影手段と、前記２次光源
の光強度分布を変える２次光源調整手段と、前記光強度
分布の変更に伴い前記像平面に生じる光軸に関して非対
称な照度むらを実質的に補正する照度補正手段とを有す
る投影露光装置。 - 【請求項２】 前記照度補正手段が前記２次光源形成手
段の光入射面上での前記光源からの光の強度分布を調整
する強度分布調整手段を有する請求項１の投影露光装
置。 - 【請求項３】 前記光源の像を前記２次光源形成手段の
光入射面上に投影する光源像投影手段を有し、前記照度
補正手段が前記光入射面内における前記光源像の位置を
変える光源像移動手段を有する請求項２の投影露光装
置。 - 【請求項４】 前記光源像移動手段が光軸と直交する平
面上での前記光源の位置を変える光源位置調整手段を有
する請求項３の投影露光装置。 - 【請求項５】 前記光源像移動手段が光軸と直交する方
向に前記光源からの光を偏向する光偏向手段を有する請
求項４の投影露光装置。 - 【請求項６】 前記光偏向手段は、前記光源からの光を
反射する可動楕円鏡、前記光源からの光を屈折する可動
レンズ又は透明な可動板を有する請求項５の投影露光装
置。 - 【請求項７】 前記透明な可動板は複数個のクサビ状の
板を備える請求項６の投影露光装置。 - 【請求項８】 前記光源がランプ又はレーザーを備える
請求項１の投影露光装置。 - 【請求項９】 前記２次光源形成手段がフライアイレン
ズを備える請求項１の投影露光装置。 - 【請求項１０】 前記２次光源調整手段が開口形状が可
変な開口絞りを有する請求項１の投影露光装置。 - 【請求項１１】 前記２次光源調整手段が前記光源像の
大きさを変える変倍光学系を有する請求項３の投影露光
装置。 - 【請求項１２】 前記２次光源調整手段が前記光源から
の光の前記２次光源形成手段の光入射面上への入射位置
を変える光偏向部材を有する請求項１の投影露光装置。 - 【請求項１３】 前記投影手段が投影レンズを備える請
求項１の投影露光装置。 - 【請求項１４】 前記投影手段が投影ミラーを備える請
求項１の投影露光装置。 - 【請求項１５】 前記照度補正手段が前記光強度分布の
変更に伴い低下する前記物平面に照射される光の量を実
質的に増加させる光量増加手段を備える請求項１〜１４
の投影露光装置。 - 【請求項１６】 前記照度補正手段が前記像平面又は物
平面における照度分布を検出する照度検出手段を有する
請求項１〜１４の投影露光装置。 - 【請求項１７】 前記照度補正手段が、前記光強度分布
の変更に伴い前記像平面に生じる光軸に関して対称な照
度むらを実質的に補正する照度むら補正手段を有する請
求項１〜１４の投影露光装置。 - 【請求項１８】 光入出射面を有し、前記光入射面で光
源からの光を受け、前記光出射面側に２次光源を形成す
る２次光源形成手段と、前記２次光源からの光を物平面
に照射する光照射手段と、光照射された前記物平面上の
パターンを像平面上に投影する投影手段と、前記２次光
源の光強度分布を変える２次光源調整手段と、前記光強
度分布の変更に伴い低下する前記物平面に照射される光
の量を実質的に増加させる照度調整手段とを有する投影
露光装置。 - 【請求項１９】 前記照度調整手段が前記２次光源形成
手段の光入射面上での前記光源からの光の強度分布を調
整する強度分布調整手段を有する請求項１８の投影露光
装置。 - 【請求項２０】 前記光源の像を前記２次光源形成手段
の光入射面上に投影する光源像投影手段を有し、前記照
度調整手段が光軸方向における前記光源像の位置を変え
る光源像移動手段を有する請求項１９の投影露光装置。 - 【請求項２１】 前記光源像移動手段が光軸方向に前記
光源の位置を変える光源位置調整手段を有する請求項２
０の投影露光装置。 - 【請求項２２】 前記光源像移動手段が光軸方向に前記
光源像を動かす光偏向手段を有する請求項２０の投影露
光装置。 - 【請求項２３】 前記光偏向手段は、前記光源からの光
を反射する可動楕円鏡、前記光源からの光を屈折する可
動レンズ又は透明な可動板を有する請求項２２の投影露
光装置。 - 【請求項２４】 前記透明な可動板は複数個のクサビ状
の板を備える請求項２３の投影露光装置。 - 【請求項２５】 前記光源がランプ又はレーザーを備え
る請求項１８の投影露光装置。 - 【請求項２６】 前記２次光源形成手段がフライアイレ
ンズを備える請求項１８の投影露光装置。 - 【請求項２７】 前記２次光源調整手段が開口形状が可
変な開口絞りを有する請求項１８の投影露光装置。 - 【請求項２８】 前記２次光源調整手段が前記光源像の
大きさを変える変倍光学系を有する請求項２０の投影露
光装置。 - 【請求項２９】 前記投影手段が投影レンズを備える請
求項１８の投影露光装置。 - 【請求項３０】 前記投影手段が投影ミラーを備える請
求項１８の投影露光装置。 - 【請求項３１】 前記光源像移動手段が前記光入射面内
における前記光源像の位置を変える光源位置調整手段を
有する請求項２０の投影露光装置。 - 【請求項３２】 前記光源像移動手段が光軸方向と光軸
に直交する方向とに前記光源の位置を変える光源位置調
整手段を有する請求項３１の投影露光装置。 - 【請求項３３】 前記光源像移動手段が光軸方向と光軸
に直交する方向とに前記光源像を動かす光偏向手段を有
する請求項３１の投影露光装置。 - 【請求項３４】 前記光偏向手段は、前記光源からの光
を反射する可動楕円鏡、前記光源からの光を屈折する可
動レンズ又は透明な可動板を有する請求項３３の投影露
光装置。 - 【請求項３５】 前記透明な可動板は複数個のクサビ状
の板を備える請求項３４の投影露光装置。 - 【請求項３６】 前記光源がランプ又はレーザーを備え
る請求項３１の投影露光装置。 - 【請求項３７】 前記２次光源形成手段がフライアイレ
ンズを備える請求項３１の投影露光装置。 - 【請求項３８】 前記２次光源調整手段が開口形状が可
変な開口絞りを有する請求項３１の投影露光装置。 - 【請求項３９】 前記２次光源調整手段が前記光源像の
大きさを変える変倍光学系を有する請求項３１の投影露
光装置。 - 【請求項４０】 前記照度補正手段が前記像平面又は物
平面における照度分布を検出する照度検出手段を有する
請求項１８〜３９の投影露光装置。 - 【請求項４１】 前記照度補正手段が、前記光強度分布
の変更に伴い前記像平面に生じる光軸に関して対称な照
度むらを実質的に補正する照度むら補正手段を有する請
求項１８〜３９の投影露光装置。 - 【請求項４２】 請求項１〜４１の投影露光装置を用い
て、レチクルのデバイスパターンを基板上に投影し且つ
転写する段階を含むデバイス製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24721394A JP3275575B2 (ja) | 1993-10-27 | 1994-09-13 | 投影露光装置及び該投影露光装置を用いたデバイスの製造方法 |
| US08/329,072 US5726739A (en) | 1993-10-27 | 1994-10-25 | Projection exposure apparatus and device manufacturing method using the same |
| KR1019940027359A KR0171439B1 (ko) | 1993-10-27 | 1994-10-26 | 투영노광장치 및 이를 이용한 디바이스제조방법 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29141993 | 1993-10-27 | ||
| JP5-291419 | 1993-10-27 | ||
| JP24721394A JP3275575B2 (ja) | 1993-10-27 | 1994-09-13 | 投影露光装置及び該投影露光装置を用いたデバイスの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07176475A true JPH07176475A (ja) | 1995-07-14 |
| JP3275575B2 JP3275575B2 (ja) | 2002-04-15 |
Family
ID=26538143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24721394A Expired - Fee Related JP3275575B2 (ja) | 1993-10-27 | 1994-09-13 | 投影露光装置及び該投影露光装置を用いたデバイスの製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5726739A (ja) |
| JP (1) | JP3275575B2 (ja) |
| KR (1) | KR0171439B1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP2002217093A (ja) * | 2001-01-23 | 2002-08-02 | Canon Inc | 半導体製造装置 |
| JP2002222753A (ja) * | 2001-01-26 | 2002-08-09 | Canon Inc | 露光装置及び露光装置の光源位置調整方法 |
| JP2005228846A (ja) * | 2004-02-12 | 2005-08-25 | Canon Inc | 露光装置及び方法 |
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| WO2012067246A1 (ja) * | 2010-11-19 | 2012-05-24 | Ｎｓｋテクノロジー株式会社 | 近接露光装置及び近接露光方法 |
| JP2016058591A (ja) * | 2014-09-11 | 2016-04-21 | キヤノン株式会社 | 照明光学装置、露光装置、およびデバイスの製造方法 |
| US10216092B2 (en) | 2014-08-05 | 2019-02-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Light source apparatus, illumination device, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| KR20200095390A (ko) * | 2019-01-31 | 2020-08-10 | 캐논 가부시끼가이샤 | 조명 광학계, 노광 장치 및 물품의 제조 방법 |
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