JPH0665010B2 - Field ionized gas ion source - Google Patents
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- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 42
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 18
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 47
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 7
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 6
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 6
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 5
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 3
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000000752 ionisation method Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002835 noble gases Chemical class 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 description 1
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/06—Sources
- H01J2237/08—Ion sources
- H01J2237/0802—Field ionization sources
- H01J2237/0807—Gas field ion sources [GFIS]
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は電界電離イオン源に関し、特にイオンを効率よ
く長時間安定に引き出すことができる針状陽極先端部を
有する電界電離ガスイオン源に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a field ionization ion source, and more particularly to a field ionization gas ion source having a needle-shaped anode tip capable of efficiently and stably extracting ions for a long time.
（従来技術とその問題点） イオンビームの径をマイクロ化するための高輝度イオン
源として従来液体金属イオン源、電界電離イオン源が知
られている。液体金属イオン源は高輝度で0.1μｍφ以
下の微小径のイオンビームが容易に得られることから、
電子デバイス製作におけるマスクレスイオン注入やエッ
チングなどの微細加工技術への応用が期待されている。(Prior art and its problems) As a high-brightness ion source for micronizing the diameter of an ion beam, a conventional liquid metal ion source and a field ionization ion source are known. Since the liquid metal ion source can easily obtain an ion beam with a high brightness and a small diameter of 0.1 μmφ or less,
It is expected to be applied to microfabrication technologies such as maskless ion implantation and etching in the production of electronic devices.
しかしこの超ＬＳＩ加工時の基板上でのイオン電流密度
は１Ａ／cm2程度でビーム径は0.1μｍ程度であるため、
ビームを走査して一筆書きで加工を行なった場合、この
加工技術では４インチウエハ全面を加工するのに２〜３
枚／Ｈの加工も出来ずスループットが悪いという問題点
がある。However, since the ion current density on the substrate during processing of this VLSI is about 1 A / cm 2 and the beam diameter is about 0.1 μm,
If the beam is scanned and processing is performed with a single stroke, this processing technique requires 2-3 times to process the entire surface of a 4-inch wafer.
There is a problem that the throughput cannot be improved because the processing of the number of sheets / H cannot be performed.
したがって、スループットを良くするためにイオン電流
密度を１０倍〜１００倍上げることが考えられるが、液
体金属イオン源においては限界がある。Therefore, it is possible to increase the ion current density by 10 to 100 times in order to improve the throughput, but there is a limit in the liquid metal ion source.
上記のようにイオン電流密度を上げることができるなら
ば数十枚／Ｈの処理が可能であり、生産性が増大し、本
来の微細加工性を合わせて、６４Mbit以上の容量をもつ
半導体の製造手段として用いられる可能性がある。If the ion current density can be increased as described above, it is possible to process several tens of wafers / H, productivity is increased, and the original microfabrication is combined to manufacture a semiconductor with a capacity of 64 Mbits or more. May be used as a means.
これが可能なイオン源として電界電離ガスイオン源が注
目を集めている。The field ionized gas ion source is attracting attention as an ion source capable of achieving this.
電界電離ガスイオン源とは、水素(H2)、ヘリウム(He)な
どの希ガスや各種の半導体ガスを量子力学的なトンネル
効果でイオン化するものでイオン化の方法は以下の通り
に行う。The field ionized gas ion source is one that ionizes noble gases such as hydrogen (H 2 ) and helium (He) and various semiconductor gases by quantum mechanical tunnel effect. The ionization method is as follows.
まず液体ヘリウムや液体窒素で冷却された針状陽極（通
常はタングステンを使用すす）であって、その先端部の
半径が0.3〜0.01μｍ程度に加工されたものを真空チャ
ンバー内のイオン化室内に設置し、該イオン化室の圧力
を１〜0.01pa程度の圧力に保つ。First, a needle-shaped anode (usually using tungsten) cooled with liquid helium or liquid nitrogen, with its tip radius processed to a radius of 0.3-0.01 μm, is installed in the ionization chamber of the vacuum chamber. Then, the pressure in the ionization chamber is maintained at a pressure of about 1 to 0.01 pa.
この状態で針状陽極と開口を有する引き出し電極との間
に数ＫＶ〜数十ＫＶの電圧を印加し、先端近傍に数Ｖ／
Å程度の高電界を発生させると、ガス分子の外殻電子は
金属に移り、陽イオンとなって上記引き出し電極によっ
て加速され真空中へ放出される。この現象を電界電離現
象という。この様なイオン源は第１図の様な基本構造を
有する。図中で１は無酸素銅台座であり、該台座１は、
ネジ部２を介して液体ヘリウム、液体窒素などで冷却さ
れたコールドフィンガー（図示していない）に取付けら
れている。３はサファイアなどから成る絶縁石であり、
上記台座１によって位置決めされている。In this state, a voltage of several KV to several tens of KV is applied between the needle-shaped anode and the extraction electrode having an opening, and the voltage of several V / V is applied near the tip.
When a high electric field of about Å is generated, the outer shell electrons of the gas molecule move to the metal and become positive ions, which are accelerated by the extraction electrode and emitted into the vacuum. This phenomenon is called a field ionization phenomenon. Such an ion source has a basic structure as shown in FIG. In the figure, 1 is an oxygen-free copper pedestal, and the pedestal 1 is
It is attached to a cold finger (not shown) cooled by liquid helium, liquid nitrogen or the like via the screw portion 2. 3 is an insulating stone made of sapphire,
It is positioned by the pedestal 1.
この絶縁石３は電気的に絶縁体であり、熱的には良導体
であるため、コールドフィンガー（図示していない）か
らの冷却熱が上記台座１を介して伝導し、絶縁石３に固
定された針状陽極４は十分に冷却される。５は引き出し
電極であり、引き出し電極５は無酸素銅台座１へセラミ
ック９を介して固定、絶縁されている。このときサファ
イア絶縁石３も同時に締め込まれる。Since this insulating stone 3 is an electrical insulator and a thermally good conductor, cooling heat from a cold finger (not shown) is conducted through the pedestal 1 and fixed to the insulating stone 3. The needle-shaped anode 4 is sufficiently cooled. Reference numeral 5 is a lead electrode, and the lead electrode 5 is fixed and insulated to the oxygen-free copper pedestal 1 via a ceramic 9. At this time, the sapphire insulating stone 3 is also tightened at the same time.
そして上記引き出し電極５と針状陽極４との間に電圧を
印加して必要な電界にコントロールし、針状陽極４から
出るイオン電流を調整する。Then, a voltage is applied between the extraction electrode 5 and the needle-shaped anode 4 to control the required electric field, and the ion current emitted from the needle-shaped anode 4 is adjusted.
６はガス導入パイプであり、室温や液体窒素、液体ヘリ
ウム等で冷却されたガスを絶縁石３と引き出し電極５で
囲まれたイオン化室７に導入する。A gas introduction pipe 6 introduces a gas cooled at room temperature, liquid nitrogen, liquid helium, or the like into an ionization chamber 7 surrounded by the insulating stone 3 and the extraction electrode 5.
針状陽極４の先端でイオン化されたガスイオンは、差動
排気をかねた引き出し電極５の穴８を通って目的に応じ
たレンズ系（図示せず）へ所定の加速電圧で打ち込まれ
る。The gas ions ionized at the tip of the needle-shaped anode 4 are injected into the lens system (not shown) according to the purpose at a predetermined acceleration voltage through the hole 8 of the extraction electrode 5 which also serves as a differential pumping.
このような作用を有するイオン源において、針状陽極の
先端部を利用する方法は２つある。第１は、先端半径0.
1〜0.01μｍに電界研研摩さたタングステン（Ｗ）、イ
リジウム(Ir)などの針状電極としての高融点金属細線
（0.1mm〜0.3mmφ）の結晶面の突出した面｛たとえば
（１１１）面｝を利用する場合と、第２は、該高融点金
属細線の先端部に吸着する数十〜数百原子層のコンタミ
ネーションの突起を利用する場合である。In the ion source having such an action, there are two methods of utilizing the tip portion of the needle-shaped anode. The first is a tip radius of 0.
A protruding surface of a crystal plane of a refractory metal wire (0.1 mm to 0.3 mmφ) as a needle-shaped electrode of tungsten (W), iridium (Ir), etc., which has been electropolished to 1 to 0.01 μm (eg (111) plane) }, And the second is the case of utilizing a projection of contamination of several tens to several hundreds of atomic layers adsorbed on the tip of the high melting point metal thin wire.
ところで、針状陽極の先端部全面がほぼ均一に下地の結
晶を反映して、均一にイオンを放出するために最適な電
圧があり、これをベストイメージ電圧（ＢＩＶ）とい
う。上記の両方法は実際の使用に際してこのベストイメ
ージ電圧から徐々に電圧を下げていくようにする。そう
すると、たとえばタングステンの場合は、突出した（１
１１）方位の電界が高くなり当該（１１１）方位にイオ
ン放出が集中する。このときの突出した結晶方位を利用
するのが第１の方法である。By the way, there is an optimal voltage for emitting ions evenly over the entire tip portion of the acicular anode, reflecting the underlying crystal, and this is called the best image voltage (BIV). In both of the above methods, the voltage is gradually lowered from this best image voltage in actual use. Then, for example, in the case of tungsten, the protrusion (1
The electric field in the (11) direction becomes high, and the ion emission concentrates in the (111) direction. The first method is to utilize the protruding crystal orientation at this time.
さらに電圧を下げていくと、Ｗの結晶面では電界電離が
不可能な状態となり、そのうえコンタミネーションが先
端部に吸着する。このような吸着したコンタミネーショ
ンは数十原子〜数百原子で構成されていると考えられ局
所的に下地のＷ表面より突出した状態となり、その先端
においては導入したイオン化ガスを電界電離させること
が可能となる。このようなイオンエミッションサイトが
Ｗ表面上にランダムに無数に出来る。その中で最も電流
密度の高いエミッションサイトを使うのが第２の方法で
ある。When the voltage is further lowered, electric field dissociation becomes impossible on the crystal plane of W, and furthermore, contamination is adsorbed on the tip. It is considered that such adsorbed contamination is composed of several tens to several hundreds of atoms, and it is locally projected from the underlying W surface, and the ionized gas introduced at the tip thereof can be ionized by electric field. It will be possible. A large number of such ion emission sites can be randomly formed on the W surface. The second method is to use the emission site with the highest current density.
ところがこのような従来の使用法では次のような大きな
問題点がある。However, such conventional usage has the following major problems.
まず第１の方法では、Ｗの線材の方位が（１１０）であ
ることから、これを電界研摩した場合、針状陽極の先端
の方位も（１１０）となる。しかし実際に使用する（１
１１）方位は真下より約３５°傾いた方向であるため、
イオンのエミッション方向も約３５°前後傾くことにな
る。したがってイオンを真下のレンズ系に導くためには
高電圧の印加されたイオンソース部を約３５°傾けなけ
ればならないことになる。このように高電圧部を約３５
°も傾ける機構（ティルト機構）を真空装置に設けなけ
ればならないことは装置が大型化、複雑化するという問
題点となる。さらに（１１１）の突出は後述の吸着によ
る突出よりも小さいため、全エミッション電流が少ない
という問題点もある。First, in the first method, since the W wire has an orientation of (110), when this is subjected to electric field polishing, the orientation of the tip of the needle-shaped anode also becomes (110). But actually use (1
11) Since the azimuth is a direction inclined by about 35 ° from right below,
The ion emission direction will also be inclined by about 35 °. Therefore, in order to guide the ions to the lens system directly below, the ion source portion to which a high voltage is applied must be tilted by about 35 °. In this way, the high voltage part
The fact that the vacuum device must be provided with a mechanism (tilt mechanism) for inclining also becomes a problem that the device becomes large and complicated. Further, since the (111) protrusion is smaller than the protrusion due to adsorption, which will be described later, there is also a problem that the total emission current is small.
第２の方法では不純物原子の物理吸着によっているため
針状陽極先端部のどこに吸着するかは全くランダムで予
想が困難であり、最も電流密度の高いエミッションサイ
トがどこへ出来るかも一定ではない。したがって吸着し
た位置によっては、前記の複雑なティルト機構が必要と
なる。In the second method, it is difficult to predict where to adsorb on the tip of the acicular anode because it is due to physical adsorption of impurity atoms, and it is not constant where the emission site with the highest current density can be formed. Therefore, the complicated tilt mechanism described above is required depending on the position of the suction.
そのうえ吸着した原子自身も不安定な吸着のため、電界
蒸発(Field Evaporation)を起こす。その結果、吸着、
脱離をくり返し同じ位置で安定なエミッションが得られ
ないという問題点がある。In addition, the adsorbed atoms themselves are unstable and cause field evaporation. As a result, adsorption,
There is a problem that stable emission cannot be obtained at the same position by repeating desorption.
（発明の目的） 本発明は、上記従来の問題点を解決し、電界電離現象を
利用したイオン源において長時間安定にイオン化ガスを
イオン化することができる電界電離ガスイオン源を提供
することを目的とする。(Object of the Invention) An object of the present invention is to solve the above-mentioned conventional problems and provide an electric field ionization gas ion source capable of stably ionizing an ionized gas for a long time in an ion source utilizing the electric field ionization phenomenon. And
（発明の構成） 本発明の電界電離ガスイオン源は、上記目的を達成する
ため、針状陽極と、引き出し電極をと有し、所定のイオ
ン化ガスを導入しながら針状陽極と引き出し電極との間
に電圧を印加してイオンを引き出す電界電離ガスイオン
源であって、前記イオン化ガスに所定の添加ガスが添加
された状態で針状陽極と引き出し電極との間に第一の電
圧を印加して針状陽極の周辺部に添加ガスを吸着せしめ
て周辺部から先端部に向けてエッチングを生じさせるこ
とによって当該先端部に針状電極の材料よりなる微小突
起を形成した構造であり、その微小突起は、前記第一の
電圧より低い第二の電圧を針状陽極と引き出し電極の間
に印加することによってその微小突起上にイオン化を集
中させることが可能なものである構成にしている。(Structure of the Invention) In order to achieve the above-mentioned object, the electric field ionization gas ion source of the present invention has a needle-shaped anode and an extraction electrode, and comprises a needle-shaped anode and an extraction electrode while introducing a predetermined ionized gas. A field ionization gas ion source for extracting ions by applying a voltage between them, wherein a first voltage is applied between the needle-shaped anode and the extraction electrode in a state where a predetermined additive gas is added to the ionized gas. By adsorbing the additive gas on the peripheral portion of the needle-shaped anode and causing etching from the peripheral portion toward the tip, a fine projection made of the material of the needle-shaped electrode is formed on the tip. The protrusion is configured so that ionization can be concentrated on the minute protrusion by applying a second voltage lower than the first voltage between the needle-shaped anode and the extraction electrode.
（実施例） 以下、本発明の実施例を詳細に説明する。(Example) Hereinafter, the Example of this invention is described in detail.
なお、説明に当っては従来技術において示した装置を使
用するものとして使用する符号も同一のものを使用す
る。In the description, the same reference numerals will be used for the devices shown in the prior art.
第２図はベストイメージ電圧におけるＷの結晶構造を表
した電界イオン顕微鏡(Field Ion Microscope)，以下Ｆ
ＩＭと略す）像である。そして中心の大きな円が（１１
０）方位である。Fig. 2 shows a field ion microscope (Field Ion Microscope) showing the crystal structure of W at the best image voltage.
This is an image (abbreviated as IM). And the big circle at the center is (11
0) azimuth.
このようなＦＩＭ像を得るためには、針状陽極４として
0.1〜0.3mmφのＷ線を使用し、これを塩化ナトリウム(N
aCl)、塩化カリウム(Kcl)等のエッチング液を使って先
端半径0.3〜0.01μｍ程度になるように電界研摩する。
そしてそのＷ線を前記イオン化室７の中で引き出し電極
孔８の中心に位置する様にセッティングする。In order to obtain such an FIM image, the needle-shaped anode 4 is used.
Use a W wire with a diameter of 0.1 to 0.3 mm and add it to sodium chloride (N
Using an etching solution such as aCl) or potassium chloride (Kcl), electric field polishing is performed so that the tip radius is about 0.3 to 0.01 μm.
Then, the W line is set in the ionization chamber 7 so as to be located at the center of the extraction electrode hole 8.
そしてその状態でセラミック９を介して引出し電極５が
固定された無酸素銅台座１を真空チャンバー内のコール
ドフィンガー（図示していない）に固定する。そして真
空チャンバー内を１×10-6pa以下の超高真空に排気す
る。その後冷凍機、液体ヘリウム(LiqHe)、液体窒素(Li
qN2)、ヒーターなどを用いて針状陽極４を所定の温度に
冷却する。そしてガス導入バルブ６を開けてイオン化す
る希ガスイオン化ガス、ＦＩＭではこれをイメージング
ガスともいう。たとえばHe,H2,Ar，半導体ガス）を導入
し、イオン化室内の圧力を１〜0.01paに保つ。圧力が一
定になったところで、針状陽極４の先端部の半径によっ
て針状陽極４に数ＫＶから数十ＫＶの範囲の電圧を印加
する。そうすると針先端部では電界強度が数Ｖ／Åにも
なり吸着している種々の不純物や微小突起が電界蒸発(F
ield Evaporation)を起こし、タングステンの清浄表面
が表われ第２図の様なＦＩＭ像が得られる。Then, in this state, the oxygen-free copper pedestal 1 to which the extraction electrode 5 is fixed is fixed to a cold finger (not shown) in the vacuum chamber via the ceramic 9. Then, the inside of the vacuum chamber is evacuated to an ultrahigh vacuum of 1 × 10 -6 pa or less. After that, refrigerator, liquid helium (LiqHe), liquid nitrogen (Li
The needle-shaped anode 4 is cooled to a predetermined temperature by using qN 2 ), a heater or the like. The rare gas ionized gas that is ionized by opening the gas introduction valve 6 is also referred to as an imaging gas in FIM. For example, He, H 2 , Ar, and semiconductor gas are introduced to maintain the pressure in the ionization chamber at 1 to 0.01 pa. When the pressure becomes constant, a voltage in the range of several KV to several tens of KV is applied to the needle-shaped anode 4 depending on the radius of the tip of the needle-shaped anode 4. Then, the electric field strength becomes several V / Å at the tip of the needle, and various impurities and minute projections that are adsorbed on the surface of the needle evaporate (F
yields a clean surface of tungsten and an FIM image as shown in Fig. 2 is obtained.
このときのＦＩＭ像の得られた電圧は前述の通りベスト
イメージ電圧（ＢＩＶ）と呼ばれる。もし、ＢＩＶ電圧
以上の電圧を印加するとＷ自身が電界蒸発を起こしてし
まう。またもし、ＢＩＶ電圧以下の電圧を印加すると、
イオン化ガス（イメージングガス）は金属表面で電離出
来なくなり、一方では金属表面に不純物の吸着可能な状
態となり、数十〜数百原子層の不純物原子が吸着したり
脱離したりをくり返す。この様なコンタミネーションの
吸着した針状陽極４の先端部では突起が出来、イオン化
ガスが電離可能な電界強度となる。この状態で上記ＢＩ
Ｖ程度の電圧を印加した場合、不純物の吸着や脱離にと
もなってイオンのエミッションがいたるところから出た
り消えたりする。当該ＢＩＶ電圧以下の電圧を印加した
場合には、不純物の突起の先端でもイオン化ガスの電離
は不可能となる。The obtained voltage of the FIM image at this time is called the best image voltage (BIV) as described above. If a voltage higher than the BIV voltage is applied, W itself causes field evaporation. If a voltage lower than the BIV voltage is applied,
Ionized gas (imaging gas) cannot be ionized on the metal surface, and on the other hand, impurities can be adsorbed on the metal surface, and impurity atoms in tens to hundreds of atomic layers are repeatedly adsorbed and desorbed. A protrusion is formed at the tip of the needle-shaped anode 4 adsorbed with such contamination, and the electric field strength is such that the ionized gas can be ionized. In this state BI
When a voltage of about V is applied, ion emission goes out and disappears everywhere due to the adsorption and desorption of impurities. When a voltage equal to or lower than the BIV voltage is applied, ionization of the ionized gas becomes impossible even at the tip of the impurity protrusion.
次にベストイメージ電圧でＦＩＭ像を得た後、ベストイ
メージ電圧より電圧をすこし下げた状態でイオン化ガス
（イメージングガス）中に同ガスに対して数％〜数ＰＰ
Ｍの少量の添加ガス（酸素、窒素、炭酸ガス、H2Oなど
針状陽極の材質によって適当なガスを選定する。Ｗの場
合にはO2、H2Oなどで実現出来たが詳しくは実験によって
決定する。）を添加する。もっとも、事前にイオン化ガ
ス（イメージングガス）中に添加しておいてもよい。Next, after obtaining the FIM image with the best image voltage, the voltage is slightly lowered from the best image voltage, and the ionized gas (imaging gas) is filled with several% to several PP of the same gas.
Small additive gas (oxygen M, nitrogen, carbon dioxide, detail but can be realized by a O 2, H 2 O in the case of .W selecting a suitable gas through the material of the needle-shaped anode such as H 2 O is (Determined by experiment). However, it may be added to the ionized gas (imaging gas) in advance.
そうすると先端の周辺部では電界が下がり、イオン化ガ
ス（イメージングガス）中の添加ガスが吸着可能とな
り、適切な添加ガスを選ぶことによって、周辺部から先
端部に向かってエッチングが進む。そしてイメージング
ガスへの所定の添加ガスの添加時間と電界をコントロー
ルすることによって、第３図中央部に見られる様に先端
部で微小突起を形成することができ、周辺部では添加ガ
スによるエッチングが進むとともに上述した不純物の吸
着脱離にもとなうイオンエミッションの生成消滅が起き
ているようなＦＩＭ像が得られる。Then, the electric field is reduced in the peripheral portion of the tip, and the additive gas in the ionized gas (imaging gas) can be adsorbed. By selecting an appropriate additive gas, etching proceeds from the peripheral portion toward the tip. Then, by controlling the addition time and electric field of a predetermined additive gas to the imaging gas, minute protrusions can be formed at the tip portion as seen in the central portion of FIG. 3, and etching by the additive gas can be performed in the peripheral portion. As it progresses, an FIM image in which the generation and disappearance of the ion emission due to the adsorption and desorption of the impurities described above occurs is obtained.
この方法では、相対的に低い電界の周辺部から高い電界
の先端部に向けて針状電極の表面をエッチングするよう
にしているため、必ず先端の中心部付近がエッチングさ
れないで残るような形で針状電極の材料であるＷの微小
突起が形成される。ことが出来る。In this method, the surface of the needle-shaped electrode is etched from the peripheral part of the relatively low electric field toward the tip of the high electric field, so that the vicinity of the center of the tip is always left unetched. A minute protrusion of W, which is the material of the needle electrode, is formed. You can
また先端の微小突起は、添加ガスの添加時間と添加量を
コントロールすることによってその大きさを変えること
ができる。The size of the fine protrusions at the tip can be changed by controlling the addition time and amount of the added gas.
そして微小突起が完成した後、印加電圧を、ベストイメ
ージ電圧（ＢＩＶ）のおよそ８０％〜４０％程度に下げ
ると前記不純物の吸着によるイオン化ガスのイオン化が
微小突起上に集中し、針状陽極の真下に安定なイオンエ
ミッションが得られた。When the applied voltage is reduced to about 80% to 40% of the best image voltage (BIV) after the microprojections are completed, the ionization of the ionized gas due to the adsorption of the impurities is concentrated on the microprojections, and Stable ion emission was obtained just below.
また針状陽極としてはタングステンに必ずしも限定され
るものではなく、前記の様なエッチング作用のあるガス
との組合せによってエッチングが起こる組合せであれば
あるゆる組合せが考えられる。しかし、イオンエミッシ
ョンを行う部材としての寿命を考えると高融点金属であ
ることが望ましい。Further, the needle-shaped anode is not necessarily limited to tungsten, but any combination is conceivable as long as the combination causes etching as described above in combination with a gas having an etching action. However, considering the life as a member for performing ion emission, it is desirable that the metal is a high melting point metal.
（発明の効果） 本発明によれば針状陽極のエミッションサイトを先端部
に確実に集中して形成することができ、放射イオンの角
電流密度の大きい、しかも真下にエミッションを起こす
電界電離ガスイオン源を提供することができる。(Effects of the Invention) According to the present invention, the emission sites of needle-shaped anodes can be formed reliably in a concentrated manner at the tip portion, the angular current density of the radiated ions is large, and the field ionized gas ions that cause the emission directly below. A source can be provided.
第１図は電界電離ガスイオン源の構造図。 第２図は、Ｗ（１１０）方位の結晶構造を表したＦＩＭ
像、第３図は、不純物ガスで微小突起が出来た後のＷ
（１１０）方位の結晶構造を表したＦＩＭ像である。 １……無酸素銅台座 ２……取り付けネジ ３……サファイヤ絶縁石 ４……針状陽極 ５……引き出し電極 ６……ガス導入パイプ ７……イオン化室 ８……引き出し電極孔 ９……セラミックFIG. 1 is a structural diagram of a field ionized gas ion source. FIG. 2 is a FIM showing the crystal structure of W (110) orientation.
Image, Fig. 3 shows W after minute projections are formed by impurity gas.
It is a FIM image showing the crystal structure of (110) orientation. 1 ... Oxygen-free copper pedestal 2 ... Mounting screw 3 ... Sapphire insulating stone 4 ... Needle-shaped anode 5 ... Extraction electrode 6 ... Gas introduction pipe 7 ... Ionization chamber 8 ... Extraction electrode hole 9 ... Ceramic
Claims (1)
のイオン化ガスを導入しながら針状陽極と引き出し電極
との間に電圧を印加してイオンを引き出す電界電離ガス
イオン源であって、前記イオン化ガスに所定の添加ガス
が添加された状態で針状陽極と引き出し電極との間に第
一の電圧を印加して針状陽極の周辺部に添加ガスを吸着
せしめて周辺部から先端部に向けてエッチングを生じさ
せることによって当該先端部に針状電極の材料よりなる
微小突起を形成した構造であり、その微小突起は、前記
第一の電圧より低い第二の電圧を針状陽極と引き出し電
極の間に印加することによってその微小突起上にイオン
化を集中させることが可能なものであることを特徴とす
る電界電離ガスイオン源。1. An electric field ionization gas ion source having a needle-shaped anode and an extraction electrode, which extracts ions by applying a voltage between the needle-shaped anode and the extraction electrode while introducing a predetermined ionized gas. A predetermined voltage is added to the ionized gas, a first voltage is applied between the needle-shaped anode and the extraction electrode to adsorb the added gas to the peripheral portion of the needle-shaped anode, and then from the peripheral portion. It has a structure in which a minute protrusion made of the material of the needle-shaped electrode is formed on the tip by causing etching toward the tip, and the minute protrusion has a second voltage lower than the first voltage. An electric field ionization gas ion source characterized in that ionization can be concentrated on the minute projections by applying between the anode and the extraction electrode.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61227408A JPH0665010B2 (en) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | Field ionized gas ion source |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61227408A JPH0665010B2 (en) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | Field ionized gas ion source |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6383265A JPS6383265A (en) | 1988-04-13 |
| JPH0665010B2 true JPH0665010B2 (en) | 1994-08-22 |
Family
ID=16860365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61227408A Expired - Fee Related JPH0665010B2 (en) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | Field ionized gas ion source |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0665010B2 (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2374979A (en) * | 2000-12-28 | 2002-10-30 | Ims Ionen Mikrofab Syst | A field ionisation source |
| WO2007067296A2 (en) * | 2005-12-02 | 2007-06-14 | Alis Corporation | Ion sources, systems and methods |
| US8093563B2 (en) * | 2008-08-29 | 2012-01-10 | Carl Zeiss Nts, Llc | Ion beam stabilization |
-
1986
- 1986-09-26 JP JP61227408A patent/JPH0665010B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6383265A (en) | 1988-04-13 |
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