JPH0652421B2 - フォトマスク - Google Patents
フォトマスクInfo
- Publication number
- JPH0652421B2 JPH0652421B2 JP24665387A JP24665387A JPH0652421B2 JP H0652421 B2 JPH0652421 B2 JP H0652421B2 JP 24665387 A JP24665387 A JP 24665387A JP 24665387 A JP24665387 A JP 24665387A JP H0652421 B2 JPH0652421 B2 JP H0652421B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- metal film
- film
- substrate
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光磁気ディスク等の光メモリ素子の作製に使
用されるフォトマスクに関するものである。
用されるフォトマスクに関するものである。
従来、レーザ光等の光により情報の記録、再生及び消去
を行う光磁気ディスク等の光メモリ素子、特にガラス基
板を有する光メモリ素子において、記録媒体として使用
する希土類元素と遷移金属との合金薄膜等の水分または
酸素等による劣化を低減させるため、上記ガラス基板に
フォトエッチング処理により案内溝を刻設し、この案内
溝を設けたガラス基板上に上記合金薄膜等を形成するよ
うにしたものが知られている。
を行う光磁気ディスク等の光メモリ素子、特にガラス基
板を有する光メモリ素子において、記録媒体として使用
する希土類元素と遷移金属との合金薄膜等の水分または
酸素等による劣化を低減させるため、上記ガラス基板に
フォトエッチング処理により案内溝を刻設し、この案内
溝を設けたガラス基板上に上記合金薄膜等を形成するよ
うにしたものが知られている。
ところで、ガラス基板に案内溝を刻設する際に使用され
るフォトマスクとして、例えば、第４図（ａ）に示すよ
うに、透明基板１上にマスクパターンとして金属膜２を
付着させてなるものが知られている。
るフォトマスクとして、例えば、第４図（ａ）に示すよ
うに、透明基板１上にマスクパターンとして金属膜２を
付着させてなるものが知られている。
しかしながら、上記のフォトマスクには、超音波洗浄等
の洗浄工程で、金属膜２の剥離が生じ易いという欠点が
ある。
の洗浄工程で、金属膜２の剥離が生じ易いという欠点が
ある。
また、第４図（ｂ）に示すように、透明基板１の一部に
金属膜２を埋め込んだフォトマスクも知られており、こ
のフォトマスクは長時間の超音波洗浄にも耐えうること
が確認されている。
金属膜２を埋め込んだフォトマスクも知られており、こ
のフォトマスクは長時間の超音波洗浄にも耐えうること
が確認されている。
しかしながら、第４図（ｂ）に示すフォトマスクにおい
ては、光メモリ素子のガラス基板上に形成したレジスト
にフォトマスクを密着させた時に、不導体である透明基
板１に静電気が発生し、この静電気の放電によりしばし
ば金属膜２の破壊が生じる（通常、数枚程度のガラス基
板への露光で金属膜２に破壊が生じてフォトマスクが使
用不能となる）ので、フォトマスクの寿命が低下するば
かりではなく、光メモリ素子の量産性にも悪影響を与え
るという欠点を有している。
ては、光メモリ素子のガラス基板上に形成したレジスト
にフォトマスクを密着させた時に、不導体である透明基
板１に静電気が発生し、この静電気の放電によりしばし
ば金属膜２の破壊が生じる（通常、数枚程度のガラス基
板への露光で金属膜２に破壊が生じてフォトマスクが使
用不能となる）ので、フォトマスクの寿命が低下するば
かりではなく、光メモリ素子の量産性にも悪影響を与え
るという欠点を有している。
一方、特開昭６２−２０１４４４号公報には、金属膜
が、その表面側部位を透明基板から突出させた状態で透
明基板に埋設されているフォトマスクが開示されてい
る。
が、その表面側部位を透明基板から突出させた状態で透
明基板に埋設されているフォトマスクが開示されてい
る。
このようなフォトマスクでは、その使用時に、光メモリ
素子におけるガラス基板上のレジストにフォトマスクの
金属膜が密着されるので、フォトマスクの基板における
静電気の発生またはその蓄積が抑制され、静電気の放電
による破壊から金属膜が保護されることになる。
素子におけるガラス基板上のレジストにフォトマスクの
金属膜が密着されるので、フォトマスクの基板における
静電気の発生またはその蓄積が抑制され、静電気の放電
による破壊から金属膜が保護されることになる。
ところが、上記の公報に開示されているフォトマスクで
は、遮光用の金属膜が露出している状態であるため、繰
り返しの使用およびこれに伴う洗浄によって、金属膜が
損傷し易く、耐久性においてなお不十分である。
は、遮光用の金属膜が露出している状態であるため、繰
り返しの使用およびこれに伴う洗浄によって、金属膜が
損傷し易く、耐久性においてなお不十分である。
従って、本発明は、フォトマスクの基板における静電気
の発生またはその蓄積を抑制し、静電気の放電による破
壊から金属膜を保護することができるとともに、機械的
な外力からも金属膜を保護することができ、これによっ
て高い耐久性を備えたフォトマスクの提供を目的として
いる。
の発生またはその蓄積を抑制し、静電気の放電による破
壊から金属膜を保護することができるとともに、機械的
な外力からも金属膜を保護することができ、これによっ
て高い耐久性を備えたフォトマスクの提供を目的として
いる。
尚、特開昭５４−７１９８７号公報には、基板上に遮光
用の金属膜を形成し、これら基板および金属膜上に透明
誘電体膜を形成したフォトマスクが開示されているもの
の、このフォトマスクにおける透明誘電体膜は、フォト
マスクをフォトレジストと密着させたとき、フォトマス
クにフォトレジストが接着し難くするものであって、フ
ォトマスクの基板における静電気の発生またはその蓄積
を抑制して静電気の放電による破壊から金属膜を保護す
るものとはなっておらず、上記の問題点を解決するもの
ではない。
用の金属膜を形成し、これら基板および金属膜上に透明
誘電体膜を形成したフォトマスクが開示されているもの
の、このフォトマスクにおける透明誘電体膜は、フォト
マスクをフォトレジストと密着させたとき、フォトマス
クにフォトレジストが接着し難くするものであって、フ
ォトマスクの基板における静電気の発生またはその蓄積
を抑制して静電気の放電による破壊から金属膜を保護す
るものとはなっておらず、上記の問題点を解決するもの
ではない。
本発明のフォトマスクは、上記の問題点を解決するため
に、基板中の金属膜を埋め込んだフォトマスクにおい
て、上記基板および金属膜の表面には導電膜が形成され
ていることを特徴としている。
に、基板中の金属膜を埋め込んだフォトマスクにおい
て、上記基板および金属膜の表面には導電膜が形成され
ていることを特徴としている。
上記の構成によれば、フォトマスクの基板および金属膜
の表面に導電膜が形成されているので、フォトマスクを
光メモリ素子のガラス基板上のレジストに密着させた時
に、フォトマスク表面部の導電膜がレジストに接触する
ことにより、フォトマスクの基板における静電気の発生
またはその蓄積が抑制され、静電気の放電による破壊か
ら金属膜が保護される。また、フォトマスクの使用時、
およびこれに伴う洗浄時において、金属膜は導電膜によ
り機械的な外力からも保護される。しかも、上記の金属
膜は基板に埋め込まれており、これら基板および金属膜
の表面に上記の導電膜が形成されているので、この導電
膜は、金属膜の膜厚より多少薄くても金属膜が露出する
虞れはなく、金属膜の保護機能を損なわない程度であれ
ば、それほど寸法上の制約を受けるものではない。これ
により、金属膜を導電膜によって確実に覆うことができ
るので、フォトマスク洗浄時における金属膜の剥がれが
確実に防止され、マスクパターンの欠損を防ぐことが可
能となる。従って、高い耐久性を備えることができる。
の表面に導電膜が形成されているので、フォトマスクを
光メモリ素子のガラス基板上のレジストに密着させた時
に、フォトマスク表面部の導電膜がレジストに接触する
ことにより、フォトマスクの基板における静電気の発生
またはその蓄積が抑制され、静電気の放電による破壊か
ら金属膜が保護される。また、フォトマスクの使用時、
およびこれに伴う洗浄時において、金属膜は導電膜によ
り機械的な外力からも保護される。しかも、上記の金属
膜は基板に埋め込まれており、これら基板および金属膜
の表面に上記の導電膜が形成されているので、この導電
膜は、金属膜の膜厚より多少薄くても金属膜が露出する
虞れはなく、金属膜の保護機能を損なわない程度であれ
ば、それほど寸法上の制約を受けるものではない。これ
により、金属膜を導電膜によって確実に覆うことができ
るので、フォトマスク洗浄時における金属膜の剥がれが
確実に防止され、マスクパターンの欠損を防ぐことが可
能となる。従って、高い耐久性を備えることができる。
尚、上記の導電膜は薄く形成することにより透光性を得
ることができる。
ることができる。
〔実施例１〕 本発明の一実施例を第１図に基づいて説明すれば、以下
の通りである。
の通りである。
第１図に示すように、フォトマスクにおける、石英また
はソーダ石灰等からなる透明基板１の一部がエッチング
により除去され、除去された部分に、マスクパターンと
してのＴａ、Ｔｉ、Ｍｏ等からなる金属膜２が埋め込ま
れている。金属膜２が埋め込まれる部分は、図示しない
光メモリ素子のガラス基板にネガ型レジストが使用され
る場合は、現像によりレジストの除去される部分であ
り、上記ガラス基板にポジ型レジストが使用される場合
は、現像によりレジストが残る部分である。
はソーダ石灰等からなる透明基板１の一部がエッチング
により除去され、除去された部分に、マスクパターンと
してのＴａ、Ｔｉ、Ｍｏ等からなる金属膜２が埋め込ま
れている。金属膜２が埋め込まれる部分は、図示しない
光メモリ素子のガラス基板にネガ型レジストが使用され
る場合は、現像によりレジストの除去される部分であ
り、上記ガラス基板にポジ型レジストが使用される場合
は、現像によりレジストが残る部分である。
透明基板１の表面には、導電膜としての２〜１０ｎｍ程
度の厚さを有するＴａ薄膜３が、スパッタリング法等に
より付着されている。このＴａ薄膜３は、充分な導電性
を有するとともに、上記のように薄く形成されているこ
とによりフォトマスクを通してレジストに対する紫外線
等の露光が可能な程度の透光性を有している。
度の厚さを有するＴａ薄膜３が、スパッタリング法等に
より付着されている。このＴａ薄膜３は、充分な導電性
を有するとともに、上記のように薄く形成されているこ
とによりフォトマスクを通してレジストに対する紫外線
等の露光が可能な程度の透光性を有している。
上記の構成において、光メモリ素子のガラス基板に案内
溝を刻設する場合、ガラス基板の表面に予めレジストが
設けられ、このレジストにフォトマスクのＴａ薄膜３を
接触させた状態でフォトマスクを通して紫外線等の露光
が行われ、その後、現像及びエッチング処理により上記
ガラス基板に案内溝が形成される。上記の露光時には導
電膜であるＴａ薄膜３がレジストに接触しているため、
透明基板１における静電気の発生または蓄積が抑制され
る。
溝を刻設する場合、ガラス基板の表面に予めレジストが
設けられ、このレジストにフォトマスクのＴａ薄膜３を
接触させた状態でフォトマスクを通して紫外線等の露光
が行われ、その後、現像及びエッチング処理により上記
ガラス基板に案内溝が形成される。上記の露光時には導
電膜であるＴａ薄膜３がレジストに接触しているため、
透明基板１における静電気の発生または蓄積が抑制され
る。
また、フォトマスクの使用時、およびこれに伴う洗浄時
において、金属膜２はＴａ薄膜３により機械的な外力か
らも保護される。しかも、上記の金属膜２は透明基板１
に埋め込まれ、これら基板１および金属膜２の表面に、
上記のＴａ薄膜３が形成された構成であるので、金属膜
２を露出させないためのＴａ薄膜３の膜厚は、それほど
寸法上の制約を受けるものではなく、金属膜２より薄く
しても金属膜２が露出する虞れはない。このため、金属
膜２をＴａ薄膜３によって確実に保護することが可能と
なる。従って、本フォトマスクは高い耐久性を備えるこ
とができる。
において、金属膜２はＴａ薄膜３により機械的な外力か
らも保護される。しかも、上記の金属膜２は透明基板１
に埋め込まれ、これら基板１および金属膜２の表面に、
上記のＴａ薄膜３が形成された構成であるので、金属膜
２を露出させないためのＴａ薄膜３の膜厚は、それほど
寸法上の制約を受けるものではなく、金属膜２より薄く
しても金属膜２が露出する虞れはない。このため、金属
膜２をＴａ薄膜３によって確実に保護することが可能と
なる。従って、本フォトマスクは高い耐久性を備えるこ
とができる。
第２図にＴａ薄膜３の膜厚と紫外線の透過率との関係を
示す。同図から明らかなように、Ｔａ薄膜３の膜厚が厚
くなると、紫外線の透過率は減少するが、それに応じて
紫外線の照射時間を長くすれば、充分な露光量を確保す
ることができる。なお、上記実施例では、導電膜として
Ｔａ薄膜３を使用したが、これに代えて、Ｔｉ、Ｍｏ、
Ｎｉ、ＡｕＣｒ等、他の金属または合金薄膜やＩｎの酸
化物の薄膜等、種々の導電膜を使用することができる。
示す。同図から明らかなように、Ｔａ薄膜３の膜厚が厚
くなると、紫外線の透過率は減少するが、それに応じて
紫外線の照射時間を長くすれば、充分な露光量を確保す
ることができる。なお、上記実施例では、導電膜として
Ｔａ薄膜３を使用したが、これに代えて、Ｔｉ、Ｍｏ、
Ｎｉ、ＡｕＣｒ等、他の金属または合金薄膜やＩｎの酸
化物の薄膜等、種々の導電膜を使用することができる。
〔実施例２〕 第３図に第２実施例を示す。この第２実施例において
は、石英またはソーダ石灰等からなる透明基板１に埋め
込まれたＴａ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属膜２′…２′の一部
が、導体部として透明基板１の表面より外側に突出させ
られている。これにより、フォトマスクを光メモリ素子
のガラス基板表面のレジストに密着させた時、金属膜
２′…２′がレジストと接触するため、上記第１実施例
と同様に、透明基板１での静電気の発生または蓄積が抑
制される。なお、上記両実施例１・２において、金属膜
２または２′の破壊の発生頻度は従来より数桁減少す
る。
は、石英またはソーダ石灰等からなる透明基板１に埋め
込まれたＴａ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属膜２′…２′の一部
が、導体部として透明基板１の表面より外側に突出させ
られている。これにより、フォトマスクを光メモリ素子
のガラス基板表面のレジストに密着させた時、金属膜
２′…２′がレジストと接触するため、上記第１実施例
と同様に、透明基板１での静電気の発生または蓄積が抑
制される。なお、上記両実施例１・２において、金属膜
２または２′の破壊の発生頻度は従来より数桁減少す
る。
本発明に係るフォトマスクは、以上のように、基板およ
び金属膜の表面に導電膜が形成されている構成である。
び金属膜の表面に導電膜が形成されている構成である。
これにより、フォトマスクを光メモリ素子がガラス基板
上のレジストに密着させた時に、上記導電膜がレジスト
に接触するので、フォトマスクの基板における静電気の
発生またはその蓄積が抑制される。また、フォトマスク
の使用時、およびこれに伴う洗浄時において、金属膜は
導電膜により機械的な外力からも保護される。しかも、
上記の金属膜は基板に埋め込まれ、これら基板および金
属膜の表面に上記の導電膜が形成されているので、金属
膜を露出させないための導電膜の膜厚はそれほど寸法上
の制約を受けるものではなく、金属膜の膜厚より薄くし
ても金属膜を確実に保護することができる。従って、高
い耐久性を備えることができ、ガラス基板型光メモリ素
子の量産性の向上にも寄与するという効果を奏する。
上のレジストに密着させた時に、上記導電膜がレジスト
に接触するので、フォトマスクの基板における静電気の
発生またはその蓄積が抑制される。また、フォトマスク
の使用時、およびこれに伴う洗浄時において、金属膜は
導電膜により機械的な外力からも保護される。しかも、
上記の金属膜は基板に埋め込まれ、これら基板および金
属膜の表面に上記の導電膜が形成されているので、金属
膜を露出させないための導電膜の膜厚はそれほど寸法上
の制約を受けるものではなく、金属膜の膜厚より薄くし
ても金属膜を確実に保護することができる。従って、高
い耐久性を備えることができ、ガラス基板型光メモリ素
子の量産性の向上にも寄与するという効果を奏する。
第１図乃至第３図は本発明の実施例を示すものであっ
て、第１図は第１実施例の概略縦断面図、第２図は第１
実施例におけるＴａ薄膜の膜厚と紫外線の透過率との関
係を示すグラフ、第３図は第２実施例の概略縦断面図、
第４図（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ従来例の概略縦断面
図である。 １は透明基板（基板）、２は金属膜、２′はその一部が
導体部をなす金属膜、３はＴａ薄膜（導体部）である。
て、第１図は第１実施例の概略縦断面図、第２図は第１
実施例におけるＴａ薄膜の膜厚と紫外線の透過率との関
係を示すグラフ、第３図は第２実施例の概略縦断面図、
第４図（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ従来例の概略縦断面
図である。 １は透明基板（基板）、２は金属膜、２′はその一部が
導体部をなす金属膜、３はＴａ薄膜（導体部）である。
フロントページの続き (72)発明者 永原 美行 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−201444（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−71987（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−161240（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−19054（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】基板中に金属膜を埋め込んだフォトマスク
において、 上記基板および金属膜の表面には導電膜が形成されてい
ることを特徴とするフォトマスク。 - 【請求項２】上記の導電膜は薄く形成されることにより
透光性を有している特許請求の範囲第１項に記載のフォ
トマスク。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24665387A JPH0652421B2 (ja) | 1987-09-30 | 1987-09-30 | フォトマスク |
| CA000578870A CA1315023C (en) | 1987-09-30 | 1988-09-29 | Photo-mask |
| EP88309089A EP0310412B1 (en) | 1987-09-30 | 1988-09-30 | Improvements in photo-masks |
| DE3889053T DE3889053T2 (de) | 1987-09-30 | 1988-09-30 | Photomasken. |
| DE3856089T DE3856089T2 (de) | 1987-09-30 | 1988-09-30 | Fotomasken |
| EP93202205A EP0574092B1 (en) | 1987-09-30 | 1988-09-30 | Photo-masks |
| US07/631,277 US5260150A (en) | 1987-09-30 | 1990-12-20 | Photo-mask with light shielding film buried in substrate |
| CA000616373A CA1322685C (en) | 1987-09-30 | 1992-05-07 | Photo-mask |
| US08/102,229 US5403683A (en) | 1987-09-30 | 1993-08-05 | Photo-mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24665387A JPH0652421B2 (ja) | 1987-09-30 | 1987-09-30 | フォトマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6488549A JPS6488549A (en) | 1989-04-03 |
| JPH0652421B2 true JPH0652421B2 (ja) | 1994-07-06 |
Family
ID=17151618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24665387A Expired - Lifetime JPH0652421B2 (ja) | 1987-09-30 | 1987-09-30 | フォトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0652421B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4197378B2 (ja) * | 1999-08-18 | 2008-12-17 | 大日本印刷株式会社 | ハーフトーン位相シフトフォトマスク及びそのためのハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクス並びにこれを用いたパターン形成方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6053457B2 (ja) * | 1977-11-21 | 1985-11-26 | 株式会社日立製作所 | ホトマスクの製造方法 |
| JPS62201444A (ja) * | 1986-02-28 | 1987-09-05 | Sharp Corp | フオトマスクおよびその製造方法 |
-
1987
- 1987-09-30 JP JP24665387A patent/JPH0652421B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6488549A (en) | 1989-04-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070706 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080706 Year of fee payment: 14 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080706 Year of fee payment: 14 |