JPH06334818A - Light beam scanner - Google Patents

Light beam scanner

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JPH06334818A
JPH06334818A JP5121519A JP12151993A JPH06334818A JP H06334818 A JPH06334818 A JP H06334818A JP 5121519 A JP5121519 A JP 5121519A JP 12151993 A JP12151993 A JP 12151993A JP H06334818 A JPH06334818 A JP H06334818A
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semiconductor laser
light
light source
scanning
optical axis
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Yoshinori Morimoto
美範 森本
Yoshiharu Okino
美晴 沖野
Toshiyuki Inoue
敏之 井上
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Abstract

PURPOSE:To obtain a light beam scanner capable of narrowing an angle between optical axes to the extent that optical performance such as color aberration is not lost. CONSTITUTION:Since a semiconductor laser 14 is arranged at the center part so as to be inserted between SHGs 16, 18, each included angle theta of each optical axis of a laser beam provided as an output from the semiconductor laser 14 and the SHGs 16, 18 is made narrowest. Since an AOM 20 arranged at the center is offset along an optical axis in a direction parted from the semiconductor laser 14, AOMs 20 are not interfered with each other. Since a concave lens 86R, a slit 38R, a convex lens 40R and a cylindrical lens 42R are offset along the optical axis, the optical axis is not interfered with B and G light side optical system 32. Thus, a defect due to arrangement of the semiconductor layer 14 between the SHGs 16, 18 in the light source section is not caused.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、光ビームを走査して画
像を記録又は読取るための光ビーム走査装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light beam scanning device for scanning a light beam to record or read an image.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、光ビームを用いた走査装置とし
て、画像記録装置では、例えば、半導体レーザ或いは半
導体レーザと内部変調機能とが一体化されたレーザビー
ム出力器(SHG)を並設し、これらから射出されるレ
ーザビームを光学系を介して必要に応じてAOM(音響
光学素子)で外部変調し、この変調されたレーザビーム
を高速回転しているポリゴンミラー(回転多面鏡)へ照
射することにより、主走査方向へ偏向する。この主走査
方向へ偏向されるレーザビームを光学系によって画像記
録材料の記録面へ案内し、この記録面上で主走査する。
この主走査に伴い、画像記録材料を副走査方向へ定速度
で搬送することにより、1画像を記録することができ
る。
2. Description of the Related Art Conventionally, in an image recording apparatus as a scanning apparatus using a light beam, for example, a semiconductor laser or a laser beam output device (SHG) in which a semiconductor laser and an internal modulation function are integrated is provided in parallel. Laser beams emitted from these are externally modulated by an AOM (acousto-optical element) as needed through an optical system, and the modulated laser beam is applied to a polygon mirror (rotating polygon mirror) rotating at high speed. As a result, the light is deflected in the main scanning direction. The laser beam deflected in the main scanning direction is guided to the recording surface of the image recording material by the optical system, and the main scanning is performed on the recording surface.
With this main scanning, one image can be recorded by conveying the image recording material in the sub-scanning direction at a constant speed.

【0003】この場合、各光軸はポリゴンミラーへ異角
入射されており(特開平1−77018号公報参照)、
画像記録材料上における主走査方向に各色間がずれるこ
とがある。なお、このずれは、人間の目では30μmの
ずれを認識可能である。
In this case, the respective optical axes are incident on the polygon mirror at different angles (see Japanese Patent Laid-Open No. 1-77018).
There may be a deviation between the colors in the main scanning direction on the image recording material. Note that this shift can be recognized by the human eye as being a shift of 30 μm.

【0004】上記、各色間のずれは、露光タイミング等
で調整(補正)すればよいが、光学性能上(例えば、像
面湾曲、面倒れ補正、色収差等)を考慮した場合、前記
異角入射される各光軸間角度は小さいことが好ましい。
The above-mentioned misalignment between the respective colors may be adjusted (corrected) at the exposure timing or the like. However, in consideration of optical performance (for example, field curvature, surface tilt correction, chromatic aberration, etc.), the different angle incidence is performed. The angle between the optical axes is preferably small.

【0005】ところで、現在では内部変調を用いずに適
用可能な半導体レーザの波長はR光(約680nm)で
あり、その他(B光、G光)はSHGを適用している。
従って、1個の半導体レーザ、2個のSHGの組み合わ
せが一般的の構成となる(特開昭63−141051号
参照)。また、SHGの構成としては、特願平5−10
0844号に記載されている。
By the way, at present, the wavelength of a semiconductor laser applicable without using internal modulation is R light (about 680 nm), and SHG is applied to the other (B light, G light).
Therefore, a combination of one semiconductor laser and two SHGs has a general structure (see Japanese Patent Laid-Open No. 63-141051). Further, as the configuration of SHG, Japanese Patent Application No. 5-10
No. 0844.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、SHG
の外形は大きく、またAOM等の外部変調器を用いた走
査光学系の場合、互いの部品が干渉しあって、各光の光
軸間角度を小さくすることが制限され、前記光学性能
上、支障をきたさない程度の角度となるように設置する
ことができない。また、AOMからの戻り光により、半
導体レーザの発振が不安定となることがある。
However, the SHG
Has a large outer shape, and in the case of a scanning optical system using an external modulator such as AOM, mutual mutual components interfere with each other and it is limited to reduce the angle between the optical axes of the respective lights. It cannot be installed at an angle that does not hinder. In addition, the oscillation of the semiconductor laser may become unstable due to the return light from the AOM.

【0007】本発明は上記事実を考慮し、色収差等の光
学性能を損なうことがない程度まで、各色の光軸間の角
度を狭めることができる光ビーム走査装置を得ることが
目的である。
In consideration of the above facts, an object of the present invention is to obtain a light beam scanning device capable of narrowing the angle between the optical axes of respective colors to the extent that the optical performance such as chromatic aberration is not impaired.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、少なくとも1組が半導体レーザ、他の組が第2高周
波出力手段(AHG)で構成される光源部と、この光源
部から射出される光ビームを走査して画像を記録又は読
取るための走査手段と、を備えた光ビーム走査装置であ
って、前記半導体レーザと第2高周波出力手段(SH
G)とを各光軸の挟角が最も小さくなるように交互に配
置することを特徴としている。
According to a first aspect of the present invention, at least one set comprises a semiconductor laser and the other set comprises a second high frequency output means (AHG), and a light source section which emits light from this light source section. A light beam scanning device for scanning or scanning an optical beam to record or read an image, the semiconductor laser and a second high frequency output device (SH).
G) and G) are alternately arranged so that the included angle of each optical axis is minimized.

【0009】請求項2に記載の発明は、前記半導体レー
ザが直接変調されることを特徴としている。
The invention described in claim 2 is characterized in that the semiconductor laser is directly modulated.

【0010】請求項3に記載の発明は、3原色対応する
波長を出力する3個半導体レーザが並設された光源部
と、この光源部から射出される光ビームを走査して画像
を記録又は読取るための走査手段と、を備えた光ビーム
走査装置であって、前記半導体レーザの1個が直接変調
される場合に、この直接変調される半導体レーザを中央
に配置することを特徴としている。
According to a third aspect of the present invention, a light source section in which three semiconductor lasers outputting wavelengths corresponding to the three primary colors are arranged in parallel, and a light beam emitted from the light source section is scanned to record an image or A light beam scanning device comprising a scanning means for reading, characterized in that when one of the semiconductor lasers is directly modulated, the directly modulated semiconductor laser is arranged in the center.

【0011】請求項4に記載の発明は、前記光源部又は
この光源部に対応する走査手段の光学部品を光軸に沿っ
て互いにオフセットして配置したことを特徴としてい
る。
According to a fourth aspect of the present invention, the optical components of the light source section or the scanning means corresponding to the light source section are arranged offset from each other along the optical axis.

【0012】請求項5に記載の発明は、前記半導体レー
ザからの光を音響光学素子(AOM)にて外部変調する
場合に、音響光学素子(AOM)の入射面を、入射光軸
に対し、ブラッグ角より大きい角度を持たせていること
を特徴としている。
According to a fifth aspect of the present invention, when the light from the semiconductor laser is externally modulated by the acousto-optic device (AOM), the incident surface of the acousto-optic device (AOM) is set with respect to the incident optical axis. It is characterized by having an angle larger than the Bragg angle.

【0013】[0013]

【作用】請求項1に記載の発明によれば、例えば、1個
の半導体レーザと2個の第2高周波レーザビーム出力手
段(SHG)で光源部を構成し、また、光源部から出力
された光ビームを外部変調器(例えば、音響光学素子)
によって強度又はパルス幅変調し、最大回折光を得て、
走査手段によって走査する構成の場合に、2個のSHG
で挟むように、すなわち中央に半導体レーザを配置する
(交互配置の一例)。
According to the first aspect of the invention, for example, the light source section is composed of one semiconductor laser and two second high frequency laser beam output means (SHG), and the light is output from the light source section. External modulator of light beam (eg acousto-optic device)
Intensity or pulse width modulation by to obtain maximum diffracted light,
Two SHGs in the case of scanning by the scanning means
The semiconductor lasers are arranged so as to be sandwiched by, that is, in the center (an example of alternate arrangement).

【0014】このように配置することによって、SHG
を隣接して配置した場合に比べて、各光軸の挟角を狭め
ることができる。これにより、走査手段における光学部
品によって生じる像面湾曲、面倒れ補正、色収差等を軽
減することができる。
By arranging in this way, SHG
It is possible to narrow the included angle of each optical axis as compared with the case where the two are arranged adjacent to each other. As a result, it is possible to reduce field curvature, surface tilt correction, chromatic aberration, etc., which are caused by the optical components in the scanning means.

【0015】請求項2に記載の発明によれば、前記請求
項1に記載の発明の構成において、例えば、半導体レー
ザを直接変調する場合には、この直接変調する半導体レ
ーザを中央に配置する。これにより、外部変調器を隣接
して配置した場合に比べて、さらに各光軸の挟角を狭め
ることができる。
According to the invention described in claim 2, in the structure of the invention described in claim 1, for example, when the semiconductor laser is directly modulated, the semiconductor laser for direct modulation is arranged in the center. This makes it possible to further narrow the included angle of each optical axis, as compared with the case where the external modulators are arranged adjacent to each other.

【0016】請求項3に記載の発明によれば、光源部と
して3個の半導体レーザを用いた場合においても、直接
変調する半導体レーザを中央に配置することにより、さ
らに光軸の挟角度を狭めることができる。
According to the third aspect of the present invention, even when three semiconductor lasers are used as the light source section, by arranging the semiconductor laser for direct modulation in the center, the angle between the optical axes can be further narrowed. be able to.

【0017】請求項4に記載の発明によれば、光源部か
ら出力される光軸上に配置するレンズ等の光学部品をそ
れぞれの光軸に沿ってオフセット配置することにより、
光軸間の挟角をさらに狭めることができる。
According to the fourth aspect of the present invention, the optical components such as lenses arranged on the optical axis output from the light source section are offsetly arranged along the respective optical axes.
The included angle between the optical axes can be further narrowed.

【0018】請求項5に記載の発明によれば、音響光学
素子(AOM)からの反射光が半導体レーザに戻ること
がなく、半導体レーザの発振が不安定となることを防止
することができる。
According to the invention described in claim 5, the reflected light from the acousto-optic element (AOM) does not return to the semiconductor laser, and it is possible to prevent the oscillation of the semiconductor laser from becoming unstable.

【0019】[0019]

【実施例】図1には、本実施例に係るレーザビームを用
いた画像記録装置の走査光学系10が示されている。走
査光学系10は、光学定盤12上に設けられている。光
学定盤12は、ダストカバー(図示省略)によって覆わ
れており、光学系に悪影響を及ぼす塵埃の侵入を防止し
ている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 shows a scanning optical system 10 of an image recording apparatus using a laser beam according to this embodiment. The scanning optical system 10 is provided on the optical surface plate 12. The optical surface plate 12 is covered with a dust cover (not shown) to prevent intrusion of dust that adversely affects the optical system.

【0020】本実施例の3原色に対応する光源部とし
て、1個の半導体レーザ14(R光用;波長680n
m)と、2個のSHG16(B光用;波長473n
m)、18(G光用;波長532nm)が適用されてい
る。半導体レーザ14とSHG16、18との配置は、
半導体レーザ14が中央となるように並設されている。
このため、2個のSHG16、18は比較的接近して配
置される。なお、SHG16、18の幅寸法WSHG は、
約70mm程度である。
As a light source unit corresponding to the three primary colors of this embodiment, one semiconductor laser 14 (for R light; wavelength 680n) is used.
m) and two SHG16 (for B light; wavelength 473n)
m) and 18 (for G light; wavelength 532 nm) are applied. The arrangement of the semiconductor laser 14 and the SHGs 16 and 18 is
The semiconductor lasers 14 are arranged side by side in the center.
Therefore, the two SHGs 16 and 18 are arranged relatively close to each other. The width dimension W SHG of the SHGs 16 and 18 is
It is about 70 mm.

【0021】半導体レーザ14及びSHG16、18の
出力側には、それぞれAOM(音響光学素子)20が配
置されており、変調がなされている。ここで、半導体レ
ーザ14に適用されるAOM20は、各光軸に沿って半
導体レーザ14から離反する方向にオフセットされてお
り、光軸方向から見て3個のAOM20が重なるように
配置されている。このような配置により、AOM20同
士の干渉を防止されると共に、接近しての配置が可能と
なる。なお、AOM20の幅寸法WAOM は、約50mm
程度である。
AOMs (acousto-optic elements) 20 are arranged on the output sides of the semiconductor laser 14 and the SHGs 16 and 18, respectively, and are modulated. Here, the AOM 20 applied to the semiconductor laser 14 is offset in the direction away from the semiconductor laser 14 along each optical axis, and the three AOMs 20 are arranged so as to overlap each other when viewed from the optical axis direction. . With such an arrangement, the AOMs 20 can be prevented from interfering with each other and can be placed close to each other. The width dimension W AOM of the AOM 20 is about 50 mm.
It is a degree.

【0022】SHG16、18とAOM20との間に
は、それぞれ凸レンズ22(焦点距離30.5mm)、24
(焦点距離30.2mm)が介在されており、SHG16、1
8から出力されるレーザビームをAOM20で結像して
いる。
Convex lenses 22 (focal length 30.5 mm) and 24 are provided between the SHGs 16 and 18 and the AOM 20, respectively.
(Focal length 30.2mm) is interposed, SHG16, 1
The laser beam output from 8 is imaged by the AOM 20.

【0023】また、半導体レーザ14とAOM20との
間には、半導体レーザ14側から順にコリメータレンズ
26(焦点距離8mm )、凸レンズ28(焦点距離81.2m
m)及び凹レンズ30(焦点距離−15.2mm)が配設さ
れ、コリメータレンズ26、凸レンズ28によってAO
M20で結像させると共に、凹レンズ30によってビー
ムを真円に近似させるための波形成形を行っている。
A collimator lens 26 (focal length 8 mm) and a convex lens 28 (focal length 81.2 m) are arranged between the semiconductor laser 14 and the AOM 20 in this order from the semiconductor laser 14 side.
m) and a concave lens 30 (focal length -15.2 mm) are provided, and the collimator lens 26 and the convex lens 28 are used to
The image is formed at M20, and the concave lens 30 performs waveform shaping to approximate the beam to a perfect circle.

【0024】すなわち、焦点距離の異なるレンズを用い
ることにより、AOM20のオフセットに拘らず、AO
M20で結像させることができる。
That is, by using lenses having different focal lengths, regardless of the offset of the AOM 20, the AO
An image can be formed at M20.

【0025】AOM20から出力される1次光は光学系
32を介して反射ミラー34へ入射されている。この光
学系32は、BGR光共に同一構成であり、AOM20
側から順次に凹レンズ36、スリット38、凸レンズ4
0、面倒れ補正用シリンドリカルレンズ42(図1で
は、それぞれ符号の末尾に各色の記号B、G、Rを付
す)によって構成されている。なお、各色のレンズの焦
点距離は以下の表の如くなっている。
The primary light output from the AOM 20 is incident on the reflection mirror 34 via the optical system 32. The optical system 32 has the same configuration for both BGR light and
The concave lens 36, the slit 38, and the convex lens 4 are sequentially arranged from the side.
0, a surface tilt correction cylindrical lens 42 (in FIG. 1, the symbols B, G, and R of the respective colors are added to the end of the symbols). The focal lengths of the lenses of each color are as shown in the table below.

【0026】[0026]

【表1】 [Table 1]

【0027】ここで、上記光学系32は、AOM20の
配置位置に対応してオフセットされており、例えば、凹
レンズ36同士が隣接するようなことが防止され、前記
SHG16、18の接近配置やAOM20の接近配置を
制限することがない配置となっている。
Here, the optical system 32 is offset corresponding to the arrangement position of the AOM 20, for example, it is prevented that the concave lenses 36 are adjacent to each other, and the SHGs 16 and 18 are arranged close to each other and the AOM 20 is arranged. It is an arrangement that does not limit the close arrangement.

【0028】反射ミラー34で反射された光はそれぞ
れ、ポリゴンミラー44の反射鏡面44Aへと入射され
るようになっている。
The light reflected by the reflecting mirror 34 is made to enter the reflecting mirror surface 44A of the polygon mirror 44.

【0029】ポリゴンミラー44は、その回転軸44B
が図示しないモータの回転軸に連結されており、モータ
の駆動力によって高速に回転するようになっている。こ
のため、ポリゴンミラー44の反射鏡面44Aに入射さ
れたレーザビームは、ポリゴンミラー44の回転に伴っ
てその反射光が偏向されるようになっている(主走
査)。
The polygon mirror 44 has a rotating shaft 44B.
Is connected to a rotating shaft of a motor (not shown) and is rotated at high speed by the driving force of the motor. Therefore, the reflected light of the laser beam incident on the reflecting mirror surface 44A of the polygon mirror 44 is deflected as the polygon mirror 44 rotates (main scanning).

【0030】ポリゴンミラー44の反射鏡面44Aで反
射された光の光軸上には、fθレンズ46、シリンドリ
カルレンズ等のレンズ群48及びシリンドリカルミラー
50が配設されており、ポリゴンミラー44によって主
走査されるレーザビームの主走査方向の集光を行うと共
にシリンドリカルミラー50によって図示しない記録紙
上にレーザビームを案内するようになっている。
An fθ lens 46, a lens group 48 such as a cylindrical lens, and a cylindrical mirror 50 are arranged on the optical axis of the light reflected by the reflecting mirror surface 44 A of the polygon mirror 44. The laser beam is focused in the main scanning direction and is guided by a cylindrical mirror 50 onto a recording paper (not shown).

【0031】記録紙は、図示しない駆動手段の駆動力で
定速度でレーザビームの主走査方向と直交する方向に搬
送されるようになっている(副走査)。これにより、記
録紙上には複数の主走査線が連続して記録され、画像が
記録されるようになっている。
The recording paper is conveyed at a constant speed in the direction orthogonal to the main scanning direction of the laser beam by the driving force of a driving means (not shown) (sub scanning). As a result, a plurality of main scanning lines are continuously recorded on the recording paper to record an image.

【0032】以下に本実施例の作用を説明する。図1に
示されるように、光源部を構成する1個の半導体レーザ
14と2個のSHG16、18は、半導体レーザ14を
SHG16、18に挟まれるように中央部に配置してい
るため、半導体レーザ14及びSHG16、18から出
力されるレーザビームの各光軸の挟角θを最も狭めるこ
とができる。
The operation of this embodiment will be described below. As shown in FIG. 1, since one semiconductor laser 14 and two SHGs 16 and 18 that form the light source unit are arranged in the central portion so that the semiconductor laser 14 is sandwiched between the SHGs 16 and 18, The included angle θ between the optical axes of the laser beams output from the laser 14 and the SHGs 16 and 18 can be minimized.

【0033】また、3個のAOM20の内、中央に配置
されるAOM20を光源、すなわち半導体レーザ14か
ら離反する方向に光軸に沿ってオフセットしたため、上
記光源部の組み合わせ(配列)によって光軸の挟角を狭
めても、AOM20同士が干渉し合うことがない。
Further, among the three AOMs 20, the AOM 20 arranged at the center is offset along the optical axis in the direction away from the light source, that is, the semiconductor laser 14, so that the combination (arrangement) of the light source units causes the optical axis of the optical axis to change. Even if the included angle is narrowed, the AOMs 20 do not interfere with each other.

【0034】3本の光軸は徐々に一点に収束するように
向けられているため、光学系32においては、各部品が
接近して配置されることになる。しかし、AOM20の
オフセット量に応じて、凹レンズ36R 、スリット38
R 、凸レンズ40R 及びシリンドリカルレンズ42R も
光軸に沿ってオフセットされているため、B光及びG光
側の光学系32と干渉することはない。
Since the three optical axes are oriented so as to gradually converge to one point, in the optical system 32, the respective parts are arranged close to each other. However, depending on the offset amount of the AOM 20, the concave lens 36R and the slit 38
Since R 1, the convex lens 40 R, and the cylindrical lens 42 R are also offset along the optical axis, they do not interfere with the optical system 32 on the B light and G light sides.

【0035】従って、光源部において、半導体レーザ1
4をSHG16、18の間に配置したことによる不具合
は全くない。
Therefore, in the light source section, the semiconductor laser 1
There is no problem caused by placing 4 between the SHGs 16 and 18.

【0036】反射ミラー34によって反射した光はポリ
ゴンミラー44の反射鏡面44Aに入射される。このポ
リゴンミラー44の反射鏡面44Aで反射された光は、
fθレンズ46、シリンドリカルレンズ等のレンズ群4
8を通ることにより、ポリゴンミラー44によって主走
査されるレーザビームの主走査方向の集光を行い、シリ
ンドリカルミラー50によって記録紙上にレーザビーム
を案内するようになっている。
The light reflected by the reflecting mirror 34 is incident on the reflecting mirror surface 44A of the polygon mirror 44. The light reflected by the reflecting mirror surface 44A of the polygon mirror 44 is
Lens group 4 including fθ lens 46 and cylindrical lens
By passing through 8, the polygon mirror 44 focuses the laser beam in the main scanning direction, and the cylindrical mirror 50 guides the laser beam onto the recording paper.

【0037】記録紙は、定速度でレーザビームの主走査
方向と直交する方向に搬送されているため、これによ
り、記録紙上には複数の主走査線が連続して記録され、
画像が記録される。
Since the recording paper is conveyed at a constant speed in the direction orthogonal to the main scanning direction of the laser beam, a plurality of main scanning lines are continuously recorded on the recording paper,
The image is recorded.

【0038】なお、本実施例では3本の光軸の挟角を狭
めるための構成として、光源部の半導体レーザ14とS
HG16、18の配列順、AOM20の配置位置並びに
光学系32の配置位置を組み合わせた構成を示したが、
これらの単独の構成によっても、本発明の目的を達成す
ることができる。
In this embodiment, the semiconductor lasers 14 and S of the light source section are used as a structure for narrowing the included angle of the three optical axes.
The configuration in which the arrangement order of the HGs 16 and 18, the arrangement position of the AOM 20, and the arrangement position of the optical system 32 are combined is shown.
The object of the present invention can also be achieved by these independent configurations.

【0039】すなわち、図2に示されるように光源部が
1個の半導体レーザ14を2個のSHG16、18の間
に配置するのみであっても、下流側のAOM20及び光
学形32が干渉しないまで接近配置すれば、挟角θ1
狭めることができる。
That is, as shown in FIG. 2, even if the light source unit only has one semiconductor laser 14 arranged between two SHGs 16 and 18, the downstream AOM 20 and the optical form 32 do not interfere with each other. If they are arranged close to each other, the included angle θ 1 can be narrowed.

【0040】また、図3に示すように、半導体レーザ1
4を直接変調する場合には、この直接変調する半導体レ
ーザ14を中央に配置すれば、より接近させることがで
きる。これにより、AOM20を隣接して配置した場合
に比べて、さらに各光軸の挟角θ2 を狭めることができ
る。
Further, as shown in FIG. 3, the semiconductor laser 1
When directly modulating 4, the semiconductor laser 14 for direct modulation can be arranged closer to the center to bring them closer. As a result, the included angle θ 2 of each optical axis can be further narrowed compared to the case where the AOMs 20 are arranged adjacent to each other.

【0041】また、半導体レーザ14の短波長化が進展
しているが、短波長化に伴い、変調に対する応答性が遅
くなるため、外部変調器が必要とされる場合がある。こ
のような光源部として3個の半導体レーザ14を用いた
場合においても、図4に示されるように、直接変調する
半導体レーザ14を中央に配置することにより、さらに
光軸の挟角度θ3 を狭めることができる。
Although the wavelength of the semiconductor laser 14 is becoming shorter, the response to modulation becomes slower as the wavelength becomes shorter, so that an external modulator may be required. Even when three semiconductor lasers 14 are used as such a light source unit, as shown in FIG. 4, by arranging the semiconductor laser 14 for direct modulation in the center, the sandwiching angle θ 3 of the optical axis is further increased. Can be narrowed.

【0042】ところで、半導体レーザ14からの出射ビ
ームが凸レンズ28や凹レンズ30等により、AOM2
0に結像される場合、AOM20の入射面からの反射光
が凹レンズ30、凸レンズ28等を逆方向に透過し、半
導体レーザ14の発振が不安定となることがある(戻り
光によるモード競合)。
The beam emitted from the semiconductor laser 14 is reflected by the convex lens 28, the concave lens 30, etc.
When the image is formed at 0, the reflected light from the incident surface of the AOM 20 may pass through the concave lens 30, the convex lens 28, etc. in the opposite direction, and the oscillation of the semiconductor laser 14 may become unstable (mode competition due to return light). .

【0043】このような場合、AOM20の入射面にA
Rコートを施すことで解決することもあるが、これでも
不安定な場合以下〜の対策が有効である。
In such a case, A is incident on the incident surface of the AOM 20.
The solution may be solved by applying an R coat, but if this is still unstable, the following measures are effective.

【0044】 通常、AOM20の入射面は入射ビー
ムの光軸に対し、ブラッグ角だけ傾斜しているが、この
角度を更に大きくすることにより、AOM20からの反
射光が半導体レーザ14にほとんど戻らなくすることが
できる。さらに、反射光が凹レンズ30、凸レンズ28
等や半導体レーザ14に戻ることを強制的に阻止するた
め、AOM20の最も近い凹レンズ30の若干下流側周
囲に遮光手段を設けることも有効である。
Normally, the incident surface of the AOM 20 is tilted by the Bragg angle with respect to the optical axis of the incident beam, but by further increasing this angle, the reflected light from the AOM 20 hardly returns to the semiconductor laser 14. be able to. Further, the reflected light is a concave lens 30 and a convex lens 28.
In order to forcibly prevent the laser beam from returning to the semiconductor laser 14, it is also effective to provide a light-shielding means at a position slightly downstream of the closest concave lens 30 of the AOM 20.

【0045】 AOM20への入射ビームは平行ビー
ムに近いほどAOM20の入射端からの反射光を入射ビ
ームと分離することが容易である。
The closer the incident beam to the AOM 20 is to the parallel beam, the easier it is to separate the reflected light from the incident end of the AOM 20 from the incident beam.

【0046】 半導体レーザ14の出射端面反射率を
高くし、半導体レーザ14の内部共振状態が戻り光の影
響を受け難くする。通常、高光出力を得るため、出射端
面反射率を低くする手法が用いられるが、これは戻り光
の影響を受け易くする。出射端面反射率は30%以上が
好ましい。
The reflectance of the emission end face of the semiconductor laser 14 is increased to make the internal resonance state of the semiconductor laser 14 less likely to be affected by the returning light. Usually, in order to obtain a high light output, a method of lowering the emission end face reflectance is used, but this makes the light susceptible to the return light. The emission facet reflectance is preferably 30% or more.

【0047】 シングルモードの半導体レーザ14を
用いると戻り光の影響を受けるため、高周波重畳(数百
MHz)を行い、マルチモード化することにより、これ
を防ぐことが有効である。もし、半導体レーザ14の応
答が遅く、高周波に追従しない場合は、より低い周波数
でのスイッチングを行うことによってもシングル性を低
下させることができ、戻り光の影響を低減させることが
できる。
When the single-mode semiconductor laser 14 is used, it is affected by the returning light. Therefore, it is effective to prevent this by performing high-frequency superimposition (several hundred MHz) and making it multi-mode. If the response of the semiconductor laser 14 is slow and does not follow the high frequency, the singleness can be reduced by switching at a lower frequency, and the influence of the returning light can be reduced.

【0048】[0048]

【発明の効果】以上説明した如く本発明に係る光ビーム
走査装置は、色収差等の光学性能を損なうことがない程
度まで、各色の光軸間の角度を狭めることができるとい
う優れた効果を有する。
As described above, the light beam scanning device according to the present invention has an excellent effect that the angle between the optical axes of respective colors can be narrowed to the extent that the optical performance such as chromatic aberration is not impaired. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本実施例に係る走査光学系の概略図である。FIG. 1 is a schematic diagram of a scanning optical system according to the present embodiment.

【図2】光源部の基本構成を示す概略図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing a basic configuration of a light source section.

【図3】本実施例の変形例を示す光学系の概略図であ
る。
FIG. 3 is a schematic diagram of an optical system showing a modified example of the present embodiment.

【図4】本実施例の変形例を示す光学系の概略図であ
る。
FIG. 4 is a schematic diagram of an optical system showing a modified example of the present embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 走査光学系 14 半導体レーザ 16、18 SHG(第2高周波レーザビーム出力手
段) 20 AOM 32 光学系
10 Scanning Optical System 14 Semiconductor Lasers 16 and 18 SHG (Second High Frequency Laser Beam Output Means) 20 AOM 32 Optical System

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 少なくとも1組が半導体レーザ、他の組
が第2高周波レーザビーム出力手段(SHG)で構成さ
れる光源部と、この光源部から射出される光ビームを走
査して画像を記録又は読取るための走査手段と、を備え
た光ビーム走査装置であって、 前記半導体レーザと第2高周波レーザビーム出力手段
(SHG)とを各光軸の挟角が最も小さくなるように交
互に配置することを特徴とする光ビーム走査装置。
1. A light source section comprising at least one set of semiconductor lasers and another set of second high frequency laser beam output means (SHG), and a light beam emitted from this light source section for scanning to record an image. Or a scanning means for reading, wherein the semiconductor laser and the second high frequency laser beam output means (SHG) are alternately arranged so that the included angle of each optical axis is minimized. A light beam scanning device characterized by:
【請求項2】 前記半導体レーザが直接変調されること
を特徴とする請求項1記載の光ビーム走査装置。
2. The light beam scanning device according to claim 1, wherein the semiconductor laser is directly modulated.
【請求項3】 3原色対応する波長を出力する3個半導
体レーザが並設された光源部と、この光源部から射出さ
れる光ビームを走査して画像を記録又は読取るための走
査手段と、を備えた光ビーム走査装置であって、 前記半導体レーザの1個が直接変調される場合に、この
直接変調される半導体レーザを中央に配置することを特
徴とする光ビーム走査装置。
3. A light source section in which three semiconductor lasers that output wavelengths corresponding to the three primary colors are arranged in parallel, and a scanning unit for scanning or scanning an optical beam emitted from the light source section to record or read an image. A light beam scanning device comprising: a semiconductor laser that is directly modulated when one of the semiconductor lasers is directly modulated.
【請求項4】 前記光源部又はこの光源部に対応する走
査手段の光学部品を光軸に沿って互いにオフセットして
配置したことを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れ
か1項記載の光ビーム走査装置。
4. The optical component of the light source unit or the scanning means corresponding to the light source unit is arranged so as to be offset from each other along the optical axis, according to any one of claims 1 to 3. Light beam scanning device.
【請求項5】 前記半導体レーザからの光を音響光学素
子(AOM)にて外部変調する場合に、音響光学素子
(AOM)の入射面を、入射光軸に対し、ブラッグ角よ
り大きい角度を持たせていることを特徴とする請求項1
乃至請求項4の何れか1項記載の光ビーム走査装置。
5. When the light from the semiconductor laser is externally modulated by an acousto-optic device (AOM), the incident surface of the acousto-optic device (AOM) has an angle larger than the Bragg angle with respect to the incident optical axis. Claim 1 characterized in that
The light beam scanning device according to claim 4.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP0878960A3 (en) * 1997-04-24 2000-08-09 Konica Corporation Laser exposure unit
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