JPH06324787A - タッチパネルの座標検出装置 - Google Patents
タッチパネルの座標検出装置Info
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- JPH06324787A JPH06324787A JP10938993A JP10938993A JPH06324787A JP H06324787 A JPH06324787 A JP H06324787A JP 10938993 A JP10938993 A JP 10938993A JP 10938993 A JP10938993 A JP 10938993A JP H06324787 A JPH06324787 A JP H06324787A
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Abstract
し、かつ入力待ちの状態で消費電力が大きくなることの
ないタッチパネルの座標検出装置を提供する。 【構成】 対向配置された一対の抵抗膜1、2と、それ
らの接触点を座標値として検出する手段とを備えたタッ
チパネルの座標検出装置において、入力待機時に、一方
の抵抗膜1の両側の電極3a、3bをハイレベルに設定
する手段と、他方の抵抗膜2における一側の電極4bを
抵抗Rを介して接地し、他側の電極4aの電圧変化を検
出する手段を備え、電圧変化を検出する手段による検出
電圧に適当なしきい値を設定し、そのしきい値より入力
電圧が高くなった時に座標データを測定することによ
り、接触抵抗が大きく不安定な押圧時には測定せず、正
確なデータのみを取り入れる。
Description
ルの座標検出装置に関し、特に安定した押圧による正確
な座標データのみ検出できるようにしたタッチパネルの
座標検出装置に関する。
標検出装置においては、接触位置の検出に際して押圧に
よる抵抗膜間の機械的な接触を利用しているため、チャ
タリングが発生したり、接触が不安定であった場合に誤
入力しないようにし、かつ入力待機時の消費電力が大き
くならないようにすることが重要である。
出装置は、例えば特開平4−352219号公報に開示
されているような構成が一般的である。即ち、図7
(a)に示すように、一対の矩形状の抵抗膜21、22
を対向配置し、一方の抵抗膜21にはX方向の両端に電
極a2、a3を形成し、他方の抵抗膜22にはY方向の
両端に電極a1、a4を形成し、電極a1、a3にはそ
れぞれトランジスタTr1、Tr3を介して一定電圧電源V
ccを接続し、電極a2、a4はそれぞれトランジスタT
r2、Tr4を介して接地するとともにこれらの電極a4、
a2の電圧変化をそれぞれX方向とY方向の位置検出信
号VX 、VY として取り出すように構成されている。更
にこの公報では入力待機時にトランジスタTr1〜Tr4を
すべてオフ状態にして消費電力を少なくするために、電
極a1にトランジスタTr1と並列にダイオードDを接続
するとともに電極a2を抵抗Rを介して接地している。
r4をすべてオフ状態にするとともにダイオードDのアノ
ード側をハイレベルに設定して、図7(b)に示すよう
な状態にしておき、任意の位置が押圧されて抵抗膜2
1、22が接触すると抵抗膜21、22及び抵抗Rを通
ってGNDに微小電流が流れて電極2aの電圧レベルが
変化することを利用して押圧されたことを検出し、位置
検出動作を開始するようにしている。
置検出を行うのに機械的な接触を利用しているため、本
格的に押圧される直前や直後に例えば図8に示すように
リリース状態Nとタッチ状態Tが頻繁に繰り返されるチ
ャタリングが発生したり、あるいは接触抵抗が大きくて
適正に入力されない場合が発生する等、不安定な入力が
起こることが考えられる。そして、チャタリングが発生
した場合には非接触と判定すべきところを誤って入力検
出してしまうという問題があった。
ける電極2aの電圧レベル変化によってタッチ検出を行
うようにしているだけであるが、その検出電圧を測定し
て適当に設定されたしきい値より低い場合に適正な入力
と見なさず、座標検出動作に移行しないようにすること
も考えられる。しかし、その場合タッチする位置によっ
て抵抗膜21、22による電圧降下が大きく変化するた
め、しきい値を高く設定すると適正なタッチてあっても
不適正なタッチとしてデータ入力ができない場合が生じ
る恐れがあり、逆にしきい値を低く設定すると誤入力を
防止できない恐れがあり、検出精度が低いという問題が
ある。
に安定接触の場合のみ座標値を入力し、かつ入力待ちの
状態で消費電力が大きくなることのないタッチパネルの
座標検出装置を提供することを目的とする。
め、請求項1に記載の発明は、対向配置された一対の抵
抗膜と、それらの接触点を座標値として検出する手段と
を備えたタッチパネルの座標検出装置において、入力待
機時に、一方の抵抗膜の両側の電極をハイレベルに設定
する手段と、他方の抵抗膜における一側の電極を抵抗を
介して接地し、他側の電極の電圧変化を検出する手段を
備えたことを特徴とする。
出する手段による検出電圧に適当なしきい値を設定し、
そのしきい値より入力電圧が高くなった時に座標データ
を測定することにより、接触抵抗が大きく不安定な押圧
時には測定せず、正確なデータのみを取り入れることが
でき、かつ一方の抵抗膜の両側の電極をハイレベルに設
定しているので、一側の電極だけをハイレベルに設定し
た場合にはその電極から押圧位置までの電圧降下の影響
を直接受けるのに対して、押圧位置に大きく影響を受け
ないため、しきい値を高く設定することができ、検出精
度を高くすることができる。しかも入力待ち状態では殆
ど電流が流れないので、消費電力が大きくなることもな
い。
の一実施例を図1〜図6を参照して説明する。図1にパ
ネル部10とドライバ部11の概略構成を示す。パネル
部10において、1、2はスペーサを介して対向配置さ
れた抵抗膜である。一方の抵抗膜1のX軸方向の両端に
電極3a、3bが形成され、他方の抵抗膜2のY軸方向
の両端に電極4a、4bが形成されている。ドライバ部
11において、電極3a、4aに対してそれぞれトラン
ジスタ5、6を介して一定電圧源Vccが接続されるとと
もに、座標検出時に各抵抗膜1、2の一端の電極3a、
4aからY方向検出電圧VY とX方向検出電圧VX をそ
れぞれ出力するように構成されている。各抵抗膜1、2
の他端の電極3b、4bはそれぞれスイッチング素子
7、8に接続されている。さらに電極4bは抵抗R及び
トランジスタ9を介して接地されている。
0からの検出電圧VX 、VY は制御部12に入力され、
A/D変換部13にてデジタル信号に変換されてCPU
14に入力されている。又、ドライバ部11はCPU1
4にてI/O部15を介して制御されている。即ち、C
PU14にてトランジスタ5、6、9のベース端子A、
C、E、スイッチング素子7、8の入力端子B、D及び
切り換え端子a、bがそれぞれ各動作状態に応じてロー
レベル又はハイレベルに制御される。16はROMやR
AMにてCPU14の制御プログラムやデータを記憶す
るメモリ、17は外部装置とのデータの入出力を行うI
/O部である。
イレベルに、A、bをローレベルに設定することによっ
て図3(a)に示す状態となる。即ち、抵抗膜1の両端
の電極3a、3bがハイレベル(Vcc)となり、電極4
aから検出電圧VX が出力し、電極4bは抵抗Rを介し
て接地された状態となる。この状態で、パネル部1の任
意の位置がタッチされて抵抗膜1、2が破線で示すよう
に接触すると、検出電圧VX が出力される。この検出電
圧VX は、しっかりした接触のときは後で詳細に説明す
るように、殆どハイレベルになる。この検出電圧VX を
メモリ16に設定されたしきい値と比較することによ
り、CPU14にて適正な接触であるかどうかを判定す
ることができ、検出電圧VX がしきい値より高い場合適
正な接触と判定して次のデータ入力段階に進み、不適正
な場合はデータ入力に進まないようにすることによって
正確なデータのみを取り入れることができる。
A、B、E、bをローレベルに、C、aをハイレベルに
設定することによって、図3(b)に示すようにX方向
の座標値に対応する検出電圧VX を出力する状態とな
る。即ち、抵抗膜1の一端の電極3aがハイレベル(V
cc)、他端の電極3bがローレベル(接地)となり、抵
抗膜1に電流が流れることによってそのX方向に電位勾
配が発生し、接触点のX方向位置に対応した電圧が抵抗
膜2とその電極4aから取り出されて検出電圧VXとし
て出力される。
D、aをローレベルに設定することによって、図3
(c)に示すようにY方向の座標値に対応する検出電圧
VY を出力する状態となる。即ち、抵抗膜2の一端一端
の電極4aがハイレベル(Vcc)、他端の電極4bがロ
ーレベル(接地)となり、抵抗膜2に電流が流れること
によってそのY方向に電位勾配が発生し、接触点のY方
向位置に対応した電圧が抵抗膜1とその電極3aから取
り出されて検出電圧VY として出力される。
た際の安定入力かどうかの判定について詳しく説明す
る。図3(a)に示すようにタッチ入力の有無を常時監
視している状態で、パネル部1がタッチされて抵抗膜
1、2が接触すると、各部分の抵抗を図4(a)に示す
ように定義すると、図4(b)に示すような抵抗回路と
なる。Ra1とRa2は抵抗膜1における電極3aと3bか
ら接触点までのそれぞれの抵抗、rは抵抗膜1、2間の
接触抵抗、Rbは抵抗膜2における接触点から電極4b
までの抵抗、Rは電極4bと接地間に介装された抵抗で
ある。このときの接触抵抗rと検出電圧VX の関係は、
図5に示すような特性となる。この検出電圧値VX は、 VX =((R+Rb)×Vcc)/ (R+Rb+r+(1/((1/Ra1)+(1/Ra2)))) =((R+Rb)×Vcc)/ (R+Rb+r+(Ra1×Ra2)/(Ra1+Ra2)) ・・・ で与えられる。
抵抗膜1、2の抵抗値により異なるが、その値は通常0
〜200Ωほどであり、接触抵抗rは0〜10KΩ程度
の値になり、抵抗Rを適当な値に設定することによっ
て、検出電圧VX に対するしきい値を適当に設定するこ
とにより安定入力かどうかを判定することができる。こ
の抵抗Rの抵抗値を適当に設定する方法を次に説明す
る。接触抵抗rが0〜10KΩの範囲で変化した時、 係数K(=VX /Vcc)は、R’=R+Rb、A=Ra1
×Ra2/(Ra1+Ra2)とおくと、 K=R’/(r+R’+A) ・・・ で表される。かくして、 r=0のとき、 K=R’/(R’+A) ・・・ r=10Kのとき、 K=R’/(R’+A+10000) ・・・ となり、この式と式の差が最も大きくなるようにR
を設定すると、接触抵抗rの変化を最も検出し易くな
る。そうすると、理論上は抵抗R=0が最適値となる。
ただし、R=0にすると、電源がGNDにショートする
恐れがあり、また抵抗膜1、2の寿命の観点から、実際
には1KΩに設定している。
100Ωとし、抵抗Rを10Ω、1000Ω、2000
Ω、10000Ωとした場合の接触抵抗rと検出電圧V
X の関係を図6に示す。図6から明らかなように、抵抗
Rを1000Ωとしてもしきい値電圧を適当な電圧に設
定しておけば不安定な入力を排除できることが分かる。
実際のしきい値として、4.5V近辺に設定すると、接
触抵抗rが数100Ωになる程度まで押圧されない限り
データ入力されないため、不安定な入力な確実に排除す
ることができる。
を検出する手段による検出電圧に適当なしきい値を設定
し、そのしきい値より入力電圧が高くなった時に座標デ
ータを測定することにより、接触抵抗が大きく不安定な
押圧時には測定せず、正確なデータのみを取り入れるこ
とができ、かつ一方の抵抗膜の両側の電極をハイレベル
に設定しているので、一側の電極だけをハイレベルに設
定した場合のように電極から押圧位置までの電圧降下の
影響を直接受けず、しきい値を高く設定して検出精度を
高くすることができる。しかも入力待ち状態では殆ど電
流が流れないので、消費電力が大きくなることもない。
一実施例のパネル部とドライバ部の概略構成図である。
(a)はその入力待機状態の説明図、(b)はX方向の
入力状態の説明図、(c)はY方向の入力状態の説明図
である。
の抵抗値の説明図である。
膜間の接触抵抗と検出電圧の関係を示す特性図である。
抵抗値と検出電圧の関係を抵抗をパラメータとして示し
た特性図である。
示し、(a)はタッチパネル部の概略構成図、(b)は
その入力待機状態の説明図である。
値の変化を示すグラフである。
Claims (1)
- 【請求項1】 対向配置された一対の抵抗膜と、それら
の接触点を座標値として検出する手段とを備えたタッチ
パネルの座標検出装置において、入力待機時に、一方の
抵抗膜の両側の電極をハイレベルに設定する手段と、他
方の抵抗膜における一側の電極を抵抗を介して接地し、
他側の電極の電圧変化を検出する手段を備えたことを特
徴とするタッチパネルの座標検出装置。
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