JPH0618425B2 - Laser recording device - Google Patents
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- JPH0618425B2 JPH0618425B2 JP61248873A JP24887386A JPH0618425B2 JP H0618425 B2 JPH0618425 B2 JP H0618425B2 JP 61248873 A JP61248873 A JP 61248873A JP 24887386 A JP24887386 A JP 24887386A JP H0618425 B2 JPH0618425 B2 JP H0618425B2
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Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、画像信号に基づいて変調されたレーザビーム
を感光材料上に走査させて連続調画像を記録するレーザ
記録装置、特に詳細にはレーザビームの光強度をアナロ
グ的に変調して高階調の画像を記録できるようにしたレ
ーザ記録装置に関するものである。The present invention relates to a laser recording device for recording a continuous tone image by scanning a photosensitive material with a laser beam modulated based on an image signal, and more particularly, to a laser recording device. The present invention relates to a laser recording device capable of recording a high gradation image by modulating the light intensity of a laser beam in an analog manner.
(従来の技術) 従来より、光ビームを光偏向器により偏向して感光材料
上に走査させ、該感光材料に画像を記録する光走査記録
装置が広く実用に供されている。このような光走査記録
装置において光ビームを発生する手段の1つとして、半
導体レーザが従来から用いられている。この半導体レー
ザは、ガスレーザ等に比べれば小型、安価で消費電力も
少なく、また駆動電流を変えることによって直接変調が
可能である等、数々の長所を有している。(Prior Art) Conventionally, an optical scanning recording apparatus that records an image on a photosensitive material by deflecting a light beam by an optical deflector to scan the photosensitive material has been widely put into practical use. A semiconductor laser has been conventionally used as one of means for generating a light beam in such an optical scanning recording apparatus. This semiconductor laser has a number of advantages such as smaller size, lower cost, lower power consumption, and direct modulation by changing the drive current, as compared with a gas laser or the like.
しかしながら、その半面この半導体レーザは、第2図に
示すように駆動電流に対する光出力特性が、LED領域
(自然発光領域)とレーザ発振領域とで極端に変わるの
で、連続調画像の記録には適用困難であるという問題が
有る。すなわち上記の駆動電流対光出力特性が線形であ
るレーザ発振領域のみを利用して強度変調を行なうと、
光出力のダイナミックレンジがたかだか2桁程度しかと
れない。周知のように、この程度のダイナミックレンジ
では高品位の連続調画像を得ることは不可能である。On the other hand, however, this semiconductor laser is applied to recording a continuous tone image because the light output characteristic with respect to the drive current is extremely different between the LED area (natural light emitting area) and the laser oscillation area as shown in FIG. There is a problem that it is difficult. That is, when the intensity modulation is performed using only the laser oscillation region in which the drive current-optical output characteristic is linear,
The dynamic range of light output can be at most about two digits. As is well known, it is impossible to obtain a high-quality continuous tone image with such a dynamic range.
そこで例えば特開昭56−115077号、同56−1
52372号等に示されるように、半導体レーザの光出
力は一定とするとともに、該半導体レーザを連続的にO
N−OFFさせて走査ビームをパルス光とし、このパル
スの数あるいは幅を各画素毎に制御して走査光量を変化
させることにより連続調画像を記録する試みもなされて
いる。Then, for example, JP-A-56-115077 and 56-1
No. 52372, the optical output of the semiconductor laser is kept constant, and the semiconductor laser is continuously turned on.
Attempts have also been made to record a continuous tone image by turning the scanning beam N-OFF to turn the scanning beam into pulsed light, and controlling the number or width of this pulse for each pixel to change the amount of scanning light.
ところが上記のようなパルス数変調あるいはパルス幅変
調を行なう場合には、例えば画素クロック周波数が1M
Hzのとき、濃度スケールすなわち走査光量の分解能を
10bit(約3桁)確保しようとすると、パルスの周
波数は少なくとも1GHzと極めて高く設定しなければ
ならない。半導体レーザ自体はこの程度の周波数でON
−OFFすることも可能であるが、パルス数制御あるい
はパルス幅制御のためのパルスカウント回路等はこのよ
うな高周波数に対応して作動し得ず、結局は画素クロッ
ク周波数を上記の値よりも大幅に下げなければならな
い。したがって装置の記録速度を大幅に下げざるをえな
い。However, when performing the pulse number modulation or the pulse width modulation as described above, for example, the pixel clock frequency is 1M.
In order to secure the density scale, that is, the resolution of the scanning light quantity at 10 bits (about 3 digits) at Hz, the pulse frequency must be set at a very high level of at least 1 GHz. The semiconductor laser itself turns on at this frequency.
-Although it can be turned off, a pulse count circuit or the like for controlling the number of pulses or pulse width cannot operate in response to such a high frequency, and in the end, the pixel clock frequency must be higher than the above value. It has to be lowered significantly. Therefore, the recording speed of the device must be significantly reduced.
さらに上記の方法にあっては、各画素の記録期間中に出
力されるパルスの数あるいは幅に依存して半導体レーザ
チップの発熱量が変化し、そのために半導体レーザの駆
動電流対光出力特性が変化し、1パルス当りの露光量が
変動してしまうこともある。こうなると記録画像の階調
にズレが生じ、高品位の連続調画像を得ることは不可能
となる。Further, in the above method, the heat generation amount of the semiconductor laser chip changes depending on the number or width of the pulses output during the recording period of each pixel, which causes the drive current-optical output characteristics of the semiconductor laser to change. It may change and the exposure amount per pulse may fluctuate. In this case, the gradation of the recorded image is deviated, and it becomes impossible to obtain a high-quality continuous tone image.
一方、例えば特開昭56−71374号に示されるよう
に、上記パルス数変調あるいはパルス幅変調と、前述し
た光強度変調とを組み合わせて高階調画像を記録する方
法も提案されている。しかしこの場合にも、上記のよう
にパルスの数あるいは幅に依存して半導体レーザチップ
の発熱量が変化し、その結果1パルス当りの露光量が変
動してしまうという問題が同様に生じる。On the other hand, as disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 56-71374, there has been proposed a method of recording a high gradation image by combining the above-mentioned pulse number modulation or pulse width modulation with the above-mentioned light intensity modulation. However, also in this case, as described above, the amount of heat generated by the semiconductor laser chip changes depending on the number or width of the pulses, and as a result, the amount of exposure per pulse fluctuates.
上記のことを鑑みると、例えば濃度スケール10bit
つまり1024階調程度の高階調画像を記録するには、
前述の第2図に示したLED領域とレーザ発振領域とに
亘って光強度変調を行なって、光出力のダイナミックレ
ンジを3桁程度確保可能とすることが望まれる。しかし
上記2つの領域に亘ると、半導体レーザの駆動電流対光
出力特性は当然線形ではなくなるので、高階調画像を容
易かつ精度良く記録できるように画像信号の一定量変化
に対して等濃度間隔で画像濃度を制御可能とするために
は、上記の特性を何らかの方法で補償して半導体レーザ
の発行レベル指令信号と光出力との関係を線形に変える
必要がある。In view of the above, for example, a concentration scale of 10 bits
That is, in order to record a high gradation image of about 1024 gradations,
It is desired to perform light intensity modulation over the LED region and the laser oscillation region shown in FIG. 2 so that the dynamic range of the light output can be secured by about three digits. However, over the above two regions, the driving current vs. optical output characteristic of the semiconductor laser is naturally not linear, so that a high gradation image can be recorded easily and accurately at a constant density interval with respect to a certain change in the image signal. In order to make the image density controllable, it is necessary to compensate for the above characteristics by some method and linearly change the relationship between the emission level command signal of the semiconductor laser and the optical output.
上記半導体レーザの発光レベル指令信号と光出力との関
係を線形にする回路として従来より、レーザビームの光
強度を検出し、この検出された光強度に対応する帰還信
号を半導体レーザの発光レベル指令信号にフィードバッ
クさせる光出力安定化回路(以下、APC回路と称す
る)が知られている。第3図はこのAPC回路の一例を
示すものであり、以下、この第3図を参照してAPC回
路について説明する。半導体レーザ1の発光強度を指令
する発光レベル指令信号Vrefは、加算点2を通して電
圧−電流変換アンプ3に入力され、該アンプ3はこの指
令信号Vrefに比例した駆動電流を半導体レーザ1に供
給する。半導体レーザ1から前方に出射された光ビーム
4は、図示しない走査光学系を通して感光材料走査に利
用される。一方半導体レーザ1の後方側に出射された光
ビーム5の強度は、例えば半導体レーザのケース内に設
置された光量モニタ用のピンフォトダイオード6によっ
て検出される。こうして検出される光ビーム5の強度
は、実際に画像記録に利用される上記光ビーム4の強度
と比例関係にある。該光ビーム5の強度、すなわち光ビ
ーム4の強度を示すフォトダイオード6の出力電流は、
電流−電圧変換アンプ7によって帰還信号(電圧信号)
Vpdに変換され、該帰還信号Vpdは前述の加算点2に入
力される。この加算点2からは、上記発光レベル指令信
号Vrefと帰還信号Vpdとの偏差を示す偏差信号Veが
出力され、該偏差信号Veは前記電圧−電流変換アンプ
3によって電流に変換され、半導体レーザ1を駆動す
る。As a circuit for linearizing the relationship between the light emission level command signal of the semiconductor laser and the light output, conventionally, the light intensity of the laser beam is detected, and a feedback signal corresponding to the detected light intensity is sent as a light emission level command of the semiconductor laser. An optical output stabilizing circuit (hereinafter referred to as an APC circuit) for feeding back a signal is known. FIG. 3 shows an example of the APC circuit, and the APC circuit will be described below with reference to FIG. A light emission level command signal Vref that commands the light emission intensity of the semiconductor laser 1 is input to a voltage-current conversion amplifier 3 through an addition point 2, and the amplifier 3 supplies a drive current proportional to the command signal Vref to the semiconductor laser 1. . The light beam 4 emitted forward from the semiconductor laser 1 is used for scanning the photosensitive material through a scanning optical system (not shown). On the other hand, the intensity of the light beam 5 emitted to the rear side of the semiconductor laser 1 is detected by, for example, a pin photodiode 6 for light amount monitoring installed in the case of the semiconductor laser. The intensity of the light beam 5 thus detected is proportional to the intensity of the light beam 4 actually used for image recording. The output current of the photodiode 6, which indicates the intensity of the light beam 5, that is, the intensity of the light beam 4, is
Feedback signal (voltage signal) by the current-voltage conversion amplifier 7.
Converted to Vpd, the feedback signal Vpd is input to the addition point 2 described above. From this addition point 2, a deviation signal Ve indicating the deviation between the emission level command signal Vref and the feedback signal Vpd is output, and the deviation signal Ve is converted into a current by the voltage-current conversion amplifier 3 and the semiconductor laser 1 To drive.
上記のAPC回路において、理想的な線形補償がなされ
れば、光ビーム5の強度は発光レベル指令信号Vrefに
比例する。つまり画像記録に利用される光ビーム4の強
度(半導体レーザ1に光出力)Pfが、発光レベル指令
信号Vrefに比例することになる。第4図の実線は、こ
の理想的な関係を示している。If ideal linear compensation is performed in the above APC circuit, the intensity of the light beam 5 is proportional to the emission level command signal Vref. That is, the intensity (light output to the semiconductor laser 1) Pf of the light beam 4 used for image recording is proportional to the emission level command signal Vref. The solid line in FIG. 4 shows this ideal relationship.
(発明が解決しようとする問題点) 上述のようなAPC回路を用いて、光強度Pfが常に一
定レベルとなるように半導体レーザを駆動制御すること
は比較的容易であるが、前述のように連続調画像を記録
するために発光レベル指令信号Vrefを高速でアナログ
的に変化させて半導体レーザを駆動する際に、第4図の
実線で示すような特性を得ることは困難である。特に、
先に述べたように画素クロック周波数を1MHz程度に
設定した上で、10bit程度の濃度スケールの高階調
画像を記録する場合には、非常に困難である。(Problems to be Solved by the Invention) It is relatively easy to drive and control a semiconductor laser so that the light intensity Pf is always at a constant level using the APC circuit as described above. It is difficult to obtain the characteristics shown by the solid line in FIG. 4 when the semiconductor laser is driven by changing the emission level command signal Vref at high speed in an analog manner to record a continuous tone image. In particular,
As described above, when the pixel clock frequency is set to about 1 MHz and a high gradation image of a density scale of about 10 bits is recorded, it is very difficult.
以下、その理由について説明する。第3の系に挿入され
た半導体レーザ1の駆動電流対光出力特性は、第2図に
示すように極端に非線形なものとなっている。つまり半
導体レーザ単体のゲインとなる微分量子効率は、対数で
表わして第5図に示すように、LED領域とレーザ発振
領域とで大きく変化するので、第4図の実線のような特
性を得るためには、第3図の系のループゲインを非常に
大きくとる必要がある。第4図の破線で示す曲線は、上
記ループゲインに応じて変化する半導体レーザの発光レ
ベル指令信号対光出力特性の例を示しており、図示され
るように実線で示す理想特性に近い特性を得るために
は、60dB程度の高ゲインが必要となる。The reason will be described below. The drive current vs. optical output characteristic of the semiconductor laser 1 inserted in the third system is extremely non-linear as shown in FIG. In other words, the differential quantum efficiency, which is the gain of the semiconductor laser alone, changes greatly in the LED region and the laser oscillation region as shown in logarithm as shown in FIG. 5, so that the characteristics shown by the solid line in FIG. 4 are obtained. Therefore, it is necessary to make the loop gain of the system of FIG. 3 very large. The curve shown by the broken line in FIG. 4 shows an example of the emission level command signal vs. optical output characteristic of the semiconductor laser which changes according to the loop gain, and as shown in the figure, the characteristic close to the ideal characteristic is shown by the solid line. In order to obtain it, a high gain of about 60 dB is required.
また第4図に示した特性は、発光レベル指令信号Vref
が直流に近い非常に低周波の信号である場合のものであ
るが、該指令信号Vrefが高周波信号である場合には、
さらに別の問題が生じる。以下、この点について説明す
る。第6図は、第2図に示した半導体レーザの駆動電流
対光出力特性のケース温度依存性を示している。図示さ
れるように半導体レーザの光出力は、駆動電流が一定な
らばケース温度が高い程低下する。一般に半導体レーザ
をレーザ記録装置等に適用する場合には、そのケース温
度を一定に維持するための制御がなされるが、半導体レ
ーザに駆動電流を印加した場合に生じるレーザダイオー
ドチップの過渡的温度変化までも抑制することは到底不
可能である。すなわち第7図の(1)に示すように半導
体レーザにステップ状に駆動電流が印加された際、レー
ザダイオードチップの温度は第7図(2)に示すよう
に、上記ケース温度一定化制御により定常状態になるま
で過渡的に変化し、その結果第6図の特性に従って半導
体レーザの光出力が第7図(3)に示すように変動す
る。これは半導体レーザのドループ特性として知られて
いる。第3図のAPC回路において、このドループ特性
によるレーザ駆動電流対光出力特性の非線形性を補正す
るには、前述のループゲインが10dB程度必要である
ことが分かっており、したがって、発光レベル指令信号
Vrefとして低周波から高周波(例えば1MHz)に至
る信号が用いられる際に、高い応答性を維持した上で第
4図の実線に近い発光レベル指令信号対光出力特性(直
線性)を得るには、レーザ発振領域において前述の60
dBと合わせて計70dB程度のループゲインが必要と
なる。現状では、このような高速、高ゲインのAPC回
路を実現するのはほとんど不可能である。The characteristic shown in FIG. 4 is that the emission level command signal Vref
Is a very low frequency signal close to direct current, but when the command signal Vref is a high frequency signal,
Yet another problem arises. Hereinafter, this point will be described. FIG. 6 shows the case temperature dependence of the drive current vs. optical output characteristics of the semiconductor laser shown in FIG. As shown in the figure, the optical output of the semiconductor laser decreases as the case temperature increases if the drive current is constant. Generally, when a semiconductor laser is applied to a laser recording device or the like, control is performed to keep the case temperature constant, but transient temperature change of the laser diode chip that occurs when a drive current is applied to the semiconductor laser. It is absolutely impossible to control even this. That is, when a stepwise drive current is applied to the semiconductor laser as shown in FIG. 7 (1), the temperature of the laser diode chip is controlled by the case temperature stabilization control as shown in FIG. 7 (2). It transiently changes until it reaches a steady state, and as a result, the optical output of the semiconductor laser fluctuates as shown in FIG. 7C according to the characteristics of FIG. This is known as the droop characteristic of a semiconductor laser. In the APC circuit of FIG. 3, it is known that the loop gain of about 10 dB is required to correct the non-linearity of the laser drive current vs. optical output characteristic due to the droop characteristic. When a signal from a low frequency to a high frequency (for example, 1 MHz) is used as Vref, in order to obtain the emission level command signal-optical output characteristic (linearity) close to the solid line in FIG. 4 while maintaining high response. , 60 in the laser oscillation region
A total loop gain of about 70 dB is required together with dB. At present, it is almost impossible to realize such a high-speed, high-gain APC circuit.
そこで本発明は、上記のような高ゲインのAPC回路を
用いなくても、半導体レーザ発光レベル指令信号対光出
力特性をそのLED領域からレーザ発振領域に亘って線
形にすることができ、よって光強度変調により高階調画
像を高速で記録することができるレーザ記録装置を提供
することを目的とするものである。Therefore, according to the present invention, the semiconductor laser emission level command signal vs. optical output characteristic can be made linear from the LED region to the laser oscillation region without using the high gain APC circuit as described above. An object of the present invention is to provide a laser recording device capable of recording a high gradation image at high speed by intensity modulation.
(問題点を解決するための手段) 本発明のレーザ記録装置は、半導体レーザと、該半導体
レーザから射出された光ビームを感光材料上に走査させ
るビーム走査系と、画像信号に対応した発光レベル指令
信号を生成し、該信号に基づいて前記半導体レーザの駆
動電流を制御してレーザビームの光強度を変調するレー
ザ動作制御回路とを備えたレーザ記録装置において、 上記レーザ動作制御回路が、前述したAPC回路を有す
るとともに、半導体レーザの駆動電流対光出力特性の非
線形性を補償するように発光レベル指令信号を補正し
て、該補正後の信号に基づく半導体レーザの光出力と、
補正前の発光レベル指令信号の関係を線形にする補正テ
ーブルを備えたことを特徴とするものである。(Means for Solving Problems) A laser recording apparatus of the present invention includes a semiconductor laser, a beam scanning system for scanning a light beam emitted from the semiconductor laser on a photosensitive material, and an emission level corresponding to an image signal. A laser operation control circuit for generating a command signal and controlling the drive current of the semiconductor laser based on the command signal to modulate the light intensity of the laser beam; And the optical output of the semiconductor laser based on the corrected signal, by correcting the emission level command signal so as to compensate the non-linearity of the drive current vs. optical output characteristic of the semiconductor laser.
It is characterized in that a correction table for linearizing the relationship of the light emission level command signal before correction is provided.
(作 用) 上記のような補正テーブルによって半導体レーザの発光
レベル指令信号を補正すれば、APC回路のゲインが低
くても、補正前の発光レベル指令信号と半導体レーザ光
出力に関しては、第4図の実線で示す理想特性に近い光
出力特性を得ることができる。(Operation) If the emission level command signal of the semiconductor laser is corrected by the correction table as described above, the emission level command signal before correction and the semiconductor laser light output are shown in FIG. 4 even if the gain of the APC circuit is low. It is possible to obtain a light output characteristic close to the ideal characteristic indicated by the solid line.
(実施例) 以下、図面に示す実施例に基づいて本発明を詳細に説明
する。(Example) Hereinafter, the present invention will be described in detail based on an example shown in the drawings.
第1図は本発明の第1実施例によるレーザ記録装置を示
すものである。画像信号発生器10は、連続調画像を担持
する画像信号S1を発生する。この画像信号S1は一例
として10bitの濃度スケールの連続調画像を示すデ
ジタル信号である。画像信号発生器10は後述するライン
クロックS2に基づいて1主走査ライン分の信号を切り
換え、また画素クロックS3に基づいて各画素毎の画像
信号S1を出力する。本例において画素クロック周波数
は1MHz、換言すれば1画素記録時間は1μsec
(秒)に設定される。FIG. 1 shows a laser recording apparatus according to the first embodiment of the present invention. The image signal generator 10 generates an image signal S1 carrying a continuous tone image. The image signal S1 is, for example, a digital signal indicating a continuous tone image of a 10-bit density scale. The image signal generator 10 switches signals for one main scanning line based on a line clock S2 described later, and outputs an image signal S1 for each pixel based on a pixel clock S3. In this example, the pixel clock frequency is 1 MHz, in other words, one pixel recording time is 1 μsec.
(Seconds).
上述の画像信号S1はマルチプレクサ11を通し、RAM
からなる補正テーブル40において後述する補正を受け
て、例えば16bitの発光レベル指令信号S5に変換
される。この発光レベル指令信号S5はマルチプレクサ
15を介してD/日変換器16に入力され、ここでアナログ
の電圧信号からなる発光レベル指令信号Vrefに変換さ
れる。この発光レベル指令信号Vrefは、APC回路8
の加算点2に入力される。APC回路8の加算点2、電
圧−電流変換アンプ3、半導体レーザ1、フォトダイオ
ード6、電流−電圧変換アンプ7は、先に説明した第3
図の回路におけるものと同等のものであり、したがって
半導体レーザ1からは発光レベル指令信号Vrefに対応
した(つまり画像信号S1に対応した)強度の光ビーム
4が発せられる。この光ビーム4はコリメータレンズ17
に通されて平行ビームとされ、次に例えばポリゴンミラ
ー等の光偏向器18に入射してそこで反射偏向される。こ
うして偏向された光ビーム4は、通常fθレンズからな
る集束レンズ19に通されて感光材料20上において微小な
スポットに集束し、該感光材料20上をX方向に走査(主
走査)する。感光材料20は図示しない移送手段により、
上記主走査方向Xと略直角なY方向に移送され、それに
よって光ビーム4の副走査がなされる。こうして感光材
料20は光ビーム4によって2次元的に走査され、感光す
る。前述したように光ビーム4は画像信号S1に基づい
て強度変調されているので、この感光材料20上には、画
像信号S1が担持する連続調画像が写真潜像として記録
される。なお上記のように光ビーム4が感光材料20上を
走査するとき、主走査の始点を該ビーム4が通過したこ
とが光検出器21によって検出され、該光検出器21が出力
する始点検出信号S6がクロックジェネレータ36に入力
される。クロックジェネレエータ36はこの始点検出信号
S6の入力タイミングに同期させて、前述のラインクロ
ックS2および画素クロックSを出力する。The above-mentioned image signal S1 is passed through the multiplexer 11 to the RAM
The correction table 40 consisting of is subjected to a later-described correction and converted into, for example, a 16-bit emission level command signal S5. This emission level command signal S5 is a multiplexer
It is input to the D / day converter 16 via 15 and converted into a light emission level command signal Vref composed of an analog voltage signal. This light emission level command signal Vref is supplied to the APC circuit 8
Is input to the addition point 2 of. The addition point 2, the voltage-current conversion amplifier 3, the semiconductor laser 1, the photodiode 6, and the current-voltage conversion amplifier 7 of the APC circuit 8 are the third described above.
The semiconductor laser 1 emits a light beam 4 having an intensity corresponding to the emission level command signal Vref (that is, corresponding to the image signal S1). This light beam 4 is collimator lens 17
To be a parallel beam, which is then incident on an optical deflector 18 such as a polygon mirror and reflected and deflected there. The light beam 4 thus deflected is passed through a focusing lens 19 which is usually an fθ lens to be focused on a minute spot on the photosensitive material 20, and the photosensitive material 20 is scanned (main scanning) in the X direction. The photosensitive material 20 is transferred by a transfer means (not shown).
The light beam 4 is transferred in the Y direction which is substantially perpendicular to the main scanning direction X, whereby the light beam 4 is sub-scanned. In this way, the photosensitive material 20 is two-dimensionally scanned by the light beam 4 and exposed. Since the light beam 4 is intensity-modulated based on the image signal S1 as described above, the continuous tone image carried by the image signal S1 is recorded as a photographic latent image on the photosensitive material 20. When the light beam 4 scans the photosensitive material 20 as described above, the photodetector 21 detects that the beam 4 has passed the starting point of the main scanning, and the start point detection signal output by the photodetector 21. S6 is input to the clock generator 36. The clock generator 36 outputs the line clock S2 and the pixel clock S described above in synchronization with the input timing of the start point detection signal S6.
次に感光材料20は現像機22に通されて、そこで現像処理
を受ける。それにより感光材料20上には、上記連続調画
像が可視像として記録される。Next, the light-sensitive material 20 is passed through a developing machine 22, where it is subjected to development processing. As a result, the continuous tone image is recorded on the photosensitive material 20 as a visible image.
そこで、前述の補正テーブル40における画像信号S1の
補正について説明する。該補正テーブル40は階調補正テ
ーブル12、逆log変換テーブル13、および半導体レーザ
1の発光レベル指令信号対光出力特性を線形に補正する
補正テーブル(以下、V−P特性補正テーブルと称す
る)14からなる上記階調補正テーブル12は、感光材料20
およびその現像処理系の階調特性を補正する公知のもの
である。この階調補正テーブル12は、補正特性が固定の
ものが用いられてもよいが、本実施例においては、感光
材料20の階調特性がロット毎に変化したり、あるいは現
像機22中の現像液特性が経時変化すること等を考慮し
て、実際の階調特性に対応して補正特性を適宜修正可能
に構成されている。すなわちテストパターン発生回路26
からは、感光材料20上における何段階か(例えば16段
階)の画像濃度を担持するテストパターン信号S4が出
力され、該信号S4はマルチプレクサ11に入力される。
この際マルチプレクサ11は、前述のように画像信号S1
を補正テーブル40に入力させる画像記録時の状態から切
り換えられて、上記テストパターン信号S4を補正テー
ブル40に入力させる状態とされる。半導体レーザ1はこ
のテストパターン信号S4に基づいて前述のように駆動
され、したがって光ビーム4が強度変調される。それに
より感光材料20上には、段階的に濃度が変化する例えば
16個のステップウェッジ(テストパターン)が写真潜
像として記録される。この感光材料20は現像機22に送ら
れ、上記ステップウェッジが現像される。現像後この感
光材料20は濃度計23にセットされ、上記ステップウェッ
ジの各々の光学濃度が測定される。こうして測定された
光学濃度は、各ステップウェッジと対応付けて濃度値入
力手段24に入力され、該濃度値入力手段24からは各ステ
ップウェッジの光学濃度を示す濃度信号S7が出力され
る。この濃度信号S7はテーブル作成手段37に入力さ
れ、該テーブル作成手段37はこの濃度信号S7と前記テ
ストパターン信号S4とに基づいて、所定の画像信号S
1の値によって所定の画像濃度が得られる階調補正テー
ブルを作成する。この階調補正テーブルは前述のように
16段階程度の画像信号値をそれぞれ所定の画像濃度値
に対応させるものである。この階調補正テーブルを示す
データS8はデータ補間手段38に入力され、ここで補間
処理がなされて、1024段階(=10bit)の画像
信号S1に対応できる階調補正テーブルが得られる。こ
の階調補正テーブルを示すデータS9に基づいて、前述
の階調補正テーブル12が形成される。Therefore, the correction of the image signal S1 in the correction table 40 described above will be described. The correction table 40 is a gradation correction table 12, an inverse log conversion table 13, and a correction table (hereinafter referred to as a VP characteristic correction table) 14 for linearly correcting the emission level command signal-optical output characteristic of the semiconductor laser 1. The gradation correction table 12 consisting of
And a known one for correcting the gradation characteristic of the development processing system. The gradation correction table 12 may have a fixed correction characteristic, but in the present embodiment, the gradation characteristic of the photosensitive material 20 changes from lot to lot, or development in the developing machine 22 is performed. In consideration of the liquid characteristics changing with time, the correction characteristics can be appropriately modified in accordance with the actual gradation characteristics. That is, the test pattern generation circuit 26
From which a test pattern signal S4 carrying an image density of several steps (for example, 16 steps) on the photosensitive material 20 is output, and the signal S4 is input to the multiplexer 11.
At this time, the multiplexer 11 uses the image signal S1 as described above.
Is switched to the correction table 40, and the test pattern signal S4 is input to the correction table 40. The semiconductor laser 1 is driven based on this test pattern signal S4 as described above, and thus the light beam 4 is intensity-modulated. As a result, 16 step wedges (test patterns) whose densities change stepwise are recorded as photographic latent images on the photosensitive material 20. The photosensitive material 20 is sent to the developing machine 22, and the step wedge is developed. After development, the photosensitive material 20 is set in the densitometer 23, and the optical density of each of the step wedges is measured. The optical density thus measured is input to the density value input means 24 in association with each step wedge, and the density value input means 24 outputs a density signal S7 indicating the optical density of each step wedge. The density signal S7 is input to the table creating means 37, and the table creating means 37 determines a predetermined image signal S based on the density signal S7 and the test pattern signal S4.
A gradation correction table that produces a predetermined image density with a value of 1 is created. As described above, the gradation correction table is such that the image signal values of about 16 steps are made to correspond to the respective predetermined image density values. The data S8 indicating the gradation correction table is input to the data interpolating means 38, and the interpolation processing is performed here to obtain the gradation correction table that can correspond to the image signal S1 of 1024 steps (= 10 bits). The above-described gradation correction table 12 is formed based on the data S9 indicating this gradation correction table.
画像信号S1に基づく画像記録時には、マルチプレクサ
11を介して階調補正テーブル12に入力された画像信号S
1が、この階調補正テーブル12によって信号S1′に変
換され、次いで逆log変換テーブル13により発光レベル
指令信号S1″に変換される。When recording an image based on the image signal S1, the multiplexer
The image signal S input to the gradation correction table 12 via 11
1 is converted into a signal S1 'by the gradation correction table 12, and then converted into a light emission level command signal S1 "by the inverse log conversion table 13.
次にV−P特性補正テーブル14について説明する。先に
述べた通り、APC回路8において帰還信号Vpdを加算
点2にフイードバックさせても、発光レベル指令信号と
光ビーム4の強度との関係を理想的なもの(第4図の実
線表示の関係)とすることは困難である。上記V−P特
性補正テーブル14は、上記の理想的な関係を得るために
設けられている。すなわち、発光レベル指令信号Vref
と半導体レーザ1の光出力との理想的な関係を第8図に
aで示す直線とし、実際の関係を同じく第8図にbで示
す曲線とすると、V−P特性補正テーブル14は、発光レ
ベル指令信号S1″がそのままD/A変換された場合の
電圧値がVinであったと仮定すると、この電圧値Vinを
Vなる値に変換するように形成されている。つまり発光
レベル指令信号Vrefの値がVinであったとすると、
P′の光強度しか得られないが、上記の変換がなされて
いれば、電圧値Vinに対してPOの光強度が得られる。
すなわち発光レベル指令信号S1″に対応する電圧値V
inと光出力Pfとの関係は、線形なものとなる。Next, the VP characteristic correction table 14 will be described. As described above, even if the feedback signal Vpd is fed back to the addition point 2 in the APC circuit 8, the ideal relationship between the emission level command signal and the intensity of the light beam 4 (the relationship shown by the solid line in FIG. 4) is obtained. ) Is difficult. The VP characteristic correction table 14 is provided to obtain the above ideal relationship. That is, the light emission level command signal Vref
8 and the optical output of the semiconductor laser 1 is a straight line indicated by a in FIG. 8 and the actual relation is a curve indicated by b in FIG. 8, the VP characteristic correction table 14 shows Assuming that the voltage value when the level command signal S1 ″ is directly D / A converted is Vin, the voltage value Vin is formed to be converted to a value V. That is, the light emission level command signal Vref If the value is Vin,
Only the light intensity of P ′ can be obtained, but if the above conversion is performed, the light intensity of P O can be obtained for the voltage value Vin.
That is, the voltage value V corresponding to the light emission level command signal S1 ″
The relationship between in and the optical output Pf is linear.
このようになっていれば、画像信号S1を所定量変化さ
せることにより、感光材料20における濃度を等間隔で制
御できる。また第8図の特性曲線bは、前述したように
半導体レーザ1をそのLED領域とレーザ発振領域に亘
って駆動させた場合のものであり、このようにすれば3
桁程度の光出力ダイナミックレンジが確保されるから、
前述のように1024段階程度の高階調画像を、容易に
かつ高精度で記録できるようになる。With this configuration, the density of the photosensitive material 20 can be controlled at equal intervals by changing the image signal S1 by a predetermined amount. The characteristic curve b in FIG. 8 is obtained when the semiconductor laser 1 is driven over the LED region and the laser oscillation region as described above.
Since the optical output dynamic range of the order of magnitude is secured,
As described above, it becomes possible to easily and highly accurately record a high gradation image of about 1024 steps.
以上述べたように、半導体レーザ1の駆動電流対光出力
特性が非線形であることに起因する発光レベル指令信号
対レーザ光出力特性の非線形性を、V−P特性補正テー
ブル14によって線形に補正すれば、APC回路8の加算
点2、電圧−電流変換アンプ3、半導体レーザ1、フォ
トダイオード6、電流−電圧変換アンプから加算点2戻
る系のループゲインには、上記非線形性を補正するのに
必要なゲインを含まなくて済むようになる。すなわちこ
のループゲインは、半導体レーザ1の動作中に生じる過
渡的温度変化、あるいは半導体レーザ1のケース温度一
定化制御の誤差による半導体レーザ1の駆動電流対光出
力特性からのズレを補正するため、さらにはアンプ等の
ドリフトを補正するために必要なだけ確保されていれば
よい。具体的には、例えば画素クロック周波数が1MH
zで、半導体レーザ1が光出力3mWで作動している状
態において、上記ループゲインは30dB程度確保され
ていれば十分である。この程度のループゲインは、現在
の技術水準で容易に確保可能である。As described above, the non-linearity of the emission level command signal-laser light output characteristic due to the non-linear drive current-optical output characteristic of the semiconductor laser 1 is linearly corrected by the VP characteristic correction table 14. For example, in the loop gain of the system in which the addition point 2 of the APC circuit 8, the voltage-current conversion amplifier 3, the semiconductor laser 1, the photodiode 6, and the addition point 2 from the current-voltage conversion amplifier are returned to correct the above non-linearity. You no longer need to include the gain you need. That is, this loop gain corrects a deviation from the drive current-optical output characteristic of the semiconductor laser 1 due to a transient temperature change that occurs during the operation of the semiconductor laser 1 or an error in the case temperature constant control of the semiconductor laser 1. Furthermore, it is sufficient to secure as much as necessary to correct the drift of the amplifier or the like. Specifically, for example, the pixel clock frequency is 1 MH
In the state where the semiconductor laser 1 is operating at a light output of 3 mW at z, it is sufficient if the loop gain is secured at about 30 dB. This level of loop gain can be easily secured with the current state of the art.
次に上記V−P特性補正テーブル14の作成について説明
する。第1図の装置には、テーブル作成装置35が適宜接
続されうるようになっている。このテーブル作成装置35
は、テスト信号発生回路27、テーブル作成回路28および
メモリ29からなる。V−P特性補正テーブル14を作成す
る際には、上記テスト信号発生回路27からレベル可変の
デジタルテスト信号S10が出力され、マルチプレクサ15
に入力される。この際該マルチプレクサ15は、前述のよ
うに発光レベル指令信号S5をD/A変換器16に送る画
像記録時の状態から切り換えて、テスト信号S10をD/
A変換器16に送る状態とされる。またテーブル作成回路
28は、APC回路8の電流−電圧変換アンプ7が出力す
る帰還信号Vpdが入力されるように接続される。テスト
信号S10は、段階的にレベルが増大あるいは減小するよ
うに出力される。そしてこのときテーブル作成回路28
は、内蔵するレベル可変信号発生器から、まず最低の光
出力に対応する基準信号を発生させ、該基準信号と帰還
信号Vpdとを比較する。この基準信号は、第8図におけ
る電圧値Vinを有するものである。そしてテーブル作成
回路28は、これら両信号が一致したときのテスト信号S
10の値をラッチする。このラッチされたテスト信号S10
が示す電圧値は、第8図における電圧値Vに相当するも
のであるから、上記電圧値VinとVとの関係が分かる。
テーブル作成回路28は上記基準信号の値を1024通り
に変えて、それぞれの場合の電圧値VinとVとの関係を
求める。それにより、先に述べたように1024段階の
電圧値VinをVに変換する補正テーブルが作成される。
こうして作成された補正テーブルはメモリ29に一たん記
憶された後、V−P特性補正テーブル14として設定され
る。こうしてV−P特性補正テーブル14を作成した後、
テーブル作成装置35はAPC回路8から切り離される。Next, the creation of the VP characteristic correction table 14 will be described. A table creating device 35 can be appropriately connected to the device of FIG. This table making device 35
Is composed of a test signal generating circuit 27, a table creating circuit 28 and a memory 29. When the VP characteristic correction table 14 is created, the test signal generating circuit 27 outputs the level-variable digital test signal S10 and the multiplexer 15
Entered in. At this time, the multiplexer 15 switches the emission level command signal S5 from the state at the time of image recording for sending the light emission level command signal S5 to the D / A converter 16 as described above, and outputs the test signal S10 to D / A.
It is ready to be sent to the A converter 16. Also table making circuit
28 is connected so that the feedback signal Vpd output from the current-voltage conversion amplifier 7 of the APC circuit 8 is input. The test signal S10 is output so that the level is increased or decreased stepwise. And at this time the table creation circuit 28
First generates a reference signal corresponding to the lowest optical output from the built-in level variable signal generator, and compares the reference signal with the feedback signal Vpd. This reference signal has the voltage value Vin shown in FIG. The table creating circuit 28 then outputs the test signal S when these two signals match.
Latch the value of 10. This latched test signal S10
Since the voltage value shown by corresponds to the voltage value V in FIG. 8, the relationship between the voltage values Vin and V can be understood.
The table creating circuit 28 changes the value of the reference signal in 1024 ways, and obtains the relationship between the voltage values Vin and V in each case. As a result, as described above, the correction table for converting the voltage value Vin of 1024 steps into V is created.
The correction table thus created is once stored in the memory 29 and then set as the VP characteristic correction table 14. After creating the VP characteristic correction table 14 in this way,
The table creating device 35 is separated from the APC circuit 8.
なお以上説明したように、すべての画像濃度に対応する
電圧値VinとVとの関係を逐一求める他、先に説明した
階調補正テーブル12の作成の場合と同様に、電圧値Vin
とVとの関係を主要ないくつかの場合のみについて求
め、そのデータを補間してV−P特性補正テーブル14を
作成するようにしてもよい。またV−P特性補正テーブ
ル14は、半導体レーザのV−P特性から計算によって作
成することも可能である。さらに、階調補正テーブル1
2、逆log変換テーブル13、および上記V−P特性補正テ
ーブル14はそれぞれの変換特性をすべて含ませて1個の
補正テーブルとして形成されてもよいし、あるいはそれ
ぞれ別個の形に構成されてもよい。Note that, as described above, the relationship between the voltage values Vin and V corresponding to all the image densities is obtained one by one, and the voltage value Vin is the same as in the case of creating the gradation correction table 12 described above.
The relationship between V and V may be obtained only in some main cases, and the data may be interpolated to create the VP characteristic correction table 14. The VP characteristic correction table 14 can also be created by calculation from the VP characteristic of the semiconductor laser. Furthermore, gradation correction table 1
2. The inverse log conversion table 13 and the VP characteristic correction table 14 may be formed as a single correction table by including all the respective conversion characteristics, or they may be configured separately. Good.
次に第9図を参照して本発明の第2実施例について説明
する。なおこの第9図において、前記第1図中の要素と
同等の要素には同番号を付し、それらについての説明は
省略する(以下同様)。またこの第9図はレーザ動作制
御回路の部分のみを示しているが、本装置における光ビ
ーム走査系等の図示しない部分は、第1図の装置におけ
るのと同様に形成される。この第2実施例の装置におい
ては、逆log変換テーブル13から出力された発光レベル
指令信号S1″がそのままマルチプレクサ15を通してD
/A変換器16に入力される。その一方上記画像信号S
1″は分岐されてV−P特性補正テーブル44に入力され
る。このV−P特性補正テーブル44は第1図の装置のV
−P特性補正テーブル14とはやや異なり、第8図におけ
る電圧値VとVinとの差ΔVを求めるように形成されて
いる。この電圧差ΔVを示すデジタル信号S5′はD/
A変換器45に通されてアナログ化され、加算点2におい
て電圧値Vin(発光レベル指令信号S1″に対応するも
のである)と加算される。このようにすることにより結
局は、第1図の装置におけるように加算点2に発光レベ
ル指令信号Vrefとして電圧値Vの信号を入力させるの
と同じこととなり、前述と同様の効果が得られる。Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In FIG. 9, elements that are the same as the elements in FIG. 1 are given the same numbers, and explanations thereof are omitted (the same applies hereinafter). Further, although FIG. 9 shows only the portion of the laser operation control circuit, the portions (not shown) such as the light beam scanning system in this apparatus are formed in the same manner as in the apparatus of FIG. In the device of the second embodiment, the emission level command signal S1 ″ output from the inverse log conversion table 13 is directly passed through the multiplexer 15 to D
It is input to the / A converter 16. On the other hand, the image signal S
1 ″ is branched and input to the VP characteristic correction table 44. This VP characteristic correction table 44 is the V of the apparatus of FIG.
Unlike the -P characteristic correction table 14, it is formed so as to obtain the difference ΔV between the voltage values V and Vin in FIG. The digital signal S5 'indicating this voltage difference ΔV is D /
The signal is passed through the A converter 45, converted into an analog signal, and added to the voltage value Vin (corresponding to the light emission level command signal S1 ″) at the addition point 2. By doing so, in the end, FIG. This is the same as inputting the signal of the voltage value V as the emission level command signal Vref to the addition point 2 as in the device of (1), and the same effect as described above can be obtained.
次に第10図を参照して本発明の第3実施例について説明
する。この第10図の装置においては、発光レベル指令信
号S1″を分岐させてV−P特性補正テーブル44に入力
させ、そこで前述した通りの補正を行ない、得られた信
号S5′をD/A変換器45においてアナログ化するとこ
ろまでは、第9図の装置と同様に形成されている。しか
し上記D/A変換器45から出力される電圧信号ΔVは加
算点2には入力されず、電圧−電流変換アンプ46に通さ
れて電流Δiとされる。この電流Δiは、APC回路8
の電圧−電流変換アンプ3の後段の加算点47において、
偏差信号Veを変換した駆動電流に加算されるようにな
っている。この第3実施例装置においては、電圧信号Δ
VをそのままAPC回路8に入力させず、電流Δiに変
換した上でAPC回路8に入力させる点が第2実施例装
置と異なるだけであり、したがってこの場合も、第1実
施例装置におけるのと同様の効果が得られる。Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the apparatus of FIG. 10, the light emission level command signal S1 ″ is branched and input to the VP characteristic correction table 44, where the correction as described above is performed, and the obtained signal S5 ′ is D / A converted. It is formed in the same way as the device of Fig. 9 until it is converted to analog in the converter 45. However, the voltage signal ΔV output from the D / A converter 45 is not input to the addition point 2 and the voltage- The current Δi is passed through the current conversion amplifier 46. This current Δi is the current Δi.
At the addition point 47 in the subsequent stage of the voltage-current conversion amplifier 3 of
The deviation signal Ve is added to the converted driving current. In the device of the third embodiment, the voltage signal Δ
It is different from the device of the second embodiment in that V is not input to the APC circuit 8 as it is, but is converted to a current Δi and then input to the APC circuit 8. Therefore, in this case also, in the device of the first embodiment, The same effect can be obtained.
(発明の効果) 以上詳細に説明した通り本発明のレーザ記録装置におい
ては、半導体レーザの駆動電流対光出力特性が非線形で
あることに起因する発光レベル指令信号対レーザ光出力
特性の非線形性を、半導体レーザ光出力安定化回路とは
別に設けた補正テーブルによって補正するようにしてい
るので、上記光出力安定化回路により構成される閉ルー
プのループゲインを現在の技術水準で十分実現可能な低
い値に設定しても、高い応答性を維持した上で発光レベ
ル指令信号と半導体レーザ光出力との関係を、そのLE
D領域とレーザ発振領域に亘って線形にすることができ
る。したがって本発明装置によれば、画像信号を所定量
変化させることにより等濃度間隔で画像濃度を制御で
き、また半導体レーザの光出力ダイナミックレンジつま
り感光材料の露光量を3桁程度の広範囲に亘って確保で
きるので、例えば濃度分解能が10bit程度の極めて
高階調の連続調画像を高速かつ精密に記録可能となる。(Effects of the Invention) As described in detail above, in the laser recording apparatus of the present invention, the nonlinearity of the emission level command signal vs. laser light output characteristic due to the nonlinearity of the driving current vs. optical output characteristic of the semiconductor laser is considered. Since the correction is provided by a correction table provided separately from the semiconductor laser light output stabilizing circuit, the loop gain of the closed loop configured by the light output stabilizing circuit is a low value that can be sufficiently realized at the current technical level. Even if it is set to, the relationship between the light emission level command signal and the semiconductor laser light output is maintained while maintaining high response.
It can be made linear over the D region and the laser oscillation region. Therefore, according to the apparatus of the present invention, the image density can be controlled at equal density intervals by changing the image signal by a predetermined amount, and the light output dynamic range of the semiconductor laser, that is, the exposure amount of the photosensitive material can be spread over a wide range of about three digits. Since this can be ensured, it is possible to record a continuous tone image of extremely high gradation with a density resolution of about 10 bits at high speed and precisely.
さらに本発明によれば、故障などによる半導体レーザの
交換時にも特性が変化しない、異なる感光材料を用いる
場合、感光材料に合った補正テーブルに代えることによ
り容易に階調補正を行なうことができる、といった効果
も得られる。Further, according to the present invention, when a different photosensitive material whose characteristics do not change even when the semiconductor laser is replaced due to a failure or the like is used, gradation correction can be easily performed by substituting a correction table suitable for the photosensitive material. Such an effect can also be obtained.
第1図は本発明の第1実施例によるレーザ記録装置を示
す概略図、 第2図は半導体レーザの駆動電流対光出力特性を示すグ
ラフ、 第3図は半導体レーザ光出力安定化回路の一例を示すブ
ロック図、 第4図は発光レベル指令信号と半導体レーザ光出力との
関係を示すグラフ、 第5図は半導体レーザの光出力と微分量子効率との関係
を示すグラフ、 第6図は半導体レーザの駆動電流対光出力特性の温度依
存性を示すグラフ、 第7図は半導体レーザのドループ特性を説明するグラ
フ、 第8図は本発明装置におけるV−P特性補正テーブルの
作用を説明するグラフ、 第9図は本発明の第2実施例によるレーザ記録装置の半
導体レーザ動作制御回路を示すブロック図、 第10図は本発明の第3実施例によるレーザ記録装置の半
導体レーザ動作制御回路を示すブロック図である。 1……半導体レーザ、2、47……加算点 3、46……電圧−電流変換アンプ 4、5……光ビーム、6……フォトダイオード 7……電流−電圧変換アンプ 8……APC回路、10……画像信号発生器 14、44……V−P特性補正テーブル 16、45……D/A変換器、17……コリメータレンズ 18……光偏向器、19……集束レンズ 20……感光材料、35……テーブル作成装置 40……補正テーブル、S1……画像信号 S1″……補正前の発光レベル指令信号 Vref……発光レベル指令信号、Vpd……帰還信号 Ve……偏差信号FIG. 1 is a schematic diagram showing a laser recording apparatus according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a graph showing driving current vs. optical output characteristics of a semiconductor laser, and FIG. 3 is an example of a semiconductor laser optical output stabilizing circuit. 4 is a graph showing the relationship between the emission level command signal and the semiconductor laser light output, FIG. 5 is a graph showing the relationship between the semiconductor laser light output and the differential quantum efficiency, and FIG. 6 is a semiconductor. FIG. 7 is a graph showing the droop characteristic of the semiconductor laser, and FIG. 8 is a graph showing the operation of the VP characteristic correction table in the device of the present invention. 9 is a block diagram showing a semiconductor laser operation control circuit of a laser recording apparatus according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a semiconductor laser operation control circuit of a laser recording apparatus according to a third embodiment of the present invention. Is a block diagram showing the. 1 ... semiconductor laser, 2,47 ... adding point 3,46 ... voltage-current conversion amplifier 4,5 ... light beam, 6 ... photodiode 7 ... current-voltage conversion amplifier 8 ... APC circuit, 10 …… Image signal generator 14, 44 …… VP characteristic correction table 16, 45 …… D / A converter, 17 …… Collimator lens 18 …… Optical deflector, 19 …… Focusing lens 20 …… Photosensitive Material 35 ... Table preparation device 40 ... Correction table, S1 ... Image signal S1 ″ ... Emission level command signal before correction Vref ... Emission level command signal, Vpd ... Feedback signal Ve ... Deviation signal
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−128865(JP,A) 特開 昭61−230467(JP,A) 特開 昭60−233978(JP,A) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP 59-128865 (JP, A) JP 61-230467 (JP, A) JP 60-233978 (JP, A)
Claims (4)
と、 画像信号に対応した発光レベル指令信号を生成し、該信
号に基づいて前記半導体レーザの駆動電流を制御して前
記光ビームの強度を変調するレーザ動作制御回路とを有
するレーザ記録装置において、 前記レーザ動作制御回路が、前記光ビームの強度を検出
し、この検出された光強度に対応する帰還信号を前記発
光レベル指令信号にフィードバックさせる光出力安定化
回路と、 前記半導体レーザの駆動電流対光出力特性の非線形性を
補償するように前記発光レベル指令信号を補正して、該
補正後の信号に基づく半導体レーザの光出力と、補正前
の発光レベル指令信号の関係を線形にする補正テーブル
とを有することを特徴とするレーザ記録装置。1. A semiconductor laser emitting a light beam, a beam scanning system for scanning the light beam on a photosensitive material, an emission level command signal corresponding to an image signal, and based on the signal, a semiconductor laser of the semiconductor laser. In a laser recording device having a laser operation control circuit that controls a drive current to modulate the intensity of the light beam, the laser operation control circuit detects the intensity of the light beam and responds to the detected light intensity. A light output stabilizing circuit for feeding back a feedback signal to the light emission level command signal, and correcting the light emission level command signal so as to compensate for the non-linearity of the drive current vs. light output characteristics of the semiconductor laser, and after the correction And a correction table for linearizing the relationship between the light output of the semiconductor laser based on the signal and the emission level command signal before correction. Recording device.
路の前段に配置されていることを特徴とする特許請求の
範囲第1項記載のレーザ記録装置。2. The laser recording apparatus according to claim 1, wherein the correction table is arranged in a stage preceding the optical output stabilizing circuit.
信号の経路を分岐した経路に配置されて、該発光レベル
指令信号の補正量を求めるように構成され、 該補正量を示す補正信号が発光レベル指令信号に加算さ
れるようになっていることを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載のレーザ記録装置。3. The correction table is arranged in a path branched from the path of the light emission level command signal to obtain a correction amount of the light emission level command signal, and a correction signal indicating the correction amount is emitted. The laser recording device according to claim 1, wherein the laser recording device is added to the level command signal.
信号の経路を分岐した経路に配置されて、該発光レベル
指令信号の補正量を求めた上でこの補正量に対応する電
流を出力するように構成され、 該電流が前記半導体レーザ駆動電流に加算されるように
なっていることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
のレーザ記録装置。4. The correction table is arranged on a path branched from the path of the light emission level command signal, the correction amount of the light emission level command signal is obtained, and a current corresponding to the correction amount is output. 2. The laser recording device according to claim 1, wherein the current is added to the semiconductor laser drive current.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61248873A JPH0618425B2 (en) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | Laser recording device |
EP87115280A EP0264886B1 (en) | 1986-10-20 | 1987-10-19 | Laser beam scanning method and apparatus |
DE3750013T DE3750013T2 (en) | 1986-10-20 | 1987-10-19 | Laser beam scanning method and device. |
US07/110,403 US4814791A (en) | 1986-10-20 | 1987-10-20 | Laser beam scanning method for maintaining a linear beam intensity over the led and laser oscilation regions and implementing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61248873A JPH0618425B2 (en) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | Laser recording device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63102552A JPS63102552A (en) | 1988-05-07 |
JPH0618425B2 true JPH0618425B2 (en) | 1994-03-09 |
Family
ID=17184694
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61248873A Expired - Lifetime JPH0618425B2 (en) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | Laser recording device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0618425B2 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2774521B2 (en) * | 1988-09-14 | 1998-07-09 | キヤノン株式会社 | Laser recording device |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0738677B2 (en) * | 1984-05-07 | 1995-04-26 | 株式会社東芝 | Image forming device |
JPS61230467A (en) * | 1985-04-03 | 1986-10-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | Recording method for continuous image |
-
1986
- 1986-10-20 JP JP61248873A patent/JPH0618425B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS63102552A (en) | 1988-05-07 |
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