JPH06151132A - 異方性磁石材料粉末の製造方法およびその製造方法により得られた異方性磁石材料粉末を用いた磁石の製造方法 - Google Patents
異方性磁石材料粉末の製造方法およびその製造方法により得られた異方性磁石材料粉末を用いた磁石の製造方法Info
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- JPH06151132A JPH06151132A JP4314202A JP31420292A JPH06151132A JP H06151132 A JPH06151132 A JP H06151132A JP 4314202 A JP4314202 A JP 4314202A JP 31420292 A JP31420292 A JP 31420292A JP H06151132 A JPH06151132 A JP H06151132A
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｒ2 Ｔ14Ｂ型金属間化合物相を主相とする異
方性に優れたＲ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系異方性磁石材料粉末およ
びその磁石材料粉末を用いた磁石の製造法を提供する。 【構成】 Ｒ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系原料合金を均質化処理しま
たは均質化処理せずに水素吸蔵処理し、引き続いて、１
Ｔｏｒｒ以下の真空雰囲気中に保持することによりＲ−
Ｔ−Ｂ−Ｍ系原料合金から強制的に水素を放出させて相
変態を促したのち、冷却し、ついで粉砕する、微細なＲ
2 Ｔ14Ｂ型金属間化合物相の再結晶集合組織を有するＲ
−Ｔ−Ｂ−Ｍ系異方性磁石材料粉末の製造方法におい
て、前記Ｒ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系原料合金として、Ｒ2 Ｔ14Ｂ
型金属間化合物相のｃ軸結晶方位が配向している原料合
金を用いることを特徴とする。
方性に優れたＲ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系異方性磁石材料粉末およ
びその磁石材料粉末を用いた磁石の製造法を提供する。 【構成】 Ｒ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系原料合金を均質化処理しま
たは均質化処理せずに水素吸蔵処理し、引き続いて、１
Ｔｏｒｒ以下の真空雰囲気中に保持することによりＲ−
Ｔ−Ｂ−Ｍ系原料合金から強制的に水素を放出させて相
変態を促したのち、冷却し、ついで粉砕する、微細なＲ
2 Ｔ14Ｂ型金属間化合物相の再結晶集合組織を有するＲ
−Ｔ−Ｂ−Ｍ系異方性磁石材料粉末の製造方法におい
て、前記Ｒ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系原料合金として、Ｒ2 Ｔ14Ｂ
型金属間化合物相のｃ軸結晶方位が配向している原料合
金を用いることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、Ｙを含む希土類元素
（以下、Ｒで示す）とＦｅあるいはＦｅの一部をＣｏで
置換した成分（以下、Ｔで示す）とＢを主成分とし、さ
らに、Ｓｉ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、
Ｗ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖのうち１種または２種以上（以下、
Ｍで示す）：０．００１〜５．０原子％を含有するＲ2
Ｔ14Ｂ型金属間化合物相を主相とする異方性に優れた磁
石材料粉末の製造方法およびその製造方法により得られ
た異方性磁石材料粉末を用いた磁石の製造方法に関する
ものである。
（以下、Ｒで示す）とＦｅあるいはＦｅの一部をＣｏで
置換した成分（以下、Ｔで示す）とＢを主成分とし、さ
らに、Ｓｉ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、
Ｗ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖのうち１種または２種以上（以下、
Ｍで示す）：０．００１〜５．０原子％を含有するＲ2
Ｔ14Ｂ型金属間化合物相を主相とする異方性に優れた磁
石材料粉末の製造方法およびその製造方法により得られ
た異方性磁石材料粉末を用いた磁石の製造方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】ＲとＴとＢを主成分とし、さらに、Ｍ：
０．００１〜５．０原子％を含有するＲ2 Ｔ14Ｂ型金属
間化合物相を主相とするＲ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系原料合金を、
Ａｒガス雰囲気中、温度：６００〜１２００℃に保持し
て均質化処理し、または均質化処理せずに、Ｒ−Ｔ−Ｂ
−Ｍ系原料合金をＨ2 ガスまたはＨ2 ガスと不活性ガス
の混合雰囲気中で室温から昇温し、温度：５００〜１０
００℃に保持してＨ2 を吸蔵させたのち、真空雰囲気中
または不活性ガス雰囲気中、温度：５００〜１０００℃
に保持して脱Ｈ2 処理し、ついで冷却し、粉砕して異方
性Ｒ−Ｆｅ−Ｂ−Ｍ系磁石粉末を製造する方法、並びに
そのＲ−Ｆｅ−Ｂ−Ｍ系磁石粉末を有機バインダーまた
は金属バインダーにより結合して異方性ボンド磁石を製
造する方法およびＲ−Ｆｅ−Ｂ−Ｍ系磁石粉末を温度：
６００〜９００℃でホットプレスまたはＨＩＰして異方
性磁石（以下、この磁石をフルデンス磁石という）を製
造する方法は、特開平３−１２９７０２号公報、特開平
３−１２９７０３号公報、特開平４−２５３３０４号公
報、特開平４−２４５４０３号公報などに記載されてお
り、すでに知られている。
０．００１〜５．０原子％を含有するＲ2 Ｔ14Ｂ型金属
間化合物相を主相とするＲ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系原料合金を、
Ａｒガス雰囲気中、温度：６００〜１２００℃に保持し
て均質化処理し、または均質化処理せずに、Ｒ−Ｔ−Ｂ
−Ｍ系原料合金をＨ2 ガスまたはＨ2 ガスと不活性ガス
の混合雰囲気中で室温から昇温し、温度：５００〜１０
００℃に保持してＨ2 を吸蔵させたのち、真空雰囲気中
または不活性ガス雰囲気中、温度：５００〜１０００℃
に保持して脱Ｈ2 処理し、ついで冷却し、粉砕して異方
性Ｒ−Ｆｅ−Ｂ−Ｍ系磁石粉末を製造する方法、並びに
そのＲ−Ｆｅ−Ｂ−Ｍ系磁石粉末を有機バインダーまた
は金属バインダーにより結合して異方性ボンド磁石を製
造する方法およびＲ−Ｆｅ−Ｂ−Ｍ系磁石粉末を温度：
６００〜９００℃でホットプレスまたはＨＩＰして異方
性磁石（以下、この磁石をフルデンス磁石という）を製
造する方法は、特開平３−１２９７０２号公報、特開平
３−１２９７０３号公報、特開平４−２５３３０４号公
報、特開平４−２４５４０３号公報などに記載されてお
り、すでに知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の製造方
法で得られた異方性Ｒ−Ｆｅ−Ｂ−Ｍ系磁石粉末は、材
料の本来の磁気特性に比べて、まだ磁気異方性が十分で
なく、この粉末を使用して製造されたボンド磁石または
フルデンス磁石の磁気異方性が十分でなかった。
法で得られた異方性Ｒ−Ｆｅ−Ｂ−Ｍ系磁石粉末は、材
料の本来の磁気特性に比べて、まだ磁気異方性が十分で
なく、この粉末を使用して製造されたボンド磁石または
フルデンス磁石の磁気異方性が十分でなかった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
従来よりも磁気異方性の優れたＲ−Ｆｅ−Ｂ−Ｍ系磁石
粉末を製造し、このＲ−Ｆｅ−Ｂ−Ｍ系磁石粉末を用い
て従来よりも磁気異方性の優れた磁石を製造すべく研究
を行った結果、従来のＲ−Ｆｅ−Ｂ−Ｍ系磁石粉末の製
造方法において、Ｒ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系原料合金としてＲ2
Ｔ14Ｂ型金属間化合物相のｃ軸結晶方位が配向している
原料合金を用いると、従来よりも磁気異方性の優れたＲ
−Ｆｅ−Ｂ−Ｍ系磁石粉末を製造することができるとい
う知見を得たのである。
従来よりも磁気異方性の優れたＲ−Ｆｅ−Ｂ−Ｍ系磁石
粉末を製造し、このＲ−Ｆｅ−Ｂ−Ｍ系磁石粉末を用い
て従来よりも磁気異方性の優れた磁石を製造すべく研究
を行った結果、従来のＲ−Ｆｅ−Ｂ−Ｍ系磁石粉末の製
造方法において、Ｒ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系原料合金としてＲ2
Ｔ14Ｂ型金属間化合物相のｃ軸結晶方位が配向している
原料合金を用いると、従来よりも磁気異方性の優れたＲ
−Ｆｅ−Ｂ−Ｍ系磁石粉末を製造することができるとい
う知見を得たのである。
【０００５】この発明は、かかる知見に基づいて成され
たものであって、ＲとＴとＢを主成分とし、さらに、
Ｍ：０．００１〜５．０原子％を含有するＲ2 Ｔ14Ｂ型
金属間化合物相を主相とするＲ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系原料合金
を、Ａｒガス雰囲気中、温度：６００〜１２００℃に保
持して均質化処理し、または均質化処理せずにＲ−Ｔ−
Ｂ−Ｍ系原料合金を室温から５００℃までを水素雰囲気
中、水素と不活性ガスの混合ガス雰囲気中、真空雰囲気
中、あるいは不活性ガス雰囲気中の内のいずれかの雰囲
気中に保持し、さらに５００〜１０００℃の範囲内の所
定の温度までを水素雰囲気中あるいは水素と不活性ガス
の混合ガス雰囲気中に昇温後保持して前記Ｒ−Ｔ−Ｂ−
Ｍ系原料合金に水素を吸蔵させて相変態を促進し、引き
続いて、５００〜１０００℃の範囲内の所定の温度で１
Ｔｏｒｒ以下の真空雰囲気中に保持することにより、Ｒ
−Ｔ−Ｂ−Ｍ系原料合金から強制的に水素を放出させて
相変態を促したのち、冷却し、粉砕する、微細なＲ2 Ｔ
14Ｂ型金属間化合物相の再結晶集合組織を有するＲ−Ｔ
−Ｂ−Ｍ系異方性磁石材料粉末の製造方法において、前
記Ｒ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系原料合金として、Ｒ2 Ｔ14Ｂ型金属
間化合物相のｃ軸結晶方位が配向している原料合金を用
いる異方性磁石材料粉末の製造方法、に特徴を有するも
のである。
たものであって、ＲとＴとＢを主成分とし、さらに、
Ｍ：０．００１〜５．０原子％を含有するＲ2 Ｔ14Ｂ型
金属間化合物相を主相とするＲ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系原料合金
を、Ａｒガス雰囲気中、温度：６００〜１２００℃に保
持して均質化処理し、または均質化処理せずにＲ−Ｔ−
Ｂ−Ｍ系原料合金を室温から５００℃までを水素雰囲気
中、水素と不活性ガスの混合ガス雰囲気中、真空雰囲気
中、あるいは不活性ガス雰囲気中の内のいずれかの雰囲
気中に保持し、さらに５００〜１０００℃の範囲内の所
定の温度までを水素雰囲気中あるいは水素と不活性ガス
の混合ガス雰囲気中に昇温後保持して前記Ｒ−Ｔ−Ｂ−
Ｍ系原料合金に水素を吸蔵させて相変態を促進し、引き
続いて、５００〜１０００℃の範囲内の所定の温度で１
Ｔｏｒｒ以下の真空雰囲気中に保持することにより、Ｒ
−Ｔ−Ｂ−Ｍ系原料合金から強制的に水素を放出させて
相変態を促したのち、冷却し、粉砕する、微細なＲ2 Ｔ
14Ｂ型金属間化合物相の再結晶集合組織を有するＲ−Ｔ
−Ｂ−Ｍ系異方性磁石材料粉末の製造方法において、前
記Ｒ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系原料合金として、Ｒ2 Ｔ14Ｂ型金属
間化合物相のｃ軸結晶方位が配向している原料合金を用
いる異方性磁石材料粉末の製造方法、に特徴を有するも
のである。
【０００６】前記Ｒ2 Ｔ14Ｂ型金属間化合物相のｃ軸結
晶方位が配向している原料合金として、単結晶合金、磁
場中成形してｃ軸結晶方位を配向せしめて得られた磁気
異方性焼結体、熱間加工してｃ軸結晶方位を配向せしめ
て得られた熱間加工体などがある。前記磁気異方性焼結
体としてＲ2 Ｔ14Ｂ系磁気異方性焼結磁石のスクラップ
を使用することができ、また、熱間加工体としてはＲ2
Ｔ14Ｂ系磁気異方性熱間加工磁石のスクラップなどを使
用することができる。また、上記原料合金の形状は、イ
ンゴット、バルク、フレーク、または粒などいかなる形
状を有していてもよい。また、前記Ｆｅの一部をＮｉ、
Ｃｕ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｚｎで置換しても良く、Ｂの一部を
Ｎ、Ｃ、Ｏで置換しても良い。
晶方位が配向している原料合金として、単結晶合金、磁
場中成形してｃ軸結晶方位を配向せしめて得られた磁気
異方性焼結体、熱間加工してｃ軸結晶方位を配向せしめ
て得られた熱間加工体などがある。前記磁気異方性焼結
体としてＲ2 Ｔ14Ｂ系磁気異方性焼結磁石のスクラップ
を使用することができ、また、熱間加工体としてはＲ2
Ｔ14Ｂ系磁気異方性熱間加工磁石のスクラップなどを使
用することができる。また、上記原料合金の形状は、イ
ンゴット、バルク、フレーク、または粒などいかなる形
状を有していてもよい。また、前記Ｆｅの一部をＮｉ、
Ｃｕ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｚｎで置換しても良く、Ｂの一部を
Ｎ、Ｃ、Ｏで置換しても良い。
【０００７】Ｒ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系原料合金としてＲ2 Ｔ14
Ｂ型金属間化合物相のｃ軸結晶方位が配向している原料
合金を用いると従来よりも磁気異方性の優れたＲ−Ｆｅ
−Ｂ−Ｍ系磁石粉末を製造することができるのは、原料
合金のＲ2 Ｔ14Ｂ型金属間化合物相のｃ軸結晶方位が水
素処理して得られたＲ−Ｆｅ−Ｂ−Ｍ系磁石粉末の再結
晶集合組織にも影響を与えているためと考えられる。
Ｂ型金属間化合物相のｃ軸結晶方位が配向している原料
合金を用いると従来よりも磁気異方性の優れたＲ−Ｆｅ
−Ｂ−Ｍ系磁石粉末を製造することができるのは、原料
合金のＲ2 Ｔ14Ｂ型金属間化合物相のｃ軸結晶方位が水
素処理して得られたＲ−Ｆｅ−Ｂ−Ｍ系磁石粉末の再結
晶集合組織にも影響を与えているためと考えられる。
【０００８】また、原料合金のＲ2 Ｔ14Ｂ型金属間化合
物相のｃ軸結晶方位が配向していても、結晶粒径が極め
て小さい原料合金を用いると、磁気異方性の優れたＲ−
Ｆｅ−Ｂ−Ｍ系磁石粉末が得られない。この場合には原
料合金に均質化処理を施してＲ2 Ｔ14Ｂ型金属間化合物
相のｃ軸結晶方位が配向している結晶粒を成長せしめ、
結晶粒が成長した原料合金を用いて製造すると、Ｒ−Ｆ
ｅ−Ｂ−Ｍ系磁石粉末の磁気特性をさらに向上させるこ
とができる。前記均質化処理を行うことにより成長せし
めた結晶粒の平均結晶粒径は、５０μｍ以上あることが
好ましい。
物相のｃ軸結晶方位が配向していても、結晶粒径が極め
て小さい原料合金を用いると、磁気異方性の優れたＲ−
Ｆｅ−Ｂ−Ｍ系磁石粉末が得られない。この場合には原
料合金に均質化処理を施してＲ2 Ｔ14Ｂ型金属間化合物
相のｃ軸結晶方位が配向している結晶粒を成長せしめ、
結晶粒が成長した原料合金を用いて製造すると、Ｒ−Ｆ
ｅ−Ｂ−Ｍ系磁石粉末の磁気特性をさらに向上させるこ
とができる。前記均質化処理を行うことにより成長せし
めた結晶粒の平均結晶粒径は、５０μｍ以上あることが
好ましい。
【０００９】この発明の製造方法により得られたＲ−Ｔ
−Ｂ−Ｍ系異方性磁石材料粉末に、必要に応じて３００
〜１０００℃で熱処理を施すと磁気特性をさらに向上さ
せることができる。
−Ｂ−Ｍ系異方性磁石材料粉末に、必要に応じて３００
〜１０００℃で熱処理を施すと磁気特性をさらに向上さ
せることができる。
【００１０】
【実施例】Ａｒガス雰囲気中、高周波溶解炉を用いて、
表１に示される成分組成の合金を溶解し、鋳造して鋳塊
Ａ〜Ｌを製造した。
表１に示される成分組成の合金を溶解し、鋳造して鋳塊
Ａ〜Ｌを製造した。
【００１１】
【表１】
【００１２】実施例１ 表１の鋳塊Ａ〜Ｄを浮遊帯溶融することにより単結晶合
金からなる原料合金を作製し、この原料合金を１気圧の
水素雰囲気中で室温から７５０℃まで昇温することによ
り水素を吸蔵させ、１気圧の水素雰囲気を保持したまま
７５０℃に１時間保持して水素を吸蔵させることにより
相変態を促進させ、さらに８５０℃まで昇温したのち、
８５０℃に１時間保持し、ついで温度を８５０℃に保持
しながら１×１０-1の真空雰囲気とし、強制的に水素を
放出させて相変態を促したのち、Ａｒガス中で冷却し、
４００μｍ以下に粉砕することにより本発明法１〜４を
実施し、異方性磁石材料粉末を製造した。
金からなる原料合金を作製し、この原料合金を１気圧の
水素雰囲気中で室温から７５０℃まで昇温することによ
り水素を吸蔵させ、１気圧の水素雰囲気を保持したまま
７５０℃に１時間保持して水素を吸蔵させることにより
相変態を促進させ、さらに８５０℃まで昇温したのち、
８５０℃に１時間保持し、ついで温度を８５０℃に保持
しながら１×１０-1の真空雰囲気とし、強制的に水素を
放出させて相変態を促したのち、Ａｒガス中で冷却し、
４００μｍ以下に粉砕することにより本発明法１〜４を
実施し、異方性磁石材料粉末を製造した。
【００１３】この異方性磁石材料粉末を３重量％のエポ
キシ樹脂と混合し、２５ＫＯｅの磁場中で圧縮成形して
圧粉体を作製し、この圧粉体を１２０℃、１時間熱硬化
して、異方性ボンド磁石を作製した。得られた異方性ボ
ンド磁石の磁気特性を表２に示した。
キシ樹脂と混合し、２５ＫＯｅの磁場中で圧縮成形して
圧粉体を作製し、この圧粉体を１２０℃、１時間熱硬化
して、異方性ボンド磁石を作製した。得られた異方性ボ
ンド磁石の磁気特性を表２に示した。
【００１４】さらにこの異方性磁石材料粉末を２５ＫＯ
ｅの磁場中で圧縮成形して圧粉体を作製し、この圧粉体
をホットプレス装置にセットし、磁場の印加方向が圧縮
方向になるように真空中で７８０℃、１０分間、１Ｔｏ
ｎ／ｃｍ2 の圧力でホットプレスを行い、Ａｒガス中で
急冷し、異方性フルデンス磁石を作製し、得られた異方
性フルデンス磁石の磁気特性を表２に示した。
ｅの磁場中で圧縮成形して圧粉体を作製し、この圧粉体
をホットプレス装置にセットし、磁場の印加方向が圧縮
方向になるように真空中で７８０℃、１０分間、１Ｔｏ
ｎ／ｃｍ2 の圧力でホットプレスを行い、Ａｒガス中で
急冷し、異方性フルデンス磁石を作製し、得られた異方
性フルデンス磁石の磁気特性を表２に示した。
【００１５】
【表２】
【００１６】実施例２ 表１の鋳塊Ｅ〜Ｈをジョークラッシャーとブラウンミル
により粉砕し、平均粒度：３．５μｍの微粉末とし、得
られた微粉末を磁場中成形して圧粉体とし、この圧粉体
を真空雰囲気中、１０９０℃、２時間保持の条件で焼結
し、異方性焼結体からなる原料合金を作製し、この異方
性焼結体からなる原料合金をＡｒ雰囲気中、温度：１１
４０℃に１０時間保持の条件で均質化処理し、この均質
化処理した異方性焼結体の平均結晶粒径を表３に示し
た。
により粉砕し、平均粒度：３．５μｍの微粉末とし、得
られた微粉末を磁場中成形して圧粉体とし、この圧粉体
を真空雰囲気中、１０９０℃、２時間保持の条件で焼結
し、異方性焼結体からなる原料合金を作製し、この異方
性焼結体からなる原料合金をＡｒ雰囲気中、温度：１１
４０℃に１０時間保持の条件で均質化処理し、この均質
化処理した異方性焼結体の平均結晶粒径を表３に示し
た。
【００１７】この異方性焼結体からなる原料合金を１気
圧の水素雰囲気中で室温から７００℃まで昇温すること
により水素を吸蔵させ、１気圧の水素雰囲気を保持した
まま７００℃に１時間保持して水素を吸蔵させることに
より相変態を促進させ、さらに８００℃まで昇温したの
ち、８００℃に１時間保持し、ついで温度を８００℃に
保持しながら１×１０-1の真空雰囲気とし、強制的に水
素を放出させて相変態を促したのち、Ａｒガス中で冷却
し、４００μｍ以下に粉砕することにより本発明法５〜
８を実施し、異方性磁石材料粉末を製造した。
圧の水素雰囲気中で室温から７００℃まで昇温すること
により水素を吸蔵させ、１気圧の水素雰囲気を保持した
まま７００℃に１時間保持して水素を吸蔵させることに
より相変態を促進させ、さらに８００℃まで昇温したの
ち、８００℃に１時間保持し、ついで温度を８００℃に
保持しながら１×１０-1の真空雰囲気とし、強制的に水
素を放出させて相変態を促したのち、Ａｒガス中で冷却
し、４００μｍ以下に粉砕することにより本発明法５〜
８を実施し、異方性磁石材料粉末を製造した。
【００１８】この異方性磁石材料粉末を３重量％のエポ
キシ樹脂と混合し、２５ＫＯｅの磁場中で圧縮成形して
圧粉体を作製し、この圧粉体を１２０℃、１時間熱硬化
して、異方性ボンド磁石を作製した。得られた異方性ボ
ンド磁石の磁気特性を表３に示した。
キシ樹脂と混合し、２５ＫＯｅの磁場中で圧縮成形して
圧粉体を作製し、この圧粉体を１２０℃、１時間熱硬化
して、異方性ボンド磁石を作製した。得られた異方性ボ
ンド磁石の磁気特性を表３に示した。
【００１９】さらにこの異方性磁石材料粉末を２５ＫＯ
ｅの磁場中で圧縮成形して圧粉体を作製し、この圧粉体
をホットプレス装置にセットし、磁場の印加方向が圧縮
方向になるように真空中で７８０℃、１０分間、１Ｔｏ
ｎ／ｃｍ2 の圧力でホットプレスを行い、Ａｒガス中で
急冷し、異方性フルデンス磁石を作製し、得られた異方
性フルデンス磁石の磁気特性を表３に示した。
ｅの磁場中で圧縮成形して圧粉体を作製し、この圧粉体
をホットプレス装置にセットし、磁場の印加方向が圧縮
方向になるように真空中で７８０℃、１０分間、１Ｔｏ
ｎ／ｃｍ2 の圧力でホットプレスを行い、Ａｒガス中で
急冷し、異方性フルデンス磁石を作製し、得られた異方
性フルデンス磁石の磁気特性を表３に示した。
【００２０】
【表３】
【００２１】実施例３ 表１の鋳塊Ｉ〜Ｌを再溶解して得られた溶湯を単ロール
式の液体急冷装置にて超急冷を行い、アモルファスリボ
ンを作製し、このアモルファスリボンを真空雰囲気中、
７１０℃、１５分間保持の条件でホットプレスし、さら
に７５０℃で２軸圧縮で高さ１／４まで塑性加工を行っ
て熱間加工体からなる原料合金を作製し、この熱間加工
体からなる原料合金をＡｒ雰囲気中、温度：１１２０℃
に３０時間保持の条件で均質化処理した。
式の液体急冷装置にて超急冷を行い、アモルファスリボ
ンを作製し、このアモルファスリボンを真空雰囲気中、
７１０℃、１５分間保持の条件でホットプレスし、さら
に７５０℃で２軸圧縮で高さ１／４まで塑性加工を行っ
て熱間加工体からなる原料合金を作製し、この熱間加工
体からなる原料合金をＡｒ雰囲気中、温度：１１２０℃
に３０時間保持の条件で均質化処理した。
【００２２】この熱間加工体からなる原料合金を１気圧
の水素雰囲気中で室温から７２０℃まで昇温することに
より水素を吸蔵させ、１気圧の水素雰囲気を保持したま
ま７２０℃に１時間保持して水素を吸蔵させることによ
り相変態を促進させ、さらに８８０℃まで昇温したの
ち、８８０℃に１時間保持し、ついで温度を８６０℃に
保持しながら１×１０-1の真空雰囲気とし、強制的に水
素を放出させて相変態を促したのち、Ａｒガス中で冷却
し、４００μｍ以下に粉砕することにより本発明法９〜
１２を実施し、異方性磁石材料粉末を製造した。
の水素雰囲気中で室温から７２０℃まで昇温することに
より水素を吸蔵させ、１気圧の水素雰囲気を保持したま
ま７２０℃に１時間保持して水素を吸蔵させることによ
り相変態を促進させ、さらに８８０℃まで昇温したの
ち、８８０℃に１時間保持し、ついで温度を８６０℃に
保持しながら１×１０-1の真空雰囲気とし、強制的に水
素を放出させて相変態を促したのち、Ａｒガス中で冷却
し、４００μｍ以下に粉砕することにより本発明法９〜
１２を実施し、異方性磁石材料粉末を製造した。
【００２３】この異方性磁石材料粉末を３重量％のエポ
キシ樹脂と混合し、２５ＫＯｅの磁場中で圧縮成形して
圧粉体を作製し、この圧粉体を１２０℃、１時間熱硬化
して、異方性ボンド磁石を作製した。得られた異方性ボ
ンド磁石の磁気特性を表４に示した。
キシ樹脂と混合し、２５ＫＯｅの磁場中で圧縮成形して
圧粉体を作製し、この圧粉体を１２０℃、１時間熱硬化
して、異方性ボンド磁石を作製した。得られた異方性ボ
ンド磁石の磁気特性を表４に示した。
【００２４】さらにこの異方性磁石材料粉末を２５ＫＯ
ｅの磁場中で圧縮成形して圧粉体を作製し、この圧粉体
をホットプレス装置にセットし、磁場の印加方向が圧縮
方向になるように真空中で７８０℃、１０分間、１Ｔｏ
ｎ／ｃｍ2 の圧力でホットプレスを行い、Ａｒガス中で
急冷し、異方性フルデンス磁石を作製し、得られた異方
性フルデンス磁石の磁気特性を表４に示した。
ｅの磁場中で圧縮成形して圧粉体を作製し、この圧粉体
をホットプレス装置にセットし、磁場の印加方向が圧縮
方向になるように真空中で７８０℃、１０分間、１Ｔｏ
ｎ／ｃｍ2 の圧力でホットプレスを行い、Ａｒガス中で
急冷し、異方性フルデンス磁石を作製し、得られた異方
性フルデンス磁石の磁気特性を表４に示した。
【００２５】
【表４】
【００２６】実施例４ 実施例２で表１の鋳塊ＧおよびＨから作製した異方性焼
結体からなる原料合金を、均質化処理を行うこと無く、
そのまま実施例２と全く同じ条件で水素を吸蔵させ、強
制的に水素を放出させて相変態を促したのち、Ａｒガス
中で冷却し、４００μｍ以下に粉砕することにより本発
明法１３〜１４を実施し、異方性磁石材料粉末を製造し
た。この異方性磁石材料粉末を用い、実施例２と全く同
じ条件で異方性ボンド磁石および異方性フルデンス磁石
を作製し、得られた異方性ボンド磁石および異方性フル
デンス磁石の磁気特性を表５に示した。
結体からなる原料合金を、均質化処理を行うこと無く、
そのまま実施例２と全く同じ条件で水素を吸蔵させ、強
制的に水素を放出させて相変態を促したのち、Ａｒガス
中で冷却し、４００μｍ以下に粉砕することにより本発
明法１３〜１４を実施し、異方性磁石材料粉末を製造し
た。この異方性磁石材料粉末を用い、実施例２と全く同
じ条件で異方性ボンド磁石および異方性フルデンス磁石
を作製し、得られた異方性ボンド磁石および異方性フル
デンス磁石の磁気特性を表５に示した。
【００２７】実施例５ さらに、実施例３で表１の鋳塊ＫおよびＬから作製した
熱間加工体からなる原料合金を、均質化処理を行うこと
無く、そのまま実施例３と全く同じ条件で水素を吸蔵さ
せ、強制的に水素を放出させて相変態を促したのち、Ａ
ｒガス中で冷却し、４００μｍ以下に粉砕することによ
り本発明法１５〜１６を実施し、異方性磁石材料粉末を
製造した。この異方性磁石材料粉末を用い、実施例３と
全く同じ条件で異方性ボンド磁石および異方性フルデン
ス磁石を作製し、得られた異方性ボンド磁石および異方
性フルデンス磁石の磁気特性を表５に示した。
熱間加工体からなる原料合金を、均質化処理を行うこと
無く、そのまま実施例３と全く同じ条件で水素を吸蔵さ
せ、強制的に水素を放出させて相変態を促したのち、Ａ
ｒガス中で冷却し、４００μｍ以下に粉砕することによ
り本発明法１５〜１６を実施し、異方性磁石材料粉末を
製造した。この異方性磁石材料粉末を用い、実施例３と
全く同じ条件で異方性ボンド磁石および異方性フルデン
ス磁石を作製し、得られた異方性ボンド磁石および異方
性フルデンス磁石の磁気特性を表５に示した。
【００２８】
【表５】
【００２９】従来例１ 表１の鋳塊ＨをＡｒ雰囲気中、温度：１１４０℃に１０
時間保持の条件で均質化処理し、この均質化処理した鋳
塊Ｈを実施例２と全く同じ条件で水素を吸蔵させ、強制
的に水素を放出させて相変態を促したのち、Ａｒガス中
で冷却し、４００μｍ以下に粉砕することにより従来法
１を実施し、異方性磁石材料粉末を製造した。この異方
性磁石材料粉末を用い、実施例２と全く同じ条件で異方
性ボンド磁石および異方性フルデンス磁石を作製し、得
られた異方性ボンド磁石および異方性フルデンス磁石の
磁気特性を表６に示した。
時間保持の条件で均質化処理し、この均質化処理した鋳
塊Ｈを実施例２と全く同じ条件で水素を吸蔵させ、強制
的に水素を放出させて相変態を促したのち、Ａｒガス中
で冷却し、４００μｍ以下に粉砕することにより従来法
１を実施し、異方性磁石材料粉末を製造した。この異方
性磁石材料粉末を用い、実施例２と全く同じ条件で異方
性ボンド磁石および異方性フルデンス磁石を作製し、得
られた異方性ボンド磁石および異方性フルデンス磁石の
磁気特性を表６に示した。
【００３０】従来例２ さらに、表１の鋳塊ＬをＡｒ雰囲気中、温度：１１２０
℃に３０時間保持の条件で均質化処理し、均質化処理し
た鋳塊Ｌをさらに実施例３と全く同じ条件で異方性ボン
ド磁石および異方性フルデンス磁石を作製し、得られた
異方性ボンド磁石および異方性フルデンス磁石の磁気特
性を表６に示した。
℃に３０時間保持の条件で均質化処理し、均質化処理し
た鋳塊Ｌをさらに実施例３と全く同じ条件で異方性ボン
ド磁石および異方性フルデンス磁石を作製し、得られた
異方性ボンド磁石および異方性フルデンス磁石の磁気特
性を表６に示した。
【００３１】
【表６】
【００３２】
【発明の効果】表２〜表６に示される結果から、原料合
金としてＲ2 Ｔ14Ｂ型金属間化合物相のｃ軸結晶方位が
配向している原料合金を用いる本発明法１〜１６により
異方性磁石材料粉末を製造し、この異方性磁石材料粉末
を用いて製造された異方性ボンド磁石および異方性フル
デンス磁石は、鋳塊をそのまま原料合金とする従来法１
〜２により異方性磁石材料粉末を製造し、この異方性磁
石材料粉末を用いて製造した異方性ボンド磁石および異
方性フルデンス磁石に比べて、いずれも優れた磁気特性
を示すことが分かる。
金としてＲ2 Ｔ14Ｂ型金属間化合物相のｃ軸結晶方位が
配向している原料合金を用いる本発明法１〜１６により
異方性磁石材料粉末を製造し、この異方性磁石材料粉末
を用いて製造された異方性ボンド磁石および異方性フル
デンス磁石は、鋳塊をそのまま原料合金とする従来法１
〜２により異方性磁石材料粉末を製造し、この異方性磁
石材料粉末を用いて製造した異方性ボンド磁石および異
方性フルデンス磁石に比べて、いずれも優れた磁気特性
を示すことが分かる。
【００３３】したがって、この発明の方法によると、従
来よりも優れた磁気特性を有する異方性磁石材料粉末お
よび磁石を製造することができ、産業上優れた効果を奏
するものである。
来よりも優れた磁気特性を有する異方性磁石材料粉末お
よび磁石を製造することができ、産業上優れた効果を奏
するものである。
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２２Ｃ 38/00 ３０３ Ｄ Ｈ０１Ｆ 1/053 1/08 Ａ // Ｈ０１Ｆ 7/02 Ｃ
Claims (11)
- 【請求項１】 Ｙを含む希土類元素（以下、Ｒで示す）
とＦｅあるいはＦｅの一部をＣｏで置換した成分（以
下、Ｔで示す）とＢを主成分とし、 さらに、Ｓｉ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、
Ｗ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖのうち１種または２種以上（以下、
Ｍで示す）：０．００１〜５．０原子％を含有するＲ2
Ｔ14Ｂ型金属間化合物相を主相とするＲ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系
原料合金を、室温から５００℃までを水素雰囲気中、水
素と不活性ガスの混合ガス雰囲気中、真空雰囲気中、あ
るいは不活性ガス雰囲気中の内のいずれかの雰囲気中に
昇温保持し、さらに５００〜１０００℃の範囲内の所定
の温度までを水素雰囲気中あるいは水素と不活性ガスの
混合ガス雰囲気中に昇温後保持して前記Ｒ−Ｔ−Ｂ−Ｍ
系原料合金に水素を吸蔵させて相変態を促進し、 引き続いて、５００〜１０００℃の範囲内の所定の温度
で１Ｔｏｒｒ以下の真空雰囲気中に保持することによ
り、Ｒ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系原料合金から強制的に水素を放出
させて相変態を促したのち、冷却し、ついで粉砕する、
微細なＲ2 Ｔ14Ｂ型金属間化合物相の再結晶集合組織を
有するＲ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系異方性磁石材料粉末の製造方法
において、 前記Ｒ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系原料合金として、Ｒ2 Ｔ14Ｂ型金
属間化合物相のｃ軸結晶方位が配向している原料合金を
用いることを特徴とする異方性磁石材料粉末の製造方
法。 - 【請求項２】 前記Ｒ2 Ｔ14Ｂ型金属間化合物相のｃ軸
結晶方位が配向している原料合金は、Ｒ2 Ｔ14Ｂ型金属
間化合物相の単結晶合金であることを特徴とする請求項
１記載の異方性磁石材料粉末の製造方法。 - 【請求項３】 前記Ｒ2 Ｔ14Ｂ型金属間化合物相のｃ軸
結晶方位が配向している原料合金は、Ｒ2 Ｔ14Ｂ型金属
間化合物粉末を磁場中成形して得られた異方性焼結体で
あることを特徴とする請求項１記載の異方性磁石材料粉
末の製造方法。 - 【請求項４】 前記Ｒ2 Ｔ14Ｂ型相のｃ軸結晶方位が配
向している原料合金は、Ｒ2 Ｔ14Ｂ型金属間化合物粉末
を熱間加工して得られた熱間加工体であることを特徴と
する請求項１記載の異方性磁石材料粉末の製造方法。 - 【請求項５】 ＲとＴとＢを主成分とし、さらに、Ｍ：
０．００１〜５．０原子％を含有するＲ2 Ｔ14Ｂ型金属
間化合物相を主相とするＲ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系原料合金を、 Ａｒガス雰囲気中、温度：６００〜１２００℃に保持し
て均質化処理し、 この均質化処理したＲ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系原料合金を室温か
ら５００℃までを水素雰囲気中、水素と不活性ガスの混
合ガス雰囲気中、真空雰囲気中、あるいは不活性ガス雰
囲気中の内のいずれかの雰囲気中に保持し、さらに５０
０〜１０００℃の範囲内の所定の温度までを水素雰囲気
中あるいは水素と不活性ガスの混合ガス雰囲気中に昇温
後保持して前記Ｒ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系原料合金に水素を吸蔵
させて相変態を促進し、 引き続いて、５００〜１０００℃の範囲内の所定の温度
で１Ｔｏｒｒ以下の真空雰囲気中に保持することによ
り、Ｒ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系原料合金から強制的に水素を放出
させて相変態を促したのち、冷却し、粉砕する、微細な
Ｒ2 Ｔ14Ｂ型金属間化合物相の再結晶集合組織を有する
Ｒ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系異方性磁石材料粉末の製造方法におい
て、 前記Ｒ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系原料合金として、Ｒ2 Ｔ14Ｂ型金
属間化合物相のｃ軸結晶方位が配向している原料合金を
用いることを特徴とする異方性磁石材料粉末の製造方
法。 - 【請求項６】 前記Ｒ2 Ｔ14Ｂ型金属間化合物相のｃ軸
結晶方位が配向している原料合金は、Ｒ2 Ｔ14Ｂ型金属
間化合物粉末を磁場中成形して得られた異方性焼結体で
あることを特徴とする請求項５記載の異方性磁石材料粉
末の製造方法。 - 【請求項７】 前記Ｒ2 Ｔ14Ｂ型金属間化合物相のｃ軸
結晶方位が配向している原料合金は、Ｒ2 Ｔ14Ｂ型金属
間化合物粉末を熱間加工して得られた熱間加工体である
ことを特徴とする請求項５記載の異方性磁石材料粉末の
製造方法。 - 【請求項８】 前記Ｒ2 Ｔ14Ｂ型金属間化合物相のｃ軸
結晶方位が配向しているＲ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系原料合金を均
質化処理することによりその平均結晶粒径を５０μｍ以
上とすることを特徴とする請求項５、６または７記載の
異方性磁石材料粉末の製造方法。 - 【請求項９】 前記均質化処理温度は、１０５０〜１２
００℃の範囲内の所定の温度であることを特徴とする請
求項５、６、７、または８記載の異方性磁石材料粉末の
製造方法。 - 【請求項10】 請求項１、２、３、４、５、６、７、８
または９記載の方法で製造された異方性磁石材料粉末を
有機バインダーまたは金属バインダーにより結合するこ
とを特徴とする異方性磁石の製造方法。 - 【請求項11】 請求項１、２、３、４、５、６、７、８
または９記載の方法で製造された異方性磁石材料粉末を
磁場中成形して圧粉体とした後、この圧粉体を温度：６
００〜９００℃でホットプレスまたはＨＩＰすることを
特徴と異方性磁石の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4314202A JPH06151132A (ja) | 1992-10-29 | 1992-10-29 | 異方性磁石材料粉末の製造方法およびその製造方法により得られた異方性磁石材料粉末を用いた磁石の製造方法 |
| EP93307753A EP0595477A1 (en) | 1992-10-29 | 1993-09-30 | Method of manufacturing powder material for anisotropic magnets and method of manufacturing magnets using the powder material |
| US08/145,956 US5486239A (en) | 1992-10-29 | 1993-10-29 | Method of manufacturing magnetically anisotropic R-T-B-M powder material and method of manufacturing anisotropic magnets using said powder material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4314202A JPH06151132A (ja) | 1992-10-29 | 1992-10-29 | 異方性磁石材料粉末の製造方法およびその製造方法により得られた異方性磁石材料粉末を用いた磁石の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06151132A true JPH06151132A (ja) | 1994-05-31 |
Family
ID=18050504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4314202A Pending JPH06151132A (ja) | 1992-10-29 | 1992-10-29 | 異方性磁石材料粉末の製造方法およびその製造方法により得られた異方性磁石材料粉末を用いた磁石の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5486239A (ja) |
| EP (1) | EP0595477A1 (ja) |
| JP (1) | JPH06151132A (ja) |
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