JPH06120133A - Developer - Google Patents
DeveloperInfo
- Publication number
- JPH06120133A JPH06120133A JP28938992A JP28938992A JPH06120133A JP H06120133 A JPH06120133 A JP H06120133A JP 28938992 A JP28938992 A JP 28938992A JP 28938992 A JP28938992 A JP 28938992A JP H06120133 A JPH06120133 A JP H06120133A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- glass substrate
- cup
- developing
- developing solution
- Prior art date
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- Granted
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、現像装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a developing device.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来から、半導体装置の製造工程では、
被処理基板、例えば半導体ウエハやLCD用ガラス基板
上にフォトリングラフィー技術を用いて所定の回路パタ
ーンの転写を行っており、このような工程における感光
膜(フォトレジスト膜)の現像に現像装置が用いられて
いる。このような現像装置は、半導体ウエハ或いはLC
D用ガラス基板等の被処理基板を保持して回転可能に構
成された基板保持手段を備えており、この基板保持手段
の周囲を囲むようにして現像用空間を形成する如くいわ
ゆるカップ等が設けられている。また、この基板保持手
段の上方には、基板保持手段上の被処理基板に現像液及
びリンス液を供給するための現像液供給ノズル及びリン
ス液供給ノズルが設けられており、カップの底部等に
は、現像液及びリンス液を排出するための排液配管が設
けられている。2. Description of the Related Art Conventionally, in the process of manufacturing a semiconductor device,
A predetermined circuit pattern is transferred onto a substrate to be processed, for example, a semiconductor wafer or a glass substrate for LCD by using a photolinography technique, and a developing device is used for developing a photosensitive film (photoresist film) in such a process. It is used. Such a developing device is a semiconductor wafer or an LC.
It is provided with a substrate holding means configured to hold a substrate to be processed such as a D glass substrate or the like so as to be rotatable, and a so-called cup or the like is provided so as to surround the periphery of the substrate holding means to form a developing space. There is. Further, above the substrate holding means, there are provided a developing solution supply nozzle and a rinsing solution supply nozzle for supplying the developing solution and the rinsing solution to the substrate to be processed on the substrate holding means, and at the bottom of the cup or the like. Is provided with a drain pipe for draining the developing solution and the rinse solution.
【0003】そして、被処理基板を基板保持手段上に載
置して、現像液供給ノズルから被処理基板に現像液を供
給し、被処理基板上に現像液が表面張力で液盛りされた
状態として所定時間現像を行い、この後、被処理基板を
回転させて遠心力で被処理基板上の現像液を振り切り、
しかる後、リンス液供給ノズルから被処理基板に純水等
のリンス液を供給してリンスを行い、最後に被処理基板
を高速回転させて乾燥を行う。尚、使用された現像液及
び純水等のリンス液は、カップの底部等に設けられた排
液配管から外部に排出される。Then, the substrate to be processed is placed on the substrate holding means, the developer is supplied from the developer supply nozzle to the substrate to be processed, and the developer is piled up on the substrate to be processed by surface tension. As a result, the development is performed for a predetermined time, after which the substrate to be processed is rotated and the developing solution on the substrate to be processed is spun off by centrifugal force,
Thereafter, a rinse liquid such as pure water is supplied to the substrate to be processed from the rinse liquid supply nozzle to perform rinsing, and finally the substrate to be processed is rotated at a high speed to be dried. The used developing solution and rinse solution such as pure water are discharged to the outside through a drainage pipe provided at the bottom of the cup or the like.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところで、リンス操作
終了後においては、リンス液を振り切って基板を乾燥さ
せるために基板を例えば2000rpm/minもの高
速回転させているが、この場合、基板の周辺部は周速が
速いので比較的迅速に乾燥するが、周辺部の内側、特に
回転の中心部分においては周速が周辺部に対して遅くな
り、乾燥するのに時間を要することになる。このよう
に、乾燥に時間を要してしまうことから全体のスループ
ットを低下させてしまうという問題点があった。本発明
は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決す
べく創案されたものである。本発明の目的は、乾燥用気
体を用いることにより基板の迅速な乾燥を行うことがで
きる現像装置を提供することにある。By the way, after the rinse operation is completed, the substrate is rotated at a high speed of 2000 rpm / min, for example, in order to shake off the rinse liquid and dry the substrate. Since the peripheral speed is fast, it dries relatively quickly, but the peripheral speed is slower than the peripheral part inside the peripheral part, especially in the center part of the rotation, and it takes time to dry. As described above, since it takes time to dry, there is a problem that the overall throughput is reduced. The present invention has been made to pay attention to the above problems and to solve them effectively. An object of the present invention is to provide a developing device capable of quickly drying a substrate by using a drying gas.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するために、回転可能になされた基板保持手段に保
持された被処理基板に、現像液およびリンス液を順次供
給して前記被処理基板に形成された感光膜の現像を行う
現像装置において、前記基板保持手段の上方に、前記リ
ンス液によるリンス操作の後に前記被処理基板を乾燥さ
せる乾燥用気体を噴出する乾燥用気体噴出手段を設ける
ようにしたものである。SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above problems, the present invention sequentially supplies a developing solution and a rinsing solution to a substrate to be processed held by a rotatable substrate holding means. In a developing device for developing a photosensitive film formed on a substrate to be processed, a drying gas jet for jetting a drying gas for drying the substrate to be processed after the rinse operation by the rinse liquid above the substrate holding means. Means are provided.
【0006】[0006]
【作用】本発明は、以上のように構成したので、現像液
により感光膜を所定時間だけ現像処理を行うと基板保持
手段により保持されている被処理基板を回転させて現像
液を振り切り、その後、リンス液を基板上に供給し、現
像液を洗い流す。このリンス操作が終了したならば、被
処理基板を高速回転させてリンス液の振り切りを行うと
同時に、乾燥用気体噴出手段から例えば窒素ガス等の乾
燥用気体を噴出し、この気体を周速の遅い基板の回転中
心近傍の表面に当て、この部分の乾燥を促進させる。こ
れにより、全体の処理工程の迅速化を図ることが可能と
なる。Since the present invention is configured as described above, when the photosensitive film is developed by the developing solution for a predetermined time, the substrate to be processed held by the substrate holding means is rotated to shake off the developing solution, , Rinse solution is supplied onto the substrate, and the developing solution is washed away. When this rinsing operation is completed, the substrate to be processed is rotated at a high speed to shake off the rinse liquid, and at the same time, a drying gas such as nitrogen gas is jetted from the drying gas jetting means, and this gas is rotated at a peripheral speed. It is applied to the surface of the slow substrate near the center of rotation to accelerate the drying of this portion. This makes it possible to speed up the entire processing process.
【0007】[0007]
【実施例】以下に、本発明に係る現像装置の一実施例を
添付図面に基づいて詳述する。図1は本発明に係る装置
の一実施例を示す断面図、図2は本発明の現像装置が配
置された基板処理システムの構成を示す図、図3は図1
に示す現像装置の平面図である。まず、本発明に係る現
像装置2が配置される基板処理システム4について説明
する。尚、現像装置2をシステム4に組み込むことなく
単独で用いてもよいのは勿論である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the developing device according to the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings. 1 is a cross-sectional view showing an embodiment of the apparatus according to the present invention, FIG. 2 is a view showing the configuration of a substrate processing system in which the developing apparatus of the present invention is arranged, and FIG.
2 is a plan view of the developing device shown in FIG. First, the substrate processing system 4 in which the developing device 2 according to the present invention is arranged will be described. Needless to say, the developing device 2 may be used alone without being incorporated in the system 4.
【0008】この基板処理システム4は、その一側に被
処理基板として例えばLCD用ガラス基板を収容する複
数のカセット6を載置可能に構成したキャリアステーシ
ョン8を有し、この中央部には基板の搬送、位置決めを
行いつつこれを保持してメインアーム10との間で受け
渡しを行う補助アーム9が設けられている。この基板搬
送用メインアーム10は、基板処理システム4の中央部
にてその長さ方向に移動可能に2基設けられており、こ
の移送路の両側に各種処理装置が配置されている。具体
的には、この処理装置としてはキャリアステーション8
側の側方には、LCD用ガラス基板をブラシ洗浄するた
めのブラシスクラバ12及び高圧ジェット水により洗浄
を施すための高圧ジェット洗浄機14等が並設されると
共に、メインアームの移送路の反対側には本発明に係る
現像装置2が2基並設され、その隣には、2基の加熱装
置16が積み重ねて設けられている。The substrate processing system 4 has, on one side thereof, a carrier station 8 in which a plurality of cassettes 6 for accommodating glass substrates for LCDs, for example, as substrates to be processed can be placed, and a substrate is arranged in the center of the carrier station 8. An auxiliary arm 9 is provided for carrying, positioning, and holding and delivering the same to and from the main arm 10. Two substrate transfer main arms 10 are provided in the central portion of the substrate processing system 4 so as to be movable in the length direction, and various processing devices are arranged on both sides of the transfer path. Specifically, the carrier station 8 is used as this processing device.
A brush scrubber 12 for brush-cleaning the glass substrate for LCD, a high-pressure jet cleaner 14 for cleaning with high-pressure jet water, and the like are installed in parallel on the side, and the transfer path of the main arm is opposite. Two developing devices 2 according to the present invention are arranged side by side, and two heating devices 16 are stacked next to each other.
【0009】更に、この機器の側方には、接続用ユニッ
ト18を介して、LCD用ガラス基板にフォトレジスト
を塗布する前にこれを疎水化処理するアドヒージョン装
置20が設けられ、この下方には冷却用クーリング装置
22が配置されている。この装置20、22の側部には
加熱装置16が2列で2個ずつ積み重ねるようにして配
置されている。また、メインアームの移送路を挟んでこ
れら加熱装置16やアドヒージョン装置20等の反対側
にはLCD基板にフォトレジスト液を塗布するレジスト
塗布装置24が2台並設されている。尚、図示されてな
いがこれらレジスト塗布装置24の側部には、レジスト
膜に所定の微細パターンを露光するための露光装置等が
設けられる。Further, on the side of this device, an adhesion device 20 is provided via a connecting unit 18 for hydrophobizing the photoresist before applying the photoresist to the LCD glass substrate, and below the device. A cooling device 22 for cooling is arranged. The heating devices 16 are arranged on the sides of the devices 20 and 22 so that two heating devices 16 are stacked in two rows. Further, two resist coating devices 24 for coating the photoresist liquid on the LCD substrate are arranged in parallel on the opposite side of the heating device 16 and the adhesion device 20 with the main arm transfer path interposed therebetween. Although not shown, an exposure device or the like for exposing a predetermined fine pattern on the resist film is provided on the side of the resist coating device 24.
【0010】このように構成された基板処理システム4
に組み込まれる本発明の現像装置2は、図1及び図3に
示すようにその中心部には駆動モータ26により回転可
能に且つ上下動可能になされた基板保持手段としてのス
ピンチャック28が設けられており、この上面に、真空
吸着等により被処理基板として例えば最大370×45
0mmの矩形状のLCD用ガラス基板30を吸着保持し
得るように構成されている。このスピンチャック28の
周辺部には、これを囲んで現像液や洗浄水などのリンス
液の飛散を防止するための樹脂または金属製のカップ機
構32が設けられる。このカップ機構32は、その底部
が一側に傾斜されて周縁部が上方へ起立された有底円筒
形状の下カップ34と、この下カップ34の底部により
支持されて上記スピンチャック28に保持されるガラス
基板30の下部周縁部よりその外側へ下向き傾斜して設
けられるドーナツ形状の第1内カップ36と、上部中心
開口部が上記ガラス基板3の外接円より僅かに大きく設
定されると共に外側へ行くに従って下向き傾斜されて上
下動可能になされたドーナツ形状の第2内カップ38が
設けられている。The substrate processing system 4 thus configured
As shown in FIGS. 1 and 3, the developing device 2 of the present invention, which is incorporated in the present invention, is provided with a spin chuck 28 as a substrate holding means rotatably and vertically movable by a drive motor 26 as shown in FIGS. The upper surface of the substrate to be processed is, for example, 370 × 45 at maximum by vacuum suction or the like.
It is configured so that a 0 mm rectangular glass substrate 30 for LCD can be adsorbed and held. Around the periphery of the spin chuck 28, a cup mechanism 32 made of resin or metal is provided so as to surround the spin chuck 28 and prevent the rinse liquid such as the developer and the cleaning water from scattering. The cup mechanism 32 has a bottomed cylindrical lower cup 34 whose bottom portion is inclined to one side and whose peripheral portion is erected upward, and is supported by the bottom portion of the lower cup 34 and held by the spin chuck 28. The first inner cup 36 having a donut shape is provided so as to be inclined downward from the lower peripheral edge of the glass substrate 30 to the outside, and the upper center opening is set to be slightly larger than the circumscribed circle of the glass substrate 3 and outward. A doughnut-shaped second inner cup 38 is provided which is inclined downward and can be moved up and down as it goes.
【0011】更に、この第2内カップ38の外側には、
相対的に上下動可能になされて上下方向へ起立されたリ
ング状の第1外カップ40及び第2外カップ42が並設
されている。第1外カップ40の下端部及び第2外カッ
プ42の上端部にはそれぞれ係合片40A、42Aが設
けられており、第1外カップ40を上方へ持ち上げた時
にこれら係合片40A、42Aが係合して第2外カップ
42も上方へ持ち上げ得るように構成される。また、第
2外カップ42の下端部には内側へ屈曲されて第2内カ
ップ38の下端部と係合可能になされた下部係合片42
Bが形成されており、第2外カップ42が持ち上げられ
るときにこの第2内カップ38も上方へ持ち上げ得るよ
うに構成されている。Further, on the outside of the second inner cup 38,
A ring-shaped first outer cup 40 and a second outer cup 42, which are vertically movable relative to each other and are vertically erected, are arranged in parallel. Engaging pieces 40A and 42A are provided on the lower end of the first outer cup 40 and the upper end of the second outer cup 42, respectively, and these engaging pieces 40A and 42A are provided when the first outer cup 40 is lifted upward. Are engaged with each other so that the second outer cup 42 can also be lifted upward. A lower engaging piece 42 is bent inward at the lower end of the second outer cup 42 and is engageable with the lower end of the second inner cup 38.
B is formed so that when the second outer cup 42 is lifted up, the second inner cup 38 can also be lifted up.
【0012】そして、上記第1外カップ40の一部の上
端部には外側へ屈曲された持ち上げ係合片40Bが形成
されており、この部分を昇降機構44のアーム44Aに
より保持して昇降させることにより第1及び第2外カッ
プ40、42及び第2内カップ38を持ち上げ可能に構
成されている。そして、第1外カップ40のダウン(下
降)時における上端は、スピンチャック28の上端より
も約10mm程度上方に位置するように設定され、ま
た、第1外カップ40は約250mm程度上方に持ち上
げ可能になされている。下カップ34の傾斜底部の下端
部側には排液を排出するための排液配管46が接続さ
れ、他端側底部にはカップ機構32内の雰囲気を排気す
るための排気配管48が接続されている。A lifting engagement piece 40B bent outward is formed on the upper end of a portion of the first outer cup 40, and this portion is held by the arm 44A of the lifting mechanism 44 and is raised and lowered. As a result, the first and second outer cups 40, 42 and the second inner cup 38 can be lifted. The upper end of the first outer cup 40 when it is down (lowered) is set to be located above the upper end of the spin chuck 28 by about 10 mm, and the first outer cup 40 is lifted up by about 250 mm. Has been made possible. A drain pipe 46 for discharging drainage is connected to the lower end of the inclined bottom of the lower cup 34, and an exhaust pipe 48 for exhausting the atmosphere in the cup mechanism 32 is connected to the bottom of the other end. ing.
【0013】そして、カップ機構32の一側には、ガラ
ス基板30上に現像液を塗布するための現像液塗布手段
50が設けられる。この現像液塗布手段50は、図4及
び図5にも示すように矩形状のガラス基板30の短辺の
長さより僅かに長く形成された例えば内径8mm程度の
塩化ビニルよりなる中空パイプ状の現像液ヘッダ52
(現像液吐出ノズル部)を有しており、この下端部(下
面側)にはその長手方向に沿って直径約1mmの吐出孔
54が2mmピッチでもって多数形成されており、ヘッ
ダ52内の現像液をライン状に噴出し得るように構成さ
れている。このヘッダ52の両端部にはこの内部へ現像
液を供給するための現像液供給口56、56が形成され
ており、これら供給口56、56は、現像液源57に接
続されている。On one side of the cup mechanism 32, a developing solution applying means 50 for applying a developing solution onto the glass substrate 30 is provided. As shown in FIGS. 4 and 5, the developing solution applying means 50 is a hollow pipe-shaped developing device made of vinyl chloride having an inner diameter of about 8 mm, which is formed slightly longer than the length of the short side of the rectangular glass substrate 30. Liquid header 52
It has a (developing solution discharge nozzle portion), and a large number of discharge holes 54 having a diameter of about 1 mm are formed at a lower end portion (lower surface side) along the longitudinal direction thereof at a pitch of 2 mm. The developer can be jetted in a line. At both ends of the header 52, developing solution supply ports 56, 56 for supplying a developing solution to the inside are formed, and these supply ports 56, 56 are connected to a developing solution source 57.
【0014】また、ヘッダ52の長さ方向の中央部の上
側には、泡抜き口58が形成されており、ヘッダ52内
へ現像液を供給する際に発生する泡をヘッダ外へ排出す
るように構成されている。このヘッダ52の内面は、L
CD用ガラス基板表面に現像液を供給する場合には、半
導体ウエハ表面に供給する場合と異なり、パターン精度
が半導体ウエハのパターン程高くないのでウエハ表面に
供給する場合程円滑な面に仕上げる必要はなく、ヘッダ
加工を容易に行うことができる。そして、このヘッダ5
2はこれと並行に取着された棒状の支持アーム60に接
続されている。そして、カップ機構32の側部には、上
記現像液ヘッダ52をガラス基板30の長手方向へ往復
搬送させるための搬送レール62が設けられると共に、
このレール62にはレールに沿ってエアーシリンダ、ス
テッピングモーター等によって駆動されるボールスクリ
ュー、ベルト式の移動機構(図示なし)によって移動可
能になされた把持アーム64が設けられており、上記支
持アーム60を把持してヘッダ52を基板30上に沿っ
て移動し得るように構成される。尚、上記把持アーム6
4は、エアーシリンダー等を使用したメカニカルチャッ
ク機構や、真空吸着式、電磁石式のチャック等を使用し
て、対象物を把持、挟持、吸着するように構成されてい
る。A bubble removing port 58 is formed on the upper side of the central portion of the header 52 in the longitudinal direction so that bubbles generated when the developing solution is supplied into the header 52 are discharged to the outside of the header. Is configured. The inner surface of this header 52 is L
When supplying the developing solution to the surface of the glass substrate for CD, unlike the case of supplying the developing solution to the surface of the semiconductor wafer, the pattern accuracy is not as high as that of the pattern of the semiconductor wafer. Therefore, it is necessary to finish the surface as smooth as when supplying it to the surface of the wafer. Without, header processing can be performed easily. And this header 5
2 is connected to a rod-shaped support arm 60 attached in parallel therewith. A transport rail 62 for reciprocally transporting the developer header 52 in the longitudinal direction of the glass substrate 30 is provided on a side portion of the cup mechanism 32.
The rail 62 is provided with an air cylinder, a ball screw driven by a stepping motor or the like along the rail 62, and a gripping arm 64 movable by a belt type moving mechanism (not shown). Is arranged so that the header 52 can be moved along the board 30. The gripping arm 6
A mechanical chuck mechanism 4 using an air cylinder or the like, a vacuum suction type chuck, an electromagnet type chuck or the like is used to grip, sandwich, and suck an object.
【0015】また、スピンチャック28を挟んで現像液
塗布手段50の反対側には、リンス液として例えば純水
を供給するためのリンス液ヘッダ66が設けられると共
にこのヘッダ66には下方に向けて2つのリンス用ノズ
ル68、68が設けられており、現像後にリンス液源6
9から供給されるリンス液をノズル68からガラス基板
30上に吐出するように構成されている。また、このリ
ンス用ヘッダ66は、上記搬送レール62に設けた把持
アーム64により把持可能になされており、このリンス
用ヘッダ66をガラス基板の中央部まで往復搬送し得る
ように構成されている。A rinsing liquid header 66 for supplying, for example, pure water as a rinsing liquid is provided on the opposite side of the developing solution applying means 50 with the spin chuck 28 interposed therebetween, and the header 66 is directed downward. Two rinsing nozzles 68, 68 are provided for rinsing liquid source 6 after development.
The rinse liquid supplied from the nozzle 9 is discharged from the nozzle 68 onto the glass substrate 30. The rinse header 66 can be gripped by a grip arm 64 provided on the transport rail 62, and the rinse header 66 can be reciprocally transported to the center of the glass substrate.
【0016】そして、スピンチャック28の上方、例え
ば150mm上方には、本発明の特長とする乾燥用気体
噴出手段70が設けられている。この噴出手段70は、
スピンチャック28の直上に設けられた気体噴出ノズル
72を有しており、このノズル72は気体供給管74を
介して乾燥用気体源76に接続されている。そして、必
要に応じて、例えばリンス液振り切り乾燥時に乾燥用気
体として例えば清浄な窒素ガスをガラス基板30の中心
部に向けて噴出し得るように構成されている。この乾燥
用気体としては窒素ガスに限定されず、清浄空気或いは
他の不活性ガスを用いてもよい。また、このノズル72
は1つに限定されず複数設けるようにしてもよい。Above the spin chuck 28, for example, above 150 mm, a drying gas ejection means 70, which is a feature of the present invention, is provided. This ejection means 70 is
It has a gas ejection nozzle 72 provided directly above the spin chuck 28, and this nozzle 72 is connected to a drying gas source 76 via a gas supply pipe 74. Then, if necessary, for example, clean nitrogen gas as a drying gas can be ejected toward the center of the glass substrate 30 as a drying gas when the rinse liquid is shaken off. The drying gas is not limited to nitrogen gas, and clean air or other inert gas may be used. In addition, this nozzle 72
The number is not limited to one, and a plurality may be provided.
【0017】また、スピンチャック28の側部であっ
て、これと第1内カップ36との間には、ガラス基板3
0の裏面に洗浄水を噴出するための洗浄水噴射手段78
が設けられている。この洗浄水噴射手段78は、スピン
チャック28の外周に等間隔で配置された例えば4つの
洗浄水噴射ノズル80を有しており、各噴射ノズル80
は、洗浄水供給管82を介して洗浄水源84へ接続され
て必要に応じて洗浄水を噴射し得るように構成されてい
る。この場合、各噴射ノズル80のガラス基板30に対
する仰角をそれぞれ異ならせて固定的に設けてもよい
し、または、図示しないノズル角度調整機構を設けて各
ノズル80の仰角を可変にし得るように構成してもよ
い。また、上記噴射ノズル80は、第1内カップ36の
例えば中心側上面部分に埋設・取着して設けてもよい。
そして、前記駆動モータ26、現像液源57、リンス液
源69、乾燥用気体源76及び洗浄水源84を含む装置
全体の制御は、例えばマイクロコンピュータ等よりなる
制御部86により行われる。The glass substrate 3 is provided on the side of the spin chuck 28 and between the spin chuck 28 and the first inner cup 36.
Wash water jetting means 78 for jetting wash water to the back surface of 0
Is provided. The washing water jetting means 78 has, for example, four washing water jetting nozzles 80 arranged at equal intervals on the outer periphery of the spin chuck 28, and each jetting nozzle 80.
Is configured to be connected to a wash water source 84 via a wash water supply pipe 82 so that the wash water can be sprayed if necessary. In this case, the elevation angles of the ejection nozzles 80 with respect to the glass substrate 30 may be fixed and provided, or a nozzle angle adjusting mechanism (not shown) may be provided to make the elevation angles of the nozzles 80 variable. You may. Further, the injection nozzle 80 may be embedded and attached to the upper surface of the first inner cup 36, for example, on the center side.
The control of the entire apparatus including the drive motor 26, the developing solution source 57, the rinse solution source 69, the drying gas source 76, and the cleaning water source 84 is performed by a control unit 86 including, for example, a microcomputer.
【0018】次に、以上のように構成された本実施例の
動作について説明する。まず、被処理基板としてのLC
D用ガラス基板30はキャリアステーション8のカセッ
ト6内から補助アーム9を介して搬出・搬送されメイン
アーム10に受け渡され、これをブラシスクラバ12内
に搬送する。このスクラバ12内にてブラシ洗浄された
ガラス基板30は引続いて乾燥される。尚、プロセスに
応じて高圧ジェット洗浄機14内にて高圧ジェット水に
より洗浄されるようにしてもよい。この後、LCDガラ
ス基板30は、アドヒージョン処理装置20にて疎水化
処理が施され、クーリング装置22にて冷却された後、
レジスト塗布装置24にてフォトレジストすなわち感光
膜が塗布形成される。そして、このフォトレジストが加
熱装置16にて加熱されてベーキング処理が施された
後、図示しない露光装置にて所定のパターンが露光され
る。そして、露光後のガラス基板30を本発明に係る現
像装置2内へ収容し、ここで現像液により現像した後に
リンス液により現像液を洗い流し、現像処理を完了す
る。その後、処理済みのガラス基板30はキャリアステ
ーション8のカセット6内に収納された後に、搬出され
て次の処理工程に向けて移送されることになる。Next, the operation of this embodiment configured as described above will be described. First, LC as a substrate to be processed
The glass substrate 30 for D is carried out from the cassette 6 of the carrier station 8 via the auxiliary arm 9 and transferred to the main arm 10 and transferred into the brush scrubber 12. The glass substrate 30 that has been brush-cleaned in the scrubber 12 is subsequently dried. The high-pressure jet cleaning machine 14 may be cleaned with high-pressure jet water according to the process. After that, the LCD glass substrate 30 is subjected to a hydrophobic treatment by the adhesion treatment device 20 and cooled by the cooling device 22,
A photoresist, that is, a photosensitive film is applied and formed by the resist applying device 24. Then, after the photoresist is heated by the heating device 16 to be baked, a predetermined pattern is exposed by an exposure device (not shown). Then, the exposed glass substrate 30 is housed in the developing device 2 according to the present invention, where it is developed with the developing solution, and then the developing solution is washed away with the rinse solution to complete the developing process. After that, the processed glass substrate 30 is stored in the cassette 6 of the carrier station 8 and then carried out and transferred to the next processing step.
【0019】ここで上記現像装置2内における現像操作
を詳述すると、まず、スピンチャック28が上昇してメ
インアーム10からガラス基板30が受け渡され、これ
を吸着保持してスピンチャック28はダウンする。この
状態ではカップ機構32もダウン状態にある。そして、
把持アーム64を操作することによって現像液塗布手段
50の支持アーム60を把持して現像液ヘッダ52とガ
ラス基板30の短辺とが平行状態になるようにしてこれ
をガラス基板30の長手方向へスキャンさせつつ現像液
ヘッダ52に設けた多数の吐出孔54から現像液Aを吐
出させガラス基板上に液盛りする。この場合、現像液源
57から供給された現像液は現像液ヘッダ52の両端の
供給口56、56からヘッダ52内に入り、一旦、中空
部分に流入した後、小径の多数の吐出孔54から均一に
吐出される。また、この時発生した泡或いは現像液中に
含まれる泡はその中央部に設けた泡抜き口58から円滑
に排出されるので、基板30上に塗布される現像液A中
に気泡が含まれることも抑制でき、現像不良の発生を防
止することができる。Here, the developing operation in the developing device 2 will be described in detail. First, the spin chuck 28 is lifted and the glass substrate 30 is transferred from the main arm 10. The spin chuck 28 is sucked and held, and the spin chuck 28 is lowered. To do. In this state, the cup mechanism 32 is also in the down state. And
By operating the gripping arm 64, the supporting arm 60 of the developing solution applying means 50 is gripped so that the developing solution header 52 and the short side of the glass substrate 30 are parallel to each other, and the supporting arm 60 is moved in the longitudinal direction of the glass substrate 30. While scanning, the developing solution A is ejected from a large number of ejection holes 54 provided in the developing solution header 52 to fill the glass substrate. In this case, the developing solution supplied from the developing solution source 57 enters the header 52 through the supply ports 56, 56 at both ends of the developing solution header 52, once flows into the hollow portion, and then from the large number of small-diameter ejection holes 54. It is ejected uniformly. Further, the bubbles generated at this time or the bubbles contained in the developing solution are smoothly discharged from the bubble removing port 58 provided in the central portion thereof, so that the developing solution A applied on the substrate 30 contains bubbles. This can also be suppressed, and the occurrence of defective development can be prevented.
【0020】現像液ヘッダ52のスキャン速度は例えば
100mm/sec程度に限定され、その時の現像液の
供給量は、例えばガラス基板30が370×450mm
の場合には200CC程度基板上に現像液が盛られる程
度の供給量に設定する。また、吐出孔54からの現像液
のボタ落ちを防止するためには、現像液ヘッダ52を現
像液を吐出させることなくホームポジションの反対側に
一旦スキャンさせ、これをホームポジションに戻すとき
に現像液を吐出させるようにしてもよい。或いは、ワン
ウェイ方式にして吐出終了後、スキャン端で待機させる
ようにしてもよい。尚、上記吐出時のスキャン動作は1
回でもよく、複数回行うようにしてもよい。The scanning speed of the developer header 52 is limited to, for example, about 100 mm / sec, and the supply amount of the developer at that time is, for example, 370 × 450 mm for the glass substrate 30.
In the case of, the supply amount is set to about 200 CC so that the developing solution can be deposited on the substrate. Further, in order to prevent the developer from dropping from the discharge hole 54, the developer header 52 is once scanned to the opposite side of the home position without discharging the developer, and when the developer header 52 is returned to the home position, the development is performed. The liquid may be discharged. Alternatively, the one-way method may be used, and after the ejection is completed, the scanning end may be made to stand by. The scanning operation at the time of the above ejection is 1
It may be performed once or multiple times.
【0021】このように液盛り状態にして所定時間だけ
放置することにより現像操作を行い、この現像操作が終
了するとカップ機構32を駆動して第1及び第2外カッ
プ40、42及び第2内カップ38を上昇させると共に
スピンチャック28を駆動することによりガラス基板3
0を例えば200rpmの速度で回転させて遠心力によ
り基板上の現像液Aを振り切り、これと同時に、リンス
用ヘッダ66を基板30の回転中心に位置させてリンス
用ノズル68から純水のごときリンス液を基板上に噴出
して残留する現像液を洗い流す。In this way, the developing operation is performed by leaving the liquid in a puddle state for a predetermined time, and when the developing operation is completed, the cup mechanism 32 is driven to drive the first and second outer cups 40, 42 and the second inner cup. The glass substrate 3 is moved by raising the cup 38 and driving the spin chuck 28.
0 is rotated at a speed of, for example, 200 rpm, and the developer A on the substrate is shaken off by centrifugal force. At the same time, the rinse header 66 is positioned at the rotation center of the substrate 30 and the rinse nozzle 68 rinses it with pure water. The solution is jetted onto the substrate to wash away the remaining developing solution.
【0022】また、上記リンス操作と同時に、スピンチ
ャック28の外周に配置した洗浄水噴出手段70を駆動
させることにより4個の洗浄水噴出ノズル80からガラ
ス基板30の裏面外周方向に向かって洗浄水Cを噴き付
け(図6参照)、ウエハ裏面に付着しているパーティク
ルの原因となる現像液等を洗い流す。この場合、噴射ノ
ズル80の角度を変えて洗浄水の噴射角度を変えること
により、効率的に現像液を除去することが可能となる。
従って、パーティクルの発生を抑制することができるの
で歩留まりを向上させることができる。尚、このように
して振り切られた廃液は、第2内カップ38の内面や第
1内カップ36の上面で受けられて下カップ34へ流下
し、排液配管46を介して排出されると共にミストを含
むカップ内雰囲気は排気配管48を介して吸引排気さ
れ、途中に図示しないミストトラップを介して系外へ排
出される。Simultaneously with the above-mentioned rinsing operation, the washing water jetting means 70 arranged on the outer circumference of the spin chuck 28 is driven to wash the washing water from the four washing water jet nozzles 80 toward the outer circumferential surface of the back surface of the glass substrate 30. C is sprayed (see FIG. 6) to wash away the developer or the like that causes particles adhering to the back surface of the wafer. In this case, the developer can be efficiently removed by changing the angle of the spray nozzle 80 to change the spray angle of the wash water.
Therefore, since the generation of particles can be suppressed, the yield can be improved. The waste liquid thus shaken off is received by the inner surface of the second inner cup 38 and the upper surface of the first inner cup 36, flows down to the lower cup 34, is discharged through the drainage pipe 46, and is discharged into the mist. The atmosphere in the cup including is sucked and exhausted through the exhaust pipe 48, and is discharged to the outside of the system through a mist trap (not shown) on the way.
【0023】このようにして、リンス操作及び洗浄操作
が完了すると次に、ガラス基板30を例えば2000r
pm程度に高速回転させてリンス液や洗浄水の振り切り
と同時にガラス基板30の乾燥を行う。この場合、基板
の回転中心近傍は比較的周速も遅いのでリンス液の振り
切りも十分ではないので乾燥に時間を要する傾向にある
が、本実施例においてはこの振り切りと同時に乾燥用気
体噴出手段70を駆動して気体噴出ノズル72から例え
ば窒素ガスのような清浄な乾燥用気体Dを基板の中央部
に向けて噴出しているので、この気体Dの作用によりリ
ンス液の乾燥が促進されることになり、この処理工程全
体のスループットを向上させることができる。When the rinsing operation and the cleaning operation are completed in this manner, the glass substrate 30 is then removed by, for example, 2000r.
The glass substrate 30 is dried at the same time as the rinse liquid and the washing water are shaken off by rotating at a high speed of about pm. In this case, since the peripheral speed in the vicinity of the rotation center of the substrate is relatively slow, the rinsing liquid is not sufficiently shaken off, and thus it tends to take a long time to dry, but in the present embodiment, at the same time as this shakeout, the drying gas ejection means 70 Is driven to jet a clean drying gas D such as nitrogen gas toward the central portion of the substrate from the gas jet nozzle 72, and the action of the gas D accelerates the drying of the rinse liquid. Therefore, it is possible to improve the throughput of the entire processing step.
【0024】この場合、窒素ガスDの供給量は、ガラス
基板の面積にもよるが前述した大きさの場合例えば20
リットル/minの流量で10〜20秒程度供給する。
また、乾燥に要する時間を更に短くするには供給する窒
素ガスの温度をガラス基板に不都合が生じない程度に上
げておくようにしてもよい。また、乾燥用気体として
は、上述した窒素ガスの他に、清浄な空気、他の不活性
ガス等も使用し得るのは勿論である。このように、本実
施例によれば、基板乾燥時に周速の遅い基板中心部に向
けて窒素ガスを噴出するようにしたのでガラス基板の乾
燥処理を迅速に行うことが可能となる。In this case, the supply amount of the nitrogen gas D depends on the area of the glass substrate, but in the case of the above-mentioned size, for example, 20.
Supply at a flow rate of liter / min for about 10 to 20 seconds.
Further, in order to further shorten the time required for drying, the temperature of the nitrogen gas supplied may be raised to such an extent that the glass substrate is not inconvenient. Further, as the drying gas, it is needless to say that in addition to the above-mentioned nitrogen gas, clean air, other inert gas, etc. can be used. As described above, according to the present embodiment, the nitrogen gas is ejected toward the central portion of the substrate having a low peripheral speed when the substrate is dried, so that the glass substrate can be dried quickly.
【0025】尚、上記実施例では、カップ機構32の構
造として、中央上方部分に開口を設けるようにしたもの
について説明したが、この開口を覆うように蓋体を設け
るように構成してもよい。例えば、図7に示すように、
第2内カップ38の上部開口部に嵌合する蓋体87を設
ける。この蓋体87は例えばステンレス製で、中心部に
吊設部88を有し、ベアリング89を備えた吊設アーム
90の上下動によって上昇・下降し、また、回転可能に
構成されている。更に、吊設部88内には、乾燥用気体
供給管74に配管等により連通しガラス基板30に向か
って乾燥用気体を噴出するための気体噴出口91(気体
噴出ノズル)が設けられている。In the above embodiment, the structure of the cup mechanism 32 has been described in which the opening is provided in the central upper portion, but a lid may be provided so as to cover the opening. . For example, as shown in FIG.
A lid 87 that fits into the upper opening of the second inner cup 38 is provided. The lid 87 is made of, for example, stainless steel, has a suspending portion 88 in the center thereof, and can be raised / lowered by the vertical movement of a suspending arm 90 having a bearing 89, and can be rotated. Further, in the suspending portion 88, a gas ejection port 91 (gas ejection nozzle) that communicates with the drying gas supply pipe 74 by a pipe or the like to eject the drying gas toward the glass substrate 30 is provided. .
【0026】尚、この蓋体87は、ガラス基板30の上
方を密閉状態にできるように構成してもよく、また、適
宜空気流通口92を設けてもよい。上記蓋体87の嵌合
は、例えば、リンス・洗浄操作が完了後、振り切り・ガ
ラス基板30の乾燥の際に行う。すなわち、予め吊設ア
ーム90により首吊り状態で蓋体87を上昇させてお
き、振り切り、乾燥動作時に下降させ自重により、すで
に上昇している第2内カップ38の開口に嵌合させる。
そして、気体噴出口91から乾燥用気体を噴出させ既述
の通り乾燥を行う。この時、上記蓋体87がガラス基板
30上方に有るため、乾燥用気体は、この蓋体87と第
2内カップ38とガラス基板30で囲まれた空間に形成
される排気流と共に、ガラス基板30の中心部から外周
方向に向かってスムースに流れ、乾燥効果が更に上る。
更に、振り切られた洗浄水等の液滴・ミストが第2内カ
ップ38等の内壁に当たりはね返ってガラス基板30に
再付着するのを防止できる。The lid 87 may be constructed so that the upper portion of the glass substrate 30 can be hermetically sealed, and an air circulation port 92 may be provided as appropriate. The fitting of the lid 87 is performed, for example, after the rinse / cleaning operation is completed and when the glass substrate 30 is shaken off. That is, the lid 87 is lifted in advance by the hanging arm 90 in a hanging state, and is lowered during the shake-off and drying operations to be fitted by its own weight into the opening of the second inner cup 38 which is already raised.
Then, the drying gas is ejected from the gas ejection port 91 to perform the drying as described above. At this time, since the lid body 87 is above the glass substrate 30, the drying gas, together with the exhaust flow formed in the space surrounded by the lid body 87, the second inner cup 38, and the glass substrate 30, causes the glass substrate to dry. Smoothly flows from the central portion of 30 toward the outer peripheral direction to further enhance the drying effect.
Further, it is possible to prevent the droplets or mist of the washed-off cleaning water or the like from being shaken off and re-adhering to the inner wall of the second inner cup 38 or the like and reattaching to the glass substrate 30.
【0027】また、カップ機構32は、ガラス基板30
と上記蓋体87とが同時に回転するように構成してもよ
い。例えば、図8に示すように、図7の第1内カップ3
6を、上下に2分割してそれぞれ第1内カップ上36
A、第1内カップ下36Bとし、当接部93にてシーリ
ング及び滑動可能に構成する。また、第1内カップ上3
6Aの中心側はスピンチャック28に取着され、スピン
チャック28を回転させることにより第1内カップ上3
6Aも同時に回転する。尚、洗浄水噴射ノズル80から
の洗浄水を通過させるために、図示しない円環状のスリ
ットを上記第1内カップ上36Aに開口させておく。Further, the cup mechanism 32 includes the glass substrate 30.
The lid 87 may be configured to rotate at the same time. For example, as shown in FIG. 8, the first inner cup 3 of FIG.
6 is divided into upper and lower parts, and the upper inner cup 36
A, the first inner cup lower portion 36B, and the contact portion 93 is configured to be capable of sealing and sliding. Also, above the first inner cup 3
The center side of 6A is attached to the spin chuck 28, and by rotating the spin chuck 28, the upper inner cup 3
6A also rotates at the same time. In addition, in order to pass the wash water from the wash water injection nozzle 80, an annular slit (not shown) is opened on the first inner cup 36A.
【0028】次に、第2内カップ38は、例えば外周下
端部付近にて第1内カップ上36A外周下端部と取付部
材94で取着されており、第1内カップ上36Aと共に
回転可能に構成されている。すなわち、スピンチャック
28を回転させることにより、第1内カップ上36Aと
第2内カップ38及び蓋体87とは一体的に回転する。
尚、上記取付部材94は、空気がスムースに流通可能な
如く、必要最小限の大きさとし、例えば棒状体を複数個
設けたものにする。振り切り・乾燥時には、既述したよ
うに蓋体87を第2内カップ38に自重により嵌合さ
せ、スピンチャック28を回転させることによりガラス
基板30、第1内カップ上36A、第2内カップ38が
一体的に回転する。Next, the second inner cup 38 is attached to the first inner cup upper 36A outer peripheral lower end and the mounting member 94, for example, in the vicinity of the outer peripheral lower end, so that the second inner cup 38 can rotate together with the first inner cup upper 36A. It is configured. That is, by rotating the spin chuck 28, the first upper inner cup 36A, the second inner cup 38, and the lid 87 rotate integrally.
The mounting member 94 has a minimum necessary size so that air can smoothly flow, and is provided with a plurality of rod-shaped bodies, for example. At the time of shaking off and drying, as described above, the lid 87 is fitted to the second inner cup 38 by its own weight, and the spin chuck 28 is rotated to rotate the glass substrate 30, the first inner cup upper 36A, and the second inner cup 38. Rotate integrally.
【0029】この時、ガラス基板30周辺の空気・乾燥
用気体は、ガラス基板30と一緒に回転するため、ガラ
ス基板30上方付近の気流の乱れを抑制できるので、乾
燥用気体の流れはスムースに中心から外周方向に向かっ
て流れ、乾燥効果が上る。更に、振り切られた洗浄水等
の液滴・ミストが第2内カップ38等の内壁に当たりは
ね返ってガラス基板30に再付着するのを防止できる。
尚、蓋体87に設けた空気流通口92の大きさは、実際
の処理状況に対応して適宜選定して決めればよく、著し
くは塞いでしまい実質的に密閉状態にしてもよい。At this time, since the air / drying gas around the glass substrate 30 rotates together with the glass substrate 30, the turbulence of the air flow near the upper part of the glass substrate 30 can be suppressed, so that the flow of the drying gas is smooth. Flows from the center toward the outer circumference, increasing the drying effect. Further, it is possible to prevent the droplets or mist of the washed-off cleaning water or the like from being shaken off and re-adhering to the inner wall of the second inner cup 38 or the like and reattaching to the glass substrate 30.
The size of the air circulation port 92 provided in the lid body 87 may be appropriately selected and determined in accordance with the actual processing situation, and may be substantially closed and substantially sealed.
【0030】[0030]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば次
のように優れた作用効果を発揮することができる。被処
理基板の回転乾燥時に基板表面に乾燥用気体を噴出させ
るようにしたので、基板の乾燥を短時間で行うことがで
きる。従って、処理工程全体のスループットを向上させ
ることができる。As described above, according to the present invention, the following excellent operational effects can be exhibited. Since the drying gas is ejected onto the surface of the substrate when the substrate to be processed is rotationally dried, the substrate can be dried in a short time. Therefore, the throughput of the entire processing step can be improved.
【図1】本発明に係る現像装置の一実施例を示す断面図
である。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of a developing device according to the present invention.
【図2】本発明の現像装置が配置された基板処理システ
ムの構成を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a substrate processing system in which a developing device of the present invention is arranged.
【図3】図1に示す現像装置の平面図である。FIG. 3 is a plan view of the developing device shown in FIG.
【図4】現像液塗布手段を示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing a developing solution applying unit.
【図5】現像液塗布手段により現像液を塗布する状態を
示す説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram showing a state in which a developing solution is applied by a developing solution applying unit.
【図6】乾燥用気体噴出手段により被処理基板を乾燥さ
せる状態を示す説明図である。FIG. 6 is an explanatory view showing a state in which the substrate to be processed is dried by the drying gas jetting means.
【図7】本発明に係る現像装置の他の一実施例を示す断
面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing another embodiment of the developing device according to the present invention.
【図8】本発明に係る現像装置の更に他の一実施例を示
す断面図である。FIG. 8 is a sectional view showing still another embodiment of the developing device according to the present invention.
2 現像装置 28 スピンチャック(基板保持手段) 30 LCD用ガラス基板(被処理基板) 32 カップ機構 34 下カップ 36 第1内カップ 38 第2内カップ 40 第1外カップ 42 第2外カップ 50 現像液塗布手段 70 乾燥用気体噴出手段 72 気体噴出ノズル 74 気体供給管 76 乾燥用気体源 78 洗浄水噴出手段 A 現像液 C 洗浄水 D 乾燥用気体 2 developing device 28 spin chuck (substrate holding means) 30 glass substrate for LCD (substrate to be processed) 32 cup mechanism 34 lower cup 36 first inner cup 38 second inner cup 40 first outer cup 42 second outer cup 50 developer Coating means 70 Drying gas jetting means 72 Gas jetting nozzle 74 Gas supply pipe 76 Drying gas source 78 Washing water jetting means A Developer C Cleaning water D Drying gas
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 尊三 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東京 エレクトロン九州株式会社内 (72)発明者 田上 公一 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東京 エレクトロン九州株式会社内 (72)発明者 北村 晋治 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東京 エレクトロン九州株式会社内 (72)発明者 岩崎 達也 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東京 エレクトロン九州株式会社内 (72)発明者 溝崎 健吾 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東京 エレクトロン九州株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Sonzo Sato 2655 Tsukyu, Kikuyo-cho, Kikuchi-gun, Kumamoto Prefecture, Tokyo Electron Kyushu Co., Ltd. (72) Inventor Koichi Tagami 2655 Tsukyu, Kikuyo-cho, Kikuchi-gun, Kumamoto Tokyo Within Electron Kyushu Co., Ltd. (72) Shinji Kitamura, 2655 Tsukyu, Kikuyo-cho, Kikuchi-gun, Kumamoto Prefecture Tokyo Electron Kyushu Co., Ltd. (2), Tatsuya Iwasaki, 2655 Tsukyu, Kikuyo-cho, Kikuchi-gun, Kumamoto Tokyo Electron Kyushu Co., Ltd. (72) Inventor Kengo Mizozaki 2655 Tsukyu, Kikuyo-cho, Kikuchi-gun, Kumamoto Prefecture Tokyo Electron Kyushu Co., Ltd.
Claims (2)
された被処理基板に、現像液およびリンス液を順次供給
して前記被処理基板に形成された感光膜の現像を行う現
像装置において、前記基板保持手段の上方に、前記リン
ス液によるリンス操作の後に前記被処理基板を乾燥させ
る乾燥用気体を噴出する乾燥用気体噴出手段を設けたこ
とを特徴とする現像装置。1. A developing device for developing a photosensitive film formed on a substrate to be processed by sequentially supplying a developing solution and a rinse liquid to the substrate to be processed held by a rotatable substrate holding means, A developing device, comprising: above the substrate holding means, a drying gas jetting means for jetting a drying gas for drying the substrate to be processed after the rinse operation with the rinse liquid.
液によるリンス操作時に前記被処理基板の裏面に洗浄水
を噴出する洗浄水噴出手段を設けたことを特徴とする請
求項1記載の現像装置。2. The developing device according to claim 1, further comprising: below the substrate holding means, cleaning water spraying means for spraying cleaning water onto the back surface of the substrate to be processed at the time of a rinse operation with the rinse liquid. apparatus.
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5626913A (en) * | 1994-03-09 | 1997-05-06 | Tokyo Electron Limited | Resist processing method and apparatus |
JP2007214200A (en) * | 2006-02-07 | 2007-08-23 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Developing device and developing method |
KR100822937B1 (en) * | 2001-04-05 | 2008-04-17 | 동경 엘렉트론 주식회사 | Solution treatment unit |
US7387131B2 (en) | 2002-01-30 | 2008-06-17 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus and substrate processing method |
JP2009071027A (en) * | 2007-09-13 | 2009-04-02 | Sokudo:Kk | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US8501025B2 (en) | 2010-03-31 | 2013-08-06 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method |
-
1992
- 1992-10-02 JP JP28938992A patent/JP2971681B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5626913A (en) * | 1994-03-09 | 1997-05-06 | Tokyo Electron Limited | Resist processing method and apparatus |
KR100822937B1 (en) * | 2001-04-05 | 2008-04-17 | 동경 엘렉트론 주식회사 | Solution treatment unit |
US7387131B2 (en) | 2002-01-30 | 2008-06-17 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus and substrate processing method |
JP2007214200A (en) * | 2006-02-07 | 2007-08-23 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Developing device and developing method |
JP2009071027A (en) * | 2007-09-13 | 2009-04-02 | Sokudo:Kk | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US10134610B2 (en) | 2007-09-13 | 2018-11-20 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate processing method for drying a substrate by discharging gas to liquid layer on the substrate while rotating the substrate |
US8501025B2 (en) | 2010-03-31 | 2013-08-06 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method |
US9899240B2 (en) | 2010-03-31 | 2018-02-20 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treatment apparatus |
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