JPH0549253U - Semiconductor wafer polishing machine - Google Patents
Semiconductor wafer polishing machineInfo
- Publication number
- JPH0549253U JPH0549253U JP10597591U JP10597591U JPH0549253U JP H0549253 U JPH0549253 U JP H0549253U JP 10597591 U JP10597591 U JP 10597591U JP 10597591 U JP10597591 U JP 10597591U JP H0549253 U JPH0549253 U JP H0549253U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carrier plate
- polishing
- polishing liquid
- wafer
- recess
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 研磨液がウェーハと研磨布の間に均等に供給
されるウェーハの研磨機を提供することである。
【構成】 研磨液がキャリヤープレートを押圧する軸を
経由せずに供給され、そして好ましくは、キャリヤープ
レートが軸と自在ジョイントを介して押圧されるように
構成した。
【効果】 ウェーハの押圧が自在ジョイントを介して行
われても、研磨液が円滑に供給され、厚さが一様で、且
つ平坦度が良好なウェーハが得られる。
(57) [Summary] [Object] To provide a wafer polishing machine in which a polishing liquid is uniformly supplied between a wafer and a polishing cloth. The polishing liquid is supplied without passing through a shaft for pressing the carrier plate, and preferably the carrier plate is pressed through a universal joint with the shaft. [Effect] Even if the wafer is pressed through the universal joint, the polishing liquid is smoothly supplied, and a wafer having a uniform thickness and good flatness can be obtained.
Description
【0001】[0001]
本考案は半導体ウェーハ研磨機に関するものである。更に詳しくは、GaAs 、GaP、InP及びSi等の半導体ウェーハを鏡面に研磨する半導体ウェーハ 研磨機に関するものである。 The present invention relates to a semiconductor wafer polishing machine. More specifically, it relates to a semiconductor wafer polishing machine for polishing a semiconductor wafer of GaAs, GaP, InP, Si or the like into a mirror surface.
【0002】[0002]
半導体ウェーハ(以下単にウェーハと言う)は種々のデバイス用基板として使 用される。デバイスメーカーに供給される鏡面ウェーハに仕上げるまでの加工工 程をGaAsを例に取り説明する。先ず、液体封止チョクラルスキー法等により 引き上げられた円柱状のGaAs単結晶を外周研削して所定の径に仕上げ、続い て内周刃スライサーによって所定の厚さのウェーハに切り出す。次に外周の面取 りを行い、後の加工工程及びデバイスプロセスにおける破損を防ぐためウェーハ 端部の強度を増す。次にスライス時のソーマークの除去及びウェーハの厚さを揃 えるためにラッピングが行われ、その後エッチングによって表面の加工変質層が 除去され研磨工程に引き継がれる。デバイス及びデバイスプロセスの要件により 異なる工程を経由するが、最終的にウェーハはキャリヤープレートに貼付され、 片面仕上げ研磨がウェーハ加工の最終工程となる。 Semiconductor wafers (hereinafter simply referred to as wafers) are used as substrates for various devices. The processing process until the mirror-finished wafer supplied to the device maker is finished is explained using GaAs as an example. First, a cylindrical GaAs single crystal pulled up by the liquid-encapsulated Czochralski method or the like is outer peripherally ground to have a predetermined diameter, and subsequently cut into a wafer having a predetermined thickness by an inner peripheral blade slicer. Next, the outer edge is chamfered to increase the strength of the wafer edge to prevent damage in the subsequent processing and device processes. Next, lapping is performed to remove saw marks at the time of slicing and make the thickness of the wafer uniform, and then the work-affected layer on the surface is removed by etching and the process is continued to the polishing process. Depending on the device and the device process requirements, the wafer is finally attached to the carrier plate, and single-sided finish polishing is the final step of wafer processing.
【0003】 ウェーハの厚さの一様性及び研磨面の平坦度は半導体デバイス用基板として、 特に厳しい規格が設定されている。良好なウェーハを得るためには、研磨時に各 ウェーハと研磨布との間に研磨材の懸濁した研磨液が均等に供給されることは、 研磨圧、回転速度等と共に極めて重要であり、従来より研磨液供給に関する研究 がなされている。For the substrate for semiconductor devices, particularly strict standards are set for the uniformity of the thickness of the wafer and the flatness of the polished surface. In order to obtain a good wafer, it is extremely important that the polishing liquid in which the polishing material is suspended is supplied evenly between each wafer and the polishing cloth during polishing, together with the polishing pressure, rotation speed, etc. More research has been conducted on the supply of polishing liquid.
【0004】 特開平2−152770号公報には、回転機構を有する定盤上に研磨布が設け られ、該研磨布と当接し、定盤の回転により摺動回転する複数の研磨プレートに 取付られた複数のウェハを研磨するウェハ研磨装置において、定盤の中心に研磨 液供給管を設けると共に、複数の研磨プレートの中心に研磨液供給管を設けたこ とを特徴とするウェハ研磨装置が開示されている。 これを図10により説明すれば次の通りである。円形の研磨布2は大きな円盤 状の研磨定盤3の面に貼設されている。ウェーハ1は円盤状のキャリヤープレー ト4にワックス9により貼付され、キャリヤープレート4がキャリヤープレート 受け5に回動自在に上から支持されている。キャリヤープレート受け5と係合し 、押圧する軸6は研磨定盤3の回転軸3aと異なる軸位置に固定され、回転する キャリヤープレート受け5を支持する。キャリヤープレート4の下に位置する研 磨定盤3が回転軸3aを中心に強制的に回転される。そうするとキャリヤープレ ート4は軸6を中心として倣い回転し、ウェーハ1は研磨布2上を摺動するよう になっている。この際、ウェーハ1と研磨布2との間には軸6を介して所定の負 荷が課せられる。 研磨液供給管7は研磨定盤3の中央上部と、キャリヤープレ ート受け5と係合し押圧する軸6の中央部に貫通して設けられ、研磨液8は研磨 定盤3の中央及びキャリヤープレート4の中央において供給される。In Japanese Unexamined Patent Publication No. 2-152770, a polishing cloth is provided on a surface plate having a rotating mechanism, and the polishing cloth is attached to a plurality of polishing plates that come into contact with the polishing cloth and slide and rotate by the rotation of the surface plate. Disclosed is a wafer polishing apparatus for polishing a plurality of wafers, wherein a polishing solution supply pipe is provided at the center of a surface plate and a polishing solution supply pipe is provided at the center of a plurality of polishing plates. ing. This will be described below with reference to FIG. The circular polishing cloth 2 is attached to the surface of a large disk-shaped polishing surface plate 3. The wafer 1 is attached to a disc-shaped carrier plate 4 by a wax 9, and the carrier plate 4 is rotatably supported by a carrier plate receiver 5 from above. A shaft 6 that engages with and presses the carrier plate receiver 5 is fixed at an axial position different from the rotation shaft 3a of the polishing platen 3 and supports the rotating carrier plate receiver 5. The polishing platen 3 located below the carrier plate 4 is forcibly rotated about the rotary shaft 3a. Then, the carrier plate 4 is rotated around the shaft 6 so that the wafer 1 slides on the polishing cloth 2. At this time, a predetermined load is imposed between the wafer 1 and the polishing cloth 2 via the shaft 6. The polishing liquid supply pipe 7 is provided so as to penetrate through the central upper portion of the polishing platen 3 and the central portion of the shaft 6 which engages and presses the carrier plate receiver 5, and the polishing liquid 8 is provided at the center of the polishing platen 3 and It is supplied at the center of the carrier plate 4.
【0005】[0005]
特開平2−152770号公報に開示されたウェハ研磨装置は、図10に示し たように研磨液8をキャリヤープレート4の中央において供給するためには、研 磨液供給管7を軸6の中央部を貫通させ、キャリヤープレート受け5とキャリヤ ープレート4の中央に開口しなければならない。そのため軸6とキャリヤープレ ート受け5の係合部に貫通孔を設けるために、装置の構造上大きな制約を受ける と言う問題が生じていた。特に軸6とキャリヤープレート受け5の係合を自在ジ ョイントにより行い、軸6からの押圧力がウェーハ1と研磨布2の間に均等に負 荷されるような機構を有する装置においては、従来の研磨液供給管7の適用は不 可能であった。 In the wafer polishing apparatus disclosed in JP-A-2-152770, as shown in FIG. 10, in order to supply the polishing liquid 8 at the center of the carrier plate 4, the polishing liquid supply pipe 7 is provided at the center of the shaft 6. It must penetrate through and open in the center of the carrier plate receiver 5 and carrier plate 4. Therefore, there is a problem that the structure of the device is greatly restricted because the through hole is provided in the engaging portion between the shaft 6 and the carrier plate receiver 5. Particularly, in an apparatus having a mechanism in which the shaft 6 and the carrier plate receiver 5 are engaged by a free joint, and the pressing force from the shaft 6 is evenly applied between the wafer 1 and the polishing cloth 2, It was impossible to apply the polishing liquid supply pipe 7 of the above.
【0006】 本考案は上記の課題に鑑み、研磨液がキャリヤープレートを押圧する軸を経由 せずにウェーハと研磨布の間に均等に供給されるウェーハの研磨機を提供するこ とを目的とする。In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a wafer polishing machine in which a polishing liquid is uniformly supplied between a wafer and a polishing cloth without passing through a shaft that presses a carrier plate. To do.
【0007】[0007]
本考案は、軸を中心に回転する研磨定盤に貼設された研磨布に、押圧固定軸を 中心に回転するキャリヤープレートに、少なくも2枚以上貼付けられた半導体ウ ェーハを研磨液の存在下に押圧摺動して研磨する半導体ウェーハ研磨機において 、キャリヤープレートには上面の中央部でない位置に研磨液の流入する凹部、及 び凹部より下面に貫通し研磨液を吐出する管が設けられている半導体ウェーハの 研磨機を構成した。 又は、キャリヤープレートはキャリヤープレート受けを介して押圧され、キャ リヤープレート受けには上面の中央部でない位置に研磨液の流入する凹部、及び 凹部より下面に貫通する孔が設けられ、キャリヤープレートには孔に対向し、上 面より下面に貫通して研磨液を吐出する管が設けられている半導体ウェーハの研 磨機を構成した。 又は、キャリヤープレートはパッキンを介在し、且つキャリヤープレート受け を介して押圧され、キャリヤープレート受けには上面の中央部でない位置に研磨 液の流入する凹部、及び凹部より下面に貫通する孔が設けられ、パッキンには孔 に対向し、上面より下面に貫通する空隙部が設けられ、キャリヤープレートには 空隙部に対向し、上面より下面に貫通し研磨液を吐出する管が設けられている半 導体ウェーハの研磨機を構成した。 そして好ましくは、キャリヤープレート又はキャリヤープレート受けが押圧固 定軸と自在ジョイントにより係合するように構成した。 The present invention uses a polishing cloth attached to a polishing surface plate that rotates about an axis, a carrier plate that rotates about a pressure-fixed axis, and at least two semiconductor wafers attached to a polishing plate. In a semiconductor wafer polishing machine that presses and slides down to polish, the carrier plate is provided with a recess into which the polishing liquid flows at a position other than the center of the upper surface, and a pipe which penetrates the recess to the lower surface and discharges the polishing liquid. The semiconductor wafer polishing machine was constructed. Alternatively, the carrier plate is pressed through the carrier plate receiver, and the carrier plate receiver is provided with a concave portion into which polishing liquid flows at a position other than the central portion of the upper surface and a hole penetrating from the concave portion to the lower surface. A polishing machine for semiconductor wafers was provided with a pipe facing the hole and penetrating from the upper surface to the lower surface to discharge the polishing liquid. Alternatively, the carrier plate is pressed by the carrier plate receiver via the packing, and the carrier plate receiver is provided with a recess into which the polishing liquid flows at a position other than the central portion of the upper surface and a hole penetrating from the recess to the lower surface. , The packing is provided with a cavity facing the hole and penetrating from the upper surface to the lower surface, and the carrier plate is provided with a pipe facing the cavity and penetrating from the upper surface to the lower surface to discharge the polishing liquid. A wafer polisher was constructed. And, preferably, the carrier plate or the carrier plate receiver is configured to be engaged with the pressure fixing shaft by a universal joint.
【0008】[0008]
研磨液がキャリヤープレートを押圧する軸を経由せずに、研磨液がウェーハと 研磨布の間に均等に供給される。 The polishing liquid is evenly supplied between the wafer and the polishing cloth without passing through the shaft that presses the carrier plate.
【0009】[0009]
本考案の第1の実施例を図1〜図5により説明する。図1は研磨機の側断面部 分図、図2はウェーハの貼付されたキャリヤープレートの平面図、図3はキャリ ヤープレート受けの平面図、図4はパッキンの平面図、図5はウェーハの貼付さ れたキャリヤープレートの側断面図である。 円形の研磨布2は直径780mmの円盤状の研磨定盤3の面に貼設されている 。ウェーハ1は直径76mm、厚さ0.7mmで、円盤状のキャリヤープレート 4にワックス9により4枚貼付され、キャリヤープレート4がキャリヤープレー ト受け5と一体化して回動するように上から支持されている。キャリヤープレー ト4とキャリヤープレート受け5との間には円環状のパッキン12が挿入されて いる。 A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 is a side sectional view of a polishing machine, FIG. 2 is a plan view of a carrier plate to which a wafer is attached, FIG. 3 is a plan view of a carrier plate receiver, FIG. 4 is a plan view of packing, and FIG. It is a sectional side view of the carrier plate attached. The circular polishing cloth 2 is attached to the surface of a disk-shaped polishing platen 3 having a diameter of 780 mm. The wafer 1 has a diameter of 76 mm and a thickness of 0.7 mm, and four wafers 9 are attached to a disk-shaped carrier plate 4 with wax 9. The carrier plate 4 is supported from above so as to rotate integrally with the carrier plate receiver 5. ing. An annular packing 12 is inserted between the carrier plate 4 and the carrier plate receiver 5.
【0010】 キャリヤープレート受け5と係合し、押圧する軸6は研磨定盤3の回転軸3a と異なる軸位置に固定され、自在ジョイント13により回転するキャリヤープレ ート受け5を支持する。自在ジョイント13はキャリヤープレート受け5の上面 中央に設けられた凹部(不図示)と軸6との間がベアリング方式になっており、 これにより高速回転可能とし、高能率に研磨を進行させるためである。キャリヤ ープレート4の下に位置する研磨定盤3が回転軸3aを中心に強制的に回転され る。そうするとキャリヤープレート4は軸6を中心として倣い回転し、ウェーハ 1は研磨布2上を摺動するようになっている。この際、ウェーハ1と研磨布2と の間には軸6を介して所定の負荷が課せられる。軸6は4本が一般的であるが、 1軸乃至2軸の機構でもよい。A shaft 6 that engages with and presses the carrier plate receiver 5 is fixed at an axial position different from the rotating shaft 3 a of the polishing platen 3, and supports a rotating carrier plate receiver 5 by a universal joint 13. The universal joint 13 has a bearing system between a recess (not shown) provided in the center of the upper surface of the carrier plate receiver 5 and the shaft 6, which enables high-speed rotation and promotes polishing efficiently. is there. The polishing platen 3 located below the carrier plate 4 is forcibly rotated about the rotation shaft 3a. Then, the carrier plate 4 is rotated around the shaft 6 so that the wafer 1 slides on the polishing cloth 2. At this time, a predetermined load is applied between the wafer 1 and the polishing cloth 2 via the shaft 6. Four shafts 6 are generally used, but a uniaxial or biaxial mechanism may be used.
【0011】 研磨液8を供給する研磨液供給管7はキャリヤープレート受け5の上方に設け られ、キャリヤープレート受け5の上面に円周状に刻設された溝10に対向して いる。キャリヤープレート受け5には上面の溝10より下面に貫通して複数の孔 11が設けられている。孔11に対向して円環状のパッキン12には中央の欠円 部があり、流通空間14を形成している。キャリヤープレート4の中央に研磨液 の吐出する孔15が設けられている。A polishing liquid supply pipe 7 for supplying the polishing liquid 8 is provided above the carrier plate receiver 5 and faces a groove 10 formed in a circumferential shape on the upper surface of the carrier plate receiver 5. The carrier plate receiver 5 has a plurality of holes 11 penetrating from the groove 10 on the upper surface to the lower surface. The ring-shaped packing 12 is opposed to the hole 11 and has a central cutout portion to form a circulation space 14. A hole 15 through which the polishing liquid is discharged is provided in the center of the carrier plate 4.
【0012】 次に研磨の動作に付いて説明する。 ウェーハ1をキャリヤープレート4にワックス9により4枚貼付し、研磨液8 を研磨液供給管7より50ml/min供給し、研磨定盤3を40rpmで回転 するとウェーハ1は研磨布2上を摺動し研磨され、その間キャリヤープレート4 は約40rpmで倣い回転する。パッキン12を介しキャリヤープレート受け5 が回転する。Next, the polishing operation will be described. Wafers 1 are attached to carrier plate 4 with wax 9 four times, polishing liquid 8 is supplied from polishing liquid supply pipe 7 at 50 ml / min, and polishing platen 3 is rotated at 40 rpm, so that wafer 1 slides on polishing cloth 2. Then, the carrier plate 4 is copied and rotated at about 40 rpm. The carrier plate receiver 5 rotates via the packing 12.
【0013】 研磨液8は研磨液供給管7からキャリヤープレート受け5の溝10に流下し、 孔11を通過してパッキン12中央の流通空間14に出て、しかる後キャリヤー プレート4の孔15から流出し、ウェーハ1と研磨布2に供給され研磨が行われ 、図5に示す研磨前のウェーハ1aは研磨後のウェーハ1bと一様に研磨が進み 、平滑な平坦度の良い研磨面が得られる。The polishing liquid 8 flows down from the polishing liquid supply pipe 7 into the groove 10 of the carrier plate receiver 5, passes through the hole 11 and exits into the flow space 14 at the center of the packing 12, and then from the hole 15 of the carrier plate 4. The wafer 1 flows out and is supplied to the wafer 1 and the polishing cloth 2 for polishing, and the wafer 1a before polishing shown in FIG. 5 progresses uniformly with the wafer 1b after polishing to obtain a smooth polished surface with good flatness. Be done.
【0014】 本考案の第2の実施例を図6及び図7により説明する。図6は研磨機の側断面 部分図、図7はウェーハの貼付されたキャリヤープレートの平面図である。 第1の実施例と同一又は類似の点は説明を省略する。本実施例は、キャリヤー プレート4とキャリヤープレート受け5との間にパッキン12が挿入されていな い。A second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 6 and 7. FIG. 6 is a partial side sectional view of the polishing machine, and FIG. 7 is a plan view of a carrier plate to which a wafer is attached. The description of the same or similar points as in the first embodiment will be omitted. In this embodiment, the packing 12 is not inserted between the carrier plate 4 and the carrier plate receiver 5.
【0015】 キャリヤープレート受け5の上面には溝10が、又上面より下面に貫通して複 数の孔11が中央から離れた位置に設けられている。孔11に対向してキャリヤ ープレート4に研磨液の吐出する孔15が複数設けられている。A groove 10 is formed on the upper surface of the carrier plate receiver 5, and a plurality of holes 11 are formed at a position away from the center, penetrating from the upper surface to the lower surface. A plurality of holes 15 through which the polishing liquid is discharged are provided in the carrier plate 4 so as to face the holes 11.
【0016】 研磨の際、研磨液8は研磨液供給管7からキャリヤープレート受け5の溝10 に流下し、孔11を通過し、しかる後キャリヤープレート4の孔15から流出し 、ウェーハ1と研磨布2に供給され研磨が行われる。孔15が中央から離れた位 置に複数あり複数のウェーハ1に研磨液8が均等に供給され、平滑な平坦度の良 い研磨面が得られる。At the time of polishing, the polishing liquid 8 flows down from the polishing liquid supply pipe 7 into the groove 10 of the carrier plate receiver 5, passes through the hole 11, and then flows out from the hole 15 of the carrier plate 4 and the wafer 1 and the polishing plate. The cloth 2 is supplied and polished. There are a plurality of holes 15 apart from the center, and the polishing liquid 8 is evenly supplied to the plurality of wafers 1 to obtain a smooth polished surface with good flatness.
【0017】 本考案の第3の実施例を図8及び図9により説明する。図8は研磨機の側断面 部分図、図9はウェーハの貼付されたキャリヤープレートの平面図である。 第1の実施例と同一又は類似の点は説明を省略する。本実施例は、キャリヤー プレート4がキャリヤープレート受け5を介さず直接軸6により押圧される。A third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 8 and 9. FIG. 8 is a side sectional partial view of the polishing machine, and FIG. 9 is a plan view of a carrier plate to which a wafer is attached. The description of the same or similar points as in the first embodiment will be omitted. In this embodiment, the carrier plate 4 is directly pressed by the shaft 6 without the carrier plate receiver 5.
【0018】 キャリヤープレート4の上面には溝10aが、又上面より下面に貫通して研磨 液の吐出する孔15が設けられている。孔15の開口部は大きくほぼ四角形をし てウェーハ1を囲うように形成されている。A groove 10 a is provided on the upper surface of the carrier plate 4, and a hole 15 for penetrating the polishing liquid from the upper surface to the lower surface is provided. The opening of the hole 15 has a large, substantially rectangular shape and is formed so as to surround the wafer 1.
【0019】 研磨の際、研磨液8は研磨液供給管7からキャリヤープレート4の溝10aに 流下し、孔15から流出し、ウェーハ1と研磨布2に供給され研磨が行われる。 孔15が大きくほぼ四角形でありウェーハ1を囲うように形成されていて、4枚 のウェーハ1に研磨液8が均等に供給され、平滑な平坦度の良い研磨面が得られ る。At the time of polishing, the polishing liquid 8 flows down from the polishing liquid supply pipe 7 into the groove 10 a of the carrier plate 4, flows out from the hole 15, and is supplied to the wafer 1 and the polishing cloth 2 for polishing. The holes 15 are large and substantially rectangular and are formed so as to surround the wafer 1. The polishing liquid 8 is evenly supplied to the four wafers 1, and a smooth polished surface with good flatness can be obtained.
【0020】 GaAsの直径76mm、厚さ0.7mmのウェーハを使用し、上記3実施例 の研磨機により各20枚研磨を行った。ウェーハの全面の平均研磨量は30μm であった。Using a GaAs wafer having a diameter of 76 mm and a thickness of 0.7 mm, 20 wafers each were polished by the polishing machine of the above-mentioned 3 examples. The average polishing amount on the entire surface of the wafer was 30 μm.
【0021】 研磨面各20枚のT.T.V.、Taper及びL.T.V.の平均値は次の 範囲にあり良好であった。 ウェーハを基準平面に吸着した状態でのウェーハ高さの最大値と最小値の差( T.T.V.)は1.2〜2.7μm、基準平面に吸着した状態でのウェーハ高 さの最小自乗平面の傾き(Taper)は0.5〜1.2μm、基準平面に吸着 した状態でのウェーハの任意の径15mm角内領域におけるウェーハ高さの最大 値と最小値の差(L.T.V.)は0.6〜1.1μmであった。T. each of 20 polishing surfaces. T. V. , Taper and L .; T. V. The average value of was within the following range and was good. The difference (TTV) between the maximum value and the minimum value of the wafer height when the wafer is adsorbed on the reference plane is 1.2 to 2.7 μm, and the difference between the wafer height when the wafer is adsorbed on the reference plane is The slope of the least squares plane (Taper) is 0.5 to 1.2 μm, and the difference between the maximum and minimum values of the wafer height (LT) in an area within a 15 mm square with an arbitrary diameter of the wafer adsorbed on the reference plane. .V.) Was 0.6 to 1.1 μm.
【0022】[0022]
以上説明したように本考案により、研磨液がキャリヤープレートを押圧する軸 を経由せず、ウェーハと研磨布の間に均等に供給され、厚さが一様で、且つ平坦 度が良好なウェーハが得られる。そしてウェーハの押圧が自在ジョイントを介し て行うことも可能となる。 As described above, according to the present invention, the polishing liquid is uniformly supplied between the wafer and the polishing cloth without passing through the shaft that presses the carrier plate, and the wafer having a uniform thickness and good flatness is obtained. can get. Then, it becomes possible to press the wafer through the universal joint.
【図1】第1の実施例の研磨機の側断面部分図である。FIG. 1 is a partial side sectional view of a polishing machine according to a first embodiment.
【図2】第1の実施例のウェーハの貼付されたキャリヤ
ープレートの平面図である。FIG. 2 is a plan view of a carrier plate to which the wafer according to the first embodiment is attached.
【図3】第1の実施例のキャリヤープレート受けの平面
図である。FIG. 3 is a plan view of a carrier plate receiver according to the first embodiment.
【図4】第1の実施例のパッキンの平面図である。FIG. 4 is a plan view of the packing of the first embodiment.
【図5】第1の実施例のウェーハの貼付されたキャリヤ
ープレートの側断面図である。FIG. 5 is a side sectional view of the carrier plate to which the wafer of the first embodiment is attached.
【図6】第2の実施例の研磨機の側断面部分図である。FIG. 6 is a partial side sectional view of a polishing machine according to a second embodiment.
【図7】第2の実施例のウェーハの貼付されたキャリヤ
ープレートの平面図である。FIG. 7 is a plan view of a carrier plate to which the wafer of the second embodiment is attached.
【図8】第3の実施例の研磨機の側断面部分図である。FIG. 8 is a partial side sectional view of a polishing machine according to a third embodiment.
【図9】第3の実施例のウェーハの貼付されたキャリヤ
ープレートの平面図である。FIG. 9 is a plan view of a carrier plate to which a wafer according to a third embodiment is attached.
【図10】従来の研磨機の側断面部分図である。FIG. 10 is a partial side sectional view of a conventional polishing machine.
1...ウェーハ、 2...研磨布、 3...研磨
定盤、3a...回転軸、4...キャリヤープレー
ト、 5...キャリヤープレート受け、 6...
軸、7...研磨液供給管、8...研磨液、9...
ワックス、10...溝、11...孔、12...パ
ッキン、12...パッキン、13...自在ジョイン
ト、14...流通空間、15...孔、1. . . Wafer, 2. . . Polishing cloth, 3. . . Polishing surface plate, 3a. . . Axis of rotation, 4. . . Carrier plate, 5. . . Carrier plate receiver, 6. . .
Axis, 7. . . Polishing liquid supply pipe, 8. . . Polishing liquid, 9. . .
Wax, 10. . . Groove, 11. . . Holes, 12. . . Packing, 12. . . Packing, 13. . . Universal joint, 14. . . Distribution space, 15. . . Hole,
Claims (5)
た研磨布に、押圧固定軸を中心に回転するキャリヤープ
レートに少なくも2枚以上貼付けられた半導体ウェーハ
を研磨液の存在下に押圧摺動して研磨する半導体ウェー
ハ研磨機において、 該キャリヤープレートに上面の中央部でない位置に研磨
液の流入する凹部、及び該凹部より下面に貫通し研磨液
を吐出する管が設けられていることを特徴とする半導体
ウェーハの研磨機。1. A polishing cloth affixed to a polishing platen rotating about an axis, and at least two or more semiconductor wafers affixed to a carrier plate rotating about a fixed pressure axis in the presence of a polishing liquid. In a semiconductor wafer polishing machine that presses and slides on a surface of the carrier plate, the carrier plate is provided with a concave portion into which a polishing liquid flows at a position other than the central portion of the upper surface, and a pipe penetrating the lower surface from the concave portion to discharge the polishing liquid. A polishing machine for semiconductor wafers characterized in that
ない位置に研磨液の流入する凹部、及び該凹部より下面
に貫通し研磨液を吐出する管が設けられていることに代
え、 該キャリヤープレートはキャリヤープレート受けを介し
て押圧され、該キャリヤープレート受けには上面の中央
部でない位置に研磨液の流入する凹部、及び該凹部より
下面に貫通する孔が設けられ、該キャリヤープレートに
は該孔に対向し、上面より下面に貫通して研磨液を吐出
する管が設けられていることを特徴とする請求項1に記
載された半導体ウェーハの研磨機。2. The carrier plate is provided with a recess into which a polishing liquid flows in at a position other than the central portion of the upper surface, and a pipe penetrating from the recess to a lower surface to discharge the polishing liquid, instead of the carrier plate. The carrier plate receiver is pressed through the carrier plate receiver, and the carrier plate receiver is provided with a recess into which polishing liquid flows at a position other than the central portion of the upper surface, and a hole penetrating from the recess to the lower surface. The semiconductor wafer polishing machine according to claim 1, further comprising: pipes facing each other and penetrating from an upper surface to a lower surface to discharge a polishing liquid.
ない位置に研磨液の流入する凹部、及び該凹部より下面
に貫通し研磨液を吐出する管が設けられていることに代
え、 該キャリヤープレートはパッキンを介在し、且つキャリ
ヤープレート受けを介して押圧され、該キャリヤープレ
ート受けには上面の中央部でない位置に研磨液の流入す
る凹部、及び該凹部より下面に貫通する孔が設けられ、
該パッキンには該孔に対向し、上面より下面に貫通する
空隙部が設けられ、該キャリヤープレートには該空隙部
に対向し、上面より下面に貫通し研磨液を吐出する管が
設けられていることを特徴とする請求項1に記載された
半導体ウェーハの研磨機。3. The carrier plate is provided with a recess into which the polishing liquid flows in at a position other than the central portion of the upper surface, and a pipe penetrating from the recess to the lower surface to discharge the polishing liquid, instead of the carrier plate. The packing is interposed and pressed by the carrier plate receiver, and the carrier plate receiver is provided with a recess into which polishing liquid flows at a position other than the central portion of the upper surface, and a hole penetrating from the recess to the lower surface,
The packing is provided with a cavity facing the hole and penetrating from the upper surface to the lower surface, and the carrier plate is provided with a tube facing the cavity and penetrating from the upper surface to the lower surface to discharge the polishing liquid. The semiconductor wafer polishing machine according to claim 1, wherein the polishing machine is a semiconductor wafer polishing machine.
自在ジョイントにより係合することを特徴とする請求項
1に記載された半導体ウェーハの研磨機。4. The semiconductor wafer polishing machine according to claim 1, wherein the carrier plate is engaged with the pressing fixed shaft by a universal joint.
軸と自在ジョイントにより係合することを特徴とする請
求項2及び3に記載された半導体ウェーハの研磨機。5. The semiconductor wafer polishing machine according to claim 2, wherein the carrier plate receiver is engaged with the pressing fixed shaft by a universal joint.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10597591U JPH0549253U (en) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | Semiconductor wafer polishing machine |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10597591U JPH0549253U (en) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | Semiconductor wafer polishing machine |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0549253U true JPH0549253U (en) | 1993-06-29 |
Family
ID=14421767
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10597591U Pending JPH0549253U (en) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | Semiconductor wafer polishing machine |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0549253U (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000317812A (en) * | 1999-03-26 | 2000-11-21 | Applied Materials Inc | Carrier head for supplying polishing slurry |
JP2011230209A (en) * | 2010-04-26 | 2011-11-17 | Sumco Corp | Polishing solution distribution apparatus, and polishing apparatus having the same |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5343297A (en) * | 1976-09-30 | 1978-04-19 | Nec Corp | Device for grinding both surfaces |
JPH01135474A (en) * | 1987-11-20 | 1989-05-29 | Mitsubishi Metal Corp | Polisher |
JPH0215864B2 (en) * | 1983-11-18 | 1990-04-13 | Mitsubishi Electric Corp |
-
1991
- 1991-11-29 JP JP10597591U patent/JPH0549253U/en active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5343297A (en) * | 1976-09-30 | 1978-04-19 | Nec Corp | Device for grinding both surfaces |
JPH0215864B2 (en) * | 1983-11-18 | 1990-04-13 | Mitsubishi Electric Corp | |
JPH01135474A (en) * | 1987-11-20 | 1989-05-29 | Mitsubishi Metal Corp | Polisher |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000317812A (en) * | 1999-03-26 | 2000-11-21 | Applied Materials Inc | Carrier head for supplying polishing slurry |
JP4693203B2 (en) * | 1999-03-26 | 2011-06-01 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Carrier head for supplying polishing slurry |
JP2011230209A (en) * | 2010-04-26 | 2011-11-17 | Sumco Corp | Polishing solution distribution apparatus, and polishing apparatus having the same |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3925580B2 (en) | Wafer processing apparatus and processing method | |
US4940507A (en) | Lapping means and method | |
KR0154610B1 (en) | Method for polishing semiconductor substrate and apparatus for the same | |
US6261958B1 (en) | Method for performing chemical-mechanical polishing | |
JP3923107B2 (en) | Silicon wafer manufacturing method and apparatus | |
EP2762272B1 (en) | Wafer polishing apparatus and method | |
KR19990013251A (en) | Wafer double side lapping method and apparatus | |
TW201127553A (en) | Method and apparatus for conformable polishing | |
JPH10180624A (en) | Device and method for lapping | |
JP2002217149A (en) | Wafer polishing apparatus and method | |
JPH0549253U (en) | Semiconductor wafer polishing machine | |
JP2001156030A (en) | Grinding roller for semiconductor wafer and method for grinding semiconductor wafer using the same | |
JP2636383B2 (en) | Wafer processing method | |
JP2000158304A (en) | Plane grinding method, and mirror polishing method | |
JPH09246216A (en) | Manufacture of semiconductor wafer | |
JP3821947B2 (en) | Wafer polishing apparatus and wafer polishing method | |
US6969302B1 (en) | Semiconductor wafer grinding method | |
JPH09277163A (en) | Polishing method and polishing device | |
JP3587283B2 (en) | Method and apparatus for double-sided lapping of wafer | |
JP3821944B2 (en) | Wafer single wafer polishing method and apparatus | |
JP4122800B2 (en) | Semiconductor wafer polishing method | |
JP3980746B2 (en) | Top ring guide ring removal jig | |
JP2944176B2 (en) | Ultra-precision polishing method and polishing apparatus for wafer | |
JPS6251226A (en) | Polishing method | |
JPS62181869A (en) | Polishing of semiconductor wafer |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970722 |