JPH05259860A - Current switch circuit - Google Patents
Current switch circuitInfo
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- JPH05259860A JPH05259860A JP5832592A JP5832592A JPH05259860A JP H05259860 A JPH05259860 A JP H05259860A JP 5832592 A JP5832592 A JP 5832592A JP 5832592 A JP5832592 A JP 5832592A JP H05259860 A JPH05259860 A JP H05259860A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、電流スイッチ回路の改
良に関する。FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to improvements in current switch circuits.
【0002】[0002]
【従来の技術】本発明において、電流スイッチ回路と
は、ハイレベルまたはローレベルの入力信号電圧を印加
されて、上記の入力信号のハイレベルまたはローレベル
に対応して、所望の値の定電流の出力信号を得る回路で
ある。2. Description of the Related Art In the present invention, a current switch circuit is a constant current of a desired value which is applied with a high level or low level input signal voltage and corresponds to the high level or low level of the input signal. Is a circuit for obtaining the output signal of.
【0003】図5参照 従来技術に係る電流スイッチ回路の1例を、図5を参照
して説明する。Q2 はPチャンネルエンハンスメント型
電界効果トランジスタであり、Q3 はNチャンネルエン
ハンスメント型電界効果トランジスタであり、それぞれ
のドレインは相互に接続され、Pチャンネルエンハンス
メント型電界効果トランジスタQ2 のソースは定電圧電
源(第2の電源)VREF に接続され、Nチャンネルエン
ハンスメント型電界効果トランジスタQ3 のソースは接
地されている。これら二つの電界効果トランジスタのゲ
ートは相互に接続され、入力電圧信号端子VINとされて
いる。なお、Pチャンネルエンハンスメント型電界効果
トランジスタQ2 のバックゲートは第1の電源VCCに接
続され、Nチャンネルエンハンスメント型電界効果トラ
ンジスタQ3 のバックゲートは接地されている。Pチャ
ンネルエンハンスメント型電界効果トランジスタQ2 の
ドレインとNチャンネルエンハンスメント型電界効果ト
ランジスタQ3 のドレインとの接続点はNPNトランジ
スタQ1 のベースに接続されている。NPNトランジス
タQ1 のエミッタは第1の抵抗R1 を介して接地されて
いる。Referring to FIG. 5, one example of a conventional current switch circuit will be described with reference to FIG. Q 2 is a P-channel enhancement type field effect transistor, Q 3 is an N-channel enhancement type field effect transistor, their drains are connected to each other, and the source of the P-channel enhancement type field effect transistor Q 2 is a constant voltage power supply. (Second power supply) connected to V REF, and the source of the N-channel enhancement type field effect transistor Q 3 is grounded. The gates of these two field effect transistors are connected to each other and serve as an input voltage signal terminal V IN . The back gate of the P-channel enhancement type field effect transistor Q 2 is connected to the first power source V CC, and the back gate of the N-channel enhancement type field effect transistor Q 3 is grounded. The connection point between the drain of the P-channel enhancement type field effect transistor Q 2 and the drain of the N-channel enhancement type field effect transistor Q 3 is connected to the base of the NPN transistor Q 1 . The emitter of the NPN transistor Q 1 is grounded via the first resistor R 1 .
【0004】第1の電源VCCは定電流負荷(出力負荷)
I0 を介して、NPNトランジスタQ1 のコレクタに接
続されている。入力電圧信号端子VINにハイレベルの入
力信号電圧が印加されると、Nチャンネルエンハンスメ
ント型電界効果トランジスタQ3 のみがオンして、NP
NトランジスタQ1 のベースは接地電位に下りNPNト
ランジスタQ1 はオフして、定電流出力負荷I0 には定
電流は流れない。一方、入力電圧信号端子VINにローレ
ベルの入力信号電圧が印加されると、Pチャンネルエン
ハンスメント型電界効果トランジスタQ2 のみがオンし
てNPNトランジスタQ1 のベースは第2の電源VREF
の電位まで上りNPNトランジスタQ1 はオンして、定
電流出力負荷I0に定電流が流れる。The first power supply V CC is a constant current load (output load)
It is connected to the collector of the NPN transistor Q 1 via I 0 . When a high level input signal voltage is applied to the input voltage signal terminal V IN , only the N-channel enhancement type field effect transistor Q 3 is turned on, and NP
The base of the N-transistor Q 1 goes to the ground potential, the NPN transistor Q 1 is turned off, and no constant current flows through the constant-current output load I 0 . On the other hand, when a low level input signal voltage is applied to the input voltage signal terminal V IN , only the P-channel enhancement type field effect transistor Q 2 is turned on and the base of the NPN transistor Q 1 is the second power source V REF.
The potential of the NPN transistor Q 1 is turned on and the constant current flows through the constant current output load I 0 .
【0005】こゝで、Pチャンネルエンハンスメント型
電界効果トランジスタQ2 とNチャンネルエンハンスメ
ント型電界効果トランジスタQ3 との直列回路のソース
・ドレイン用電源を、第2の電源(定電圧電源)VREF
とする理由は、NPNトランジスタQ1 のベース電流を
安定にし、出力負荷電流I0 を定電流にするためであ
る。Here, the source / drain power source of the series circuit of the P-channel enhancement type field effect transistor Q 2 and the N-channel enhancement type field effect transistor Q 3 is the second power source (constant voltage power source) V REF.
The reason is to stabilize the base current of the NPN transistor Q 1 and make the output load current I 0 a constant current.
【0006】なお、第2の電源(定電圧電源)V
REF は、第1の電源VCCに抵抗とダイオード(順方向)
とを直列に接続してダイオードのカソードは接地し、上
記の抵抗とダイオードとの接続点から分圧して得ること
が一般である。The second power source (constant voltage power source) V
REF is a resistor and a diode (forward direction) to the first power supply V CC
It is generally obtained by connecting and in series, grounding the cathode of the diode, and dividing the voltage from the connection point between the resistor and the diode.
【0007】また、入力信号電圧VINの値(論理回路の
しきい値)は、第2の電源電圧VRE F の1/2に選択す
ることが一般である。Further, the value of the input signal voltage V IN (threshold logic circuit), it is common to select the half of the second supply voltage V RE F.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】上記の従来技術に係る
電流スイッチ回路において、入力信号電圧VINの値(論
理回路のしきい値)は、それぞれの電界効果トランジス
タのQ2 ・Q3 のピンチオフ電圧の絶対値の和より高く
設定される必要があるので、第2の電源(定電圧電源)
VREF の電圧が低過ぎると、入力信号電圧VINの値も低
く選定されることになり、この入力信号電圧VINの値が
それぞれの電界効果トランジスタQ2 ・Q 3 のピンチオ
フ電圧の絶対値を下回り、その結果、Pチャンネルエン
ハンスメント型電界効果トランジスタQ2 とNチャンネ
ルエンハンスメント型電界効果トランジスタQ3 とがオ
ン・オフしなくなり、電流スイッチとして動作しないこ
とになると云う欠点がある。According to the above-mentioned prior art
In the current switch circuit, the input signal voltage VINValue of (theory
The threshold of the logic circuit) is the respective field effect transistor
Q of Ta2・ Q3Higher than the sum of the absolute values of the pinch-off voltage of
The second power supply (constant voltage power supply) because it needs to be set
VREFIs too low, the input signal voltage VINIs also low
The input signal voltage VINThe value of
Each field effect transistor Q2・ Q 3The pincio
Voltage below the absolute value of the
Hansment type field effect transistor Q2And N channel
Ru enhancement type field effect transistor Q3And
Will not turn off and on, and will not operate as a current switch.
There is a drawback that
【0009】本発明の目的は、この欠点を解消すること
にあり、第2の電源(定電圧電源)VREF の電圧が低く
設定され、入力信号電圧VINの値も低く設定されても、
安全に動作する電流スイッチ回路を提供することにあ
る。An object of the present invention is to eliminate this drawback. Even if the voltage of the second power supply (constant voltage power supply) V REF is set low and the value of the input signal voltage V IN is also set low,
It is to provide a current switch circuit that operates safely.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】上記の目的は、下記いづ
れの手段によっても達成される。第1の手段は、第2の
電源(定電圧電源)(VREF )がPチャンネルエンハン
スメント型電界効果トランジスタ(Q2 )のソースに接
続され、このPチャンネルエンハンスメント型電界効果
トランジスタ(Q2 )のドレインはNチャンネルエンハ
ンスメント型電界効果トランジスタ(Q3 )のドレイン
に接続され、このNチャンネルエンハンスメント型電界
効果トランジスタ(Q3 )のソースは、順方向に接続さ
れる第1のダイオード(V1 )を介して接地され、前記
のPチャンネルエンハンスメント型電界効果トランジス
タ(Q2 )のゲートと前記のNチャンネルエンハンスメ
ント型電界効果トランジスタ(Q3 )のゲートとは相互
に接続されて入力電圧信号端子(VIN)をなし、前記の
Pチャンネルエンハンスメント型電界効果トランジスタ
(Q2 )のバックゲートは第1の電源(VCC)に接続さ
れ、前記のNチャンネルエンハンスメント型電界効果ト
ランジスタ(Q3 )のバックゲートは接地され、前記の
Pチャンネルエンハンスメント型電界効果トランジスタ
(Q2 )のドレインと前記のNチャンネルエンハンスメ
ント型電界効果トランジスタ(Q3 )のドレインとの接
続点はNPNトランジスタ(Q1 )のベースに接続さ
れ、このNPNトランジスタ(Q1 )のエミッタは第1
の抵抗(R 1 )を介して前記の第1のダイオード
(V1 )のアノードに接続され、前記の第1の電源(V
CC)と前記のNPNトランジスタ(Q1 )のコレクタと
の間に、定電流出力負荷(I0 )が接続されている電流
スイッチ回路である。[Means for Solving the Problems]
It is also achieved by these means. The first means is the second
Power supply (constant voltage power supply) (VREF) Is P channel enhancement
Sement type field effect transistor (Q2) Source
Continued, this P-channel enhancement type field effect
Transistor (Q2) Drain is N channel enhancement
Element type field effect transistor (Q3) Drain
Connected to this N-channel enhancement type electric field
Effect transistor (Q3) Source is connected in the forward direction
The first diode (V1) Is grounded through
P-channel enhancement type field effect transistor
(Q2) Gate and N channel enhancement described above
Type field effect transistor (Q3) With the gate
Connected to the input voltage signal terminal (VIN), The above
P-channel enhancement type field effect transistor
(Q2) Is the back gate of the first power source (VCC) Connected to
The N-channel enhancement type field effect transistor
Langista (Q3) Back gate is grounded,
P-channel enhancement type field effect transistor
(Q2) Drain and the N-channel enhancement described above
Type field effect transistor (Q3) With the drain
Continuation point is NPN transistor (Q1) Connected to the base
This NPN transistor (Q1) Is the first emitter
Resistance (R 1) Through said first diode
(V1) Of the first power source (V
CC) And the NPN transistor (Q1) Collector and
Between the constant current output load (I0) Is connected to the current
It is a switch circuit.
【0011】第2の手段は、第1の手段において、第1
の電源VCCを、第2の抵抗R2 と順方向に接続される第
2のダイオードD2 との直列回路を介して接地し、第2
の抵抗R2 と第2のダイオードD2 との接続点を第2の
電源(定電圧電源)VREF としたものであり、第2の電
源(定電圧電源)VREF を独立に用意する必要がなく、
合理的である。The second means is the same as the first means.
Power source V CC is grounded through a series circuit of a second resistor R 2 and a second diode D 2 connected in the forward direction,
The connection point between the resistor R 2 and the second diode D 2 is the second power supply (constant voltage power supply) V REF, and the second power supply (constant voltage power supply) V REF must be prepared independently. Without
It is rational.
【0012】第3の手段は、第1の手段において、第1
の電源VCCを、第2の抵抗R2 と順方向に接続される第
3のダイオードD3 との直列回路に接続し、第3のダイ
オードD3 のカソードを第1のダイオードD1 のアノー
ドと接続し、第2の抵抗R2と第3のダイオードD3 と
の接続点を第2の電源(定電圧電源)VREF としたもの
であり、動作は第2の手段と同一であるが、使用するダ
イオードの数量を減少することができる。The third means is the same as the first means.
The anode of the power supply V CC, connected to the series circuit of the third diode D 3 is connected to the second resistor R 2 and forward, the cathode of the third diode D 3 of the first diode D 1 The second power source (constant voltage power source) V REF is connected to the second resistor R 2 and the third diode D 3 , and the operation is the same as that of the second means. , The number of diodes used can be reduced.
【0013】[0013]
【作用】上記の手段のいづれにおいても、第2の電源
(定電圧電源)VREF は、Pチャンネルエンハンスメン
ト型電界効果トランジスタQ2 のソース・ドレイン回路
とNチャンネルエンハンスメント型電界効果トランジス
タQ3 のソース・ドレイン回路と第1のダイオードD1
との直列回路を介して接地されているので、論理レベル
の入力信号のしきい値VT は、 VT =(VREF −VF )/2+VF =(VREF +VF )/2 但し、VF は第1のダイオードD1 の順方向電圧降下で
ある。となり、第2の電源(定電圧電源)VREF の1/
2よりVF /2だけ高くなり、図5に示す場合のしきい
値よりVF /2だけ高くなり、それぞれの電界効果トラ
ンジスタQ2 ・Q3 のピンチオフ電圧の絶対値の和より
大きくなり、しきい値の余裕度が大きくなるので、電流
スイッチ回路の動作が安定になる。In any of the above means, the second power source (constant voltage power source) V REF is the source / drain circuit of the P-channel enhancement type field effect transistor Q 2 and the source of the N-channel enhancement type field effect transistor Q 3 . .Drain circuit and first diode D 1
Since it is grounded via a series circuit with, the threshold value V T of the logic level input signal is V T = (V REF −V F ) / 2 + V F = (V REF + V F ) / 2 V F is the forward voltage drop of the first diode D 1 . And becomes 1 / of the second power supply (constant voltage power supply) V REF
2 by V F / 2, which is higher than the threshold value shown in FIG. 5 by V F / 2, and is higher than the sum of the absolute values of the pinch-off voltages of the field effect transistors Q 2 and Q 3 , Since the margin of the threshold value becomes large, the operation of the current switch circuit becomes stable.
【0014】[0014]
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の三つの実施
例に係る電流スイッチ回路について説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Current switch circuits according to three embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0015】第1実施例 図1参照 Q2 はPチャンネルエンハンスメント型電界効果トラン
ジスタであり、Q3 はNチャンネルエンハンスメント型
電界効果トランジスタであり、それぞれのドレインは相
互に接続され、Pチャンネルエンハンスメント型電界効
果トランジスタQ2 のソースは定電圧電源(第2の電
源)VREF に接続され、Nチャンネルエンハンスメント
型電界効果トランジスタQ3 のソースは、第1のダイオ
ードD1 のアノードに接続されており、第1のダイオー
ドD1 のカソードは接地されている。二つの電界効果ト
ランジスタのゲートは相互に接続され、入力電圧信号端
子V INとされている。なお、Pチャンネルエンハンスメ
ント型電界効果トランジスタQ2 のバックゲートは第1
の電源VCCに接続され、Nチャンネルエンハンスメント
型電界効果トランジスタQ3 のバックゲートは接地され
ている。Pチャンネルエンハンスメント型電界効果トラ
ンジスタQ2 のドレインとNチャンネルエンハンスメン
ト型電界効果トランジスタQ3 のドレインとの接続点は
NPNトランジスタQ1 のベースに接続されている。N
PNトランジスタQ1 のエミッタは第1の抵抗R1 を介
して第1のダイオードD1 のアノードに接続されてい
る。第1の電源VCCは定電流負荷(出力負荷)I0 を介
して、NPNトランジスタQ1 のコレクタに接続されて
いる。[0015]First embodiment See Fig. 1 Q2Is a P-channel enhancement type field effect transistor
It ’s Jista, Q3Is N-channel enhancement type
It is a field effect transistor, and each drain has a phase
P-channel enhancement type field effect connected to each other
Fruit transistor Q2The source of the
Source) VREFConnected to the N channel enhancement
Type field effect transistor Q3The source is the first Dio
Mode D1Is connected to the anode of the
De D1The cathode of is grounded. Two field effect g
The gates of the transistors are connected together and the
Child V INIt is said that. In addition, P channel enhancement
Field-effect transistor Q2Back gate is first
Power supply VCCConnected to the N channel enhancement
Type field effect transistor Q3The back gate of is grounded
ing. P-channel enhancement type field effect tiger
Register Q2Drain and N-channel enhancement men
Type field effect transistor Q3The connection point with the drain of
NPN transistor Q1Connected to the base of. N
PN transistor Q1The emitter of the first resistor R1Through
And then the first diode D1Connected to the anode of
It First power supply VCCIs a constant current load (output load) I0Through
Then, the NPN transistor Q1Connected to the collector of
There is.
【0016】入力電圧信号端子VINにハイレベルの入力
信号電圧が印加されると、Nチャンネルエンハンスメン
ト型電界効果トランジスタQ3 のみがオンして、NPN
トランジスタQ1 のベースは接地電位に下りNPNトラ
ンジスタQ1 はオフして、定電流出力負荷I0 には定電
流は流れない。一方、入力電圧信号端子VINにローレベ
ルの入力信号電圧が印加されると、Pチャンネルエンハ
ンスメント型電界効果トランジスタQ2 のみがオンして
NPNトランジスタQ1 のベースは第2の電源VREF の
電位まで上りNPNトランジスタQ1 はオンして、定電
流出力負荷I0に定電流が流れる。When a high level input signal voltage is applied to the input voltage signal terminal V IN , only the N-channel enhancement type field effect transistor Q 3 is turned on and the NPN
The base of transistor Q 1 is down NPN transistor Q 1 to the ground potential is turned off, the constant current does not flow to the constant current output load I 0. On the other hand, when a low level input signal voltage is applied to the input voltage signal terminal V IN , only the P-channel enhancement type field effect transistor Q 2 is turned on and the base of the NPN transistor Q 1 is at the potential of the second power supply V REF . Up, the NPN transistor Q 1 is turned on, and a constant current flows through the constant current output load I 0 .
【0017】こゝで、定電流負荷(出力負荷)I0 は、 I0 =(VREF −(Q2 のオン電圧)−(Q1 のVBE) −(D1 の順方向電圧))/R1 但し、VBEはベース・エミッタ間電圧である。となり、
入力電圧信号VINの論理レベルのしきい値VT はVT =
VREF /2+V F /2となり、ダイオードD1 が存在し
ない場合のしきい値に比し、VF /2上昇するので、電
流スイッチ回路の動作が安定する。This is the constant current load (output load) I0Is I0= (VREF-(Q2ON voltage)-(Q1VBE)-(D1Forward voltage)) / R1 However, VBEIs the base-emitter voltage. Next to
Input voltage signal VINLogic level threshold VTIs VT=
VREF/ 2 + V F/ 2, diode D1Exists
V compared to the threshold when there is noF/ 2 because it rises,
The operation of the current switch circuit becomes stable.
【0018】第2実施例 図2参照 本実施例は、第1の電源VCCを分圧して、第2の電源
(定電圧電源)VREF を得ているものであり、第1の電
源VCCを、第2の抵抗R2 と第2のダイオードD 2 との
直列回路を介して接地し、第2の抵抗R2 と第2のダイ
オードD2 との接続点の電圧を第2の電源(定電圧電
源)VREF として利用するものである。第2のダイオー
ドの順方向電圧降下が第1のダイオードの順方向電圧降
下より大きいことが必要なことは当然であるが、第2の
ダイオードD2 の順方向電圧降下の値によって第2の電
圧VREF が定電圧に保持される。その他の動作は第1実
施例と同一である。[0018]Second embodiment See FIG. 2. In this embodiment, the first power source VCCThe second power source
(Constant voltage power supply) VREFIs the one that is getting the first
Source VCCIs the second resistance R2And the second diode D 2With
Grounded via a series circuit, second resistor R2And the second die
Aether D2The voltage at the connection point with the second power source (constant voltage
Source) VREFIs used as. Second Daio
Forward voltage drop is the forward voltage drop of the first diode.
It is natural that it is necessary to be larger than the bottom, but the second
Diode D2The value of the forward voltage drop of
Pressure VREFIs held at a constant voltage. Other operations are the 1st real
Same as the example.
【0019】第3実施例 図3参照 本実施例は、第2のダイオードD2 中の電圧のうち、第
1のダイオードD1 のアノード電圧と一致する点を第1
のダイオードD1 のアノードに接続して、第2のダイオ
ードD2 のコストダウンを図ったものである。動作は第
1・第2実施例と全く同一である。 Third Embodiment See FIG. 3 In the present embodiment, the first point of the voltage in the second diode D 2 that matches the anode voltage of the first diode D 1 is the first point.
The second diode D 2 is connected to the anode of the diode D 1 to reduce the cost of the second diode D 2 . The operation is exactly the same as in the first and second embodiments.
【0020】第4実施例 図4参照 本実施例は第3実施例の改変である。本発明に係る電流
スイッチ回路はアナログ的動作をするので、ディジタル
回路と結合するために、図に1点鎖線をもって示す部分
を付加したものであり、入力電圧信号VINが反転する以
外は、第3実施例と同一である。 Fourth Embodiment See FIG. 4 This embodiment is a modification of the third embodiment. Since the current switch circuit according to the present invention operates in an analog manner, a portion shown by a one-dot chain line in the figure is added for coupling with a digital circuit, except that the input voltage signal V IN is inverted. This is the same as the third embodiment.
【0021】[0021]
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明に係る電流
スイッチ回路においては、Pチャンネルエンハンスメン
ト電界効果トランジスタQ2 のソース・ドレイン回路と
Nチャンネルエンハンスメント電界効果トランジスタQ
3 のソース・ドレイン回路と第1のダイオードD1 との
直列回路に第2の電源(定電圧電源)VREF が印加され
ているので、入力電圧信号VINの値が、第2の電源(定
電圧電源)VREF の1/2(従来技術における入力電圧
信号VINの値)に比し、余裕が生じ、電流スイッチ回路
の動作が安定する。As described above, in the current switch circuit according to the present invention, the source / drain circuit of the P-channel enhancement field effect transistor Q 2 and the N-channel enhancement field effect transistor Q 2.
Since the second power source (constant voltage power source) V REF is applied to the series circuit of the source / drain circuit 3 and the first diode D 1 , the value of the input voltage signal V IN is the second power source ( A constant voltage power supply) has a margin in comparison with 1/2 (the value of the input voltage signal V IN in the conventional technique) of V REF , and the operation of the current switch circuit is stabilized.
【図1】本発明の第1実施例に係る電流スイッチ回路の
回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram of a current switch circuit according to a first embodiment of the present invention.
【図2】本発明の第2実施例に係る電流スイッチ回路の
回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram of a current switch circuit according to a second embodiment of the present invention.
【図3】本発明の第3実施例に係る電流スイッチ回路の
回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram of a current switch circuit according to a third embodiment of the present invention.
【図4】本発明の第4実施例に係る電流スイッチ回路の
回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram of a current switch circuit according to a fourth embodiment of the present invention.
【図5】従来技術に係る電流スイッチ回路の回路図であ
る。FIG. 5 is a circuit diagram of a current switch circuit according to a conventional technique.
VIN 入力電圧信号端子 VCC 第1の電源 VREF 第2の電源(定電圧電源) I0 定電流出力負荷 Q1 NPNトランジスタ Q2 Pチャンネルエンハンスメント型電界効果トラ
ンジスタ Q3 Nチャンネルエンハンスメント型電界効果トラ
ンジスタ Q4 Pチャンネルエンハンスメント型電界効果トラ
ンジスタ Q5 Nチャンネルエンハンスメント型電界効果トラ
ンジスタ D1 第1のダイオード D2 第2のダイオード D21〜D23 第2のダイオードの構成ダイオード D3 第3のダイオード D31〜D32 第3のダイオードの構成ダイオードV IN Input voltage signal terminal V CC First power supply V REF Second power supply (constant voltage power supply) I 0 Constant current output load Q 1 NPN transistor Q 2 P channel enhancement type field effect transistor Q 3 N channel enhancement type field effect transistors Q 4 P-channel enhancement type field effect transistor Q 5 N-channel enhancement type field effect transistor D 1 constituting the diode D 3 of the first diode D 2 second diode D 21 to D 23 second diode third diode D 31 to D 32 Third diode configuration Diode
Claims (3)
Pチャンネルエンハンスメント型電界効果トランジスタ
(Q2 )のソースに接続され、該Pチャンネルエンハン
スメント型電界効果トランジスタ(Q2 )のドレインは
Nチャンネルエンハンスメント型電界効果トランジスタ
(Q3 )のドレインに接続され、該Nチャンネルエンハ
ンスメント型電界効果トランジスタ(Q3 )のソース
は、順方向に接続される第1のダイオード(V1 )を介
して接地され、 前記Pチャンネルエンハンスメント型電界効果トランジ
スタ(Q2 )のゲートと前記Nチャンネルエンハンスメ
ント型電界効果トランジスタ(Q3 )のゲートとは相互
に接続されて入力電圧信号端子(VIN)をなし、 前記Pチャンネルエンハンスメント型電界効果トランジ
スタ(Q2 )のバックゲートは第1の電源(VCC)に接
続され、前記Nチャンネルエンハンスメント型電界効果
トランジスタ(Q3 )のバックゲートは接地され、 前記Pチャンネルエンハンスメント型電界効果トランジ
スタ(Q2 )のドレインと前記Nチャンネルエンハンス
メント型電界効果トランジスタ(Q3 )のドレインとの
接続点はNPNトランジスタ(Q1 )のベースに接続さ
れ、 該NPNトランジスタ(Q1 )のエミッタは第1の抵抗
(R1 )を介して前記第1のダイオード(V1 )のアノ
ードに接続され、 前記第1の電源(VCC)と前記NPNトランジスタ(Q
1 )のコレクタとの間に、定電流出力負荷(I0 )が接
続されてなることを特徴とする電流スイッチ回路。1. A second power supply (constant-voltage power supply) (V REF) is connected to the source of P-channel enhancement type field effect transistor (Q 2), the drain of the P-channel enhancement type field effect transistor (Q 2) is connected to the drain of N-channel enhancement type field effect transistor (Q 3), the source of the N-channel enhancement type field effect transistor (Q 3) is via a first diode connected in the forward direction (V 1) The gate of the P-channel enhancement type field effect transistor (Q 2 ) and the gate of the N-channel enhancement type field effect transistor (Q 3 ) are connected to each other to form an input voltage signal terminal (V IN ). the P-channel enhancement type field effect transistor (Q 2 The back gate is connected to a first power supply (V CC), the back gate of the N-channel enhancement type field effect transistor (Q 3) is grounded, and the drain of the P-channel enhancement type field effect transistor (Q 2) the connection point of the drain of N-channel enhancement type field effect transistor (Q 3) is connected to the base of the NPN transistor (Q 1), the emitter is a first resistance of the NPN transistor (Q 1) a (R 1) Is connected to the anode of the first diode (V 1 ) via the first power source (V CC ) and the NPN transistor (Q
A current switch circuit characterized in that a constant current output load (I 0 ) is connected between the collector of 1 ) and the collector.
(R2 )と順方向に接続される第2のダイオード
(D2 )との直列回路を介して接地されてなり、 前記第2の抵抗(R2 )と前記第2のダイオード
(D2 )との接続点が前記第2の電源(定電圧電源)
(VREF )とされてなることを特徴とする請求項1記載
の電流スイッチ回路。2. The first power supply (V CC ) is grounded via a series circuit of a second resistor (R 2 ) and a second diode (D 2 ) connected in the forward direction. , The connection point between the second resistor (R 2 ) and the second diode (D 2 ) is the second power source (constant voltage power source)
2. The current switch circuit according to claim 1, wherein the current switch circuit is (V REF ).
(R2 )と順方向に接続される第3のダイオード
(D3 )との直列回路に接続され、 前記第3のダイオード(D3 )のカソードは前記第1の
ダイオード(D1 )のアノードと接続されてなり、 前記第2の抵抗(R2 )と前記第3のダイオード
(D3 )との接続点が前記第2の電源(定電圧電源)
(VREF )とされてなることを特徴とする電流スイッチ
回路。3. The first power supply (V CC ) is connected to a series circuit of a second resistor (R 2 ) and a third diode (D 3 ) connected in the forward direction, The cathode of the diode (D 3 ) is connected to the anode of the first diode (D 1 ), and the connection point between the second resistor (R 2 ) and the third diode (D 3 ) is The second power source (constant voltage power source)
(V REF ), a current switch circuit.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5832592A JPH05259860A (en) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | Current switch circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5832592A JPH05259860A (en) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | Current switch circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05259860A true JPH05259860A (en) | 1993-10-08 |
Family
ID=13081145
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5832592A Withdrawn JPH05259860A (en) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | Current switch circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05259860A (en) |
-
1992
- 1992-03-16 JP JP5832592A patent/JPH05259860A/en not_active Withdrawn
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