JPH0498626A - Optical pickup device - Google Patents

Optical pickup device

Info

Publication number
JPH0498626A
JPH0498626A JP2214309A JP21430990A JPH0498626A JP H0498626 A JPH0498626 A JP H0498626A JP 2214309 A JP2214309 A JP 2214309A JP 21430990 A JP21430990 A JP 21430990A JP H0498626 A JPH0498626 A JP H0498626A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
signal
receiving element
semiconductor laser
objective lens
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2214309A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masanobu Nishinomiya
西宮 正伸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Co Ltd filed Critical Ricoh Co Ltd
Priority to JP2214309A priority Critical patent/JPH0498626A/en
Publication of JPH0498626A publication Critical patent/JPH0498626A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Optical Head (AREA)

Abstract

PURPOSE:To suitably control the quantity of light by providing a photodetector arranged in an optical path from a deflecting prism to an objective lens so as to photodetect the light flux, and a control means to control the driving current of a semiconductor laser element based on the photodetection signal of this photodetector. CONSTITUTION:A deviation signal ER corresponding to deviation between a reference value VR and a photodetection signal SR is outputted from a differential amplifier 11 and applied to a semiconductor laser element driving circuit 13 to control the driving current of a semiconductor laser element 1. The circuit 13 controls the magnitude of a driving current ID impressed to the element 1 in a direction where the deviation signal ER is zero. When the quantity of light made incident to an objective lens 5 is lowered by sticking dirt onto optical parts, the quantity of light made incident to a photodetector 7 is lowered as well and therefore, a signal SR is lowered. Thus, the value of the signal ER outputted from the amplifier 11 becomes a value corresponding to the reduction in the quality of light made incident to the lens 5, and the circuit 13 changes the driving current ID so that the quantity of light made incident to the lens 5 can be coincident to a reference value.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 本発明は、半導体レーザ素子の出力レベルを所定値に制
御できる光ピックアップ装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an optical pickup device that can control the output level of a semiconductor laser element to a predetermined value.

[従来の技術] 例えば、光デイスク装置や光磁気ディスク装置などで、
記憶媒体にデータを記録/再生するための光ピックアッ
プ装置では、光源として用いている半導体レーザ素子の
光量を、データ記録および再生時に必要な大きさに制御
している。
[Prior art] For example, in optical disk devices, magneto-optical disk devices, etc.
In an optical pickup device for recording/reproducing data on a storage medium, the amount of light from a semiconductor laser element used as a light source is controlled to a level necessary for recording and reproducing data.

従来では、半導体レーザ素子の外囲器に収容されている
モニタ用の受光素子の受光信号を用いて、半導体レーザ
素子の出力光量を判定するようにしていた。
Conventionally, the amount of light output from the semiconductor laser element has been determined using a light reception signal from a monitoring light receiving element housed in the envelope of the semiconductor laser element.

ところで1例えば、光ピックアップ装置の内部に塵埃や
ごみなどが侵入して、内部の光学部品の表面に付着する
と、透過率や反射率が低下し、結果として記憶媒体に照
射される光強度が低下して、データ記録が不完全になっ
たり、再生信号のS/N比が低下して、再生データにデ
ータエラーが含まれるような事態を生じる。
By the way, 1. For example, if dust or dirt enters the inside of an optical pickup device and adheres to the surface of the internal optical components, the transmittance and reflectance will decrease, and as a result, the intensity of light irradiated to the storage medium will decrease. As a result, data recording becomes incomplete, the S/N ratio of the reproduced signal decreases, and the reproduced data contains data errors.

このような不都合を解消するものとしては、例えば、特
開昭55−8006号公報に開示されたものがある。こ
の従来装置では、半導体レーザ素子から記憶媒体上に導
かれる光束の一部をプリズムを用いて分離し、その分離
した光束を受光することで、光学系の汚れを判別するよ
うにしている。
An example of a method for solving this problem is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 55-8006. In this conventional device, a prism is used to separate a part of the light beam guided from the semiconductor laser element onto the storage medium, and the separated light beam is received to determine whether the optical system is dirty.

[発明が解決しようとする課題] しかしながら、このような従来装置では、次のような不
都合を生じていた。
[Problems to be Solved by the Invention] However, such conventional devices have the following disadvantages.

すなわち、光束の一部を分離するプリズムが、プリズム
を通過した光束を対物レンズに導くためのガルバノミラ
−の手前に配置されているために、ガルバノミラ−が汚
れた場合に対処することができず、半導体レーザ素子の
光量制御を適切に行なうことができないという不都合を
生じていた。
That is, since the prism that separates a part of the light beam is placed in front of the galvano mirror that guides the light beam that has passed through the prism to the objective lens, it is impossible to deal with the situation when the galvano mirror becomes dirty. This has caused the inconvenience that it is not possible to appropriately control the amount of light from the semiconductor laser element.

本発明は、このような従来装置の不都合を解消し、半導
体レーザ素子の光lf制御を適切に行なうことのできる
光ピックアップ装置を提供することを目的としている。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an optical pickup device that can eliminate the disadvantages of the conventional device and appropriately control the light lf of a semiconductor laser element.

[課題を解決するための手段] 本発明は、偏向プリズムから対物レンズまでの光路中に
配設されてその光束を受光する受光素子と、この受光素
子の受光信号に基づいて半導体レーザ素子の駆動電流を
制御する制御手段を備えたものである。
[Means for Solving the Problems] The present invention includes a light receiving element disposed in an optical path from a deflection prism to an objective lens to receive the light beam, and a driving of a semiconductor laser element based on a light reception signal of the light receiving element. It is equipped with a control means for controlling the current.

また、偏向プリズムから対物レンズまでの光路中に配設
されてその光束を受光する第1の受光素子と、半導体レ
ーザ素子から出力された信号光の一部を受光する第2の
受光素子と、第1の受光素子から出力される受光信号と
第2の受光素子から出力される受光素子の差を算出する
差動アンプと、この差動アンプの出力を所定値と比較す
る比較器と、この比較器の出力信号に応じて第1の受光
素子の受光信号または第2の受光素子の受光信号のいず
れか一方を選択する選択手段と、この選択手段により選
択された受光信号に基づいて半導体レーザ素子の駆動電
流を制御する制御手段を備えたものである。
Also, a first light receiving element disposed in the optical path from the deflection prism to the objective lens and receiving the light beam, and a second light receiving element receiving a part of the signal light output from the semiconductor laser element. a differential amplifier that calculates the difference between the light receiving signal output from the first light receiving element and the light receiving element output from the second light receiving element; a comparator that compares the output of the differential amplifier with a predetermined value; selection means for selecting either the light reception signal of the first light reception element or the light reception signal of the second light reception element according to the output signal of the comparator; and a semiconductor laser based on the light reception signal selected by the selection means. The device is equipped with a control means for controlling the driving current of the element.

また、偏向プリズムから対物レンズまでの光路中に配設
されてその光束を受光する受光素子と。
and a light receiving element that is disposed in the optical path from the deflection prism to the objective lens and receives the light beam.

この受光素子の受光信号の初期値を出力する初期値設定
手段と、受光素子の受光信号と初期値設定手段の設定値
の偏差に基づいて受光素子の受光信号の基準値を算出す
る基準値算出手段と、この基準値算出手段が算出した基
準値と受光素子の受光信号の偏差に基づいて半導体レー
ザ素子の駆動電流を制御する制御手段を備えたものであ
る。
An initial value setting means for outputting the initial value of the light reception signal of the light receiving element, and a reference value calculation for calculating a reference value of the light reception signal of the light receiving element based on the deviation between the light reception signal of the light receiving element and the set value of the initial value setting means. and a control means for controlling the drive current of the semiconductor laser element based on the deviation between the reference value calculated by the reference value calculation means and the light reception signal of the light reception element.

[作用] したがって、受光素子により対物レンズに入射される直
前で、半導体レーザ素子から出力された光束を検出して
いるので、記憶媒体に照射される光束を適切に検出でき
、半導体レーザ素子の光量を適切に制御することができ
る。
[Operation] Therefore, since the light receiving element detects the light flux output from the semiconductor laser element just before it enters the objective lens, the light flux irradiated onto the storage medium can be appropriately detected, and the light intensity of the semiconductor laser element can be adjusted. can be controlled appropriately.

また、分離光学系を備えた光ピックアップ装置で、固定
光学系側に設けられた光束検出用の受光素子の受光信号
と、分離光学系側に設けられた光束検出用の受光素子の
受光信号の偏差に基づいて、半導体レーザ素子の光量制
御のために使用する検出信号を選択しているので、固定
光学系と分離光学系の間に異物が侵入したような事態で
も、適切に半導体レーザ素子の光量制御を行なうことが
できる。
In addition, in an optical pickup device equipped with a separating optical system, the light receiving signal of the light receiving element for detecting the light flux provided on the side of the fixed optical system and the light receiving signal of the light receiving element for detecting the light flux provided on the side of the separating optical system can be detected. Since the detection signal used to control the light amount of the semiconductor laser device is selected based on the deviation, even if a foreign object enters between the fixed optical system and the separation optical system, the detection signal used to control the light amount of the semiconductor laser device can be properly detected. Light amount control can be performed.

また、光学系の光量変動に応じて、光量制御のために用
いる基準値を設定しているので、より精度良く半導体レ
ーザ素子の光量制御を行なうことができる。
Further, since the reference value used for controlling the light amount is set in accordance with the variation in the light amount of the optical system, the light amount of the semiconductor laser element can be controlled with higher accuracy.

[実施例コ 以下、添付図面を参照しながら、本発明の実施例を詳細
に説明する。
[Embodiments] Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

第1図は、本発明の一実施例にかかる光ピックアップ装
置の光学系を示している。この光ピックアップ装置は、
光学系が1つの筐体に収容されているものである。
FIG. 1 shows an optical system of an optical pickup device according to an embodiment of the present invention. This optical pickup device is
The optical system is housed in one housing.

同図において、半導体レーザ素子1から出力された光束
は、コリメートレンズ2により平行光に変換された状態
で、ビームスプリッタ3に入射され、その面3aを通過
して偏向プリズム4に導かれ、偏向プリズム4によりそ
の大部分が反射されて対物レンズ5に導かれ、対物レン
ズ5により集束されて記憶媒体6に照射される。また、
偏向プリズム4を通過する光束は受光素子7により受光
される。
In the figure, the light beam output from the semiconductor laser device 1 is converted into parallel light by the collimating lens 2, and then enters the beam splitter 3, passes through its surface 3a, is guided to the deflection prism 4, and is deflected. Most of the light is reflected by the prism 4 and guided to the objective lens 5, where it is focused and irradiated onto the storage medium 6. Also,
The light beam passing through the deflection prism 4 is received by the light receiving element 7.

記憶媒体6からの反射光は、対物レンズ5により略平行
光に変換された後に、偏向プリズム4を反射してビーム
スプリッタ3に導かれ、ビームスプリッタ3の面3bを
反射し、集光レンズ8により集束されて、受光素子9に
受光される。
The reflected light from the storage medium 6 is converted into substantially parallel light by the objective lens 5, reflected off the deflection prism 4, guided to the beam splitter 3, reflected off the surface 3b of the beam splitter 3, and then passed through the condenser lens 8. The light is focused and received by the light receiving element 9.

また、対物レンズ5には、対物レンズ5をフォーカシン
グ方向およびトラッキング方向に移動する対物レンズ移
動機構5aが付設されている。
Further, the objective lens 5 is provided with an objective lens moving mechanism 5a that moves the objective lens 5 in the focusing direction and the tracking direction.

そして、受光素子9の受光信号に基づいて、対物レンズ
5のフォーカシング誤差信号、トラッキング誤差信号、
および、再生信号が得られる。また、フォーカシング誤
差信号およびトラッキング誤差信号に基づいて、フォー
カシングサーボ制御手段およびトラッキングサーボ制御
手段が対物レンズ移動機構5aを制御し、対物レンズ5
が集束する光束の位置決め制御を行なう。
Then, based on the light reception signal of the light receiving element 9, a focusing error signal, a tracking error signal of the objective lens 5,
Then, a reproduced signal is obtained. Further, based on the focusing error signal and the tracking error signal, the focusing servo control means and the tracking servo control means control the objective lens moving mechanism 5a, and
performs positioning control of the focused light beam.

第2図は、半導体レーザ素子1の光量制御系の一例を示
している。なお、同図では、データ再生時の態様を示し
ている。
FIG. 2 shows an example of a light amount control system for the semiconductor laser device 1. As shown in FIG. Note that this figure shows the mode at the time of data reproduction.

同図において、受光素子7の受光信号SRは、アンプ1
0を介して差動増幅器11のプラス側入力端に加えられ
る。
In the figure, the light reception signal SR of the light receiving element 7 is
0 to the positive input terminal of the differential amplifier 11.

この差動増幅器11のマイナス側入力端には、光ピック
アップ装置の光学部品の光学面に汚れがなく、かつ、半
導体レーザ素子1の出力光量が基準値になっているとき
に、受光素子7で得られる受光信号の大きさに相当する
基準値VRが、基準値設定器12より加えられている。
The negative input terminal of the differential amplifier 11 is connected to the light receiving element 7 when the optical surface of the optical components of the optical pickup device is clean and the output light amount of the semiconductor laser element 1 is at the reference value. A reference value VR corresponding to the magnitude of the obtained light reception signal is added by a reference value setter 12.

これにより、差動増幅器11からは、基準値VRと受光
信号SRの偏差に応じた偏差信号ERが出力され、この
偏差信号ERは、半導体レーザ素子1の駆動電流を制御
する半導体レーザ素子駆動回路13に加えられている。
As a result, the differential amplifier 11 outputs a deviation signal ER corresponding to the deviation between the reference value VR and the light reception signal SR. It has been added to 13.

半導体レーザ素子駆動回路13は、半導体レーザ素子1
に駆動電流IDを印加するものであり、偏差信号ERが
ゼロになる方向に、半導体レーザ素子1に印加している
駆動電流IDの大きさを制御する。
The semiconductor laser element drive circuit 13 drives the semiconductor laser element 1
The magnitude of the drive current ID applied to the semiconductor laser element 1 is controlled so that the deviation signal ER becomes zero.

したがって、光ピックアップ装置の光学部品に汚れが付
着して、対物レンズ5に入射される光量が低下した場合
、その光量低下に伴って、受光素子7に入射される光量
も低下するので、受光素子7から出力される受光信号S
Rが低下する。
Therefore, if dirt adheres to the optical components of the optical pickup device and the amount of light incident on the objective lens 5 decreases, the amount of light incident on the light receiving element 7 will also decrease with the decrease in the amount of light. The light reception signal S output from 7
R decreases.

これにより、差動増幅器11から出力される偏差信号E
Rの値は、対物レンズ5に入射される光量の低下に相当
する値になり、それによって、半導体レーザ素子能動回
路13は、対物レンズ5の入射光量が基準値に一致する
ように、駆動電流IDを変化させる。
As a result, the deviation signal E output from the differential amplifier 11
The value of R becomes a value corresponding to a decrease in the amount of light incident on the objective lens 5, so that the semiconductor laser element active circuit 13 adjusts the drive current so that the amount of light incident on the objective lens 5 matches the reference value. Change ID.

これによって、対物レンズ5に入射される光量が所定の
値になるように、半導体レーザ素子1の出力光量が制御
され、その結果、対物レンズ5に入射される光量が、所
定値に制御される。
As a result, the output light amount of the semiconductor laser element 1 is controlled so that the amount of light incident on the objective lens 5 becomes a predetermined value, and as a result, the amount of light incident on the objective lens 5 is controlled to a predetermined value. .

ところで、偏向プリズム4の反射面に汚れが付着した場
合、反射光と透過光の光量が一致しないので、受光素子
7に入射される光量と対物レンズ5に入射される光量が
一致しない。
By the way, when dirt adheres to the reflective surface of the deflection prism 4, the amount of reflected light and the transmitted light do not match, so the amount of light incident on the light receiving element 7 and the amount of light incident on the objective lens 5 do not match.

すなわち、第3図(a)に示すように、偏向プリズム4
の反射面にごみGが付着しているとき、その透過光は、
入射される光束のうちごみGに遮られない部分になる。
That is, as shown in FIG. 3(a), the deflection prism 4
When dust G is attached to the reflective surface of , the transmitted light is
This is the part of the incident light flux that is not blocked by the dust G.

一方、同図(b)に示すように、反射される光束は、入
射時にごみGに遮られない部分のうち、さらに、反射時
にごみGに遮られない部分となる。
On the other hand, as shown in FIG. 2B, the reflected light beam becomes a part that is not blocked by the dust G when reflected, of the part that is not blocked by the dust G when it is incident.

したがって、反射光は透過光よりも少なくなり、例えば
、反射光と透過光の光量比は2:5になる。
Therefore, the amount of reflected light is smaller than the amount of transmitted light, and for example, the ratio of the amount of reflected light to transmitted light is 2:5.

第4図は、このような反射光と透過光の光量差を解消で
きる本発明の他の実施例にかかる光量制御系を示してい
る。
FIG. 4 shows a light amount control system according to another embodiment of the present invention that can eliminate such a difference in light amount between reflected light and transmitted light.

同図において、受光素子7の受光信号SRは、アンプ1
0を介してアナログ/デジタル変換器15に加えられ、
このアナログ/デジタル変換器15により対応するデジ
タル受光信号DRに変換されて、光量データ保持回路1
6および比較器17に加えられている。
In the figure, the light reception signal SR of the light receiving element 7 is
0 to the analog/digital converter 15;
This analog/digital converter 15 converts it into a corresponding digital light reception signal DR, and the light amount data holding circuit 1
6 and comparator 17.

光量データ保持回路16は5例えば、新たに装着された
記憶媒体を光ピックアップ装置がアクセスする最初のタ
イミングで、デジタル受光信号DRをサンプリングして
記憶するものであり、その記憶データDRaは、誤差検
出回路18の一方の入力端に加えられている。
The light amount data holding circuit 16 samples and stores the digital light reception signal DR, for example, at the first timing when the optical pickup device accesses a newly installed storage medium, and the stored data DRa is used for error detection. It is applied to one input end of circuit 18.

初期値設定回路19は、初期状態で受光素子7が受光す
る光量に応じた初期値データRFaを記憶するものであ
り、その初期値データRFaは、誤差検出回路18に基
準データとして加えられている。
The initial value setting circuit 19 stores initial value data RFa corresponding to the amount of light received by the light receiving element 7 in an initial state, and the initial value data RFa is added to the error detection circuit 18 as reference data. .

誤差検出回路18は、初期値データRFaと記憶データ
DRaの誤差を検出するものであり、その検呂結果は、
誤差信号ERaとして光量基準値設定回路20に加えら
れている。
The error detection circuit 18 detects the error between the initial value data RFa and the stored data DRa, and the test result is as follows.
It is added to the light amount reference value setting circuit 20 as an error signal ERa.

光量基準値設定回路20は、誤差信号ERaに基づいて
、対物レンズ5に入射される光量の誤差を判定するとと
もに、その誤差を解消するために必要な光量基準値RF
bを算出するものであり、その光量基準値RFbは、比
較器17の基準値入力端に加えられている。例えば、上
述したように、反射光と透過光の光量比が2=5の場合
、光量基準値設定回路20は、誤差信号ERaの572
倍の値を光量誤差として判定する。
The light amount reference value setting circuit 20 determines an error in the amount of light incident on the objective lens 5 based on the error signal ERa, and also sets a light amount reference value RF necessary to eliminate the error.
The light quantity reference value RFb is applied to the reference value input terminal of the comparator 17. For example, as described above, when the light amount ratio of reflected light and transmitted light is 2=5, the light amount reference value setting circuit 20 sets the error signal ERa to 572.
The multiplied value is determined as a light amount error.

比較器17は、デジタル受光信号DRと光量基準値RF
bを比較するものであり、その比較結果は、制御データ
CDaとしてデジタル/アナログ変換器21に加えられ
ている。
The comparator 17 outputs the digital light reception signal DR and the light amount reference value RF.
b, and the comparison result is added to the digital/analog converter 21 as control data CDa.

デジタル/アナログ変換器21は、制御データCDaを
対応するアナログ制御信号CAaに変換するものであり
、そのアナログ制御信号CAaは、電流制御回路22に
加えられている。
The digital/analog converter 21 converts the control data CDa into a corresponding analog control signal CAa, and the analog control signal CAa is applied to the current control circuit 22.

電流制御回路22は、半導体レーザ素子1に駆動電流I
Dを印加するものであり、アナログ制御信号CAaに基
づいて駆動電流IDの大きさを制御する。
The current control circuit 22 supplies a drive current I to the semiconductor laser element 1.
D is applied, and the magnitude of the drive current ID is controlled based on the analog control signal CAa.

このようにして、本実施例では、受光素子7の受光信号
SRに基づいて、初期値からの光量差を判定するととも
に、その判定結果に基づいて、半導体レーザ素子1に印
加する駆動電流IDを制御しているので、対物レンズ5
の入射光量が経時変化した場合、その経時変化を解消す
るように、半導体レーザ素子1に印加する駆動電流ID
が制御されるので、常に対物レンズ5の入射光量を適切
な値にすることができる。
In this way, in this embodiment, the light intensity difference from the initial value is determined based on the light reception signal SR of the light receiving element 7, and the drive current ID to be applied to the semiconductor laser element 1 is determined based on the determination result. Since it is controlled, objective lens 5
When the amount of incident light changes over time, the drive current ID applied to the semiconductor laser element 1 is changed so as to eliminate the change over time.
is controlled, the amount of light incident on the objective lens 5 can always be set to an appropriate value.

第5図は、光ピックアップ装置の偏向プリズム4および
対物レンズ5を、他の光学部品とは別の分離筐体に収容
し、この分離筐体のみを記憶媒体の半径方向に移動する
ことで、高速なデータアクセスを実現できるようにした
ものである。なお、同図において、第1図と同一部分お
よび相当する部分には、同一符号を付している。
FIG. 5 shows that the deflection prism 4 and objective lens 5 of the optical pickup device are housed in a separate housing separate from other optical components, and only this separated housing is moved in the radial direction of the storage medium. This enables high-speed data access. In this figure, the same or corresponding parts as in FIG. 1 are given the same reference numerals.

同図において、半導体レーザ素子1、コリメートレンズ
2、ビームスプリンタ3.受光素子9、および、ビーム
スプリッタ3の面3aを反射する光束を受光する受光素
子25は、固定筐体CAIに収容されており、偏向プリ
ズム4、対物レンズ5、対物レンズ移動機構5a、およ
び、受光素子7は、分m筐体CA2に収容されている。
In the figure, a semiconductor laser element 1, a collimating lens 2, a beam splinter 3. The light receiving element 9 and the light receiving element 25 that receives the light beam reflected from the surface 3a of the beam splitter 3 are housed in a fixed housing CAI, and the deflecting prism 4, the objective lens 5, the objective lens moving mechanism 5a, and the The light receiving element 7 is housed in a housing CA2.

また、固定筐体CALと分離筐体CA2を連絡する光路
を保持するために、固定筐体CALおよび分離筐体CA
2に形成されている開口部には、それぞれカバーガラス
26.27が嵌合されていて、固定筐体CAIおよび分
離筐体CA2の気密を保持している。
In addition, in order to maintain the optical path connecting the fixed case CAL and the separated case CA2, the fixed case CAL and the separate case CA2 are connected to each other.
Cover glasses 26 and 27 are fitted into the openings formed in each of the openings 2 to maintain airtightness of the fixed casing CAI and the separated casing CA2.

第6図は、第5図の光ピックアップ装置に適用する光量
制御系の一例を示している。なお、同図において、第2
図と同一部分および相当する部分には、同一符号を付し
ている。
FIG. 6 shows an example of a light amount control system applied to the optical pickup device of FIG. 5. In addition, in the same figure, the second
Identical and corresponding parts to those in the figures are given the same reference numerals.

同図において、受光素子7の受光信号SRは、アンプ3
1を介し、差動増幅器32のプラス側入力端および切換
器33の一方の切換入力端33aに加えられており、受
光素子25の受光信号SSは、アンプ34を介し、差動
増幅器32のマイナス側入力端および切換器33の他方
の切換入力端33bに加えられている。
In the figure, the light reception signal SR of the light receiving element 7 is
The light reception signal SS of the light receiving element 25 is applied to the positive side input terminal of the differential amplifier 32 and one switching input terminal 33a of the switch 33 via the amplifier 34, side input terminal and the other switching input terminal 33b of the switching device 33.

差動増幅器32は、受光信号SRと受光信号SSの差を
演算するものであり、その演算結果は、差信号EEとし
て比較器35の比較信号入力端に加えられている。
The differential amplifier 32 calculates the difference between the light-receiving signal SR and the light-receiving signal SS, and the result of the calculation is applied to the comparison signal input terminal of the comparator 35 as a difference signal EE.

基準値設定器36は、差信号EEの基準値REeを記憶
するものであり、その基準値REeは、比較器35の基
準信号入力端に加えられている。
The reference value setter 36 stores a reference value REe of the difference signal EE, and the reference value REe is applied to the reference signal input terminal of the comparator 35.

比較器35は、差信号EEと基準値REeを比較し、差
信号EEが基準値REeよりも大きくなると、その出力
信号BEを論理Hレベルに立上げるものであり、その信
号BEは、切換器33に加えられるとともに、エラー信
号として外部装置(例えば、制御装置)に出力される。
The comparator 35 compares the difference signal EE with the reference value REe, and when the difference signal EE becomes larger than the reference value REe, raises its output signal BE to a logic H level. 33 and output to an external device (for example, a control device) as an error signal.

切換器33は、比較器35より加えられる信号BEが論
理Lレベルになっているときには、切換入力端33aに
加えられている受光信号SRを選択し、信号BEが論理
Hレベルになっているときには、切換入力端33bに加
えられている受光信号ssを選択し、その選択比力は、
差動増幅器11のプラス側入力端に加えられている6 以上の構成で、常時は、受光素子7の受光量と、受光素
子25の受光量がほぼ等しく、したがって、差像増幅器
32から出力される差信号EEが基準値REeよりも小
さい値になる。
The switch 33 selects the received light signal SR applied to the switching input terminal 33a when the signal BE applied from the comparator 35 is at the logic L level, and when the signal BE is at the logic H level. , the light reception signal ss applied to the switching input terminal 33b is selected, and the selection specific power is:
With the above configuration, the amount of light received by the light receiving element 7 and the amount of light received by the light receiving element 25 are almost equal, so that the amount of light received by the light receiving element 25 is approximately equal to the amount of light received by the light receiving element 25. The difference signal EE becomes smaller than the reference value REe.

これにより、比較器35から出力される信号BEが論理
Lレベルになり、切換器33は受光信号SRを選択して
差動増幅器11に加える。
As a result, the signal BE output from the comparator 35 becomes a logic L level, and the switch 33 selects the light reception signal SR and applies it to the differential amplifier 11.

したがって、受光素子7の受光量に応じて、半導体レー
ザ素子1に印加される駆動電流Inが制御され、対物レ
ンズ5に入射される光量が所定値に制御される。
Therefore, the drive current In applied to the semiconductor laser element 1 is controlled according to the amount of light received by the light receiving element 7, and the amount of light incident on the objective lens 5 is controlled to a predetermined value.

ここで、例えば、固定筐体CALから分離筺体CA2の
光路中に異物などが侵入して、分離筐体CA2の受光量
が大幅に低減すると、受光素子7の受光量が大幅に低下
し、それにより、差動増幅器32がら出力される差信号
EEが大幅に増大する。
Here, for example, if a foreign object or the like enters the optical path from the fixed housing CAL to the separated housing CA2 and the amount of light received by the separated housing CA2 is significantly reduced, the amount of light received by the light receiving element 7 is significantly reduced. As a result, the difference signal EE output from the differential amplifier 32 increases significantly.

これにより、比較器35の出力信号BEが論理Hレベル
に立上がり、それによって、切換器33は、切換入力端
33bに加えられる受光信号SSを選択して差動増@器
11に加えるとともに、外部装置に、光学系の異常が通
知される。
As a result, the output signal BE of the comparator 35 rises to the logic H level, which causes the switch 33 to select the received light signal SS applied to the switching input terminal 33b and apply it to the differential amplifier 11, while also The device is notified of an abnormality in the optical system.

これによって、急激に変化した受光信号SRに代えて、
受光信号SRが差動槽S器11に加えられるので、半導
体レーザ素子能動回路13が半導体レーザ素子1に印加
する駆動電流IDが大幅に増大するような事態を回避で
き、半導体レーザ素子1が破損するような事故を防止す
ることができる。
As a result, instead of the rapidly changing light reception signal SR,
Since the light reception signal SR is applied to the differential tank S unit 11, it is possible to avoid a situation where the drive current ID applied to the semiconductor laser device 1 by the semiconductor laser device active circuit 13 increases significantly, and the semiconductor laser device 1 is not damaged. It is possible to prevent such accidents.

ところで、上述した実施例では、偏向プリズムの反射光
を対物レンズに導いているが、偏向プリズムの透過光を
対物レンズに導くような光ピックアップ装置にも、本発
明を同様にして適用することができる。
By the way, in the above embodiment, the reflected light from the deflection prism is guided to the objective lens, but the present invention can be similarly applied to an optical pickup device that guides the transmitted light from the deflection prism to the objective lens. can.

[発明の効果コ 以上説明したように、本発明によれば、受光素子により
対物レンズに入射される直前で、半導体レーザ素子から
出力された光束を検出しているので、記憶媒体に照射さ
れる光束を適切に検出でき、半導体レーザ素子の光量を
適切にmi#することができる。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, the light beam output from the semiconductor laser element is detected by the light receiving element immediately before it is incident on the objective lens, so that the light beam irradiated onto the storage medium is detected. The light flux can be detected appropriately, and the light amount of the semiconductor laser element can be appropriately adjusted to mi#.

また、分離光学系を備えた光ピックアップ装置で、固定
光学系側に設けられた光束検出用の受光素子の受光信号
と、分離光学系側に設けられた光束検出用の受光素子の
受光信号の偏差に基づいて。
In addition, in an optical pickup device equipped with a separating optical system, the light receiving signal of the light receiving element for detecting the light flux provided on the side of the fixed optical system and the light receiving signal of the light receiving element for detecting the light flux provided on the side of the separating optical system can be detected. Based on deviation.

半導体レーザ素子の光量制御のために使用する検圧信号
を選択しているので、固定光学系と分離光学系の間に異
物が侵入したような事態でも、適切に半導体レーザ素子
の光量制御を行なうことができる。
Since the pressure detection signal used to control the light intensity of the semiconductor laser element is selected, the light intensity of the semiconductor laser element can be appropriately controlled even in a situation where a foreign object enters between the fixed optical system and the separation optical system. be able to.

また、光学系の光量変動に応じて、光量制御のために用
いる基準値を設定しているので、より精度良く半導体レ
ーザ素子の光量制御を行なうことができるという効果を
得る。
Further, since the reference value used for controlling the light amount is set in accordance with the variation in the light amount of the optical system, it is possible to control the light amount of the semiconductor laser element with higher accuracy.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例にかかる光ピックアップ装置
を示す概略構成図、第2図は第1図の装置の光量制御系
の一例を示すブロック図、第3図(a)。 (b)は反射光と透過光の光量の差を説明するための概
略図、第4図は第1図の装置の光量制御系の他の例を示
すブロック図、第5図は本発明の他の実施例にかかる光
ピックアップ装置を示す概略構成図、第6図は第5図の
装置の光量制御系の一例を示すブロック図である。 7.25・・・受光素子、11.32・・・差動増幅器
、12・・・基準値設定器、13・・・半導体レーザ素
子駆動回路、15・・・アナログ/デジタル変換器、1
6・・・光量データ保持回路、17.32・・・比較器
、18・・・誤差検出回路、19・・・初期値設定回路
、20・・・光量基準値設定回路。 21・・・デジタル/アナログ変換器、22・・・電流
制御回路、33・・・切換器。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an optical pickup device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a block diagram showing an example of a light amount control system of the device in FIG. 1, and FIG. 3(a). (b) is a schematic diagram for explaining the difference in the amount of light between reflected light and transmitted light, FIG. 4 is a block diagram showing another example of the light amount control system of the device shown in FIG. 1, and FIG. A schematic configuration diagram showing an optical pickup device according to another embodiment, and FIG. 6 is a block diagram showing an example of a light amount control system of the device in FIG. 5. 7.25... Light receiving element, 11.32... Differential amplifier, 12... Reference value setter, 13... Semiconductor laser element drive circuit, 15... Analog/digital converter, 1
6... Light amount data holding circuit, 17.32... Comparator, 18... Error detection circuit, 19... Initial value setting circuit, 20... Light amount reference value setting circuit. 21...Digital/analog converter, 22...Current control circuit, 33...Switcher.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)半導体レーザ素子から出力された信号光の光軸を
偏向プリズムを介して対物レンズの光軸に一致させる光
ピックアップ装置において、偏向プリズムから対物レン
ズまでの光路中に配設されてその光束を受光する受光素
子と、この受光素子の受光信号に基づいて半導体レーザ
素子の駆動電流を制御する制御手段を備えたことを特徴
とする光ピックアップ装置。
(1) In an optical pickup device that aligns the optical axis of signal light output from a semiconductor laser element with the optical axis of an objective lens via a deflection prism, the light flux is arranged in the optical path from the deflection prism to the objective lens. 1. An optical pickup device comprising: a light-receiving element that receives light; and a control means that controls a drive current of a semiconductor laser element based on a light-receiving signal of the light-receiving element.
(2)半導体レーザ素子から出力された信号光の光軸を
偏向プリズムを介して対物レンズの光軸に一致させると
ともに、偏向プリズムおよび対物レンズが他の光学系か
ら分離されて記憶媒体の半径方向に移動される光ピック
アップ装置において、偏向プリズムから対物レンズまで
の光路中に配設されてその光束を受光する第1の受光素
子と、半導体レーザ素子から出力された信号光の一部を
受光する第2の受光素子と、上記第1の受光素子から出
力される受光信号と上記第2の受光素子から出力される
受光素子の差を算出する差動アンプと、この差動アンプ
の出力を所定値と比較する比較器と、この比較器の出力
信号に応じて上記第1の受光素子の受光信号または第2
の受光素子の受光信号のいずれか一方を選択する選択手
段と、この選択手段により選択された受光信号に基づい
て半導体レーザ素子の駆動電流を制御する制御手段を備
えたことを特徴とする光ピックアップ装置。
(2) The optical axis of the signal light output from the semiconductor laser element is aligned with the optical axis of the objective lens via the deflection prism, and the deflection prism and objective lens are separated from other optical systems in the radial direction of the storage medium. In an optical pickup device that is moved, a first light receiving element is disposed in the optical path from the deflection prism to the objective lens and receives the light beam, and a first light receiving element receives a part of the signal light output from the semiconductor laser element. a second light-receiving element; a differential amplifier that calculates the difference between the light-receiving signal output from the first light-receiving element and the light-receiving element output from the second light-receiving element; a comparator for comparing the value, and a light receiving signal of the first light receiving element or a second light receiving element depending on the output signal of this comparator.
An optical pickup comprising: a selection means for selecting one of the light reception signals of the light reception element; and a control means for controlling a driving current of a semiconductor laser element based on the light reception signal selected by the selection means. Device.
(3)半導体レーザ素子から出力された信号光の光軸を
偏向プリズムを介して対物レンズの光軸に一致させる光
ピックアップ装置において、偏向プリズムから対物レン
ズまでの光路中に配設されてその光束を受光する受光素
子と、この受光素子の受光信号の初期値を出力する初期
値設定手段と、上記受光素子の受光信号と上記初期値設
定手段の設定値の偏差に基づいて上記受光素子の受光信
号の基準値を算出する基準値算出手段と、この基準値算
出手段が算出した基準値と上記受光素子の受光信号の偏
差に基づいて半導体レーザ素子の駆動電流を制御する制
御手段を備えたことを特徴とする光ピックアップ装置。
(3) In an optical pickup device that aligns the optical axis of signal light output from a semiconductor laser element with the optical axis of an objective lens via a deflection prism, the light flux is arranged in the optical path from the deflection prism to the objective lens. a light-receiving element that receives light; an initial value setting means that outputs an initial value of a light-receiving signal of the light-receiving element; A reference value calculation means for calculating a reference value of a signal, and a control means for controlling a driving current of a semiconductor laser element based on a deviation between a reference value calculated by the reference value calculation means and a light reception signal of the light receiving element. An optical pickup device featuring:
JP2214309A 1990-08-15 1990-08-15 Optical pickup device Pending JPH0498626A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2214309A JPH0498626A (en) 1990-08-15 1990-08-15 Optical pickup device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2214309A JPH0498626A (en) 1990-08-15 1990-08-15 Optical pickup device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0498626A true JPH0498626A (en) 1992-03-31

Family

ID=16653612

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2214309A Pending JPH0498626A (en) 1990-08-15 1990-08-15 Optical pickup device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0498626A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8687472B1 (en) * 2011-11-08 2014-04-01 Marvell International Ltd. Method and apparatus for determining the cleanliness of a lens in an optical disc drive

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8687472B1 (en) * 2011-11-08 2014-04-01 Marvell International Ltd. Method and apparatus for determining the cleanliness of a lens in an optical disc drive
US8897111B1 (en) 2011-11-08 2014-11-25 Marvell International Ltd. System and method for controlling a position of a lens of an optical disc drive to determine cleanliness of the lens

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4733067A (en) Semiconductor laser apparatus for optical head
US5751680A (en) Optical disk drive
US4967417A (en) Laser driving device provided with two reference signal sources, and optical information recording apparatus using the same device
US5293365A (en) Track control circuit for optical card recording/reproducing apparatus
US5703849A (en) Tracking servo correction control circuit
JPH0498626A (en) Optical pickup device
EP1143428A2 (en) Tracking servo apparatus of optical information recording and reproducing apparatus
US5088078A (en) Optical pickup apparatus
US5557597A (en) Focus error detector
US6058083A (en) Servo signal processing apparatus and optical disk apparatus
KR100935588B1 (en) Spherical aberration detection
US5461224A (en) Optical pick-up device having light splitting means and focus error and tracking error detection
JP2650466B2 (en) Optical head controller
JP2649385B2 (en) Offset setting method
US7400557B2 (en) Optical disk recording and reproducing apparatus
JP2690082B2 (en) Focus control circuit
JPH0636331A (en) Semiconductor laser control circuit
JP2001202651A (en) Optical pickup device and optical disk device
JPH05159341A (en) Optical pickup device
JPH0883432A (en) Optical disk reproducing device
JPH0379768B2 (en)
JPS63282932A (en) Optical axis dislocation correcting optical head
JPH0935310A (en) Light receiving/emitting device and optical pickup
JPS6150224A (en) Control of optical information reproducer
JPH03160632A (en) Optical information recording and reproducing device