JPH0437860A - 電子写真感光体 - Google Patents
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子写真感光体に関し、特に有機光導電性電子
写真感光体、更に電子写真感光体構成層の膜物性に関す
る。
写真感光体、更に電子写真感光体構成層の膜物性に関す
る。
カールソン法の電子写真複写機においては、感光体表面
を一様に帯電させた後、露光によって画像様に電荷を消
去して静電潜像を形成し、その静電潜像をトナーによっ
て現像し、次いでそのトナー像を紙等に転写、定着させ
る。
を一様に帯電させた後、露光によって画像様に電荷を消
去して静電潜像を形成し、その静電潜像をトナーによっ
て現像し、次いでそのトナー像を紙等に転写、定着させ
る。
一方、感光体には付着トナーの除去や除電、表面の清浄
化が施され、長期に亘って反復使用される。従って、電
子写真感光体としては、帯電特性および感度が良好で更
に暗減衰が小さい等の電子写真特性は勿論、加えて繰返
し使用での耐刷性、耐摩耗性、耐湿性等の物理的性質や
、コロナ放電時に発生するオゾン、露光時の紫外線等へ
の耐性(耐環境性)においても良好であることが要求さ
れる。
化が施され、長期に亘って反復使用される。従って、電
子写真感光体としては、帯電特性および感度が良好で更
に暗減衰が小さい等の電子写真特性は勿論、加えて繰返
し使用での耐刷性、耐摩耗性、耐湿性等の物理的性質や
、コロナ放電時に発生するオゾン、露光時の紫外線等へ
の耐性(耐環境性)においても良好であることが要求さ
れる。
従来、電子写真感光体としては、セレン、酸化亜鉛、硫
化カドミウム等の無機光導電性物質を感光層主成分とす
る無機感光体が広く用いられていIこ 。
化カドミウム等の無機光導電性物質を感光層主成分とす
る無機感光体が広く用いられていIこ 。
近年電子写真用感光体の感光層としてキャリア発生機能
とキャリア輸送機能とを異なる物質に分担させ、希望す
る特性に照して各機能を発揮する物質を広い範囲から選
択し、感度が高く耐久性の大きい有機感光体を実用化す
る動向にある。
とキャリア輸送機能とを異なる物質に分担させ、希望す
る特性に照して各機能を発揮する物質を広い範囲から選
択し、感度が高く耐久性の大きい有機感光体を実用化す
る動向にある。
このような機能分担型の有機感光体は従来上として負帯
電用として用いられ、特開昭60−247647号に記
載されるように支持体上に薄いキャリア発生層を設け、
この上に比較的厚いキャリア輸送層を設ける構成がとら
れている。このような感光体に使用されるバインダとし
ては、帯電特性、感度、残留電位及び繰返し特性等の面
で、下記構造式で示されるビスフェノールA型のポリカ
ーボネートが良好な特性を発揮することが良く知られて
いる。
電用として用いられ、特開昭60−247647号に記
載されるように支持体上に薄いキャリア発生層を設け、
この上に比較的厚いキャリア輸送層を設ける構成がとら
れている。このような感光体に使用されるバインダとし
ては、帯電特性、感度、残留電位及び繰返し特性等の面
で、下記構造式で示されるビスフェノールA型のポリカ
ーボネートが良好な特性を発揮することが良く知られて
いる。
しかし本発明者等が検討を加えた結果、上記ビスフェノ
ールA型ポリカーボネートは、高分子の結晶性が高いた
めその溶液はゲル化を起しやすく、1〜2日程度で使用
不可能となるという欠点を有している。また塗布により
膜形成を行なうと塗膜形成時に膜表面に結晶性ポリカー
ボネートが析出して凸部が生じやすく、このために塗膜
の尾引きが生じて収率が低下したり、あるいは感光体と
しての使用時に凸部にトナーが付着してクリーニングさ
れずに残り、いわゆるクリーニング不良による画像欠陥
が生じやすい。
ールA型ポリカーボネートは、高分子の結晶性が高いた
めその溶液はゲル化を起しやすく、1〜2日程度で使用
不可能となるという欠点を有している。また塗布により
膜形成を行なうと塗膜形成時に膜表面に結晶性ポリカー
ボネートが析出して凸部が生じやすく、このために塗膜
の尾引きが生じて収率が低下したり、あるいは感光体と
しての使用時に凸部にトナーが付着してクリーニングさ
れずに残り、いわゆるクリーニング不良による画像欠陥
が生じやすい。
また、上記ビスフェノールA型ポリカーボネートをバイ
ンダ樹脂として用いた電子写真感光体は、電子写真複写
機の感光体として用いると、磁気ブラ/やクリーニング
ブレードで擦過され感光層表面に傷が付いたり、感光層
が次第に摩耗するという欠点を有する。
ンダ樹脂として用いた電子写真感光体は、電子写真複写
機の感光体として用いると、磁気ブラ/やクリーニング
ブレードで擦過され感光層表面に傷が付いたり、感光層
が次第に摩耗するという欠点を有する。
他方、高画質と順調な複写体・集注は、感光体の均一な
厚みを有する滑らかで均質な表面性の良否にも依存する
ので、感光体塗布構成層面の構成層を形成する塗料組成
或は塗布、乾燥に起因する柚木肌、ピンホール、塗布筋
、亀裂(ソルベントクランク)等の膜面故障は、複写特
性上及び生産技術上大いに問題にされる所である。
厚みを有する滑らかで均質な表面性の良否にも依存する
ので、感光体塗布構成層面の構成層を形成する塗料組成
或は塗布、乾燥に起因する柚木肌、ピンホール、塗布筋
、亀裂(ソルベントクランク)等の膜面故障は、複写特
性上及び生産技術上大いに問題にされる所である。
また、表面性或は滑り性の改善には界面活性剤も有用で
あり、面も懸濁系の塗料に於ては懸濁質の分散及び分散
安定性向上に有効であり、溶液系塗料に於ても溶解促進
などに、また塗布性の向上等生産技術上の価値を有する
。しかしながら、その種類の選択を誤ると、層間接着不
良、その変質による故障或は耐湿性に係る支障を往々に
して惹起す。
あり、面も懸濁系の塗料に於ては懸濁質の分散及び分散
安定性向上に有効であり、溶液系塗料に於ても溶解促進
などに、また塗布性の向上等生産技術上の価値を有する
。しかしながら、その種類の選択を誤ると、層間接着不
良、その変質による故障或は耐湿性に係る支障を往々に
して惹起す。
前記したような支障に対して、フェニレン環閲の炭素に
弗素を有する置換基の導入(特開昭63−65441)
、フェニレン環へのアルキル基、ハロゲン原子の置換
(特開昭63−148263号)、或は両フェニレン環
にフェニル基を又はシクロヘキシル基を置換した七ツマ
−の共宜体(特開平1−269942号、同1−269
943号)、或はキャリア輸送物質としてジスチリルを
ビスフェノールzをポリカーボネートに併用すること(
特開昭64−32265号)等が提案されているが、未
だ充分な表面強度、表面平滑性がなく、摩耗、傷に弱く
、反復使用において画質の低下が起り、また摩耗による
膜厚減少による感度低下等の問題点を残している。
弗素を有する置換基の導入(特開昭63−65441)
、フェニレン環へのアルキル基、ハロゲン原子の置換
(特開昭63−148263号)、或は両フェニレン環
にフェニル基を又はシクロヘキシル基を置換した七ツマ
−の共宜体(特開平1−269942号、同1−269
943号)、或はキャリア輸送物質としてジスチリルを
ビスフェノールzをポリカーボネートに併用すること(
特開昭64−32265号)等が提案されているが、未
だ充分な表面強度、表面平滑性がなく、摩耗、傷に弱く
、反復使用において画質の低下が起り、また摩耗による
膜厚減少による感度低下等の問題点を残している。
本発明の目的は、高感度で、かつ電子写真感光体感光層
の機械的耐久性が高く、表面平滑性が良好であり、画質
低下、感度減退の少い感光体の提供にあり、また他の目
的は感光層塗料のポットライフ(保存性)の良好な感光
体の提供にある。
の機械的耐久性が高く、表面平滑性が良好であり、画質
低下、感度減退の少い感光体の提供にあり、また他の目
的は感光層塗料のポットライフ(保存性)の良好な感光
体の提供にある。
前記本発明の目的は、導電性基体上に電荷発生層、電荷
輸送層を順次積層した感光層を有する電子写真感光体に
おいて、前記電荷輸送層に、バインダ樹脂として下記−
紋穴〔B〕で示される繰返し単位を主要構造組成として
含む重合体を含有し、更に下記−紋穴(T)で示される
化合物を含むことを特徴とする電子写真感光体によって
達成される。
輸送層を順次積層した感光層を有する電子写真感光体に
おいて、前記電荷輸送層に、バインダ樹脂として下記−
紋穴〔B〕で示される繰返し単位を主要構造組成として
含む重合体を含有し、更に下記−紋穴(T)で示される
化合物を含むことを特徴とする電子写真感光体によって
達成される。
一般式〔B)
式中、Zは置換若しくは無置換の次記2つの基;炭素環
基、複素環基を形成するに必要な非金属原子群、R、、
R、、R、、R4及びR、、R、、R、、R、は水素原
子、塩素原子、臭素原子、メチル基を表す。
基、複素環基を形成するに必要な非金属原子群、R、、
R、、R、、R4及びR、、R、、R、、R、は水素原
子、塩素原子、臭素原子、メチル基を表す。
但し全てが水素原子であることはない。
重合度はlO〜5000、好ましくは50〜1000で
ある。
ある。
これらのカーボネート樹脂は従来用いられていたビスフ
ェノールAmのカーボネートの欠点を改善したものであ
って、これらのポリカーボネートの中心炭素原子には、
Zによる環が形成されているので、ポリカーボネートの
分子鎖が特定方向に配列することが効果的に阻止される
。このためポリカーボネートが、結晶化して溶液がゲル
化したり感光層形成時に膜表面に析出することがなく、
異常な凸部による収率の低下及びクリーニング不良等に
よる画像欠陥等のごとき、特性劣化を防ぐことができる
。
ェノールAmのカーボネートの欠点を改善したものであ
って、これらのポリカーボネートの中心炭素原子には、
Zによる環が形成されているので、ポリカーボネートの
分子鎖が特定方向に配列することが効果的に阻止される
。このためポリカーボネートが、結晶化して溶液がゲル
化したり感光層形成時に膜表面に析出することがなく、
異常な凸部による収率の低下及びクリーニング不良等に
よる画像欠陥等のごとき、特性劣化を防ぐことができる
。
こうした顕著な効果には、前記−紋穴CB)の2によっ
て形成される環が直接寄与している。
て形成される環が直接寄与している。
即ち本発明に於ては、前記−紋穴CB)で示されるポリ
カーボネートをバインダ樹脂として用いることにより皮
膜物性に優れ、電荷保持力、感度残留電位等の電子写真
特性に優れ、かつ繰返し使用に供した時にも疲労劣化が
少ない安定した特性を発揮する電子写真感光体を作成す
ることができる。
カーボネートをバインダ樹脂として用いることにより皮
膜物性に優れ、電荷保持力、感度残留電位等の電子写真
特性に優れ、かつ繰返し使用に供した時にも疲労劣化が
少ない安定した特性を発揮する電子写真感光体を作成す
ることができる。
更に、感光体として用いた時、磁気ブラシやクリーニン
グブレードで擦過されても感光層表面に傷が付きにくく
感光層の摩耗が少ない上、クリーニング不良等の特性不
良のない高耐刷性の電子写真感光体を作成することがで
きる。
グブレードで擦過されても感光層表面に傷が付きにくく
感光層の摩耗が少ない上、クリーニング不良等の特性不
良のない高耐刷性の電子写真感光体を作成することがで
きる。
本発明のポカーポ不−ト測脂は、例えば下記−紋穴に示
したフェノール系化合物を用いて常法に従い容易に合成
される。
したフェノール系化合物を用いて常法に従い容易に合成
される。
式中、Zは置換若しくは無置換の次記2つの基;炭素環
基、複素環基を形成するに必要な非金属原子群、Rl+
R*、R3,R4及びRs、Rs、Ry、Raは水素原
子、塩素原子、臭素原子、メチル基を表す。
基、複素環基を形成するに必要な非金属原子群、Rl+
R*、R3,R4及びRs、Rs、Ry、Raは水素原
子、塩素原子、臭素原子、メチル基を表す。
但し全てが水素原子であることはない。
本発明のボカーボネート樹脂を製造する方法を例示する
と、具体的には塩化メチレン、l、2−ジクロルエタン
等の不活性溶媒存在下、前記フェノール系化合物に、酸
受容体としてアルカリ水溶液或はピリジン等を入れ、ホ
スゲンを導入しながら反応させる方法が挙げられる。
と、具体的には塩化メチレン、l、2−ジクロルエタン
等の不活性溶媒存在下、前記フェノール系化合物に、酸
受容体としてアルカリ水溶液或はピリジン等を入れ、ホ
スゲンを導入しながら反応させる方法が挙げられる。
酸受容体としてアルカリ水溶液を使う時は、触媒として
トリメチルアミン、トリエチルアミン等の第3級アミン
、あるいはテトラブチルアンモニウムクロリド、ベンジ
ルトリブチルアンモニウムプロミド等の第4級アンモニ
ウム化合物を用いると、反応速度が増大する。
トリメチルアミン、トリエチルアミン等の第3級アミン
、あるいはテトラブチルアンモニウムクロリド、ベンジ
ルトリブチルアンモニウムプロミド等の第4級アンモニ
ウム化合物を用いると、反応速度が増大する。
また必要に応じて分子量調節剤としてフェノール、p−
t−ブチルフェノール等1価のフェノールを共存させて
もよい。触媒は最初から入れてもよいし、オリゴマーを
作った後に入れて高分子量化する等任意の方法がとれる
。
t−ブチルフェノール等1価のフェノールを共存させて
もよい。触媒は最初から入れてもよいし、オリゴマーを
作った後に入れて高分子量化する等任意の方法がとれる
。
まt;前記本発明に係るポリカーボネート樹脂には必要
に応じ、一般式CB)の繰返し単位の外に他の繰返し単
位を含有させた共編金型のポリカーボネート、例えば4
.4′−ジヒドロキシ・3−メチル7エ二ルー1.1−
シクロヘキサンに少量のビスフェノールAを混合して共
縮合させたポリカーボネートを用い、物理的、化学的或
は電気的特性な調整してもよい。
に応じ、一般式CB)の繰返し単位の外に他の繰返し単
位を含有させた共編金型のポリカーボネート、例えば4
.4′−ジヒドロキシ・3−メチル7エ二ルー1.1−
シクロヘキサンに少量のビスフェノールAを混合して共
縮合させたポリカーボネートを用い、物理的、化学的或
は電気的特性な調整してもよい。
更に必要に応じ目的とする作用効果に支障を来さぬ範囲
で他のポリマを混合して用いることができる。この際の
混合比率は50Wt/%以下が好ましい。
で他のポリマを混合して用いることができる。この際の
混合比率は50Wt/%以下が好ましい。
本発明で使用するバインダはポリカーボネート系のもの
であるからポリカーボネートが本来奏する優れた帯電性
能、繰返し特性、耐刷性等の特性を感光体に付与するこ
とができる。
であるからポリカーボネートが本来奏する優れた帯電性
能、繰返し特性、耐刷性等の特性を感光体に付与するこ
とができる。
次に前記一般式CB)におけるR1−R6の基は、水素
原子をはじめ、ハロゲン原子、メチル基等のアルキル基
であってよい。
原子をはじめ、ハロゲン原子、メチル基等のアルキル基
であってよい。
また前記一般式〔B〕のポリカーボネートにおいては、
Zは、5員または6員の炭素環、または複素環を形成す
るものであってよく、こうした環としては、/クロヘキ
ンル環、ンクロベンチル環等が挙げられ、環の一部にア
1セチル基、アセチルアミノ基等の置換基が導入されて
いてよい。
Zは、5員または6員の炭素環、または複素環を形成す
るものであってよく、こうした環としては、/クロヘキ
ンル環、ンクロベンチル環等が挙げられ、環の一部にア
1セチル基、アセチルアミノ基等の置換基が導入されて
いてよい。
本発明で使用するポリカーボネートの繰返し単位として
は具体的には次のものが挙げられる。
は具体的には次のものが挙げられる。
例示B繰返し単位
B−8
B−12
これらの中でB−3,B−6,B−10に示した繰返し
構造のポリカーボネートが特に優れた機械的耐久性を有
する。
構造のポリカーボネートが特に優れた機械的耐久性を有
する。
前記したバインダとして用いられるポリカーボネートに
併用して用いてもよいバインダとしては、例えば次のも
のを挙げることができる。
併用して用いてもよいバインダとしては、例えば次のも
のを挙げることができる。
(1) ポリエステル
(2)メタクリル樹脂
(3)アクリル樹脂
(4)ポリ塩化ビニル
(5)ポリ塩化ビニリデン
(6)ポリスチレン
(7) ポリビニルアセテート
(8) スチレン共重合樹脂(例えば、スチレン−ブタ
ヂエン共重合体、スチレン−メタクリル酸メチル共重合
体、等) (9)アクリロニトリル系共重合体樹脂(例えば、塩化
ビニリデン−アクリトロニトリル共重合体、等) (10) 塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体(11)
塩化ビニル−酢酸ビニル−無水ルーイン酸共重合体 (12) シリコーン樹脂 (13) シリコーン−アルキッド樹脂(14)
フェノール樹脂(例えば、フェノール−ホルムアルデヒ
ド樹脂、クレゾールホルムアルデヒド樹脂、等) (15) スチレン−アルキッド樹脂(16)ポリ−
N−ビニルカルバゾール(17) ポリビニルブチラ
ール (18)ポリビニルホルマール (19) ポリヒドロキシスチレン これらのバインダは、単独であるいは2種以上の混合物
として本発明に係るカーボネートに併用することができ
る。
ヂエン共重合体、スチレン−メタクリル酸メチル共重合
体、等) (9)アクリロニトリル系共重合体樹脂(例えば、塩化
ビニリデン−アクリトロニトリル共重合体、等) (10) 塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体(11)
塩化ビニル−酢酸ビニル−無水ルーイン酸共重合体 (12) シリコーン樹脂 (13) シリコーン−アルキッド樹脂(14)
フェノール樹脂(例えば、フェノール−ホルムアルデヒ
ド樹脂、クレゾールホルムアルデヒド樹脂、等) (15) スチレン−アルキッド樹脂(16)ポリ−
N−ビニルカルバゾール(17) ポリビニルブチラ
ール (18)ポリビニルホルマール (19) ポリヒドロキシスチレン これらのバインダは、単独であるいは2種以上の混合物
として本発明に係るカーボネートに併用することができ
る。
次に一般式(T)で示されるキャリア輸送物質(CTM
)について説明する。
)について説明する。
換の銃把3つの基;縮合多環系炭化水素基、複素環基、
縮合多環系複素環基を表す。
縮合多環系複素環基を表す。
置換の銃把3つの基;縮合多環系炭化水素基、複素環基
、縮合多環系複素環基を表す。
、縮合多環系複素環基を表す。
置換の銃把3つの基;縮合多環系炭化水素基、複素環基
、縮合多環系複素環基を表す。
、縮合多環系複素環基を表す。
置換の銃把3つの基;縮合多環系炭化水素基、複素環基
、縮合多環系複素環基を表し、又Ar、及びArtと共
同して環を形成してもよい。
、縮合多環系複素環基を表し、又Ar、及びArtと共
同して環を形成してもよい。
R1は置換もしくは無置換アルキル基、フェニル基、ア
ルコキシ基、フェノキシ基及びシアノ基、ハロゲン原子
、カルボキシル基、アシル基、ヒドロキシル基、ニトロ
基、アミン基、更に置換もしくは無置換の銃把6つの基
;アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルア
ミノ基、環状炭化水素基、縮合多環系炭化水素基、複素
環基を表す。
ルコキシ基、フェノキシ基及びシアノ基、ハロゲン原子
、カルボキシル基、アシル基、ヒドロキシル基、ニトロ
基、アミン基、更に置換もしくは無置換の銃把6つの基
;アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルア
ミノ基、環状炭化水素基、縮合多環系炭化水素基、複素
環基を表す。
R4,RI及びR,は、置換もしくは無置換の銃把4つ
の基;アルキル基、フェニル基、アルコキシ基、フェノ
キシ基及びシアノ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、
アシル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、更に
置換もしくは無置換の銃把6つの基;アルキルアミノ基
、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基、環状炭化水
素基、縮合多環系水素基、複素環基を表す。
の基;アルキル基、フェニル基、アルコキシ基、フェノ
キシ基及びシアノ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、
アシル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、更に
置換もしくは無置換の銃把6つの基;アルキルアミノ基
、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基、環状炭化水
素基、縮合多環系水素基、複素環基を表す。
i、に、lは、0〜5の整数を表し、jは、0〜4の整
数を表す。
数を表す。
前記化合物は、CTMとしての性能が高く、高感度化に
資する所、大である。
資する所、大である。
次に一般式〔T〕で示されるCTMの具体例を挙T−9
T−14
本発明において併用して使用可能なCTMとしては、特
に制限はないが、例えばオキサゾール誘導体、オキサジ
アゾール誘導体、チアゾール誘導体、チアジアゾール誘
導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、イミ
ダシロン誘導体、イミダゾリジン誘導体、ビスイミダゾ
リジン誘導体、スチリル化合物、ヒドラゾン化合物、ピ
ラゾリン誘導体、アミン誘導体、オキサシロン誘導体、
ベンゾチアゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、
キナゾリン誘導体、ベンゾフラン誘導体、アクリジン誘
導体、7工ナジン誘導体、アミノスチルベン誘導体、ポ
リ−N−ビニルカルバゾール、ポリ−1−ビニルピレン
、ポリ−9−ビニルアントラセン等である。
に制限はないが、例えばオキサゾール誘導体、オキサジ
アゾール誘導体、チアゾール誘導体、チアジアゾール誘
導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、イミ
ダシロン誘導体、イミダゾリジン誘導体、ビスイミダゾ
リジン誘導体、スチリル化合物、ヒドラゾン化合物、ピ
ラゾリン誘導体、アミン誘導体、オキサシロン誘導体、
ベンゾチアゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、
キナゾリン誘導体、ベンゾフラン誘導体、アクリジン誘
導体、7工ナジン誘導体、アミノスチルベン誘導体、ポ
リ−N−ビニルカルバゾール、ポリ−1−ビニルピレン
、ポリ−9−ビニルアントラセン等である。
本発明において用いられるCTl11としては光照射時
発生するホールの支持体側への輸送能力が優れている外
、前記本発明に用いられる有機系顔料との組合せに好適
なものが好ましい。
発生するホールの支持体側への輸送能力が優れている外
、前記本発明に用いられる有機系顔料との組合せに好適
なものが好ましい。
本発明の感光体においては、キャリア発生物質(Cに1
4)として次の代表例で示される様な有機顔料が用いら
れる。
4)として次の代表例で示される様な有機顔料が用いら
れる。
(1) モノアゾ顔料、ビスアゾ顔料、トリアゾ顔料
、金属錯塩アゾ顔料等のアゾ顔料 (2)ペリレン酸無水物、ペリレン酸イミド等のペリレ
ン顔料 (3)アントラキノン誘導体、アントアントロン誘導体
、ジベンズピレンキノン誘導体、ビラントロン誘導体、
ビオラントロン誘導体及びイソビオラントロン銹導体等
多環キノン顔料(4)インジゴ誘導体及びチオインジゴ
誘導体等のインジゴイド顔料 特に本発明の電子写真感光体においては、CCVとして
フルオレノン系ジスアゾ顔料、フルオレニリデン系ジス
アゾ顔料、多環キノン顔料等の有機系顔料が用いられる
ことが好ましい。特に次に示すフルオレノン系ジスアゾ
顔料、フルオレニリデン系ジスアゾ顔料、多環キノン顔
料を本発明に用いると、感度、耐久性及び画質等の点で
著しく改良された効果を示す。
、金属錯塩アゾ顔料等のアゾ顔料 (2)ペリレン酸無水物、ペリレン酸イミド等のペリレ
ン顔料 (3)アントラキノン誘導体、アントアントロン誘導体
、ジベンズピレンキノン誘導体、ビラントロン誘導体、
ビオラントロン誘導体及びイソビオラントロン銹導体等
多環キノン顔料(4)インジゴ誘導体及びチオインジゴ
誘導体等のインジゴイド顔料 特に本発明の電子写真感光体においては、CCVとして
フルオレノン系ジスアゾ顔料、フルオレニリデン系ジス
アゾ顔料、多環キノン顔料等の有機系顔料が用いられる
ことが好ましい。特に次に示すフルオレノン系ジスアゾ
顔料、フルオレニリデン系ジスアゾ顔料、多環キノン顔
料を本発明に用いると、感度、耐久性及び画質等の点で
著しく改良された効果を示す。
本発明に用いられるフルオレノン系ジスアゾ顔料は、下
記一般式〔F、〕で表される。
記一般式〔F、〕で表される。
一般式〔F1〕
xl及びX、は、それぞれ、ハロゲン原子、アルキル基
、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基又
は置換若しくは無置換のアミン基を表す・ p及びqはそれぞれO,l又は2の整数を表し、p及び
qが2のときは、X、及びX、はそれぞれ同−又は2異
なる基であってもよい。
、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基又
は置換若しくは無置換のアミン基を表す・ p及びqはそれぞれO,l又は2の整数を表し、p及び
qが2のときは、X、及びX、はそれぞれ同−又は2異
なる基であってもよい。
Aは下記一般式CF、〜l〕で表される基を示す。
一般式(Fl−1)
2゛
式中、Arは弗素化度化水素基又は置換基を有する芳香
族炭素環基又は芳香族複素環基を表す。
族炭素環基又は芳香族複素環基を表す。
Zは置換若しくは無置換の芳香族炭素環又は置換若しく
は無置換の芳香族複素環を形成するのに必要な非金属原
子群を表す。m及びnはそれぞれOl又は2の整数を表
す。但し、m及びnが同時に0となることはない。
は無置換の芳香族複素環を形成するのに必要な非金属原
子群を表す。m及びnはそれぞれOl又は2の整数を表
す。但し、m及びnが同時に0となることはない。
下記に本発明に用いられるフルオレノン系ジスアゾ顔料
の具体例を挙げるが、これによって限定されるものでは
ない。
の具体例を挙げるが、これによって限定されるものでは
ない。
試料N。
本発明に用いられる前記−紋穴〔F1〕で表されるフル
オレノン系ジスアゾ顔料は、公知の方法により容易に合
成され、例えば特願昭62−304862号等の方法に
より合成される。
オレノン系ジスアゾ顔料は、公知の方法により容易に合
成され、例えば特願昭62−304862号等の方法に
より合成される。
本発明に用いられるフルオレニリデン系ジスアゾ顔料は
下記−紋穴〔F!〕で表される。
下記−紋穴〔F!〕で表される。
−紋穴〔F、〕
式中、Aは
Z :置換、無置換の次記2つの基;芳香族炭素環、芳
香族複素環を構成するに必要な原子群 Y :水素原子、ヒドロキシ基、カルボキン基、若しく
はそのエステル基、スルホ基、置換、無置換の次記2つ
の基;カルバモイル基、スルファモイル基 R1:水素原子、置換、無置換の銃把4つの基;アルキ
ル基、アミノ基、カルバモイル基、カルボキシ基若しく
はそのエステル基またはンアノ基 Ar :置換、無置換のアリール基 R3:置換、無置換の銃把3つの基、アルキル基、アラ
ルキル基、アリール基 を表す。
香族複素環を構成するに必要な原子群 Y :水素原子、ヒドロキシ基、カルボキン基、若しく
はそのエステル基、スルホ基、置換、無置換の次記2つ
の基;カルバモイル基、スルファモイル基 R1:水素原子、置換、無置換の銃把4つの基;アルキ
ル基、アミノ基、カルバモイル基、カルボキシ基若しく
はそのエステル基またはンアノ基 Ar :置換、無置換のアリール基 R3:置換、無置換の銃把3つの基、アルキル基、アラ
ルキル基、アリール基 を表す。
前記−紋穴〔F、〕で示される本発明に有効なジスアゾ
顔料の具体例としては、例えば次の構造式で示されるも
のを挙げることができるが、これによって本発明に用い
られるべきジスアゾ顔料が限定されるものではない。
顔料の具体例としては、例えば次の構造式で示されるも
のを挙げることができるが、これによって本発明に用い
られるべきジスアゾ顔料が限定されるものではない。
F、−】
pt−5
F、−3
F、−7
F、−4
本発明に用いられる多環キノン顔料は、数式〔Q、〕〜
〔Q、〕で表される。
〔Q、〕で表される。
−数式(Q、)ニ
一般式(Qx)’
下記−
各式中、Xはハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アシ
ル基、又はカルボキシ基を表し、nはθ〜4の整数を、
mは0〜6の整数を表す。
ル基、又はカルボキシ基を表し、nはθ〜4の整数を、
mは0〜6の整数を表す。
前記−数式〔Q、〕〜〔Q3〕で示される本発明に用い
られる多環キノン顔料の具体例を下記に示すが、これに
限定されるものではない。
られる多環キノン顔料の具体例を下記に示すが、これに
限定されるものではない。
−数式〔Q1〕で示されるアントアントロン顔料の具体
的化合物例を挙げると次の通りである。
的化合物例を挙げると次の通りである。
Ql−I Q+ 2−数式
Ql−5
Q、−6
Q、−3
一般式〔Q、〕で示されるジベンズピレンキノン顔料の
具体的化合物例を挙げると次の通りである。
具体的化合物例を挙げると次の通りである。
Q、−2
Q、−5
一般式〔Q、〕で示されるピラシトロン顔料の具体的化
合物例を挙げると次の通りである。
合物例を挙げると次の通りである。
本発明に用いられる前記−数式〔Q1〕〜〔Q、〕で表
される多環キノン顔料は、公知の方法により容易に合成
できる。
される多環キノン顔料は、公知の方法により容易に合成
できる。
本発明に用いられる有機系顔料の分散媒としては、例え
ばヘキサン、ベンゼン、トルエン、キンレン等の炭化水
素類、メチレンクロライド、メチレンプロマイ)’、1
.2−ジクロルエタン、5yn−テトラクロルエタン、
CI S −1+ 2−ジクロルエチレン、l。
ばヘキサン、ベンゼン、トルエン、キンレン等の炭化水
素類、メチレンクロライド、メチレンプロマイ)’、1
.2−ジクロルエタン、5yn−テトラクロルエタン、
CI S −1+ 2−ジクロルエチレン、l。
1.21リクロルエタン、1,1.i トリクロルエタ
ン、1.2−、;クロルプロパン、クロロホルム、ブロ
モホルム、クロルベンゼン等のハロゲン化炭化水素、ア
セトン、メチルエチルケトン、ンクロヘキサノン等のケ
トン類、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類、メタ
ノール、エタノール、フロパノール、ブタノール、シク
ロヘキサノール、ヘプタツール、エチレングリコール、
メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、酢酸セロソルブ
等のアルコール及びこの誘導体、テトラヒドロフラン、
1.4−ノオキサン、フラン、フルフラール等のエーテ
ル、アセタール類、ピリジンやブチルアミン、ジエチル
アミン、エチレンジアミン、イソマロノくノールアミン
等のアミン類、N、N−ジメチルホルムアミド等のアミ
ド類等の窒素化合物能に脂肪酸及びフェノール類、二硫
化炭素や燐酸トリエチル等の硫黄、燐化合物等が挙げら
れる。
ン、1.2−、;クロルプロパン、クロロホルム、ブロ
モホルム、クロルベンゼン等のハロゲン化炭化水素、ア
セトン、メチルエチルケトン、ンクロヘキサノン等のケ
トン類、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類、メタ
ノール、エタノール、フロパノール、ブタノール、シク
ロヘキサノール、ヘプタツール、エチレングリコール、
メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、酢酸セロソルブ
等のアルコール及びこの誘導体、テトラヒドロフラン、
1.4−ノオキサン、フラン、フルフラール等のエーテ
ル、アセタール類、ピリジンやブチルアミン、ジエチル
アミン、エチレンジアミン、イソマロノくノールアミン
等のアミン類、N、N−ジメチルホルムアミド等のアミ
ド類等の窒素化合物能に脂肪酸及びフェノール類、二硫
化炭素や燐酸トリエチル等の硫黄、燐化合物等が挙げら
れる。
本発明において感光層には感度の向上、残留電位〜反復
使用時の疲労低減等を目的として、一種又は二種以上の
電子受容性物質を含有せしめることができる。
使用時の疲労低減等を目的として、一種又は二種以上の
電子受容性物質を含有せしめることができる。
ここに用いることのできる電子受容性物質としては、例
えば、無水琥珀酸、無水マレイン酸、ジブロム無水マレ
イン酸、無水フタル酸、テトラクロル無水フタル酸、テ
トラブロム無水フタル酸、3−ニトロ無水フタル酸、4
−ニトロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水メリ
ット酸、テトラシアノエチレン、テトランアノキノジメ
タン、0−ジニトロベンゼン、π−ジニトロベンゼン、
1,3.5−トリニトロベンゼン、パラニトロベンゾニ
トリル、ピクリルクロライド、キノンクロルイミド、ク
ロラニル、ブルマニル、ジクロルジシアノノ(ラベンゾ
キノン、アントラキノン、ジニトロアントラキノン、2
.7−シニトロフルオレノン、2,4.7−トリニトロ
フルオレノン、 2,4,5.7−テトラニトロフルオ
レノン、9−フルオレニリデン[・ジシアノメチレンマ
ロノジニトリル]、ポリニトロ−9−フルオレニ1ノデ
ンー[ジシアノメチレンマロノジニトリル]、ピクリン
酸、0−ニトロ安息香酸、p−ニトロ安息香酸、3、S
−、;ニトロ安息香酸、ペンタフルオロ安息香酸、5−
ニトロサリチル酸、3.5−ジニトロサリチル酸、フタ
ル酸、メリットa、その他の電子親和力の大きい化合物
を挙げることができる。又、電子受容性物質の添加割合
は、重量比で本発明に用し゛られる有機系顔料=を子受
容性物質−100: 0.01〜200、好ましくは1
00・0.1〜100である。
えば、無水琥珀酸、無水マレイン酸、ジブロム無水マレ
イン酸、無水フタル酸、テトラクロル無水フタル酸、テ
トラブロム無水フタル酸、3−ニトロ無水フタル酸、4
−ニトロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水メリ
ット酸、テトラシアノエチレン、テトランアノキノジメ
タン、0−ジニトロベンゼン、π−ジニトロベンゼン、
1,3.5−トリニトロベンゼン、パラニトロベンゾニ
トリル、ピクリルクロライド、キノンクロルイミド、ク
ロラニル、ブルマニル、ジクロルジシアノノ(ラベンゾ
キノン、アントラキノン、ジニトロアントラキノン、2
.7−シニトロフルオレノン、2,4.7−トリニトロ
フルオレノン、 2,4,5.7−テトラニトロフルオ
レノン、9−フルオレニリデン[・ジシアノメチレンマ
ロノジニトリル]、ポリニトロ−9−フルオレニ1ノデ
ンー[ジシアノメチレンマロノジニトリル]、ピクリン
酸、0−ニトロ安息香酸、p−ニトロ安息香酸、3、S
−、;ニトロ安息香酸、ペンタフルオロ安息香酸、5−
ニトロサリチル酸、3.5−ジニトロサリチル酸、フタ
ル酸、メリットa、その他の電子親和力の大きい化合物
を挙げることができる。又、電子受容性物質の添加割合
は、重量比で本発明に用し゛られる有機系顔料=を子受
容性物質−100: 0.01〜200、好ましくは1
00・0.1〜100である。
かかる層への電子受容性物質の添加割合は重量比で全C
TM :電子受容性物質−100: 0.01〜100
、好ましくは100 : 0.1〜50である。
TM :電子受容性物質−100: 0.01〜100
、好ましくは100 : 0.1〜50である。
又、本発明の感光層中にはCGMの電荷発生機能を改善
する目的で有機アミン類を添加することができ、特に2
級アミンを添加するのが好ましし\。
する目的で有機アミン類を添加することができ、特に2
級アミンを添加するのが好ましし\。
これらの化合物は特開昭59−218447号、同62
−8160号に記載されている。
−8160号に記載されている。
又、本発明の感光体には、その他、必要により感光層を
保護する目的で紫外線吸収剤等を含有してもよく、また
感色性補正の染料を含有してもよい。
保護する目的で紫外線吸収剤等を含有してもよく、また
感色性補正の染料を含有してもよい。
また本発明に係る保護層中には加工性及び物性の改良(
亀裂防止、柔軟性付与等)を目的として必要により熱可
塑性樹脂を50vt%未満含有せしめることができる。
亀裂防止、柔軟性付与等)を目的として必要により熱可
塑性樹脂を50vt%未満含有せしめることができる。
又、前記中間層は接着層又はブロッキング層等として機
能するもので、上記バインダ樹脂の外に、例えハホリビ
ニルアルコール、エチルセルロース、カルボキンメチル
セルロース、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビ
ニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、カゼイン
、N−アルコキシメチル化ナイロン、澱粉等が用いられ
る。
能するもので、上記バインダ樹脂の外に、例えハホリビ
ニルアルコール、エチルセルロース、カルボキンメチル
セルロース、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビ
ニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、カゼイン
、N−アルコキシメチル化ナイロン、澱粉等が用いられ
る。
本発明の電子写真感光体の構成に用いられる導電性支持
体としては、主として下記のものが用いられるが、これ
らにより限定されるものではない。
体としては、主として下記のものが用いられるが、これ
らにより限定されるものではない。
■)アルミニウム板、ステンレス板などの金属板。
2)紙あるいはグラスチックフィルムなどの支持体上に
、アルミニウム、パラジウム、金などの金属薄層をラミ
ネートもしくは蒸着によって設けたもの。
、アルミニウム、パラジウム、金などの金属薄層をラミ
ネートもしくは蒸着によって設けたもの。
3)紙あるいはプラスチックフィルムなどの支持体上に
、導電性ポリマ、酸化インジウム、酸化錫などの導電性
化合物の層を塗布もしくは蒸着によって設けたもの。
、導電性ポリマ、酸化インジウム、酸化錫などの導電性
化合物の層を塗布もしくは蒸着によって設けたもの。
本発明の感光体は、第1図及び第2図に示すように導電
性支持体l上にCCMを主成分とするCCL 2と本発
明に係るCTMを主成分として含有するCTL 3との
積層体より成る感光層4を設ける。
性支持体l上にCCMを主成分とするCCL 2と本発
明に係るCTMを主成分として含有するCTL 3との
積層体より成る感光層4を設ける。
第3図及び第4図に示すようにこの感光層4は、導電性
支持体1上に設けた中間層5を介して設けてもよい。
支持体1上に設けた中間層5を介して設けてもよい。
このように感光層4を二層構成としたときに最もすぐれ
た電子写真特性を有する電子写真感光体が得られる。
た電子写真特性を有する電子写真感光体が得られる。
又、本発明においては、第5図及び第6図に示すように
前記CTMを主成分とする層6中に微粒子状のCGM
7を分散してなる感光層4を導電性支持体l上に直接あ
るいは、中間層5を介して設けてもよい。更に前記感光
層4の上には必要に応じ保護層8を設けてもよい。
前記CTMを主成分とする層6中に微粒子状のCGM
7を分散してなる感光層4を導電性支持体l上に直接あ
るいは、中間層5を介して設けてもよい。更に前記感光
層4の上には必要に応じ保護層8を設けてもよい。
ここで感光層4を二層構成としたときにCGL 2とC
TL 3のいずれを上層とするかは、帯電極性を正、負
のいずれに選ぶかによって決定される。即ち、員帯電型
感光層とする場合は、CTL 3を上層とするのが有利
であり、これは該CTL 3中のCTMが、正孔に対し
て高い輸送能を有する物質であるからである。
TL 3のいずれを上層とするかは、帯電極性を正、負
のいずれに選ぶかによって決定される。即ち、員帯電型
感光層とする場合は、CTL 3を上層とするのが有利
であり、これは該CTL 3中のCTMが、正孔に対し
て高い輸送能を有する物質であるからである。
又、二層構成の感光層4を構成するCGL 2は、導電
性支持体1もしくはCTL S上に直接あるいは必要に
応じて接着層もしくはブロッキング層などの中間層を設
けた上に、次の方法によって形成することができる。
性支持体1もしくはCTL S上に直接あるいは必要に
応じて接着層もしくはブロッキング層などの中間層を設
けた上に、次の方法によって形成することができる。
(1)真空蒸着法
(2) CGMを適当な溶剤に溶解した溶液を塗布す
る方法 (3) CGMをボールミル、サンドグラインダ等に
よって分散媒中で微細粒子状とし必要に応じて、バイン
ダと混合分散して得られる分散液を塗布する方法。
る方法 (3) CGMをボールミル、サンドグラインダ等に
よって分散媒中で微細粒子状とし必要に応じて、バイン
ダと混合分散して得られる分散液を塗布する方法。
即ち具体的には、真空蒸着、スパッタリング、CVD等
の気相堆積法あるいはディッピング、スプレィ、ブレー
ド、ロール法等の塗布方法が任意に用いられる。
の気相堆積法あるいはディッピング、スプレィ、ブレー
ド、ロール法等の塗布方法が任意に用いられる。
このようにして形成されるCGL 2の厚さは、o、(
11μml〜5μmであることが好しく、更に好しくは
0.o5μl〜3μ輸である。
11μml〜5μmであることが好しく、更に好しくは
0.o5μl〜3μ輸である。
またCTL 3の厚さは、必要に応じて変更し得るが通
常5μ諷〜30IImであることが好ましい。このCT
L 3における組成割合は、本発明のCTM 1重量部
に対してバインダ0.1〜5重量部とするのが好ましい
が、微粒子状のcGMを分散せしめた感光層4を形成す
る場合は、CGM1!i量部に対してバインダを5fU
量部以下の範囲で用いることが好ましい。
常5μ諷〜30IImであることが好ましい。このCT
L 3における組成割合は、本発明のCTM 1重量部
に対してバインダ0.1〜5重量部とするのが好ましい
が、微粒子状のcGMを分散せしめた感光層4を形成す
る場合は、CGM1!i量部に対してバインダを5fU
量部以下の範囲で用いることが好ましい。
またCGLをバインダ中分散型のものとして構成する場
合には、CGM 1重量部に対してパイン・ダを5重量
部以下の範囲で用いることが好ましい。
合には、CGM 1重量部に対してパイン・ダを5重量
部以下の範囲で用いることが好ましい。
本発明の感光体は以上のような構成であって、後述する
ような実施例からも明らかなように帯電特性、感度特性
、画像形成特性に優れl;ものである。
ような実施例からも明らかなように帯電特性、感度特性
、画像形成特性に優れl;ものである。
特に反復転写式電子写真方式に供したときにも疲労劣化
が少なく耐久性が優れたものである。
が少なく耐久性が優れたものである。
以下本発明の実施例を具体的に説明するが、これにより
本発明の実施態様が限定されるものではない。
本発明の実施態様が限定されるものではない。
実施例1
ε〜ルアミノ−カプロン、アジピン酸及びN−(β・ア
ミノエチル)ピペラジンの比率がl:1:1のモノマー
組成で共重合されたポリアミド30gを50℃に加熱し
た800m12のメタノールEL規格(関東化学社製)
へ撹拌しながら投入し、溶解させた。
ミノエチル)ピペラジンの比率がl:1:1のモノマー
組成で共重合されたポリアミド30gを50℃に加熱し
た800m12のメタノールEL規格(関東化学社製)
へ撹拌しながら投入し、溶解させた。
室温迄冷却後、1−ブタノール特級(関東化学社製)2
00−gを加えた。その後、直径80腹園のアルミニウ
ムドラム上へ浸漬塗布し、0.5μm厚の中間層を形成
いこ。
00−gを加えた。その後、直径80腹園のアルミニウ
ムドラム上へ浸漬塗布し、0.5μm厚の中間層を形成
いこ。
次にCGMとしてフルオレノン系ジスアゾ顔料(例示化
合物F + −23) 20 g及びバインダとしてポ
リビニルブチラール樹脂エスレックBX−1(覆水化学
社製)10gをメチルエチルケトン(関東化学社製EL
規格) 1000+IQへ溶解し、サンドミルにて24
時間ミリングを行い、CGL塗工液を得た。これを上記
中間層上に浸漬塗布して0.3μ閣厚のCGLを形成し
た。
合物F + −23) 20 g及びバインダとしてポ
リビニルブチラール樹脂エスレックBX−1(覆水化学
社製)10gをメチルエチルケトン(関東化学社製EL
規格) 1000+IQへ溶解し、サンドミルにて24
時間ミリングを行い、CGL塗工液を得た。これを上記
中間層上に浸漬塗布して0.3μ閣厚のCGLを形成し
た。
その後、前記(例示CTM、 T −2) 120gと
重合体B −3165gを1.2−ジクロルエタン特級
(関東化学社製) 1ooo+CI2へ溶解させ、CT
L塗工液を得た。
重合体B −3165gを1.2−ジクロルエタン特級
(関東化学社製) 1ooo+CI2へ溶解させ、CT
L塗工液を得た。
これを上記CGL上に浸漬塗布後、100°Cで1時間
乾燥し、20μ如厚のCTLを形成した。
乾燥し、20μ如厚のCTLを形成した。
このようにして、中間層−〇GL−CTLを順次積層し
て成る感光体を作成した。
て成る感光体を作成した。
実施例2
CT、llを例示;T−1とした以外は実施例1と同様
にして感光体を作成した。
にして感光体を作成した。
実施例3
中間層の形成は実施例1と同様に行った。
CGMとして、多環牛ノン系顔料(例示化合物:Ql−
3)20g及びバインダとしてポリカーボネート樹脂L
−1250(音大化成社製)lOgを1.2−ジクロ
ルエタン特級(関東化学社製)へ溶解し、ボールミルに
て24時間ミリングを行いCGL I!工液を得た。こ
れを上記中間層上に浸漬塗布とて0.3μ腸厚のCGL
を形成した。
3)20g及びバインダとしてポリカーボネート樹脂L
−1250(音大化成社製)lOgを1.2−ジクロ
ルエタン特級(関東化学社製)へ溶解し、ボールミルに
て24時間ミリングを行いCGL I!工液を得た。こ
れを上記中間層上に浸漬塗布とて0.3μ腸厚のCGL
を形成した。
次いでCTMを例示;T−:Lバインダを共重合体B−
4とした以外は実施例1と同様にCTLを積層し、感光
体を作成した。
4とした以外は実施例1と同様にCTLを積層し、感光
体を作成した。
実施例4
CTMを例示T −13、CTLバインダを共重合体B
−4とした以外は実施例1と同様にして感光体を作成し
た。
−4とした以外は実施例1と同様にして感光体を作成し
た。
実施例5
ポリビニルブチラール[tf(エスレックBχ−11積
水化学社製)12gをメチルエチルケトン10100O
に溶解しさせた後、CGMとして例示化合物Q、−3;
5.7g、例示化合物F +−23; 0.3gを混合
し、サンドグラインダで10時間分散した。
水化学社製)12gをメチルエチルケトン10100O
に溶解しさせた後、CGMとして例示化合物Q、−3;
5.7g、例示化合物F +−23; 0.3gを混合
し、サンドグラインダで10時間分散した。
これを実施例1で記した中間層上に浸漬塗布し、CGL
を形成、更に実施例2と同様にしてCTLを形成し、感
光体を作成した。
を形成、更に実施例2と同様にしてCTLを形成し、感
光体を作成した。
比較例1
実施例1でCTLバインダとしてビスフェノールAポリ
カーボネート(奇人化成パンライト ト1300)を用
いた以外は同様にして感光体を作成した。
カーボネート(奇人化成パンライト ト1300)を用
いた以外は同様にして感光体を作成した。
しかしながら、塗布液の安定性が悪く放置による大幅な
粘度上昇が見られ1ケ月後には完全にゲル状になり、例
えば超音波処理等の再分散処理を施しても元に戻らず、
不安定な液しか得られなかった。
粘度上昇が見られ1ケ月後には完全にゲル状になり、例
えば超音波処理等の再分散処理を施しても元に戻らず、
不安定な液しか得られなかった。
比較例2
’14 施’fR1テCTL /<インダとしてビスフ
ェノール2ポリカーボネート(三菱ガス化学Z−200
)を用いた以外は同様にして感光体を作成した。
ェノール2ポリカーボネート(三菱ガス化学Z−200
)を用いた以外は同様にして感光体を作成した。
比較例3
実施例1でCTMとして下記ヒドラゾン化合物を用いた
以外は同様にして感光体を作成した。
以外は同様にして感光体を作成した。
繰返し特性の測定
実施例1〜5及び比較例1〜4の感光体を各々r U
−Bix 2025J (コニカ社製)に搭載し、10
万回コピーの実写を行うと共に、実写前後での表面電位
を測定した。
−Bix 2025J (コニカ社製)に搭載し、10
万回コピーの実写を行うと共に、実写前後での表面電位
を測定した。
黒紙電位二反射濃度1.3の原稿に対する表面電位白紙
電位二反射濃度0.0の原稿に対する表面電位残留電位
:除電後の表面電位 表面の摩擦による膜減耗については、lO万ココピー終
了後感光体膜厚を測定し、初期と比較した。
電位二反射濃度0.0の原稿に対する表面電位残留電位
:除電後の表面電位 表面の摩擦による膜減耗については、lO万ココピー終
了後感光体膜厚を測定し、初期と比較した。
画質については、遂次画像サンプルをチエツクし、ドラ
ム周方向のキズに基づくスジ、クリ一二〔発明の効果〕 本発明感光体は、優れた電子写真性能を有し、繰返し使
用によっても特性変化が少ない上に、耐摩耗性にも優れ
るので、極めて高い耐刷性能を有する。
ム周方向のキズに基づくスジ、クリ一二〔発明の効果〕 本発明感光体は、優れた電子写真性能を有し、繰返し使
用によっても特性変化が少ない上に、耐摩耗性にも優れ
るので、極めて高い耐刷性能を有する。
第1図〜第6図はそれぞれ本発明の感光体の機械的構成
例について示す断面図である。 1・・・導電性支持体 2・・・キャリア発生層 3・・・キャリア輸送層 4・・・感光層 5・・・中間層 6・・・キャリア輸送物資を含有する層7・・・キャリ
ア発生物資 8・・・保護層
例について示す断面図である。 1・・・導電性支持体 2・・・キャリア発生層 3・・・キャリア輸送層 4・・・感光層 5・・・中間層 6・・・キャリア輸送物資を含有する層7・・・キャリ
ア発生物資 8・・・保護層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 導電性基体上に電荷発生層、電荷輸送層を順次積層した
感光層を有する電子写真感光体において、前記電荷輸送
層に、バインダ樹脂として下記一般式〔B〕で示される
繰返し単位を主要構造組成として含む重合体を含有し、
更に下記一般式〔T〕で示される化合物を含むことを特
徴とする電子写真感光体。 一般式〔B〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Zは置換若しくは無置換の次記2つの基;炭素
環基、複素環基を形成するに必要な非金属原子群、R_
1、R_2、R_3、R_4及びR_5、R_6、R_
7、R_8は水素原子、塩素原子、臭素原子、メチル基
を表す。但し全てが水素原子であることはない。〕一般
式〔T〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ar_1は、▲数式、化学式、表等があります
▼、置換もしくは無置換の続記3つの基;縮合多環系炭
化水素基、複素環基、縮合多環系複素環基を表す。 Ar_2及びAr_3は、▲数式、化学式、表等があり
ます▼、置換もしくは無置換の続記3つの基;縮合多環
系炭化水素基、複素環基、縮合多環系複素環基を表す。 Ar_4及びAr_5は、▲数式、化学式、表等があり
ます▼、置換もしくは無置換の続記3つの基;縮合多環
系炭化水素基、複素環基、縮合多環系複素環基を表す。 R_1及びR_2は、▲数式、化学式、表等があります
▼、置換もしくは無置換の続記3つの基;縮合多環系炭
化水素基、複素環基、縮合多環系複素環基を表し、又A
r_4及びAr_5と共同して環を形成してもよい。 R_3は置換もしくは無置換アルキル基、フェニル基、
アルコキシ基、フェノキシ基及びシアノ基、ハロゲン原
子、カルボキシル基、アシル基、ヒドロキシル基、ニト
ロ基、アミノ基、更に置換もしくは無置換の続記6つの
基;アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキル
アミノ基、環状炭化水素基、縮合多環系炭化水素基、複
素環基を表す。 R_4、R_5及びR_6は、置換もしくは無置換の続
記4つの基;アルキル基、フェニル基、アルコキシ基、
フェノキシ基及びシアノ基、ハロゲン原子、カルボキシ
ル基、アシル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基
、更に置換もしくは無置換の続記6つの基;アルキルア
ミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基、環状
炭化水素基、縮合多環系水素基、複素環基を表す。 i、k、lは、0〜5の整数を表し、jは、0〜4の整
数を表す。〕
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14563590A JPH0437860A (ja) | 1990-06-04 | 1990-06-04 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14563590A JPH0437860A (ja) | 1990-06-04 | 1990-06-04 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0437860A true JPH0437860A (ja) | 1992-02-07 |
Family
ID=15389572
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14563590A Pending JPH0437860A (ja) | 1990-06-04 | 1990-06-04 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0437860A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56169542A (en) * | 1980-05-29 | 1981-12-26 | Kyuji Matsushita | Preparation of frozen egg and frozen egg |
US5554473A (en) * | 1994-11-23 | 1996-09-10 | Mitsubishi Chemical America, Inc. | Photoreceptor having charge transport layers containing a copolycarbonate and layer containing same |
CN102598423A (zh) * | 2010-10-28 | 2012-07-18 | 深圳盛凌电子股份有限公司 | 一种金属端子的压接区域倒角的加工方法和装置 |
-
1990
- 1990-06-04 JP JP14563590A patent/JPH0437860A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56169542A (en) * | 1980-05-29 | 1981-12-26 | Kyuji Matsushita | Preparation of frozen egg and frozen egg |
JPS5748935B2 (ja) * | 1980-05-29 | 1982-10-19 | ||
US5554473A (en) * | 1994-11-23 | 1996-09-10 | Mitsubishi Chemical America, Inc. | Photoreceptor having charge transport layers containing a copolycarbonate and layer containing same |
CN102598423A (zh) * | 2010-10-28 | 2012-07-18 | 深圳盛凌电子股份有限公司 | 一种金属端子的压接区域倒角的加工方法和装置 |
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