JPH04361548A - Method and device for defect detection - Google Patents
Method and device for defect detectionInfo
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- JPH04361548A JPH04361548A JP13786391A JP13786391A JPH04361548A JP H04361548 A JPH04361548 A JP H04361548A JP 13786391 A JP13786391 A JP 13786391A JP 13786391 A JP13786391 A JP 13786391A JP H04361548 A JPH04361548 A JP H04361548A
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Description
【0001】0001
【産業上の利用分野】本発明は、フォトマスク等に形成
されたパターンと設計パターンとを比較して欠陥の有無
を判定する欠陥検査技術に係わり、特にアライメントマ
ークを基に被検査パターンのパターン種別を認識するよ
うにした欠陥検査方法及び検査装置に関する。[Industrial Application Field] The present invention relates to a defect inspection technique for determining the presence or absence of a defect by comparing a pattern formed on a photomask or the like with a designed pattern. The present invention relates to a defect inspection method and inspection device that recognize types.
【0002】0002
【従来の技術】従来、フォトマスク等に形成されたパタ
ーンを検査するには、マスク上で光ビームを走査し、マ
スクからの反射光或いは透過光を検出して被検査パター
ンデータを得る。そして、この被検査パターンデータと
設計パターンデータとを比較照合することにより、欠陥
の有無を判定していた。2. Description of the Related Art Conventionally, in order to inspect a pattern formed on a photomask or the like, a light beam is scanned over the mask and reflected light or transmitted light from the mask is detected to obtain pattern data to be inspected. The presence or absence of a defect has been determined by comparing and collating this inspected pattern data with the design pattern data.
【0003】ここで、マスクパターンの種類は多種に渡
るものであり、被検査パターンに対応する設計パターン
を予め選択しなければならない。この選択は、オペレー
タが被検査マスクに対応する設計パターンをファイルの
中から選び出すことにより行っている。Here, there are many types of mask patterns, and a design pattern corresponding to the pattern to be inspected must be selected in advance. This selection is made by the operator selecting a design pattern corresponding to the mask to be inspected from among the files.
【0004】しかしながら、この種の方法にあっては次
のような問題があった。即ち、これから検査するマスク
に対応した比較用設計パターンをマスクファイルの中か
ら選び出し、被検査マスクの装置へのロードと共に対応
した設計パターンのデータファイル上のナンバーやネー
ム等を入力する必要があり、オペレータの手間がかかる
。さらに、オペレータが設計パターンと被検査マスクと
の対応を間違えて入力すると疑似欠陥多発となり、実質
的検査ができない。However, this type of method has the following problems. That is, it is necessary to select a comparative design pattern corresponding to the mask to be inspected from the mask file, load the mask to be inspected into the device, and input the number, name, etc. on the data file of the corresponding design pattern. It takes time for the operator. Furthermore, if the operator incorrectly inputs the correspondence between the design pattern and the mask to be inspected, false defects will occur frequently, making it impossible to carry out actual inspection.
【0005】また、10枚等の連続検査を実行する場合
、オペレータの操作ミスにより、入力した設計データに
対し被検査マスクを1枚ずつずれてセットしてしまうと
、連続検査した10枚全てが疑似欠陥多発となり、大き
な時間のロスとなる。[0005] Furthermore, when carrying out continuous inspection of 10 sheets or the like, if the operator makes an operational error and sets the masks to be inspected one by one out of alignment with the input design data, all 10 sheets inspected continuously will be Pseudo defects occur frequently, resulting in a large loss of time.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】このように、従来のパ
ターン欠陥検査においては、被検査マスクに対応した比
較用設計パターンをオペレータが選択する必要があり、
これに伴い操作の煩雑化及び疑似欠陥の発生等を招いて
いた。As described above, in conventional pattern defect inspection, it is necessary for the operator to select a comparative design pattern corresponding to the mask to be inspected.
This has led to complicated operations and the occurrence of false defects.
【0007】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、被検査マスク等の検査
すべき試料に対応する設計パターンを自動的に選択する
ことができ、操作の容易化及び疑似欠陥発生の防止をは
かり得る欠陥検査方法及び検査装置を提供することにあ
る。The present invention has been made in consideration of the above-mentioned circumstances, and its purpose is to automatically select a design pattern corresponding to a sample to be inspected, such as a mask to be inspected, and to enable easy operation. An object of the present invention is to provide a defect inspection method and an inspection apparatus that can facilitate the process and prevent the occurrence of pseudo defects.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明の骨子は、検査す
べきマスク等の試料をセットすれば、従来から実施して
いるオートアライメントの工程で自動的に検査に使用す
る比較用の設計パターンを選び出し、検査パターンと設
計パターンとの比較照合を行うことにある。[Means for Solving the Problems] The gist of the present invention is that once a sample such as a mask to be inspected is set, a comparison design pattern is automatically created in the conventional auto-alignment process to be used for inspection. The purpose is to select the test pattern and compare and match it with the design pattern.
【0009】即ち本発明は、試料上に形成された複数個
のアライメントマークの位置を測定し、該測定された位
置情報から試料上に形成されたパターンの位置を認識し
、該認識された位置情報を基準に被検査パターンと設計
パターンとを比較して、被検査パターンの欠陥の有無を
判定する欠陥検査方法において、複数個のアライメント
マークの一部又は全てにパターンの種別を表わす形状の
差を設けておき、欠陥検査の際に各アライメントマーク
の形状を測定してパターンの種別を認識し、該認識され
たパターン種別に相当する設計パターンを選択し、該選
択された設計パターンと被検査パターンとを比較するこ
とを特徴としている。That is, the present invention measures the positions of a plurality of alignment marks formed on a sample, recognizes the position of a pattern formed on the sample from the measured position information, and In a defect inspection method that compares the pattern to be inspected and the design pattern based on information and determines the presence or absence of a defect in the pattern to be inspected, a difference in shape representing the type of pattern in some or all of the plurality of alignment marks is used. is set up, and during defect inspection, the shape of each alignment mark is measured to recognize the pattern type, a design pattern corresponding to the recognized pattern type is selected, and the selected design pattern and the inspected pattern are It is characterized by comparing patterns.
【0010】また本発明は、上記方法を実施するための
欠陥検査装置において、試料上に形成された複数個のア
ライメントマークの位置及び形状を測定する手段と、測
定されたマーク形状から検査すべきパターンに相当する
設計パターンを選択する手段と、測定されたマーク位置
を基準に試料上のパターンに光ビームを走査して被検査
パターンを検出する手段と、該検出された被検査パター
ンと選択された設計パターンとを比較して欠陥の有無を
判定する手段とを具備したことを特徴としている。また
、本発明の望ましい実施態様としては、次の (1)〜
(3) があげられる。
(1) アライメントマークで表現するパターン種別を
表わす形状として、マークのX,Y方向の寸法の大小を
利用する。
(2) アライメントマークで表現する情報は、パター
ン種別と共に被検査マスクの検査データのマスクファイ
ル情報である。
(3) アライメントマークで表現する情報は、パター
ン種別と共に被検査マスクの検査レベル情報である。The present invention also provides a defect inspection apparatus for carrying out the above method, which includes a means for measuring the positions and shapes of a plurality of alignment marks formed on a sample, and a means for measuring the positions and shapes of a plurality of alignment marks formed on a sample, and a means for measuring the positions and shapes of a plurality of alignment marks formed on a sample, and a means for measuring the positions and shapes of a plurality of alignment marks formed on a sample. means for selecting a design pattern corresponding to the pattern; means for detecting a pattern to be inspected by scanning a light beam over a pattern on a sample based on the measured mark position; The present invention is characterized by comprising a means for determining the presence or absence of a defect by comparing the design pattern with the design pattern obtained. Further, as desirable embodiments of the present invention, the following (1) to
(3) can be mentioned. (1) The size of the mark in the X and Y directions is used as the shape representing the pattern type expressed by the alignment mark. (2) The information expressed by the alignment mark is the pattern type and mask file information of the inspection data of the mask to be inspected. (3) The information expressed by the alignment mark is the pattern type and inspection level information of the mask to be inspected.
【0011】[0011]
【作用】従来から実施しているオートアライメント工程
でのアライメントマークの中心位置の確認に加えて、ア
ライメントマークの寸法(X,Y方向寸法)を認識させ
ると共に、例えばアライメントマーク寸法の中心位置は
変えることなく、大きさを数μmレベルのオーダで変え
る。また、アライメントマークは一般には正方形である
が、X,Yそれぞれの方向に対して長方形とすることに
より、必要な数の種類を設ける。[Operation] In addition to confirming the center position of the alignment mark in the conventional auto-alignment process, the dimensions of the alignment mark (X and Y direction dimensions) are recognized, and for example, the center position of the alignment mark dimension can be changed. The size can be changed on the order of several micrometers without any problem. Further, although the alignment mark is generally square, it can be made into a rectangle in each of the X and Y directions to provide a necessary number of types.
【0012】また、アライメントマークの数は4個でパ
ターン位置の認識,伸縮補正を実施しているが、必要に
応じ個数を増加させて、そのX,Y寸法によって使用す
べき設計データのナンバー,ネーム等の情報又は検査レ
ベル(検出すべき欠陥サイズ)の情報等を表わすように
する。[0012]Although the number of alignment marks is four to recognize the pattern position and correct the expansion/contraction, the number can be increased as necessary, and the number of design data to be used can be determined according to the X and Y dimensions. Information such as name or information on inspection level (size of defect to be detected) is displayed.
【0013】アライメント中に得られた前記アライメン
トマークの寸法で表わされた情報から、これから検査す
べきマスクの設計データを示すネーム,検査レベル等を
認識し、自動的に選定された設計データと比較しながら
欠陥検査を実行する。[0013] From the information expressed by the dimensions of the alignment mark obtained during alignment, the name, inspection level, etc. indicating the design data of the mask to be inspected is recognized, and the design data and the automatically selected design data are recognized. Perform defect inspection while comparing.
【0014】[0014]
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。Embodiments Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
【0015】図1は、本発明の一実施例に係わるマスク
欠陥検査装置を示す概略構成図である。図中11〜16
は検査パターンを得るための光学系で、11は照明ラン
プ、12は照明レンズ、13は被検査マスク、14は試
料ステージ、15は対物レンズ、16はCCD等の撮像
素子である。FIG. 1 is a schematic diagram showing a mask defect inspection apparatus according to an embodiment of the present invention. 11-16 in the figure
1 is an optical system for obtaining an inspection pattern, 11 is an illumination lamp, 12 is an illumination lens, 13 is a mask to be inspected, 14 is a sample stage, 15 is an objective lens, and 16 is an imaging device such as a CCD.
【0016】図中20〜26は欠陥の有無を判定するた
めの回路系で、20は各種制御を行うCPU、21はア
ライメント情報からマークのX,Y方向の寸法を認識す
るXY寸法認識部、22はマークのX,Y方向の寸法か
らマスクの種別を認識するマスク名認識部、23はアラ
イメント情報からマークの位置を認識するマーク位置認
識部、24はマーク位置からマスクの位置を認識するマ
スク位置認識部、25は被検査パターンと設計パターン
とを比較するパターン比較部、26は複数種別の設計パ
ターンデータを作成し格納しておくための基準データ作
成部である。In the figure, 20 to 26 are circuit systems for determining the presence or absence of defects, 20 is a CPU that performs various controls, 21 is an XY dimension recognition unit that recognizes the dimensions of the mark in the X and Y directions from alignment information, 22 is a mask name recognition unit that recognizes the type of mask from the dimensions of the mark in the X and Y directions; 23 is a mark position recognition unit that recognizes the position of the mark from alignment information; and 24 is a mask that recognizes the position of the mask from the mark position. A position recognition section 25 is a pattern comparison section that compares the pattern to be inspected and a design pattern, and 26 is a reference data creation section for creating and storing a plurality of types of design pattern data.
【0017】図2に、被検査マスク13の概略構成を示
す。長さLmm角のマスク13上の四隅にkピッチでア
ライメントマーク1〜4が配置されている。そして、マ
スク13の中央部には、検査パターン5が配置されてい
る。FIG. 2 shows a schematic configuration of the mask 13 to be inspected. Alignment marks 1 to 4 are arranged at k pitches at the four corners of a square mask 13 with a length of L mm. In the center of the mask 13, an inspection pattern 5 is arranged.
【0018】4個のアライメントマーク1〜4は、中心
座標は同じで、図3(a)〜(d)に示すアライメント
マーク形状例のように、それぞれX,Y寸法が数μmの
オーダで変化したものとなっている。The four alignment marks 1 to 4 have the same center coordinates, and their X and Y dimensions vary on the order of several μm, as shown in the alignment mark shape examples shown in FIGS. 3(a) to 3(d). It has become.
【0019】ここで、各アライメントマーク1〜4は、
共にX,Y寸法それぞれの大きさで“マスク名”の2桁
分の情報を示しており、4個のアライメントマークで8
桁分の情報を示せるようになっている。Here, each alignment mark 1 to 4 is
Both of them show 2 digits of information for the "mask name" in each of the X and Y dimensions, and 8 with 4 alignment marks.
It is designed to display digits of information.
【0020】また、アライメントマーク1〜4の中心座
標は、全ての検査マスクでサイズが同じ時は同一になっ
ており、アライメントを行う時は、被検査マスクの情報
としてはサイズだけ分かればよく、アライメント完了後
マークのX,Y寸法測定結果から、“マスク名”を認識
し、設計データを読出し検査し、そのデータと検査装置
で認識した撮像データと比較して検査を実行していく。
次に、上記装置を用いたパターン欠陥検査方法について
説明する。Furthermore, the center coordinates of alignment marks 1 to 4 are the same when all inspection masks have the same size, and when performing alignment, it is only necessary to know the size as information about the mask to be inspected. After the alignment is completed, the "mask name" is recognized from the X and Y dimension measurement results of the mark, the design data is read out and inspected, and the inspection is performed by comparing the data with the imaged data recognized by the inspection device. Next, a pattern defect inspection method using the above device will be explained.
【0021】照明ランプ11の光を照明レンズ12で集
光し、被検査マスク13に照射すると共に、ステージ1
4を一方向に移動させる。そして、マスク13の透過光
を対物レンズ15を介して撮像素子16上に結像させる
。ここで、マーク上に光を照射すればアライメント情報
が得られ、パターン上に光を照射すればパターン情報が
得られる。The light from the illumination lamp 11 is focused by the illumination lens 12 and irradiated onto the mask 13 to be inspected.
4 in one direction. Then, the transmitted light of the mask 13 is imaged on the image sensor 16 via the objective lens 15. Here, alignment information can be obtained by irradiating light onto the mark, and pattern information can be obtained by irradiating light onto the pattern.
【0022】そこでまず、マーク上に光を照射してアラ
イメント情報を得て、このアライメント情報からXY寸
法認識部21によりマークのX,Y寸法を求める。さら
に、マークのX,Y寸法からマスク名認識部22にてX
Yθステージ14上の被検査マスク13の種別を識別す
る。First, light is irradiated onto the mark to obtain alignment information, and from this alignment information, the X and Y dimensions of the mark are determined by the XY dimension recognition section 21. Furthermore, from the X and Y dimensions of the mark, the mask name recognition unit 22
The type of mask 13 to be inspected on the Yθ stage 14 is identified.
【0023】また、基準データ作成部26にてMT等か
ら入力されてある設計パターンデータ群を検査に使用す
るデータに変換し、基準データ群を得ておく。そして、
基準データ群の中から上記認識された被検査マスク13
の種別に該当する設計パターンを呼び出し、パターン比
較部25に供給する。[0023] Further, the reference data creation section 26 converts the design pattern data group inputted from the MT or the like into data used for inspection to obtain a reference data group. and,
The inspected mask 13 recognized above from the reference data group
The design pattern corresponding to the type is called and supplied to the pattern comparison section 25.
【0024】一方、パターン上に光を照射することによ
り、撮像素子16の出力から被検査パターン情報を得、
この被検査パターンと前記呼び出した設計パターンとを
比較回路部25にて比較する。そして、一致しない部分
を欠陥として判定する。ここで、パターン情報を得る前
に、予めアライメント情報からマーク位置認識部23に
よりマーク位置を認識し、さらにマスク位置認識部24
によりマスク位置を認識しておく。そして、この位置を
基準に、被検査パターンと設計パターンとの比較を行う
。On the other hand, information on the pattern to be inspected is obtained from the output of the image sensor 16 by irradiating light onto the pattern,
The comparison circuit unit 25 compares this pattern to be inspected with the called design pattern. Then, the portions that do not match are determined to be defects. Here, before obtaining the pattern information, the mark position is recognized in advance from the alignment information by the mark position recognition unit 23, and then the mark position is recognized by the mask position recognition unit 24.
The mask position is recognized by Then, based on this position, the pattern to be inspected and the design pattern are compared.
【0025】このように本実施例では、アライメントマ
ーク1〜4のX,Y寸法から検査すべきマスクの種別を
認識することができ、該認識したマスクに対応する設計
パターンを選択することができる。従って、オペレータ
が設計パターンを選択する操作を省略することができ、
且つ誤った設計パターンを選択する等の不都合を未然に
防止することができる。このため、欠陥検査の省力化を
はかることができ、さらにオペレータミスによる疑似欠
陥発生をなくして効率良い欠陥検査を行うことが可能と
なる。As described above, in this embodiment, the type of mask to be inspected can be recognized from the X and Y dimensions of alignment marks 1 to 4, and a design pattern corresponding to the recognized mask can be selected. . Therefore, the operator can omit the operation of selecting a design pattern,
Moreover, inconveniences such as selecting an incorrect design pattern can be prevented. Therefore, it is possible to save labor in defect inspection, and furthermore, it is possible to perform efficient defect inspection by eliminating the occurrence of false defects due to operator error.
【0026】なお、本発明は上述した実施例に限定され
るものではない。アライメントマークで表現するパター
ン情報は、X,Y寸法の大小に限るものではなく、マー
ク形状の違いを利用することができる。また、マーク形
状により表現するのはマスク名に限るものではなく、被
検査マスクの検査レベル、さらにはマスク名と検査レベ
ルの双方を表現するものであってもよい。また、実施例
ではマスクに形成されたパターンの欠陥検査について説
明したが、マスクに限らずウェハその他の試料上に形成
されたパターンの欠陥検査に適用することが可能である
。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形
して実施することができる。It should be noted that the present invention is not limited to the above-mentioned embodiments. The pattern information expressed by the alignment mark is not limited to the size of the X and Y dimensions, but can utilize differences in mark shape. Moreover, what is expressed by the mark shape is not limited to the mask name, but may also express the inspection level of the mask to be inspected, or even both the mask name and the inspection level. Further, in the embodiment, defect inspection of a pattern formed on a mask has been described, but the present invention can be applied to defect inspection of a pattern formed not only on a mask but also on a wafer or other sample. In addition, various modifications can be made without departing from the gist of the present invention.
【0027】[0027]
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、検
査すべきマスク等の試料をセットすれば、従来から実施
しているオートアライメントの工程で自動的に検査に使
用する比較用の設計パターンを選び出し、検査パターン
と設計パターンとの比較照合を行うことができる。従っ
て、被検査マスク等の検査すべき試料に対応する設計パ
ターンを自動的に選択することができ、操作の容易化及
び疑似欠陥発生の防止をはかり得る欠陥検査方法及び検
査装置を実現することが可能となる。Effects of the Invention As detailed above, according to the present invention, once a sample such as a mask to be inspected is set, the auto-alignment process that has been carried out in the past will automatically set the sample for comparison to be used for inspection. It is possible to select a design pattern and compare and match the inspection pattern and the design pattern. Therefore, it is possible to realize a defect inspection method and inspection apparatus that can automatically select a design pattern corresponding to a sample to be inspected, such as a mask to be inspected, and that can facilitate operation and prevent the occurrence of false defects. It becomes possible.
【図1】本発明の一実施例に係わるパターン欠陥検査装
置を示す概略構成図、FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a pattern defect inspection apparatus according to an embodiment of the present invention;
【図2】実施例に用いたマスク上のマーク及びパターン
配置を示す平面図、FIG. 2 is a plan view showing the mark and pattern arrangement on the mask used in the example;
【図3】マスク上のアライメントマークの一例を示す模
式図。FIG. 3 is a schematic diagram showing an example of alignment marks on a mask.
1〜4…アライメントマーク、 5…パターン、 11…照明ランプ、 12…照明レンズ、 13…マスク、 14…試料ステージ、 15…対物レンズ、 16…撮像素子、 20…CPU、 21…XY寸法認識部、 22…マスク名認識部、 23…マーク位置認識部、 24…マスク位置認識部、 25…パターン比較部、 26…基準データ作成部。 1 to 4...Alignment mark, 5...pattern, 11...Illumination lamp, 12...Illumination lens, 13...mask, 14...sample stage, 15...Objective lens, 16...Image sensor, 20...CPU, 21...XY dimension recognition section, 22...Mask name recognition unit, 23... Mark position recognition unit, 24...Mask position recognition unit, 25...Pattern comparison section, 26...Reference data creation section.
Claims (2)
マークの位置を測定し、該測定された位置情報から試料
上に形成されたパターンの位置を認識し、該認識された
位置情報を基準に被検査パターンと設計パターンとを比
較して、被検査パターンの欠陥の有無を判定する欠陥検
査方法において、前記複数個のアライメントマークの一
部又は全てにパターンの種別を表わす形状の差を設けて
おき、欠陥検査の際に各アライメントマークの形状を測
定してパターンの種別を認識し、該認識されたパターン
種別に相当する設計パターンを選択し、該選択された設
計パターンと被検査パターンとを比較することを特徴と
する欠陥検査方法。Claim 1: Measuring the positions of a plurality of alignment marks formed on a sample, recognizing the position of a pattern formed on the sample from the measured position information, and using the recognized position information as a reference. In a defect inspection method in which a pattern to be inspected and a design pattern are compared to determine the presence or absence of a defect in the pattern to be inspected, some or all of the plurality of alignment marks are provided with a difference in shape representing the type of pattern. Then, during defect inspection, the shape of each alignment mark is measured to recognize the pattern type, a design pattern corresponding to the recognized pattern type is selected, and the selected design pattern and the pattern to be inspected are A defect inspection method characterized by comparing.
マークの位置及び形状を測定する手段と、前記測定され
たマーク形状から検査すべきパターンに相当する設計パ
ターンを選択する手段と、前記測定されたマーク位置を
基準に試料上のパターンに光ビームを走査して被検査パ
ターンを検出する手段と、該検出された被検査パターン
と前記選択された設計パターンとを比較して欠陥の有無
を判定する手段とを具備してなることを特徴とする欠陥
検査装置。2. Means for measuring the position and shape of a plurality of alignment marks formed on a sample; means for selecting a design pattern corresponding to a pattern to be inspected from the measured mark shape; means for detecting a pattern to be inspected by scanning a light beam over a pattern on a sample based on the position of the mark; and comparing the detected pattern to be inspected and the selected design pattern to determine the presence or absence of a defect. 1. A defect inspection device comprising: means for determining.
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JP3017839B2 JP3017839B2 (en) | 2000-03-13 |
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