JPH04270736A - 硬化保護膜の形成方法 - Google Patents
硬化保護膜の形成方法Info
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- JPH04270736A JPH04270736A JP3030984A JP3098491A JPH04270736A JP H04270736 A JPH04270736 A JP H04270736A JP 3030984 A JP3030984 A JP 3030984A JP 3098491 A JP3098491 A JP 3098491A JP H04270736 A JPH04270736 A JP H04270736A
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Landscapes
- Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は硬化保護膜の製造方法に
関し、特にビルディング・家屋等の窓材、航空機・船舶
・自動車などの窓材、電子材料・光学材料・表示材料等
表面の性質として高硬度，耐摩耗性及び耐擦傷性等が要
求されるプラスチック基板表面の硬化保護膜の形成方法
に関する。
関し、特にビルディング・家屋等の窓材、航空機・船舶
・自動車などの窓材、電子材料・光学材料・表示材料等
表面の性質として高硬度，耐摩耗性及び耐擦傷性等が要
求されるプラスチック基板表面の硬化保護膜の形成方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、プラスチック基板表面を高硬度化
して、耐摩耗性及び耐擦傷性を改良する技術としては、
図４に示す如くプラズマ重合法を用いた成膜装置が知ら
れている。
して、耐摩耗性及び耐擦傷性を改良する技術としては、
図４に示す如くプラズマ重合法を用いた成膜装置が知ら
れている。
【０００３】図中の１は真空容器であり。この真空容器
１には、モノマ−流量調整弁２を介して有機ケイ素化合
物モノマ−３が導入されるようになっている。前記真空
容器１内には高周波電極４とア−ス電極５が平行に配置
され、ア−ス電極５上にプラスチック基板６が配置され
ている。前記高周波電極４には、マッチングボックス７
を介して電源８より電力が供給されるようになっている
。前記真空容器１にはバルブ９を介して真空ポンプ１０
が接続され、この真空ポンプにより真空引きされるよう
になっている。
１には、モノマ−流量調整弁２を介して有機ケイ素化合
物モノマ−３が導入されるようになっている。前記真空
容器１内には高周波電極４とア−ス電極５が平行に配置
され、ア−ス電極５上にプラスチック基板６が配置され
ている。前記高周波電極４には、マッチングボックス７
を介して電源８より電力が供給されるようになっている
。前記真空容器１にはバルブ９を介して真空ポンプ１０
が接続され、この真空ポンプにより真空引きされるよう
になっている。
【０００４】こうした構成の装置において、前記基板６
に硬化保護膜を形成するには、まず真空容器１を真空ポ
ンプ１０で減圧し、例えば圧力０．０１Ｔｏｒｒ 程度
に設定する。次に、前記調整弁２を開いて、有機ケイ素
化合モノマ−例えばオクタメチルシクロテトラシロキサ
ンを真空容器１内に導入して、その圧力を約５．０×１
０−２ Ｔｏｒｒ にする。つづいて、例えば周波数
１３．５６ＭＨｚの高周波電源８より出力を約１００Ｗ
として、プラズマを発生させ、５．０〜８．０分間、高
硬度膜を前記基板６に堆積する。以上のようにして得ら
れる膜は、ケイ素、酸素、炭素を組成にした高硬度の膜
である。
に硬化保護膜を形成するには、まず真空容器１を真空ポ
ンプ１０で減圧し、例えば圧力０．０１Ｔｏｒｒ 程度
に設定する。次に、前記調整弁２を開いて、有機ケイ素
化合モノマ−例えばオクタメチルシクロテトラシロキサ
ンを真空容器１内に導入して、その圧力を約５．０×１
０−２ Ｔｏｒｒ にする。つづいて、例えば周波数
１３．５６ＭＨｚの高周波電源８より出力を約１００Ｗ
として、プラズマを発生させ、５．０〜８．０分間、高
硬度膜を前記基板６に堆積する。以上のようにして得ら
れる膜は、ケイ素、酸素、炭素を組成にした高硬度の膜
である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技
術によれば、成膜されたＳｉＯ２ 系、ＳｉＣ系あるい
はＣ系の薄膜は高硬度の膜であるが、以下に述べる欠点
を有し、実用には供せられないという。 （１） ＳｉＯ２ 系，ＳｉＣ系あるいはＣ系の膜は、
Ｓｉ，Ｏ，Ｃを主成分とする高硬度の膜であるが、傷が
付き易く、高度が十分に高くない。 （２） プラスチック基板６と高硬度膜の結合力が十分
に強くないため、高硬度膜がプラスチック基板６から剥
離し易い。
術によれば、成膜されたＳｉＯ２ 系、ＳｉＣ系あるい
はＣ系の薄膜は高硬度の膜であるが、以下に述べる欠点
を有し、実用には供せられないという。 （１） ＳｉＯ２ 系，ＳｉＣ系あるいはＣ系の膜は、
Ｓｉ，Ｏ，Ｃを主成分とする高硬度の膜であるが、傷が
付き易く、高度が十分に高くない。 （２） プラスチック基板６と高硬度膜の結合力が十分
に強くないため、高硬度膜がプラスチック基板６から剥
離し易い。
【０００６】本発明は上記事情に鑑みてなされたもので
、プラスチック基板との結合力が強力なＳｉ−Ｏ−Ｃ系
薄膜を下地膜として、高硬度膜としてのＳｉＯ２ 膜を
下地膜上に形成して、高硬度膜の損傷を軽減できるとと
もに、高硬度膜が前記基板から剥離するのを回避できる
硬化保護膜の形成方法を提供できる。
、プラスチック基板との結合力が強力なＳｉ−Ｏ−Ｃ系
薄膜を下地膜として、高硬度膜としてのＳｉＯ２ 膜を
下地膜上に形成して、高硬度膜の損傷を軽減できるとと
もに、高硬度膜が前記基板から剥離するのを回避できる
硬化保護膜の形成方法を提供できる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上述した
従来法の欠点を解消するため、鋭意研究した結果、プラ
スチック基板表面に予めＳｉ，Ｃ，Ｏを主成分とする有
機系の薄膜を成膜した後、その薄膜の上に高硬度膜とし
て無機系のＳｉＯ２ 膜を成膜する方法、即ちプラスチ
ック基板との結合が強く、かつＳｉＯ２ 膜との結合が
強いＳｉ，Ｃ，Ｏを主成分とするＳｉ−Ｃ−０系の薄膜
を下地膜として用い、その上にＳｉＯ２ 膜を積層させ
ることが著しく効果的であることを究明した。
従来法の欠点を解消するため、鋭意研究した結果、プラ
スチック基板表面に予めＳｉ，Ｃ，Ｏを主成分とする有
機系の薄膜を成膜した後、その薄膜の上に高硬度膜とし
て無機系のＳｉＯ２ 膜を成膜する方法、即ちプラスチ
ック基板との結合が強く、かつＳｉＯ２ 膜との結合が
強いＳｉ，Ｃ，Ｏを主成分とするＳｉ−Ｃ−０系の薄膜
を下地膜として用い、その上にＳｉＯ２ 膜を積層させ
ることが著しく効果的であることを究明した。
【０００８】本発明では、まず、原料ガスとして、Ｓｉ
（ＯＣ２ Ｈ５ ）４ （テトラエトキシシラン）ある
いはＳｉＯ２ （ＣＨ３ ）２ （Ｃ２ Ｏ５ ）２（
ジエトキシジメチルシラン）を用いたプラズマＣＶＤに
よりプラスチック基板表面に、Ｓｉ，Ｃ，Ｏを主成分と
するＳｉ−Ｃ−Ｏ系薄膜を下地として活着させ、この後
上記テトラエトキシシラン（又はジエトキシジメチルシ
ラン）とＯ２ の混合ガスを用いたプラズマＣＶＤによ
り、上記Ｓｉ−Ｃ−Ｏ系薄膜の上にＳｉＯ２ 膜を形成
させるようにした。
（ＯＣ２ Ｈ５ ）４ （テトラエトキシシラン）ある
いはＳｉＯ２ （ＣＨ３ ）２ （Ｃ２ Ｏ５ ）２（
ジエトキシジメチルシラン）を用いたプラズマＣＶＤに
よりプラスチック基板表面に、Ｓｉ，Ｃ，Ｏを主成分と
するＳｉ−Ｃ−Ｏ系薄膜を下地として活着させ、この後
上記テトラエトキシシラン（又はジエトキシジメチルシ
ラン）とＯ２ の混合ガスを用いたプラズマＣＶＤによ
り、上記Ｓｉ−Ｃ−Ｏ系薄膜の上にＳｉＯ２ 膜を形成
させるようにした。
【０００９】即ち、本発明は、反応容器内にプラスチッ
ク基板を配置した状態で、前記反応容器内に反応ガスを
導入するとともに反応容器内でプラズマを発生させて前
記基板上に硬化保護膜を形成する方法において、まずテ
トラエトキシシランまたはジエトキシジメチルシランの
プラズマにより前記基板表面にＳｉ−Ｏ−Ｃ系薄膜を下
地膜として成膜した後、ヘキサメチルジシロキサン，テ
トラエトキシシラン，ヘキサメチルトリシロキサン，ジ
エトキシジメチルシラン，メチルトリエトキシシラン，
オクタメチルシクロテトラシロキサンなどのケイ素有機
化合物ガスとＯ２ の混合ガスのプラズマにより、前記
薄膜上にＳｉＯ２ 膜を形成することを特徴とする硬化
保護膜の形成方法である。
ク基板を配置した状態で、前記反応容器内に反応ガスを
導入するとともに反応容器内でプラズマを発生させて前
記基板上に硬化保護膜を形成する方法において、まずテ
トラエトキシシランまたはジエトキシジメチルシランの
プラズマにより前記基板表面にＳｉ−Ｏ−Ｃ系薄膜を下
地膜として成膜した後、ヘキサメチルジシロキサン，テ
トラエトキシシラン，ヘキサメチルトリシロキサン，ジ
エトキシジメチルシラン，メチルトリエトキシシラン，
オクタメチルシクロテトラシロキサンなどのケイ素有機
化合物ガスとＯ２ の混合ガスのプラズマにより、前記
薄膜上にＳｉＯ２ 膜を形成することを特徴とする硬化
保護膜の形成方法である。
【００１０】
【作用】本発明においては、次のようにして硬化保護膜
を形成する。まず、前記プラスチック基板をア−ス電極
上に設置する。つづいて、真空ポンプを作動させて反応
容器内を排気し、所定の真空度に到達させる。次に、原
料ガスとしてのテトラエトキシシラン（またはジエトキ
シジメチルシラン）を反応容器の中へ所定流量で供給す
る。
を形成する。まず、前記プラスチック基板をア−ス電極
上に設置する。つづいて、真空ポンプを作動させて反応
容器内を排気し、所定の真空度に到達させる。次に、原
料ガスとしてのテトラエトキシシラン（またはジエトキ
シジメチルシラン）を反応容器の中へ所定流量で供給す
る。
【００１１】次に、高周波電源からマッチングボックス
などを介して高周波電極及びア−ス電極に高周波電力を
供給する。これにより、上記原料ガスは、グロ−放電プ
ラズマ化される。この場合、原料ガスが解離し、Ｓｉ，
Ｃ，Ｏなどから構成されるＳｉ−Ｃ−Ｏ系薄膜が前記基
板上に堆積する。
などを介して高周波電極及びア−ス電極に高周波電力を
供給する。これにより、上記原料ガスは、グロ−放電プ
ラズマ化される。この場合、原料ガスが解離し、Ｓｉ，
Ｃ，Ｏなどから構成されるＳｉ−Ｃ−Ｏ系薄膜が前記基
板上に堆積する。
【００１２】次に、酸素供給源より反応容器の中へ酸素
を供給させる。その結果、上記テトラエトキシシランと
上記酸素の混合ガスが、上記高周波電極，ア−ス電極の
間でグロ−放電プラズマ化され、プラズマＣＶＤ現象に
よりＳｉＯ２系の膜が上記Ｓｉ−Ｃ−Ｏ系薄膜の上に堆
積する。
を供給させる。その結果、上記テトラエトキシシランと
上記酸素の混合ガスが、上記高周波電極，ア−ス電極の
間でグロ−放電プラズマ化され、プラズマＣＶＤ現象に
よりＳｉＯ２系の膜が上記Ｓｉ−Ｃ−Ｏ系薄膜の上に堆
積する。
【００１３】
【実施例】［実施例１］
【００１４】図１は本発明の実施例１に係る成膜装置の
全体構成図である。図中の２１は反応容器である。この
反応容器２１内には、高周波電極２２とア−ス電極２３
が平行に配置され、前記ア−ス電極２３上にポリカ−ボ
ネ−ト基板２４が配置されている。前記ア−ス電極２３
は反応容器２１と電気的に導通になっており、上記高周
波電極２２と組合わせて使用することにより反応容器２
１の中のガスをグロ−放電プラズマにする。前記反応容
器２１には、第１の弁２５、第１の流量調整器２６を介
して第１の原料ガスであるテトラエトキシシラン供給源
２７が接続されている。前記反応容器２１には、第２の
弁２８、第２の流量調整器２９を介して第２の原料ガス
である酸素供給源３０が接続されている。
全体構成図である。図中の２１は反応容器である。この
反応容器２１内には、高周波電極２２とア−ス電極２３
が平行に配置され、前記ア−ス電極２３上にポリカ−ボ
ネ−ト基板２４が配置されている。前記ア−ス電極２３
は反応容器２１と電気的に導通になっており、上記高周
波電極２２と組合わせて使用することにより反応容器２
１の中のガスをグロ−放電プラズマにする。前記反応容
器２１には、第１の弁２５、第１の流量調整器２６を介
して第１の原料ガスであるテトラエトキシシラン供給源
２７が接続されている。前記反応容器２１には、第２の
弁２８、第２の流量調整器２９を介して第２の原料ガス
である酸素供給源３０が接続されている。
【００１５】前記反応容器２１内の高周波電極２２には
電流導入端子３１及びマッチングボックス３２を介して
高周波電源３３が連結され、これにより高周波電極２２
に電力が供給される。前記真空容器２１には第３の弁３
４を介して第１の真空ポンプ３５が連結され、これによ
り真空容器２１内のガスが排出される。前記真空容器２
１には第４の弁３６を介して第２の真空ポンプ３７が連
結され、これにより真空容器２１内のガスが排出される
。前記反応容器２１には真空計３８が連結されている。
電流導入端子３１及びマッチングボックス３２を介して
高周波電源３３が連結され、これにより高周波電極２２
に電力が供給される。前記真空容器２１には第３の弁３
４を介して第１の真空ポンプ３５が連結され、これによ
り真空容器２１内のガスが排出される。前記真空容器２
１には第４の弁３６を介して第２の真空ポンプ３７が連
結され、これにより真空容器２１内のガスが排出される
。前記反応容器２１には真空計３８が連結されている。
【００１６】こうした構成の成膜装置において、前記基
板２４に硬化保護膜を形成するには、次のように行う。 （１） まず、前記基板２４をア−ス電極２３上に設置
する。つづいて、第１の真空ポンプ３５，第２の真空ポ
ンプ３７を作動させて反応容器２１内を排気し、約１×
１０−６〜１×１０−７Ｔｏｒｒ の真空度に到達させ
る。次に、第４の弁３６を閉にし、第１の弁２５を開に
して、第１の流量調整器２６を用いて、テトラエトキシ
シランを反応容器２１の中へ、約５０ｃｃ／の流量で供
給する。なお、この場合、反応容器２１の圧力は約０．
０２Ｔｏｒｒ であった。
板２４に硬化保護膜を形成するには、次のように行う。 （１） まず、前記基板２４をア−ス電極２３上に設置
する。つづいて、第１の真空ポンプ３５，第２の真空ポ
ンプ３７を作動させて反応容器２１内を排気し、約１×
１０−６〜１×１０−７Ｔｏｒｒ の真空度に到達させ
る。次に、第４の弁３６を閉にし、第１の弁２５を開に
して、第１の流量調整器２６を用いて、テトラエトキシ
シランを反応容器２１の中へ、約５０ｃｃ／の流量で供
給する。なお、この場合、反応容器２１の圧力は約０．
０２Ｔｏｒｒ であった。
【００１７】（２） 次に、高周波電源３３からマッチ
ングボックス３２及び電流導入端子３１などを介して高
周波電極２２及びア−ス電極２３に高周波電力を供給す
る。その結果、上記テトラエトキシシランは、グロ−放
電プラズマ化される。この場合、原料ガスのＳｉ（ＯＣ
２ Ｈ５ ）４ （テトラエトキシシラン）のガスが解
離し、Ｓｉ，Ｃ，Ｏなどから構成されるＳｉ−Ｃ−Ｏ系
薄膜が前記基板２４上に堆積する。なお、図示していな
いが、Ａｒ，Ｈｅ，Ｎｅなどの希ガスを上記原料ガスと
同程度の流量で混入させ、プラズマ化を容易に行わせる
こともできる。
ングボックス３２及び電流導入端子３１などを介して高
周波電極２２及びア−ス電極２３に高周波電力を供給す
る。その結果、上記テトラエトキシシランは、グロ−放
電プラズマ化される。この場合、原料ガスのＳｉ（ＯＣ
２ Ｈ５ ）４ （テトラエトキシシラン）のガスが解
離し、Ｓｉ，Ｃ，Ｏなどから構成されるＳｉ−Ｃ−Ｏ系
薄膜が前記基板２４上に堆積する。なお、図示していな
いが、Ａｒ，Ｈｅ，Ｎｅなどの希ガスを上記原料ガスと
同程度の流量で混入させ、プラズマ化を容易に行わせる
こともできる。
【００１８】（３） 次に、第２の弁２８を開にして、
酸素供給源３０より第２の流量調整器２９及び第２の弁
２８を介して反応容器２１の中へ、約１００ ｃｃ／分
の流量で酸素を供給させる。その結果、上記テトラエト
キシシランと上記酸素の混合ガスが、上記高周波電極２
２，ア−ス電極２３の間でグロ−放電プラズマ化され、
プラズマＣＶＤ現象によりＳｉＯ２ 系の膜が上記Ｓｉ
−Ｃ−Ｏ系薄膜の上に堆積する。なお、上記成膜実験で
は、Ｓｉ−Ｃ−Ｏ系膜の成膜時間は約１０分間，ＳｉＯ
２系膜の成膜は約３０分間であったが、図２に示すよう
に基板２４上に薄膜（有機系下地膜）３９、ＳｉＯ２
膜４０の２種類の膜が積層された。
酸素供給源３０より第２の流量調整器２９及び第２の弁
２８を介して反応容器２１の中へ、約１００ ｃｃ／分
の流量で酸素を供給させる。その結果、上記テトラエト
キシシランと上記酸素の混合ガスが、上記高周波電極２
２，ア−ス電極２３の間でグロ−放電プラズマ化され、
プラズマＣＶＤ現象によりＳｉＯ２ 系の膜が上記Ｓｉ
−Ｃ−Ｏ系薄膜の上に堆積する。なお、上記成膜実験で
は、Ｓｉ−Ｃ−Ｏ系膜の成膜時間は約１０分間，ＳｉＯ
２系膜の成膜は約３０分間であったが、図２に示すよう
に基板２４上に薄膜（有機系下地膜）３９、ＳｉＯ２
膜４０の２種類の膜が積層された。
【００１９】しかして、上記実施例１によれば、テトラ
エトキシシランを用いてポリカ−ボネ−ト基板２４表面
に予めＳｉ，Ｃ，Ｏを主成分とする有機系の薄膜３９を
成膜した後、テトラエトキシシランと酸素の混合ガスを
グロ−放電プラズマ化して前記薄膜３９の上に高硬度膜
としての無機系のＳｉＯ２ 膜４０を成膜するため、十
分に硬く傷が付けにくい高硬度膜が得られると共に、前
記基板２４からの剥離を回避できる。 事実、前記基
板２４上に形成された薄膜３９，ＳｉＯ２ 膜４０の組
成分析をＥＳＣＡ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏ
ｓｃｏｐｙ ｆｏｒ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ａｎａｌｙｓ
ｉｓ ）で測定したところ、図３に示す結果が得られた
。同図によれば、基板上にＳｉ−Ｃ−Ｏ系薄膜が存在し
、その上にＳｉＯ２ 系膜が堆積していることが判明し
た。得られた膜の付着強度は、接着テ−プ貼付による引
き剥がし方法で調査したところ、非常に強いことが判明
した。
エトキシシランを用いてポリカ−ボネ−ト基板２４表面
に予めＳｉ，Ｃ，Ｏを主成分とする有機系の薄膜３９を
成膜した後、テトラエトキシシランと酸素の混合ガスを
グロ−放電プラズマ化して前記薄膜３９の上に高硬度膜
としての無機系のＳｉＯ２ 膜４０を成膜するため、十
分に硬く傷が付けにくい高硬度膜が得られると共に、前
記基板２４からの剥離を回避できる。 事実、前記基
板２４上に形成された薄膜３９，ＳｉＯ２ 膜４０の組
成分析をＥＳＣＡ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏ
ｓｃｏｐｙ ｆｏｒ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ａｎａｌｙｓ
ｉｓ ）で測定したところ、図３に示す結果が得られた
。同図によれば、基板上にＳｉ−Ｃ−Ｏ系薄膜が存在し
、その上にＳｉＯ２ 系膜が堆積していることが判明し
た。得られた膜の付着強度は、接着テ−プ貼付による引
き剥がし方法で調査したところ、非常に強いことが判明
した。
【００２０】なお、上記実施例では、ＳｉＯ２ 系膜を
成膜するのに、テトラエトキシシランとＯ２ の混合ガ
スを用いた場合について説明したが、これに限定されな
い。 例えば、ヘキサメチルジシロキサン、ヘキサメチルトリ
シロキサン，ジエトキシジメチルシラン，メチルトリエ
トキシシランなどのケイ素有機化合物ガスとＯ２ の混
合ガスを用いても、上記実施例と同様に、上記実施例で
得られた膜と同じ高硬度でかつポリカ−ボネ−ト基板と
の結合力の強い膜が得られる。
成膜するのに、テトラエトキシシランとＯ２ の混合ガ
スを用いた場合について説明したが、これに限定されな
い。 例えば、ヘキサメチルジシロキサン、ヘキサメチルトリ
シロキサン，ジエトキシジメチルシラン，メチルトリエ
トキシシランなどのケイ素有機化合物ガスとＯ２ の混
合ガスを用いても、上記実施例と同様に、上記実施例で
得られた膜と同じ高硬度でかつポリカ−ボネ−ト基板と
の結合力の強い膜が得られる。
【００２１】
【発明の効果】以上詳述した如く本発明の硬化保護膜の
形成方法によれば、プラスチック基板との結合力が強力
なＳｉ−Ｏ−Ｃ系膜を下地膜として、高硬度膜を下地膜
上に形成して、高硬度膜の損傷を軽減できるとともに、
高硬度膜が前記基板から剥離するのを回避でき、ビルデ
ィング・家屋等の窓材、航空機・船舶・自動車などの窓
材、電子材料・光学材料・表示材料等表面の性質として
高硬度，耐摩耗性及び耐擦傷性等が要求されるプラスチ
ック基板に有用で、産業情著しく価値がある。硬化保護
膜の形成方法を提供できる。
形成方法によれば、プラスチック基板との結合力が強力
なＳｉ−Ｏ−Ｃ系膜を下地膜として、高硬度膜を下地膜
上に形成して、高硬度膜の損傷を軽減できるとともに、
高硬度膜が前記基板から剥離するのを回避でき、ビルデ
ィング・家屋等の窓材、航空機・船舶・自動車などの窓
材、電子材料・光学材料・表示材料等表面の性質として
高硬度，耐摩耗性及び耐擦傷性等が要求されるプラスチ
ック基板に有用で、産業情著しく価値がある。硬化保護
膜の形成方法を提供できる。
【図１】本発明の一実施例に係る成膜装置の全体構成を
示す説明図。
示す説明図。
【図２】本発明方法により形成された硬化保護膜の説明
図。
図。
【図３】本発明方法により形成された硬化保護膜の組成
分析をＥＳＣＡで測定した結果を示す説明図。
分析をＥＳＣＡで測定した結果を示す説明図。
【図４】従来の成膜装置の全体構成を示す説明図。
２１…反応容器、２２…高周波電極、２３…ア−ス電極
、２４…ポリカ−ボネ−ト基板、２５，２８，３４，３
６…弁、２６，２９…流量調整器、２７…テトラエトキ
シ供給源、３０…酸素供給源、３２…マッチングボック
ス、３３…高周波電源、３５，３７…真空ポンプ、３８
…真空計。
、２４…ポリカ−ボネ−ト基板、２５，２８，３４，３
６…弁、２６，２９…流量調整器、２７…テトラエトキ
シ供給源、３０…酸素供給源、３２…マッチングボック
ス、３３…高周波電源、３５，３７…真空ポンプ、３８
…真空計。
Claims (1)
- 【請求項１】 反応容器内にプラスチック基板を配置
した状態で、前記反応容器内に反応ガスを導入するとと
もに反応容器内でプラズマを発生させて前記基板上に硬
化保護膜を形成する方法において、まずテトラエトキシ
シランまたはジエトキシジメチルシランのプラズマによ
り前記基板表面にＳｉ−Ｏ−Ｃ系薄膜を下地膜として成
膜した後、ヘキサメチルジシロキサン，テトラエトキシ
シラン，ヘキサメチルトリシロキサン，ジエトキシジメ
チルシラン，メチルトリエトキシシラン，オクタメチル
シクロテトラシロキサンなどのケイ素有機化合物ガスと
Ｏ２ の混合ガスのプラズマにより、前記薄膜上にＳｉ
Ｏ２ 膜を形成することを特徴とする硬化保護膜の形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3030984A JPH04270736A (ja) | 1991-02-26 | 1991-02-26 | 硬化保護膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3030984A JPH04270736A (ja) | 1991-02-26 | 1991-02-26 | 硬化保護膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04270736A true JPH04270736A (ja) | 1992-09-28 |
Family
ID=12318899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3030984A Withdrawn JPH04270736A (ja) | 1991-02-26 | 1991-02-26 | 硬化保護膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04270736A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05345831A (ja) * | 1992-06-15 | 1993-12-27 | Toyo Seikan Kaisha Ltd | ガス遮断性プラスチックス材の製造方法 |
| JPH10500609A (ja) * | 1994-03-03 | 1998-01-20 | モンサント カンパニー | 柔軟な基体のための高い耐摩耗性及び柔軟なコーティング |
| JP2007238666A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 高分子複合フィルムの製造方法、高分子複合フィルム及び包装材料 |
-
1991
- 1991-02-26 JP JP3030984A patent/JPH04270736A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05345831A (ja) * | 1992-06-15 | 1993-12-27 | Toyo Seikan Kaisha Ltd | ガス遮断性プラスチックス材の製造方法 |
| JPH10500609A (ja) * | 1994-03-03 | 1998-01-20 | モンサント カンパニー | 柔軟な基体のための高い耐摩耗性及び柔軟なコーティング |
| JP2007238666A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 高分子複合フィルムの製造方法、高分子複合フィルム及び包装材料 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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