JPH0215676A - 薄膜 トランジスタ - Google Patents
薄膜 トランジスタInfo
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- JPH0215676A JPH0215676A JP16525188A JP16525188A JPH0215676A JP H0215676 A JPH0215676 A JP H0215676A JP 16525188 A JP16525188 A JP 16525188A JP 16525188 A JP16525188 A JP 16525188A JP H0215676 A JPH0215676 A JP H0215676A
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Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は等倍センサー駆動用もしくは液晶駆動用の薄膜
トランジスタ（以下、ＴＰＴという）に関する。
トランジスタ（以下、ＴＰＴという）に関する。
一般に、等倍センサー液晶の駆動用ＴＰＴを構成するｐ
ｏ ｌ ｙ−５ｉ ＭＯＳ ＴＦＴでは。
ｏ ｌ ｙ−５ｉ ＭＯＳ ＴＦＴでは。
そのキャリア移動度を高め、しきい値電圧ｖｔｈを下げ
、オフ電流を低減する目的でプラズマ水素処理等の水素
化処理を行い、大幅な特性改善を図っている。この水素
化処理による効果はｐｏｌｙ−Ｓｉ活性層内およびｐｏ
ｌｙ−Ｓｉ活性層−ゲート界面での粒界に起因したトラ
ップ密度を減少させることに他ならない。このように水
素化処理によってｐｏｌｙ−Ｓｉ膜質およびｐｏｌｙ−
Ｓｉ活性層−ゲート界面が良好になると、光照射により
発生するフォトキャリアの影響が無視できなくなる。特
に、等倍光センサー駆動用のＴＰＴの場合は光源、光セ
ンサ−ｐ ｏ ｌ ｙ−３１ＴＦＴが高密度に配置され
ているため、常時ＴＰＴに光が照射されることになる。
、オフ電流を低減する目的でプラズマ水素処理等の水素
化処理を行い、大幅な特性改善を図っている。この水素
化処理による効果はｐｏｌｙ−Ｓｉ活性層内およびｐｏ
ｌｙ−Ｓｉ活性層−ゲート界面での粒界に起因したトラ
ップ密度を減少させることに他ならない。このように水
素化処理によってｐｏｌｙ−Ｓｉ膜質およびｐｏｌｙ−
Ｓｉ活性層−ゲート界面が良好になると、光照射により
発生するフォトキャリアの影響が無視できなくなる。特
に、等倍光センサー駆動用のＴＰＴの場合は光源、光セ
ンサ−ｐ ｏ ｌ ｙ−３１ＴＦＴが高密度に配置され
ているため、常時ＴＰＴに光が照射されることになる。
従って、水素化処理の効果が大きい程、フォトキャリア
の影響が大きくなってくる。
の影響が大きくなってくる。
一般に、光センサー用の光源からＴｐＴ部への照度は１
０００〜２０００Ｑｘの照度でＴＰＴ上面より光照射し
た場合、オフ電流が２桁程度増大し、Ｉｏｎｌｏｆｆが
２桁低下するのが認められる。
０００〜２０００Ｑｘの照度でＴＰＴ上面より光照射し
た場合、オフ電流が２桁程度増大し、Ｉｏｎｌｏｆｆが
２桁低下するのが認められる。
このように、光照射によるＴＰＴ特性の低下が明らかで
あり、特に光センサーの出力を引き出すアナログスイッ
チではオフ電流の上昇が非常に大きな問題となっている
。
あり、特に光センサーの出力を引き出すアナログスイッ
チではオフ電流の上昇が非常に大きな問題となっている
。
本発明では水素化処理して特性向上を図ったｐ ｏ １
ｙ−５ｉ ＭＯＳ ＴＦＴにおける光照射による
オフ電流の増加を抑え、Ｉｏｎ１０ｆｆ低下を防止し、
特に光センサーの駆動用として好適なＴＰＴを提供する
ことを目的とするものである。
ｙ−５ｉ ＭＯＳ ＴＦＴにおける光照射による
オフ電流の増加を抑え、Ｉｏｎ１０ｆｆ低下を防止し、
特に光センサーの駆動用として好適なＴＰＴを提供する
ことを目的とするものである。
本発明に係るＴＦＴはｐｏｌｙ−８ｉを活性層とするチ
ャンネル形成領域の上部もしくは下部に高融点金属もし
くはその酸化物からなる遮光膜を形成したことを特徴と
するものである。
ャンネル形成領域の上部もしくは下部に高融点金属もし
くはその酸化物からなる遮光膜を形成したことを特徴と
するものである。
本発明において遮光膜として使用される高融点金属とし
ては代表的にはＣｒおよびＷが挙げられる。しかし、秀
過光が９５％以上カットできるものであれば適宜の高融
点金属が使用でき、またその酸化物であってもよい。同
様の理由から、これら遮光膜の膜厚は透過光を９５％以
上カットできるように設定される。例えば、照度２００
０Ｑｘの時、膜厚５００Å以上のＣｒ遮光膜があれば透
過光は２０Ｑｘ以下に下げられる。なお、この遮光膜は
ＴＰＴの層構成あるいは使用態様等によって、チャンネ
ル形成領域の上部でも、下部にでも適宜に選択される。
ては代表的にはＣｒおよびＷが挙げられる。しかし、秀
過光が９５％以上カットできるものであれば適宜の高融
点金属が使用でき、またその酸化物であってもよい。同
様の理由から、これら遮光膜の膜厚は透過光を９５％以
上カットできるように設定される。例えば、照度２００
０Ｑｘの時、膜厚５００Å以上のＣｒ遮光膜があれば透
過光は２０Ｑｘ以下に下げられる。なお、この遮光膜は
ＴＰＴの層構成あるいは使用態様等によって、チャンネ
ル形成領域の上部でも、下部にでも適宜に選択される。
第１図は本発明の一実施例を示すものであり、この実施
例では光源１がＴＰＴの裏面に存在する例を示すもので
ある。このような場合は、遮光膜３をＴＰＴのチャネル
形成領域の下部に設ける。なお、この遮光膜３はＣｒ等
の高融点金属で形成し、その表面は酸化させてもよい。
例では光源１がＴＰＴの裏面に存在する例を示すもので
ある。このような場合は、遮光膜３をＴＰＴのチャネル
形成領域の下部に設ける。なお、この遮光膜３はＣｒ等
の高融点金属で形成し、その表面は酸化させてもよい。
この場合、この遮光膜３とＴＦＴ部との間にＬＰＣＶＤ
法等により絶縁膜４を設け、遮光膜３と活性層５の電気
的接触を防ぐようにすることが好ましい。なお、第１図
において２は石英ガラス、５はｐｏｌｙ−８ｉ活性層、
６はゲート絶縁層、７はｐｏｌｙ−８ｉゲート、８は層
間絶縁膜、９はＡＱ電極、５′は拡散層をそれぞれ示す
。
法等により絶縁膜４を設け、遮光膜３と活性層５の電気
的接触を防ぐようにすることが好ましい。なお、第１図
において２は石英ガラス、５はｐｏｌｙ−８ｉ活性層、
６はゲート絶縁層、７はｐｏｌｙ−８ｉゲート、８は層
間絶縁膜、９はＡＱ電極、５′は拡散層をそれぞれ示す
。
次に、第１図に示すＴＰＴを作製する場合の一例につい
て説明する。
て説明する。
Ｃｒスパッタ：マグネトロンスパッタ法↓ ３ＫＷ
、５ｍＴｏｒｒ、 Ａ ｒ （３０ｓｅｃｍ）↓
膜厚１０００人 Ｃｒパターニング ↓ 絶縁膜形成（ＳｉＯ□）：減圧ＣＶＤ法↓ ４
２０°Ｃ ↓ ＳｉＨ，（８０ｓｅｃｍ）＋Ｏ□（１２０
ｓｃｃｏ）↓ ０．Ｉ Ｔｏｒｒ ↓ 膜厚２０００人 ｐｏｌｙ−５Ｌ活性層製膜：減圧ＣＶＤ法↓
５３０℃ ↓ ＳｉＳｉＨ４１４５ｓｅ↓
０．１２ Ｔｏｒｒ ↓ 膜厚１７００人 活性層パターニング ↓ ゲート絶縁膜形成：熱酸化法 ↓ １０００℃ ↓ ｄｒｙｏ、 （９，７ｓ Ｄ ｍ）＋ＨＣＱ
（０，３ｓ Ａ ｍ）↓ 膜厚１４００人 ｐｏｌｙ−Ｓｉゲート製膜：減圧ＣＶＤ法↓
膜厚４０００人 ゲート拡散： ＰＳＧ塗布拡散方式 ％式％ ゲート電極パターニング ↓ ソース・ドレイン拡散： ＢＳＧ塗布拡散方法↓
９５０℃ｉｎＮ。
、５ｍＴｏｒｒ、 Ａ ｒ （３０ｓｅｃｍ）↓
膜厚１０００人 Ｃｒパターニング ↓ 絶縁膜形成（ＳｉＯ□）：減圧ＣＶＤ法↓ ４
２０°Ｃ ↓ ＳｉＨ，（８０ｓｅｃｍ）＋Ｏ□（１２０
ｓｃｃｏ）↓ ０．Ｉ Ｔｏｒｒ ↓ 膜厚２０００人 ｐｏｌｙ−５Ｌ活性層製膜：減圧ＣＶＤ法↓
５３０℃ ↓ ＳｉＳｉＨ４１４５ｓｅ↓
０．１２ Ｔｏｒｒ ↓ 膜厚１７００人 活性層パターニング ↓ ゲート絶縁膜形成：熱酸化法 ↓ １０００℃ ↓ ｄｒｙｏ、 （９，７ｓ Ｄ ｍ）＋ＨＣＱ
（０，３ｓ Ａ ｍ）↓ 膜厚１４００人 ｐｏｌｙ−Ｓｉゲート製膜：減圧ＣＶＤ法↓
膜厚４０００人 ゲート拡散： ＰＳＧ塗布拡散方式 ％式％ ゲート電極パターニング ↓ ソース・ドレイン拡散： ＢＳＧ塗布拡散方法↓
９５０℃ｉｎＮ。
ゲート端面酸化：９２５℃、３０分ｉｎｏ。
↓
層間絶縁膜製膜：ＬＴ○
↓ ＳｉＨ，（８０ｓｅｃｍ）＋Ｏ，（１２０
ｓｅｃ＋＋＋）↓ ４２０℃ ↓ ０．Ｉ Ｔｏｒｒ コンタクトホール形成 ↓ ＡＱ電極形成 シンター ↓ 水素プラズマ処理：Ｈ２プラズマ ３００℃ ＫＷ ３５分 ０．５ Ｔｏｒｒ 〔発明の作用、効果〕 以上のような本発明によれば、水素化処理して大幅な特
性改善を図ったｐｏｌｙ−８ｉを活性層とするＴＰＴに
おいて、このｐｏｌｙ−８ｉ活性層とするＴＰＴのチャ
ンネル形成領域の上部もしくは下部に高融点金属もしく
はその酸化物からなる遮光膜を形成しているため、この
ＴＰＴに光照射することによるフォトキャリアの影響に
よるオフ電流の増加をこの遮光膜により光を遮光するこ
とにより防止し、Ｉｏｎ１０ｆｆ低下が防止される。
ｓｅｃ＋＋＋）↓ ４２０℃ ↓ ０．Ｉ Ｔｏｒｒ コンタクトホール形成 ↓ ＡＱ電極形成 シンター ↓ 水素プラズマ処理：Ｈ２プラズマ ３００℃ ＫＷ ３５分 ０．５ Ｔｏｒｒ 〔発明の作用、効果〕 以上のような本発明によれば、水素化処理して大幅な特
性改善を図ったｐｏｌｙ−８ｉを活性層とするＴＰＴに
おいて、このｐｏｌｙ−８ｉ活性層とするＴＰＴのチャ
ンネル形成領域の上部もしくは下部に高融点金属もしく
はその酸化物からなる遮光膜を形成しているため、この
ＴＰＴに光照射することによるフォトキャリアの影響に
よるオフ電流の増加をこの遮光膜により光を遮光するこ
とにより防止し、Ｉｏｎ１０ｆｆ低下が防止される。
第１図は本発明ＴＰＴの一実施例を示す断面説明図であ
る。 １・・・光源 ３・・・Ｃｒ遮光膜 ５−ｐｏｌｙ−５ｉ活性層 ７・・・ｐｏｌｙ−Ｓｉゲート ９・・・ＡＱ組電 極・・・石英ガラス ４・・・絶縁膜 ６・・・ゲート絶縁膜 ８・・・層間絶縁膜 ５′・・・拡散層
る。 １・・・光源 ３・・・Ｃｒ遮光膜 ５−ｐｏｌｙ−５ｉ活性層 ７・・・ｐｏｌｙ−Ｓｉゲート ９・・・ＡＱ組電 極・・・石英ガラス ４・・・絶縁膜 ６・・・ゲート絶縁膜 ８・・・層間絶縁膜 ５′・・・拡散層
Claims (1)
- １、Ｐｏｌｙ−Ｓｉを活性層とする薄膜トランジスタに
おいて、薄膜トランジスタのチャンネル形成領域の上部
もしくは下部に高融点金属もしくはその酸化物からなる
遮光膜を形成したことを特徴とする薄膜トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16525188A JPH0215676A (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | 薄膜 トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16525188A JPH0215676A (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | 薄膜 トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0215676A true JPH0215676A (ja) | 1990-01-19 |
Family
ID=15808756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16525188A Pending JPH0215676A (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | 薄膜 トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0215676A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6335540B1 (en) | 1993-06-24 | 2002-01-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and process for fabricating the same |
| US6340830B1 (en) | 1992-06-09 | 2002-01-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for forming the same |
| US6501097B1 (en) | 1994-04-29 | 2002-12-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device |
| US6835586B2 (en) | 1998-12-25 | 2004-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US6914302B2 (en) | 1998-12-18 | 2005-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US7276730B2 (en) | 1998-12-28 | 2007-10-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a pixel matrix circuit that includes a pixel TFT and a storage capacitor |
| US8158980B2 (en) | 2001-04-19 | 2012-04-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a pixel matrix circuit that includes a pixel TFT and a storage capacitor |
| US9482891B2 (en) | 2014-03-28 | 2016-11-01 | Nlt Technologies, Ltd. | Liquid crystal display unit |
-
1988
- 1988-07-01 JP JP16525188A patent/JPH0215676A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6340830B1 (en) | 1992-06-09 | 2002-01-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for forming the same |
| US6528852B2 (en) | 1992-06-09 | 2003-03-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Double gated electronic device and method of forming the same |
| US6815772B2 (en) | 1992-06-09 | 2004-11-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Dual gate MOSFET |
| US6335540B1 (en) | 1993-06-24 | 2002-01-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and process for fabricating the same |
| US6573589B2 (en) | 1993-06-24 | 2003-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and process for fabricating the same |
| US6501097B1 (en) | 1994-04-29 | 2002-12-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device |
| US6914302B2 (en) | 1998-12-18 | 2005-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US6835586B2 (en) | 1998-12-25 | 2004-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US7276730B2 (en) | 1998-12-28 | 2007-10-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a pixel matrix circuit that includes a pixel TFT and a storage capacitor |
| US8643015B2 (en) | 1998-12-28 | 2014-02-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a pixel matrix circuit that includes a pixel TFT and a storage capacitor |
| US8158980B2 (en) | 2001-04-19 | 2012-04-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a pixel matrix circuit that includes a pixel TFT and a storage capacitor |
| US9482891B2 (en) | 2014-03-28 | 2016-11-01 | Nlt Technologies, Ltd. | Liquid crystal display unit |
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