JPH01271178A - Dicing blade for semiconductor wafer - Google Patents
Dicing blade for semiconductor waferInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体ウェハを各チップ毎に分割するダイシン
グ工程で使用されるダイシングブレードに関するもので
ある。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a dicing blade used in a dicing process for dividing a semiconductor wafer into individual chips.
従来、ダイシング工程において半導体ウェハを研削しダ
イシング用切断溝を形成するダイシングブレードは、ａ
！４図および第５図に示すように概ね構成されている。Conventionally, the dicing blade that grinds the semiconductor wafer and forms cutting grooves for dicing in the dicing process is a
! It is generally constructed as shown in FIGS. 4 and 5.
第４図はワッシャタイプダイシングブレードを示す側断
面図、第５図はハブタイプダイシングブレードを示す側
断面図で、これらの図において１はダイシングブレード
本体で、ダイヤモンド粒子を、分散メツキ法で溶液中の
金属を析出させながらその析出層の中に封じ込めること
によって製造されており、直径寸法り、厚み寸法Ｔを有
する円盤状に形成されている。第６図はこの種ダイシン
グブレードの周縁部断面図で、同図において２はダイヤ
モンド粒子、３はこのダイヤモンド粒子２を保持するた
めのＮｉ等の母材である。このダイシングブレードを長
時間使用すると研削途中で母材３がダイヤモンド粒子２
を支えきれなくなυ、ダイヤモンド粒子２がｍｌちるこ
とによって消耗され、外径寸法りが小さくなる念め、効
率よく使用するために研削荷重および回転数等が最適化
されている。そして、このように構成されたダイシング
ブレードでシリコンウェハ（以下ウェハという）の表面
に溝加工を施すには、先ずダイシングブレード本体１を
ダイシング装置（図示せず）に取付けると共に、ウェハ
を移動テーブル（図示せず）に取付け、このダイシング
ブレードを３００００ｒｐｒｎで回転させた状態で接触
させる。次いでウエノ・を移動テーブルを移動させるこ
とにより水平移動させ、研削することによって行なわれ
る。Figure 4 is a side sectional view showing a washer type dicing blade, and Figure 5 is a side sectional view showing a hub type dicing blade. It is manufactured by precipitating metal and sealing it in the precipitated layer, and is formed into a disk shape having a diameter and a thickness T. FIG. 6 is a sectional view of the peripheral edge of this type of dicing blade, in which 2 is a diamond particle and 3 is a base material such as Ni for holding the diamond particle 2. In FIG. If you use this dicing blade for a long time, the base material 3 will become diamond particles 2 during grinding.
The grinding load, rotation speed, etc. are optimized for efficient use, in order to prevent the diamond particles 2 from being able to support υ and being consumed by ml and reducing the outer diameter. In order to form grooves on the surface of a silicon wafer (hereinafter referred to as a wafer) with the dicing blade configured as described above, first, the dicing blade main body 1 is attached to a dicing device (not shown), and the wafer is placed on a moving table ( (not shown) and brought into contact with this dicing blade while rotating at 30,000 rpm. Next, the wafer is moved horizontally by moving a moving table, and grinding is performed.
しかるに、ダイシング装置においてダイシングブレード
の側面と移動テーブルの移動方向とが平行でない場合、
換言すればダイシングブレードの軸方向にウエノ・の移
動方向とが直交しない場合には研削抵抗が大きく、第７
図（−） 、 （ｂ）に示すように切断溝の開口縁部に
チッピングと呼ばれるシリコン欠けが生じていた。第７
図（ａ）はダイシングブレードによってウエノ１上に切
断溝を形成している状態をダイシングブレード本体を破
断して示す平面図、同図（ｂ）は（−）図中Ｂ−Ｂ線断
面図で、これらの図において１はダイシングブレード本
体、４はウェハ、５はウェハ４上に形成された切断溝、
６はこの切断溝５の開口縁部に形成されたチッピング部
を示す。なおダイシングブレード本体１の取替初期は研
削抵抗が最も大きく、チッピング部６が大きく形成され
るばかシか、ダイシングブレード本体１が破損されるこ
とがあった。However, if the side surface of the dicing blade and the moving direction of the moving table are not parallel to each other in the dicing device,
In other words, if the axial direction of the dicing blade is not perpendicular to the moving direction of the wafer, the grinding resistance will be large, and the seventh
As shown in Figures (-) and (b), silicon chips called chippings occurred at the opening edges of the cutting grooves. 7th
Figure (a) is a plan view with the dicing blade body cut away showing the state in which cutting grooves are formed on the wafer 1 by the dicing blade, and Figure (b) is a sectional view taken along line B-B in the (-) figure. , In these figures, 1 is the dicing blade body, 4 is the wafer, 5 is the cutting groove formed on the wafer 4,
Reference numeral 6 indicates a chipping portion formed at the opening edge of this cutting groove 5. It should be noted that at the initial stage of replacement of the dicing blade main body 1, the grinding resistance is the greatest, and the chipping portion 6 may be formed large or the dicing blade main body 1 may be damaged.
このような問題を解決するためにはダイシング装置の精
度を向上させればよいが、ダイシングブレード本体１の
ウエノ・移動方向に対する傾斜角度はきわめて微小であ
るために、この微小な誤差を取り除くためにはきわめて
高い精度が必要とされるため、ダイシング装置が高価に
なる。In order to solve this problem, it is possible to improve the accuracy of the dicing device, but since the angle of inclination of the dicing blade body 1 with respect to the wafer/movement direction is extremely small, it is necessary to improve the accuracy of the dicing device in order to eliminate this small error. requires extremely high precision, making dicing equipment expensive.
本発明に係る半導体ウェハ用ダイシングブレードにおい
ては、ダイシングブレードの本体周縁部に面取りを施し
たものである。In the dicing blade for semiconductor wafers according to the present invention, the peripheral edge of the main body of the dicing blade is chamfered.
面取シによってダイシングブレードの本体周縁部の研削
抵抗が低減される。The chamfer reduces the grinding resistance of the periphery of the main body of the dicing blade.
以下、その構成等を図に示す実施例によシ詳細に説明す
る。Hereinafter, the configuration and the like will be explained in detail with reference to the embodiment shown in the drawings.
第１図（ＩＬ）〜（ｆ）は本発明に係るダイシングブレ
ードを示す側断面図で、同図（＆）は周縁部に厚み寸法
Ｔのイの曲率半径Ｒ，を屯って曲面が形成されたものを
示し、同図（ｂ）はダイシングブレード本体の片面をθ
ｌの角度をもって傾斜させて形成し、周縁部に、周縁部
の厚み寸法Ｔ１のＨの曲率半径Ｒ１をもって曲面が形成
されたものを示し、同図（、）はダイシングブレード本
体の両面を０２．θ３の角度をもって傾斜させて形成し
、周縁部に、周縁部の厚み寸法Ｔ２の％の曲率半径Ｒ２
をもって曲面が形成されたものを示し、同図（ｄ）は周
縁部に厚み寸法ＴのＨの寸法よシ小さい曲率半径ｒ０
をもって曲面が形成されたものを示し、同図←）はダイ
シングブレード本体の片面をα１の角度をもって傾斜さ
せて形成し、周縁部に、周縁部の厚み寸法Ｔｌのイの寸
法よシ小さい曲率半径ｒｌをもって曲面が形成されたも
のを示し、同図（ｆ）はダイシングブレード本体の両面
を１２．α３の角度をもって傾斜させて形成し、周縁部
に、周縁部の厚み寸法Ｔ２のＡの寸法より小さい曲率半
径ｒ、をもって曲面が形成されたものを示す。第２図は
本発明に係るダイシングブレードによってウエノ・に切
断溝を形成している状態をダイシングブレード本体を破
断して示す平面図、第３図は同じく本発明に係るダイシ
ングブレードによってウエノ・に切断溝を形成している
状態をウェハを断面して示す側面図で、これらの図にお
いて、１１はダイシン夛ブレード本体、１２はこのダイ
シングブレード本体１１の周縁部に面取りを施すことに
よって形成された曲面、１３はウェハ、１４はウェハ１
３に形成された切断溝である。Figures 1 (IL) to (f) are side sectional views showing the dicing blade according to the present invention, and (&) in the same figure shows a curved surface formed at the peripheral edge with a radius of curvature R of A of thickness T. Figure (b) shows one side of the dicing blade body at θ
The dicing blade is formed by slanting it at an angle of 02. It is formed to be inclined at an angle of θ3, and the peripheral edge has a radius of curvature R2 of % of the thickness dimension T2 of the peripheral edge.
Figure (d) shows a curved surface formed with a radius of curvature r0 smaller than the dimension H of the thickness dimension T at the peripheral edge.
Figure ←) shows a dicing blade with a curved surface formed by inclining one side of the dicing blade body at an angle of α1, and the peripheral edge has a radius of curvature smaller than the dimension A of the thickness dimension Tl of the peripheral edge. The figure (f) shows a curved surface formed with rl, and FIG. It is shown that it is formed to be inclined at an angle of α3, and a curved surface is formed on the peripheral edge portion with a radius of curvature r smaller than the dimension A of the thickness dimension T2 of the peripheral edge portion. Fig. 2 is a plan view of the dicing blade body being cut away to show a state in which cutting grooves are formed in the wafer by the dicing blade according to the present invention, and Fig. 3 is a plan view of the wafer cut into wafer by the dicing blade according to the present invention. These are side views showing a state in which grooves are formed in a cross section of a wafer. In these figures, 11 is the dicing blade main body, and 12 is a curved surface formed by chamfering the peripheral edge of the dicing blade main body 11. , 13 is the wafer, 14 is the wafer 1
This is the cutting groove formed in 3.
なお、切断溝１４の開口縁部に形成されるチッピングは
、ダイシングブレード本体１１の形状を変えて試験を行
がい、試行錯誤を繰シ返した結果、ダイシングブレード
本体周縁部の角に過度の研削抵抗が生じ、この角が摩耗
し平滑に々るまで大きく形成されるということが判明し
念。これを第２図および第３図に基づいて説明すると、
第２図に示すように、ウェハ１３の移動方向人に対して
ダイシングブレード本体１１が角度θだけ傾斜されてい
るとすると、ダイシングブレード本体１１はその両端部
（図中１部およびｂ部）で側方からの力を受けることに
力る。この際、１部ではダイシングブ１／−ド本体１１
の両側方に未研削部が残存されており、新たに切断ｎ１
４を形成１−ているのに対し、ｂ部では第３図に示すよ
うに、本来であればすでに研削を終了しているのにも拘
らず、角度θだけ誤差があるためｆなる側方からの荷重
を受け、切断溝１４の溝幅を拡張している。この荷重ｆ
の大小がチッピングの形成状態に影響を及はし、この荷
重ｆはダイシングブレード本体１１の取替初期、すなわ
ち、周縁部の角が摩耗するまでの間が最も大きいため、
ダイシングブレード本体１１を成形する際に予め前記角
部を取り除いておくことによシ取替初期において角部に
かかる荷重が低減されることになる。It should be noted that the chipping formed at the opening edge of the cutting groove 14 was caused by excessive grinding at the corner of the periphery of the dicing blade body after repeated tests by changing the shape of the dicing blade body 11 and repeated trial and error. It turns out that resistance occurs and this corner grows larger until it wears out and becomes smooth. To explain this based on Figures 2 and 3,
As shown in FIG. 2, if the dicing blade main body 11 is inclined at an angle θ with respect to the moving direction of the wafer 13, the dicing blade main body 11 will be tilted at both ends (parts 1 and b in the figure). Strengthens the ability to receive forces from the sides. At this time, in one part, the dicing board 1/- board body 11
Unground parts remain on both sides of the
However, as shown in Fig. 3, in part b, although the grinding has already been completed, there is an error of angle θ, so the side part f is formed. The width of the cutting groove 14 is expanded by receiving the load from the cutting groove 14. This load f
The size of the dicing blade affects the state of chipping formation, and this load f is greatest at the beginning of the replacement of the dicing blade body 11, that is, until the corner of the periphery is worn out.
By removing the corner portions in advance when molding the dicing blade main body 11, the load applied to the corner portions at the initial stage of replacement can be reduced.
また、曲面１２は第１図（−）−（−）に示すようにダ
イシングブレード本体周縁部の厚み寸法のＨの曲率半径
をもって形成するのが最も効率よいが、同図（ｄ）〜（
ｆ）に示すようにダイシングブレード本体周縁部の厚み
寸法のイより小さい曲率半径をもって形成してもよい。Furthermore, it is most efficient to form the curved surface 12 with a radius of curvature equal to the thickness dimension H of the peripheral edge of the dicing blade main body, as shown in FIGS.
As shown in f), the dicing blade may be formed with a radius of curvature smaller than the thickness dimension A of the peripheral edge of the main body.
このダイシングブレード本体１１は、第３図に示すよう
に、周縁部における象部〜Ｃ部間で受ける等分布圧縮荷
重Ｆによって生じる座屈応力に耐えるために、７ランク
１１＆端部からの突出寸法１．を６００μｍとし、厚み
寸法ｗｂを２５〜３０μｍとして形成されておシ、この
厚み寸法％＋ｂが３０μｍ以上のダイシングブレードに
おいては前記曲面１２の曲率半径は１５μｍに制限して
もよい。As shown in FIG. 3, this dicing blade main body 11 has 7 ranks 11 and a protruding dimension from the end in order to withstand the buckling stress caused by the evenly distributed compressive load F received between the quadrant and C part at the peripheral edge. 1. is 600 μm, and the thickness wb is 25 to 30 μm. In a dicing blade in which the thickness %+b is 30 μm or more, the radius of curvature of the curved surface 12 may be limited to 15 μm.
本実施例では第１図（ｂ） 、 （ｅ） 、 （ｅ）
、 （ｆ）に示すようにダイシングブレード本体１１の
片面、あるいは両面をθ８．α１あるいはθ２．θ３．
α２．α３の角度をもって傾余１させて形成した例を示
したが、このようにするとダイシングブレード本体１１
の周縁部の厚み寸法が中心部のそれより小さく形成され
、しかも、ウェハ１３の移動方向に対してダイシングブ
レー・ド本体１１が傾斜された際にもダイシングブレー
ド本体１１の側面とウェス・１３の移動方向との角度は
小さくなるため、切断溝１４の溝幅が拡張されにくくな
る。この際、ダイシングブレード本体１１の周縁部が中
心部に対して片側３／４００程度の勾配であることが望
ましい。In this example, Fig. 1 (b), (e), (e)
, as shown in (f), one or both sides of the dicing blade main body 11 is rotated at θ8. α1 or θ2. θ3.
α2. An example was shown in which the dicing blade was formed with an angle of α3 and an inclination of 1, but in this case, the dicing blade body 11
The thickness of the periphery of the dicing blade is smaller than that of the center, and even when the dicing blade main body 11 is tilted with respect to the moving direction of the wafer 13, the side surface of the dicing blade main body 11 and the rag 13 are Since the angle with the moving direction becomes smaller, the groove width of the cutting groove 14 becomes difficult to expand. At this time, it is desirable that the peripheral edge of the dicing blade main body 11 has an inclination of about 3/400 on one side with respect to the center.
なお、本実施例ではダイシングブレード本体１１の周縁
部に曲面を形成した例を示したが、傾斜面を形成しても
同等の効果が得られる。この際、ダイシングブレード本
体１１の周側面は圧縮応力に耐えられるように平坦面か
、あるいは滑らかな形状に形成しなければならない。傾
斜面を形成する場合には面取シ寸法を厚み寸法ｗｂに対
して（〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、ダイシングブレー
ドの本体周縁部に面取りを施したため、面取りによって
ダイシングブレードの本体周縁部の研削抵抗が低減され
ることになるから、チッピングを小さくすることができ
、ダイシングブレード本体が破損されるのを防止するこ
とができる。Although this embodiment shows an example in which a curved surface is formed on the peripheral edge of the dicing blade main body 11, the same effect can be obtained even if an inclined surface is formed. At this time, the peripheral side of the dicing blade main body 11 must be formed into a flat surface or a smooth shape so as to be able to withstand compressive stress. When forming an inclined surface, the chamfer dimension is set relative to the thickness dimension wb ([Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, since the periphery of the main body of the dicing blade is chamfered, Since the grinding resistance at the peripheral edge of the dicing blade body is reduced, chipping can be reduced and damage to the dicing blade body can be prevented.
第１図（−）〜（ｆ）は本発明に係るダイシングブレー
ドを示す側断面図、第２図は本発明に係るダイシングブ
レードによってウェハに切断溝を形成している状態をダ
イシングブレード本体を破断して示す平面図、第３図は
同じく本発明に係るダイシングブレードによってウェハ
に切断溝を形成している状態をウェス・を断面して示す
側面図、第４図は従来のワッシャタイプダイシングブレ
ードを示す側断面図、第５図は従来の・・ブタイブダイ
シングブレードを示す側断面図、第６図は従来のダイシ
ングブレードの周縁部断面図、第７図（峠は従来のダイ
シングブレードによってウェス・上に切断溝を形成して
いる状態をダイシングブレード本体を破断して示す平面
図、第７図（ｂ）は（＆）図中Ｂ−Ｂ線断面図を示す。
１１・ｅ・−ダイシングブレード本体、１２・１１１１
１１曲面、ｌ ３ ａ ＊ ＠＊ウェハ、ｌ ４ ｓ
ｅ ＊ ｓ切断溝。Figures 1 (-) to (f) are side sectional views showing the dicing blade according to the present invention, and Figure 2 is a cutaway view of the dicing blade main body, showing a state in which cutting grooves are formed on a wafer by the dicing blade according to the present invention. FIG. 3 is a side view of a wafer in cross-section showing cutting grooves being formed on a wafer using a dicing blade according to the present invention, and FIG. 4 is a cross-sectional view of a conventional washer type dicing blade. 5 is a side sectional view showing a conventional butaibu dicing blade, FIG. 6 is a sectional view of the peripheral edge of a conventional dicing blade, and FIG. A plan view of the dicing blade main body cut away showing a state in which cutting grooves are formed on the top, and FIG. 7(b) is a sectional view taken along line B-B in the (&) figure. Main body, 12/1111
11 curved surface, l 3 a * @ * wafer, l 4 s
e*s cutting groove.
Claims (1)
ダイシングブレードにおいて、前記ダイシングブレード
の本体周縁部に面取りを施したことを特徴とする半導体
ウェハ用ダイシングブレード。A dicing blade for grinding a semiconductor wafer to form cutting grooves for dicing, characterized in that a peripheral edge of the main body of the dicing blade is chamfered.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63100481A JPH01271178A (en) | 1988-04-21 | 1988-04-21 | Dicing blade for semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63100481A JPH01271178A (en) | 1988-04-21 | 1988-04-21 | Dicing blade for semiconductor wafer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01271178A true JPH01271178A (en) | 1989-10-30 |
Family
ID=14275114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63100481A Pending JPH01271178A (en) | 1988-04-21 | 1988-04-21 | Dicing blade for semiconductor wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01271178A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1988
- 1988-04-21 JP JP63100481A patent/JPH01271178A/en active Pending
Cited By (10)
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| TWI695768B (en) * | 2015-05-29 | 2020-06-11 | 日商三星鑽石工業股份有限公司 | Method for forming vertical crack of brittle material substrate and breaking method of brittle material substrate |
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