JP7079200B2 - 半導体ウェハ表面保護用粘着テープ及び半導体ウェハの加工方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体ウェハ表面保護用粘着テープ及び半導体ウェハの加工方法に関する。

半導体パッケージは、高純度シリコン単結晶等をスライスして半導体ウェハとした後、イオン注入、エッチング等により当該ウェハ表面に集積回路を形成して製造される。集積回路が形成された半導体ウェハの裏面を研削、研磨等することにより、半導体ウェハは所望の厚みに加工される。この際、半導体ウェハ表面に形成された集積回路を保護するために、半導体ウェハ表面保護用粘着テープ（以下、単に「表面保護テープ」ともいう。）が用いられる。
裏面研削された半導体ウェハは、裏面研削が終了した後にウェハカセットに収納され、ダイシング工程へ運搬され、半導体チップに加工される。

従来は、裏面研削等により半導体ウェハの厚みを２００～４００μｍ程度とすることが求められていた。しかし、近年の高密度実装技術の進歩に伴い、半導体チップを小型化する必要が生じ、それに伴い、半導体ウェハの薄膜化も進んでいる。半導体チップの種類によっては、半導体ウェハを１００μｍ程度まで薄くすることが必要となっている。一方で、一度の加工によって製造できる半導体チップの数を多くするために、もとの半導体ウェハを大径化する傾向にある。これまでは直径が５インチや６インチの半導体ウェハが主流だったのに対し、近年では直径８～１２インチの半導体ウェハを半導体チップ化する加工が主流となっている。
半導体ウェハを薄膜化と同時に大径化する流れは、特に、ＮＡＮＤ型やＮＯＲ型が存在するフラッシュメモリの分野や、揮発性メモリであるＤＲＡＭなどの分野で顕著である。例えば、直径１２インチの半導体ウェハを１５０μｍ以下の厚みまで研削することも珍しくない。

これに加え、特に近年、スマートフォンの普及や携帯電話の性能向上および音楽プレーヤの小型化、かつ性能向上などに伴い、耐衝撃性などを考慮した電極付半導体ウェハを用いたフリップチップ実装に用いるウェハについても薄膜化の要求が増えてきている。またバンプ付半導体ウェハについても半導体ウェハ部分を１００μｍ以下の薄膜研削をする必要が出てきている。フリップチップ接続されるためのバンプは、転送速度向上のため高密度化されてきており、バンプの高さ（半導体ウェハ表面からの突出高さ）が低くなってきており、それに伴ってバンプ間距離が短くなってきている。また近年ではＤＲＡＭにもフリップチップ接続が実施されてきているためウェハの薄膜化も加速している。

フリップチップ実装は、近年の電子機器の小型化、高密度化に対して半導体素子を最小の面積で実装できる方法として注目されてきた。このフリップチップ実装に使用される半導体素子の電極上にはバンプが形成されており、バンプと回路基板上の配線とを電気的に接合する。これらのバンプの組成としては、主に半田や金が使用されている。この半田バンプや金バンプは、蒸着やメッキで、チップの内部配線につながる露出したアルミ端子上などに形成する。

しかし、バンプ付半導体ウェハは、その表面に大きな凹凸を有しているため薄膜加工が難しく、通常の表面保護テープを用いて裏面研削を行うと半導体ウェハに割れが生じたり、半導体ウェハの厚み精度が悪化したりする。そのため、バンプ付半導体ウェハの研削は、特別に設計された表面保護テープを用いて行われている（例えば、特許文献１参照）。

しかしながら、これらの表面保護テープではバンプを十分に吸収して研削性を確保しているため剥離性との両立が非常に難しい。これまでのフリップチップ実装されてきたチップの仕上げ厚みは２００μｍ厚以上とある程度の厚みがあり、剛性を保てたため何とか剥離できてきた。しかし、最近、半導体ウェハ仕上げ厚みが、よりいっそう薄膜となり、バンプ密度も高くなってきているため、表面保護テープは、剥離が容易にできない、糊残りするといった問題を引き起こしてしまっている。また逆に、剥離性を確保すると密着が不十分となり、裏面研削時にシーページ（例えば、ダストや研削水の浸入）を引き起こしてしまっている。

一方、ウェハレベルパッケージに使用されるバンプ付半導体ウェハのバンプ高さは依然高いままであり、高さ２５０μｍ以上のバンプも搭載されている。ウェハレベルパッケージではチップをスタックする必要がないためメモリ系半導体ウェハのように５０μｍ以下といった極薄研削されることがないが、高いバンプがついているため厚膜研削でも非常に割れやすく、１５０μｍ厚以下の研削厚で容易に半導体ウェハ割れの問題が発生する。

このような半導体ウェハに対して専用の表面保護テープが提案されている（特許文献２～４参照）。特許文献２には、半導体ウェハ加工時には半導体ウェハに強固に密着するとともに、剥離時に、半導体ウェハの破損や糊残りすることなく剥離することができる半導体ウェハ表面保護用粘着テープが記載されている。この表面保護テープは、基材フィルム上に、層厚及び収縮値を特定の範囲内にした放射線硬化型粘着剤層を有する。また、特許文献３には、バンプ高さの高いバンプウェハの裏面研削に用いる表面保護用粘着テープで、ウェハを研削してもウェハの破損防止やシーページが生じないで、剥離力の軽減と糊残りの抑制された半導体ウェハ表面保護用粘着テープが開示されている。この表面保護テープは、特定のタック力と層厚を有する。また、特許文献４には、ウェハ表面に形成された凸凹の高低差以下までウエハの裏面を研削する際に、ウェハ表面の凸凹の保護と、ウェハ表面への研削屑や研削水などの浸入防止、及び研削後のウェハの破損防止を図ることのできる半導体ウエハ保護用粘着シートの貼り合わせ方法が開示されている。この方法に用いられる表面保護シートは、５０℃～１００℃における損失正接を特定の範囲内にした中間層と粘着剤層とを有する。

特開２００１－２０３２５５号公報 特許第５２４２８３０号公報 特許第５１１７６３０号公報 特開２０１０－２５８４２６号公報

特許文献２記載の表面保護テープは、半導体ウェハの破損や糊残りは一定程度抑制することができる。また、特許文献３記載の表面保護テープは、剥離性は良好である。しかし、より高いバンプを、より狭いピッチで有する半導体ウェハに適用するには、特許文献２記載の表面保護テープは、剥離性ないし糊残りをさらに改善する余地がある。また、特許文献３記載の表面保護テープは、密着性をさらに向上させ、シーページを抑制し、糊残りを改善する余地がある。

特許文献４記載の方法に用いられる表面保護テープは、追従性が極めて良好であるために、高さ２５０μｍ以上のバンプに追従した際に、テープが凹凸状に変形してしまい、吸引搬送している加工装置内で搬送中の半導体ウェハが落下し、破損してしまうこともある。

本発明は、上記問題に鑑み、半導体ウェハ加工時には半導体ウェハに強固に密着し、シーページ、加工装置内での搬送エラー、半導体ウェハ破損を抑制し、剥離時には糊残りすることなく剥離することができる半導体ウェハ表面保護用粘着テープおよびそれを用いた半導体ウェハの加工方法を提供することを課題とする。

本発明者らは、上記課題を解決するため、鋭意検討を行った結果、基材フィルム、中間樹脂層及び粘着剤層を有する半導体ウェハ表面保護用粘着テープにおいて、前記中間樹脂層を構成する樹脂の融点若しくはビカット軟化点及びメルトマスフローレート（ＭＦＲ）を、それぞれ、特定の範囲内とし、この表面保護テープを特定の凹凸差を有する半導体ウェハ表面に特定温度で加熱貼合することにより、表面保護テープを半導体ウェハの回路面に強固に密着させることができ、半導体ウェハ加工時にはシーページ、加工装置内での搬送エラー、半導体ウェハ破損を抑制でき、剥離した際には、糊残りすることなく剥離でき、さらには半導体ウェハ表面に貼合した状態での反りを抑制できることを見出した。本発明はこの知見に基づきなされるに至ったものである。

すなわち、上記課題は以下の手段により解決された。
＜１＞
２０μｍ以上の凹凸差を有する半導体ウェハの表面に、４０℃～９０℃の条件で加熱貼合して用いる半導体ウェハ表面保護用粘着テープであって、
前記半導体ウェハ表面保護用粘着テープは、基材フィルムと、粘着剤層と、該基材フィルムと該粘着剤層との間に中間樹脂層とを有し、
前記中間樹脂層の厚みが、前記凹凸差以上であり、該中間樹脂層を構成する樹脂の融点若しくはビカット軟化点が４０℃～９０℃であり、該中間樹脂層を構成する樹脂のメルトマスフローレートが、１０ｇ／１０ｍｉｎ～１００ｇ／１０ｍｉｎである、半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
＜２＞
紫外線照射後の前記粘着剤層の、２３℃のＳＵＳ２８０研磨面に対する粘着力が０．５Ｎ／２５ｍｍ以上５．０Ｎ／２５ｍｍ以下であり、かつ５０℃のＳＵＳ２８０研磨面に対する粘着力が、０．３Ｎ／２５ｍｍ以上７．０Ｎ／２５ｍｍ以下である、＜１＞に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。

＜３＞
前記基材フィルムの厚みと前記中間樹脂層の厚みの比が、基材フィルムの厚み：中間樹脂層の厚み＝０．５：９．５～７：３である、＜１＞または＜２＞に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
＜４＞
前記中間樹脂層を構成する樹脂が、エチレン－アクリル酸メチルコポリマー樹脂、エチレン－アクリル酸エチルコポリマー樹脂およびエチレン－アクリル酸ブチルコポリマー樹脂の少なくとも１種である、＜１＞～＜３＞のいずれか１項に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
＜５＞
前記基材フィルムの構成材料の融点が９０℃～１５０℃である、＜１＞～＜４＞のいずれか１項に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
＜６＞
前記中間樹脂層の厚みが、１００μｍ～４００μｍである、＜１＞～＜５＞のいずれか１項に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
＜７＞
前記粘着剤層の厚みが、５μｍ～４０μｍである、＜１＞～＜６＞のいずれか１項に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
＜８＞
前記基材フィルムの厚みが２５μｍ～１００μｍである、＜１＞～＜７＞のいずれか１項に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。

＜９＞
２０μｍ以上の凹凸差を有する半導体ウェハの表面に、半導体ウェハ表面保護用粘着テープを、４０℃～９０℃の条件で加熱貼合し、半導体ウェハ裏面を研削することを含む半導体ウェハの加工方法であって、
前記半導体ウェハ表面保護用粘着テープは、基材フィルムと、粘着剤層と、該基材フィルムと該粘着剤層との間に中間樹脂層とを有し、
該中間樹脂層の厚みが、前記凹凸差以上であり、該中間樹脂層を構成する樹脂の融点若しくはビカット軟化点が４０℃～９０℃であり、該中間樹脂層を構成する樹脂のメルトマスフローレートが、１０ｇ／１０ｍｉｎ～１００ｇ／１０ｍｉｎである、半導体ウェハの加工方法。

本発明の説明において、半導体ウェハの表面とは、半導体ウェハの凹凸を有する面、すなわち、集積回路が形成された面を意味する。また、この表面の反対側の面を裏面と称する。
本発明の説明において、凹凸差とは、凸部のうちの最高部からウェハ表面までの距離または凹部のうちの最深部から半導体ウェハ表面までの距離を意味する。例えば、半導体ウェハ上に金属電極（バンプ）が形成されている場合において、最高部とは最も高いバンプの頂上部であり、そこから半導体ウェハ表面までの距離、すなわち、バンプの高さが凹凸差である。あるいは、半導体ウェハにスクライブライン（ダイシングライン）が形成されている場合において、最深部とはスクライブラインのうち最も深い位置であり、そこから半導体ウェハ表面までの距離を凹凸差という。
本発明の説明において、「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。

本発明の半導体ウェハ表面保護用粘着テープは、半導体ウェハ加工時には半導体ウェハに強固に密着することでシーページの発生を低減し、また加工装置内での搬送エラーないし半導体ウェハ破損を抑制することができ、剥離した際には糊残りを生じにくい。さらに、本発明の半導体ウェハ表面保護用粘着テープは、半導体ウェハ表面に貼合した状態での反りを抑制できる。また、本発明の半導体ウェハの加工方法によれば、上記半導体ウェハ表面保護用粘着テープを用いて、高いバンプを狭いピッチで有する薄膜状の半導体ウェハを得ることが可能になる。

本発明のウェハ表面保護用粘着テープの模式的な概略断面図である。

以下に、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。

［半導体ウェハ表面保護用粘着テープ］
本発明の半導体ウェハ表面保護用粘着テープは、２０μｍ以上の凹凸差を有する半導体ウェハの表面に、４０℃～９０℃の条件で加熱貼合する半導体ウェハ表面保護用粘着テープであって、該半導体ウェハ表面保護用粘着テープは、基材フィルムと、粘着剤層とを有し、さらに、該基材フィルムと該粘着剤層との間に中間樹脂層を少なくとも有する。前記中間樹脂層の厚みは、前記凹凸差以上である。また、前記中間樹脂層を構成する樹脂の融点若しくはビカット軟化点が４０℃～９０℃であり、該中間樹脂層のメルトマスフローレートが、１０ｇ／１０ｍｉｎ～１００ｇ／１０ｍｉｎである。
前記粘着剤層は、特に制限されないが、放射線硬化型粘着剤層が好ましく、「放射線硬化型粘着剤層」とは、放射線〔例えば、紫外線のような光線（レーザー光線を含む）、電子線などの電離性放射線〕の照射で硬化する粘着剤層をいう。照射する放射線は紫外線が好ましい。

＜基材フィルム＞
本発明の半導体ウェハ表面保護用粘着テープに用いられる基材フィルムは、特に制限されない。本発明の半導体ウェハ表面保護用粘着テープにおいて、基材フィルムを構成する材料の融点は９０℃～１５０℃の範囲が好ましく、１００℃～１４０℃の範囲がより好ましく、１１０℃～１３０℃の範囲が更に好ましい。基材フィルムの融点が前記範囲であることにより、表面保護テープを貼合する工程で貼合ローラーやチャックテーブルへの融着を防いで、２０μｍ以上の凹凸を有する半導体ウェハへの十分な貼合ができる。また、ダイシングダイボンディング一体型フィルム（ＤＤＦ）を貼合する場合も、チャックテーブルへの融着を防いでＤＤＦの貼合が可能となる。本発明の半導体ウェハ表面保護用粘着テープは、中間樹脂層に熱をかけることで中間樹脂層の流動性が向上し、２０μｍ以上の凹凸差を有する半導体ウェハに対して十分な密着性を確保するため、十分高い温度である４０℃～９０℃の条件で加熱貼合される。従って、基材フィルムを構成する材料の融点が低すぎると基材フィルムの背面が溶けてしまい貼合ローラーやチャックテーブルと融着してしまうおそれがある。基材フィルムが、例えばスチレンのように非結晶性の樹脂で構成される場合は、融点が存在しないためビカット軟化点が指標となる。すなわち、ビカット軟化点が上記融点の範囲にあることが好ましい。ビカット軟化点が高すぎると基材背面（中間樹脂層と接する面の反対側の面）に流動性が出るため、チャックテーブルのポーラス部に入り込むおそれがある。

本発明の半導体ウェハ表面保護用粘着テープに用いられる基材フィルムは、樹脂からなるものが好ましく、このような樹脂として、本発明の属する技術分野で通常用いられるプラスチック、ゴム等を用いることができる。例えば、ポリオレフィン系樹脂（例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン－プロピレン共重合体、ポリブテン－１、ポリ－４－メチルペンテン－１、エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－アクリル酸エチル共重合体、エチレン－アクリル酸メチル共重合体、エチレン－アクリル酸共重合体又はアイオノマー等のエチレン性不飽和基を含むモノマーの単独重合体もしくは共重合体からなる樹脂）、ポリエステル樹脂（例えば、ポリエチレンテレフタレート又はポリエチレンナフタレートからなる樹脂）、ポリカーボネート樹脂、ポリウレタン樹脂、エンジニアリングプラスチック（例えば、ポリメチルメタクリレート）、合成ゴム類（例えば、スチレン－エチレン－ブテンもしくはペンテン系共重合体）、熱可塑性エラストマー（例えば、ポリアミド－ポリオール共重合体）が挙げられる。本発明の表面保護テープに用いられる基材フィルムは、上記樹脂１種単独からなるフィルムでもよく、２種以上を組み合わせたフィルムでもよい。また、本発明の表面保護テープに用いられる基材フィルムは、単層でもよく、複層にしたものを使用してもよい。なお、複層の基材フィルムは、中間樹脂層と反対側の最外層を構成する材料の融点が上記範囲にあることが好ましい。
本発明の表面保護テープにおいて、基材フィルムは、ポリエステル樹脂またはポリオレフィン系樹脂からなるフィルムが好ましい。

基材フィルムの厚みは、半導体ウェハの反りの矯正力と表面保護テープの剥離性のバランス、コストや製造適性などの面を考慮すると、２５μｍ以上が好ましく、５０μｍ以上が更に好ましい。上限は、２００μｍ以下が好ましく、１５０μｍ以下がより好ましく、１００μｍ以下が特に好ましい。基材フィルムの厚みが前記範囲にあることで、半導体ウェハを５０μｍ以下に薄膜研削した場合においても搬送エラーを抑制しつつ研削可能であり、表面保護テープの剥離性を向上させることができる。なお、「半導体ウェハを５０μｍ以下に薄膜研削した場合」とは、バンプを有する半導体ウェハにおいては、バンプを除く、半導体ウエハ自体の厚みを５０μｍ以下になるまで裏面研削することを意味する。また、スクライブラインが形成された半導体ウェハにおいては、上述の最深部から、裏面までの距離を意味する。

＜中間樹脂層＞
本発明の半導体ウェハ表面保護用粘着テープは、中間樹脂層を必須とする。表面保護テープを、半導体ウェハ表面に４０～９０℃の温度条件で加熱貼合することにより中間樹脂層が溶融し、２０μｍ以上の凹凸差を有する半導体ウェハの表面の形状に対して粘着剤層及び中間樹脂層の形状が追従する。さらに貼合後は冷却されるため、粘着剤層が半導体ウェハの表面に密着した状態で表面保護テープが固定されることでダスト侵入等を抑制することができる。本発明の表面保護テープに用いられる中間樹脂層を構成する樹脂の融点若しくはビカット軟化点は、４０℃～９０℃の範囲であって、より好ましくは６０℃～８０℃の範囲である。表面保護テープを４０℃～９０℃の範囲で加熱貼合し、粘着剤層を半導体ウェハの表面に密着させる必要があるため、この温度範囲で中間樹脂層の引張り弾性率が大きく変化する必要がある。すなわち、半導体ウェハ研削時は通常の温度であり、この温度において樹脂が流動してしまうと研削の際の厚み精度が極端に悪化するため高弾性であることが好ましい。一方、加熱貼合する際に半導体ウェハの表面に十分に追従させるためには低弾性である必要があることから、中間樹脂層には相反する性能が求められる。この相反する性能を実現するため、引張り弾性率及び流動性に大きく影響する融点若しくはビカット軟化点が４０～９０℃である必要がある。融点及びビカット軟化点は、実施例に記載の方法で測定される。本発明において中間樹脂層は、融点若しくはビカット軟化点の両方が４０～９０℃であることも好ましい。
中間樹脂層を構成する樹脂の融点及びビカット軟化点が４０℃未満である場合、成形することが困難であり、また厚み精度も悪化してしまう。すなわち、中間樹脂層の厚みが不均一になってしまう。一方、中間樹脂層を構成する樹脂の融点及びビカット軟化点が９０℃を超える場合、４０～９０℃の条件で加熱貼合しても半導体ウェハの表面の形状に対して十分に追従しないため、ダスト侵入やウェハ割れが生じやすくなる。

本発明の表面保護テープに用いられる中間樹脂層を構成する樹脂は、融点若しくはビカット軟化点が４０～９０℃であり、さらに、メルトマスフローレート（ＭＦＲ）が１０ｇ／１０ｍｉｎ～１００ｇ／１０ｍｉｎである。融点又はビカット軟化点が上記範囲内にある中間樹脂層は、前述の通り、表面保護テープを４０～９０℃の条件で半導体ウェハに貼合すると、半導体ウェハの表面の形状に対して中間樹脂層及び粘着剤層の形状が追従する。その結果、粘着剤層が半導体ウェハ表面に十分に密着する。しかし、中間樹脂層を構成する樹脂の融点又はビカット軟化点が上記範囲内にあるだけでは、半導体ウェハの凹凸差が２５０μｍ以上となると表面保護テープ自体が凹凸状に変形し、搬送エラーを誘発する。ＭＦＲを１０ｇ／１０ｍｉｎ～１００ｇ／１０ｍｉｎの範囲とすることにより加熱貼合時の中間樹脂層に適度な流動性が生まれ、凹凸に追従し変形した表面保護テープを平らな状態へ戻すことができる。これにより、搬送エラー及び半導体ウェハの落下による破損を防ぐことができる。中間樹脂層のメルトマスフローレート（ＭＦＲ）が１０ｇ／１０ｍｉｎ未満であると、流動性が不足し、表面保護テープ自体が変形したままの状態で加工されるため、搬送エラーや半導体ウェハの破損が発生してしまう。一方、中間樹脂層を構成する樹脂のメルトマスフローレート（ＭＦＲ）が１００ｇ／１０ｍｉｎを超えると、基材としての厚み精度（厚みの均一性）を維持したままの製膜が困難となってしまう。また、研削後の半導体ウェハの厚み精度も悪化する。本発明の表面保護テープは、中間樹脂層を構成する樹脂の融点又はビカット軟化点が上記範囲内にあり、さらに、ＭＦＲが１０ｇ／１０ｍｉｎ～１００ｇ／１０ｍｉｎの範囲にあることにより、半導体ウェハの凹凸差が２５０μｍ以上の半導体ウェハの加工にも適用することができる。本発明の表面保護テープを適用することができる半導体ウェハの凹凸差の上限は、３００μｍ以下であることが実際的である。
なお、ＭＦＲは、実施例に記載の方法で測定される。

中間樹脂層は粘着することを目的とするものでないため、非粘着性が好ましい。非粘着性とは常温においてべたつきが無い状態をいう。
このような樹脂層もしくは樹脂フィルムを構成する樹脂として、例えば、ラジカル重合性酸コモノマー、アクリル酸エステルコモノマー、メタクリル酸エステルコモノマー及びカルボン酸ビニルエステルコモノマーから選択される少なくとも１種のコモノマーと、エチレンとの共重合体であるエチレン系共重合体からなる樹脂、アイオノマー等のエチレン性不飽和基を含むモノマーの単独重合体または共重合体からなる樹脂、ポリエチレン（例えば、低密度ポリエチレン）からなる樹脂が挙げられる。本発明の表面保護テープに用いられる中間樹脂層には、これらの樹脂を１種単独で用いてもよく、２種以上組み合わせて用いてもよい。また、上記中間樹脂層は２層以上有してもよい。

上記ラジカル重合性酸コモノマーとしては、具体的には、マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、イタコン酸等のα，β－不飽和ジカルボン酸またはこれらの無水物、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、ビニル酢酸、ペンテン酸等の不飽和モノカルボン酸等が挙げられ、中でも無水マレイン酸、アクリル酸、メタクリル酸が好ましい。
上記アクリル酸エステルコモノマーとしては、具体的には、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、アクリル酸ブチル等が挙げられ、中でもアクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸ブチルが好ましい。

上記メタクリル酸エステルコモノマーとしては、具体的には、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸プロピル、メタクリル酸ブチル等が挙げられ、中でもメタクリル酸メチル、メタクリル酸エチルが好ましい。
上記カルボン酸ビニルエステルコモノマーとしては、具体的には、ギ酸ビニル、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、酪酸ビニル等が挙げられ、中でも酢酸ビニルが好ましい。

エチレン系共重合体の具体例としては、二元系共重合体として、例えば、エチレン－アクリル酸共重合体、エチレン－メタクリル酸共重合体、エチレン－無水マレイン酸共重合体、エチレン－アクリル酸メチル共重合体、エチレン－アクリル酸エチル共重合体、エチレン－メタクリル酸メチル共重合体、エチレン－メタクリル酸エチル共重合体、エチレン－酢酸ビニル共重合体が挙げられる。
三元系共重合体として、例えば、エチレン－アクリル酸－アクリル酸メチル共重合体、エチレン－アクリル酸－アクリル酸エチル共重合体、エチレン－アクリル酸－酢酸ビニル共重合体、エチレン－メタクリル酸－メタクリル酸メチル共重合体、エチレン－メタクリル酸－メタクリル酸エチル共重合体、エチレン－メタクリル酸－酢酸ビニル共重合体、エチレン－無水マレイン酸－アクリル酸メチル共重合体、エチレン－無水マレイン酸－アクリル酸エチル共重合体、エチレン－無水マレイン酸－メタクリル酸メチル共重合体、エチレン－無水マレイン酸－メタクリル酸エチル共重合体、エチレン－無水マレイン酸－酢酸ビニル共重合体が挙げられる。
さらに、上記のコモノマーを組み合わせた多元系の共重合体も挙げられる。
上記共重合体の中でも、特に、エチレン－アクリル酸共重合体、エチレン－メタクリル酸共重合体、エチレン－アクリル酸メチル共重合体、エチレン－アクリル酸エチル共重合体、エチレン－アクリル酸ブチル共重合体、エチレン－無水マレイン酸－アクリル酸メチル共重合体、エチレン－無水マレイン酸－アクリル酸エチル共重合体、エチレン－無水マレイン酸－メタクリル酸メチル共重合体及びエチレン－無水マレイン酸－メタクリル酸エチル共重合体が好ましく、エチレン－アクリル酸メチル共重合体、エチレン－アクリル酸エチル共重合体及びエチレン－アクリル酸ブチル共重合体が好ましい。

エチレン系共重合体の合成に用いられるエチレンとコモノマ―との合計質量中、コモノマーの割合は１０質量％～５０質量％が好ましく、１５質量％～４０質量％が更に好ましい。
中間樹脂層は、上述のように単層でもよく、複層であっても良い。製造性の点から、複層の方が単層に比べてフィルム化が容易である。複層にした場合、基材フィルム側の層は低密度ポリエチレン若しくはエチレン－酢酸ビニル共重合体からなる樹脂層ないし樹脂フィルムであることが好ましく、押し出しにより複層の中間樹脂層の製膜の際に不良率を低下させることができ且つ安価に製造することができる。中間樹脂層が複層である場合の融点ないしビカット軟化点は、粘着剤層と接している層またはフィルムを構成する樹脂の融点ないしビカット軟化点を示す。
樹脂層もしくは樹脂フィルムの積層方法は、樹脂層もしくは樹脂フィルムの厚みの精度や、該樹脂層もしくは樹脂フィルムに欠陥に影響を及ぼさない範囲であれば、特に制限されるものではない。例えば、共押出による製膜や接着剤による貼り合わせなどが挙げられる。

基材フィルムの厚みと中間樹脂層の厚みとの比は、基材フィルムの厚み：中間樹脂層の厚み＝０．５：９．５～３：７の範囲であることが、粘着剤層及び中間樹脂層の半導体ウェハの表面形状に対する追従性の点から好ましい。基材フィルムと中間樹脂層の積層方法は、一体となったフィルムの欠陥に影響を及ぼさなければ特に制限されるものではなく、共押出しによる製膜や接着剤による貼り合わせが可能である。

本発明の表面保護テープに用いられる中間樹脂層の厚みは半導体ウェハの凹凸差以上が必要であるが、製造性や厚み精度の点から１００μｍ～４００μｍであることが好ましい。半導体ウェハの凹凸差よりも薄いと、粘着剤層が半導体ウェハに十分に密着しないためダスト侵入やウェハ割れが発生する。本発明の表面保護テープに用いられる中間樹脂層の厚みは、半導体ウェハの凹凸差よりも１０μｍ～３０μｍ厚いことが好ましい。中間樹脂層が厚すぎると、半導体ウェハの厚み精度が悪化する恐れがあり、また製造コストも増加する。また、バンプ付き半導体ウェハのバンプ部分を製造する際、１０μｍ程度の誤差が生じるため、平均バンプ高さに加えて１０μｍの厚みがあると余裕をもって追従することが可能となる。

＜粘着剤層＞
本発明の表面保護テープが有する粘着剤層に用いられる粘着剤は、特に制限されないが、放射線硬化型粘着剤が好ましい。
放射線硬化型粘着剤は、放射線により硬化し三次元網状化する性質を有すればよく、大きく分けて、１）側鎖にエチレン性不飽和基（放射線重合性炭素－炭素二重結合でエチレン性二重結合とも称す）を有するベース樹脂（重合体）からなる粘着剤と、２）通常のゴム系あるいは（メタ）アクリル系のベース樹脂（ポリマー）に対して、分子中に少なくとも２個のエチレン性不飽和基を有する低分子量化合物（以下、放射線重合性低分子量化合物という）および光重合開始剤を配合する粘着剤に分類される。
本発明の表面保護テープでは、上記の２）が好ましい。

１）側鎖にエチレン性不飽和基を有するベース樹脂からなる粘着剤
側鎖にエチレン性不飽和基を有する粘着剤は、（メタ）アクリル系粘着剤が好ましく、ベース樹脂が（メタ）アクリル重合体もしくは（メタ）アクリル重合体を主成分として含むものがより好ましい。
ここで、「（メタ）アクリル重合体を主成分として含む」とは、ベース樹脂を構成する重合体ないし樹脂のうち、（メタ）アクリル系重合体の含有量が少なくとも５０質量％以上であり、好ましくは８０質量％以上（１００質量％以下）であることを意味する。

（メタ）アクリル重合体は、少なくとも側鎖にエチレン性不飽和基を有することで放射線照射による硬化が可能となる。（メタ）アクリル重合体は、さらにエポキシ基やカルボキシ基などの官能基を有してもよい。

側鎖にエチレン性不飽和基を有する（メタ）アクリル重合体は、どのようにして製造されたものでもよいが、例えば、側鎖に官能基（α）を有する（メタ）アクリル重合体と、（メタ）アクリルロイル基、（メタ）アクリルロイルオキシ基などのエチレン性不飽和基を有する基を有し、かつ、この（メタ）アクリル重合体の側鎖の官能基（α）と反応し得る官能基（β）をもつ化合物とを反応させて得たものが好ましい。
エチレン性不飽和基を有する基は、非芳香族性のエチレン性二重結合を有すればどのような基でも構わないが、（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリロイルオキシ基、（メタ）アクリロイルアミノ基、アリル基、１－プロペニル基、ビニル基（スチレンもしくは置換スチレンを含む）が好ましく、（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリロイルオキシ基がより好ましい。
官能基（α）、（β）としては、カルボキシ基、水酸基、アミノ基、スルファニル基、環状酸無水物基、エポキシ基、イソシアネート基（－Ｎ＝Ｃ＝Ｏ）等が挙げられる。

ここで、官能基（α）と官能基（β）のうちの一方の官能基が、カルボキシ基、水酸基、アミノ基、スルファニル基、または環状酸無水物基である場合には、他方の官能基は、エポキシ基、イソシアネート基が挙げられる。一方の官能基が環状酸無水物基の場合、他方の官能基はカルボキシ基、水酸基、アミノ基、スルファニル基が挙げられる。なお、一方の官能基が、エポキシ基である場合は、他方の官能基はエポキシ基であってもよい。

官能基（α）としては、カルボキシ基、水酸基が好ましく、水酸基が特に好ましい。
側鎖に官能基（α）を有する（メタ）アクリル系重合体は、官能基（α）を有する（メタ）アクリル系モノマー、好ましくは（メタ）アクリル酸エステル〔特に、アルコール部に官能基（α）を有するもの〕をモノマー成分に使用することで得ることができる。
側鎖に官能基（α）を有する（メタ）アクリル系重合体は、共重合体である場合が好ましく、この共重合成分は、（メタ）アクリル酸アルキルエステル、なかでもアルコール部に官能基（α）やエチレン性不飽和基を有する基が置換していない（メタ）アクリル酸アルキルエステルが好ましい。

（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、オクチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート及びドデシル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレートヘキシルアクリレートが挙げられる。
（メタ）アクリル酸エステルは１種単独で用いてもよく２種以上を組み合わせて用いてもよく、アルコール部の炭素数が５以下のものと炭素数が６～１２のものを併用することが好ましい。

なお、アルコール部の炭素数の大きなモノマーを使用するほどガラス転移点（Ｔｇ）は低くなるので、所望のガラス転移点のものを得ることができる。また、ガラス転移点の他、相溶性と各種性能を上げる目的で酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリルなどの炭素－炭素二重結合をもつ低分子化合物を配合することも好ましく、この場合、これらのモノマー成分の含有量は５質量％以下の範囲内が好ましい。

官能基（α）を有する（メタ）アクリル系モノマーとしては、アクリル酸、メタクリル酸、けい皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタル酸、２－ヒドロキシアルキルアクリレート類、２－ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノアクリレート類、グリコールモノメタクリレート類、Ｎ－メチロールアクリルアミド、Ｎ－メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、Ｎ－アルキルアミノエチルアクリレート類、Ｎ－アルキルアミノエチルメタクリレート類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル、ポリイソシアネート化合物のイソシアネート基の一部を水酸基またはカルボキシ基およびエチレン性不飽和基を有する単量体でウレタン化したものなどが挙げられる。

これらの中でも、アクリル酸、メタクリル酸、２－ヒドロキシアルキルアクリレート類、２－ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレートが好ましく、アクリル酸、メタクリル酸、２－ヒドロキシアルキルアクリレート類、２－ヒドロキシアルキルメタクリレート類がより好ましく、メタクリル酸、２－ヒドロキシアルキルアクリレート類、２－ヒドロキシアルキルメタクリレート類がさらに好ましい。

エチレン性不飽和基と官能基（β）を有する化合物における官能基（β）としては、イソシアネート基が好ましく、例えば、アルコール部にイソシアネート（－Ｎ＝Ｃ＝Ｏ）基を有する（メタ）アクリル酸エステルが挙げられ、なかでもイソシアネート（－Ｎ＝Ｃ＝Ｏ）基で置換された（メタ）アクリル酸アルキルエステルが好ましい。このようなモノマーとしては、例えば、２－イソシアナトエチルメタクリレート、２－イソシアナトエチルアクリレート等が挙げられる。
また、官能基（β）がイソシアネート基以外の場合の好ましい化合物は、官能基（α）を有する（メタ）アクリル系モノマーで例示した化合物が挙げられる。

エチレン性不飽和基と官能基（β）を有する化合物は、側鎖に官能基（α）を有する（メタ）アクリル系重合体に加えて重合体の側鎖の官能基（α）、好ましくは水酸基と反応することで共重合体に重合性基を組み込むことができ、放射線照射後の粘着力を低下させることができる。

（メタ）アクリル系共重合体の合成において、反応を溶液重合で行う場合の有機溶剤としては、ケトン系、エステル系、アルコール系、芳香族系のものを使用することができるが、中でもトルエン、酢酸エチル、イソプロピルアルコール、ベンゼンメチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチルケトンなどの、一般に（メタ）アクリル系ポリマーの良溶媒で、沸点６０～１２０℃の溶剤が好ましい。重合開始剤としては、α，α’－アゾビスイソブチロニトリルなどのアゾビス系、ベンゾイルペルオキシドなどの有機過酸化物系などのラジカル発生剤を通常用いる。この際、必要に応じて触媒、重合禁止剤を併用することができ、重合温度および重合時間を調節することにより、所望の分子量の（メタ）アクリル系共重合体を得ることができる。また、分子量を調節することに関しては、メルカプタン、四塩化炭素等の溶剤を用いることが好ましい。なお、この反応は溶液重合に限定されるものではなく、塊状重合、懸濁重合など別の方法でもさしつかえない。

側鎖にエチレン性不飽和基を有するベース樹脂〔好ましくは（メタ）アクリル系共重合体〕の質量平均分子量は、２０万～１００万程度が好ましい。
質量平均分子量が大きすぎると、放射線照射した場合に、放射線照射後の粘着剤の可撓性がなく、脆くなっているため、剥離時に半導体チップ面に糊残りを生じる。質量平均分子量が小さすぎると、放射線照射前の凝集力が小さく、粘着力が弱いため、ダイシング時に十分に半導体チップを保持することができず、チップ飛びが生じるおそれがある。また、放射線照射後も硬化が不十分で、剥離時に半導体チップ面に糊残りを生じる。これらを極力防止するためには、質量平均分子量が２０万以上であることが好ましい。
なお、本発明の説明において、質量平均分子量は、常法によるポリスチレン換算の質量平均分子量である。

側鎖にエチレン性不飽和基を有するベース樹脂のガラス転移点は、－７０～－１０℃が好ましく、－５０～－１０℃がより好ましい。ガラス転移点が低すぎると、粘着剤の流動性が高く糊残りの原因となってしまい、高すぎると流動性が不十分で半導体ウェハの裏面になじみにくく、半導体ウェハの研削加工時に研削水がウェハ表面に浸入する原因となってしまう。

側鎖にエチレン性不飽和基を有するベース樹脂の酸価〔ベース樹脂１ｇ中に存在する遊離脂肪酸を中和するのに必要な水酸化カリウムのｍｇ数〕は、０．５～３０が好ましく、１～２０がより好ましい。
側鎖にエチレン性不飽和基を有するベース樹脂の水酸基価〔ベース樹脂１ｇをアセチル化させたとき、水酸基と結合した酢酸を中和するのに必要とする水酸化カリウムのｍｇ数〕は、５～１００が好ましく、１０～８０がより好ましい。
このようにすることで、さらに半導体ウェハ表面保護用粘着テープ剥離時の糊残り防止効果に優れる。

なお、酸価や水酸基価の調製は、側鎖に官能基（α）を有する（メタ）アクリル系重合体と、エチレン性不飽和基を有し、かつ、この（メタ）アクリル系重合体の側鎖の官能基（α）と反応し得る官能基（β）をもつ化合物とを反応させる段階で、未反応の官能基を残すことにより所望のものに調製することができる。

側鎖にエチレン性不飽和基を有するベース樹脂を放射線照射によって硬化させる場合には、必要に応じて、光重合開始剤、例えばイソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフェノン、フェニルジメトキシアセチルベンゼン、ミヒラーズケトン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジルジメチルケタール、α－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２－ヒドロキシメチルフェニルプロパン等を使用することができる。
これら光重合開始剤の配合量は、ベース樹脂１００質量部に対して０．０１～１０質量部が好ましく、０．０１～５質量部がより好ましい。配合量が少なすぎると反応が不十分であり、配合量が多すぎると低分子成分が増加することで汚染性に影響を与えることになる。

側鎖にエチレン性不飽和基を有するベース樹脂からなる粘着剤は、架橋剤を含有することが好ましい。
このような架橋剤は、どのようなものでも構わないが、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂およびエポキシ樹脂の群から選択される架橋剤が好ましい。
このなかでも、本発明の表面保護テープでは、ポリイソシアネート類が好ましい。

ポリイソシアネート類としては、特に制限がなく、例えば、４，４’－ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、４，４’－ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４’－〔２，２－ビス（４－フェノキシフェニル）プロパン〕ジイソシアネート等の芳香族イソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、２，２，４－トリメチル－ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシアネート、４，４’－ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、２，４’－ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシアネート等が挙げられる。具体的には、コロネートＬ（日本ポリウレタン株式会社製、商品名）等を用いることができる。

メラミン・ホルムアルデヒド樹脂としては、具体的には、ニカラックＭＸ－４５（三和ケミカル社製、商品名）、メラン（日立化成工業社製、商品名）等を用いることができる。

エポキシ樹脂としては、ＴＥＴＲＡＤ－Ｘ（三菱化学社製、商品名）等を用いることができる。

架橋剤の配合量は、ベース樹脂１００質量部に対して０．１～１０質量部が好ましく、１～１０質量部がより好ましい。
粘着剤塗布後に、架橋剤により、ベース樹脂が架橋構造を形成し、粘着剤の凝集力を向上させることができる。

架橋剤の配合量が少なすぎると凝集力向上効果が十分でないため、粘着剤の流動性が高く糊残りの原因となってしまう。架橋剤の配合量が多すぎると粘着剤弾性率が高くなりすぎてしまい、半導体ウェハ表面を保護できなくなってしまう。

２）放射線重合性低分子量化合物を含む粘着剤
放射線重合性低分子量化合物を含む粘着剤の主成分としては、特に限定されるものではなく、粘着剤に使用される通常の塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂〔（メタ）アクリル樹脂〕、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂等を使用することができる。

本発明の表面保護テープでは、粘着剤のベース樹脂としては、アクリル樹脂〔（メタ）アクリル樹脂〕が好ましく、前述の側鎖にエチレン性不飽和基を有するベース樹脂を合成する際の原料である側鎖に官能基（α）を有する（メタ）アクリル系重合体が特に好ましい。
この場合の粘着剤としては、ベース樹脂としてのアクリル樹脂および放射線重合性低分子量化合物に加え、光重合開始剤、硬化剤ないし架橋剤等を適宜配合して粘着剤を調製するのが好ましい。

粘着剤のベース樹脂の質量平均分子量は、２０万～２００万程度が好ましい。
粘着剤は、ベース樹脂に加え、質量平均分子量が、１，０００～２０，０００のオリゴマーを少なくとも１種含むことが好ましい。オリゴマーの質量平均分子量は、１，１００～２０，０００がより好ましく、１，３００～２０，０００がさらに好ましく、１，５００～１０，０００が特に好ましい。

放射線重合性低分子量化合物としては、放射線照射によって三次元網状化しうる、分子内にエチレン性不飽和基（放射線重合性炭素－炭素二重結合）を少なくとも２個以上有し、官能基（β）のうちの少なくとも１種（好ましくはヒドロキシ基）を有する低分子量化合物が用いられる。
特に、本発明の表面保護テープでは、上記のオリゴマーが、エチレン性不飽和基を有する放射線重合性低分子量化合物である場合が好ましい。

放射線重合性低分子量化合物としては、具体的には、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４－ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６－ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレートや、オリゴエステル（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリレート系化合物が適用可能である。

また、上記のような（メタ）アクリレート系化合物のほかに、放射線重合性低分子量化合物として、ウレタン（メタ）アクリレート系オリゴマーを用いることもできる。ウレタン（メタ）アクリレート系オリゴマーは、ポリエステル型またはポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物（例えば、２，４－トリレンジイソシアナート、２，６－トリレンジイソシアナート、１，３－キシリレンジイソシアナート、１，４－キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン－４，４－ジイソシアナートなど）を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシ基を有する（メタ）アクリレート（例えば、２－ヒドロキシエチルアクリレート、２－ヒドロキシエチルメタクリレート、２－ヒドロキシプロピルアクリレート、２－ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレートなど）を反応させて得られる。
放射線重合性低分子量化合物は１種でも２種以上併用してもよい。

放射線硬化型粘着剤には、必要に応じて光重合開始剤を含むことができる。光重合開始剤には基材を透過する放射線により反応するものであれば、特に制限はなく、通常のものを用いることができる。例えば、ベンゾフェノン、４，４’－ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４’－ジエチルアミノベンゾフェノン、４，４’－ジクロロベンゾフェノン等のベンゾフェノン類、アセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン、フェニルジメトキシアセチルベンゼン等のアセトフェノン類、２－エチルアントラキノン、ｔ－ブチルアントラキノン等のアントラキノン類、２－クロロチオキサントン、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジル、２，４，５－トリアリ－ルイミダゾール二量体（ロフィン二量体）、アクリジン系化合物、アシルフォスフィンオキサイド類、等を挙げることができ、これらは単独で、または２種以上を組み合わせて用いることができる。

光重合開始剤の添加量は、ベース樹脂１００質量部に対して０．１～１０質量部が好ましく、０．３～７．５質量部がより好ましく、０．５～５質量部がさらに好ましい。光重合開始剤の添加量が多すぎると放射線硬化が多地点で、かつ、急激に発生するため、放射線硬化収縮が大きくなってしまうため、従来の放射線硬化型の表面保護用粘着テープに比べ光重合開始剤の量を少なくすることも放射線硬化収縮の抑制の点から有用である。

粘着剤には硬化剤ないし架橋剤を含有することが好ましい。
硬化剤もしくは架橋剤としては、多価イソシアネート化合物、多価エポキシ化合物、多価アジリジン化合物、キレート化合物等を挙げることができる。

多価イソシアネート化合物としては、特に制限がなく、例えば、４，４’－ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、４，４’－ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４’－〔２，２－ビス（４－フェノキシフェニル）プロパン〕ジイソシアネート等の芳香族イソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、２，２，４－トリメチル－ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシアネート、４，４’－ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、２，４’－ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシアネート等が挙げられる。具体的には、コロネートＬ〔日本ポリウレタン工業（株）製、商品名〕等を用いることができる。

多価エポキシ化合物としては、エポキシ樹脂が挙げられ、例えば、エチレングリコールジグリシジルエーテル、テレフタル酸ジグリシジルエステルアクリレート、Ｎ原子に２つのグリジジル基が置換したアニリン類等を挙げることができる。また、上述のＴＥＴＲＡＤ－Ｘも用いることができる。
なお、アニリン類としては、Ｎ，Ｎ’－テトラグリシジル－ｍ－フェニレンジアミンが挙げられる。

多価アジリジン化合物は、トリス－２，４，６－（１－アジリジニル）－１，３，５－トリアジン、トリス〔１－（２－メチル）－アジリジニル〕ホスフィンオキシド、ヘキサ〔１－（２－メチル）－アジリジニル〕トリホスファトリアジン等を挙げることができる。またキレート化合物としては、エチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）等を挙げることができる。

硬化剤もしくは架橋剤の配合量は、ベース樹脂１００質量部に対して０．１～１０質量部が好ましく、０．１～５．０質量部がより好ましく、０．５～４．０質量部がさらに好ましい。

（粘着剤層の厚み）
粘着剤層の厚みは、製造性の点から５μｍ以上が好ましく、１０μｍ以上がより好ましく、２０μｍ以上が更に好ましい。上限は、７５μｍ以下が好ましく、５０μｍ以下がより好ましく、４０μｍ以下が特に好ましい。粘着剤層は複層であってもよく、その場合は、少なくとも、半導体ウェハ表面と接する最外層の粘着剤が、放射線硬化型粘着剤であることが好ましい。

（粘着剤層もしくは粘着剤の特性）
〔放射線硬化型粘着剤層中に有するエチレン性不飽和基の含有量〕
本発明の表面保護テープにおいて、粘着剤層を構成する放射線硬化型粘着剤が有するエチレン性不飽和基（放射線重合性炭素－炭素二重結合）の含有量は、０．２～２．０ｍｍｏｌ／ｇが好ましい。
放射線硬化型粘着剤が有するエチレン性不飽和基の含有量は、放射線硬化型粘着剤が含有するエチレン性不飽和基を有する化合物が有する全てのエチレン性不飽和基の総和であり、放射線硬化型粘着剤の単位ｇ当たりのエチレン性不飽和基の総和のモル数である。なお、エチレン性不飽和基を有する化合物とは、例えば、側鎖にエチレン性不飽和基を有するベース樹脂のような重合体、放射線重合性低分子量化合物である。

放射線硬化型粘着剤が有するエチレン性不飽和基の含有量は、０．２～１．８ｍｍｏｌ／ｇが好ましく、０．２～１．５ｍｍｏｌ／ｇがより好ましく、０．５～１．５ｍｍｏｌ／ｇがより好ましい。
粘着剤層が複層の場合には、全ての粘着剤層を１層と見做したときに、粘着剤層を構成する放射線硬化型粘着剤が有するエチレン性不飽和基の含有量が上記範囲を満たすことが好ましく、それぞれの層が上記範囲を満たすことがより好ましい。

放射線硬化型粘着剤が有するエチレン性不飽和基の含有量は、上記官能基（β）をもつ化合物及び放射線重合性低分子量化合物が有するエチレン性不飽和基の数やこれらの化合物の配合量で調節できる。

放射線硬化型粘着剤が有するエチレン性不飽和基の含有量は、上記のように使用する化合物の量ないしこれらの化合物が有するエチレン性不飽和基の数から求めることができる。また、放射線硬化型粘着剤のヨウ素価〔ベース樹脂及び放射線重合性低分子量化合物の合計１００ｇに付加するヨウ素（Ｉ_２）のｇ数〕を求め、Ｉ_２の分子量が２５３．８であることから、この値をｍｍｏｌ／ｇに単位変換することで求められる。

〔ＳＵＳ板に対する紫外線硬化後の粘着力〕
本発明の表面保護テープにおける粘着剤層の紫外線照射後の粘着力は、２３℃のＳＵＳ研磨面に対して０．５Ｎ／２５ｍｍ以上が好ましく、０．７Ｎ／２５ｍｍ以上がより好ましい。上限は、５．０Ｎ／２５ｍｍ以下が好ましく、３．０Ｎ／２５ｍｍ以下がより好ましく、１．５Ｎ／２５ｍｍ以下がさらに好ましい。また、上記粘着剤層の紫外線照射後の粘着力は、５０℃のＳＵＳ研磨面に対して０．３Ｎ／２５ｍｍ以上が好ましく、０．５Ｎ／２５ｍｍ以上がより好ましい。上限は、７．０Ｎ／２５ｍｍ以下が好ましく、４．０Ｎ／２５ｍｍ以下がより好ましく、２．５Ｎ／２５ｍｍ以下がさらに好ましい。この粘着力は、表面保護テープ自体の特性である。
なお、紫外線照射後とは、紫外線を積算照射量５００ｍＪ／ｃｍ^２となるように粘着剤層全体を照射して硬化させた後を意味する。

具体的には、以下のようにして求めることができる。
放射線照射前の表面保護テープから幅２５ｍｍ×長さ１５０ｍｍの試験片をそれぞれ３点採取する。その試験片をＪＩＳ Ｒ ６２５３に規定する２８０番の耐水研磨紙で仕上げたＪＩＳ Ｇ ４３０５に規定する厚さ１．５ｍｍ～２．０ｍｍのＳＵＳ鋼板上に２ｋｇのゴムローラを３往復かけ圧着する。常温（２５℃）で１時間放置後、積算照射量５００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を照射して粘着剤層を硬化させる。粘着剤層を硬化後、測定値がその容量の１５～８５％の範囲に入るＪＩＳ Ｂ ７７２１に適合する引張試験機を用いて、３点の粘着力の平均値を求める。粘着力の測定は、引張速度５０ｍｍ／ｍｉｎで９０°引きはがし法により常温、湿度５０％で行う。この試験において、試験片をＳＵＳ鋼板に圧着する前に、ホットプレート等を用いて、ＳＵＳ鋼板を所定の温度（２３℃、５０℃）に調整しておく。なお、上記引張試験機として、例えば、インストロン社製の引張試験機：ツインコラム卓上モデル５５６７（商品名）を用いることができる。

ＳＵＳ研磨面に対する紫外線硬化後の粘着力は、粘着剤に用いられる化合物の種類や量、架橋剤等の添加剤の種類や量、粘着剤層の厚み等を適宜調節することで本発明の好ましい範囲にできる。
ＳＵＳ研磨面に対する上記粘着力を小さくしすぎると、架橋反応による硬化収縮が大きくなるため、バンプウェハなど表面凹凸が大きい被着体からの剥離力は逆に大きくなってしまう。ＳＵＳ研磨面に対する見かけの粘着力が大きすぎると放射線硬化が不十分で剥離不良や糊残りが発生してしまう。

＜剥離ライナー＞
半導体ウェハ表面保護用粘着テープは、粘着剤層上に剥離ライナーを有してもよい。剥離ライナーとしては、シリコーン離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルムなどが用いられる。また必要に応じて、シリコーン離型処理をしないポリプロピレンフィルムなども用いられる。

＜＜半導体ウェハの加工方法＞＞
本発明の半導体ウェハの加工方法は、本発明の半導体ウェハ表面保護用粘着テープを使用する半導体ウェハの加工方法である。
本発明の半導体ウェハ表面保護用粘着テープは、半導体ウェハの加工工程ならどの工程で使用してもよい。例えば、半導体ウェハ裏面研削工程、ダイシング工程、ダイシングダイボンディング工程などが好ましく挙げられる。

本発明の半導体ウェハ表面保護用粘着テープは、２０μｍ以上の凹凸差を有する半導体ウェハの表面に貼合して使用される。
凹凸差〔バンプ（電極）の高さないしスクライブラインの深さ〕が、２０～４００μｍの半導体ウェハに適用するのがより好ましく、５０～２５０μｍの半導体ウェハに適用するのがさらに好ましい。

半導体ウェハ表面のバンプの配設密度（高密度）は、特に限定されるものではないが、バンプの高さの０．５～３倍以下、好ましくは１～２倍以下のピッチ（バンプの高さ方向の頂点から、次に配置されたバンプの高さ方向の頂点までの距離）のものに対して適用できる。また、全面に均一にバンプが配置された半導体ウェハにも用いられる。

半導体ウェハの厚みは、半導体ウェハ表面保護用粘着テープを用いる加工方法により裏面研削された半導体ウェハの厚みにおいて、２０～５００μｍが好ましく、５０～２００μｍがより好ましく、８０～２００μｍがさらに好ましい。
本発明の半導体ウェハ表面保護用粘着テープを用いることで、薄膜半導体ウェハを高い歩留まりで得ることができる。この半導体ウェハの加工方法は、５０μｍ以下に薄膜研削された電極付半導体ウェハの製造方法として好適である。

本発明の半導体ウェハの加工方法は、本発明の半導体ウェハ表面保護用粘着テープを半導体ウェハ表面に貼合した後、放射線、特に、紫外線照射して、半導体ウェハ表面保護用粘着テープを剥離する工程を含むことが好ましい。

具体的には、まず、半導体ウェハの回路パターン面（表面）に、本発明の半導体ウェハ表面保護用粘着テープを粘着剤層が貼合面となるように貼合する。次に、半導体ウェハの回路パターンのない面側を半導体ウェハの厚みが所定の厚み、例えば１０～２００μｍになるまで研削する。その後、この半導体ウェハ表面保護用粘着テープの貼合された面を下側にして加熱吸着台に載せ、その状態で、半導体ウェハの回路パターンのない研削した面側に、ダイシング・ダイボンディングフィルムを貼合してもよい。
ダイシング工程を行い、その後、半導体ウェハ表面保護用粘着テープの基材フィルムの背面に、ヒートシールタイプ（熱融着タイプ）もしくは粘着タイプの剥離テープを接着して半導体ウェハから半導体ウェハ表面保護用粘着テープを剥離する。

以下に、本発明を実施例に基づいて、さらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

（粘着剤組成物の調製）
以下のようにして、粘着剤組成物１Ａ～１Ｃを調製した。

１）粘着剤組成物１Ａの調製
２－エチルヘキシルアクリレート７８質量部、２－ヒドロキシエチルアクリレート１７質量部、メタクリル酸５質量部から、質量平均分子量５５万からなる共重合体を得た。この共重合体１００質量部に対して、アクリレート５官能で、官能基（β）としてヒドロキシ基を有する質量平均分子量３，０００のウレタンアクリレートオリゴマー１００質量部およびポリイソシアネートのコロネートＬ〔商品名、日本ポリウレタン工業社製〕５．０質量部、光重合開始剤としてＳＰＥＥＤＣＵＲＥ ＢＫＬ〔商品名、ＤＫＳＨジャパン社製〕５．０質量部を加えて、混合して、粘着剤組成物１Ａを得た。

２）粘着剤組成物１Ｂの調製
２－エチルヘキシルアクリレート７０質量部、２－ヒドロキシエチルアクリレート７質量部、メタクリル酸２３質量部を、酢酸エチル中で重合させ、得られた質量平均分子量１００万のメタアクリル系ポリマーを得た。このメタアクリル系ポリマー１００質量部に対して、エポキシ系硬化剤２．０質量部を混合して、粘着剤組成物Ｂを得た。

３）粘着剤組成物１Ｃの調製
２－エチルヘキシルアクリレート７８質量部、２－ヒドロキシエチルアクリレート１３質量部、メタクリル酸９質量部から質量平均分子量６０万からなる共重合体を得た。この共重合体１００質量部に対して、アクリレート３官能で、官能基（β）としてヒドロキシ基を有する質量平均分子量１，５００のウレタンアクリレートオリゴマー１００質量部およびポリイソシアネートのコロネートＬ ３．０質量部、エポキシ樹脂のＴＥＴＲＡＤ－Ｘ〔三菱ガス化学社製〕０．５質量部、光重合開始剤としてＳＰＥＥＤＣＵＲＥ ＢＫＬ５．０質量部を加えて混合して、粘着剤組成物１Ｃを得た。

（基材フィルムおよび中間樹脂層の製膜）
以下のようにして、中間樹脂層および基材フィルム２Ａ～２Ｇを製膜した。

１）フィルム２Ａの作製
中間樹脂層を構成する樹脂としてエチレン－アクリル酸エチルコポリマー（ＥＥＡ）樹脂（日本ポリエチレン社製、商品名：レクスパールＥＥＡ Ａ６２００）を用い、基材フィルムを構成する樹脂として低密度ポリエチエレン（ＬＤＰＥ）樹脂（東ソー社製、商品名：ペトロセン２１２）を用いた。押し出し機により、これらの樹脂を押し出し成形することで、中間樹脂層を有する基材フィルム（フィルム２Ａ）を作製した。ＬＤＰＥ層の厚みは１２．５μｍ、ＥＥＡの厚みは２３７．５μｍであった。

２）フィルム２Ｂの作製
中間樹脂層を構成する樹脂としてエチレン－アクリル酸メチルコポリマー（ＥＭＡ）樹脂（日本ポリエチレン社製、商品名：レクスパールＥＢ３３０Ｈ）を用い、基材フィルムを構成する樹脂として低密度ポリエチエレン（ＬＤＰＥ）樹脂（東ソー社製、商品名：ペトロセン２１２）を用いた。押し出し機により、これらの樹脂を押し出し成形することで、中間樹脂層を有する基材フィルム（フィルム２Ｂ）を作製した。ＬＤＰＥ層の厚みは１４０．０μｍ、ＥＥＡの厚みは２１０．０μｍであった。

３）フィルム２Ｃの作製
中間樹脂層を構成する樹脂としてエチレン系特殊コポリマー樹脂（日本ポリエチレン社製、商品名：レクスパールＥＴ７２０Ｘ）を用い、基材フィルムを構成する樹脂として低密度ポリエチエレン（ＬＤＰＥ）樹脂（東ソー社製、商品名：ペトロセン２１２）を用いた。押し出し機により、これらの樹脂を押し出し成形することで、中間樹脂層を有する基材フィルム（フィルム２Ｃ）を作製した。ＬＤＰＥ層の厚みは５０．０μｍ、エチレン系特殊コポリマー樹脂層の厚みは２００．０μｍであった。

４）フィルム２Ｄの作製
中間樹脂層を構成する樹脂としてメタロセンプラストマー樹脂（日本ポリエチレン社製、商品名：カーネルＫＪ６４０Ｔ）を用い、基材フィルムを構成する樹脂として低密度ポリエチエレン（ＬＤＰＥ）樹脂（日本ポリエチレン社製、商品名：ノバテックＬＬ ＵＪ５８０）を用いた。押し出し機により、これらの樹脂を押し出し成形することで、中間樹脂層を有する基材フィルム（フィルム２Ｄ）を作製した。ＬＤＰＥ層の厚みは９０μ．０ｍ、エチレン系特殊コポリマー樹脂層の厚みは２１０．０μｍであった。

５）フィルム２Ｅの作製
中間樹脂層を構成する樹脂としてエチレン系特殊ポリマー樹脂（日本ポリエチレン社製、商品名：レクスパールＥＴ２２０Ｘ）を用い、基材フィルムを構成する樹脂として低密度ポリエチエレン（ＬＤＰＥ）樹脂（東ソー社製、商品名：ペトロセン２１２）を用いた。押し出し機により、これらの樹脂を押し出し成形することで、中間樹脂層を有する基材フィルム（フィルム２Ｅ）を作製した。ＬＤＰＥ層の厚みは１５０．０μｍ、エチレン系特殊コポリマー樹脂層の厚みは１５０．０μｍであった。

６）フィルム２Ｆの作製
中間樹脂層を構成する樹脂としてエチレン－ブチルアクリレートコポリマー樹脂（アルケマ社製、商品名：ロトリル２８ＢＡ１７５）と、基材フィルムを構成する樹脂として低密度ポリエチエレン（ＬＤＰＥ）樹脂（日本ポリエチレン社製、商品名：ノバテックＬＬ ＵＪ５８０）を用いた。押し出し機により、これらの樹脂を押し出し成形することで、中間樹脂層を有する基材フィルム（フィルム２Ｆ）を作製した。ＬＤＰＥ層の厚みは９０．０μｍ、エチレン－ブチルアクリレートコポリマー樹脂層の厚みは２１０．０μｍであった。

７）フィルム２Ｇの製膜
中間樹脂層を構成する樹脂としてエチレン－アクリル酸メチルコポリマー樹脂（日本ポリエチレン社製、商品名：ＥＢ２４０Ｈ）と、基材フィルムを構成する樹脂として低密度ポリエチエレン（ＬＤＰＥ）樹脂（東ソー社製、商品名：ペトロセン２１２）を用いた。押し出し機により、これらの樹脂を押し出し成形することで、中間樹脂層を有する基材フィルム（フィルム２Ｇ）を作製した。ＬＤＰＥ層の厚みは９０．０μｍ、エチレン－アクリル酸メチルコポリマー樹脂層の厚みは２１０．０μｍであった。

８）フィルム２Ｈの製膜
中間樹脂層を構成する樹脂として低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）樹脂（東ソー社製、商品名：ペトロセン１８０）と、基材フィルムを構成する樹脂として低密度ポリエチエレン（ＬＤＰＥ）樹脂（東ソー社製、商品名：ペトロセン２１２）を用いた。押し出し機により、これらの樹脂を押し出し成形することで、中間樹脂層を有する基材フィルム（フィルム２Ｈ）を作製した。中間樹脂層として用いたＬＤＰＥ層の厚みは９０．０μｍ、基材フィルムとして用いたＬＤＰＥ層の厚みは２１０．０μｍであった。

（実施例１）
乾燥後の厚みが３０μｍになるように、粘着剤組成物１Ａを透明な剥離ライナー上に塗工し、乾燥させた。剥離ライナー上の粘着剤層と、フィルム２Ａの中間樹脂層とが接するように張り合わせ、剥離ライナーを除いて、図１に示す構成の半導体ウェハ表面保護用粘着テープを得た。

（参考例２）
実施例１において、粘着剤組成物１Ａを粘着剤組成物１Ｂに、フィルム２Ａをフィルム２Ｂに変えた以外は、実施例１と同様にして、図１に示す構成の半導体ウェハ表面保護用粘着テープを得た。

（参考例３）
実施例１において、粘着剤組成物１Ａを粘着剤組成物１Ｃに、フィルム２Ａをフィルム２Ｃに変えた以外は、実施例１と同様にして、図１に示す構成の半導体ウェハ表面保護用粘着テープを得た。

（実施例４）
実施例１において、粘着剤組成物１Ａを粘着剤組成物１Ｂに、フィルム２Ａをフィルム２Ｄに変えた以外は、実施例１と同様にして、図１に示す構成の半導体ウェハ表面保護用粘着テープを得た。

（比較例１）
実施例１において、粘着剤組成物１Ａを粘着剤組成物１Ｃに、フィルム２Ａをフィルム２Ｅに変えた以外は、実施例１と同様にして、半導体ウェハ表面保護用粘着テープを得た。

（比較例２）
実施例１において、粘着剤組成物１Ａを粘着剤組成物１Ｂに、フィルム２Ａをフィルム２Ｆに変えた以外は、実施例１と同様にして、半導体ウェハ表面保護用粘着テープを得た。

（比較例３）
実施例１において、フィルム２Ａをフィルム２Ｇに変えた以外は、実施例１と同様にして、半導体ウェハ表面保護用粘着テープを得た。

（比較例４）
実施例１において、フィルム２Ａをフィルム２Ｈに変えた以外は、実施例１と同様にして、半導体ウェハ表面保護用粘着テープを得た。

上記の実施例、参考例及び比較例で作製した半導体ウェハ表面保護用粘着テープについて、以下の試験を行い、その性能を評価した。評価結果を下記表１に記載した。なお、参考例２、３、実施例４及び比較例１～３で作製した表面保護テープについても、実施例１と同様にして試験を行った。

＜試験例１＞密着性試験
（１）高さ５０μｍのバンプに対する密着性
高さ５０μｍ、バンプピッチ１００μｍのＣｕピラーバンプを有する直径８インチのバンプ付シリコンウェハ（シリコンウェハ自体の厚み７２５μｍ）の表面に、日東精機社製ＤＲ８５００ＩＩＩ（商品名）を用いて、テーブル温度８０℃及びローラー温度６０℃、貼合圧０．３５ＭＰａ、貼合速度低速（９ｍｍ／ｓｅｃ）の条件で、上記実施例１で作製した表面保護テープを上記ウェハに貼合した。このようにして、表面保護テープ付ウェハ（バンプ高さ：５０μｍ）を２５枚作製した。この貼合条件で、融点８０℃以下の樹脂からなる中間樹脂層を構成層とする表面保護テープの中間樹脂層は溶融した（以下の試験例２の場合も同様であった）。その時の密着性を目視にて確認を行い、表面保護テープと上記ウェハとの間へのエアー混入の有無を調べた。
（２）高さ２００μｍのバンプに対する密着性
高さ２００μｍ、バンプピッチ４００μｍのソルダーバンプを有する直径８インチのバンプ付シリコンウェハ（バンプを除いた部分の厚み７２５μｍ）の表面に、日東精機社製ＤＲ８５００ＩＩＩ（商品名）を用いて、テーブル温度８０℃及びローラー温度６０℃、貼合圧０．３５ＭＰａ、貼合速度低速（９ｍｍ／ｓｅｃ）の条件で、上記実施例１で作製した表面保護テープを上記ウェハに貼合した。このようにして、表面保護テープ付ウェハ（バンプ高さ：２００μｍ）を５枚作製した。その時の密着性を目視にて確認を行い、表面保護テープと上記ウェハとの間へのエアー混入の有無を調べた。評価基準を以下に示す。Ａ及びＢが合格である。

（評価基準）
Ａ：貼合後、室温（２５℃）で静置し、７２時間を超えても、全ての表面保護テープ付ウェハにエアー混入が観察されなかった。
Ｂ：貼合後、室温で静置し、４８時間を超え７２時間以内に、全ての表面保護テープ付ウェハにエアー混入が観察されなかった。
Ｃ：貼合後、室温で静置し、少なくとも１枚の表面保護テープ付ウェハに、貼合後４８時間以内にエアーが観察された。

＜試験例２＞研削試験
（１）ダスト侵入
上記と同様にして、表面保護テープを上記ウェハに貼合し、実施例１の表面保護テープ付ウェハ（バンプ高さ：５０μｍ）５枚と、実施例１の表面保護テープ付ウェハ（バンプ高さ：２００μｍ）５枚を作製した。表面保護テープを上記ウェハに貼合後４８時間静置した後、裏面研削を行った。この裏面研削には、インライン機構を持つグラインダー〔株式会社ディスコ製ＤＦＧ８７６０（商品名）〕を使用した。その後、研削後の表面保護テープ付ウェハについて、ウェハと表面保護テープ間にシリコンダストの侵入の有無の確認を目視で行った。尚、実施例１の表面保護テープ付ウェハ（バンプ高さ：５０μｍ）についてはウェハの最終研削厚みが５０μｍになるまで裏面研削を行った。一方、実施例１の表面保護テープ付ウェハ（バンプ高さ：２００μｍ）についてはシリコンの最終研削厚みが２００μｍになるまで裏面研削を行い、以下の評価基準に従って評価した。

（評価基準）
合格：表面保護テープ付ウェハ（バンプ高さ：５０μｍ）及び表面保護テープ付ウェハ（バンプ高さ：２００μｍ）のいずれについてもダスト侵入が見られなかった。
不合格：表面保護テープ付ウェハ（バンプ高さ：５０μｍ）及び表面保護テープ付ウェハ（バンプ高さ：２００μｍ）のいずれか少なくとも１枚にダスト侵入が見られた。

（２）搬送エラー
評価基準を以下に示す。Ａ及びＢが合格である。
Ａ：研削試験において、全てのウェハで研削装置内での搬送エラーが発生しなかった。
Ｂ：研削試験において、研削装置内での搬送エラーが１枚発生した。
Ｃ：研削試験において、研削装置内での搬送エラーが２枚以上発生した。
「搬送エラー」とは、基材フィルムが変形し、真空吸着して表面保護テープ付ウェハを搬送できなかったことを意味する。

（３）ウェハ破損の評価
研削した各表面保護テープ付ウェハ全体を目視で確認し、光学顕微鏡にてウェハ端部の観察を行いウェハ破損の有無を調べた。評価基準を以下に示す。「無し（Ａ）」が合格である。

（評価基準）
無し（Ａ）：目視および顕微鏡観察で破損がなかった。
Ｂ：目視では破損はなかったが、顕微鏡によって破損が確認された。
Ｃ：目視で破損が確認された。

（４）反り評価
ダスト侵入の評価で用いた、実施例１の表面保護テープ付ウェハ（バンプ高さ：５０μｍ）５枚について、反り高さ（表面保護テープ付ウェハを平板の上に置き、平板表面から反ったウェハの最も高い点の下面までの高さ）を測定した。評価基準を以下に示す。Ａが合格である。
（評価基準）
Ａ：反り高さの平均値が５ｍｍ未満
Ｂ：反り高さの平均値が５ｍｍ以上、１０ｍｍ未満
Ｃ：反り高さの平均値が１０ｍｍ以上

（５）剥離性評価
表面に高さ７５μｍのバンプ（バンプピッチ１５０μｍ）を有する８インチ径の半導体ウェハ表面に、上記で製造した各半導体ウェハ表面保護用粘着テープを、貼合温度９０℃で貼合した。その後、株式会社ディスコ製ＤＦＧ８７６０（商品名）を用いて、上記の半導体ウェハ表面保護用粘着テープで貼合されたバンプ付半導体ウェハの裏面を２枚ずつ、２００μｍの厚さまで研削加工した。研削後の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ付き半導体ウェハに５００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を照射し、インストロン社製の引張試験機（ツインコラム卓上モデル５５６７（商品名））を用いて半導体ウェハ表面保護用粘着テープを剥離し、剥離時の幅が最大（２００ｍｍ）となったときの剥離力において、以下の基準で評価した。Ａ及びＢが合格である。
なお、表１では「剥離性」として示した。

（評価基準）
Ａ：２０Ｎ／２００ｍｍ以下
Ｂ：２０Ｎ／２００ｍｍ越５０Ｎ／２００ｍｍ以下
Ｃ：５０Ｎ／２００ｍｍ越

（６）糊残り評価
剥離性評価で用いた、実施例１の表面保護テープ付ウェハ（バンプ高さ：５０μｍ）５枚について、光学顕微鏡（オリンパス）を用いて糊残り観察を行った。評価基準を以下に示す。
（評価基準）
合格：全ての表面保護テープ付ウェハに糊残りが発生しなかった。
不合格：少なくとも１枚の表面保護テープ付ウェハに糊残りが発生した。

＜試験例３＞耐熱性試験
ミラーウェハに実施例１の表面保護テープの貼合を行った。貼合条件は試験例２でシリコンウェハに表面保護テープを貼合した条件と同一である。その後、９０℃に加熱したホットプレート上にテープ面を下向きにして、表面保護テープの基材フィルムがホットプレートと接するようにして、３分間静置した後、テープ表面を目視にて観察を行った。
（評価基準）
合格：基材フィルムが溶けなかった。
不合格：基材フィルムが溶けた。

＜物性の測定＞
（融点、ビカット軟化点、ＭＦＲ）
中間樹脂層を構成する樹脂の融点及びビカット軟化点については、ＪＩＳ Ｋ ７２０６に基づいて測定を行った。中間樹脂層を構成する樹脂のメルトマスフローレート（ＭＦＲ）については、ＪＩＳ Ｋ ７２１０に基づいて測定を行った。基材フィルムの構成材料の融点は、ＪＩＳ Ｋ ６９７７－２に基づいて測定を行った。
（粘着力）
上述した方法により測定した。

＜表の注＞
粘着力の行の括弧書きは、粘着剤層の形成に使用した粘着剤組成物の種類を示す。

表１から明らかなように、実施例１、参考例２、３及び実施例４の表面保護テープは、密着性にすぐれ、ダスト侵入、搬送エラー、ウェハ破損を抑制することができた。さらに、実施例１、参考例２、３及び実施例４の表面保護テープは、半導体ウェハ表面に貼合した状態での反りを抑制でき、剥離性、糊残り及び耐熱性に優れた。
これに対し、比較例１～３の表面保護テープは少なくとも２つの評価項目が不合格であった。

本発明をその実施態様とともに説明したが、我々は特に指定しない限り我々の発明を説明のどの細部においても限定しようとするものではなく、添付の請求の範囲に示した発明の精神と範囲に反することなく幅広く解釈されるべきであると考える。

本願は、２０１７年３月３１日に日本国で特許出願された特願２０１７－７１３４６に基づく優先権を主張するものであり、これはいずれもここに参照してその内容を本明細書の記載の一部として取り込む。

１０ 半導体ウェハ表面保護用粘着テープ
１ 粘着剤層
２ 中間樹脂層
３ 基材フィルム

Claims (8)

1. ２０μｍ以上の凹凸差を有する半導体ウェハの表面に、４０℃～９０℃の条件で加熱貼合して用いる半導体ウェハ表面保護用粘着テープであって、
   前記半導体ウェハ表面保護用粘着テープは、基材フィルムと、粘着剤層と、該基材フィルムと該粘着剤層との間に中間樹脂層とを有し、
   前記中間樹脂層の厚みが、前記凹凸差以上であり、該中間樹脂層を構成する樹脂がメタロセンプラストマー樹脂であり、該中間樹脂層を構成する樹脂の融点若しくはビカット軟化点が４０℃～９０℃であり、該中間樹脂層を構成する樹脂のメルトマスフローレートが、１０ｇ／１０ｍｉｎ～１００ｇ／１０ｍｉｎである、半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
2. 紫外線照射後の前記粘着剤層の、２３℃のＳＵＳ２８０研磨面に対する粘着力が０．５Ｎ／２５ｍｍ以上５．０Ｎ／２５ｍｍ以下であり、かつ５０℃のＳＵＳ２８０研磨面に対する粘着力が、０．３Ｎ／２５ｍｍ以上７．０Ｎ／２５ｍｍ以下である、請求項１に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
3. 前記基材フィルムの厚みと前記中間樹脂層の厚みの比が、基材フィルムの厚み：中間樹脂層の厚み＝０．５：９．５～７：３である、請求項１又は２に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
4. 前記基材フィルムの構成材料の融点が９０℃～１５０℃である、請求項１～３のいずれか１項に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
5. 前記中間樹脂層の厚みが、１００μｍ～４００μｍである、請求項１～４のいずれか１項に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
6. 前記粘着剤層の厚みが、５μｍ～４０μｍである、請求項１～５のいずれか１項に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
7. 前記基材フィルムの厚みが２５μｍ～１００μｍである、請求項１～６のいずれか１項に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
8. ２０μｍ以上の凹凸差を有する半導体ウェハの表面に、半導体ウェハ表面保護用粘着テープを、４０℃～９０℃の条件で加熱貼合し、半導体ウェハ裏面を研削することを含む半導体ウェハの加工方法であって、
   前記半導体ウェハ表面保護用粘着テープは、基材フィルムと、粘着剤層と、該基材フィルムと該粘着剤層との間に中間樹脂層とを有し、
   該中間樹脂層の厚みが、前記凹凸差以上であり、該中間樹脂層を構成する樹脂がメタロセンプラストマー樹脂であり、該中間樹脂層を構成する樹脂の融点若しくはビカット軟化点が４０℃～９０℃であり、該中間樹脂層を構成する樹脂のメルトマスフローレートが、１０ｇ／１０ｍｉｎ～１００ｇ／１０ｍｉｎである、半導体ウェハの加工方法。
   

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