JP6873007B2 - シリコン窒化膜の成膜方法及び成膜装置 - Google Patents

Description

本発明は、シリコン窒化膜の成膜方法及び成膜装置に関する。

従来から、表面に微細凹部が形成された被処理基板に、成膜しようとする窒化膜を構成する元素と塩素とを含有する成膜原料ガスを吸着させる吸着工程と、吸着された成膜原料ガスを窒化活性種により窒化させる窒化工程とを繰り返して微細凹部内に窒化膜を形成する窒化膜の形成方法において、窒化工程は、窒化活性種としてＮＨ^＊活性種およびＮ^＊活性種を生成し、これらの濃度をコントロールすることにより、微細凹部内で成膜原料ガスが吸着する領域を変化させる窒化膜の形成方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。

かかる窒化膜の形成方法では、成膜段階に先立って、窒化工程をＮＨ^＊活性種を主体として行い、コンフォーマルな窒化膜を形成する初期成膜段階を行い、その後、窒化工程において、Ｎ^＊活性種の濃度が高い状態から連続的にＮ^＊活性種の濃度を減少させ、微細凹部の底部から窒化膜を成長させる成膜段階を行う。これにより、トレンチ底部から窒化膜をボトムアップ成長させ、その後ＮＨ^＊活性種が高い状態でコンフォーマルな成長へと制御し、微細トレンチ内部にボイドやシームが形成されることなく窒化膜を埋め込むことができる。

特開２０１７−９２０９８号公報

しかしながら、上述の特許文献１に記載の窒化膜の形成方法では、成膜の段階に応じてＮＨ^＊活性種及びＮ^＊活性種の濃度を変化させる必要があるため、成膜中のガスの供給制御が難しい場合がある。

また、特許文献１に記載のようなボトムアップ成膜の他、基板の表面の形状に沿ったコンフォーマルな窒化膜のみを形成したい場合もあり、そのような要請に対応できる窒化膜の成膜方法が期待されている。

そこで、本発明は、基板の表面形状に沿ったコンフォーマルなシリコン窒化膜を形成することができるシリコン窒化膜の成膜方法及び成膜装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明の一態様に係るシリコン窒化膜の成膜方法は、基板の表面上にシリコン窒化膜を成膜するシリコン窒化膜の成膜方法であって、
基板の表面に塩素ラジカルを吸着させ、塩素を含有するガスが前記基板の表面にコンフォーマルに吸着するような吸着阻害領域を形成する工程と、
前記吸着阻害領域が形成された前記基板の表面にシリコン及び塩素を含有する原料ガスを吸着させる工程と、
前記原料ガスが吸着した前記基板の表面に、プラズマにより活性化された窒化ガスを供給してシリコン窒化膜を堆積させる工程と、を有する。

本発明によれば、基板の表面形状に沿ったコンフォーマルなシリコン窒化膜を形成することができる。

本発明の実施形態に係る成膜装置を示す概略断面図である。 本発明の実施形態に係る成膜装置の真空容器内の構成を示す概略斜視図である。 本発明の実施形態に係る成膜装置の真空容器内の構成を示す概略平面図である。 本発明の実施形態に係る成膜装置の回転テーブルの同心円に沿った真空容器の概略断面図である。 本発明の実施形態に係る成膜装置の別の概略断面図である。 本発明の実施形態に係る成膜装置に設けられるプラズマ発生源を示す概略断面図である。 本発明の実施形態に係る成膜装置に設けられるプラズマ発生器を示す他の概略断面図である。 本発明の実施形態に係る成膜装置に設けられるプラズマ発生器を示す概略上面図である。 本発明の実施形態に係る成膜装置の一例を示す概略平面図である。 本発明の実施形態に係る成膜装置における第３の処理領域Ｐ３を説明するための一部断面図である。 シャワーヘッド部の下面の一例を示した平面図である。 本発明の実施形態に係る成膜方法の一例の一連の工程を示した図である。 本発明の実施形態に係るシリコン窒化膜の成膜方法のシーケンスの一例を示した図である。 実施例１〜３に係るシリコン窒化膜の成膜方法のシーケンスを説明するための図である。 実施例１〜３に係るシリコン窒化膜の成膜方法の実施結果を説明するための図である。 実施例１〜３に係るシリコン窒化膜の成膜方法の実施結果を示したＳＥＭ画像である。 本実施形態に係るシリコン窒化膜の成膜方法と従来のシリコン窒化膜の成膜方法により得られたシリコン窒化膜の膜質の比較結果を示した図である。

以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態の説明を行う。

［成膜装置］
まず、本発明の実施形態に係る成膜装置について説明する。図１から図３までを参照すると、本実施形態に係る成膜装置は、ほぼ円形の平面形状を有する扁平な真空容器１と、真空容器１内に設けられ、真空容器１の中心に回転中心を有する回転テーブル２と、を備えている。真空容器１は、内部に収容したウエハの表面上に成膜処理を行うための処理室である。真空容器１は、有底の円筒形状を有する容器本体１２と、容器本体１２の上面に対して、例えばＯリングなどのシール部材１３（図１）を介して気密に着脱可能に配置される天板１１とを有している。

回転テーブル２は、中心部にて円筒形状のコア部２１に固定され、このコア部２１は、鉛直方向に伸びる回転軸２２の上端に固定されている。回転軸２２は真空容器１の底部１４を貫通し、下端が回転軸２２（図１）を鉛直軸回りに回転させる駆動部２３に取り付けられている。回転軸２２及び駆動部２３は、上面が開口した筒状のケース体２０内に収納されている。ケース体２０はその上面に設けられたフランジ部分が真空容器１の底部１４の下面に気密に取り付けられており、ケース体２０の内部雰囲気と外部雰囲気との気密状態が維持されている。

回転テーブル２の表面部には、図２及び図３に示すように回転方向（周方向）に沿って複数（図示の例では５枚）の基板である半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）Ｗを載置するための円形状の凹部２４が設けられている。なお、図３には便宜上１個の凹部２４だけにウエハＷを示す。この凹部２４は、ウエハＷの直径よりも僅かに例えば４ｍｍ大きい内径と、ウエハＷの厚さにほぼ等しい深さとを有している。したがって、ウエハＷが凹部２４に収容されると、ウエハＷの表面と回転テーブル２の表面（ウエハＷが載置されない領域）とが同じ高さになる。凹部２４の底面には、ウエハＷの裏面を支えてウエハＷを昇降させるための例えば３本の昇降ピンが貫通する貫通孔（いずれも図示せず）が形成されている。

図２及び図３は、真空容器１内の構造を説明するための図であり、説明の便宜上、天板１１の図示を省略している。図２及び図３に示すように、回転テーブル２の上方には、各々例えば石英からなる反応ガスノズル３１、反応ガスノズル３２、反応ガスノズル３３、及び分離ガスノズル４１、４２が真空容器１の周方向（回転テーブル２の回転方向（図３の矢印Ａ））に互いに間隔をおいて配置されている。図示の例では、後述の搬送口１５から時計回り（回転テーブル２の回転方向）に、分離ガスノズル４１、反応ガスノズル３１、分離ガスノズル４２、反応ガスノズル３２及び反応ガスノズル３３がこの順番で配列されている。これらのノズル３１、３２、３３、４１、４２は、各ノズル３１、３２、３３、４１、４２の基端部であるガス導入ポート３１ａ、３２ａ、３３ａ、４１ａ、４２ａ（図３）を容器本体１２の外周壁に固定することにより、真空容器１の外周壁から真空容器１内に導入され、容器本体１２の半径方向に沿って回転テーブル２に対して水平に伸びるように取り付けられている。

本実施形態においては、図３に示されるように、反応ガスノズル３１は、配管１１０及び流量制御器１２０などを介して、原料ガスの供給源１３０に接続されている。反応ガスノズル３２は、配管１１１及び流量制御器１２１などを介して、窒化ガスの供給源１３１に接続されている。更に、反応ガスノズル３３は、配管１１２及び流量制御器１２２などを介して、塩素ガス（Ｃｌ_２）の供給源１３２に接続されている。分離ガスノズル４１、４２は、いずれも不図示の配管及び流量制御バルブなどを介して、分離ガスの供給源（図示せず）に接続されている。分離ガスとしては、ヘリウム（Ｈｅ）やアルゴン（Ａｒ）などの希ガスや窒素（Ｎ_２）ガスなどの不活性ガスを用いることができる。本実施形態では、Ａｒガスを用いる例を挙げて説明する。

反応ガスノズル３１、３２、３３には、回転テーブル２に向かって開口する複数のガス吐出孔３５が、反応ガスノズル３１、３２、３３の長さ方向に沿って、例えば１０ｍｍの間隔で配列されている。反応ガスノズル３１の下方領域は、原料ガスをウエハＷに吸着させるための第１の処理領域Ｐ１となる。反応ガスノズル３２の下方領域は、第１の処理領域Ｐ１においてウエハＷに吸着した原料ガスを窒化する窒化ガスを供給し、窒化物の分子層を生成する第２の処理領域Ｐ２となる。なお、窒化物の分子層が、成膜される窒化膜を構成する。但し、第２の処理領域Ｐ２における窒化ガスの供給は、ウエハＷが回転テーブル２上に載置され、ウエハＷに原料ガスが未だ供給されていない初期段階でも行われ、この場合には、ウエハＷの表面を窒化することになる。反応ガスノズル３３の下方領域は、第２の処理領域Ｐ２において生成した反応生成物（窒化膜）又は窒化されたウエハＷにプ塩素ガスラジカルを供給し、ウエハＷの表面に吸着阻害領域を形成する第３の処理領域Ｐ３となる。ここで、第１の処理領域Ｐ１は、原料ガスを供給する領域であるので、原料ガス供給領域Ｐ１と呼んでもよいこととする。同様に、第２の処理領域Ｐ２は、原料ガスと反応して窒化物を生成可能な窒化ガスを供給する領域であるので、窒化ガス供給領域Ｐ２と呼んでもよいこととする。また、第３の処理領域Ｐ３は、塩素ラジカルを供給する領域であるので、塩素ラジカル供給領域Ｐ３と呼んでもよいこととする。

なお、第３の処理領域Ｐ３の周辺、例えば上方又は側方には、プラズマ発生器９０が設けられる。また、第２の処理領域Ｐ２の上方には、プラズマ発生器８０が設けられる。図３において、プラズマ発生器８０、９０は、破線で簡略化して示されている。プラズマ発生器９０は、塩素ラジカルを生成するためのリモートプラズマ発生装置から構成される。一方、プラズマ発生器８０は、特に種類は問わないが、例えば、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma、誘導結合型）プラズマ発生装置から構成されてもよい。なお、プラズマ発生器８０、９０の詳細については後述する。

なお、原料ガスとしては、シリコン及び塩素を含有するガスが選択される。例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）膜を成膜する場合には、ジクロロシラン（ＤＣＳ、ＳｉＨ_２Ｃｌ_２）等のシリコン及び塩素を含有するガスが選択される。なお、原料ガスは、シリコン及び塩素を含有するガスであれば、種々のガスが用いられてよい。例えば、ジクロロシランの他、用途に応じて、モノクロロシラン（ＳｉＨ_３Ｃｌ）、トリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ_３）、ヘキサクロロジシラン（Ｓｉ_２Ｃｌ_６）等のクロロシラン系ガスを用いてもよい。ＤＣＳは、そのようなシリコン及び塩素を含有するガスの一例として挙げられている。

また、窒化ガスとしては、一般的にはアンモニア（ＮＨ_３）含有ガスが選択される。その他、窒化ガスをプラズマにより活性化して供給する場合には、窒素（Ｎ_２）含有ガスが選択される場合もある。なお、窒化ガスは、アンモニアの他、Ａｒ等のキャリアガスを含んでもよい。

第３の反応ノズル３３から供給される塩素ラジカルは、第１の反応ガスノズル３１から供給される原料ガスがウエハＷに吸着するのを阻害する吸着阻害領域をウエハの表面上に形成する役割を有する。本実施形態に係る成膜装置及び成膜方法においては、吸着阻害領域を広い領域に形成し、原料ガスがウエハＷの表面にコンフォーマルに、均一に吸着するように制御する。なお、本実施形態に係る成膜方法の詳細については後述する。また、図２及び図３においては、水平に延びるノズルが第３の反応ノズル３３として示されているが、第３の反応ノズル３３は、シャワーヘッドとして構成されてもよい。図２及び図３においては、第３の反応ノズル３３が水平に延びるノズルとして構成された例について説明し、シャワーヘッドとして構成された場合については後述する。

図２及び図３を参照すると、真空容器１内には２つの凸状部４が設けられている。凸状部４は、分離ガスノズル４１、４２とともに分離領域Ｄを構成するため、後述のとおり、回転テーブル２に向かって突出するように天板１１の裏面に取り付けられている。また、凸状部４は、頂部が円弧状に切断された扇型の平面形状を有し、本実施形態においては、内円弧が突出部５（後述）に連結し、外円弧が、真空容器１の容器本体１２の内周面に沿うように配置されている。

図４は、反応ガスノズル３１から反応ガスノズル３２まで回転テーブル２の同心円に沿った真空容器１の断面を示している。図示のとおり、天板１１の裏面に凸状部４が取り付けられているため、真空容器１内には、凸状部４の下面である平坦な低い天井面４４（第１の天井面）と、この天井面４４の周方向両側に位置する、天井面４４よりも高い天井面４５（第２の天井面）とが存在する。天井面４４は、頂部が円弧状に切断された扇型の平面形状を有している。また、図示のとおり、凸状部４には周方向中央において、半径方向に伸びるように形成された溝部４３が形成され、分離ガスノズル４２が溝部４３内に収容されている。もう一つの凸状部４にも同様に溝部４３が形成され、ここに分離ガスノズル４１が収容されている。また、高い天井面４５の下方の空間に反応ガスノズル３１、３２がそれぞれ設けられている。これらの反応ガスノズル３１、３２は、天井面４５から離間してウエハＷの近傍に設けられている。なお、図４に示すように、高い天井面４５の下方の右側の空間４８１に反応ガスノズル３１が設けられ、高い天井面４５の下方の左側の空間４８２に反応ガスノズル３２が設けられる。

また、凸状部４の溝部４３に収容される分離ガスノズル４１、４２には、回転テーブル２に向かって開口する複数のガス吐出孔４２ｈ（図４参照）が、分離ガスノズル４１、４２の長さ方向に沿って、例えば１０ｍｍの間隔で配列されている。

天井面４４は、狭い空間である分離空間Ｈを回転テーブル２に対して形成している。分離ガスノズル４２の吐出孔４２ｈからＡｒガスが供給されると、このＡｒガスは、分離空間Ｈを通して空間４８１及び空間４８２へ向かって流れる。このとき、分離空間Ｈの容積は空間４８１及び４８２の容積よりも小さいため、Ａｒガスにより分離空間Ｈの圧力を空間４８１及び４８２の圧力に比べて高くすることができる。すなわち、空間４８１及び４８２の間に圧力の高い分離空間Ｈが形成される。また、分離空間Ｈから空間４８１及び４８２へ流れ出るＡｒガスが、第１の領域Ｐ１からの第１の反応ガスと、第２の領域Ｐ２からの第２の反応ガスとに対するカウンターフローとして働く。したがって、第１の領域Ｐ１からの第１の反応ガスと、第２の領域Ｐ２からの第２の反応ガスとが分離空間Ｈにより分離される。よって、真空容器１内において第１の反応ガスと第２の反応ガスとが混合し、反応することが抑制される。

なお、回転テーブル２の上面に対する天井面４４の高さｈ１は、成膜時の真空容器１内の圧力、回転テーブル２の回転速度、供給する分離ガス（Ａｒガス）の供給量などを考慮し、分離空間Ｈの圧力を空間４８１及び４８２の圧力に比べて高くするのに適した高さに設定することが好ましい。

一方、天板１１の下面には、回転テーブル２を固定するコア部２１の外周を囲む突出部５（図２及び図３）が設けられている。この突出部５は、本実施形態においては、凸状部４における回転中心側の部位と連続しており、その下面が天井面４４と同じ高さに形成されている。

先に参照した図１は、図３のＩ−Ｉ'線に沿った断面図であり、天井面４５が設けられている領域を示している。一方、図５は、天井面４４が設けられている領域を示す断面図である。図５に示すように、扇型の凸状部４の周縁部（真空容器１の外縁側の部位）には、回転テーブル２の外端面に対向するようにＬ字型に屈曲する屈曲部４６が形成されている。この屈曲部４６は、凸状部４と同様に、分離領域Ｄの両側から反応ガスが侵入することを抑制して、両反応ガスの混合を抑制する。扇型の凸状部４は天板１１に設けられ、天板１１が容器本体１２から取り外せるようになっていることから、屈曲部４６の外周面と容器本体１２との間には僅かに隙間がある。屈曲部４６の内周面と回転テーブル２の外端面との隙間、及び屈曲部４６の外周面と容器本体１２との隙間は、例えば回転テーブル２の上面に対する天井面４４の高さと同様の寸法に設定されている。

容器本体１２の内周壁は、分離領域Ｄにおいては図４に示すように屈曲部４６の外周面と接近して垂直面に形成されているが、分離領域Ｄ以外の部位においては、図１に示すように例えば回転テーブル２の外端面と対向する部位から底部１４に亘って外方側に窪んでいる。以下、説明の便宜上、概ね矩形の断面形状を有する窪んだ部分を排気領域と記す。具体的には、第１の処理領域Ｐ１に連通する排気領域を第１の排気領域Ｅ１と記し、第２及び第３の処理領域Ｐ２、Ｐ３に連通する領域を第２の排気領域Ｅ２と記す。これらの第１の排気領域Ｅ１及び第２の排気領域Ｅ２の底部には、図１から図３に示すように、それぞれ、第１の排気口６１０及び第２の排気口６２０が形成されている。第１の排気口６１０及び第２の排気口６２０は、図１に示すように各々排気管６３０を介して真空排気手段である例えば真空ポンプ６４０に接続されている。また、真空ポンプ６４０と排気管６３０との間に、圧力制御器６５０が設けられる。

なお、図２及び図３に示されるように、第２の処理領域Ｐ２と第３の処理領域Ｐ３との間に分離領域Ｈは設けられていないが、図３においては、プラズマ発生器８０、９０として示された領域に、回転テーブル２上の空間を仕切る筐体が設けられる。これにより、第２の処理領域Ｐ２と第３の処理領域Ｐ３との空間は仕切られる。なお、この点の詳細は後述する。

回転テーブル２と真空容器１の底部１４との間の空間には、図１及び図５に示すように加熱手段であるヒータユニット７が設けられ、回転テーブル２を介して回転テーブル２上のウエハＷが、プロセスレシピで決められた温度（例えば４００℃）に加熱される。回転テーブル２の周縁付近の下方側には、回転テーブル２の上方空間から排気領域Ｅ１、Ｅ２に至るまでの雰囲気とヒータユニット７が置かれている雰囲気とを区画して回転テーブル２の下方領域へのガスの侵入を抑えるために、リング状のカバー部材７１が設けられている（図５）。このカバー部材７１は、回転テーブル２の外縁部及び外縁部よりも外周側を下方側から臨むように設けられた内側部材７１ａと、この内側部材７１ａと真空容器１の内壁面との間に設けられた外側部材７１ｂと、を備えている。外側部材７１ｂは、分離領域Ｄにおいて凸状部４の外縁部に形成された屈曲部４６の下方にて、屈曲部４６と近接して設けられ、内側部材７１ａは、回転テーブル２の外縁部下方（及び外縁部よりも僅かに外側の部分の下方）において、ヒータユニット７を全周に亘って取り囲んでいる。

ヒータユニット７が配置されている空間よりも回転中心寄りの部位における底部１４は、回転テーブル２の下面の中心部付近におけるコア部２１に接近するように上方側に突出して突出部１２ａをなしている。この突出部１２ａとコア部２１との間は狭い空間になっており、また底部１４を貫通する回転軸２２の貫通穴の内周面と回転軸２２との隙間が狭くなっていて、これら狭い空間はケース体２０に連通している。そしてケース体２０にはパージガスであるＡｒガスを狭い空間内に供給してパージするためのパージガス供給管７２が設けられている。また真空容器１の底部１４には、ヒータユニット７の下方において周方向に所定の角度間隔で、ヒータユニット７の配置空間をパージするための複数のパージガス供給管７３が設けられている（図５には一つのパージガス供給管７３を示す）。また、ヒータユニット７と回転テーブル２との間には、ヒータユニット７が設けられた領域へのガスの侵入を抑えるために、外側部材７１ｂの内周壁（内側部材７１ａの上面）から突出部１２ａの上端部との間を周方向に亘って覆う蓋部材７ａが設けられている。蓋部材７ａは例えば石英で作製することができる。

また、真空容器１の天板１１の中心部には分離ガス供給管５１が接続されていて、天板１１とコア部２１との間の空間５２に分離ガスであるＡｒガスを供給するように構成されている。この空間５２に供給された分離ガスは、突出部５と回転テーブル２との狭い隙間５０を介して回転テーブル２のウエハ載置領域側の表面に沿って周縁に向けて吐出される。空間５０は分離ガスにより空間４８１及び空間４８２よりも高い圧力に維持され得る。したがって、空間５０により、第１の処理領域Ｐ１に供給される原料ガスと第２の処理領域Ｐ２に供給される窒化ガスとが、中心領域Ｃを通って混合することが抑制される。すなわち、空間５０（又は中心領域Ｃ）は分離空間Ｈ（又は分離領域Ｄ）と同様に機能することができる。

さらに、真空容器１の側壁には、図２、図３に示すように、外部の搬送アーム１０と回転テーブル２との間で基板であるウエハＷの受け渡しを行うための搬送口１５が形成されている。この搬送口１５は図示しないゲートバルブにより開閉される。また回転テーブル２におけるウエハ載置領域である凹部２４はこの搬送口１５に対向する位置にて搬送アーム１０との間でウエハＷの受け渡しが行われることから、回転テーブル２の下方側において受け渡し位置に対応する部位に、凹部２４を貫通してウエハＷを裏面から持ち上げるための受け渡し用の昇降ピン及びその昇降機構（いずれも図示せず）が設けられている。

次に、図６から図８までを参照しながら、プラズマ発生器８０について説明する。図６は、回転テーブル２の半径方向に沿ったプラズマ発生器８０の概略断面図であり、図７は、回転テーブル２の半径方向と直交する方向に沿ったプラズマ発生器８０の概略断面図であり、図８は、プラズマ発生器８０の概略を示す上面図である。図示の便宜上、これらの図において一部の部材を簡略化している。

図６を参照すると、プラズマ発生器８０は、高周波透過性の材料で作製され、上面から窪んだ凹部を有し、天板１１に形成された開口部１１ａに嵌め込まれるフレーム部材８１と、フレーム部材８１の凹部内に収容され、上部が開口した略箱状の形状を有するファラデー遮蔽板８２と、ファラデー遮蔽板８２の底面上に配置される絶縁板８３と、絶縁板８３の上方に支持され、略八角形の上面形状を有するコイル状のアンテナ８５とを備える。

天板１１の開口部１１ａは複数の段部を有しており、そのうちの一つの段部には全周に亘って溝部が形成され、この溝部に例えばＯ−リングなどのシール部材８１ａが嵌め込まれている。一方、フレーム部材８１は、開口部１１ａの段部に対応する複数の段部を有しており、フレーム部材８１を開口部１１ａに嵌め込むと、複数の段部のうちの一つの段部の裏面が、開口部１１ａの溝部に嵌め込まれたシール部材８１ａと接し、これにより、天板１１とフレーム部材８１との間の気密性が維持される。また、図６に示すように、天板１１の開口部１１ａに嵌め込まれるフレーム部材８１の外周に沿った押圧部材８１ｃが設けられ、これにより、フレーム部材８１が天板１１に対して下方に押し付けられる。このため、天板１１とフレーム部材８１との間の気密性がより確実に維持される。

フレーム部材８１の下面は、真空容器１内の回転テーブル２に対向しており、その下面の外周には全周に亘って下方に（回転テーブル２に向かって）突起する突起部８１ｂが設けられている。突起部８１ｂの下面は回転テーブル２の表面に近接しており、突起部８１ｂと、回転テーブル２の表面と、フレーム部材８１の下面とにより回転テーブル２の上方に空間（以下、第３の処理領域Ｐ３）が画成されている。なお、突起部８１ｂの下面と回転テーブル２の表面との間隔は、分離空間Ｈ（図４）における天井面１１の回転テーブル２の上面に対する高さｈ１とほぼ同じであって良い。

また、この第２の処理領域Ｐ２には、突起部８１ｂを貫通した反応ガスノズル３２が延びている。反応ガスノズル３２には、本実施形態においては、図６に示すように、窒化ガスが充填される窒化ガス供給源１３１が、流量制御器１２１を介して配管１１１により接続されている。窒化ガスは、例えば、アンモニア（ＮＨ_３）を含有するガスであってもよく、具体的には、アンモニア（ＮＨ_３）とアルゴン（Ａｒ）の混合ガスであってもよい。流量制御器１２１により流量制御された窒化ガスが、プラズマ発生器８０で活性化され、所定の流量で第２の処理領域Ｐ２に供給される。なお、アンモニアとアルゴンの混合ガスが窒化ガスとして用いられる場合、アンモニアとアルゴンは別々に供給されてもよいが、図６においては、説明の便宜上、混合ガスの状態で反応ガスノズル３２に供給された状態を例示している。

反応ガスノズル３２には、その長手方向に沿って所定の間隔（例えば１０ｍｍ）で複数の吐出孔３５が形成されており、吐出孔３５から上述の塩素ガスが吐出される。吐出孔３５は、図７に示すように、回転テーブル２に対して垂直な方向から回転テーブル２の回転方向の上流側に向かって傾いている。このため、反応ガスノズル３２から供給されるガスは、回転テーブル２の回転方向と逆の方向に、具体的には、突起部８１ｂの下面と回転テーブル２の表面との間の隙間に向かって吐出される。これにより、回転テーブル２の回転方向に沿ってプラズマ発生器８０よりも上流側に位置する天井面４５の下方の空間から反応ガスや分離ガスが、第２の処理領域Ｐ２内へ流れ込むのが抑止される。また、上述のとおり、フレーム部材８１の下面の外周に沿って形成される突起部８１ｂが回転テーブル２の表面に近接しているため、反応ガスノズル３２からのガスにより第２の処理領域Ｐ２内の圧力を容易に高く維持することができる。これによっても、反応ガスや分離ガスが第２の処理領域Ｐ２内へ流れ込むのが抑止される。

このように、フレーム部材８１は、第２の処理領域Ｐ２を周囲から分離するための役割を担っている。よって、本発明の実施形態に係る成膜装置は、プラズマ発生器８０とともに、第２の処理領域Ｐ２を区画するため、フレーム部材８１を備えているものとする。

ファラデー遮蔽板８２は、金属などの導電性材料から作製され、図示は省略するが接地されている。図８に明確に示されるように、ファラデー遮蔽板８２の底部には、複数のスリット８２ｓが形成されている。各スリット８２ｓは、略八角形の平面形状を有するアンテナ８５の対応する辺とほぼ直交するように延びている。

また、ファラデー遮蔽板８２は、図７及び図８に示すように、上端の２箇所において外側に折れ曲がる支持部８２ａを有している。支持部８２ａがフレーム部材８１の上面に支持されることにより、フレーム部材８１内の所定の位置にファラデー遮蔽板８２が支持される。

絶縁板８３は、例えば石英ガラスにより作製され、ファラデー遮蔽板８２の底面よりも僅かに小さい大きさを有し、ファラデー遮蔽板８２の底面に載置される。絶縁板８３は、ファラデー遮蔽板８２とアンテナ８５とを絶縁する一方、アンテナ８５から放射される高周波を下方へ透過させる。

アンテナ８５は、平面形状が略八角形となるように銅製の中空管（パイプ）を例えば３重に巻き回すことにより形成される。パイプ内に冷却水を循環させることができ、これにより、アンテナ８５へ供給される高周波によりアンテナ８５が高温に加熱されるのが防止される。また、アンテナ８５には立設部８５ａが設けられており、立設部８５ａに支持部８５ｂが取り付けられている。支持部８５ｂにより、アンテナ８５がファラデー遮蔽板８２内の所定の位置に維持される。また、支持部８５ｂには、マッチングボックス８６を介して高周波電源８７が接続されている。高周波電源８７は、例えば１３．５６ＭＨｚの周波数を有する高周波を発生することができる。

このような構成を有するプラズマ発生器８０によれば、マッチングボックス８６を介して高周波電源８７からアンテナ８５に高周波電力を供給すると、アンテナ８５により電磁界が発生する。この電磁界のうちの電界成分は、ファラデー遮蔽板８２により遮蔽されるため、下方へ伝播することはできない。一方、磁界成分はファラデー遮蔽板８２の複数のスリット８２ｓを通して第３の処理領域Ｐ３内へ伝播する。この磁界成分により、反応ガスノズル３３から所定の流量比で第２の処理領域Ｐ２に供給される窒化ガスが活性化される。

次に、本実施形態に係る成膜装置のプラズマ発生器９０について説明する。

図９は、プラズマ発生器８０、９０を搭載した本発明の実施形態に係る成膜装置の上面図である。プラズマ発生器９０は、リモートプラズマ発生装置として構成されている。

図６乃至８で説明したアンテナ８５を用いた誘導型プラズマ発生装置（ＩＣＰ、Inductively Coupled Plasma）８０は、高いプラズマ強度でプラズマを発生させるのに有効であり、イオン化された窒化ガスと、ラジカル化された窒化ガスの双方を発生させても良い場合には、有効に機能する。しかしながら、塩素イオンは不要であり、塩素ラジカルのみが必要な場合には、リモートプラズマ発生装置の方が適している。即ち、リモートプラズマ発生装置は、真空容器１の外部でプラズマによる塩素の活性化を行うため、寿命が短いイオン化した塩素は真空容器１内又はウエハＷに到達する前に死活し、寿命の長いラジカル化した塩素のみがウエハＷに供給される。これにより、真空容器１内で直接的にプラズマを発生させるＩＣＰプラズマ発生装置よりも弱く活性化された塩素ラジカルが殆どを占める活性化された塩素ガスをウエハＷに供給することができる。本実施形態に係るプラズマ発生器９０には、イオン化した塩素を殆どウエハＷに供給せず、塩素ラジカルを供給することが可能なプラズマ発生装置を用いる。リモートプラズマ発生装置は、そのようなプラズマ発生装置の一例である。但し、プラズマ発生器９０は、リモートプラズマ発生装置に限定される訳ではなく、塩素イオンをあまり発生させること無く塩素ラジカルを主に発生させることができれば、種々のプラズマ発生装置を用いることができる。

図１０は、プラズマ発生器９０を含む本実施形態に係る成膜装置の断面図である。

図１０に示されるように、プラズマ発生器９０は、第３の処理領域Ｐ３において、回転テーブル２に対向して設けられる。プラズマ発生器９０は、プラズマ生成部９１と、ガス供給管９２と、シャワーヘッド部９３と、配管９４とを備えている。なお、シャワーヘッド部９３は、塩素ガス吐出部の一例であり、例えば、シャワーヘッド部９３の代わりに、ガスノズルが用いられてもよい。

プラズマ生成部９１は、ガス供給管９２から供給された塩素ガスをプラズマ源により活性化する。プラズマ源としては、塩素ガスをラジカル化することが可能であれば、特に限定されるものではない。プラズマ源としては、例えば誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ：Inductively Coupled Plasma）、容量結合型プラズマ（ＣＣＰ：Capacitively Coupled Plasma）、表面波プラズマ（ＳＷＰ：Surface Wave Plasma）を用いることができる。

ガス供給管９２は、その一端がプラズマ生成部９１と接続されており、プラズマ生成部９１に塩素ガスを供給する。ガス供給管９２の他端は、例えば開閉バルブ及び流量調整器を介して塩素ガスが貯留された塩素ガス供給源１３２と接続されている。

シャワーヘッド部９３は、配管９４を介してプラズマ生成部９１と接続されており、プラズマ生成部９１で活性化されたフッ素含有ガスを真空容器１内に供給する部分である。シャワーヘッド部９３は、扇型の平面形状を有し、扇型の平面形状の外縁に沿うように形成された押圧部材９５によって下方側に向かって周方向に亘って押圧される。また、押圧部材９５が図示しないボルト等により天板１１に固定されることにより、真空容器１の内部雰囲気が気密状態とされる。天板１１に固定されたときのシャワーヘッド部９３の下面と回転テーブル２の上面との間隔は、例えば０．５ｍｍから５ｍｍ程度とすることができる。

シャワーヘッド部９３には、回転テーブル２の角速度の違いに対応して回転中心側で少なく、外周側で多くなるように複数のガス吐出孔９３ａが設けられている。複数のガス吐出孔９３ａの個数としては、例えば数十〜数百個とすることができる。また、複数のガス吐出孔９３ａの直径としては、例えば０．５ｍｍから３ｍｍ程度とすることができる。シャワーヘッド部９３に供給された活性化された塩素ガスは、ガス吐出孔９３ａを通って回転テーブル２とシャワーヘッド部９３との間の空間に供給される。

図１１は、シャワーヘッド部９３の下面の一例を示した平面図である。図１１に示されるように、下方突出面９３ｃは、扇形のシャワーヘッド部９３の下面９３ｂの外周に沿うように、帯状に設けられてもよい。これにより、周方向に均一に第３の処理領域Ｐ３の外周側の圧力の低下を防止することができる。また、ガス吐出孔９３ａは、シャワーヘッド部９３の下面９３ｂの周方向の中央に、半径方向に延在するように設けられてもよい。これにより、回転テーブル２の中心側から外周側に分散させて塩素ガスを供給することができる。

このように、リモートプラズマ発生装置として構成されたプラズマ発生器９０を用いて塩素ラジカルをウエハＷに供給してもよい。

なお、リモートプラズマ発生装置は、図９乃至図１１に示したようなシャワーヘッド部９３を有する構造に限らず、図２、３に示した反応ガスノズル３３を用いた構造であってもよい。この場合には、例えば、プラズマ生成部９１を、容器本体１２の外側の側面に設け、外側面側から反応ガスノズル３３に塩素ラジカルを供給する構造としてもよい。

また、本実施形態による成膜装置には、図１に示すように、装置全体の動作のコントロールを行うためのコンピュータからなる制御部１００が設けられており、この制御部１００のメモリ内には、制御部１００の制御の下に、後述する成膜方法を成膜装置に実施させるプログラムが格納されている。このプログラムは後述の成膜方法を実行するようにステップ群が組まれており、ハードディスク、コンパクトディスク、光磁気ディスク、メモリカード、フレキシブルディスクなどの媒体１０２に記憶されており、所定の読み取り装置により記憶部１０１へ読み込まれ、制御部１００内にインストールされる。

更に、制御部１００は、後述する本発明の実施形態に係る成膜方法を実行するための制御も行う。

［シリコン窒化膜の成膜方法］
次に、図１２を用いて、本発明の実施形態に係るシリコン窒化膜の成膜方法について上述の成膜装置を用いて行う場合を例にとり説明する。図１２は、本発明の実施形態に係る成膜方法の一例の一連の工程を示した図である。

図１２（ａ）は、本実施形態に係るシリコン窒化膜の成膜方法のプラズマ改質工程の一例を示した図である。

本実施形態では、ウエハＷとしてシリコンウエハを使用することとし、そのシリコンウエハの表面には、図１２（ａ）に示すように、トレンチＴが形成されている。ウエハＷの表面にトレンチＴが形成されていることは、本実施形態に係るシリコン窒化膜の成膜方法において必須ではないが、説明の容易のため、ウエハＷの表面にトレンチＴが形成されている例を挙げて説明する。但し、本実施形態に係るシリコン窒化膜の成膜方法は、平坦面も含め、種々のパターンが形成されているウエハＷに適用することができる。

また、反応ガスノズル３１からジクロロシラン（ＤＣＳ、ＳｉＨ_２Ｃｌ_２）とキャリアガスである窒素ガスとが供給され、反応ガスノズル３２から窒化ガスとしてアンモニア（ＮＨ_３）とアルゴンの混合ガスが供給され、シャワーヘッド部９３から塩素含有ガスとして塩素とアルゴンの混合ガスが供給される例を挙げて説明する。但し、ジクロロシランのキャリアガスである窒素ガス、窒化ガス及び塩素ガスとともに供給されるアルゴンガスは、いずれも不活性ガスで反応に寄与している訳ではないので、以後の説明では、特に言及しないこととする。また、窒化ガスは、プラズマ発生器８０で生成されるＩＣＰプラズマにより活性化（プラズマ化）され、塩素含有ガスはプラズマ発生器９０で生成されるリモートプラズマによりラジカル化されて供給されていることとする。

先ず、図１乃至図１１において説明した成膜装置において、図示しないゲートバルブを開き、外部から搬送アーム１０（図３）により搬送口１５（図２及び図３）を介してウエハＷを回転テーブル２の凹部２４内に受け渡す。この受け渡しは、凹部２４が搬送口１５に臨む位置に停止したときに凹部２４の底面の貫通孔を介して真空容器１の底部側から不図示の昇降ピンが昇降することにより行われる。このようなウエハＷの受け渡しを、回転テーブル２を間欠的に回転させて行い、回転テーブル２の５つの凹部２４内に夫々ウエハＷを載置する。

続いてゲートバルブを閉じ、真空ポンプ６４０により到達可能真空度にまで真空容器１内を排気した後、分離ガスノズル４１、４２から分離ガスであるＡｒガスを所定の流量で吐出し、分離カス供給管５１及びパージガス供給管７２、７３からもＡｒガスを所定の流量で吐出する。これに伴い、圧力制御手段６５０（図１）により真空容器１内を予め設定した処理圧力に制御する。次いで、回転テーブル２を時計回りに例えば１０ｒｐｍの回転速度で回転させながらヒータユニット７によりウエハＷを例えば４００℃に加熱する。回転テーブル２の回転速度は、用途に応じて種々の回転速度に設定することができる。また、プラズマ発生器８０、９０も作動させる。

この後、反応ガスノズル３２（図２及び図３）から活性化された窒化ガスを供給し、ウエハＷの表面のプラズマ改質を開始する。トレンチＴの内面も含めて、ウエハＷの表面はプラズマ窒化され、改質される。なお、最初のプラズマ改質工程は、ウエハＷの表面が十分に窒化されるまで回転テーブル２を所定回転数回転させ、改質された段階で終了し、窒化ガスの供給を一旦停止する。回転テーブル２は、ウエハＷを載置した状態でそのまま回転を継続する。

なお、図１２（ａ）のプラズマ改質工程は必須ではなく、必要に応じて行うようにしてよい。図１２（ａ）のプラズマ改質工程を行わない場合には、分離ガスを供給して回転テーブル２を回転させてから、図１２（ａ）を行うことなく図１２（ｂ）を実施すればよい。また、図１２（ａ）のプラズマ改質工程を所定時間行ったら、反応ガスノズル３２からの窒化ガスの供給を停止させ、一旦プラズマ改質を停止させてから図１２（ｂ）の工程に入るようにする。即ち、プラズマ改質工程を行う場合も行わない場合も、図１２（ｂ）の工程に入る際には反応ガスノズル３２からの窒化ガスの供給は停止させるようにする。

図１２（ｂ）は、塩素ラジカル吸着工程の一例を示した図である。上述のように、塩素ラジカル吸着工程は、活性化された窒化ガスの供給を停止させた状態で行う。塩素ラジカル吸着工程では、シャワーヘッド部９３から塩素ラジカルが供給された状態で、回転テーブル２を所定回転数回転させ、トレンチＴを含むウエハＷの表面に塩素ラジカルを吸着させる。塩素ラジカル吸着工程においては、分離ガスノズル４１、４２から分離ガスであるアルゴンの供給は行われているが、反応ガスノズル３１から原料ガスであるジクロロシランの供給は行われず、反応ガスノズル３２から窒化ガスであるアンモニアの供給も行われない状態が維持される。

塩素ラジカルは、塩素を含有するジクロロシランに対して吸着阻害効果を有するため、ジクロロシランの吸着を抑制する。そして、塩素ラジカル吸着工程においては、このような吸着阻害効果を有する塩素ラジカルがトレンチＴの底面付近を含めて全体に薄く行き渡るまで吸着させ、ジクロロシランがウエハＷの表面の形状に沿ってコンフォーマルに吸着するような吸着阻害領域を形成するようにする。即ち、塩素ラジカルは必ずしもウエハＷの表面にコンフォーマルに吸着していなくてもよいが、次にジクロロシランが供給されたときに、偏ったジクロロシランの吸着が抑制され、ウエハＷの表面全体にコンフォーマルに吸着するように吸着阻害領域を形成するようにする。

このような吸着阻害領域の広さの調整は、塩素ラジカルの供給時間を調整することにより行う。本実施形態に係る成膜装置の場合には、回転テーブル２を何回回転させる間塩素ラジカル吸着工程を継続して行うかを調整することにより、容易に塩素ラジカル吸着工程の時間を調整することができる。即ち、塩素ラジカル吸着工程を継続的に実施する回転テーブル２の回転数を多く設定すれば、塩素ラジカルはトレンチＴの底面付近まで吸着して吸着阻害領域が広範囲に形成されるし、回転テーブル２の回転数を少なくすれば塩素ラジカルの吸着範囲は狭くなる。吸着阻害領域を広範囲に形成すると、ジクロロシランはコンフォーマルに吸着し易くなるが、吸着が阻害されているので、成膜速度は低下するというマイナス面もある。よって、塩素ラジカル吸着工程の時間が適切な長さとなるように調整することが好ましい。回転テーブル２の回転速度が１０ｒｐｍの場合、例えば、３回〜５回転継続して塩素ラジカル吸着工程を実施すると、ジクロロシランの吸着がコンフォーマルになる。

図１２（ｃ）は、原料ガス吸着工程の一例を示した図である。原料ガス吸着工程においては、シリコン及び塩素を含有する原料ガスがウエハＷの表面に供給される。即ち、反応ガスノズル３１から、ジクロロシランを供給する。これにより、原料ガスであるジクロロシランがウエハＷの表面に吸着する。このとき、吸着阻害領域が比較的広い範囲に形成されているため、原料ガスであるジクロロシランは、薄く、ウエハＷの表面の形状に沿ってコンフォーマルに吸着する。即ち、トレンチＴの内面に沿って薄くジクロロシランが吸着する。

図１２（ｄ）は、窒化工程の一例を示した図である。窒化工程においては、ジクロロシランが吸着したウエハＷの表面に窒化ガスであるアンモニアが供給される。即ち、反応ガスノズル３２から窒化ガスが供給され、プラズマ発生器８０により活性化された窒化ガスがウエハＷの表面に供給される。活性化されたアンモニアは、ジクロロシランと反応して反応生成物である窒化シリコンの分子層がウエハＷの表面に堆積する。ジクロロシランがウエハＷの表面形状に沿ってコンフォーマルに吸着しているため、コンフォーマルにシリコン窒化膜の分子層が堆積する。

ここで、反応ガスノズル３１からの原料ガスの供給と、反応ガスノズル３２からの窒化ガスの供給は、同時に開始してもよい。図２、３、９に示される通り、回転テーブル２を時計回りに回転させれば、ウエハＷは塩素ラジカル供給領域Ｐ３を通過した後は原料ガス供給領域Ｐ１に到達し、その後窒化ガス供給領域Ｐ２に到達するので、同時に原料ガスと窒化ガスの供給を開始しても、原料ガス吸着工程の後に窒化工程が実施されることになるからである。

ここで、窒化工程では、プラズマにより活性化された窒化ガスが供給されるため、シリコン窒化膜の改質も同時に行われているが、堆積するシリコン窒化膜の分子層が薄いため、プラズマがトレンチＴの奥まで到達し、プラズマ改質を均一に行うことができる。よって、改質が十分に行われた良質なシリコン窒化膜を成膜することができる。

なお、図１２（ｃ）、（ｄ）に示す原料ガス吸着工程及び窒化工程の間、塩素ラジカルの供給は停止させてもよいし、停止させなくてもよいが、次の塩素ラジカル吸着工程にスムーズに入る観点からは、停止させないことが好ましい。図１２（ｂ）に示した塩素ラジカル吸着工程は、回転テーブル２を複数回回転させて所定時間継続的に行うのに対し、図１２（ｃ）、（ｄ）の原料ガス吸着工程及び窒化工程は、回転テーブル２を１回転だけさせて行う。つまり、図２、３、９で示した配置の場合、回転テーブル２上のウエハＷは、第３の処理領域Ｐ３で塩素ラジカルを供給された後、第１の処理領域Ｐ１で原料ガスを供給され、第２の処理領域Ｐ２でウエハＷの表面に吸着した原料ガスが窒化されてＳｉＮ膜の分子層がウエハＷ上に堆積された後、すぐまた第３の処理領域Ｐ３に突入して塩素ラジカルが供給される。よって、塩素ラジカルの供給を停止させること無く、図１２（ｂ）〜（ｄ）のシーケンスを連続的に行うことが可能である。

なお、図１２（ｃ）、（ｄ）の原料ガス吸着工程及び窒化工程において、原料ガスが窒化されることにより、ＮＨ_２構造の水素基で終端し、原料ガスに対して吸着サイトが形成される。その後、図１２（ｂ）の塩素ラジカル吸着工程で塩素ラジカルが供給されると、ＮＨ_２構造のＨ基がＣｌ基に置換される。上述のように、原料ガスが塩素を含有するガスであり、塩素同士は吸着しないため、塩素で終端化された箇所には原料ガスが吸着しない。このようにして、Ｃｌ基で終端された箇所は吸着阻害基として機能し、原料ガスの吸着を阻害する。なお、塩素ラジカルは、最初の１回転目でウエハＷの表面及び窪みパターンの上部には容易に到達するので多く吸着するが、窪みパターンの下部及び底部には到達し難いので、トレンチＴの奥にまで塩素ラジカルを到達させるためには、更に回転テーブル２を回転させる必要がある。そのため、本実施形態に係るシリコン窒化膜の成膜方法では、塩素ラジカルと分離ガスのみを供給する時間を原料ガス及び活性化された窒化ガスを供給する時間を長くし、薄くてトレンチＴの形状にコンフォーマルなシリコン窒化膜層を堆積させている。そして、このような薄くてコンフォーマルなシリコン窒化膜を成膜することにより、図１２（ｄ）の窒化工程において、プラズマにより活性化された窒化ガスがトレンチＴの底面付近の奥まで到達するとともに、膜厚が薄いためプラズマ改質の効果を高めることができ、良質なシリコン窒化膜を成膜することができる。

このように、図１２（ｂ）〜（ｄ）の工程を繰り返して継続して行うことにより、トレンチＴ内にトレンチＴの表面形状にコンフォーマルなシリコン窒化膜が堆積してゆく。吸着阻害基である塩素ラジカルの影響で、デポジションレートは通常の成膜よりも高くないが、トレンチＴの開口を塞がず、プラズマ改質が十分になされた高品質なシリコン窒化膜を成膜することができる。

図１２（ｅ）は、プラズマ改質工程の一例を示した図である。図１２（ｅ）のプラズマ改質工程では、反応ガスノズル３２からプラズマ発生器８０により活性化された窒化ガスをＳｉＮ膜に供給し、ＳｉＮ膜のプラズマ改質を行う。この工程は、図１２（ａ）で行ったプラズマ改質工程と同じ動作を行うが、堆積したシリコン窒化膜の改質を目的としている点で、図１２（ａ）のプラズマ改質工程と異なっている。シリコン窒化膜の窒化が不十分な場合には、プラズマにより活性化された窒化ガスを供給することにより、シリコン窒化膜の窒化が十分に行われ、高密度で緻密な高品質のシリコン窒化膜を成膜することができる。上述のように、プラズマ改質工程は、プラズマにより活性化された窒化ガスと分離ガスのみを供給し、原料ガス及び塩素ラジカルは供給しない状態で行う。プラズマ改質工程により、トレンチＴの内面も含めて、ウエハＷの表面はプラズマ窒化され、改質されることになる。なお、プラズマ改質工程は、図１２（ａ）のプラズマ改質工程と同様、必要に応じて行うようにすればよく、必須ではない。但し、更に高品質のシリコン窒化膜を得るためには、実施することが好ましい。

成膜が終了したら、総てのガスの供給及びプラズマ発生器８０、９０を停止させるとともに回転テーブル２の回転を停止させる。そして、ウエハＷの搬入時と逆の手順で、回転テーブル２を間欠的に回転及び停止させ、昇降ピンでウエハＷを持ち上げ、真空容器１からウエハＷを順次搬出する。ウエハＷの表面には、コンフォーマルで高品質なシリコン窒化膜が成膜されている。

このように、本実施形態に係るシリコン窒化膜の成膜方法によれば、ウエハＷの表面形状に沿ったコンフォーマルで高品質のシリコン窒化膜を成膜することができる。図１２においては、トレンチＴ内にシリコン窒化膜を成膜する例を挙げて説明したが、ウエハＷの表面の形状は問わず、平坦面を含めた種々のパターン形状に対し、コンフォーマルで高品質の成膜を行うことが可能である。多様化する半導体製造プロセスにおいて、トレンチやビア等の窪みパターンへの埋め込み成膜の他、平坦面を含む種々のパターンの表面形状に沿ったコンフォーマルで良質な成膜を行う要請は多く存在し、本実施形態に係るシリコン窒化膜の成膜方法及び成膜装置及びは、そのようなコンフォーマルな成膜の要請に応えるものであり、種々の用途に適用可能である。

図１３は、本発明の実施形態に係るシリコン窒化膜の成膜方法のシーケンスの一例を示した図である。図１３において、横軸が時間軸、縦軸は供給するガスの種類とプラズマのオン／オフを示している。図１３においては、０〜５サイクルのシーケンスが示されている。

時刻ｔ０〜ｔ１は、図１２（ａ）に示したプラズマ改質工程のシーケンスである。プラズマ改質工程においては、反応ガスノズル３２からアンモニア（ＮＨ_３）含有ガスが供給され、プラズマ発生器８０がオンとされている。よって、時刻ｔ０〜ｔ１では、ＮＨ_３プラズマが供給されている。

時刻ｔ１〜ｔ６は、回転テーブル２の１回転目のシーケンスを示している。回転テーブル２の１回転目では、塩素ラジカル吸着工程が行われる。塩素ラジカル吸着工程では、塩素ラジカルがプラズマ発生器９０により供給される。よって、１サイクル目では、塩素（Ｃｌ_２）プラズマはオンであり、塩素ラジカルが供給される。その他、パージガスとして窒素（Ｎ_２）ガス又はＡｒガスが供給される。図１３においては、パージガスとして窒素（Ｎ_２）ガスが供給されている例が示されているので、パージガスとして窒素ガスが供給されている例を挙げて説明する。

時刻ｔ１〜ｔ６において、トレンチＴ等のパターン形状を含むウエハＷの表面に塩素ラジカルが吸着する。なお、図１３のシーケンスにおいては、ウエハＷに供給されるガスの順番でシーケンスが示されている。即ち、１サイクル目の時刻ｔ１〜ｔ６において、シャワーヘッド部９３から塩素ラジカル、分離ガスノズル４１、４２から窒素ガスは停止すること無く供給されているが、図１３のシーケンスは、実際にウエハＷの表面にガスが供給された時系列で示してある。よって、ウエハＷに塩素ラジカルが供給されるのはウエハＷがシャワーヘッド部９３の真下を通過する時刻ｔ１〜ｔ２の間であるし、ウエハＷに窒素ガスが供給されるのは、ウエハＷが分離領域Ｄの真下を通過する時刻ｔ２〜ｔ３の間と時刻ｔ４〜ｔ５の間の時間のみである。つまり、図１３に示したシーケンスは、回転テーブル式の成膜装置だけでなく、処理室内にウエハＷを設置して処理室内に供給するガスを時系列的に切り替えて供給する成膜装置にも適用可能なシーケンスとなっている。

時刻ｔ６〜ｔ１１は２サイクル目、時刻ｔ１１〜ｔ１６は３サイクル目であるが、いずれも１サイクル目と同じシーケンスとなっている。このように、塩素ラジカル吸着工程を複数サイクル繰り返すことにより、図１２（ｂ）で説明したように、塩素ラジカルがトレンチＴの奥まで到達し、原料ガスのコンフォーマルな吸着が可能な状態となる。

時刻ｔ１６〜ｔ２１は、４サイクル目であり、塩素ラジカル吸着工程を１回実施した後、原料ガス吸着工程及び窒化工程を連続して１回実施するシーケンスである。時刻ｔ１６〜ｔ１７で３サイクル目に引き続いて塩素ラジカル吸着工程が行われ、時刻ｔ１７〜ｔ１８で分離領域ＤをウエハＷが通過した後、時刻ｔ１８〜ｔ１９でウエハＷが第１の処理領域Ｐ１を通過し、原料ガスであるＤＣＳ（ジクロロシラン）が供給され、ウエハＷの表面に吸着する。この時、ウエハＷの表面には吸着阻害領域が形成されているため、ＤＣＳはウエハＷの表面形状にコンフォーマルに全体的に均一に薄く吸着する。時刻ｔ１９〜ｔ２０で離領域Ｄの真下を通過した後、時刻ｔ２０〜ｔ２１においてウエハＷは第２の処理領域Ｐ２の真下を通過する。第２の処理領域Ｐ２では、反応ガスノズル３２からアンモニア含有ガスが供給され、プラズマ発生器８０でイオン化及びラジカル化されたアンモニアプラズマがウエハＷの表面に供給される。ウエハＷの表面上でジクロロシランとアンモニアが反応し、反応生成物であるシリコン窒化膜の分子層が薄く堆積する。ジクロロシランの吸着がコンフォーマルであるので、シリコン窒化膜の分子層もウエハＷの表面形状にコンフォーマルに薄く形成される。また、ジクロロシランの吸着層が薄いため、アンモニアプラズマの改質効果が十分に発揮され、シリコン窒化膜は高密度で緻密な膜となる。このようにして、ウエハＷの表面形状にコンフォーマルであり、かつ高品質なシリコン窒化膜がウエハＷの表面上に形成される。

時刻ｔ２１〜ｔ２６は、５サイクル目であり、１サイクル目と同じシーケンスを繰り返す。この後、２〜４サイクル目を繰り返すことにより、塩素ラジカル吸着工程、原料ガス吸着工程、窒化工程を順次繰り返すこととなり、コンフォーマルで高品質なシリコン窒化膜がウエハＷの表面に堆積してゆく。そして、所望の膜厚に到達したら、シーケンスを終了する。また、必要に応じて、時刻ｔ０〜ｔ１に示したプラズマ改質工程を実施し、更なるシリコン窒化膜の品質の向上を図るようにしてもよい。

このように、本実施形態に係るシリコン窒化膜の成膜方法によれば、シリコン及び塩素を含有する原料ガスに対して吸着阻害基となる塩素ラジカルを吸着基の上に広く吸着させ、原料ガスの吸着がコンフォーマルになるようにするとともに１回の吸着量を低下させ、プラズマ改質効果を十分に発揮させつつ原料ガスを窒化することにより、ウエハＷの表面形状にコンフォーマルで高品質なシリコン窒化膜を成膜することができる。

また、図１３においては、塩素ラジカル吸着工程を４回実施した後に原料ガス吸着工程及び窒化工程を１回実施するシーケンスを説明したが、塩素ラジカル吸着工程と原料ガス吸着工程及び窒化工程との回数比又は時間比は、用途に応じて種々の設定とすることができる。

また、原料ガスは、シリコン及び塩素を含有するガスであれば、種々のガスを用いることができる。例えば、ジクロロシランの他、用途に応じて、モノクロロシラン（ＳｉＨ_３Ｃｌ）、トリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ_３）、ヘキサクロロジシラン（Ｓｉ_２Ｃｌ_６）等の種々のクロロシラン系ガスを用いてもよいことは、上述の通りである。窒化ガスも、アンモニア又は窒素を含有し、プラズマによる活性化により原料ガスを窒化してシリコン窒化膜を反応生成物として堆積できれば、種々の窒化ガスを用いることができる。塩素含有ガスも、塩素ラジカルにより吸着阻害領域をウエハＷの表面上に形成できれば、種々の塩素含有ガスを用いることができる。

なお、図１２及び１３で説明したシーケンスは、上述の成膜装置の制御部１００がガス供給時間、タイミング、プラズマ発生器８０、９０の動作等を制御することにより実行することができる。本実施形態に係る成膜装置によれば、回転テーブル２を回転させ、ガスの供給パターンを変化させるとともに、その状態で回転テーブル２を何回回転させるかでガスの供給時間等も制御できるため、図１２、１３のシーケンスも容易に実現することができるとともに各ガスの吸着量を容易に制御することができるため、本実施形態に係るシリコン窒化膜の成膜方法を好適に実施することができる。

［実施例］
次に、本実施形態に係るシリコン窒化膜の成膜方法及び成膜装置の実施例について説明する。

成膜装置としては、上述の回転テーブル式の成膜装置を用いた。プロセス条件としては、ウエハＷの加熱温度が４００℃、真空容器１内の圧力が０．７５Ｔｏｒｒ、回転テーブル２の回転速度を１０ｒｐｍに設定した。分離ガスとしては窒素ガスを用い、分離ガスノズル４１、４２からは１０００ｓｃｃｍ、中心部上方の分離ガス供給管５１からは１０００ｓｃｃｍ、中心部下方のパージガス供給管７２からは４００ｓｃｃｍ、ヒータユニット７の下方のパージガス供給管７３からは２００ｓｃｃｍの流量で供給した。処理ガスとしては、反応ガスノズル３１からは、ＤＣＳを１０００ｓｃｃｍ、キャリアガスとして窒素ガスを５００ｓｃｃｍ供給した。また、反応ガスノズル３２からは、アルゴンとアンモニアの混合ガスを、それぞれ２０００ｓｃｃｍ（２０００／２０００ｓｃｃｍ）の流量で、ＩＣＰプラズマのプラズマ発生器８０により活性化して供給した。また、シャワーヘッド部９３からは、アルゴンと塩素の混合ガスをそれぞれ４０００ｓｃｃｍ、５ｓｃｃｍの流量でリモートプラズマによりラジカル化して供給した。

図１４は、実施例１〜３に係るシリコン窒化膜の成膜方法のシーケンスを説明するための図である。図１４（ａ）は、実施例１に係るシリコン窒化膜の成膜方法のシーケンスを示した図である。図１４（ａ）に示されるように、実施例１に係るシリコン窒化膜の成膜方法では、１回転目で塩素ラジカル吸着工程、原料ガス吸着工程及び窒化工程を総て行った状態で、２回転目で塩素ラジカル吸着工程のみを行い、３回転目で１回転目と同じく塩素ラジカル吸着工程、原料ガス吸着工程及び窒化工程を総て行い、４回転目で２回転目と同様に塩素ラジカル吸着工程のみを行い、５回転目で１回転目、３回転目と同様に塩素ラジカル吸着工程、原料ガス吸着工程及び窒化工程を総て行う、というように、塩素ラジカル吸着工程、原料ガス吸着工程及び窒化工程を総て行うサイクルと、塩素ラジカル吸着工程のみを行うサイクルを交互に繰り返した。別の言い方をすると、塩素ラジカル吸着工程２回に対し、原料ガス吸着工程及び窒化工程を１回行うシーケンスである。

図１４（ｂ）は、実施例２に係るシリコン窒化膜の成膜方法のシーケンスを示した図である。図１４（ｂ）に示されるように、実施例２に係るシリコン窒化膜の成膜方法では、１回転目で塩素ラジカル吸着工程、原料ガス吸着工程及び窒化工程を総て行った状態で、２〜４回転目で塩素ラジカル吸着工程のみを３回転連続して行い、５回転目で１回転目と同様に塩素ラジカル吸着工程、原料ガス吸着工程及び窒化工程を総て行う。５回転目の後は、２〜４回転目と同じシーケンスが行われることになる。つまり、２回転目をスタートと考えれば、塩素ラジカル吸着工程のみを連続して３サイクル行った後、塩素ラジカル吸着工程、原料ガス吸着工程及び窒化工程を総て行う１サイクルを行う、というシーケンスである。別の言い方をすると、塩素ラジカル吸着工程４回に対し、原料ガス吸着工程及び窒化工程を１回行うシーケンスである。

図１４（ｃ）は、実施例２に係るシリコン窒化膜の成膜方法のシーケンスを示した図である。図１４（ｃ）に示されるように、実施例３に係るシリコン窒化膜の成膜方法では、１回転目で塩素ラジカル吸着工程、原料ガス吸着工程及び窒化工程を総て行った状態で、２〜６回転目で塩素ラジカル吸着工程のみを５回転連続して行い、７回転目で１回転目と同様に塩素ラジカル吸着工程、原料ガス吸着工程及び窒化工程を総て行う。７回転目の後は、２〜６回転目と同じシーケンスが行われることになる。つまり、２回転目をスタートと考えれば、塩素ラジカル吸着工程のみを連続して５サイクル行った後、塩素ラジカル吸着工程、原料ガス吸着工程及び窒化工程を総て行う１サイクルを行う、というシーケンスである。別の言い方をすると、塩素ラジカル吸着工程６回に対し、原料ガス吸着工程及び窒化工程を１回行うシーケンスである。

このような３通りのシーケンスを用いて、実施例１〜３に係るシリコン窒化膜の成膜方法を実施した。なお、上述のシーケンスを３００サイクル実施した。

図１５は、実施例１〜３に係るシリコン窒化膜の成膜方法の実施結果を説明するための図である。図１５（ａ）は、各トレンチの位置を説明するための図である。図１５（ａ）に示されるように、トレンチの上端の間のウエハＷの平坦面をなす部分をＴＯＰとし、トレンチの上端の側面をＴＯＰ−Ｒ、トレンチの深さ方向の真中よりも上側寄りの箇所をＴＯＰ−Ｓ、トレンチの底面近くの箇所をＢＴＭとした。

図１５（ｂ）は、実施例１〜３に係るシリコン窒化膜の成膜方法の実施結果を示した図である。図１５（ｂ）において、横軸は塩素ラジカルのみ供給したサイクル数を示し、サイクル数１回が実施例１、サイクル数３回が実施例２、サイクル数５回が実施例３に相当する。また、図１５（ｂ）における縦軸は膜厚（ｎｍ）と、膜厚の最大値と最小値の差の範囲（ｎｍ）を示している。

図１５（ｂ）に示されるように、塩素ラジカルのみ供給したサイクル数が１回の実施例１の場合では、ＢＴＭの膜厚が最も厚く約２３ｎｍであり、ＴＯＰ−Ｓ、ＴＯＰ−Ｒ，ＴＯＰとトレンチ内の上方に移動するにつれて、膜厚が減少していることが分かる。つまり、実施例１においては、ややボトムアップ的な成膜が行われたことが分かる。膜厚が最大のＢＴＭ（約２３ｎｍ）と最小のＴＯＰ（約１２ｎｍ）との差も、１０ｎｍ程度ある（右側のＲａｎｇｅの目盛）。

一方、塩素ラジカルのみ供給したサイクル数が３回の実施例２の場合では、ＢＴＭの膜厚が最も厚く、ＴＯＰ−Ｓ、ＴＯＰ−Ｒ、ＴＯＰとトレンチ内の上方に移動するにつれて、膜厚が減少している傾向は実施例１と同様であるが、各位置同士の膜厚差が減少していることが分かる。膜厚は、最大のＢＴＭでも約１５ｎｍであり、最小のＴＯＰで約８ｎｍとなっている。つまり、実施例２においては、かなりコンフォーマルな成膜が行われたことが分かる。膜厚が最大のＢＴＭ（約１５ｎｍ）と最小のＴＯＰ（約８ｎｍ）との差も７ｎｍ程度となり、１０ｎｍ程度あった実施例１よりも膜厚差の小さいコンフォーマルな成膜がなされたことが分かる。

また、塩素ラジカルのみ供給したサイクル数が５回の実施例３の場合では、ＢＴＭ、ＴＯＰ−Ｓ、ＴＯＰ−Ｒ、ＴＯＰの膜厚が総て約１０ｎｍとなっており、膜厚差が殆ど無いことが分かる。膜厚が最大のＢＴＭ（約１０．５ｎｍ）と最小のＴＯＰ（約８．５ｎｍ）との差も２ｎｍ程度となり、トレンチの上下で膜厚差が殆ど無いコンフォーマルな成膜がなされたことが分かる。

このように、塩素ラジカル吸着工程の時間を長くすればする程、コンフォーマルな成膜が可能となる。しかしながら、図１５（ｂ）に示される通り、同一サイクル数（同一時間）に成膜される膜厚も小さくなるので、生産性は若干低下することになる。よって、塩素ラジカル吸着工程のサイクル数、又は継続時間は、コンフォーマルな成膜を行う必要性と、生産性との間で、用途に応じて適宜バランスを考慮して定めることが好ましい。

図１６は、実施例１〜３に係るシリコン窒化膜の成膜方法の実施結果を示したＳＥＭ画像である。図１６（ａ）は実施例１、図１６（ｂ）は実施例２、図１６（ｃ）は実施例３の実施結果をそれぞれ示している。

図１６（ｃ）に示されるように、塩素ラジカル吸着工程のサイクル数の最も多い実施例３の成膜結果が最もトレンチの形状に沿ったコンフォーマルな成膜となっている。

一方、図１６（ｂ）に示されるように、塩素ラジカル吸着工程のサイクル数が中間の最も少ない実施例２においても、相当にトレンチの形状に沿ったコンフォーマルな成膜となっていることが分かる。

図１６（ａ）に示されるように、塩素ラジカル吸着工程のサイクル数の最も少ない実施例１の成膜結果は、図１６（ｂ）、（ｃ）と比較すると、コンフォーマル度はやや低下している。しかしながら、全体としてはトレンチの形状に沿っており、トレンチの開口を塞ぐこと無く成膜がなされており、通常の成膜と比較すると、コンフォーマルな成膜がなされていると言える。

このように、本実施例に係るシリコン窒化膜の成膜方法によれば、ウエハＷの表面形状に沿ったコンフォーマルなシリコン窒化膜の成膜が可能であることが示された。また、塩素ラジカル吸着工程のサイクル数、継続時間の調整により、コンフォーマル度を調整でき、用途に応じた成膜を行うことが可能であることが示された。

図１７は、塩素ラジカル吸着工程を有する本実施形態に係るシリコン窒化膜の成膜方法と、塩素ラジカル吸着工程を有しない従来のシリコン窒化膜の成膜方法により得られたシリコン窒化膜の膜質を比較した結果を示した図である。

図１７において、横軸は、成膜時のウエハＷの温度、回転テーブル２の回転速度、プラズマ発生器９０の有無及び塩素ラジカル供給の有無の条件を示している。縦軸は、左側がシリコン窒化膜をエッチングしたときのエッチングレート（ｎｍ／ｍｉｎ）を示し、右側が膜密度（ｇ／ｃｍ^３）を示している。なお、棒グラフがエッチングレートを示し、折れ線グラフが膜密度を示す。最も左側の棒グラフはシリコン酸化膜のエッチングレートを示した比較例であり、左から２番目と３番目の棒グラフが従来の成膜方法による結果を示し、右から１番目と２番目が本実施形態に係る成膜方法の結果を示す。

図１７の横軸に記載されている通り、従来の成膜方法では塩素ラジカルが供給されず、回転テーブル２の回転速度は１０ｒｐｍと５ｒｐｍの２通りについて成膜を実施した。また、本実施形態においては、リモートプラズマにより生成した塩素ラジカルを５ｓｃｃｍの流量で供給し、回転テーブル２の回転速度が１０ｒｐｍと５ｒｐｍの２通りについて成膜を実施した。

棒グラフに示される通り、エッチングレートについては、回転速度１０ｒｐｍ、５ｒｐｍの双方において、本実施形態に係るシリコン窒化膜の成膜方法により成膜されたシリコン窒化膜のエッチングレートが明らかに小さく、エッチングされ難い高品質の成膜がなされていることが分かる。

また、折れ線グラフに示される通り、膜密度についても、回転速度１０ｒｐｍ、５ｒｐｍの双方において右側の方が高くなり、本実施形態に係る成膜方法により成膜されたシリコン窒化膜の密度の方が、従来の成膜方法により成膜されたシリコン窒化膜よりも密度が高いことが分かる。即ち、高密度で緻密な成膜がなされており、従来よりも高品質なシリコン窒化膜が得られていることが示された。

このように、図１７から、本実施形態に係るシリコン窒化膜の成膜方法及び成膜装置によれば、エッチングされ難く、緻密で高品質なシリコン窒化膜を成膜することが可能であることが示された。

なお、本実施形態及び本実施例において、塩素ラジカル吸着工程が複数サイクルに対して原料ガス吸着工程及び窒化工程が１サイクルの例を挙げて説明したが、塩素ラジカル吸着工程のサイクル数が原料ガス吸着工程及び窒化工程のサイクル数を上回っていれば、生産性を考慮して、原料ガス吸着工程及び窒化工程を複数サイクルとすることも可能である。但し、コンフォーマル度を重視する場合には、塩素ラジカル吸着工程複数回に対し、原料ガス吸着工程及び窒化工程は１回であることが好ましい。

以上、本発明の好ましい実施形態及び実施例について詳説したが、本発明は、上述した実施形態及び実施例に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施形態及び実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。

１ 真空容器
２ 回転テーブル
４ 凸状部
５ 突出部
７ ヒータユニット
１１ 天板
１２ 容器本体
１５ 搬送口
２４ 凹部
３１〜３３ 反応ガスノズル
４１、４２ 分離ガスノズル
８０、９０ プラズマ発生器
９１ プラズマ生成部
９３ シャワーヘッド部
１３０〜１３２ ガス供給源
Ｐ１〜Ｐ３ 処理領域
Ｗ ウエハ

Claims (20)

1. 基板の表面上にシリコン窒化膜を成膜するシリコン窒化膜の成膜方法であって、
   基板の表面に塩素ラジカルを吸着させ、塩素を含有するガスが前記基板の表面にコンフォーマルに吸着するような吸着阻害領域を形成する工程と、
   前記吸着阻害領域が形成された前記基板の表面にシリコン及び塩素を含有する原料ガスを吸着させる工程と、
   前記原料ガスが吸着した前記基板の表面に、プラズマにより活性化された窒化ガスを供給してシリコン窒化膜を堆積させる工程と、を有するシリコン窒化膜の成膜方法。
2. 前記吸着阻害領域を形成する工程は、前記原料ガスを吸着させる工程及び前記シリコン窒化膜を堆積させる工程よりも長時間行われる請求項１に記載のシリコン窒化膜の成膜方法。
3. 前記塩素ラジカルは、リモートプラズマ装置を用いて生成される請求項１又は２に記載のシリコン窒化膜の成膜方法。
4. 前記活性化された窒化ガスは誘導結合型プラズマにより活性化される請求項１乃至３のいずれか一項に記載のシリコン窒化膜の成膜方法。
5. 前記基板には凹凸パターンが形成され、前記吸着阻害領域は、前記原料ガスが前記凹凸パターンの形状に沿ってコンフォーマルに吸着するように形成される請求項１乃至４のいずれか一項に記載のシリコン窒化膜の成膜方法。
6. 前記凹凸パターンはトレンチ又はビアを含み、前記吸着阻害領域は、前記原料ガスが前記トレンチ又はビアの深さ方向においてコンフォーマルに吸着するように形成される請求項５に記載のシリコン窒化膜の成膜方法。
7. 前記吸着阻害領域を形成する工程、前記原料ガスを吸着させる工程及び前記シリコン窒化膜を堆積させる工程を１サイクルとし、該１サイクルが複数サイクル繰り返される請求項１乃至６のいずれか一項に記載のシリコン窒化膜の成膜方法。
8. 前記吸着阻害領域を形成する工程と前記原料ガスを吸着させる工程との間、及び前記原料ガスを吸着させる工程と前記シリコン窒化膜を堆積させる工程との間に、前記基板の表面にパージガスを供給する工程を更に有する請求項７に記載のシリコン窒化膜の成膜方法。
9. １回目の前記吸着阻害領域を形成する工程の前に、前記基板の表面にプラズマにより活性化された窒化ガスを供給して前記基板の表面を窒化する工程を更に有する請求項８に記載のシリコン窒化膜の成膜方法。
10. 前記基板は、処理室内に設けられた回転テーブルの表面上の周方向に沿って載置され、
    前記回転テーブルに前記塩素ラジカルを供給可能な塩素ラジカル吸着領域、前記回転テーブルに前記パージガスを可能な第１のパージ領域、前記回転テーブルに前記原料ガスを供給可能な原料ガス吸着領域、前記回転テーブルに前記パージガスを供給可能な第２のパージ領域、前記回転テーブルに前記活性化された窒化ガスを供給可能な窒化領域が前記回転テーブルの前記周方向に沿って前記回転テーブルの上方に設けられ、
    前記塩素ラジカル吸着領域で前記塩素ラジカル、前記第１及び第２のパージ領域で前記パージガスを供給し、前記原料ガス吸着領域で前記原料ガス、前記窒化領域で前記活性化された窒化ガスを供給しない状態で前記回転テーブルを第１の所定回数回転させて前記吸着阻害領域を形成する工程を実施し、
    前記塩素ラジカル吸着領域で前記塩素ラジカル、前記第１及び第２のパージ領域で前記パージガス、前記原料ガス吸着領域で前記原料ガス、前記窒化領域で前記活性化された窒化ガスを供給した状態で前記回転テーブルを第２の所定回数回転させて前記原料ガスを吸着させる工程及び前記シリコン窒化膜を堆積させる工程を実施する請求項８又は９に記載のシリコン窒化膜の成膜方法。
11. 前記第１の所定回数は、前記第２の所定回数以上である請求項１０に記載のシリコン窒化膜の成膜方法。
12. 前記第２の所定回数は１回である請求項１０又は１１に記載のシリコン窒化膜の成膜方法。
13. 前記吸着阻害領域の大きさは、前記第１の所定回数により調整される請求項１０乃至１２のいずれか一項に記載のシリコン窒化膜の成膜方法。
14. 前記塩素ラジカル吸着領域、前記第１のパージ領域、前記原料ガス吸着領域、前記第２のパージ領域及び前記窒化領域は前記回転テーブルの回転方向に沿って配置されている請求項１０乃至１３のいずれか一項に記載のシリコン窒化膜の成膜方法。
15. 前記塩素ラジカルは、シャワーヘッドにより供給される請求項１０乃至１４のいずれか一項に記載のシリコン窒化膜の成膜方法。
16. 前記窒化ガスはアンモニア含有ガスである請求項１乃至１５のいずれか一項に記載のシリコン窒化膜の成膜方法。
17. 前記原料ガスはジクロロシランである請求項１乃至１６のいずれか一項に記載のシリコン窒化膜の成膜方法。
18. 処理室と、
    該処理室内に設けられ、表面上に基板を載置可能な基板載置領域を有する回転テーブルと、
    該回転テーブル上に回転方向に沿って所定領域に設けられ、前記回転テーブル上に塩素ラジカルを供給可能な塩素ラジカル供給領域と、
    前記回転テーブル上であって、該塩素ラジカル供給領域の前記回転方向における下流側に設けられ、前記回転テーブル上にシリコン及び塩素を含有する原料ガスを供給可能な原料ガス供給領域と、
    前記回転テーブル上であって、該原料ガス供給領域の前記回転方向における下流側に設けられ、前記回転テーブル上に活性化された窒化ガスを供給可能な窒化ガス供給領域と、
    前記塩素ラジカル供給領域において前記回転テーブル上に前記塩素ラジカルを供給するとともに、前記原料ガス供給領域における前記原料ガス及び前記窒化ガス供給領域における前記活性化された窒化ガスの供給を停止させて前記回転テーブルを第１の所定回数回転させる塩素ラジカル吸着工程と、前記塩素ラジカル供給領域において前記回転テーブル上に前記塩素ラジカルを供給するとともに、前記原料ガス供給領域において前記原料ガス及び前記窒化ガス供給領域において前記活性化された窒化ガスを前記回転テーブルに供給して前記回転テーブルを第２の所定回数回転させる成膜工程と、を交互に実行する制御を行う制御手段と、を有する成膜装置。
19. 前記塩素ラジカル供給領域に前記塩素ラジカルを供給可能なリモートプラズマ装置と、
    前記窒化ガス供給領域に前記活性化された窒化ガスを供給可能な誘導型プラズマ発生装置と、を有する請求項１８に記載の成膜装置。
20. 前記制御手段は、前記第１の所定回数が前記第２の所定回数以上となるように前記回転テーブルの回転を制御する請求項１８又は１９に記載の成膜装置。

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