JP6759732B2 - Debris trap and light source device - Google Patents

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Description

本発明は、高温プラズマから放出されるデブリを捕捉するデブリトラップ、およびそのデブリトラップを備える光源装置に関する。 The present invention relates to a debris trap that captures debris emitted from high-temperature plasma, and a light source device including the debris trap.

近年、半導体集積回路の微細化、高集積化につれて、露光用光源の短波長化が進められている。次世代の半導体露光用光源としては、特に波長１３．５ｎｍの極端紫外光（以下、「ＥＵＶ（Extreme Ultra Violet）光」ともいう。）を放射する極端紫外光光源装置（以下、「ＥＵＶ光源装置」ともいう。）の開発が進められている。
ＥＵＶ光源装置において、ＥＵＶ光を発生させる方法はいくつか知られているが、そのうちの一つに極端紫外光放射種（以下、「ＥＵＶ放射種」という。）を加熱して励起することにより高温プラズマを発生させ、その高温プラズマからＥＵＶ光を取り出す方法がある。このようなＥＵＶ光源装置では、高温プラズマから種々のデブリが発生するため、当該デブリを捕捉するために、ホイルトラップ（フォイル・トラップ）を用いるのが一般的である。 In recent years, as semiconductor integrated circuits have become finer and more integrated, the wavelength of exposure light sources has been shortened. As a next-generation semiconductor exposure light source, an extreme ultraviolet light source device (hereinafter, “EUV light source device”) that emits extreme ultraviolet light having a wavelength of 13.5 nm (hereinafter, also referred to as “EUV (Extreme Ultra Violet) light”). ”) Is under development.
There are several known methods for generating EUV light in an EUV light source device, and one of them has a high temperature by heating and exciting an extreme ultraviolet light emitting species (hereinafter referred to as "EUV emitting species"). There is a method of generating plasma and extracting EUV light from the high temperature plasma. In such an EUV light source device, various debris are generated from high-temperature plasma, and therefore, a foil trap (foil trap) is generally used to capture the debris.

デブリトラップとしては、例えば、特許文献１に記載の技術がある。この技術は、回転機能を有するホイルトラップ（回転式ホイルトラップ）と、回転せず固定されたホイルトラップ（固定式ホイルトラップ）とを備えるものである。
回転式ホイルトラップは、中央に配置された回転軸を中心として、半径方向に放射状に配置された複数のホイル（薄膜や薄い平板）を備え、上記回転軸を中心に複数のホイルを回転させることでプラズマから飛来するデブリを捕捉する。ここで、上記回転軸は、例えば、プラズマの略中心を貫通する軸である。 As the debris trap, for example, there is a technique described in Patent Document 1. This technique includes a foil trap (rotary foil trap) having a rotating function and a foil trap (fixed foil trap) that is fixed without rotating.
The rotary foil trap includes a plurality of foils (thin films or thin flat plates) arranged radially in a radial direction around a rotation axis arranged in the center, and rotates the plurality of foils around the rotation axis. Captures debris coming from the plasma. Here, the rotation axis is, for example, an axis penetrating the substantially center of the plasma.

固定式ホイルトラップは、回転式ホイルトラップにより捕捉しきれなかった高速で進行するデブリを捕捉する。固定式ホイルトラップは、回転式ホイルトラップの回転軸と同一軸上に中心軸を有し、当該中心軸から半径方向に放射状に配置された複数のホイル（薄膜や薄い平板）を備える。固定式ホイルトラップの複数のホイルは、配置された空間を細かく分割することにより、その部分のコンダクタンスを下げて圧力を上げる働きをする。すなわち、回転式ホイルトラップで捕捉しきれなかった高速のデブリは、固定式ホイルトラップにおける圧力が上がった領域で衝突確率が上がるために速度が低下し、固定式ホイルトラップのホイルやホイルの支持体によって捕捉されやすくなる。 The fixed foil trap captures fast-moving debris that could not be captured by the rotary foil trap. The fixed foil trap has a central axis on the same axis as the rotation axis of the rotary wheel trap, and includes a plurality of foils (thin films or thin flat plates) arranged radially from the central axis. The plurality of wheels of the fixed foil trap work to reduce the conductance of the arranged space and increase the pressure by subdividing the arranged space. That is, high-speed debris that could not be captured by the rotary wheel trap slows down due to the increased collision probability in the region where the pressure in the fixed wheel trap increases, and the foil or foil support of the fixed wheel trap. Is easier to capture.

特表２０１２−５１３６５３号公報Special Table 2012-513653

上述したように、固定式ホイルトラップは、ホイル間の圧力が上がった領域で高速に進行するデブリを捕捉する。このデブリの捕捉確率は、ホイル間の圧力に依存する。
そこで、本発明は、デブリの捕捉確率をより向上させることができるデブリトラップ、およびそれを備えた光源装置を提供することを課題としている。 As mentioned above, the fixed foil trap captures fast-moving debris in areas of increased pressure between the wheels. The probability of capturing this debris depends on the pressure between the foils.
Therefore, an object of the present invention is to provide a debris trap capable of further improving the probability of capturing debris, and a light source device provided with the debris trap.

上記課題を解決するために、本発明に係るデブリトラップの一態様は、プラズマの近傍に配置され、前記プラズマから放射される光を通過し、当該プラズマから発生するデブリを捕捉するデブリトラップであって、複数のホイルと、前記複数のホイルを固定する固定部材と、前記光の通過方向における上流側および下流側にそれぞれ前記ホイルが存在し、少なくとも前記光の通過領域において前記ホイルが存在しない内部空間と、前記固定部材に設けられ、前記内部空間に前記光に対して透明な透明ガスを導入可能なガス導入口と、を有する固定式ホイルトラップを備え、前記上流側に存在する前記ホイルで区画された区画空間のコンダクタンスが、前記下流側の前記ホイルで区画された区画空間のコンダクタンスよりも大きい。 In order to solve the above problems, one aspect of the debris trap according to the present invention is a debris trap that is arranged in the vicinity of a plasma, passes light emitted from the plasma, and captures debris generated from the plasma. A plurality of foils, a fixing member for fixing the plurality of foils, and the inside in which the foils are present on the upstream side and the downstream side in the light passing direction, respectively, and the foils are not present in at least the light passing region. The foil existing on the upstream side is provided with a fixed foil trap having a space and a gas introduction port provided in the fixing member and capable of introducing a transparent gas transparent to the light into the internal space. The conductance of the partitioned compartment space is greater than the conductance of the compartmentalized space partitioned by the foil on the downstream side .

このように、固定式ホイルトラップにガスを供給することにより、固定式ホイルトラップ内部における圧力を上げることができる。また、固定式ホイルトラップ内に内部空間を設け、当該内部空間にガスを導入することで、内部空間においてガス圧力を均一化したあと、複数のホイルによって区画された各区画空間に等圧力でガスを供給することができる。したがって、光の通過領域におけるガス圧力分布を均一化することができると共に、光の通過領域におけるガス圧力を十分確保することができる。固定式ホイルトラップにおけるデブリ捕捉能力に空間的な分布（不均一性）が生じることを抑制しつつ、デブリ捕捉能力を向上させることができる。さらに、上流側に存在するホイルで区画された区画空間のコンダクタンスを、下流側のホイルで区画された区画空間のコンダクタンスよりも大きくするので、光の通過領域における下流側の空間のガス圧力をより低くすることができる。
上記のデブリトラップにおいて、前記複数のホイルは、前記光の通過領域における前記上流側に配置された複数の第一のホイルと、前記光の通過領域における前記下流側に、前記複数の第一のホイルに対して所定距離離間させて配置された複数の第二のホイルと、を有し、前記内部空間は、前記第一のホイルと前記第二のホイルとによって形成される空間であって、前記複数のホイルは、前記第一のホイルと前記第二のホイルとが前記光線方向を含む同一平面内に配置された一組のホイル組を複数有する構成であり、前記光線方向における前記第一のホイルの長さが、前記光線方向における前記第二のホイルの長さよりも短く設定されていてもよい。 また、上記のデブリトラップにおいて、前記複数のホイルは、前記光の通過領域における前記上流側に配置された複数の第一のホイルと、前記光の通過領域における前記下流側に、前記複数の第一のホイルに対して所定距離離間させて配置された複数の第二のホイルと、を有し、前記内部空間は、前記第一のホイルと前記第二のホイルとによって形成される空間であって、前記第二のホイルの枚数は、前記第一のホイルの枚数よりも多く、前記光線方向における前記第一のホイルの長さと、前記光線方向における前記第二のホイルの長さとが等しく設定されていてもよい。
さらに、上記のデブリトラップにおいて、前記複数のホイルは、それぞれ開口部を有し、前記内部空間は、前記複数のホイルの前記開口部によって形成される空間であり、前記開口部の中心位置から前記ホイルの前記光線方向における上流側端部までの長さが、前記開口部の中心位置から前記ホイルの前記光線方向における下流側端部までの長さよりも短く設定されていてもよい。
一般に、デブリの除去性能は、単位体積中の上記ガスの分子数Ｎとデブリの移動距離Ｄの積ＮＤに依存する傾向がある。この積ＮＤが小さいと、高速デブリの減速効果が小さくなり、デブリの除去性能は不十分となる。ここで光源（高温プラズマ）の形状の変化が小さい場合、デブリの移動距離Ｄはほぼ一定となるので、十分なデブリの除去性能を得るには、ガスの分子数Ｎを大きくする必要がある。すなわち、固定式ホイルトラップに導入するガスの供給量を増加させて、ガス圧力を高くする必要がある。
一方、ガス圧力が高くなると、ガス圧力の高い空間を透過するプラズマからの光の光強度は減衰する。第二のホイルの光出射側には、プラズマから放出された光の整形や光路変更等を行うための光学系が配置されることが多い。そのため、光学系にデブリが到達しないように、できるだけデブリを第二のホイルの光入射側より前方で（すなわち、光の通過領域における上流側の空間で）デブリを除去することが望ましい。この場合、光の通過領域における上流側の空間のデブリ除去性能を確保するために、ガスの供給量はより大きくなる。ガスの供給量が大きくなると、第二のホイル部分（すなわち、光の通過領域における下流側の空間）でのガス圧力も大きくなり、結果として、デブリトラップにおける光強度の減衰が大きくなる。しかしながら、上記のように構成することにより、光の通過領域における下流側の空間のガス圧力をより低くすることができるので、これにより、光強度の減衰を抑制することができる。 By supplying gas to the fixed foil trap in this way, the pressure inside the fixed foil trap can be increased. In addition, an internal space is provided in the fixed foil trap, and gas is introduced into the internal space to make the gas pressure uniform in the internal space, and then the gas is equal to each compartment space partitioned by a plurality of foils. Can be supplied. Therefore, the gas pressure distribution in the light passing region can be made uniform, and the gas pressure in the light passing region can be sufficiently secured. It is possible to improve the debris capture capacity while suppressing the occurrence of spatial distribution (non-uniformity) in the debris capture capacity of the fixed foil trap. In addition, the conductance of the foil-partitioned compartment space on the upstream side is greater than the conductance of the foil-partitioned compartment space on the downstream side, thus increasing the gas pressure in the downstream space in the light passage region. Can be lowered.
In the debris trap, the plurality of foils are the plurality of first foils arranged on the upstream side in the light passing region and the plurality of first foils on the downstream side in the light passing region. It has a plurality of second foils arranged at a predetermined distance from the foil, and the internal space is a space formed by the first foil and the second foil. The plurality of foils have a configuration in which the first foil and the second foil have a plurality of sets of foils arranged in the same plane including the ray direction, and the first foil in the ray direction. The length of the foil may be set shorter than the length of the second foil in the ray direction. Further, in the debris trap, the plurality of foils are the plurality of first foils arranged on the upstream side in the light passing region and the plurality of first foils arranged on the downstream side in the light passing region. It has a plurality of second foils arranged at a predetermined distance from one foil, and the internal space is a space formed by the first foil and the second foil. The number of the second foil is larger than the number of the first foil, and the length of the first foil in the light ray direction is set to be equal to the length of the second foil in the light ray direction. It may have been.
Further, in the debris trap, the plurality of foils each have an opening, and the internal space is a space formed by the openings of the plurality of foils, and the space is formed from the center position of the openings. The length of the foil to the upstream end in the ray direction may be set shorter than the length from the center position of the opening to the downstream end of the foil in the ray direction.
In general, the debris removal performance tends to depend on the product ND of the number of molecules N of the gas in a unit volume and the moving distance D of the debris. If this product ND is small, the deceleration effect of high-speed debris becomes small, and the debris removal performance becomes insufficient. Here, when the change in the shape of the light source (high temperature plasma) is small, the moving distance D of the debris becomes almost constant. Therefore, in order to obtain sufficient debris removal performance, it is necessary to increase the number N of gas molecules. That is, it is necessary to increase the gas supply amount to be introduced into the fixed foil trap to increase the gas pressure.
On the other hand, when the gas pressure becomes high, the light intensity of the light from the plasma transmitted through the space where the gas pressure is high is attenuated. On the light emitting side of the second foil, an optical system for shaping the light emitted from the plasma, changing the optical path, and the like is often arranged. Therefore, it is desirable to remove the debris as much as possible in front of the light incident side of the second foil (that is, in the space on the upstream side in the light passing region) so that the debris does not reach the optical system. In this case, the amount of gas supplied becomes larger in order to secure the debris removal performance of the space on the upstream side in the light passing region. As the amount of gas supplied increases, the gas pressure in the second foil portion (that is, the space on the downstream side in the light passing region) also increases, and as a result, the attenuation of the light intensity in the debris trap increases. However, with the above configuration, the gas pressure in the space on the downstream side in the light passing region can be made lower, so that the attenuation of the light intensity can be suppressed.

また、上記のデブリトラップにおいて、前記ガス導入口は、前記固定部材における前記固定式ホイルトラップを通過する前記光の主光線方向を挟んで対向する面に、それぞれ設けられていてもよい。さらに、上記のデブリトラップにおいて、前記ガス導入口は、前記固定部材の全周に設けられていてもよい。
これにより、内部空間におけるガス圧力をより均一化することができる。なお、複数のガス導入口からそれぞれ供給されるガスの供給量に偏差があったとしても、その影響は、バッファ空間として機能する内部空間により吸収されるため、ガス供給量を高精度に制御する必要がない。 Further, in the above-mentioned debris trap, the gas introduction port may be provided on the surfaces of the fixing member facing each other with the main ray direction of the light passing through the fixed foil trap. Further, in the above-mentioned debris trap, the gas introduction port may be provided on the entire circumference of the fixing member.
As a result, the gas pressure in the internal space can be made more uniform. Even if there is a deviation in the amount of gas supplied from each of the multiple gas inlets, the effect is absorbed by the internal space that functions as a buffer space, so the amount of gas supplied is controlled with high accuracy. There is no need.

さらに、上記のデブリトラップにおいて、前記複数のホイルは、前記固定式ホイルトラップを通過する前記光の主光線方向に直交する断面において、それぞれ等間隔に配置されていてもよい。この場合、固定式ホイルトラップにおける光の透過率およびデブリの捕捉確率を、光の通過領域において適切に均一化することができる。
また、上記のデブリトラップにおいて、前記固定式ホイルトラップは、前記プラズマから放射される光の一部を所定の立体角で取り出した光線束を通過し、前記光線束の進行方向に進行するデブリを捕捉するものであり、前記複数のホイルは、前記光線束の通過領域に相当する大きさを有していてもよい。この場合、固定式ホイルトラップが必要以上に大きくなることを抑制することができ、その分のコストを削減することができる。 Further, in the above debris trap, the plurality of foils may be arranged at equal intervals in a cross section orthogonal to the main ray direction of the light passing through the fixed foil trap. In this case, the light transmittance and the debris capture probability in the fixed foil trap can be appropriately made uniform in the light passing region.
Further, in the above-mentioned debris trap, the fixed foil trap passes through a light beam bundle obtained by extracting a part of the light emitted from the plasma at a predetermined solid angle, and debris traveling in the traveling direction of the light beam bundle. The foils are to be captured, and the plurality of foils may have a size corresponding to a passing region of the light beam bundle. In this case, it is possible to prevent the fixed foil trap from becoming larger than necessary, and it is possible to reduce the cost accordingly.

さらに、上記のデブリトラップにおいて、前記プラズマを通る軸を回転軸として回転可能な複数の回転ホイルと、前記回転軸上に配置され前記回転ホイルを支持する支持部材と、を有し、前記固定式ホイルトラップに対して前記回転軸方向に並設される回転式ホイルトラップをさらに備えていてもよい。この場合、プラズマから発生するデブリのうち、回転式ホイルトラップにおいて比較的低速で進行するデブリを捕捉し、固定式ホイルトラップにおいて、回転式ホイルトラップにより捕捉しきれなかった高速で進行するデブリを捕捉することができる。
また、本発明に係る光源装置の一態様は、上記のいずれかのデブリトラップと、前記光を放射する原料を励起し、プラズマを発生させるプラズマ発生部と、を備える。これにより、プラズマから発生するデブリを適切に捕捉することができる光源装置とすることができる。 Further, the debris trap has a plurality of rotating wheels that can rotate around an axis passing through the plasma as a rotating axis, and a support member that is arranged on the rotating axis and supports the rotating foil. A rotary wheel trap that is juxtaposed with respect to the wheel trap in the direction of the rotation axis may be further provided. In this case, among the debris generated from the plasma, the rotary wheel trap captures the debris that progresses at a relatively low speed, and the fixed wheel trap captures the debris that progresses at a high speed that cannot be captured by the rotary wheel trap. can do.
Further, one aspect of the light source device according to the present invention includes any of the above-mentioned debris traps and a plasma generating unit that excites the raw material that emits light and generates plasma. This makes it possible to obtain a light source device capable of appropriately capturing debris generated from plasma.

本発明のデブリトラップでは、固定式ホイルトラップにおけるデブリの捕捉確率をより向上させることができる。 In the debris trap of the present invention, the probability of capturing debris in the fixed foil trap can be further improved.

本実施形態の極端紫外光光源装置を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the extreme ultraviolet light source apparatus of this embodiment. デブリトラップの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the debris trap. 回転式ホイルトラップの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of a rotary wheel trap. 第一の実施形態における固定式ホイルトラップの正面図である。It is a front view of the fixed foil trap in the 1st Embodiment. 図４の固定式ホイルトラップの側面図である。It is a side view of the fixed foil trap of FIG. 図４の固定式ホイルトラップの上面図である。It is a top view of the fixed foil trap of FIG. ホイルトラップへのガス供給方法の一例である。This is an example of a gas supply method for a wheel trap. 比較例における固定式ホイルトラップの正面図である。It is a front view of the fixed foil trap in the comparative example. 比較例における固定式ホイルトラップの側面図である。It is a side view of the fixed foil trap in the comparative example. 比較例における固定式ホイルトラップの上面図である。It is a top view of the fixed foil trap in the comparative example. ガス圧力と極端紫外光強度との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between a gas pressure and extreme ultraviolet light intensity. 第二の実施形態における固定式ホイルトラップの側面図である。It is a side view of the fixed foil trap in the second embodiment. 第三の実施形態における固定式ホイルトラップの上面図である。It is a top view of the fixed foil trap in the third embodiment. 固定式ホイルトラップの別の例を示す正面図である。It is a front view which shows another example of a fixed foil trap. 図１４の固定式ホイルトラップの上面図である。It is a top view of the fixed foil trap of FIG.

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
（第一の実施形態）
図１は、本実施形態の光源装置を示す概略構成図である。本実施形態では、光源装置が極端紫外光光源装置（ＥＵＶ光源装置）１００である場合について説明する。
本実施形態におけるＥＵＶ光源装置１００は、例えばマスク検査装置用の光源装置である。このＥＵＶ光源装置１００は、例えば、ＥＵＶ光を用いた半導体露光に用いられるマスクの欠陥を検査するためのマスク検査装置に対して検査光を放出する。当該マスク検査装置の検査対象は、例えば、低熱膨張ガラス基板上にモリブデン（Ｍｏ）膜とシリコン（Ｓｉ）膜とを交互に積層してなるＥＵＶ反射用の多層膜が形成されたマスクブランクス上に、ＥＵＶを吸収する材料からなる吸収体パターンが形成される反射型マスクである。マスク検査装置は、ＥＵＶ光源装置１００から放出される光を検査光として、上記マスクのブランクス検査やパターン検査を行う。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
(First Embodiment)
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a light source device of the present embodiment. In this embodiment, a case where the light source device is an extreme ultraviolet light source device (EUV light source device) 100 will be described.
The EUV light source device 100 in this embodiment is, for example, a light source device for a mask inspection device. The EUV light source device 100 emits inspection light to, for example, a mask inspection device for inspecting a defect of a mask used for semiconductor exposure using EUV light. The inspection target of the mask inspection device is, for example, on a mask blank having a multilayer film for EUV reflection formed by alternately laminating molybdenum (Mo) film and silicon (Si) film on a low thermal expansion glass substrate. , A reflective mask in which an absorber pattern made of a material that absorbs EUV is formed. The mask inspection device uses the light emitted from the EUV light source device 100 as inspection light to perform blank inspection and pattern inspection of the mask.

ＥＵＶ光源装置１００は、例えば波長１３．５ｎｍの極端紫外光（ＥＵＶ光）を放出する装置である。
本実施形態のＥＵＶ光源装置１００は、ＤＰＰ方式のＥＵＶ光源装置である。より具体的には、ＥＵＶ光源装置１００は、放電を発生させる電極表面に供給された高温プラズマ原料に対してレーザビーム等のエネルギービームを照射して当該高温プラズマ原料を気化し、その後、放電によって高温プラズマを発生するＬＤＰ方式のＥＵＶ光源装置である。
なお、高温プラズマ原料を適宜選択し、当該高温プラズマ原料を励起する条件を調整することにより、上記光源装置において、高温プラズマから真空紫外光（１０ｎｍ〜２００ｎｍ）やＸ線（軟Ｘ線〜硬Ｘ線：１０ｐｍ〜１０ｎｍ）を取り出すことも可能である。 The EUV light source device 100 is a device that emits extreme ultraviolet light (EUV light) having a wavelength of, for example, 13.5 nm.
The EUV light source device 100 of the present embodiment is a DPP type EUV light source device. More specifically, the EUV light source device 100 irradiates an energy beam such as a laser beam on a high-temperature plasma raw material supplied to the surface of an electrode that generates an electric discharge to vaporize the high-temperature plasma raw material, and then discharges the high-temperature plasma raw material. This is an LDP-type EUV light source device that generates high-temperature plasma.
By appropriately selecting a high-temperature plasma raw material and adjusting the conditions for exciting the high-temperature plasma raw material, vacuum ultraviolet light (10 nm to 200 nm) and X-rays (soft X-ray to hard X) and X-rays (soft X-ray to hard X) can be obtained from the high temperature plasma in the above light source device. It is also possible to take out a line (10 pm to 10 nm).

ＥＵＶ光源装置１００は、図１に示すように、放電容器であるチャンバ１１を有する。チャンバ１１は、開口を有する隔壁１１ａによって、大きく２つの空間に分割されている。一方の空間は放電空間１１ｂであり、他方の空間は集光空間１１ｃである。放電空間１１ｂには、各々独立して回転可能な一対の放電電極２１ａ，２１ｂが互いに離間して対向配置されている。放電電極２１ａ，２１ｂは、ＥＵＶ放射種を含む高温プラズマ原料を加熱して励起するためのものである。放電空間１１ｂの圧力は、高温プラズマ原料を加熱励起するための放電が良好に発生するように、真空雰囲気に維持されている。 As shown in FIG. 1, the EUV light source device 100 has a chamber 11 which is a discharge container. The chamber 11 is roughly divided into two spaces by a partition wall 11a having an opening. One space is the discharge space 11b and the other space is the light collection space 11c. In the discharge space 11b, a pair of independently rotatable discharge electrodes 21a and 21b are arranged so as to face each other so as to be separated from each other. The discharge electrodes 21a and 21b are for heating and exciting a high-temperature plasma raw material containing EUV radiant species. The pressure in the discharge space 11b is maintained in a vacuum atmosphere so that a discharge for heating and exciting the high temperature plasma raw material is satisfactorily generated.

集光空間１１ｃには、凹面鏡１２と、デブリトラップ１３と、アパーチャ部材１５とが配置されている。
凹面鏡１２は、例えば楕円面鏡や放物面鏡であり、高温プラズマ原料が加熱励起されることで放出されるＥＵＶ光を、チャンバ１１に設けられたＥＵＶ取出部１１ｄから、例えばマスク検査装置のマスク検査部へ導くものである。凹面鏡１２の基体材料は、例えば、ニッケル（Ｎｉ）等である。波長が非常に短いＥＵＶ光を反射させるため、凹面鏡１２の反射面は、非常に良好な平滑面として構成される。この平滑面に施される反射材は、例えば、ルテニウム（Ｒｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、およびロジウム（Ｒｈ）などの金属膜である。凹面鏡１２の反射面には、このような金属膜が緻密にコーティングされている。 A concave mirror 12, a debris trap 13, and an aperture member 15 are arranged in the condensing space 11c.
The concave mirror 12 is, for example, an ellipsoidal mirror or a parabolic mirror, and emits EUV light emitted by heating and exciting a high-temperature plasma raw material from an EUV extraction unit 11d provided in the chamber 11, for example, a mask inspection device. It leads to the mask inspection department. The substrate material of the concave mirror 12 is, for example, nickel (Ni) or the like. Since EUV light having a very short wavelength is reflected, the reflecting surface of the concave mirror 12 is configured as a very good smooth surface. The reflective material applied to the smooth surface is, for example, a metal film such as ruthenium (Ru), molybdenum (Mo), and rhodium (Rh). Such a metal film is densely coated on the reflective surface of the concave mirror 12.

凹面鏡１２とＥＵＶ取出部１１ｄとの間には、着脱自在のモニタ用ミラー（不図示）が必要に応じて挿入される。このモニタ用ミラーによってＥＵＶ光の一部が採取されて不図示のＥＵＶモニタに導光されることで、ＥＵＶ光の強度がモニタされる。モニタの結果は制御部４０に送られる。また、凹面鏡１２には不図示の位置調整機構が備えられており、チャンバ１１内を真空雰囲気に保ったままで凹面鏡１２の位置を調整することができる。
デブリトラップ１３は、放電によるプラズマ生成の結果生じるデブリを捕捉し、ＥＵＶ光のみを通過させるような働きをするものである。デブリトラップ１３は、回転式ホイルトラップ１３ａと固定式ホイルトラップ１３ｂとを備える。デブリトラップ１３の具体的構成については後で詳述する。 A detachable monitor mirror (not shown) is inserted between the concave mirror 12 and the EUV extraction unit 11d as needed. The intensity of EUV light is monitored by collecting a part of EUV light by this monitor mirror and guiding it to an EUV monitor (not shown). The result of the monitor is sent to the control unit 40. Further, the concave mirror 12 is provided with a position adjusting mechanism (not shown), and the position of the concave mirror 12 can be adjusted while keeping the inside of the chamber 11 in a vacuum atmosphere.
The debris trap 13 has a function of capturing debris generated as a result of plasma generation by electric discharge and allowing only EUV light to pass through. The debris trap 13 includes a rotary foil trap 13a and a fixed foil trap 13b. The specific configuration of the debris trap 13 will be described in detail later.

アパーチャ部材１５は、高温プラズマ原料から放出されるＥＵＶ光の一部を取り出すための開口部を有する。具体的には、アパーチャ部材１５は、高温プラズマ原料から放出されるＥＵＶ光の一部を所定の立体角で取り出す。具体的には後で述べる回転式ホイルトラップ１３ａの回転軸方向（図１における左右方向）に対して傾斜角度をもって所定の立体角で取り出す。ここで、上記傾斜角度は、例えば２０°〜３０°程度であり、ＥＵＶ光の取出角度は、例えば１４°〜１６°程度である。このアパーチャ部材１５は、高温プラズマの近傍に配置されるため、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）等の高融点材料から構成する。
なお、凹面鏡１２はＥＵＶ光源装置内には必ずしも設置する必要はなく、アパーチャ部材１５の開口部を通過したＥＵＶ光を直接マスク検査装置のマスク検査部に導光してもよい。但し、この場合にも、上記マスク検査部にデブリが到達しないように、高温プラズマとマスク検査部との間にはデブリトラップ１３が配置される。 The aperture member 15 has an opening for extracting a part of EUV light emitted from the high temperature plasma raw material. Specifically, the aperture member 15 extracts a part of EUV light emitted from the high-temperature plasma raw material at a predetermined solid angle. Specifically, the rotary wheel trap 13a, which will be described later, is taken out at a predetermined solid angle with an inclination angle with respect to the rotation axis direction (horizontal direction in FIG. 1). Here, the inclination angle is, for example, about 20 ° to 30 °, and the EUV light extraction angle is, for example, about 14 ° to 16 °. Since the aperture member 15 is arranged in the vicinity of the high temperature plasma, it is made of a high melting point material such as molybdenum (Mo) or tungsten (W), for example.
The concave mirror 12 does not necessarily have to be installed in the EUV light source device, and the EUV light that has passed through the opening of the aperture member 15 may be directly guided to the mask inspection section of the mask inspection device. However, also in this case, the debris trap 13 is arranged between the high temperature plasma and the mask inspection unit so that the debris does not reach the mask inspection unit.

放電空間１１ｂに配置された一対の放電電極２１ａ，２１ｂは、金属製の円盤状部材である。放電電極２１ａ，２１ｂは、例えば、タングステン、モリブデン、タンタル等の高融点金属からなる。ここで、２つの放電電極２１ａ，２１ｂのうち、一方の放電電極２１ａがカソードであり、他方の放電電極２１ｂがアノードである。
放電電極２１ａは、その一部（重心方向の下部）が高温プラズマ原料２２ａを収容するコンテナ２３ａの中に浸されるように配置される。放電電極２１ａの略中心部には、モータ２４ａの回転軸２５ａが取り付けられている。すなわち、モータ２４ａが回転軸２５ａを回転させることにより、放電電極２１ａは回転する。モータ２４ａは、制御部４０によって駆動制御される。ここで、コンテナ２３ａとモータ２４ａと回転軸２５ａとを併せたものが、原料供給機構に対応している。なお、原料供給機構は、上記の構成に限定されるものではなく、高温プラズマ原料２２ａを放電電極２１ａに供給可能な構成であればよい。
また、回転軸２５ａは、例えば、メカニカルシール２６ａを介してチャンバ１１内に導入される。メカニカルシール２６ａは、チャンバ１１内の減圧雰囲気を維持しつつ、回転軸２５ａの回転を許容する。 The pair of discharge electrodes 21a and 21b arranged in the discharge space 11b are metal disk-shaped members. The discharge electrodes 21a and 21b are made of a refractory metal such as tungsten, molybdenum, or tantalum. Here, of the two discharge electrodes 21a and 21b, one discharge electrode 21a is the cathode and the other discharge electrode 21b is the anode.
The discharge electrode 21a is arranged so that a part thereof (lower part in the direction of the center of gravity) is immersed in the container 23a containing the high temperature plasma raw material 22a. A rotating shaft 25a of the motor 24a is attached to a substantially central portion of the discharge electrode 21a. That is, the discharge electrode 21a rotates when the motor 24a rotates the rotation shaft 25a. The motor 24a is driven and controlled by the control unit 40. Here, a combination of the container 23a, the motor 24a, and the rotating shaft 25a corresponds to the raw material supply mechanism. The raw material supply mechanism is not limited to the above configuration, and may be any configuration as long as the high temperature plasma raw material 22a can be supplied to the discharge electrode 21a.
Further, the rotating shaft 25a is introduced into the chamber 11 via, for example, the mechanical seal 26a. The mechanical seal 26a allows the rotation shaft 25a to rotate while maintaining the reduced pressure atmosphere in the chamber 11.

放電電極２１ｂも、放電電極２１ａと同様に、その一部（重心方向の下部）が高温プラズマ原料２２ｂを収容するコンテナ２３ｂの中に浸されるように配置される。放電電極２１ｂの略中心部には、モータ２４ｂの回転軸２５ｂが取り付けられている。すなわち、モータ２４ｂが回転軸２５ｂを回転させることにより、放電電極２１ｂは回転する。モータ２４ｂは、制御部４０によって駆動制御される。
また、回転軸２５ｂは、例えば、メカニカルシール２６ｂを介してチャンバ１１内に導入される。メカニカルシール２６ｂは、チャンバ１１内の減圧雰囲気を維持しつつ、回転軸２５ｂの回転を許容する。 Similar to the discharge electrode 21a, the discharge electrode 21b is also arranged so that a part thereof (lower part in the direction of the center of gravity) is immersed in the container 23b containing the high temperature plasma raw material 22b. A rotating shaft 25b of the motor 24b is attached to a substantially central portion of the discharge electrode 21b. That is, the discharge electrode 21b is rotated by the motor 24b rotating the rotating shaft 25b. The motor 24b is driven and controlled by the control unit 40.
Further, the rotating shaft 25b is introduced into the chamber 11 via, for example, the mechanical seal 26b. The mechanical seal 26b allows the rotating shaft 25b to rotate while maintaining a decompressed atmosphere in the chamber 11.

放電電極２１ａ，２１ｂの表面上に乗った液体状の高温プラズマ原料２２ａ，２２ｂは、放電電極２１ａ，２１ｂが回転することで放電領域に輸送される。ここで、放電領域とは、両電極２１ａ，２１ｂ間の放電が発生する空間であり、両電極２１ａ，２１ｂの周縁部のエッジ部分間距離が最も短い部分である。
高温プラズマ原料２２ａ，２２ｂとしては、溶融金属、例えば液体状のスズ（Ｓｎ）を用いる。この高温プラズマ原料２２ａ，２２ｂは、放電電極２１ａ，２１ｂに電力を供給する給電用の導電体としても働く。 The liquid high-temperature plasma raw materials 22a and 22b on the surfaces of the discharge electrodes 21a and 21b are transported to the discharge region by the rotation of the discharge electrodes 21a and 21b. Here, the discharge region is a space where a discharge is generated between the electrodes 21a and 21b, and is a portion where the distance between the edges of the peripheral edges of the electrodes 21a and 21b is the shortest.
As the high temperature plasma raw materials 22a and 22b, molten metal, for example, liquid tin (Sn) is used. The high-temperature plasma raw materials 22a and 22b also serve as a conductor for supplying electric power to the discharge electrodes 21a and 21b.

コンテナ２３ａ，２３ｂは、チャンバ１１内の減圧雰囲気を維持可能な絶縁性の電力導入部１１ｆ，１１ｇを介して、パルス電力供給部２７に接続されている。コンテナ２３ａおよび２３ｂ、並びに高温プラズマ原料であるスズ２２ａおよび２２ｂは導電性である。放電電極２１ａの一部および放電電極２１ｂの一部はそれぞれスズ２２ａ，２２ｂに浸漬しているので、コンテナ２３ａ，２３ｂ間にパルス電力供給部２７からパルス電力を印加することで、放電電極２１ａ，２１ｂ間にパルス電力を印加することができる。 The containers 23a and 23b are connected to the pulse power supply unit 27 via the insulating power introduction units 11f and 11g that can maintain the decompressed atmosphere in the chamber 11. The containers 23a and 23b and the high temperature plasma raw materials tin 22a and 22b are conductive. Since a part of the discharge electrode 21a and a part of the discharge electrode 21b are immersed in tin 22a and 22b, respectively, by applying pulse power from the pulse power supply unit 27 between the containers 23a and 23b, the discharge electrode 21a, Pulse power can be applied between 21b.

なお、特に図示しないが、コンテナ２３ａおよび２３ｂには、スズ２２ａ，２２ｂを溶融状態に維持する温度調節機構が設けられている。
パルス電力供給部２７は、コンテナ２３ａおよび２３ｂ間、すなわち放電電極２１ａおよび２１ｂ間にパルス幅の短いパルス電力を印加する。パルス電力供給部２７は、制御部４０によって駆動制御される。また、パルス電力供給部２７によって放電電力２１ａおよび２１ｂ間に印加された電圧のモニタ値は、制御部４０によって取得される。 Although not particularly shown, the containers 23a and 23b are provided with a temperature control mechanism for maintaining the tins 22a and 22b in a molten state.
The pulse power supply unit 27 applies pulse power having a short pulse width between the containers 23a and 23b, that is, between the discharge electrodes 21a and 21b. The pulse power supply unit 27 is driven and controlled by the control unit 40. Further, the monitor value of the voltage applied between the discharge powers 21a and 21b by the pulse power supply unit 27 is acquired by the control unit 40.

レーザ源２８は、放電領域に輸送された放電電極２１ａ上のスズ２２ａに対してレーザ光（エネルギービーム）を照射するエネルギービーム照射部である。レーザ源２８は、例えばＮｄ：ＹＶＯ４レーザ装置（Neodymium-doped Yttrium Orthovanadate レーザ装置）である。このレーザ源２８が放出するレーザ光Ｌは、レーザ光集光部（集光レンズ）２９等を介してチャンバ１１の窓部（レーザビーム入射窓部）１１ｇに入射する。また、レーザ源２８には、光量モニタが内蔵されており、レーザ源２８から出力されるレーザ光Ｌの強度は制御部４０によって取得される。 The laser source 28 is an energy beam irradiation unit that irradiates the tin 22a on the discharge electrode 21a transported to the discharge region with a laser beam (energy beam). The laser source 28 is, for example, an Nd: YVO 4 laser apparatus (Neodymium-doped Yttrium Orthovanadate laser apparatus). The laser beam L emitted by the laser source 28 is incident on the window portion (laser beam incident window portion) 11g of the chamber 11 via the laser light condensing portion (condensing lens) 29 or the like. Further, the laser source 28 has a built-in light amount monitor, and the intensity of the laser light L output from the laser source 28 is acquired by the control unit 40.

レーザ源２８が放出し、集光レンズ２９およびチャンバ１１の窓部１１ｇを通過したレーザ光Ｌは、折り返しミラー１４により折り返されて放電電極（カソード）２１ａの端部（曲面）に照射される。
放電電極（カソード）２１ａと放電電極（アノード）２１ｂとは、ＥＵＶ光が集光される凹面鏡１２が配置されている側における両電極間の距離が狭くなるように、傾けて配置される。即ち、凹面鏡１２側（図１の右側）の電極間距離が狭く、凹面鏡１２とは反対側（図１の左側）の電極間距離が広くなるように配置される。
レーザ源２８によるレーザ光の照射タイミングは、制御部４０が制御する。 The laser beam L emitted by the laser source 28 and passed through the window portion 11g of the condensing lens 29 and the chamber 11 is folded back by the folded mirror 14 and irradiated to the end portion (curved surface) of the discharge electrode (cathode) 21a.
The discharge electrode (cathode) 21a and the discharge electrode (anode) 21b are arranged at an angle so that the distance between the two electrodes on the side where the concave mirror 12 on which the EUV light is collected is arranged becomes narrow. That is, the electrodes are arranged so that the distance between the electrodes on the concave mirror 12 side (right side in FIG. 1) is narrow and the distance between the electrodes on the side opposite to the concave mirror 12 (left side in FIG. 1) is wide.
The control unit 40 controls the irradiation timing of the laser beam by the laser source 28.

パルス電力供給部２７により放電電極２１ａ，２１ｂにパルス電力電圧を印加した状態で、放電領域に輸送された高温プラズマ原料２２ａに対してレーザ光Ｌが照射されると、当該高温プラズマ原料２２ａが気化し、両電極２１ａ，２１ｂ間でパルス放電が開始される。その結果、高温プラズマ原料２２ａによるプラズマＰが形成される。そして、放電時に流れる大電流によりプラズマＰが加熱励起され高温化すると、この高温プラズマＰからＥＵＶ光が放射される。
なお、上述したように放電電極２１ａ，２１ｂ間にはパルス電力電圧を印加するため、上記放電はパルス放電となり、放射されるＥＵＶ光はパルス状に放射されるパルス光となる。また、パルス電力供給部２７は、上記のようにコンテナおよびスズを介して電力を供給する構成に限定されるものではなく、放電電極２１ａ，２１ｂにパルス電力電圧を印加可能な構成であればよい。 When the high-temperature plasma raw material 22a transported to the discharge region is irradiated with the laser beam L in a state where the pulsed power voltage is applied to the discharge electrodes 21a and 21b by the pulse power supply unit 27, the high-temperature plasma raw material 22a is vaporized. Then, pulse discharge is started between both electrodes 21a and 21b. As a result, plasma P is formed by the high temperature plasma raw material 22a. Then, when the plasma P is heated and excited by a large current flowing during discharge to a high temperature, EUV light is emitted from the high temperature plasma P.
Since the pulse power voltage is applied between the discharge electrodes 21a and 21b as described above, the discharge becomes a pulse discharge, and the emitted EUV light becomes a pulsed light emitted in a pulse shape. Further, the pulse power supply unit 27 is not limited to the configuration in which power is supplied via the container and tin as described above, and may be a configuration in which the pulse power voltage can be applied to the discharge electrodes 21a and 21b. ..

次に、デブリトラップ１３の具体的構成について説明する。
ＥＵＶ光源装置１００では、例えば、高温プラズマＰと接する金属（例えば、一対の放電電極２１ａ，２１ｂ）が上記プラズマＰによってスパッタされて生成する金属粉等のデブリや、高温プラズマ原料であるスズ（Ｓｎ）に起因するデブリが発生する。
これらのデブリは、プラズマの収縮・膨張過程を経て、大きな運動エネルギーを得る。すなわち、高温プラズマＰから発生するデブリは高速で移動するイオンや中性原子であり、このようなデブリは凹面鏡１２にぶつかって反射面を削ったり、反射面上に堆積したりして、ＥＵＶ光の反射率を低下させるおそれがある。 Next, a specific configuration of the debris trap 13 will be described.
In the EUV light source device 100, for example, debris such as metal powder generated by sputtering a metal (for example, a pair of discharge electrodes 21a and 21b) in contact with the high temperature plasma P by the plasma P, and tin (Sn) which is a high temperature plasma raw material. ) Causes debris.
These debris obtain a large amount of kinetic energy through the process of contraction and expansion of plasma. That is, the debris generated from the high-temperature plasma P is ions or neutral atoms that move at high speed, and such debris collides with the concave mirror 12 to scrape the reflecting surface or accumulate on the reflecting surface, resulting in EUV light. May reduce the reflectance of.

そこで、ＥＵＶ光源装置１００では、放電空間１１ｂと集光空間１１ｃに収容された凹面鏡１２との間に、上記デブリによる凹面鏡１２のダメージを防ぐためのデブリトラップ１３を配置する。デブリトラップ１３は、デブリを捕捉してＥＵＶ光のみを通過させる働きをする。
図２は、デブリトラップ１３を回転式ホイルトラップ１３ａの回転軸３４に直交する方向から見た断面図である。デブリトラップ１３は、回転機能を有するホイルトラップ（回転式ホイルトラップ）１３ａと、回転せず固定されたホイルトラップ（固定式ホイルトラップ）１３ｂと、を備える。 Therefore, in the EUV light source device 100, a debris trap 13 for preventing damage to the concave mirror 12 due to the debris is arranged between the discharge space 11b and the concave mirror 12 housed in the condensing space 11c. The debris trap 13 functions to capture debris and allow only EUV light to pass through.
FIG. 2 is a cross-sectional view of the debris trap 13 as viewed from a direction orthogonal to the rotation axis 34 of the rotary wheel trap 13a. The debris trap 13 includes a foil trap (rotary foil trap) 13a having a rotating function and a foil trap (fixed foil trap) 13b that is fixed without rotating.

回転式ホイルトラップ１３ａは、図３に示すように、回転軸３４から半径方向に放射状に伸びる複数のホイル（回転ホイル）３１を備える。なお、ホイル３１は、薄膜（ホイル）または薄い平板（プレート）により構成されており、本明細書では薄膜と平板を併せて「ホイル」と呼ぶ。
ホイル３１は、半径方向内側端部を同心円状に配置された中心支柱（支持部材）３２よって支持され、半径方向外側端部をリング状支持体である外側リング３３によって支持されている。これら複数のホイル３１は、支持体（中心支柱３２と外側リング３３）に支持された状態で、中心支柱３２の回転軸３４を中心に回転可能となっている。
また、ホイル３１は、その平面が回転軸３４に対して平行になるように配置され支持されている。そのため、回転式ホイルトラップ１３ａを極端紫外光源（高温プラズマＰ）側から見た場合、中心支柱３２および外側リング３３によって構成される支持体を除けば、ホイル３１の厚みしか見えない。 As shown in FIG. 3, the rotary foil trap 13a includes a plurality of foils (rotary foils) 31 extending radially from the rotary shaft 34. The foil 31 is composed of a thin film (foil) or a thin flat plate (plate), and in the present specification, the thin film and the flat plate are collectively referred to as "foil".
The foil 31 is supported by a central strut (support member) 32 whose inner end in the radial direction is arranged concentrically, and the outer end in the radial direction is supported by an outer ring 33 which is a ring-shaped support. The plurality of foils 31 can rotate about the rotation shaft 34 of the central support 32 while being supported by the support (center support 32 and outer ring 33).
Further, the foil 31 is arranged and supported so that its plane is parallel to the rotation axis 34. Therefore, when the rotary wheel trap 13a is viewed from the extreme ultraviolet light source (high temperature plasma P) side, only the thickness of the foil 31 can be seen except for the support composed of the central support column 32 and the outer ring 33.

アパーチャ部材１５には、図２に示すように、回転式ホイルトラップ１３ａの回転軸３４から偏心した位置に、任意の形状（例えば、円形）の開口部１５ａが形成されている。そして、回転式ホイルトラップ１３ａは、アパーチャ部材１５の開口部１５ａを通過したＥＵＶ光の光線束（以下、「ＥＵＶ取出光」ともいう。）の主光線Ｏ上にホイル３１が位置するように配置される。
ここで、回転式ホイルトラップ１３ａの回転軸３４は、中心支柱３２によってＥＵＶ取出光が遮光されないように当該回転式ホイルトラップ１３ａを回転させる軸である。本実施形態において、回転軸３４は、プラズマＰを通過し、中心支柱３２の中心軸に一致する軸である。このような構成により、回転式ホイルトラップ１３ａの複数のホイル３１は、回転軸３４を中心に回転することで、高温プラズマＰからのデブリを捕捉する。このとき、回転式ホイルトラップ１３ａは、上記デブリのうち比較的低速のデブリを捕捉する。 As shown in FIG. 2, the aperture member 15 is formed with an opening 15a having an arbitrary shape (for example, a circle) at a position eccentric from the rotation shaft 34 of the rotary wheel trap 13a. The rotary foil trap 13a is arranged so that the foil 31 is located on the main ray O of the EUV light bundle (hereinafter, also referred to as “EUV extraction light”) that has passed through the opening 15a of the aperture member 15. Be done.
Here, the rotating shaft 34 of the revolver trap 13a is a shaft that rotates the revolver trap 13a so that the EUV extraction light is not blocked by the central support column 32. In the present embodiment, the rotating shaft 34 is an axis that passes through the plasma P and coincides with the central axis of the central support column 32. With such a configuration, the plurality of wheels 31 of the rotary wheel trap 13a rotate around the rotation shaft 34 to capture debris from the high temperature plasma P. At this time, the rotary wheel trap 13a captures the relatively low-speed debris among the above debris.

固定式ホイルトラップ１３ｂは、高温プラズマＰからのデブリのうち、回転式ホイルトラップ１３ａで捕捉しきれなかった高速で進行するデブリを捕捉する。図２に示すように、固定式ホイルトラップ１３ｂは、ＥＵＶ取出光の主光線Ｏ上に配置する。
また、固定式ホイルトラップ１３ｂは、アパーチャ部材１５の開口部１５ａにより進行方向が制限されたＥＵＶ光であるＥＵＶ取出光が通過する領域に対応させた形状を有する。つまり、固定式ホイルトラップ１３ｂは、回転式ホイルトラップ１３ａの回転軸３４に直交する平面において、当該回転軸３４に対してアパーチャ部材１５の開口部１５ａが形成された側（図２では回転軸３４の上側）のみに配置される。 The fixed foil trap 13b captures the debris traveling at a high speed that cannot be captured by the rotary foil trap 13a among the debris from the high temperature plasma P. As shown in FIG. 2, the fixed foil trap 13b is arranged on the main ray O of the EUV extraction light.
Further, the fixed foil trap 13b has a shape corresponding to a region through which EUV extraction light, which is EUV light whose traveling direction is restricted by the opening 15a of the aperture member 15, passes through. That is, the fixed wheel trap 13b is on the plane orthogonal to the rotation axis 34 of the rotary wheel trap 13a on the side where the opening 15a of the aperture member 15 is formed with respect to the rotation axis 34 (in FIG. 2, the rotation axis 34). It is placed only on the upper side of).

以下、固定式ホイルトラップ１３ｂの具体的構成について、図４〜図６を参照しながら説明する。ここで、図４は、固定式ホイルトラップ１３ｂを主光線方向から見た断面図である。また、図５は、図４におけるＢ−Ｂ断面図であり、図６は、図４におけるＣ−Ｃ断面図である。
固定式ホイルトラップ１３ｂは、複数のホイル（第一のホイル）４１と、複数のホイル（第二のホイル）４２と、ホイル４１および４２を支持する固定枠（固定部材）４３とを備える。ホイル４１および４２は、図４に示すように、ＥＵＶ取出光の主光線方向に直交する断面において、それぞれ等間隔に配置されている。また、固定枠４３は、例えば、図４に示す正面図において矩形状である。なお、固定枠４３の外形は任意の形状であってよい。 Hereinafter, the specific configuration of the fixed foil trap 13b will be described with reference to FIGS. 4 to 6. Here, FIG. 4 is a cross-sectional view of the fixed foil trap 13b as viewed from the main ray direction. 5 is a sectional view taken along line BB in FIG. 4, and FIG. 6 is a sectional view taken along line CC in FIG.
The fixed foil trap 13b includes a plurality of foils (first foil) 41, a plurality of foils (second foil) 42, and a fixed frame (fixing member) 43 that supports the foils 41 and 42. As shown in FIG. 4, the wheels 41 and 42 are arranged at equal intervals in a cross section orthogonal to the main ray direction of the EUV extraction light. Further, the fixed frame 43 has a rectangular shape in the front view shown in FIG. 4, for example. The outer shape of the fixed frame 43 may have any shape.

また、ホイル４１とホイル４２とは、図５に示すように、ＥＵＶ取出光の主光線方向において所定の離間距離ｄをもって離間して配置されている。さらに、図６に示すように、内部空間４３ｂに対してＥＵＶ光入射側（図６の下側）において、複数のホイル４１は、ＥＵＶ取出光の光線方向に伸びるように放射状に配置されている。同様に、内部空間４３ｂに対してＥＵＶ光出射側（図６の上側）において、複数のホイル４２は、ＥＵＶ取出光の光線方向に伸びるように放射状に配置されている。また、ホイル４１の枚数とホイル４２の枚数とは同じである。
すなわち、固定式ホイルトラップ１３ｂは、ＥＵＶ取出光の光線方向に平行な１つの仮想平面内に距離ｄをもって離間したホイル４１とホイル４２との組を複数組備える構成である。このような構成により、図５および図６に示すように、複数のホイル４１と複数のホイル４２との間には、ＥＵＶ取出光の主光線方向に長さｄを持つ擬似的な内部空間４３ｂが設けられる。 Further, as shown in FIG. 5, the foil 41 and the foil 42 are arranged apart from each other with a predetermined separation distance d in the main ray direction of the EUV extraction light. Further, as shown in FIG. 6, on the EUV light incident side (lower side in FIG. 6) with respect to the internal space 43b, the plurality of foils 41 are arranged radially so as to extend in the light ray direction of the EUV extraction light. .. Similarly, on the EUV light emitting side (upper side of FIG. 6) with respect to the internal space 43b, the plurality of foils 42 are arranged radially so as to extend in the light ray direction of the EUV extraction light. Further, the number of foils 41 and the number of foils 42 are the same.
That is, the fixed foil trap 13b is configured to include a plurality of pairs of foil 41 and foil 42 separated by a distance d in one virtual plane parallel to the light ray direction of EUV extraction light. With such a configuration, as shown in FIGS. 5 and 6, a pseudo internal space 43b having a length d in the main ray direction of the EUV extraction light is provided between the plurality of foils 41 and the plurality of foils 42. Is provided.

また、固定枠４３における上下方向に対向する面（ＥＵＶ取出光の主光線方向を挟んで対向する面）には、それぞれ複数のガス導入口４３ａが形成されている。これらのガス導入口４３ａは、固定式ホイルトラップ１３ｂ内にガスＧａを供給するための孔であり、内部空間４３ｂに空間的に接続されるように設けられている。本実施形態では、複数のガス導入口４３ａがＥＵＶ取出光の主光線方向に直交する方向に等間隔に一列に設けられているものとする。ここで、上記ガスＧａは、ＥＵＶ光に対して透明なガス（ＥＵＶ透明ガス）であり、例えばヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）等の希ガス、水素（Ｈ2）等を用いることができる。本実施形態では、ＥＵＶ透明ガスとしてＡｒガスを用いる。 Further, a plurality of gas introduction ports 43a are formed on the surfaces of the fixed frame 43 that face each other in the vertical direction (the surfaces that face each other with the main ray direction of the EUV extraction light interposed therebetween). These gas introduction ports 43a are holes for supplying gas Ga into the fixed foil trap 13b, and are provided so as to be spatially connected to the internal space 43b. In the present embodiment, it is assumed that a plurality of gas introduction ports 43a are provided in a row at equal intervals in a direction orthogonal to the main ray direction of the EUV extraction light. Here, the gas Ga is a gas transparent to EUV light (EUV transparent gas), and for example, a rare gas such as helium (He) or argon (Ar), hydrogen (H 2 ) or the like can be used. .. In this embodiment, Ar gas is used as the EUV transparent gas.

さらに、ガス導入口４３ａは、図５および図６に示すように、ＥＵＶ取出光の主光線方向におけるホイル４１の長さをＬ１、ＥＵＶ取出光の主光線方向におけるホイル４２の長さをＬ２としたとき、Ｌ１＜Ｌ２となるような位置に設けられている。
このような構造下で、複数のガス導入口４３ａを介してＡｒガスが内部空間４３ｂに供給されると、Ａｒガスは、内部空間４３ｂに一時的に貯められる。これは、内部空間４３ｂを挟むホイル４１で区画された区画空間や、ホイル４２で区画された区画空間は、内部空間４３ｂと比べてコンダクタンスが小さいためである。すなわち、擬似的な内部空間４３ｂは、供給されたＡｒガスが一時的に貯められ、当該Ａｒガスの圧力分布を均一化する擬似的なバッファ空間として機能する。この擬似的なバッファ空間４３ｂにて一旦、Ａｒガス分布が均一になったあと、Ａｒガスは、当該バッファ空間４３ｂから等圧力でホイル４１側の区画空間やホイル４２側の区画空間に供給される。 Further, as shown in FIGS. 5 and 6, the gas inlet 43a has the length of the foil 41 in the main ray direction of the EUV extraction light L1 and the length of the foil 42 in the main ray direction of the EUV extraction light L2. When this is done, it is provided at a position where L1 <L2.
Under such a structure, when Ar gas is supplied to the internal space 43b through the plurality of gas introduction ports 43a, the Ar gas is temporarily stored in the internal space 43b. This is because the partition space partitioned by the foil 41 sandwiching the internal space 43b and the partitioned space partitioned by the foil 42 have smaller conductance than the internal space 43b. That is, the pseudo internal space 43b functions as a pseudo buffer space in which the supplied Ar gas is temporarily stored and the pressure distribution of the Ar gas is made uniform. After the Ar gas distribution becomes uniform in this pseudo buffer space 43b, Ar gas is supplied from the buffer space 43b to the partition space on the foil 41 side and the partition space on the foil 42 side at equal pressure. ..

なお、ホイル４１およびホイル４２の離間距離ｄは、内部空間４３ｂに流入するＡｒガスの流量や当該バッファ空間の高さに相当するホイル４１、ホイル４２のＥＵＶ光の主光線と垂直な方向の長さ、バッファ空間の幅に相当するホイル４１、ホイル４３の枚数等を考慮して、内部空間４３ｂがバッファ空間として機能できるように適宜設定される。
また、回転式ホイルトラップ１３ａおよび固定式ホイルトラップ１３ｂは、高温プラズマＰの近くに配置されるため、これらホイルトラップを構成するホイルや支持体は、例えば、モリブデン（Ｍｏ）などの高耐熱材料から形成するものとする。 The separation distance d between the foil 41 and the foil 42 is the length in the direction perpendicular to the main ray of the EUV light of the foil 41 and the foil 42, which corresponds to the flow rate of Ar gas flowing into the internal space 43b and the height of the buffer space. The number of foils 41 and 43 corresponding to the width of the buffer space is taken into consideration, and the internal space 43b is appropriately set so as to function as the buffer space.
Further, since the rotary wheel trap 13a and the fixed wheel trap 13b are arranged near the high temperature plasma P, the foil and the support constituting these wheel traps are made of, for example, a highly heat-resistant material such as molybdenum (Mo). It shall be formed.

このように、本実施形態における固定式ホイルトラップ１３ｂは、１枚のホイルをＥＵＶ取出光の主光線方向においてホイル４１とホイル４２とに２分割し、両ホイルを上記主光線方向に距離ｄだけ離間するように配置したホイル組を、複数組備える構成を有する。そして、固定式ホイルトラップ１３ｂは、複数のホイル４１と複数のホイル４２とによって固定式ホイルトラップ１３ｂ内部に形成される内部空間４３ｂに、Ａｒガスを供給可能に構成する。したがって、固定式ホイルトラップ１３ｂによるデブリ捕捉能力を向上させることができる。以下、この点について、比較例を用いて詳細に説明する。 As described above, the fixed foil trap 13b in the present embodiment divides one foil into two foils 41 and 42 in the main ray direction of the EUV extraction light, and divides both foils by a distance d in the main ray direction. It has a configuration in which a plurality of foil sets arranged so as to be separated from each other are provided. The fixed foil trap 13b is configured to be able to supply Ar gas to the internal space 43b formed inside the fixed foil trap 13b by the plurality of foils 41 and the plurality of foils 42. Therefore, the debris capture ability of the fixed foil trap 13b can be improved. Hereinafter, this point will be described in detail using a comparative example.

図７は、回転式ホイルトラップ１１３ａと固定式ホイルトラップ１１３ｂとの間の空間に向けて、ＥＵＶ透明ガスＧａを供給する第一の比較例を示す図である。
この第一の比較例では、両ホイルトラップの間の空間に、図７の上方向からＡｒガスＧａが供給される。この場合、供給されるＡｒガスＧａとホイルトラップにより奏されるデブリトラップ機能は、必ずしも良好ではない。
図７に示すように、不図示のガスノズルから同図の下方向に供給されるＡｒガスＧａは、下方向に進むにつれて拡散し、結果として圧力勾配が生じる。つまり、ＥＵＶ光路上におけるＡｒガスの圧力分布が不均一となる。そのため、ホイルトラップにおけるデブリ捕捉能力には空間的な分布（不均一性）が生じてしまう。 FIG. 7 is a diagram showing a first comparative example of supplying EUV transparent gas Ga toward the space between the rotary wheel trap 113a and the fixed wheel trap 113b.
In this first comparative example, Ar gas Ga is supplied from the upper direction of FIG. 7 to the space between the two foil traps. In this case, the debris trap function performed by the supplied Ar gas Ga and the foil trap is not always good.
As shown in FIG. 7, the Ar gas Ga supplied downward in the figure from a gas nozzle (not shown) diffuses as it travels downward, resulting in a pressure gradient. That is, the pressure distribution of Ar gas on the EUV optical path becomes non-uniform. Therefore, the debris trapping ability of the foil trap has a spatial distribution (non-uniformity).

また、回転式ホイルトラップ１１３ａと固定式ホイルトラップ１１３ｂとの間の空間の幅は、固定式ホイルトラップ１１３ｂのホイル間の幅よりも大きい。そのため、図７に示すように供給されたＡｒガスＧａは、固定式ホイルトラップ１１３ｂホイルによって区画された区画空間に進入しにくい。したがって、固定式ホイルトラップ１１３ｂ内部において十分なＡｒガス圧力が得られず、回転式ホイルトラップ１１３ａのデブリ捕捉能力を向上させることができない。 Further, the width of the space between the rotary wheel trap 113a and the fixed wheel trap 113b is larger than the width between the wheels of the fixed wheel trap 113b. Therefore, the supplied Ar gas Ga as shown in FIG. 7 is unlikely to enter the compartmentalized space partitioned by the fixed foil trap 113b foil. Therefore, a sufficient Ar gas pressure cannot be obtained inside the fixed wheel trap 113b, and the debris trapping ability of the rotary wheel trap 113a cannot be improved.

図８〜図１０は、ＥＵＶ透明ガス（Ａｒガス）を固定式ホイルトラップ内部に直接供給する第二の比較例を示す図である。
この第二の比較例は、固定式ホイルトラップ１１３ｂの複数のホイル１４１を支持する固定枠１４３に複数のガス導入口１４３ａを設け、ガス導入口１４３ａを介して、ホイル１４１間の区画空間に対して上下方向から直接ＡｒガスＧａを供給する構成である。ここで、複数のガス導入口１４３ａは、図８に示すように、Ｙ軸方向に所定の間隔をもって一列に形成されている。また、各ガス導入口１４３ａは、図９に示すように、ＥＵＶ取出光の主光線方向におけるホイル１４１のほぼ中央部に形成されている。 8 to 10 are views showing a second comparative example in which the EUV transparent gas (Ar gas) is directly supplied to the inside of the fixed foil trap.
In this second comparative example, a plurality of gas introduction ports 143a are provided in a fixed frame 143 that supports a plurality of foils 141 of the fixed foil trap 113b, and the partition space between the foils 141 is provided via the gas introduction ports 143a. The Ar gas Ga is directly supplied from the vertical direction. Here, as shown in FIG. 8, the plurality of gas introduction ports 143a are formed in a row at predetermined intervals in the Y-axis direction. Further, as shown in FIG. 9, each gas introduction port 143a is formed substantially at the center of the foil 141 in the main ray direction of the EUV extraction light.

この第二の比較例は、固定式ホイルトラップ内部に、上述した本実施形態のような内部空間（バッファ空間）を有しない構成である。このような構成の場合、図７に示す第一の比較例と比較すると、固定式ホイルトラップ１１３ｂ内部へのＡｒガスＧａの供給量を増大することが可能となる。しかしながら、この第二の比較例の場合にも、以下のような不具合が生じる。
図８は、固定式ホイルトラップ１１３ｂを主光線方向から見た断面図である。この断面は、固定枠１４３に設けたガス導入口１４３ａを含み、ＡｒガスＧａの導入方向に平行な方向の面である。
この第二の比較例では、ガス導入口１４３ａは離散的に配置されており、ガス導入口１４３ａが接続された区画空間とガス導入口１４３ａが接続されていない区画空間とが混在している。このような構成の場合、ガス導入口１４３ａと空間的に接続されている区画空間１４３ｂは圧力が高くなり、ガス導入口１４３ａと空間的に接続されていない区画空間１４３ｃは圧力が低くなる。 This second comparative example has a configuration in which the fixed foil trap does not have an internal space (buffer space) as in the present embodiment described above. In the case of such a configuration, it is possible to increase the supply amount of Ar gas Ga to the inside of the fixed foil trap 113b as compared with the first comparative example shown in FIG. However, even in the case of this second comparative example, the following problems occur.
FIG. 8 is a cross-sectional view of the fixed foil trap 113b as viewed from the direction of the main ray. This cross section includes the gas introduction port 143a provided in the fixed frame 143 and is a surface in a direction parallel to the introduction direction of Ar gas Ga.
In this second comparative example, the gas introduction ports 143a are arranged discretely, and a partition space to which the gas introduction port 143a is connected and a partition space to which the gas introduction port 143a is not connected coexist. In such a configuration, the pressure of the partition space 143b spatially connected to the gas introduction port 143a is high, and the pressure of the partition space 143c not spatially connected to the gas introduction port 143a is low.

この固定式ホイルトラップ１１３ｂについて、ＥＵＶ光束が通過する領域において、図８のＹ軸方向におけるＡｒガスの圧力分布を測定したところ、圧力分布は不均一であった。つまり、所定の間隔をもって設けられたガス導入口１４３ａから離散的にＡｒガスＧａを固定式ホイルトラップ１１３ｂ内部の区画空間に供給すると、固定式ホイルトラップ１１３ｂ内部におけるＡｒガスの圧力分布は不均一になることが分かった。つまり、この場合、固定式ホイルトラップ１１３ｂにおけるデブリ捕捉能力に空間的な分布（不均一性）が生じてしまうことになる。
上記の傾向は、各ガス導入口１４３ａへ供給されるＡｒガスＧａの供給量に偏差があると、更に顕著になる。そのため、例えばガス分配器を用いてＡｒガスＧａを各ガス導入口１４３ａへ供給する際には、ガス分配器の分配性能は高精度である必要がある。 When the pressure distribution of Ar gas in the Y-axis direction of FIG. 8 was measured in the region through which the EUV light flux passes, the pressure distribution of the fixed foil trap 113b was non-uniform. That is, when Ar gas Ga is discretely supplied to the partition space inside the fixed foil trap 113b from the gas introduction ports 143a provided at predetermined intervals, the pressure distribution of Ar gas inside the fixed foil trap 113b becomes non-uniform. It turned out to be. That is, in this case, the debris trapping ability of the fixed foil trap 113b has a spatial distribution (non-uniformity).
The above tendency becomes more remarkable when there is a deviation in the supply amount of Ar gas Ga supplied to each gas introduction port 143a. Therefore, for example, when supplying Ar gas Ga to each gas introduction port 143a using a gas distributor, the distribution performance of the gas distributor needs to be highly accurate.

図９は、図８のＤ−Ｄ断面図である。この図９は、固定式ホイルトラップ１１３ｂのホイル１４１により区画された区画空間のうち、ガス導入口１４３ａと空間的に接続された空間の断面図である。断面方向は、ホイル１４１と平行な面が伸びる方向である。
ホイル１４１によって区画された区画空間の幅は狭く、また、コンダクタンスは流路が長いほど小さくなる。そのため、図９の矢印で示すように、ガス導入口１４３ａから供給されるＡｒガスＧａは直進せず、同図の左右方向に進みやすくなる。すなわち、上記区画空間において、ＥＵＶ取出光が通過する領域１４３ｄにはＡｒガスＧａが届きにくく、ＥＵＶ光路上におけるＡｒガス圧力を高くすることができない。
デブリは、プラズマＰよりＥＵＶ光の進行方向と同様の方向に進行するので、この第二の比較例の固定式ホイルトラップ１１３ｂでは、デブリの捕捉性能が低いことになる。また、当然ながら、ＥＵＶ光路上でのＡｒガス圧力分布も不均一となる。 9 is a cross-sectional view taken along the line DD of FIG. FIG. 9 is a cross-sectional view of a space spatially connected to the gas introduction port 143a in the compartmentalized space partitioned by the foil 141 of the fixed foil trap 113b. The cross-sectional direction is the direction in which the plane parallel to the foil 141 extends.
The width of the partition space partitioned by the foil 141 is narrow, and the conductance becomes smaller as the flow path becomes longer. Therefore, as shown by the arrow in FIG. 9, the Ar gas Ga supplied from the gas introduction port 143a does not go straight, but tends to go in the left-right direction in the figure. That is, in the above partition space, the Ar gas Ga is difficult to reach the region 143d through which the EUV extraction light passes, and the Ar gas pressure on the EUV optical path cannot be increased.
Since the debris travels from the plasma P in the same direction as the EUV light travels, the fixed foil trap 113b of the second comparative example has low debris capture performance. Further, as a matter of course, the Ar gas pressure distribution on the EUV optical path also becomes non-uniform.

図１０は、図８のＥ−Ｅ断面図である。この図１０に示すように、ホイル１４１は、ＥＵＶ取出光の光線方向に伸びるように放射状に配置されており、ホイル１４１間の間隔は、ＥＵＶ光入射側が狭く、ＥＵＶ光出射側が広い。そのため、ガス導入口１４１ａからホイル１４１の区画空間内に供給されるＡｒガスは、ＥＵＶ光入射側（図１０の矢印α側）の方には流れにくく、ＥＵＶ光出射側（図１０の矢印β側）の方に流れやすい。そのため、固定式ホイルトラップ１１３ｂ内部におけるＥＵＶ光出射側の空間１４３ｅの圧力は、ＥＵＶ光入射側の空間１４３ｆの圧力と比べて高くなる傾向にある。 FIG. 10 is a cross-sectional view taken along the line EE of FIG. As shown in FIG. 10, the foils 141 are arranged radially so as to extend in the light ray direction of the EUV extraction light, and the distance between the foils 141 is narrow on the EUV light incident side and wide on the EUV light emitting side. Therefore, the Ar gas supplied from the gas introduction port 141a into the compartment space of the foil 141 is difficult to flow toward the EUV light incident side (arrow α side in FIG. 10), and is difficult to flow toward the EUV light emitting side (arrow β in FIG. 10). It is easy to flow toward the side). Therefore, the pressure in the space 143e on the EUV light emitting side inside the fixed foil trap 113b tends to be higher than the pressure in the space 143f on the EUV light incident side.

図１１に示すように、Ａｒガスの圧力が１．３３（Ｐａ）程度の低圧力雰囲気では、光路長が１０ｃｍである場合、Ａｒガス雰囲気内を通過するＥＵＶ光の強度はそれほど減衰しない。一方、Ａｒガスの圧力が１０（Ｐａ）超えるようなＡｒガス雰囲気では、光路長が１０ｃｍである場合、Ａｒガス雰囲気内を通過するＥＵＶ光の強度は顕著に減衰する。
したがって、できるだけ固定式ホイルトラップ内部における圧力が高い領域の幅（光路長）は短い方が好ましい。しかしながら、第二の比較例では、固定式ホイルトラップ１１３ｂ内部において、ＥＵＶ光出射側近傍の空間１４３ｅの圧力が高く、ＡｒガスによるＥＵＶ光強度の減衰が場合によっては無視できなくなる。 As shown in FIG. 11, in a low pressure atmosphere where the pressure of Ar gas is about 1.33 (Pa), when the optical path length is 10 cm, the intensity of EUV light passing through the Ar gas atmosphere is not so attenuated. On the other hand, in an Ar gas atmosphere in which the pressure of Ar gas exceeds 10 (Pa), the intensity of EUV light passing through the Ar gas atmosphere is significantly attenuated when the optical path length is 10 cm.
Therefore, it is preferable that the width (optical path length) of the region where the pressure is high inside the fixed foil trap is as short as possible. However, in the second comparative example, the pressure in the space 143e near the EUV light emitting side is high inside the fixed foil trap 113b, and the attenuation of the EUV light intensity by the Ar gas cannot be ignored in some cases.

これに対して、本実施形態における固定式ホイルトラップ１３ｂでは、上述したように、固定式ホイルトラップ１３ｂ内部に内部空間（バッファ空間）４３ｂを設け、当該バッファ空間４３ｂにＡｒガスを供給するため、ホイル４１側の各区画空間とホイル４２側の各区画空間とにそれぞれ等圧力でＡｒガスを供給することができる。したがって、上記の各比較例のような固定式ホイルトラップ内部におけるＥＵＶ光路上の圧力分布の不均一は生じない。
また、固定枠４３に間隔をもって設けられたガス導入口４３ａから離散的に供給されたＡｒガスは、バッファ空間４３ｂによって均一化される。そのため、各ガス導入口へ供給されるＡｒガスの供給量に偏差があったとしても、その影響はバッファ空間４３ｂにより吸収される。したがって、例えばガス分配器を用いてＡｒガスを各ガス導入口４３ａへ供給する場合においても、ガス分配器の分配性能は高精度である必要はない。
このように、固定式ホイルトラップ１３ｂ内部のＥＵＶ光路上におけるガス圧力分布をほぼ均一にすることができる。 On the other hand, in the fixed foil trap 13b in the present embodiment, as described above, an internal space (buffer space) 43b is provided inside the fixed foil trap 13b, and Ar gas is supplied to the buffer space 43b. Ar gas can be supplied to each compartment space on the foil 41 side and each compartment space on the foil 42 side at equal pressure. Therefore, the non-uniformity of the pressure distribution on the EUV optical path inside the fixed foil trap as in each of the above comparative examples does not occur.
Further, the Ar gas discretely supplied from the gas introduction ports 43a provided in the fixed frame 43 at intervals is made uniform by the buffer space 43b. Therefore, even if there is a deviation in the supply amount of Ar gas supplied to each gas introduction port, the influence is absorbed by the buffer space 43b. Therefore, for example, even when Ar gas is supplied to each gas introduction port 43a using a gas distributor, the distribution performance of the gas distributor does not need to be highly accurate.
In this way, the gas pressure distribution on the EUV optical path inside the fixed foil trap 13b can be made substantially uniform.

さらに、上記の第二の比較例では、固定式ホイルトラップ１３１ｂにおけるＥＵＶ取出光が通過する領域にはＡｒガスＧａが届きにくく、ＥＵＶ光路上におけるＡｒガス圧力を高くすることは困難であった。これに対して、本実施形態では、固定式ホイルトラップ１３ｂに供給されたＡｒガスは、一時的にバッファ空間４３ｂに貯められ、Ａｒガス圧力分布が均一化された状態で各区画空間に供給される。そのため、固定式ホイルトラップ１３ｂのＥＵＶ取出光が通過する領域にも十分にＡｒガスが供給され、ＥＵＶ光路上におけるＡｒガス圧力を高めることができる。その結果、固定式ホイルトラップ１３ｂにおけるデブリ捕捉能力を十分に確保することができる。 Further, in the second comparative example described above, it is difficult for Ar gas Ga to reach the region through which the EUV extraction light passes in the fixed foil trap 131b, and it is difficult to increase the Ar gas pressure on the EUV optical path. On the other hand, in the present embodiment, the Ar gas supplied to the fixed foil trap 13b is temporarily stored in the buffer space 43b and supplied to each partition space in a state where the Ar gas pressure distribution is uniform. To. Therefore, the Ar gas is sufficiently supplied to the region through which the EUV extraction light of the fixed foil trap 13b passes, and the Ar gas pressure on the EUV optical path can be increased. As a result, the debris trapping ability of the fixed foil trap 13b can be sufficiently secured.

さらに、本実施形態における固定式ホイルトラップ１３ｂにおいては、ＥＵＶ光入射側に配置されたホイル４１の長さ（主光線方向の長さ）Ｌ１が、ＥＵＶ光出射側に配置されたホイル４２の長さＬ２よりも短くなるように設定している。
そのため、上述したように、ガス導入口４３ａから固定式ホイルトラップ１３ｂ内に供給され、バッファ空間４３ｂにおいて均一化されたＡｒガスは、ＥＵＶ光入射側（図６の矢印α側）の方に流れやすく、ＥＵＶ光出射側（図６の矢印β側）の方には流れにくくすることができる。その結果、固定式ホイルトラップ１３ｂ内部におけるＥＵＶ光入射側の空間４３ｃの圧力を、上記の第二の比較例と比較してより高くし、ＥＵＶ光出射側の空間４３ｄの圧力を、上記の第二の比較例と比較してより低くすることが可能となる。
このように、ＥＵＶ光出射側近傍の空間４３ｄの圧力が高くなることを抑制することで、圧力の高いＡｒガス空間の光路長が長くなることを抑制することができる。すなわち、ＥＵＶ取出光の光路上において、Ａｒガス圧力が高い領域の幅を上記の第二の比較例と比較して短くすることが可能となり、ＡｒガスによるＥＵＶ光強度の減衰を抑制することができる。 Further, in the fixed foil trap 13b in the present embodiment, the length L1 of the foil 41 arranged on the EUV light incident side is the length of the foil 42 arranged on the EUV light emitting side. It is set to be shorter than L2.
Therefore, as described above, the Ar gas supplied from the gas introduction port 43a into the fixed foil trap 13b and homogenized in the buffer space 43b flows toward the EUV light incident side (arrow α side in FIG. 6). It is easy to make it difficult to flow toward the EUV light emitting side (arrow β side in FIG. 6). As a result, the pressure in the space 43c on the EUV light incident side inside the fixed foil trap 13b is made higher than that in the second comparative example described above, and the pressure in the space 43d on the EUV light emitting side is increased as compared with the above second comparative example. It is possible to make it lower than that of the second comparative example.
In this way, by suppressing the increase in pressure in the space 43d near the EUV light emitting side, it is possible to suppress the increase in the optical path length of the Ar gas space having high pressure. That is, on the optical path of the EUV extraction light, the width of the region where the Ar gas pressure is high can be shortened as compared with the second comparative example described above, and the attenuation of the EUV light intensity due to the Ar gas can be suppressed. it can.

また、上述したように、バッファ空間４３ｂにおいて均一化されたＡｒガスは、ＥＵＶ光入射側（図６の矢印α側）の方により多く流れる。固定式ホイルトラップ１３ｂに対してＥＵＶ光入射側には、回転式ホイルトラップ１３ａが配置されているため、固定式ホイルトラップ１３ｂにおいてＥＵＶ光入射側に流れたＡｒガスは、回転式ホイルトラップ１３ａに流れ込むことになる。この場合、回転式ホイルトラップ１３ａ側の雰囲気圧力を高めることができ、回転式ホイルトラップ１３ａに入射する高速イオンの速度を減速させ、回転式ホイルトラップ１３ａにおける高速イオン（デブリ）の捕集性能を向上させることができる。
なお、固定式ホイルトラップ１３ｂから回転式ホイルトラップ１３ａ側へ流れるＡｒガスは、ほぼ均一の流れとなる。すなわち、固定式ホイルトラップ１３ｂが回転式ホイルトラップ１３ａへＡｒガスを均一に供給するガス分配器として機能する。そのため、回転式ホイルトラップ１３ａへ供給されるＡｒガスが主光線上で均一になることが期待される。 Further, as described above, the Ar gas homogenized in the buffer space 43b flows more toward the EUV light incident side (arrow α side in FIG. 6). Since the rotary foil trap 13a is arranged on the EUV light incident side with respect to the fixed foil trap 13b, the Ar gas flowing to the EUV light incident side in the fixed foil trap 13b is transferred to the rotary foil trap 13a. It will flow in. In this case, the atmospheric pressure on the rotary wheel trap 13a side can be increased, the speed of the high-speed ions incident on the rotary wheel trap 13a is reduced, and the collection performance of the high-speed ions (debris) in the rotary wheel trap 13a is improved. Can be improved.
The Ar gas flowing from the fixed wheel trap 13b to the rotary wheel trap 13a has a substantially uniform flow. That is, the fixed wheel trap 13b functions as a gas distributor that uniformly supplies Ar gas to the rotary wheel trap 13a. Therefore, it is expected that the Ar gas supplied to the rotary wheel trap 13a becomes uniform on the main light beam.

以上のように、本実施形態における固定式ホイルトラップ１３ｂにおいては、ＥＵＶ光路上でのガス圧力分布がほぼ均一であり、ＥＵＶ光通過領域でのガス圧力が十分高く、ＥＵＶ光出射側のＡｒガス圧力が低いという作用を奏することができる。したがって、回転式ホイルトラップ１３ａで捕捉しきれなかった高速のデブリの固定式ホイルトラップ１３ｂにおける捕捉確率を向上させることができる。
また、本実施形態における固定式ホイルトラップ１３ｂは、ホイル４１とホイル４２とがＥＵＶ取出光の光線方向を含む同一平面内に配置された構成とする。このように、ホイル４１とホイル４２とを光線方向を含む同一平面内に配置することで、固定式ホイルトラップ１３ｂを通過する光を極力遮らない構成とすることができ、光の取出効率の低下を抑制することができる。 As described above, in the fixed foil trap 13b of the present embodiment, the gas pressure distribution on the EUV optical path is substantially uniform, the gas pressure in the EUV light passing region is sufficiently high, and the Ar gas on the EUV light emitting side. It can exert the effect of low pressure. Therefore, it is possible to improve the probability of capturing the high-speed debris fixed foil trap 13b that could not be captured by the rotary wheel trap 13a.
Further, the fixed foil trap 13b in the present embodiment has a configuration in which the foil 41 and the foil 42 are arranged in the same plane including the direction of the EUV extraction light. By arranging the foil 41 and the foil 42 in the same plane including the light ray direction in this way, it is possible to configure the structure so as not to block the light passing through the fixed foil trap 13b as much as possible, and the light extraction efficiency is lowered. Can be suppressed.

（第二の実施形態）
次に、本発明の第二の実施形態について説明する。
上述した第一の実施形態では、ホイル４１とホイル４２との組を複数組設けることにより擬似的なバッファ空間を形成する場合について説明した。第二の実施形態では、開口部を有するホイルを複数枚設けることにより擬似的なバッファ空間を形成する場合について説明する。
図１２は、第二の実施形態の固定式ホイルトラップ１３ｂ´の側面図である。この図１３において、上述した第一の実施形態における固定式ホイルトラップ１３ｂと同様の構成を有する部分には、固定式ホイルトラップ１３ｂと同一符号を付し、以下、構成の異なる部分を中心に説明する。
図１２に示すように、本実施形態における固定式ホイルトラップ１３ｂ´は、開口部４４ａを有する複数のホイル４４と、複数のホイル４４を支持する固定枠４３とを備える。ホイル４４は、図４に示す第一の実施形態のホイル４１と同様に、ＥＵＶ取出光の主光線方向に直交する断面において、等間隔に複数配置されている。また、ホイル４４は、図６に示す第一の実施形態のホイル４１やホイル４２と同様に、ＥＵＶ取出光の光線方向に伸びるように放射状に配置されている。 (Second embodiment)
Next, a second embodiment of the present invention will be described.
In the first embodiment described above, a case where a pseudo buffer space is formed by providing a plurality of pairs of foil 41 and foil 42 has been described. In the second embodiment, a case where a pseudo buffer space is formed by providing a plurality of foils having openings will be described.
FIG. 12 is a side view of the fixed foil trap 13b'of the second embodiment. In FIG. 13, a portion having the same configuration as the fixed foil trap 13b in the first embodiment described above is designated by the same reference numeral as that of the fixed foil trap 13b, and the portions having different configurations will be mainly described below. To do.
As shown in FIG. 12, the fixed foil trap 13b'in the present embodiment includes a plurality of foils 44 having openings 44a and a fixed frame 43 that supports the plurality of foils 44. Similar to the foil 41 of the first embodiment shown in FIG. 4, a plurality of foils 44 are arranged at equal intervals in a cross section orthogonal to the main ray direction of the EUV extraction light. Further, the foil 44 is arranged radially so as to extend in the light ray direction of the EUV extraction light, like the foil 41 and the foil 42 of the first embodiment shown in FIG.

開口部４４ａは、ＥＵＶ取出光の主光線方向の長さがｄ１であり、ＥＵＶ取出光の主光線方向に垂直な方向の長さがｈ１である開口部である。開口部４４ａの長さｈ１は、少なくともＥＵＶ取出光が通過する領域の主光線方向に垂直な方向の長さを有する。開口部４４ａは、ＥＵＶ取出光の主光線方向に垂直な方向において、ホイル４４の略中心位置に形成されている。また、ガス導入口４３ａは、ホイル４４同士で区画された区画空間と空間的に接続される位置で、且つ、主光線方向において内部空間の略中心位置に形成されている。このような構成により、第一の実施形態と同様の内部空間（擬似的なバッファ空間）を固定式ホイルトラップ１３ｂ´内部に設けることができる。 The opening 44a is an opening having a length d1 in the main ray direction of the EUV extraction light and h1 in a direction perpendicular to the main ray direction of the EUV extraction light. The length h1 of the opening 44a has at least a length in a direction perpendicular to the main ray direction of the region through which the EUV extraction light passes. The opening 44a is formed at a substantially central position of the foil 44 in a direction perpendicular to the main ray direction of the EUV extraction light. Further, the gas introduction port 43a is formed at a position where the foils 44 are spatially connected to the partition space partitioned by the foils 44, and at a substantially central position of the internal space in the main ray direction. With such a configuration, an internal space (pseudo-buffer space) similar to that of the first embodiment can be provided inside the fixed foil trap 13b'.

なお、長さｄ１およびｈ１は、上記内部空間に流入するＡｒガスの流量、バッファ空間の幅に相当するホイル４４の枚数等を考慮して、当該内部空間がバッファ空間として機能できるように適宜設定される。また、ガス導入口４３ａから開口部４４ａの端部までの距離ｈ２は、できるだけ短い方が好ましい。距離ｈ２が短いと、この領域のコンダクタンスが比較的大きくなり、ガス導入口４３ａから供給されるＡｒガスの殆どが、上記の擬似的なバッファ空間に供給されるようになるためである。
さらに、開口部４４ａのホイル４４における位置は、開口部４４ａの中心からホイル４４のＥＵＶ光入射側端部までの長さをＬ１、開口部４４ａの中心からホイル４４のＥＵＶ光出射側端部までの長さをＬ２としたとき、Ｌ１＜Ｌ２となる位置に設定されている。このように設定することにより、第一の実施形態と同様に、ＥＵＶ光束出射側のＡｒガス圧力が低くなるようにすることが可能となる。 The lengths d1 and h1 are appropriately set so that the internal space can function as a buffer space in consideration of the flow rate of Ar gas flowing into the internal space, the number of foils 44 corresponding to the width of the buffer space, and the like. Will be done. Further, the distance h2 from the gas introduction port 43a to the end of the opening 44a is preferably as short as possible. This is because when the distance h2 is short, the conductance in this region becomes relatively large, and most of the Ar gas supplied from the gas introduction port 43a is supplied to the pseudo buffer space described above.
Further, the position of the opening 44a in the foil 44 is such that the length from the center of the opening 44a to the EUV light incident side end of the foil 44 is L1, and from the center of the opening 44a to the EUV light emitting side end of the foil 44. When the length of is L2, it is set at a position where L1 <L2. By setting in this way, it is possible to lower the Ar gas pressure on the EUV luminous flux emitting side as in the first embodiment.

このように、本実施形態における固定式ホイルトラップ１３ｂ´においては、上述した第一の実施形態と同様に、ＥＵＶ光路上でのガス圧力分布がほぼ均一であり、ＥＵＶ光通過領域でのガス圧力が十分高く、ＥＵＶ光出射側のＡｒガス圧力が低いという作用を奏することができる。したがって、回転式ホイルトラップ１３ａで捕捉しきれなかった高速のデブリの固定式ホイルトラップ１３ｂ´における捕捉確率を向上させることができる。
また、本実施形態における固定式ホイルトラップ１３ｂ´においては、開口部４４ａを有するホイル４４を複数枚備える構成であるため、第一の実施形態のようにホイル４１とホイル４２との組をＥＵＶ取出光の光線方向に一列に並ぶように支持する必要がなく、固定枠４３によるホイル４４の支持が容易である。 As described above, in the fixed foil trap 13b'in the present embodiment, the gas pressure distribution on the EUV optical path is substantially uniform and the gas pressure in the EUV light passing region is substantially uniform, as in the first embodiment described above. Is sufficiently high, and the Ar gas pressure on the EUV light emitting side can be low. Therefore, it is possible to improve the probability of capturing the high-speed debris fixed foil trap 13b'that could not be captured by the rotary wheel trap 13a.
Further, since the fixed foil trap 13b'in the present embodiment is configured to include a plurality of foils 44 having openings 44a, the EUV extraction of the pair of the foil 41 and the foil 42 as in the first embodiment is performed. It is not necessary to support the foil 44 so as to line up in the direction of the light beam, and the foil 44 can be easily supported by the fixed frame 43.

（第三の実施形態）
次に、本発明の第三の実施形態について説明する。
上述した第一の実施形態では、ホイル４１の枚数とホイル４２の枚数とを同じとする場合について説明した。第三の実施形態では、ホイル４１とホイル４２とを異なる枚数とした場合について説明する。
また、第一の実施形態においては、図５および図６に示すようにＬ１＜Ｌ２に設定し、複数のホイル４１で区画された区画空間のコンダクタンスが、複数のホイル４２で区画された区画空間のコンダクタンスより大きくなるようにした。これにより、バッファ空間に供給されたＡｒガスが、ＥＵＶ光入射側（図６の矢印α側）の方に流れやすく、ＥＵＶ光出射側（図６の矢印β側）の方に流れにくくし、固定式ホイルトラップ１３ｂのＥＵＶ光出射側の圧力が、ＥＵＶ光入射側と比べてより低くなる傾向とした。 (Third embodiment)
Next, a third embodiment of the present invention will be described.
In the first embodiment described above, the case where the number of foils 41 and the number of foils 42 are the same has been described. In the third embodiment, a case where the number of foils 41 and the number of foils 42 are different will be described.
Further, in the first embodiment, as shown in FIGS. 5 and 6, L1 <L2 is set, and the conductance of the partition space partitioned by the plurality of foils 41 is the partition space partitioned by the plurality of foils 42. It was made larger than the conductance of. As a result, the Ar gas supplied to the buffer space easily flows toward the EUV light incident side (arrow α side in FIG. 6) and does not easily flow toward the EUV light emitting side (arrow β side in FIG. 6). The pressure on the EUV light emitting side of the fixed foil trap 13b tends to be lower than that on the EUV light incident side.

本実施形態では、複数のホイル４１で区画された区画空間のコンダクタンスを、複数のホイル４２で区画された区画空間のコンダクタンスよりも大きくするために、図１３に固定式ホイルトラップ１３ｂ″の上面図を示すように、ホイル４２の枚数を、ホイル４１の枚数よりも多くしている。
このように設定することにより、バッファ空間４３ｂの中心からホイル４１のＥＵＶ光入射側端部までの長さＬ１と、バッファ空間４３ｂの中心からホイル４２のＥＵＶ光出射側端部までの長さＬ２とが等しい長さＬであっても、第一の実施形態と同様の効果を得ることができる。すなわち、バッファ空間４３ｂにおいて均一化されたＡｒガスは、ＥＵＶ光入射側（図１３の矢印α側）の方に流れやすく、ＥＵＶ光出射側（図１３の矢印β側）の方には流れにくくすることができる。その結果、固定式ホイルトラップ１３ｂ″のＥＵＶ光入射側の空間４３ｃの圧力をより高くし、ＥＵＶ光出射側の空間４３ｄの圧力をより低くすることが可能となる。 In the present embodiment, in order to make the conductance of the partition space partitioned by the plurality of foils 41 larger than the conductance of the partition space partitioned by the plurality of foils 42, the top view of the fixed foil trap 13b ″ is shown in FIG. As shown in the above, the number of foils 42 is larger than the number of foils 41.
By setting in this way, the length L1 from the center of the buffer space 43b to the EUV light incident side end of the foil 41 and the length L2 from the center of the buffer space 43b to the EUV light emitting side end of the foil 42. Even if the length L is the same as that of the first embodiment, the same effect as that of the first embodiment can be obtained. That is, the Ar gas homogenized in the buffer space 43b easily flows toward the EUV light incident side (arrow α side in FIG. 13) and hardly flows toward the EUV light emitting side (arrow β side in FIG. 13). can do. As a result, the pressure in the space 43c on the EUV light incident side of the fixed foil trap 13b ″ can be made higher, and the pressure in the space 43d on the EUV light emitting side can be made lower.

このように、本実施形態における固定式ホイルトラップ１３ｂ″においては、上述した第一の実施形態と同様に、ＥＵＶ光路上でのガス圧力分布がほぼ均一であり、ＥＵＶ光通過領域でのガス圧力が十分高く、ＥＵＶ光出射側のＡｒガス圧力が低いという作用を奏することができる。したがって、回転式ホイルトラップ１３ａで捕捉しきれなかった高速のデブリの固定式ホイルトラップ１３ｂ″における捕捉確率を向上させることができる。
また、本実施形態における固定式ホイルトラップ１３ｂ″においては、ホイル４１とホイル４２とのＥＵＶ光の光線方向における長さを同じにすることができる。このように、ホイル４１とホイル４２とを同一形状のホイルとすることができるので、ホイルの製造が容易である。 As described above, in the fixed foil trap 13b "in the present embodiment, the gas pressure distribution on the EUV optical path is substantially uniform and the gas pressure in the EUV light passing region is substantially uniform, as in the first embodiment described above. Is sufficiently high and the Ar gas pressure on the EUV light emitting side is low. Therefore, the capture probability in the fixed foil trap 13b ″ of high-speed debris that could not be captured by the rotary foil trap 13a is improved. Can be made to.
Further, in the fixed foil trap 13b "in the present embodiment, the lengths of the foil 41 and the foil 42 in the EUV light direction can be the same. In this way, the foil 41 and the foil 42 are the same. Since the foil can be shaped, the foil can be easily manufactured.

（変形例）
上記各実施形態においては、固定式ホイルトラップを構成するホイルが、固定式ホイルトラップの正面図において等間隔に配置され、上面図においてＥＵＶ取出光の光線方向に伸びるように放射状に配置されている場合について説明した。しかしながら、固定式ホイルトラップを構成するホイルの配置は上記に限定されるものではない。
例えば、固定式ホイルトラップは、図１４および図１５に示す形状であってもよい。すなわち、固定式ホイルトラップを構成するホイル５１および５２は、所定の仮想軸を中心として半径方向に放射状に配置されたホイルの一部を切り取った形状であってもよい。ここで、上記仮想軸は、例えば、回転式ホイルトラップ１３ａの回転軸３４と一致する軸とすることができる。また、固定枠５２は、例えば、上記仮想軸を中心とした円弧を有する扇形とすることができる。なお、固定枠５２の外形は任意の形状であってよい。さらに、複数のホイル５１および５２は、仮想軸に直交する方向から見た場合、図１６に示すように、仮想軸に対して平行に配置することができる。
この場合にも、複数のホイル５１と複数のホイル５２との間に擬似的なバッファ空間５３ｂを形成し、ガス導入口５３ａを介してバッファ空間５３ｂにＥＵＶ透明ガスを供給することができるので、第一および第三の実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、第二の実施形態のような開口部を有する複数のホイルを配置する構成にも適用可能である。 (Modification example)
In each of the above embodiments, the foils constituting the fixed foil trap are arranged at equal intervals in the front view of the fixed foil trap and radially arranged so as to extend in the light ray direction of the EUV extraction light in the top view. The case was explained. However, the arrangement of the foils constituting the fixed foil trap is not limited to the above.
For example, the fixed foil trap may have the shapes shown in FIGS. 14 and 15. That is, the foils 51 and 52 constituting the fixed foil trap may have a shape obtained by cutting out a part of the foils arranged radially around a predetermined virtual axis. Here, the virtual axis can be, for example, an axis that coincides with the rotation axis 34 of the rotary wheel trap 13a. Further, the fixed frame 52 can be, for example, a fan shape having an arc centered on the virtual axis. The outer shape of the fixed frame 52 may have any shape. Further, the plurality of foils 51 and 52 can be arranged parallel to the virtual axis as shown in FIG. 16 when viewed from a direction orthogonal to the virtual axis.
Also in this case, a pseudo buffer space 53b is formed between the plurality of foils 51 and the plurality of foils 52, and EUV transparent gas can be supplied to the buffer space 53b via the gas introduction port 53a. The same effects as those of the first and third embodiments can be obtained. It is also applicable to the configuration in which a plurality of foils having openings are arranged as in the second embodiment.

また、上記各実施形態においては、デブリトラップ１３として回転式ホイルトラップと固定式ホイルトラップとを両方用いる場合について説明したが、固定式ホイルトラップのみを用いてもよい。
さらに、上記各実施形態においては、固定式ホイルトラップを１つのみ用いる場合について説明したが、固定式ホイルトラップを複数用いることもできる。この場合、複数の固定式ホイルトラップは、ＥＵＶ取出光の主光線方向に並設される。
さらに、上記実施形態においては、ＥＵＶ透明ガスを固定式ホイルトラップの上下方向から供給する場合について説明したが、ＥＵＶ透明ガスを供給する方向は任意の方向であってよい。また、ＥＵＶ透明ガスを固定枠４３の全周方向から供給してもよい。 Further, in each of the above embodiments, the case where both the rotary wheel trap and the fixed wheel trap are used as the debris trap 13 has been described, but only the fixed wheel trap may be used.
Further, in each of the above embodiments, the case where only one fixed foil trap is used has been described, but a plurality of fixed foil traps can also be used. In this case, the plurality of fixed foil traps are arranged side by side in the main ray direction of the EUV extraction light.
Further, in the above embodiment, the case where the EUV transparent gas is supplied from the vertical direction of the fixed foil trap has been described, but the EUV transparent gas may be supplied in any direction. Further, EUV transparent gas may be supplied from the entire circumferential direction of the fixed frame 43.

（応用例）
上記各実施形態においては、高温プラズマ原料に照射するエネルギービームとしてレーザを用いる場合について説明したが、レーザに代えてイオンビームや電子ビーム等を用いることもできる。
また、上記各実施形態においては、ＤＰＰ方式のＥＵＶ光源装置に適用する場合について説明したが、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光源装置にも適用可能である。なお、ＬＰＰ方式とは、プラズマ生成用ドライバレーザをターゲット材料に照射し、当該ターゲット材料を励起させてプラズマを生成する方式である。 (Application example)
In each of the above embodiments, the case where a laser is used as the energy beam for irradiating the high temperature plasma raw material has been described, but an ion beam, an electron beam, or the like can be used instead of the laser.
Further, in each of the above embodiments, the case of applying to the EUV light source device of the DPP type has been described, but the case of applying to the EUV light source device of the LPP type can also be applied. The LPP method is a method of irradiating a target material with a driver laser for plasma generation and exciting the target material to generate plasma.

さらに、上記実施形態においては、ＥＵＶ光源装置を露光用マスクの検査装置の光源として用いる場合について説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、半導体露光用光源として用いることもできる。この場合、固定式ホイルトラップは、回転式ホイルトラップと同等の大きさとしてもよい。
また、上記実施形態においては、光源装置がＥＵＶ光源装置である場合について説明したが、光源装置は、ＶＵＶ（真空紫外光）を取り出すＶＵＶ光源装置や、Ｘ線を取り出すＸ線発生装置であってもよい。光源装置をＶＵＶ光源装置として機能させる場合、このＶＵＶ光源装置は、基板の表面改質用光源、オゾン発生用光源、基板の貼り合わせ用光源として用いることもできる。 Further, in the above embodiment, the case where the EUV light source device is used as the light source of the inspection device for the exposure mask has been described, but the present invention is not limited to this, and for example, it can be used as a light source for semiconductor exposure. In this case, the fixed wheel trap may have the same size as the rotary wheel trap.
Further, in the above embodiment, the case where the light source device is an EUV light source device has been described, but the light source device is a VUV light source device that extracts VUV (vacuum ultraviolet light) or an X-ray generator that extracts X-rays. May be good. When the light source device functions as a VUV light source device, this VUV light source device can also be used as a surface modification light source for a substrate, an ozone generation light source, and a substrate bonding light source.

さらに、光源装置をＸ線発生装置として機能させる場合、このＸ線発生装置は、医療用分野においては、胸部Ｘ線写真撮影や、歯科Ｘ線写真撮影、ＣＴ（Computer Tomogram）といった用途に用いることもできる。また、このＸ線発生装置は、工業用分野においては、構造物や溶接部などの物質内部を観察する非破壊検査、断層非破壊検査といった用途に用いることもできる。さらに、このＸ線発生装置は、研究用分野においては、物質の結晶構造を解析するためのＸ線解析、物質の構成元素を分析するためのＸ線分光（蛍光Ｘ線分析）といった用途に用いることもできる。 Further, when the light source device functions as an X-ray generator, the X-ray generator should be used for chest X-ray photography, dental X-ray photography, CT (Computed Tomography), etc. in the medical field. You can also. Further, in the industrial field, this X-ray generator can also be used for non-destructive inspection for observing the inside of substances such as structures and welds, and non-destructive inspection for faults. Further, in the field of research, this X-ray generator is used for applications such as X-ray analysis for analyzing the crystal structure of a substance and X-ray spectroscopy (fluorescent X-ray analysis) for analyzing the constituent elements of a substance. You can also do it.

１１…チャンバ、１３…デブリトラップ、１３ａ…回転式ホイルトラップ、１３ｂ…固定式ホイルトラップ、２１ａ，２１ｂ…放電電極、２２ａ，２２ｂ…高温プラズマ原料、２３ａ，２３ｂ…コンテナ、２７…パルス電力発供給部、２８…レーザ源、４０…制御部、３１…ホイル、３２…中心支柱、３３…外側リング、４１…ホイル、４２…ホイル、４３…固定枠、４３ａ…ガス導入口、４３ｂ…内部空間（バッファ空間）、１００…極端紫外光光源装置（マスク検査用ＥＵＶ光源装置） 11 ... Chamber, 13 ... Debris trap, 13a ... Rotary foil trap, 13b ... Fixed foil trap, 21a, 21b ... Discharge electrode, 22a, 22b ... High temperature plasma raw material, 23a, 23b ... Container, 27 ... Pulse power generation and supply Unit, 28 ... Laser source, 40 ... Control unit, 31 ... Foil, 32 ... Central support, 33 ... Outer ring, 41 ... Foil, 42 ... Foil, 43 ... Fixed frame, 43a ... Gas inlet, 43b ... Internal space ( Buffer space), 100 ... Extreme ultraviolet light source device (EUV light source device for mask inspection)

Claims (10)

プラズマの近傍に配置され、前記プラズマから放射される光を通過し、当該プラズマから発生するデブリを捕捉するデブリトラップであって、
複数のホイルと、
前記複数のホイルを固定する固定部材と、
前記光の通過方向における上流側および下流側にそれぞれ前記ホイルが存在し、少なくとも前記光の通過領域において前記ホイルが存在しない内部空間と、
前記固定部材に設けられ、前記内部空間に前記光に対して透明な透明ガスを導入可能なガス導入口と、を有する固定式ホイルトラップを備え、
前記上流側に存在する前記ホイルで区画された区画空間のコンダクタンスが、前記下流側の前記ホイルで区画された区画空間のコンダクタンスよりも大きいことを特徴とするデブリトラップ。 A debris trap that is placed near the plasma, passes through the light emitted from the plasma, and captures the debris generated from the plasma.
With multiple foils
A fixing member for fixing the plurality of foils and
An internal space in which the foil exists on the upstream side and the downstream side in the light passing direction, respectively, and the foil does not exist in at least the light passing region.
A fixed foil trap provided on the fixing member and having a gas introduction port capable of introducing a transparent gas transparent to the light into the internal space is provided.
A debris trap characterized in that the conductance of the foil-partitioned compartment space existing on the upstream side is larger than the conductance of the foil-partitioned compartment space on the downstream side . 前記複数のホイルは、 The plurality of foils
前記光の通過領域における前記上流側に配置された複数の第一のホイルと、 A plurality of first foils arranged on the upstream side in the light passing region,
前記光の通過領域における前記下流側に、前記複数の第一のホイルに対して所定距離離間させて配置された複数の第二のホイルと、を有し、 A plurality of second foils arranged at a predetermined distance from the plurality of first foils are provided on the downstream side of the light passing region.
前記内部空間は、前記第一のホイルと前記第二のホイルとによって形成される空間であって、 The internal space is a space formed by the first foil and the second foil.
前記複数のホイルは、 The plurality of foils
前記第一のホイルと前記第二のホイルとが前記光線方向を含む同一平面内に配置された一組のホイル組を複数有する構成であり、 The first foil and the second foil have a plurality of sets of foils arranged in the same plane including the direction of the light beam.
前記光線方向における前記第一のホイルの長さが、前記光線方向における前記第二のホイルの長さよりも短く設定されていることを特徴とする請求項１に記載のデブリトラップ。 The debris trap according to claim 1, wherein the length of the first foil in the ray direction is set shorter than the length of the second foil in the ray direction. 前記複数のホイルは、 The plurality of foils
前記光の通過領域における前記上流側に配置された複数の第一のホイルと、 A plurality of first foils arranged on the upstream side in the light passing region,
前記光の通過領域における前記下流側に、前記複数の第一のホイルに対して所定距離離間させて配置された複数の第二のホイルと、を有し、 A plurality of second foils arranged at a predetermined distance from the plurality of first foils are provided on the downstream side of the light passing region.
前記内部空間は、前記第一のホイルと前記第二のホイルとによって形成される空間であって、 The internal space is a space formed by the first foil and the second foil.
前記第二のホイルの枚数は、前記第一のホイルの枚数よりも多く、 The number of the second foil is larger than the number of the first foil,
前記光線方向における前記第一のホイルの長さと、前記光線方向における前記第二のホイルの長さとが等しく設定されていることを特徴とする請求項１に記載のデブリトラップ。 The debris trap according to claim 1, wherein the length of the first foil in the ray direction and the length of the second foil in the ray direction are set to be equal. 前記複数のホイルは、それぞれ開口部を有し、 The plurality of foils each have an opening and
前記内部空間は、前記複数のホイルの前記開口部によって形成される空間であり、 The internal space is a space formed by the openings of the plurality of foils.
前記開口部の中心位置から前記ホイルの前記光線方向における上流側端部までの長さが、前記開口部の中心位置から前記ホイルの前記光線方向における下流側端部までの長さよりも短く設定されていることを特徴とする請求項１に記載のデブリトラップ。 The length from the center position of the opening to the upstream end of the foil in the ray direction is set shorter than the length from the center of the opening to the downstream end of the foil in the ray direction. The debris trap according to claim 1, wherein the debris trap is provided. 前記ガス導入口は、
前記固定部材における前記固定式ホイルトラップを通過する前記光の主光線方向を挟んで対向する面に、それぞれ設けられていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のデブリトラップ。 The gas inlet is
The debris according to any one of claims 1 to 4, wherein the fixing member is provided on the surfaces of the fixing member facing each other with the main ray direction of the light passing through the fixed foil trap. trap. 前記ガス導入口は、
前記固定部材の全周に設けられていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のデブリトラップ。 The gas inlet is
The debris trap according to any one of claims 1 to 4, wherein the debris trap is provided on the entire circumference of the fixing member. 前記複数のホイルは、 The plurality of foils
前記固定式ホイルトラップを通過する前記光の主光線方向に直交する断面において、それぞれ等間隔に配置されていることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載のデブリトラップ。 The debris trap according to any one of claims 1 to 6, wherein the debris traps are arranged at equal intervals in a cross section orthogonal to the main ray direction of the light passing through the fixed foil trap. 前記固定式ホイルトラップは、
前記プラズマから放射される光の一部を所定の立体角で取り出した光線束を通過し、前記光線束の進行方向に進行するデブリを捕捉するものであり、
前記複数のホイルは、前記光線束の通過領域に相当する大きさを有することを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載のデブリトラップ。 The fixed foil trap
A part of the light radiated from the plasma passes through a ray bundle taken out at a predetermined solid angle, and debris traveling in the traveling direction of the ray bundle is captured.
The debris trap according to any one of claims 1 to 7 , wherein the plurality of foils have a size corresponding to a passing region of the light beam bundle. 前記プラズマを通る軸を回転軸として回転可能な複数の回転ホイルと、
前記回転軸上に配置され前記回転ホイルを支持する支持部材と、を有し、
前記固定式ホイルトラップに対して前記回転軸方向に並設される回転式ホイルトラップをさらに備えることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載のデブリトラップ。 A plurality of rotating wheels that can rotate around the axis passing through the plasma as a rotation axis,
It has a support member arranged on the rotation shaft and supporting the rotation foil, and has.
The debris trap according to any one of claims 1 to 8 , further comprising a rotary wheel trap arranged side by side in the rotation axis direction with respect to the fixed wheel trap. 請求項１から９のいずれか１項に記載のデブリトラップと、
前記光を放射する原料を励起し、プラズマを発生させるプラズマ発生部と、を備えることを特徴とする光源装置。 The debris trap according to any one of claims 1 to 9 ,
A light source device including a plasma generating unit that excites a raw material that emits light and generates plasma.
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7264119B2 (en) * 2020-06-12 2023-04-25 ウシオ電機株式会社 Extreme ultraviolet light source device
JP7107334B2 (en) * 2020-06-12 2022-07-27 ウシオ電機株式会社 Extreme ultraviolet light source device
WO2021251046A1 (en) 2020-06-12 2021-12-16 ウシオ電機株式会社 Extreme ultraviolet light source device
JP7468246B2 (en) 2020-08-21 2024-04-16 ウシオ電機株式会社 Extreme ultraviolet light source device
JP7359123B2 (en) 2020-10-12 2023-10-11 ウシオ電機株式会社 How to protect extreme ultraviolet light source equipment and receiving plate members
JP7327357B2 (en) 2020-11-11 2023-08-16 ウシオ電機株式会社 Foil trap cover device and debris mitigation device
JP7347402B2 (en) 2020-11-25 2023-09-20 ウシオ電機株式会社 Rotating foil trap and light source device
JP2023014709A (en) 2021-07-19 2023-01-31 ウシオ電機株式会社 Circulation mechanism and operation device
JP7571687B2 (en) 2021-08-11 2024-10-23 ウシオ電機株式会社 Storage and ejection mechanism, light source device, and storage and ejection method

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005505945A (en) * 2001-10-12 2005-02-24 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7307263B2 (en) * 2004-07-14 2007-12-11 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, radiation system, contaminant trap, device manufacturing method, and method for trapping contaminants in a contaminant trap
US7145132B2 (en) * 2004-12-27 2006-12-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, illumination system and debris trapping system
DE102005020521B4 (en) * 2005-04-29 2013-05-02 Xtreme Technologies Gmbh Method and device for suppressing debris in the generation of short-wave radiation based on a plasma
WO2006134512A2 (en) * 2005-06-14 2006-12-21 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Debris mitigation system with improved gas distribution
JP6036785B2 (en) * 2014-10-15 2016-11-30 ウシオ電機株式会社 Extreme ultraviolet light source device for foil trap and mask inspection

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20240001665A (en) 2022-06-27 2024-01-03 우시오덴키 가부시키가이샤 Debris reduction apparatus and light source apparatus having the same

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