JP6589588B2 - Pulse transformer - Google Patents
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Description
本発明は、たとえばLANケーブルなどを通じてパルス信号を伝送するための用途などに用いられるパルストランスに関する。 The present invention relates to a pulse transformer used for, for example, an application for transmitting a pulse signal through a LAN cable or the like.
パソコンなどの機器をLANや電話網などのネットワークに接続する場合、ケーブルを通して侵入するESD(ElectroStatic Discharge,静電放電)や高電圧から機器を守る必要がある。そこで、ケーブルと機器の接続点を構成するコネクタにはパルストランスが用いられる。 When connecting a device such as a personal computer to a network such as a LAN or a telephone network, it is necessary to protect the device from ESD (ElectroStatic Discharge) and high voltage entering through a cable. Therefore, a pulse transformer is used as a connector constituting the connection point between the cable and the device.
従来用いられているパルストランスはドーナツ型の磁心(トロイダルコア)に一次コイルと二次コイルを巻回して作られており、一次コイルに印加される電圧のうち交流成分(パルス)のみを二次コイルに伝えるという性質を有する。直流成分は二次コイルに伝わらないため、パルストランスはESDや高電圧を遮断することができる。 A conventional pulse transformer is made by winding a primary coil and a secondary coil around a donut-shaped magnetic core (toroidal core), and only the AC component (pulse) of the voltage applied to the primary coil is secondary. It has the property of transmitting to the coil. Since the direct current component is not transmitted to the secondary coil, the pulse transformer can block ESD and high voltage.
近年ではパルストランスにも小型化・表面実装化が求められており、そのために上記トロイダルコアに代えてドラム型コアを用いる例が登場している。そのようなパルストランスを表面実装型パルストランスといい、特許文献1にその例が開示されている。
In recent years, pulse transformers are also required to be miniaturized and surface-mounted. For this reason, an example in which a drum core is used instead of the toroidal core has appeared. Such a pulse transformer is referred to as a surface mount type pulse transformer, and an example thereof is disclosed in
ところで、ネットワークのイーサネット(登録商標)(Ethernet(登録商標))通信速度は、10Mbps(ビット毎秒)の10BASE-Tから、その10倍の100Mbpsの100BASE-TXが普及し、現在は、1Gbpsの1000BASE-Tが普及している。また、新たに10GBASE-T(10ギガビット・イーサネット(登録商標)(10GbE))が規格化されている。 By the way, the network speed of Ethernet (registered trademark) (Ethernet (registered trademark)) from 10BASE-T of 10Mbps (bits per second) to 10 times 100Mbps 100BASE-TX has become widespread, and now 1Gbps 1000BASE -T is popular. In addition, 10GBASE-T (10 Gigabit Ethernet (registered trademark) (10GbE)) has been newly standardized.
そのため、特に高周波での挿入損失(インサーションロス)が小さいパルストランスが求められている。挿入損失が小さければ、信号減衰量が少なくなり、高周波成分の減衰量が小さければ、高速なデータ信号を遠(長)距離に正確に送ることができる。しかしながら、従来のパルストランスでは、特に厳しい基準での高周波における挿入損失の低減を満足することが困難であった。 Therefore, there is a demand for a pulse transformer having a small insertion loss (insertion loss) particularly at a high frequency. If the insertion loss is small, the signal attenuation amount is small, and if the attenuation amount of the high frequency component is small, a high-speed data signal can be accurately sent to a long (long) distance. However, in the conventional pulse transformer, it has been difficult to satisfy the reduction of insertion loss at high frequency with particularly strict standards.
本発明は、このような実状に鑑みてなされ、その目的は、特に厳しい基準での高周波における挿入損失の低減を図ることが可能なパルストランスを提供することである。 The present invention has been made in view of such a situation, and an object of the present invention is to provide a pulse transformer capable of reducing insertion loss at a high frequency with a particularly strict standard.
本発明者等は、パルストランスについて鋭意検討した結果、ワイヤを相互に密着して巻芯部に巻回してある通常のコイル巻回領域の途中に、その巻回領域よりも巻回密度が低い領域を設けることで、挿入損失の低減を図ることができることを新たに見出し、本発明を完成させるに至った。 As a result of intensive studies on the pulse transformer, the inventors of the present invention have a winding density lower than that of the winding region in the middle of the normal coil winding region in which the wires are closely attached to each other and wound around the core portion. It has been newly found out that the insertion loss can be reduced by providing the region, and the present invention has been completed.
すなわち、本発明に係るパルストランスは、
巻芯部と、前記巻芯部にワイヤが巻回してあるコイル部とを有するパルストランスであって、
前記コイル部が、
前記ワイヤが相互に密着して前記巻芯部に巻回された第1通常巻回領域と、
前記第1通常巻回領域を構成する前記ワイヤと連続するワイヤで構成してあり、相互に密着して前記巻芯部に巻回された第2通常巻回領域と、
前記巻芯部の巻軸に沿って前記第1通常巻回領域と前記第2通常巻回領域との間に形成され、前記巻軸に沿う前記ワイヤの巻回密度が低い低密度巻回領域と、を有する。
That is, the pulse transformer according to the present invention is
A pulse transformer having a winding core part and a coil part in which a wire is wound around the winding core part,
The coil portion is
A first normal winding region in which the wires are in close contact with each other and wound around the core portion;
A second continuous winding region formed of a wire continuous with the wire constituting the first normal winding region and wound around the core portion in close contact with each other;
A low-density winding region formed between the first normal winding region and the second normal winding region along the winding axis of the winding core portion and having a low winding density of the wire along the winding shaft And having.
本発明に係るパルストランスにおいて、高周波領域での挿入損失の低減を図ることができる理由については必ずしも明らかではないが、低密度巻回領域と通常巻回領域との境界において、ワイヤの巻回が解れる(たとえば二層目に位置するワイヤが一層目に落ちる)ことなどが原因で、漏れ磁束が減少するためによるものではないかと考えられている。 In the pulse transformer according to the present invention, the reason why the insertion loss can be reduced in the high frequency region is not necessarily clear, but at the boundary between the low density winding region and the normal winding region, the winding of the wire is not It is thought that this is because leakage flux is reduced due to unraveling (for example, the wire located in the second layer falls to the first layer).
本発明のパルストランスでは、高周波領域での挿入損失の低減を図れることから、高周波における信号減衰量が少なくなり、高速なデータ信号を遠(長)距離に正確に送ることができる。 In the pulse transformer of the present invention, since the insertion loss in the high frequency region can be reduced, the amount of signal attenuation at the high frequency is reduced, and a high-speed data signal can be sent accurately over a long (long) distance.
好ましくは、前記低密度巻回領域では、前記巻芯部の表面が露出している。このように構成することで、高周波領域での挿入損失の低減効果を増大させることができる。 Preferably, the surface of the core part is exposed in the low density winding region. With this configuration, the effect of reducing the insertion loss in the high frequency region can be increased.
好ましくは、前記巻芯部の表面が露出する前記巻軸方向の隙間幅は、前記ワイヤの線径と同等以上である。このように構成することで、高周波領域での挿入損失の低減効果を増大させることができる。 Preferably, the gap width in the winding axis direction at which the surface of the winding core part is exposed is equal to or greater than the wire diameter of the wire. With this configuration, the effect of reducing the insertion loss in the high frequency region can be increased.
好ましくは、前記低密度巻回領域の前記巻軸方向の長さは、前記ワイヤの線径の2倍以上である。このように構成することで、高周波領域での挿入損失の低減効果を増大させることができる。 Preferably, the length of the low-density winding region in the winding axis direction is twice or more the wire diameter of the wire. With this configuration, the effect of reducing the insertion loss in the high frequency region can be increased.
好ましくは、複数の前記ワイヤの内の一部のワイヤが前記コイル部の一層目を構成し、他の残りの一部のワイヤが前記コイル部の二層目を構成する。このように構成することで、高周波領域での挿入損失の低減効果を増大させることができる。 Preferably, some of the plurality of wires constitute the first layer of the coil portion, and the other remaining wires constitute the second layer of the coil portion. With this configuration, the effect of reducing the insertion loss in the high frequency region can be increased.
好ましくは、一層目の前記ワイヤと二層目の前記ワイヤとでは、逆方向に巻回してある。このように構成することで、高周波領域での挿入損失の低減効果を増大させることができる。 Preferably, the wire in the first layer and the wire in the second layer are wound in opposite directions. With this configuration, the effect of reducing the insertion loss in the high frequency region can be increased.
好ましくは、前記第1通常巻領域および前記第2通常巻回領域のそれぞれの前記巻軸方向の長さが、前記ワイヤを2巻以上に巻いた長さである。 Preferably, the length in the winding axis direction of each of the first normal winding region and the second normal winding region is a length in which the wire is wound twice or more.
前記コイル部は、前記第2通常巻回領域を構成する前記ワイヤと連続するワイヤで構成してあり、相互に密着して前記巻芯部に巻回された第3通常巻回領域をさらに有し、前記巻軸方向に沿って前記第3通常巻回領域と前記第2通常巻回領域との間には、前記低密度巻回領域と同様な低密度巻回領域が形成してあってもよい。 The coil portion is formed of a wire continuous with the wire constituting the second normal winding region, and further includes a third normal winding region wound around the core portion in close contact with each other. A low density winding region similar to the low density winding region is formed between the third normal winding region and the second normal winding region along the winding axis direction. Also good.
好ましくは、前記第3通常巻回領域の前記巻軸方向の長さが、前記ワイヤを2巻以上に巻いた長さである。 Preferably, the length of the third normal winding region in the winding axis direction is a length obtained by winding the wire into two or more turns.
なお、前記コイル部は、さらに、第4通常巻回領域を有し、前記巻軸方向に沿って前記第4通常巻回領域と前記第3通常巻回領域との間には、前記低密度巻回領域と同様な低密度巻回領域を、さらに有していても良い。以下、同様に、低密度巻回領域を介して第5以降の通常巻回領域を形成してもよい。 The coil portion further includes a fourth normal winding region, and the low density is provided between the fourth normal winding region and the third normal winding region along the winding axis direction. You may have further the low density winding area | region similar to a winding area | region. Hereinafter, similarly, the fifth and subsequent normal winding regions may be formed through the low-density winding region.
以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。 Hereinafter, the present invention will be described based on embodiments shown in the drawings.
第1実施形態
図1に示すように、本発明の一実施形態に係るパルストランスは、表面実装型のコイル部品10で構成してある。このコイル部品10は、ドラム型コアである第1コア20と、板状の第2コア30と、第1コア20の巻芯部22に巻回されたコイル部40とを有する。
First Embodiment As shown in FIG. 1, a pulse transformer according to an embodiment of the present invention is composed of a
なお、コイル部品10の説明では、コイル部品10を実装する実装面と平行な面内にあり第1コア20の巻芯部22の巻軸と平行な方向をX軸、X軸と同じく実装面と平行な面内にありX軸と垂直な方向をY軸方向、実装面の法線方向をZ軸方向とする。
In the description of the
コイル部品10は、その外形寸法が、たとえば(幅3.2mm×高さ2.8mm×奥行き3.2mm)であるが、コイル部品10のサイズはこれに限定されない。
The outer dimensions of the
コイル部品10の正面図である図2Aに示すように、コイル部品10のコアは、第1コア20と第2コア30とを組み合わせて構成される。第1コア20は、棒状の巻芯部22と、巻芯部22の両端に備えられる一対のコア端部としての一対の鍔部24,24と、を有する。
As shown in FIG. 2A, which is a front view of the
図1および図2Aに示すように、鍔部24の外形状は、略直方体であり、一対の鍔部24は、X軸方向に関して所定の間隔を空けて、互いに略平行になるように配置されている。巻芯部22は、一対の鍔部24において互いに向かい合うそれぞれの面の中央部に接続しており、一対の鍔部24を接続している。巻芯部22の横断面形状は、本実施形態では矩形であるが、円形でも良く、その断面形状は特に限定されない。
As shown in FIGS. 1 and 2A, the outer shape of the
第2コア30は、板状のコアであり、第2コア30の外形状は、Z軸方向の辺が最も短い辺となる略直方体である。図2Eに示すように、第2コア30は、上面32の法線方向(Z軸方向)から見てX軸方向に長い略長方形であるが、正方形その他の形状であってもよい。図2Aに示すように、X軸方向の両端に位置する第2コア30の上面32は、鍔部24の底面24aと向かい合っており、底面24aに対して、たとえば熱硬化性樹脂などの接着剤などにより固定される。これにより、第2コア30は、第1コア20と連続する磁路を形成する。
The
図1〜図2Eに示すように、第1コア20の各鍔部24には、端子部51〜56が設けられている。端子部51〜56は、略L字の外形状を有する金具で構成されており、少なくとも一部が鍔部24の設置面24bに設けられている。なお、鍔部24の設置面24bは、第2コア30の上面32に向かい合う底面24aとは、反対側のZ軸方向の上面である。
As shown in FIGS. 1 to 2E,
コイル部品10をZ軸の上側から見た図2Dに示すように、3つの端子部51〜53は、一方の鍔部24に設けられており、他の3つの端子部54〜56は、他方の鍔部24に設けられている。隣接する端子部の間隔は等間隔ではなく、端子部52と端子部53の間隔は、端子部51と端子部52の間隔より広くなるよう設計されており、端子部54と端子部55の間隔は、端子部55と端子部56の間隔より広くなるよう設計されている。
As shown in FIG. 2D when the
図2Aに示すように、第1コア20の巻芯部22には、コイル部40が形成されている。図2Dおよび等価回路図である図4に示すように、コイル部40は、4本のワイヤ41〜44により構成される。ワイヤ41〜44は、たとえば被覆導線で構成してあり、良導体からなる芯材を絶縁性の被覆膜で覆った構成を有しており、巻芯部22に2層構造で巻回されている。
As shown in FIG. 2A, a
図3に示すように、ワイヤ42,44は、巻芯部22に通常のバイファイラ巻きされて1層目を構成し、ワイヤ41,43は巻芯部22に通常のバイファイラ巻きされて2層目を構成する。しかも、本実施形態では、一層目のワイヤ42,44と二層目のワイヤ41,43とでは、逆方向に巻回してある。また、ワイヤ41〜44の巻き数は全て同じであるが、異なっていてもよい。
As shown in FIG. 3, the
本実施形態では、図3に示すように、コイル部40が、第1通常巻回領域40aと、第2通常巻回領域40bと、低密度巻回領域40cとを有する。第1通常巻回領域40aは、四本のワイヤ41〜44が相互に密着して巻芯部22に巻回された領域である。また、第2通常巻回領域40bは、第1通常巻回領域40aを構成する四本のワイヤ41〜44と連続するワイヤ41〜44で構成してあり、相互に密着して巻芯部22に巻回された領域である。
In this embodiment, as shown in FIG. 3, the
低密度巻回領域40cは、巻芯部22の巻軸(X軸)に沿って第1通常巻回領域40aと第2通常巻回領域40bとの間に形成され、X軸に沿うワイヤ41〜44の巻回密度が低い領域である。なお、低密度巻回領域40cは、第1通常巻回領域40aを構成する四本のワイヤ41〜44と連続するワイヤ41〜44で構成してあり、第1通常巻回領域40aおよび第2通常巻回領域40bにおけるワイヤの巻回密度よりも低い巻回密度でワイヤが巻回してある。
The low
低密度巻回領域40cでは、図1にも示すように、巻芯部22の表面が露出している。これに対して、第1通常巻回領域40aおよび第2通常巻回領域40bでは、ワイヤ41〜44により覆われており、巻芯部22の表面は外部に露出しない。
In the low
図3に示すように、低密度巻回領域40cの巻軸(X軸方向)方向の長さαは、巻芯部22の表面が露出する巻軸方向の最大な隙間幅に対応し、少なくともワイヤ41〜44の線径と同等以上である。本実施形態では、ワイヤ41〜44は、全て同じ線径のワイヤにより構成してあるが、場合によっては異ならせても良い。ワイヤ41〜44として、異なる線径のワイヤを用いる場合には、隙間幅(長さα)は、最も小さい線径と同等以上である。
As shown in FIG. 3, the length α of the low-
好ましくは、低密度巻回領域の前記巻軸方向の長さをαとし、コイル部40の巻軸方向の長さ(全長)をL0とし、各ワイヤ41〜44のそれぞれの線径をdとし、各層に巻かれるワイヤ41〜44の本数をn(本実施形態ではn=2)とし、最小巻数をT(1以上の整数)とした場合に、d×n×T≦α<L0の関係にある。コイル部40の全長L0は、巻芯部22のZ軸方向の全長と同等以下である。
Preferably, the length of the low-density winding region in the winding axis direction is α, the length (full length) of the
好ましくは、第1通常巻回領域40aと第2通常巻回領域40bとの内で、最も巻軸方向の長さが短い領域の最小長さが、四本のワイヤ41〜44を二層以上で2巻以上に巻いた長さである。すなわち、第1通常巻回領域40aのX軸方向長さをX1とし、第2通常巻回領域40bのX軸方向長さをX2とした場合に、これらの長さX1およびX2は、それぞれ四本のワイヤ41〜44を二層以上で2巻以上に巻いた長さである。本実施形態では、L0=X1+α+X2の関係にある。また、好ましくは、X1/X2は0.5〜2であり、さらに好ましくは1近傍である。
Preferably, in the first normal winding
第1通常巻回領域40aと低密度領域40cとの境界、第2通常巻回領域40bと低密度領域40cとの境界、またはコイル部40のX軸方向の少なくとも一端では、4本のワイヤ41〜44の巻回が解れ、たとえば二層目に位置するワイヤ41,43の内の少なくとも1つが一層目に落ちることがある。図3に示す例では、第1通常巻回領域40aと低密度領域40cとの境界で、二層目に位置するワイヤ43が一層目に落ちている。また、第2通常巻回領域40bにおけるコイル部40の端部で二層目に位置するワイヤ43が一層目に落ちている。
Four
本実施形態では、第1通常巻回領域40aと第2通常巻回領域40bとは、連続する同じ四本のワイヤ41〜44で構成され、一層目の一対のワイヤ42,44と、二層目の一対のワイヤ41,43とが逆方向に巻回される。そのため、低密度巻回領域40cでは、図1に示すように、一層目の一対のワイヤ42,44と、二層目の一対のワイヤ41,43とが交差する部分が、少なくとも1箇所(好ましくは1箇所)で形成される。
In this embodiment, the 1st normal winding area |
図1、図2Dおよび図4に示すように、ワイヤ41のワイヤ端41a,41bは、それぞれ端子部54,52に接続され、ワイヤ42のワイヤ端42a,42bは、それぞれ端子部51,54に接続され、ワイヤ43のワイヤ端43a、43bは、それぞれ端子部55,53に接続される。ワイヤ44のワイヤ端44a,44bは、それぞれ端子部53,56に接続される。
As shown in FIGS. 1, 2D, and 4, the wire ends 41a and 41b of the
なお、図4に示すように、端子部51,52は、それぞれ平衡入力のプラス側端子IN+とマイナス側端子IN−として用いられる。また、端子部55,56は、それぞれ平衡出力のプラス側端子OUT+とマイナス側端子OUT−として用いられる。端子部53,54は、それぞれ入力側および出力側の中間タップCTとして用いられる。ワイヤ41,42はパルストランスの一次巻線を構成し、ワイヤ43,44はパルストランスの二次巻線を構成する。
As shown in FIG. 4, the
コイル部品10の製造では、まず、端子部51〜56を設置したドラム型の第1コア20とワイヤ41〜44を準備する。第1コア20は、たとえば、比較的透磁率の高い磁性材料、たとえばNi−Zn系フェライトや、Mn−Zn系フェライト、あるいは金属磁性体などで構成してある磁性粉体を、成型および焼結することにより作製される。金属の端子部51〜56は、接着等により第1コア20の鍔部24に固定される。なお、端子部51〜56は、第1コア20に印刷・メッキ等により導体膜を形成し、その導体膜を焼き付けることにより、鍔部24に設けられてもよい。
In the manufacture of the
ワイヤ41〜44としては、たとえば、銅(Cu)などの良導体からなる芯材を、イミド変成ポリウレタンなどからなる絶縁材で覆い、さらに最表面をポリエステルなどの薄い樹脂膜で覆ったものを用いることができる。準備された端子部51〜56を設置した第1コア20およびワイヤ41〜44は、巻線機にセットされ、ワイヤ41〜44が、所定の順序で第1コア20の巻芯部22に巻回される。巻回されたワイヤ41〜44のワイヤ端41a〜44a,41b〜44bは、図2Dおよび図4に示す所定の端子部51〜56に、銀ロー付け、熱圧着またはレーザー接合などにより固定される。
As the
次に、板状の第2コア30を準備し、コイル部40が巻かれた第1コア20に接合する。第2コア30は、第1コア20と同様に、Ni−Zn系フェライトや、Mn−Zn系フェライト、あるいは金属磁性体などで構成してある磁性材料の焼結体または成形体で構成される。
Next, a plate-like
本実施形態に係るパルストランス10では、特に厳しい基準での高周波における挿入損失の低減を図ることができる。高周波領域での挿入損失の低減を図ることができる理由については必ずしも明らかではないが、図3に示すように、低密度巻回領域40cと第1通常巻回領域40aとの境界において、4本のワイヤ41〜44の巻回が解れ、二層目に位置するワイヤ43が一層目に落ち、ワイヤ42の隣に位置することなどが原因で、漏れ磁束が減少するためによるものではないかと考えられている。
In the
本実施形態のパルストランス10では、高周波領域での挿入損失の低減を図れることから、高周波における信号減衰量が少なくなり、高速なデータ信号を遠(長)距離に正確に送ることができる。
In the
第2実施形態
図5に示す第2実施形態のパルストランスとしてのコイル部品10aでは、両端の鍔部24に各4つずつ、合計8つの端子部が設けられている点で相違するが、その他の構成は第1実施形態のコイル部品10と同様である。コイル部品10aの端子部53a,53bは、第1実施形態のコイル部品10の端子部53に対応しており、コイル部品10aの端子部54a,54bは、コイル部品10の端子部54に対応している。
Second Embodiment The
コイル部品10aでは、ワイヤ端43bとワイヤ端44aとの電気的な接続、およびワイヤ端41aとワイヤ端42bとの電気的な接続は、コイル部品10aを実装する配線基板上の配線パターンを介して行われる。本実施形態に係るコイル部品10aのその他の構成および作用効果は、第1実施形態の場合と同様であり、詳細な説明は省略する。
In the
第3実施形態
本実施形態では、図示省略するが、図1および図5に示すコイル部40が、さらに第3通常巻回領域を有し、巻軸方向に沿って第3通常巻回領域と第2通常巻回領域40aとの間には、低密度巻回領域40cと同様な低密度巻回領域を、さらに有していても良い。
Third Embodiment In the present embodiment, although not shown, the
なお、コイル部40は、さらに、第4通常巻回領域を有し、巻軸方向に沿って第4通常巻回領域と前記第1通常巻回領域との間、または前記第4通常巻回領域と前記第3通常巻回領域との間には、前記低密度巻回領域と同様な低密度巻回領域を、さらに有していても良い。以下、同様に、低密度巻回領域40cを介して第5以降の通常巻回領域を形成してもよい。第3以降の通常巻回領域は、第1通常巻回領域40aまたは第2通常巻回領40bと同様な構成を有する。本実施形態に係るコイル部品10aのその他の構成および作用効果は、第1実施形態の場合と同様であり、詳細な説明は省略する。
The
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変することができる。 The present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be variously modified within the scope of the present invention.
たとえば、第1コア20の形状については、実施形態に示すドラム型に限定されず、U字型など、巻芯部の両端に一対のコア端部を備える任意の形状とすることができる。また、第1コア20の2つの鍔部24は、同じ形状であっても、異なる形状であってもよい。
For example, the shape of the
また、上述した実施形態では、コイル部40の一層目を、2本のワイヤ42,44で構成し、二層目を、他の2本のワイヤ41,43で構成してあるが、ワイヤ41とワイヤ42とは、端子部54にて連続する1本のワイヤで構成しても良い。また、ワイヤ43とワイヤ44とは、端子部53にて連続する1本のワイヤで構成しても良い。
In the above-described embodiment, the first layer of the
さらにまた、上述した実施形態では、端子部53および54を用いているが、用途によっては、端子部53および54を省略しても良い。すなわち、図4に示すように、それぞれ入力側および出力側の中間タップCTとして用いられる端子部53および54を削除して、パルストランスを構成しても良い。その場合には、2本のワイヤのみを用いてパルストランスを構成することになる。
Furthermore, in the embodiment described above, the
さらに、本発明では、巻芯部22に対するワイヤの巻回方法を工夫することにより、巻回時に用いるワイヤの本数を減らしてもよい。たとえば1本または2本のワイヤを用いて、巻芯部22にコイル部40の一層目を形成した後、同じワイヤを用いてコイル部40の二層目を形成し、コイル部の一次巻線と二次巻線との境界を切断して、一次巻線と二次巻線とに分離しても良い。
Furthermore, in this invention, you may reduce the number of the wires used at the time of winding by devising the winding method of the wire with respect to the winding
また、上述した実施形態では、図1に示すように、巻芯部22のZ軸方向上面で、一層目の一対のワイヤ42,44と、二層目の一対のワイヤ41,43とが交差する交差部分が形成されたが、それに限定されない。たとえば、交差部分は、巻芯部22のZ軸方向下面に形成されても良く、または、Y軸方向に向かい合う巻芯部22の側面に形成されても良い。
In the embodiment described above, as shown in FIG. 1, the first pair of
以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。 Hereinafter, although this invention is demonstrated based on a more detailed Example, this invention is not limited to these Examples.
実施例1
図1〜図3に示すように、L0=X1+α+X2の関係の関係にあり、αがワイヤの線径の2本分以上の間隔であり、X1がX2に略等しいコイル部品10で構成されるパルストランスを作製した。そのパルストランスの挿入損失(Insertion Loss)を測定した結果を図6中の曲線ex1で示す。なお、図6において、横軸は、測定周波数(指数表示で単位はMHz)であり、縦軸は、挿入損失(信号減衰特性/単位はdB)である。挿入損失の測定は、ネットワークアナライザにより行った。
Example 1
As shown in FIGS. 1 to 3, the pulse has a relationship of L0 = X1 + α + X2, α is an interval equal to or more than two wire diameters of the wire, and X1 is composed of a
実施例2
図3に示すコイル部40における第2通常巻領域40bの隣に、第3通常巻回領域(図示省略するがそのZ軸方向長さがX3)を、別の低密度領域(図示省略するがそのZ軸方向長さがα)を介して形成し、L0=X1+α+X2+α+X3の関係にあり、X1とX2とX3とが略等しい以外は、実施例1と同様にして、コイル部品からなるパルストランスを作製した。実施例1と同様にしてパルストランスの挿入損失(Insertion Loss)を測定した結果を図6中の曲線ex2で示す。
Example 2
Next to the second normal winding
実施例3
第3通常巻回領域の隣に、第4通常巻回領域(図示省略するがそのZ軸方向長さがX4)を、別の低密度領域(図示省略するがそのZ軸方向長さがα)を介して形成し、L0=X1+α+X2+α+X3+α+X4の関係にあり、X1とX2とX3とX4が略等しい以外は、実施例2と同様にして、コイル部品からなるパルストランスを作製した。実施例1と同様にしてパルストランスの挿入損失(Insertion Loss)を測定した結果を図6中の曲線ex3で示す。
Example 3
Next to the third normal winding region, a fourth normal winding region (not shown but its length in the Z-axis direction is X4), another low-density region (not shown but its length in the Z-axis direction is α ), And a relationship of L0 = X1 + α + X2 + α + X3 + α + X4 was made in the same manner as in Example 2 except that X1, X2, X3, and X4 were substantially equal, and a pulse transformer made of a coil component was manufactured. The result of measuring the insertion loss (Insertion Loss) of the pulse transformer in the same manner as in Example 1 is shown by a curve ex3 in FIG.
比較例1
図3に示すような低密度領域40cを形成することなく、ワイヤ41〜44を実施例1と同じ巻数で巻回してコイル部を形成した以外は、実施例1と同様にして、コイル部品からなるパルストランスを作製した。実施例1と同様にしてパルストランスの挿入損失(Insertion Loss)を測定した結果を図6中の曲線Ce1で示す。
Comparative Example 1
A coil part is formed in the same manner as in Example 1 except that the coil portion is formed by winding the
評価
図6に示すように、全ての実施例1〜3に係るパルストランス(ex1〜ex3)において、比較例1に係るパルストランス(Ce1)に比較して、特に、250MHzまでの高周波数帯域において、挿入損失を、基準となる挿入損失St=−0.8dB未満にすることが可能になることが確認できた。
Evaluation As shown in FIG. 6, in all the pulse transformers (ex1 to ex3) according to Examples 1 to 3, compared with the pulse transformer (Ce1) according to Comparative Example 1, in particular, in a high frequency band up to 250 MHz. It was confirmed that the insertion loss can be made to be less than the standard insertion loss St = −0.8 dB.
10…コイル部品
20…第1コア
22…巻芯部
24…鍔部(コア端部)
30…第2コア
DESCRIPTION OF
30 ... Second core
Claims (9)
前記コイル部が、
前記ワイヤが相互に密着して前記巻芯部に巻回された第1通常巻回領域と、
前記第1通常巻回領域を構成する前記ワイヤと連続するワイヤで構成してあり、相互に密着して前記巻芯部に巻回された第2通常巻回領域と、
前記巻芯部の巻軸に沿って前記第1通常巻回領域と前記第2通常巻回領域との間に形成され、前記巻軸に沿う前記ワイヤの巻回密度が低い低密度巻回領域と、を有し、
前記第1通常巻回領域および第2通常巻回領域では、前記巻芯部に前記ワイヤが二層以上でバイファイラ巻きしてあり、
前記低密度巻回領域では、一層目でバイファイラ巻きしてある一対の前記ワイヤと、二層目でバイファイラ巻きしてある一対の前記ワイヤとが交差する部分が、少なくとも1箇所で形成してあるパルストランス。 A pulse transformer having a winding core part and a coil part in which a wire is wound around the winding core part,
The coil portion is
A first normal winding region in which the wires are in close contact with each other and wound around the core portion;
A second continuous winding region formed of a wire continuous with the wire constituting the first normal winding region and wound around the core portion in close contact with each other;
A low-density winding region formed between the first normal winding region and the second normal winding region along the winding axis of the winding core portion and having a low winding density of the wire along the winding shaft and, the possess,
In the first normal winding region and the second normal winding region, the wire is bifilar wound in two or more layers on the core portion,
In the low-density winding region, at least one portion where the pair of wires wound in the first layer and the pair of wires wound in the second layer intersect is formed in at least one place. Pulse transformer.
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