JP6215525B2 - 半導体発光装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 111
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 131
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 112
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 112
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 64
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 204
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49175—Parallel arrangements
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
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- H—ELECTRICITY
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- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
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- H01L33/52—Encapsulations
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Description
本発明は、半導体発光素子が発した光を蛍光体によって波長変換して出射する半導体発光装置に関する。
半導体発光素子を、蛍光体を含有した樹脂層で被覆することにより、半導体発光素子から発せられた光の一部を蛍光体で波長変換し、残りの光と混合して出射する発光装置が、特許文献１等により広く知られている。特許文献１の技術では、蛍光体を含有した樹脂層が、半導体発光素子の上面および側面を覆い、外形が角錐台（断面が台形）となるように形成されている。蛍光体含有樹脂層を角錐台に形成することにより、発光素子から水平方向、斜め上方向、および、上方向に発せられる光がそれぞれ蛍光体含有樹脂層を通過する距離をほぼ等しくでき、発光面の色むらを低減できる。
また、半導体発光素子の上面および側面を角錐台形状の透光性樹脂で覆い、その平らな上面に蛍光体含有樹脂のシートを搭載した構成が特許文献２に開示されている。蛍光体含有樹脂のシートの上面からは、半導体発光素子からの光で励起された蛍光体の発する蛍光と、半導体発光素子からの光との混合光が一様に出射される。
上記特許文献１および２に記載の発光装置は、半導体発光素子の素子基板および活性層等の素子全体を蛍光体含有樹脂層または透光性樹脂層で被覆する構成であるため、蛍光体含有樹脂層または透光性樹脂層の側面から発せられた光の一部が、半導体発光素子を搭載する支持基板の上面に到達して反射される。このため、半導体発光装置の正面輝度分布が、周辺部において急峻に立ち上がらないという問題がある。
また、特許文献２に記載の発光装置は、蛍光体含有樹脂のシートの上面からは一様な混合光が出射されるが、蛍光体含有樹脂シートの端面からは、シート内を導波した蛍光が出射される。また、透光性樹脂の側面からは、半導体発光素子からの光が直接出射される。このため、特許文献２の発光装置は、出射方向による色むらが大きい。
正面輝度分布の立ち上がりの問題を解決するために、特許文献３には、半導体発光素子の素子基板として光を透過しないものを用い、その上面に一回り小さい半導体エピタキシャル層を配置し、素子基板の上面にドーム状の蛍光体含有樹脂層を盛り上げ、半導体エピタキシャル層のみを蛍光体含有樹脂層で被覆する構造の半導体発光装置が提案されている。この構成により、素子基板の側面からは光が発せられず、半導体発光素子を支持する支持基板の上面で光が反射されないため、正面輝度分布が周辺部において急峻に立ち上がった配向パターンを得ることができる。
特許文献３に記載の発光装置は、半導体発光素子の基板として光を透過しないものを用い、微小な半導体エピタキシャル層の上に蛍光体含有樹脂層を盛り上げる構造であるため、特許文献１および２に記載のように半導体発光素子全体を樹脂で被覆する発光装置と比較すると、ほぼ点光源とみなすことができる。また、蛍光体含有樹脂層がドーム形状であるため、その出射角方向についての蛍光体含有樹脂層の厚みは一様であり、色むらを生じない。しかしながら、特許文献３の発光装置を点光源とはみなせないような拡大光学系に用いる場合には、色むらが問題となる。すなわち、特許文献３の発光装置は、蛍光体含有樹脂層がドーム形状であるため、半導体エピタキシャル層の上面から上方に向けて出射される光が蛍光体含有樹脂層を通過する距離は、半導体エピタキシャル層の中央部で最も長く、周辺部で短くなるため、半導体エピタキシャル層の蛍光の発生量が中央部は多く、周辺部は少なくなり、色むらが発生する。また、半導体エピタキシャル層の側面から出射された光の一部は、蛍光体含有樹脂層と空気の界面で反射されて上方に向かう。このため、半導体エピタキシャル層の側面から出射された光の蛍光体含有樹脂層内の光路長が、半導体エピタキシャル層の上部の蛍光体含有樹脂層の厚みよりも長ければ、蛍光の発生割合が半導体エピタキシャル層の上部よりも多くなり、逆に光路長が短ければ蛍光の発生割合が少なくなる。このため、色むらを防止するためには、半導体エピタキシャル層の側面部の蛍光体含有樹脂層の厚みの設計も重要になる。
また、半導体発光素子の上面サイズは、通常数百μｍ〜１ｍｍ角程度であるため、素子基板上面の蛍光体含有樹脂層の形状を、金型等により所定の形状に形成することも難しい。
本発明の目的は、半導体発光素子の素子基板の上面のみに蛍光体含有樹脂層を配置した構造であって、正面光の色むらが小さく、かつ、出射角による色むらも小さい半導体発光装置を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明の半導体発光装置は、発光構造を含む半導体エピタキシャル層と、半導体エピタキシャル層を支持し、半導体エピタキシャル層の発する光を透過しない素子基板と、半導体エピタキシャル層を覆うように素子基板上に配置された透光性樹脂層と、透光性樹脂層の上に配置された平坦かつ一様な厚さの蛍光体含有層とを有する構成である。半導体エピタキシャル層および蛍光体含有層は、素子基板の上面よりも小さく、透光性樹脂層は、素子基板の端部と蛍光体含有層の側面とを結ぶ傾斜した側面を有し、透光性樹脂層の側面は、蛍光体含有層の端面を覆っている。
本発明の発光装置は、素子基板の側面からは光が出射されず、微小な半導体エピタキシャル層を覆う透光性樹脂層および蛍光体含有層のみから光が発せられる点光源に近い発光装置を提供できる。しかも、透光性樹脂層の上に平坦かつ一様な厚さの蛍光体含有層を配置したことにより、上面の色むらを防止できる。また、透光性樹脂層の側面を傾斜させ、かつ、蛍光体含有層の端面を透光性樹脂層で覆うことにより、エピタキシャル層の側面から出射された光の一部を蛍光体含有層の端面まで導き、蛍光体含有層の端面から出射される蛍光と混合して、透光性樹脂層の側面から出射させることができる。これにより、蛍光体含有層の側面方向の出射光の色味を上面方向と同様の色味に調整することができる。よって、正面光の色むらを防止し、かつ、出射角による色むらも小さい半導体発光装置が得られる。
以下、本発明の一実施の形態の半導体発光装置について具体的に説明する。
（第１の実施形態）
図１（ａ）、（ｂ）に第１の実施形態の半導体発光装置の断面図と上面図をそれぞれ示す。本実施形態の半導体発光装置は、発光構造を含む半導体エピタキシャル層２と、半導体エピタキシャル層２を支持する素子基板１と、半導体エピタキシャル層２を覆うように素子基板１上に配置された透光性樹脂層３と、透光性樹脂層３上に配置された平坦かつ一様な厚さの蛍光体含有層４とを備えて構成される。素子基板１は、半導体エピタキシャル層２の発する光を透過しない構造である。素子基板１は、接着層１０により実装基板７に搭載されている。
図１（ａ）、（ｂ）に第１の実施形態の半導体発光装置の断面図と上面図をそれぞれ示す。本実施形態の半導体発光装置は、発光構造を含む半導体エピタキシャル層２と、半導体エピタキシャル層２を支持する素子基板１と、半導体エピタキシャル層２を覆うように素子基板１上に配置された透光性樹脂層３と、透光性樹脂層３上に配置された平坦かつ一様な厚さの蛍光体含有層４とを備えて構成される。素子基板１は、半導体エピタキシャル層２の発する光を透過しない構造である。素子基板１は、接着層１０により実装基板７に搭載されている。
半導体エピタキシャル層２および蛍光体含有層４は、素子基板１の上面よりも小さく、透光性樹脂層３の側面８は、素子基板１の端部と蛍光体含有層４の側面とを結ぶように傾斜している。透光性樹脂層３の側面８は、蛍光体含有層４の端面を覆っている。
また、半導体エピタキシャル層２に電圧を印加するための上面電極１１および下面電極９が、半導体エピタキシャル層２の上部および素子基板１の下面にそれぞれ配置されている。上面電極１１が配置されている領域は、蛍光体含有層４は切り欠かれている。上面電極１１は、素子基板１を搭載する実装基板７上の電極パッド（不図示）にボンディングワイヤ１２により接続されている。ボンディングワイヤ１２は、透光性樹脂層３の側面８から引き出されている。下面電極９は、導電性の接着層１０により実装基板７上の配線に接続されている。
素子基板１としては、半導体エピタキシャル層２の発する光を透過しない材料、例えば、シリコンやゲルマニウムを用いる。半導体エピタキシャル層２としては、所望の光を発光できるものであればどのよう構造であってもよい。例えば、ＩｎＧａＮ系の青色光を発する半導体エピタキシャル層を用いる。
透光性樹脂層３は、半導体エピタキシャル層２の発する光および蛍光体含有層４の発する蛍光に対して透明な樹脂により構成されている。例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂等を用いることができる。シリコーン樹脂は、長期信頼性が高く、好ましい。なお、樹脂に限らず、塗布や滴下した後硬化させることができるものであれば、無機化合物を用いることも可能である。
透光性樹脂層３の厚さ、すなわち、蛍光体含有層４とエピタキシャル層２との距離は、発光装置からの出射光量を大きくするためには、薄い方がよく、出射光の色味の角度依存性を低減するためには、厚い方がよい。よって、所望の出射光量及び角度依存性に応じて、透光性樹脂層３の厚みを調節することが望ましい。
蛍光体含有層４は、蛍光体を分散した樹脂で形成されたシート状または板状の部材や、蛍光体または蛍光体と他の無機化合物の焼結体で構成された板状部材（以下、蛍光体プレートと称する）、および、蛍光ガラスで構成された板状部材のいずれかを用いることができる。蛍光体含有層４は、後述する製造工程で説明するようにマウンター等でつかんで移動可能であることが望ましいため、支持部材等のない状態で形状を維持できるシート状や板状であることが望ましい。蛍光体の種類、粒径、蛍光体含有層４に占める蛍光体の濃度および蛍光体含有層４の厚さは、半導体エピタキシャル層２の発する光の波長や光量に応じて、発光装置１００の出射光として所望の色度が得られるように設定する。
蛍光体は、半導体エピタキシャル層２の発する光を吸収して励起され、所望の蛍光を発するものであればどのようなものでもよい。例えば、半導体エピタキシャル層２が青色光を発する場合には、蛍光体として黄色蛍光を発するＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット），ＴＡＧ（テルビウム・ アルミニウム・ガーネット）、サイアロン、ＢＯＳ（バリウム・オルソシリケート）などを用いることにより、青色光と黄色蛍光が混合された白色光を発する半導体発光装置を提供できる。また、緑色蛍光を発する蛍光体と赤色蛍光を発する蛍光体とを混合して用いることにより、発光スペクトルがブロードな演色性の優れた白色光を得ることができる。
板状の蛍光体含有層４としては、具体的には、ＹＡＧの焼結体や、ＹＡＧとＡｌ２Ｏ３の焼結体で形成した板状部材を用いることができる。
蛍光体含有層４を蛍光体を分散させた樹脂によって構成する場合、基材樹脂としては、蛍光および半導体エピタキシャル層２の発する光に透明なものであればよい。例えば、透光性樹脂層３として挙げた樹脂と同様のものを用いることができるが、蛍光体含有層４の基材樹脂は、透光性樹脂層３と同じ樹脂である必要はなく、別の樹脂を用いることももちろん可能である。なお、樹脂に限らず、蛍光体を分散させた後、硬化させることができるものであれば、基材として無機化合物を用いることも可能である。
実装基板７としては、セラミック基板、金属基板、ガラエポ基板等を用いることができる。実装基板７には、半導体エピタキシャル層２へ電圧供給のための電極パッドや配線等を予め形成しておく。
図２を用いて、図１の構成の半導体発光装置の発する光について説明する。素子基板１は、半導体エピタキシャル層２の発する光を透過しない材料で構成されているため、半導体エピタキシャル層２は、上面および側面から光を発する。
半導体エピタキシャル層２の上面から上方に発せられた光２１は、透光性樹脂層３を透過した後、蛍光体含有層４に入射し、一部が蛍光体に吸収される。蛍光体は、励起されて蛍光３１、３２を発する。蛍光３１、３２のうち、蛍光体含有層４の上方に出射される蛍光３１は、エピタキシャル層２から発せられた光２１と混合されて上方に出射される。また、一部の蛍光３２は、蛍光体含有層４の上面と下面で反射を繰り返し、蛍光体含有層４内を伝搬（導波）する。
これにより、半導体エピタキシャル層２の発する光２１が青色、蛍光３１が黄色である場合には、蛍光体含有層４から白色光が上方に出射される。このとき、蛍光体含有層４の厚さは一様であるので、蛍光３１の量も蛍光体含有層４の主平面方向について一様であり、蛍光体含有層４の上面からは色むらのない一様な光が出射される。
一方、半導体エピタキシャル層２の上面から斜め方向に出射された光２２および半導体エピタキシャル層２の側面から出射された光２４は、透光性樹脂層３を通過して、透光性樹脂層３の傾斜した側面８に到達し、一部の光２５は、側面８を通過して外部へ出射される。また、他の一部の光２３は、側面８で反射されて、蛍光体含有層４の端面まで到達し、蛍光体含有層４の端面でさらに反射される。これにより、光２３は、蛍光体含有層４の端面を覆う透光性樹脂層３内を繰り返し反射して進行しながら、その一部が、蛍光体含有層４の端面を覆う透光性樹脂層３から出射される。このとき、蛍光体含有層４の端面からは、蛍光体含有層４内を伝搬してきた蛍光３２が出射される。よって、蛍光体含有層４の端面を覆う透光性樹脂層３の側面からは、半導体エピタキシャル層２の出射光の一部の光２３と蛍光３２とが混合されて出射される。
これにより、透光性樹脂層３の側面８のうち、エピタキシャル層２に近い部分からは、エピタキシャル層２からの光２５（青色光）が出射されるが、蛍光体含有層４の端面に近い部分からは、エピタキシャル層２からの光２３と蛍光３２との混合光（白色光）が出射される。よって、本実施形態の発光装置は、上面と側面８の上部から白色光を発することができるため、蛍光体含有層４の端面３２が透光性樹脂層３の側面８で覆われていない場合と比較して、発光色の角度依存性を低減することができる。
なお、蛍光体含有層４の大きさは、図２のように、半導体エピタキシャル層２と同等（Ｗ＝０）もしくは、小さい（Ｗ＞０）ことが望ましい。このような大きさの関係にすることにより、蛍光体含有層４の全面が半導体エピタキシャル層２と対向するため、蛍光体含有層４から出射される光に含まれる蛍光と半導体エピタキシャル層２の混合割合を主平面方向で一様にすることができ、上面の色むらを防止できる。
また、図３のように、透光性樹脂層３の側面８は、外向きに凸に湾曲していることが望ましい。透光性樹脂層３の側面８が外向きに凸に湾曲している方が、内向きに凸に湾曲している場合と比較して、エピタキシャル層２から出射される光が、透光性樹脂層３と空気との界面で全反射する割合を小さくすることができ、光の取り出し効率を向上させることができる。よって、発光装置から出射される光束量を増加させることができる。
次に、図４（ａ）〜（ｂ）を用いて、本実施形態の半導体発光装置の製造方法について説明する。
まず、半導体エピタキシャル層２が予め搭載された素子基板１を用意し、実装基板７上にダイボンディングする。例えば、素子基板１がSiまたはGeであり、半導体エピタキシャル層２がInGaN系半導体で形成されたメタルボンディング素子（MB素子）である場合、AuSnペーストにより接着層１０を形成する。これにより、素子基板１の下面電極９は、AuSn共晶の接着層１０により実装基板７上の配線に電気的に接続される。
次に、ボンディングワイヤ１２として、例えばAuワイヤーを用いて、半導体エピタキシャル層２の上面または素子基板１上の上面電極１１と、実装基板７上のボンディングパッドとをワイヤーボンディングする。
さらに、未硬化の透光性樹脂をディスペンサー６１等を用いて、素子基板１の上面に塗布し、未硬化の透光性樹脂層３０を形成する（図４（ａ））。塗布量は、形成すべき透光性樹脂層３の厚さに応じて調整する。なお、図３のように、透光性樹脂層３０（透光性樹脂層３）の側面８を外向きに凸に湾曲させるためには、図４（ａ）の工程で塗布する透光性樹脂層３０の量を調節する。
蛍光体含有層４をガラスマウンター６２で保持し、未硬化の透光性樹脂層３０の上に搭載し位置決めする。蛍光体含有層４は、透光性樹脂層３０の上に表面張力によって浮いている。上と横から撮像し、画像認識技術を使用することで位置決め精度を向上させることができる。未硬化の透光性樹脂層３０の濡れ広がりを確認し、蛍光体含有層４の下面全体に透光性樹脂層３０が濡れ広がり、表面張力により、蛍光体含有層４の端面の上端から素子基板１の端部まで透光性樹脂層３０の傾斜した側面が形成されるようにする（図４（ｂ））。このとき、透光性樹脂層３０が、表面張力のみでは蛍光体含有層４の端面を覆わない（端面に這い上がらない）場合には、蛍光体含有層４をガラスマウンター６２で透光性樹脂層３０内に軽く押し込むようにする。このとき、蛍光体含有層４がエピタキシャル層２に接触しないようにする。
図４（ｂ）のように透光性樹脂層３０が濡れ広がったならば、加熱等により仮硬化させ、形状を維持する。透光性樹脂層３０の基材がシリコーン樹脂の場合、一例としては、１５０℃で例えば２ｈ〜４ｈ程度加熱し、仮硬化させる。透光性樹脂層３０の形状が維持できればよいので、硬化時間を１５分〜３０分程度に短縮することも可能である。また、仮硬化ではなく、完全に硬化させてもよい。この後、例えば、高温槽やホットプレートで、所定の時間加熱し、完全硬化させる。一例としては、１５０℃で２ｈ〜４ｈ加熱する。
このように本実施形態の半導体発光装置は、未硬化の透光性樹脂層３０の上に、素子基板１よりも小さい蛍光体含有層４をのせることにより、傾斜した側面８をもつ透光性樹脂層３を容易に形成することができる。よって、成形のための型などを用いることなく、傾斜した側面８をもつ所望形状の透光性樹脂層３によって微細な半導体エピタキシャル層２を覆うことができる。
蛍光体含有層４の膜厚は一様であり、蛍光体含有層４の全面が半導体エピタキシャル層２に対向しているため、蛍光体含有層４の上面から出射される光の色むらを抑制できる。また、蛍光体含有層４の端面を透光性樹脂層３で覆うことにより、蛍光を半導体エピタキシャル層２からの光と混合して出射することができる。よって、出射光の色味の角度依存性を低減できる。
このように、本実施形態では、半導体発光装置を上面から見た場合の色むら、および、角度依存性の両方を改善できる。
また、本発明の半導体発光装置は、素子基板１の側面から光が出射されず、素子基板１の上面からのみ光が出射されるため、発光面積が小さく、光束密度が大きく、配光パターンの配光領域と非配光領域との境界の光束密度の変化も急峻である。よって、光学系によって所望の配光パターンに加工するのが容易な、良好な光源を提供できる。
（第２の実施形態）
図５に示すように、第２の実施形態では、蛍光体含有層４が、透光性板状部材４１の下面に支持されている。透光性板状部材４１は、半導体エピタキシャル層２の発する光と蛍光体含有層４が発する蛍光の両方に透明である。
図５に示すように、第２の実施形態では、蛍光体含有層４が、透光性板状部材４１の下面に支持されている。透光性板状部材４１は、半導体エピタキシャル層２の発する光と蛍光体含有層４が発する蛍光の両方に透明である。
透光性板状部材４１の材質としては、石英が好ましいが、無アルカリガラス、低アルカリガラスおよび樹脂を用いることも可能である。この構成では、蛍光体含有層４が、単独でその形状を維持できなくてもよく、透光性板状部材４１に支持されて層形状を保つことができればよい。よって、蛍光体を分散した樹脂を透光性板状部材４１に塗布等して蛍光体含有層４を形成することも可能であるし、スプレー工法のように無機バインダーと蛍光体粒子とを混合して、透光性板状部材４１に吹き付けて蛍光体含有層４を形成することも可能である。
透光性板状部材４１の屈折率は、一般に空気の屈折率よりも高いため、蛍光体含有層４で発せられた光の少なくとも一部は、図５のように、蛍光体含有層４のみならず透光性板状部材４１も伝搬（導波）する。そのため、透光性樹脂層の側面は、蛍光体含有層４の端面のみならず透光性板状部材４１の端面も覆っていることが望ましい。これにより、透光性板状部材４１の端面から出射される蛍光を、半導体エピタキシャル層２の発する光と混合して、透光性樹脂層３の側面３から出射することができる。
他の構成および作用・効果は、第１の実施形態と同様であるので説明を省略する。また、製造工程も第１の実施形態と同様であるが、蛍光体含有層４は、上述のように透光性板状部材４１の下面にあらかじめ形成しておき、図４（ｂ）の工程では、ガラスマウンター６２で透光性板状部材４１の上面を保持して、未硬化の透光性樹脂層３０の上面に配置する。
本発明の半導体発光装置は、車載用光源（ヘッドランプ、リアコンビランプ、室内照明、ターンランプ）や照明装置（蛍光灯の代用品）として用いることができる。
１：素子基板、２：半導体エピタキシャル層、３：透光性樹脂層、４：蛍光体含有層、７：実装基板、９：下面電極、１０：接着層、１１：上面電極、１２：ボンディングワイヤ、４１：透光性板状部材
Claims (3)
- 発光構造を含む半導体エピタキシャル層と、
上面が前記半導体エピタキシャル層よりも大きく、当該上面に前記半導体エピタキシャル層が搭載され、かつ、前記半導体エピタキシャル層の発する光を透過しない素子基板と、
前記素子基板が搭載された、前記素子基板よりも大きい実装基板と、
前記素子基板の上面に配置され、前記半導体エピタキシャル層の上面および側面を覆い、前記素子基板の側面は覆わない透光性樹脂層と、
前記透光性樹脂層の上に配置され、前記素子基板の上面よりも小さく、かつ、前記半導体エピタキシャル層と同等もしくはそれ以下の大きさであって、全面が前記半導体エピタキシャル層に対向した、平坦かつ一様な厚さの板状の蛍光体含有層とを有し、
前記透光性樹脂層は、前記素子基板の端部と、前記蛍光体含有層の端面の上端とを結ぶ傾斜した側面を有し、前記透光性樹脂層の側面は、前記蛍光体含有層の端面を覆い、
前記蛍光体含有層は、蛍光体含有樹脂で構成されたシート、蛍光体を含有する焼結体で構成された板状部材および蛍光ガラスで構成された板状部材のいずれかを含み、
前記蛍光体含有層の上面からは、前記半導体エピタキシャル層から発せられ、対向する前記蛍光体含有層に入射した光と、当該光により励起されて前記蛍光体含有層で生じた蛍光との混合光が出射され、
前記透光性樹脂層の側面であって前記蛍光体含有層の端面を覆う部分からは、前記蛍光体含有層の端面から出射された蛍光と、前記半導体エピタキシャル層の上面および側面から出射されて前記透光性樹脂層の側面に直接到達して反射され、前記蛍光体含有層の端面に到達して再度反射された光との混合光が出射される
ことを特徴とする半導体発光装置。 - 発光構造を含む半導体エピタキシャル層と、
上面が前記半導体エピタキシャル層よりも大きく、当該上面に前記半導体エピタキシャル層が搭載され、かつ、前記半導体エピタキシャル層の発する光を透過しない素子基板と、
前記素子基板が搭載された、前記素子基板よりも大きい実装基板と、
前記素子基板の上面に配置され、前記半導体エピタキシャル層の上面および側面を覆い、前記素子基板の側面は覆わない透光性樹脂層と、
前記透光性樹脂層の上に配置され、前記素子基板の上面よりも小さく、かつ、前記半導体エピタキシャル層と同等もしくはそれ以下の大きさであって、全面が前記半導体エピタキシャル層に対向した、平坦かつ一様な厚さの板状の蛍光体含有層と、
前記蛍光体含有層の上に配置され、前記蛍光体含有層と同じ大きさの透光性板状部材とを有し、
前記透光性樹脂層は、前記素子基板の端部と、前記蛍光体含有層の端面の上端とを結ぶ傾斜した側面を有し、前記透光性樹脂層の側面は、前記蛍光体含有層の端面を覆い、
前記蛍光体含有層は、蛍光体含有樹脂で構成されたシート、蛍光体を含有する焼結体で構成された板状部材および蛍光ガラスで構成された板状部材のいずれかを含み、
前記透光性板状部材の上面からは、前記半導体エピタキシャル層から発せられ、対向する前記蛍光体含有層に入射した光と、当該光により励起されて前記蛍光体含有層で生じた蛍光との混合光が出射され、
前記透光性樹脂層の側面であって前記蛍光体含有層および前記透光性板状部材の端面を覆う部分からは、前記蛍光体含有層および前記透光性樹脂層の端面から出射された蛍光と、前記半導体エピタキシャル層の上面および側面から出射されて前記透光性樹脂層の側面に直接到達して反射され、前記蛍光体含有層および前記透光性樹脂層の端面に到達して再度反射された光との混合光が出射される
ことを特徴とする半導体発光装置。 - 請求項１または２に記載の半導体発光装置において、前記透光性樹脂層の側面は、外向きに凸に湾曲していることを特徴とする半導体発光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012234038A JP6215525B2 (ja) | 2012-10-23 | 2012-10-23 | 半導体発光装置 |
| US14/059,656 US9147814B2 (en) | 2012-10-23 | 2013-10-22 | Semiconductor light-emitting device and manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012234038A JP6215525B2 (ja) | 2012-10-23 | 2012-10-23 | 半導体発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014086549A JP2014086549A (ja) | 2014-05-12 |
| JP6215525B2 true JP6215525B2 (ja) | 2017-10-18 |
Family
ID=50484560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012234038A Active JP6215525B2 (ja) | 2012-10-23 | 2012-10-23 | 半導体発光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9147814B2 (ja) |
| JP (1) | JP6215525B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150129356A (ko) * | 2014-05-12 | 2015-11-20 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 장치 |
| JP2016092364A (ja) | 2014-11-11 | 2016-05-23 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置及び灯具 |
| JP6564206B2 (ja) | 2015-03-09 | 2019-08-21 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置 |
| JP6680868B2 (ja) | 2015-08-17 | 2020-04-15 | インフィニット アースロスコピー インコーポレーテッド， リミテッド | 光源 |
| US11330963B2 (en) | 2015-11-16 | 2022-05-17 | Lazurite Holdings Llc | Wireless medical imaging system |
| DE102016109308B4 (de) * | 2016-05-20 | 2024-01-18 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Strahlungsemittierendes bauelement |
| AU2018221566B2 (en) | 2017-02-15 | 2020-07-23 | Infinite Arthroscopy Inc. Limited | Wireless medical imaging system comprising a head unit and a light cable that comprises an integrated light source |
| JP2019102715A (ja) | 2017-12-06 | 2019-06-24 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
| CN110392820B (zh) * | 2018-02-20 | 2020-05-01 | 三菱电机株式会社 | 绝对编码器 |
| JP7288343B2 (ja) * | 2019-05-16 | 2023-06-07 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置 |
| USD938584S1 (en) | 2020-03-30 | 2021-12-14 | Lazurite Holdings Llc | Hand piece |
| USD972176S1 (en) | 2020-08-06 | 2022-12-06 | Lazurite Holdings Llc | Light source |
| JP7332896B2 (ja) * | 2020-09-30 | 2023-08-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| US20220165923A1 (en) * | 2020-11-24 | 2022-05-26 | Creeled, Inc. | Cover structure arrangements for light emitting diode packages |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005191420A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Stanley Electric Co Ltd | 波長変換層を有する半導体発光装置およびその製造方法 |
| JP4146406B2 (ja) | 2004-08-31 | 2008-09-10 | シャープ株式会社 | 発光素子および発光素子の製造方法 |
| CN101268120B (zh) * | 2005-09-22 | 2011-09-14 | 三菱化学株式会社 | 半导体发光器件用部件及其制造方法、以及使用该部件的半导体发光器件 |
| JP5102051B2 (ja) * | 2007-01-18 | 2012-12-19 | シチズン電子株式会社 | 半導体発光装置 |
| JP4999783B2 (ja) * | 2007-07-12 | 2012-08-15 | 株式会社小糸製作所 | 発光装置 |
| JP2009094199A (ja) | 2007-10-05 | 2009-04-30 | Sharp Corp | 発光装置、面光源、表示装置と、その製造方法 |
| JP5212777B2 (ja) | 2007-11-28 | 2013-06-19 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置及び照明装置 |
| JP2010050235A (ja) * | 2008-08-20 | 2010-03-04 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体発光装置およびその製造方法 |
| US7973327B2 (en) * | 2008-09-02 | 2011-07-05 | Bridgelux, Inc. | Phosphor-converted LED |
| JP5226449B2 (ja) * | 2008-10-03 | 2013-07-03 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
| JP5340191B2 (ja) * | 2010-02-02 | 2013-11-13 | 日東電工株式会社 | 光半導体装置 |
| JP5202559B2 (ja) * | 2010-03-09 | 2013-06-05 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| JP2011233650A (ja) * | 2010-04-26 | 2011-11-17 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
| JP2012044043A (ja) * | 2010-08-20 | 2012-03-01 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法 |
| JP5647028B2 (ja) * | 2011-02-14 | 2014-12-24 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
| JP5736203B2 (ja) * | 2011-03-22 | 2015-06-17 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置 |
| JP2013016588A (ja) * | 2011-07-01 | 2013-01-24 | Citizen Electronics Co Ltd | Ｌｅｄ発光装置 |
-
2012
- 2012-10-23 JP JP2012234038A patent/JP6215525B2/ja active Active
-
2013
- 2013-10-22 US US14/059,656 patent/US9147814B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9147814B2 (en) | 2015-09-29 |
| US20140110736A1 (en) | 2014-04-24 |
| JP2014086549A (ja) | 2014-05-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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