JP5919707B2 - 固体素子を有するデバイスの製造方法及びその製造方法で用いる複合体 - Google Patents
固体素子を有するデバイスの製造方法及びその製造方法で用いる複合体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5919707B2 JP5919707B2 JP2011216042A JP2011216042A JP5919707B2 JP 5919707 B2 JP5919707 B2 JP 5919707B2 JP 2011216042 A JP2011216042 A JP 2011216042A JP 2011216042 A JP2011216042 A JP 2011216042A JP 5919707 B2 JP5919707 B2 JP 5919707B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- irradiated
- flexible substrate
- substrate
- rigid substrate
- ultraviolet rays
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
このような状況下、撓みにくい剛性基板上に剥離層を介して固体素子を形成し、剥離層にレーザー光の照射を行って剥離を生じさせ、剥離した固体素子を可撓性基板に転写する方法がある(例えば、特許文献1)。
本発明は、固体素子を損傷させにくい、固体素子を有するデバイスの製造方法及びその製造方法で用いる複合体を提供することを目的とする。
前記可撓性基板はポリエステル、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテル、ポリカーカーボネート、アクリル、ポリウレタン又はポリイミドをふくめるポリマーを含み、前記剛性基板は無アルカリガラス又は石英ガラスをふくめるガラスを含むものである。
図1(1a)〜(1f)は、固体素子を有するデバイスの製造方法及びその製造方法で用いる複合体の一例を示す工程図である。
まず、可撓性基板1及び剛性基板2を準備し、前記可撓性基板1及び前記剛性基板2に紫外線3を照射する(紫外線照射工程)(図1(1a)〜(1b))。このとき、前記可撓性基板1及び前記剛性基板2を準備する順番並びに前記可撓性基板1及び前記剛性基板2に紫外線3を照射する順番は特に問わない。次に、前記可撓性基板1の紫外線3を照射した部位4及び前記剛性基板2の紫外線3を照射した部位5を紫外線3を照射した後にできるだけ素早く接触させて、前記可撓性基板及び前記剛性基板が剥離可能な状態で直に固着している複合体6を形成する(複合体形成工程)(図1(1c)〜(1d))。次いで、前記複合体6の前記可撓性基板1側に固体素子7を形成する(固体素子形成工程)(図1(1e))。このとき、前記可撓性基板1と前記固体素子7の間に他の層が入っていても良い。次いで、前記複合体6から剛性基板2を剥離する(剛性基板剥離工程)(図1(1f))。このとき、剥離する方法は、特に問わない。
紫外線照射工程において、紫外線3をパターン状に照射する点以外は図1と同様である。可撓性基板のみをパターン状に照射しても、剛性基板のみをパターン状に照射してもよいし、可撓性基板及び剛性基板の両方をパターン状に照射しても良い。
可撓性基板1が紫外線3を照射する面に凹凸を有する点以外は図1と同様である。
剛性基板2が紫外線3を照射する面に凹凸を有する点以外は図1と同様である。
図5(5a) は図1(1d)の複合体、図5(5b) は図2(2d)の複合体、 図5(5c) は図3(3d)の複合体、図5(5d) は図4(4d)の複合体をそれぞれ示している。
本発明の紫外線照射工程は、可撓性基板1及び剛性基板2を準備し、可撓性基板1及び剛性基板2に紫外線を照射するものである。本発明では、紫外線3の照射を固体素子7を形成する前に行うため、紫外線3によって固体素子7に損傷を与えることがないという効果がある。
可撓性基板1は、フレキシブルプリント配線板(JIS C5603)等の柔軟で変形可能なデバイスの基板に適用できる程度の可撓性を有するものである。可撓性基板1は、このような可撓性を有するので、それを単体で用いた場合には、下記の固定素子形成工程等で撓んでしまう。そこで、本発明では、可撓性基板1および剛性基板2が直に固着している複合体6を下記の固定素子形成工程等で用いることで、剛性基板2が可撓性基板1を支持して可撓性基板1が撓むことを妨げ、可撓性基板1に固体素子7を精度よく形成することができる。基板の可撓性は、一般にその厚みに大きく依存する。そこで、可撓性基板1は、その厚みが0.5mm未満であることが好ましい。基板の厚みが0.5mm未満であれば、一般的な材料において、フレキシブルプリント配線板(JIS C5603)等の柔軟で変形可能なデバイスの基板に適用できる程度の可撓性を有するものと考えられるためである。 可撓性基板に用いられる材料は、ポリマー、金属、セラミック、又はガラス等を挙げることができる。可撓性基板に用いられる材料は、ポリマーを用いることが好ましい。ポリマーは、他の材料と比較して一般に柔軟な材料なので、柔軟で変形可能なデバイスの基板として広く用いられている。ポリマーとしては、特に限定はないが、ポリエステル、ポリエーテル、ポリカーボネート、アクリル、ポリウレタン、ポリイミドなどを挙げることができ、用いるデバイスの用途に照らして適宜選択することができる。
剛性基板2は、上記の可撓性基板1を支持して、下記の固体素子形成工程等で可撓性基板1が撓むことを妨げることが可能な程度の剛性を有するものである。基板の剛性は、一般にその厚みに大きく依存する。そこで、剛性基板2の厚みは、その厚みが0.5mm以上であることが好ましく、より好ましくは、0.7mm以上である。基板の厚みが0.5mm以上、さらには0.7mm以上であれば、一般的な材料において、可撓性基板1を支持して、下記の固体素子形成工程等で可撓性基板1が撓むことを妨げることが可能な程度の剛性を有するものと考えられるためである。剛性基板に用いられる材料は、ポリマー、金属、セラミック、又はガラス等を挙げることができる。剛性基板に用いられる材料は、可撓性基板を支持しやすいため、無アルカリガラスや石英ガラス等のガラスを用いることが好ましい。
紫外線3としては、波長が400nm以下の光であれば特に限定は無いが、エネルギーが強く可撓性基板及び剛性基板に照射する時間を短縮できるため、真空の雰囲気が必要な200nm以下の波長領域のもの(真空紫外線)が好適である。この波長領域の中でも200〜120nmの波長領域、さらには172nmの波長のものが好ましい。
複合体形成工程は、可撓性基板1の紫外線3を照射した部位及び剛性基板2の紫外線3を照射した部位を接触させて、可撓性基板1及び剛性基板2が剥離可能な状態で直に固着している複合体6を形成するものである。
可撓性基板の紫外線を照射した部位4及び剛性基板の紫外線を照射した部位5を接触させることで固着する正確な理由は不明であるが、次のような理由であると考えられる。高いエネルギーを有している紫外線を照射されたことによって、可撓性基板の紫外線を照射した部位4及び剛性基板の紫外線を照射した部位5は、原子の間の共有結合が切断された状態になっている。その状態で、可撓性基板の紫外線を照射した部位4及び剛性基板の紫外線を照射した部位5を接触させると、可撓性基板の紫外線を照射した部位4及び剛性基板の紫外線を照射した部位5の間で新しい共有結合が作られるため、可撓性基板の紫外線を照射した部位4及び剛性基板の紫外線を照射した部位5を接触させることで固着すると考えられる。
本明細書での「剥離可能な状態」とは、90°剥離試験(剥離速度は、300mm/min)で剥離している際に可撓性基板又は剛性基板が大きく損傷しない状態を意味する。
固体素子形成工程は、複合体6の可撓性基板1側に固体素子7を形成するものである。本発明では、可撓性基板1を剥離するだけで従来のように転写はしないため、固体素子7に損傷が生じにくい。
固体素子7は、特に限定はされないが、薄膜トランジスタ、薄膜ダイオード、その他の薄膜半導体素子、当該半導体素子を含んで構成される薄膜回路、太陽電池やイメージセンサ等に用いられる光電変換素子、スイッチング素子、メモリ、圧電素子等のアクチュエータ、マイクロミラー、磁気記録媒体、光磁気記録媒体、光記録媒体等の記録媒体、磁気記録ヘッド、コイル、インダクタ、薄膜高透磁材料およびそれらを組み合わせたマイクロ磁気デバイス、フィルタ、反射膜、ダイクロックミラー、偏光素子等の光学薄膜、半導体薄膜、超伝導薄膜、磁性薄膜、金属多層薄膜、金属セラミック多層薄膜、金属半導体多層薄膜、セラミック半導体多層薄膜、有機薄膜と他の物質の多層薄膜等が挙げられる。本発明の製造方法は固体素子の損傷を少なくすることができるため、損傷に敏感である薄膜トランジスタに好適に用いることができる。
剛性基板剥離工程は、複合体6から剛性基板2を剥離するものである。本発明では、最終的に剛性基板2を剥離するため、剛性基板2を再利用することができる。
剥離をする方法は、機械による剥離や人間の手による剥離等、特に問わないが、剥離時の損傷を防ぐことができるため、可撓性基板又は剛性基板の一辺から均一に力を加えて剥離することが好ましい。剥離の際の固体素子7の損傷を防ぐために剥離するために必要な力を調整する方法を用いることが好ましい。剥離するために必要な力は、90°剥離試験(剥離速度は、300mm/min)で、0.01N/25mm〜5N/25mmであることが好ましく、0.05N/25mm〜3N/25mmであることがより好ましい、中でも、0.1N/25mm〜0.6N/25mmであることがさらに好ましい。
複合体6は、紫外線3を照射した部位を有する可撓性基板1と、紫外線3を照射した部位を有する剛性基板2と、を備え、前記可撓性基板1の紫外線3を照射した部位4及び前記剛性基板2の紫外線3を照射した部位5が接触しており、前記可撓性基板1及び前記剛性基板2が剥離可能な状態で直に固着しているものである。本発明の製造方法に用いる複合体6においては、可撓性基板1及び剛性基板2の間に接着層や粘着層が存在しないため、剥離した場合に接着層や粘着層が残らないという効果を得ることができる。また、本発明の複合体6は、可撓性基板1及び剛性基板2の間に接着層や粘着層が形成されないため、膜厚が薄いという効果がある。膜厚が薄いと、ハンドリングの向上という効果があるため好ましい。また、パターン状に紫外線を照射した場合、固着している面の固着している部分と固着している面の固着していない部分の境界で接着層や粘着層による段差が生じないため、複合体形成工程時に段差部分において空気などの泡噛みがなく、さらに、固体素子形成工程において加熱プロセスがある場合、段差部分に混入した空気などの膨張によって可撓性基板1が変形することがないという効果を有する。
本発明の固体素子7を有するデバイスの製造方法により製造される固体素子7を有するデバイスの用途としては、例えば、液晶表示装置、電気泳動表示装置、有機EL表示装置等を挙げることができる。本発明の複合体6の用途としては、固体素子を有するデバイスの製造方法において基板として用いることが挙げられる。
厚さが0.1mmのポリエチレンナフタレートフィルム(帝人デュポン社製)と厚さが0.7mmの無アルカリガラスを準備した。ポリエチレンナフタレートフィルムに、ポリエチレンナフタレートフィルムから100μmの距離離れた位置にフォトマスクを設置し、フォトマスクを介してポリエチレンナフタレートフィルムに紫外線(172nm、照度8.3mW)を大気中で180秒間照射した。ここで、フォトマスクには紫外線が透過する領域が直径10μmであるドットパターンが配置され、紫外線が照射された領域と紫外線が照射されなかった領域の合計の面積に対する紫外線が照射された領域の面積比が10%となるように設計されたフォトマスクを用いた。さらに、無アルカリガラスに紫外線(172nm、照度8.3mW)を大気中で3分間照射した。次に、ポリエチレンナフタレートフィルムの紫外線を照射した部位及び無アルカリガラスの紫外線を照射した部位同士を重ね、ローラー温度を120℃に設定したホットラミネーターにて貼り合せた。次に、ポリエチレンナフタレートフィルム上に薄膜トランジスタを形成した。次に、ポリエチレンナフタレートフィルムと無アルカリガラスを人間の手によって剥離することで、固体素子を有するデバイスを得た。このとき、INSTRON社製万能試験機にて90°剥離試験(剥離速度は、300mm/min)を実施し、剥離するために必要な力を測定した結果、0.1N/25mmであった。また、固体素子を有するデバイスに損傷はなかった。
紫外線が照射された領域と紫外線が照射されなかった領域の合計の面積に対する紫外線が照射された領域の面積比が30%となるように設計されたフォトマスクを用いた以外は、実施例1と同様の方法で固体素子を有するデバイスを得た。このとき、INSTRON社製万能試験機にて90°剥離試験(剥離速度は、300mm/min)を実施し、剥離するために必要な力を測定した結果、0.6N/25mmであった。また、固体素子を有するデバイスに損傷はなかった。
2 … 剛性基板
3 … 紫外線
4 … 可撓性基板の紫外線を照射した部位
5 … 剛性基板の紫外線を照射した部位
6 … 複合体
7 … 固体素子
8 … フォトマスク
9 … 固体素子を有するデバイス
Claims (2)
- 可撓性基板及び剛性基板を準備し、前記可撓性基板及び前記剛性基板に紫外線を照射する紫外線照射工程と、
前記可撓性基板の紫外線を照射した部位及び前記剛性基板の紫外線を照射した部位を接触させて、前記可撓性基板及び前記剛性基板が、90°剥離試験の剥離速度300mm/minで、0.01N/25mm〜5N/25mmの剥離に必要な力により
剥離可能な状態で直に固着している複合体を形成する複合体形成工程と、
前記複合体の可撓性基板側に固体素子を形成する固体素子形成工程と、
前記複合体から剛性基板を剥離する剛性基板剥離工程と、を有し、
前記可撓性基板はポリエステル、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテル、ポリカーカーボネート、アクリル、ポリウレタン又はポリイミドをふくめるポリマーを含み、
前記剛性基板は無アルカリガラス又は石英ガラスをふくめるガラスを含む
ことを特徴とする固体素子を有するデバイスの製造方法。 - 紫外線を照射された部位を有する可撓性基板と、
紫外線を照射された部位を有する剛性基板と、を備え、
前記可撓性基板の紫外線を照射された部位及び前記剛性基板の紫外線を照射された部位が接触しており、前記可撓性基板及び前記剛性基板が、90°剥離試験の剥離速度300mm/minで、0.01N/25mm〜5N/25mmの剥離に必要な力により剥離可能な状態で直に固着しており、
前記可撓性基板はポリエステル、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテル、ポリカーカーボネート、アクリル、ポリウレタン又はポリイミドをふくめるポリマーを含み、
前記剛性基板は無アルカリガラス又は石英ガラスをふくめるガラスを含む
ことを特徴とする複合体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011216042A JP5919707B2 (ja) | 2011-09-30 | 2011-09-30 | 固体素子を有するデバイスの製造方法及びその製造方法で用いる複合体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011216042A JP5919707B2 (ja) | 2011-09-30 | 2011-09-30 | 固体素子を有するデバイスの製造方法及びその製造方法で用いる複合体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013077669A JP2013077669A (ja) | 2013-04-25 |
JP5919707B2 true JP5919707B2 (ja) | 2016-05-18 |
Family
ID=48480933
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011216042A Expired - Fee Related JP5919707B2 (ja) | 2011-09-30 | 2011-09-30 | 固体素子を有するデバイスの製造方法及びその製造方法で用いる複合体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5919707B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020132804A1 (zh) * | 2018-12-24 | 2020-07-02 | 深圳市柔宇科技有限公司 | 电子器件及其制作方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015199350A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-12 | 新日鉄住金化学株式会社 | フレキシブルデバイスの製造方法、フレキシブルデバイス製造装置、フレキシブルデバイス及び液状組成物 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0719739B2 (ja) * | 1990-09-10 | 1995-03-06 | 信越半導体株式会社 | 接合ウェーハの製造方法 |
KR101319090B1 (ko) * | 2008-12-19 | 2013-10-17 | 도요보 가부시키가이샤 | 적층체 및 적층체 회로판 |
JP5304490B2 (ja) * | 2009-07-02 | 2013-10-02 | 東洋紡株式会社 | 積層体およびその製造方法 |
JP5224011B2 (ja) * | 2011-04-15 | 2013-07-03 | 東洋紡株式会社 | 積層体とその製造方法及びそれを用いたデバイス構造体の製造方法 |
-
2011
- 2011-09-30 JP JP2011216042A patent/JP5919707B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020132804A1 (zh) * | 2018-12-24 | 2020-07-02 | 深圳市柔宇科技有限公司 | 电子器件及其制作方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013077669A (ja) | 2013-04-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6342405B2 (ja) | 担体上の解放可能な基板 | |
TWI522237B (zh) | And a translucent hard substrate laminating apparatus | |
TWI516372B (zh) | And a translucent hard substrate laminating apparatus | |
TWI537358B (zh) | And a translucent hard substrate laminating apparatus | |
TWI541569B (zh) | 偏光板的製造裝置及製造方法 | |
TWI543871B (zh) | And a method for producing a light-transmitting hard substrate laminate | |
US20110318544A1 (en) | Flexible display panel and method of fabricating the same | |
US7141348B2 (en) | Lamination and delamination technique for thin film processing | |
CN104409408A (zh) | 一种刚性基板及柔性显示器的制作方法 | |
KR102004748B1 (ko) | 마이크로 led 전사 방법 | |
JP2012099622A (ja) | 半導体装置の製造方法および製造装置 | |
JP2022521498A (ja) | 個別構成要素を組み立てるための動的剥離テープ | |
JP2013095993A (ja) | マスクの製造方法 | |
JP5919707B2 (ja) | 固体素子を有するデバイスの製造方法及びその製造方法で用いる複合体 | |
JP2010062526A (ja) | 薄膜素子の製造方法 | |
CN110581231B (zh) | 显示装置的制备方法 | |
WO2017014136A1 (ja) | デバイス基板、液晶表示装置、及びデバイス基板の製造方法 | |
JP2010010247A (ja) | 基板搬送用治具、及び素子基板の製造方法 | |
JP5919708B2 (ja) | 固体素子を有するデバイスの製造方法 | |
JP2016096218A (ja) | 積層基板の製造方法及び電子デバイスの製造方法 | |
JP5056073B2 (ja) | テープの使用方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP6844010B2 (ja) | 電鋳用原盤およびその電鋳用原盤を用いた電鋳モールドの製造方法 | |
JP2010210735A (ja) | 光学物品の製造方法 | |
JP2004314512A (ja) | Tfe系ポリマーの薄膜シートの加工方法 | |
CN117855033A (zh) | 一种晶圆微纳加工中临时键合胶的激光解键合方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20130823 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140729 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150611 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150623 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150818 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160315 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160328 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5919707 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |