JP5826322B2 - Surface-treated copper foil, copper-clad laminate, printed wiring board, electronic device, circuit forming substrate for semiconductor package, semiconductor package, and printed wiring board manufacturing method - Google Patents
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Description
本発明は、表面処理銅箔、銅張積層板、プリント配線板、電子機器、半導体パッケージ用回路形成基板、半導体パッケージ及びプリント配線板の製造方法に関する。 The present invention relates to a surface-treated copper foil, a copper clad laminate, a printed wiring board, an electronic device, a circuit forming substrate for a semiconductor package, a semiconductor package, and a method for manufacturing the printed wiring board.
プリント配線基板及び半導体パッケージ基板の回路形成工法はサブトラクティブ工法が主流であるが、近年の更なる微細配線化により、M−SAP(Modified Semi-Additive Process)や、銅箔の表面プロファイルを使ったセミアディティブ工法といった新たな工法が台頭している。 Subtractive method is the main method of circuit formation method for printed wiring board and semiconductor package substrate, but M-SAP (Modified Semi-Additive Process) and copper foil surface profile are used due to further miniaturization in recent years. New methods such as the semi-additive method are emerging.
これらの新たな回路形成工法のうち、後者の銅箔の表面プロファイルを使ったセミアディティブ工法の一例として、次が挙げられる。すなわち、まず、樹脂基材に積層した銅箔を全面エッチングし、銅箔表面プロファイルが転写したエッチング基材面をレーザー等で穴開けし、穴開け部を導通させるための無電解銅メッキ層を施し、無電解銅メッキ表面をドライフィルムで被覆し、UV露光及び現像によって回路形成部のドライフィルムを除去し、ドライフィルムに被覆されていない無電解銅メッキ面に電気銅メッキを施し、ドライフィルムを剥離し、最後に硫酸、過酸化水素水を含有するエッチング液等によって無電解銅メッキ層をエッチング(フラッシュエッチング、クイックエッチング)することにより微細な回路を形成する。なお、本プロセス例では、無電解銅メッキのための触媒処理、銅表面をクリーン化するための酸洗処理等は各社各様であり、その記載は省略した。(特許文献1、特許文献2) Among these new circuit forming methods, the following can be cited as an example of the semi-additive method using the surface profile of the latter copper foil. That is, first, the entire surface of the copper foil laminated on the resin base material is etched, the etching base material surface to which the copper foil surface profile is transferred is drilled with a laser or the like, and an electroless copper plating layer for conducting the drilled portion is formed. The electroless copper plating surface is coated with a dry film, the dry film of the circuit forming part is removed by UV exposure and development, and the electroless copper plating surface not coated with the dry film is electroplated with copper. Finally, a fine circuit is formed by etching (flash etching, quick etching) the electroless copper plating layer with an etching solution containing sulfuric acid and hydrogen peroxide solution. In this process example, the catalyst treatment for electroless copper plating, the pickling treatment for cleaning the copper surface, etc. are the same for each company, and the description thereof is omitted. (Patent Document 1, Patent Document 2)
銅箔表面のプロファイルを用いたセミアディティブ工法では、樹脂に積層した銅箔をエッチングするのが一般的である。しかしながら、エッチングは、使用する薬液、排水処理等のコストがかかり、更に、環境への負荷も大きい。さらに、銅箔をエッチングで除去する場合、基材種及びエッチング条件にもよるが、銅箔表面のプロファイルが損なわれるおそれもある。このため、エッチングによる銅箔除去は好ましくない。 In the semi-additive method using the profile of the copper foil surface, the copper foil laminated on the resin is generally etched. However, etching requires costs for chemicals to be used, wastewater treatment, and the like, and also has a large environmental load. Further, when removing the copper foil by etching, the profile on the surface of the copper foil may be impaired depending on the type of substrate and the etching conditions. For this reason, removal of the copper foil by etching is not preferable.
本発明者等は鋭意検討の結果、表面凹凸又は粗化粒子を有する銅箔において、当該銅箔に離型層を設けて、銅箔を樹脂基材に貼り合わせたときの樹脂基材の物理的な剥離を可能にすることで、銅箔を樹脂基材から除去する工程において、エッチングする必要が無く、樹脂基材の表面に転写した銅箔表面のプロファイルを損なうこと無く、良好なコストで銅箔を除去することが可能となることを見出した。 As a result of intensive studies, the present inventors have provided a release layer on the copper foil in a copper foil having surface irregularities or roughened particles, and the physical properties of the resin substrate when the copper foil is bonded to the resin substrate. In the process of removing the copper foil from the resin base material, it is not necessary to perform etching, and the profile of the copper foil surface transferred to the surface of the resin base material is not impaired, and at a good cost. It has been found that the copper foil can be removed.
以上の知見を基礎として完成された本発明は一側面において、粗化粒子を有さず、且つ、JIS B0601(1994年)に準拠して測定したRzが0.1〜5.0μmの表面凹凸を有する銅箔と、前記銅箔の表面凹凸を有する面に設けられた離型層であって、且つ、前記離型層側から前記銅箔へ樹脂基材を貼り合わせたときの前記樹脂基材を剥離可能にする離型層とを備えた表面処理銅箔であって、前記表面処理銅箔に、前記離型層側から樹脂基材を貼り合わせる工程と、前記樹脂基材から、前記表面処理銅箔をエッチングすることなく引き剥がすことで、剥離面に前記銅箔の表面プロファイルが転写された樹脂基材を得る工程と、前記表面プロファイルが転写された樹脂基材の前記剥離面側に回路を形成する工程とを備えたプリント配線板の製造方法に用いられる表面処理銅箔である。 The present invention completed on the basis of the above knowledge has, in one aspect, surface irregularities having no roughened particles and Rz of 0.1 to 5.0 μm measured according to JIS B0601 (1994). And a release layer provided on the surface of the copper foil having surface irregularities, and the resin base when a resin base material is bonded to the copper foil from the release layer side. A surface-treated copper foil having a release layer that allows the material to be peeled , wherein the surface-treated copper foil is bonded with a resin base material from the release layer side, and the resin base material, By peeling off the surface-treated copper foil without etching, a step of obtaining a resin base material in which the surface profile of the copper foil is transferred to the release surface, and the side of the release surface of the resin base material in which the surface profile is transferred Printed circuit having a circuit forming process It is a surface treated copper foil used in the method of manufacturing.
本発明は別の一側面において、粗化粒子を有する銅箔と、前記銅箔の粗化粒子面に設けられ、且つ、前記離型層側から前記銅箔へ樹脂基材を貼り合わせたときの前記樹脂基材を剥離可能にする離型層とを備えた表面処理銅箔であって、前記表面処理銅箔に、前記離型層側から樹脂基材を貼り合わせる工程と、前記樹脂基材から、前記表面処理銅箔をエッチングすることなく引き剥がすことで、剥離面に前記銅箔の表面プロファイルが転写された樹脂基材を得る工程と、前記表面プロファイルが転写された樹脂基材の前記剥離面側に回路を形成する工程とを備えたプリント配線板の製造方法に用いられる表面処理銅箔である。 In another aspect of the present invention, the copper foil having roughened particles is provided on the roughened particle surface of the copper foil, and the resin base material is bonded to the copper foil from the release layer side. A surface-treated copper foil provided with a release layer that allows the resin base material to be peeled , wherein the resin base material is bonded to the surface-treated copper foil from the release layer side; and A step of obtaining a resin base material in which the surface profile of the copper foil is transferred to a release surface by peeling the surface-treated copper foil from the material without etching, and a resin base material in which the surface profile is transferred It is a surface-treated copper foil used for the manufacturing method of a printed wiring board provided with the process of forming a circuit in the said peeling surface side .
本発明に係る表面処理銅箔は一実施形態において、前記離型層側から前記銅箔へ樹脂基材を貼り合わせたとき、前記樹脂基材を剥離する際の剥離強度が200gf/cm以下である。 In one embodiment, the surface-treated copper foil according to the present invention has a peel strength of 200 gf / cm or less when the resin base material is peeled off when the resin base material is bonded to the copper foil from the release layer side. is there.
本発明に係る表面処理銅箔は更に別の一実施形態において、前記離型層が、次式:
に示すシラン化合物、その加水分解生成物、該加水分解生成物の縮合体を単独で又は複数組み合わせて用いてなる。
In another embodiment of the surface-treated copper foil according to the present invention, the release layer has the following formula:
Or a hydrolyzate thereof, or a condensate of the hydrolyzate, alone or in combination.
本発明に係る表面処理銅箔は更に別の一実施形態において、前記離型層が、分子内に2つ以下のメルカプト基を有する化合物を用いてなる。 In another embodiment of the surface-treated copper foil according to the present invention, the release layer uses a compound having two or less mercapto groups in the molecule.
本発明に係る表面処理銅箔は更に別の一実施形態において、前記離型層が、次式:
に示すアルミネート化合物、チタネート化合物、ジルコネート化合物、これらの加水分解生成物、該加水分解生成物の縮合体を単独で又は複数組み合わせて用いてなる。
In another embodiment of the surface-treated copper foil according to the present invention, the release layer has the following formula:
The aluminate compound, the titanate compound, the zirconate compound, the hydrolysis products thereof, and the condensates of the hydrolysis products are used singly or in combination.
本発明に係る表面処理銅箔は更に別の一実施形態において、前記銅箔と前記離型層との間に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された一種以上の層が設けられている。 In still another embodiment, the surface-treated copper foil according to the present invention is a group comprising a heat-resistant layer, a rust-proof layer, a chromate treatment layer, and a silane coupling treatment layer between the copper foil and the release layer. One or more selected layers are provided.
本発明に係る表面処理銅箔は更に別の一実施形態において、前記表面処理銅箔の表面に樹脂層が設けられている。 In another embodiment of the surface-treated copper foil according to the present invention, a resin layer is provided on the surface of the surface-treated copper foil.
本発明に係る表面処理銅箔は更に別の一実施形態において、前記耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層の表面に樹脂層が設けられている。 In still another embodiment, the surface-treated copper foil according to the present invention is a resin on the surface of one or more layers selected from the group consisting of the heat-resistant layer, the rust-proof layer, the chromate-treated layer, and the silane coupling-treated layer. A layer is provided.
本発明に係る表面処理銅箔は更に別の一実施形態において、前記樹脂層が、接着用樹脂、プライマー又は半硬化状態の樹脂である。 In still another embodiment of the surface-treated copper foil according to the present invention, the resin layer is an adhesive resin, a primer, or a semi-cured resin.
本発明に係る表面処理銅箔は更に別の一実施形態において、前記表面処理銅箔の厚みが9〜70μmである。 In still another embodiment of the surface-treated copper foil according to the present invention, the surface-treated copper foil has a thickness of 9 to 70 μm.
本発明は別の一側面において、本発明の表面処理銅箔と、前記表面処理銅箔の離型層側に設けられた樹脂基材とを備えた銅張積層板である。 Another aspect of the present invention is a copper-clad laminate including the surface-treated copper foil of the present invention and a resin base material provided on the release layer side of the surface-treated copper foil.
本発明に係る銅張積層板は、前記樹脂基材が、プリプレグである、又は、熱硬化性樹脂を含む。 In the copper-clad laminate according to the present invention, the resin base material is a prepreg or contains a thermosetting resin.
本発明は更に別の一側面において、本発明の表面処理銅箔を用いたプリント配線板である。 In yet another aspect, the present invention is a printed wiring board using the surface-treated copper foil of the present invention.
本発明は更に別の一側面において、本発明のプリント配線板を備えた半導体パッケージである。 In still another aspect, the present invention is a semiconductor package provided with the printed wiring board of the present invention.
本発明は更に別の一側面において、本発明のプリント配線板又は半導体パッケージを用いた電子機器である。 In still another aspect, the present invention is an electronic device using the printed wiring board or the semiconductor package of the present invention.
本発明は更に別の一側面において、本発明の表面処理銅箔に、前記離型層側から樹脂基材を貼り合わせる工程と、前記樹脂基材から、前記表面処理銅箔をエッチングすることなく引き剥がすことで、剥離面に前記銅箔の表面プロファイルが転写された樹脂基材を得る工程と、前記表面プロファイルが転写された樹脂基材の前記剥離面側に回路を形成する工程とを備えたプリント配線板の製造方法である。 In another aspect of the present invention, the surface-treated copper foil of the present invention is bonded to the resin base material from the release layer side, and the surface-treated copper foil is etched from the resin base material. A step of obtaining a resin base material having the surface profile of the copper foil transferred to the release surface by peeling, and a step of forming a circuit on the side of the release surface of the resin base material to which the surface profile has been transferred. A method for manufacturing a printed wiring board.
銅箔に樹脂基材を貼り合わせた後、銅箔を樹脂基材から除去する際に、エッチングする必要が無く、樹脂基材の表面に転写した銅箔表面のプロファイルを損なうこと無く、良好なコストで銅箔を除去することが可能な表面処理銅箔を提供する。 After bonding the resin base material to the copper foil, when removing the copper foil from the resin base material, there is no need to etch, and the profile of the copper foil surface transferred to the surface of the resin base material is not impaired, and good A surface-treated copper foil capable of removing a copper foil at a cost is provided.
本発明に係る表面処理銅箔は、粗化粒子を有さず、且つ、JIS B0601(1994年)に準拠して測定したRzが0.1〜5.0μmの表面凹凸を有する銅箔と、銅箔の表面凹凸を有する面に設けられた離型層であって、且つ、離型層側から銅箔へ樹脂基材を貼り合わせたときの樹脂基材を剥離可能にする離型層とを備える。なお、離型層は銅箔の両面に設けてもよい。また、貼り合わせは圧着して貼り合わせてもよい。
本発明に係る表面処理銅箔は、別の一側面において粗化面を有する銅箔と、銅箔の粗化面側に設けられ、且つ、離型層側から銅箔へ樹脂基材を貼り合わせたときの樹脂基材を剥離可能にする離型層とを備える。なお、離型層は銅箔の両面に設けてもよい。
銅箔(生箔ともいう)は、電解銅箔或いは圧延銅箔のいずれで形成されていてもよい。銅箔の厚みは特に限定されず、例えば、5〜105μmとすることができる。また、樹脂基材からの引き剥がしが容易となることから、表面処理銅箔の厚みは9〜70μmであるのが好ましく、12〜35μmであるのがより好ましく、18〜35μmであるのが更により好ましい。
The surface-treated copper foil according to the present invention does not have roughened particles, and the copper foil has surface irregularities having an Rz of 0.1 to 5.0 μm measured according to JIS B0601 (1994); A release layer provided on the surface of the copper foil having surface irregularities, and a release layer that allows the resin substrate to be peeled when the resin substrate is bonded to the copper foil from the release layer side; Is provided. Note that the release layer may be provided on both sides of the copper foil. Further, the bonding may be performed by pressure bonding.
The surface-treated copper foil according to the present invention is provided on the roughened surface side of the copper foil having a roughened surface on another side surface, and a resin base material is pasted from the release layer side to the copper foil. And a release layer that enables the resin base material when peeled together to be peeled off. Note that the release layer may be provided on both sides of the copper foil.
The copper foil (also referred to as raw foil) may be formed of either an electrolytic copper foil or a rolled copper foil. The thickness of copper foil is not specifically limited, For example, it can be 5-105 micrometers. Moreover, since it becomes easy to peel off from the resin base material, the thickness of the surface-treated copper foil is preferably 9 to 70 μm, more preferably 12 to 35 μm, and more preferably 18 to 35 μm. Is more preferable.
銅箔(生箔)の製造方法としては、特に限定されないが、例えば、一般電解生箔を作製する場合は、電解条件を下記とすることができる。
一般電解生箔の電解条件:
Cu:80〜120g/L
H2SO4:80〜120g/L
塩化物イオン(Cl-):30〜100ppm
レベリング剤(ニカワ):0.1〜10ppm
電解液温度:50〜65℃
電解時間:10〜300秒(析出させる銅厚、電流密度により調整)
電流密度:50〜150A/dm2
電解液線速:1.5〜5m/sec
また、両面フラット電解生箔を作製する場合は、電解条件を、下記とすることができる。
両面フラット電解生箔の電解条件
銅:80〜120g/L
硫酸:80〜120g/L
塩素:30〜100ppm
レベリング剤1(ビス(3スルホプロピル)ジスルフィド):10〜30ppm
レベリング剤2(アミン化合物):10〜30ppm
電解液温度:50〜65℃
電解時間:0.5〜10分間(析出させる銅厚、電流密度により調整)
電流密度:70〜100A/dm2
電解液線速:1.5〜5m/sec
上記のアミン化合物には以下の化学式のアミン化合物を用いることができる。
Although it does not specifically limit as a manufacturing method of copper foil (raw foil), For example, when producing general electrolytic raw foil, electrolysis conditions can be made into the following.
Electrolytic conditions for general electrolytic green foil:
Cu: 80 to 120 g / L
H 2 SO 4: 80~120g / L
Chloride ion (Cl − ): 30 to 100 ppm
Leveling agent (Nika): 0.1-10ppm
Electrolyte temperature: 50-65 ° C
Electrolysis time: 10 to 300 seconds (adjusted according to the thickness of copper to be deposited and current density)
Current density: 50 to 150 A / dm 2
Electrolyte linear velocity: 1.5-5 m / sec
Moreover, when producing double-sided flat electrolytic raw foil, electrolysis conditions can be made into the following.
Electrolytic conditions for double-sided flat electrolytic green foil Copper: 80-120 g / L
Sulfuric acid: 80-120 g / L
Chlorine: 30-100ppm
Leveling agent 1 (bis (3sulfopropyl) disulfide): 10 to 30 ppm
Leveling agent 2 (amine compound): 10 to 30 ppm
Electrolyte temperature: 50-65 ° C
Electrolysis time: 0.5 to 10 minutes (adjusted according to the thickness of copper to be deposited and current density)
Current density: 70 to 100 A / dm 2
Electrolyte linear velocity: 1.5-5 m / sec
As the amine compound, an amine compound having the following chemical formula can be used.
本発明において銅箔から樹脂基材を「剥離」することは、エッチング等による化学的な処理によって樹脂基材から銅箔を除去するのではなく引き剥がし等によって銅箔から樹脂基材を物理的に剥離することを意味する。樹脂基材を上述のように本発明の表面処理銅箔と貼り合わせた後に剥がしたとき、樹脂基材と表面処理銅箔とは離型層で離れるが、このとき樹脂基材の剥離面に、剥離層、後述の銅箔の粗化粒子、耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層等の一部が残留していてもよいが、残留物が存在しないことが好ましい。 In the present invention, “peeling” the resin base material from the copper foil means that the resin base material is physically removed from the copper foil by peeling or the like instead of removing the copper foil from the resin base material by chemical treatment such as etching. It means to peel off. When the resin substrate is peeled off after being bonded to the surface-treated copper foil of the present invention as described above, the resin substrate and the surface-treated copper foil are separated by a release layer. A part of the release layer, roughened particles of the copper foil described later, a heat-resistant layer, a rust-preventing layer, a chromate treatment layer, a silane coupling treatment layer, etc. may remain, but it is preferable that no residue exists. .
本発明に係る表面処理銅箔は、離型層側から銅箔へ樹脂基材を貼り合わせたとき、樹脂基材を剥離する際の剥離強度が200gf/cm以下であるのが好ましい。このように制御されていれば、樹脂基材の物理的剥離が容易となり、銅箔表面のプロファイルがより良好に樹脂基材に転写される。当該剥離強度は、より好ましくは150gf/cm以下であり、更により好ましくは100gf/cm以下であり、更により好ましくは50gf/cm以下であり、典型的には1〜200gf/cmであり、より典型的には1〜150gf/cmである。 The surface-treated copper foil according to the present invention preferably has a peel strength of 200 gf / cm or less when the resin base material is peeled off when the resin base material is bonded to the copper foil from the release layer side. If controlled in this way, physical peeling of the resin base material becomes easy, and the profile of the copper foil surface is transferred to the resin base material better. The peel strength is more preferably 150 gf / cm or less, even more preferably 100 gf / cm or less, even more preferably 50 gf / cm or less, typically 1 to 200 gf / cm, and more Typically 1 to 150 gf / cm.
本発明に係る表面処理銅箔は、一側面において、銅箔が粗化粒子を有さず、且つ、JIS B0601(1994年)に準拠して測定したRzが0.1〜5.0μmの凹凸を有する表面、或いは、粗化粒子を有する表面に設けられている。このような構成によれば、表面処理銅箔を樹脂基材に貼り合わせた後に銅箔を引き剥がす際、樹脂基材表面に銅箔表面のプロファイルを転写しているにもかかわらず、低ピールで容易に引き剥がすことができる。また、樹脂基材表面に銅箔表面のプロファイルがしっかりと転写され、さらにこれによってセミアディティブ工程での無電解・電気銅めっきの密着性が十分確保できる。 In one aspect, the surface-treated copper foil according to the present invention has unevenness in which the copper foil does not have roughened particles and the Rz measured in accordance with JIS B0601 (1994) is 0.1 to 5.0 μm. Or a surface having roughened particles. According to such a configuration, when the copper foil is peeled off after the surface-treated copper foil is bonded to the resin base material, the profile of the copper foil surface is transferred to the surface of the resin base material. Can be easily removed. Moreover, the profile of the copper foil surface is firmly transferred to the resin base material surface, and furthermore, sufficient adhesion of electroless / electro copper plating in the semi-additive process can be secured.
銅箔表面に形成された粗化粒子層としては、硫酸アルキルエステル塩、タングステンイオン、砒素イオンから選択した物質の少なくとも一種以上を含む硫酸・硫酸銅からなる電解浴を用いて形成することができ、球状粒子又は微細粒子から成る。粗化粒子層の表面粗度は、電解処理条件を適宜調整することで制御することができる。また、銅箔が電解銅箔で構成されている場合であれば、当該電解銅箔のマット面を銅箔の粗化面としてもよい。電解銅箔のマット面の表面粗度は、電解処理条件を適宜調整することで制御することができる。 The roughened particle layer formed on the surface of the copper foil can be formed by using an electrolytic bath made of sulfuric acid / copper sulfate containing at least one kind selected from alkyl sulfate salts, tungsten ions, and arsenic ions. , Consisting of spherical particles or fine particles. The surface roughness of the roughened particle layer can be controlled by appropriately adjusting the electrolytic treatment conditions. Moreover, if the copper foil is composed of an electrolytic copper foil, the matte surface of the electrolytic copper foil may be a roughened surface of the copper foil. The surface roughness of the matte surface of the electrolytic copper foil can be controlled by appropriately adjusting the electrolytic treatment conditions.
当該粗化粒子層は、硫酸アルキルエステル塩、タングステンイオン、砒素イオンから選択した物質の少なくとも一種類以上を含む硫酸・硫酸銅からなる電解浴を用いて製造することができる。具体的な処理条件の例は、次の通りである。
(液組成1)
CuSO4・5H2O 39.3〜118g/L
Cu 10〜30g/L
H2SO4 10〜150g/L
Na2WO4・2H2O 0〜90mg/L
W 0〜50mg/L
ドデシル硫酸ナトリウム添加量 0〜50pp
H3AsO3(60%水溶液) 0〜6315mg/L
As 0〜2000mg/L
(電気メッキ条件1)
温度 30〜70℃
(電流条件1)
電流密度 25〜110A/dm2
めっき時間 0.5〜20秒
The roughened particle layer can be produced using an electrolytic bath made of sulfuric acid / copper sulfate containing at least one kind of a substance selected from alkyl sulfate salts, tungsten ions, and arsenic ions. Examples of specific processing conditions are as follows.
(Liquid composition 1)
CuSO 4 .5H 2 O 39.3 to 118 g / L
Cu 10-30g / L
H 2 SO 4 10-150 g / L
Na 2 WO 4 · 2H 2 O 0-90 mg / L
W 0-50mg / L
Sodium dodecyl sulfate addition amount 0-50pp
H 3 AsO 3 (60% aqueous solution) 0-6315 mg / L
As 0-2000mg / L
(Electroplating condition 1)
Temperature 30 ~ 70 ℃
(Current condition 1)
Current density 25-110 A / dm 2
Plating time 0.5-20 seconds
(液組成2)
CuSO4・5H2O 78〜314g/L
Cu 20〜80g/L
H2SO4 50〜200g/L
(Liquid composition 2)
CuSO 4 .5H 2 O 78-314 g / L
Cu 20-80g / L
H 2 SO 4 50-200 g / L
(電気メッキ条件2)
温度 30〜70℃
(電流条件2)
電流密度 5〜50A/dm2
めっき時間 1〜60秒
(Electroplating condition 2)
Temperature 30 ~ 70 ℃
(Current condition 2)
Current density 5-50A / dm 2
Plating time 1-60 seconds
また、粗化粒子層は、以下のように形成してもよい。まず、Cu−Co−Ni三元系合金層を形成する。Co及びNi含有量は、1〜4質量%Co及び0.5〜1.5質量%Niである。当該三元系合金メッキの処理条件を以下に示す。
(液組成)
Cu 10〜20g/L
Co 1〜10g/L
Ni 1〜10g/L
pH 1〜4
(電気メッキ条件)
温度 40〜50℃
電流密度 20〜30A/dm2
処理時間 1〜5秒
Moreover, you may form a roughening particle layer as follows. First, a Cu—Co—Ni ternary alloy layer is formed. Co and Ni content are 1-4 mass% Co and 0.5-1.5 mass% Ni. The processing conditions for the ternary alloy plating are shown below.
(Liquid composition)
Cu 10-20g / L
Co 1-10g / L
Ni 1-10g / L
pH 1-4
(Electroplating conditions)
Temperature 40-50 degrees Celsius
Current density 20-30A / dm 2
Processing time 1-5 seconds
上記粗化処理後、その上の2段メッキとしてコバルトメッキ層或いはコバルト及びニッケルから成るメッキ層を形成する。コバルトメッキ或いはコバルト及びニッケルメッキの条件は次の通りである
・コバルトメッキ
(液組成)
コバルトメッキCo 1〜30g/L
pH 1.0〜3.5
(電気メッキ条件)
温度 30〜80℃
電流密度 1〜10A/dm2
処理時間 0.5〜4秒
After the roughening treatment, a cobalt plating layer or a plating layer made of cobalt and nickel is formed as a two-step plating thereon. The conditions for cobalt plating or cobalt and nickel plating are as follows: Cobalt plating (liquid composition)
Cobalt plating Co 1-30g / L
pH 1.0-3.5
(Electroplating conditions)
Temperature 30-80 ° C
Current density 1-10A / dm 2
Processing time 0.5-4 seconds
・コバルト−ニッケルメッキ
(液組成)
Co 1〜30g/L、Ni 1〜30g/L
pH 1.0〜3.5
(電気メッキ条件)
温度 30〜80℃
電流密度 1〜10A/dm2
処理時間 0.5〜4秒
・ Cobalt-nickel plating (liquid composition)
Co 1-30g / L, Ni 1-30g / L
pH 1.0-3.5
(Electroplating conditions)
Temperature 30-80 ° C
Current density 1-10A / dm 2
Processing time 0.5-4 seconds
また、粗化粒子層は、球状粗化によって形成してもよい。以下にその処理条件の例を以下に示す。
(液組成)
Cu 20〜30g/L(硫酸銅5水和物で添加、以下同様)
H2SO4 80〜120g/L
砒素 1.0〜2.0g/L
(電気メッキ条件)
温度 35〜40℃
電流密度 70A/dm2 (浴の限界電流密度以上)
処理時間 0.5〜20秒
The roughened particle layer may be formed by spherical roughening. Examples of the processing conditions are shown below.
(Liquid composition)
Cu 20-30 g / L (added with copper sulfate pentahydrate, and so on)
H 2 SO 4 80-120 g / L
Arsenic 1.0-2.0g / L
(Electroplating conditions)
Temperature 35-40 ° C
Current density 70A / dm 2 (above limit current density of bath)
Processing time 0.5-20 seconds
上記条件で粗化メッキを施した表面に、粗化粒子の脱落防止のため、硫酸・硫酸銅からなる銅電解浴で被せメッキを行う。被せメッキ条件の例を以下に示す。 The surface plated with roughening under the above conditions is covered with a copper electrolytic bath made of sulfuric acid and copper sulfate to prevent the roughening particles from falling off. Examples of the covering plating conditions are shown below.
(液組成)
Cu 40〜50g/L
H2SO4 80〜120g/L
(電気メッキ条件)
温度 43〜47℃
電流密度 29A/dm2 〔浴の限界電流密度未満〕
処理時間 0.5〜20秒
(Liquid composition)
Cu 40-50g / L
H 2 SO 4 80-120 g / L
(Electroplating conditions)
Temperature 43-47 ° C
Current density 29A / dm 2 [below the limit current density of the bath]
Processing time 0.5-20 seconds
銅箔の粗化粒子を有さず、且つ、JIS B0601(1994年)に準拠して測定したRzが0.1〜5.0μmである凹凸を有する表面、或いは、粗化粒子を有する表面は、表面粗度Rzが0.1〜5.0μmであるのが好ましい。表面粗度Rzが0.1μm未満であるとセミアディティブ工程における無電解銅メッキの密着性が十分確保できず、微細配線形成後に配線が剥離するという問題が生じるおそれがあり、5.0μmを超えるとセミアディティブ工程における微細配線形成能が低下するという問題が生じるおそれがある。表面粗度Rzはより好ましくは0.2〜4.0μmであり、更により好ましくは0.3〜3.5μmであり、更により好ましくは0.4〜3.0μmである。 The surface which does not have the roughening particle | grains of copper foil, and has the unevenness | corrugation whose Rz measured based on JISB0601 (1994) is 0.1-5.0 micrometers, or the surface which has roughening particle | grains is The surface roughness Rz is preferably 0.1 to 5.0 μm. If the surface roughness Rz is less than 0.1 μm, sufficient adhesion of the electroless copper plating in the semi-additive process cannot be secured, and there is a possibility that the wiring may be peeled off after the formation of the fine wiring, which exceeds 5.0 μm. As a result, there is a possibility that the fine wiring forming ability in the semi-additive process is lowered. The surface roughness Rz is more preferably 0.2 to 4.0 μm, still more preferably 0.3 to 3.5 μm, and still more preferably 0.4 to 3.0 μm.
次に、本発明で用いることができる離型層について説明する。 Next, the release layer that can be used in the present invention will be described.
(1)シラン化合物
次式に示す構造を有するシラン化合物、またはその加水分解生成物、または該加水分解生成物の縮合体(以下、単にシラン化合物と記述する)を単独でまたは複数混合して使用して離型層を形成することで、表面処理銅箔と樹脂基材とを貼り合わせた際に、適度に密着性が低下し、剥離強度を上述の範囲に調節できる。
(1) Silane compound A silane compound having a structure represented by the following formula, a hydrolysis product thereof, or a condensate of the hydrolysis product (hereinafter simply referred to as a silane compound) is used alone or in combination. Thus, by forming the release layer, when the surface-treated copper foil and the resin base material are bonded together, the adhesiveness is moderately lowered, and the peel strength can be adjusted to the above range.
式:
(式中、R1はアルコキシ基またはハロゲン原子であり、R2はアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基よりなる群から選択される炭化水素基であるか、一つ以上の水素原子がハロゲン原子で置換されたこれら何れかの炭化水素基であり、R3及びR4はそれぞれ独立にハロゲン原子、またはアルコキシ基、またはアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基よりなる群から選択される炭化水素基であるか、一つ以上の水素原子がハロゲン原子で置換されたこれら何れかの炭化水素基である。) Wherein R 1 is an alkoxy group or a halogen atom, and R 2 is a hydrocarbon group selected from the group consisting of an alkyl group, a cycloalkyl group and an aryl group, or one or more hydrogen atoms are halogen atoms Any one of these hydrocarbon groups substituted by R 3 and R 4 are each independently a halogen atom, an alkoxy group, or a hydrocarbon group selected from the group consisting of an alkyl group, a cycloalkyl group, and an aryl group Or any one of these hydrocarbon groups in which one or more hydrogen atoms are replaced by halogen atoms.)
当該シラン化合物はアルコキシ基を少なくとも一つ有していることが必要である。アルコキシ基が存在せずに、アルキル基、シクロアルキル基及びアリール基よりなる群から選択される炭化水素基であるか、一つ以上の水素原子がハロゲン原子で置換されたこれら何れかの炭化水素基のみで置換基が構成される場合、樹脂基材と銅箔の密着性が低下し過ぎる傾向がある。また、当該シラン化合物はアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基よりなる群から選択される炭化水素基であるか、一つ以上の水素原子がハロゲン原子で置換されたこれら何れかの炭化水素基を少なくとも一つ有していることが必要である。当該炭化水素基が存在しない場合、樹脂基材と銅箔の密着性が上昇する傾向があるからである。なお、アルコキシ基には一つ以上の水素原子がハロゲン原子に置換されたアルコキシ基も含まれるものとする。 The silane compound needs to have at least one alkoxy group. A hydrocarbon group selected from the group consisting of an alkyl group, a cycloalkyl group, and an aryl group in the absence of an alkoxy group, or any one of these hydrocarbons in which one or more hydrogen atoms are substituted with a halogen atom When a substituent is comprised only by group, there exists a tendency for the adhesiveness of a resin base material and copper foil to fall too much. The silane compound is a hydrocarbon group selected from the group consisting of an alkyl group, a cycloalkyl group, and an aryl group, or any one of these hydrocarbon groups in which one or more hydrogen atoms are substituted with a halogen atom. It is necessary to have at least one. This is because when the hydrocarbon group does not exist, the adhesion between the resin base material and the copper foil tends to increase. The alkoxy group includes an alkoxy group in which one or more hydrogen atoms are substituted with a halogen atom.
樹脂基材と銅箔の剥離強度を上述した範囲に調節する上では、当該シラン化合物はアルコキシ基を三つ、上記炭化水素基(一つ以上の水素原子がハロゲン原子で置換された炭化水素基を含む)を一つ有していることが好ましい。これを上の式でいえば、R3及びR4の両方がアルコキシ基ということになる。 In adjusting the peel strength between the resin base material and the copper foil to the above-mentioned range, the silane compound has three alkoxy groups and the hydrocarbon group (a hydrocarbon group in which one or more hydrogen atoms are substituted with a halogen atom). It is preferable to have one). In terms of the above formula, both R 3 and R 4 are alkoxy groups.
アルコキシ基としては、限定的ではないが、メトキシ基、エトキシ基、n−又はiso−プロポキシ基、n−、iso−又はtert−ブトキシ基、n−、iso−又はneo−ペントキシ基、n−ヘキソキシ基、シクロヘキシソキシ基、n−ヘプトキシ基、及びn−オクトキシ基等の直鎖状、分岐状、又は環状の炭素数1〜20、好ましくは炭素数1〜10、より好ましくは炭素数1〜5のアルコキシ基が挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子が挙げられる。
Examples of the alkoxy group include, but are not limited to, methoxy group, ethoxy group, n- or iso-propoxy group, n-, iso- or tert-butoxy group, n-, iso- or neo-pentoxy group, n-hexoxy. Group, cyclohexyloxy group, n-heptoxy group, n-octoxy group, etc., linear, branched, or cyclic carbon number of 1 to 20, preferably 1 to 10, more preferably 1 to 5 alkoxy groups.
Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
アルキル基としては、限定的ではないが、メチル基、エチル基、n−又はiso−プロピル基、n−、iso−又はtert−ブチル基、n−、iso−又はneo−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−オクチル基、n−デシル基等の直鎖状又は分岐状の炭素数1〜20、好ましくは炭素数1〜10、より好ましくは炭素数1〜5のアルキル基が挙げられる。 Examples of the alkyl group include, but are not limited to, methyl group, ethyl group, n- or iso-propyl group, n-, iso- or tert-butyl group, n-, iso- or neo-pentyl group, and n-hexyl. A linear or branched alkyl group having 1 to 20, preferably 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 5 carbon atoms, such as a group, an n-octyl group, and an n-decyl group.
シクロアルキル基としては、限定的ではないが、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基等の炭素数3〜10、好ましくは炭素数5〜7のシクロアルキル基が挙げられる。 Examples of the cycloalkyl group include, but are not limited to, cyclopropyl groups, cyclobutyl groups, cyclopentyl groups, cyclohexyl groups, cycloheptyl groups, cyclooctyl groups, and the like. An alkyl group is mentioned.
アリール基としては、フェニル基、アルキル基で置換されたフェニル基(例:トリル基、キシリル基)、1−又は2−ナフチル基、アントリル基等の炭素数6〜20、好ましくは6〜14のアリール基が挙げられる。 As the aryl group, a phenyl group substituted with an alkyl group (eg, tolyl group, xylyl group), 1- or 2-naphthyl group, anthryl group, etc., having 6 to 20, preferably 6 to 14 carbon atoms. An aryl group is mentioned.
これらの炭化水素基は一つ以上の水素原子がハロゲン原子で置換されてもよく、例えば、フッ素原子、塩素原子、又は臭素原子で置換されることができる。 In these hydrocarbon groups, one or more hydrogen atoms may be substituted with a halogen atom, and may be substituted with, for example, a fluorine atom, a chlorine atom, or a bromine atom.
好ましいシラン化合物の例としては、メチルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、n−又はiso−プロピルトリメトキシシラン、n−、iso−又はtert−ブチルトリメトキシシラン、n−、iso−又はneo−ペンチルトリメトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、オクチルトリメトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン;アルキル置換フェニルトリメトキシシラン(例えば、p−(メチル)フェニルトリメトキシシラン)、メチルトリエトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、n−又はiso−プロピルトリエトキシシラン、n−、iso−又はtert−ブチルトリエトキシシラン、ペンチルトリエトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、デシルトリエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、アルキル置換フェニルトリエトキシシラン(例えば、p−(メチル)フェニルトリエトキシシラン)、(3,3,3−トリフルオロプロピル)トリメトキシシラン、及びトリデカフルオロオクチルトリエトキシシラン、メチルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、トリメチルクロロシラン、フェニルトリクロロシラン、トリメチルフルオロシラン、ジメチルジブロモシラン、ジフェニルジブロモシラン、これらの加水分解生成物、及びこれらの加水分解生成物の縮合体などが挙げられる。これらの中でも、入手の容易性の観点から、プロピルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシランが好ましい。 Examples of preferred silane compounds include methyltrimethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, n- or iso-propyltrimethoxysilane, n-, iso- or tert-butyltrimethoxysilane, n-, iso- or neo-pentyl. Trimethoxysilane, hexyltrimethoxysilane, octyltrimethoxysilane, decyltrimethoxysilane, phenyltrimethoxysilane; alkyl-substituted phenyltrimethoxysilane (eg, p- (methyl) phenyltrimethoxysilane), methyltriethoxysilane, ethyl Triethoxysilane, n- or iso-propyltriethoxysilane, n-, iso- or tert-butyltriethoxysilane, pentyltriethoxysilane, hexyltriethoxysilane, octyltriethoxy Lan, decyltriethoxysilane, phenyltriethoxysilane, alkyl-substituted phenyltriethoxysilane (eg, p- (methyl) phenyltriethoxysilane), (3,3,3-trifluoropropyl) trimethoxysilane, and trideca Fluorooctyltriethoxysilane, methyltrichlorosilane, dimethyldichlorosilane, trimethylchlorosilane, phenyltrichlorosilane, trimethylfluorosilane, dimethyldibromosilane, diphenyldibromosilane, their hydrolysis products, and condensates of these hydrolysis products Etc. Among these, propyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, hexyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, and decyltrimethoxysilane are preferable from the viewpoint of availability.
離型層の形成工程において、シラン化合物は水溶液の形態で使用することができる。水への溶解性を高めるためにメタノールやエタノールなどのアルコールを添加することもできる。アルコールの添加は特に疎水性の高いシラン化合物を使用するときに有効である。シラン化合物の水溶液は、撹拌することでアルコキシ基の加水分解が促進され、撹拌時間が長いと加水分解生成物の縮合が促進される。一般には、十分な撹拌時間を経て加水分解および縮合が進んだシラン化合物を用いた方が樹脂基材と銅箔の剥離強度は低下する傾向にある。従って、撹拌時間の調整によって剥離強度を調整可能である。限定的ではないが、シラン化合物を水に溶解させた後の撹拌時間としては例えば1〜100時間とすることができ、典型的には1〜30時間とすることができる。当然ながら、撹拌せずに用いる方法もある。 In the step of forming the release layer, the silane compound can be used in the form of an aqueous solution. Alcohols such as methanol and ethanol can be added in order to increase the solubility in water. The addition of alcohol is particularly effective when a highly hydrophobic silane compound is used. By stirring the aqueous solution of the silane compound, hydrolysis of the alkoxy group is promoted, and when the stirring time is long, condensation of the hydrolysis product is promoted. In general, the peel strength between the resin substrate and the copper foil tends to decrease when a silane compound that has undergone hydrolysis and condensation after a sufficient stirring time is used. Therefore, the peel strength can be adjusted by adjusting the stirring time. Although it is not limited, the stirring time after the silane compound is dissolved in water can be, for example, 1 to 100 hours, and typically 1 to 30 hours. Of course, there is a method of using without stirring.
シラン化合物の水溶液中のシラン化合物の濃度は高い方が金属箔と板状キャリアの剥離強度は低下する傾向にあり、シラン化合物の濃度調整によって剥離強度を調整可能である。限定的ではないが、シラン化合物の水溶液中の濃度は0.01〜10.0体積%とすることができ、典型的には0.1〜5.0体積%とすることができる。 The higher the concentration of the silane compound in the aqueous solution of the silane compound, the lower the peel strength between the metal foil and the plate carrier, and the peel strength can be adjusted by adjusting the concentration of the silane compound. Although it is not limited, the density | concentration in the aqueous solution of a silane compound can be 0.01-10.0 volume%, and can be 0.1-5.0 volume% typically.
シラン化合物の水溶液のpHは特に制限はなく、酸性側でもアルカリ性側でも利用できる。例えば3.0〜10.0の範囲のpHで使用できる。特段のpH調整が不要であるという観点から中性付近である5.0〜9.0の範囲のpHとするのが好ましく、7.0〜9.0の範囲のpHとするのがより好ましい。 The pH of the aqueous solution of the silane compound is not particularly limited and can be used on either the acidic side or the alkaline side. For example, it can be used at a pH in the range of 3.0 to 10.0. From the standpoint that no special pH adjustment is necessary, it is preferable to set the pH in the range of 5.0 to 9.0, which is near neutral, and more preferable to set the pH in the range of 7.0 to 9.0. .
(2)分子内に2つ以下のメルカプト基を有する化合物
離型層は、分子内に2つ以上のメルカプト基を有する化合物を用いて構成し、当該離型層を介して樹脂基材と銅箔とを貼り合わせることによっても、適度に密着性が低下し、剥離強度を調節できる。
但し、分子内に3つ以上のメルカプト基を有する化合物またはその塩を樹脂基材と銅箔との間に介在させて貼り合わせた場合、剥離強度低減の目的には適さない。これは、分子内にメルカプト基が過剰に存在するとメルカプト基同士、またはメルカプト基と板状キャリア、またはメルカプト基と金属箔との化学反応によってスルフィド結合、ジスルフィド結合またはポリスルフィド結合が過剰に生成し、樹脂基材と銅箔の間に強固な3次元架橋構造が形成されることで剥離強度が上昇することがあると考えられるからである。このような事例は特開2000−196207号公報に開示されている。
(2) Compound having two or less mercapto groups in the molecule The release layer is composed of a compound having two or more mercapto groups in the molecule, and the resin base material and copper are interposed via the release layer. Adhesion with the foil can also be appropriately reduced to adjust the peel strength.
However, when a compound having three or more mercapto groups in the molecule or a salt thereof is bonded between the resin substrate and the copper foil, it is not suitable for the purpose of reducing the peel strength. This is because when there is an excessive amount of mercapto groups in the molecule, an excessive amount of sulfide bonds, disulfide bonds or polysulfide bonds are generated by the chemical reaction between the mercapto groups, or the mercapto group and the plate carrier, or the mercapto group and the metal foil, This is because it is considered that the peel strength may be increased by forming a strong three-dimensional crosslinked structure between the resin base material and the copper foil. Such a case is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2000-196207.
この分子内に2つ以下のメルカプト基を有する化合物としては、チオール、ジチオール、チオカルボン酸またはその塩、ジチオカルボン酸またはその塩、チオスルホン酸またはその塩、およびジチオスルホン酸またはその塩が挙げられ、これらの中から選択される少なくとも一種を用いることができる。 Examples of the compound having two or less mercapto groups in the molecule include thiol, dithiol, thiocarboxylic acid or a salt thereof, dithiocarboxylic acid or a salt thereof, thiosulfonic acid or a salt thereof, and dithiosulfonic acid or a salt thereof. At least one selected from these can be used.
チオールは、分子内に一つのメルカプト基を有するものであり、例えばR−SHで表される。ここで、Rは、水酸基またはアミノ基を含んでもよい、脂肪族系または芳香族系炭化水素基または複素環基を表す。 The thiol has one mercapto group in the molecule and is represented by R-SH, for example. Here, R represents an aliphatic or aromatic hydrocarbon group or heterocyclic group which may contain a hydroxyl group or an amino group.
ジチオールは、分子内に二つのメルカプト基を有するものであり、例えばR(SH)2で表される。Rは、水酸基またはアミノ基を含んでもよい、脂肪族系または芳香族系炭化水素基または複素環基を表す。また、二つのメルカプト基は、それぞれ同じ炭素に結合してもよいし、互いに別々の炭素または窒素に結合してもよい。 Dithiol has two mercapto groups in the molecule and is represented by, for example, R (SH) 2 . R represents an aliphatic or aromatic hydrocarbon group or heterocyclic group which may contain a hydroxyl group or an amino group. Two mercapto groups may be bonded to the same carbon, or may be bonded to different carbons or nitrogens.
チオカルボン酸は、有機カルボン酸の水酸基がメルカプト基に置換されたものであり、例えばR−CO−SHで表される。Rは、水酸基またはアミノ基を含んでもよい、脂肪族系または芳香族系炭化水素基または複素環基を表す。また、チオカルボン酸は、塩の形態でも使用することが可能である。なお、チオカルボン酸基を、二つ有する化合物も使用可能である。 A thiocarboxylic acid is one in which a hydroxyl group of an organic carboxylic acid is substituted with a mercapto group, and is represented by R-CO-SH, for example. R represents an aliphatic or aromatic hydrocarbon group or heterocyclic group which may contain a hydroxyl group or an amino group. The thiocarboxylic acid can also be used in the form of a salt. A compound having two thiocarboxylic acid groups can also be used.
ジチオカルボン酸は、有機カルボン酸のカルボキシ基中の2つの酸素原子が硫黄原子に置換されたものであり、例えばR−(CS)−SHで表される。Rは、水酸基またはアミノ基を含んでもよい、脂肪族系または芳香族系炭化水素基または複素環基を表す。また、ジチオカルボン酸は、塩の形態でも使用することが可能である。なお、ジチオカルボン酸基を、二つ有する化合物も使用可能である。 The dithiocarboxylic acid is one in which two oxygen atoms in the carboxy group of the organic carboxylic acid are substituted with sulfur atoms, and is represented by, for example, R- (CS) -SH. R represents an aliphatic or aromatic hydrocarbon group or heterocyclic group which may contain a hydroxyl group or an amino group. Dithiocarboxylic acid can also be used in the form of a salt. A compound having two dithiocarboxylic acid groups can also be used.
チオスルホン酸は、有機スルホン酸の水酸基がメルカプト基に置換されたものであり、例えばR(SO2)−SHで表される。Rは、水酸基またはアミノ基を含んでもよい、脂肪族系または芳香族系炭化水素基または複素環基を表す。また、チオスルホン酸は、塩の形態でも使用することが可能である。 The thiosulfonic acid is obtained by replacing the hydroxyl group of an organic sulfonic acid with a mercapto group, and is represented by, for example, R (SO 2 ) —SH. R represents an aliphatic or aromatic hydrocarbon group or heterocyclic group which may contain a hydroxyl group or an amino group. Further, thiosulfonic acid can be used in the form of a salt.
ジチオスルホン酸は、有機ジスルホン酸の二つの水酸基がそれぞれメルカプト基に置換されたものであり、例えばR−((SO2)−SH)2で表される。Rは、水酸基またはアミノ基を含んでもよい、脂肪族系または芳香族系炭化水素基または複素環基を表す。また、二つのチオスルホン酸基は、それぞれ同じ炭素に結合してもよいし、互いに別々の炭素に結合してもよい。また、ジチオスルホン酸は、塩の形態でも使用することが可能である。 Dithiosulfonic acid is one in which two hydroxyl groups of an organic disulfonic acid are each substituted with a mercapto group, and is represented by, for example, R-((SO 2 ) -SH) 2 . R represents an aliphatic or aromatic hydrocarbon group or heterocyclic group which may contain a hydroxyl group or an amino group. Two thiosulfonic acid groups may be bonded to the same carbon, or may be bonded to different carbons. Dithiosulfonic acid can also be used in the form of a salt.
ここで、Rとして好適な脂肪族系炭化水素基としては、アルキル基、シクロアルキル基が挙げられ、これら炭化水素基は水酸基とアミノ基のどちらかまたは両方を含んでいてもよい。 Here, examples of the aliphatic hydrocarbon group suitable as R include an alkyl group and a cycloalkyl group, and these hydrocarbon groups may contain either or both of a hydroxyl group and an amino group.
また、アルキル基としては、限定的ではないが、メチル基、エチル基、n−又はiso−プロピル基、n−、iso−又はtert−ブチル基、n−、iso−又はneo−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−オクチル基、n−デシル基等の直鎖状又は分岐状の炭素数1〜20、好ましくは炭素数1〜10、より好ましくは炭素数1〜5のアルキル基が挙げられる。 Examples of the alkyl group include, but are not limited to, methyl group, ethyl group, n- or iso-propyl group, n-, iso- or tert-butyl group, n-, iso- or neo-pentyl group, n -A linear or branched alkyl group having 1 to 20, preferably 1 to 10, more preferably 1 to 5 carbon atoms, such as a hexyl group, an n-octyl group, and an n-decyl group. .
また、シクロアルキル基としては、限定的ではないが、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基等の炭素数3〜10、好ましくは炭素数5〜7のシクロアルキル基が挙げられる。 Moreover, as a cycloalkyl group, although it is not limited, C3-C10, such as a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, Preferably it is C5-C7 Of the cycloalkyl group.
また、Rとして好適な芳香族炭化水素基としては、フェニル基、アルキル基で置換されたフェニル基(例:トリル基、キシリル基)、1−又は2−ナフチル基、アントリル基等の炭素数6〜20、好ましくは6〜14のアリール基が挙げられ、これら炭化水素基は水酸基とアミノ基のどちらかまたは両方を含んでいてもよい。 Further, examples of the aromatic hydrocarbon group suitable as R include a phenyl group, a phenyl group substituted with an alkyl group (eg, tolyl group, xylyl group), 1- or 2-naphthyl group, anthryl group and the like. -20, preferably 6-14 aryl groups are included, and these hydrocarbon groups may contain either or both of a hydroxyl group and an amino group.
また、Rとして好適な複素環基としては、イミダゾール、トリアゾール、テトラゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾトリアゾール、チアゾール、ベンゾチアゾールが挙げられ、水酸基とアミノ基のどちらかまたは両方を含んでいてもよい。 Moreover, examples of the heterocyclic group suitable as R include imidazole, triazole, tetrazole, benzimidazole, benzotriazole, thiazole, and benzothiazole, which may contain one or both of a hydroxyl group and an amino group.
分子内に2つ以下のメルカプト基を有する化合物の好ましい例としては、3−メルカプト−1,2プロパンジオール、2−メルカプトエタノール、1,2−エタンジチオール、6−メルカプト−1−ヘキサノール、1−オクタンチオール、1−ドデカンチオール、10−ヒドロキシ−1−ドデカンチオール、10−カルボキシ−1−ドデカンチオール、10−アミノ−1−ドデカンチオール、1−ドデカンチオールスルホン酸ナトリウム、チオフェノール、チオ安息香酸、4−アミノ−チオフェノール、p−トルエンチオール、2,4−ジメチルベンゼンチオール、3−メルカプト−1,2,4トリアゾール、2−メルカプト−ベンゾチアゾールが挙げられる。これらの中でも水溶性と廃棄物処理上の観点から、3−メルカプト−1,2プロパンジオールが好ましい。 Preferred examples of the compound having 2 or less mercapto groups in the molecule include 3-mercapto-1,2propanediol, 2-mercaptoethanol, 1,2-ethanedithiol, 6-mercapto-1-hexanol, 1- Octanethiol, 1-dodecanethiol, 10-hydroxy-1-dodecanethiol, 10-carboxy-1-dodecanethiol, 10-amino-1-dodecanethiol, sodium 1-dodecanethiolsulfonate, thiophenol, thiobenzoic acid, Examples include 4-amino-thiophenol, p-toluenethiol, 2,4-dimethylbenzenethiol, 3-mercapto-1,2,4 triazole, and 2-mercapto-benzothiazole. Among these, 3-mercapto-1,2 propanediol is preferable from the viewpoint of water solubility and waste disposal.
離型層の形成工程において、分子内に2つ以下のメルカプト基を有する化合物は水溶液の形態で使用することができる。水への溶解性を高めるためにメタノールやエタノールなどのアルコールを添加することもできる。アルコールの添加は特に疎水性の高い分子内に2つ以下のメルカプト基を有する化合物を使用するときに有効である。 In the step of forming the release layer, the compound having 2 or less mercapto groups in the molecule can be used in the form of an aqueous solution. Alcohols such as methanol and ethanol can be added in order to increase the solubility in water. The addition of alcohol is particularly effective when a compound having two or less mercapto groups in a highly hydrophobic molecule is used.
分子内に2つ以下のメルカプト基を有する化合物の水溶液中の濃度は高い方が樹脂基材と銅箔の剥離強度は低下する傾向にあり、分子内に2つ以下のメルカプト基を有する化合物の濃度調整によって剥離強度を調整可能である。限定的ではないが、分子内に2つ以下のメルカプト基を有する化合物の水溶液中の濃度は0.01〜10.0重量%とすることができ、典型的には0.1〜5.0重量%とすることができる。 The higher the concentration of the compound having two or less mercapto groups in the molecule in the aqueous solution, the lower the peel strength between the resin substrate and the copper foil, and the compound having two or less mercapto groups in the molecule. The peel strength can be adjusted by adjusting the concentration. Although it is not limited, the concentration of the compound having 2 or less mercapto groups in the molecule in the aqueous solution can be 0.01 to 10.0% by weight, typically 0.1 to 5.0%. % By weight.
分子内に2つ以下のメルカプト基を有する化合物の水溶液のpHは特に制限はなく、酸性側でもアルカリ性側でも利用できる。例えば3.0〜10.0の範囲のpHで使用できる。特段のpH調整が不要であるという観点から中性付近である5.0〜9.0の範囲のpHとするのが好ましく、7.0〜9.0の範囲のpHとするのがより好ましい。 The pH of the aqueous solution of the compound having two or less mercapto groups in the molecule is not particularly limited and can be used on either the acidic side or the alkaline side. For example, it can be used at a pH in the range of 3.0 to 10.0. From the standpoint that no special pH adjustment is necessary, it is preferable to set the pH in the range of 5.0 to 9.0, which is near neutral, and more preferable to set the pH in the range of 7.0 to 9.0. .
(3)金属アルコキシド
離型層を、次式に示す構造を有するアルミネート化合物、チタネート化合物、ジルコネート化合物、またはその加水分解生成物、または該加水分解生成物の縮合体(以下、単に金属アルコキシドと記述する)を単独でまたは複数混合して構成してもよい。当該離型層を介して樹脂基材と銅箔を貼り合わせることで、適度に密着性が低下し、剥離強度を調節できる。
(3) Metal alkoxide The release layer is formed from an aluminate compound, titanate compound, zirconate compound, or a hydrolysis product thereof having a structure represented by the following formula, or a condensation product of the hydrolysis product (hereinafter simply referred to as metal alkoxide and May be used alone or in combination. By adhering the resin base material and the copper foil through the release layer, the adhesion is moderately lowered and the peel strength can be adjusted.
式中、R1はアルコキシ基またはハロゲン原子であり、R2はアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基よりなる群から選択される炭化水素基であるか、一つ以上の水素原子がハロゲン原子で置換されたこれら何れかの炭化水素基であり、MはAl、Ti、Zrのうちいずれか一つ、nは0または1または2、mは1以上Mの価数以下の整数であり、R1の少なくとも一つはアルコキシ基である。なお、m+nはMの価数すなわちAlの場合3、Ti、Zrの場合4である。 In the formula, R 1 is an alkoxy group or a halogen atom, and R 2 is a hydrocarbon group selected from the group consisting of an alkyl group, a cycloalkyl group and an aryl group, or one or more hydrogen atoms are halogen atoms. Any one of these substituted hydrocarbon groups, M is any one of Al, Ti, and Zr, n is 0 or 1 or 2, m is an integer from 1 to M, and R At least one of 1 is an alkoxy group. M + n is the valence of M, that is, 3 for Al and 4 for Ti and Zr.
当該金属アルコキシドはアルコキシ基を少なくとも一つ有していることが必要である。アルコキシ基が存在せずに、アルキル基、シクロアルキル基及びアリール基よりなる群から選択される炭化水素基であるか、一つ以上の水素原子がハロゲン原子で置換されたこれら何れかの炭化水素基のみで置換基が構成される場合、樹脂基材と銅箔の密着性が低下し過ぎる傾向がある。また、当該金属アルコキシドはアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基よりなる群から選択される炭化水素基であるか、一つ以上の水素原子がハロゲン原子で置換されたこれら何れかの炭化水素基を0〜2個有していることが必要である。当該炭化水素基を3つ以上有する場合、樹脂基材と銅箔の密着性が低下し過ぎる傾向があるからである。なお、アルコキシ基には一つ以上の水素原子がハロゲン原子に置換されたアルコキシ基も含まれるものとする。樹脂基材と銅箔の剥離強度を上述した範囲に調節する上では、当該金属アルコキシドはアルコキシ基を二つ以上、上記炭化水素基(一つ以上の水素原子がハロゲン原子で置換された炭化水素基を含む)を一つか二つ有していることが好ましい。 The metal alkoxide needs to have at least one alkoxy group. A hydrocarbon group selected from the group consisting of an alkyl group, a cycloalkyl group, and an aryl group in the absence of an alkoxy group, or any one of these hydrocarbons in which one or more hydrogen atoms are substituted with a halogen atom When a substituent is comprised only by group, there exists a tendency for the adhesiveness of a resin base material and copper foil to fall too much. The metal alkoxide is a hydrocarbon group selected from the group consisting of an alkyl group, a cycloalkyl group, and an aryl group, or any one of these hydrocarbon groups in which one or more hydrogen atoms are substituted with a halogen atom. It is necessary to have 0 to 2 pieces. This is because when there are three or more hydrocarbon groups, the adhesion between the resin substrate and the copper foil tends to be too low. The alkoxy group includes an alkoxy group in which one or more hydrogen atoms are substituted with a halogen atom. In adjusting the peel strength between the resin base material and the copper foil to the above-mentioned range, the metal alkoxide has two or more alkoxy groups and the hydrocarbon group (a hydrocarbon in which one or more hydrogen atoms are substituted with a halogen atom). It preferably has one or two groups).
また、アルキル基としては、限定的ではないが、メチル基、エチル基、n−又はiso−プロピル基、n−、iso−又はtert−ブチル基、n−、iso−又はneo−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−オクチル基、n−デシル基等の直鎖状又は分岐状の炭素数1〜20、好ましくは炭素数1〜10、より好ましくは炭素数1〜5のアルキル基が挙げられる。 Examples of the alkyl group include, but are not limited to, methyl group, ethyl group, n- or iso-propyl group, n-, iso- or tert-butyl group, n-, iso- or neo-pentyl group, n -A linear or branched alkyl group having 1 to 20, preferably 1 to 10, more preferably 1 to 5 carbon atoms, such as a hexyl group, an n-octyl group, and an n-decyl group. .
また、シクロアルキル基としては、限定的ではないが、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基等の炭素数3〜10、好ましくは炭素数5〜7のシクロアルキル基が挙げられる。 Moreover, as a cycloalkyl group, although it is not limited, C3-C10, such as a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, Preferably it is C5-C7 Of the cycloalkyl group.
また、R2として好適な芳香族炭化水素基としては、フェニル基、アルキル基で置換されたフェニル基(例:トリル基、キシリル基)、1−又は2−ナフチル基、アントリル基等の炭素数6〜20、好ましくは6〜14のアリール基が挙げられ、これら炭化水素基は水酸基とアミノ基のどちらかまたは両方を含んでいてもよい。これらの炭化水素基は一つ以上の水素原子がハロゲン原子で置換されてもよく、例えば、フッ素原子、塩素原子、又は臭素原子で置換されることができる。 In addition, examples of the aromatic hydrocarbon group suitable as R 2 include a phenyl group, a phenyl group substituted with an alkyl group (eg, tolyl group, xylyl group), 1- or 2-naphthyl group, anthryl group, and the like. Examples thereof include 6 to 20, preferably 6 to 14, aryl groups, and these hydrocarbon groups may contain one or both of a hydroxyl group and an amino group. In these hydrocarbon groups, one or more hydrogen atoms may be substituted with a halogen atom, and may be substituted with, for example, a fluorine atom, a chlorine atom, or a bromine atom.
好ましいアルミネート化合物の例としては、トリメトキシアルミニウム、メチルジメトキシアルミニウム、エチルジメトキシアルミニウム、n−又はiso−プロピルジメトキシアルミニウム、n−、iso−又はtert−ブチルジメトキシアルミニウム、n−、iso−又はneo−ペンチルジメトキシアルミニウム、ヘキシルジメトキシアルミニウム、オクチルジメトキシアルミニウム、デシルジメトキシアルミニウム、フェニルジメトキシアルミニウム;アルキル置換フェニルジメトキシアルミニウム(例えば、p−(メチル)フェニルジメトキシアルミニウム)、ジメチルメトキシアルミニウム、トリエトキシアルミニウム、メチルジエトキシアルミニウム、エチルジエトキシアルミニウム、n−又はiso−プロピルジエトキシアルミニウム、n−、iso−又はtert−ブチルジエトキシアルミニウム、ペンチルジエトキシアルミニウム、ヘキシルジエトキシアルミニウム、オクチルジエトキシアルミニウム、デシルジエトキシアルミニウム、フェニルジエトキシアルミニウム、アルキル置換フェニルジエトキシアルミニウム(例えば、p−(メチル)フェニルジエトキシアルミニウム)、ジメチルエトキシアルミニウム、トリイソプロポキシアルミニウム、メチルジイソプロポキシアルミニウム、エチルジイソプロポキシアルミニウム、n−又はiso−プロピルジエトキシアルミニウム、n−、iso−又はtert−ブチルジイソプロポキシアルミニウム、ペンチルジイソプロポキシアルミニウム、ヘキシルジイソプロポキシアルミニウム、オクチルジイソプロポキシアルミニウム、デシルジイソプロポキシアルミニウム、フェニルジイソプロポキシアルミニウム、アルキル置換フェニルジイソプロポキシアルミニウム(例えば、p−(メチル)フェニルジイソプロポキシアルミニウム)、ジメチルイソプロポキシアルミニウム、(3,3,3−トリフルオロプロピル)ジメトキシアルミニウム、及びトリデカフルオロオクチルジエトキシアルミニウム、メチルジクロロアルミニウム、ジメチルクロロアルミニウム、ジメチルクロロアルミニウム、フェニルジクロロアルミニウム、ジメチルフルオロアルミニウム、ジメチルブロモアルミニウム、ジフェニルブロモアルミニウム、これらの加水分解生成物、及びこれらの加水分解生成物の縮合体などが挙げられる。これらの中でも、入手の容易性の観点から、トリメトキシアルミニウム、トリエトキシアルミニウム、トリイソプロポキシアルミニウム、が好ましい。 Examples of preferred aluminate compounds include trimethoxyaluminum, methyldimethoxyaluminum, ethyldimethoxyaluminum, n- or iso-propyldimethoxyaluminum, n-, iso- or tert-butyldimethoxyaluminum, n-, iso- or neo- Pentyl dimethoxy aluminum, hexyl dimethoxy aluminum, octyl dimethoxy aluminum, decyl dimethoxy aluminum, phenyl dimethoxy aluminum; alkyl-substituted phenyl dimethoxy aluminum (for example, p- (methyl) phenyl dimethoxy aluminum), dimethyl methoxy aluminum, triethoxy aluminum, methyl diethoxy aluminum Ethyldiethoxyaluminum, n- or iso-propyldiethoxy Luminium, n-, iso- or tert-butyldiethoxyaluminum, pentyldiethoxyaluminum, hexyldiethoxyaluminum, octyldiethoxyaluminum, decyldiethoxyaluminum, phenyldiethoxyaluminum, alkyl-substituted phenyldiethoxyaluminum (eg p -(Methyl) phenyldiethoxyaluminum), dimethylethoxyaluminum, triisopropoxyaluminum, methyldiisopropoxyaluminum, ethyldiisopropoxyaluminum, n- or iso-propyldiethoxyaluminum, n-, iso- or tert-butyl Diisopropoxy aluminum, pentyl diisopropoxy aluminum, hexyl diisopropoxy aluminum, octyl diiso Ropoxyaluminum, decyldiisopropoxyaluminum, phenyldiisopropoxyaluminum, alkyl-substituted phenyldiisopropoxyaluminum (eg, p- (methyl) phenyldiisopropoxyaluminum), dimethylisopropoxyaluminum, (3,3,3- Trifluoropropyl) dimethoxyaluminum, and tridecafluorooctyldiethoxyaluminum, methyldichloroaluminum, dimethylchloroaluminum, dimethylchloroaluminum, phenyldichloroaluminum, dimethylfluoroaluminum, dimethylbromoaluminum, diphenylbromoaluminum, and their hydrolysis products And condensates of these hydrolysis products. Among these, from the viewpoint of availability, trimethoxyaluminum, triethoxyaluminum, and triisopropoxyaluminum are preferable.
好ましいチタネート化合物の例としては、テトラメトキシチタン、メチルトリメトキシチタン、エチルトリメトキシチタン、n−又はiso−プロピルトリメトキシチタン、n−、iso−又はtert−ブチルトリメトキシチタン、n−、iso−又はneo−ペンチルトリメトキシチタン、ヘキシルトリメトキシチタン、オクチルトリメトキシチタン、デシルトリメトキシチタン、フェニルトリメトキシチタン;アルキル置換フェニルトリメトキシチタン(例えば、p−(メチル)フェニルトリメトキシチタン)、ジメチルジメトキシチタン、テトラエトキシチタン、メチルトリエトキシチタン、エチルトリエトキシチタン、n−又はiso−プロピルトリエトキシチタン、n−、iso−又はtert−ブチルトリエトキシチタン、ペンチルトリエトキシチタン、ヘキシルトリエトキシチタン、オクチルトリエトキシチタン、デシルトリエトキシチタン、フェニルトリエトキシチタン、アルキル置換フェニルトリエトキシチタン(例えば、p−(メチル)フェニルトリエトキシチタン)、ジメチルジエトキシチタン、テトライソプロポキシチタン、メチルトリイソプロポキシチタン、エチルトリイソプロポキシチタン、n−又はiso−プロピルトリエトキシチタン、n−、iso−又はtert−ブチルトリイソプロポキシチタン、ペンチルトリイソプロポキシチタン、ヘキシルトリイソプロポキシチタン、オクチルトリイソプロポキシチタン、デシルトリイソプロポキシチタン、フェニルトリイソプロポキシチタン、アルキル置換フェニルトリイソプロポキシチタン(例えば、p−(メチル)フェニルトリイソプロポキシチタン)、ジメチルジイソプロポキシチタン、(3,3,3−トリフルオロプロピル)トリメトキシチタン、及びトリデカフルオロオクチルトリエトキシチタン、メチルトリクロロチタン、ジメチルジクロロチタン、トリメチルクロロチタン、フェニルトリクロロチタン、ジメチルジフルオロチタン、ジメチルジブロモチタン、ジフェニルジブロモチタン、これらの加水分解生成物、及びこれらの加水分解生成物の縮合体などが挙げられる。これらの中でも、入手の容易性の観点から、テトラメトキシチタン、テトラエトキシチタン、テトライソプロポキシチタン、が好ましい。 Examples of preferred titanate compounds include tetramethoxy titanium, methyl trimethoxy titanium, ethyl trimethoxy titanium, n- or iso-propyl trimethoxy titanium, n-, iso- or tert-butyl trimethoxy titanium, n-, iso- Or neo-pentyltrimethoxytitanium, hexyltrimethoxytitanium, octyltrimethoxytitanium, decyltrimethoxytitanium, phenyltrimethoxytitanium; alkyl-substituted phenyltrimethoxytitanium (eg, p- (methyl) phenyltrimethoxytitanium), dimethyldimethoxy Titanium, tetraethoxy titanium, methyl triethoxy titanium, ethyl triethoxy titanium, n- or iso-propyl triethoxy titanium, n-, iso- or tert-butyl triethoxy titanium, Tiltlyethoxytitanium, Hexyltriethoxytitanium, Octyltriethoxytitanium, Decyltriethoxytitanium, Phenyltriethoxytitanium, Alkyl-substituted phenyltriethoxytitanium (eg, p- (methyl) phenyltriethoxytitanium), Dimethyldiethoxytitanium, Tetraisopropoxytitanium, methyltriisopropoxytitanium, ethyltriisopropoxytitanium, n- or iso-propyltriethoxytitanium, n-, iso- or tert-butyltriisopropoxytitanium, pentyltriisopropoxytitanium, hexyltriiso Propoxy titanium, octyltriisopropoxy titanium, decyl triisopropoxy titanium, phenyl triisopropoxy titanium, alkyl substituted phenyl triisopropoxy titanium (example P- (methyl) phenyltriisopropoxytitanium), dimethyldiisopropoxytitanium, (3,3,3-trifluoropropyl) trimethoxytitanium, and tridecafluorooctyltriethoxytitanium, methyltrichlorotitanium, dimethyldichloro Examples include titanium, trimethylchlorotitanium, phenyltrichlorotitanium, dimethyldifluorotitanium, dimethyldibromotitanium, diphenyldibromotitanium, hydrolysis products thereof, and condensates of these hydrolysis products. Among these, tetramethoxy titanium, tetraethoxy titanium, and tetraisopropoxy titanium are preferable from the viewpoint of availability.
好ましいジルコネート化合物の例としては、テトラメトキシジルコニウム、メチルトリメトキシジルコニウム、エチルトリメトキシジルコニウム、n−又はiso−プロピルトリメトキシジルコニウム、n−、iso−又はtert−ブチルトリメトキシジルコニウム、n−、iso−又はneo−ペンチルトリメトキシジルコニウム、ヘキシルトリメトキシジルコニウム、オクチルトリメトキシジルコニウム、デシルトリメトキシジルコニウム、フェニルトリメトキシジルコニウム;アルキル置換フェニルトリメトキシジルコニウム(例えば、p−(メチル)フェニルトリメトキシジルコニウム)、ジメチルジメトキシジルコニウム、テトラエトキシジルコニウム、メチルトリエトキシジルコニウム、エチルトリエトキシジルコニウム、n−又はiso−プロピルトリエトキシジルコニウム、n−、iso−又はtert−ブチルトリエトキシジルコニウム、ペンチルトリエトキシジルコニウム、ヘキシルトリエトキシジルコニウム、オクチルトリエトキシジルコニウム、デシルトリエトキシジルコニウム、フェニルトリエトキシジルコニウム、アルキル置換フェニルトリエトキシジルコニウム(例えば、p−(メチル)フェニルトリエトキシジルコニウム)、ジメチルジエトキシジルコニウム、テトライソプロポキシジルコニウム、メチルトリイソプロポキシジルコニウム、エチルトリイソプロポキシジルコニウム、n−又はiso−プロピルトリエトキシジルコニウム、n−、iso−又はtert−ブチルトリイソプロポキシジルコニウム、ペンチルトリイソプロポキシジルコニウム、ヘキシルトリイソプロポキシジルコニウム、オクチルトリイソプロポキシジルコニウム、デシルトリイソプロポキシジルコニウム、フェニルトリイソプロポキシジルコニウム、アルキル置換フェニルトリイソプロポキシジルコニウム(例えば、p−(メチル)フェニルトリイソプロポキシチタン)、ジメチルジイソプロポキシジルコニウム、(3,3,3−トリフルオロプロピル)トリメトキシジルコニウム、及びトリデカフルオロオクチルトリエトキシジルコニウム、メチルトリクロロジルコニウム、ジメチルジクロロジルコニウム、トリメチルクロロジルコニウム、フェニルトリクロロジルコニウム、ジメチルジフルオロジルコニウム、ジメチルジブロモジルコニウム、ジフェニルジブロモジルコニウム、これらの加水分解生成物、及びこれらの加水分解生成物の縮合体などが挙げられる。これらの中でも、入手の容易性の観点から、テトラメトキシジルコニウム、テトラエトキシジルコニウム、テトライソプロポキシジルコニウム、が好ましい。 Examples of preferred zirconate compounds include tetramethoxyzirconium, methyltrimethoxyzirconium, ethyltrimethoxyzirconium, n- or iso-propyltrimethoxyzirconium, n-, iso- or tert-butyltrimethoxyzirconium, n-, iso- Or neo-pentyltrimethoxyzirconium, hexyltrimethoxyzirconium, octyltrimethoxyzirconium, decyltrimethoxyzirconium, phenyltrimethoxyzirconium; alkyl-substituted phenyltrimethoxyzirconium (eg, p- (methyl) phenyltrimethoxyzirconium), dimethyldimethoxy Zirconium, tetraethoxyzirconium, methyltriethoxyzirconium, ethyltriethoxyzirconium, n Or iso-propyltriethoxyzirconium, n-, iso- or tert-butyltriethoxyzirconium, pentyltriethoxyzirconium, hexyltriethoxyzirconium, octyltriethoxyzirconium, decyltriethoxyzirconium, phenyltriethoxyzirconium, alkyl-substituted phenyltri Ethoxyzirconium (eg, p- (methyl) phenyltriethoxyzirconium), dimethyldiethoxyzirconium, tetraisopropoxyzirconium, methyltriisopropoxyzirconium, ethyltriisopropoxyzirconium, n- or iso-propyltriethoxyzirconium, n- , Iso- or tert-butyltriisopropoxyzirconium, pentyltriisopropoxydi Konium, hexyltriisopropoxyzirconium, octyltriisopropoxyzirconium, decyltriisopropoxyzirconium, phenyltriisopropoxyzirconium, alkyl-substituted phenyltriisopropoxyzirconium (eg, p- (methyl) phenyltriisopropoxytitanium), dimethyldi Isopropoxyzirconium, (3,3,3-trifluoropropyl) trimethoxyzirconium, and tridecafluorooctyltriethoxyzirconium, methyltrichlorozirconium, dimethyldichlorozirconium, trimethylchlorozirconium, phenyltrichlorozirconium, dimethyldifluorozirconium, dimethyldibromo Zirconium, diphenyldibromozirconium and their hydrolyzed products Examples thereof include condensates of these products and hydrolysis products thereof. Among these, tetramethoxyzirconium, tetraethoxyzirconium, and tetraisopropoxyzirconium are preferable from the viewpoint of availability.
離型層の形成工程において、金属アルコキシドは水溶液の形態で使用することができる。水への溶解性を高めるためにメタノールやエタノールなどのアルコールを添加することもできる。アルコールの添加は特に疎水性の高い金属アルコキシドを使用するときに有効である。 In the step of forming the release layer, the metal alkoxide can be used in the form of an aqueous solution. Alcohols such as methanol and ethanol can be added in order to increase the solubility in water. The addition of alcohol is particularly effective when a highly hydrophobic metal alkoxide is used.
金属アルコキシドの水溶液中の濃度は高い方が樹脂基材と銅箔の剥離強度は低下する傾向にあり、金属アルコキシド濃度調整によって剥離強度を調整可能である。限定的ではないが、金属アルコキシドの水溶液中の濃度は0.001〜1.0mol/Lとすることができ、典型的には0.005〜0.2mol/Lとすることができる。 The higher the concentration of the metal alkoxide in the aqueous solution, the lower the peel strength between the resin substrate and the copper foil, and the peel strength can be adjusted by adjusting the metal alkoxide concentration. Although not limited, the concentration of the metal alkoxide in the aqueous solution can be 0.001 to 1.0 mol / L, and typically 0.005 to 0.2 mol / L.
金属アルコキシドの水溶液のpHは特に制限はなく、酸性側でもアルカリ性側でも利用できる。例えば3.0〜10.0の範囲のpHで使用できる。特段のpH調整が不要であるという観点から中性付近である5.0〜9.0の範囲のpHとするのが好ましく、7.0〜9.0の範囲のpHとするのがより好ましい。 The pH of the aqueous solution of the metal alkoxide is not particularly limited and can be used on either the acidic side or the alkaline side. For example, it can be used at a pH in the range of 3.0 to 10.0. From the standpoint that no special pH adjustment is necessary, it is preferable to set the pH in the range of 5.0 to 9.0, which is near neutral, and more preferable to set the pH in the range of 7.0 to 9.0. .
本発明に係る表面処理銅箔は、銅箔と離型層との間に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層が設けられていてもよい。ここでクロメート処理層とは無水クロム酸、クロム酸、二クロム酸、クロム酸塩または二クロム酸塩を含む液で処理された層のことをいう。クロメート処理層はコバルト、鉄、ニッケル、モリブデン、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、砒素およびチタン等の元素(金属、合金、酸化物、窒化物、硫化物等どのような形態でもよい)を含んでもよい。クロメート処理層の具体例としては、無水クロム酸または二クロム酸カリウム水溶液で処理したクロメート処理層や、無水クロム酸または二クロム酸カリウムおよび亜鉛を含む処理液で処理したクロメート処理層等が挙げられる。 In the surface-treated copper foil according to the present invention, at least one layer selected from the group consisting of a heat-resistant layer, a rust preventive layer, a chromate treatment layer, and a silane coupling treatment layer is provided between the copper foil and the release layer. It may be provided. Here, the chromate-treated layer refers to a layer treated with a liquid containing chromic anhydride, chromic acid, dichromic acid, chromate or dichromate. Chromate treatment layer is any element such as cobalt, iron, nickel, molybdenum, zinc, tantalum, copper, aluminum, phosphorus, tungsten, tin, arsenic and titanium (metal, alloy, oxide, nitride, sulfide, etc.) May be included). Specific examples of the chromate treatment layer include a chromate treatment layer treated with chromic anhydride or a potassium dichromate aqueous solution, a chromate treatment layer treated with a treatment solution containing anhydrous chromic acid or potassium dichromate and zinc, and the like. .
また、耐熱層、防錆層としては公知の耐熱層、防錆層を用いることができる。例えば、耐熱層および/または防錆層はニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄、タンタルの群から選ばれる1種以上の元素を含む層であってもよく、ニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄、タンタルの群から選ばれる1種以上の元素からなる金属層または合金層であってもよい。また、耐熱層および/または防錆層はニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄、タンタルの群から選ばれる1種以上の元素を含む酸化物、窒化物、珪化物を含んでもよい。また、耐熱層および/または防錆層はニッケル−亜鉛合金を含む層であってもよい。また、耐熱層および/または防錆層はニッケル−亜鉛合金層であってもよい。前記ニッケル−亜鉛合金層は、不可避不純物を除き、ニッケルを50wt%〜99wt%、亜鉛を50wt%〜1wt%含有するものであってもよい。前記ニッケル−亜鉛合金層の亜鉛及びニッケルの合計付着量が5〜1000mg/m2、好ましくは10〜500mg/m2、好ましくは20〜100mg/m2であってもよい。また、前記ニッケル−亜鉛合金を含む層または前記ニッケル−亜鉛合金層のニッケルの付着量と亜鉛の付着量との比(=ニッケルの付着量/亜鉛の付着量)が1.5〜10であることが好ましい。また、前記ニッケル−亜鉛合金を含む層または前記ニッケル−亜鉛合金層のニッケルの付着量は0.5mg/m2〜500mg/m2であることが好ましく、1mg/m2〜50mg/m2であることがより好ましい。 Moreover, a well-known heat resistant layer and a rust preventive layer can be used as a heat resistant layer and a rust preventive layer. For example, the heat-resistant layer and / or the anticorrosive layer is a group of nickel, zinc, tin, cobalt, molybdenum, copper, tungsten, phosphorus, arsenic, chromium, vanadium, titanium, aluminum, gold, silver, platinum group elements, iron, tantalum A layer containing one or more elements selected from nickel, zinc, tin, cobalt, molybdenum, copper, tungsten, phosphorus, arsenic, chromium, vanadium, titanium, aluminum, gold, silver, platinum group elements Further, it may be a metal layer or an alloy layer made of one or more elements selected from the group consisting of iron, tantalum and the like. The heat-resistant layer and / or rust preventive layer is a group of nickel, zinc, tin, cobalt, molybdenum, copper, tungsten, phosphorus, arsenic, chromium, vanadium, titanium, aluminum, gold, silver, platinum group elements, iron, and tantalum. An oxide, nitride, or silicide containing one or more elements selected from the above may be included. Further, the heat-resistant layer and / or the rust preventive layer may be a layer containing a nickel-zinc alloy. Further, the heat-resistant layer and / or the rust preventive layer may be a nickel-zinc alloy layer. The nickel-zinc alloy layer may contain 50 wt% to 99 wt% nickel and 50 wt% to 1 wt% zinc, excluding inevitable impurities. The total adhesion amount of zinc and nickel in the nickel-zinc alloy layer may be 5 to 1000 mg / m 2 , preferably 10 to 500 mg / m 2 , preferably 20 to 100 mg / m 2 . Further, the ratio of the nickel adhesion amount and the zinc adhesion amount of the layer containing the nickel-zinc alloy or the nickel-zinc alloy layer (= nickel adhesion amount / zinc adhesion amount) is 1.5 to 10. It is preferable. Further, the nickel - in adhesion amount of nickel in the zinc alloy layer is preferably from 0.5mg / m 2 ~500mg / m 2 , 1mg / m 2 ~50mg / m 2 - zinc alloy layer or the nickel containing More preferably.
例えば耐熱層および/または防錆層は、付着量が1mg/m2〜100mg/m2、好ましくは5mg/m2〜50mg/m2のニッケルまたはニッケル合金層と、付着量が1mg/m2〜80mg/m2、好ましくは5mg/m2〜40mg/m2のスズ層とを順次積層したものであってもよく、前記ニッケル合金層はニッケル−モリブデン、ニッケル−亜鉛、ニッケル−モリブデン−コバルトのいずれか一種により構成されてもよい。また、耐熱層および/または防錆層は、ニッケルまたはニッケル合金とスズとの合計付着量が2mg/m2〜150mg/m2であることが好ましく、10mg/m2〜70mg/m2であることがより好ましい。また、耐熱層および/または防錆層は、[ニッケルまたはニッケル合金中のニッケル付着量]/[スズ付着量]=0.25〜10であることが好ましく、0.33〜3であることがより好ましい。 For example heat-resistant layer and / or anticorrosive layer has coating weight of 1 mg / m 2 -100 mg / m 2, preferably from 5 mg / m 2 and to 50 mg / m 2 of nickel or nickel alloy layer, the adhesion amount is 1 mg / m 2 to 80 mg / m 2, preferably it may be obtained by sequentially laminating a tin layer of 5mg / m 2 ~40mg / m 2 , wherein the nickel alloy layer of nickel - molybdenum, nickel - zinc, nickel - molybdenum - cobalt You may be comprised by any one of these. The heat-resistant layer and / or anticorrosive layer, it is preferably, 10mg / m 2 ~70mg / m 2 total deposition amount of nickel or nickel alloy and tin is 2mg / m 2 ~150mg / m 2 It is more preferable. Further, the heat-resistant layer and / or the rust preventive layer is preferably [nickel or nickel adhesion amount in nickel or nickel alloy] / [tin adhesion amount] = 0.25 to 10, preferably 0.33 to 3. More preferred.
なお、シランカップリング処理に用いられるシランカップリング剤には公知のシランカップリング剤を用いてよく、例えばアミノ系シランカップリング剤又はエポキシ系シランカップリング剤、メルカプト系シランカップリング剤を用いてよい。また、シランカップリング剤にはビニルトリメトキシシラン、ビニルフェニルトリメトキシラン、γ‐メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ‐グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、4‐グリシジルブチルトリメトキシシラン、γ‐アミノプロピルトリエトキシシラン、N‐β(アミノエチル)γ‐アミノプロピルトリメトキシシラン、N‐3‐(4‐(3‐アミノプロポキシ)プトキシ)プロピル‐3‐アミノプロピルトリメトキシシラン、イミダゾールシラン、トリアジンシラン、γ‐メルカプトプロピルトリメトキシシラン等を用いてもよい。 In addition, you may use a well-known silane coupling agent for the silane coupling agent used for a silane coupling process, for example, using an amino-type silane coupling agent or an epoxy-type silane coupling agent, a mercapto-type silane coupling agent. Good. Silane coupling agents include vinyltrimethoxysilane, vinylphenyltrimethoxylane, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 4-glycidylbutyltrimethoxysilane, and γ-aminopropyl. Triethoxysilane, N-β (aminoethyl) γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-3- (4- (3-aminopropoxy) ptoxy) propyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, imidazolesilane, triazinesilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane or the like may be used.
前記シランカップリング処理層は、エポキシ系シラン、アミノ系シラン、メタクリロキシ系シラン、メルカプト系シランなどのシランカップリング剤などを使用して形成してもよい。なお、このようなシランカップリング剤は、2種以上混合して使用してもよい。中でも、アミノ系シランカップリング剤又はエポキシ系シランカップリング剤を用いて形成したものであることが好ましい。 The silane coupling treatment layer may be formed using a silane coupling agent such as an epoxy silane, an amino silane, a methacryloxy silane, or a mercapto silane. In addition, you may use 2 or more types of such silane coupling agents in mixture. Especially, it is preferable to form using an amino-type silane coupling agent or an epoxy-type silane coupling agent.
ここで言うアミノ系シランカップリング剤とは、N‐(2‐アミノエチル)‐3‐アミノプロピルトリメトキシシラン、3‐(N‐スチリルメチル‐2‐アミノエチルアミノ)プロピルトリメトキシシラン、3‐アミノプロピルトリエトキシシラン、ビス(2‐ヒドロキシエチル)‐3‐アミノプロピルトリエトキシシラン、アミノプロピルトリメトキシシラン、N‐メチルアミノプロピルトリメトキシシラン、N‐フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、N‐(3‐アクリルオキシ‐2‐ヒドロキシプロピル)‐3‐アミノプロピルトリエトキシシラン、4‐アミノブチルトリエトキシシラン、(アミノエチルアミノメチル)フェネチルトリメトキシシラン、N‐(2‐アミノエチル‐3‐アミノプロピル)トリメトキシシラン、N‐(2‐アミノエチル‐3‐アミノプロピル)トリス(2‐エチルヘキソキシ)シラン、6‐(アミノヘキシルアミノプロピル)トリメトキシシラン、アミノフェニルトリメトキシシラン、3‐(1‐アミノプロポキシ)‐3,3‐ジメチル‐1‐プロペニルトリメトキシシラン、3‐アミノプロピルトリス(メトキシエトキシエトキシ)シラン、3‐アミノプロピルトリエトキシシラン、3‐アミノプロピルトリメトキシシラン、ω‐アミノウンデシルトリメトキシシラン、3‐(2‐N‐ベンジルアミノエチルアミノプロピル)トリメトキシシラン、ビス(2‐ヒドロキシエチル)‐3‐アミノプロピルトリエトキシシラン、(N,N‐ジエチル‐3‐アミノプロピル)トリメトキシシラン、(N,N‐ジメチル‐3‐アミノプロピル)トリメトキシシラン、N‐メチルアミノプロピルトリメトキシシラン、N‐フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、3‐(N‐スチリルメチル‐2‐アミノエチルアミノ)プロピルトリメトキシシラン、γ‐アミノプロピルトリエトキシシラン、N‐β(アミノエチル)γ‐アミノプロピルトリメトキシシラン、N−3−(4−(3−アミノプロポキシ)プトキシ)プロピル−3−アミノプロピルトリメトキシシランからなる群から選択されるものであってもよい。 The amino silane coupling agent referred to here is N- (2-aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, 3- (N-styrylmethyl-2-aminoethylamino) propyltrimethoxysilane, 3- Aminopropyltriethoxysilane, bis (2-hydroxyethyl) -3-aminopropyltriethoxysilane, aminopropyltrimethoxysilane, N-methylaminopropyltrimethoxysilane, N-phenylaminopropyltrimethoxysilane, N- (3 -Acryloxy-2-hydroxypropyl) -3-aminopropyltriethoxysilane, 4-aminobutyltriethoxysilane, (aminoethylaminomethyl) phenethyltrimethoxysilane, N- (2-aminoethyl-3-aminopropyl) Trimethoxysilane, N (2-Aminoethyl-3-aminopropyl) tris (2-ethylhexoxy) silane, 6- (aminohexylaminopropyl) trimethoxysilane, aminophenyltrimethoxysilane, 3- (1-aminopropoxy) -3,3- Dimethyl-1-propenyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltris (methoxyethoxyethoxy) silane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, ω-aminoundecyltrimethoxysilane, 3- (2 -N-benzylaminoethylaminopropyl) trimethoxysilane, bis (2-hydroxyethyl) -3-aminopropyltriethoxysilane, (N, N-diethyl-3-aminopropyl) trimethoxysilane, (N, N- Dimethyl-3-aminopropyl) Limethoxysilane, N-methylaminopropyltrimethoxysilane, N-phenylaminopropyltrimethoxysilane, 3- (N-styrylmethyl-2-aminoethylamino) propyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, N -Β (aminoethyl) γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-3- (4- (3-aminopropoxy) ptoxy) propyl-3-aminopropyltrimethoxysilane Good.
シランカップリング処理層は、ケイ素原子換算で、0.05mg/m2〜200mg/m2、好ましくは0.15mg/m2〜20mg/m2、好ましくは0.3mg/m2〜2.0mg/m2の範囲で設けられていることが望ましい。前述の範囲の場合、樹脂基材と銅箔との密着性をより向上させることができる。 The silane coupling treatment layer is 0.05 mg / m 2 to 200 mg / m 2 , preferably 0.15 mg / m 2 to 20 mg / m 2 , preferably 0.3 mg / m 2 to 2.0 mg in terms of silicon atoms. / M 2 is desirable. In the case of the above-mentioned range, the adhesiveness of a resin base material and copper foil can be improved more.
また、銅層、粗化粒子層、耐熱層、防錆層、シランカップリング処理層またはクロメート処理層の表面に、国際公開番号WO2008/053878、特開2008−111169号、特許第5024930号、国際公開番号WO2006/028207、特許第4828427号、国際公開番号WO2006/134868、特許第5046927号、国際公開番号WO2007/105635、特許第5180815号、特開2013−19056号に記載の表面処理を行うことができる。 Further, on the surface of the copper layer, the roughened particle layer, the heat-resistant layer, the rust-preventing layer, the silane coupling treatment layer or the chromate treatment layer, International Publication No. WO2008 / 053878, JP2008-1111169, Patent No.5024930, International The surface treatment described in publication number WO2006 / 028207, patent 4828427, international publication number WO2006 / 134868, patent 5046927, international publication number WO2007 / 105635, patent 5180815, JP2013-19056A may be performed. it can.
本発明に係る表面処理銅箔の表面には樹脂層が設けられていてもよい。樹脂層は、通常、離型層上に設けられる。 A resin layer may be provided on the surface of the surface-treated copper foil according to the present invention. The resin layer is usually provided on the release layer.
前記樹脂層は接着用樹脂、すなわち接着剤であってもよく、プライマーであってもよく、接着用の半硬化状態(Bステージ状態)の絶縁樹脂層であってもよい。半硬化状態(Bステージ状態)とは、その表面に指で触れても粘着感はなく、該絶縁樹脂層を重ね合わせて保管することができ、更に加熱処理を受けると硬化反応が起こる状態のことを含む。 The resin layer may be an adhesive resin, that is, an adhesive, a primer, or a semi-cured insulating resin layer (B stage state) for adhesion. The semi-cured state (B stage state) is a state in which there is no sticky feeling even if the surface is touched with a finger, the insulating resin layer can be stacked and stored, and a curing reaction occurs when subjected to heat treatment. Including that.
また前記樹脂層は熱硬化性樹脂を含んでもよく、熱可塑性樹脂であってもよい。また、前記樹脂層は熱可塑性樹脂を含んでもよい。前記樹脂層は公知の樹脂、樹脂硬化剤、化合物、硬化促進剤、誘電体、反応触媒、架橋剤、ポリマー、プリプレグ、骨格材等を含んでよい。また、前記樹脂層は例えば国際公開番号WO2008/004399、国際公開番号WO2008/053878、国際公開番号WO2009/084533、特開平11−5828号、特開平11−140281号、特許第3184485号、国際公開番号WO97/02728、特許第3676375号、特開2000−43188号、特許第3612594号、特開2002−179772号、特開2002−359444号、特開2003−304068号、特許第3992225号、特開2003−249739号、特許第4136509号、特開2004−82687号、特許第4025177号、特開2004−349654号、特許第4286060号、特開2005−262506号、特許第4570070号、特開2005−53218号、特許第3949676号、特許第4178415号、国際公開番号WO2004/005588、特開2006−257153号、特開2007−326923号、特開2008−111169号、特許第5024930号、国際公開番号WO2006/028207、特許第4828427号、特開2009−67029号、国際公開番号WO2006/134868、特許第5046927号、特開2009−173017号、国際公開番号WO2007/105635、特許第5180815号、国際公開番号WO2008/114858、国際公開番号WO2009/008471、特開2011−14727号、国際公開番号WO2009/001850、国際公開番号WO2009/145179、国際公開番号WO2011/068157、特開2013−19056号に記載されている物質(樹脂、樹脂硬化剤、化合物、硬化促進剤、誘電体、反応触媒、架橋剤、ポリマー、プリプレグ、骨格材等)および/または樹脂層の形成方法、形成装置を用いて形成してもよい。 The resin layer may contain a thermosetting resin or may be a thermoplastic resin. The resin layer may include a thermoplastic resin. The resin layer may contain a known resin, resin curing agent, compound, curing accelerator, dielectric, reaction catalyst, crosslinking agent, polymer, prepreg, skeleton material, and the like. The resin layer may be, for example, International Publication No. WO2008 / 004399, International Publication No. WO2008 / 053878, International Publication No. WO2009 / 084533, JP-A-11-5828, JP-A-11-140281, Patent 3184485, International Publication No. WO 97/02728, Japanese Patent No. 3676375, Japanese Patent Laid-Open No. 2000-43188, Japanese Patent No. 3612594, Japanese Patent Laid-Open No. 2002-179772, Japanese Patent Laid-Open No. 2002-359444, Japanese Patent Laid-Open No. 2003-302068, Japanese Patent No. 3992225, Japanese Patent Laid-Open No. 2003 No. 249739, Japanese Patent No. 4136509, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-82687, Japanese Patent No. 4025177, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-349654, Japanese Patent No. 4286060, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-262506, Japanese Patent No. 4570070, Japanese Patent Application Laid-Open No. No. 5-53218, Japanese Patent No. 3949676, Japanese Patent No. 4178415, International Publication No. WO2004 / 005588, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-257153, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-326923, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-11169, and Japanese Patent No. 5024930. No. WO 2006/028207, Japanese Patent No. 4828427, JP 2009-67029, International Publication No. WO 2006/134868, Japanese Patent No. 5046927, JP 2009-173017, International Publication No. WO 2007/105635, Patent No. 5180815, International Publication Number WO2008 / 114858, International Publication Number WO2009 / 008471, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-14727, International Publication Number WO2009 / 001850, International Publication Number WO2009 / 145179, International Publication Number Nos. WO2011 / 068157, JP-A-2013-19056 (resins, resin curing agents, compounds, curing accelerators, dielectrics, reaction catalysts, crosslinking agents, polymers, prepregs, skeletal materials, etc.) and / or You may form using the formation method and formation apparatus of a resin layer.
本発明に係る表面処理銅箔の離型層側に樹脂基材を設けて銅張積層板を作製することができる。当該銅張積層板は、樹脂基材を紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂及びガラス布基材エポキシ樹脂等で形成してもよい。樹脂基材は、プリプレグであってもよく、熱硬化性樹脂を含んでもよい。また、当該銅張積層板の表面処理銅箔に回路を形成することでプリント配線板を作製することができる。更に、プリント配線板に電子部品類を搭載することで、プリント回路板を作製することができる。本発明において、「プリント配線板」にはこのように電子部品類が搭載されたプリント配線板及びプリント回路板及びプリント基板も含まれることとする。また、当該プリント配線板を用いて電子機器を作製してもよく、当該電子部品類が搭載されたプリント回路板を用いて電子機器を作製してもよく、当該電子部品類が搭載されたプリント基板を用いて電子機器を作製してもよい。また、上記「プリント回路板」には、半導体パッケージ用回路形成基板も含まれることとする。さらに半導体パッケージ用回路形成基板に電子部品類を搭載して半導体パッケージを作製することができる。さらに当該半導体パッケージを用いて電子機器を作製してもよい。 A copper-clad laminate can be produced by providing a resin substrate on the release layer side of the surface-treated copper foil according to the present invention. The copper-clad laminate has a paper base phenol resin, a paper base epoxy resin, a synthetic fiber cloth base epoxy resin, a glass cloth / paper composite base epoxy resin, a glass cloth / glass nonwoven composite base epoxy. You may form with resin and glass cloth base-material epoxy resin. The resin substrate may be a prepreg or may contain a thermosetting resin. Moreover, a printed wiring board can be produced by forming a circuit on the surface-treated copper foil of the copper-clad laminate. Furthermore, a printed circuit board can be produced by mounting electronic components on a printed wiring board. In the present invention, the “printed wiring board” includes a printed wiring board, a printed circuit board, and a printed board on which electronic parts are mounted in this manner. In addition, an electronic device may be manufactured using the printed wiring board, an electronic device may be manufactured using a printed circuit board on which the electronic components are mounted, and a print on which the electronic components are mounted. An electronic device may be manufactured using a substrate. The “printed circuit board” includes a circuit forming substrate for a semiconductor package. Furthermore, a semiconductor package can be manufactured by mounting electronic components on a circuit forming substrate for a semiconductor package. Further, an electronic device may be manufactured using the semiconductor package.
本発明の銅箔を用いてセミアディティブ法によって微細回路を形成することができる。図1に銅箔のプロファイルを使用したセミアディティブ法の概略例を示す。当該セミアディティブ法では、銅箔の表面プロファイルを用いている。具体的には、まず、樹脂基材に本発明の表面処理銅箔を離型層側から積層させて銅張積層体を作製する。次に、銅張積層体の銅箔(表面処理銅箔)をエッチングすることなく引き剥がす。次に、銅箔表面プロファイルが転写した樹脂基材の表面を希硫酸等で洗浄後、無電解銅メッキを施す。そして、樹脂基材の回路を形成しない部分をドライフィルム等で被覆し、ドライフィルムに被覆されていない無電解銅メッキ層の表面に電気(電解)銅メッキを施す。その後、ドライフィルムを除去した後に、回路を形成しない部分に形成された無電解銅メッキ層を除去することにより微細な回路を形成する。本発明で形成される微細回路は、本発明の銅箔表面プロファイルが転写された樹脂基材の剥離面と密着しているため、その密着力(ピール強度)が良好となっている。
また、セミアディティブ法の別の一実施形態は以下の通りである。
A fine circuit can be formed by the semi-additive method using the copper foil of the present invention. FIG. 1 shows a schematic example of a semi-additive method using a copper foil profile. In the semi-additive method, a surface profile of copper foil is used. Specifically, first, the surface-treated copper foil of the present invention is laminated on the resin base material from the release layer side to produce a copper clad laminate. Next, the copper foil (surface-treated copper foil) of the copper clad laminate is peeled off without being etched. Next, after the surface of the resin base material to which the copper foil surface profile has been transferred is washed with dilute sulfuric acid or the like, electroless copper plating is performed. Then, a portion of the resin base material that does not form a circuit is covered with a dry film or the like, and electroless (electrolytic) copper plating is applied to the surface of the electroless copper plating layer that is not covered with the dry film. Then, after removing the dry film, a fine circuit is formed by removing the electroless copper plating layer formed in the portion where the circuit is not formed. Since the fine circuit formed in the present invention is in close contact with the peeled surface of the resin base material to which the copper foil surface profile of the present invention has been transferred, its adhesion (peel strength) is good.
Another embodiment of the semi-additive method is as follows.
セミアディティブ法とは、樹脂基材又は銅箔上に薄い無電解メッキを行い、パターンを形成後、電気メッキ及びエッチングを用いて導体パターンを形成する方法を指す。従って、セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係る表面処理銅箔と樹脂基材とを準備する工程、
前記表面処理銅箔に、離型層側から樹脂基材を積層する工程、
前記表面処理銅箔と樹脂基材とを積層した後に、前記表面処理銅箔を引き剥がす工程、
前記表面処理銅箔を引き剥がして生じた樹脂基材の剥離面にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記樹脂基材および前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について希硫酸等で樹脂基材表面を洗浄し、無電解メッキ層(例えば無電解銅メッキ層)を設ける工程、
前記無電解メッキ層の上にメッキレジストを設ける工程、
前記メッキレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のメッキレジストを除去する工程、
前記メッキレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解メッキ層(例えば電解銅メッキ層)を設ける工程、
前記メッキレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解メッキ層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
The semi-additive method refers to a method in which a thin electroless plating is performed on a resin substrate or copper foil, a pattern is formed, and then a conductor pattern is formed using electroplating and etching. Therefore, in one embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using a semi-additive method, a step of preparing the surface-treated copper foil and the resin base material according to the present invention,
Laminating a resin base material from the release layer side on the surface-treated copper foil,
A step of peeling off the surface-treated copper foil after laminating the surface-treated copper foil and the resin base material;
Providing a through hole or / and a blind via on the release surface of the resin base material produced by peeling off the surface-treated copper foil,
Performing a desmear process on the region including the through hole or / and the blind via,
Cleaning the resin substrate surface with dilute sulfuric acid for the resin substrate and the region including the through hole or / and the blind via, and providing an electroless plating layer (for example, an electroless copper plating layer);
Providing a plating resist on the electroless plating layer;
Exposing the plating resist, and then removing the plating resist in a region where a circuit is formed;
Providing an electrolytic plating layer (for example, an electrolytic copper plating layer) in a region where the circuit from which the plating resist has been removed is formed;
Removing the plating resist;
Removing the electroless plating layer in a region other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like;
including.
セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係る表面処理銅箔と樹脂基材とを準備する工程、
前記表面処理銅箔に、離型層側から樹脂基材を積層する工程、
前記表面処理銅箔と樹脂基材とを積層した後に、前記表面処理銅箔を引き剥がす工程、
前記表面処理銅箔を引き剥がして生じた樹脂基材の剥離面について、希硫酸等で樹脂基材表面を洗浄し、無電解メッキ層(例えば無電解銅メッキ層)を設ける工程、
前記無電解メッキ層の上にメッキレジストを設ける工程、
前記メッキレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のメッキレジストを除去する工程、
前記メッキレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解メッキ層(例えば電解銅メッキ層)を設ける工程、
前記メッキレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解メッキ層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
In another embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using a semi-additive method, a step of preparing the surface-treated copper foil and the resin base material according to the present invention,
Laminating a resin base material from the release layer side on the surface-treated copper foil,
A step of peeling off the surface-treated copper foil after laminating the surface-treated copper foil and the resin base material;
For the peeled surface of the resin base material generated by peeling off the surface-treated copper foil, the step of washing the resin base material surface with dilute sulfuric acid or the like and providing an electroless plating layer (for example, an electroless copper plating layer),
Providing a plating resist on the electroless plating layer;
Exposing the plating resist, and then removing the plating resist in a region where a circuit is formed;
Providing an electrolytic plating layer (for example, an electrolytic copper plating layer) in a region where the circuit from which the plating resist has been removed is formed;
Removing the plating resist;
Removing the electroless plating layer in a region other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like;
including.
このようにして、表面処理銅箔を剥離した後の樹脂基材の剥離面に回路を形成し、プリント回路形成基板、半導体パッケージ用回路形成基板を作製することができる。さらに当該回路形成基板を用いて、プリント配線板、半導体パッケージを作製することができる。さらに当該プリント配線板、半導体パッケージを用いて電子機器を作製することができる。 In this manner, a circuit can be formed on the release surface of the resin base material after the surface-treated copper foil is peeled off, and a printed circuit formation substrate and a circuit formation substrate for a semiconductor package can be manufactured. Furthermore, a printed wiring board and a semiconductor package can be manufactured using the circuit formation substrate. Furthermore, an electronic device can be manufactured using the printed wiring board and the semiconductor package.
一方で、フルアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係る表面処理銅箔と樹脂基材とを準備する工程、
前記表面処理銅箔に、離型層側から樹脂基材を積層する工程、
前記表面処理銅箔と樹脂基材とを積層した後に、前記表面処理銅箔を引き剥がす工程、
前記表面処理銅箔を引き剥がして生じた樹脂基材の剥離面について、希硫酸等で樹脂基材表面を洗浄する工程、
前記洗浄した樹脂基材表面にメッキレジストを設ける工程、
前記メッキレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のメッキレジストを除去する工程、
前記メッキレジストが除去された前記回路が形成される領域に、無電解メッキ層(例えば無電解銅メッキ層、厚付けの無電解メッキ層でもよい)を設ける工程、
前記メッキレジストを除去する工程、
を含む。
なお、セミアディティブ法およびフルアディティブ法において、前記樹脂基材表面を洗浄することにより、無電解メッキ層を設けやすくなるという効果がある場合がある。特に、離型層が樹脂基材表面に残存している場合には、当該洗浄により離型層が樹脂基材表面から一部または全部が除去されるため、前記樹脂基材表面の洗浄により、より無電解メッキ層を設けやすくなるという効果がある場合がある。当該洗浄には公知の洗浄方法(使用する液の種類、温度、液の塗布方法等)による洗浄を用いることができる。また、本発明の離型層の一部または全部を除去することができる洗浄方法を用いることが好ましい。
On the other hand, in another embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using the full additive method, a step of preparing the surface-treated copper foil and the resin base material according to the present invention,
Laminating a resin base material from the release layer side on the surface-treated copper foil,
A step of peeling off the surface-treated copper foil after laminating the surface-treated copper foil and the resin base material;
The step of washing the resin substrate surface with dilute sulfuric acid or the like for the peel surface of the resin substrate produced by peeling off the surface-treated copper foil,
Providing a plating resist on the cleaned resin substrate surface;
Exposing the plating resist, and then removing the plating resist in a region where a circuit is formed;
Providing an electroless plating layer (for example, an electroless copper plating layer or a thick electroless plating layer) in a region where the circuit from which the plating resist has been removed is formed;
Removing the plating resist;
including.
In the semi-additive method and the full additive method, there may be an effect that the electroless plating layer can be easily provided by cleaning the surface of the resin base material. In particular, when the release layer remains on the surface of the resin base material, a part or all of the release layer is removed from the surface of the resin base material by the cleaning. There may be an effect that it becomes easier to provide an electroless plating layer. For the cleaning, cleaning by a known cleaning method (type of liquid to be used, temperature, liquid application method, etc.) can be used. Further, it is preferable to use a cleaning method capable of removing a part or all of the release layer of the present invention.
このようにして、フルアディティブ工法により、表面処理銅箔を剥離した後の樹脂基材の剥離面に回路を形成し、プリント回路形成基板、半導体パッケージ用回路形成基板を作製することができる。さらに当該回路形成基板を用いて、プリント配線板、半導体パッケージを作製することができる。さらに当該プリント配線板、半導体パッケージを用いて電子機器を作製することができる。 In this manner, a circuit is formed on the release surface of the resin base material after the surface-treated copper foil is peeled off by a full additive method, and a printed circuit formation substrate and a circuit formation substrate for a semiconductor package can be manufactured. Furthermore, a printed wiring board and a semiconductor package can be manufactured using the circuit formation substrate. Furthermore, an electronic device can be manufactured using the printed wiring board and the semiconductor package.
なお、銅箔または表面処理銅箔の表面をXPS(X線光電子分光装置)、EPMA(電子線マイクロアナライザ)、EDX(エネルギー分散型X線分析)を備えた走査電子顕微鏡等の機器で測定し、Siが検出されれば、銅箔または表面処理銅箔の表面にシラン化合物が存在すると推察することができる。また、表面処理銅箔と樹脂基板とのピール強度(剥離強度)が200gf/cm以下で有る場合には、本願に係る発明の離型層に用いることができる上記シラン化合物が使用されていると推定できる。 The surface of the copper foil or the surface-treated copper foil is measured with an apparatus such as a scanning electron microscope equipped with XPS (X-ray photoelectron spectrometer), EPMA (electron beam microanalyzer), EDX (energy dispersive X-ray analysis). If Si is detected, it can be inferred that a silane compound is present on the surface of the copper foil or the surface-treated copper foil. When the peel strength (peel strength) between the surface-treated copper foil and the resin substrate is 200 gf / cm or less, the silane compound that can be used for the release layer according to the present invention is used. Can be estimated.
また、銅箔または表面処理銅箔の表面をXPS(X線光電子分光装置)、EPMA(電子線マイクロアナライザ)、EDX(エネルギー分散型X線分析)を備えた走査電子顕微鏡等の機器で測定し、Sが検出されると共に、表面処理銅箔と樹脂基板とのピール強度(剥離強度)が200gf/cm以下で有る場合には、銅箔または表面処理銅箔の表面に、本願に係る発明の離型層に用いることができる上記分子内に2つ以下のメルカプト基を有する化合物が存在すると推察することができる。 Moreover, the surface of the copper foil or the surface-treated copper foil is measured with an apparatus such as a scanning electron microscope equipped with XPS (X-ray photoelectron spectrometer), EPMA (electron beam microanalyzer), EDX (energy dispersive X-ray analysis). , S is detected, and when the peel strength (peel strength) between the surface-treated copper foil and the resin substrate is 200 gf / cm or less, the surface of the copper foil or surface-treated copper foil is subjected to the invention according to the present invention. It can be inferred that there are compounds having two or less mercapto groups in the molecule that can be used for the release layer.
また、銅箔または表面処理銅箔の表面をXPS(X線光電子分光装置)、EPMA(電子線マイクロアナライザ)、EDX(エネルギー分散型X線分析)を備えた走査電子顕微鏡等の機器で測定し、Al、Ti、Zrが検出されると共に、表面処理銅箔と樹脂基板とのピール強度(剥離強度)が200gf/cm以下で有る場合には、銅箔または表面処理銅箔の表面に、本願に係る発明の離型層に用いることができる上記金属アルコキシドが存在すると推察することができる。 Moreover, the surface of the copper foil or the surface-treated copper foil is measured with an apparatus such as a scanning electron microscope equipped with XPS (X-ray photoelectron spectrometer), EPMA (electron beam microanalyzer), EDX (energy dispersive X-ray analysis). , Al, Ti, Zr are detected, and when the peel strength (peel strength) between the surface-treated copper foil and the resin substrate is 200 gf / cm or less, the surface of the copper foil or surface-treated copper foil It can be inferred that the metal alkoxide that can be used in the release layer of the invention according to the present invention exists.
以下に本発明の実施例および比較例として実験例を示すが、これらの実施例は本発明及びその利点をよりよく理解するために提供するものであり、発明が限定されることを意図するものではない。 Experimental examples are shown below as examples and comparative examples of the present invention, but these examples are provided for better understanding of the present invention and its advantages, and are intended to limit the invention. is not.
・生箔(表面処理前の銅箔)の製造
以下の各電解条件にて、表1に記載の厚みの一般電解生箔及び両面フラット電解生箔を作製した。
(1)一般電解生箔
Cu 120g/L
H2SO4 100g/L
塩化物イオン(Cl-) 70ppm
レベリング剤(ニカワ) 3ppm
電解液温度 60℃
電流密度 70A/dm2
電解液線速 2m/sec
(2)両面フラット電解生箔
両面フラット電解生箔の電解条件
Cu 120g/L
H2SO4 100g/L
塩化物イオン(Cl-) 70ppm
レベリング剤1(ビス(3スルホプロピル)ジスルフィド) 20ppm
レベリング剤2(アミン化合物) 20ppm
電解液温度 60℃
電流密度 70A/dm2
電解液線速 2m/sec
上記のアミン化合物には以下の化学式のアミン化合物を用いることができる。
(1) General electrolytic raw foil Cu 120 g / L
H 2 SO 4 100 g / L
Chloride ion (Cl -) 70 ppm
Leveling agent (Nika) 3ppm
Electrolyte temperature 60 ℃
Current density 70A / dm 2
Electrolyte linear velocity 2m / sec
(2) Double-sided flat electrolytic raw foil Electrolytic conditions of double-sided flat electrolytic raw foil Cu 120 g / L
H 2 SO 4 100 g / L
Chloride ion (Cl -) 70 ppm
Leveling agent 1 (bis (3sulfopropyl) disulfide) 20ppm
Leveling agent 2 (amine compound) 20ppm
Electrolyte temperature 60 ℃
Current density 70A / dm 2
Electrolyte linear velocity 2m / sec
As the amine compound, an amine compound having the following chemical formula can be used.
・表面処理
次に、表面処理として、生箔のM面(マット面)に、以下に示す各条件にて、粗化処理、バリヤー処理(耐熱処理)、防錆処理、シランカップリング処理、樹脂層形成処理のいずれかを、或いは、各処理を組み合わせて行った。続いて、以下に示す条件にて銅箔の当該処理側表面に離型層を形成した。なお、特に言及が無い場合は、各処理はこの記載順にて行った。
・ Surface treatment Next, as a surface treatment, roughening treatment, barrier treatment (heat-resistant treatment), rust prevention treatment, silane coupling treatment, resin on the M surface (matte surface) of the raw foil under the following conditions Any one of the layer forming processes or a combination of the processes was performed. Subsequently, a release layer was formed on the treated side surface of the copper foil under the following conditions. In addition, when there was no mention in particular, each process was performed in this description order.
(1)粗化処理
〔球状粗化(通常)〕
Cu、H2SO4、Asから成る、以下に記す銅粗化めっき浴を用いて球状粗化粒子を形成した。
(液組成1)
CuSO4・5H2O 98g/L
Cu 25g/L
H2SO4 100g/L
砒素 1.5g/L
(電気メッキ温度1) 38℃
(電流条件1) 電流密度 70A/dm2 (浴の限界電流密度以上)
続いて、粗化粒子の脱落防止とピール強度向上のため、硫酸・硫酸銅からなる銅電解浴で被せメッキを行った。被せメッキ条件を以下に記す。
(液組成2)
CuSO4・5H2O 176g/L
Cu 45g/L
H2SO4 100g/L
(電気メッキ温度2) 45℃
(電流条件2) 電流密度:29A/dm2 (浴の限界電流密度未満)
(1) Roughening treatment [Spherical roughening (normal)]
Spherical roughened particles were formed using a copper roughening plating bath described below consisting of Cu, H 2 SO 4 and As.
(Liquid composition 1)
CuSO 4 · 5H 2 O 98g / L
Cu 25g / L
H 2 SO 4 100 g / L
Arsenic 1.5g / L
(Electroplating temperature 1) 38 ° C
(Current condition 1) Current density 70 A / dm 2 (above the limiting current density of the bath)
Subsequently, plating was performed in a copper electrolytic bath made of sulfuric acid and copper sulfate in order to prevent the roughened particles from falling off and improve the peel strength. The covering plating conditions are described below.
(Liquid composition 2)
CuSO 4 · 5H 2 O 176 g / L
Cu 45g / L
H 2 SO 4 100 g / L
(Electroplating temperature 2) 45 ° C
(Current condition 2) Current density: 29 A / dm 2 (less than the limit current density of the bath)
〔微細粗化(Type1)〕
まず、以下の条件にて粗化処理を行った。粗化粒子形成時の対限界電流密度比は2.50とした。
(液組成1)
CuSO4・5H2O 58.9g/L
Cu 15g/L
H2SO4 100g/L
Na2WO4・2H2O 5.4mg/L
ドデシル硫酸ナトリウム添加量 10ppm
(電気メッキ温度1) 40℃
(電流条件1) 電流密度 54A/dm2
続いて、下記に示す条件で正常めっきを行った。
(液組成2)
CuSO4・5H2O 176g/L
Cu 45g/L
H2SO4 100g/L
(電気メッキ温度2) 45℃
(電流条件2) 電流密度 41A/dm2
[Fine roughening (Type 1)]
First, roughening treatment was performed under the following conditions. The ratio of the limiting current density during the formation of roughened particles was 2.50.
(Liquid composition 1)
CuSO 4 .5H 2 O 58.9 g / L
Cu 15g / L
H 2 SO 4 100 g / L
Na 2 WO 4 · 2H 2 O 5.4 mg / L
Sodium dodecyl sulfate addition amount 10ppm
(Electroplating temperature 1) 40 ° C
(Current condition 1) Current density 54 A / dm 2
Subsequently, normal plating was performed under the following conditions.
(Liquid composition 2)
CuSO 4 · 5H 2 O 176 g / L
Cu 45g / L
H 2 SO 4 100 g / L
(Electroplating temperature 2) 45 ° C
(Current condition 2) Current density 41 A / dm 2
〔微細粗化(Type2)〕
まず、Cu−Co−Ni三元系合金層を以下の液組成1及び電気めっき条件1で形成した後、当該三元系合金層上にコバルトめっきを以下の液組成2及び電気めっき条件2で形成した。
(液組成1)
Cu 10〜20g/L
Co 1〜10g/L
Ni 1〜10g/L
pH 1〜4
(電気メッキ温度1) 40〜50℃
(電流条件1) 電流密度 25A/dm2
(液組成2)
Co 1〜30g/L
Ni 1〜30g/L
pH 1.0〜3.5
(電気メッキ温度2)30〜80℃
(電流条件2) 電流密度 5A/dm2
[Fine roughening (Type 2)]
First, after forming a Cu—Co—Ni ternary alloy layer under the following liquid composition 1 and electroplating condition 1, cobalt plating is applied on the ternary alloy layer under the following liquid composition 2 and electroplating condition 2. Formed.
(Liquid composition 1)
Cu 10-20g / L
Co 1-10g / L
Ni 1-10g / L
pH 1-4
(Electroplating temperature 1) 40-50 ° C
(Current condition 1) Current density 25 A / dm 2
(Liquid composition 2)
Co 1-30g / L
Ni 1-30g / L
pH 1.0-3.5
(Electroplating temperature 2) 30-80 ° C
(Current condition 2) Current density 5A / dm 2
(2)バリヤー処理(耐熱処理)
実施例9、11、12について、バリヤー(耐熱)処理を下記の条件で行い、真鍮メッキ層を形成した。
(液組成)
Cu 70g/L
Zn 5g/L
NaOH 70g/L
NaCN 20g/L
(電気メッキ条件)
温度 70℃
電流密度 8A/dm2(多段処理)
(2) Barrier treatment (heat-resistant treatment)
For Examples 9, 11, and 12, a barrier (heat resistant) treatment was performed under the following conditions to form a brass plating layer.
(Liquid composition)
Cu 70g / L
Zn 5g / L
NaOH 70g / L
NaCN 20g / L
(Electroplating conditions)
Temperature 70 ° C
Current density 8A / dm 2 (multistage processing)
(3)防錆処理
実施例10、11、12について、防錆処理(亜鉛クロメート処理)を下記の条件で行い、防錆処理層を形成した。
(液組成)
CrO3 2.5g/L
Zn 0.7g/L
Na2SO4 10g/L
pH 4.8
(亜鉛クロメート条件)
温度 54℃
電流密度 0.7As/dm2
(3) Rust prevention treatment About Examples 10, 11, and 12, the rust prevention treatment (zinc chromate treatment) was performed under the following conditions to form a rust prevention treatment layer.
(Liquid composition)
CrO 3 2.5g / L
Zn 0.7g / L
Na 2 SO 4 10 g / L
pH 4.8
(Zinc chromate condition)
Temperature 54 ° C
Current density 0.7 As / dm 2
(4)シランカップリング処理
実施例11、12について、シランカップリング材塗布処理を下記の条件で行い、シランカップリング層を形成した。
(液組成)
アルコキシシラン含有量 0.4%
pH 7.5
塗布方法 溶液の噴霧
(4) Silane coupling process About Example 11 and 12, the silane coupling material application | coating process was performed on the following conditions, and the silane coupling layer was formed.
(Liquid composition)
Alkoxysilane content 0.4%
pH 7.5
Application method Spraying solution
(5)離型層の形成
〔離型層A〕
銅箔の処理表面に、シラン化合物(n−プロピルトリメトキシシラン:4wt%)の水溶液を、スプレーコーターを用いて塗布してから、100℃の空気中で5分間銅箔表面を乾燥させて離型層Aを形成した。シラン化合物を水中に溶解させてから塗布する前までの撹拌時間は30時間、水溶液中のアルコール濃度は0vol%、水溶液のpHは3.8〜4.2とした。
(5) Formation of release layer [Release layer A]
An aqueous solution of a silane compound (n-propyltrimethoxysilane: 4 wt%) is applied to the treated surface of the copper foil using a spray coater, and then the copper foil surface is dried in air at 100 ° C. for 5 minutes to separate. A mold layer A was formed. The stirring time from when the silane compound was dissolved in water to before coating was 30 hours, the alcohol concentration in the aqueous solution was 0 vol%, and the pH of the aqueous solution was 3.8 to 4.2.
〔離型層B〕
分子内に2つ以下のメルカプト基を有する化合物として1−ドデカンチオールスルホン酸ナトリウムを用い、1−ドデカンチオールスルホン酸ナトリウムの水溶液(1−ドデカンチオールスルホン酸ナトリウム濃度:3wt%)を、スプレーコーターを用いて銅箔の処理面に塗布してから、100℃の空気中で5分間乾燥させて離型層Bを作製した。水溶液のpHは5〜9とした。
[Release layer B]
Sodium 1-dodecanethiolsulfonate is used as a compound having two or less mercapto groups in the molecule, an aqueous solution of sodium 1-dodecanethiolsulfonate (sodium 1-dodecanethiolsulfonate: 3 wt%), and a spray coater. Using it, it apply | coated to the processing surface of copper foil, Then, it was made to dry in 100 degreeC air for 5 minutes, and the release layer B was produced. The pH of the aqueous solution was 5-9.
〔離型層C〕
金属アルコキシドとしてアルミネート化合物であるトリイソプロポキシアルミニウムを用い、トリイソプロポキシアルミニウムの水溶液(トリイソプロポキシアルミニウム濃度:0.04mol/L)を、スプレーコーターを用いて銅箔の処理面に塗布してから、100℃の空気中で5分間乾燥させて離型層Cを作製した。アルミネート化合物を水中に溶解させてから塗布する前までの撹拌時間は2時間、水溶液中のアルコール濃度は0vol%、水溶液のpHは5〜9とした。
[Release layer C]
Using triisopropoxyaluminum, which is an aluminate compound, as the metal alkoxide, an aqueous solution of triisopropoxyaluminum (triisopropoxyaluminum concentration: 0.04 mol / L) was applied to the treated surface of the copper foil using a spray coater. Then, the release layer C was produced by drying in air at 100 ° C. for 5 minutes. The stirring time from dissolving the aluminate compound in water to before coating was 2 hours, the alcohol concentration in the aqueous solution was 0 vol%, and the pH of the aqueous solution was 5-9.
〔離型層D〕
金属アルコキシドとしてチタネート化合物であるn−デシル-トリイソプロポキシチタンを用い、n−デシル-トリイソプロポキシチタンの水溶液(n−デシル−トリイソプロポキシチタン濃度:0.01mol/L)を、スプレーコーターを用いて銅箔の処理面に塗布してから、100℃の空気中で5分間乾燥させて離型層Dを作製した。チタネート化合物を水中に溶解させてから塗布する前までの撹拌時間は24時間、水溶液中のアルコール濃度はメタノールを20vol%とし、水溶液のpHは5〜9とした。
[Release layer D]
Using a titanate compound n-decyl-triisopropoxy titanium as a metal alkoxide, an aqueous solution of n-decyl-triisopropoxy titanium (n-decyl-triisopropoxy titanium concentration: 0.01 mol / L) After using it and apply | coating to the process surface of copper foil, it was made to dry for 5 minutes in 100 degreeC air, and the release layer D was produced. The stirring time from dissolving the titanate compound in water to before application was 24 hours, the alcohol concentration in the aqueous solution was 20 vol% methanol, and the pH of the aqueous solution was 5-9.
〔離型層E〕
金属アルコキシドとしてジルコネート化合物であるn−プロピル−トリn−ブトキシジルコニウムを用い、n−プロピル−トリn−ブトキシジルコニウムの水溶液(n−プロピル−トリn−ブトキシジルコニウム濃度:0.04mol/L)を、スプレーコーターを用いて銅箔の処理面に塗布してから、100℃の空気中で5分間乾燥させて離型層Eを作製した。チタネート化合物を水中に溶解させてから塗布する前までの撹拌時間は12時間、水溶液中のアルコール濃度は0vol%とし、水溶液のpHは5〜9とした。
[Release layer E]
Using a zirconate compound n-propyl-tri-n-butoxyzirconium as a metal alkoxide, an aqueous solution of n-propyl-tri-n-butoxyzirconium (n-propyl-tri-n-butoxyzirconium concentration: 0.04 mol / L), After apply | coating to the processing surface of copper foil using a spray coater, it was made to dry in 100 degreeC air for 5 minutes, and the release layer E was produced. The stirring time from dissolving the titanate compound in water to before coating was 12 hours, the alcohol concentration in the aqueous solution was 0 vol%, and the pH of the aqueous solution was 5-9.
実施例19〜54及び比較例6〜7の離型層については、シラン化合物によるものである場合は、後述の表に記載の無い離型層形成条件は、離型層Aと同様とした。また、メルカプト化合物によるものは、後述の表に記載の無い離型層形成条件は、離型層Bと同様とした。また、金属アルコキシドによるものは、後述の表に記載の無い離型層形成条件は、離型層Cと同様とした。 About the release layer of Examples 19-54 and Comparative Examples 6-7, when it was based on a silane compound, the release layer formation conditions which are not described in the below-mentioned table were made the same with the release layer A. Further, in the case of using a mercapto compound, the release layer forming conditions not described in the table below were the same as those of the release layer B. For the metal alkoxide, the release layer formation conditions not described in the table below were the same as those for the release layer C.
(6)樹脂層形成処理
実施例12については、バリヤー処理、防錆処理、シランカップリング材塗布、離型層形成の後、更に下記の条件で樹脂層の形成を行った。
(樹脂合成例)
ステンレス製の碇型攪拌棒、窒素導入管とストップコックのついたトラップ上に、玉付冷却管を取り付けた還流冷却器を取り付けた2リットルの三つ口フラスコに、3,4、3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物117.68g(400mmol)、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン87.7g(300mmol)、γ−バレロラクトン4.0g(40mmol)、ピリジン4.8g(60mmol)、N−メチル−2−ピロリドン(以下NMPと記す)300g、トルエン20gを加え、180℃で1時間加熱した後室温付近まで冷却した後、3,4、3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物29.42g(100mmol)、2,2−ビス{4−(4−アミノフェノキシ)フェニル}プロパン82.12g(200mmol)、NMP200g、トルエン40gを加え、室温で1時間混合後、180℃で3時間加熱して、固形分38%のブロック共重合ポリイミドを得た。このブロック共重合ポリイミドは、下記に示す一般式(1):一般式(2)=3:2であり、数平均分子量:70000、重量平均分子量:150000であった。
(6) Resin Layer Formation Treatment For Example 12, a resin layer was formed under the following conditions after barrier treatment, rust prevention treatment, silane coupling material application, and release layer formation.
(Resin synthesis example)
To a 2-liter three-necked flask equipped with a stainless steel vertical stirring bar, a trap with a nitrogen inlet tube and a stopcock, and a reflux condenser with a ball condenser, 117.68 g (400 mmol) of 4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 87.7 g (300 mmol) of 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 4.0 g (40 mmol) of γ-valerolactone, pyridine 4. 8 g (60 mmol), N-methyl-2-pyrrolidone (hereinafter referred to as NMP) 300 g, and toluene 20 g were added, heated at 180 ° C. for 1 hour, cooled to near room temperature, and then 3, 4, 3 ′, 4′−. 29.42 g (100 mmol) of biphenyltetracarboxylic dianhydride, 82.12 g of 2,2-bis {4- (4-aminophenoxy) phenyl} propane (200 mmol), 200 g of NMP, and 40 g of toluene were added, mixed at room temperature for 1 hour, and then heated at 180 ° C. for 3 hours to obtain a block copolymerized polyimide having a solid content of 38%. The block copolymerized polyimide had the following general formula (1): general formula (2) = 3: 2, number average molecular weight: 70000, and weight average molecular weight: 150,000.
合成例で得られたブロック共重合ポリイミド溶液をNMPで更に希釈し、固形分10%のブロック共重合ポリイミド溶液とした。このブロック共重合ポリイミド溶液にビス(4−マレイミドフェニル)メタン(BMI−H、ケイ・アイ化成)を固形分重量比率35、ブロック共重合ポリイミドの固形分重量比率65として(即ち、樹脂溶液に含まれるビス(4−マレイミドフェニル)メタン固形分重量:樹脂溶液に含まれるブロック共重合ポリイミド固形分重量=35:65)60℃、20分間溶解混合して樹脂溶液とした。その後、実施例12の離型層形成面に前記樹脂溶液を塗工し、窒素雰囲気下で、120℃で3分間、160℃で3分間乾燥処理後、最後に300℃で2分間加熱処理を行い、樹脂層を備える銅箔を作製した。なお、樹脂層の厚みは2μmとした。 The block copolymerized polyimide solution obtained in the synthesis example was further diluted with NMP to obtain a block copolymerized polyimide solution having a solid content of 10%. In this block copolymerized polyimide solution, bis (4-maleimidophenyl) methane (BMI-H, Kay-Isei) is contained in a solid content weight ratio of 35 and a solid content weight ratio of block copolymerized polyimide of 65 (that is, included in the resin solution). Bis (4-maleimidophenyl) methane solid content weight: block copolymerized polyimide solid content weight contained in resin solution = 35: 65) A resin solution was prepared by dissolving and mixing at 60 ° C. for 20 minutes. Thereafter, the resin solution was applied to the release layer forming surface of Example 12, and after a drying treatment at 120 ° C. for 3 minutes and at 160 ° C. for 3 minutes in the nitrogen atmosphere, a heat treatment was finally performed at 300 ° C. for 2 minutes. The copper foil provided with the resin layer was produced. The thickness of the resin layer was 2 μm.
・銅箔(生箔)及び表面処理銅箔の表面粗度Rzの評価
株式会社小阪研究所製接触粗さ計SP−11を使用し、JIS B0601(1994年)に準拠して表面処理銅箔の処理表面の十点平均粗さRzを測定した。測定位置を変えて10回行い、10回の測定での値を求めた。また、同様にして、表面処理前の銅箔(生箔)の表面粗度Rzも測定しておいた。
・ Evaluation of surface roughness Rz of copper foil (raw foil) and surface-treated copper foil Surface-treated copper foil was used in accordance with JIS B0601 (1994) using a contact roughness meter SP-11 manufactured by Kosaka Laboratory Ltd. The ten-point average roughness Rz of the treated surface was measured. The measurement position was changed 10 times, and the values for 10 measurements were obtained. Similarly, the surface roughness Rz of the copper foil (raw foil) before the surface treatment was also measured.
・銅張積層板の製造
各表面処理銅箔の処理側表面に以下の樹脂基材1〜3のいずれかを貼り合わせた。
基材1:三菱ガス化学(株)製 GHPL-830 MBT
基材2:日立化成工業(株)製 679-FG
基材3:住友ベークライト(株)製 EI-6785TS-F
積層プレスの温度、圧力、時間は、各基材メーカーの推奨条件を用いた。
-Manufacture of a copper clad laminated board Any one of the following resin base materials 1-3 was bonded to the process side surface of each surface treatment copper foil.
Base material 1: GHPL-830 MBT manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.
Base material 2: 679-FG manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.
Base material 3: EI-6785TS-F manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.
The recommended conditions of each substrate manufacturer were used for the temperature, pressure, and time of the lamination press.
・ピール強度(剥離強度)の評価
銅張積層板に対し、IPC−TM−650に準拠し、引張り試験機オートグラフ100で銅箔から樹脂基材を剥離する際の常態ピール強度を測定した。
-Evaluation of peel strength (peel strength) Based on IPC-TM-650, the normal peel strength at the time of peeling a resin base material from copper foil with the tensile tester Autograph 100 was measured with respect to the copper clad laminated board.
・樹脂の破壊モードの評価
上記剥離後の樹脂基材の剥離面を電子顕微鏡で観察し、樹脂の破壊モード(凝集、界面、凝集と界面との混在)について観察した。樹脂の破壊モードについて、「界面」は、樹銅箔と樹脂との界面で剥離したことを示し、「凝集」は、剥離強度が強すぎて樹脂が破壊していることを示し、「混在」は、上記「界面」と「凝集」とが混在していることを示す。
-Evaluation of resin fracture mode The peeled surface of the resin base material after the peeling was observed with an electron microscope, and the resin fracture mode (aggregation, interface, coexistence of aggregation and interface) was observed. Regarding the resin failure mode, “interface” indicates that the resin was peeled at the interface between the copper foil and the resin, and “aggregation” indicates that the peel strength was too strong and the resin was broken. Indicates that the “interface” and “aggregation” are mixed.
・配線形成性
図1に準拠したセミアディティブ工法にて、樹脂基材に無電解銅メッキ、電解銅メッキを施し、銅層厚を12μmとしたメッキ銅付き積層板について、メッキ銅をエッチングにより加工し、L(ライン)/S(スペース)=30μm/30μm回路を形成した。このとき、樹脂基板上に形成された配線を100〜500倍の光学顕微鏡で観察し、回路の欠落がないものをOK(○)、あるものをNG(×)とした。
各試験条件及び評価結果を表1〜4に示す。
・ Wiring formability With a semi-additive method in accordance with Fig. 1, electroless copper plating and electrolytic copper plating are applied to the resin base material, and the plated copper is processed by etching on the plated copper laminated plate with a copper layer thickness of 12μm. Then, L (line) / S (space) = 30 μm / 30 μm circuit was formed. At this time, the wiring formed on the resin substrate was observed with an optical microscope with a magnification of 100 to 500 times, and the case where there was no missing circuit was OK (◯), and the case where it was NG (×).
Each test condition and evaluation result are shown in Tables 1-4.
表1〜4に示すように、実施例1〜54は、所定の離型層を設けており、ピール強度が抑制され、樹脂の破壊モードが界面のみであった。このため、樹脂基材と貼り合わせた後に、物理的に引き剥がすことが可能であるといえる。
一方、比較例1〜7は離型層を設けておらず、或いは、離型層を形成しようとして用いた化合物が不適切であったため離型層が形成できず、ピール強度が大きく、樹脂の破壊モードが凝集と、凝集と界面との混在のいずれかであった。このため、樹脂基材と貼り合わせた後に、物理的に引き剥がすことが不可能といえる。
As shown in Tables 1 to 4, in Examples 1 to 54, a predetermined release layer was provided, the peel strength was suppressed, and the failure mode of the resin was only the interface. For this reason, it can be said that it can be physically peeled off after being bonded to the resin base material.
On the other hand, Comparative Examples 1 to 7 did not have a release layer, or the compound used to form the release layer was inappropriate, so the release layer could not be formed, the peel strength was high, and the resin The failure mode was either aggregation or a mixture of aggregation and interface. For this reason, it can be said that it cannot be physically peeled off after being bonded to the resin base material.
Claims (17)
前記銅箔の表面凹凸を有する面に設けられた離型層であって、且つ、前記離型層側から前記銅箔へ樹脂基材を貼り合わせたときの前記樹脂基材を剥離可能にする離型層と、
を備えた表面処理銅箔であって、
前記表面処理銅箔に、前記離型層側から樹脂基材を貼り合わせる工程と、
前記樹脂基材から、前記表面処理銅箔をエッチングすることなく引き剥がすことで、剥離面に前記銅箔の表面プロファイルが転写された樹脂基材を得る工程と、
前記表面プロファイルが転写された樹脂基材の前記剥離面側に回路を形成する工程と、
を備えたプリント配線板の製造方法に用いられる表面処理銅箔。 A copper foil having no roughening particles and having surface irregularities with Rz of 0.1 to 5.0 μm measured according to JIS B0601 (1994);
A release layer provided on the surface of the copper foil having surface irregularities, and the resin substrate can be peeled when the resin substrate is bonded to the copper foil from the release layer side. A release layer,
A surface-treated copper foil comprising:
Bonding the resin base material from the release layer side to the surface-treated copper foil;
From the resin base material, by removing the surface-treated copper foil without etching, obtaining a resin base material in which the surface profile of the copper foil is transferred to the release surface;
Forming a circuit on the release surface side of the resin substrate to which the surface profile is transferred;
The surface-treated copper foil used for the manufacturing method of the printed wiring board provided with.
前記銅箔の粗化粒子面に設けられた離型層であって、且つ、前記離型層側から前記銅箔へ樹脂基材を貼り合わせたときの前記樹脂基材を剥離可能にする離型層と、
を備えた表面処理銅箔であって、
前記表面処理銅箔に、前記離型層側から樹脂基材を貼り合わせる工程と、
前記樹脂基材から、前記表面処理銅箔をエッチングすることなく引き剥がすことで、剥離面に前記銅箔の表面プロファイルが転写された樹脂基材を得る工程と、
前記表面プロファイルが転写された樹脂基材の前記剥離面側に回路を形成する工程と、
を備えたプリント配線板の製造方法に用いられる表面処理銅箔。 Copper foil having roughened particles;
A release layer provided on the roughened particle surface of the copper foil, and a release layer that allows the resin substrate to be peeled when the resin substrate is bonded to the copper foil from the release layer side. Mold layer,
A surface-treated copper foil comprising:
Bonding the resin base material from the release layer side to the surface-treated copper foil;
From the resin base material, by removing the surface-treated copper foil without etching, obtaining a resin base material in which the surface profile of the copper foil is transferred to the release surface;
Forming a circuit on the release surface side of the resin substrate to which the surface profile is transferred;
The surface-treated copper foil used for the manufacturing method of the printed wiring board provided with.
に示すシラン化合物、その加水分解生成物、該加水分解生成物の縮合体を単独で又は複数組み合わせて用いてなる請求項1〜3のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。 The release layer has the following formula:
Silane compounds shown, the surface-treated copper foil according to the hydrolysis products, any one of claims 1 to 3 in which the condensate of the hydrolysis products obtained by using singly or in combination.
に示すアルミネート化合物、チタネート化合物、ジルコネート化合物、これらの加水分解生成物、該加水分解生成物の縮合体を単独で又は複数組み合わせて用いてなる請求項1〜3のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。 The release layer has the following formula:
The aluminate compound, titanate compound, zirconate compound, hydrolyzate products thereof, and condensates of the hydrolyzate products shown in any one of claims 1 to 3 are used. Surface treated copper foil.
前記樹脂基材から、前記表面処理銅箔をエッチングすることなく引き剥がすことで、剥離面に前記銅箔の表面プロファイルが転写された樹脂基材を得る工程と、
前記表面プロファイルが転写された樹脂基材の前記剥離面側に回路を形成する工程と、
を備えたプリント配線板の製造方法。 A step of bonding a resin base material to the surface-treated copper foil according to any one of claims 1 to 11 , from the release layer side;
From the resin base material, by removing the surface-treated copper foil without etching, obtaining a resin base material in which the surface profile of the copper foil is transferred to the release surface;
Forming a circuit on the release surface side of the resin substrate to which the surface profile is transferred;
A method of manufacturing a printed wiring board comprising:
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