JP5682577B2 - Fine glass particle deposit and method for producing glass matrix - Google Patents

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Description

本発明は、VAD法(気相軸付け法)、OVD法(外付け法)、MMD法(多バーナー多層付け法)などによりガラス微粒子を出発ロッドに堆積させてガラス微粒子堆積体を製造するガラス微粒子堆積体の製造方法及びこのガラス微粒子堆積体を加熱して透明化するガラス母材の製造方法に関する。   The present invention is a glass for producing a glass fine particle deposit by depositing glass fine particles on a starting rod by VAD method (vapor phase axis attaching method), OVD method (external attaching method), MMD method (multi-burner multilayer attaching method) or the like. The present invention relates to a method for producing a fine particle deposit and a method for producing a glass base material by heating the glass fine particle deposit to make it transparent.

従来のガラス母材の製造方法としては、OVD法やVAD法等によりガラス微粒子堆積体を作製する堆積工程と、このガラス微粒子堆積体を加熱して透明なガラス体を作製する透明化工程とを含む製造方法が知られている(例えば、特許文献1〜3参照)。   As a conventional method for producing a glass base material, there are a deposition process for producing a glass particulate deposit by an OVD method, a VAD method, and the like, and a transparency process for producing a transparent glass body by heating the glass particulate deposit. The manufacturing method containing is known (for example, refer patent documents 1-3).

特許文献1の製造方法は、ガラス原料を加熱し気化させてガラス原料ガスを減圧下で配管によりガラス微粒子形成用バーナーまで導くことで、例えば、配管の温度を55℃として、耐熱温度70℃程度の塩化ビニル系の材料からなる配管の使用を可能とするものである。   In the manufacturing method of Patent Document 1, glass raw material gas is heated and vaporized, and the glass raw material gas is guided to a glass fine particle forming burner by piping under reduced pressure. For example, the temperature of the piping is 55 ° C., and the heat resistance temperature is about 70 ° C. This makes it possible to use piping made of a vinyl chloride material.

特許文献2の製造方法は、ガラス微粒子堆積の開始に先立って所定時間だけガラス原料ガスを廃棄した後にガラス微粒子の堆積を開始し、その原料ガス廃棄量、配管の容積、配管内の圧力および配管の温度が所定の関係を満たすようにすることで、気泡や白濁の発生の回避を図るものである。配管温度は、82℃または85℃とされている。   The manufacturing method of Patent Document 2 starts the deposition of glass fine particles after discarding the glass raw material gas for a predetermined time prior to the start of the deposition of the fine glass particles, and then discards the raw material gas, the volume of the piping, the pressure in the piping, and the piping. By satisfying the predetermined temperature relationship, the occurrence of bubbles and cloudiness is avoided. The piping temperature is 82 ° C. or 85 ° C.

特許文献3の製造方法は、ガラス微粒子堆積体の表面に発生する凹凸を抑制する手段として、原料ガスを供給する原料ガス発生装置からバーナーまでの導管をヒータおよび断熱材を用いて全長にわたって90℃以上に保持することが記載されているが、導管の温度勾配に関する記載はない。   In the manufacturing method of Patent Document 3, as a means for suppressing irregularities generated on the surface of the glass fine particle deposit, a conduit from a source gas generator for supplying source gas to a burner is formed at 90 ° C. over the entire length using a heater and a heat insulating material. Although it is described that the above is maintained, there is no description regarding the temperature gradient of the conduit.

また、特許文献4には、原料収率を挙げる手段として、バーナー火炎の先端に設置するフードの内周にガスを導入し、火炎の広がりを抑える手法が記載されている。   Patent Document 4 describes a method for suppressing the spread of the flame by introducing gas into the inner periphery of the hood installed at the tip of the burner flame as a means for increasing the raw material yield.

特開2004−161555号公報JP 2004-161555 A 特開2006−342031号公報JP 2006-342031 A 特開2003−165737号公報JP 2003-165737 A 特開平7−144927号公報Japanese Patent Laid-Open No. 7-144927

しかしながら、上記特許文献1〜4に記載のガラス母材の製造方法では、生成されたガラス微粒子を出発ロッドやガラス微粒子堆積体に効率良く付着させることが難しかった。すなわち、ガラス原料ガス供給量に対するガラス微粒子堆積量の割合には限界があった。   However, in the method for producing a glass base material described in Patent Documents 1 to 4, it is difficult to efficiently attach the generated glass fine particles to the starting rod or the glass fine particle deposit. That is, there is a limit to the ratio of the amount of glass fine particles deposited to the amount of glass raw material gas supplied.

本発明の目的は、生成されたガラス微粒子の出発ロッドやガラス微粒子堆積体への付着効率を向上させることができるガラス微粒子堆積体及びガラス母材の製造方法を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a method for producing a glass fine particle deposit and a glass base material that can improve the efficiency of adhesion of the produced glass fine particles to a starting rod and a glass fine particle deposit.

上記課題を解決することができる本発明に係るガラス微粒子堆積体の製造方法は、原料容器内に容れられた液体のガラス原料を加熱し気化させてガラス原料ガスとし、該ガラス原料ガスを前記原料容器から配管によりガラス微粒子生成用バーナーまで導き、該ガラス微粒子生成用バーナーから前記ガラス原料ガスを噴出させ、該ガラス原料ガスの火炎分解反応(熱分解反応、火炎加水分解反応、熱酸化反応など)により生成したガラス微粒子を反応容器内の出発ロッドに堆積させてガラス微粒子堆積体を作製する堆積工程を含むガラス微粒子堆積体の製造方法において、前記堆積工程における前記原料容器から前記ガラス微粒子生成用バーナーまでの前記配管の少なくとも一部を、発熱体により該バーナー側が高温となり5℃/m以上の温度勾配になるように温度制御することを特徴としている。   The method for producing a glass fine particle deposit according to the present invention capable of solving the above-mentioned problems is a method of heating and vaporizing a liquid glass raw material contained in a raw material container to form a glass raw material gas, and using the glass raw material gas as the raw material. The glass raw material gas is burned from the vessel to the glass fine particle producing burner, and the glass raw material gas is ejected from the glass fine particle producing burner, and a flame decomposition reaction (thermal decomposition reaction, flame hydrolysis reaction, thermal oxidation reaction, etc.) of the glass raw material gas. In the method for producing a glass fine particle deposit, the glass fine particle deposit is produced by depositing the glass fine particles produced by the step on the starting rod in the reaction vessel, and the glass fine particle producing burner from the raw material container in the deposition step. At least part of the pipe up to 5 ° C./m or more is heated by the heating element on the burner side. It is characterized by controlling the temperature so as to distribution.

また、本発明に係るガラス微粒子堆積体の製造方法は、前記堆積工程において、前記原料容器から前記ガラス微粒子生成用バーナーまでの前記配管の少なくとも一部を、発熱体により該バーナー側が高温となり15℃/m以上の温度勾配になるように温度制御することを特徴としている。   Further, in the method for producing a glass particulate deposit according to the present invention, in the deposition step, at least a part of the piping from the raw material container to the glass particulate generation burner is heated to 15 ° C. on the burner side by a heating element. It is characterized in that the temperature is controlled so as to have a temperature gradient of at least / m.

また、本発明に係るガラス微粒子堆積体の製造方法は、前記堆積工程において、前記原料容器から前記ガラス微粒子生成用バーナーまでの前記配管の少なくとも一部を、発熱体により該バーナー側が高温となり25℃/m以上の温度勾配になるように温度制御することを特徴としている。   Further, in the method for producing a glass particulate deposit according to the present invention, in the deposition step, at least a part of the piping from the raw material container to the glass particulate generation burner is heated to a temperature of 25 ° C. on the burner side by a heating element. It is characterized in that the temperature is controlled so as to have a temperature gradient of at least / m.

また、本発明に係るガラス微粒子堆積体の製造方法は、前記発熱体がテープヒータであることを特徴としている。   In the method for producing a glass particulate deposit according to the present invention, the heating element is a tape heater.

また、本発明に係るガラス母材の製造方法は、上記ガラス微粒子堆積体の製造方法によりガラス微粒子堆積体を製造し、前記堆積工程で作製した前記ガラス微粒子堆積体を加熱して透明化する透明化工程を経てガラス母材を製造することを特徴としている。   Further, the method for producing a glass base material according to the present invention comprises producing a glass fine particle deposit by the method for producing a glass fine particle deposit, and heating the glass fine particle deposit produced in the deposition step to make it transparent. It is characterized by manufacturing a glass base material through a crystallization process.

また、本発明に係るガラス母材の製造方法は、前記堆積工程においてOVD法、VAD法またはMMD法によりガラス微粒子堆積体を製造し、前記透明化工程を経てガラス母材を製造することを特徴としている。   Further, the glass base material manufacturing method according to the present invention is characterized in that in the deposition step, a glass fine particle deposit is manufactured by an OVD method, a VAD method or an MMD method, and the glass base material is manufactured through the transparency step. It is said.

本発明に係るガラス微粒子堆積体及びガラス母材の製造方法によれば、原料容器からガラス微粒子生成用バーナーまでの配管の少なくとも一部を、発熱体によりバーナー側が高温となり5℃/m以上の温度勾配になるように温度制御するので、配管内の原料ガスの体積は原料容器からバーナー側に進むにつれて膨張し、原料ガスの流速が加速する。これにより、バーナー火炎内で生成されるガラス微粒子の慣性力が増加し、ガラス微粒子の直進性が促進され、ガラス微粒子が火炎内のガスの流れから離脱し易くなる。よって、出発ロッドやガラス微粒子堆積体へのガラス微粒子の付着効率を向上させることができ、原料収率の向上を図ることができる。   According to the method for producing a glass fine particle deposit and a glass base material according to the present invention, at least a part of the piping from the raw material container to the glass fine particle generating burner is heated to a temperature higher than 5 ° C./m by the heating element on the burner side. Since the temperature is controlled so as to be a gradient, the volume of the raw material gas in the pipe expands from the raw material container toward the burner, and the flow rate of the raw material gas is accelerated. As a result, the inertial force of the glass fine particles generated in the burner flame is increased, the straightness of the glass fine particles is promoted, and the glass fine particles are easily separated from the gas flow in the flame. Therefore, the adhesion efficiency of the glass fine particles to the starting rod and the glass fine particle deposit can be improved, and the raw material yield can be improved.

本発明に係るガラス微粒子堆積体の製造方法を説明する製造装置の構成図である。It is a block diagram of the manufacturing apparatus explaining the manufacturing method of the glass fine particle deposit body which concerns on this invention. 図1におけるガス供給配管に温度勾配を持たせる際の一例を示す概略図である。It is the schematic which shows an example at the time of giving a temperature gradient to the gas supply piping in FIG. ガラス微粒子がガラス微粒子堆積体に堆積する際の挙動を説明する模式図である。It is a schematic diagram explaining the behavior at the time of glass particulates depositing on a glass particulate deposit. ガス供給配管内の長手方向の一部における原料ガスの温度変化を示すグラフである。It is a graph which shows the temperature change of the raw material gas in a part of longitudinal direction in gas supply piping.

以下、本発明の一実施形態であるガラス微粒子堆積体及びガラス母材の製造方法について図面を参照して説明する。なお、以下ではVAD法を例に説明するが、本発明は、VAD法には限定されない。OVD法やMMD法などの他のガラス微粒子堆積体の製造方法に対しても、適用できる。   Hereinafter, a method for producing a glass fine particle deposit and a glass base material according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following, the VAD method will be described as an example, but the present invention is not limited to the VAD method. The present invention can also be applied to other methods for producing a glass fine particle deposit such as an OVD method and an MMD method.

図1に示すように、本実施形態のガラス微粒子堆積体の製造方法を実施する製造装置10は、VAD法によりガラス微粒子の堆積を行うものであり、反応容器11の上方から内部に支持棒12を吊り下げ、支持棒12の下端に出発ロッド13を取り付けている。反応容器11の側面には、排気管21が取り付けられている。   As shown in FIG. 1, a manufacturing apparatus 10 that performs the method for manufacturing a glass fine particle deposit according to the present embodiment deposits glass fine particles by the VAD method. The starting rod 13 is attached to the lower end of the support rod 12. An exhaust pipe 21 is attached to the side surface of the reaction vessel 11.

支持棒12は、上端部を昇降回転装置15により把持されており、昇降回転装置15によって回転と共に昇降する。昇降回転装置15は、ガラス微粒子堆積体14の外径が均一となるように制御装置16によって上昇速度を制御される。出発ロッド13にガラス微粒子20が堆積して、ガラス微粒子堆積体14が形成される。また、出発ロッド13やガラス微粒子堆積体14に付着しなかった反応容器11内のガラス微粒子20は排気管21を通じて排気される。   The upper end of the support bar 12 is held by the lifting / lowering rotation device 15 and is lifted / lowered by the lifting / lowering rotation device 15 together with the rotation. The raising / lowering rotation device 15 is controlled by the control device 16 so that the outer diameter of the glass fine particle deposit 14 is uniform. Glass particulates 20 are deposited on the starting rod 13 to form a glass particulate deposit 14. Further, the glass fine particles 20 in the reaction vessel 11 that have not adhered to the starting rod 13 or the glass fine particle deposit 14 are exhausted through the exhaust pipe 21.

反応容器11の内部下方には、ガラス微粒子生成用バーナーであるクラッド用バーナー18が配置されており、ガス供給装置によりクラッド用バーナー18へ原料ガス及び火炎形成用ガスを供給する。このクラッド用バーナー18は、例えば8重管などの多重管バーナーである。なお、図1中において、火炎形成用ガスを供給するガス供給装置は省略している。   A clad burner 18 as a glass fine particle producing burner is disposed below the inside of the reaction vessel 11, and a raw material gas and a flame forming gas are supplied to the clad burner 18 by a gas supply device. The cladding burner 18 is a multi-tube burner such as an eight-fold tube. In FIG. 1, a gas supply device for supplying the flame forming gas is omitted.

クラッド用バーナー18には、原料ガスとしてSiCl、火炎形成ガスとしてH、O、バーナーシールガスとしてNなどを投入する。このクラッド用バーナー18により形成される酸水素火炎内で、火炎加水分解反応によりガラス微粒子20を生成し、ガラス微粒子20を出発ロッド13に堆積させて、所定外径のガラス微粒子堆積体14を作製する。 The cladding burner 18 is charged with SiCl 4 as a source gas, H 2 and O 2 as a flame forming gas, and N 2 as a burner seal gas. In the oxyhydrogen flame formed by the cladding burner 18, glass fine particles 20 are generated by a flame hydrolysis reaction, and the glass fine particles 20 are deposited on the starting rod 13 to produce a glass fine particle deposit 14 having a predetermined outer diameter. To do.

ガス供給装置19は、液体原料28を貯留する原料容器22、原料ガスの供給流量を制御するMFC23、原料ガスをクラッド用バーナー18へ導くガス供給配管25、原料容器22及びMFC23及びガス供給配管25の一部を所定温度以上に保つ温調ブース24からなる。   The gas supply device 19 includes a raw material container 22 for storing the liquid raw material 28, an MFC 23 for controlling the supply flow rate of the raw material gas, a gas supply pipe 25 for guiding the raw material gas to the cladding burner 18, a raw material container 22, the MFC 23, and a gas supply pipe 25. The temperature control booth 24 keeps a part of the temperature above a predetermined temperature.

原料容器22内の液体原料28は、温調ブース24内で沸点以上の温度に制御され、原料容器22内で気化し、MFC23によりクラッド用バーナー18へ供給される原料ガスの供給量が制御される。なお、MFC23による原料ガス供給量の制御は、制御装置16からの指令値に基づき行われる。   The liquid raw material 28 in the raw material container 22 is controlled to a temperature equal to or higher than the boiling point in the temperature control booth 24, vaporized in the raw material container 22, and the supply amount of the raw material gas supplied to the cladding burner 18 by the MFC 23 is controlled. The Note that the control of the raw material gas supply amount by the MFC 23 is performed based on a command value from the control device 16.

本実施形態のガラス微粒子堆積体の製造方法は、原料容器22からクラッド用バーナー18までのガス供給配管25の少なくとも一部を該バーナー側の温度が高くなり5℃/m以上の温度勾配になるように温度制御する。   In the method for producing a glass fine particle deposit according to the present embodiment, the temperature on the burner side of at least a part of the gas supply pipe 25 from the raw material container 22 to the cladding burner 18 is increased to a temperature gradient of 5 ° C./m or more. To control the temperature.

温度勾配は、好ましくは15℃/m以上、更に好ましくは25℃/m以上になるように原料容器22からクラッド用バーナー18までのガス供給配管25の少なくとも一部を該バーナー側の温度が高くなるように温度制御する。   At least a part of the gas supply pipe 25 from the raw material container 22 to the cladding burner 18 has a high temperature on the burner side so that the temperature gradient is preferably 15 ° C./m or more, more preferably 25 ° C./m or more. Control the temperature so that

ガス供給配管25の材質については、ガス供給配管25を200℃未満の温度で保持する場合は、ガス供給配管25の材質はフッ素樹脂(テフロン(登録商標))などでもよいが、200℃以上の温度で保持する場合は、ガス供給配管25の材質は耐熱性に優れたSUS等の金属性のものが好ましい。また、温調ブース24からクラッド用バーナー18までのガス供給配管25の外周には発熱体であるテープヒータ26が巻き付けられている。テープヒータ26は、金属発熱体やカーボン製繊維状面発熱体の極細撚線を保護材で覆ったフレキシブルなヒータである。このテープヒータ26が通電されることでガス供給配管25が加熱される。   As for the material of the gas supply pipe 25, when the gas supply pipe 25 is held at a temperature of less than 200 ° C., the material of the gas supply pipe 25 may be fluororesin (Teflon (registered trademark)), but it is 200 ° C. or more. In the case of holding at temperature, the material of the gas supply pipe 25 is preferably a metallic material such as SUS having excellent heat resistance. A tape heater 26 as a heating element is wound around the outer periphery of the gas supply pipe 25 from the temperature control booth 24 to the cladding burner 18. The tape heater 26 is a flexible heater in which an ultra fine stranded wire of a metal heating element or a carbon fibrous surface heating element is covered with a protective material. When the tape heater 26 is energized, the gas supply pipe 25 is heated.

なお、テープヒータ26の外周には、断熱材である断熱テープ27が巻回されている方が好ましい。断熱テープ27が巻回されていると消費電力を低く抑えることができる。   In addition, it is preferable that the heat insulation tape 27 which is a heat insulating material is wound around the outer periphery of the tape heater 26. When the heat insulating tape 27 is wound, the power consumption can be kept low.

ガス供給配管の温度制御の一例を説明する。
図2に示すように、温調ブース24からクラッド用バーナー18までのガス供給配管25の外周には、3種のテープヒータ26A,26B,26Cが巻回されている。即ち、クラッド用バーナー18側に第1のテープヒータ26Aを巻回し、その横に隣接するように第2のテープヒータ26Bを巻回し、温調ブース24側に第3のテープヒータ26Cを巻回している。なお、便宜上、温調ブース24とクラッド用バーナー18の間のガス供給配管25の長さを1mとする。
An example of temperature control of the gas supply pipe will be described.
As shown in FIG. 2, three types of tape heaters 26 </ b> A, 26 </ b> B, and 26 </ b> C are wound around the outer periphery of the gas supply pipe 25 from the temperature control booth 24 to the cladding burner 18. That is, the first tape heater 26A is wound on the clad burner 18 side, the second tape heater 26B is wound so as to be adjacent to the side, and the third tape heater 26C is wound on the temperature control booth 24 side. ing. For convenience, the length of the gas supply pipe 25 between the temperature control booth 24 and the cladding burner 18 is 1 m.

例えば、ガス供給配管25の両端と真ん中の外周部に熱電対を設置して、それぞれの温度をテープヒータ26A,26B,26Cで調整する。この時配管の片端(温調ブース24側)に設置した熱電対の温度を第3のテープヒータ26Cにより120℃に、真ん中に設置した熱電対の温度を第2のテープヒータ26Bにより140℃に、配管の片端(バーナー18側)に設置した熱電対の温度を第1のテープヒータ26Aにより160℃とすると、40℃/mの温度勾配で温度制御していることになる。   For example, thermocouples are installed at both ends of the gas supply pipe 25 and at the outer periphery in the middle, and the respective temperatures are adjusted by the tape heaters 26A, 26B, and 26C. At this time, the temperature of the thermocouple installed at one end of the pipe (temperature control booth 24 side) is set to 120 ° C. by the third tape heater 26C, and the temperature of the thermocouple installed in the middle is set to 140 ° C. by the second tape heater 26B. If the temperature of the thermocouple installed at one end of the pipe (on the burner 18 side) is 160 ° C. by the first tape heater 26A, the temperature is controlled with a temperature gradient of 40 ° C./m.

上述したように温調ブース24からクラッド用バーナー18までのガス供給配管25をバーナー側が高温となり5℃/m以上の温度勾配になるように温度制御すると、ガス供給配管25内の原料ガスの体積は温調ブース24からクラッド用バーナー18に進むにつれて膨張し、原料ガスの流速が加速する。なお、上述の3種のテープヒータ26A,26B,26Cによる構成は、本発明を実現するための一例であり、別の構成でも本発明を実現することは可能である。例えば、テープヒータ26Bの一部を140℃になるように制御し、その他のテープヒータ(26A,26C)をテープヒータ26Bと同じ電力で制御しても、効果を得ることはできる。なお、ガス供給配管25の少なくとも一部を5℃/m以上に制御すれば良いが、配管の全体を5℃/m以上に制御しても良い。また、便宜上温調ブース24とクラッド用バーナー18の間のガス供給配管25の長さを1mとしたが、ガス供給配管25の長さは適宜調整が可能である。   As described above, when the temperature of the gas supply pipe 25 from the temperature control booth 24 to the cladding burner 18 is controlled so that the temperature on the burner side is high and the temperature gradient is 5 ° C./m or more, the volume of the source gas in the gas supply pipe 25 is increased. Expands as it proceeds from the temperature control booth 24 to the cladding burner 18, and the flow velocity of the source gas is accelerated. Note that the above-described configuration of the three types of tape heaters 26A, 26B, and 26C is an example for realizing the present invention, and the present invention can be realized with another configuration. For example, even if a part of the tape heater 26B is controlled to be 140 ° C. and the other tape heaters (26A, 26C) are controlled with the same electric power as the tape heater 26B, the effect can be obtained. Note that at least part of the gas supply pipe 25 may be controlled to 5 ° C./m or more, but the entire pipe may be controlled to 5 ° C./m or more. For convenience, the length of the gas supply pipe 25 between the temperature control booth 24 and the cladding burner 18 is 1 m, but the length of the gas supply pipe 25 can be adjusted as appropriate.

これにより、バーナー火炎内で生成されるガラス微粒子20の慣性力が増加し、ガラス微粒子20の直進性が促進され、ガラス微粒子20が火炎内のガスの流れから離脱し易くなり、出発ロッド13やガラス微粒子堆積体14へのガラス微粒子20の付着効率を向上させることができる。   Thereby, the inertial force of the glass fine particles 20 generated in the burner flame is increased, the straightness of the glass fine particles 20 is promoted, and the glass fine particles 20 are easily separated from the gas flow in the flame. The adhesion efficiency of the glass fine particles 20 to the glass fine particle deposit 14 can be improved.

また、ガス供給配管25内を流れる原料ガスのレイノルズ数(Re数)は、2000以上、好ましくは4000以上、更に好ましくは8000以上となるように配管径を設計する。これにより、ガス供給配管25内での原料ガスの流れが乱流化され、原料ガスはガス供給配管25内で効率的に加熱されて温度が上昇し易くなる。ガス供給配管25の全長を140℃一定値に加熱した場合のガス供給配管25内を流れる原料ガスの温度を図4に示す。図4からRe数が高くなる程、ガス供給配管25内を流れる原料ガスは加熱され易くなることが分かる。但し、本発明ではガス供給配管25の温度を原料容器22からクラッド用バーナー18へ向かうにつれて、高くなるように制御するため、ガス供給配管25内を流れる原料ガス温度がクラッド用バーナー18側で飽和することはない。   Further, the pipe diameter is designed so that the Reynolds number (Re number) of the source gas flowing in the gas supply pipe 25 is 2000 or more, preferably 4000 or more, and more preferably 8000 or more. As a result, the flow of the raw material gas in the gas supply pipe 25 is turbulent, and the raw material gas is efficiently heated in the gas supply pipe 25 to easily increase the temperature. FIG. 4 shows the temperature of the raw material gas flowing in the gas supply pipe 25 when the entire length of the gas supply pipe 25 is heated to a constant value of 140 ° C. It can be seen from FIG. 4 that the higher the Re number, the easier the source gas flowing in the gas supply pipe 25 is heated. However, in the present invention, since the temperature of the gas supply pipe 25 is controlled to increase as it goes from the raw material container 22 to the cladding burner 18, the temperature of the raw material gas flowing in the gas supply pipe 25 is saturated on the cladding burner 18 side. Never do.

ガラス微粒子堆積体14の製造手順を説明する。
(堆積工程)
図1に示すように、支持棒12を昇降回転装置15に取り付け、支持棒12の下端に取り付けられている出発ロッド13を反応容器11内に納める。
次に、昇降回転装置15によって出発ロッド13を回転させながら、クラッド用バーナー18によって形成される酸水素火炎内において原料ガスを火炎加水分解反応によりガラス微粒子20に化学変化させ、該ガラス微粒子20を出発ロッド13に堆積させる。
A manufacturing procedure of the glass fine particle deposit 14 will be described.
(Deposition process)
As shown in FIG. 1, the support rod 12 is attached to the lifting / lowering rotation device 15, and the starting rod 13 attached to the lower end of the support rod 12 is placed in the reaction vessel 11.
Next, while the starting rod 13 is rotated by the elevating and rotating device 15, the raw material gas is chemically changed into the glass fine particles 20 by the flame hydrolysis reaction in the oxyhydrogen flame formed by the clad burner 18. Deposit on starting rod 13.

このとき、ガス供給配管25の外周に巻き付けられたテープヒータ26に通電することで、ガス供給配管25の温度が、温調ブース24からクラッド用バーナー18に向かって5℃/m以上の傾きで高くなるように温度制御している。   At this time, by energizing the tape heater 26 wound around the outer periphery of the gas supply pipe 25, the temperature of the gas supply pipe 25 is inclined at 5 ° C./m or more from the temperature control booth 24 toward the cladding burner 18. The temperature is controlled to be higher.

(透明化工程)
次に、得られるガラス微粒子堆積体14を不活性ガスと塩素ガスの混合雰囲気中で1100℃に加熱した後、He雰囲気中にて1550℃に加熱して透明ガラス化を行う。このようなガラス母材の製造を繰り返し行う。
(Transparent process)
Next, the obtained glass fine particle deposit 14 is heated to 1100 ° C. in a mixed atmosphere of an inert gas and a chlorine gas, and then heated to 1550 ° C. in a He atmosphere to perform transparent vitrification. Such a glass base material is repeatedly manufactured.

堆積工程における火炎ガス流の中でのガラス微粒子20の挙動について簡単に説明する。図3に示すように、クラッド用バーナー18で形成される、SiCl等の原料ガスを含んだ火炎ガス流Gは、ガラス微粒子堆積体14に当ってその方向が急激にガラス微粒子堆積体14の外周方向に曲がることになる。 The behavior of the glass fine particles 20 in the flame gas flow in the deposition process will be briefly described. As shown in FIG. 3, the flame gas flow G containing the source gas such as SiCl 4 formed by the cladding burner 18 hits the glass fine particle deposit 14 and the direction of the glass fine particle deposit 14 suddenly changes. It will bend in the outer circumferential direction.

一方、火炎ガス流Gに沿って流れるガラス微粒子はその流速が速い程、ストークス数が高くなるため、ガラス微粒子の慣性力は大きくなり、ガラス微粒子の直進性が向上する。火炎ガス流Gがガラス微粒子堆積体14に当って、その流れる方向がガラス微粒子堆積体14の外周方向に急変すると、慣性力の大きいガラス微粒子20Aは直進性が高いため、そのままガラス微粒子堆積体14に衝突する。しかし、慣性力の小さいガラス微粒子20Bは火炎ガス流Gに沿って流れるため、ガラス微粒子堆積体14の外周方向に流れ去る。従って、如何にしてガラス微粒子20の慣性力を高めるかが肝要となる。   On the other hand, since the glass fine particles flowing along the flame gas flow G have a higher Stokes number as the flow rate is higher, the inertial force of the glass fine particles is increased and the straightness of the glass fine particles is improved. When the flame gas flow G hits the glass fine particle deposit 14 and the direction of flow suddenly changes in the outer peripheral direction of the glass fine particle deposit 14, the glass fine particle 20A having a large inertial force has high straightness, so that the glass fine particle deposit 14 is intact. Collide with. However, since the glass fine particles 20B having a small inertia force flow along the flame gas flow G, they flow away in the outer peripheral direction of the glass fine particle deposit 14. Accordingly, it is important how to increase the inertial force of the glass fine particles 20.

本発明では、ガス供給配管25の少なくとも一部に温度勾配を付けて、ガス供給配管25内を流れる原料ガスの流速をガス供給配管25の下流側に向けて加速させ、バーナー火炎内におけるガラス微粒子20の慣性力を増加させる。これにより、ガラス微粒子が火炎ガスの流れから離脱し易くなり、出発ロッド13やガラス微粒子堆積体14へのガラス微粒子20の付着効率を向上させることができる。   In the present invention, at least a part of the gas supply pipe 25 is given a temperature gradient, the flow rate of the raw material gas flowing in the gas supply pipe 25 is accelerated toward the downstream side of the gas supply pipe 25, and the glass particles in the burner flame Increase inertia force by 20. As a result, the glass fine particles are easily separated from the flow of the flame gas, and the adhesion efficiency of the glass fine particles 20 to the starting rod 13 and the glass fine particle deposit 14 can be improved.

次に、本発明のガラス母材の製造方法の一実施例を説明する。
実施例、比較例とも、下記のような材料を使用してガラス母材を製造する。
・出発ロッド;直径25mm、長さ1000mmの石英ガラス
・クラッド用バーナーへの投入ガス;原料ガス…SiCl(1〜7SLM)、火炎形成ガス…H(100〜150SLM)、O(100〜150SLM)、バーナーシールガス…N(20〜30SLM)
Next, an embodiment of the method for producing a glass base material of the present invention will be described.
In both Examples and Comparative Examples, a glass base material is produced using the following materials.
· Starting rod; diameter 25 mm, the input gas into the quartz glass cladding burner length 1000 mm; material gas ... SiCl 4 (1~7SLM), flame formation gas ... H 2 (100~150SLM), O 2 (100~ 150 SLM), burner seal gas ... N 2 (20-30 SLM)

VAD法によりガラス微粒子の堆積を行う。得られるガラス微粒子堆積体を不活性ガスと塩素ガスとの混合雰囲気中で1100℃に加熱した後、He雰囲気中にて1550℃に加熱して透明ガラス化を行う。   Glass fine particles are deposited by the VAD method. The obtained glass fine particle deposit is heated to 1100 ° C. in a mixed atmosphere of an inert gas and a chlorine gas, and then heated to 1550 ° C. in a He atmosphere to perform transparent vitrification.

ガス供給配管の外周温度を配管の長手方向に沿った3点で測定し、その測定点間の最小温度勾配;T(℃/m)、ガラス微粒子の原料収率;X(%)を評価する。なお、ガラス微粒子の原料収率Xは、投入するSiClガスが100%SiOに化学反応する場合のSiO質量に対し、実際に出発ロッド及びガラス微粒子堆積体に堆積するガラス微粒子の質量比とする。 Measure the outer peripheral temperature of the gas supply pipe at three points along the longitudinal direction of the pipe, and evaluate the minimum temperature gradient between the measurement points; T (° C./m), raw material yield of glass fine particles; X (%) . In addition, the raw material yield X of the glass fine particles is the mass ratio of the glass fine particles actually deposited on the starting rod and the glass fine particle deposit body with respect to SiO 2 mass when the SiCl 4 gas to be input chemically reacts with 100% SiO 2. And

具体的には、実施例は、温調ブースからクラッド用バーナーまでのガス供給配管を、発熱体によりバーナー側を高温とし、最小温度勾配Tを5℃/mから40℃/mまで段階的に管理して、各温度勾配における原料収率を算出する。これに対して比較例では、温度勾配を管理せず、最小温度勾配Tが5℃/m未満になる場合の原料収率を算出する。
その結果、表1に示すような結果を得る。
Specifically, in the embodiment, the gas supply pipe from the temperature control booth to the cladding burner is heated to a high temperature on the burner side by a heating element, and the minimum temperature gradient T is gradually increased from 5 ° C./m to 40 ° C./m. Control and calculate the raw material yield at each temperature gradient. On the other hand, in the comparative example, the raw material yield is calculated when the temperature gradient is not managed and the minimum temperature gradient T is less than 5 ° C./m.
As a result, the results shown in Table 1 are obtained.

Figure 0005682577
Figure 0005682577

表1から明らかなように、最小温度勾配Tを5℃/m以上としている実施例1〜5では、原料収率Xが32%以上となる。また、実施例5の最小温度勾配Tが40℃/mの場合は、バーナーに投入される直前の原料ガス温度は270℃、つまり原料ガス温度が原料ガスであるSiClの標準沸点より212.4℃高くなり、この時、原料収率Xは40%まで向上する。これに対して比較例1,2では、最小温度勾配Tを5℃/m未満としているので、原料収率Xが27%以下と低く、比較例2の最小温度勾配Tが3℃/mの場合では、原料収率Xが24%であり、投入するSiClガスの約4分の1しか、ガラス微粒子として付着しないことが分かる。 As is clear from Table 1, in Examples 1 to 5 in which the minimum temperature gradient T is 5 ° C./m or more, the raw material yield X is 32% or more. When the minimum temperature gradient T in Example 5 is 40 ° C./m, the raw material gas temperature immediately before being introduced into the burner is 270 ° C., that is, the raw material gas temperature is 212.12 higher than the standard boiling point of SiCl 4 as the raw material gas. At this time, the raw material yield X is improved to 40%. On the other hand, in Comparative Examples 1 and 2, since the minimum temperature gradient T is less than 5 ° C./m, the raw material yield X is as low as 27% or less, and the minimum temperature gradient T of Comparative Example 2 is 3 ° C./m. In this case, the raw material yield X is 24%, and it can be seen that only about one-fourth of the SiCl 4 gas to be introduced adheres as glass fine particles.

なお、本発明のガラス母材の製造方法は、上述した実施形態に限定されるものではなく、適宜、変形、改良等が自在である。例えば、本実施形態では、堆積工程においてVAD法によりガラス微粒子堆積体を製造する場合を一例に説明したが、その他OVD法やMMD法などの火炎分解反応を利用する全てのガラス母材の製造方法に有効である。   In addition, the manufacturing method of the glass base material of this invention is not limited to embodiment mentioned above, A deformation | transformation, improvement, etc. are possible suitably. For example, in the present embodiment, the case where the glass fine particle deposit is manufactured by the VAD method in the deposition step has been described as an example. However, all other glass base material manufacturing methods using a flame decomposition reaction such as the OVD method and the MMD method. It is effective for.

また、本実施形態では原料ガスとして、SiClのみを使用したが、SiClとGeClを使用するコアガラス合成の場合も原料収率を向上させる効果がある。また、SiCl以外の原料ガスでも同様の効果がある。なお、原料容器とバーナーを結ぶガス供給配管の温度は原料ガスの沸点以上の温度、例えば100℃以上の温度で管理すればよい。
その他、上述した実施形態における各構成要素の材質、形状、寸法、数値、形態、数、配置場所、等は本発明を達成できるものであれば任意であり、限定されない。
In this embodiment, only SiCl 4 is used as the source gas. However, the core glass synthesis using SiCl 4 and GeCl 4 is also effective in improving the source yield. A similar effect can be obtained with a source gas other than SiCl 4 . In addition, what is necessary is just to manage the temperature of the gas supply piping which connects a raw material container and a burner at the temperature more than the boiling point of source gas, for example, the temperature of 100 degreeC or more.
In addition, the material, shape, dimension, numerical value, form, number, arrangement location, and the like of each component in the above-described embodiment are arbitrary and are not limited as long as the present invention can be achieved.

10…製造装置、11…反応容器、12…支持棒、13…出発ロッド、14…ガラス微粒子堆積体、15…昇降回転装置、16…制御装置、18…クラッド用バーナー、19…ガス供給装置、20…ガラス微粒子、22…原料容器、23…MFC、24…温調ブース、25…ガス供給配管、26…テープヒータ(発熱体)、27…断熱テープ   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Manufacturing apparatus, 11 ... Reaction container, 12 ... Support rod, 13 ... Departure rod, 14 ... Glass particulate deposit, 15 ... Elevating and rotating device, 16 ... Control device, 18 ... Burner for clad, 19 ... Gas supply device, 20 ... Glass fine particles, 22 ... Raw material container, 23 ... MFC, 24 ... Temperature control booth, 25 ... Gas supply piping, 26 ... Tape heater (heating element), 27 ... Heat insulation tape

Claims (7)

原料容器内に容れられた液体のガラス原料を加熱し気化させてガラス原料ガスとし、
該ガラス原料ガスを前記原料容器から配管によりガラス微粒子生成用バーナーまで導き、
該ガラス微粒子生成用バーナーから前記ガラス原料ガスを噴出させ、
該ガラス原料ガスの火炎分解反応により生成したガラス微粒子を反応容器内の出発ロッドに堆積させてガラス微粒子堆積体を作製する堆積工程を含むガラス微粒子堆積体の製造方法において、
前記堆積工程における前記原料容器から前記ガラス微粒子生成用バーナーまでの前記配管の少なくとも一部を、発熱体により該バーナー側が高温となり5℃/m以上の温度勾配になるように温度制御することを特徴とするガラス微粒子堆積体の製造方法。
The liquid glass raw material contained in the raw material container is heated and vaporized to form a glass raw material gas,
The glass raw material gas is led from the raw material container to a glass fine particle generating burner by piping,
The glass raw material gas is ejected from the glass fine particle producing burner,
In a method for producing a glass fine particle deposit comprising a deposition step of depositing glass fine particles generated by a flame decomposition reaction of the glass raw material gas on a starting rod in a reaction vessel to produce a glass fine particle deposit,
The temperature of at least a part of the piping from the raw material container to the glass fine particle generating burner in the deposition step is controlled by a heating element so that the temperature of the burner becomes high and a temperature gradient of 5 ° C./m or more. A method for producing a glass particulate deposit.
請求項1に記載のガラス微粒子堆積体の製造方法において、
前記堆積工程における前記原料容器から前記ガラス微粒子生成用バーナーまでの前記配管の少なくとも一部を、発熱体により該バーナー側が高温となり15℃/m以上の温度勾配になるように温度制御することを特徴とするガラス微粒子堆積体の製造方法。
In the manufacturing method of the glass fine particle deposit body according to claim 1,
The temperature of at least a part of the pipe from the raw material container to the glass fine particle generating burner in the deposition step is controlled by a heating element so that the temperature of the burner becomes high and a temperature gradient of 15 ° C./m or more. A method for producing a glass particulate deposit.
請求項1に記載のガラス微粒子堆積体の製造方法において、
前記堆積工程における前記原料容器から前記ガラス微粒子生成用バーナーまでの前記配管の少なくとも一部を、発熱体により該バーナー側が高温となり25℃/m以上の温度勾配になるように温度制御することを特徴とするガラス微粒子堆積体の製造方法。
In the manufacturing method of the glass fine particle deposit body according to claim 1,
The temperature of at least a part of the piping from the raw material container to the glass particle generation burner in the deposition step is controlled by a heating element so that the temperature of the burner becomes high and a temperature gradient of 25 ° C./m or more. A method for producing a glass particulate deposit.
請求項1から3の何れか一項に記載のガラス微粒子堆積体の製造方法において、
前記発熱体がテープヒータであることを特徴とするガラス微粒子堆積体の製造方法。
In the manufacturing method of the glass particulate deposits according to any one of claims 1 to 3,
The method for producing a glass particulate deposit, wherein the heating element is a tape heater.
請求項1から4の何れか一項に記載のガラス微粒子堆積体の製造方法によりガラス微粒子堆積体を製造し、
前記堆積工程で作製した前記ガラス微粒子堆積体を加熱して透明化する透明化工程を経てガラス母材を製造することを特徴とするガラス母材の製造方法。
A glass particulate deposit is produced by the method for producing a glass particulate deposit according to any one of claims 1 to 4,
A method for producing a glass base material, comprising: producing a glass base material through a transparentizing step of heating and transparentizing the glass fine particle deposit produced in the deposition step.
前記堆積工程においてOVD法、VAD法またはMMD法によりガラス微粒子堆積体を製造し、前記透明化工程を経てガラス母材を製造することを特徴とする請求項5に記載のガラス母材の製造方法。   6. The method for producing a glass base material according to claim 5, wherein a glass fine particle deposit is produced by the OVD method, the VAD method or the MMD method in the deposition step, and the glass base material is produced through the clarification step. . 請求項1から4の何れか一項に記載のガラス微粒子堆積体の製造方法において、  In the manufacturing method of the glass particulate deposits according to any one of claims 1 to 4,
前記配管内を流れる前記ガラス原料ガスのレイノズル数を2000以上とすることを特徴とするガラス微粒子堆積体の製造方法。  The method for producing a glass particulate deposit, wherein the number of lay nozzles of the glass raw material gas flowing in the pipe is 2000 or more.
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