JP5578539B2 - Substrate transfer processing apparatus and method - Google Patents
Substrate transfer processing apparatus and method Download PDFInfo
- Publication number
- JP5578539B2 JP5578539B2 JP2008291966A JP2008291966A JP5578539B2 JP 5578539 B2 JP5578539 B2 JP 5578539B2 JP 2008291966 A JP2008291966 A JP 2008291966A JP 2008291966 A JP2008291966 A JP 2008291966A JP 5578539 B2 JP5578539 B2 JP 5578539B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base
- robot arm
- chamber
- wafer
- processing system
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
本発明は一般に、新規な基板搬送処理装置及び方法に関し、特にウェーハ搬送処理装置及び方法に関する。 The present invention generally relates to a novel substrate transfer processing apparatus and method, and more particularly to a wafer transfer processing apparatus and method.
半導体製造では、クラスタツールと呼ばれる一般的なツールが、ウェーハ製造で使用される重要なユニットの1つである。典型的な商用装置は、ほぼ円形の中央領域を有し、その外周に沿ってチャンバが取り付けられる。各チャンバは、中央領域周囲の外側に延在する。ウェーハが処理されるとき、各ウェーハは、先ず中央チャンバの外周上の入出力ステーションから中央チャンバ内に移動され、次いで中央チャンバから付属の(attached)又は周辺のチャンバ内に移動され、それぞれの処理が行われる。このツールでは、今日使用されているほぼすべての製造システムの場合と同様に、ウェーハは通常、一時に1つずつ処理される。ウェーハは、処理のためにチャンバ内に移動させた後、中央チャンバに戻すことができる。その後、さらに別の周辺チャンバへと移動させた後、後続の処理を行って中央チャンバに戻すことができる。最終的にウェーハの処理が完了すると、当該ウェーハ全体がツールの外部に移動される。このような外部への移動は、真空システムと連結された入出力ステーション又はチャンバを介して同様に行われ、このような処理は一般に、「ロードロック」と呼ばれる。ロードロックでは、ウェーハが真空中から雰囲気中に移動される。この種のユニットは、例えば米国特許第4,951,601号に記載されている。 In semiconductor manufacturing, a common tool called a cluster tool is one of the important units used in wafer manufacturing. A typical commercial device has a generally circular central region, along which the chamber is mounted. Each chamber extends outward around the central region. As wafers are processed, each wafer is first moved from the I / O station on the outer periphery of the central chamber into the central chamber, and then moved from the central chamber into the attached or peripheral chamber for respective processing. Is done. With this tool, as with almost all manufacturing systems in use today, wafers are typically processed one at a time. After the wafer has been moved into the chamber for processing, it can be returned to the central chamber. Subsequently, after moving to another peripheral chamber, subsequent processing can be performed and returned to the central chamber. When the wafer processing is finally completed, the entire wafer is moved out of the tool. Such outward movement is similarly performed via an input / output station or chamber coupled to a vacuum system, and such processing is commonly referred to as “load lock”. In the load lock, the wafer is moved from the vacuum to the atmosphere. This type of unit is described, for example, in US Pat. No. 4,951,601.
別のツールでは、ウェーハは、中心軸に沿って索引付けされ、周囲の処理チャンバを介してフィードされる。このツールでは、すべてのウェーハが同時に次の処理停止地点にフィードされる。各ウェーハを独立して処理することはできるが、独立して移動させることはできない。ウェーハはすべて同じ時間だけ処理ステーションに留まるが、各ステーションにおける処理は、処理開始地点毎に許可される最大時間に限り、独立して制御することができることは言うまでもない。最初に説明したツールは、上記のように動作させることができるが、実際には、各ウェーハが隣接する処理チャンバに順々に移動しないように、また、必ずしもすべてのウェーハの処理チャンバにおける休止時間を同一にする必要がなくなるように、各ウェーハを移動させることができる。 In another tool, wafers are indexed along a central axis and fed through a surrounding processing chamber. With this tool, all wafers are fed simultaneously to the next processing stop. Each wafer can be processed independently, but cannot be moved independently. All wafers remain at the processing station for the same amount of time, but it goes without saying that the processing at each station can be controlled independently only for the maximum time allowed for each processing start point. The first described tool can be operated as described above, but in practice, each wafer does not move sequentially into the adjacent processing chamber, and not necessarily all wafer downtime in the processing chamber. The wafers can be moved so that they do not need to be the same.
上記のいずれかのシステムが動作しているとき、中央領域は、一般に真空側に所在するが、他の何らかの事前選択される制御された環境あるいは所定の制御された環境に所在することもある。この中央セクションには、例えば処理チャンバ内で実施される処理に有用なガスが存在する可能性がある。中央ゾーンの外面に沿うチャンバ又はコンパートメントも、一般には真空側に所在するが、事前選択される制御されたガス環境を有することもある。処理もまた真空中で実施され、一般には、真空中のウェーハを中央チャンバから付属のチャンバ又はコンパートメントに移動させることによって実施される。一般に、ウェーハが処理のためにチャンバ又はコンパートメントに到達すると、当該チャンバ又はコンパートメントは、中央チャンバから隔離(sealed off)される。これにより、処理チャンバ又はコンパートメント内で使用される材料及び/又はガスが中央ゾーンに到達することが防止され、その結果、中央ゾーンならびに付属の処理チャンバ内の雰囲気の汚染が防止され、且つ/又は中央ゾーンに位置する処理待ちのウェーハ又は後続処理待ちのウェーハの汚染が防止される。これにより、チャンバ内で実行される特定の処理のために中央チャンバ内で使用される真空レベルとは異なる真空レベルに、処理チャンバをセットすることも可能となる。例えば、チャンバの処理技術でより多くの真空が必要とされる場合には、当該チャンバ内で実施される特定の処理の処理要件に合致するように、中央ゾーンとチャンバの間の所定の位置にシールを設けてチャンバ自体をさらに減圧することができる。一方、より少ない真空が必要とされる場合には、中央チャンバの圧力に影響を与えることなく加圧することができる。ウェーハの処理が完了した後は、ウェーハは中央チャンバに戻され、その後システム外部に移動される。このように、ウェーハは、上記のツールを利用して順次チャンバ内を進行することができ、使用可能なすべての処理を受けることができる。別法として、ウェーハは、選択されたチャンバ内だけを通過し、選択された処理だけを受けることもできる。 When any of the above systems are operating, the central region is typically located on the vacuum side, but may be located in some other preselected controlled environment or a predetermined controlled environment. In this central section there may be gases useful for processing performed, for example, in a processing chamber. The chamber or compartment along the outer surface of the central zone is also typically located on the vacuum side, but may have a preselected controlled gas environment. Processing is also performed in a vacuum, typically by moving a wafer in vacuum from a central chamber to an attached chamber or compartment. In general, when a wafer reaches a chamber or compartment for processing, the chamber or compartment is sealed off from the central chamber. This prevents the materials and / or gases used in the processing chamber or compartment from reaching the central zone, thus preventing contamination of the atmosphere in the central zone and the attached processing chamber and / or Contamination of a wafer waiting for processing or a wafer waiting for subsequent processing located in the central zone is prevented. This also allows the processing chamber to be set to a vacuum level that is different from the vacuum level used in the central chamber for the particular processing performed in the chamber. For example, if a chamber processing technique requires more vacuum, it should be in place between the central zone and the chamber to meet the processing requirements of a particular process performed within that chamber. A seal can be provided to further depressurize the chamber itself. On the other hand, if less vacuum is required, pressurization can be performed without affecting the pressure in the central chamber. After wafer processing is complete, the wafer is returned to the central chamber and then moved out of the system. In this manner, the wafer can be sequentially advanced through the chamber utilizing the tools described above and can receive all available processes. Alternatively, the wafer may only pass through selected chambers and receive only selected processing.
当技術分野で提供される機器では、上記の処理の様々なバリエーションも使用されている。しかしながら、それらのバリエーションは、様々な処理に不可欠な中央領域又は中央ゾーンに依存する傾向がある。また、そのような機器の主な用途がウェーハを作成することであるため、本明細書では、主にウェーハに関して論じている。しかしながら、本明細書で論じる処理の大部分は一般に、基板にも適用可能であり、本明細書の論旨は、そのような基板及び製造機器にも適用されるものと解釈すべきであることを理解されたい。 Various variations of the above processing are also used in equipment provided in the art. However, these variations tend to depend on the central region or central zone that is essential for the various processes. Also, since the primary use of such equipment is to make wafers, this specification primarily discusses wafers. However, it should be understood that most of the processes discussed herein are generally applicable to substrates, and that the teachings herein should be construed to apply to such substrates and manufacturing equipment as well. I want you to understand.
近年、それ自体の形状が円形ではなく線形である点、及びウェーハが処理のためにあるチャンバから次のチャンバへと移動する点で上記のシステムとは異なるシステムが説明されている。ウェーハが1つのチャンバから隣接するチャンバに順々に移動するため、機器の一部として中央ゾーンを設ける必要がなくなる。このツールでは、ウェーハがユニット内に入ると、一般には、ウェーハがシステム内を移動するときにウェーハと一緒に移動するチャックに取り付けられる。このユニットでは、各チャンバ内で実施される処理時間は、それぞれ等しい。 In recent years, systems have been described that differ from those described above in that they are linear rather than circular in shape and that the wafer moves from one chamber to the next for processing. Since the wafers move sequentially from one chamber to adjacent chambers, there is no need to provide a central zone as part of the equipment. With this tool, when a wafer enters the unit, it is typically attached to a chuck that moves with the wafer as it moves through the system. In this unit, the processing time performed in each chamber is the same.
このシステムの設置面積は、処理チャンバのみの設置面積に近似し、大きい中央ゾーンを含まないため、当技術分野の典型的な設置面積よりも小さくなる。これが、このタイプの機器の利点である。このシステムは、係属中の米国特許出願公開第2006/0102078 A1号に記載されている。この特定のシステムでは、各処理ステーションにおける休止時間が均一となる。言うまでもなく、これによっていくつかの処理上の差異を最長休止時間の長さで制限することができる。様々なステーションで休止時間を独立して制御する必要がある場合は、別のアプローチが好ましい可能性もある。また、このタイプの機器は、修理又は保守のために1つのステーションがダウンした場合、システム全体が処理のために使用できなくなるという欠点を有する。 The footprint of this system is smaller than the typical footprint of the art because it approximates the footprint of the process chamber only and does not include a large central zone. This is the advantage of this type of equipment. This system is described in pending US Patent Application Publication No. 2006/0102078 A1. In this particular system, the downtime at each processing station is uniform. Of course, this allows some processing differences to be limited by the length of the longest pause time. Another approach may be preferred if the downtime needs to be controlled independently at various stations. This type of equipment also has the disadvantage that if one station goes down for repair or maintenance, the entire system becomes unusable for processing.
本発明は、設置面積を小さくする一方で処理ステーションにおける休止時間の個別制御も可能にすることが企図された、新規なウェーハ処理ユニットを対象とする。また、本発明を用いると、ステーションのうちの1つ又は複数が何らかの理由でダウンした場合にも動作を継続することが可能となる。これは、部分的には半導体製造コストが極めて高いこと、また各種コストが増加していることに鑑みてのことである。当技術分野では、コストが高くなるほど資本投下のリスクが高まる。本発明の一目的は、「Lean」製造原理に従ってコストを妥当な割合だけ低減し、改善されたシステム及びサービスを提供する機器を定義することである。したがって、本発明の一目的は、小さい設置面積を維持しながら処理チャンバを最大化することである。本発明の別の一目的は、処理ステーションの利用率を最大化することである。本発明の別の一目的は、上記の機器のロボティクス及びサービスを簡略化することである。また、本システムは、メインフレームサービス中も最大100%のシステム処理稼働率を含めた高い冗長性を実現する。使用されるチャンバが少ない場合にも、すべての処理を続行してウェーハの処理に使用することができる。また、チャンバのサービス又は処理は、処理チャンバの背面から行うことも正面から行うことも可能である。さらに、好ましい実施形態では、各処理チャンバは、線形配列の形でセットアップされる。これにより、最小のシステム設置面積が保証され、様々な処理ステーション毎に個別のウェーハ・プログラムを提供することが可能となる。 The present invention is directed to a novel wafer processing unit that is intended to allow for individual control of downtime in a processing station while reducing the footprint. Also, with the present invention, it is possible to continue operation even if one or more of the stations go down for some reason. This is partly due to the fact that the semiconductor manufacturing cost is extremely high and various costs are increasing. In this technical field, the higher the cost, the higher the risk of capital investment. One object of the present invention is to define a device that reduces costs by a reasonable percentage according to the “Lean” manufacturing principle and provides improved systems and services. Accordingly, one object of the present invention is to maximize the processing chamber while maintaining a small footprint. Another object of the present invention is to maximize processing station utilization. Another object of the present invention is to simplify the robotics and services of the above equipment. In addition, this system achieves high redundancy including a maximum 100% system processing operation rate even during mainframe service. Even if fewer chambers are used, all processing can continue and be used for wafer processing. Also, chamber service or processing can be performed from the back or front of the processing chamber. Furthermore, in a preferred embodiment, each processing chamber is set up in a linear array. This guarantees a minimum system footprint and allows individual wafer programs to be provided for the various processing stations.
処理チャンバは一般に、様々な処理のうち、ウェーハの処理に関連して使用される任意の処理を実行する能力を有することができる。例えば、ウェーハ製造では、ウェーハは通常、様々な処理の中でもとりわけ、1つ又は複数のエッチング工程、1つ又は複数のスパッタリング又は物理気相成長処理、イオン注入、化学気相成長(CVD)、ならびに加熱及び/又は冷却処理を経て搬送される。このようなウェーハ作成の処理工程数は、それらの様々な処理が従来技術の装置を使用して実施される場合に、複数のツール又は大型のサブシステムを有するツールが必要とされることを意味する可能性がある。一方、本例のシステムは、サイズを増加させずに又は新しいトータルシステムを追加する必要なしに、追加的な機能ステーションを追加することができるさらなる利点を提供する。 A processing chamber may generally have the ability to perform any of a variety of processes used in connection with wafer processing. For example, in wafer manufacturing, a wafer is typically one or more etching steps, one or more sputtering or physical vapor deposition processes, ion implantation, chemical vapor deposition (CVD), and among other processes. It is conveyed through a heating and / or cooling process. Such a number of processing steps for wafer preparation means that tools with multiple tools or large subsystems are required when these various processes are performed using prior art equipment. there's a possibility that. On the other hand, the system of this example offers the additional advantage that additional functional stations can be added without increasing the size or without having to add a new total system.
これらの様々な目的を達成するために、ウェーハの搬送は、チャンバ設計と独立して構造化される。したがって、各チャンバは、ある処理能力を有するチャンバとして動作するように設計され、搬送システムは、チャンバ設計とは独立して動作するように構造化され、処理チャンバの内外にウェーハをフィードするように構造化される。本明細書に記載される好ましい実施形態の搬送は、真空壁を介して結合される直線運動及び回転運動に基づく単純な連結アームに依存する。低コストを維持するために、チャンバ設計は、モジュール性に基づいて決定される。したがって、一実施形態では、システムは、3つのチャンバを有することも、整合構造(matching structure)を利用して6つのチャンバを有することもある。この最後のセンテンスは、4つ及び8つのチャンバならびに他の倍数のチャンバを有する場合にも同様に使用することができ、異なる数の処理ステーションを有するモジュールにも当てはめることができる。 In order to achieve these various objectives, wafer transport is structured independently of the chamber design. Thus, each chamber is designed to operate as a chamber with a certain processing capability, and the transfer system is structured to operate independently of the chamber design to feed wafers into and out of the processing chamber. Structured. The transport of the preferred embodiment described herein relies on a simple connecting arm based on linear and rotational motion coupled through a vacuum wall. To maintain low cost, the chamber design is determined based on modularity. Thus, in one embodiment, the system may have three chambers or may have six chambers utilizing a matching structure. This last sentence can be used in the same way with 4 and 8 chambers as well as other multiple chambers, and can also be applied to modules with different numbers of processing stations.
本システムは、機能拡張可能であり、また、将来の処理又は応用例として適用され得る技術と独立して機能拡張可能である。線形ウェーハ搬送が使用される。その結果、クリーンルーム内のスペースを過剰に要求しない設置面積の小さいシステムにおいて、高いスループットを実現することが可能となる。また、異なる処理工程を同じ処理プラットフォームに構造化することも可能となる。 The system can be expanded and can be expanded independently of technologies that can be applied as future processing or application examples. Linear wafer transfer is used. As a result, high throughput can be realized in a system with a small installation area that does not require excessive space in the clean room. It is also possible to structure different processing steps on the same processing platform.
本発明の一態様によれば、基板処理システムであって、真空セクション及び雰囲気セクションを有する細長い基板搬送チャンバと、前記真空セクション内の前記搬送チャンバに固着された第1の直線トラックと、前記雰囲気セクションの前記搬送チャンバに固着された第2の直線トラックと、前記第1の直線トラック上に直線状に乗せられる第1の基部と、前記第2の直線トラック上に直線状に乗せられる第2の基部と、前記第1の基部上に載置され、それ自体の入力として磁気結合フォロワを有し、それ自体の出力としてより低い回転速度を提供する減速機と、前記第2の基部上に載置され、真空隔壁を通じて前記磁気結合フォロワに回転運動をもたらす磁気駆動源を回転させる回転モータと、前記減速機の前記出力に結合されるロボットアームとを備える基板処理システムが開示される。前記第2の基部には、直線運動をもたらすリニアモータを固着させ、磁化ホイールを結合させることができる。前記第2の基部には、直線運動エンコーダを結合させることができ、前記回転モータには、回転エンコーダを結合させることができる。2本のロボットアームを有するシステムでは、前記2本のロボットアームの回転軸を一致させることが可能となるように、前記ロボットアームの一方にアーム延長部を結合させることができる。 According to one aspect of the present invention, there is provided a substrate processing system comprising an elongated substrate transfer chamber having a vacuum section and an atmosphere section, a first straight track secured to the transfer chamber in the vacuum section, and the atmosphere. A second linear track secured to the transfer chamber of the section; a first base linearly mounted on the first linear track; and a second linearly mounted on the second linear track. On the first base, with a magnetically coupled follower as its own input and providing a lower rotational speed as its output, on the second base A rotary motor that rotates a magnetic drive source that is mounted and rotates the magnetically coupled follower through the vacuum bulkhead and that is coupled to the output of the speed reducer A substrate processing system including a chromatography beam is disclosed. A linear motor for causing linear motion can be fixed to the second base and a magnetizing wheel can be coupled thereto. A linear motion encoder can be coupled to the second base, and a rotary encoder can be coupled to the rotary motor. In a system having two robot arms, an arm extension can be coupled to one of the robot arms so that the rotational axes of the two robot arms can be matched.
本発明の別の態様によれば、真空搬送チャンバを介してロードロックから処理チャンバにウェーハを搬送する方法であって、前記搬送チャンバ内にロボットアームを設けるステップと、真空隔壁を通じて前記ロボットアームに直線運動を磁気結合させるステップと、真空隔壁を通じて前記ロボットアームに回転運動を磁気結合させるステップと、前記真空搬送チャンバ内の回転運動の速度を減少させるステップとを含む方法が提供される。前記方法は、ウェーハが前記ロードロック内に位置するときの、前記ウェーハの中心として定義される第1の中心点を判定するステップと、ウェーハが前記処理チャンバ内に位置するときの、前記ウェーハの中心として定義される第2の中心点を判定するステップと、前記ロボットアームの旋回点の位置を判定するステップと、前記ロボットアーム上に配置された前記ウェーハが前記ロードロックと前記処理チャンバとの間の直線内だけを移動するように、前記ロボットアームの直線運動と回転運動の組合せを計算するステップとをさらに含むことができる。 According to another aspect of the present invention, there is provided a method for transferring a wafer from a load lock to a processing chamber via a vacuum transfer chamber, the step of providing a robot arm in the transfer chamber; A method is provided that includes magnetically coupling linear motion, magnetically coupling rotational motion to the robot arm through a vacuum bulkhead, and reducing the speed of rotational motion in the vacuum transfer chamber. The method includes determining a first center point defined as the center of the wafer when the wafer is located in the loadlock; and when the wafer is located in the processing chamber. Determining a second center point defined as a center; determining a position of a pivot point of the robot arm; and the wafer disposed on the robot arm is connected to the load lock and the processing chamber. And calculating a combination of linear and rotational movements of the robot arm so as to move only within a straight line therebetween.
ここで図1を参照すると、現在一般に使用されているタイプのクラスタツールが示されている。一般に、このクラスタツールは、中央チャンバ22を取り囲むように放射状に配設され取り付けられた処理チャンバ21を備える。本システムには、2つの中央チャンバが存在する。単一の中央チャンバしか有さないチャンバであってもよい。扱いづらさを無視すれば、3つ以上の中央チャンバを有するシステムが存在する可能性もあるが、ユーザは一般に、別のシステムを選択することになるであろう。動作において、典型的には各中央チャンバ22内にロボットが配置される。ロボットは、ウェーハをシステム内に受け、中央チャンバから処理チャンバにウェーハを搬送し、処理が行われた後はウェーハを中央チャンバに戻す。いくつかの従来技術のシステムでは、中央ロボットは、一時に1つのウェーハ及び1つのチャンバにしかアクセスすることができない。したがって、ウェーハが単一のチャンバ内にあり、関連する処理が行われている間に、ロボットが手一杯となり又はビジー状態となる可能性がある。ロボットが1つしか存在しないことと、そのようなロボットが処理中に処理ステーションに拘束されることにより、このタイプのクラスタツールのスループットが制限されている。より近代的なユニットでは、マルチアーム式のロボティクスが使用される。処理チャンバは、任意の形のプロセッサを備えることができ、例えば物理気相成長用チャンバ、化学気相成長(CVD)用チャンバ、エッチング用チャンバ、ウェーハ製造中にウェーハ上で実施される他の処理用のチャンバ等を含むことができる。このタイプのツールによれば、処理時間を異ならせることができる。それは、ウェーハが処理される際において、ロボットアームによるチャンバへの搬送、及びチャンバからのウェーハの取り出しは、他の要因とは独立して行われ、コンピュータ制御されるためである。言うまでもなく、処理は、同じ時間及び定義された順序に設定することができる。
Referring now to FIG. 1, a cluster tool of the type commonly used today is shown. In general, the cluster tool includes
次に図2を参照すると、チャンバ内のウェーハ休止時間が各チャンバ毎に同一となるウェーハ処理ツールが示されている。本実施形態では、プロセッサ23が直線状に並べられており、また、本例の各チャンバは、互いに隣接して且つ1つの上に他のものが重なり合うように配置されている。これらチャンバの端部には、処理対象となるウェーハを一方のレベルから他方のレベルに移動させるエレベータが存在する。ウェーハは、入口26から入り、支持部上に配置される。ウェーハは、システム内を移動するときにこの支持部上に留まる。本システムの一実施形態では、ウェーハが支持部によってプロセッサの上位レベルに上昇された後、ウェーハは、当該レベルにおいて処理チャンバ23内を次々に連続的に移動する。エレベータ25は、ウェーハのレベルを変更し、その後他方のレベルに沿って移動し、再びある処理チャンバから次の処理チャンバへ、以下同様に移動した後、システム外部へと移動する。
Referring now to FIG. 2, a wafer processing tool is shown in which the wafer down time in the chamber is the same for each chamber. In the present embodiment, the
次に図3を参照すると、処理チャンバ31が、搬送チャンバ32に沿って直線状に配置されている。ウェーハは、EFEM(Equipment Front End Module:機器フロントエンドモジュール)33又はこれと等価な何らかのフィード装置を介してシステム34内に入る。EFEM 33は、その上部にFOUP(from front opening unified pod:前開き一体型ポッド)を設置することが可能なステーション30を備える。
Next, referring to FIG. 3, the
FOUP(図示せず)は、ウェーハが収容され、処理動作の待機中に清浄に保たれるハウジング又は筐体を備える。EFEM 33にはフィード機構も関連付けることができる。フィード機構は、ウェーハを処理のためにシステム内に配置し、処理が行われた後は、システムからウェーハを取り出して、ウェーハを一時的に収容するためのものである。EFEM 33上にはウェーハのFOUPが配置されており、そこでは、EFEM 33内のFOUPからウェーハを持ち上げ、該ウェーハをシステム内に入れるためにロードロックコンパートメント35内に搬入するブレードによって、ウェーハが1つずつ搬送される。
A FOUP (not shown) includes a housing or housing in which a wafer is received and kept clean while waiting for processing operations. The
ウェーハは、ロードロックコンパートメント35から搬送チャンバ32に沿って移動し、搬送チャンバ32から処理チャンバ31内へと搬送される。基板は、処理チャンバ内に入った後、支持アームから離れ、その代わりにチャンバ内の基板支持体上に置かれる。この時点で、処理チャンバの雰囲気と搬送チャンバの雰囲気とを分離するために弁が閉じられる。これにより、搬送チャンバ又は他の処理チャンバを汚染することなく処理チャンバ内部に変更を加えることが可能となる。処理が行われた後は、処理チャンバと搬送チャンバとを分離していた弁が開き、ウェーハが処理チャンバから取り出され、追加的な処理を行う場合は搬送チャンバ32に沿って別の処理チャンバへと搬送され、あるいはロードロックへと搬送され、当該ロードロックからEFEM 33上のFOUPに戻される。図3には、4つの処理チャンバ31が示されている。
The wafer moves from the
図3には、4つの処理電源37と、配電ユニット36も示されている。これらを組み合わせてシステムのエレクトロニクスが提供され、個々の各処理チャンバに電力が供給される。処理チャンバ31上には、プロセスガスキャビネット38と、情報処理キャビネット40とが存在する。これらのユニットを利用して、システムに入力された情報によって搬送チャンバ32に沿った基板の移動が制御され、基板がさらなる処理のために処理チャンバ内に搬送されるかどうかが制御される。これらのユニットは、処理チャンバ内で発生した事象に関する記録も提供する。チャンバ内の処理中に使用されるガスが供給される。ここでは、システム内及びシステム内の各処理ステーション間でウェーハをフィードするロボット操作機構が2アームシステムとして説明されているが、実際には、3本以上のアームが存在してもよく、それぞれのアームが搬送移動チャンバ内で独立して移動するように設定することも、一緒に移動するように設定することも可能である。
FIG. 3 also shows four
システム内の処理チャンバは、ウェーハ製造時の希望に応じて様々な処理を実施することができる。今日、多くの製造業者は、システム全体がスパッタリング又はエッチング処理に専念する専用システムを購入している。本質的に、ウェーハ製造では、4段以上のシステム全体がスパッタリング処理に専念するのに十分な程度のスパッタリング工程又はエッチング工程が存在する。
一方、ウェーハは、それぞれ最終プロセスに至るまでに必要とされる一連の様々な処理を経て搬送され得る。例えば、5処理ステーションでは、使用時に以下の順序で処理が行われ得ることが十分想定される。第1処理ステーションでは、ウェーハを脱ガス処理に掛け、第2処理ステーションを前洗浄ステーションとし、第3処理ステーションを例えばチタンを堆積させるスパッタリングステーションとし、第4処理ステーションを例えばニッケルバナジウムを堆積させるスパッタステーションとし、第5処理ステーションでは、金をスパッタ堆積させることが可能である。
The processing chamber in the system can perform various processes as desired during wafer manufacturing. Today, many manufacturers purchase dedicated systems where the entire system is dedicated to sputtering or etching processes. In essence, there is a sufficient degree of sputtering or etching in wafer manufacturing that the entire system of four or more stages is dedicated to the sputtering process.
On the other hand, each wafer can be transported through a series of various processes required to reach the final process. For example, in the case of 5 processing stations, it is sufficiently assumed that processing can be performed in the following order when used. In the first processing station, the wafer is subjected to degassing, the second processing station is a pre-cleaning station, the third processing station is a sputtering station for depositing, for example, titanium, and the fourth processing station is a sputtering station for depositing, for example, nickel vanadium. In the fifth processing station, gold can be sputter deposited.
次に図4を参照すると、上蓋を取り除いた状態の3ステーションシステムが示されている。図4を示す目的は、搬送チャンバ32の理解を高めることにある。処理対象となるウェーハは、ロードロック35側から本システム内に入る。ロードロック35は、デュアルレベルロードロックであり、2つのウェーハを同時に処理することができる。一方は下位レベル上、他方は上位レベル上にある。ロードロック側からシステム内に入ったウェーハは、真空又は制御された環境内に入る。また、処理が済んだウェーハは、それらが本システム及び本システム内の真空又は他の制御された状態から離脱するように移動する間、ロードロック35を通過し、FOUP(図4では省略)内に戻る。
非真空状態から真空状態への移行が完了すると、ウェーハがアーム41上に持ち上げられ、アーム41が搬送チャンバ32内に移動する。図4では、そのようなアームの一方を確認することができ、他方のアームは、第1処理チャンバの左側の要素で部分的に覆われている。図4には、全体が確認できる方のアームがウェーハを処理チャンバ31内に配送する様子(あるいは、当該チャンバから処理済みのウェーハを取り出す様子)が示されている。アーム41は、搬送チャンバ内に沿って直線レール43上を移動する。本実施形態では、搬送チャンバ32内のレールは、支持アーム41をチャンバ32の床面上方に保持する。また、図4には示していないが、真空の外部からチャンバ32の筐体壁部を介して作用する駆動機構が存在する。この駆動機構は、アーム41をチャンバ内又はロードロック35内まで延ばすことが望まれる場合に、アーム41のほぼ直線運動ならびに回転運動を可能にする。
Referring now to FIG. 4, a three station system is shown with the top cover removed. The purpose of FIG. 4 is to enhance understanding of the
When the transition from the non-vacuum state to the vacuum state is completed, the wafer is lifted onto the
したがって、アームは、搬送チャンバ32の内外、処理チャンバ31の内外、又はロードロックチャンバ35の内外にウェーハを移動させるのに使用される。このようなチャンバの基部との接触を回避することにより、パーティクルの発生が抑えられ、その結果、環境をより清浄に保ち、又はパーティクルフリー状態を維持することが可能となる。
以下では、後続の図面を参照して、本搬送システムのさらなる詳細について論じる。また、図4には2本のアームが示されているが、システムは、レール上に3本以上のアームを有することも2本未満のアームを有することもでき、また、任意の時点で3つ以上のウェーハ搬送装置を取り扱うことができることも容易に理解されるであろう。
Therefore, the arm is used to move the wafer in and out of the
In the following, further details of the transport system will be discussed with reference to the subsequent figures. Also, although two arms are shown in FIG. 4, the system can have more or less than three arms on the rail, and 3 at any given time. It will also be readily appreciated that more than one wafer transfer device can be handled.
本発明の方法によれば、支持アーム41は、ウェーハが直線内だけを移動されるように、回転運動と直線運動の組合せを使用して操作される。即ち、図4に示されるように、アーム41は、双頭矢印Aで例示される直線運動と、双頭矢印Bで例示される回転運動との組合せを使用して移動される。ただし、アーム41の動きは、ウェーハの中心が破線BLl、BLm、及びBLで示した直線運動に追従するようにプログラムされる。これにより、チャンバ31及びロードロック35のあらゆる開口を、チャンバの直径を僅かに上回る直径にすることが可能となる。また、アーム41の直線運動と円弧運動の組合せは、あらゆる状況に応じて、例えばユーザインターフェースUI(図3)を介してプログラム可能なコントローラによって作動されるため、任意のタイプ及び任意の組合せのチャンバを搬送チャンバ32上に取り付けることも可能となる。
In accordance with the method of the present invention, the
本発明の方法によれば、コントローラによって実行されるアームの直線運動と円弧運動の組合せを計算するために、以下の処理が実施される。ウェーハがロードロック内に配置されているときのウェーハの中心位置が判定される。ウェーハが付属の各処理チャンバ内に配置されているときのウェーハの中心が判定される。各アームの旋回点が判定される(後述するように、いくつかの実施形態では両方のアームの旋回点を一致させることができることに留意されたい)。搬送順序、即ち各ウェーハがロードロックと単一のチャンバとの間を移動する必要があるのか、それともロードロックと複数のチャンバとの間を移動する必要があるのかが判定される。これらの値は、UIを使用してコントローラ内でプログラムすることができる。次いで、各アーム上に配置されたウェーハが、判定された旋回点とロードロック及び各チャンバについて判定された中心との間の直線内だけを移動するように、各アームの直線運動及び回転運動が計算される。 In accordance with the method of the present invention, the following processing is performed to calculate the combination of linear and circular motion of the arm performed by the controller. The center position of the wafer when the wafer is placed in the load lock is determined. The center of the wafer is determined when the wafer is placed in each attached processing chamber. The pivot point of each arm is determined (note that the pivot points of both arms can be matched in some embodiments, as described below). A transfer sequence is determined, ie whether each wafer needs to move between the load lock and a single chamber or between the load lock and multiple chambers. These values can be programmed in the controller using the UI. The linear and rotational motion of each arm is then moved so that the wafers placed on each arm move only within a straight line between the determined pivot point and the center determined for the load lock and each chamber. Calculated.
一実施形態では、部分的に、アーム41の直線運動と円弧運動との組合せを簡略化するために、本発明の以下の特徴が実装される。図4では、支持アーム41の一方、具体的には図4で完全に露出しているアーム41は、アーム延長部41’に結合され、他方のアーム41は、内部の駆動支持機構45(図5及び図6も参照されたい)に直接結合されている。図示の実施形態では、アーム延長部41’は、固定されており、即ち、駆動支持機構45の直線運動に追従するだけで、回転することはできないようになっている。言い換えれば、回転運動は、アーム延長部41’の端部に固着されたアーム41にのみもたらされる。また、図示の実施形態では、アーム延長部41’は、両方のアーム41の回転中心すなわち旋回中心点の中心を一致させることができるように、即ち、図示のように、直線破線BLmが両方のアーム41の回転点又は旋回点の中心を通過するように固着されている。さらに、図5の実施形態に示されるように、アーム41は、両方のアーム41の回転の中心が上下に正確に一致するように直線方向に移動させることができる。このような設計を用いると、2本のアーム41が同一の旋回点中心線から同一の直線運動と円弧運動との組合せに追従することになるので、それらのアーム41を同一の形で製作することが可能となる。
In one embodiment, in part, the following features of the present invention are implemented to simplify the combination of linear and arc motion of
次に図5を参照すると、内部要素を封鎖する蓋を取り除いた状態のシステム34の各部分、即ち、ロードロック35を始点とし、搬送チャンバ32の先頭部へと続き、第1の処理チャンバ31を含めた各部分が示されている。図5には、ロードロック35内のウェーハ42がアーム41上に置かれた様子が示されている。別のアーム41は、処理チャンバ31内に延びた形で示されている。図示のとおり、独立して働き、異なるレベルに所在し得る各アーム41は、それぞれ同時に異なる領域に入るように延ばすこともできる。各アームは、ウェーハを搬送チャンバ32に沿ってロードロックからシステム34内に移動させ、その後、システム34の周囲の処理チャンバから処理チャンバへと移動させる。
Referring now to FIG. 5, each part of the
最終的に、各アームは、各ウェーハの処理が行われた後、それらを搬送チャンバに沿ってロードロック35内に移動させ、その後システム34外部に移動させる。処理が完了したときは、ウェーハをロードロックから処理済みのウェーハが回収されるFOUP内に戻すことができる。ロードロック又は処理チャンバ内のウェーハは、それ自体をアーム41と関連付けられた支持体表面上まで持ち上げることによって搬送される。支持体表面のリフトピンがウェーハを上昇させることにより、アームがウェーハの下方に進入することが可能となり、その結果、アームによってウェーハを持ち上げ、ウェーハをシステム内の次の工程に移動させることが可能となる。
Finally, after each wafer is processed, each arm moves them into the
別法として、ウェーハの下方にスライドし、ウェーハを搬送中に支持する棚としての性質を有する構造を利用して、チャンバ又はコンパートメントからウェーハが持ち出されるとき又は取り出されるときに、ウェーハを支持し保持することができ、また、ウェーハをアームから受け取り、アームから離すことができる。各アームは、接触することなく互いの上下を通過するように配置され、互いにすれ違うことができる。 Alternatively, slide down the wafer and use a structure that acts as a shelf to support the wafer during transport, supporting and holding the wafer when it is taken out or taken out of the chamber or compartment The wafer can be received from the arm and released from the arm. Each arm is arranged to pass above and below each other without contact, and can pass each other.
各アームは、内部の駆動支持機構45に連結されている。駆動支持機構45には直線駆動トラック(linear drive track)が設けられており、駆動支持機構45は、この直線駆動トラックに沿って搬送チャンバ32内を移動する。駆動支持機構45の動作は、モータ等の外部駆動源によって引き起こされる。ある形態の駆動源は、駆動支持機構45を駆動トラック46に沿って直線移動させる。別の形態の駆動源は、ウェーハ42をシステム内に移動させシステム内を通過させる過程で、各アーム41が搬送チャンバ32からロードロック35又は処理チャンバ31内に延びるように回転させる。駆動トラック46の内部には、各駆動支持機構がその上に独立して乗せられる個々のレール47(詳細は図6に示される)が存在し、それにより、各アーム41が互いに独立して移動し作用するように配置することが可能となる。処理チャンバ内へのウェーハの移動は、その性質上、直線駆動経路からチャンバ内への平行移動となる。というのも、好ましい実施形態では、ウェーハが2つの運動形態を同時に経験するためである。ウェーハは、直線移動すると同時に回転する。外部モータ又は他の形態の駆動機構を使用して上記の機構を搬送チャンバ32の真空中で駆動することにより、密閉された真空領域内の望ましくないパーティクルが少なくなる。
Each arm is connected to an internal
次に図6を参照すると、本発明の好ましい実施形態で利用される駆動システムが示されている。図6では、駆動トラック46の各レール47を独立して確認することができる。本図では、一方の支持アーム41上にウェーハ42が示されている。本図では、他方の支持アームは、単に伸びただけの状態を示されている。駆動支持機構45は、それぞれレール47のうちの1つに乗せられる。これにより、アーム41は、様々なレベルに容易に配置される。各駆動支持機構45の基部には、磁気ヘッド又は磁気結合フォロワ(magnetically‐coupled follower)48が配置されている。
Referring now to FIG. 6, the drive system utilized in the preferred embodiment of the present invention is shown. In FIG. 6, each
磁気ヘッド48から離れた位置に、磁気駆動源50が配置されている。磁気ヘッド48は、搬送チャンバの真空中に配置され、真空チャンバの壁(図7Aの53)は、各磁気ヘッド48の下方、及び磁気ヘッド48と駆動源50との間を通る。したがって、駆動源50は、搬送チャンバ32の真空壁の外部にある。上述のとおり、アーム41は、ウェーハ42を処理システム内に移動させ処理システム内を通過させるものであり、互いに独立して移動する。これらのアーム41は、駆動源50及び磁気ヘッド48を備える磁気カプラ装置によって駆動される。このカプラは、アーム41に対して直線運動と回転運動の両方をもたらす。駆動源50は、真空の外部に位置し、レールシステムの両側に現れる外側レール51上に乗せられる。1つのレールセットが、反対側に現れる別のレールセットと対向関係をもって示されている。アームの回転は、磁気カプラを介して伝達され、回転モータ52によって駆動される。図6では、磁気結合が直線運動及び回転に使用されるものとして示されているが、別個の磁気カプラ及び駆動源を使用することもできることが容易に理解されるであろう。したがって、直線運動及び回転運動は同一のカプラを介して伝達されることが好ましいが、直線運動用と回転運動用に別個のカプラを使用することも可能である。
A
処理ステーション31における停止動作を含めたウェーハの移動及び操作に使用され得る1つのタイプのアームは、略してSCARAロボットとも呼ばれる選択的コンプライアンス多関節組立ロボットアーム(selective compliant articulated assembly robotic arm)として説明される。SCARAシステムは、それ自体と置き換えられる可能性が高いカルテシアンシステムよりも高速且つ清浄である傾向がある。
One type of arm that can be used for wafer movement and manipulation, including stop motion at the
また、磁気駆動システムに関連する負荷要因の減少及び/又は解消のために、運動結合磁石(motion coupling magnet)によって生み出される引力を減少させる反発磁石を含めることもできる。回転運動及び直線運動を真空に結合する磁石は、かなりの引力を有する。これが、部品を支持する機械機構の負荷となる。負荷が高くなると、ベアリングの寿命が短くなり、より多くのパーティクルが発生する。磁気カプラ又は別個の装置内に配置された互いに反発し合う磁石を使用することにより、引力を減少させることが可能となる。実際には、磁気カプラ内の最も内側にある磁石は、さほど高い結合剛性を達成しない。しかしながら、それらの内側の磁石は、カプラの直径の周りに交互に存在するNS極位置に配置され、互いに引き合って使用される結合磁石との斥力を生み出すのに使用することができる。 A repulsion magnet that reduces the attractive force generated by the motion coupling magnet may also be included to reduce and / or eliminate load factors associated with the magnetic drive system. Magnets that couple rotational and linear motion to a vacuum have a considerable attractive force. This is a load on the mechanical mechanism that supports the component. As the load increases, the life of the bearing is shortened and more particles are generated. By using repulsive magnets arranged in a magnetic coupler or separate device, the attractive force can be reduced. In practice, the innermost magnet in the magnetic coupler does not achieve a very high coupling stiffness. However, their inner magnets can be used to create repulsive forces with coupled magnets that are placed at NS pole locations that alternate around the diameter of the coupler and are used to attract each other.
言うまでもなく、密閉チャンバ内にパーティクルダストが入る心配がなければ、駆動機構を密閉チャンバ内に含めることができることを理解されたい。 Of course, it should be understood that a drive mechanism can be included in the sealed chamber if there is no concern of particle dust entering the sealed chamber.
次に図7Aを参照すると、蓋を取り除いた状態のトラック駆動システムの側面図が示されている。図7Aでは、真空壁又は真空隔壁53が、アーム41の駆動及び位置制御を行う磁気カプラ48と磁気カプラ50の間の位置に配置されている。駆動トラック46には、外側レール51によってもたらされる直線運動を駆動支持機構45及びアーム41に提供するレール47が収容されている。回転運動は、回転モータ52によってもたらされる。図7Aでは、Vaで示した側が真空中、ATで示した側が雰囲気中となっている。図7Aに示すように、磁気カプラ50は、回転モータ52によって駆動され、真空隔壁53を通じた磁気結合により、磁気カプラ48が同じ回転動作をするように仕向ける。一方、磁気結合のヒステリシスが生じることにより、アームの回転運動の正確さが低下する可能性がある。
Referring now to FIG. 7A, a side view of the track drive system with the lid removed is shown. In FIG. 7A, the vacuum wall or
実際には、アームの長さが原因で、カプラ48とカプラ50の間の小さい角度誤差が、アーム41の端部に置かれたウェーハを大きく変位させることもある。また、アームの長さ及び重さが原因で、また、アームがウェーハを支持しているのか否かに応じた重さの変化が原因で、過渡運動が許容できない時間にわたって持続することもある。これらの問題を回避するために、磁気カプラ48と回転カプラ56又はアーム41との間に減速ギア(減速機又はギア減速機と呼ばれることもある)55が介装されている。ギア減速機55には、磁気カプラ48の回転が入力され、ギア減速機55からは、モータ52の回転速度よりも低い回転速度でアーム41を作動させるために、より遅い回転速度の出力が得られる。この具体例では、ギア減速機55の減速比は、50:1に設定される。これにより、アーム41の角度配置の正確さが大幅に向上し、過渡運動が大幅に減少するとともに、駆動アセンブリ技術の慣性モーメントも大幅に減少する。
In practice, due to the length of the arm, a small angular error between the
図7Aでは、減速ギアアセンブリ55は、基部49上に載置されている。基部49は、非モータ駆動式(unmotorized)であり、直線レール47上に自由に乗せられる。一方、回転モータ52は、機械化動力を使用して直線レール51上に乗せられる基部54上に載置されている。機械化動力によって基部54が直線移動されるため、磁気カプラ50と磁気フォロワ48との間の磁気結合は、直線レール47上に自由に乗せられる基部49に直線動作をもたらし、それによってアーム41を直線移動させる。したがって、この装置は、すべてのモータ駆動運動(motorized motion)、即ち直線運動及び回転運動が雰囲気条件下で実行され、真空環境内にモータ駆動システムが存在しない点で有利である。以下では例示として、雰囲気中のモータ駆動運動及び真空中の自由な非モータ駆動運動に関する様々な実施形態について説明する。
In FIG. 7A, the
図7Bは、直線運動アセンブリの一例を示している。図7Bでは、基部54にベルト又はチェーン駆動源が結合されている。ベルト又はチェーン58は、回転体59上に乗せられており、矢印Cで示されるように、回転体59のうちの1つは、両方向の動きが可能となるようにモータ駆動化されている。直線運動を制御するために、エンコーダ57aは、基部54の直線運動を識別する信号をコントローラに送信する。例えば、エンコーダ57aは、直線トラック46上で提供されるエンコーディングを読み込む光エンコーダであってもよい。また、モータ52上には回転式エンコーダ57bが設けられており、回転式エンコーダ57bは、回転運動のエンコーディングをコントローラに送信する。回転運動及び直線運動に関するこれらの読み込みデータを使用して、ウェーハの中心線が直線内だけを移動するように、アーム41の回転運動及び直線運動を制御することができる。
FIG. 7B shows an example of a linear motion assembly. In FIG. 7B, a belt or chain drive source is coupled to the
図7Cは、直線運動アセンブリの別の実施形態を示す、図4のA‐A線断面図である。図7Dでは、駆動トラック46が、レール47を支持しており、レール47上にはホイール61及び62が乗せられている。これらのホイールは、磁化させることによって牽引力を改善することができる。ホイール61及び62は、基部54に結合されており、基部54上には回転モータ52が載置されている。基部54の下部には、駆動トラック46上に載置された一連の磁石64と相互作用するリニアモータ63が取り付けられている。リニアモータ63は、磁石64と相互作用して、図面用紙の内外に向かう直線動力を基部54にもたらす。基部54の直線運動は、トラック46上で提供される位置/運動エンコーディング57cを読み込むエンコーダ57bによって監視され報告される。この具体例では、エンコーダ57bの精度は、5千分の一インチである。
7C is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 4 showing another embodiment of a linear motion assembly. In FIG. 7D, the
図7Dは、雰囲気中の直線トラック及び真空中の直線トラックの一例を示す断面図である。真空側、雰囲気側は、それらの間に介在する真空隔壁53及びチャンバ壁32によって分離されている。雰囲気側では、ライダー61が、直線トラック47上に乗せられている。こちらは雰囲気中にあるため、パーティクルの発生は、真空側ほど重要でない。したがって、ライダー61は、ホイールを含むことができ、あるいはフッ素樹脂等の摺動材料でできていてもよい。基部54は、スライダ61に取り付けられており、磁気カプラ50を回転させる回転モータを支持する。真空側では、直線トラック78が、カプラ72を介して基部70に取り付けられた摺動ベアリング73を受けるようになっている。直線トラック78は、ステンレス鋼で作成することができ、パーティクルの発生を最小限に抑えるように製作される。また、発生したパーティクルをベアリングアセンブリの範囲内に収めるために、蓋74及び76が設けられている。基部70は、ベアリングアセンブリを越えて延在し、磁気フォロワ48に結合されたギア減速機55を支持する。
FIG. 7D is a cross-sectional view illustrating an example of a straight track in an atmosphere and a straight track in a vacuum. The vacuum side and the atmosphere side are separated by a
図7Eは、雰囲気中の直線トラック及び真空中の直線トラックの別の一例を示している。図7Eでは、雰囲気側を図7Dのそれと同様に構築することができる。一方、真空側では、汚染を最小限に抑えるために摺動ベアリングの代わりに磁気浮上が利用される。図7Eに示すように、アクティブ状態の電磁アセンブリ80は、永久磁石82と協働して磁気浮上を形成し、基部70の自由な直線運動を可能にする。特に、永久磁石82は、自由空間84を維持し、電磁アセンブリ80と接触しないようになっている。基部54がスライダ61と共に直線移動するため、カプラ50とフォロワ48との間の磁気結合により、浮上された基部70の直線運動がもたらされる。同様に、カプラ50が回転することによってフォロワ48が回転し、この回転がギア減速機55に伝達される。
FIG. 7E shows another example of a straight track in the atmosphere and a straight track in vacuum. In FIG. 7E, the atmosphere side can be constructed similar to that of FIG. 7D. On the other hand, on the vacuum side, magnetic levitation is used instead of sliding bearings to minimize contamination. As shown in FIG. 7E, the
次に図8を参照すると、本発明に係る処理システムが示されている。図3の場合と同様に、EFEM33は、処理チャンバ31を含むシステム34に渡されるウェーハを受け、収容するものである。本実施形態では、処理チャンバ31は、ウェーハを先ずロードロック35に搬送し、次いで搬送チャンバ32に沿ってウェーハを搬送することによってスパッタ堆積が行われるチャンバを例示するものである。次いで、処理済みのウェーハが搬送チャンバ32に沿ってロードロック35に、その後システムの外部へとフィードされ、EFEM 33に戻される。
Referring now to FIG. 8, a processing system according to the present invention is shown. As in the case of FIG. 3, the
次に図9を参照すると、本発明に係る8ステーション処理システムが示されている。EFEM 33は、ウェーハをロードロック35にフィードする。次いで、ウェーハは、搬送チャンバ32に沿って搬送チャンバ32から処理チャンバ31へと移動される。図9では、両方の搬送チャンバセットが中央領域内に配置され、その外側に各処理チャンバ31が配置されている。図10では、1つの処理チャンバセットが次の処理チャンバセットの複製となるように、すべての処理セクションが整列されている。したがって、このシステムの処理チャンバは、平行に整列して見える。
Referring now to FIG. 9, an eight station processing system according to the present invention is shown. The
無論、他の変形形態も可能であり、容易に想到されるであろう。例えば、図9及び図10に示した形で処理チャンバを並べる代わりに、各セットを上下に配置することも、各セットを続けて配置することもできる。各セットが続けて並べられる場合には、各セットは、2番目のセットが1番目のセットの後に続いて1列に並ぶように、あるいは2番目のセットが1番目のセットと何らかの角度を成してセットされ得るように整列させることができる。搬送チャンバは、ウェーハを各側のチャンバにフィードすることができるため、単一の搬送チャンバの周囲に2組のプロセッサをセットすることができ、同一の搬送チャンバによってフィードすることができる(図11A参照。図11Aの各参照符号は、既出の図面に関して論じた要素と同様の要素を示している。 Of course, other variations are possible and will be readily envisaged. For example, instead of arranging the processing chambers in the form shown in FIGS. 9 and 10, each set can be arranged one above the other or each set can be arranged in succession. When each set is arranged in sequence, each set is arranged so that the second set is arranged in a row following the first set, or the second set forms an angle with the first set. And can be aligned so that they can be set. Since the transfer chamber can feed wafers to the chamber on each side, two sets of processors can be set around a single transfer chamber and can be fed by the same transfer chamber (FIG. 11A). Reference: Each reference number in Figure 11A indicates an element similar to that discussed with respect to the previous figures.
なお、図11A及び図11Bは、先に述べたように処理チャンバ31と搬送チャンバ32とが弁39によって分離された様子を示している)。2組目のプロセッサが1組目のプロセッサに連接される場合には、システムに沿って追加的なロードロックを配置することが有益である可能性もある。言うまでもなく、ウェーハが直線移動して一方側から入り他方側から出ることができるように、末端部分にEFEMを追加し、当該EFEMの手前にロードロックを配置することも可能である(図11B参照。図11Bの各参照符号は、既出の図面の要素と同様の要素を示している)。後者の場合では、ウェーハが一方側あるいは両側から出入りするようにプログラムすることが可能である。処理チャンバは、搬送チャンバに沿って不規則な間隔で配置すること、即ち処理チャンバ間にスペースを設けて配置することも可能である。この配列の重要な特徴は、搬送チャンバが所望の形で且つシステムに関するコンピュータ制御の指令に応じてウェーハを個々の処理チャンバにフィードすることができるように、各処理チャンバが配置されることである。
11A and 11B show a state in which the
各チャンバを真空条件下で説明してきたが、実際には、場合に応じて、各チャンバが収容されている領域に一定のガス又は他の流体を含めることが有益であることもある。したがって、本明細書で使用する「真空」という用語は、例えばシステム全体で利用され得る特殊なガスを収容することが可能な自己完結型環境としても解釈されるべきである。 Although each chamber has been described under vacuum conditions, in practice it may be beneficial to include certain gases or other fluids in the area in which each chamber is housed. Thus, as used herein, the term “vacuum” should be construed as a self-contained environment capable of containing special gases that can be utilized, for example, throughout the system.
図1では、クラスタツールは、7つの処理チャンバを含んでいる。図9では、開示のシステムは、8つの処理チャンバを含んでいる。図1のツール及び周辺機器の総設置面積は、約38m2である。図9のツール(ならびに追加的な処理チャンバ及び周辺機器)の総設置面積は、23m2である。したがって、本発明に係る線形配列を利用すれば、チャンバ数を増やした場合にも、システムの設置面積はかなり小さくなる。大部分において、このような改良は、図1に示したタイプのシステムに関連する中央セクションを使用した場合よりも、図9の搬送チャンバ32として示される改良型フィードシステムを利用した場合に達成される。
In FIG. 1, the cluster tool includes seven processing chambers. In FIG. 9, the disclosed system includes eight processing chambers. The total installation area of the tool and peripheral equipment of FIG. 1 is about 38 m 2 . The total footprint of the tool of FIG. 9 (and additional processing chambers and peripherals) is 23 m 2 . Therefore, if the linear arrangement according to the present invention is used, the installation area of the system is considerably reduced even when the number of chambers is increased. For the most part, such improvements are achieved when utilizing an improved feed system, shown as
本発明の線形アーキテクチャは、極めて柔軟性が高く、複数の基板サイズ及び形状に適応する。半導体製作に使用されるウェーハは、典型的に円形であり、その直径は200又は300mmである。半導体産業では、ウェーハ毎のデバイス数を増加させる試みが常になされており、ウェーハサイズは、75mm、100mm、200mm、300mmというように着実に大きくなっており、直径450mmのウェーハを目指した努力が続けられている。本発明に固有のアーキテクチャによれば、クリーンルームウェーハ製造工場で必要とされる床面積は、各処理が周辺に配置される典型的なクラスタツールを用いた場合ほど大きくなることはない。 The linear architecture of the present invention is extremely flexible and accommodates multiple substrate sizes and shapes. Wafers used for semiconductor fabrication are typically circular and have a diameter of 200 or 300 mm. In the semiconductor industry, attempts are constantly being made to increase the number of devices per wafer, and the wafer size has steadily increased to 75 mm, 100 mm, 200 mm, and 300 mm, and efforts aimed at wafers with a diameter of 450 mm continue. It has been. With the architecture unique to the present invention, the floor space required in a clean room wafer manufacturing plant is not as large as with typical cluster tools where each process is located in the vicinity.
さらに、出力を高めるために、このタイプ(図1)のクラスタツールのサイズを増加させることが望まれる場合には、総寸法が指数的に増加する一方、本願に記載のシステムは、単一方向のサイズの増加、即ちシステムの幅は同じであり長さが増加するだけである。アルミニウム加工のような同様の処理でも、図1に示される機器よりも占有スペースの小さい、図9に示されるタイプのシステムを同一期間使用した場合のスループットについて言えば、図9の機器は、図1に示されるようなシステムのほぼ2倍の数(概算で約170%増)のウェーハを製造する。したがって、本明細書で開示されるシステムを使用すれば、測定されるクリーンルーム領域毎のウェーハ出力が、従来技術のユニットと比較して大幅に改善される。これにより、ウェーハ製造時のコスト削減の目的が達成されることは言うまでもない。 In addition, if it is desired to increase the size of this type (FIG. 1) of cluster tools to increase power, the overall dimensions will increase exponentially, while the system described herein is unidirectional Increase in size, i.e. the width of the system is the same and the length is only increased. In a similar process such as aluminum processing, the apparatus of FIG. 9 is similar to the apparatus shown in FIG. 9 in terms of throughput when the system of the type shown in FIG. Produces approximately twice as many wafers (approximately 170% increase) as the system shown in FIG. Thus, using the system disclosed herein, the wafer power per clean room area to be measured is greatly improved compared to prior art units. As a result, it goes without saying that the purpose of cost reduction during wafer manufacture is achieved.
本機器の設計は、円形基板に限定されない。円弧状に形成される経路内でウェーハを移動させるクラスタツールは、基板が長方形であり、実際の基板の長方形形状に内接する円形基板を取り扱うサイズにツールを調整する必要がある場合に特に有利である一方、線形ツールは、いずれの方向においても、実際の形状を通過するのに必要となるサイズよりも小さくてよい。例えば、300mmの正方形基板を処理する場合、クラスタツールは、424mmの円形基板を取り扱うサイズにする必要があるが、線形ツールは、300mmの円形基板に必要なサイズよりも小さくてよい。 The design of this device is not limited to circular substrates. A cluster tool that moves a wafer in a circular path is particularly advantageous when the substrate is rectangular and the tool needs to be sized to handle a circular substrate inscribed in the rectangular shape of the actual substrate. On the other hand, the linear tool may be smaller than the size required to pass the actual shape in either direction. For example, when processing a 300 mm square substrate, the cluster tool needs to be sized to handle a 424 mm circular substrate, while the linear tool may be smaller than the size required for a 300 mm circular substrate.
搬送チャンバ32のサイズもまた、他のどのような部材のウェーハであっても、入口チャンバ内を通過して処理チャンバ内に入り、処理チャンバからシステム外部に移動される基板の移動に必要な空間さえ提供すればよい。したがって、このチャンバの幅は、処理される基板のサイズよりも僅かに大きいだけである。しかしながら、より小さい部材をシステム内で処理することも、基板ホルダで複数の部材をまとめて処理することもできる。
The size of the
以上、本発明を特定の材料及び特定の工程から成る例示的な諸実施形態に関して説明してきたが、各具体例に様々な変更を加えることができ、且つ/又はそれらを使用することができ、そのような構造及び方法は、本明細書に記載され図示される各実施形態、ならびに添付の特許請求の範囲で定義される本発明の範囲を逸脱しない範囲で容易に修正され得る各処理の論述を理解することによって得られることが、当業者には理解されるであろう。 Although the present invention has been described in terms of exemplary embodiments consisting of specific materials and specific processes, various modifications can be made and / or used to each specific example, Such structures and methods are described in each embodiment described and illustrated herein, as well as a discussion of each process that can be readily modified without departing from the scope of the invention as defined in the appended claims. It will be understood by those skilled in the art that it can be obtained by understanding the above.
30 ステーション
31 処理チャンバ
32 搬送チャンバ
33 EFEM
34 システム
35 ロードロック
36 配電ユニット
38 プロセスガスキャビネット
40 情報処理キャビネット
41 アーム
41’ アーム延長部
42 ウェーハ
43 直線レール
45 駆動支持機構
46 駆動トラック
47 レール
48 磁気結合フォロワ
50 磁気駆動源
49、54、70 基部
51 外側レール
52 回転モータ
53 真空隔壁
55 ギア減速機
56 回転カプラ
57a、57b エンコーダ
57c 位置/運動エンコーディング
58 ベルト又はチェーン
59 回転体
61、62 ホイール
64 磁石
72 カプラ
74、76 蓋
78 直線トラック
80 電磁アセンブリ
82 永久磁石
84 自由空間
30
34
Claims (19)
真空セクション及び雰囲気セクションを有する細長い基板搬送チャンバと、
前記真空セクション内の前記基板搬送チャンバに固着された第1の直線トラックと、
前記雰囲気セクションの前記基板搬送チャンバに固着された第2の直線トラックと、
前記第1の直線トラック上に直線状に乗せられる第1の基部と、
前記第2の直線トラック上に直線状に乗せられる第2の基部と、
前記第1の基部上に前記第1の基部と一体となって前記第1の直線トラック上を移動するように載置され、それ自体の入力として磁気結合フォロワを有し、それ自体の出力としてより遅い回転速度を提供する減速機と、
前記第2の基部上に載置され、真空隔壁を通じて前記磁気結合フォロワに回転運動をもたらす磁気駆動源を回転させ、これにより前記第1の直線トラックにおいて直線運動と回転運動の両方を前記磁気結合フォロワに与える回転モータと、
前記減速機の前記出力に結合されるロボットアームと
を備える基板処理システム。 A substrate processing system,
An elongated substrate transfer chamber having a vacuum section and an atmosphere section;
A first linear track secured to the substrate transfer chamber in the vacuum section;
A second straight track secured to the substrate transfer chamber of the atmosphere section;
A first base that is linearly mounted on the first straight track;
A second base that is linearly mounted on the second straight track;
Mounted on the first base so as to move on the first linear track integrally with the first base, and has a magnetically coupled follower as its own input, and as its own output A decelerator providing a slower rotational speed,
A magnetic drive source mounted on the second base and providing rotational motion to the magnetically coupled follower through a vacuum bulkhead is rotated , whereby both linear motion and rotational motion are coupled to the magnetically coupled in the first linear track. and a rotary motor Ru given to the follower,
A substrate processing system comprising: a robot arm coupled to the output of the speed reducer.
前記第2の直線トラック上に直線状に乗せられる第4の基部と、
前記第3の基部上に載置され、それ自体の入力として第2の磁気結合フォロワを有し、それ自体の出力としてより低い回転速度を提供する第2の減速機と、
前記第4の基部上に載置され、第2の真空隔壁を通じて前記第2の磁気結合フォロワに回転運動をもたらす第2の磁気駆動源を回転させる第2の回転モータと、
前記第2の減速機の前記出力に結合された第2のロボットアームと
をさらに備える請求項1に記載の基板処理システム。 A third base that is linearly mounted on the first straight track;
A fourth base that is linearly mounted on the second straight track;
A second reducer mounted on the third base and having a second magnetically coupled follower as its own input and providing a lower rotational speed as its own output;
A second rotary motor mounted on the fourth base and rotating a second magnetic drive source that provides rotational movement to the second magnetically coupled follower through a second vacuum bulkhead;
The substrate processing system according to claim 1, further comprising: a second robot arm coupled to the output of the second speed reducer.
真空セクション及び雰囲気セクションを有する細長い基板搬送チャンバと、
前記真空セクション内の前記基板搬送チャンバに固着された第1の直線トラックと、
前記雰囲気セクションの前記基板搬送チャンバに固着された第2の直線トラックと、
前記第1の直線トラック上に自由に乗せられる非モータ駆動基部と、
前記第2の直線トラック上に直線状に乗せられるモータ駆動基部と、
前記非モータ駆動基部上に前記非モータ駆動基部と一体となって前記第1の直線トラック上を移動するように載置され、それ自体の入力として磁気結合フォロワを有し、それ自体の出力としてより遅い回転速度を提供する減速機と、
前記モータ駆動基部上に載置され、真空隔壁を通じて前記磁気結合フォロワに回転運動をもたらす磁気駆動源を回転させ、これにより前記第1の直線トラックにおいて直線運動と回転運動の両方を前記磁気結合フォロワに与える回転モータと、
前記減速機の前記出力に結合されるロボットアームと
を備える基板処理システム。 A substrate processing system,
An elongated substrate transfer chamber having a vacuum section and an atmosphere section;
A first linear track secured to the substrate transfer chamber in the vacuum section;
A second straight track secured to the substrate transfer chamber of the atmosphere section;
A non-motor driven base that is freely mounted on the first linear track;
A motor drive base that is linearly mounted on the second straight track;
Mounted on the non-motor drive base so as to move on the first linear track integrally with the non-motor drive base, and has a magnetically coupled follower as its own input, and as its own output A decelerator providing a slower rotational speed,
A magnetic drive source mounted on the motor drive base and providing rotational motion to the magnetically coupled follower through a vacuum bulkhead is rotated , thereby allowing both linear motion and rotational motion to be applied to the magnetically coupled follower in the first linear track. and a rotary motor Ru given to,
A substrate processing system comprising: a robot arm coupled to the output of the speed reducer.
複数の処理チャンバ開口部と、
前記ロボットアーム上に配置された基板が前記ロードロック開口部と前記処理チャンバ開口部との間の互いに接続される複数の線分内だけを移動するように、前記モータ駆動基部及び回転モータを直線運動と回転運動の組合せで作動させるようにプログラムされたコントローラと
をさらに備える請求項8に記載の基板処理システム。 A load lock opening;
A plurality of processing chamber openings;
The motor driving base and the rotary motor are linearly moved so that the substrate disposed on the robot arm moves only within a plurality of line segments connected to each other between the load lock opening and the processing chamber opening. 9. The substrate processing system of claim 8, further comprising a controller programmed to operate with a combination of motion and rotational motion.
前記第2の直線トラック上に直線状に乗せられる第2のモータ駆動基部と、
前記第2の非モータ駆動基部上に載置され、それ自体の入力として第2の磁気結合フォロワを有し、それ自体の出力としてより遅い回転速度を提供する第2の減速機と、
前記第2のモータ駆動基部上に載置され、第2の真空隔壁を通じて前記第2の磁気結合フォロワに回転運動をもたらす第2の磁気駆動源を回転させる第2の回転モータと、
前記第2の減速機の前記出力に結合された第2のロボットアームと
をさらに備える請求項8に記載の基板処理システム。 A second non-motor driven base that is linearly mounted on the first straight track;
A second motor drive base that is linearly mounted on the second straight track;
A second reducer mounted on the second non-motor driven base, having a second magnetically coupled follower as its own input and providing a slower rotational speed as its own output;
A second rotary motor mounted on the second motor drive base and rotating a second magnetic drive source that provides rotational movement to the second magnetically coupled follower through a second vacuum bulkhead;
The substrate processing system according to claim 8, further comprising: a second robot arm coupled to the output of the second reducer.
前記基板搬送チャンバ内に、非モータ駆動基部上において直線トラックに沿って移動するロボットアームを設けるステップと、
真空隔壁を通じて前記ロボットアームに直線運動を磁気結合フォロワを用いて磁気結合させるステップと、
真空隔壁を通じて前記ロボットアームに回転運動を前記磁気結合フォロワを用いて磁気結合させるステップと、
前記基板搬送チャンバ内の回転運動の速度を減速機を用いて減少させるステップと
を含み、
前記減速機と前記非モータ駆動基部とは一体となって前記直線トラック上を移動し、前記直線トラックにおいて直線運動と回転運動の両方が前記磁気結合フォロワに与えられる方法。 A method for transporting a wafer into the processing chamber from the load lock through the evacuated by substrate transfer chamber,
Providing a robot arm in the substrate transfer chamber that moves along a linear track on a non-motor driven base;
Magnetically coupling linear motion to the robot arm through a vacuum bulkhead using a magnetic coupling follower ;
Magnetically coupling rotational movement to the robot arm through the vacuum bulkhead using the magnetic coupling follower ;
Look including the step of decreasing the speed of the rotary movement of the substrate transfer chamber by using a reduction gear,
The speed reducer and the non-motor driven base move together on the linear track, and both linear motion and rotational motion are applied to the magnetic coupling follower in the linear track .
ウェーハが前記処理チャンバ内に位置するときの、前記ウェーハの中心として定義される第2の中心点を判定するステップと、
前記ロボットアームの旋回点の位置を判定するステップと、
前記ロボットアーム上に配置された前記ウェーハの中心が前記ロードロックと前記処理チャンバとの間の互いに接続される複数の線分内だけを移動するように、前記ロボットアームの直線運動回転運動の組合せを計算するステップと
をさらに含む請求項18に記載の方法。
Determining a first center point defined as the center of the wafer when the wafer is located in the load lock;
Determining a second center point defined as the center of the wafer when the wafer is located in the processing chamber;
Determining a position of a turning point of the robot arm;
A combination of linear and rotational movements of the robot arm such that the center of the wafer disposed on the robot arm moves only within a plurality of interconnected segments between the load lock and the processing chamber. The method of claim 18, further comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008291966A JP5578539B2 (en) | 2008-11-14 | 2008-11-14 | Substrate transfer processing apparatus and method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008291966A JP5578539B2 (en) | 2008-11-14 | 2008-11-14 | Substrate transfer processing apparatus and method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010118593A JP2010118593A (en) | 2010-05-27 |
JP5578539B2 true JP5578539B2 (en) | 2014-08-27 |
Family
ID=42306055
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008291966A Active JP5578539B2 (en) | 2008-11-14 | 2008-11-14 | Substrate transfer processing apparatus and method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5578539B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019182260A1 (en) * | 2018-03-23 | 2019-09-26 | 홍잉 | Inline thin film processing device |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6450437A (en) * | 1987-08-20 | 1989-02-27 | Shinetsu Eng Co Ltd | Vacuum transfer apparatus |
JPH04249337A (en) * | 1991-02-05 | 1992-09-04 | Mitsubishi Electric Corp | Conveyance apparatus |
JPH08119409A (en) * | 1994-10-27 | 1996-05-14 | Tokyo Electron Ltd | Centralized treating device |
JP4354039B2 (en) * | 1999-04-02 | 2009-10-28 | 東京エレクトロン株式会社 | Drive device |
JP2001237294A (en) * | 2000-02-23 | 2001-08-31 | Tatsumo Kk | Robot for specific environment |
JP2005246547A (en) * | 2004-03-04 | 2005-09-15 | Daihen Corp | Robot control system |
JP4660434B2 (en) * | 2006-07-21 | 2011-03-30 | 株式会社安川電機 | Conveying mechanism and processing apparatus having the same |
US7901539B2 (en) * | 2006-09-19 | 2011-03-08 | Intevac, Inc. | Apparatus and methods for transporting and processing substrates |
US8834088B2 (en) * | 2007-11-12 | 2014-09-16 | Intevac, Inc. | Elevator linear motor drive |
-
2008
- 2008-11-14 JP JP2008291966A patent/JP5578539B2/en active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019182260A1 (en) * | 2018-03-23 | 2019-09-26 | 홍잉 | Inline thin film processing device |
US11315818B2 (en) | 2018-03-23 | 2022-04-26 | Ying Hong | Inline thin film processing device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010118593A (en) | 2010-05-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5984036B2 (en) | A linear vacuum robot with z-motion and multi-joint arm | |
US8293066B2 (en) | Apparatus and methods for transporting and processing substrates | |
TWI446477B (en) | Apparatus and methods for transporting and processing substrates | |
US8419341B2 (en) | Linear vacuum robot with Z motion and articulated arm | |
US9524896B2 (en) | Apparatus and methods for transporting and processing substrates | |
JP2012039125A (en) | Robot for handling semiconductor wafers | |
JP5388279B2 (en) | Substrate transfer processing apparatus and method | |
TWI394224B (en) | Apparatus and methods for transporting and processing substrates | |
JP5247094B2 (en) | Substrate processing system | |
KR102439085B1 (en) | Apparatus and Methods for Wafer Rotation to Improve Spatial ALD Process Uniformity | |
JP5578539B2 (en) | Substrate transfer processing apparatus and method | |
TWI488247B (en) | Apparatus and method for transporting and processing substrates | |
TWI502694B (en) | Methods and apparatuses for transferring articles through a load lock chamber under vacuum | |
KR101718540B1 (en) | Apparatus and methods for transporting and processing substrates | |
EP2187433B1 (en) | Apparatus and method for transporting and processing substrates | |
KR20110049751A (en) | Apparatus and methods for transporting and processing substrates | |
KR20100052321A (en) | Apparatus and methods for transporting and processing substrates | |
CN101740439B (en) | Device and method for transmitting and processing substrate | |
JP7525169B2 (en) | Hybrid system architecture for thin film deposition | |
TW202249145A (en) | Shortened load port for factory interface | |
CN118511269A (en) | Nested atmospheric mechanical arm for high productivity | |
TW200915464A (en) | Compact substrate transport system with fast swap robot |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111005 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121221 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130108 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130404 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130409 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130708 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131112 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140128 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140131 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140512 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140610 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140702 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5578539 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |