JP5319755B2

JP5319755B2 - １−アルキル−５−ベンゾイル−１ｈ−テトラゾール誘導体の製造方法

Info

Publication number: JP5319755B2
Application number: JP2011503700A
Authority: JP
Inventors: 立美鈴木; 忠司杉浦; 芳和伊藤
Original assignee: Nippon Soda Co Ltd
Current assignee: Nippon Soda Co Ltd
Priority date: 2009-03-11
Filing date: 2010-03-08
Publication date: 2013-10-16
Anticipated expiration: 2030-03-08
Also published as: CN102341378A; CN102341378B; US20120004420A1; EP2407461A4; KR101350123B1; WO2010103783A1; US8273781B2; EP2407461A1; EP2407461B1; JPWO2010103783A1; KR20110108419A

Description

本発明は、１−アルキル−５−ベンゾイル−１Ｈ−テトラゾール誘導体の製造方法に関する。より詳細には、本発明は、製造および入手が比較的に容易な式(I)

（式中、Ａは、ハロゲン原子、アルキル基、ハロアルキル基、アルコキシ基、ハロアルコキシ基、アルキルスルホニル基、または無置換の若しくは置換基を有するアリール基、シアノ基又はニトロ基を表す。ｎは、０〜５のいずれかの整数を表す（ｎが２以上のとき、Ａ同士は互いに同一であっても、相異なっていてもよい。）。Ｙは、アルキル基を表す。）で表されるケトアミド誘導体を出発物質とする１−アルキル−５−ベンゾイル−１Ｈ−テトラゾール誘導体の製造方法に関する。
本願は、２００９年３月１１日に、日本に出願された特願２００９−０５７８７４号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。

農園芸作物の病害に対して、多数の防除薬剤が提案されている。例えば、特許文献１には、有用植物体に対し優れた薬効を有するテトラゾイルオキシム誘導体（式(1-a)）が開示され、それを植物病害防除剤として使用することが提案されている。

式(1-a)中、Ａは、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、メタンスルホニル基、トリフルオロメチル基、アリール基、シアノ基又はニトロ基であり；ｎは、０〜５のいずれかの整数であり；Ｙは、アルキル基であり；Ｈｅｔは置換基を有するピリジル基または置換基を有するチアゾイル基である。

この式(1-a)で表されるテトラゾイルオキシム誘導体は、式(IＶ)で表される１−アルキル−５−ベンゾイル−１Ｈ−テトラゾール誘導体にヒドロキシルアミンを反応させて式（Ｖ）で表されるテトラゾイルヒドロキシイミノ誘導体を得、次いで、これに、塩基（例えば、水素化ナトリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、トリエチルアミン、ピリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジンなど）の存在下で、Ｈｅｔ−ＣＨ2Ｌ（但し、Ｌは塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子である。）を反応させることによって製造できる。

この反応の原料となる式(IＶ)で表される１−アルキル−５−ベンゾイル−１Ｈ−テトラゾール誘導体は、非特許文献１に記載の方法で得ることができる。すなわち、式(b-1)で表されるテトラゾール誘導体に、有機リチウム化合物を反応させて式(b-2)で表される誘導体を得、これに式(b-3)で表されるエステル化合物を反応させて式(b-4)で表される誘導体を得、これに酸を作用させることによって式(IＶ)で表される１−アルキル−５−ベンゾイル−１Ｈ−テトラゾール誘導体を得ることができる。

ＷＯ２００３／０１６３０３

R. RAAP "Reactions of 1-Substituted 5-Tetrazoylliyhium Compounds; Preparation of 5-Substituted 1-Methyltetrazoles" Canadian Journal of Chemistry, 2139-2142, Vol.49, 1971

しかしながら、非特許文献１に記載の方法による式(IＶ)で表される１−アルキル−５−ベンゾイル−１Ｈ−テトラゾール誘導体の製造は、原料が制限される。そこで、本発明は、他の原料を出発物質とする１−アルキル−５−ベンゾイル−１Ｈ−テトラゾール誘導体の製造方法を提供することを課題とする。

本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、出発物質として製造および入手が比較的に容易な式(I)で表されるケトアミド誘導体をハロゲン化剤と反応させて、式(II)で表されるイミドイルハライド誘導体を得、得られたイミドイルハライド誘導体に式(III)で表されるアジ化物を反応させることによって式(IＶ)で表される１−アルキル−５−ベンゾイル−１Ｈ−テトラゾール誘導体を容易に得られることを見出した。本発明はこの知見に基づいて完成するに至ったものである。

すなわち、本発明は、
式(I)で表されるケトアミド誘導体をハロゲン化剤と反応させて、式(II)で表されるイミドイルハライド誘導体を得る工程１と、
式(II)で表されるイミドイルハライド誘導体を式(III)で表されるアジ化物と反応させて、式(IＶ)で表される１−アルキル−５−ベンゾイル−１Ｈ−テトラゾール誘導体を得る工程２とを含む、１−アルキル−５−ベンゾイル−１Ｈ−テトラゾール誘導体の製造方法である。

（式(I)中、Ａは、ハロゲン原子、アルキル基、ハロアルキル基、アルコキシ基、ハロアルコキシ基、アルキルスルホニル基、または無置換の若しくは置換基を有するアリール基、シアノ基又はニトロ基を表す。ｎは、０〜５のいずれかの整数を表す（ｎが２以上のとき、Ａ同士は互いに同一であっても、相異なっていてもよい。）。Ｙは、アルキル基を表す。）

（式(II)中、Ａ、ｎ及びＹは上記と同様の意味を表す。Ｘはハロゲン原子を表す。）

（式(III)中、Ｍはアルカリ金属またはアルカリ土類金属を表す。ｍは１又は２を表す。）

（式(ＩＶ)中、Ａ、ｎ及びＹは上記と同様の意味を表す。）
工程１において、前記ハロゲン化剤は、ホスゲン、塩化オキザリル、塩化チオニルおよびオキシ塩化リンからなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。
工程２において、前記式（ＩＩＩ）で表されるアジ化物は、アジ化ナトリウムであることが好ましい。
工程１において、溶媒として、クロロホルム、塩化メチレンまたはベンゼンを用いることが好ましい。

本発明の製造方法によれば、出発物質として製造および入手が比較的に容易な式(I)で表されるケトアミド誘導体を用いることができる。式(I)で表されるケトアミド誘導体をハロゲン化剤と反応させて、式(II)で表されるイミドイルハライド誘導体を得、これに式(III)で表されるアジ化物を反応させることによって式(IＶ)で表される１−アルキル−５−ベンゾイル−１Ｈ−テトラゾール誘導体が容易に得られる。さらに、式（ＩＶ）で表される１―アルキル―５―ベンゾイル―１Ｈ―テトラゾール誘導体をヒドロキシルアミンまたはその塩と反応させることによって、式（Ｖ）で表されるテトラゾイルヒドロキシルイミノ誘導体が容易に得られる。
式(IＶ)で表される１−アルキル−５−ベンゾイル−１Ｈ−テトラゾール誘導体および式（Ｖ）で表されるテトラゾイルヒドロキシルイミノ誘導体は、植物病害防除剤などを製造するための中間体として有用である。
例えば、式(IＶ)で表される１−アルキル−５−ベンゾイル−１Ｈ−テトラゾール誘導体にヒドロキシルアミンを反応させて式（Ｖ）で表されるテトラゾイルヒドロキシイミノ誘導体を得、次いで、これに、塩基の存在下で、Ｈｅｔ−ＣＨ2Ｌ（但し、Ｌは塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子である。）を反応させることによって優れた植物病害防除効を有する前記式(1-a)で表されるテトラゾイルオキシム誘導体を製造できる。

本発明の式(IＶ)で表される１−アルキル−５−ベンゾイル−１Ｈ−テトラゾール誘導体の製造方法は、
式(I)で表されるケトアミド誘導体をハロゲン化剤と反応させて、式(II)で表されるイミドイルハライド誘導体を得る工程１と、
式(II)で表されるイミドイルハライド誘導体を式(III)で表されるアジ化物と反応させて、式(IＶ)で表され１−アルキル−５−ベンゾイル−１Ｈ−テトラゾール誘導体を得る工程２とを含むものである。

I．式(II)で表されるイミドイルハライド誘導体の製造
式(I)で表されるケトアミド誘導体は、式(O)で表されるα−オキソカルボン酸エステル（式(O)中のＲはアルキル基などを表す。）等をＹＮＨ2でアミド化することによって得ることができる。また、特表２００２−５３２４６６号公報記載のα−ケトアミド誘導体を調製する方法を参考にすることによっても得ることができる。
なお、式(O)で表されるα−オキソカルボン酸エステルは、対応する構造のα−オキソカルボン酸およびその塩やα−ヒドロキシカルボン酸およびその塩等から容易に製造できる。

式(I)中、Ａは、ハロゲン原子、アルキル基、ハロアルキル基、アルコキシ基、ハロアルコキシ基、アルキルスルホニル基、または無置換の若しくは置換基を有するアリール基、シアノ基又はニトロ基を表す。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、およびヨウ素原子が挙げられる。
アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等が挙げられる。アルキル基を構成する炭素の数は１〜８が好ましい。
ハロアルキル基としては、フルオロメチル基、クロロメチル基、ブロモメチル基、ジフルオロメチル基、ジクロロメチル基、トリフルオロメチル基、トリクロロメチル基、トリフルオロエチル基、ペンタフルオロエチル基、３，３，３，２，２−ペンタフルオロプロピル基、２，２，２−トリフルオロ−１−トリフルオロメチルエチル基等が挙げられる。
ハロアルキル基を構成する炭素の数は１〜８が好ましい。

アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基等が挙げられる。アルコキシ基を構成する炭素の数は１〜８が好ましい。
ハロアルコキシ基としては、２−クロロ−ｎ−プロポキシ基、２，３−ジクロロブトキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。ハロアルコキシ基を構成する炭素の数は１〜８が好ましい。
アルキルスルホニル基としては、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ｎ−プロピルスルホニル基、ｉ−プロピルスルホニル基、ｔ-ブチルスルホニル基等が挙げられる。アルキルスルホニル基を構成する炭素の数は１〜８が好ましい。

アリール基は、単環または多環のアリール基を意味する。なお、多環アリール基は、少なくとも一つの環が芳香環であれば、残りの環が飽和環、不飽和環または芳香環のいずれであってもよい。アリール基のうち、Ｃ_6-10アリール基が好ましい。
無置換のアリール基として具体的には、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、アズレニル基、インダニル基、テトラリニル基等が挙げられる。

置換基を有するアリール基における「置換基」は、化学的に許容されるものであれば特に限定されない。具体的には、下記に例示する置換基を挙げることができる。
(1)フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子； (2)メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等のアルキル基； (3)シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基等のシクロアルキル基； (4)メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基等のアルコキシ基； (5)ビニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、１−ブテニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、１−メチル−２−プロペニル基、２−メチル−２−プロペニル基、１−ペンテニル基、２−ペンテニル基、３−ペンテニル基、４−ペンテニル基、１−メチル−２−ブテニル基、２−メチル−２−ブテニル基、１−ヘキセニル基、２−ヘキセニル基、３−ヘキセニル基、４−ヘキセニル基、５−ヘキセニル基等のアルケニル基；

(6)２−シクロプロペニル基、２−シクロペンテニル基、３−シクロヘキセニル基、４−シクロオクテニル基等のシクロアルケニル基； (7)ビニルオキシ基、アリルオキシ基、１−プロペニルオキシ基、２−ブテニルオキシ基等のアルケニルオキシ基； (8)エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、１−ブチニル基、２−ブチニル基、３−ブチニル基、１−メチル−２−プロピニル基、２−メチル−３−ブチニル基、１−ペンチニル基、２−ペンチニル基、３−ペンチニル基、４−ペンチニル基、１−メチル−２−ブチニル基、２−メチル−３−ペンチニル基、１−ヘキシニル基、１，１−ジメチル−２−ブチニル基等のアルキニル基； (9)エチニルオキシ基、プロパルギルオキシ基等のアルキニルオキシ基； (10)フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基等のアリール基；

(11)フェノキシ基、１−ナフトキシ基等のアリールオキシ基； (12)ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基； (13)ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基等のアラルキルオキシ基； (14)ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ベンゾイル基、シクロヘキシルカルボニル基、フタロイル基等のアシル基； (15)メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基； (16)カルボキシル基； (17)水酸基； (18)クロロメチル基、クロロエチル基、１，２−ジクロロ−ｎ−プロピル基、１−フルオロ−ｎ−ブチル基、パーフルオロ−ｎ−ペンチル基等のハロアルキル基； (19)２−クロロ−ｎ−プロポキシ基、２，３−ジクロロブトキシ基、トリフルオロメトキシ基等のハロアルコキシ基； (20)２−クロロ−１−プロペニル基、２−フルオロ−１−ブテニル基等のハロアルケニル基； (21)４，４−ジクロロ−１−ブチニル基、４−フルオロ−１−ペンチニル基、５−ブロモ−２−ペンチニル基等のハロアルキニル基；

(22)２−クロロ−１−プロペニルオキシ基、３−ブロモ−２−ブテニルオキシ基等のハロアルケニルオキシ基； (23)３−クロロ−プロパルギル基、３−ヨード−プロパルギル基等のハロアルキニル基； (24)３−クロロ−プロパルギルオキシ基、３−ヨード−プロパルギルオキシ基等のハロアルキニルオキシ基； (25)４−クロロフェニル基、４−フルオロフェニル基、２，４−ジクロロフェニル基等のハロアリール基； (26)４−フルオロフェノキシ基、４−クロロ−１−ナフトキシ基等のハロアリールオキシ基； (27)クロロアセチル基、トリフルオロアセチル基、トリクロロアセチル基、４−クロロベンゾイル基等のハロゲン置換アシル基； (28)メトキシメチル基、エトキシメチル基、１−エトキシエチル基、２−エトキシエチル基等のアルコキシアルキル基； (29)メトキシメトキシ基、エトキシメトキシ基、１−エトキシエトキシ基、２−エトキシエトキシ基等のアルコキシアルコキシ基； (30)シアノ基；

(31)イソシアノ基； (32)ニトロ基； (33)イソシアナト基； (34)シアナト基； (35)アミノ基（ＮＨ2基）； (36)メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のアルキルアミノ基； (37)アニリノ基、ナフチルアミノ基、アントラニルアミノ基等のアリールアミノ基； (38)ベンジルアミノ基、フェネチルアミノ基等のアラルキルアミノ基； (39)メチルスルホニルアミノ基、エチルスルホニルアミノ基、ｎ−プロピルスルホニルアミノ基、ｉ−プロピルスルホニルアミノ基、ｎ−ブチルスルホニルアミノ基等のアルキルスルホニルアミノ基； (40)フェニルスルホニルアミノ基等のアリールスルホニルアミノ基；

(41)ピラジニルスルホニルアミノ基等のヘテロアリールスルホニルアミノ基； (42)ホルミルアミノ基、アセチルアミノ基、プロパノイルアミノ基、ブチリルアミノ基、ｉ−プロピルカルボニルアミノ基、ベンゾイルアミノ基等のアシルアミノ基； (43)メトキシカルボニルアミノ基、エトキシカルボニルアミノ基等のアルコキシカルボニルアミノ基； (44)フルオロメチルスルホニルアミノ基、クロロメチルスルホニルアミノ基、ブロモメチルスルホニルアミノ基、ジフルオロメチルスルホニルアミノ基、ジクロロメチルスルホニルアミノ基、１，１−ジフルオロエチルスルホニルアミノ基、トリフルオロメチルスルホニルアミノ基、２，２，２−トリフルオロエチルスルホニルアミノ基、ペンタフルオロエチルスルホニルアミノ基等のハロアルキルスルホニルアミノ基； (45)ビス（メチルスルホニル）アミノ基、ビス（エチルスルホニル）アミノ基、（エチルスルホニル）（メチルスルホニル）アミノ基、ビス（ｎ−プロピルスルホニル）アミノ基、ビス（ｉ−プロピルスルホニル）アミノ基、ビス（ｎ−ブチルスルホニル）アミノ基、ビス（ｔ−ブチルスルホニル）アミノ基等のビス（アルキルスルホニル）アミノ基；

(46)ビス（フルオロメチルスルホニル）アミノ基、ビス（クロロメチルスルホニル）アミノ基、ビス（ブロモメチルスルホニル）アミノ基、ビス（ジクロロメチルスルホニル）アミノ基、ビス（１，１−ジフルオロエチルスルホニル）アミノ基、ビス（トリフルオロメチルスルホニル）アミノ基、ビス（２，２，２−トリフルオロエチルスルホニル）アミノ基、ビス（ペンタフルオロエチルスルホニル）アミノ基等のビス（ハロアルキルスルホニル）アミノ基； (47)ヒドラジノ基、Ｎ’−フェニルヒドラジノ基、Ｎ’−メトキシカルボニルヒドラジノ基、Ｎ’−アセチルヒドラジノ基、Ｎ’−メチルヒドラジノ基等の無置換の若しくは置換基を有するヒドラジノ基； (48)アミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、Ｎ−フェニル−Ｎ−メチルアミノカルボニル基等の無置換の若しくは置換基を有するアミノカルボニル基； (49)ヒドラジノカルボニル基、Ｎ’−メチルヒドラジノカルボニル基、Ｎ’−フェニルヒドラジノカルボニル基等の無置換の若しくは置換基を有するヒドラジノカルボニル基； (50)Ｎ−メチルイミノメチル基、１−Ｎ−フェニルイミノエチル基、Ｎ−ヒドロキシイミノメチル基、Ｎ−メトキシイミノメチル基等の無置換の若しくは置換基を有するイミノアルキル基；

(51)チオール基； (52)イソチオシアナト基； (53)チオシアナト基； (54)メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、ｉ−プロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、ｉ−ブチルチオ基、ｓ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基等のアルキルチオ基； (55)ビニルチオ基、アリルチオ基等のアルケニルチオ基； (56)エチニルチオ基、プロパルギルチオ基等のアルキニルチオ基； (57)フェニルチオ基、ナフチルチオ基等のアリールチオ基； (58)２−ピリジルチオ基、３−ピリダジルチオ基等のヘテロアリールチオ基； (59)ベンジルチオ基、フェネチルチオ基等のアラルキルチオ基； (60)２−ピリジルメチルチオ基、２−フリルメチルチオ基等のヘテロアリールアルキルチオ基； (61)メチルチオカルボニル基、エチルチオカルボニル基、ｎ−プロピルチオカルボニル基、ｉ−プロピルチオカルボニル基、ｎ−ブチルチオカルボニル基、ｉ−ブチルチオカルボニル基、ｓ−ブチルチオカルボニル基、ｔ−ブチルチオカルボニル基等のアルキルチオカルボニル基；

(62)メチルチオメチル基、１−メチルチオエチル基等のアルキルチオアルキル基； (63)フェニルチオメチル基、１−フェニルチオエチル基等のアリールチオアルキル基； (64)メチルチオメトキシ基、１−メチルチオエトキシ基等のアルキルチオアルコキシ基； (65)フェニルチオメトキシ基、１−フェニルチオエトキシ基等のアリールチオアルコキシ基； (66)メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ｔ−ブチルスルフィニル基等のアルキルスルフィニル基； (67)アリルスルフィニル基等のアルケニルスルフィニル基； (68)プロパルギルスルフィニル基等のアルキニルスルフィニル基； (69)フェニルスルフィニル基等のアリールスルフィニル基； (70)２−ピリジルスルフィニル基、３−ピリジルスルフィニル基等のヘテロアリールスルフィニル基； (71)ベンジルスルフィニル基、フェネチルスルフィニル基等のアラルキルスルフィニル基； (72)２−ピリジルメチルスルフィニル基、３−ピリジルメチルスルフィニル基等のヘテロアリールアルキルスルフィニル基；

(73)メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ｔ−ブチルスルホニル基等のアルキルスルホニル基； (74)アリルスルホニル基等のアルケニルスルホニル基； (75)プロパルギルスルホニル基等のアルキニルスルホニル基； (76)フェニルスルホニル基等のアリールスルホニル基； (77)２−ピリジルスルホニル基、３−ピリジルスルホニル基等のヘテロアリールスルホニル基； (78)ベンジルスルホニル基、フェネチルスルホニル基等のアラルキルスルホニル基； (79)２−ピリジルメチルスルホニル基、３−ピリジルメチルスルホニル基等のヘテロアリールアルキルスルホニル基； (80)フラン−２−イル基、フラン−３−イル基、チオフェン−２−イル基、チオフェン−３−イル基、ピロール−２−イル基、ピロール−３−イル基、オキサゾール−２−イル基、オキサゾール−４−イル基、オキサゾール−５−イル基、チアゾール−２−イル基、チアゾール−４−イル基、チアゾール−５−イル基、イソオキサゾール−３−イル基、イソオキサゾール−４−イル基、イソオキサゾール−５−イル基、イソチアゾール−３−イル基、イソチアゾール−４−イル基、イソチアゾール−５−イル基、イミダゾール−２−イル基、イミダソール−４−イル基、イミダゾール−５−イル基、ピラゾール−３−イル基、ピラゾール−４−イル基、ピラゾール−５−イル基、１，３，４−オキサジアゾール−２−イル基、１，３，４−チアジアゾール−２−イル基、１，２，３−トリアゾール−４−イル基、１，２，４−トリアゾール−３−イル基、１，２，４−トリアゾール−５−イル基等の不飽和複素５員環基；

(81)ピリジン−２−イル基、ピリジン−３−イル基、ピリジン−４−イル基、５−クロロ−３−ピリジル基、３−トリフルオロメチル−２−ピリジル基、ピリダジン−３−イル基、ピリダジン−４−イル基、ピラジン−２−イル基、ピリミジン−５−イル基、１，３，５−トリアジン−２−イル基、１，２，４−トリアジン−３−イル基等の不飽和複素６員環基； (82)テトラヒドロフラン−２−イル基、テトラヒドロピラン−４−イル基、ピペリジン−３−イル基、ピロリジン−２−イル基、モルホリノ基、ピペリジノ基、Ｎ−メチルピペラジノ基、オキサゾリン−２−イル基等の飽和若しくは部分不飽和複素環基； (83)２−ピリジルオキシ基、３−イソオキサゾリルオキシ基等の複素環オキシ基； (84)２−ピリジルメチル基、３−ピリジルメチル等のヘテロアリールアルキル基； (85)２−ピリジルメトキシ基、３−ピリジルメトキシ等のヘテロアリールアルコキシ基。
これら(1)〜(85)に例示された置換基は、その中にさらに(1)〜(85)に例示された置換基を化学的に許容される範囲で有することができる。

置換基を有するアリール基として具体的には、４−フルオロフェニル基、４−クロロフェニル基、２，４−ジクロロフェニル基、３，４−ジクロロフェニル基、３，５−ジクロロフェニル基、２，６−ジフルオロフェニル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、４−メトキシフェニル基、３，４−ジメトキシフェニル基、３，４−メチレンジオキシフェニル基、４−トリフルオロメトキシフェニル基、４−メトキシ−１−ナフチル基等を挙げることができる。
これらの中でも、Ａはハロゲン原子であるのが好ましい。

式(I)中、ｎは０〜５のいずれかの整数、好ましくは０〜３のいずれかの整数、より好ましくは０である。なお、ｎが２以上のとき、Ａ同士は互いに同一であっても、相異なっていてもよい。

式(I)中、Ｙは、アルキル基を表す。アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等が挙げられる。これらの中でも、Ｙとしては、炭素数１〜３のアルキル基が好ましく、メチル基が特に好ましい。

ハロゲン化剤としては、塩素の単体（塩素分子）、臭素の単体（臭素分子）、ヨウ素の単体（ヨウ素分子）、Ｎ−クロロスクシンイミド、Ｎ−ブロモスクシンイミド、五塩化リン、塩化ホスホリル、オキシ塩化リン、塩化チオニル、ホスゲン、塩化オキザリル、次亜塩素酸塩、次亜臭素酸塩、塩化シアヌル、２−クロロ−１，３−ジメチルベンズイミダゾリウム−クロリド、ビス（２，４，６−トリメチルピリジン）ブロモニウム・ヘキサフルオロフォスフェート、ビス（２，４，６−トリメチルピリジン）イオドニウム・ヘキサフルオロフォスフェート；１，３−ジアルキル−２−クロロイミダゾリニウムクロリドなどの１，３−ジアルキル−２−ハロゲノイミダゾリニウムハロゲニド類；四ハロゲン化炭素とＰ（Ｒ1）3との組み合わせ等が挙げられる。なお、Ｒ1はアルキル基またはアリール基である。これらのうち、ホスゲン、塩化オキザリル、塩化チオニル、およびオキシ塩化リンが特に好ましい。
ハロゲン化剤の使用量は、式(I)で表されるケトアミド誘導体１モルに対して、通常１．０〜３．０モル、好ましくは１．５〜２．５モルである。ハロゲン化剤を過剰に用いることによって溶媒を不要にすることができる。

ハロゲン化反応は、通常、無溶媒で若しくは溶媒中で行われる。溶媒としては、ハロゲン化反応に対して不活性なものであれば、特に制限されない。例えば、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸ｎ−ブチルなどのエステル系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒；ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ヘプタンなどの飽和炭化水素系溶媒；アセトニトリル、ベンゾニトリルなどのニトリル系溶媒；ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタンなどのエーテル系溶媒；ジメチルスルホキシド、スルホランなどの含イオウ溶媒；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセタミド、ヘキサメチルホスホロアミドなどのアミド系溶媒；塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒；ベンゼン、トルエン、モノクロロベンゼンなどの芳香族炭化水素系溶媒などが挙げられる。これらの溶媒は１種単独で若しくは２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの溶媒のうち、ハロゲン化炭化水素系溶媒または芳香族炭化水素系溶媒であることが好ましく、クロロホルム、塩化メチレンまたはベンゼンであることがさらに好ましい。
溶媒の使用量は、式(I)で表されるケトアミド誘導体１質量部に対して、通常０．００１〜１００質量部である。

反応時の温度は、通常０℃〜溶媒還流温度の範囲、好ましくは１０℃〜５０℃である。反応時間は反応規模に応じて変わるが、通常３０分間〜１２時間である。

反応終了後は、通常の後処理操作または生成物の精製を行うことができる。精製手段は特に制限されず、蒸留、再結晶、抽出またはカラムクロマトグラフィー等の公知慣用の手段を用いることができる。なお、溶媒留去により回収された溶媒は、再使用することができる。

以上の方法によって、式(II)で表されるイミドイルハライド誘導体が得られる。なお、式(II)中のＡ、ｎ及びＹは上記と同様の意味を表し、Ｘはハロゲン原子を表す。

II．式(IＶ)で表される１−アルキル−５−ベンゾイル−１Ｈ−テトラゾール誘導体の製造
次に、式(II)で表されるイミドイルハライド誘導体を式(III)で表されるアジ化物と反応させる。

式(III)中のＭはアルカリ金属またはアルカリ土類金属を表し、ｍは１又は２を表す。
式(III)で表されるアジ化物としては、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属のアジ化物、または、カルシウム、マグネシウム等のアルカリ土類金属のアジ化物が挙げられる。これらのうち、アルカリ金属のアジ化物が好ましく、アジ化ナトリウムがより好ましい。
式(III)で表されるアジ化物の使用量は、式(II)で表されるイミドイルハライド誘導体１モルに対して、１．０〜４．０モルが好ましく、１．１〜３．０モルがより好ましい。

式(II)で表されるイミドイルハライド誘導体と式（III）で表されるアジ化物との反応は、通常、溶媒中で行われる。該溶媒としては、極性溶媒または芳香族炭化水素溶媒が好ましい。
極性溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルホルムアニリド、アセトニトリル、テトラヒドロフランなどが挙げられる。これらの中、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトニトリル、テトラヒドロフランが好ましい。
芳香族炭化水素溶媒としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、クロロベンゼン、ニトロベンゼン、クメン、クロロトルエンなどが挙げられ、これらの中で特にトルエン、キシレンが好ましい。
溶媒の使用量は、式(II)で表されるイミドイルハライド誘導体１ｇに対して、１〜１５ｍｌが好ましく、３〜１０ｍｌがより好ましい。

芳香族炭化水素溶媒を用いる場合には、アミン塩を併用する必要がある。アミン塩としては、メチルアミン塩、エチルアミン塩、プロピルアミン塩、ブチルアミン塩、アミルアミン塩、ヘキシルアミン塩、シクロヘキシルアミン塩、ヘプチルアミン塩、オクチルアミン塩、アリルアミン塩、ベンジルアミン塩、α−フェニルエチルアミン塩、β−フェニルエチルアミン塩などの第一級アミン塩；ジメチルアミン塩、ジエチルアミン塩、ジプロピルアミン塩、ジブチルアミン塩、ジアミルアミン塩、ジヘキシルアミン塩、ジシクロヘキシルアミン塩、ジアリルアミン塩、モルホリン塩、ピペリジン塩、ヘキサメチレンイミン塩などの第二級アミン塩；トリメチルアミン塩、トリエチルアミン塩、トリプロピルアミン塩、トリブチルアミン塩、トリアミルアミン塩、トリヘキシルアミン塩、トリアリルアミン塩、ピリジン塩、トリエタノールアミン塩、Ｎ−メチルモルホリン塩、Ｎ，Ｎ−ジメチルシクロヘキシルアミン塩、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン塩、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン塩、４−ジメチルアミノピリジン塩などの第三級アミン塩などが挙げられる。これらのアミン塩は、２種以上を併用してもよい。

塩を形成する酸としては、特に限定されず、例えば、塩酸、臭化水素、硫酸、硝酸、リン酸、ホウ酸、アジ化水素、塩素酸、炭酸、硫化水素等の無機酸；蟻酸、酢酸、トリフルオロ酢酸、プロピオン酸、シュウ酸、メタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸等の有機酸などが挙げられる。アミン塩の使用量は、式(II)で表されるイミドイルハライド誘導体１モルに対して、０．１〜１．５モルが好ましく、０．３〜１．０モルがより好ましい。

反応温度は、低すぎると反応速度が小さくなり、高すぎると副生成物が多くなるため、０〜１５０℃程度が好ましく、２０〜１００℃程度がより好ましい。また、反応時間は、反応規模に依存するが、１〜４８時間程度が好ましく、１〜２４時間程度がより好ましい。

反応終了後、室温まで冷却し、水を加えて反応を停止することができる。水の添加量は、式(II)で表されるイミドイルハライド誘導体１ｇに対して、２〜１５ｍｌが好ましく、２〜１０ｍｌがより好ましい。次いで、分液操作、脱湿、ろ過、溶媒留去などの常法により粗生成物を得ることができる。そして、晶析、再結晶、カラムクロマトグラフィー等の精製により、式(IＶ)で表される１−アルキル−５−ベンゾイル−１Ｈ−テトラゾール誘導体を得ることができる。溶媒留去により回収された溶媒は、再使用することができる。なお、式（IＶ）中のＡ、ｎ及びＹは上記と同様の意味を表す。
さらに、式（ＩＶ）で表される１―アルキル―５―ベンゾイル―１Ｈ―テトラゾール誘導体をヒドロキシルアミンまたはその塩と反応させることによって、式（Ｖ）で表されるテトラゾイルヒドロキシルイミノ誘導体が容易に得られる。

本発明の製造方法で得られる式(IＶ)で表される１−アルキル−５−ベンゾイル−１Ｈ−テトラゾール誘導体および式（Ｖ）で表されるテトラゾイルヒドロキシルイミノ誘導体は、植物病害防除剤などを製造するための中間体として有用である。
例えば、式(IＶ)で表される１−アルキル−５−ベンゾイル−１Ｈ−テトラゾール誘導体および式（Ｖ）で表されるテトラゾイルヒドロキシルイミノ誘導体から、式(1-a)で表されるテトラゾイルオキシム誘導体を製造することができる。

III．テトラゾイルオキシム誘導体およびその塩の製造
既に述べたように、本発明の製造方法で得られる式(IＶ)で表される１−アルキル−５−ベンゾイル−１Ｈ−テトラゾール誘導体にヒドロキシルアミンを反応させて式（Ｖ）で表されるテトラゾイルヒドロキシイミノ誘導体を得、次いで、これに、塩基の存在下で、Ｈｅｔ−ＣＨ2Ｌ（但し、Ｌは塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子である。）を反応させることによって、式(1-a)で表されるテトラゾイルオキシム誘導体を製造することができる。なお、式(1-a)中、Ａは、ハロゲン原子、アルキル基、ハロアルキル基、アルコキシ基、ハロアルコキシ基、アルキルスルホニル基、または無置換の若しくは置換基を有するアリール基、シアノ基又はニトロ基であり；ｎは、０〜５のいずれかの整数（ｎが２以上のとき、Ａ同士は互いに同一であっても、相異なっていてもよい。）であり；Ｙは、アルキル基であり；Ｈｅｔは置換基を有するピリジル基または置換基を有するチアゾイル基である。

この反応に用いる塩基としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水素化ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等の無機塩基；トリエチルアミン、４−（ジメチルアミノ）ピリジン、ピリジン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノネン−５等の有機塩基；等が挙げられる。これらの塩基は一種単独で、若しくは二種以上を組み合わせて用いることができる。
塩基の使用量は、式（Ｖ）で表されるテトラゾイルヒドロキシイミノ誘導体に対し、通常０．０１〜１００倍モル、好ましくは０．１〜５倍モルである。

この反応は、溶媒存在下若しくは無溶媒で行うことができる。
用いる溶媒としては、本反応に不活性な溶媒であれば特に限定されない。例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒；ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン系溶媒；アセトニトリル、プロピオンニトリル等のニトリル系溶媒；ジエチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセタミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド系溶媒；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒；水；およびこれらの混合溶媒；等が挙げられる。

この反応を行う時の温度は、通常、−７０℃〜＋２００℃、好ましくは−２０℃〜＋１００℃である。反応時間は反応規模等にもよるが、通常、３０分間〜２４時間である。

また、式(1-a)で表される化合物の塩は、常法に従い、式(1-a)で表される化合物に酸を作用させることにより製造することができる。

Ｈｅｔで表される、置換基を有するピリジル基または置換基を有するチアゾイル基中の、置換基は、公知の化学反応によって、化学的に許容される基で置き換えることができる。

式(1-a)で表されるテトラゾイルオキシム誘導体には、オキシム部の炭素−窒素二重結合に基づく、（Ｅ）体および（Ｚ）体の立体異性体が存在する。通常、合成物は、（Ｚ）体のみ、若しくは（Ｅ）体と（Ｚ）体の混合物として得られる。（Ｅ）体と（Ｚ）体の混合物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー等の公知の手法により分離精製することにより、２つの異性体をそれぞれ単離することができる。（Ｚ）体および（Ｅ）体とも活性を有しており、中でも（Ｚ）体が好ましい。

式(1-a)で表されるテトラゾイルオキシム誘導体の塩は、農園芸学上許容される塩であれば、特に制限されない。例えば、塩酸塩、硝酸塩、硫酸塩、リン酸塩等の無機酸の塩；酢酸塩、乳酸塩、プロピオン酸塩、安息香酸塩等の有機酸の塩；が挙げられる。

いずれの反応においても、反応終了後においては、通常の後処理操作を行うことにより、目的とする式(1-a)で表される化合物およびその塩を単離することができる。また、生成物の精製が必要であれば、蒸留、再結晶またはカラムクロマトグラフィー等の公知慣用の精製手段を採用することができる。

IＶ. 植物病害防除剤
式(1-a)で表されるテトラゾイルオキシム誘導体またはその塩は、広範囲の種類の糸状菌、例えば、卵菌類（Oomycetes）、子のう（嚢）菌類（Ascomycetes）、不完全菌類（Deuteromycetes）、担子菌類（Basidiomycetes）に属する菌に対し優れた殺菌力を有する。
従って、式(1-a)で表されるテトラゾイルオキシム誘導体またはその塩を有効成分とする組成物は、花卉、芝、牧草を含む農園芸作物の栽培に際し発生する種々の病害の防除に、種子処理、茎葉散布、土壌施用または水面施用等により使用することができる。

また、近年種々の病原菌において、フェニルアマイド系殺菌剤やストロビルリン系殺菌剤等に対する耐性が発達し、それらの薬剤の効力不足を生じており、耐性菌にも有効な薬剤が望まれている。式(1-a)で表されるテトラゾイルオキシム誘導体またはその塩は、それら薬剤に対し感受性の病原菌のみならず、耐性菌にも優れた殺菌効果を有する薬剤である。

式(1-a)で表されるテトラゾイルオキシム誘導体またはその塩は、水棲生物が船底、魚網等の水中接触物に付着するのを防止するための防汚剤として使用することもできる。
また式(1-a)で表されるテトラゾイルオキシム誘導体またはその塩の製造工程において製造される中間体の中には殺菌活性を示すものがある。
さらにまた、式(1-a)で表されるテトラゾイルオキシム誘導体またはその塩を塗料や繊維等に混入させることで、壁や浴槽、若しくは靴や衣服の防菌、防黴剤として使用することもできる。

式(1-a)で表されるテトラゾイルオキシム誘導体またはその塩を有効成分として含有する植物病害防除剤は、式(1-a)で表されるテトラゾイルオキシム誘導体またはその塩のみからなる形態であってもよいし、一般の農薬のとり得る形態、即ち、水和剤、粒剤、粉剤、乳剤、水溶剤、懸濁剤、フロアブル等の形態であってもよい。
製剤中の有効成分量は、特に限定されないが、通常、組成物（製剤）全体に対して０．５〜９５質量％であり、好ましくは２〜７０質量％である。

式(1-a)で表されるテトラゾイルオキシム誘導体またはその塩を有効成分とする植物病害防除剤は単独でも十分有効であることは言うまでもないが、殺菌剤、殺虫・殺ダニ剤または共力剤と混合して使用することも出来る。

次に、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。但し、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。

実施例１（５−ベンゾイル−１−メチルテトラゾールの製造）
攪拌機、還流装置、および滴下漏斗を備えた反応器に、メタノール３６．５Ｌおよび式(Oa）で表される化合物１２ｋｇ（７３モル）を仕込み、温度を１５〜２０℃に調整しながらメチルアミン８７．６モルを添加して５時間反応させた。この反応によって式(Ia)で表される化合物１１．７９ｋｇを得た。収率は９５．４％であった。

上記で得られた式(Ia)で表される化合物をクロロホルム７３Ｌに添加し、温度を１５〜２０℃に調整しながら塩化チオニル１０９．５モルを添加して１時間反応させ、次いで溶媒還流温度にて６．５時間反応させた。この反応によって式(IIa)で表される化合物２３ｋｇ（溶媒を含む）を得た。

次に、式(IIa)で表される化合物をアセトニトリル６５．７Ｌに添加し、温度を９〜２７℃に調整しながらアジ化ナトリウム８７．６モルを添加して１２時間反応させた。この反応によって式(IＶa)で表される化合物を得た。収率は６２．５％であった。

式(IＶa)で表される化合物７．５ｋｇをエタノール７９．８Ｌに添加し、温度を４５〜５０℃に調整しながらヒドロキシルアミン塩酸塩７９．８モルを添加して７時間反応させた。この反応によって式（Ｖａ）で表される化合物を得た。Ｚ体とＥ体とを９４．３：５．７の割合で含んでいた。収率は９３％であった。

本発明の製造方法によれば、出発物質として製造および入手が比較的に容易なケトアミド誘導体を用いて、優れた植物病害防除効を有するテトラゾイルオキシム誘導体を製造できるので、産業上有用である。

Claims

式(Ｉ)

（式(Ｉ)中、Ａは、ハロゲン原子、アルキル基、ハロアルキル基、アルコキシ基、ハロアルコキシ基、アルキルスルホニル基、または無置換の若しくは置換基を有するアリール基、シアノ基又はニトロ基を表す。ｎは、０〜５のいずれかの整数を表す（ｎが２以上のとき、Ａ同士は互いに同一であっても、相異なっていてもよい。）。Ｙは、アルキル基を表す。）で表されるケトアミド誘導体を、ハロゲン化剤と反応させて、
式(ＩＩ)

（式(ＩＩ)中、Ａ、ｎ及びＹは上記と同様の意味を表す。Ｘはハロゲン原子を表す。）で表されるイミドイルハライド誘導体を得る工程１と、
前記式(ＩＩ)で表されるイミドイルハライド誘導体を、式(ＩＩＩ)

（式(ＩＩＩ)中、Ｍはアルカリ金属またはアルカリ土類金属を表す。ｍは１又は２を表す。）で表されるアジ化物と反応させて、
式(ＩＶ)

（式(ＩＶ)中、Ａ、ｎ及びＹは上記と同様の意味を表す。）で表される１−アルキル−５−ベンゾイル−１Ｈ−テトラゾール誘導体を得る工程２とを含む、
１−アルキル−５−ベンゾイル−１Ｈ−テトラゾール誘導体の製造方法。
前記工程１において、前記ハロゲン化剤が、ホスゲン、塩化オキザリル、塩化チオニルおよびオキシ塩化リンからなる群より選択される少なくとも１種であることを特徴とする請求項１に記載の１−アルキル−５−ベンゾイル−１Ｈ−テトラゾール誘導体の製造方法。
前記工程２において、前記式（ＩＩＩ）で表されるアジ化物が、アジ化ナトリウムであることを特徴とする請求項１に記載の１−アルキル−５−ベンゾイル−１Ｈ−テトラゾール誘導体の製造方法。
前記工程１において、溶媒として、クロロホルム、塩化メチレンまたはベンゼンを用いることを特徴とする請求項１に記載の１―アルキル―５―ベンゾイル―１Ｈ―テトラゾール誘導体の製造方法。