JP4904742B2

JP4904742B2 - パターンの形成方法およびパターンを有する物品

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Publication number: JP4904742B2
Application number: JP2005236223A
Authority: JP
Inventors: 泰秀川口; 昭彦浅川; 健二石関; 武江里口; 王明柏木; 大祐白川
Original assignee: Asahi Glass Co Ltd
Current assignee: AGC Inc
Priority date: 2004-09-16
Filing date: 2005-08-17
Publication date: 2012-03-28
Anticipated expiration: 2025-08-17
Also published as: JP2006114882A

Description

本発明は、微細なパターンの形成方法および微細なパターンを有する物品に関する。

半導体装置の製造において、５０μｍ以下の微細なパターンの形成および量産性を両立させる技術として、基板上に設けられた転写層に、モールドの微細パターンを転写する技術、いわゆるナノインプリント技術が知られている（特許文献１〜５参照）。また、微細なパターンを寸法精度よく転写する技術として、転写層に紫外線硬化性樹脂を使用した室温でのナノインプリント技術が知られている（特許文献６、７参照）。

しかし、転写層に紫外線硬化性樹脂を使用したナノインプリント技術の場合、紫外線硬化樹脂がモールドに密着してしまうため、モールドの表面にフッ素系または珪素系の離型剤を塗布する手間が必要であった。また、離型剤自体の膜厚、離型剤の塗布ムラ等により、モールドのパターンを精密に転写することは困難であった。また、離型剤の一部がモールドから剥離する等、離型剤に寿命があることから、大量生産時に連続して精密にパターンを転写することは困難であった。

米国特許第５７７２９０５号明細書特開２０００−３２３４６１号公報特開２００３−１５５３６５号公報米国特許第６４８２７４２号明細書米国特許第６７１９９１５号明細書米国特許第６６９６２２０号明細書特開２００４−７１９３４号公報

本発明の目的は、モールドのパターンを連続して精密に基板上に転写できるパターンの形成方法、およびモールドのパターンが精密に転写された物品を提供することにある。

本発明のパターンの形成方法は、フッ素含有量が４０〜７０質量％の重合性化合物（Ａ）、および光重合開始剤である重合開始剤（Ｂ）を含有する硬化性材料を基板上に塗布する工程と、表面に最小寸法が５００ｎｍ以下であるパターンが形成されたモールドを、パターンが硬化性材料に接触するように、基板上の硬化性材料に押しつける工程と、モールドを硬化性材料に押しつけた状態で硬化性材料を硬化させる工程と、硬化性材料の硬化物からモールドを分離する工程とを有することを特徴とする。

また、本発明のパターンの形成方法は、基板と、表面に最小寸法が５００ｎｍ以下であるパターンが形成されたモールドとを、パターンが基板側になるように接近または接触させる工程と、フッ素含有量が４０〜７０質量％の重合性化合物（Ａ）、および光重合開始剤である重合開始剤（Ｂ）を含有する硬化性材料を、基板とモールドとの間に充填する工程と、基板とモールドとが接近または接触した状態で硬化性材料を硬化させる工程と、硬化性材料の硬化物からモールドを分離する工程とを有することを特徴とする。

また、本発明のパターンの形成方法は、フッ素含有量が４０〜７０質量％の重合性化合物（Ａ）、および光重合開始剤である重合開始剤（Ｂ）を含有する硬化性材料を、表面に最小寸法が５００ｎｍ以下であるパターンが形成されたモールドのパターン上に塗布する工程と、基板をモールド上の硬化性材料に押しつける工程と、基板を硬化性材料に押しつけた状態で硬化性材料を硬化させる工程と、硬化性材料の硬化物からモールドを分離する工程とを有することを特徴とする。
前記モールドとして、離型剤が塗布されていないものを用いることが好ましい。

また、本発明の物品は、本発明のパターンの形成方法によって形成されたパターンを有するものである。

本発明のパターンの形成方法によれば、モールドのパターンを連続して精密に基板上に転写できる。また、本発明のパターンの形成方法によれば、モールドのパターンが精密に転写された、本発明のパターンを有する物品を生産性よく製造できる。

本発明においては、式（１）で表されるモノマーをモノマー１と表す。他の式で表されるモノマーも同様に表す。

本発明のパターンの形成方法は、たとえば、図１に示すように、硬化性材料１１を基板１２上に塗布する工程（以下、塗布工程と記す。）と、図２に示すように、表面に凹凸パターン１３が形成されたモールド１４を、凹凸パターン１３が硬化性材料１１に接触するように、基板１２上の硬化性材料１１に押しつける工程（以下、型押し工程と記す。）と、モールド１４を硬化性材料１１に押しつけた状態で硬化性材料１１を硬化させる工程（以下、硬化工程と記す。）と、図３に示すように、モールド１４の凹凸パターン１３に対応した凹凸パターン１５が転写された硬化性材料の硬化物１６からモールド１４を分離する工程（以下、離型工程と記す。）とを有する方法である。

＜塗布工程＞
硬化性材料１１を基板１２上に塗布する方法としては、ポッティング法、スピンコート法、ロールコート法、キャスト法、ディップコート法、ダイコート法、ラングミュアープロジェット法、真空蒸着法等が挙げられる。

基板１２がモールド１４よりも大きい場合、硬化性材料１１を基板１２全面に塗布してもよいし、モールド１４を型押しする範囲のみに硬化性材料１１が存在するように、硬化性材料１１を基板１２の一部に塗布してもよい。

（基板）
基板１２としては、シリコンウェハ、ガラス、石英ガラス、金属等の無機材料からなる基板、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等の有機材料からなる基板等が挙げられる。硬化性材料１１との密着性を向上させるために、基板１２に、粗面処理、シランカップリング処理、シラザン処理等の表面処理を施してもよい。

（硬化性材料）
硬化性材料１１は、フッ素含有量が４０〜７０質量％の重合性化合物（Ａ）、および重合開始剤（Ｂ）を含有するものであり、必要に応じて他の重合性化合物（Ｃ）、光増感剤（Ｄ）、溶剤（Ｅ）をさらに含有していてもよい。

本発明における重合性化合物とは、重合性の不飽和結合含有基（以下、単に重合性の不飽和基という。）、エポキシ基等の重合性の基を有する化合物である。重合性化合物としては、重合性の不飽和基を有する化合物が好ましい。重合性の不飽和基としては、ビニル基、アリル基、アクリロイル基、またはメタクリロイル基が好ましい。重合性の観点から、アクリロイル基またはメタクリロイル基が特に好ましい。また、重合性の不飽和基は、フッ素原子を有していてもよい。

（重合性化合物（Ａ））
重合性化合物（Ａ）は、フッ素含有量が４０〜７０質量％の重合性化合物である。重合性化合物（Ａ）のフッ素含有量は、４５〜６５質量％が好ましい。重合性化合物（Ａ）のフッ素含有量を４０質量％以上とすることで、硬化後の硬化性材料１１（硬化物１６）がモールド１４に密着することなく、離型性がよくなる。重合性化合物（Ａ）のフッ素含有量を７０質量％以下とすることで、重合開始剤（Ｂ）との相溶性がよくなり、硬化が均一に進行する。本発明におけるフッ素含有量とは、重合性化合物（Ａ）を構成するすべての原子に占めるフッ素原子の質量割合である。

本発明における重合性化合物（Ａ）としては、下記モノマー１、下記モノマー２、下記モノマー３、下記モノマー４、下記モノマー５、下記モノマー６、下記モノマー７、および重合性の不飽和基を含有するフルオロプレポリマーからなる群れから選ばれる１種以上が好ましい。

ただし、式中の記号は下記の意味を示す。
モノマー１中、Ｒ¹¹、Ｒ¹²、およびＲ¹³は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、炭素数１〜３のアルキル基、または炭素数１〜３のポリフルオロアルキル基を表し、Ｑ¹¹は、単結合、炭素数１〜２０のポリフルオロアルキレン基、または炭素数１〜２０のエーテル性酸素原子を含むポリフルオロアルキレン基を表し、Ｘ¹¹は、臭素原子、ヨウ素原子、−ＣＨ₂ＯＨ、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＣＨ₃、−ＣＯＯＭ¹、−ＳＯ₂Ｆ、−ＳＯ₃Ｈ、−ＳＯ₃Ｍ²、−ＣＮ、−ＣＨ₂ＯＰＯ₂Ｈ、または−ＣＨ₂ＰＯ₃Ｈ₂（ただし、Ｍ¹ およびＭ² は、それぞれ独立に、アルカリ金属を表す。）を表し、ｚは、０または１を表す。

モノマー２中、Ｒ²¹、Ｒ²²、およびＲ²³は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、炭素数１〜３のアルキル基、または炭素数１〜３のポリフルオロアルキル基を表し、Ｑ²¹は、炭素数１〜２０の水酸基を含有していてもよいポリフルオロアルキレン基、または炭素数１〜２０の水酸基を含有していてもよいエーテル性酸素原子を含むポリフルオロアルキレン基を表し、Ｘ²¹は、水素原子、フッ素原子、−ＣＨ₂ＯＨ、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＣＨ₃、−ＣＯＯＭ¹、−ＳＯ₂Ｆ、−ＳＯ₃Ｈ、−ＳＯ₃Ｍ²、−ＣＮ、−ＣＨ₂ＯＰＯ₂Ｈ、または−ＣＨ₂ＰＯ₃Ｈ₂（ただしＭ¹ およびＭ² は、それぞれ独立に、アルカリ金属を表す）を表す。

モノマー３、４中、Ｒ³¹、Ｒ³²、Ｒ³³、およびＲ³⁴は、それぞれ独立に、フッ素原子、炭素数１〜３のペルフルオロアルキル基、または炭素数１〜３のペルフルオロアルコキシ基を表し、Ｒ⁴¹およびＲ⁴²は、それぞれ独立に、フッ素原子または炭素数１〜７のペルフルオロアルキル基を表す。

モノマー５中、Ｒ⁵¹およびＲ⁵²は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、炭素数１〜３のアルキル基、または炭素数１〜３のポリフルオロアルキル基を表し、Ｑ⁵¹は、ポリフルオロアルキレン基、水酸基を含有するポリフルオロアルキレン基を表す。

モノマー６中、Ｒ⁶¹、Ｒ⁶²、Ｒ⁶³、Ｒ⁶⁴、Ｒ⁶⁵、およびＲ⁶⁶は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、メチル基、または炭素数１〜３のポリフルオロアルキル基を表し、少なくとも１つはフッ素原子である。Ｑ⁶¹およびＱ⁶²は、それぞれ独立に、単結合、酸素原子、メチレン基、ジフルオロメチレン基、オキシジフルオロメチレン基、もしくはフッ素原子、炭素数１〜３のペルフルオロアルキル基または炭素数１〜３のペルフルオロアルコキシ基で置換されたメチレン基を表し、Ｒ⁶⁷は、水素原子、フッ素原子、炭素数１〜３のアルキル基、または炭素数１〜３のポルフルオロアルキル基を表し、Ｒ⁶⁸は、水素原子、フッ素原子、炭素数１〜３のアルキル基、もしくは炭素数１〜３のポリフルオロアルキル基、水酸基、スルホニル基、チオール基、カルボキシル基、およびアミノ基から選ばれる官能基を有する炭素数１〜６のポリフルオロアルキル基を表す。

モノマー７中、Ｑ⁷¹は、環構造を有していてもよい含フッ素アルキレン基を表す。

モノマー１としては、たとえば、ＣＦ₂＝ＣＦＯＣＦ₂ＣＦ₂ＳＯ₂Ｆ、ＣＦ₂＝ＣＦＯＣＦ₂ＣＦ（ＣＦ₃）ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＳＯ₂Ｆ、ＣＦ₂＝ＣＦＣＯＯＨ、ＣＦ₂＝ＣＦＯ（ＣＦ₂）₃ＣＯＯＣＨ₃、ＣＦ₂＝ＣＦＯ（ＣＦ₂）₃ＣＨ₂ＯＨ、ＣＦ₂＝ＣＦＯＣＦ₂ＣＦ（ＣＦ₃）ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＨ₂Ｉ等が挙げられる。

モノマー２としては、たとえば、ＣＨ₂＝ＣＨＣＯＯ（ＣＨ₂）₂（ＣＦ₂）₁₀Ｆ、ＣＨ₂＝ＣＨＣＯＯ（ＣＨ₂）₂（ＣＦ₂）₈Ｆ、ＣＨ₂＝ＣＨＣＯＯ（ＣＨ₂）₂（ＣＦ₂）₆Ｆ、ＣＨ₂＝Ｃ（ＣＨ₃）ＣＯＯ（ＣＨ₂）₂（ＣＦ₂）₁₀Ｆ、ＣＨ₂＝Ｃ（ＣＨ₃）ＣＯＯ（ＣＨ₂）₂（ＣＦ₂）₈Ｆ、ＣＨ₂＝Ｃ（ＣＨ₃）ＣＯＯ（ＣＨ₂）₂（ＣＦ₂）₆Ｆ、ＣＨ₂＝ＣＨＣＯＯＣＨ₂（ＣＦ₂）₆Ｆ、ＣＨ₂＝Ｃ（ＣＨ₃）ＣＯＯＣＨ₂（ＣＦ₂）₆Ｆ、ＣＨ₂＝ＣＨＣＯＯＣＨ₂（ＣＦ₂）₇Ｆ、ＣＨ₂＝Ｃ（ＣＨ₃）ＣＯＯＣＨ₂（ＣＦ₂）₇Ｆ、ＣＨ₂＝ＣＨＣＯＯＣＨ₂ＣＦ₂ＣＦ₂Ｈ、ＣＨ₂＝ＣＨＣＯＯＣＨ₂（ＣＦ₂ＣＦ₂）₂Ｈ、ＣＨ₂＝ＣＨＣＯＯＣＨ₂（ＣＦ₂ＣＦ₂）₄Ｈ、ＣＨ₂＝Ｃ（ＣＨ₃）ＣＯＯＣＨ₂（ＣＦ₂ＣＦ₂）Ｈ、ＣＨ₂＝Ｃ（ＣＨ₃）ＣＯＯＣＨ₂（ＣＦ₂ＣＦ₂）₂Ｈ、ＣＨ₂＝Ｃ（ＣＨ₃）ＣＯＯＣＨ₂（ＣＦ₂ＣＦ₂）₄Ｈ、ＣＨ₂＝ＣＨＣＯＯＣＨ₂ＣＦ₂ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＯＣＦ₃、ＣＨ₂＝ＣＨＣＯＯＣＨ₂ＣＦ₂Ｏ（ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ）₃ＣＦ₃、ＣＨ₂＝Ｃ（ＣＨ₃）ＣＯＯＣＨ₂ＣＦ₂ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＯＣＦ₃、ＣＨ₂＝Ｃ（ＣＨ₃）ＣＯＯＣＨ₂ＣＦ₂Ｏ（ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ）₃ＣＦ₃、ＣＨ₂＝ＣＨＣＯＯＣＨ₂ＣＦ（ＣＦ₃）ＯＣＦ₂ＣＦ（ＣＦ₃）Ｏ（ＣＦ₂）₃Ｆ、ＣＨ₂＝ＣＨＣＯＯＣＨ₂ＣＦ（ＣＦ₃）Ｏ（ＣＦ₂ＣＦ（ＣＦ₃）Ｏ）₂（ＣＦ₂）₃Ｆ、ＣＨ₂＝Ｃ（ＣＨ₃）ＣＯＯＣＨ₂ＣＦ（ＣＦ₃）ＯＣＦ₂ＣＦ（ＣＦ₃）Ｏ（ＣＦ₂）₃Ｆ、ＣＨ₂＝Ｃ（ＣＨ₃）ＣＯＯＣＨ₂ＣＦ（ＣＦ₃）Ｏ（ＣＦ₂ＣＦ（ＣＦ₃）Ｏ）₂（ＣＦ₂）₃Ｆ、ＣＨ₂＝ＣＦＣＯＯＣＨ₂ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ₂（ＣＦ₂）₆ＣＦ（ＣＦ₃）₂、ＣＨ₂＝ＣＦＣＯＯＣＨ₂ＣＨ（ＣＨ₂ＯＨ）ＣＨ₂（ＣＦ₂）₆ＣＦ（ＣＦ₃）₂、ＣＨ₂＝ＣＦＣＯＯＣＨ₂ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ₂（ＣＦ₂）₁₀Ｆ、ＣＨ₂＝ＣＦＣＯＯＣＨ₂ＣＨ（ＣＨ₂ＯＨ）ＣＨ₂（ＣＦ₂）₁₀Ｆ等が挙げられる。

モノマー３、４としては、たとえば、下式のものが挙げられる。

モノマー５としては、たとえば、下式のものが挙げられる。

（ただし、ｋ１およびｋ２は、それぞれ独立に、３〜１０の整数を表す。）。

モノマー６としては、たとえば、ＣＦ₂＝ＣＦＣＦ₂ＣＦ＝ＣＦ₂、ＣＦ₂＝ＣＦＯＣＦ₂ＣＦ＝ＣＦ₂、ＣＦ₂＝ＣＦＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ＝ＣＦ₂、ＣＦ₂＝ＣＦＯＣＦ（ＣＦ₃）ＣＦ₂ＣＦ＝ＣＦ₂、ＣＦ₂＝ＣＦＯＣＦ₂ＣＦ（ＣＦ₃）ＣＦ＝ＣＦ₂、ＣＦ₂＝ＣＦＯＣＦ₂ＯＣＦ＝ＣＦ₂、ＣＦ₂＝ＣＦＯＣＦ₂ＣＦ（ＣＦ₃）ＯＣＦ₂ＣＦ＝ＣＦ₂、ＣＦ₂＝ＣＦＣＦ₂Ｃ（ＯＨ）（ＣＦ₃）ＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨ₂、ＣＦ₂＝ＣＦＣＦ₂Ｃ（ＯＨ）（ＣＦ₃）ＣＨ＝ＣＨ₂、ＣＦ₂＝ＣＦＣＦ₂Ｃ（ＣＦ₃）（ＯＣＨ₂ＯＣＨ₃）ＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨ₂、ＣＦ₂＝ＣＦＣＨ₂Ｃ（Ｃ（ＣＦ₃）₂ＯＨ）（ＣＦ₃）ＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨ₂等が挙げられる。

その他の好ましい重合性化合物（Ａ）としては、モノマー１〜７からなる群から選ばれる１以上のモノマーの重合により得られる２〜２０の繰り返し単位からなる重合性化合物（Ａ）、下記のモノマー８、フルオロノルボルネン等が挙げられる。

重合性の不飽和基を有するフルオロプレポリマー（以下、単にフルオロプレポリマーともいう。）としては、（メタ）アクリロイル基を有するフルオロプレポリマー、またはビニル基を有するフルオロプレポリマーが好ましい。ただし、（メタ）アクリロイル基とは、アクリロイル基またはメタクリロイル基を意味する。

フルオロプレポリマーの数平均分子量は、硬化性の観点から５００〜５００００が好ましい。

（メタ）アクリロイル基を有するフルオロプレポリマーとしては、フルオロモノマーと水酸基を含有するモノマーとの共重合により得られるフルオロポリマーにハロホルメートを反応させて得られるフルオロプレポリマー；該フルオロポリマーにイソシアネート基と（メタ）アクリロイル基を含有するモノマーを反応させて得られるフルオロプレポリマー等が挙げられる。

フルオロプレポリマーにおけるフルオロモノマーとしては、前記モノマー１〜前記モノマー９および他のフルオロモノマーからなる群から選ばれる１種以上が好ましい。他のフルオロモノマーとしては、たとえば、ポリフルオロオレフィン、クロロフルオロオレフィン、ポリフルオロ（アルケニルエーテル）、ポリフルオロビニルエステル等が挙げられる。

ポリフルオロオレフィンとしては、たとえば、ＣＦ₂＝ＣＦ₂、ＣＦ₂＝ＣＨＦ、ＣＦ₂＝ＣＨ₂、ＣＨＦ＝ＣＨ₂、ＣＦ₂＝ＣＦＣＦ₃、ＣＨ₂＝ＣＦＣＦ₃、ＣＨ₂＝ＣＸ¹Ｒ^F1（Ｒ^F1は炭素数１〜８のポリフルオロアルキル基を表し、Ｘ¹ は水素原子またはフッ素原子を表す。）（ＣＨ₂＝ＣＦＣＦ₂ＣＦ₃、ＣＨ₂＝ＣＦ（ＣＦ₂）₄Ｈ、ＣＨ₂＝ＣＨＣＦ₂ＣＦ₃、ＣＨ₂＝ＣＨ（ＣＦ₂）₄Ｆ等。）等が挙げられる。

クロロフルオロオレフィンとしては、たとえば、ＣＦ₂＝ＣＦＣｌ等が挙げられる。

ポリフルオロ（アルケニルエーテル）としては、たとえば、ＣＦ₂＝ＣＦＯＲ^F2（Ｒ^F2は炭素数１〜８のエーテル性酸素原子を含有してもよいポリフルオロアルキル基を表す。
）、ＣＦ₂＝ＣＦＯ（ＣＦ₂）₃Ｆ、ＣＦ₂＝ＣＦＯＣＦ₂ＣＦ（ＣＦ₃）Ｏ（ＣＦ₂）₃Ｆ、ＣＦ₂＝ＣＦＯＣＨ₂ＣＦ₃、ＣＦ₂＝ＣＦＣＦ₂ＯＲ^F3（Ｒ^F3は炭素数１〜８のエーテル性酸素原子を含有してもよいポリフルオロアルキル基を表す。）（ＣＦ₂＝ＣＦＣＦ₂Ｏ（ＣＦ₂）₃Ｆ等。）等が挙げられる。

ポリフルオロビニルエステルとしては、たとえば、ＣＨ₂＝ＣＨＯＣ（Ｏ）ＣＦ₃等が挙げられる。

また、エチレン、プロピレン等のオレフィン類、ビニルエーテル類、ビニルエステル類、アリルエーテル類、アリルエステル類、アクリル酸類、メタクリル酸類等をモノマーとして適宜用いてもよい。

フルオロプレポリマーにおける水酸基を含有するモノマーとしては、前記モノマー１〜前記モノマー９に記載される水酸基を含有するモノマー、および他の水酸基を含有するモノマー（ヒドロキシルブチルビニルエーテル等）が好ましい。

フルオロプレポリマーにおけるハロホルメートとしては、重合性クロロホルメート（２−クロロホルミルエチルメタクリル酸エステル等）が好ましい。

（重合開始剤（Ｂ））
重合開始剤（Ｂ）としては、光重合開始剤、熱重合開始剤等が挙げられる。本発明においては、得られるパターンの寸法精度がよいことから、光重合方式による硬化が好適である。よって、重合開始剤（Ｂ）としては、光重合開始剤が好ましい。

光重合開始剤は、光によりラジカル反応またはイオン反応を引き起こすものであり、ラジカル反応を引き起こす光重合開始剤が好ましい。光重合開始剤としては、下記の光重合開始剤が挙げられる。

アセトフェノン系の光重合開始剤：アセトフェノン、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルトリクロロアセトフェノン、クロロアセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、ヒドロキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２’−フェニルアセトフェノン、２−アミノアセトフェノン、ジアルキルアミノアセトフェノン等。

ベンゾイン系の光重合開始剤：ベンジル、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル−２−メチルプロパン−１−オン、１−（４−イソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、ベンジルジメチルケタール等。

ベンゾフェノン系の光重合開始剤：ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、ベンゾイル安息香酸メチル、メチル−ｏ−ベンゾイルベンゾエート、４−フェニルベンゾフェノン、ヒドロキシベンゾフェノン、ヒドロキシプロピルベンゾフェノン、アクリルベンゾフェノン、４，４’−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン等。

チオキサントン系の光重合開始剤：チオキサントン、２−クロロチオキサントン、２−メチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ジメチルチオキサントン等。

フッ素原子を含有する光重合開始剤：ペルフルオロ（ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシド）、ペルフルオロベンゾイルペルオキシド等。

その他の光重合開始剤：α−アシルオキシムエステル、ベンジル−（ｏ−エトキシカルボニル）−α−モノオキシム、アシルホスフィンオキサイド、グリオキシエステル、３−ケトクマリン、２−エチルアンスラキノン、カンファーキノン、テトラメチルチウラムスルフィド、アゾビスイソブチロニトリル、ベンゾイルペルオキシド、ジアルキルペルオキシド、ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシピバレート等。

本発明における重合性化合物（Ａ）がエポキシ基を有する重合性化合物である場合は、光重合開始剤には光酸発生剤が用いられる。ただし、光酸発生剤とは光により酸を発生する化合物である。光酸発生剤としては、通常の化学増幅型レジスト組成物に使用される酸発生化合物が採用可能である。光酸発生剤の具体例としては、オニウム塩、ジアゾケトン化合物、スルホン化合物、スルホン酸化合物等が挙げられる。

オニウム塩の具体例としては、ヨードニウム塩（ジフェニルヨードニウムトリフレート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフレート等。）、スルホニウム塩（トリフェニルスルホニウムトリフレート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、１−（ナフチルアセトメチル）チオラニウムトリフレート、シクロヘキシルメチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウムトリフレート、ジシクロヘキシル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウムトリフレート等。）、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、ピリジニウム塩等を挙げられる。

重合開始剤（Ｂ）は、重合性化合物（Ａ）および他の重合性化合物（Ｃ）の合計１００質量部に対して、０．０５質量部以上を用いることが好ましく、０．１〜１０質量部を用いることが特に好ましい。０．０５質量部以上とすることにより、硬化が充分に進行し、硬化物に重合性化合物が残存することがなく、１０質量部以下とすることにより、硬化物の分子量が充分に高くなり、得られる精密パターンの機械特性が損なわれることがない。

（他の重合性化合物（Ｃ））
他の重合性化合物（Ｃ）は、前記重合性化合物（Ａ）と共重合可能であるフッ素原子を含まない重合性化合物、またはフッ素含有量が４０質量％未満の重合性化合物である。

前者の重合性化合物としては、下記の化合物等が挙げられる。
炭化水素系オレフィン：エチレン、プロピレン、ブテン、ノルボルネン等。
炭化水素系ジエン：ノルボルナジエン、ブタジエン等。
炭化水素系アルケニルエーテル：シクロヘキシルメチルビニルエーテル、イソブチルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテル、エチルビニルエーテル等のアルキルビニルエーテル、グリシジルビニルエーテル等。
炭化水素系ビニルエステル：酢酸ビニル、ビニルピバレート等。

（メタ）アクリル酸誘導体：（メタ）アクリル酸、芳香族系の（メタ）アクリレート［フェノキシエチルアクリレート、ベンジルアクリレート等。］、炭化水素系の（メタ）アクリレート［ステアリルアクリレート、ラウリルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、アリルアクリレート、１，３−ブタンジオールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタアエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート等。］、エーテル性酸素原子を含む炭化水素系の（メタ）アクリレート［エトキシエチルアクリレート、メトキシエチルアクリレート、グリシジルアクリレート、テトラヒドロフルフリールアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、ポリオキシエチレングリコールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート等。］、官能基を含む炭化水素系の（メタ）アクリレート［２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルアクリレート、Ｎ−ビニルピロリドン、ジメチルアミノエチルメタクリレート等。］、シリコーン系のアクリレート等。

その他の化合物：無水マレイン酸、ビニレンカーボネート等。
ただし、（メタ）アクリル酸とは、アクリル酸またはメタクリル酸を意味し、（メタ）アクリレートとは、アクリレートまたはメタクリレートを意味する。

後者の重合性化合物としては、フッ素含有量が４０質量％未満の、前記モノマー１〜９およびフルオロプレポリマーが挙げられる。

他の重合性化合物（Ｃ）と、重合性化合物（Ａ）との割合（質量比）は、０：１００から９９．５：０．５が好ましく、０：１００から５０：５０がより好ましい。また、他の重合性化合物（Ｃ）と、重合性化合物（Ａ）との割合は、全ての重合性化合物のフッ素含有量が平均して４０〜７０質量％となり、かつ、重合性化合物（Ａ）と他の重合性化合物（Ｃ）とが硬化してなる硬化物の水に対する接触角が７５度以上となるような割合であることが好ましい。

（光増感剤（Ｄ））
光増感剤（Ｄ）としては、ｎ−ブチルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン、トリ−ｎ−ブチルホスフィン、アリルチオ尿素、ｓ−ベンジスイソチウロニウム−ｐ−トルエンスルフィネート、トリエチルアミン、ジエチルアミノエチルメタクリレート、トリエチレンテトラミン、４，４’−ビス（ジアルキルアミノ）ベンゾフェノン等のアミン化合物が挙げられる。

光増感剤（Ｄ）は、重合開始剤（Ｂ）に対して０倍モルから４倍モルが好ましく、０倍モルから２倍モルがより好ましい。光増感剤（Ｄ）を重合開始剤（Ｂ）に対して４倍モル以下とすることで、硬化物の分子量が充分に高くなり、得られる精密パターンの機械的特性が損なわれることがない。

（溶剤（Ｅ））
硬化性材料１１には、必要に応じて溶剤（Ｅ）を加えてもよい。溶剤（Ｅ）を加える場合には、次の型押し工程の前に、硬化性材料を基板に塗布した後に加熱して、溶剤（Ｅ）を蒸発させる必要がある。溶剤（Ｅ）としては、硬化性材料を均一に溶解する、沸点が１００℃から２００℃の溶剤が好ましい。また、溶剤（Ｅ）を蒸発させるときの加熱温度は、使用する溶剤に応じて、５０℃から２００℃が好ましい。

溶剤（Ｅ）としては、たとえば、キシレン、酢酸ブチル等のフッ素原子を含まない有機溶剤；ペルフルオロ（２−ブチルテトラヒドロフラン）、メチルペルフルオロイソプロピルエーテル、メチル（ペルフルオロヘキシルメチル）エーテル、メチルペルフルオロオクチルエーテル等の含フッ素有機溶剤が挙げられる。

＜型押し工程＞
型押し工程においては、表面に凹凸パターン１３が形成されたモールド１４を、基板１２上の硬化性材料１１に押しつける。

モールド１４を基板１２上の硬化性材料１１に押しつけるときのプレス圧力（ゲージ圧）は、硬化性材料１１の粘度の観点から、１０ＭＰａ以下でよい。

（モールド）
モールド１４の材質としては、光を透過する材質、すなわち、石英ガラス、紫外線透過ガラス、サファイヤ、ダイアモンド、ポリジメチルシロキサン等のシリコン材料、フッ素樹脂、その他光を透過する樹脂材料等が挙げられる。また、基板１２が光を透過する材質であれば、モールド１４は光を透過しなくてもよい。光を透過しないモールド１４の材質としては、シリコンウェハ、ＳｉＣ基板、マイカ基板等が挙げられる。また、加熱によって硬化性材料１１を硬化させる場合には、基板１２およびモールド１４は光を透過しなくてもよい。

モールド１４表面に形成される凹凸パターン１３の形状は、得ようとする物品に応じて適宜決定される。

本発明においては、凹凸パターン１３の最小寸法が、５０μｍ以下、より小さくは５００ｎｍ以下、さらに小さくは５０ｎｍ以下であっても、該微細パターンを精密に硬化性材料１１に転写できる。本発明における凹凸パターンの最小寸法とは、凸部の高さの最小値、凹部の深さの最小値、凸部または凹部の幅の最小値、および凸部または凹部の長さの最小値のうち、最も小さい寸法を意味する。なお、最小値の下限は特に限定されず、１ｎｍ以上が好ましい。

＜硬化工程＞
硬化の方法は、硬化性材料１１を硬化させる方法であれば特に限定されない。硬化性材料１１の重合開始剤（Ｂ）の種類にしたがって、熱および／または光照射により硬化性材料１１を硬化させる方法が好ましい。硬化が低温（０〜６０℃）で進行し反応収率が高い観点から、重合開始剤（Ｂ）として前記光重合開始剤を用い、光照射により硬化性材料１１を硬化させる方法が特に好ましい。硬化を低温で行う場合、温度による硬化物の体積変化と硬化に伴う着色とが抑制される効果がある。

光照射の方法としては、図４に示すように、モールド１４が光を透過する材質の場合、モールド１４側から光を照射する方法、基板１２が光を透過する材質の場合、基板１２側から光を照射する方法が挙げられる。

光照射に用いる光としては、光重合開始剤が反応する光であればよい。光重合開始剤が容易に反応し、硬化性材料をより低温で硬化させることができる観点から、４００ｎｍ以下の波長の光（紫外線、Ｘ線、γ線等の活性エネルギー線）が好ましい。操作性の観点から、２００〜４００ｎｍの波長の光が特に好ましい。

また、光照射時に、全体を加熱することにより、硬化性材料１１の硬化を加速させてもよい。加熱する場合の温度範囲は、３００℃以下が好ましく、０〜６０℃がより好ましく、２５〜５０℃が特に好ましい。該温度範囲において、硬化物に形成されるパターン形状の精度が高く保持される。また、光照射を行わずに、加熱のみで硬化性材料１１を硬化させてもよい。

＜離型工程＞
硬化工程後、２５℃付近で、または硬化工程で加熱した場合は２５℃付近まで冷却して、モールド１４を硬化性材料の硬化物１６から分離することにより、モールド１４の凹凸パターン１３に対応した、硬化した硬化性材料１１からなる精密な凹凸パターン１５が基板１２表面に形成された物品が得られる。

＜他の形成方法＞
本発明のパターンの形成方法は、硬化性材料がモールドのパターン面と基板との間に挟持される方法であれば特に限定されず、モールド１４と硬化性材料１１とを接触させ、モールド１４の凹凸パターン１３を硬化性材料１１に転写できる方法であればよい。

他の形成方法としては、たとえば、基板１２と、表面に凹凸パターン１３が形成されたモールド１４とを、凹凸パターン１３が基板１２側になるように接近または接触させる工程と、硬化性材料１１を、基板１２とモールド１４との間に、毛細管現象、吸引等により充填する工程と、基板１２とモールド１４とが接近または接触した状態で硬化性材料１１に光を照射して硬化性材料１１を硬化させる工程と、硬化性材料の硬化物１６からモールド１４を分離する工程とを有する方法が挙げられる。

また、他の形成方法としては、硬化性材料１１を、表面に凹凸パターン１３が形成されたモールド１４の凹凸パターン１３上に流し込み等により塗布する工程と、基板１２をモールド１４上の硬化性材料１１に押しつける工程と、基板１２を硬化性材料１１に押しつけた状態で硬化性材料１１に光を照射して硬化性材料１１を硬化させる工程と、硬化性材料の硬化物１６からモールド１４を分離する工程とを有する方法が挙げられる。

本発明のパターンの形成方法によれば、硬化性材料１１が、フッ素含有量が４０〜７０質量％の重合性化合物（Ａ）を含有しているため、硬化後の硬化性材料１１自体の離型性がよく、モールド１４に離型剤を塗布する必要がない。そのため、モールド１４の凹凸パターン１３を硬化性材料１１に精密に転写できる。また、モールド１４に離型剤を塗布する必要がないため、連続して凹凸パターン１３を転写でき、パターンを有する物品を生産性よく製造できる。さらに、モールド１４に離型剤を塗布する手間が省けるため、パターンを有する物品の生産性がさらによくなる。さらに、離型剤によるパターンの汚染がない。

＜パターンを有する物品＞
本発明のパターンを有する物品は、本発明のパターンの形成方法によって凹凸パターン１５が形成された硬化物１６が基板１２上に形成された物品である。硬化物１６は、耐熱性、耐薬品性、離型性、光学特性（透明性や低屈折率性）等の物性に優れうる。

本発明のパターンを有する物品は、マイクロレンズアレイ、光導波路、光スイッチング、フレネルゾーンプレート、バイナリー光学素子、ブレーズ光学素子、フォトニクス結晶等の光学素子；ＡＲ（ＡｎｔｉＲｅｆｌｅｃｔｉｏｎ）コート部材、バイオチップ、μ−ＴＡＳ（Ｍｉｃｒｏ−ＴｏｔａｌＡｎａｌｙｓｉｓＳｙｓｔｅｍｓ）用のチップ、マイクロリアクターチップ、記録メディア、ディスプレイ材料、触媒の担持体、フィルター、センサー部材等として有用である。

以下、実施例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されない。

（合成例）
フルオロプレポリマー１の合成：
イソホロンジイソシアネートの５８ｇ、２−ヒドロキシエチルアクリレートの３９ｇ、ｐ−メトキシフェノールの０．０２ｇおよびジブチル錫ジラウレートの０．００５ｇを、５００ｍｌのガラス製反応容器に入れた。つぎに、反応容器内をよく混合しながら反応温度を７０℃以下に保持して反応させてイソシアネート基を含有するモノマーを得た。つづいて、水酸基を含有するフルオロポリマー（旭硝子社製、商品名：ルミフロンＬＦ−９１０ＬＭ）の１６１ｇを、反応容器に加えて、よく撹拌しながら反応温度を８０〜９０℃に保持してジブチル錫ジラウレートの０．０２ｇを添加した。反応容器内容物を精製して得たフルオロプレポリマー１（フッ素含有量４１質量％）（以下、重合性化合物（Ａ１）という。）を赤外吸収スペクトルで分析した結果、イソシアネート基の消失と、アクリロイル基の生成を確認した。

（実施例１）
紫外線をカットしたクリーンルーム内にて、１．６ｍｌのバイヤル容器に、重合性化合物（Ａ１）の０．１ｇ、ポリエチレングリコールジアクリレートの０．０６ｇ、トリメチロールプロパントリアクリレートの０．０３ｇ、およびキシレンの０．３ｇを加えた。つぎに、光重合開始剤（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ株式会社製、商品名「イルガキュア１８４」）の０．０１ｇを加えて混合し、光硬化性材料を得た。

該光硬化性材料をシリコンウェハ上にスピンコートして１１０℃で１分間加熱し、乾燥させる。図５に示す、幅４００ｎｍ、深さ１００ｎｍ、長さ５ｍｍの溝が刻まれた石英モールドをシリコンウェハ上の光硬化性材料に押しつけ、２５℃で、２ＭＰａの圧力（ゲージ圧）でプレスする。石英モールド越しに、光硬化性材料に高圧水銀灯（１．５ｋＨｚ〜２．０ｋＨｚで２５５ｎｍ、３１５ｎｍ、および３６５ｎｍに主波長を有する。）の光を３０秒照射した後、硬化した光硬化性材料から石英モールドをゆっくりと分離する。シリコンウェハ上には、石英モールドの溝に対応した、硬化した光硬化性材料からなる凸状パターンが形成されている。該凸状パターンの寸法（幅（ｎｍ）、高さ（ｎｍ））、モールドの離型性について評価する。評価結果を表１に示す。離型性については、モールドを光硬化性材料から分離できない場合を×、超音波等の操作でモールドを光硬化性材料から分離できる場合を△、特別な操作なしにモールドを光硬化性材料から分離できる場合を○と評価する。

（実施例２）
紫外線をカットしたクリーンルーム内にて、１．６ｍｌのバイヤル容器に、重合性化合物（Ａ１）の０．１ｇ、ポリエチレングリコールジアクリレートの０．０６ｇ、トリメチロールプロパントリアクリレートの０．０３ｇ、ｎ−ブチルアミンの０．００５ｇ、およびキシレンの０．３ｇを加えた。つぎに、光重合開始剤（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ株式会社製、商品名「イルガキュア１８４」）の０．０１ｇを加えて混合し、光硬化性材料を得た。該光硬化性材料を使用した以外は、実施例１と同様にしてシリコンウェハ上に硬化した光硬化性材料からなる凸状パターンを形成する。該凸状パターンの寸法（幅（ｎｍ）、高さ（ｎｍ））、モールドの離型性について評価する。評価結果を表１に示す。

（実施例３）
紫外線をカットしたクリーンルーム内にて、６ｍｌのバイヤル容器に含フッ素ジアクリレート［ＣＨ₂＝ＣＨＣＯＯ−ＣＨ₂−Ｘ−ＣＨ₂−ＣＯＯＣＨ＝ＣＨ₂；Ｘはペルフルオロ（１，４−シクロヘキシレン）基を表す。］の０．３ｇおよびＣＨ₂＝ＣＨＣＯＯＣＨ₂（ＣＦ₂）₆Ｆの０．５５ｇからなる重合性化合物（Ａ２）（フッ素含有量５５質量％）と、トリメチロールプロパントリアクリレートの０．１５ｇとを加えた。つぎに、光重合開始剤（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ株式会社製、商品名「イルガキュア９０７」）の０．０５ｇを酢酸ブチルの０．２ｇに溶かした溶液を加えて混合し、光硬化性材料を得た。該光硬化性材料を使用した以外は、実施例１と同様にしてシリコンウェハ上に硬化した光硬化性材料からなる凸状パターンを形成する。該凸状パターンの寸法（幅（ｎｍ）、高さ（ｎｍ））、モールドの離型性について評価する。評価結果を表１に示す。

（実施例４）
紫外線をカットしたクリーンルーム内にて、６ｍｌのバイヤル容器に１，１，２，３，３−ペンタフルオロ−４−トリフルオロメチル−４−メトキシメチルオキシ−１，６−ヘプタジエン［ＣＦ₂＝ＣＦＣＦ₂Ｃ（ＣＦ₃）（ＯＣＨ₂ＯＣＨ₃）ＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨ₂ ］からなる重合性化合物（Ａ３）（フッ素含有量４８質量％）の０．９５ｇを加えた。つぎに、光重合開始剤（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ株式会社製、商品名「イルガキュア９０７」）の０．０５ｇを加えて混合し、光硬化性材料を得た。該光硬化性材料を使用した以外は、実施例１と同様にしてシリコンウェハ上に硬化した光硬化性材料からなる凸状パターンを形成する。該凸状パターンの寸法（幅（ｎｍ）、高さ（ｎｍ））、モールドの離型性について評価する。評価結果を表１に示す。

（比較例１）
紫外線をカットしたクリーンルーム内にて、１．６ｍｌのバイヤル容器にヘキサンジオールジアクリレートの０．０７ｇおよびペンタエリスリトールトリアクリレートの０．０３ｇを加えた。つぎに、光重合開始剤（１，１−ジメトキシ−１−フェニルアセトフェノン）の０．００５ｇを加えて混合し、光硬化性材料を得た。該光硬化性材料を使用した以外は、実施例１と同様にして光硬化性材料の硬化を行う。石英モールドを硬化した光硬化性材料から分離しようとするが、分離できない。

（比較例２）
紫外線をカットしたクリーンルーム内にて、１．６ｍｌのバイヤル容器にヘキサンジオールジアクリレートの０．０７ｇおよびペンタエリスリトールトリアクリレートの０．０３ｇを加えた。つぎに、光重合開始剤（１，１−ジメトキシ−１−フェニルアセトフェノン）の０．００５ｇを加えて混合し、光硬化性材料を得た。該光硬化性材料をシリコンウェハ上に滴下する。実施例１と同じ石英モールドの表面を、あらかじめ、離型剤であるフッ素系シランカップリング剤にて処理し、該石英モールドをシリコンウェハ上の光硬化性材料に押しつけ、２５℃で、２ＭＰａの圧力（ゲージ圧）でプレスする。石英モールド越しに、光硬化性材料に紫外線を３０秒照射した後、硬化した光硬化性材料から石英モールドをゆっくりと分離する。シリコンウェハ上には、石英モールドの溝に対応した、硬化した光硬化性材料からなる凸状パターンが形成されている。該凸状パターンの寸法（幅（ｎｍ）、高さ（ｎｍ））、モールドの離型性について評価する。評価結果を表１に示す。

（比較例３）
紫外光をカットしたクリーンルーム内にて、６ｍｌのバイヤル容器にペルフルオロビニルエーテル［ＣＦ₂＝ＣＦＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₃］（フッ素含有量７１質量％）の０．９５ｇを加えた。つぎに、光重合開始剤（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ株式会社製、商品名「イルガキュア９０７」）の０．０５ｇを加えて混合し、光硬化性材料を得た。しかし、イルガキュアがほとんど溶けず、試験することはできない。

（比較例４）
紫外光をカットしたクリーンルーム内にて、１．６ｍｌのバイヤル容器にメチルαトリフルオロメタクリレート（フッ素含有量３７質量％）の０．９５ｇ、および１，１−ジメトキシ−１−フェニルアセトフェノンの０．００５ｇを入れ、これらを混合、光硬化性材料を得た。該光硬化性材料を使用した以外は、実施例１と同様にして光硬化性材料の硬化を行う。石英モールドを硬化した光硬化性材料から分離しようとするが、分離できない。

フッ素含有量が４０〜７０質量％のモノマーを含有する光硬化性材料を使用した実施例１〜３においては、石英モールドの溝パターンに対応した凸状パターンを精密にシリコンウェハ上に転写できる。

重合性化合物（Ａ）を含有しない光硬化性材料を使用した比較例１においては、石英モールドに離型剤を塗布しなかったため、石英モールドを硬化した光硬化性材料から分離できない。

重合性化合物（Ａ）を含有しない光硬化性材料を使用し、かつ石英モールドに離型剤を塗布した比較例２においては、石英モールドを硬化した光硬化性材料から分離できるが、凸状パターンを精密にシリコンウェハ上に転写できない。

本発明のパターンの形成方法は、光学素子（マイクロレンズアレイ、光導波路、光スイッチング、フレネルゾーンプレート、バイナリー光学素子、ブレーズ光学素子、フォトニクス結晶等）、ＡＲコート部材、バイオチップ、μ−ＴＡＳ用チップ、マイクロリアクターチップ、記録メディア、ディスプレイ材料、触媒の担持体、フィルター、センサー部材等の製造方法；半導体装置の製造プロセスにおける微細加工方法に利用できる。

硬化性材料を基板上に塗布した様子を示す概略断面図である。モールドを基板上の硬化性材料に押しつけた様子を示す概略断面図である。硬化した硬化性材料からモールドを分離した様子を示す概略断面図である。モールドを硬化性材料に押しつけた状態で硬化性材料に光を照射する様子を示す概略断面図である。実施例にて使用された石英モールドを示す斜視図である。

符号の説明

１１硬化性材料
１２基板
１３凹凸パターン
１４モールド
１６硬化性材料の硬化物

Claims

フッ素含有量が４０〜７０質量％の重合性化合物（Ａ）、および光重合開始剤である重合開始剤（Ｂ）を含有する硬化性材料を基板上に塗布する工程と、表面に最小寸法が５００ｎｍ以下であるパターンが形成されたモールドを、パターンが硬化性材料に接触するように、基板上の硬化性材料に押しつける工程と、モールドを硬化性材料に押しつけた状態で硬化性材料を硬化させる工程と、硬化性材料の硬化物からモールドを分離する工程とを有することを特徴とするパターンの形成方法。
基板と、表面に最小寸法が５００ｎｍ以下であるパターンが形成されたモールドとを、パターンが基板側になるように接近または接触させる工程と、フッ素含有量が４０〜７０質量％の重合性化合物（Ａ）、および光重合開始剤である重合開始剤（Ｂ）を含有する硬化性材料を、基板とモールドとの間に充填する工程と、基板とモールドとが接近または接触した状態で硬化性材料を硬化させる工程と、硬化性材料の硬化物からモールドを分離する工程とを有することを特徴とするパターンの形成方法。
フッ素含有量が４０〜７０質量％の重合性化合物（Ａ）、および光重合開始剤である重合開始剤（Ｂ）を含有する硬化性材料を、表面に最小寸法が５００ｎｍ以下であるパターンが形成されたモールドのパターン上に塗布する工程と、基板をモールド上の硬化性材料に押しつける工程と、基板を硬化性材料に押しつけた状態で硬化性材料を硬化させる工程と、硬化性材料の硬化物からモールドを分離する工程とを有することを特徴とするパターンの形成方法。
前記モールドとして、離型剤が塗布されていないものを用いる請求項１ないし３のいずれか一項に記載のパターンの形成方法。
請求項１ないし４のいずれか一項に記載のパターンの形成方法によって形成されたパターンを有する物品。