JP4759122B2 - 熱伝導性シート及び熱伝導性グリス - Google Patents

熱伝導性シート及び熱伝導性グリス Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高い熱伝導性を発揮できる熱伝導性高分子組成物を成形加工して得られる熱伝導性シート、及び熱伝導性高分子組成物としての熱伝導性グリスに関するものである。さらに詳しくは、電気製品に使用される各種半導体素子や電源、光源、部品などから発生する熱を効果的に放散させる特定の黒鉛化炭素繊維を含有する熱伝導性シート及び熱伝導性グリスに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
最近、電子機器の高性能化、小型化及び軽量化に伴う半導体パッケージの高密度実装化やLSIの高集積化、高速化などによって、電子機器から発生する熱対策が非常に重要な課題になっている。通常、発熱する素子の熱を拡散させるには、熱伝導性の良い金属やセラミックス製のプリント配線基板を使用する方法、基板内に熱を放散させるサーマルビアホールを形成する方法、半導体パッケージ材料として熱伝導性の良い金属やセラミックス或いは樹脂を使用する方法がある。さらに、発熱源と放熱器の間や熱源と金属製伝熱板の間の接触熱抵抗を下げる目的で、熱伝導率の大きな高分子グリスや柔軟性のある熱伝導性高分子組成物からなるシート材料を介在させたり、熱拡散板や筐体などに熱伝導性高分子組成物からなる成形加工品が用いられている。
【0003】
これらの熱伝導性を要求される高分子組成物には、従来、樹脂やゴムなどの高分子材料中に熱伝導率の大きい酸化アルミニウムや窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、炭化ケイ素、石英、水酸化アルミニウムなどの金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物、金属水酸化物などの充填剤を充填したものが用いられている。しかし、これらの組成物は必ずしも充分に大きな熱伝導性は得られていなかった。
【0004】
一方、熱伝導性をさらに向上させる目的で、熱伝導率の大きい炭素繊維や黒鉛粉末を高分子材料に充填させた様々な熱伝導性高分子材料が提案されている。
例えば、特開昭62−131033号公報には黒鉛粉末を熱可塑性樹脂に充填した熱伝導性樹脂成形品及び特開平4−246456号公報にはカーボンブラックや黒鉛などを含有するポリエステル樹脂組成物が開示されている。また、特開平5−17593号公報には一方向に引揃えた炭素繊維に黒鉛粉末と熱硬化性樹脂を含浸した機械的強度の高い熱伝導性成形品、及び特開平5−222620号公報には断面構造を特定したピッチ系炭素繊維を利用した熱伝導性材料が記載されている。
【0005】
さらに、特開平5−247268号公報には粒径1〜20μmの人造黒鉛を配合したゴム組成物、及び特開平9−283955号公報には特定のアスペクト比の黒鉛化炭素繊維をシリコーンゴムなどの高分子に分散した熱伝導性シートが開示されている。また、特開平10−298433号公報には結晶面間隔が0.330〜0.340nmの球状黒鉛粉末をシリコーンゴムに配合した組成物と放熱シートが開示されている。
【0006】
加えて、特開平11−158378号公報では特定の加熱処理を施した黒鉛微粒子をシリコーンゴムに配合した導電性と熱伝導性を有するシリコーンゴム組成物及び特開平11−279406号公報では特定長さの炭素繊維をシリコーンゴムに配合した導電性と熱伝導性に優れる組成物が提唱されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、発熱量が一段と増大し続ける最近の高性能な電子部品においては、より一層大きな熱伝導性のニーズは高まり続けている。従って、上述のような従来の様々な炭素繊維や黒鉛粉末を充填させた熱伝導性高分子組成物及び熱伝導性シートであっても、熱伝導性が未だ不充分であり、早急な改善が切望されていた。
【0008】
例えば、特開平9−283955号公報に記載の技術では、熱伝導性充填剤として黒鉛質炭素繊維を使用しているものの、炭素繊維の原料を炭化した後黒鉛化し、粉砕したものを使用しているものと考えられる。このため、粉砕後の繊維に縦割れが発生し、黒鉛化処理時に縮重合反応や環化反応が進みにくく、また粉砕された炭素繊維の全表面積中に占める破断面表面積の割合が大きくなる。従って、得られる高分子組成物及び熱伝導性シートの熱伝導性を充分に向上させることができないという問題があった。
【0009】
本発明は、上述のような従来技術に存在する問題点に着目してなされたものである。その目的とするところは、電気部品や電子部品などから発生する多量の熱を効果的に放散できる高い熱伝導性を有する熱伝導性シート及び熱伝導性グリスを提供するものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、高分子材料に含有させる黒鉛化炭素繊維の性質を様々な観点から鋭意研究した結果、特定の製法、形状、密度の黒鉛化炭素繊維を配合させて、より一層高い熱伝導性を有する熱伝導性高分子組成物及び熱伝導性成形体を見出し、本発明を完成した。
【0011】
すなわち、本発明における請求項1に記載の発明の熱伝導性シートは、高分子材料と、電気絶縁性の熱伝導性充填剤と、黒鉛化炭素繊維とを含有する電気絶縁性の熱伝導性高分子組成物をシート状に成形加工してなり、発熱する素子と伝熱部材間に介在させて用いる熱伝導性シートであって、前記電気絶縁性の熱伝導性充填剤が酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素及び水酸化アルミニウムから選ばれる少なくとも一種であるとともに、前記黒鉛化炭素繊維が、メソフェーズピッチを原料とし、紡糸、不融化及び炭化後に粉砕され、その後黒鉛化されて得られる粉末状のものであることを特徴とするものである。
【0012】
請求項2に記載の発明の熱伝導性シートは、請求項1に記載の発明において、前記黒鉛化炭素繊維は、その繊維直径が5〜20μm、平均粒径が10〜500μm及び密度が2.20〜2.26g/cmであることを特徴とするものである。
【0013】
請求項3に記載の発明の熱伝導性グリスは、高分子材料と、電気絶縁性の熱伝導性充填剤と、黒鉛化炭素繊維とを含有し、発熱する素子と伝熱部材間に介在させて用いる電気絶縁性の熱伝導性高分子組成物としての熱伝導性グリスであって、前記電気絶縁性の熱伝導性充填剤が酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素及び水酸化アルミニウムから選ばれる少なくとも一種であるとともに、前記黒鉛化炭素繊維が、メソフェーズピッチを原料とし、紡糸、不融化及び炭化後に粉砕され、その後黒鉛化されて得られる粉末状のものであることを特徴とするものである。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施形態について詳細に説明する。
熱伝導性高分子組成物は、後述する高分子材料と、熱伝導性充填剤として黒鉛化炭素繊維とを含有している。黒鉛化炭素繊維は、メソフェーズピッチを原料とし、紡糸、不融化及び炭化後に粉砕され、その後黒鉛化されて得られる粉末状のものである。
【0015】
上記の黒鉛化炭素繊維は短繊維で、その繊維直径が5〜20μm、平均粒径が10〜500μm及び密度が2.20〜2.26g/cm3であることが好ましい。黒鉛化炭素繊維がこれらの条件を満足することにより、熱伝導性高分子組成物さらには熱伝導性成形体の製造が容易になるとともに、熱伝導性が向上する。
【0016】
黒鉛化炭素繊維は黒鉛化処理前に所定の粒径に粉砕した後に黒鉛化された特定の炭素繊維の粉砕品を用いる。この黒鉛化炭素繊維は、厳密には繊維状のほか、鱗片状、ウィスカー状、マイクロコイル状、ナノチューブ状などの形状であってもよい。そのような黒鉛化炭素繊維について具体的に説明する。
【0017】
黒鉛化炭素繊維の原料としては、PAN(ポリアクリロニトリル)、石油系ピッチ、石炭系ピッチなどが用いられるが、光学的異方性ピッチ、すなわちメソフェーズピッチを用いることによって、高い熱伝導性の高分子組成物及び熱伝導性成形体が得られる。このメソフェーズピッチとしては、紡糸可能ならば特に限定されるものではないが、特にメソフェーズピッチの含有量100%のものが高熱伝導化、紡糸性及び品質の安定性の面からも好ましい。
【0018】
上記の原料を、常法によって溶融紡糸し、不融化し、さらに炭化処理した後に粉砕する。原料ピッチを溶融紡糸する方法としては、特に限定されるものではなく、メルトスピニング法、メルトブロー法、遠心紡糸法、渦流紡糸法などの種々の方法を採用することができる。これらの方法のうち、紡糸時の生産性や得られる黒鉛化炭素繊維の品質の観点からは、メルトブロー法が好ましい。
【0019】
メルトブロー時の紡糸孔の直径としては、好ましくは0.1〜0.5mm、さらに好ましくは0.15〜0.3mmである。紡糸孔の直径が0.5mmを越えると、繊維直径が25μm以上と大きくなりやすく、かつ繊維直径がばらつき易くなり品質管理上も好ましくない。一方、紡糸孔の直径が0.1mmに満たないと、紡糸時に目詰まりが生じやすく、また紡糸ノズルの製作が困難になるので好ましくない。
【0020】
紡糸速度は、生産性の面からは好ましくは毎分500m以上、さらに好ましくは毎分1500m以上、特に好ましくは毎分2000m以上である。紡糸温度は、原料ピッチにより多少変化するが、原料ピッチの軟化点以上でピッチが変質しない温度以下であれば良く、通常は300〜400℃、好ましくは300〜380℃である。また、メルトブロー法は、数十ポイズ以下の低粘度で紡糸し、かつ高速冷却することによって、黒鉛層面が繊維軸に平行に配列しやすくなる利点もある。
【0021】
原料ピッチの軟化点も特に限定されるものではないが、前記紡糸温度との関係から、軟化点が低くまた不融化反応速度の速いものの方が、製造コスト及び安定性の面で有利である。よって、原料ピッチの軟化点は、好ましくは230〜350℃、さらに好ましくは250〜310℃である。
【0022】
紡糸後のピッチ系炭素繊維は、常法により不融化処理される。不融化処理方法としては、例えば、二酸化窒素や酸素などの酸化性ガス雰囲気中で加熱処理する方法、硝酸やクロム酸などの酸化性水溶液中で処理する方法、さらには、光やγ線などにより重合処理する方法などを採用することができる。より簡便な不融化処理方法は空気中で加熱処理する方法であり、原料により若干異なるが、平均昇温速度は好ましくは3℃/分以上、さらに好ましくは5℃/分以上で、350℃程度まで昇温させながら加熱処理すると良い。
【0023】
炭素繊維の粉砕方法しては、不融化処理した繊維の段階で実施しても良いが、不融化処理した繊維を、好ましくは250〜1500℃、さらに好ましくは500〜900℃の温度で不活性ガス中にて軽度に炭化した後、粉砕することが好ましい。軽度に炭化とは、炭素繊維が実質上処理温度に達した状態であることを意味し、具体的には処理雰囲気温度で10分以上処理することを意味する。不融化した繊維を250〜1500℃の温度で軽度に炭化し粉砕することによって、粉砕後の繊維の縦割れを防ぐことができ、粉砕時に新たに表面に露出した黒鉛層面がより高温での黒鉛化処理時に縮重合反応、環化反応が進みやすくなり、熱伝導性の高い高分子組成物及び熱伝導性成形体を得ることができる。この処理温度が250℃未満では炭化の程度が不充分になりやすく、1500℃を越えると炭素繊維の強度が大きくなって粉砕が困難となる。
【0024】
従来技術のように、紡糸した繊維を高温で黒鉛化してから粉砕してしまうと、繊維軸方向に発達した黒鉛層面に沿って開裂が発生し易くなり、粉砕された炭素繊維の全表面積中に占める破断面表面積の割合が大きくなって、熱伝達しにくくなるので好ましくない。
【0025】
不融化、炭化後の繊維を粉砕するには、ビクトリーミル、ジェットミル、高速回転ミルなどの粉砕機或いはチョップド繊維で用いられる切断機を利用することが有効である。粉砕を効率良く実施するためには、上記各種方法に共通して、例えばプレートを取り付けたローターを高速で回転することにより、繊維軸に対し直角方向に繊維を寸断する方法が適切である。粉砕された繊維の繊維長は、ローターの回転数、プレートの角度などを調整することにより制御される。粉砕方法としては、ボールミルなどの磨砕機による方法もあるが、これらの方法によると繊維の直角方向への加圧力が働き、繊維軸方向への縦割れの発生が多くなるので望ましくない。
【0026】
次いで、粉砕した繊維を高温で黒鉛化処理することによって黒鉛構造を発達させる。その処理温度としては、好ましくは2500℃以上、さらに好ましくは2800℃以上、特に好ましくは3000℃以上である。その結果、得られる黒鉛化炭素繊維の繊維長さ方向の熱伝導率は高まり、好ましくは400W/m・K以上、さらに好ましくは800W/m・K以上、特に好ましくは1000W/m・K以上である。
【0027】
このような黒鉛化処理により、繊維形状が保持された粉末状の黒鉛化炭素繊維が得られる。この黒鉛化炭素繊維の繊維直径は5〜20μm、平均粒径が10〜500μm、密度が2.20〜2.26g/cm3であることが好ましい。繊維直径は5〜20μmの範囲が工業的に生産しやすく、得られる熱伝導性高分子組成物及び熱伝導性成形体の熱伝導性が大きくなる。また、平均粒径は10μmより小さいと組成物中或いは成形体中の黒鉛化炭素繊維同士の接触が少なくなり、熱の伝達経路が不充分になって熱伝導性高分子組成物及び熱伝導性成形体の熱伝導性が低下する。一方、平均粒径が500μmよりも大きいと、黒鉛化炭素繊維が嵩高くなって高分子材料中に高濃度で充填することが困難になるので好ましくない。
【0028】
より好ましい繊維直径は5〜15μm、平均粒径は15〜200μm、さらに好ましい繊維直径は8〜12μm、平均粒径は15〜100μmである。なお、上記の平均粒径は、レーザー回折方式による粒度分布から算出することができる。
【0029】
また、黒鉛化処理された粉末状繊維の密度が2.20g/cm3未満であると黒鉛化が不充分となり、得られる熱伝導性高分子組成物及び熱伝導性成形体の熱伝導性が低下してしまう。一方、理想的な黒鉛の密度は2.26g/cm3であり、それ以上密度を上げることは困難である。
【0030】
なお、黒鉛化された炭素繊維の表面処理を目的として、黒鉛化炭素繊維の表面を予め電解酸化などによる酸化処理を施したり、カップリング剤やサイジング剤で処理することによってマトリックスの高分子材料との濡れ性や充填性を向上させたり、高分子材料と粉末界面の剥離強度を改良することが可能である。また、黒鉛化炭素繊維の表面に金属やセラミックスなどを無電解メッキ法、電解メッキ法、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などによる物理的蒸着法、化学的蒸着法、塗装法、浸漬法、微細粒子を機械的に固着させるメカノケミカル法などの方法によって被覆させることもできる。
【0031】
さらに、熱伝導性高分子組成物には、上述の黒鉛化炭素繊維のほかに、他の粉末形状や繊維形状の金属やセラミックス、具体的には、銀、銅、金、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素、水酸化アルミニウムなどや金属被覆樹脂などの従来の熱伝導性高分子組成物及び熱伝導性成形体に使用されている熱伝導率が大きな充填剤や、従来の黒鉛化炭素繊維、或いは黒鉛化されていない炭素繊維、天然黒鉛、人造黒鉛、メソカーボンマイクロビーズ、ウィスカー状、マイクロコイル状又はナノチューブ状のカーボンを併用することも可能である。なお、最終製品として特に電気絶縁性が要求される用途においては、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素及び水酸化アルミニウムからなる電気絶縁性の熱伝導性充填剤の少なくとも一種を併用することが好ましい。
【0032】
また、熱伝導性高分子組成物の粘度を低下させるためには、揮発しやすい有機溶剤や反応性可塑剤を添加すると効果的である。
次に、前述の高分子材料は、特に限定されるものではなく、通常の熱可塑性樹脂、熱可塑性エラストマー、熱硬化性樹脂、架橋ゴムなどを用途と要求性能に応じて選択すれば良い。例えば、熱伝導性接着剤用としては、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂、アクリル樹脂などの接着性高分子材料が好ましく、成形材料用としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、架橋ゴムなどを選択する。これらのうち、熱可塑性樹脂及び熱可塑性エラストマーは、リサイクルが可能である点から好ましい。
【0033】
具体的な熱可塑性樹脂としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレンプロピレン共重合体などのエチレンαオレフィン共重合体、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ酢酸ビニル、エチレン酢酸ビニル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリアセタール、ポリフッ化ビニリデンやポリテトラフルオロエチレンなどのフッ素樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリスチレン、ポリアクリロニトリル、スチレンアクリロニトリル共重合体、ABS樹脂、ポリフェニレンエーテル及び変性PPE樹脂、脂肪族及び芳香族ポリアミド類、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリメタクリル酸及びそのメチルエステルなどのポリメタクリル酸エステル類、ポリアクリル酸類、ポリカーボネート、ポリフェニレンスルフィド、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルケトン、ポリケトン、液晶ポリマー、シリコーン樹脂、アイオノマーなどの一般的な熱可塑性樹脂のほか、スチレンブタジエン又はスチレンイソプレンブロック共重合体とその水添ポリマー及びスチレン系熱可塑性エラストマー、オレフィン系熱可塑性エラストマー、塩化ビニル系熱可塑性エラストマー、ポリエステル系熱可塑性エラストマー、ポリウレタン系熱可塑性エラストマー、ポリアミド系熱可塑性エラストマーなどの繰返し成形加工できてリサイクルが可能な熱可塑性エラストマーなどが挙げられる。
【0034】
熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリイミド、ビスマレイミド樹脂、ベンゾシクロブテン、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル、ジアリルフタレート、シリコーン樹脂、ポリウレタン、ポリイミドシリコーン、熱硬化型ポリフェニレンエーテル樹脂及び変性PPE樹脂などが挙げられる。また、架橋ゴム又はその類似物としては、天然ゴム、ブタジエンゴム、イソプレンゴム、スチレンブタジエン共重合ゴム、ニトリルゴム、水添ニトリルゴム、クロロプレンゴム、エチレンプロピレンゴム、塩素化ポリエチレン、クロロスルホン化ポリエチレン、ブチルゴム及びハロゲン化ブチルゴム、フッ素ゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴムなどが挙げられる。
【0035】
これらの高分子材料の中でもシリコーンゴム、エポキシ樹脂、ポリウレタン、不飽和ポリエステル、ポリイミド、ビスマレイミド、ベンゾシクロブテン、フッ素樹脂、熱可塑性樹脂及び熱可塑性エラストマーより選ばれる少なくとも1種、さらに好ましくは、シリコーンゴム、エポキシ樹脂、ポリイミド、ポリウレタン及び熱可塑性エラストマーより選ばれる少なくとも1種の材料を用いることが、耐熱性などの温度特性や電気的信頼性の観点から好ましい。
【0036】
また、誘電率、誘電正接が小さくて高周波領域での特性を要求される配線基板用途などには、フッ素樹脂、熱硬化型ポリフェニレンエーテル樹脂、変性PPE樹脂、ポリオレフィン系樹脂などが好ましい。さらに、これらの高分子材料から選択される複数の高分子材料からなるポリマーアロイを使用しても差し支えない。また、硬化性樹脂又は架橋ゴムの架橋方法については、熱硬化に限定されず、光硬化法、湿気硬化法などの公知の架橋方法が採用される。
【0037】
熱伝導性高分子組成物に含有される黒鉛化炭素繊維の量は、高分子材料100重量部当り、20〜500重量部が好ましく、40〜300重量部がさらに好ましい。20重量部よりも少ないと、得られる熱伝導性高分子組成物及び熱伝導性成形体の熱伝導率が小さくて放熱特性が劣る。一方、500重量部を越えると、組成物の粘度が増大して黒鉛化炭素繊維を高分子材料中に均一に分散させることが困難になり、かつ気泡の混入が避けられず好ましくない。
【0038】
高分子材料と所定量の黒鉛化炭素繊維を混合し、必要に応じて脱泡操作などを加えて目的とする熱伝導性高分子組成物を製造する際には、通常のブレンダー、ミキサー、ロール、押出機などの混合、混練装置を使用することができる。得られた熱伝導性高分子組成物は、圧縮成形法、押出成形法、射出成形法、注型成形法、ブロー成形法、カレンダー成形法などのほか、液状組成物の場合には、塗装法、印刷法、ディスペンサー法、ポッティング法などの方法で加工することができる。
【0039】
圧縮成形法、注型成形法、押出成形法、ブレード成形法、カレンダー成形法などによって、シート状などの所定形状に成形加工することによって、放熱特性に優れた熱伝導性成形体を製造することができる。高分子材料に低硬度の架橋ゴムや熱可塑性エラストマーを使用すれば、熱伝導性に優れた柔軟な熱伝導性成形体を得ることができる。
【0040】
熱伝導性成形体の硬度としては、用途に応じて決定すれば良いが、使用時の応力緩和性と追随性に関しては柔軟なほど、すなわち低硬度ほど有利である。具体的な硬度としては、ショアーA硬度で好ましくは70以下、さらに好ましくは40以下、特に好ましくは、アスカーC硬度が30以下のゲル状のシリコーンゴムや熱可塑性エラストマーを高分子材料として使用した低硬度の熱伝導性シートが好適である。なお、熱伝導性シートの厚みについては限定されないが、50μm〜10mmが好ましく、200μm〜5mmが特に好ましい。50μmよりも薄いと製造し難くなるとともに取り扱い難くなり、10mmよりも厚くなると熱抵抗が大きくなるので好ましくない。
【0041】
熱伝導性高分子組成物は、熱伝導性成形体として高い熱伝導性が要求される放熱板、熱伝導性シート、配線基板、半導体パッケージ用部材、ヒートシンク、ヒートスプレッダー、筐体などに応用することができる。
【0042】
以上のような熱伝導性高分子組成物及び熱伝導性シートの適用例を図1〜図3を用いて説明する。図1(a)に示すように、プリント配線基板11上には半導体素子12が配設されるとともに、その半導体素子12を覆うように放熱器14が支持部材14aを介して支持されている。半導体素子12と放熱器14との間には前述した熱伝導性シート13が介装されている。そして、その熱伝導性シート13により、半導体素子12からの熱を放熱器14へ伝導し、放熱効果を向上させている。
【0043】
図1(b)に示すように、プリント配線基板11上には半導体素子12が配設されるとともに、プリント配線基板11と半導体素子12との間には熱伝導性シート13が介装されている。
【0044】
図1(c)に示すように、プリント配線基板11上には半導体素子12が配設され、その上には熱伝導性シート13を介して前記熱伝導性高分子組成物の射出成形により成形され上面が凹凸状をなすヒートシンク15が載置されている。
【0045】
図1(d)に示すように、プリント配線基板11上には複数の実装部品16が配設され、その上には熱伝導性シート13を介して熱伝導性高分子組成物の射出成形により製造された筐体17が載置されている。
【0046】
図2に示すように、プリント配線基板11上には半導体素子12が配設されるとともに、その上には前記熱伝導性高分子組成物により形成された熱伝導性グリス18を介してヒートスプレッダー19が載置されている。
【0047】
図3に示すように、ダイパッド20上には熱伝導性高分子組成物により形成された熱伝導性接着剤21により半導体チップ22が接着されている。その半導体チップ22はボンディングワイヤー23を介してリードフレーム24に接続されている。これらの部品は封止剤25によって封止されている。
【0048】
図1〜図3に示すように、発熱する素子と伝熱部材間に、熱伝導性高分子組成物からなる熱伝導性シート13やペースト状の熱伝導性グリス18や熱伝導性接着剤21を、発熱する半導体素子12、電源或いは光源などと伝熱部材である放熱器14、冷却器、ヒートシンク15、ヒートスプレッダー19、ダイパッド20、プリント配線基板11、冷却ファン、ヒートパイプ或いは筐体17などの間に介在させることによって電子部品を製造することができる。そして、課題である発熱対策を施すことが可能になる。
【0049】
以上の実施形態によって発揮される効果を以下にまとめて記載する。
・ 実施形態で説明した熱伝導性高分子組成物は、黒鉛化処理の前に炭化し粉砕する処理を行うことから、粉砕後の繊維の縦割れを防ぐことができ、粉砕時に新たに表面に露出した黒鉛層面がより高温での黒鉛化処理時に縮重合反応、環化反応が進みやすくなる。このため、熱伝導性の高い高分子組成物及び熱伝導性成形体を得ることができる。従って、電気部品や電子部品などから発生する多量の熱を効果的に放散することができる。
【0050】
・ 黒鉛化炭素繊維の繊維直径が5〜20μm、平均粒径が10〜500μm及び密度が2.20〜2.26g/cm3であることにより、熱伝導性高分子組成物の製造が容易になるとともに、熱伝導性を向上させることができる。
【0051】
・ 上記の熱伝導性高分子組成物を射出成形法や押出成形法によって、シート状などの所定形状に成形加工し、熱伝導性成形体を容易に得ることができる。
【0052】
【実施例】
以下、実施例を挙げて前記実施形態をさらに具体的に説明するが、これらは本発明の範囲を制限するものではない。
(黒鉛化炭素繊維の試作例1)
光学異方性で比重1.25の石油系メソフェーズピッチを原料として、幅3mmのスリットの中に直径0.2mmφの紡糸孔を有するダイスを使用し、スリットから加熱空気を噴出させて、紡糸温度360℃で溶融ピッチを牽引して平均直径13μmのピッチ系繊維を製造した。紡出された繊維をベルト上に捕集したマットを、空気中で室温から300℃まで平均昇温速度6℃/分で昇温して不融化処理した。引続き、この不融化処理繊維を700℃で軽度に炭化処理した後、高速回転ミルで粉砕して炭素繊維粉砕品を得た。
【0053】
この炭素繊維粉砕品を、アルゴン雰囲気下で、2300℃まで昇温後、2300℃で40分間保持し、次いで3℃/分の速度で3100℃まで昇温し、さらに3100℃で1時間保持してから降温し、黒鉛化された炭素繊維粉砕品を製造した。この黒鉛化炭素繊維粉砕品(試作例1)の密度、繊維直径、平均粒径の測定結果を表1に示す。繊維長さ方向の熱伝導率は、粉砕前のマット形状のものを黒鉛化して測定したところ、1100W/m・Kであった。
(黒鉛化炭素繊維の試作例2)
光学異方性で比重1.25の石油系メソフェーズピッチを原料として、幅3mmのスリットの中に直径0.2mmφの紡糸孔を有するダイスを使用し、スリットから加熱空気を噴出させて、紡糸温度360℃で溶融ピッチを牽引して平均直径13μmのピッチ系繊維を製造した。紡出された繊維をベルト上に捕集したマットを、空気中で室温から300℃まで平均昇温速度6℃/分で昇温して不融化処理した。引続き、この不融化処理繊維を700℃で軽度に炭化処理した後、アルゴン雰囲気下で、2300℃まで昇温後、2300℃で40分間保持した。次いで、3℃/分の速度で3100℃まで昇温し、さらに3100℃で1時間保持してから降温し、黒鉛化された炭素繊維を製造した。
【0054】
この黒鉛化された炭素繊維の熱伝導率を測定したところ、1100W/m・Kであった。この黒鉛化炭素繊維を、高速回転ミルで粉砕して黒鉛化炭素繊維の粉砕品を得た。粉砕品を電子顕微鏡で観察すると、繊維が縦方向に割れていた。この黒鉛化炭素繊維粉砕品(試作例2)の密度、繊維直径及び平均粒径の測定結果を表1に示す。
【0055】
比較用に市販の超高弾性率ピッチ系黒鉛化炭素長繊維を使用して試作例1、2と同様に高速回転ミルで粉砕した。試作例3は、三菱化学株式会社製の黒鉛化炭素繊維(繊維の長さ方向の熱伝導率が1000W/m・K)の粉砕品、試作例4は、日本グラファイトファイバー株式会社製の黒鉛化炭素繊維(繊維長さ方向の熱伝導率が800W/m・K)の粉砕品である。これらの試作例3、4の黒鉛化炭素繊維の粉砕品を電子顕微鏡で観察すると、いずれも繊維が縦方向に割れていた。試作例3、4の密度、繊維直径及び平均粒径の測定結果を表1に示す。
【0056】
【表1】
Figure 0004759122
(実施例1)
付加型の液状シリコーゴム(東レダウコーニングシリコーン株式会社製)100重量部、シランカップリング剤で表面処理を施した試作例1の黒鉛化炭素繊維200重量部、酸化アルミニウム粉末(昭和電工株式会社製)40重量部、水酸化アルミニウム粉末(昭和電工株式会社製)20重量部からなる組成物を混合分散して熱伝導性高分子組成物を調製した。この熱伝導性高分子組成物を加熱プレス成形して厚み2mmの熱伝導性シートを作製した。得られた熱伝導性シートのアスカーC硬度は17、厚み方向の熱伝導率は3.5W/m・Kであった。
【0057】
(比較例1)
黒鉛化炭素繊維として試作例2を使用した以外は実施例1と同様に熱伝導性高分子組成物を調製し、加熱プレス成形して厚み2mmの熱伝導性シートを作製した。得られた熱伝導性シートのアスカーC硬度は15、厚み方向の熱伝導率は3.1W/m・Kであった。
【0058】
(比較例2)
黒鉛化炭素繊維として試作例3を使用した以外は比較例1と同様に熱伝導性高分子組成物を調製し、加熱プレス成形して厚み2mmの熱伝導性シートを作製した。得られた熱伝導性シートのアスカーC硬度は17、厚み方向の熱伝導率は2.9W/m・Kであった。
【0059】
(比較例3)
黒鉛化炭素繊維として試作例4を使用した以外は比較例1と同様に熱伝導性高分子組成物を調製し、加熱プレス成形して厚み2mmの熱伝導性シートを作製した。得られた熱伝導性シートのアスカーC硬度は16、厚み方向の熱伝導率は2.9W/m・Kであった。
【0060】
(実施例2)
低硬度スチレン系熱可塑性エラストマー(理研ビニル工業株式会社製)100重量部、試作例1の黒鉛化炭素繊維120重量部、窒化ホウ素粉末(電気化学工業株式会社製)20重量部、水酸化アルミニウム粉末(昭和電工株式会社製)20重量部からなる組成物を2軸押出機で混練してペレット状の熱伝導性高分子組成物を調製した。この熱伝導性高分子組成物を押出成形して厚み3mmの熱伝導性シートを作製した。得られた熱伝導性シートのショアA硬度は68、熱伝導率は2.5W/m・Kであった。
【0061】
(比較例4)
スチレン系熱可塑性エラストマー(理研ビニル工業株式会社製)100重量部、試作例2の黒鉛化炭素繊維120重量部、窒化ホウ素粉末(電気化学工業株式会社製)20重量部、水酸化アルミニウム粉末(昭和電工株式会社製)20重量部からなる組成物を2軸押出機で混練してペレット状の熱伝導性高分子組成物を調製した。この熱伝導性高分子組成物を押出成形して厚み3mmの熱伝導性シートを作製した。得られた熱伝導性シートのショアA硬度は68、熱伝導率は1.8W/m・Kであった。
【0062】
(実施例3)
高分子としてポリアセタール樹脂(旭化成工業株式会社製)100重量部、シランカップリング剤で表面処理を施した試作例1の黒鉛化炭素繊維80重量部、酸化アルミニウム粉末(昭和電工株式会社製)20重量部からなる組成物を2軸押出機で混練してペレット状の熱伝導性高分子組成物を調製した。この熱伝導性高分子組成物を射出成形して厚み3mmの熱伝導性成形体を作製した。得られた熱伝導性成形体の熱伝導率は1.7W/m・Kであった。
【0063】
(比較例5)
高分子としてポリアセタール樹脂(旭化成工業株式会社製)100重量部、シランカップリング剤で表面処理を施した試作例3の黒鉛化炭素繊維80重量部、酸化アルミニウム粉末(昭和電工株式会社製)20重量部からなる組成物を2軸押出機で混練してペレット状の熱伝導性高分子組成物を調製した。この熱伝導性高分子組成物を射出成形して厚み3mmの熱伝導性成形体を作製した。得られた熱伝導性成形体の熱伝導率は1.4W/m・Kであった。
【0064】
(実施例4)
接着性高分子としてアミン系硬化剤を含むビスフェノールF型エポキシ樹脂(油化シェルエポキシ株式会社製)100重量部、シランカップリング剤で表面処理を施した試作例1の黒鉛化炭素繊維160重量部、酸化アルミニウム粉末(昭和電工株式会社製)20重量部からなる組成物を混合し、接着剤である熱伝導性高分子組成物を調製した。この熱伝導性高分子組成物を熱硬化させた厚み1mmの板状試験片を作製した。得られた板状試験片の熱伝導率は2.8W/m・Kであった。
【0065】
(比較例6)
接着性高分子としてアミン系硬化剤を含むビスフェノールF型エポキシ樹脂(油化シェルエポキシ株式会社製)100重量部、シランカップリング剤で表面処理を施した試作例4の黒鉛化炭素繊維160重量部、酸化アルミニウム粉末(昭和電工株式会社製)20重量部からなる組成物を混合し、接着剤である熱伝導性高分子組成物を調製した。この熱伝導性高分子組成物を熱硬化させた厚み1mmの板状試験片を作製した。得られた板状試験片の熱伝導率は2.2W/m・Kであった。
【0066】
(実施例5)
図1(c)に示すプリント配線基板11に実装した半導体素子12と伝熱部材となるヒートシンク15の間に、実施例1の熱伝導性シート13を配置して半導体装置を組み立てた。そして、半導体装置に通電して10分後の熱抵抗を測定したところ、0.15℃/Wであった。
【0067】
(比較例7)
実施例5と同様のプリント配線基板11に実装した半導体素子12と伝熱部材となるヒートシンク15の間に、比較例1の熱伝導性シートを配置して半導体装置を組み立てた。この半導体装置に通電して10分後の熱抵抗を測定したところ、0.22℃/Wであった。
【0068】
以上のように、実施例1〜4の熱伝導性高分子組成物は、いずれも熱伝導性に優れている。また、実施例5のように、高度な熱伝導性が要求され発熱量の多い半導体素子とヒートシンクとの間隙に熱伝導性シートを介在させると、熱抵抗値が小さく、発熱量が大きくても電気的な障害を発生させることなく正常に作動する電子部品を提供することができる。
【0069】
これに対し、比較例1、4は、黒鉛化炭素繊維が縦方向に割れ、得られる熱伝導性高分子組成物の熱伝導率が劣っている。また、比較例2、3、5は、市販の高熱伝導率の黒鉛化炭素長繊維を粉砕した例であり、繊維が縦方向に割れていて、得られる熱伝導性高分子組成物の熱伝導率が小さい。
【0070】
なお、前記実施形態を次のように変更して実施することもできる。
・ 前記図1(b)及び図1(c)に示す熱伝導性シート13を熱伝導性接着剤21又は熱伝導性グリス18に置き換えてもよい。
【0071】
・ 図1(a)に示す支持部材14aを熱伝導性成形体で構成したり、図3に示す封止剤25を熱伝導性高分子組成物から形成したりしてもよい。これらの構成により、熱の放散効果を高めることができる。
【0072】
さらに、前記実施形態より把握される技術的思想について記載する。
・ 黒鉛化炭素繊維は、不融化処理した後に不活性ガス中にて炭素繊維が実質上500〜900℃の処理温度に達した状態に到って炭化した後、粉砕する熱伝導性高分子組成物。このように構成した場合、粉砕後の繊維の縦割れを防ぐことができ、熱伝導性の高い高分子組成物及び熱伝導性成形体を得ることができる。
【0074】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、次のような効果を奏する。
請求項1に記載の発明の熱伝導性シート及び請求項3に記載の熱伝導性グリスによれば、電気部品や電子部品などから発生する多量の熱を効果的に放散できる高い熱伝導性を発揮することができる。また、熱伝導性に加えて電気絶縁性をも発揮することができる。また、前記熱伝導性シートによれば、電気製品に使用される半導体素子や電源、光源などの部品から発生する多大な熱を効果的に放散できる非常に高い熱伝導性を発揮することができる。
【0075】
請求項2に記載の発明の熱伝導性高分子組成物によれば、請求項1に係る発明の効果に加え、熱伝導性高分子組成物の製造が容易になるとともに、熱伝導性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 (a)〜(d)は、熱伝導性成形体又は熱伝導性高分子組成物の適用例を示す側面図。
【図2】 熱伝導性高分子組成物からなる熱伝導性グリスの適用例を示す側面図。
【図3】 熱伝導性高分子組成物からなる熱伝導性接着剤の適用例を示す断面図。
【符号の説明】
13…熱伝導性成形体としての熱伝導性シート、17…熱伝導性成形体としての筐体、18…熱伝導性高分子組成物からなる熱伝導性グリス、21…熱伝導性高分子組成物からなる熱伝導性接着剤。

Claims (3)

  1. 高分子材料と、電気絶縁性の熱伝導性充填剤と、黒鉛化炭素繊維とを含有する電気絶縁性の熱伝導性高分子組成物をシート状に成形加工してなり、発熱する素子と伝熱部材間に介在させて用いる熱伝導性シートであって、前記電気絶縁性の熱伝導性充填剤が酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素及び水酸化アルミニウムから選ばれる少なくとも一種であるとともに、前記黒鉛化炭素繊維が、メソフェーズピッチを原料とし、紡糸、不融化及び炭化後に粉砕され、その後黒鉛化されて得られる粉末状のものであることを特徴とする熱伝導性シート
  2. 前記黒鉛化炭素繊維は、その繊維直径が5〜20μm、平均粒径が10〜500μm及び密度が2.20〜2.26g/cmであることを特徴とする請求項1に記載の熱伝導性シート
  3. 高分子材料と、電気絶縁性の熱伝導性充填剤と、黒鉛化炭素繊維とを含有し、発熱する素子と伝熱部材間に介在させて用いる電気絶縁性の熱伝導性高分子組成物としての熱伝導性グリスであって、前記電気絶縁性の熱伝導性充填剤が酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素及び水酸化アルミニウムから選ばれる少なくとも一種であるとともに、前記黒鉛化炭素繊維が、メソフェーズピッチを原料とし、紡糸、不融化及び炭化後に粉砕され、その後黒鉛化されて得られる粉末状のものであることを特徴とする熱伝導性グリス
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Families Citing this family (116)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7235514B2 (en) * 2000-07-28 2007-06-26 Tri-Mack Plastics Manufacturing Corp. Tribological materials and structures and methods for making the same
US7038009B2 (en) * 2001-08-31 2006-05-02 Cool Shield, Inc. Thermally conductive elastomeric pad and method of manufacturing same
US7375158B2 (en) * 2002-05-31 2008-05-20 Dow Corning Toray Silicone Company, Ltd. Thermoconductive curable liquid polymer composition and semiconductor device produced with the use of this composition
US6749010B2 (en) * 2002-06-28 2004-06-15 Advanced Energy Technology Inc. Composite heat sink with metal base and graphite fins
JP3834528B2 (ja) * 2002-07-11 2006-10-18 ポリマテック株式会社 熱伝導性高分子成形体の製造方法
JP2004051852A (ja) * 2002-07-22 2004-02-19 Polymatech Co Ltd 熱伝導性高分子成形体及びその製造方法
AU2003251307A1 (en) * 2002-09-10 2004-04-30 The Trustees Of The University Pennsylvania Carbon nanotubes: high solids dispersions and nematic gels thereof
AU2003269495A1 (en) * 2002-10-25 2004-05-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device and resin binder for assembling semiconductor device
JP2004149722A (ja) * 2002-10-31 2004-05-27 Polymatech Co Ltd 熱伝導性高分子成形体
JP2004260135A (ja) * 2003-02-06 2004-09-16 Sanyo Electric Co Ltd 半導体集積装置及びその製造方法
US6776226B1 (en) * 2003-03-12 2004-08-17 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Electronic device containing thermal interface material
US7285591B2 (en) * 2003-03-20 2007-10-23 The Trustees Of The University Of Pennsylvania Polymer-nanotube composites, fibers, and processes
US7229201B2 (en) * 2003-03-26 2007-06-12 Optim Inc. Compact, high-efficiency, high-power solid state light source using a single solid state light-emitting device
DE10327530A1 (de) * 2003-06-17 2005-01-20 Electrovac Gesmbh Vorrichtung mit wenigstens einer von einem zu kühlenden Funktionselement gebildeten Wärmequelle, mit wenigstens einer Wärmesenke und mit wenigstens einer Zwischenlage aus einer thermischen leitenden Masse zwischen der Wärmequelle und der Wärmesenke sowie thermische leitende Masse, insbesondere zur Verwendung bei einer solchen Vorrichtung
US20050089638A1 (en) * 2003-09-16 2005-04-28 Koila, Inc. Nano-material thermal and electrical contact system
JP2005127965A (ja) * 2003-10-27 2005-05-19 Mitsubishi Pencil Co Ltd 光学計測用炭素基板とその製造方法
TW200517042A (en) * 2003-11-04 2005-05-16 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Heat sink
JP2005146057A (ja) * 2003-11-12 2005-06-09 Polymatech Co Ltd 高熱伝導性成形体及びその製造方法
US7612370B2 (en) * 2003-12-31 2009-11-03 Intel Corporation Thermal interface
JP2005298552A (ja) * 2004-04-06 2005-10-27 Mitsubishi Engineering Plastics Corp 熱伝導性ポリカーボネート系樹脂組成物および成形体
US7198397B2 (en) * 2004-09-17 2007-04-03 Optim, Inc. LED endoscope illuminator and methods of mounting within an endoscope
US20060083927A1 (en) * 2004-10-15 2006-04-20 Zyvex Corporation Thermal interface incorporating nanotubes
TW200633171A (en) 2004-11-04 2006-09-16 Koninkl Philips Electronics Nv Nanotube-based fluid interface material and approach
TWI393226B (zh) * 2004-11-04 2013-04-11 Taiwan Semiconductor Mfg 基於奈米管之填充物
US20060135655A1 (en) * 2004-12-16 2006-06-22 Cool Options, Inc. Method for improving filler dispersal and reducing tensile modulus in a thermally conductive polymer composition
US8092910B2 (en) * 2005-02-16 2012-01-10 Dow Corning Toray Co., Ltd. Reinforced silicone resin film and method of preparing same
CN101120054B (zh) * 2005-02-16 2013-01-09 陶氏康宁公司 增强的有机硅树脂膜及其制备方法
US20060228542A1 (en) * 2005-04-08 2006-10-12 Saint-Gobain Performance Plastics Corporation Thermal interface material having spheroidal particulate filler
EP1876276A4 (en) * 2005-04-19 2011-02-23 Teijin Ltd CARBON FIBER COMPOSITE SHEET, USE THEREOF AS HEAT TRANSFER ARTICLE AND SHEET FOR BRAI-BASED CARBON FIBER MAT FOR USE IN THE SAME
JP2006328352A (ja) * 2005-04-28 2006-12-07 Idemitsu Kosan Co Ltd 絶縁性熱伝導性樹脂組成物及び成形品並びにその製造方法
JP2009503230A (ja) * 2005-08-04 2009-01-29 ダウ・コーニング・コーポレイション 強化シリコーン樹脂フィルムおよびその製造方法
JP2007091985A (ja) * 2005-09-30 2007-04-12 Mitsubishi Engineering Plastics Corp 熱伝導性ポリカーボネート系樹脂組成物および成形体
JP4817784B2 (ja) * 2005-09-30 2011-11-16 三菱エンジニアリングプラスチックス株式会社 熱伝導性ポリカーボネート系樹脂組成物および成形体
JP4817785B2 (ja) * 2005-09-30 2011-11-16 三菱エンジニアリングプラスチックス株式会社 高熱伝導絶縁性ポリカーボネート系樹脂組成物および成形体
TWI291480B (en) * 2005-12-20 2007-12-21 Ind Tech Res Inst Composition for thermal interface materials
EP1969065B1 (en) 2005-12-21 2011-07-27 Dow Corning Corporation Silicone resin film, method of preparing same, and nanomaterial-filled silicone composition
KR100705905B1 (ko) 2005-12-30 2007-04-10 제일모직주식회사 열전도성이 우수한 열가소성 수지조성물
US8084532B2 (en) * 2006-01-19 2011-12-27 Dow Corning Corporation Silicone resin film, method of preparing same, and nanomaterial-filled silicone composition
CN101379153B (zh) * 2006-02-02 2011-12-28 陶氏康宁公司 有机硅树脂膜,其制备方法和纳米材料填充的有机硅组合物
KR100827378B1 (ko) * 2006-02-08 2008-05-07 엘지전자 주식회사 열확산 시트
WO2007097835A2 (en) * 2006-02-20 2007-08-30 Dow Corning Corporation Silicone resin film, method of preparing same, and nanomaterial-filled silicone composition
JP5015490B2 (ja) * 2006-04-27 2012-08-29 帝人株式会社 熱伝導性フィラー及びそれを用いた複合成形体
WO2007149783A1 (en) * 2006-06-20 2007-12-27 Polyone Corporation Thermally conductive polymer compounds containing zinc sulfide and thermal carbon black
CN101522838B (zh) * 2006-10-05 2012-07-04 陶氏康宁公司 有机硅树脂膜及其制备方法
WO2008070151A2 (en) * 2006-12-06 2008-06-12 Windtronix Energy, Inc. Improved renewable energy apparatus and method for operating the same
US20080153959A1 (en) * 2006-12-20 2008-06-26 General Electric Company Thermally Conducting and Electrically Insulating Moldable Compositions and Methods of Manufacture Thereof
CA2674611A1 (en) * 2007-01-10 2008-07-17 Optim, Inc. Endoscope with detachable elongation portion
EP2125936A1 (en) * 2007-02-06 2009-12-02 Dow Corning Corporation Silicone resin, silicone composition, coated substrate, and reinforced silicone resin film
US8273448B2 (en) * 2007-02-22 2012-09-25 Dow Corning Corporation Reinforced silicone resin films
KR20090113374A (ko) * 2007-02-22 2009-10-30 다우 코닝 코포레이션 강화 실리콘 수지 필름 및 그의 제조방법
CN101626893B (zh) * 2007-02-22 2013-07-03 道康宁公司 增强硅树脂膜
US7846543B2 (en) 2007-03-06 2010-12-07 Teijin Limited Pitch-based carbon fibers, and manufacturing method and molded product thereof
CN101675097B (zh) * 2007-05-01 2012-03-14 陶氏康宁公司 增强的有机硅树脂膜
EP2142588A1 (en) * 2007-05-01 2010-01-13 Dow Corning Corporation Nanomaterial-filled silicone composition and reinforced silicone resin film
US20090151839A1 (en) * 2007-05-11 2009-06-18 Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. Rubber Composition For Adhering Steel Cord
JP2009013390A (ja) * 2007-06-04 2009-01-22 Teijin Ltd 熱伝導性シート
WO2009006163A2 (en) * 2007-06-29 2009-01-08 Itt Manufacturing Enterprises, Inc. Thermally conductive structural composite material and method
JP4631877B2 (ja) * 2007-07-02 2011-02-16 スターライト工業株式会社 樹脂製ヒートシンク
DE102007037316A1 (de) * 2007-08-08 2009-02-12 Lanxess Deutschland Gmbh Thermisch leitfähige und elektrisch isolierende thermoplastische Compounds
US20090077553A1 (en) * 2007-09-13 2009-03-19 Jian Tang Parallel processing of platform level changes during system quiesce
US7723419B1 (en) * 2007-09-17 2010-05-25 Ovation Polymer Technology & Engineered Materials, Inc. Composition providing through plane thermal conductivity
WO2009048694A1 (en) * 2007-10-12 2009-04-16 Dow Corning Corporation Reinforced silicone resin film and nanofiber-filled silicone composition
JP2009108118A (ja) * 2007-10-26 2009-05-21 Teijin Ltd ピッチ系炭素短繊維フィラー及びそれを用いた成形体
JP2009108119A (ja) * 2007-10-26 2009-05-21 Teijin Ltd 熱伝導性フィラー及びそれを用いた成形体
CN101977976B (zh) * 2008-03-20 2014-08-27 帝斯曼知识产权资产管理有限公司 导热塑料材料的热沉
US20090308571A1 (en) * 2008-05-09 2009-12-17 Thermal Centric Corporation Heat transfer assembly and methods therefor
DE102008031297A1 (de) * 2008-07-02 2010-01-14 Siemens Aktiengesellschaft Halbleitermodul
JP5239768B2 (ja) * 2008-11-14 2013-07-17 富士通株式会社 放熱材料並びに電子機器及びその製造方法
CN101760035B (zh) * 2008-12-24 2016-06-08 清华大学 热界面材料及该热界面材料的使用方法
TWI394825B (zh) * 2009-01-16 2013-05-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 熱介面材料及該熱介面材料之使用方法
US20100186806A1 (en) * 2009-01-26 2010-07-29 Mitsubishi Electric Corporation Photovoltaic module
US8709538B1 (en) 2009-09-29 2014-04-29 The Boeing Company Substantially aligned boron nitride nano-element arrays and methods for their use and preparation
US9469790B2 (en) * 2009-09-29 2016-10-18 The Boeing Company Adhesive compositions comprising electrically insulating-coated carbon-based particles and methods for their use and preparation
JP2012049495A (ja) 2010-01-29 2012-03-08 Nitto Denko Corp 発光ダイオード装置
TW201203477A (en) * 2010-01-29 2012-01-16 Nitto Denko Corp Power module
TWI513810B (zh) 2010-01-29 2015-12-21 Nitto Denko Corp 攝像零件
US9096784B2 (en) 2010-07-23 2015-08-04 International Business Machines Corporation Method and system for allignment of graphite nanofibers for enhanced thermal interface material performance
JP5312437B2 (ja) * 2010-12-07 2013-10-09 三菱エンジニアリングプラスチックス株式会社 熱伝導性ポリカーボネート系樹脂組成物および成形体
KR101368315B1 (ko) * 2010-12-31 2014-02-27 제일모직주식회사 밀드 피치계 탄소섬유를 포함하는 고열전도성 수지 조성물
US8741998B2 (en) 2011-02-25 2014-06-03 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Thermally conductive and electrically insulative polymer compositions containing a thermally insulative filler and uses thereof
US8552101B2 (en) 2011-02-25 2013-10-08 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Thermally conductive and electrically insulative polymer compositions containing a low thermally conductive filler and uses thereof
JP5419916B2 (ja) * 2011-04-04 2014-02-19 三菱エンジニアリングプラスチックス株式会社 熱伝導性ポリカーボネート系樹脂組成物および成形体
US9257359B2 (en) 2011-07-22 2016-02-09 International Business Machines Corporation System and method to process horizontally aligned graphite nanofibers in a thermal interface material used in 3D chip stacks
US8915617B2 (en) 2011-10-14 2014-12-23 Ovation Polymer Technology And Engineered Materials, Inc. Thermally conductive thermoplastic for light emitting diode fixture assembly
JP5940325B2 (ja) * 2012-03-12 2016-06-29 東レ・ダウコーニング株式会社 熱伝導性シリコーン組成物
US9111899B2 (en) 2012-09-13 2015-08-18 Lenovo Horizontally and vertically aligned graphite nanofibers thermal interface material for use in chip stacks
CN103865496B (zh) * 2012-12-14 2017-09-19 深圳市百柔新材料技术有限公司 一种绝缘导热粉体、材料及其制备方法
US10287473B2 (en) * 2012-12-20 2019-05-14 Dow Global Technologies Llc Polymer composite components for wireless-communication towers
US9245813B2 (en) 2013-01-30 2016-01-26 International Business Machines Corporation Horizontally aligned graphite nanofibers in etched silicon wafer troughs for enhanced thermal performance
US9090004B2 (en) 2013-02-06 2015-07-28 International Business Machines Corporation Composites comprised of aligned carbon fibers in chain-aligned polymer binder
US9227347B2 (en) 2013-02-25 2016-01-05 Sabic Global Technologies B.V. Method of making a heat sink assembly, heat sink assemblies made therefrom, and illumants using the heat sink assembly
US9228065B2 (en) 2013-05-09 2016-01-05 University Of Houston System Solution based polymer nanofiller-composites synthesis
US9082744B2 (en) 2013-07-08 2015-07-14 International Business Machines Corporation Method for aligning carbon nanotubes containing magnetic nanoparticles in a thermosetting polymer using a magnetic field
JP6215002B2 (ja) * 2013-10-25 2017-10-18 東京エレクトロン株式会社 フォーカスリングの製造方法及びプラズマ処理装置の製造方法
GB201413136D0 (en) * 2014-07-24 2014-09-10 Lmk Thermosafe Ltd Conductive polymer composite
CN105419301A (zh) * 2014-09-11 2016-03-23 北京廊桥材料技术有限公司 复合导热填料及其制造方法
US9862809B2 (en) 2015-07-31 2018-01-09 Ticona Llc Camera module
US10407605B2 (en) 2015-07-31 2019-09-10 Ticona Llc Thermally conductive polymer composition
TWI708814B (zh) * 2015-07-31 2020-11-01 美商堤康那責任有限公司 用於相機模組中之熱導性聚合物組合物
TWI708806B (zh) 2015-08-17 2020-11-01 美商堤康那責任有限公司 用於相機模組之液晶聚合物組合物
US10717911B2 (en) 2015-10-09 2020-07-21 Ineos Styrolution Group Gmbh Electrically conducting thermally conductive polymer resin composition based on styrenics with balanced properties
WO2017060347A1 (en) 2015-10-09 2017-04-13 Ineos Styrolution Group Gmbh Electrically insulating thermally conductive polymer resin composition based on styrenics with balanced properties
US10920037B2 (en) 2015-10-09 2021-02-16 Ineos Styrolution Group Gmbh Thermally conductive polymer resin composition based on styrenics with low density
DE102015118245B4 (de) * 2015-10-26 2024-10-10 Infineon Technologies Austria Ag Elektronische Komponente mit einem thermischen Schnittstellenmaterial, Herstellungsverfahren für eine elektronische Komponente, Wärmeabfuhrkörper mit einem thermischen Schnittstellenmaterial und thermisches Schnittstellenmaterial
JP6881429B2 (ja) * 2016-02-25 2021-06-02 日本ゼオン株式会社 積層体およびその製造方法、ならびに二次シートおよび二次シートの製造方法
US10633535B2 (en) 2017-02-06 2020-04-28 Ticona Llc Polyester polymer compositions
WO2019004150A1 (ja) * 2017-06-27 2019-01-03 積水ポリマテック株式会社 熱伝導性シート
WO2019155419A1 (en) 2018-02-08 2019-08-15 Celanese Sales Germany Gmbh Polymer composite containing recycled carbon fibers
US11084925B2 (en) 2018-02-20 2021-08-10 Ticona Llc Thermally conductive polymer composition
CN110606699B (zh) * 2018-06-15 2021-06-22 国家能源投资集团有限责任公司 导热炭材料及其制备方法
KR102164795B1 (ko) 2018-09-06 2020-10-13 삼성전자주식회사 팬-아웃 반도체 패키지
JP7363051B2 (ja) * 2019-02-26 2023-10-18 日本ゼオン株式会社 熱伝導シートおよびその製造方法
CN114096619B (zh) * 2019-08-08 2023-05-26 积水保力马科技株式会社 导热片及其制造方法
CN113130114B (zh) * 2021-04-01 2022-07-08 嘉兴纳科新材料有限公司 一种碳纤维导电粉的制备方法
CN113584940A (zh) * 2021-06-24 2021-11-02 浙江超探碳纤维科技有限公司 一种碳纤维纸的制备方法
CN114456588B (zh) * 2022-02-09 2023-09-05 浙江工业大学 一种高强度高导热电磁屏蔽尼龙复合材料及其制备方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0699568B2 (ja) 1985-12-03 1994-12-07 旭化成工業株式会社 熱可塑性樹脂成形品
JP2735956B2 (ja) 1991-01-30 1998-04-02 帝人株式会社 ポリエステル樹脂組成物
JPH04370223A (ja) * 1991-06-19 1992-12-22 Osaka Gas Co Ltd 炭素繊維およびその製造方法
JPH0517593A (ja) 1991-07-11 1993-01-26 Asahi Chem Ind Co Ltd 熱伝導性成形品
JPH05222620A (ja) 1992-02-07 1993-08-31 Osaka Gas Co Ltd 熱伝導性材料
TW252128B (ja) * 1992-02-07 1995-07-21 Nippon Steel Corp
JPH05247268A (ja) 1992-03-06 1993-09-24 Nok Corp ゴム組成物
JP2981536B2 (ja) * 1993-09-17 1999-11-22 株式会社ペトカ メソフェーズピッチ系炭素繊維ミルド及びその製造方法
JPH0881608A (ja) * 1994-09-13 1996-03-26 Osaka Gas Co Ltd フッ素樹脂組成物
JPH09283955A (ja) * 1996-04-10 1997-10-31 Matsushita Electric Works Ltd 放熱シート
JPH09283145A (ja) 1996-04-15 1997-10-31 Petoca:Kk リチウム系二次電池用炭素材及びその製造方法
JPH09320593A (ja) * 1996-05-27 1997-12-12 Toshiba Battery Co Ltd 非水電解液二次電池
JPH10298433A (ja) 1997-04-28 1998-11-10 Matsushita Electric Works Ltd シリコーンゴム組成物及び放熱用シート
JP3178805B2 (ja) * 1997-10-16 2001-06-25 電気化学工業株式会社 放熱スペーサー
JPH11158378A (ja) 1997-11-28 1999-06-15 Toshiba Silicone Co Ltd 黒鉛含有シリコーンゴム組成物
JPH11279406A (ja) 1998-03-30 1999-10-12 Nippon Mitsubishi Oil Corp 高熱伝導性シリコーンゴム組成物および熱伝導装置
JPH11307697A (ja) * 1998-04-16 1999-11-05 Porimatec Kk 熱伝導性複合シート
JP2000164215A (ja) * 1998-11-25 2000-06-16 Petoca Ltd リチウムイオン二次電池負極用黒鉛材
JP2000191812A (ja) 1998-12-28 2000-07-11 Polymatech Co Ltd 熱伝導性シ―ト
JP2000212336A (ja) * 1999-01-28 2000-08-02 Polymatech Co Ltd 熱伝導性ゴム組成物および熱伝導性成形品
JP2000281802A (ja) 1999-03-30 2000-10-10 Polymatech Co Ltd 熱伝導性成形体およびその製造方法ならびに半導体装置

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