JP4756720B2 - フォトマスク、フォトマスクの製造方法、フォトマスクの検査修正方法、半導体集積回路の製造方法および液晶ディスプレイの製造方法 - Google Patents
フォトマスク、フォトマスクの製造方法、フォトマスクの検査修正方法、半導体集積回路の製造方法および液晶ディスプレイの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4756720B2 JP4756720B2 JP04223099A JP4223099A JP4756720B2 JP 4756720 B2 JP4756720 B2 JP 4756720B2 JP 04223099 A JP04223099 A JP 04223099A JP 4223099 A JP4223099 A JP 4223099A JP 4756720 B2 JP4756720 B2 JP 4756720B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diagonal line
- photomask
- line
- diagonal
- layout data
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/76—Patterning of masks by imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体集積回路装置や液晶ディスプレイの製造工程で使用されるフォトマスク、並びにそのフォトマスクの製造方法、検査修正方法及び使用方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、可変成形ビームベクタースキャン型の電子線露光装置を用いて、フォトマスクを製造することが増えてきた。
【０００３】
図１３は可変成形ビームベクタースキャン型の電子線露光装置を示す構成図である。図１３において、１０１は可変成形ビームベクタースキャン型の電子線露光装置、１０２はＬａＢ６ 電子銃、１０３は第１成形アパーチャ、１０４は第１成形レンズ、１０５は第１成形偏向器、１０６は第２成形レンズ、１０７は第２成形アパーチャ、１０８は縮小レンズ、１０９はブランキング電極、１１０は偏向器、１１１は集束レンズ、１１２は描画フィールドである。
【０００４】
また、１１３は第１成形アパーチャ１０３と、第１成形レンズ１０４と、第１成形偏向器１０５と、第２成形レンズ１０６と、第２成形アパーチャ１０７とから成る可変成形レンズ部であり、１１４は偏向器１１０と集束レンズ１１１とから成る収束偏向レンズ部である。また、１１５はステージ（図示せず）上に載置された被露光対象としてのフォトマスクである。
【０００５】
可変成形ビームベクタースキャン型の電子線露光装置１０１では、回路パタンを描画する場合、図１４（ａ）に示すように、回路パタンのレイアウトデータを単純な矩形に区分し、各矩形ごとに順番に露光する方式を採用している。このため、可変成形ビームベクタースキャン型の電子線露光装置１０１では、回路パタンのレイアウトが単純である場合、回路パタンのレイアウトが複雑である場合に比べて、露光する面積は同じであっても露光する矩形の数が少なく、スループットが高い。
【０００６】
また、可変成形ビームベクタースキャン型の電子線露光装置１０１は、図１４（ｂ）に示すように露光する部分及び露光しない部分を含めたフォトマスク全体をガウスビームでスキャンして回路パタンを描画する方式を採用するガウスビームラスタースキャン型の電子線露光装置や、図１４（ｃ）に示すように露光する部分だけをガウスビームでスキャンして回路パタンを描画する方式を採用するガウスビームベクタースキャン型の電子線露光装置に比べてスループットが高い点で優れている。
【０００７】
また、近年、ＬＳＩの高集積化に伴い小さな領域に複雑な機能を詰め込もうとすると、縦横に走る配線だけでは自由度が少ないので斜め方向に走る配線を利用する場合が増えている。
【０００８】
しかし、可変成形ビームベクタースキャン型の電子線露光装置１０１では、斜め線が描画可能なように第１及び第２成形部が構成されていない。そこで、可変成形ビームベクタースキャン型の電子線露光装置１０１では、斜め線を含んだ多角形の回路パタンを描画する場合、まず、図１４（ａ）に示すように、斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデータを、斜め線が電子線露光装置１０１の解像力と同じ幅を有する複数の細長い矩形により階段状に表わされかつ全体が複数の矩形から成る多角形のデータに変換する。すなわち、斜め線の幅Ｗを電子線露光装置１０１の解像力Ｒｗの整数倍となるように設計し、斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデータを、斜め線がＮｗ＝Ｗ／Ｒｗで定義されるＮｗ個の矩形により階段状に表わされかつ全体が複数の矩形から成る多角形のデータに変換する。その後、これら矩形を１つずつ露光することにより斜め線を含んだ多角形の回路パタンを描画する。
【０００９】
なお、レイアウトデータを一律にシュリンクする際、矩形のレイアウトデータの場合、正しくグリッド上に載るが、斜め線を含んだ多角形のレイアウトデータの場合、正しくグリット上に載るとは限らない。シュリンク後のレイアウトデータがグリット上に正しく載っていない場合、レイアウトデータに丸め誤差が生じ、描画精度が劣化する。
【００１０】
図１５は電子線露光装置を用いて製造されたフォトマスクを用いて半導体集積回路や液晶ディスプレイを製造するための投影露光装置を示す構成図である。図１５において、２０１は投影露光装置、２０２は光源としてのＨｇランプ、２０３は第１のレンズ、２０４は第１のミラー、２０５は第２のレンズ、２０６はフライアイレンズ、２０７は二次光源面、２０８は第３のレンズ、２０９はブラインド、２１０は第４のレンズ、２１１は第２のミラー、２１２は第５のレンズ、２１３は第６のレンズ、２１４は瞳面、２１５は第７のレンズである。
【００１１】
また、２１６はフォトマスク、２１７は被露光対象としてのウェハ、２１８はＨｇランプ２０２から出射された光、２１９はフォトマスク２１６により回折された回折光である。
【００１２】
投影露光装置２０１の解像力Ｒｐは、露光波長λ、レンズの開口数ＮＡ、プロセス定数ｋｌを用いて、Ｒｐ＝ｋｌ・λ／ＮＡと定義される。このため、フォトマスク２１６の一主面上に形成された遮光パタンの幅が、ｍ・Ｒｐ以下の場合、その遮光パタンの形状を被露光対象としてのウェハ２１７上に正確に表わすことができず、輪郭が丸まる。例えば、図１６（ａ）は中央に一辺がｍ・Ｒｐ以下である正方形の孔を有する遮光パタンを備えたフォトマスクを図１５に示す投影露光装置に装着して、ウェハ２１７を露光した場合、ウェハ２１７上では遮光パタンの形状が図１６（ｂ）に示す形状で表される。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
可変成形ビームベクタースキャン型の電子線露光装置を用いて斜め線を描画する場合には、以上のように行うので、回路パタン中に斜め線があると、回路パタンの描画時間が著しく長くなり、電子線露光装置のスループットが劣化し、フォトマスクの価格が上昇するなどの課題があった。
【００１４】
また、描画時間が長くなると、電子線露光装置のステージのドリフトの影響も大きくなるので、長寸法誤差が拡大し、フォトマスクの精度が低下するなどの課題があった。
【００１５】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、安価で高精度なフォトマスクを得ることを目的とする。
【００１６】
また、そのフォトマスクの製造方法、検査修正方法、及び使用方法を得ることを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
この発明に係るフォトマスクは、透明基板と、斜め線を含んだ多角形の回路パタンを、斜め線が複数の矩形により階段状に表わされた多角形として示した遮光パタンとを備え、矩形の幅Ｒが、Ｒｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるものである（ただし、ｍは露光装置の転写倍率、Ｒｐは露光装置の解像力、Ｒｗはマスク描画装置の解像力である。）。
【００１８】
この発明に係るフォトマスクは、斜め線を含んだ多角形の面積が、斜め線が階段状に表わされた多角形の面積と等しいものである。
【００１９】
この発明に係るフォトマスクは、斜め線を含んだ多角形における斜め線の端部に接続する辺と、斜め線が階段状に表わされた多角形における斜め線の端部に相当する位置に接続する辺とが平行関係にあるものである。
【００２０】
この発明に係るフォトマスクは、斜め線を含んだ多角形における斜め線の端部に接続する辺と、斜め線が階段状に表わされた多角形における斜め線の端部に相当する位置に接続する辺とが直角関係にあるものである。
【００２３】
この発明に係るフォトマスクは、斜め線を含んだ多角形における斜め線の端部に接続する辺が互いに直角関係にあるとき、斜め線を表わす階段形状が、斜め線に相当する線の中点に対して点対称であるものである。
【００２５】
この発明に係るフォトマスクの製造方法は、回路パタンをレイアウトし、そのレイアウトデータを作成する工程と、斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデータを、斜め線が複数の矩形により階段状に表わされかつ全体が複数の矩形から成る多角形のデータに変換する工程と、斜め線を含んだ多角形の回路パタンの変換後のレイアウトデータに基づき、回路パタンを描画する工程とを含み、斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデータを変換する工程において、斜め線を表わす矩形の幅ＲをＲｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲とするものである（ただし、ｍは露光装置の転写倍率、Ｒｐは露光装置の解像力、Ｒｗはマスク描画装置の解像力である。）。
【００２６】
この発明に係るフォトマスクの製造方法は、斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデータを変換する方法が複数通りある場合、全矩形の数が少ない方法を選択するものである。
【００２７】
この発明に係るフォトマスクの製造方法は、斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデータを変換する方法が複数通りある場合、微小矩形の数が少ない方法を選択するものである。
【００２８】
この発明に係るフォトマスクの製造方法は、斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデータを変換する方法が複数通りある場合、微小矩形が複数の矩形から成る多角形の外周部に位置しない方法を選択するものである。
【００２９】
この発明に係るフォトマスクの検査修正方法は、透明基板と、斜め線を含んだ多角形の回路パタンを、斜め線が複数の矩形により階段状に表わされた多角形として示した遮光パタンとを備え、矩形の幅Ｒが、Ｒｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるフォトマスクの斜め線に相当する線の位置に生じた欠陥を検査修正するに当たり、回路パタンのレイアウトデータを参照して斜めに検査修正するものである（ただし、ｍは露光装置の転写倍率、Ｒｐは露光装置の解像力、Ｒｗはマスク描画装置の解像力である。）。
【００３０】
この発明に係るフォトマスクを使用した半導体集積回路の製造方法は、透明基板と、斜め線を含んだ多角形の回路パタンを、斜め線が複数の矩形により階段状に表わされた多角形として示した遮光パタンとを備え、矩形の幅Ｒが、Ｒｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるフォトマスクを用いて、半導体集積回路を製造するものである（ただし、ｍは露光装置の転写倍率、Ｒｐは露光装置の解像力、Ｒｗはマスク描画装置の解像力である。）。
【００３１】
この発明に係るフォトマスクを使用した液晶ディスプレイの製造方法は、透明基板と、斜め線を含んだ多角形の回路パタンを、斜め線が複数の矩形により階段状に表わされた多角形として示した遮光パタンとを備え、矩形の幅Ｒが、Ｒｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるフォトマスクを用いて、液晶ディスプレイを製造するものである（ただし、ｍは露光装置の転写倍率、Ｒｐは露光装置の解像力、Ｒｗはマスク描画装置の解像力である。）。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の一形態を説明する。
実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１によるフォトマスクを示す構成図である。図１において、１はフォトマスク、２は透明基板、３ａは斜め線を含まない四角形の回路パタンのレイアウトデータに基づいて、可変成形ビームベクタースキャン型の電子線露光装置（マスク描画装置）により露光することにより透明基板２の一主面上に形成された遮光パタン、３ｂは斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデータに基づいて、可変成形ビームベクタースキャン型の電子線露光装置により露光することにより透明基板２の一主面上に形成された遮光パタンである。また、４は斜め線を含んだ多角形の回路パタン中の斜め線に相当する線である。
【００３３】
遮光パタン３ｂは、斜め線が斜め線の幅Ｗ、フォトマスク１を装着する投影露光装置（露光装置）の解像力Ｒｐ、投影露光装置の転写倍率ｍからＮｐ＝ｉｎｔ（Ｗ／Ｒｐ／ｍ）＋１で定義されるＮｐ個の矩形により階段状に表わされる多角形のデータに変換された、斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデータに基づいて透明基板２の一主面上に形成されたものである。
【００３４】
ここで、一般に、Ｒｐ・ｍは電子線露光装置の解像力Ｒｗより１０倍以上大きいので、ＮｐはＮｗより小さく、その結果、矩形の幅Ｒは電子線露光装置の解像力Ｒｗより大きい。また、Ｎｐ＝ｉｎｔ（Ｗ／Ｒｐ／ｍ）＋１と定義されることから、矩形の幅ＲがＲｐ・ｍより小さいことも明らかである。すなわち矩形の幅ＲはＲｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲である。
【００３５】
換言すれば、遮光パタン３ｂは、斜め線を含んだ多角形の回路パタンを、斜め線が複数の矩形により階段状に表わされた多角形として示したものであり、矩形の幅ＲがＲｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるものである。
図１では、一例として、斜め線を含んだ多角形の回路パタン中の斜め線が、幅Ｒ１がＲｗ＜Ｒ１＜Ｒｐ・ｍの範囲である矩形４ｘと幅Ｒ２がＲｗ＜Ｒ２＜Ｒｐ・ｍの範囲である矩形４ｙにより階段状に表わされる例を示している。
【００３６】
以上のように、この実施の形態１によれば、遮光パタン３ｂは、斜め線がＮｐ（＜Ｎｍ）個の矩形により階段状に表わされる多角形のデータに変換された、斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデータに基づいて形成されたものであるので、従来の場合に比べて少ない露光回数で短時間で回路パタンが描画されている。その結果、電子線露光装置のスループットが向上し、フォトマスクが低価格となる効果が得られる。また、電子線露光装置のドリフトの影響も小さくなり、フォトマスクが長寸法誤差の小さく高精度なものとなる効果も得られる。
【００３７】
実施の形態２． 実施の形態２では、実施の形態１で説明したフォトマスクの製造方法について説明する。図２はフォトマスクの製造方法を示すフローチャートである。フォトマスクを製造する場合、まず、ＣＡＤツールを用いて、製造予定の装置に必要な回路パタンをレイアウトする（ステップＳＴ１）。
【００３８】
その後、回路パタンの集積度を上げるため、回路パタンをコンパクションし、回路パタンのレイアウトデータを作成する（ステップＳＴ２）。この時、デザインルールを守りながら、適宜配線を折り曲げてより多くの回路パタンを小さな領域に集積するため、縦横に走る配線だけでなく斜め方向に走る配線を利用する場合がある。
【００３９】
その後、回路パタンのレイアウトデータを標準フォーマットに変換する（ステップＳＴ３）。
その後、回路パタンのレイアウトデータから、各層毎のデータを抽出して展開する（ステップＳＴ４）。
その後、回路パタンのレイアウトデータ中の図形変換を行う領域を指定する（ステップＳＴ５）。
その後、回路パタンのレイアウトデータ中の繰り返し部分と非繰り返し部分とを一旦分ける（ステップＳＴ６）。
その後、繰り返し部分及び非繰り返し部分を小さなセグメントに分割する（ステップＳＴ７）。ただし、繰り返し部分の分割は、繰り返し部分がセグメントより大きい場合に行う。
その後、セグメント毎に、重複除去など既存の図形演算等の処理を行う（ステップＳＴ８）。
【００４０】
その後、斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデータを、斜め線が複数の矩形により階段状に表わされかつ全体が複数の矩形から成る多角形のデータであって、斜め線を表わす矩形の幅ＲがＲｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるものに変換する（ステップＳＴ９）。すなわち、斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデータを、斜め線が斜め線の幅Ｗ、投影露光装置の解像力Ｒｐ、投影露光装置の転写倍率ｍからＮｐ＝ｉｎｔ（Ｗ／Ｒｐ／ｍ）＋１で定義されるＮｐ個の矩形により階段状に表わされる多角形のデータに変換する。
【００４１】
その後、繰り返し部分を非繰り返し部分に割り付ける（ステップＳＴ１０）。
その後、回路パタンのレイアウトデータを、使用する可変成形ビームスキャン型の電子線露光装置のフォーマットに変換する（ステップＳＴ１１）。
【００４２】
その後、斜め線を含んだ多角形の回路パタンの変換後のレイアウトデータを有する回路パタンのレイアウトデータに基づき、回路パタンを可変成形ビームスキャン型の電子線露光装置により描画する（ステップＳＴ１２）。すなわち、斜め線を含んだ多角形の回路パタンの変換後のレイアウトデータ全体が複数の矩形から成るため、これら矩形を可変成形ビームスキャン型の電子線露光装置により１つずつ露光することにより、回路パタンを描画する。
【００４３】
以上のように、この実施の形態２によれば、斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデータを、斜め線が斜め線の幅Ｗ、投影露光装置の解像力Ｒｐ、投影露光装置の転写倍率ｍからＮｐ＝ｉｎｔ（Ｗ／Ｒｐ／ｍ）＋１で定義されるＮｐ個の矩形により階段状に表わされる多角形のデータに変換するので、従来の場合に比べて、露光回数が少なく、回路パタンの描画時間が短い。その結果、電子線露光装置のスループットが向上し、低価格のフォトマスクを製造することができる効果が得られる。また、電子線露光装置のドリフトの影響が小さくなり、長寸法誤差の小さい高精度のフォトマスクを製造することができる効果が得られる。
【００４４】
実施の形態３．
実施の形態３から実施の形態６では、斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデータに基づいて形成された遮光パタンの例について説明する。
【００４５】
図３は実施の形態３の説明に供する図である。図３（ａ）は斜め線を含んだ多角形の回路パタン５を示し、図３（ｂ）から図３（ｇ）は図３（ａ）に示す斜め線を含んだ多角形の回路パタン５の変換後のレイアウトデータに基づいて形成された遮光パタン３ｂ、すなわち、図３（ａ）に示す斜め線を含んだ多角形の回路パタン５を、斜め線が複数の矩形により階段状に表わされた多角形として示した遮光パタン３ｂであって、斜め線を表わす矩形の幅ＲがＲｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるものを示している。
【００４６】
図３（ｂ）及び図３（ｅ）は、図３（ａ）に示す回路パタン５における斜め線６の幅ＷがＲｐ・ｍより小さい場合を示し、図３（ｃ）、図３（ｄ）、図３（ｆ）及び図３（ｇ）は、図３（ａ）に示す回路パタン５における斜め線６の幅ＷがＲｐ・ｍより大きい場合を示している。
【００４７】
図３（ａ）に示す回路パタン５における斜め線の端部に接続する辺７ａと辺７ｂとは互いに平行関係にある。図３（ｂ）から図３（ｇ）に示す遮光パタン３ｂの面積は、図３（ａ）に示す回路パタン５の面積と等しい。図３（ｂ）から図３（ｇ）に示す遮光パタン３ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４ａと位置４ｂとを接続する階段形状は斜め線に相当する線の中点４ｃに対して点対称である。すなわち、図３（ｂ）から図３（ｇ）に示す遮光パタン３ｂは、図３（ａ）に示す斜め線の端部に接続する辺７ａと辺７ｂとが互いに平行関係にある回路パタン５のレイアウトデータを、変換前後の面積を保持したまま、斜め線を、斜め線に相当する線の中点４ｃに対して点対称である階段形状に変換した後のレイアウトデータに基づいて形成された遮光パタン３ｂを示している。なお、上述した斜め線の端部に接続する２つの辺が互いに平行関係にある回路パタンのレイアウトデータを、変換前後の面積を保持したまま、斜め線を、斜め線に相当する線の中点に対して点対称である階段形状に変換する方式では、変換部分の対称性が確保される。
【００４８】
また、図３（ｂ）から図３（ｄ）に示す遮光パタン３ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４ａ，４ｂに接続する辺８ａ，８ｂは、図３（ａ）に示す回路パタン５における斜め線の端部に接続する辺７ａ，７ｂと平行関係にあり、図３（ｅ）から図３（ｇ）に示す遮光パタン３ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４ａ，４ｂに接続する辺８ａ，８ｂは、図３（ａ）に示す回路パタン５における斜め線６の端部に接続する辺７ａ，７ｂと直角関係にある。辺８ａ，８ｂは斜め線に相当する線４と鋭角をなす。図３（ｂ）は図３（ｅ）に比べて、図３（ｃ）は図３（ｆ）に比べて、図３（ｄ）は図３（ｇ）に比べて、階段形状における屈曲部の数が少ないので、変換後のデータ量が少ないという点で優れている。
【００４９】
実施の形態４．
図４は実施の形態４の説明に供する図である。図４（ａ）は斜め線を含んだ多角形の回路パタン５を示し、図４（ｂ）から図４（ｇ）は図４（ａ）に示す斜め線を含んだ多角形の回路パタン５の変換後のレイアウトデータに基づいて形成された遮光パタン３ｂ、すなわち、図４（ａ）に示す斜め線を含んだ多角形の回路パタン５を、斜め線が複数の矩形により階段状に表わされた多角形として示した遮光パタン３ｂであって、斜め線を表わす矩形の幅ＲがＲｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるものを示している。
【００５０】
図４（ｂ）及び図４（ｅ）は、図４（ａ）に示す回路パタン５における斜め線６の幅ＷがＲｐ・ｍより小さい場合を示し、図４（ｃ）、図４（ｄ）、図４（ｆ）及び図４（ｇ）は、図４（ａ）に示す回路パタン５における斜め線６の幅ＷがＲｐ・ｍより大きい場合を示している。
【００５１】
図４（ａ）に示す回路パタン５における斜め線の端部に接続する辺７ａと辺７ｂとは互いに平行関係にある。図４（ｂ）から図４（ｇ）に示す遮光パタン３ｂの面積は、図４（ａ）に示す回路パタン５の面積と等しい。図４（ｂ）から図４（ｇ）に示す遮光パタン３ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４ａと位置４ｂとを接続する階段形状は斜め線に相当する線の垂直二等分線４ｄに対してミラー対称である。すなわち、図４（ｂ）から図４（ｇ）に示す遮光パタン３ｂは、図４（ａ）に示す斜め線の端部に接続する辺７ａと辺７ｂとが互いに平行関係にある回路パタン５のレイアウトデータを、変換前後の面積を保持したまま、斜め線を、斜め線に相当する線の垂直二等分線４ｄに対してミラー対称である階段形状に変換した後のレイアウトデータに基づいて形成された遮光パタン３ｂを示している。
【００５２】
また、図４（ｂ）から図４（ｄ）に示す遮光パタン３ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４ａに接続する辺８ａは、図４（ａ）に示す回路パタン５における斜め線の端部に接続する辺７ａ，７ｂと平行関係にあり、図４（ｂ）から図４（ｄ）に示す遮光パタン３ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４ｂに接続する辺８ｂは、図４（ａ）に示す回路パタン５における斜め線の端部に接続する辺７ａ，７ｂと直角関係にあり、図４（ｅ）から図４（ｇ）に示す遮光パタン３ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４ａに接続する辺８ａは、図４（ａ）に示す回路パタン５における斜め線６の端部に接続する辺７ａ，７ｂと直角関係にあり、図４（ｅ）から図４（ｇ）に示す遮光パタン３ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４ｂに接続する辺８ｂは、図４（ａ）に示す回路パタン５における斜め線６の端部に接続する辺７ａ，７ｂと平行関係にある。辺８ａ，８ｂは斜め線に相当する線４と鋭角をなす。
【００５３】
実施の形態５．
図５は実施の形態５の説明に供する図である。図５（ａ）は斜め線を含んだ多角形の回路パタン５を示し、図５（ｂ）から図５（ｇ）は図５（ａ）に示す斜め線を含んだ多角形の回路パタン５の変換後のレイアウトデータに基づいて形成された遮光パタン３ｂ、すなわち、図５（ａ）に示す斜め線を含んだ多角形の回路パタン５を、斜め線が複数の矩形により階段状に表わされた多角形として示した遮光パタン３ｂであって、斜め線を表わす矩形の幅ＲがＲｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるものを示している。
【００５４】
図５（ｂ）及び図５（ｅ）は、図５（ａ）に示す回路パタン５における斜め線６の幅ＷがＲｐ・ｍより小さい場合を示し、図５（ｃ）、図５（ｄ）、図５（ｆ）及び図５（ｇ）は、図５（ａ）に示す回路パタン５における斜め線６の幅ＷがＲｐ・ｍより大きい場合を示している。
【００５５】
図５（ａ）に示す回路パタン５における斜め線の端部に接続する辺７ａと辺７ｂとは互いに直角関係にある。図５（ｂ）から図５（ｇ）に示す遮光パタン３ｂの面積は、図５（ａ）に示す回路パタン５の面積と等しい。図５（ｂ）から図５（ｇ）に示す遮光パタン３ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４ａと位置４ｂとを接続する階段形状は斜め線に相当する線の中点４ｃに対して点対称である。すなわち、図５（ｂ）から図５（ｇ）に示す遮光パタン３ｂは、図５（ａ）に示す斜め線の端部に接続する辺７ａと辺７ｂとが互いに直角関係にある回路パタン５のレイアウトデータを、変換前後の面積を保持したまま、斜め線を、斜め線に相当する線の中点４ｃに対して点対称である階段形状に変換した後のレイアウトデータに基づいて形成された遮光パタン３ｂを示している。
【００５６】
また、図５（ｂ）から図５（ｄ）に示す遮光パタン３ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４ａに接続する辺８ａは、図５（ａ）に示す回路パタン５における斜め線の端部に接続する辺７ａと平行関係にあり、図５（ｂ）から図５（ｄ）に示す遮光パタン３ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４ｂに接続する辺８ｂは、図５（ａ）に示す回路パタン５における斜め線の端部に接続する辺７ｂと直角関係にあり、図５（ｅ）から図５（ｇ）に示す遮光パタン３ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４ａに接続する辺８ａは、図５（ａ）に示す回路パタン５における斜め線６の端部に接続する辺７ａと直角関係にあり、図５（ｅ）から図５（ｇ）に示す遮光パタン３ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４ｂに接続する辺８ｂは、図５（ａ）に示す回路パタン５における斜め線６の端部に接続する辺７ｂと平行関係にある。辺８ａ，８ｂは斜め線に相当する線４と鋭角をなす。
【００５７】
実施の形態６．
図６は実施の形態６の説明に供する図である。図６（ａ）は斜め線を含んだ多角形の回路パタン５を示し、図６（ｂ）から図６（ｇ）は図６（ａ）に示す斜め線を含んだ多角形の回路パタン５の変換後のレイアウトデータに基づいて形成された遮光パタン３ｂ、すなわち、図６（ａ）に示す斜め線を含んだ多角形の回路パタン５を、斜め線が複数の矩形により階段状に表わされた多角形として示した遮光パタン３ｂであって、斜め線を表わす矩形の幅ＲがＲｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるものを示している。
【００５８】
図６（ｂ）及び図６（ｅ）は、図６（ａ）に示す回路パタン５における斜め線６の幅ＷがＲｐ・ｍより小さい場合を示し、図６（ｃ）、図６（ｄ）、図６（ｆ）及び図６（ｇ）は、図６（ａ）に示す回路パタン５における斜め線６の幅ＷがＲｐ・ｍより大きい場合を示している。
【００５９】
図６（ａ）に示す回路パタン５における斜め線の端部に接続する辺７ａと辺７ｂとは互いに直角関係にある。図６（ｂ）から図６（ｇ）に示す遮光パタン３ｂの面積は、図６（ａ）に示す回路パタン５の面積と等しい。図６（ｂ）から図６（ｇ）に示す遮光パタン３ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４ａと位置４ｂとを接続する階段形状は斜め線に相当する線の垂直二等分線４ｄに対してミラー対称である。すなわち、図６（ｂ）から図６（ｇ）に示す遮光パタン３ｂは、図６（ａ）に示す斜め線の端部に接続する辺７ａと辺７ｂとが互いに直角関係にある回路パタン５のレイアウトデータを、変換前後の面積を保持したまま、斜め線を、斜め線に相当する線の垂直二等分線４ｄに対してミラー対称である階段形状に変換した後のレイアウトデータに基づいて形成された遮光パタン３ｂを示している。なお、上述した斜め線の端部に接続する２つの辺が互いに直角関係にある回路パタンのレイアウトデータを、変換前後の面積を保持したまま、斜め線を、斜め線に相当する線の垂直二等分線に対してミラー対称である階段形状に変換する方式では、変換部分の対称性が確保される。
【００６０】
また、図６（ｂ）から図６（ｄ）に示す遮光パタン３ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４ａに接続する辺８ａは、図６（ａ）に示す回路パタン５における斜め線の端部に接続する辺７ａと平行関係にあり、図６（ｂ）から図６（ｄ）に示す遮光パタン３ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４ｂに接続する辺８ｂは、図６（ａ）に示す回路パタン５における斜め線の端部に接続する辺７ｂと平行関係にあり、図６（ｅ）から図６（ｇ）に示す遮光パタン３ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４ａに接続する辺８ａは、図６（ａ）に示す回路パタン５における斜め線６の端部に接続する辺７ａと直角関係にあり、図６（ｅ）から図６（ｇ）に示す遮光パタン３ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４ｂに接続する辺８ｂは、図６（ａ）に示す回路パタン５における斜め線の端部に接続する辺７ｂと直角関係にある。辺８ａ，８ｂは斜め線に相当する線４と鋭角をなす。図６（ｂ）は図６（ｅ）に比べて、図６（ｃ）は図６（ｆ）に比べて、図６（ｄ）は図６（ｇ）に比べて、階段形状における屈曲部の数が少ないので、変換後のデータ量が少ないという点で優れている。
【００６１】
実施の形態７．
実施の形態７から実施の形態１０では、斜め線を含んだ多角形の回路パタンの変換後のレイアウトデータの例について説明する。
【００６２】
図７は実施の形態７の説明に供する図である。図７（ａ）から図７（ｈ）は、図３（ａ）に示す斜め線を含んだ多角形の回路パタン５の変換後のレイアウトデータを示している。図３（ａ）に示す斜め線を含んだ多角形の回路パタン５の変換後のレイアウトデータは、複数の矩形により階段状に表わされかつ全体が複数の矩形から成る多角形のデータであって、斜め線を表わす矩形の幅ＲがＲｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるものであるが、図７（ａ）から図７（ｈ）では、全体が複数の矩形から成る様子のみを示している。
【００６３】
図７（ａ）に示すレイアウトデータは図３（ｂ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となるものであり、図７（ｂ）に示すレイアウトデータは図３（ｃ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となるものであり、図７（ｃ）及び図７（ｄ）に示すレイアウトデータは図３（ｄ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となるものであり、図７（ｅ）に示すレイアウトデータは図３（ｅ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となるものであり、図７（ｆ）に示すレイアウトデータは図３（ｆ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となるものであり、図７（ｇ）及び図７（ｈ）に示すレイアウトデータは図３（ｇ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となるものである。
【００６４】
一般に、微小な矩形は大きな矩形に比べて描画精度が悪い。また、微小な矩形が多角形の外周部に位置していると、微小な矩形を含めた全体の描画精度が悪くなる。また、矩形の数は少ないほど、変換後のデータ量は少ない。
【００６５】
図７（ｃ）に示すレイアウトデータと図７（ｄ）に示すレイアウトデータとを比較した場合、図７（ｃ）に示すレイアウトデータを構成する矩形の数と図７（ｄ）に示すレイアウトデータを構成する矩形の数は同じであるが、図７（ｃ）に示すレイアウトデータ中の微小矩形９の数は図７（ｄ）に示すレイアウトデータ中の微小矩形９の数より多く、また、図７（ｃ）に示すレイアウトデータを構成する微小矩形９は外周部に位置している。従って、図７（ｄ）に示すレイアウトデータに基づいて遮光パタンを形成する場合、図７（ｃ）に示すレイアウトデータに基づいて遮光パタンを形成する場合に比べて、精度の高い遮光パタンを形成することができる。同様に、図７（ｈ）に示すレイアウトデータに基づいて遮光パタンを形成する場合、図７（ｇ）に示すレイアウトデータに基づいて遮光パタンを形成する場合に比べて、精度の高い遮光パタンを形成することができる。特に、図７（ｇ）に示すレイアウトデータ中の微小図形９は図７（ｃ）に示すレイアウトデータ中の微小矩形９より小さく、また、外部に位置しているので、図７（ｇ）と図７（ｈ）との比較において、この効果が顕著である。
【００６６】
実施の形態８．
図８は実施の形態８の説明に供する図である。図８（ａ）から図８（ｈ）は、図４（ａ）に示す斜め線を含んだ多角形の回路パタン５の変換後のレイアウトデータを示している。図４（ａ）に示す斜め線を含んだ多角形の回路パタン５の変換後のレイアウトデータは、複数の矩形により階段状に表わされかつ全体が複数の矩形から成る多角形のデータであって、斜め線を表わす矩形の幅ＲがＲｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるものであるが、図８（ａ）から図８（ｈ）では、全体が複数の矩形から成る様子のみを示している。
【００６７】
図８（ａ）に示すレイアウトデータは図４（ｂ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となるものであり、図８（ｂ）に示すレイアウトデータは図４（ｃ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となるものであり、図８（ｃ）及び図８（ｄ）に示すレイアウトデータは図４（ｄ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となるものであり、図８（ｅ）に示すレイアウトデータは図４（ｅ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となるものであり、図８（ｆ）に示すレイアウトデータは図４（ｆ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となるものであり、図８（ｇ）及び図８（ｈ）に示すレイアウトデータは図４（ｇ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となるものである。
【００６８】
図８（ｃ）に示すレイアウトデータと図８（ｄ）に示すレイアウトデータとを比較した場合、図８（ｃ）に示すレイアウトデータを構成する矩形の数と図８（ｄ）に示すレイアウトデータを構成する矩形の数は同じであるが、図８（ｃ）に示すレイアウトデータ中の微小矩形９の数は図８（ｄ）に示すレイアウトデータ中の微小矩形９の数より多く、また、図８（ｃ）に示すレイアウトデータを構成する微小矩形９は外周部に位置している。従って、図８（ｄ）に示すレイアウトデータに基づいて遮光パタンを形成する場合、図８（ｃ）に示すレイアウトデータに基づいて遮光パタンを形成する場合に比べて、精度の高い遮光パタンを形成することができる。同様に、図８（ｈ）に示すレイアウトデータに基づいて遮光パタンを形成する場合、図８（ｇ）に示すレイアウトデータに基づいて遮光パタンを形成する場合に比べて、精度の高い遮光パタンを形成することができる。特に、図８（ｇ）に示すレイアウトデータ中の微小図形９は図８（ｃ）に示すレイアウトデータ中の微小矩形９より小さく、また、外部に位置しているので、図８（ｇ）と図８（ｈ）との比較において、この効果が顕著である。
【００６９】
実施の形態９．
図９は実施の形態９の説明に供する図である。図９（ａ）から図９（ｈ）は、図５（ａ）に示す斜め線を含んだ多角形の回路パタン５の変換後のレイアウトデータを示している。図５（ａ）に示す斜め線を含んだ多角形の回路パタン５の変換後のレイアウトデータは、複数の矩形により階段状に表わされかつ全体が複数の矩形から成る多角形のデータであって、斜め線を表わす矩形の幅ＲがＲｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるものであるが、図９（ａ）から図９（ｈ）では、全体が複数の矩形から成る様子のみを示している。
【００７０】
図９（ａ）に示すレイアウトデータは図５（ｂ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となるものであり、図９（ｂ）に示すレイアウトデータは図５（ｃ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となるものであり、図９（ｃ）及び図９（ｄ）に示すレイアウトデータは図５（ｄ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となるものであり、図９（ｅ）に示すレイアウトデータは図５（ｅ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となるものであり、図９（ｆ）に示すレイアウトデータは図５（ｆ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となるものであり、図９（ｇ）及び図９（ｈ）に示すレイアウトデータは図５（ｇ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となるものである。
【００７１】
図９（ｃ）に示すレイアウトデータと図９（ｄ）に示すレイアウトデータとを比較した場合、図９（ｃ）に示すレイアウトデータを構成する矩形の数と図９（ｄ）に示すレイアウトデータを構成する矩形の数は同じであり、図９（ｃ）に示すレイアウトデータ中の微小矩形９の数と図９（ｄ）に示すレイアウトデータ中の微小矩形９の数も同じであるが、図９（ｄ）に示すレイアウトデータ中にはより小さな微小矩形９が外周部に位置している。従って、図９（ｃ）に示すレイアウトデータに基づいて遮光パタンを形成する場合、図９（ｄ）に示すレイアウトデータに基づいて遮光パタンを形成する場合に比べて、精度の高い遮光パタンを形成することができる。同様に、図９（ｈ）に示すレイアウトデータに基づいて遮光パタンを形成する場合、図９（ｇ）に示すレイアウトデータに基づいて遮光パタンを形成する場合に比べて、精度の高い遮光パタンを形成することができる。
【００７２】
実施の形態１０．
図１０は実施の形態１０の説明に供する図である。図１０（ａ）から図１０（ｈ）は、図６（ａ）に示す斜め線を含んだ多角形の回路パタン５の変換後のレイアウトデータを示している。図６（ａ）に示す斜め線を含んだ多角形の回路パタン５の変換後のレイアウトデータは、複数の矩形により階段状に表わされかつ全体が複数の矩形から成る多角形のデータであって、斜め線を表わす矩形の幅ＲがＲｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるものであるが、図１０（ａ）から図１０（ｈ）では、全体が複数の矩形から成る様子のみを示している。
【００７３】
図１０（ａ）に示すレイアウトデータは図６（ｂ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となるものであり、図１０（ｂ）に示すレイアウトデータは図６（ｃ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となるものであり、図１０（ｃ）及び図１０（ｄ）に示すレイアウトデータは図６（ｄ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となるものであり、図１０（ｅ）に示すレイアウトデータは図６（ｅ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となるものであり、図１０（ｆ）に示すレイアウトデータは図６（ｆ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となるものであり、図１０（ｇ）及び図１０（ｈ）に示すレイアウトデータは図６（ｇ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となるものである。
図１０（ｇ）に示すレイアウトデータと図１０（ｈ）に示すレイアウトデータとを比較した場合、図１０（ｇ）に示すレイアウトデータを構成する矩形の数と図１０（ｈ）に示すレイアウトデータを構成する矩形の数は同じであり、図１０（ｇ）に示すレイアウトデータ中の微小矩形９の数と図１０（ｈ）に示すレイアウトデータ中の微小矩形９の数も同じであるが、図１０（ｈ）に示すレイアウトデータ中にはより小さな微小矩形９が外周部に位置している。従って、図１０（ｇ）に示すレイアウトデータに基づいて遮光パタンを形成する場合、図１０（ｈ）に示すレイアウトデータに基づいて遮光パタンを形成する場合に比べて、精度の高い遮光パタンを形成することができる。
【００７４】
実施の形態１１．
実施の形態１１では、実施の形態１で説明したフォトマスクに生じた欠陥の検査修正方法について説明する。
【００７５】
図１１はフォトマスクの欠陥修正方法の説明に供する図である。図１１（ａ）は実施の形態１で説明したフォトマスク１における遮光パタン３ｂの斜め線に相当する線４の位置に欠陥１０が生じている様子を示し、図１１（ｂ）はその欠陥を検査修正した後の様子を示している。
【００７６】
通常、製造したフォトマスクに欠陥が生じていた場合、描画データを参照して、白欠陥ならＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ）による埋め込み、黒欠陥ならレーザアプリケーションによる除去を行い、描画データどおりに修正する。このため、実施の形態１で説明したフォトマスク１における遮光パタン３ｂの斜め線に相当する線４の位置に生じた欠陥１０を検査修正する場合、通常、描画データを参照して階段状に検査修正する。
【００７７】
しかしながら、実施の形態１で説明したフォトマスク１における遮光パタン３ｂを用いて最終的に形成しようとする形状は斜め線を含んだ多角形、すなわち回路パタンの形状である。このため、遮光パタン３ｂの斜め線に相当する線４の位置に生じた欠陥１０を、回路パタンのレイアウトデータを参照して斜めに検査修正しても何ら不都合はない。
【００７８】
以上のように、この実施の形態１１によれば、遮光パタン３ｂの斜め線に相当する線４の位置に生じた欠陥１０を、回路パタンのレイアウトデータを参照して斜めに検査修正する場合、階段状に検査修正する必要がないため、欠陥１０の検査修正を容易に行うことができる効果が得られる。
【００７９】
実施の形態１２．
実施の形態１２では実施の形態１で説明したフォトマスクの使用方法について説明する。
【００８０】
図１２はフォトマスクの使用方法の説明に供する図である。図１２（ａ）は投影露光装置２０１を示し、図１２（ｂ）は投影露光装置２０１に装着された実施の形態１で説明したフォトマスク１を示し、図１２（ｃ）は投影露光装置２０１で露光されたウェハ１１を示している。
【００８１】
遮光パタン３ｂは、斜め線を含んだ多角形の回路パタンを、斜め線が複数の矩形により階段状に表わされた多角形として示したものであり、階段の１段階の高さ、すなわち斜め線を表わす矩形の幅ＲがＲｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるものである。このため、実施の形態１で説明したフォトマスク１を用いてウェハ１１を露光した場合、遮光パタン３ｂの形状を正確に転写することができず、階段形状が斜め線として転写され、ウェハ１１上に回路パタンの形状をした遮光パタン１２が形成される。
従って、実施の形態１で説明したフォトマスク１を用いて半導体集積回路や液晶ディスプレイを製造する場合、安価で信頼性の高い半導体集積回路や液晶ディスプレイを製造することができる。
【００８２】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、透明基板と、斜め線を含んだ多角形の回路パタンを、斜め線が複数の矩形により階段状に表わされた多角形として示した遮光パタンとを備え、矩形の幅Ｒが、Ｒｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲である（ただし、ｍは露光装置の転写倍率、Ｒｐは露光装置の解像力、Ｒｗはマスク描画装置の解像力である。）ようにフォトマスクを構成したので、低価格で高精度なフォトマスクを得ることができる効果がある。
【００８３】
この発明によれば、斜め線を含んだ多角形の面積が、斜め線が階段状に表わされた多角形の面積と等しいようにフォトマスクを構成したので、露光装置に装着してウェハを露光したとき、ウェハ上に回路パタンを高精度に転写することができるフォトマスクを得ることができる。
【００８４】
この発明によれば、斜め線を含んだ多角形における斜め線の端部に接続する辺と、斜め線が階段状に表わされた多角形における斜め線の端部に相当する位置に接続する辺とが平行関係にあるようにフォトマスクを構成したので、露光装置に装着してウェハを露光したとき、ウェハ上に回路パタンを高精度に転写することができるフォトマスクを得ることができる。
【００８５】
この発明によれば、斜め線を含んだ多角形における斜め線の端部に接続する辺と、斜め線が階段状に表わされた多角形における斜め線の端部に相当する位置に接続する辺とが直角関係にあるようにフォトマスクを構成したので、露光装置に装着してウェハを露光したとき、ウェハ上に回路パタンを高精度に転写することができるフォトマスクを得ることができる。
【００８８】
この発明によれば、斜め線を含んだ多角形における斜め線の端部に接続する辺が互いに直角関係にあるとき、斜め線を表わす階段形状が、斜め線に相当する線の中点に対して点対称であるようにフォトマスクを構成したので、露光装置に装着してウェハを露光したとき、ウェハ上に回路パタンを高精度に転写することができるフォトマスクを得ることができる。
【００９０】
この発明によれば、回路パタンをレイアウトし、そのレイアウトデータを作成する工程と、斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデータを、斜め線が複数の矩形により階段状に表わされかつ全体が複数の矩形から成る多角形のデータに変換する工程と、斜め線を含んだ多角形の回路パタンの変換後のレイアウトデータに基づき、回路パタンを描画する工程とを含み、斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデータを変換する工程において、斜め線を表わす矩形の幅ＲをＲｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲とする（ただし、ｍは露光装置の転写倍率、Ｒｐは露光装置の解像力、Ｒｗはマスク描画装置の解像力である。）ようにフォトマスクの製造方法を構成したので、低価格で高精度なフォトマスクを製造することができる効果がある。
【００９１】
この発明によれば、斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデータを変換する方法が複数通りある場合、全矩形の数が少ない方法を選択するようにフォトマスクの製造方法を構成したので、変換後のデータ量が少なくなる効果がある。
【００９２】
この発明によれば、斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデータを変換する方法が複数通りある場合、微小矩形の数が少ない方法を選択するようにフォトマスクの製造方法を構成したので、精度の高い遮光パタンを有するフォトマスクを製造することができる効果がある。
【００９３】
この発明によれば、斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデータを変換する方法が複数通りある場合、微小矩形が複数の矩形から成る多角形の外周部に位置しない方法を選択するようにフォトマスクの製造方法を構成したので、精度の高い遮光パタンを有するフォトマスクを製造することができる効果がある。
【００９４】
この発明によれば、透明基板と、斜め線を含んだ多角形の回路パタンを、斜め線が複数の矩形により階段状に表わされた多角形として示した遮光パタンとを備え、矩形の幅Ｒが、Ｒｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるフォトマスクの斜め線に相当する線の位置に生じた欠陥を検査修正するに当たり、回路パタンのレイアウトデータを参照して斜めに検査修正する（ただし、ｍは露光装置の転写倍率、Ｒｐは露光装置の解像力、Ｒｗはマスク描画装置の解像力である。）ようにフォトマスクの検査修正方法を構成したので、斜め線に相当する線の位置に生じた欠陥の検査修正を容易に行うことができる効果がある。
【００９５】
この発明によれば、透明基板と、斜め線を含んだ多角形の回路パタンを、斜め線が複数の矩形により階段状に表わされた多角形として示した遮光パタンとを備え、矩形の幅Ｒが、Ｒｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるフォトマスクを用いて、半導体集積回路を製造する（ただし、ｍは露光装置の転写倍率、Ｒｐは露光装置の解像力、Ｒｗはマスク描画装置の解像力である。）ようにフォトマスクの使用方法を構成したので、安価で信頼性の高い半導体集積回路を製造することができる効果がある。
【００９６】
この発明によれば、透明基板と、斜め線を含んだ多角形の回路パタンを、複数の矩形により階段状に表わされた多角形として示した遮光パタンとを備え、矩形の幅Ｒが、Ｒｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるフォトマスクを用いて、液晶ディスプレイを製造する（ただし、ｍは露光装置の転写倍率、Ｒｐは露光装置の解像力、Ｒｗはマスク描画装置の解像力である。）ようにフォトマスクの使用方法を構成したので、安価で信頼性の高い半導体集積回路を製造することができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の実施の形態１によるフォトマスクを示す構成図である。
【図２】 フォトマスクの製造方法を示すフローチャートである。
【図３】 実施の形態３の説明に供する図である。
【図４】 実施の形態４の説明に供する図である。
【図５】 実施の形態５の説明に供する図である。
【図６】 実施の形態６の説明に供する図である。
【図７】 実施の形態７の説明に供する図である。
【図８】 実施の形態８の説明に供する図である。
【図９】 実施の形態９の説明に供する図である。
【図１０】 実施の形態１０の説明に供する図である。
【図１１】 フォトマスクの欠陥修正方法の説明に供する図である。
【図１２】 フォトマスクの使用方法の説明に供する図である。
【図１３】 可変成形ビームベクタースキャン型の電子線露光装置を示す構成図である。
【図１４】 電子線露光装置の露光方法の説明に供する図である。
【図１５】 投影露光装置を示す構成図である。
【図１６】 投影露光装置の説明に供する図である。
【符号の説明】
１ フォトマスク、２ 透明基板、３ｂ 遮光パタン、４ 斜め線に相当する線、４ａ，４ｂ 斜め線の端部に相当する位置、４ｃ 斜め線に相当する線の中点、４ｄ 斜め線に相当する線の垂直二等分線、５ 斜め線を含んだ多角形の回路パタン、６ 斜め線、６ａ，６ｂ 斜め線の端部、７ａ，７ｂ 斜め線の端部に接続する辺、８ａ，８ｂ 斜め線の端部に相当する位置に接続する辺、９ 微小矩形。
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体集積回路装置や液晶ディスプレイの製造工程で使用されるフォトマスク、並びにそのフォトマスクの製造方法、検査修正方法及び使用方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、可変成形ビームベクタースキャン型の電子線露光装置を用いて、フォトマスクを製造することが増えてきた。
【０００３】
図１３は可変成形ビームベクタースキャン型の電子線露光装置を示す構成図である。図１３において、１０１は可変成形ビームベクタースキャン型の電子線露光装置、１０２はＬａＢ６ 電子銃、１０３は第１成形アパーチャ、１０４は第１成形レンズ、１０５は第１成形偏向器、１０６は第２成形レンズ、１０７は第２成形アパーチャ、１０８は縮小レンズ、１０９はブランキング電極、１１０は偏向器、１１１は集束レンズ、１１２は描画フィールドである。
【０００４】
また、１１３は第１成形アパーチャ１０３と、第１成形レンズ１０４と、第１成形偏向器１０５と、第２成形レンズ１０６と、第２成形アパーチャ１０７とから成る可変成形レンズ部であり、１１４は偏向器１１０と集束レンズ１１１とから成る収束偏向レンズ部である。また、１１５はステージ（図示せず）上に載置された被露光対象としてのフォトマスクである。
【０００５】
可変成形ビームベクタースキャン型の電子線露光装置１０１では、回路パタンを描画する場合、図１４（ａ）に示すように、回路パタンのレイアウトデータを単純な矩形に区分し、各矩形ごとに順番に露光する方式を採用している。このため、可変成形ビームベクタースキャン型の電子線露光装置１０１では、回路パタンのレイアウトが単純である場合、回路パタンのレイアウトが複雑である場合に比べて、露光する面積は同じであっても露光する矩形の数が少なく、スループットが高い。
【０００６】
また、可変成形ビームベクタースキャン型の電子線露光装置１０１は、図１４（ｂ）に示すように露光する部分及び露光しない部分を含めたフォトマスク全体をガウスビームでスキャンして回路パタンを描画する方式を採用するガウスビームラスタースキャン型の電子線露光装置や、図１４（ｃ）に示すように露光する部分だけをガウスビームでスキャンして回路パタンを描画する方式を採用するガウスビームベクタースキャン型の電子線露光装置に比べてスループットが高い点で優れている。
【０００７】
また、近年、ＬＳＩの高集積化に伴い小さな領域に複雑な機能を詰め込もうとすると、縦横に走る配線だけでは自由度が少ないので斜め方向に走る配線を利用する場合が増えている。
【０００８】
しかし、可変成形ビームベクタースキャン型の電子線露光装置１０１では、斜め線が描画可能なように第１及び第２成形部が構成されていない。そこで、可変成形ビームベクタースキャン型の電子線露光装置１０１では、斜め線を含んだ多角形の回路パタンを描画する場合、まず、図１４（ａ）に示すように、斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデータを、斜め線が電子線露光装置１０１の解像力と同じ幅を有する複数の細長い矩形により階段状に表わされかつ全体が複数の矩形から成る多角形のデータに変換する。すなわち、斜め線の幅Ｗを電子線露光装置１０１の解像力Ｒｗの整数倍となるように設計し、斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデータを、斜め線がＮｗ＝Ｗ／Ｒｗで定義されるＮｗ個の矩形により階段状に表わされかつ全体が複数の矩形から成る多角形のデータに変換する。その後、これら矩形を１つずつ露光することにより斜め線を含んだ多角形の回路パタンを描画する。
【０００９】
なお、レイアウトデータを一律にシュリンクする際、矩形のレイアウトデータの場合、正しくグリッド上に載るが、斜め線を含んだ多角形のレイアウトデータの場合、正しくグリット上に載るとは限らない。シュリンク後のレイアウトデータがグリット上に正しく載っていない場合、レイアウトデータに丸め誤差が生じ、描画精度が劣化する。
【００１０】
図１５は電子線露光装置を用いて製造されたフォトマスクを用いて半導体集積回路や液晶ディスプレイを製造するための投影露光装置を示す構成図である。図１５において、２０１は投影露光装置、２０２は光源としてのＨｇランプ、２０３は第１のレンズ、２０４は第１のミラー、２０５は第２のレンズ、２０６はフライアイレンズ、２０７は二次光源面、２０８は第３のレンズ、２０９はブラインド、２１０は第４のレンズ、２１１は第２のミラー、２１２は第５のレンズ、２１３は第６のレンズ、２１４は瞳面、２１５は第７のレンズである。
【００１１】
また、２１６はフォトマスク、２１７は被露光対象としてのウェハ、２１８はＨｇランプ２０２から出射された光、２１９はフォトマスク２１６により回折された回折光である。
【００１２】
投影露光装置２０１の解像力Ｒｐは、露光波長λ、レンズの開口数ＮＡ、プロセス定数ｋｌを用いて、Ｒｐ＝ｋｌ・λ／ＮＡと定義される。このため、フォトマスク２１６の一主面上に形成された遮光パタンの幅が、ｍ・Ｒｐ以下の場合、その遮光パタンの形状を被露光対象としてのウェハ２１７上に正確に表わすことができず、輪郭が丸まる。例えば、図１６（ａ）は中央に一辺がｍ・Ｒｐ以下である正方形の孔を有する遮光パタンを備えたフォトマスクを図１５に示す投影露光装置に装着して、ウェハ２１７を露光した場合、ウェハ２１７上では遮光パタンの形状が図１６（ｂ）に示す形状で表される。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
可変成形ビームベクタースキャン型の電子線露光装置を用いて斜め線を描画する場合には、以上のように行うので、回路パタン中に斜め線があると、回路パタンの描画時間が著しく長くなり、電子線露光装置のスループットが劣化し、フォトマスクの価格が上昇するなどの課題があった。
【００１４】
また、描画時間が長くなると、電子線露光装置のステージのドリフトの影響も大きくなるので、長寸法誤差が拡大し、フォトマスクの精度が低下するなどの課題があった。
【００１５】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、安価で高精度なフォトマスクを得ることを目的とする。
【００１６】
また、そのフォトマスクの製造方法、検査修正方法、及び使用方法を得ることを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
この発明に係るフォトマスクは、透明基板と、斜め線を含んだ多角形の回路パタンを、斜め線が複数の矩形により階段状に表わされた多角形として示した遮光パタンとを備え、矩形の幅Ｒが、Ｒｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるものである（ただし、ｍは露光装置の転写倍率、Ｒｐは露光装置の解像力、Ｒｗはマスク描画装置の解像力である。）。
【００１８】
この発明に係るフォトマスクは、斜め線を含んだ多角形の面積が、斜め線が階段状に表わされた多角形の面積と等しいものである。
【００１９】
この発明に係るフォトマスクは、斜め線を含んだ多角形における斜め線の端部に接続する辺と、斜め線が階段状に表わされた多角形における斜め線の端部に相当する位置に接続する辺とが平行関係にあるものである。
【００２０】
この発明に係るフォトマスクは、斜め線を含んだ多角形における斜め線の端部に接続する辺と、斜め線が階段状に表わされた多角形における斜め線の端部に相当する位置に接続する辺とが直角関係にあるものである。
【００２３】
この発明に係るフォトマスクは、斜め線を含んだ多角形における斜め線の端部に接続する辺が互いに直角関係にあるとき、斜め線を表わす階段形状が、斜め線に相当する線の中点に対して点対称であるものである。
【００２５】
この発明に係るフォトマスクの製造方法は、回路パタンをレイアウトし、そのレイアウトデータを作成する工程と、斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデータを、斜め線が複数の矩形により階段状に表わされかつ全体が複数の矩形から成る多角形のデータに変換する工程と、斜め線を含んだ多角形の回路パタンの変換後のレイアウトデータに基づき、回路パタンを描画する工程とを含み、斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデータを変換する工程において、斜め線を表わす矩形の幅ＲをＲｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲とするものである（ただし、ｍは露光装置の転写倍率、Ｒｐは露光装置の解像力、Ｒｗはマスク描画装置の解像力である。）。
【００２６】
この発明に係るフォトマスクの製造方法は、斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデータを変換する方法が複数通りある場合、全矩形の数が少ない方法を選択するものである。
【００２７】
この発明に係るフォトマスクの製造方法は、斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデータを変換する方法が複数通りある場合、微小矩形の数が少ない方法を選択するものである。
【００２８】
この発明に係るフォトマスクの製造方法は、斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデータを変換する方法が複数通りある場合、微小矩形が複数の矩形から成る多角形の外周部に位置しない方法を選択するものである。
【００２９】
この発明に係るフォトマスクの検査修正方法は、透明基板と、斜め線を含んだ多角形の回路パタンを、斜め線が複数の矩形により階段状に表わされた多角形として示した遮光パタンとを備え、矩形の幅Ｒが、Ｒｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるフォトマスクの斜め線に相当する線の位置に生じた欠陥を検査修正するに当たり、回路パタンのレイアウトデータを参照して斜めに検査修正するものである（ただし、ｍは露光装置の転写倍率、Ｒｐは露光装置の解像力、Ｒｗはマスク描画装置の解像力である。）。
【００３０】
この発明に係るフォトマスクを使用した半導体集積回路の製造方法は、透明基板と、斜め線を含んだ多角形の回路パタンを、斜め線が複数の矩形により階段状に表わされた多角形として示した遮光パタンとを備え、矩形の幅Ｒが、Ｒｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるフォトマスクを用いて、半導体集積回路を製造するものである（ただし、ｍは露光装置の転写倍率、Ｒｐは露光装置の解像力、Ｒｗはマスク描画装置の解像力である。）。
【００３１】
この発明に係るフォトマスクを使用した液晶ディスプレイの製造方法は、透明基板と、斜め線を含んだ多角形の回路パタンを、斜め線が複数の矩形により階段状に表わされた多角形として示した遮光パタンとを備え、矩形の幅Ｒが、Ｒｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるフォトマスクを用いて、液晶ディスプレイを製造するものである（ただし、ｍは露光装置の転写倍率、Ｒｐは露光装置の解像力、Ｒｗはマスク描画装置の解像力である。）。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の一形態を説明する。
実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１によるフォトマスクを示す構成図である。図１において、１はフォトマスク、２は透明基板、３ａは斜め線を含まない四角形の回路パタンのレイアウトデータに基づいて、可変成形ビームベクタースキャン型の電子線露光装置（マスク描画装置）により露光することにより透明基板２の一主面上に形成された遮光パタン、３ｂは斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデータに基づいて、可変成形ビームベクタースキャン型の電子線露光装置により露光することにより透明基板２の一主面上に形成された遮光パタンである。また、４は斜め線を含んだ多角形の回路パタン中の斜め線に相当する線である。
【００３３】
遮光パタン３ｂは、斜め線が斜め線の幅Ｗ、フォトマスク１を装着する投影露光装置（露光装置）の解像力Ｒｐ、投影露光装置の転写倍率ｍからＮｐ＝ｉｎｔ（Ｗ／Ｒｐ／ｍ）＋１で定義されるＮｐ個の矩形により階段状に表わされる多角形のデータに変換された、斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデータに基づいて透明基板２の一主面上に形成されたものである。
【００３４】
ここで、一般に、Ｒｐ・ｍは電子線露光装置の解像力Ｒｗより１０倍以上大きいので、ＮｐはＮｗより小さく、その結果、矩形の幅Ｒは電子線露光装置の解像力Ｒｗより大きい。また、Ｎｐ＝ｉｎｔ（Ｗ／Ｒｐ／ｍ）＋１と定義されることから、矩形の幅ＲがＲｐ・ｍより小さいことも明らかである。すなわち矩形の幅ＲはＲｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲である。
【００３５】
換言すれば、遮光パタン３ｂは、斜め線を含んだ多角形の回路パタンを、斜め線が複数の矩形により階段状に表わされた多角形として示したものであり、矩形の幅ＲがＲｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるものである。
図１では、一例として、斜め線を含んだ多角形の回路パタン中の斜め線が、幅Ｒ１がＲｗ＜Ｒ１＜Ｒｐ・ｍの範囲である矩形４ｘと幅Ｒ２がＲｗ＜Ｒ２＜Ｒｐ・ｍの範囲である矩形４ｙにより階段状に表わされる例を示している。
【００３６】
以上のように、この実施の形態１によれば、遮光パタン３ｂは、斜め線がＮｐ（＜Ｎｍ）個の矩形により階段状に表わされる多角形のデータに変換された、斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデータに基づいて形成されたものであるので、従来の場合に比べて少ない露光回数で短時間で回路パタンが描画されている。その結果、電子線露光装置のスループットが向上し、フォトマスクが低価格となる効果が得られる。また、電子線露光装置のドリフトの影響も小さくなり、フォトマスクが長寸法誤差の小さく高精度なものとなる効果も得られる。
【００３７】
実施の形態２． 実施の形態２では、実施の形態１で説明したフォトマスクの製造方法について説明する。図２はフォトマスクの製造方法を示すフローチャートである。フォトマスクを製造する場合、まず、ＣＡＤツールを用いて、製造予定の装置に必要な回路パタンをレイアウトする（ステップＳＴ１）。
【００３８】
その後、回路パタンの集積度を上げるため、回路パタンをコンパクションし、回路パタンのレイアウトデータを作成する（ステップＳＴ２）。この時、デザインルールを守りながら、適宜配線を折り曲げてより多くの回路パタンを小さな領域に集積するため、縦横に走る配線だけでなく斜め方向に走る配線を利用する場合がある。
【００３９】
その後、回路パタンのレイアウトデータを標準フォーマットに変換する（ステップＳＴ３）。
その後、回路パタンのレイアウトデータから、各層毎のデータを抽出して展開する（ステップＳＴ４）。
その後、回路パタンのレイアウトデータ中の図形変換を行う領域を指定する（ステップＳＴ５）。
その後、回路パタンのレイアウトデータ中の繰り返し部分と非繰り返し部分とを一旦分ける（ステップＳＴ６）。
その後、繰り返し部分及び非繰り返し部分を小さなセグメントに分割する（ステップＳＴ７）。ただし、繰り返し部分の分割は、繰り返し部分がセグメントより大きい場合に行う。
その後、セグメント毎に、重複除去など既存の図形演算等の処理を行う（ステップＳＴ８）。
【００４０】
その後、斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデータを、斜め線が複数の矩形により階段状に表わされかつ全体が複数の矩形から成る多角形のデータであって、斜め線を表わす矩形の幅ＲがＲｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるものに変換する（ステップＳＴ９）。すなわち、斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデータを、斜め線が斜め線の幅Ｗ、投影露光装置の解像力Ｒｐ、投影露光装置の転写倍率ｍからＮｐ＝ｉｎｔ（Ｗ／Ｒｐ／ｍ）＋１で定義されるＮｐ個の矩形により階段状に表わされる多角形のデータに変換する。
【００４１】
その後、繰り返し部分を非繰り返し部分に割り付ける（ステップＳＴ１０）。
その後、回路パタンのレイアウトデータを、使用する可変成形ビームスキャン型の電子線露光装置のフォーマットに変換する（ステップＳＴ１１）。
【００４２】
その後、斜め線を含んだ多角形の回路パタンの変換後のレイアウトデータを有する回路パタンのレイアウトデータに基づき、回路パタンを可変成形ビームスキャン型の電子線露光装置により描画する（ステップＳＴ１２）。すなわち、斜め線を含んだ多角形の回路パタンの変換後のレイアウトデータ全体が複数の矩形から成るため、これら矩形を可変成形ビームスキャン型の電子線露光装置により１つずつ露光することにより、回路パタンを描画する。
【００４３】
以上のように、この実施の形態２によれば、斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデータを、斜め線が斜め線の幅Ｗ、投影露光装置の解像力Ｒｐ、投影露光装置の転写倍率ｍからＮｐ＝ｉｎｔ（Ｗ／Ｒｐ／ｍ）＋１で定義されるＮｐ個の矩形により階段状に表わされる多角形のデータに変換するので、従来の場合に比べて、露光回数が少なく、回路パタンの描画時間が短い。その結果、電子線露光装置のスループットが向上し、低価格のフォトマスクを製造することができる効果が得られる。また、電子線露光装置のドリフトの影響が小さくなり、長寸法誤差の小さい高精度のフォトマスクを製造することができる効果が得られる。
【００４４】
実施の形態３．
実施の形態３から実施の形態６では、斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデータに基づいて形成された遮光パタンの例について説明する。
【００４５】
図３は実施の形態３の説明に供する図である。図３（ａ）は斜め線を含んだ多角形の回路パタン５を示し、図３（ｂ）から図３（ｇ）は図３（ａ）に示す斜め線を含んだ多角形の回路パタン５の変換後のレイアウトデータに基づいて形成された遮光パタン３ｂ、すなわち、図３（ａ）に示す斜め線を含んだ多角形の回路パタン５を、斜め線が複数の矩形により階段状に表わされた多角形として示した遮光パタン３ｂであって、斜め線を表わす矩形の幅ＲがＲｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるものを示している。
【００４６】
図３（ｂ）及び図３（ｅ）は、図３（ａ）に示す回路パタン５における斜め線６の幅ＷがＲｐ・ｍより小さい場合を示し、図３（ｃ）、図３（ｄ）、図３（ｆ）及び図３（ｇ）は、図３（ａ）に示す回路パタン５における斜め線６の幅ＷがＲｐ・ｍより大きい場合を示している。
【００４７】
図３（ａ）に示す回路パタン５における斜め線の端部に接続する辺７ａと辺７ｂとは互いに平行関係にある。図３（ｂ）から図３（ｇ）に示す遮光パタン３ｂの面積は、図３（ａ）に示す回路パタン５の面積と等しい。図３（ｂ）から図３（ｇ）に示す遮光パタン３ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４ａと位置４ｂとを接続する階段形状は斜め線に相当する線の中点４ｃに対して点対称である。すなわち、図３（ｂ）から図３（ｇ）に示す遮光パタン３ｂは、図３（ａ）に示す斜め線の端部に接続する辺７ａと辺７ｂとが互いに平行関係にある回路パタン５のレイアウトデータを、変換前後の面積を保持したまま、斜め線を、斜め線に相当する線の中点４ｃに対して点対称である階段形状に変換した後のレイアウトデータに基づいて形成された遮光パタン３ｂを示している。なお、上述した斜め線の端部に接続する２つの辺が互いに平行関係にある回路パタンのレイアウトデータを、変換前後の面積を保持したまま、斜め線を、斜め線に相当する線の中点に対して点対称である階段形状に変換する方式では、変換部分の対称性が確保される。
【００４８】
また、図３（ｂ）から図３（ｄ）に示す遮光パタン３ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４ａ，４ｂに接続する辺８ａ，８ｂは、図３（ａ）に示す回路パタン５における斜め線の端部に接続する辺７ａ，７ｂと平行関係にあり、図３（ｅ）から図３（ｇ）に示す遮光パタン３ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４ａ，４ｂに接続する辺８ａ，８ｂは、図３（ａ）に示す回路パタン５における斜め線６の端部に接続する辺７ａ，７ｂと直角関係にある。辺８ａ，８ｂは斜め線に相当する線４と鋭角をなす。図３（ｂ）は図３（ｅ）に比べて、図３（ｃ）は図３（ｆ）に比べて、図３（ｄ）は図３（ｇ）に比べて、階段形状における屈曲部の数が少ないので、変換後のデータ量が少ないという点で優れている。
【００４９】
実施の形態４．
図４は実施の形態４の説明に供する図である。図４（ａ）は斜め線を含んだ多角形の回路パタン５を示し、図４（ｂ）から図４（ｇ）は図４（ａ）に示す斜め線を含んだ多角形の回路パタン５の変換後のレイアウトデータに基づいて形成された遮光パタン３ｂ、すなわち、図４（ａ）に示す斜め線を含んだ多角形の回路パタン５を、斜め線が複数の矩形により階段状に表わされた多角形として示した遮光パタン３ｂであって、斜め線を表わす矩形の幅ＲがＲｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるものを示している。
【００５０】
図４（ｂ）及び図４（ｅ）は、図４（ａ）に示す回路パタン５における斜め線６の幅ＷがＲｐ・ｍより小さい場合を示し、図４（ｃ）、図４（ｄ）、図４（ｆ）及び図４（ｇ）は、図４（ａ）に示す回路パタン５における斜め線６の幅ＷがＲｐ・ｍより大きい場合を示している。
【００５１】
図４（ａ）に示す回路パタン５における斜め線の端部に接続する辺７ａと辺７ｂとは互いに平行関係にある。図４（ｂ）から図４（ｇ）に示す遮光パタン３ｂの面積は、図４（ａ）に示す回路パタン５の面積と等しい。図４（ｂ）から図４（ｇ）に示す遮光パタン３ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４ａと位置４ｂとを接続する階段形状は斜め線に相当する線の垂直二等分線４ｄに対してミラー対称である。すなわち、図４（ｂ）から図４（ｇ）に示す遮光パタン３ｂは、図４（ａ）に示す斜め線の端部に接続する辺７ａと辺７ｂとが互いに平行関係にある回路パタン５のレイアウトデータを、変換前後の面積を保持したまま、斜め線を、斜め線に相当する線の垂直二等分線４ｄに対してミラー対称である階段形状に変換した後のレイアウトデータに基づいて形成された遮光パタン３ｂを示している。
【００５２】
また、図４（ｂ）から図４（ｄ）に示す遮光パタン３ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４ａに接続する辺８ａは、図４（ａ）に示す回路パタン５における斜め線の端部に接続する辺７ａ，７ｂと平行関係にあり、図４（ｂ）から図４（ｄ）に示す遮光パタン３ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４ｂに接続する辺８ｂは、図４（ａ）に示す回路パタン５における斜め線の端部に接続する辺７ａ，７ｂと直角関係にあり、図４（ｅ）から図４（ｇ）に示す遮光パタン３ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４ａに接続する辺８ａは、図４（ａ）に示す回路パタン５における斜め線６の端部に接続する辺７ａ，７ｂと直角関係にあり、図４（ｅ）から図４（ｇ）に示す遮光パタン３ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４ｂに接続する辺８ｂは、図４（ａ）に示す回路パタン５における斜め線６の端部に接続する辺７ａ，７ｂと平行関係にある。辺８ａ，８ｂは斜め線に相当する線４と鋭角をなす。
【００５３】
実施の形態５．
図５は実施の形態５の説明に供する図である。図５（ａ）は斜め線を含んだ多角形の回路パタン５を示し、図５（ｂ）から図５（ｇ）は図５（ａ）に示す斜め線を含んだ多角形の回路パタン５の変換後のレイアウトデータに基づいて形成された遮光パタン３ｂ、すなわち、図５（ａ）に示す斜め線を含んだ多角形の回路パタン５を、斜め線が複数の矩形により階段状に表わされた多角形として示した遮光パタン３ｂであって、斜め線を表わす矩形の幅ＲがＲｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるものを示している。
【００５４】
図５（ｂ）及び図５（ｅ）は、図５（ａ）に示す回路パタン５における斜め線６の幅ＷがＲｐ・ｍより小さい場合を示し、図５（ｃ）、図５（ｄ）、図５（ｆ）及び図５（ｇ）は、図５（ａ）に示す回路パタン５における斜め線６の幅ＷがＲｐ・ｍより大きい場合を示している。
【００５５】
図５（ａ）に示す回路パタン５における斜め線の端部に接続する辺７ａと辺７ｂとは互いに直角関係にある。図５（ｂ）から図５（ｇ）に示す遮光パタン３ｂの面積は、図５（ａ）に示す回路パタン５の面積と等しい。図５（ｂ）から図５（ｇ）に示す遮光パタン３ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４ａと位置４ｂとを接続する階段形状は斜め線に相当する線の中点４ｃに対して点対称である。すなわち、図５（ｂ）から図５（ｇ）に示す遮光パタン３ｂは、図５（ａ）に示す斜め線の端部に接続する辺７ａと辺７ｂとが互いに直角関係にある回路パタン５のレイアウトデータを、変換前後の面積を保持したまま、斜め線を、斜め線に相当する線の中点４ｃに対して点対称である階段形状に変換した後のレイアウトデータに基づいて形成された遮光パタン３ｂを示している。
【００５６】
また、図５（ｂ）から図５（ｄ）に示す遮光パタン３ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４ａに接続する辺８ａは、図５（ａ）に示す回路パタン５における斜め線の端部に接続する辺７ａと平行関係にあり、図５（ｂ）から図５（ｄ）に示す遮光パタン３ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４ｂに接続する辺８ｂは、図５（ａ）に示す回路パタン５における斜め線の端部に接続する辺７ｂと直角関係にあり、図５（ｅ）から図５（ｇ）に示す遮光パタン３ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４ａに接続する辺８ａは、図５（ａ）に示す回路パタン５における斜め線６の端部に接続する辺７ａと直角関係にあり、図５（ｅ）から図５（ｇ）に示す遮光パタン３ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４ｂに接続する辺８ｂは、図５（ａ）に示す回路パタン５における斜め線６の端部に接続する辺７ｂと平行関係にある。辺８ａ，８ｂは斜め線に相当する線４と鋭角をなす。
【００５７】
実施の形態６．
図６は実施の形態６の説明に供する図である。図６（ａ）は斜め線を含んだ多角形の回路パタン５を示し、図６（ｂ）から図６（ｇ）は図６（ａ）に示す斜め線を含んだ多角形の回路パタン５の変換後のレイアウトデータに基づいて形成された遮光パタン３ｂ、すなわち、図６（ａ）に示す斜め線を含んだ多角形の回路パタン５を、斜め線が複数の矩形により階段状に表わされた多角形として示した遮光パタン３ｂであって、斜め線を表わす矩形の幅ＲがＲｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるものを示している。
【００５８】
図６（ｂ）及び図６（ｅ）は、図６（ａ）に示す回路パタン５における斜め線６の幅ＷがＲｐ・ｍより小さい場合を示し、図６（ｃ）、図６（ｄ）、図６（ｆ）及び図６（ｇ）は、図６（ａ）に示す回路パタン５における斜め線６の幅ＷがＲｐ・ｍより大きい場合を示している。
【００５９】
図６（ａ）に示す回路パタン５における斜め線の端部に接続する辺７ａと辺７ｂとは互いに直角関係にある。図６（ｂ）から図６（ｇ）に示す遮光パタン３ｂの面積は、図６（ａ）に示す回路パタン５の面積と等しい。図６（ｂ）から図６（ｇ）に示す遮光パタン３ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４ａと位置４ｂとを接続する階段形状は斜め線に相当する線の垂直二等分線４ｄに対してミラー対称である。すなわち、図６（ｂ）から図６（ｇ）に示す遮光パタン３ｂは、図６（ａ）に示す斜め線の端部に接続する辺７ａと辺７ｂとが互いに直角関係にある回路パタン５のレイアウトデータを、変換前後の面積を保持したまま、斜め線を、斜め線に相当する線の垂直二等分線４ｄに対してミラー対称である階段形状に変換した後のレイアウトデータに基づいて形成された遮光パタン３ｂを示している。なお、上述した斜め線の端部に接続する２つの辺が互いに直角関係にある回路パタンのレイアウトデータを、変換前後の面積を保持したまま、斜め線を、斜め線に相当する線の垂直二等分線に対してミラー対称である階段形状に変換する方式では、変換部分の対称性が確保される。
【００６０】
また、図６（ｂ）から図６（ｄ）に示す遮光パタン３ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４ａに接続する辺８ａは、図６（ａ）に示す回路パタン５における斜め線の端部に接続する辺７ａと平行関係にあり、図６（ｂ）から図６（ｄ）に示す遮光パタン３ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４ｂに接続する辺８ｂは、図６（ａ）に示す回路パタン５における斜め線の端部に接続する辺７ｂと平行関係にあり、図６（ｅ）から図６（ｇ）に示す遮光パタン３ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４ａに接続する辺８ａは、図６（ａ）に示す回路パタン５における斜め線６の端部に接続する辺７ａと直角関係にあり、図６（ｅ）から図６（ｇ）に示す遮光パタン３ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４ｂに接続する辺８ｂは、図６（ａ）に示す回路パタン５における斜め線の端部に接続する辺７ｂと直角関係にある。辺８ａ，８ｂは斜め線に相当する線４と鋭角をなす。図６（ｂ）は図６（ｅ）に比べて、図６（ｃ）は図６（ｆ）に比べて、図６（ｄ）は図６（ｇ）に比べて、階段形状における屈曲部の数が少ないので、変換後のデータ量が少ないという点で優れている。
【００６１】
実施の形態７．
実施の形態７から実施の形態１０では、斜め線を含んだ多角形の回路パタンの変換後のレイアウトデータの例について説明する。
【００６２】
図７は実施の形態７の説明に供する図である。図７（ａ）から図７（ｈ）は、図３（ａ）に示す斜め線を含んだ多角形の回路パタン５の変換後のレイアウトデータを示している。図３（ａ）に示す斜め線を含んだ多角形の回路パタン５の変換後のレイアウトデータは、複数の矩形により階段状に表わされかつ全体が複数の矩形から成る多角形のデータであって、斜め線を表わす矩形の幅ＲがＲｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるものであるが、図７（ａ）から図７（ｈ）では、全体が複数の矩形から成る様子のみを示している。
【００６３】
図７（ａ）に示すレイアウトデータは図３（ｂ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となるものであり、図７（ｂ）に示すレイアウトデータは図３（ｃ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となるものであり、図７（ｃ）及び図７（ｄ）に示すレイアウトデータは図３（ｄ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となるものであり、図７（ｅ）に示すレイアウトデータは図３（ｅ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となるものであり、図７（ｆ）に示すレイアウトデータは図３（ｆ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となるものであり、図７（ｇ）及び図７（ｈ）に示すレイアウトデータは図３（ｇ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となるものである。
【００６４】
一般に、微小な矩形は大きな矩形に比べて描画精度が悪い。また、微小な矩形が多角形の外周部に位置していると、微小な矩形を含めた全体の描画精度が悪くなる。また、矩形の数は少ないほど、変換後のデータ量は少ない。
【００６５】
図７（ｃ）に示すレイアウトデータと図７（ｄ）に示すレイアウトデータとを比較した場合、図７（ｃ）に示すレイアウトデータを構成する矩形の数と図７（ｄ）に示すレイアウトデータを構成する矩形の数は同じであるが、図７（ｃ）に示すレイアウトデータ中の微小矩形９の数は図７（ｄ）に示すレイアウトデータ中の微小矩形９の数より多く、また、図７（ｃ）に示すレイアウトデータを構成する微小矩形９は外周部に位置している。従って、図７（ｄ）に示すレイアウトデータに基づいて遮光パタンを形成する場合、図７（ｃ）に示すレイアウトデータに基づいて遮光パタンを形成する場合に比べて、精度の高い遮光パタンを形成することができる。同様に、図７（ｈ）に示すレイアウトデータに基づいて遮光パタンを形成する場合、図７（ｇ）に示すレイアウトデータに基づいて遮光パタンを形成する場合に比べて、精度の高い遮光パタンを形成することができる。特に、図７（ｇ）に示すレイアウトデータ中の微小図形９は図７（ｃ）に示すレイアウトデータ中の微小矩形９より小さく、また、外部に位置しているので、図７（ｇ）と図７（ｈ）との比較において、この効果が顕著である。
【００６６】
実施の形態８．
図８は実施の形態８の説明に供する図である。図８（ａ）から図８（ｈ）は、図４（ａ）に示す斜め線を含んだ多角形の回路パタン５の変換後のレイアウトデータを示している。図４（ａ）に示す斜め線を含んだ多角形の回路パタン５の変換後のレイアウトデータは、複数の矩形により階段状に表わされかつ全体が複数の矩形から成る多角形のデータであって、斜め線を表わす矩形の幅ＲがＲｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるものであるが、図８（ａ）から図８（ｈ）では、全体が複数の矩形から成る様子のみを示している。
【００６７】
図８（ａ）に示すレイアウトデータは図４（ｂ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となるものであり、図８（ｂ）に示すレイアウトデータは図４（ｃ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となるものであり、図８（ｃ）及び図８（ｄ）に示すレイアウトデータは図４（ｄ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となるものであり、図８（ｅ）に示すレイアウトデータは図４（ｅ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となるものであり、図８（ｆ）に示すレイアウトデータは図４（ｆ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となるものであり、図８（ｇ）及び図８（ｈ）に示すレイアウトデータは図４（ｇ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となるものである。
【００６８】
図８（ｃ）に示すレイアウトデータと図８（ｄ）に示すレイアウトデータとを比較した場合、図８（ｃ）に示すレイアウトデータを構成する矩形の数と図８（ｄ）に示すレイアウトデータを構成する矩形の数は同じであるが、図８（ｃ）に示すレイアウトデータ中の微小矩形９の数は図８（ｄ）に示すレイアウトデータ中の微小矩形９の数より多く、また、図８（ｃ）に示すレイアウトデータを構成する微小矩形９は外周部に位置している。従って、図８（ｄ）に示すレイアウトデータに基づいて遮光パタンを形成する場合、図８（ｃ）に示すレイアウトデータに基づいて遮光パタンを形成する場合に比べて、精度の高い遮光パタンを形成することができる。同様に、図８（ｈ）に示すレイアウトデータに基づいて遮光パタンを形成する場合、図８（ｇ）に示すレイアウトデータに基づいて遮光パタンを形成する場合に比べて、精度の高い遮光パタンを形成することができる。特に、図８（ｇ）に示すレイアウトデータ中の微小図形９は図８（ｃ）に示すレイアウトデータ中の微小矩形９より小さく、また、外部に位置しているので、図８（ｇ）と図８（ｈ）との比較において、この効果が顕著である。
【００６９】
実施の形態９．
図９は実施の形態９の説明に供する図である。図９（ａ）から図９（ｈ）は、図５（ａ）に示す斜め線を含んだ多角形の回路パタン５の変換後のレイアウトデータを示している。図５（ａ）に示す斜め線を含んだ多角形の回路パタン５の変換後のレイアウトデータは、複数の矩形により階段状に表わされかつ全体が複数の矩形から成る多角形のデータであって、斜め線を表わす矩形の幅ＲがＲｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるものであるが、図９（ａ）から図９（ｈ）では、全体が複数の矩形から成る様子のみを示している。
【００７０】
図９（ａ）に示すレイアウトデータは図５（ｂ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となるものであり、図９（ｂ）に示すレイアウトデータは図５（ｃ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となるものであり、図９（ｃ）及び図９（ｄ）に示すレイアウトデータは図５（ｄ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となるものであり、図９（ｅ）に示すレイアウトデータは図５（ｅ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となるものであり、図９（ｆ）に示すレイアウトデータは図５（ｆ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となるものであり、図９（ｇ）及び図９（ｈ）に示すレイアウトデータは図５（ｇ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となるものである。
【００７１】
図９（ｃ）に示すレイアウトデータと図９（ｄ）に示すレイアウトデータとを比較した場合、図９（ｃ）に示すレイアウトデータを構成する矩形の数と図９（ｄ）に示すレイアウトデータを構成する矩形の数は同じであり、図９（ｃ）に示すレイアウトデータ中の微小矩形９の数と図９（ｄ）に示すレイアウトデータ中の微小矩形９の数も同じであるが、図９（ｄ）に示すレイアウトデータ中にはより小さな微小矩形９が外周部に位置している。従って、図９（ｃ）に示すレイアウトデータに基づいて遮光パタンを形成する場合、図９（ｄ）に示すレイアウトデータに基づいて遮光パタンを形成する場合に比べて、精度の高い遮光パタンを形成することができる。同様に、図９（ｈ）に示すレイアウトデータに基づいて遮光パタンを形成する場合、図９（ｇ）に示すレイアウトデータに基づいて遮光パタンを形成する場合に比べて、精度の高い遮光パタンを形成することができる。
【００７２】
実施の形態１０．
図１０は実施の形態１０の説明に供する図である。図１０（ａ）から図１０（ｈ）は、図６（ａ）に示す斜め線を含んだ多角形の回路パタン５の変換後のレイアウトデータを示している。図６（ａ）に示す斜め線を含んだ多角形の回路パタン５の変換後のレイアウトデータは、複数の矩形により階段状に表わされかつ全体が複数の矩形から成る多角形のデータであって、斜め線を表わす矩形の幅ＲがＲｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるものであるが、図１０（ａ）から図１０（ｈ）では、全体が複数の矩形から成る様子のみを示している。
【００７３】
図１０（ａ）に示すレイアウトデータは図６（ｂ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となるものであり、図１０（ｂ）に示すレイアウトデータは図６（ｃ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となるものであり、図１０（ｃ）及び図１０（ｄ）に示すレイアウトデータは図６（ｄ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となるものであり、図１０（ｅ）に示すレイアウトデータは図６（ｅ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となるものであり、図１０（ｆ）に示すレイアウトデータは図６（ｆ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となるものであり、図１０（ｇ）及び図１０（ｈ）に示すレイアウトデータは図６（ｇ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となるものである。
図１０（ｇ）に示すレイアウトデータと図１０（ｈ）に示すレイアウトデータとを比較した場合、図１０（ｇ）に示すレイアウトデータを構成する矩形の数と図１０（ｈ）に示すレイアウトデータを構成する矩形の数は同じであり、図１０（ｇ）に示すレイアウトデータ中の微小矩形９の数と図１０（ｈ）に示すレイアウトデータ中の微小矩形９の数も同じであるが、図１０（ｈ）に示すレイアウトデータ中にはより小さな微小矩形９が外周部に位置している。従って、図１０（ｇ）に示すレイアウトデータに基づいて遮光パタンを形成する場合、図１０（ｈ）に示すレイアウトデータに基づいて遮光パタンを形成する場合に比べて、精度の高い遮光パタンを形成することができる。
【００７４】
実施の形態１１．
実施の形態１１では、実施の形態１で説明したフォトマスクに生じた欠陥の検査修正方法について説明する。
【００７５】
図１１はフォトマスクの欠陥修正方法の説明に供する図である。図１１（ａ）は実施の形態１で説明したフォトマスク１における遮光パタン３ｂの斜め線に相当する線４の位置に欠陥１０が生じている様子を示し、図１１（ｂ）はその欠陥を検査修正した後の様子を示している。
【００７６】
通常、製造したフォトマスクに欠陥が生じていた場合、描画データを参照して、白欠陥ならＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ）による埋め込み、黒欠陥ならレーザアプリケーションによる除去を行い、描画データどおりに修正する。このため、実施の形態１で説明したフォトマスク１における遮光パタン３ｂの斜め線に相当する線４の位置に生じた欠陥１０を検査修正する場合、通常、描画データを参照して階段状に検査修正する。
【００７７】
しかしながら、実施の形態１で説明したフォトマスク１における遮光パタン３ｂを用いて最終的に形成しようとする形状は斜め線を含んだ多角形、すなわち回路パタンの形状である。このため、遮光パタン３ｂの斜め線に相当する線４の位置に生じた欠陥１０を、回路パタンのレイアウトデータを参照して斜めに検査修正しても何ら不都合はない。
【００７８】
以上のように、この実施の形態１１によれば、遮光パタン３ｂの斜め線に相当する線４の位置に生じた欠陥１０を、回路パタンのレイアウトデータを参照して斜めに検査修正する場合、階段状に検査修正する必要がないため、欠陥１０の検査修正を容易に行うことができる効果が得られる。
【００７９】
実施の形態１２．
実施の形態１２では実施の形態１で説明したフォトマスクの使用方法について説明する。
【００８０】
図１２はフォトマスクの使用方法の説明に供する図である。図１２（ａ）は投影露光装置２０１を示し、図１２（ｂ）は投影露光装置２０１に装着された実施の形態１で説明したフォトマスク１を示し、図１２（ｃ）は投影露光装置２０１で露光されたウェハ１１を示している。
【００８１】
遮光パタン３ｂは、斜め線を含んだ多角形の回路パタンを、斜め線が複数の矩形により階段状に表わされた多角形として示したものであり、階段の１段階の高さ、すなわち斜め線を表わす矩形の幅ＲがＲｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるものである。このため、実施の形態１で説明したフォトマスク１を用いてウェハ１１を露光した場合、遮光パタン３ｂの形状を正確に転写することができず、階段形状が斜め線として転写され、ウェハ１１上に回路パタンの形状をした遮光パタン１２が形成される。
従って、実施の形態１で説明したフォトマスク１を用いて半導体集積回路や液晶ディスプレイを製造する場合、安価で信頼性の高い半導体集積回路や液晶ディスプレイを製造することができる。
【００８２】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、透明基板と、斜め線を含んだ多角形の回路パタンを、斜め線が複数の矩形により階段状に表わされた多角形として示した遮光パタンとを備え、矩形の幅Ｒが、Ｒｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲である（ただし、ｍは露光装置の転写倍率、Ｒｐは露光装置の解像力、Ｒｗはマスク描画装置の解像力である。）ようにフォトマスクを構成したので、低価格で高精度なフォトマスクを得ることができる効果がある。
【００８３】
この発明によれば、斜め線を含んだ多角形の面積が、斜め線が階段状に表わされた多角形の面積と等しいようにフォトマスクを構成したので、露光装置に装着してウェハを露光したとき、ウェハ上に回路パタンを高精度に転写することができるフォトマスクを得ることができる。
【００８４】
この発明によれば、斜め線を含んだ多角形における斜め線の端部に接続する辺と、斜め線が階段状に表わされた多角形における斜め線の端部に相当する位置に接続する辺とが平行関係にあるようにフォトマスクを構成したので、露光装置に装着してウェハを露光したとき、ウェハ上に回路パタンを高精度に転写することができるフォトマスクを得ることができる。
【００８５】
この発明によれば、斜め線を含んだ多角形における斜め線の端部に接続する辺と、斜め線が階段状に表わされた多角形における斜め線の端部に相当する位置に接続する辺とが直角関係にあるようにフォトマスクを構成したので、露光装置に装着してウェハを露光したとき、ウェハ上に回路パタンを高精度に転写することができるフォトマスクを得ることができる。
【００８８】
この発明によれば、斜め線を含んだ多角形における斜め線の端部に接続する辺が互いに直角関係にあるとき、斜め線を表わす階段形状が、斜め線に相当する線の中点に対して点対称であるようにフォトマスクを構成したので、露光装置に装着してウェハを露光したとき、ウェハ上に回路パタンを高精度に転写することができるフォトマスクを得ることができる。
【００９０】
この発明によれば、回路パタンをレイアウトし、そのレイアウトデータを作成する工程と、斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデータを、斜め線が複数の矩形により階段状に表わされかつ全体が複数の矩形から成る多角形のデータに変換する工程と、斜め線を含んだ多角形の回路パタンの変換後のレイアウトデータに基づき、回路パタンを描画する工程とを含み、斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデータを変換する工程において、斜め線を表わす矩形の幅ＲをＲｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲とする（ただし、ｍは露光装置の転写倍率、Ｒｐは露光装置の解像力、Ｒｗはマスク描画装置の解像力である。）ようにフォトマスクの製造方法を構成したので、低価格で高精度なフォトマスクを製造することができる効果がある。
【００９１】
この発明によれば、斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデータを変換する方法が複数通りある場合、全矩形の数が少ない方法を選択するようにフォトマスクの製造方法を構成したので、変換後のデータ量が少なくなる効果がある。
【００９２】
この発明によれば、斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデータを変換する方法が複数通りある場合、微小矩形の数が少ない方法を選択するようにフォトマスクの製造方法を構成したので、精度の高い遮光パタンを有するフォトマスクを製造することができる効果がある。
【００９３】
この発明によれば、斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデータを変換する方法が複数通りある場合、微小矩形が複数の矩形から成る多角形の外周部に位置しない方法を選択するようにフォトマスクの製造方法を構成したので、精度の高い遮光パタンを有するフォトマスクを製造することができる効果がある。
【００９４】
この発明によれば、透明基板と、斜め線を含んだ多角形の回路パタンを、斜め線が複数の矩形により階段状に表わされた多角形として示した遮光パタンとを備え、矩形の幅Ｒが、Ｒｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるフォトマスクの斜め線に相当する線の位置に生じた欠陥を検査修正するに当たり、回路パタンのレイアウトデータを参照して斜めに検査修正する（ただし、ｍは露光装置の転写倍率、Ｒｐは露光装置の解像力、Ｒｗはマスク描画装置の解像力である。）ようにフォトマスクの検査修正方法を構成したので、斜め線に相当する線の位置に生じた欠陥の検査修正を容易に行うことができる効果がある。
【００９５】
この発明によれば、透明基板と、斜め線を含んだ多角形の回路パタンを、斜め線が複数の矩形により階段状に表わされた多角形として示した遮光パタンとを備え、矩形の幅Ｒが、Ｒｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるフォトマスクを用いて、半導体集積回路を製造する（ただし、ｍは露光装置の転写倍率、Ｒｐは露光装置の解像力、Ｒｗはマスク描画装置の解像力である。）ようにフォトマスクの使用方法を構成したので、安価で信頼性の高い半導体集積回路を製造することができる効果がある。
【００９６】
この発明によれば、透明基板と、斜め線を含んだ多角形の回路パタンを、複数の矩形により階段状に表わされた多角形として示した遮光パタンとを備え、矩形の幅Ｒが、Ｒｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるフォトマスクを用いて、液晶ディスプレイを製造する（ただし、ｍは露光装置の転写倍率、Ｒｐは露光装置の解像力、Ｒｗはマスク描画装置の解像力である。）ようにフォトマスクの使用方法を構成したので、安価で信頼性の高い半導体集積回路を製造することができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の実施の形態１によるフォトマスクを示す構成図である。
【図２】 フォトマスクの製造方法を示すフローチャートである。
【図３】 実施の形態３の説明に供する図である。
【図４】 実施の形態４の説明に供する図である。
【図５】 実施の形態５の説明に供する図である。
【図６】 実施の形態６の説明に供する図である。
【図７】 実施の形態７の説明に供する図である。
【図８】 実施の形態８の説明に供する図である。
【図９】 実施の形態９の説明に供する図である。
【図１０】 実施の形態１０の説明に供する図である。
【図１１】 フォトマスクの欠陥修正方法の説明に供する図である。
【図１２】 フォトマスクの使用方法の説明に供する図である。
【図１３】 可変成形ビームベクタースキャン型の電子線露光装置を示す構成図である。
【図１４】 電子線露光装置の露光方法の説明に供する図である。
【図１５】 投影露光装置を示す構成図である。
【図１６】 投影露光装置の説明に供する図である。
【符号の説明】
１ フォトマスク、２ 透明基板、３ｂ 遮光パタン、４ 斜め線に相当する線、４ａ，４ｂ 斜め線の端部に相当する位置、４ｃ 斜め線に相当する線の中点、４ｄ 斜め線に相当する線の垂直二等分線、５ 斜め線を含んだ多角形の回路パタン、６ 斜め線、６ａ，６ｂ 斜め線の端部、７ａ，７ｂ 斜め線の端部に接続する辺、８ａ，８ｂ 斜め線の端部に相当する位置に接続する辺、９ 微小矩形。
Claims (8)
- 透明基板と、斜め線を含んだ多角形の回路パタンを、該斜め線が複数の矩形により階段状に表わされた多角形として示した遮光パタンとを備え、露光装置の転写倍率をｍ、露光装置の解像力をＲｐ、マスク描画装置の解像力をＲｗとしたときに、上記矩形の幅Ｒが、Ｒｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であり、
前記斜め線を含んだ多角形の面積が、上記斜め線が階段状に表わされた多角形の面積と等しく、
前記斜め線を含んだ多角形における該斜め線の端部に接続する辺が互いに直角関係にあるとき、上記斜め線を表わす階段形状が、上記斜め線に相当する線の中点に対して点対称である、フォトマスク。 - 回路パタンをレイアウトし、そのレイアウトデータを作成する工程と、
斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデータを、該斜め線が複数の矩形により階段状に表わされかつ全体が複数の矩形から成る多角形のデータに変換する工程と、
上記斜め線を含んだ多角形の回路パタンの変換後のレイアウトデータに基づき、回路パタンを描画する工程とを含み、
上記斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデータを変換する工程において、露光装置の転写倍率をｍ、露光装置の解像力をＲｐ、マスク描画装置の解像力をＲｗとしたときに、上記斜め線を表わす矩形の幅ＲをＲｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲とし、
前記斜め線を含んだ多角形の面積が、上記斜め線が階段状に表わされた多角形の面積と等しく、
前記斜め線を含んだ多角形における該斜め線の端部に接続する辺が互いに直角関係にあるとき、上記斜め線を表わす階段形状が、上記斜め線に相当する線の中点に対して点対称である、フォトマスクの製造方法。 - 斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデータを変換する方法が複数通りある場合、全矩形の数が少ない斜め線の変換方法を選択することを特徴とする請求項２記載のフォトマスクの製造方法。
- 斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデータを変換する方法が複数通りある場合、微小矩形の数が少ない斜め線の変換方法を選択することを特徴とする請求項２記載のフォトマスクの製造方法。
- 斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデータを変換する方法が複数通りある場合、微小矩形が複数の矩形から成る多角形の外周部に位置しない斜め線の変換方法を選択することを特徴とする請求項２記載のフォトマスクの製造方法。
- 透明基板と、斜め線を含んだ多角形の回路パタンを、該斜め線が複数の矩形により階段状に表わされた多角形として示した遮光パタンとを備え、露光装置の転写倍率をｍ、露光装置の解像力をＲｐ、マスク描画装置の解像力をＲｗとしたときに、上記矩形の幅Ｒが、Ｒｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるフォトマスクの上記斜め線に相当する線の位置に生じた欠陥を検査修正するに当たり、上記回路パタンのレイアウトデータを参照して斜めに検査修正し、
前記斜め線を含んだ多角形の面積が、上記斜め線が階段状に表わされた多角形の面積と等しく、
前記斜め線を含んだ多角形における該斜め線の端部に接続する辺が互いに直角関係にあるとき、上記斜め線を表わす階段形状が、上記斜め線に相当する線の中点に対して点対称である、フォトマスクの検査修正方法。 - 透明基板と、斜め線を含んだ多角形の回路パタンを、該斜め線が複数の矩形により階段状に表わされた多角形として示した遮光パタンとを備え、露光装置の転写倍率をｍ、露光装置の解像力をＲｐ、マスク描画装置の解像力をＲｗとしたときに、上記矩形の幅Ｒが、Ｒｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるフォトマスクを用いて、半導体集積回路を製造し、
前記斜め線を含んだ多角形の面積が、上記斜め線が階段状に表わされた多角形の面積と等しく、
前記斜め線を含んだ多角形における該斜め線の端部に接続する辺が互いに直角関係にあるとき、上記斜め線を表わす階段形状が、上記斜め線に相当する線の中点に対して点対称である、フォトマスクを使用した半導体集積回路の製造方法。 - 透明基板と、斜め線を含んだ多角形の回路パタンを、該斜め線が複数の矩形により階段状に表わされた多角形として示した遮光パタンとを備え、露光装置の転写倍率をｍ、露光装置の解像力をＲｐ、マスク描画装置の解像力をＲｗとしたときに、上記矩形の幅Ｒが、Ｒｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるフォトマスクを用いて、液晶ディスプレイを製造し、
前記斜め線を含んだ多角形の面積が、上記斜め線が階段状に表わされた多角形の面積と等しく、
前記斜め線を含んだ多角形における該斜め線の端部に接続する辺が互いに直角関係にあるとき、上記斜め線を表わす階段形状が、上記斜め線に相当する線の中点に対して点対称である、フォトマスクを使用した液晶ディスプレイの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04223099A JP4756720B2 (ja) | 1999-02-19 | 1999-02-19 | フォトマスク、フォトマスクの製造方法、フォトマスクの検査修正方法、半導体集積回路の製造方法および液晶ディスプレイの製造方法 |
| US09/347,272 US6228542B1 (en) | 1999-02-19 | 1999-07-06 | Photomask method of manufacture method of test/repair and method of use therefor |
| DE10002316A DE10002316A1 (de) | 1999-02-19 | 2000-01-20 | Photomaske, Verfahren zur Herstellung, Verfahren zum Testen/Reparieren und Verfahren zur Verwendung der Photomaske |
| KR1020000004268A KR100336031B1 (ko) | 1999-02-19 | 2000-01-28 | 포토마스크, 포토마스크의 제조 방법, 포토마스크의 검사수정 방법 및 포토마스크의 사용 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04223099A JP4756720B2 (ja) | 1999-02-19 | 1999-02-19 | フォトマスク、フォトマスクの製造方法、フォトマスクの検査修正方法、半導体集積回路の製造方法および液晶ディスプレイの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000241958A JP2000241958A (ja) | 2000-09-08 |
| JP4756720B2 true JP4756720B2 (ja) | 2011-08-24 |
Family
ID=12630242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04223099A Expired - Fee Related JP4756720B2 (ja) | 1999-02-19 | 1999-02-19 | フォトマスク、フォトマスクの製造方法、フォトマスクの検査修正方法、半導体集積回路の製造方法および液晶ディスプレイの製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6228542B1 (ja) |
| JP (1) | JP4756720B2 (ja) |
| KR (1) | KR100336031B1 (ja) |
| DE (1) | DE10002316A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6591154B2 (en) * | 2000-12-15 | 2003-07-08 | International Business Machines Corporation | System and method for modifying enclosed areas for ion beam and laser beam bias effects |
| US7000207B2 (en) * | 2003-04-10 | 2006-02-14 | Sioptical, Inc. | Method of using a Manhattan layout to realize non-Manhattan shaped optical structures |
| US7470521B2 (en) * | 2004-07-20 | 2008-12-30 | Critical Therapeutics, Inc. | RAGE protein derivatives |
| US20080268431A1 (en) * | 2004-09-14 | 2008-10-30 | Jin-Ho Choy | Information Code System Using Dna Sequences |
| JP4378648B2 (ja) | 2006-10-06 | 2009-12-09 | エルピーダメモリ株式会社 | 照射パターンデータ作成方法、マスク製造方法、及び描画システム |
| JP7111496B2 (ja) * | 2018-04-12 | 2022-08-02 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | パターン検査装置 |
| US11321884B1 (en) | 2021-03-19 | 2022-05-03 | Adobe Inc. | Generating candidate mirror snap points using determined axes of symmetry |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3543430B2 (ja) | 1995-07-14 | 2004-07-14 | ソニー株式会社 | マスクパターンの補正方法および補正装置 |
-
1999
- 1999-02-19 JP JP04223099A patent/JP4756720B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1999-07-06 US US09/347,272 patent/US6228542B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-01-20 DE DE10002316A patent/DE10002316A1/de not_active Ceased
- 2000-01-28 KR KR1020000004268A patent/KR100336031B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100336031B1 (ko) | 2002-05-10 |
| US6228542B1 (en) | 2001-05-08 |
| JP2000241958A (ja) | 2000-09-08 |
| DE10002316A1 (de) | 2000-09-07 |
| KR20000057825A (ko) | 2000-09-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7468240B2 (en) | Patterning method using photomask | |
| JP2005309140A (ja) | フォトマスク製造方法、フォトマスク欠陥修正箇所判定方法、及びフォトマスク欠陥修正箇所判定装置 | |
| JP6858732B2 (ja) | Ｏｐｃ方法、及びそのｏｐｃ方法を利用したマスク製造方法 | |
| JPH09167735A (ja) | 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 | |
| CN114326290A (zh) | 光学邻近修正方法 | |
| JP2000124118A (ja) | 荷電ビーム露光方法及びそれ用のマスク | |
| JP4756720B2 (ja) | フォトマスク、フォトマスクの製造方法、フォトマスクの検査修正方法、半導体集積回路の製造方法および液晶ディスプレイの製造方法 | |
| CN111381436A (zh) | 具有图形的光罩的制造方法 | |
| TWI421908B (zh) | 光學鄰近校正模型的建立方法 | |
| JP2007271999A (ja) | フォトマスクおよびその製造方法ならびに電子デバイスの製造方法 | |
| JP2007256511A (ja) | レジストパターン形成用のフォトマスク及びその製造方法、並びにこのフォトマスクを用いたレジストパターンの形成方法 | |
| JP2004094044A (ja) | レチクル製造方法 | |
| US7222327B2 (en) | Photo mask, method of manufacturing photo mask, and method of generating mask data | |
| JP2008004596A (ja) | 荷電粒子線描画方法、露光装置、及びデバイス製造方法 | |
| JP2004157160A (ja) | プロセスモデル作成方法、マスクパターン設計方法、マスクおよび半導体装置の製造方法 | |
| US6560767B2 (en) | Process for making photomask pattern data and photomask | |
| JPH10256122A (ja) | パターン形成装置 | |
| JP4563101B2 (ja) | マスクパターンデータ補正方法 | |
| JP2703749B2 (ja) | 光学マスク加工方法 | |
| JP2006156864A (ja) | レジストパターン・ライン幅の算出方法、マスクパターン・ライン幅の補正方法、光近接効果補正方法、露光用マスクの作製方法、露光用マスクを作製するための電子線描画方法、露光方法、及び、半導体装置の製造方法 | |
| JP2010224114A (ja) | マスク製造方法及び半導体装置の製造装置 | |
| JP2008268378A (ja) | マスクパターンデータの生成方法、情報処理装置、フォトマスク及びその作製システム並びに撮像素子 | |
| JP2928477B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR20080000975A (ko) | 포토 마스크 제조 방법 | |
| JP2005005520A (ja) | 露光装置評価用フォトマスクの製造方法、露光装置評価用フォトマスクおよび収差評価方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20060123 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060206 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20071101 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081211 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090113 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090316 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090818 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091117 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20091127 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20100205 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20100519 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110414 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110531 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140610 Year of fee payment: 3 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |