JP4458855B2 - ステージ・ミラーのマッピングのための方法および装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 79
- 238000013507 mapping Methods 0.000 title 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 133
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 107
- 238000005305 interferometry Methods 0.000 claims description 83
- 238000013519 translation Methods 0.000 claims description 69
- 230000009466 transformation Effects 0.000 claims description 12
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 claims description 11
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 66
- 230000008859 change Effects 0.000 description 57
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 43
- 230000014616 translation Effects 0.000 description 40
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 35
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 33
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 31
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 24
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 23
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 20
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 15
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 12
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 12
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 11
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 238000013461 design Methods 0.000 description 7
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 5
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 4
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 3
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 101710192523 30S ribosomal protein S9 Proteins 0.000 description 1
- 241000286209 Phasianidae Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/24—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures
- G01B11/2441—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures using interferometry
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/30—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
- G01B11/306—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces for measuring evenness
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B9/00—Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
- G01B9/02—Interferometers
- G01B9/02001—Interferometers characterised by controlling or generating intrinsic radiation properties
- G01B9/02007—Two or more frequencies or sources used for interferometric measurement
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B9/00—Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
- G01B9/02—Interferometers
- G01B9/02015—Interferometers characterised by the beam path configuration
- G01B9/02017—Interferometers characterised by the beam path configuration with multiple interactions between the target object and light beams, e.g. beam reflections occurring from different locations
- G01B9/02019—Interferometers characterised by the beam path configuration with multiple interactions between the target object and light beams, e.g. beam reflections occurring from different locations contacting different points on same face of object
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B9/00—Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
- G01B9/02—Interferometers
- G01B9/02015—Interferometers characterised by the beam path configuration
- G01B9/02027—Two or more interferometric channels or interferometers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70591—Testing optical components
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
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Description
光学的アセンブリを含み、ステージ・ミラーの複数の自由度とステージ・ミラーの反射面のトポグラフィとを、高い空間分解能で、1つまたは複数の基準線に沿って、基準線の周りのステージ・ミラーの反射面の対応する局所的な回転とともに、要求に従って必要に応じて測定する干渉計システム。干渉計システムによって、走査方向に直交する表面法線を有する平面内の基準線の局所的な傾斜と、基準線の周りの反射面の局所的な回転とが、反射面によって反射されるビームの方向の角度変化を単一光路の干渉分光法で測定することを用いて測定される。干渉計システムの構成は、複数の自由度が、測定された表面の直線的および角度変位の組み合わせから決定されるようになされる。基準線および基準線の周りの反射面の局所的な回転によって表わされる反射面のトポグラフィには、反射面上の2つ以上の基準線の組が、付随する局所的な回転の測定値とともに、含まれていても良い。基準線および付随する局所的な回転は、その場でリソグラフィ・ツール内で測定しても良いし、またはオフラインで、導入する前にまたはリソグラフィ・ツールから取り出した後に測定しても良い。また、光学的アセンブリを含み、2つおよび3つのステージ・ミラーの複数の自由度、ならびに基準線および基準線の周りのステージ・ミラーの反射面の局所的な回転とによって表わされるステージ・ミラーの反射面のトポグラフィ、を測定する干渉計システムが記載されている。基準線および基準線の周りのステージ・ミラーの反射面の局所的な回転によって表わされるステージ・ミラーの反射面のトポグラフィを決定するために必要なのは、2つの直交する軸のみにおいて走査することである。2つおよび3つのステージ・ミラーの配置は、2つおよび3つのステージ・ミラーの反射面が通常は、2つおよび3つのステージ・ミラーの他の表面と直交するかまたは平行な面となるように行なわれるが、他の角度たとえば45度であっても良い。反射面のトポグラフィを、リソグラフィ・ツール以外のエンド・ユース用途で用いられるミラーに対して測定しても良い。
本発明の多くの実施形態について、本明細書で説明する。これらの実施形態は、反射面について取得される情報のタイプに基づいて複数のグループに分類される。実施形態の第1のグループでは、1つの反射面における基準線または2つの反射面のそれぞれにおける基準線が、高い空間分解能で決定される。2つの反射面は実質的に互いに直交している。実施形態の第2のグループでは、1つの反射面における一対の基準線または2つの反射面のそれぞれにおける一対の基準線が、高い空間分解能で決定される。2つの反射面は、実質的に互いに直交している。実施形態の第3のグループでは、反射面上の一対の基準線および一対の基準線の周りの反射面の付随する局所的な回転、または2つの反射面のそれぞれにおける一対の基準線および付随する局所的な回転が、高い空間分解能で決定される。2つの反射面は、実質的に互いに直交している。実施形態の第4のグループでは、3つの反射面における基準線および付随する局所的な回転の組み合わせが、高い空間分解能で決定される。3つの反射面は、実質的に互いに直交している。第4の実施形態のグループでは、測定ビームが反射面上に45度のオーダの入射角度で入射しても良い。5つの異なるタイプの干渉計を用いて、種々の実施形態およびその変形において、個々の反射面の直線的および角度の変位を測定する。
Claims (34)
- 並進ステージと、
少なくとも2つの直交する方向のうちの少なくとも1つの方向に前記並進ステージを選択的に並進させる電気機械的装置と、
前記並進ステージに対して所定の仕方でマウントされている少なくとも1つのミラーであって、反射面を有する少なくとも1つのミラーと、
複数の測定ビームを生成する干渉計手段であって、少なくとも1つの方向における前記並進ステージの変位と前記少なくとも1つのミラーの前記反射面のそれぞれの領域の局所的な傾斜とを測定するために、前記複数の測定ビームのそれぞれが前記反射面のそれぞれの領域上に投影されるように構成され配置されている、干渉計手段と、
動作モードを有する制御手段であって、前記制御手段は、前記動作モードにおいて、前記並進ステージと前記少なくとも1つのミラーと前記干渉計手段とを互いに対して選択的に並進させ、それにより、前記干渉計手段の前記複数の測定ビームのうちの選択されたいくつかの測定ビームのそれぞれが前記少なくとも1つのミラーの前記反射面のそれぞれの領域を少なくとも1つの対応する基準線に沿って走査するようにして、その走査方向に直交する表面法線を有する少なくとも1つの平面における前記少なくとも1つの対応する基準線に沿う前記少なくとも1つのミラーの前記反射面の走査されたそれぞれの領域の局所的な傾斜を示す情報を含む少なくとも1つの信号を生成する、制御手段と、
前記少なくとも1つの信号に含まれる前記情報を抽出し、前記少なくとも1つのミラーの局所的な形状を決定する信号および分析手段と
を含む、干渉分光装置。 - 前記少なくとも1つの信号は、前記少なくとも1つの平面における前記反射面の位置を前記少なくとも1つの基準線に沿う走査位置の関数として示す情報をさらに含む、請求項1に記載の干渉分光装置。
- 前記少なくとも1つの信号は、前記少なくとも1つの平面における前記反射面の平均の傾斜を前記少なくとも1つの基準線に沿う走査位置の関数として示す情報をさらに含む、請求項1に記載の干渉分光装置。
- 前記少なくとも1つの信号は、前記少なくとも1つの平面における前記反射面の位置および平均の傾斜を前記少なくとも1つの基準線に沿う走査位置の関数として示す情報をさらに含む、請求項1に記載の干渉分光装置。
- 前記複数の測定ビームは、少なくとも一対の測定ビームを含み、前記少なくとも一対の測定ビームのうちの各測定ビームは、所定の直径を有し、互いに所定の距離だけ間隔をあけて前記走査方向に沿って配置されている、請求項1に記載の干渉分光装置。
- 前記干渉計手段は、少なくとも1つの角度測定用干渉計を含み、前記少なくとも一対の測定ビームは、前記少なくとも1つの平面における前記反射面の平均の傾斜を前記少なくとも1つの基準線に沿う走査位置の関数として測定することができる情報を提供するように構成され配置されており、前記少なくとも一対の測定ビームのうちの測定ビームの一方の少なくとも一部は、前記平面内の前記基準線に沿う前記ミラーの局所的な傾斜を測定するために前記ミラーによって一度反射された後で、前記角度測定用干渉計によって受け取られる、請求項5に記載の干渉分光装置。
- 前記干渉計手段は、少なくとも1つの角度測定用干渉計を含み、前記少なくとも一対の測定ビームは、前記反射面上への前記測定ビームの投影に対応する点での前記反射面の位置に関する情報を提供するように構成され配置されており、前記少なくとも一対の測定ビームのうちの測定ビームの一方の少なくとも一部は、前記平面内の前記基準線に沿う前記ミラーの局所的な傾斜を測定するために前記ミラーによって一度反射された後で、前記角度測定用干渉計によって受け取られる、請求項5に記載の干渉分光装置。
- 前記干渉計手段は、高安定性平面鏡干渉計、受動的微分ゼロ・シャー干渉計、能動的ゼロ・シャー干渉計、角度干渉計からなる群から選択される1つまたは複数の干渉計を含む、請求項1に記載の干渉分光装置。
- 前記信号および分析手段は、前記少なくとも1つのミラーの局所的な形状を、積分変換、フーリエ分析、直交関数分析、多項式展開からなる群から選択される数学的な手順を用いて決定するように構成されている、請求項1に記載の干渉分光装置。
- 前記少なくとも1つのミラーは、前記並進ステージと一緒に移動するように前記並進ステージにマウントされており、前記干渉計手段は、前記並進ステージから離れてマウントされている、請求項1に記載の干渉分光装置。
- 前記干渉計手段は、前記並進ステージと一緒に移動するように前記並進ステージにマウントされており、前記少なくとも1つのミラーは、前記並進ステージから離れてマウントされている、請求項1に記載の干渉分光装置。
- 前記制御手段は、前記並進ステージの動きが基準座標系に対する少なくとも1つの方向で測定される他の動作モードを有するように構成され配置されている、請求項1に記載の干渉分光装置。
- 前記複数の測定ビームは、少なくとも二対の測定ビームを含み、各対は、2つの測定ビームを含み、前記2つの測定ビームは、所定の直径を有し、かつ、前記走査方向に沿って互いに所定の距離だけ離れており、各対は、前記走査方向に垂直な方向において互いにずれている、請求項1に記載の干渉分光装置。
- 前記干渉分光装置は、直交方向における前記並進ステージの変位と前記少なくとも1つのミラーの表面に直交する少なくとも1つの他のミラーの表面の少なくとも局所的な傾斜とを測定するために、前記複数の測定ビームのうち予め選択されたいくつかのビームが互いに直交に配置されるように、前記複数の測定ビームを生成するように構成され配置されている、請求項1に記載の干渉分光装置。
- 2つ以上の直交配置されたミラーをさらに含み、対応する干渉計手段は、前記並進ステージに対して所定の仕方でマウントされており、前記2つ以上の直交配置されたミラーのそれぞれが前記干渉計手段のうちの前記対応する1つに対して移動する一方で、前記制御手段が前記ミラーの局所的な形状を測定するために前記動作モード内にある、請求項1に記載の干渉分光装置。
- 前記少なくとも1つのミラーは、前記並進ステージに対して45度で配置されている反射面を有する、請求項1に記載の干渉分光装置。
- 前記並進ステージ上に配置され、前記並進ステージと一緒に移動する少なくとも1つのフォトリソグラフィ・ウェハ・マウントをさらに含む、請求項1に記載の干渉分光装置。
- 基準座標系にマウントされ、前記並進ステージ上に配置されたウェハ上にマスクされたパターンを形成するフォトリソグラフィ露光ユニットをさらに含む、請求項17に記載の干渉分光装置。
- 少なくとも1つのミラーを並進ステージに対して所定の仕方でマウントするステップであって、前記少なくとも1つのミラーは反射面を有する、ステップと、
少なくとも2つの直交する方向の少なくとも1つの方向に前記並進ステージを選択的に並進させるステップと、
複数の干渉分光測定ビームを生成するステップであって、少なくとも1つの方向における前記並進ステージの変位と前記少なくとも1つのミラーの前記反射面のそれぞれの領域の局所的な傾斜とを測定するために、前記複数の干渉分光測定ビームのそれぞれが前記反射面のそれぞれの領域上に投影されるように構成され配置されている、ステップと、
第1の動作モードにおいて前記並進ステージと前記少なくとも1つのミラーと前記複数の干渉分光測定ビームとを互いに対して選択的に並進させ、それにより、前記複数の干渉分光測定ビームのうちの選択されたいくつかの干渉分光測定ビームのそれぞれが前記少なくとも1つのミラーの前記反射面のそれぞれの領域を少なくとも1つの対応する基準線に沿って走査するようにして、その走査方向に直交する表面法線を有する少なくとも1つの平面における前記少なくとも1つの対応する基準線に沿う前記少なくとも1つのミラーの前記反射面のそれぞれの領域の局所的な傾斜を示す情報を含む少なくとも1つの信号を生成するステップと、
前記少なくとも1つの信号を分析することにより、前記少なくとも1つの信号に含まれる前記情報を抽出し、前記少なくとも1つのミラーの局所的な形状を決定するステップと
を含む、干渉分光法。 - 前記少なくとも1つの信号は、前記少なくとも1つの平面における前記反射面の位置を前記少なくとも1つの基準線に沿う走査位置の関数として示す情報をさらに含む、請求項19に記載の干渉分光法。
- 前記少なくとも1つの信号は、前記少なくとも1つの平面における前記反射面の平均の傾斜を前記少なくとも1つの基準線に沿う走査位置の関数として示す情報をさらに含む、請求項19に記載の干渉分光法。
- 前記少なくとも1つの信号は、前記少なくとも1つの平面における前記反射面の位置および平均の傾斜を前記少なくとも1つの基準線に沿う走査位置の関数として示す情報をさらに含む、請求項19に記載の干渉分光法。
- 前記複数の干渉分光測定ビームは、少なくとも一対の干渉分光測定ビームを含み、少なくとも一対の干渉分光測定ビームのうちの各干渉分光測定ビームは、所定の直径を有し、互いに所定の距離だけ間隔をあけて前記走査方向に沿って配置されている、請求項19に記載の干渉分光法。
- 前記少なくとも一対の干渉分光測定ビームは、前記少なくとも1つの平面における前記反射面の平均の傾斜を前記少なくとも1つの基準線に沿う走査位置の関数として測定することができる情報を提供するように構成され配置されており、前記少なくとも一対の干渉分光測定ビームのうちの干渉分光測定ビームの一方の少なくとも一部は、前記平面内の前記基準線に沿う前記ミラーの局所的な傾斜を測定するために前記ミラーによって一度反射された後で、角度測定用干渉計によって受け取られる、請求項23に記載の干渉分光法。
- 前記少なくとも一対の干渉分光測定ビームは、前記反射面上への前記干渉分光測定ビームの投影に対応する点での前記反射面の位置に関する情報を提供するように構成され配置されており、前記少なくとも一対の干渉分光測定ビームのうちの干渉分光測定ビームの一方の少なくとも一部は、前記平面内の前記基準線に沿う前記ミラーの局所的な傾斜を測定するために前記ミラーによって一度反射された後で、角度測定用干渉計によって受け取られる、請求項23に記載の干渉分光法。
- 前記複数の干渉分光測定ビームは、高安定性平面鏡干渉計、受動的微分ゼロ・シャー干渉計、能動的ゼロ・シャー干渉計、角度干渉計からなる群から選択される1つまたは複数の干渉計を含む干渉計手段によって提供される、請求項19に記載の干渉分光法。
- 前記分析ステップは、前記少なくとも1つのミラーの局所的な形状を、積分変換、フーリエ分析、直交関数分析、多項式展開からなる群から選択される数学的な手順を用いて決定する、請求項19に記載の干渉分光法。
- 前記並進ステージの動きが基準座標系に対する少なくとも1つの方向で測定される他の動作モードをさらに含む、請求項19に記載の干渉分光法。
- 前記複数の干渉分光測定ビームは、少なくとも二対の干渉分光測定ビームを含み、前記少なくとも二対の干渉分光測定ビームの各対は、2つの干渉分光測定ビームを含み、前記2つの干渉分光測定ビームは、所定の直径を有し、かつ、前記走査方向に沿って互いに所定の距離だけ離れており、前記少なくとも二対の干渉分光測定ビームの各対は、前記走査方向に垂直な方向において互いにずれている、請求項19に記載の干渉分光法。
- 前記複数の干渉分光測定ビームは、直交方向における前記並進ステージの変位と前記少なくとも1つのミラーの表面に直交する少なくとも1つの他のミラーの表面の少なくとも局所的な傾斜とを測定するために、前記複数の干渉分光測定ビームのうち予め選択されたいくつかの干渉分光測定ビームが互いに直交に配置されるように構成され配置されている、請求項19に記載の干渉分光法。
- 2つ以上の直交配置されたミラーを前記並進ステージ上にマウントするステップをさらに含み、前記2つ以上の直交配置されたミラーのそれぞれは、前記複数の干渉分光測定ビームのうち対応する干渉分光測定ビームに対して移動する一方で、前記第1の動作モードにおいて前記ミラーの局所的な形状を測定する、請求項19に記載の干渉分光法。
- 前記少なくとも1つのミラーは、前記並進ステージに対して45度でマウントされている反射面を有する、請求項31に記載の干渉分光法。
- 少なくとも1つのフォトリソグラフィ・ウェハを前記並進ステージと一緒に移動するように前記並進ステージ上にマウントするステップをさらに含む、請求項19に記載の干渉分光法。
- ウェハの上にマスクされたパターンを形成するように前記ウェハを前記並進ステージ上に配置する一方で、前記ウェハを少なくとも一度露光するステップをさらに含む、請求項33に記載の干渉分光法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US37117202P | 2002-04-09 | 2002-04-09 | |
US10/217,531 US6700665B2 (en) | 2001-08-20 | 2002-08-13 | Interferometric apparatus for measuring the topography of mirrors in situ and providing error correction signals therefor |
PCT/US2003/010212 WO2003087710A2 (en) | 2002-04-09 | 2003-04-04 | Method and apparatus for stage mirror mapping |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005522683A JP2005522683A (ja) | 2005-07-28 |
JP4458855B2 true JP4458855B2 (ja) | 2010-04-28 |
Family
ID=29254154
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003584612A Expired - Fee Related JP4458855B2 (ja) | 2002-04-09 | 2003-04-04 | ステージ・ミラーのマッピングのための方法および装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1492994A4 (ja) |
JP (1) | JP4458855B2 (ja) |
WO (1) | WO2003087710A2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007005314A2 (en) * | 2005-06-29 | 2007-01-11 | Zygo Corporation | Apparatus and methods for reducing non-cyclic non-linear errors in interferometry |
US7853067B2 (en) * | 2006-10-27 | 2010-12-14 | Asml Holding N.V. | Systems and methods for lithographic reticle inspection |
US8937707B2 (en) | 2011-08-23 | 2015-01-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of calibrating a displacement measuring system |
US11619886B2 (en) | 2018-03-29 | 2023-04-04 | Asml Netherlands B.V. | Position measurement system, interferometer system and lithographic apparatus |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5151749A (en) * | 1989-06-08 | 1992-09-29 | Nikon Corporation | Method of and apparatus for measuring coordinate position and positioning an object |
JP3295846B2 (ja) * | 1989-06-08 | 2002-06-24 | 株式会社ニコン | 位置測定方法、位置測定装置、位置決め方法、位置決め装置、および露光装置 |
JPH04351905A (ja) * | 1991-05-30 | 1992-12-07 | Fujitsu Ltd | レーザ測長装置を備えたxyステージ |
US5363196A (en) * | 1992-01-10 | 1994-11-08 | Ultratech Stepper, Inc. | Apparatus for measuring a departure from flatness or straightness of a nominally-plane mirror for a precision X-Y movable-stage |
US5464715A (en) * | 1993-04-02 | 1995-11-07 | Nikon Corporation | Method of driving mask stage and method of mask alignment |
US5371588A (en) * | 1993-11-10 | 1994-12-06 | University Of Maryland, College Park | Surface profile and material mapper using a driver to displace the sample in X-Y-Z directions |
JPH07253304A (ja) * | 1994-03-15 | 1995-10-03 | Nikon Corp | 多軸位置決めユニットおよびこれにおける測長方法 |
JPH09162113A (ja) * | 1995-12-04 | 1997-06-20 | Nikon Corp | 直交度測定方法及びステージ装置並びに露光装置 |
US6486955B1 (en) * | 1998-10-14 | 2002-11-26 | Nikon Corporation | Shape measuring method and shape measuring device, position control method, stage device, exposure apparatus and method for producing exposure apparatus, and device and method for manufacturing device |
DE60118726T2 (de) * | 2000-05-19 | 2006-08-24 | Zygo Corp., Middlefield | In-situ spiegel-charakterisierung |
-
2003
- 2003-04-04 EP EP03714507A patent/EP1492994A4/en not_active Withdrawn
- 2003-04-04 JP JP2003584612A patent/JP4458855B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-04-04 WO PCT/US2003/010212 patent/WO2003087710A2/en active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005522683A (ja) | 2005-07-28 |
WO2003087710A2 (en) | 2003-10-23 |
EP1492994A4 (en) | 2010-07-28 |
WO2003087710A3 (en) | 2003-12-18 |
EP1492994A2 (en) | 2005-01-05 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051228 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070809 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070816 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20071106 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20071113 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20071217 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20071225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081010 |
|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090114 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100209 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130219 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130219 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140219 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |