JP4239422B2 - surge absorber - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、サージから様々な機器を保護し、事故を未然に防ぐのに使用するサージアブソーバに関する。
【0002】
【従来の技術】
電話機、ファクシミリ、モデム等の通信機器用の電子機器が通信線と接続する部分、あるいはCRT駆動回路等、雷サージや静電気等の異常電圧(サージ電圧)による電撃を受けやすい部分には、異常電圧によって電子機器やこの機器を搭載するプリント基板の熱的損傷または発火等による破壊を防止するために、サージアブソーバが接続されている。
【0003】
このようなサージアブソーバの一例として、図5に示すようなものが知られている。このサージアブソーバ1は、図5に示すように、円柱状のセラミックス部材2の周面に放電間隙4(マイクロギャップ)を有する導電性被膜3を形成したアブソーバ素子の両端にキャップ電極5,5をかぶせたものを円筒状のガラス管7内に不活性ガスとともに収容し、円筒状のガラス管7の両端に一対の封止電極6,6が相対向して高温加熱で封着されたガラス管封止型とされたものである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のような従来のサージアブソーバ1は、それぞれ封止電極6,6に接続された2本のリード線6A,6Aによって電気的に接続された回路のサージを、放電間隙4において放電することにより吸収するものであるため、繰り返しサージが印可されたり、大電流のサージが印可されたりすると、放電間隙4を形成する薄肉の導電性皮膜2が傷んでしまい、その特性が劣化して、寿命が短くなっていた。
しかも、このようなガラス管封止型のサージアブソーバ1では、ガラス管7内にアブソーバ素子と不活性ガスを封入して製造するため、製品形状は円筒状で、表面実装には不向きとなる。また、このようにガラス管7内にアブソーバ素子を封入するものでは、比較的サイズが大きくなってしまい、近年高まってきている小型化の要求に応えることが難しかった。
【0005】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたもので、寿命が長く、かつ表面実装可能で小型化を実現できるサージアブソーバを提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決して、このような目的を達成するために、本発明は、絶縁性基板の上面において放電間隙が画成されるように、互いに相対向して一対の放電電極が形成されるとともに、前記放電間隙の上方空間を囲うように蓋体の周縁部が前記絶縁性基板の上面に接合され、該蓋体によって形成される内部空間に不活性ガスが封入されたサージアブソーバであって、前記一対の放電電極は、先端部が前記絶縁性基板の上面に位置するとともに基端部が前記絶縁性基板の上面に設けられた一対の溝部内にそれぞれ位置するように形成されており、前記蓋体は、その周縁部の一部が前記一対の溝部の上方に位置し、前記放電電極と前記蓋体の周縁部との間に間隙が設けられて該間隙が絶縁材により閉塞されており、前記蓋体は、前記放電電極と電気的に絶縁されているとともに、少なくとも放電電極に対向する部分に金属材料で構成された領域を有することを特徴とする。このような構成とすると、一対の放電電極により形成される放電間隙において放電することによりサージを吸収できるのに加え、放電電極と蓋体の金属製の領域との間においても放電を行うことができるので、放電電極に与える熱影響を少なくすることができる。しかも、絶縁性基板を用いることで全体がチップ形状となり、小型化及び表面実装を図ることができる。
また、前記放電電極と前記蓋体の周縁部との間に間隙が設けられて、該間隙が絶縁材により閉塞されているので、この間隙を利用して不活性ガスを蓋体の内部空間に導入することができるので、不活性ガスの封入を確実に行うことができる。
また、前記一対の放電電極は、前記絶縁性基板の上面に形成された一対の溝部内にそれぞれ設けられ、前記蓋体は、その周縁部の一部が前記一対の溝部の上方に位置し、前記間隙が形成されているので、絶縁性基板の上面に溝部を形成するだけで、容易に蓋体の周縁部と放電電極との間に間隙を形成できるとともに、間隙の閉塞作業を、溝部内に絶縁材ペーストを埋め込むことで容易に行うことができる。
【0007】
また、前記蓋体は金属製とされていることを特徴とする。
このような構成とすると、放電空間(蓋体によって形成される内部空間)を形成する蓋体が金属製であることにより、蓋体を安価に製造することができる。
【0010】
また、前記放電電極と、前記蓋体の金属材料で構成された領域との距離が、0.05〜1.00mmの範囲に設定されていることを特徴とする。
このような構成とすると、放電電極と蓋体の金属製の領域との間で生じる放電に適した距離を設定することができ、放電空間の寸法が小さくなりすぎたり、放電が起き難くなってしまうということがない。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を添付した図面を参照しながら説明する。
図1は本発明の実施形態によるサージアブソーバの斜視図、図2は図1におけるサージアブソーバの断面図である。
【0012】
本実施形態によるサージアブソーバ10は、図1及び図2に示すように、略長方形のチップ形状をなし、例えばアルミナ等の絶縁性材料から構成される絶縁性基板11の上面11Aに、導電性金属から構成される一対の放電電極12,13が互いに相対向する配置で形成されており、一方の放電電極12の先端と他方の放電電極13の先端との間に所定の寸法をもって放電間隙14(マイクロギャップ)が形成されている。
なお、この放電電極12,13は、Ag/Pd,SnO2,Al,Ni,Cu,Ti,TiN,Ta,W,SiC,BaAl,Nb,Si,C,Ag,Ag/Pt,ITO等で、スパッタ法,蒸着法,イオンプレーティング法,印刷法,焼付法等により形成されたものである。
【0013】
ここで、絶縁性基板11の上面11Aにおいて、放電電極12,13は、それぞれの基端部12A,13Aが絶縁性基板11の対向する端面11B,11Bのそれぞれまで達するように形成されている。また、この絶縁性基板11の上面11Aには、一対の放電電極12,13が形成されている部分に一対の溝部11C,11Cが設けられており、それぞれの放電電極12,13において、その途中部分から基端部12A,13Aまでが、一対の溝部11C,11Cに沿ってそれぞれ基端部12A,13A側に向かうにしたがい絶縁性基板11の下面に近づく傾斜がつけられている。すなわち、一対の放電電極12,13は、その途中部分から基端部12A,13Aまでが一対の溝部11C,11C内に設けられ、その先端部のみが、絶縁性基板11の上面11A上に位置することになる。
【0014】
また、放電電極12,13が形成された絶縁性基板11の上面11Aには、図1及び図2に示すように、それら放電電極12,13及び放電間隙14の上方空間を囲うようにして蓋体15の周縁部15Aが接合されている。この蓋体15は、径方向に一段拡径したフランジ状の周縁部15Aを有する有底円環状の例えばコバール等の金属からなるものである。
【0015】
このとき、一対の放電電極12,13は、その途中部分から基端部12A,13A側に向かうにしたがい絶縁性基板11の下面に近づくような傾斜がつけられているために、溝部11C,11Cの上方に位置する蓋体15の周縁部15Aとは接触せずに、所定の間隙16,16が形成されている。この間隙16,16が存在することにより、蓋体15と放電電極12,13とが電気的に絶縁されている。
【0016】
この放電電極12,13と金属製の蓋体15の周縁部15Aとの間に形成された間隙16,16は、例えばガラス等の絶縁材17,17によって封止される。さらに、蓋体15により形成された内部空間には、例えば、He,Ar,Ne,Xe,SF6,CO2,C3F8,C2F6,CF4,H2及びこれらの混合ガス等の放電に好適な不活性ガスが、間隙16,16を絶縁材17,17により閉塞するのと同時に封入されて、この内部空間が放電空間とされる。
【0017】
また、ここで、絶縁性基板11の上面11Aに形成された放電電極12,13と、その上方に位置する蓋体15の内部側の上面15Bとの距離tが、0.05〜1.00mmの範囲に設定されている。
【0018】
そして、絶縁性基板11の両端面11B,11Bまで達するように形成された放電電極12,13の基端部12A、13Aが、絶縁性基板11の両端面11B,11Bに接合された端子電極18,18に接続されてチップ形状をなすサージアブソーバ10が構成される。
【0019】
以上のような構成とされたサージアブソーバ10にあっては、互いに相対向する一対の放電電極12,13により形成される放電間隙14により、端子電極18,18に接続された回路等からのサージを吸収できるのに加え、例えば一方の放電電極12から蓋体15を介して他方の放電電極13へ抜けていくような、放電電極12,13と蓋体15との間での放電を生じさせることができて、放電電極12,13に与える熱影響を少なくすることができ、サージアブソーバの寿命を延ばすことができる。
【0020】
また、放電空間を形成する蓋体15が金属製であることにより、蓋体15を安価に製造することができ、サージアブソーバ10の製造コストを下げることができる。さらに、絶縁性基板11を用いてサージアブソーバ10を構成することにより、チップ形状のサージアブソーバ10を得ることができて、その小型化及び表面実装が可能となる。
また、放電空間の寸法を変更する場合には、蓋体15のみの大きさを変更するだけでよく、容易に放電空間の寸法を変更することが可能となる。
【0021】
しかも、一対の放電電極12,13が、その途中部分から基端部12A,13Aまでを絶縁性基板11の上面11Aに形成された溝部11C,11C内に設けられるとともに、蓋体15の周縁部15Aの一部が溝部11C,11Cの上方に位置するよう接合されて間隙16,16が形成されていることから、絶縁性基板11の上面11Aに一対の溝部11C,11Cを形成するだけで、容易に蓋体15の周縁部15Aと放電電極12,13との間に間隙16,16を形成でき、さらに、間隙16,16の閉塞作業を、溝部11C,11C内に絶縁材17,17を埋め込むことで容易に行うことができる。
さらには、間隙16,16を利用して不活性ガスの封入作業を行うことができるので、不活性ガスの封入を確実に行うことができる。
【0022】
また、放電電極12,13と蓋体15の内部側の上面15Bとの距離tが、0.05〜1.00mmの範囲に設定されていることから、放電電極12,13と金属製の蓋体15との間で生じる放電に適した距離を形成することができ、放電空間の寸法が小さくなりすぎたり、放電が起き難くなっていしまうという不具合が起こることがない。
【0023】
以下、上記のような構成のサージアブソーバ10を製造する方法を説明する。まず、図1に示されるように、絶縁性基板11の上面11Aに、一対の放電電極12,13をその途中部分から基端部12A,13A側に向かうにしたがい絶縁性基板11の下面に近づくように傾斜させるための一対の溝部11C,11Cを形成した後に、その上面11Aに、互いに相対向する放電電極12,13を形成することになる。
【0024】
これら放電電極12,13は、例えば、Ag/Pd,SnO2,Al,Ni,Cu,Ti,TiN,Ta,W,SiC,BaAl,Nb,Si,C,Ag,Ag/Pt,ITO等の導電性金属を、スパッタ法,蒸着法,イオンプレーティング法,印刷法,焼付法等によって、一対の溝部11C,11Cに沿う方向で一本の帯状薄膜に形成した後、その帯状薄膜の途中位置、すなわち放電間隙14を形成したい位置にレーザ光を照射して切断することにより、この切断部が放電間隙14となって、互いに相対向する放電電極12,13が形成される。
【0025】
次に、絶縁性基板11の上面11Aにおいて、蓋体15の周縁部15Aが接合されるべき位置に、例えば、タングステンペーストを焼き付け、その後Niめっきを施しておき、一方、金属製の蓋体15の周縁部15Aに、例えば銀ロウ等の接合材を塗布して、蓋体15を絶縁性基板11の上面11Aの所定位置に載置する。このとき、一対の放電電極12,13は、その途中部分から基端部12A,13A側に向けて絶縁性基板11の下面に近づくように傾斜していることで、溝部11C,11Cの上方に位置する蓋体15の周縁部15Aとは接触せずに間隙16,16が形成される。
【0026】
この状態を維持したまま、真空中において、電子ビームを蓋体15の周縁部15A付近に照射することにより、接合材を加熱して溶融させ、蓋体15の周縁部15Aと絶縁性基板11の上面11Aとを接合する。
【0027】
次いで、この間隙16,16に、例えばガラスペースト等の絶縁材ペーストを塗布するが、間隙16に塗布されているガラスペーストは、加熱されて溶融する前には、多くの隙間や孔が存在しており、蓋体15の内部と外部との通気性を有するものである。そして、例えば、He,Ar,Ne,Xe,SF6,CO2,C3F8,C2F6,CF4,H2及びこれらの混合ガス等の放電に適した不活性ガス中で加熱することにより、この間隙16に塗布されているガラスペーストを介して不活性ガスを蓋体15の内部空間に封入して放電空間を形成するとともに、ガラスペーストが溶融して通気性を失い、間隙16が絶縁材17に閉塞された状態となって封止される。
【0028】
最後に、絶縁性基板11の両端面11B,11Bに、例えばディッピング法により、端子電極18,18を絶縁性基板11の両端面11B、11Bに形成するとともに、絶縁性基板11の両端面11B,11Bまで延びる放電電極12,13の基端部12A,13Aを端子電極18,18に接合して、上記のような構成のサージアブソーバ10が製造される。
【0029】
上記のような製造方法では、電子ビームを用いて蓋体15を絶縁性基板11に接合することから、高速加工ができて量産性に優れており、かつ高精度の加工を行うことができるとともに、局所的な加熱で済むので、サージアブソーバ10全体への熱的影響を少なくして、優れた特性をもつサージアブソーバ10を得ることができる。
【0030】
なお、本実施形態においては、蓋体15の周縁部15Aを絶縁性基板11の上面11Aに接合するのに、電子ビームを用いたが、これに限定されることなく、接合材をレーザ光によって加熱するようにしてもよいし、さらには、蓋体15の周縁部15Aの形状に対応した環状のヒータによって、接合材を局所的に加熱するようにしてもよい。
また、蓋体15の接合作業に電子ビームを用いない場合には、蓋体15の周縁部15Aと絶縁性基板11の上面11Aとの接合に用いられる接合材と、蓋体15の周縁部15Aと一対の放電電極12,13との間に形成された間隙16,16に埋め込まれた絶縁材ペーストとを同時に、放電に適した不活性ガス雰囲気中で加熱して溶融させると、蓋体15の接合作業と、間隙16の閉塞作業を同時に行うことができて、サージアブソーバの製造工程を減少させることができる。
【0031】
また、本実施形態においては、一対の放電電極12,13がその途中部分から基端部12A,13A側に向かうにしたがい絶縁性基板11の下面に近づくように傾斜して、放電電極12,13と蓋体15の周縁部15Aとの間に間隙16,16が形成されているが、放電電極12,13と蓋体15の周縁部15Aとの間に間隙が形成されれば他の構成でもよく、例えば、絶縁性基板11に放電電極12,13の途中部分から基端部12A,13Aに至るまで上面11Aより一段低くなるように段差を形成するようにして間隙16,16を形成してもよいし、さらには、蓋体15の周縁部15Aに、切り欠きを設けて、放電電極12,13との間に間隙16,16が形成されるようにしてもよい。
【0032】
さらに、本実施形態では、絶縁性基板11の上面11Aに一対の溝部11C,11Cを形成することにより、放電電極12,13と金属製の蓋体15の周縁部15Aとの間に間隙16,16を形成して、蓋体15と放電電極12,13とが電気的に絶縁状態となるようにしたが、これに限定されることなく、例えば、図3に示すように、絶縁性基板11の上面11Aが平坦面とされていても、金属製の蓋体15の周縁部15Aと絶縁性基板11の上面11Aとを接合するのに用いられる接合材を、例えばガラスペースト等の絶縁性を有する接合材を用いることで、金属製の蓋体15と放電電極12,13とを電気的に絶縁するようにしてもよい。
【0033】
また、さらに、本実施形態では、蓋体15全体を金属製としたが、これに限定されることなく、例えば、図4に示すように、蓋体15を絶縁性材料から構成して放電電極12,13と電気的に絶縁し、その蓋体15の内部側の上面に金属材料を蒸着して金属膜15Cを形成することにより、蓋体15が少なくとも放電電極12,13に対向する部分に金属材料で構成された領域を有するようにしてもよい。
【0034】
【発明の効果】
本発明によれば、互いに相対向する一対の放電電極により形成される放電間隙において放電してサージを吸収できるのに加え、放電電極と蓋体の金属製の領域との間においても、放電を行うことができるので、放電電極に与える熱影響が少なくなり、サージアブソーバの寿命の延長を図ることができる。しかも、絶縁性基板を用いることで全体がチップ形状となり、小型化及び表面実装を図ることができる。
【0035】
また、放電空間を形成する蓋体が金属製であることにより、蓋体を安価に製造することができ、サージアブソーバの製造コストを下げることができる
また、放電電極と蓋体の周縁部との間に間隙が設けられて、間隙が絶縁材により閉塞されていることから、この間隙を利用して不活性ガスを蓋体の内部空間に導入することができるので、不活性ガスの封入を確実に行うことができる。
【0036】
しかも、一対の放電電極は、絶縁性基板の上面に形成された一対の溝部内にそれぞれ設けられるとともに、蓋体の周縁部の一部が一対の溝部の上方に位置して間隙が形成されていることから、絶縁性基板の上面に溝部を形成するだけで、容易に蓋体の周縁部と放電電極との間に間隙を形成でき、さらに、間隙の閉塞作業を、溝部内に絶縁材を埋め込むことで容易に行うことができる。
さらに、放電電極と蓋体の金属材料で構成された領域との距離が、0.05〜1.00mmの範囲に設定されていることから、放電電極と金属製の蓋体との間で生じる放電に適した距離を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施形態によるサージアブソーバの斜視図である。
【図2】 本発明の実施形態によるサージアブソーバの断面図である。
【図3】 本発明の実施形態の第一変形例によるサージアブソーバの断面図である。
【図4】 本発明の実施形態の第二変形例によるサージアブソーバの断面図である。
【図5】 従来のサージアブソーバを示す断面図である。
【符号の説明】
10 サージアブソーバ
11 絶縁性基板
11A 上面
12,13 放電電極
12A,13A 基端部
14 放電間隙
15 蓋体
15A 周縁部
15B 上面
16 間隙
17 絶縁材
18 端子電極[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a surge absorber used to protect various devices from surges and prevent accidents.
[0002]
[Prior art]
Abnormal voltage is applied to parts where electronic devices for communication equipment such as telephones, facsimiles, modems, etc. are connected to communication lines, or parts that are susceptible to electric shock due to abnormal voltage (surge voltage) such as lightning surge or static electricity, such as CRT drive circuits. In order to prevent the electronic device and the printed circuit board on which this device is mounted from being damaged due to thermal damage or ignition, a surge absorber is connected.
[0003]
As an example of such a surge absorber, the one shown in FIG. 5 is known. As shown in FIG. 5, this surge absorber 1 has
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, the conventional surge absorber 1 as described above discharges the surge in the circuit electrically connected by the two
Moreover, such a glass tube sealed surge absorber 1 is manufactured by enclosing the absorber element and inert gas in the
[0005]
The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a surge absorber that has a long lifetime, can be surface-mounted, and can be downsized.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems and achieve such an object, according to the present invention, a pair of discharge electrodes are formed to face each other so that a discharge gap is defined on the upper surface of the insulating substrate. And a surge absorber in which the periphery of the lid is joined to the upper surface of the insulating substrate so as to surround the space above the discharge gap , and an inert gas is sealed in the internal space formed by the lid. The pair of discharge electrodes are formed such that the distal end portion is located on the upper surface of the insulating substrate and the proximal end portion is located in a pair of grooves provided on the upper surface of the insulating substrate. The lid body has a part of its peripheral edge located above the pair of grooves, and a gap is provided between the discharge electrode and the peripheral edge of the lid, and the gap is closed by an insulating material. and, wherein the lid includes: the discharge electrode Together are air-insulated, and having a region formed of a metal material at a portion facing at least the discharge electrodes. With this configuration, in addition to being able to absorb surge by discharging in the discharge gap formed by the pair of discharge electrodes, discharge can also be performed between the discharge electrode and the metal region of the lid. Therefore, the thermal effect on the discharge electrode can be reduced. In addition, by using an insulating substrate, the whole becomes a chip shape, and miniaturization and surface mounting can be achieved.
In addition, a gap is provided between the discharge electrode and the peripheral edge of the lid, and the gap is closed by an insulating material. Therefore, the inert gas is introduced into the internal space of the lid using the gap. Since it can introduce | transduce, sealing of an inert gas can be performed reliably.
Further, the pair of discharge electrodes are respectively provided in a pair of grooves formed on the upper surface of the insulating substrate, and the lid body has a part of a peripheral edge thereof positioned above the pair of grooves, Since the gap is formed, the gap can be easily formed between the peripheral edge of the lid and the discharge electrode by simply forming the groove on the upper surface of the insulating substrate. It can be easily performed by embedding an insulating material paste in the substrate.
[0007]
The lid is made of metal.
With such a configuration, the lid that forms the discharge space (internal space formed by the lid) is made of metal, so that the lid can be manufactured at low cost.
[0010]
The distance between the discharge electrode and the region of the lid made of the metal material is set in a range of 0.05 to 1.00 mm.
With such a configuration, it is possible to set a distance suitable for the discharge generated between the discharge electrode and the metal region of the lid, and the size of the discharge space becomes too small or the discharge is difficult to occur. There is no end to it.
[0011]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a perspective view of a surge absorber according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view of the surge absorber in FIG.
[0012]
As shown in FIGS. 1 and 2, the surge absorber 10 according to the present embodiment has a substantially rectangular chip shape, and a conductive metal is formed on an
The
[0013]
Here, on the
[0014]
Further, the
[0015]
At this time, the pair of
[0016]
The
[0017]
Here, the distance t between the
[0018]
Then, the
[0019]
In the
[0020]
Further, since the
Further, when changing the size of the discharge space, it is only necessary to change the size of the
[0021]
In addition, the pair of
Further, since the inert gas can be sealed using the
[0022]
Further, since the distance t between the
[0023]
Hereinafter, a method of manufacturing the
[0024]
These discharge
[0025]
Next, on the
[0026]
While maintaining this state, by irradiating the vicinity of the
[0027]
Next, an insulating material paste such as a glass paste is applied to the
[0028]
Finally,
[0029]
In the manufacturing method as described above, the
[0030]
In this embodiment, the electron beam is used to join the
Further, when an electron beam is not used for the bonding work of the
[0031]
Further, in the present embodiment, the pair of
[0032]
Furthermore, in this embodiment, by forming a pair of
[0033]
Furthermore, in the present embodiment, the
[0034]
【The invention's effect】
According to the present invention, in addition to being able to absorb a surge and absorb a surge in a discharge gap formed by a pair of discharge electrodes facing each other, a discharge is also generated between the discharge electrode and the metal region of the lid. Therefore, the influence of heat on the discharge electrode is reduced, and the life of the surge absorber can be extended. In addition, by using an insulating substrate, the whole becomes a chip shape, and miniaturization and surface mounting can be achieved.
[0035]
Further, since the lid forming the discharge space is made of metal, the lid can be manufactured at low cost, and the manufacturing cost of the surge absorber can be reduced. Also, the discharge electrode and the peripheral portion of the lid Since a gap is provided between the gaps and the gap is closed by an insulating material, the inert gas can be introduced into the internal space of the lid using the gap, so that the inert gas can be reliably sealed. Can be done.
[0036]
In addition, the pair of discharge electrodes is provided in a pair of grooves formed on the upper surface of the insulating substrate, and a part of the peripheral edge of the lid is located above the pair of grooves to form a gap. Therefore, it is possible to easily form a gap between the peripheral edge of the lid and the discharge electrode simply by forming a groove on the upper surface of the insulating substrate. It can be easily done by embedding.
Further, since the distance between the discharge electrode and the region made of the metal material of the lid is set in the range of 0.05 to 1.00 mm, it occurs between the discharge electrode and the metal lid. A distance suitable for discharge can be formed.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view of a surge absorber according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view of a surge absorber according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a cross-sectional view of a surge absorber according to a first modification of the embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a cross-sectional view of a surge absorber according to a second modification of the embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a conventional surge absorber.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
Claims (3)
前記一対の放電電極は、先端部が前記絶縁性基板の上面に位置するとともに基端部が前記絶縁性基板の上面に設けられた一対の溝部内にそれぞれ位置するように形成されており、
前記蓋体は、その周縁部の一部が前記一対の溝部の上方に位置し、前記放電電極と前記蓋体の周縁部との間に間隙が設けられて該間隙が絶縁材により閉塞されており、
前記蓋体は、前記放電電極と電気的に絶縁されているとともに、少なくとも放電電極に対向する部分に金属材料で構成された領域を有することを特徴とするサージアブソーバ。A pair of discharge electrodes are formed opposite to each other so that a discharge gap is defined on the upper surface of the insulating substrate, and a peripheral portion of the lid body surrounds the insulating space so as to surround the space above the discharge gap . A surge absorber bonded to the upper surface of the substrate and having an inert gas sealed in an internal space formed by the lid,
The pair of discharge electrodes are formed such that a distal end portion is positioned on the upper surface of the insulating substrate and a proximal end portion is positioned in a pair of groove portions provided on the upper surface of the insulating substrate,
A part of the peripheral part of the lid is located above the pair of grooves, a gap is provided between the discharge electrode and the peripheral part of the lid, and the gap is closed by an insulating material. And
The surge absorber is characterized in that the lid body is electrically insulated from the discharge electrode and has a region made of a metal material at least in a portion facing the discharge electrode.
前記放電電極と、前記蓋体の金属材料で構成された領域との距離が、0.05〜1.00mmの範囲に設定されていることを特徴とするサージアブソーバ。 In the surge absorber according to claim 1 or claim 2 ,
A surge absorber, wherein a distance between the discharge electrode and a region of the lid made of a metal material is set in a range of 0.05 to 1.00 mm.
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