JP4119170B2 - Chuck table - Google Patents

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JP4119170B2 JP2002168817A JP2002168817A JP4119170B2 JP 4119170 B2 JP4119170 B2 JP 4119170B2 JP 2002168817 A JP2002168817 A JP 2002168817A JP 2002168817 A JP2002168817 A JP 2002168817A JP 4119170 B2 JP4119170 B2 JP 4119170B2
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suction
grinding
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semiconductor wafer
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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェーハ等の板状物を吸引保持するチャックテーブルに関する。
【0002】
【従来の技術】
IC、LSI等の集積回路は、幾多の工程を経て、シリコン等からなる半導体ウェーハの表面に形成される。
【0003】
集積回路が形成される前の半導体ウェーハは、インゴットから切り出した後、切り出された半導体ウェーハの両面のラッピングまたは研磨により初期成形を行い、研削装置を用いた研削により平坦化を行った後に、ポリッシングにより鏡面仕上げを行うことにより、集積回路を形成できる状態に成形される。
【0004】
研削装置による研削は、図6に示すチャックテーブル50において半導体ウェーハを保持した状態で行われる。このチャックテーブル50は、基台51とこれに嵌合するポーラス板52とから構成され、図7に示すバキュームベース53の上に固定されて使用される。
【0005】
図7に示したように、バキュームベース53には、バキューム源に連通するバキューム孔54及びバキューム溝55が形成されている。また、図6に示したように、基台51には、バキューム孔54に連通する吸引孔56及びバキューム溝55に連通する吸引溝57が形成されており、図8に示すように、吸引源からポーラス板52に供給される吸引力によって、ポーラス板52の上に載置された半導体ウェーハWが吸引保持される。そして、研削砥石が回転しながら下降して半導体ウェーハWに接触することにより研削が行われる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のようにして半導体ウェーハWの研削を行うと、図9、図10に示すように、半導体ウェーハWにリング状の僅かな凸部58が形成されることが経験的に認められている。
【0007】
本件発明の発明者が検討したところ、これは、図6、7、8に示した従来のチャックテーブル50においては半導体ウェーハWの直下に吸引溝57が位置しており、ポーラス板52の保持面52aにおいては、特に吸引溝57の直上部分に僅かな凹みが形成され、図8において拡大して示すように、半導体ウェーハWが、吸引溝57の直上に位置する部分に僅かな凹部59が形成された状態で吸引保持されていることが原因であることを見いだした。
【0008】
即ち、この状態で研削を行い、研削終了後に半導体ウェーハWの吸引を解除すると、吸引溝57の直上に位置していた部分が僅かに突出してリング状の凸部58が形成されてしまい、平面精度を向上させることができなかった。そして、この凸部58は、次に行われるポリッシングにおいて除去する必要があるため、ポリッシング工程に時間がかかるという問題があった。
【0009】
従って、研削による平坦化を行う際には、凸部が生じないようにしてより平面精度を高めることに課題を有している。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための具体的手段として本発明は、板状物を吸引保持するチャックテーブルであって、多孔質部材により形成され板状物を吸引保持する保持面を有するポーラス板と、ポーラス板を支持すると共にポーラス板に吸引力を伝達する吸引領域を有する基台とから構成され、ポーラス板には、ポーラス板のうち、板状物が載置される領域以外の部分であって、かつ、ポーラス基板における保持面の反対側の面である裏面以外の部分をシールするシール部が形成され、吸引領域は、ポーラス板のうち板状物が載置されない領域の裏面を吸引するように形成されるチャックテーブルを提供する。
【0011】
またこのチャックテーブルは、吸引領域がリング状に形成された吸引溝と吸引溝に連通する吸引孔とから構成されること、シール部が樹脂によって構成されること、ポーラス板と基台とが樹脂によって固定されることを付加的な要件とする。
【0012】
このように構成されるチャックテーブルにおいては、ポーラス板を支持する基台に形成される吸引溝が原因となって板状物にその吸引溝の形状の凸部が形成されてしまうことを見いだし、板状物が載置されない領域に吸引溝を形成したことにより、板状物の吸引保持時に凹部が形成されなくなるため、研削により平面精度を向上させることができる。
【0013】
また、保持面のうち板状物が載置される領域及び裏面以外の領域を樹脂によってシールしてエアーのリークを防止するようにしたため、安価に製造することができる。
【0014】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態の一例として、図1に示すチャックテーブル10について説明する。このチャックテーブル10は、基台11とポーラス板12とから構成される。
【0015】
基台11の表面には、外周に沿って吸引溝13が形成されており、吸引溝13の底面からは吸引孔14が下方に貫通して形成されている。そして、吸引溝13と吸引孔14とでポーラス板12に吸引力を伝達する吸引領域15を形成している。
【0016】
一方、ポーラス板12は、ポーラスセラミックス等の多孔質の部材であり、表面が板状物を吸引保持する保持面12aを構成している。ポーラス板12は、吸引溝13の外周より大きい外径を有し、基台11に載置した状態では、吸引領域15の全体を覆うように構成され、基台11によって支持された状態となる。
【0017】
図2に示すように、ポーラス板12は、保持面12aのうち半導体ウェーハが載置される領域及び裏面以外の領域は、シール部16によってシールされており、エアーのリークがないように構成されている。シール部16としては、例えば樹脂を用いることができる。樹脂によってポーラス板12と基台11とを固定することもでき、この場合はエアーのリークを効果的に防止することができ、安価に製造することができる。また、ポーラス板12に形成されている多数の孔を完全にシールすることができるものであれば、他の材質によってもよい。
【0018】
このように構成されるチャックテーブル10は、バキュームベース17にネジ止めによって固定される。バキュームベース17には吸引源に連通するバキューム孔18及びバキューム溝19が形成されており、チャックテーブル10がバキュームベース17に固定された状態では、図3に示すように、バキューム孔18及びバキューム溝19が吸引孔14に連通し、吸引溝13によってポーラス板12を吸引保持することができる。
【0019】
ポーラス板12の保持面12aに半導体ウェーハWを載置すると、吸引溝13からポーラス板12に伝達される吸引力によって半導体ウェーハWが吸引保持される。図3に示したように、半導体ウェーハWを吸引保持した状態では、半導体ウェーハWより外周側の下方に吸引領域15が位置している。即ち吸引領域15は、半導体ウェーハWが載置されない領域の裏面に対面する部分に形成されており、その領域の裏面を吸引するように構成されている。
【0020】
図1、2、3に示したチャックテーブル10は、例えば図4に示す研削装置20に配設される。この研削装置20は、半導体ウェーハ等の板状物の面を研削する装置であり、板状物を収容するカセット21、22と、カセット21からの板状物の搬出またはカセット22への板状物の搬入を行う搬出入手段23と、板状物の位置合わせを行う中心合わせテーブル24と、板状物を搬送する第一の搬送手段25及び第二の搬送手段26と、板状物を吸引保持する3つのチャックテーブル10と、チャックテーブル10を自転及び公転可能に支持して回転可能なターンテーブル27と、各チャックテーブル10に保持された板状物を研削する第一の研削手段28及び第二の研削手段29と、板状物の洗浄を行う洗浄手段30とを備えている。
【0021】
カセット21には研削前の半導体ウェーハWが複数段に重ねて収納されており、搬出入手段23によって1枚ずつピックアップされて中心合わせテーブル24に載置される。そしてここで半導体ウェーハWの位置合わせが行われた後、第一の搬送手段25に吸着されると共に第一の搬送手段25が旋回動することによって、最も近くに位置するチャックテーブル10に半導体ウェーハWが載置される。
【0022】
次に、ターンテーブル27が所要角度(本実施の形態の場合は120度)回転して半導体ウェーハWが載置されたチャックテーブル10が第一の研削手段28の直下に位置付けられる。このとき、ターンテーブル27の回転前にチャックテーブル10が位置していた位置には、第二の研削手段29の直下にあったチャックテーブル10が自動的に位置付けられる。
【0023】
第一の研削手段28及び第二の研削手段29は、起立した壁部31に対して上下動可能となっている。壁部31の内側の面には一対のレール32、33がそれぞれ垂直方向に併設されていると共に、ボールネジ34、35が配設され、ボールネジ34、35はパルスモータ36、37に連結され、それぞれパルスモータ36、37に駆動されて回動可能となっている。
【0024】
ボールネジ34、35には、それぞれ第一の支持板38及び第二の支持板39に備えたナット(図示せず)が螺合しており、ボールネジ34、35の回動に伴って第一の支持板38及び第二の支持板39がそれぞれレール32、33にガイドされて上下動する。また、第一の支持板38には第一の研削手段28が固定され、第二の支持板39には第二の研削手段29が固定されており、ボールネジ34の回動によって第一の研削手段28が上下動し、ボールネジ35の回動によって第二の研削手段29が上下動する構成となっている。
【0025】
第一の研削手段28においては、垂直方向の軸心を有するスピンドル40の先端にマウンタ41を介して研削ホイール42が装着されており、研削ホイール42の下部には粗研削用の研削砥石43が固着されている。
【0026】
一方、第二の研削手段29においては、垂直方向の軸心を有するスピンドル44の先端にマウンタ45を介して研削ホイール46が装着されており、研削ホイール46の下部には仕上げ研削用の研削砥石47が固着されている。
【0027】
半導体ウェーハWが第一の研削手段28の直下に位置付けられると、研削ホイール42が回転しながら第一の研削手段28が下降し、回転する研削砥石43が半導体ウェーハWに接触することにより粗研削が行われる。
【0028】
そして粗研削の終了後は、ターンテーブル27が所要角度回転することにより粗研削後の半導体ウェーハWが第二の研削手段29の直下に位置付けられ、研削ホイール46が回転しながら第二の研削手段29が下降し、回転する研削砥石47が半導体ウェーハWに接触することにより仕上げ研削が行われ、半導体ウェーハWの面が高精度に平坦化される。
【0029】
仕上げ研削により研削された半導体ウェーハWは、ターンテーブル27の回転によって第二の搬送手段26の近傍に位置付けられ、第二の搬送手段26によって洗浄領域30に搬送されて洗浄された後、搬出入手段23によってカセット22に収容される。以上のようにして順次研削を行い、最終的には研削された半導体ウェーハWがすべてカセット22に収納される。
【0030】
第一の研削手段28及び第二の研削手段29により研削時は、チャックテーブル10が自転すると共に、研削砥石43、研削砥石47が回転しながら押圧力が加えられて研削が行われるが、図6、7、8に示した従来のチャックテーブルとは異なり、図1、2、3に示したチャックテーブル10においては、吸引領域15を半導体ウェーハWが載置される領域より外周側に設けたことにより、保持面12aの直下には吸引溝が存在せず、一様な吸引力によって半導体ウェーハWが吸引されるため、半導体ウェーハWが吸引保持された際にその表面は平坦となる。従って、表面が平坦な状態で研削を行うことができるため、吸引解除後も吸引溝13に沿ったリング状の凸部が形成されることもなく、平面精度を向上させることができる。
【0031】
なお、本実施の形態においては、樹脂を用いて保持面12aのうち半導体ウェーハが載置される領域及び裏面以外の領域をシールすることとしたが、例えば図5に示すように、同一の部分を、リングフレーム48を用いて塞ぐようにすることもできる。
【0032】
また、ウェーハメイキングにおける研削のみではなく、表面に回路が形成された後に行われる裏面研削にも適用することができる。更に、チャックテーブルに吸引保持されるのは半導体ウェーハには限られず、他の板状物であってもよい。
【0033】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明においては、ポーラス板を支持する基台に形成される吸引溝が原因となって研削後の板状物にその吸引溝の形状の凸部が形成されてしまうことを見いだし、板状物が載置されない領域に吸引溝を形成したことにより、板状物の吸引保持時に凹部が形成されなくなるため、研削により平面精度を向上させることができる。従って、後のポリッシング工程の負担を軽減することができ、ウェーハメイキング等の生産性を向上させることができる。
【0034】
また、保持面のうち板状物が載置される領域及び裏面以外の領域を樹脂によってシールしてエアーのリークを防止するようにしたため、安価に製造することができ、経済的である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るチャックテーブルを示す分解斜視図である。
【図2】同チャックテーブル及びバキュームベースを示す分解斜視図である。
【図3】同チャックテーブル及びバキュームベースを示す断面図である。
【図4】同チャックテーブルが搭載される研削装置の一例を示す斜視図である。
【図5】同チャックテーブルの第二の例を示す断面図である。
【図6】従来のチャックテーブルを示す分解斜視図である。
【図7】同従来のチャックテーブルとバキュームベースを示す分解斜視図である。
【図8】同従来のチャックテーブルとバキュームベースを示す断面図である。
【図9】同従来のチャックテーブルの吸引保持されて研削された半導体ウェーハを示す平面図である。
【図10】図9のA−A線断面図である。
【符号の説明】
10…チャックテーブル 11…基台
12…ポーラス板 12a…保持面13…吸引溝
14…吸引孔 15…吸引領域 16…シール部
17…バキュームベース 18…バキューム孔
19…バキューム溝 20…研削装置
21、22…カセット 23…搬出入手段
24…中心合わせテーブル 25…第一の搬送手段
26…第二の搬送手段 27…ターンテーブル
28…第一の研削手段 29…第二の研削手段
30…洗浄手段 31…壁部 32、33…レール
34、35…ボールネジ 36、37…パルスモータ
38…第一の支持板 39…第二の支持板
40…スピンドル 41…マウンタ
42…研削ホイール 43…研削砥石
44…スピンドル 45…マウンタ
46…研削ホイール 47…研削砥石
48…リングフレーム
50…チャックテーブル 51…基台
52…ポーラス板 53…バキュームベース
54…バキューム孔 55…バキューム溝
56…吸引孔 57…吸引溝 58…凸部
59…凹部
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a chuck table that sucks and holds a plate-like object such as a semiconductor wafer.
[0002]
[Prior art]
An integrated circuit such as an IC or LSI is formed on the surface of a semiconductor wafer made of silicon or the like through a number of processes.
[0003]
The semiconductor wafer before the integrated circuit is formed is cut out from the ingot, and then the initial shape is formed by lapping or polishing on both sides of the cut semiconductor wafer, followed by flattening by grinding using a grinding apparatus, and then polishing. By performing the mirror finish, the integrated circuit can be formed.
[0004]
Grinding by the grinding apparatus is performed in a state where the semiconductor wafer is held on the chuck table 50 shown in FIG. The chuck table 50 includes a base 51 and a porous plate 52 fitted to the base 51, and is used while being fixed on a vacuum base 53 shown in FIG.
[0005]
As shown in FIG. 7, the vacuum base 53 is formed with a vacuum hole 54 and a vacuum groove 55 communicating with the vacuum source. Further, as shown in FIG. 6, the base 51 is formed with a suction hole 56 communicating with the vacuum hole 54 and a suction groove 57 communicating with the vacuum groove 55. As shown in FIG. The semiconductor wafer W placed on the porous plate 52 is sucked and held by the suction force supplied to the porous plate 52 from above. Then, the grinding wheel is lowered while rotating and comes into contact with the semiconductor wafer W to perform grinding.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, when the semiconductor wafer W is ground as described above, it has been empirically recognized that a slight ring-shaped convex portion 58 is formed on the semiconductor wafer W as shown in FIGS. Yes.
[0007]
The inventors of the present invention have studied that this is because the suction groove 57 is located immediately below the semiconductor wafer W in the conventional chuck table 50 shown in FIGS. In 52a, a slight dent is formed in the portion directly above the suction groove 57, and as shown in an enlarged view in FIG. 8, the semiconductor wafer W is formed with a slight recess 59 in a portion located immediately above the suction groove 57. It has been found that the cause is that it is sucked and held in the applied state.
[0008]
That is, when grinding is performed in this state and the suction of the semiconductor wafer W is released after the grinding is finished, the portion located immediately above the suction groove 57 slightly protrudes to form a ring-shaped convex portion 58, and the flat surface. The accuracy could not be improved. And since this convex part 58 needs to be removed in the polishing performed next, there existed a problem that the polishing process took time.
[0009]
Therefore, when performing planarization by grinding, there is a problem in further improving the planar accuracy by preventing convex portions from being generated.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
As a specific means for solving the above problems, the present invention provides a chuck table for sucking and holding a plate-like object, a porous plate having a holding surface that is formed of a porous member and sucks and holds the plate-like object; It is composed of a base having a suction region that supports the plate and transmits a suction force to the porous plate, and the porous plate is a portion of the porous plate other than the region where the plate-like object is placed , In addition, a seal portion that seals a portion other than the back surface, which is the surface opposite to the holding surface of the porous substrate, is formed, and the suction region sucks the back surface of the region where the plate-like object is not placed on the porous plate. A formed chuck table is provided.
[0011]
In addition, the chuck table includes a suction groove formed in a ring shape and a suction hole communicating with the suction groove, a seal portion is made of resin, and a porous plate and a base are made of resin. Is an additional requirement.
[0012]
In the chuck table configured in this way, it has been found that a convex portion in the shape of the suction groove is formed on the plate-like object due to the suction groove formed on the base supporting the porous plate, By forming the suction groove in the region where the plate-like object is not placed, the concave portion is not formed when the plate-like object is sucked and held, so that the plane accuracy can be improved by grinding.
[0013]
In addition, since the area other than the area where the plate-like object is placed and the back surface of the holding surface are sealed with resin to prevent air leakage, it can be manufactured at low cost.
[0014]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
As an example of an embodiment of the present invention, a chuck table 10 shown in FIG. 1 will be described. The chuck table 10 includes a base 11 and a porous plate 12.
[0015]
A suction groove 13 is formed on the surface of the base 11 along the outer periphery, and a suction hole 14 is formed to penetrate downward from the bottom surface of the suction groove 13. The suction groove 13 and the suction hole 14 form a suction region 15 that transmits a suction force to the porous plate 12.
[0016]
On the other hand, the porous plate 12 is a porous member such as porous ceramics, and the surface constitutes a holding surface 12a for sucking and holding a plate-like object. The porous plate 12 has an outer diameter larger than the outer periphery of the suction groove 13, and is configured to cover the entire suction region 15 and is supported by the base 11 when placed on the base 11. .
[0017]
As shown in FIG. 2, the porous plate 12 is configured so that the region other than the region where the semiconductor wafer is placed and the back surface of the holding surface 12 a are sealed by the seal portion 16 so that there is no air leakage. ing. As the seal portion 16, for example, a resin can be used. The porous plate 12 and the base 11 can be fixed by resin, and in this case, air leakage can be effectively prevented and the manufacturing can be performed at low cost. Other materials may be used as long as they can completely seal a large number of holes formed in the porous plate 12.
[0018]
The chuck table 10 configured as described above is fixed to the vacuum base 17 by screws. The vacuum base 17 is formed with a vacuum hole 18 and a vacuum groove 19 communicating with the suction source. When the chuck table 10 is fixed to the vacuum base 17, as shown in FIG. 3, the vacuum hole 18 and the vacuum groove 19 communicates with the suction hole 14, and the porous plate 12 can be sucked and held by the suction groove 13.
[0019]
When the semiconductor wafer W is placed on the holding surface 12 a of the porous plate 12, the semiconductor wafer W is sucked and held by the suction force transmitted from the suction groove 13 to the porous plate 12. As shown in FIG. 3, in a state where the semiconductor wafer W is sucked and held, the suction region 15 is positioned below the outer peripheral side of the semiconductor wafer W. That is, the suction region 15 is formed in a portion facing the back surface of the region where the semiconductor wafer W is not placed, and is configured to suck the back surface of the region.
[0020]
The chuck table 10 shown in FIGS. 1, 2, and 3 is disposed in the grinding device 20 shown in FIG. 4, for example. The grinding device 20 is a device for grinding the surface of a plate-like object such as a semiconductor wafer, and includes cassettes 21 and 22 for storing the plate-like object, and carrying out of the plate-like object from the cassette 21 or plate to the cassette 22. Loading / unloading means 23 for carrying in objects, a centering table 24 for aligning plate-like objects, first conveying means 25 and second conveying means 26 for conveying plate-like objects, and plate-like objects Three chuck tables 10 that are sucked and held, a turn table 27 that can rotate while supporting the chuck table 10 so as to rotate and revolve, and a first grinding means 28 that grinds a plate-like object held on each chuck table 10. And a second grinding means 29 and a cleaning means 30 for cleaning the plate-like object.
[0021]
The semiconductor wafers W before being ground are stored in a plurality of stages in the cassette 21, and are picked up one by one by the loading / unloading means 23 and placed on the centering table 24. Then, after the alignment of the semiconductor wafer W is performed here, the semiconductor wafer W is attracted to the first transfer means 25 and the first transfer means 25 is pivoted to move the semiconductor wafer to the closest chuck table 10. W is placed.
[0022]
Next, the turntable 27 is rotated by a required angle (120 degrees in this embodiment), and the chuck table 10 on which the semiconductor wafer W is placed is positioned directly below the first grinding means 28. At this time, the chuck table 10 located immediately below the second grinding means 29 is automatically positioned at the position where the chuck table 10 was positioned before the turntable 27 was rotated.
[0023]
The first grinding means 28 and the second grinding means 29 can move up and down with respect to the standing wall portion 31. A pair of rails 32 and 33 are provided in the vertical direction on the inner surface of the wall 31, and ball screws 34 and 35 are disposed. The ball screws 34 and 35 are connected to pulse motors 36 and 37, respectively. It can be rotated by being driven by pulse motors 36 and 37.
[0024]
Nuts (not shown) provided on the first support plate 38 and the second support plate 39 are screwed onto the ball screws 34 and 35, respectively. The support plate 38 and the second support plate 39 are guided by the rails 32 and 33, respectively, and move up and down. A first grinding means 28 is fixed to the first support plate 38, and a second grinding means 29 is fixed to the second support plate 39, and the first grinding is performed by rotating the ball screw 34. The means 28 moves up and down, and the second grinding means 29 moves up and down as the ball screw 35 rotates.
[0025]
In the first grinding means 28, a grinding wheel 42 is mounted on the tip of a spindle 40 having a vertical axis center via a mounter 41, and a grinding wheel 43 for rough grinding is disposed below the grinding wheel 42. It is fixed.
[0026]
On the other hand, in the second grinding means 29, a grinding wheel 46 is attached to the tip of a spindle 44 having a vertical axis center via a mounter 45, and a grinding wheel for finish grinding is provided below the grinding wheel 46. 47 is fixed.
[0027]
When the semiconductor wafer W is positioned directly below the first grinding means 28, the first grinding means 28 descends while the grinding wheel 42 rotates, and the rotating grinding wheel 43 contacts the semiconductor wafer W for rough grinding. Is done.
[0028]
After the rough grinding is finished, the turntable 27 is rotated by a required angle so that the semiconductor wafer W after the rough grinding is positioned directly below the second grinding means 29, and the second grinding means is rotated while the grinding wheel 46 is rotated. 29 is lowered, and the grinding wheel 47 that rotates is brought into contact with the semiconductor wafer W, whereby finish grinding is performed, and the surface of the semiconductor wafer W is flattened with high accuracy.
[0029]
The semiconductor wafer W ground by finish grinding is positioned in the vicinity of the second transport means 26 by the rotation of the turntable 27, and is transported to the cleaning region 30 and cleaned by the second transport means 26, and then carried in and out. The means 23 accommodates the cassette 22. Grinding is performed sequentially as described above, and finally the ground semiconductor wafer W is all stored in the cassette 22.
[0030]
At the time of grinding by the first grinding means 28 and the second grinding means 29, the chuck table 10 rotates and grinding is performed by applying a pressing force while the grinding wheel 43 and the grinding wheel 47 rotate. Unlike the conventional chuck tables shown in FIGS. 6, 7, and 8, in the chuck table 10 shown in FIGS. 1, 2, and 3, the suction region 15 is provided on the outer peripheral side from the region where the semiconductor wafer W is placed. As a result, there is no suction groove immediately below the holding surface 12a, and the semiconductor wafer W is sucked by a uniform suction force. Therefore, when the semiconductor wafer W is sucked and held, the surface becomes flat. Accordingly, since the surface can be ground with a flat surface, ring-shaped convex portions along the suction grooves 13 are not formed even after the suction is released, and the plane accuracy can be improved.
[0031]
In the present embodiment, resin is used to seal a region other than the region on which the semiconductor wafer is placed and the back surface of the holding surface 12a. For example, as shown in FIG. The ring frame 48 may be used to close the frame.
[0032]
Further, it can be applied not only to grinding in wafer making but also to back surface grinding performed after a circuit is formed on the surface. Furthermore, what is sucked and held by the chuck table is not limited to a semiconductor wafer, and may be another plate-like object.
[0033]
【The invention's effect】
As described above, in the present invention, the suction groove formed on the base supporting the porous plate causes a convex portion in the shape of the suction groove to be formed on the plate-like object after grinding. Since the suction groove is formed in the region where the plate-shaped object is not placed, the concave portion is not formed when the plate-shaped object is sucked and held, so that the planar accuracy can be improved by grinding. Therefore, the burden of the subsequent polishing process can be reduced, and the productivity such as wafer making can be improved.
[0034]
In addition, since the area other than the area where the plate-like object is placed and the back surface of the holding surface are sealed with resin to prevent air leakage, it can be manufactured at low cost and is economical.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an exploded perspective view showing a chuck table according to the present invention.
FIG. 2 is an exploded perspective view showing the chuck table and a vacuum base.
FIG. 3 is a sectional view showing the chuck table and a vacuum base.
FIG. 4 is a perspective view showing an example of a grinding apparatus on which the chuck table is mounted.
FIG. 5 is a sectional view showing a second example of the chuck table.
FIG. 6 is an exploded perspective view showing a conventional chuck table.
FIG. 7 is an exploded perspective view showing the conventional chuck table and vacuum base.
FIG. 8 is a cross-sectional view showing the conventional chuck table and vacuum base.
FIG. 9 is a plan view showing a semiconductor wafer that has been suction-held and ground by the conventional chuck table;
10 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Chuck table 11 ... Base 12 ... Porous board 12a ... Holding surface 13 ... Suction groove 14 ... Suction hole 15 ... Suction area 16 ... Seal part 17 ... Vacuum base 18 ... Vacuum hole 19 ... Vacuum groove 20 ... Grinding device 21, DESCRIPTION OF SYMBOLS 22 ... Cassette 23 ... Carrying in / out means 24 ... Centering table 25 ... 1st conveyance means 26 ... 2nd conveyance means 27 ... Turntable 28 ... 1st grinding means 29 ... 2nd grinding means 30 ... Cleaning means 31 ... Walls 32, 33 ... Rails 34, 35 ... Ball screw 36, 37 ... Pulse motor 38 ... First support plate 39 ... Second support plate 40 ... Spindle 41 ... Mounter 42 ... Grinding wheel 43 ... Grinding wheel 44 ... Spindle 45 ... mounter 46 ... grinding wheel 47 ... grinding wheel 48 ... ring frame 50 ... chuck table 51 ... base 52 ... po Alaser plate 53 ... Vacuum base 54 ... Vacuum hole 55 ... Vacuum groove 56 ... Suction hole 57 ... Suction groove 58 ... Convex part 59 ... Concave part

Claims (4)

板状物を吸引保持するチャックテーブルであって、
多孔質部材により形成され板状物を吸引保持する保持面を有するポーラス板と、
該ポーラス板を支持すると共に該ポーラス板に吸引力を伝達する吸引領域を有する基台とから構成され、
該ポーラス板には、該ポーラス板のうち、板状物が載置される領域以外の部分であって、かつ、該ポーラス基板における該保持面の反対側の面である裏面以外の部分をシールするシール部が形成され、
該吸引領域は、該ポーラス板のうち該板状物が載置されない領域の裏面を吸引するように形成されるチャックテーブル。
A chuck table for sucking and holding a plate-like object,
A porous plate formed of a porous member and having a holding surface for sucking and holding a plate-like object;
A base having a suction area for supporting the porous plate and transmitting a suction force to the porous plate;
The porous plate seals a portion of the porous plate other than the region where the plate-like object is placed and other than the back surface, which is the surface opposite to the holding surface of the porous substrate. A sealing part is formed,
The suction table is a chuck table formed so as to suck a back surface of a region of the porous plate where the plate-like object is not placed.
吸引領域は、リング状に形成された吸引溝と、該吸引溝に連通する吸引孔とから構成される請求項1に記載のチャックテーブル。  The chuck table according to claim 1, wherein the suction region includes a suction groove formed in a ring shape and a suction hole communicating with the suction groove. シール部は、樹脂によって構成される請求項1または2に記載のチャックテーブル。  The chuck table according to claim 1, wherein the seal portion is made of resin. ポーラス板と基台とが樹脂によって固定される請求項3に記載のチャックテーブル。  The chuck table according to claim 3, wherein the porous plate and the base are fixed with resin.
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