JP4104013B2 - 発光デバイス及び照明装置 - Google Patents

発光デバイス及び照明装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4104013B2
JP4104013B2 JP2005079059A JP2005079059A JP4104013B2 JP 4104013 B2 JP4104013 B2 JP 4104013B2 JP 2005079059 A JP2005079059 A JP 2005079059A JP 2005079059 A JP2005079059 A JP 2005079059A JP 4104013 B2 JP4104013 B2 JP 4104013B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
fluorescent material
light
fluorescent
emitting device
coordinates
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2005079059A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006261512A (ja
Inventor
健 佐久間
直樹 木村
幸一郎 増子
尚登 広崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujikura Ltd
National Institute for Materials Science
Original Assignee
Fujikura Ltd
National Institute for Materials Science
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujikura Ltd, National Institute for Materials Science filed Critical Fujikura Ltd
Priority to JP2005079059A priority Critical patent/JP4104013B2/ja
Priority to US11/344,126 priority patent/US7253446B2/en
Priority to TW095103885A priority patent/TWI296448B/zh
Priority to KR1020060024029A priority patent/KR100754034B1/ko
Priority to DE602006012391T priority patent/DE602006012391D1/de
Priority to CNB2006100585595A priority patent/CN100420052C/zh
Priority to EP06251400A priority patent/EP1710291B1/en
Publication of JP2006261512A publication Critical patent/JP2006261512A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4104013B2 publication Critical patent/JP4104013B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/58Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
    • C04B35/597Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon oxynitride, e.g. SIALONS
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/0883Arsenides; Nitrides; Phosphides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77348Silicon Aluminium Nitrides or Silicon Aluminium Oxynitrides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • H01L33/504Elements with two or more wavelength conversion materials
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/38Non-oxide ceramic constituents or additives
    • C04B2235/3852Nitrides, e.g. oxynitrides, carbonitrides, oxycarbonitrides, lithium nitride, magnesium nitride
    • C04B2235/3865Aluminium nitrides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/38Non-oxide ceramic constituents or additives
    • C04B2235/3852Nitrides, e.g. oxynitrides, carbonitrides, oxycarbonitrides, lithium nitride, magnesium nitride
    • C04B2235/3873Silicon nitrides, e.g. silicon carbonitride, silicon oxynitride
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74Physical characteristics
    • C04B2235/76Crystal structural characteristics, e.g. symmetry
    • C04B2235/766Trigonal symmetry, e.g. alpha-Si3N4 or alpha-Sialon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74Physical characteristics
    • C04B2235/76Crystal structural characteristics, e.g. symmetry
    • C04B2235/767Hexagonal symmetry, e.g. beta-Si3N4, beta-Sialon, alpha-SiC or hexa-ferrites
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

本発明は、主に照明分野での利用を目的とした白色発光ダイオードランプなどの発光デバイス及びそれを用いた照明装置に関する。
照明分野においては、固体照明、特に半導体発光ダイオードを用いた白色照明に期待が集まっており、広く精力的に研究開発が続けられている。白色発光ダイオードランプはすでに白熱電球と同等以上の発光効率を達成し、さらに改善の途上にあり、近い将来には省エネルギー照明機器として広く普及するものと考えられている。また白色発光ダイオードランプは、水銀等の環境負荷の高い物質を含まないことも大きな利点である。さらに白色発光ダイオードランプは、素子の寸法が小さいことから、液晶ディスプレイ装置のバックライトや携帯電話などにも組み込まれ、多用されている。
本発明は、そのような照明分野用の白色発光ダイオードランプなどの発光デバイスに関し、高効率であり、長期信頼性に優れ、昼光色、昼白色、白色、温白色、電球色などの各種の発光色に設定でき、演色性を改善した発光デバイス及び照明装置を提供する。
従来、青色等の短波長領域で発光する発光ダイオード(以下、LEDと記す。)素子と、このLED素子が発する発光の一部又は全部を吸収することにより励起され、より長波長側の黄色等の蛍光を発光する蛍光体を用いた白色LEDランプが一般に知られている。その一例として化合物半導体青色LED素子と、青色光を吸収し青色の補色である黄色の蛍光を発するセリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系(以下、YAG系と記す。)蛍光体とからなる白色LEDランプが特許文献1、2及び非特許文献1などに開示されている。
また、赤色成分の不足を補うために赤色発光体を追加する技術が公知であり、特許文献3には、青色LED素子とセリウムで賦活されたYAG系蛍光体とからなる白色LEDに対して赤色蛍光体である(Sr1−x−y−zBaCaSi:Eu 2+やSrS:Eu、(CaSr1−x)S:Eu2+を添加する技術が開示されている。同様の技術は、特許文献4及び非特許文献2にも開示されている。
また、他の事例として、青色LED素子と、青色励起緑色発光蛍光体と、青色励起赤色発光蛍光体とにより白色LEDを実現する技術が公知であり、特許文献5などに開示されている。また、青色励起緑色発光蛍光体であるSrGa:Eu2+と、青色励起赤色発光蛍光体であるSrS:Eu2+とを用いた白色LEDが非特許文献3などに開示されている。
近年、酸窒化物蛍光体や窒化物蛍光体の研究が盛んになってきており、例えばユーロピウム元素(Eu)を賦活させたカルシウム(Ca)固溶アルファサイアロン蛍光体が特許文献6に公知である。該蛍光体は、青色で励起することにより黄色光を発するので、白色LED用波長変換材料として好適である。この蛍光体の詳細は、非特許文献4などで公知である。また、この蛍光体を用いた、温度変化に対する色度安定性に優れた色温度の低い白色LEDランプが非特許文献5などで公知である。
特許第2900928号公報 特許第2927279号公報 K.Bando, K.Sakano, Y.Noguchi and Y.Shimizu,"Development of High-bright and Pure-white LED Lamps,"J.Light & Vis. Env. Vol.22, No.1 (1998), pp.2-5 特開2003−273409号公報 特開2003−321675号公報 M.YAMADA, T.NAITOU, K.IZUNO, H.TAMAKI, Y.MURAZAKI, M.KAMESHIMA and T.MUKAI,"Red-Enhanced White-Light-Emitting Diode Using a New Red Phosphor,"Jpn. J. Appl. Phys. Vol.42 (2003) pp.L20-L23 特開平10−163535号公報 Paul S.Martin,"Performance, Thermal, Cost & Reliability challenges for Solid State Lighting,"OIDA Conference, May 30th 2002 特開2002−363554号公報 R.J.Xie, N.Hirosaki, K.Sakuma, Y.Yamamoto, M.Mitomo,"Eu2+-doped Ca-α-SiAlON: A yellow phosphor for white light-emitting diodes,"Appl. Phys. Lett., Vol.84, pp.5404-5406 (2004) K.Sakuma, K.Omichi, N.Kimura, M.Ohashi, D.Tanaka, N.Hirosaki, Y.Yamamoto, R.-J.Xie, T.Suehiro,"Warm-white light-emitting diode with yellowish orange SiAlON ceramic phosphor,"Opt. Lett., Vol.29, pp.2001-2003 (2004)
従来、蛍光体は酸化物あるいは硫化物が主流であり、その耐久性あるいは高温環境下での特性においてはさらなる改善が求められていた。近年になって、より長期信頼性と高温特性とに優れた酸窒化物蛍光体あるいは窒化物蛍光体の開発が盛んになっている。
また、半導体発光素子と蛍光体とを組み合わせた固体照明デバイスの研究も盛んであるが、酸化物蛍光体あるいは硫化物蛍光体が主流である。そこで本発明者らは、青色LED素子とユーロピウム元素(Eu)を賦活させたカルシウム(Ca)固溶アルファサイアロン蛍光体とを用いた電球色の範囲の温かみのある白色光を発する白色LEDランプを実現した。アルファサイアロン蛍光体は青色励起で黄色に発光する高効率の酸窒化物蛍光体であり、長期信頼性と高温特性に優れている。
また本発明者らは、青色LED素子とアルファサイアロン蛍光体とからなる白色LEDランプに、さらに青色励起赤色発光窒化物蛍光体を添加し、その演色性を改善する技術を開発し、既に特許出願している(特願2004−83399号)。しかし、この演色性を改善した白色LEDランプにおいても演色性は十分とは言えず。さらなる改善が求められていた。
また、電球色以外の色温度の高い昼光色・昼白色・白色・温白色の色度範囲の白色発光デバイスについても、高発光効率であり、且つ長期信頼性と高温特性とに優れた酸窒化物蛍光体や窒化物蛍光体を用いた発光デバイスの提供が期待されていた。
本発明は前記事情に鑑みてなされ、高発光効率であり、長期信頼性と高温特性に優れ、演色性が改善された発光デバイス及び照明装置の提供を目的とする。
前記目的を達成するため、本発明は、青紫色光又は青色光を発する半導体発光素子と、前記半導体発光素子から発せられた光の一部又は全部を吸収し、該光とは異なる波長の蛍光を発する蛍光物質とを備え、
前記蛍光物質は、緑色光又は黄緑色光を発する第1の蛍光物質と、該第1の蛍光物質より発光波長が長く、黄緑色光、黄色光、黄赤色光のいずれかを発する第2の蛍光物質と、該第2の蛍光物質より発光波長が長く、黄赤色光、赤色光のいずれかを発する第3の蛍光物質とを混合したものからなり、
前記第1の蛍光物質は、ユーロピウム元素で賦活したベータサイアロン蛍光体であり、前記第2の蛍光物質は、ユーロピウム元素で賦活したアルファサイアロン蛍光体であり、前記第3の蛍光物質は、一般式(Ca,Eu)AlSiNで表される窒化物結晶赤色蛍光体であることを特徴とする発光デバイスを提供する。
本発明の発光デバイスにおいて、前記アルファサイアロン蛍光体は、一般式CaEu(Si,Al)12(O,N)16で表され、主相がアルファサイアロン結晶構造を有し、前記qが0.75以上1.0以下且つ前記rが0.03以上0.07以下であることが好ましい。
本発明の発光デバイスにおいて、前記ベータサイアロン蛍光体は、一般式Eu(Si,Al)6−s(O,N)で表され、主相がベータサイアロン結晶構造を有し、前記sが0.011以上0.019以下であることが好ましい。
本発明の発光デバイスにおいて、前記半導体発光素子から発せられた光と前記蛍光物質から発せられた蛍光とが混色することにより発せられる光の色度範囲は、CIE1931のXYZ表色系色度図上で、座標x=0.3274,y=0.3673により示される第1の点と、座標x=0.3282,y=0.3297により示される第2の点と、座標x=0.2998,y=0.3396により示される第3の点と、座標x=0.3064,y=0.3091により示される第4の点とを結んで得られる四辺形によって表される昼光色の範囲内にあることが好ましい。
本発明の発光デバイスにおいて、前記蛍光物質は、スペクトル補正を実施した蛍光分光光度計で測定した前記第1の蛍光物質と、前記第2の蛍光物質と、前記第3の蛍光物質とのピーク発光強度がA:B:Cである時に、該第1の蛍光物質と該第2の蛍光物質と該第3の蛍光物質との質量比が(7.5×C/A):(1.3×C/B):1となるように混合したものであることが好ましい。
本発明の発光デバイスにおいて、前記蛍光物質は、前記第1の蛍光物質と、前記第2の蛍光物質と、前記第3の蛍光物質とを、質量比で12:2:1で混合したものであることが好ましい。
本発明の発光デバイスにおいて、前記半導体発光素子から発せられた光と前記蛍光物質から発せられた蛍光とが混色することにより発せられる光の色度範囲は、CIE1931のXYZ表色系色度図上で、座標x=0.3616,y=0.3875により示される第1の点と、座標x=0.3552,y=0.3476により示される第2の点と、座標x=0.3353,y=0.3659により示される第3の点と、座標x=0.3345,y=0.3314により示される第4の点とを結んで得られる四辺形によって表される昼白色の範囲内にあることが好ましい。
本発明の発光デバイスにおいて、前記蛍光物質は、スペクトル補正を実施した蛍光分光光度計で測定した前記第1の蛍光物質と、前記第2の蛍光物質と、前記第3の蛍光物質とのピーク発光強度がA:B:Cである時に、該第1の蛍光物質と該第2の蛍光物質と該第3の蛍光物質との質量比が(6.5×C/A):(1.3×C/B):1となるように混合したものであることが好ましい。
本発明の発光デバイスにおいて、前記蛍光物質は、前記第1の蛍光物質と、前記第2の蛍光物質と、前記第3の蛍光物質とを、質量比で10.3:2:1で混合したものであることが好ましい。
本発明の発光デバイスにおいて、前記半導体発光素子から発せられた光と前記混合蛍光物質から発せられた蛍光とが混色することにより発せられる光の色度範囲は、CIE1931のXYZ表色系色度図上で、座標x=0.3938,y=0.4097により示される第1の点と、座標x=0.3805,y=0.3642により示される第2の点と、座標x=0.3656,y=0.3905により示される第3の点と、座標x=0.3584,y=0.3499により示される第4の点とを結んで得られる四辺形によって表される白色の範囲内にあることが好ましい。
本発明の発光デバイスにおいて、前記蛍光物質は、スペクトル補正を実施した蛍光分光光度計で測定した前記第1の蛍光物質と、前記第2の蛍光物質と、前記第3の蛍光物質とのピーク発光強度がA:B:Cである時に、該第1の蛍光物質と該第2の蛍光物質と該第3の蛍光物質との質量比が(6.3×C/A):(1.9×C/B):1となるように混合したものであることが好ましい。
本発明の発光デバイスにおいて、前記蛍光物質は、前記第1の蛍光物質と、前記第2の蛍光物質と、前記第3の蛍光物質とを、質量比で10:3:1で混合したものであることが好ましい。
本発明の発光デバイスにおいて、前記半導体発光素子から発せられた光と前記混合蛍光物質から発せられた蛍光とが混色することにより発せられる光の色度範囲は、CIE1931のXYZ表色系色度図上で、座標x=0.4341,y=0.4233により示される第1の点と、座標x=0.4171,y=0.3846により示される第2の点と、座標x=0.4021,y=0.4076により示される第3の点と、座標x=0.3903,y=0.3719により示される第4の点とを結んで得られる四辺形によって表される温白色の範囲内にあることが好ましい。
本発明の発光デバイスにおいて、前記蛍光物質は、スペクトル補正を実施した蛍光分光光度計で測定した前記第1の蛍光物質と、前記第2の蛍光物質と、前記第3の蛍光物質とのピーク発光強度がA:B:Cである時に、該第1の蛍光物質と該第2の蛍光物質と該第3の蛍光物質との質量比が(5.1×C/A):(1.9×C/B):1となるように混合したものであることが好ましい。
本発明の発光デバイスにおいて、前記蛍光物質は、前記第1の蛍光物質と、前記第2の蛍光物質と、前記第3の蛍光物質とを、質量比で8:3:1で混合したものが好ましい。
本発明の発光デバイスにおいて、前記半導体発光素子から発せられた光と前記混合蛍光物質から発せられた蛍光とが混色することにより発せられる光の色度範囲は、CIE1931のXYZ表色系色度図上で、座標x=0.4775,y=0.4283により示される第1の点と、座標x=0.4594,y=0.3971により示される第2の点と、座標x=0.4348,y=0.4185により示される第3の点と、座標x=0.4214,y=0.3887により示される第4の点とを結んで得られる四辺形によって表される電球色の範囲内にあることが好ましい。
本発明の発光デバイスにおいて、前記蛍光物質は、スペクトル補正を実施した蛍光分光光度計で測定した前記第1の蛍光物質と、前記第2の蛍光物質と、前記第3の蛍光物質とのピーク発光強度がA:B:Cである時に、該第1の蛍光物質と該第2の蛍光物質と該第3の蛍光物質との質量比が(5.1×C/A):(1.6×C/B):1となるように混合したものであることが好ましい。
本発明の発光デバイスにおいて、前記蛍光物質は、前記第1の蛍光物質と、前記第2の蛍光物質と、前記第3の蛍光物質とを、質量比で8:2.5:1で混合したものであることが好ましい。
また本発明は、前述した本発明に係る発光デバイスを光源として有していることを特徴とする照明装置を提供する。
本発明によれば、高発光効率であり、長期信頼性と高温特性に優れ、演色性が改善された発光デバイス及び照明装置を提供することができる。
[比較例1]
比較のために、図12に示す砲弾型LEDランプにおいて、蛍光物質として市販のYAG系蛍光物質を用いた従来方式の白色LEDランプを作製した。
砲弾型LEDランプ1は、上部が湾曲した略円柱形状、換言すれば砲弾と類似した形状を有し、2本のリードワイヤ2,3と、青色光を発する青色LED素子4と、ボンディングワイヤ5と、蛍光物質7と、この蛍光物質7を混ぜた第1の樹脂6及び透明な第2の樹脂8とを備えている。一方のリードワイヤ2の上端部には、凹部が設けられ、この凹部に青色LED素子4が載置されている。青色LED素子4の下部電極は、導電性ペーストを用いたダイボンディング等により一方のリードワイヤ2と電気的に接続されている。また、青色LED素子4の上部電極は、ボンディングワイヤ5を用いたワイヤボンディング等により他方のリードワイヤ3と電気的に接続されている。また、前記凹部内の青色LED素子4、ボンディングワイヤ5は、蛍光物質7を混ぜた第1の樹脂によって埋められている。さらに、これらの各部材は、両方のリードワイヤ2,3の下部を残して砲弾状に成型された透明な樹脂8により封止されている。
この比較例1では、蛍光物質7に市販の(Y,Gd)Al12:Ce3+蛍光物質粉末(YAG系蛍光物質)を用いた。図2に比較例1の白色LEDランプの発光スペクトルを示す。この発光色は、CIE1931のXYZ表色系色度図上における色度座標(x,y)が(0.34,0.36)であり、相関色温度は5070Kであった。平均演色評価数は73であり、投入電力に対する視感度効率は40 lm/W(ルーメン毎ワット)であった。比較例1の白色LEDランプは、高効率で白色に発光する優れた発光デバイスであるが、YAG系蛍光物質では、発光波長を長波長側に調整することが困難であり、JIS Z9112−1990に定められた電球色の光源色色度範囲などの色温度の低い白色で発光する白色LEDランプを実現することはできないという問題があった。また、YAG系蛍光体は、高温では発光強度が低下することが知られており、環境温度変化に起因する色度変化も問題となっていた。演色性についてもさらなる改善が求められていた。
[比較例2]
比較例2は、蛍光物質7に、アルファサイアロン蛍光物質を用いた点が比較例1と異なる。図3に、組成式Ca0.875(Si,Al)12(O,N)16Eu2+ 0.07のアルファサイアロン蛍光物質を用いた比較例2の白色LEDランプの発光スペクトルを示す。
この発光色は、CIE1931のXYZ表色系色度図上における色度座標(x,y)が(0.46,0.41)であり、相関色温度は2780Kであった。平均演色評価数は56であり、投入電力に対する視感度効率は36 lm/W(ルーメン毎ワット)であった。酸窒化物蛍光体であるアルファサイアロン蛍光物質を用いた比較例2の白色LEDランプは、高効率であり、また電球色の光源色色度範囲の色温度の低い白色に発光する優れた発光デバイスである。また、非特許文献5に開示されているように、温度変化に対する色度安定性に優れている。しかし、演色性については一般的な蛍光灯より若干低い程度であり、改善が必要であった。
[第1の実施例]
本発明者らは、色温度の低い温かみのある白色である電球色の色度範囲の白色で発光する、青色LED素子とユーロピウム元素(Eu)を賦活させたカルシウム(Ca)固溶アルファサイアロン蛍光体とを用いた白色LEDランプに対して、さらに酸窒化物緑色蛍光体と窒化物赤色蛍光体を若干添加することにより、高信頼性電球色LEDランプにおいて演色性の向上を達成した。
最初に、第1の蛍光物質である、緑色光・黄緑色光のいずれかで発光するユーロピウム元素で賦活したベータサイアロン蛍光体の合成について説明する。通常、ベータサイアロンとは、一般式Si6−zAl8−zで表されるものを言うが、本件特許においては、その組成が一般式Eu(Si,Al)6−s(O,N)で表され、ベータ型Siあるいはベータ型サイアロンと同等の結晶構造を有する窒化物蛍光体あるいは酸窒化物蛍光体をベータサイアロン蛍光体と称することとする。
本発明者らは、原料粉末に占めるSi、AlN、Euの割合をそれぞれ変更して多数の試料を合成し、その発光特性を比較した結果、Siが89mol%、AlNが10.7mol%、Euが0.3mol%において特に良好な発光強度が得られた。表1に、実験した多数の試料のうちの一部の結果を示す。
Figure 0004104013
Euが0.3mol%である試料G4が最も発光強度が大きく、Euがおよそ0.25〜0.45mol%の範囲で良好な発光強度が得られると判断できる。これは、一般式Eu(Si,Al)6−s(O,N)において0.011≦s≦0.019の範囲において良好な特性が得られ、s=0.013において特に良好な結果が得られたことに相当する。
前記実験の結果から、Siが89mol%、AlNが10.7mol%、Euが0.3mol%の組成を採用した。原料粉末は、窒化ケイ素粉末、窒化アルミニウム粉末、酸化ユーロピウム粉末を用いた。前記組成が得られるように、窒化ケイ素粉末95.82質量%、窒化アルミニウム粉末3.37質量%、酸化ユーロピウム粉末0.81質量%をそれぞれ秤量し、1バッチ50gとして、n−ヘキサンを添加し、湿式遊星ボールミルで2時間混合した。次に、混合された原料粉末をロータリーエバポレータにより乾燥させ、これを乳鉢を用いて十分にほぐし、JIS Z 8801に準拠した公称目開き125μmのステンレス製の試験用網ふるいを用いて適切な粒径に造粒し、窒化ホウ素製のふた付き容器に収容した。次に、前記のふた付き容器ごと原料粉末をガス加圧焼結炉におさめ、焼結温度2000℃、窒素雰囲気1MPaの条件でガス加圧して2時間焼結し、そのまま引き続いて、焼結温度1700℃、窒素雰囲気0.5MPaでガス加圧して、さらに24時間焼結した。焼結後の粉末は一つの塊状になっているが、これにわずかな力を加えて粉末状にくずし、蛍光体粉末とした。CuのKα線を用いた粉末X線回折測定を行ったところ、得られたチャートからベータサイアロン結晶相であることが確認された。
次に、第2の蛍光物質である、第1の蛍光物質よりも発光波長が長く、黄緑色・黄色・黄赤色のいずれかで発光するユーロピウム元素で賦活したカルシウムアルファサイアロン蛍光体の合成について説明する。該アルファサイアロン蛍光体は、2価のユーロピウム(Eu)で賦活されたカルシウム(Ca)固溶アルファサイアロン蛍光体であり、その組成は一般式Ca(Si,Al)12(O,N)16:Eu2+ で示される。本発明者らは、q及びrをそれぞれ変更して多数の試料を合成し、その発光特性を比較した結果、なかでもその組成範囲が0.75≦q≦1.0かつ0.03≦r≦0.07において発光強度が特に高く、またその発光色度が白色LEDランプ用途に適していることを知見した。
前記実験の結果から、q=0.875、r=0.07を選択した。原料粉末は、窒化ケイ素粉末、窒化アルミニウム粉末、炭酸カルシウム粉末、酸化ユーロピウム粉末を用いた。組成式Ca0.875Si9.06Al2.940.9815.02:Eu2+ 0.07で示される組成が得られるように、窒化ケイ素粉末65.78質量%、窒化アルミニウム粉末18.71質量%、炭酸カルシウム粉末13.59質量%、酸化ユーロピウム粉末1.91質量%をそれぞれ秤量し、1バッチ50gとして、n−ヘキサンを添加し、湿式遊星ボールミルで2時間混合した。次に、混合された原料粉末をロータリーエバポレータにより乾燥させ、これを乳鉢を用いて十分にほぐし、JIS Z 8801に準拠した公称目開き125μmのステンレス製の試験用網ふるいを用いて適切な粒径に造粒し、窒化ホウ素製のふた付き容器に収容した。次に、前記のふた付き容器ごと原料粉末をガス加圧焼結炉におさめ、焼結温度1700℃、窒素雰囲気0.5MPaでガス加圧して、24時間焼結した。焼結後の粉末は一つの塊状になっているが、これにわずかな力を加えて粉末状にくずし、蛍光体粉末とした。CuのKα線を用いた粉末X線回折測定を行ったところ、得られたチャートからカルシウム固溶アルファサイアロン結晶相であることが確認された。
第3の蛍光物質は、第2の蛍光物質よりも発光波長が長く、黄赤色・赤色のいずれかで発光する、一般式(Ca,Eu)AlSiNで表される窒化物結晶赤色蛍光体である。第3の蛍光物質の合成について以下に説明する。原料粉末は、窒化ケイ素粉末、窒化アルミニウム粉末、窒化カルシウム粉末、金属ユーロピウムをアンモニア中で窒化して合成した窒化ユーロピウムを用いた。組成式Eu0.0005Ca0.9995AlSiNで示される組成が得られるように、窒化ケイ素粉末34.0735質量%、窒化アルミニウム粉末29.8705質量%、窒化カルシウム粉末35.9956質量%、窒化ユーロピウム粉末0.06048質量%をそれぞれ秤量し、メノウ乳鉢と乳棒で30分間混合を行い、得られた混合物を、金型を用いて20MPaの圧力を加えて成形し、直径12mm、厚さ5mmの成形体とした。なお、粉末の秤量、混合、成形の各工程は全て、水分1ppm以下かつ酸素1ppm以下の窒素雰囲気を保持することができるグローブボックス中で操作を行った。この成形体は窒化ホウ素製のるつぼに入れて黒鉛抵抗加熱方式の電気炉にセットした。焼成の操作は、まず、拡散ポンプにより焼成雰囲気を真空とし、室温から800℃まで毎時500℃の速度で加熱し、800℃で純度が99.999体積%の窒素を導入して圧力を1MPaとし、毎時500℃で1800℃まで昇温し、1800℃で2時間保持して行った。焼成後、得られた焼結体をメノウの乳棒と乳鉢を用いて粉末に粉砕し、蛍光体粉末とした。CuのKα線を用いた粉末X線回折測定を行ったところ、得られたチャートからCaAlSiN結晶相であることが確認された。
前述の通り合成した第1の蛍光物質、第2の蛍光物質及び第3の蛍光物質の光学特性について説明する。測定には、日立製作所社製分光蛍光光度計F−4500を用いた。該測定器は、ローダミンB法と、標準光源とを用いて校正を実施し、スペクトル補正して測定を行った。
図8は、第1の蛍光物質であるベータサイアロン蛍光物質の発光スペクトルと励起スペクトルの測定結果を示すグラフである。
図9は、第2の蛍光物質であるアルファサイアロン蛍光物質の発光スペクトルと励起スペクトルの測定結果を示すグラフである。
図10は、第3の蛍光物質であるCa1−pAlSiN:Eu2+ 蛍光物質の発光スペクトルと励起スペクトルの測定結果を示すグラフである。
発光スペクトルの測定にあたっては、青色LEDによる励起を想定して、いずれも励起波長450nmで測定を実施した。励起スペクトルの測定にあたっては、それぞれの蛍光物質の発光ピーク波長をモニタ波長として測定を実施した。また、図8〜図10において、縦軸は、基準蛍光体の発光ピーク強度を1として規格化した。基準蛍光体には、前述した比較例1で用いた市販の(Y,Gd)Al12:Ce3+蛍光物質粉末(YAG系蛍光物質)を利用した。
励起波長を450nmとしたときのそれぞれの蛍光体の発光中心波長は、第1の蛍光物質であるベータサイアロン蛍光物質が539nm、第2の蛍光物質であるアルファサイアロン蛍光物質が585nm、第3の蛍光物質であるCa1−pAlSiN:Eu2+ 蛍光物質が655nmであった。
励起スペクトルについては、いずれの蛍光物質も青色光から紫外光の領域にかけて非常に広範な励起ピークを有している。第2の蛍光物質であるアルファサイアロン蛍光物質と第3の蛍光物質であるCa1−pAlSiN:Eu2+ 蛍光物質については、特に波長450nm近傍の青色光で高効率に励起できることが明らかとなった。第1の蛍光物質であるベータサイアロン蛍光物質については、波長450nmでの励起光率は十分高いものであるが、さらに短波長の光で励起した方がより励起光率が高く好ましいとの結果であった。
発光強度は、前述した基準蛍光体の発光ピーク強度を100%としたときに、第1の蛍光物質であるベータサイアロン蛍光物質が117%、第2の蛍光物質であるアルファサイアロン蛍光物質が116%、第3の蛍光物質であるCa1−pAlSiN:Eu2+ 蛍光物質が184%であった。図11に、第1〜第3の蛍光物質の発光スペクトルを比較した図を示す。
次に、第1の実施例の発光デバイスとして、第1〜第3の蛍光物質を混合したものを用いた白色LEDランプの構造について説明する。図13は、チップ型発光ダイオードランプ11である。白色樹脂製のパッケージ19は、2本のリードワイヤ12,13をはさみこんだ構造となっており、その中央部に凹部が設けられている。凹部では、両方のリードワイヤ12,13の端部が露出しており、発光ピーク波長450nmの青色LED素子14が載置されている。青色LED素子14の下部電極と一方のリードワイヤ12の端部とは導電ペーストによって電気的に接続されている。また、青色LED素子14の上部電極と他方のリードワイヤ13とが金細線からなるボンディングワイヤ15によって電気的に接続されている。第1の蛍光物質、第2の蛍光物質及び第3の蛍光物質を混合した蛍光体粉末16は、透明な樹脂17に分散させ、この蛍光体粉末16を分散した樹脂17は青色LED素子14の全体を被覆すると共に、リードワイヤ12,13を含む凹部全体を封止している。
青色LED素子は発光中心波長400nm〜480nmのものが好適であり、なかでも特に第2の蛍光物質であるアルファサイアロン蛍光物質と第3の蛍光物質であるCa1−pAlSiN:Eu2+ 蛍光物質を効率よく励起できるように発光中心波長450nmのものが良い。
次に、製造手順を示す。
第1の工程では、第1の蛍光物質と第2の蛍光物質と第3の蛍光物質とを秤量・混合した。
第2の工程では、一方のリードワイヤ12の端部に発光ピーク波長450nmの青色LED素子14を導電性ペーストを用いてダイボンディングした。
第3の工程では、青色LED素子14の上部電極と他方のリードワイヤ13とを金細線でワイヤボンディングした。
第4の工程では、混合した蛍光体粉末16を17質量%で分散させた樹脂17を、青色LED素子14を被覆するように凹部に適量塗布して硬化させた。このとき、予め実験によって決定した適切な塗布量に調整した。樹脂はエポキシ樹脂を用いた。
第1の実施例では、第1の蛍光物質と第2の蛍光物質と第3の蛍光物質との混合比を質量比で8:2.5:1とし、その発光色度を電球色とした。電球色は、CIE1931のXYZ表色系色度図上で、座標(x,y)が(0.4775,0.4283)、(0.4594,0.3971)、(0.4348,0.4185)、(0.4214,0.3887)により示される4点を結んで得られる四辺形によって表される範囲である。
第1の実施例の電球色LEDランプは、図14に示すCIE1931のXYZ表色系色度図上の座標(x,y)が(0.460,0.409)の電球色であり、相関色温度が2690Kであった。投入電力に対する発光効率は20.5 lm/W、平均演色評価数Raは89であった。図1にその発光スペクトルを示す。
なお、第1の実施例で使用した第1〜第3の蛍光物質は、光学特性改善検討の途上にあり、その発光強度についても今後さらに向上する可能性がある。ここで示した第1の実施例では、使用した各蛍光物質の発光スペクトルが図11に示すような関係にあるが、今後いずれかの蛍光物質の発光強度が向上し、その比率が変化した場合には、白色LEDランプの発光色度が電球色となるように第1〜第3の蛍光物質の混合比を再検討する必要がある。例えば、スペクトル補正を実施した蛍光分光光度計で測定した第1〜第3の蛍光物質のピーク発光強度がA:B:Cである時に、その混合比を質量比で(5.1×C/A):(1.6×C/B):1とすることなどが考えられる。
[第2の実施例]
第2の実施例では、第1の蛍光物質と第2の蛍光物質と第3の蛍光物質との混合比を、質量比で12:2:1とすることにより、その発光色度を昼光色とした。昼光色は、CIE1931のXYZ表色系色度図上で、座標(x,y)が(0.3274,0.3673)、(0.3282,0.3297)、(0.2998,0.3396)、(0.3064,0.3091)により示される4点を結んで得られる四辺形によって表される範囲である。前記蛍光物質の混合比の変更以外は、第1の実施例と同様にして白色LEDランプを作製し、各測定項目について第1の実施例と同様に測定した。
第2の実施例の白色LEDランプは、図14に示すCIE1931のXYZ表色系色度図上の座標(x,y)が(0.311,0.333)の昼光色であり、相関色温度が6580Kであった。投入電力に対する発光効率は28.0 lm/W、平均演色評価数Raは81であった。図4にその発光スペクトルを示す。
なお、第2の実施例で使用した第1〜第3の蛍光物質は、光学特性改善検討の途上にあり、その発光強度についても今後さらに向上する可能性がある。ここで示した第2の実施例では、使用した各蛍光物質の発光スペクトルが図11に示すような関係にあるが、今後いずれかの蛍光物質の発光強度が向上し、その比率が変化した場合には、白色LEDランプの発光色度が昼光色となるように第1〜第3の蛍光物質の混合比を再検討する必要がある。例えば、スペクトル補正を実施した蛍光分光光度計で測定した第1〜第3の蛍光物質のピーク発光強度がA:B:Cである時に、その混合比を質量比で(7.5×C/A):1.3×C/B):1とすることなどが考えられる。
[第3の実施例]
第3の実施例では、第1の蛍光物質と第2の蛍光物質と第3の蛍光物質との混合比を、質量比で10.3:2:1とすることにより、その発光色度を昼白色とした。昼白色は、CIE1931のXYZ表色系色度図上で、座標(x,y)が(0.3616,0.3875)、(0.3552,0.3476)、(0.3353,0.3659)、(0.3345,0.3314)により示される4点を結んで得られる四辺形によって表される範囲である。前記蛍光物質の混合比の変更以外は、第1の実施例と同様にして白色LEDランプを作製し、各測定項目について第1の実施例と同様に測定した。
第3の実施例の白色LEDランプは、図14に示すCIE1931のXYZ表色系色度図上の座標(x,y)が(0.345,0.358)の昼白色であり、相関色温度が5010Kであった。投入電力に対する発光効率は25.3 lm/W、平均演色評価数Raは82であった。図5にその発光スペクトルを示す。
なお、第3の実施例で使用した第1〜第3の蛍光物質は、光学特性改善検討の途上にあり、その発光強度についても今後さらに向上する可能性がある。ここで示した第3の実施例では、使用した各蛍光物質の発光スペクトルが図11に示すような関係にあるが、今後いずれかの蛍光物質の発光強度が向上し、その比率が変化した場合には、白色LEDランプの発光色度が昼白色となるように第1〜第3の蛍光物質の混合比を再検討する必要がある。例えば、スペクトル補正を実施した蛍光分光光度計で測定した第1〜第3の蛍光物質のピーク発光強度がA:B:Cである時に、その混合比を質量比で(6.5×C/A):1.3×C/B):1とすることなどが考えられる。
[第4の実施例]
第4の実施例では、第1の蛍光物質と第2の蛍光物質と第3の蛍光物質との混合比を、質量比で10:3:1とすることにより、その発光色度を白色とした。白色は、CIE1931のXYZ表色系色度図上で、座標(x,y)が(0.3938,0.4097)、(0.3805,0.3642)、(0.3656,0.3905)、(0.3584,0.3499)により示される4点を結んで得られる四辺形によって表される範囲である。前記蛍光物質の混合比の変更以外は、第1の実施例と同様にして白色LEDランプを作製し、各測定項目について第1の実施例と同様に測定した。
第4の実施例の白色LEDランプは、図14に示すCIE1931のXYZ表色系色度図上の座標(x,y)が(0.373,0.370)の白色であり、相関色温度が4160Kであった。投入電力に対する発光効率は27.1 lm/W、平均演色評価数Raは83であった。図6にその発光スペクトルを示す。
なお、第4の実施例で使用した第1〜第3の蛍光物質は、光学特性改善検討の途上にあり、その発光強度についても今後さらに向上する可能性がある。ここで示した第4の実施例では、使用した各蛍光物質の発光スペクトルが図11に示すような関係にあるが、今後いずれかの蛍光物質の発光強度が向上し、その比率が変化した場合には、白色LEDランプの発光色度が白色となるように第1〜第3の蛍光物質の混合比を再検討する必要がある。例えば、スペクトル補正を実施した蛍光分光光度計で測定した第1〜第3の蛍光物質のピーク発光強度がA:B:Cである時に、その混合比を質量比で(6.3×C/A):(1.9×C/B):1とすることなどが考えられる。
[第5の実施例]
第5の実施例では、第1の蛍光物質と第2の蛍光物質と第3の蛍光物質との混合比を、質量比で8:3:1とすることにより、その発光色度を温白色とした。温白色は、CIE1931のXYZ表色系色度図上で、座標(x,y)が(0.4341,0.4233)、(0.4171,0.3846)、(0.4021,0.4076)、(0.3903,0.3719)により示される4点を結んで得られる四辺形によって表される範囲である。前記蛍光物質の混合比の変更以外は、第1の実施例と同様にして白色LEDランプを作製し、各測定項目について第1の実施例と同様に測定した。
第5の実施例の白色LEDランプは、図14に示すCIE1931のXYZ表色系色度図上の座標(x,y)が(0.407,0.392)の温白色であり、相関色温度が3470Kであった。投入電力に対する発光効率は23.7 lm/W、平均演色評価数Raは86であった。図7にその発光スペクトルを示す。
なお、第5の実施例で使用した第1〜第3の蛍光物質は、光学特性改善検討の途上にあり、その発光強度についても今後さらに向上する可能性がある。ここで示した第5の実施例では、使用した各蛍光物質の発光スペクトルが図11に示すような関係にあるが、今後いずれかの蛍光物質の発光強度が向上し、その比率が変化した場合には、白色LEDランプの発光色度が白色となるように第1〜第3の蛍光物質の混合比を再検討する必要がある。例えば、スペクトル補正を実施した蛍光分光光度計で測定した第1〜第3の蛍光物質のピーク発光強度がA:B:Cである時に、その混合比を質量比で(5.1×C/A):(1.9×C/B):1とすることなどが考えられる。
前述した第1〜第5の実施例において作製した白色LEDランプ(発光デバイス)は、図13に示すチップ型白色LEDランプの形態として作製しているが、図12に示す砲弾型白色LEDランプなどの他の形態の発光デバイスに変更可能であることは言うまでもない。
また、本発明に係る発光デバイスは、単独で、あるいは多数個を基板等に実装することによって照明装置を構成するために好適である。本発明に係る発光デバイスを光源として有する照明装置は、小型で省電力、高輝度、長寿命、高演色性などの優れた利点を有している。
本発明に係る第1の実施例の高演色性白色LEDランプの発光スペクトルを示すグラフである。 比較例1の従来の白色LEDランプの発光スペクトルを示すグラフである。 比較例2の従来の白色LEDランプの発光スペクトルを示すグラフである。 本発明に係る第2の実施例の高演色性白色LEDランプの発光スペクトルを示すグラフである。 本発明に係る第3の実施例の高演色性白色LEDランプの発光スペクトルを示すグラフである。 本発明に係る第4の実施例の高演色性白色LEDランプの発光スペクトルを示すグラフである。 本発明に係る第5の実施例の高演色性白色LEDランプの発光スペクトルを示すグラフである。 第1の蛍光物質として用いたベータサイアロン蛍光物質の発光スペクトルと励起スペクトルを示すグラフである。 第2の蛍光物質として用いたアルファサイアロン蛍光物質の発光スペクトルと励起スペクトルを示すグラフである。 第3の蛍光物質として用いたCa1−pAlSiN:Eu2+ 蛍光物質の発光スペクトルと励起スペクトルを示すグラフである。 ベータサイアロン蛍光物質とアルファサイアロン蛍光物質とCa1−pAlSiN:Eu2+ 蛍光物質の発光スペクトルを示すグラフである。 砲弾型白色LEDランプを例示する断面図である。 チップ型白色LEDランプを例示する断面図である。 CIE1931のXYZ表色系色度図である。
符号の説明
1,11…白色LEDランプ(発光デバイス)、2,3,12,13…リードワイヤ、4,14…青色LED素子(半導体発光素子)、5,15…ボンディングワイヤ、6,8,17…樹脂、7,16…蛍光体粉末、19…パッケージ。

Claims (19)

  1. 青紫色光又は青色光を発する半導体発光素子と、前記半導体発光素子から発せられた光の一部又は全部を吸収し、該光とは異なる波長の蛍光を発する蛍光物質とを備え、
    前記蛍光物質は、緑色光又は黄緑色光を発する第1の蛍光物質と、該第1の蛍光物質より発光波長が長く、黄緑色光、黄色光、黄赤色光のいずれかを発する第2の蛍光物質と、該第2の蛍光物質より発光波長が長く、黄赤色光、赤色光のいずれかを発する第3の蛍光物質とを混合したものからなり、
    前記第1の蛍光物質は、ユーロピウム元素で賦活したベータサイアロン蛍光体であり、前記第2の蛍光物質は、ユーロピウム元素で賦活したアルファサイアロン蛍光体であり、前記第3の蛍光物質は、一般式(Ca,Eu)AlSiNで表される窒化物結晶赤色蛍光体であることを特徴とする発光デバイス。
  2. 前記アルファサイアロン蛍光体は、一般式CaEu(Si,Al)12(O,N)16で表され、主相がアルファサイアロン結晶構造を有し、前記qが0.75以上1.0以下且つ前記rが0.03以上0.07以下であることを特徴とする請求項1に記載の発光デバイス。
  3. 前記ベータサイアロン蛍光体は、一般式Eu(Si,Al)6−s(O,N)で表され、主相がベータサイアロン結晶構造を有し、前記sが0.011以上0.019以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の発光デバイス。
  4. 前記半導体発光素子から発せられた光と前記蛍光物質から発せられた蛍光とが混色することにより発せられる光の色度範囲は、CIE1931のXYZ表色系色度図上で、座標x=0.3274,y=0.3673により示される第1の点と、座標x=0.3282,y=0.3297により示される第2の点と、座標x=0.2998,y=0.3396により示される第3の点と、座標x=0.3064,y=0.3091により示される第4の点とを結んで得られる四辺形によって表される昼光色の範囲内にあることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の発光デバイス。
  5. 前記蛍光物質は、スペクトル補正を実施した蛍光分光光度計で測定した前記第1の蛍光物質と、前記第2の蛍光物質と、前記第3の蛍光物質とのピーク発光強度がA:B:Cである時に、該第1の蛍光物質と該第2の蛍光物質と該第3の蛍光物質との質量比が(7.5×C/A):(1.3×C/B):1となるように混合したものであることを特徴とする請求項4に記載の発光デバイス。
  6. 前記蛍光物質は、前記第1の蛍光物質と、前記第2の蛍光物質と、前記第3の蛍光物質とを、質量比で12:2:1で混合したものであることを特徴とする請求項4に記載の発光デバイス。
  7. 前記半導体発光素子から発せられた光と前記蛍光物質から発せられた蛍光とが混色することにより発せられる光の色度範囲は、CIE1931のXYZ表色系色度図上で、座標x=0.3616,y=0.3875により示される第1の点と、座標x=0.3552,y=0.3476により示される第2の点と、座標x=0.3353,y=0.3659により示される第3の点と、座標x=0.3345,y=0.3314により示される第4の点とを結んで得られる四辺形によって表される昼白色の範囲内にあることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の発光デバイス。
  8. 前記蛍光物質は、スペクトル補正を実施した蛍光分光光度計で測定した前記第1の蛍光物質と、前記第2の蛍光物質と、前記第3の蛍光物質とのピーク発光強度がA:B:Cである時に、該第1の蛍光物質と該第2の蛍光物質と該第3の蛍光物質との質量比が(6.5×C/A):(1.3×C/B):1となるように混合したものであることを特徴とする請求項7に記載の発光デバイス。
  9. 前記蛍光物質は、前記第1の蛍光物質と、前記第2の蛍光物質と、前記第3の蛍光物質とを、質量比で10.3:2:1で混合したものであることを特徴とする請求項7に記載の発光デバイス。
  10. 前記半導体発光素子から発せられた光と前記混合蛍光物質から発せられた蛍光とが混色することにより発せられる光の色度範囲は、CIE1931のXYZ表色系色度図上で、座標x=0.3938,y=0.4097により示される第1の点と、座標x=0.3805,y=0.3642により示される第2の点と、座標x=0.3656,y=0.3905により示される第3の点と、座標x=0.3584,y=0.3499により示される第4の点とを結んで得られる四辺形によって表される白色の範囲内にあることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の発光デバイス。
  11. 前記蛍光物質は、スペクトル補正を実施した蛍光分光光度計で測定した前記第1の蛍光物質と、前記第2の蛍光物質と、前記第3の蛍光物質とのピーク発光強度がA:B:Cである時に、該第1の蛍光物質と該第2の蛍光物質と該第3の蛍光物質との質量比が(6.3×C/A):(1.9×C/B):1となるように混合したものであることを特徴とする請求項10に記載の発光デバイス。
  12. 前記蛍光物質は、前記第1の蛍光物質と、前記第2の蛍光物質と、前記第3の蛍光物質とを、質量比で10:3:1で混合したものであることを特徴とする請求項10に記載の発光デバイス。
  13. 前記半導体発光素子から発せられた光と前記混合蛍光物質から発せられた蛍光とが混色することにより発せられる光の色度範囲は、CIE1931のXYZ表色系色度図上で、座標x=0.4341,y=0.4233により示される第1の点と、座標x=0.4171,y=0.3846により示される第2の点と、座標x=0.4021,y=0.4076により示される第3の点と、座標x=0.3903,y=0.3719により示される第4の点とを結んで得られる四辺形によって表される温白色の範囲内にあることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の発光デバイス。
  14. 前記蛍光物質は、スペクトル補正を実施した蛍光分光光度計で測定した前記第1の蛍光物質と、前記第2の蛍光物質と、前記第3の蛍光物質とのピーク発光強度がA:B:Cである時に、該第1の蛍光物質と該第2の蛍光物質と該第3の蛍光物質との質量比が(5.1×C/A):(1.9×C/B):1となるように混合したものであることを特徴とする請求項13に記載の発光デバイス。
  15. 前記蛍光物質は、前記第1の蛍光物質と、前記第2の蛍光物質と、前記第3の蛍光物質とを、質量比で8:3:1で混合したものであることを特徴とする請求項13に記載の発光デバイス。
  16. 前記半導体発光素子から発せられた光と前記混合蛍光物質から発せられた蛍光とが混色することにより発せられる光の色度範囲は、CIE1931のXYZ表色系色度図上で、座標x=0.4775,y=0.4283により示される第1の点と、座標x=0.4594,y=0.3971により示される第2の点と、座標x=0.4348,y=0.4185により示される第3の点と、座標x=0.4214,y=0.3887により示される第4の点とを結んで得られる四辺形によって表される電球色の範囲内にあることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の発光デバイス。
  17. 前記蛍光物質は、スペクトル補正を実施した蛍光分光光度計で測定した前記第1の蛍光物質と、前記第2の蛍光物質と、前記第3の蛍光物質とのピーク発光強度がA:B:Cである時に、該第1の蛍光物質と該第2の蛍光物質と該第3の蛍光物質との質量比が(5.1×C/A):(1.6×C/B):1となるように混合したものであることを特徴とする請求項16に記載の発光デバイス。
  18. 前記蛍光物質は、前記第1の蛍光物質と、前記第2の蛍光物質と、前記第3の蛍光物質とを、質量比で8:2.5:1で混合したものであることを特徴とする請求項16に記載の発光デバイス。
  19. 請求項1〜18のいずれかに記載の発光デバイスを光源として有していることを特徴とする照明装置。
JP2005079059A 2005-03-18 2005-03-18 発光デバイス及び照明装置 Active JP4104013B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005079059A JP4104013B2 (ja) 2005-03-18 2005-03-18 発光デバイス及び照明装置
US11/344,126 US7253446B2 (en) 2005-03-18 2006-02-01 Light emitting device and illumination apparatus
TW095103885A TWI296448B (en) 2005-03-18 2006-02-06 Light emitting device and lighting apparatus
KR1020060024029A KR100754034B1 (ko) 2005-03-18 2006-03-15 발광 소자 및 조명 기구
DE602006012391T DE602006012391D1 (de) 2005-03-18 2006-03-16 Lichtemittierende Vorrichtung und Beleuchtungsvorrichtung
CNB2006100585595A CN100420052C (zh) 2005-03-18 2006-03-16 发光器件和照明装置
EP06251400A EP1710291B1 (en) 2005-03-18 2006-03-16 Light-emitting device and illumination apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005079059A JP4104013B2 (ja) 2005-03-18 2005-03-18 発光デバイス及び照明装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006261512A JP2006261512A (ja) 2006-09-28
JP4104013B2 true JP4104013B2 (ja) 2008-06-18

Family

ID=36754254

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005079059A Active JP4104013B2 (ja) 2005-03-18 2005-03-18 発光デバイス及び照明装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7253446B2 (ja)
EP (1) EP1710291B1 (ja)
JP (1) JP4104013B2 (ja)
KR (1) KR100754034B1 (ja)
CN (1) CN100420052C (ja)
DE (1) DE602006012391D1 (ja)
TW (1) TWI296448B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012073887A1 (ja) 2010-11-30 2012-06-07 パナソニック株式会社 蛍光体及び発光装置
KR101455595B1 (ko) * 2011-08-02 2014-10-28 에버라이트 일렉트로닉스 컴패니 리미티드 형광 조성물 및 이를 이용한 백색광 발광 장치

Families Citing this family (112)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3931239B2 (ja) * 2004-02-18 2007-06-13 独立行政法人物質・材料研究機構 発光素子及び照明器具
JP3921545B2 (ja) * 2004-03-12 2007-05-30 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体とその製造方法
JP4565141B2 (ja) * 2004-06-30 2010-10-20 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体と発光器具
US8017035B2 (en) * 2004-08-04 2011-09-13 Intematix Corporation Silicate-based yellow-green phosphors
TWI267212B (en) * 2004-12-30 2006-11-21 Ind Tech Res Inst Quantum dots/quantum well light emitting diode
JP2006261540A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Stanley Electric Co Ltd 発光デバイス
WO2006101095A1 (ja) * 2005-03-22 2006-09-28 National Institute For Materials Science 蛍光体とその製造方法
JP2007049114A (ja) 2005-05-30 2007-02-22 Sharp Corp 発光装置とその製造方法
US20070052342A1 (en) * 2005-09-01 2007-03-08 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device
EP1963740A4 (en) 2005-12-21 2009-04-29 Cree Led Lighting Solutions LIGHTING DEVICE AND LIGHTING METHOD
JP4733535B2 (ja) * 2006-02-24 2011-07-27 パナソニック株式会社 酸窒化物蛍光体、酸窒化物蛍光体の製造方法、半導体発光装置、発光装置、光源、照明装置、及び画像表示装置
JP5378644B2 (ja) * 2006-09-29 2013-12-25 Dowaホールディングス株式会社 窒化物蛍光体または酸窒化物蛍光体の製造方法
JP2008112811A (ja) * 2006-10-30 2008-05-15 Kyocera Corp 発光装置の製造方法
JP5367218B2 (ja) 2006-11-24 2013-12-11 シャープ株式会社 蛍光体の製造方法および発光装置の製造方法
KR100930171B1 (ko) 2006-12-05 2009-12-07 삼성전기주식회사 백색 발광장치 및 이를 이용한 백색 광원 모듈
TWI347467B (en) 2006-12-15 2011-08-21 Au Optronics Corp Liquid crystal display
JP2008218485A (ja) * 2007-02-28 2008-09-18 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置
WO2008123581A1 (ja) * 2007-04-03 2008-10-16 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology 燃焼合成による多元系窒化物乃至酸窒化物蛍光体の製造方法及び多元系窒化物乃至酸窒化物蛍光体
JP5190835B2 (ja) * 2007-04-03 2013-04-24 独立行政法人産業技術総合研究所 多元系酸窒化物蛍光体の製造方法
US10030824B2 (en) 2007-05-08 2018-07-24 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
JP2009010315A (ja) * 2007-05-30 2009-01-15 Sharp Corp 蛍光体の製造方法、発光装置および画像表示装置
US9279079B2 (en) * 2007-05-30 2016-03-08 Sharp Kabushiki Kaisha Method of manufacturing phosphor, light-emitting device, and image display apparatus
JP2009019163A (ja) * 2007-07-13 2009-01-29 Sharp Corp 発光装置用蛍光体粒子集合体、発光装置、および液晶表示用バックライト装置
WO2009011205A1 (ja) 2007-07-19 2009-01-22 Sharp Kabushiki Kaisha 発光装置
JP5199623B2 (ja) * 2007-08-28 2013-05-15 パナソニック株式会社 発光装置
JP2009081187A (ja) * 2007-09-25 2009-04-16 Sharp Corp 半導体発光装置および画像表示装置
JP5000479B2 (ja) * 2007-12-27 2012-08-15 シャープ株式会社 面光源、表示装置及びその製造方法
US8158026B2 (en) 2008-08-12 2012-04-17 Samsung Led Co., Ltd. Method for preparing B-Sialon phosphor
CN102216421B (zh) * 2008-08-12 2014-12-17 三星电子株式会社 制备β-SiAlON磷光体的方法
US9428688B2 (en) * 2008-11-17 2016-08-30 Cree, Inc. Phosphor composition
US8220971B2 (en) 2008-11-21 2012-07-17 Xicato, Inc. Light emitting diode module with three part color matching
US8153475B1 (en) 2009-08-18 2012-04-10 Sorra, Inc. Back-end processes for substrates re-use
US9000466B1 (en) 2010-08-23 2015-04-07 Soraa, Inc. Methods and devices for light extraction from a group III-nitride volumetric LED using surface and sidewall roughening
US8207554B2 (en) * 2009-09-11 2012-06-26 Soraa, Inc. System and method for LED packaging
US9293644B2 (en) 2009-09-18 2016-03-22 Soraa, Inc. Power light emitting diode and method with uniform current density operation
US8933644B2 (en) 2009-09-18 2015-01-13 Soraa, Inc. LED lamps with improved quality of light
US9293667B2 (en) 2010-08-19 2016-03-22 Soraa, Inc. System and method for selected pump LEDs with multiple phosphors
US9217542B2 (en) * 2009-10-20 2015-12-22 Cree, Inc. Heat sinks and lamp incorporating same
US9030120B2 (en) 2009-10-20 2015-05-12 Cree, Inc. Heat sinks and lamp incorporating same
US9243758B2 (en) 2009-10-20 2016-01-26 Cree, Inc. Compact heat sinks and solid state lamp incorporating same
US8269245B1 (en) * 2009-10-30 2012-09-18 Soraa, Inc. Optical device with wavelength selective reflector
US10147850B1 (en) 2010-02-03 2018-12-04 Soraa, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
US8905588B2 (en) 2010-02-03 2014-12-09 Sorra, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
KR101419626B1 (ko) * 2010-07-20 2014-07-15 덴키 가가쿠 고교 가부시기가이샤 β형 사이알론, β형 사이알론의 제조 방법 및 발광 장치
CN102376860A (zh) 2010-08-05 2012-03-14 夏普株式会社 发光装置及其制造方法
US20140001494A1 (en) * 2010-08-05 2014-01-02 Advanced Optoelectronic Technology, Inc. Light emitting diode
US20120051045A1 (en) 2010-08-27 2012-03-01 Xicato, Inc. Led Based Illumination Module Color Matched To An Arbitrary Light Source
US8803452B2 (en) 2010-10-08 2014-08-12 Soraa, Inc. High intensity light source
US8541951B1 (en) 2010-11-17 2013-09-24 Soraa, Inc. High temperature LED system using an AC power source
US8896235B1 (en) 2010-11-17 2014-11-25 Soraa, Inc. High temperature LED system using an AC power source
JP5864851B2 (ja) 2010-12-09 2016-02-17 シャープ株式会社 発光装置
US8801969B2 (en) * 2011-01-14 2014-08-12 Lightscape Materials, Inc. Carbonitride and carbidonitride phosphors and lighting devices using the same
EP3133135B1 (en) 2011-01-18 2019-03-06 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor light-emitting device
US10036544B1 (en) 2011-02-11 2018-07-31 Soraa, Inc. Illumination source with reduced weight
US8643257B2 (en) 2011-02-11 2014-02-04 Soraa, Inc. Illumination source with reduced inner core size
US8618742B2 (en) * 2011-02-11 2013-12-31 Soraa, Inc. Illumination source and manufacturing methods
US8324835B2 (en) * 2011-02-11 2012-12-04 Soraa, Inc. Modular LED lamp and manufacturing methods
US8525396B2 (en) * 2011-02-11 2013-09-03 Soraa, Inc. Illumination source with direct die placement
US10030863B2 (en) 2011-04-19 2018-07-24 Cree, Inc. Heat sink structures, lighting elements and lamps incorporating same, and methods of making same
CN102796522A (zh) * 2011-05-27 2012-11-28 亿广科技(上海)有限公司 荧光粉组合物及使用该荧光粉组合物的白色发光装置
CN105932141A (zh) * 2011-08-02 2016-09-07 亿光电子(中国)有限公司 荧光粉组成及使用该荧光粉组成的白色发光装置
CN105762257A (zh) * 2011-08-02 2016-07-13 亿光电子(中国)有限公司 荧光粉组成及使用该荧光粉组成的白色发光装置
JP2012025956A (ja) * 2011-08-11 2012-02-09 Denki Kagaku Kogyo Kk β型サイアロンの製造方法
JP5866870B2 (ja) * 2011-08-26 2016-02-24 三菱化学株式会社 発光装置
US9488324B2 (en) 2011-09-02 2016-11-08 Soraa, Inc. Accessories for LED lamp systems
US8884517B1 (en) 2011-10-17 2014-11-11 Soraa, Inc. Illumination sources with thermally-isolated electronics
JP5919015B2 (ja) * 2012-02-09 2016-05-18 デンカ株式会社 蛍光体及び発光装置
JP5919014B2 (ja) * 2012-02-09 2016-05-18 デンカ株式会社 蛍光体及び発光装置
WO2013118333A1 (ja) * 2012-02-09 2013-08-15 電気化学工業株式会社 蛍光体及び発光装置
EP2813559A4 (en) * 2012-02-09 2015-11-11 Denki Kagaku Kogyo Kk FLUOROPHORIC AND LIGHT-EMITTING DEVICE
JP5901987B2 (ja) * 2012-02-09 2016-04-13 デンカ株式会社 蛍光体及び発光装置
WO2013118335A1 (ja) * 2012-02-09 2013-08-15 電気化学工業株式会社 蛍光体及び発光装置
JP2013163725A (ja) * 2012-02-09 2013-08-22 Denki Kagaku Kogyo Kk 蛍光体及び発光装置
JP5901986B2 (ja) * 2012-02-09 2016-04-13 デンカ株式会社 蛍光体及び発光装置
JP2013163734A (ja) * 2012-02-09 2013-08-22 Denki Kagaku Kogyo Kk 蛍光体及び発光装置
JP5901985B2 (ja) * 2012-02-09 2016-04-13 デンカ株式会社 蛍光体及び発光装置
JP2013163736A (ja) * 2012-02-09 2013-08-22 Denki Kagaku Kogyo Kk 蛍光体及び発光装置
JP5937837B2 (ja) * 2012-02-09 2016-06-22 デンカ株式会社 蛍光体及び発光装置
WO2013118334A1 (ja) * 2012-02-09 2013-08-15 電気化学工業株式会社 蛍光体及び発光装置
JP5886069B2 (ja) * 2012-02-09 2016-03-16 デンカ株式会社 蛍光体及び発光装置
JP5916411B2 (ja) * 2012-02-09 2016-05-11 デンカ株式会社 蛍光体及び発光装置
US10378749B2 (en) 2012-02-10 2019-08-13 Ideal Industries Lighting Llc Lighting device comprising shield element, and shield element
JP5749201B2 (ja) * 2012-03-09 2015-07-15 株式会社東芝 白色発光装置
US8985794B1 (en) 2012-04-17 2015-03-24 Soraa, Inc. Providing remote blue phosphors in an LED lamp
JP2013239272A (ja) * 2012-05-11 2013-11-28 Panasonic Corp 照明装置
CN104521016B (zh) * 2012-08-10 2018-07-10 亮锐控股有限公司 磷光体转换发光二极管、灯及照明器
US9978904B2 (en) 2012-10-16 2018-05-22 Soraa, Inc. Indium gallium nitride light emitting devices
US9761763B2 (en) 2012-12-21 2017-09-12 Soraa, Inc. Dense-luminescent-materials-coated violet LEDs
CN103980891A (zh) * 2013-02-07 2014-08-13 亿光电子工业股份有限公司 荧光粉组成及发光二极管元件
EP2765175A3 (en) * 2013-02-07 2014-09-03 Everlight Electronics Co., Ltd Phosphor compositions for highly reliable white light-emitting diode devices
JP2014203932A (ja) * 2013-04-03 2014-10-27 株式会社東芝 発光装置
US8994033B2 (en) 2013-07-09 2015-03-31 Soraa, Inc. Contacts for an n-type gallium and nitrogen substrate for optical devices
US9410664B2 (en) 2013-08-29 2016-08-09 Soraa, Inc. Circadian friendly LED light source
CN103484110A (zh) * 2013-09-06 2014-01-01 北京科技大学 一种红色硅铝氧氮化物荧光材料及其制备方法
US9419189B1 (en) 2013-11-04 2016-08-16 Soraa, Inc. Small LED source with high brightness and high efficiency
DE102013113188A1 (de) * 2013-11-28 2015-05-28 Osram Gmbh Lumineszenzkonversionselement und optoelektronisches Halbleiterbauteil mit einem solchen Lumineszenzkonversionselement
KR101467808B1 (ko) * 2014-07-14 2014-12-03 엘지전자 주식회사 황색 발광 형광체 및 이를 이용한 발광 소자 패키지
KR102261952B1 (ko) 2014-08-26 2021-06-08 엘지이노텍 주식회사 형광체 조성물 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지
WO2016063930A1 (ja) * 2014-10-24 2016-04-28 デンカ株式会社 波長変換体、それを用いた発光装置及び波長変換体の製造方法
KR20160069724A (ko) * 2014-12-09 2016-06-17 엘지이노텍 주식회사 형광체 조성물, 이를 포함하는 발광 소자 패키지 및 조명 장치
KR101887622B1 (ko) * 2015-08-17 2018-08-13 서울반도체 주식회사 발광 다이오드
US11901492B2 (en) 2015-09-10 2024-02-13 Intematix Corporation High color rendering white light emitting devices and high color rendering photoluminescence compositions
JP6106307B2 (ja) * 2016-04-12 2017-03-29 シャープ株式会社 発光装置、並びに、当該発光装置を用いた照明器具及び表示装置
JP6669147B2 (ja) * 2016-10-31 2020-03-18 日亜化学工業株式会社 発光装置
EP3645661B1 (en) * 2017-06-29 2023-03-29 Intematix Corporation Solid-state light emitting devices and filaments
US10056530B1 (en) * 2017-07-31 2018-08-21 Eie Materials, Inc. Phosphor-converted white light emitting diodes having narrow-band green phosphors
CN108057644B (zh) * 2017-12-28 2019-12-03 鸿利智汇集团股份有限公司 一种led分光方法
US10608149B2 (en) 2018-03-30 2020-03-31 Nichia Corporation Wavelength converting member and light emitting device
JP6667027B1 (ja) * 2019-03-29 2020-03-18 デンカ株式会社 蛍光体粉末、複合体および発光装置
CN113646407B (zh) * 2019-04-09 2023-08-18 电化株式会社 氮化物荧光体和发光装置
CN110145724B (zh) * 2019-04-29 2021-02-02 佛山市国星光电股份有限公司 白色光源、灯条及灯具
CN113388400B (zh) * 2021-06-03 2023-06-30 西安鸿宇光电技术有限公司 一种黄绿色力致发光材料及其制备方法和应用

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8400660A (nl) * 1984-03-01 1985-10-01 Philips Nv Luminescerend scherm.
JP2927279B2 (ja) 1996-07-29 1999-07-28 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
JPH10163535A (ja) 1996-11-27 1998-06-19 Kasei Optonix Co Ltd 白色発光素子
JP2900928B2 (ja) 1997-10-20 1999-06-02 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
US6680569B2 (en) * 1999-02-18 2004-01-20 Lumileds Lighting U.S. Llc Red-deficiency compensating phosphor light emitting device
JP3726131B2 (ja) * 2002-05-23 2005-12-14 独立行政法人物質・材料研究機構 サイアロン系蛍光体
JP3668770B2 (ja) * 2001-06-07 2005-07-06 独立行政法人物質・材料研究機構 希土類元素を付活させた酸窒化物蛍光体
US6632379B2 (en) * 2001-06-07 2003-10-14 National Institute For Materials Science Oxynitride phosphor activated by a rare earth element, and sialon type phosphor
DE10133352A1 (de) * 2001-07-16 2003-02-06 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
EP1447853B1 (en) * 2001-10-01 2012-08-08 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting element and light emitting device using this
JP2003321675A (ja) * 2002-04-26 2003-11-14 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物蛍光体及びその製造方法
JP4072632B2 (ja) * 2002-11-29 2008-04-09 豊田合成株式会社 発光装置及び発光方法
US7074346B2 (en) * 2003-02-06 2006-07-11 Ube Industries, Ltd. Sialon-based oxynitride phosphor, process for its production, and use thereof
JP2005048105A (ja) * 2003-07-30 2005-02-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 蛍光体組成物およびそれを用いた発光装置
JP2005063836A (ja) * 2003-08-13 2005-03-10 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置及び照明装置ならびに画像表示装置
JP4834827B2 (ja) * 2003-10-03 2011-12-14 独立行政法人物質・材料研究機構 酸窒化物蛍光体
US7442326B2 (en) * 2003-10-29 2008-10-28 Lumination Llc Red garnet phosphors for use in LEDs
JP2005286312A (ja) * 2004-03-02 2005-10-13 Fujikura Ltd 発光デバイス及び照明装置
JP3921545B2 (ja) * 2004-03-12 2007-05-30 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体とその製造方法
JP4674348B2 (ja) * 2004-09-22 2011-04-20 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体とその製造方法および発光器具

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012073887A1 (ja) 2010-11-30 2012-06-07 パナソニック株式会社 蛍光体及び発光装置
US8816377B2 (en) 2010-11-30 2014-08-26 Panasonic Corporation Phosphor and light emitting device
KR101455595B1 (ko) * 2011-08-02 2014-10-28 에버라이트 일렉트로닉스 컴패니 리미티드 형광 조성물 및 이를 이용한 백색광 발광 장치

Also Published As

Publication number Publication date
EP1710291A3 (en) 2006-12-20
TW200635087A (en) 2006-10-01
CN1881629A (zh) 2006-12-20
JP2006261512A (ja) 2006-09-28
EP1710291A2 (en) 2006-10-11
KR20060101295A (ko) 2006-09-22
US7253446B2 (en) 2007-08-07
KR100754034B1 (ko) 2007-09-04
DE602006012391D1 (de) 2010-04-08
CN100420052C (zh) 2008-09-17
TWI296448B (en) 2008-05-01
US20060208262A1 (en) 2006-09-21
EP1710291B1 (en) 2010-02-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4104013B2 (ja) 発光デバイス及び照明装置
JP4963705B2 (ja) 発光デバイス及び照明装置
JP4045298B2 (ja) 発光デバイス及び照明装置
JP5145534B2 (ja) 蛍光体とその製造方法および照明器具
EP1449264B1 (en) Photoluminescent material for light emitting diodes, and light emitting diode
KR100806243B1 (ko) 산질화물 형광체 및 발광 디바이스
KR20070103087A (ko) 형광체 및 그 형광체를 이용한 전구색광을 발하는 전구색광발광 다이오드 램프
JP2007088248A (ja) 有色発光ダイオードランプ、装飾用照明装置及びカラーディスプレイサイン装置
JP6287268B2 (ja) 発光装置
JPWO2006025261A1 (ja) 酸窒化物蛍光体及び発光デバイス
JP5100059B2 (ja) 蛍光体、その製造方法およびそれを用いた発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20071220

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20071220

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20071220

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20080219

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080311

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080319

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4104013

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110404

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120404

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130404

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130404

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140404

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250