JP4102446B2

JP4102446B2 - ジフルオロフェニル誘導体、液晶性化合物および液晶組成物

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Publication number: JP4102446B2
Application number: JP52754398A
Authority: JP
Inventors: 孝加藤; 秋一松井; 和利宮沢; 房幸竹下; 悦男中川
Original assignee: Chisso Corp
Current assignee: JNC Corp
Priority date: 1996-12-16
Filing date: 1997-12-16
Publication date: 2008-06-18
Anticipated expiration: 2017-12-16
Also published as: TW473536B; EP0949232A1; AU5413198A; EP0949232A4; US20020038858A1; WO1998027036A1; US6458433B1

Description

技術分野
本発明は液晶性化合物および液晶組成物に関し、さらに詳しくは化合物中にブチレン基またはプロピレンオキシ基と２，３−ジフルオロフェニル基を同時に有する新規な液晶性化合物、およびこれらを含有する液晶組成物、さらにはこの液晶組成物を用いて構成した液晶表示素子に関する。
背景技術
液晶性化合物（本願において、液晶性化合物なる用語は、液晶相を示す化合物および液晶相を示さないが液晶組成物の構成成分として有用である化合物の総称として用いる。）の特性である屈折率異方性、誘電率異方性を利用した表示素子は、時計をはじめとして電卓、ワープロ、テレビ等に広く利用され、需要も年々高くなってきている。
液晶相はネマチック相、スメクチック相、コレステリック相に大別され、そのうちネマチック相を利用した表示素子が現在最も広く利用されている。さらに液晶表示に応用されている表示方式としては電気光学効果に対して、ＴＮ（ねじれネマチック）表示方式、ＤＳ（動的散乱）表示方式、ゲスト−ホスト表示方式、ＤＡＰ表示方式等がある。
近年液晶ディスプレイのカラー化が急速に進み、その表示方式はＴＮ表示方式では薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）表示方式およびスーパーツイストネマチック（ＳＴＮ）表示方式が主流である。そして、現在のテレビ画面の主流であるＣＲＴはいずれ液晶ディスプレイにより取って替わられると予想される。これを実現するためにはＣＲＴに匹敵する表示特性を有しなければならない。
これまで、液晶ディスプレイの開発においては応答速度、コントラストおよび視野角の改善が重要課題として特に注力されてきた。その中でも応答速度およびコントラストについては、ＴＦＴ表示方式において改良を重ねることにより、ＣＲＴと肩を並べる程になった。しかしながら、視野角については液晶分子の配向方向の改良、位相差板の使用等いくつかの改良が行われているが、未だＣＲＴに匹敵するような広い視野角は実現されていない。
昨今この広視野角化を実現する方式として、ＴＦＴ表示方式と同様のアクティブマトリックス方式であるが、櫛歯型電極が片側基盤上のみに形成されていることを特徴とするイン−プレーン−スイッチング（ＩＰＳ）表示方式が脚光を浴びている（G.Baur,Freiburger Arbeistagung Flussigkristalle,Abstract No.22(1993)、M.Oh-e等ASIA DISPLAY’95, 577, (1995)）。このＩＰＳ表示方式で、誘電異方性値（Δε）が負の液晶性化合物を用いると、飛躍的に広い視野角が得られた。
しかしこのＩＰＳ表示方式は、従来のＴＦＴ表示方式やＳＴＮ表示方式と比較して応答速度がかなり遅いという欠点を持っている。そこで、ＩＰＳ表示方式では△εが負に大きく、かつ低粘性である液晶性化合物が要求されている。
また、上述のようにＩＰＳ方式ではアクティブマトリックス駆動方式を利用していることから、電圧保持率（Ｖ．Ｈ．Ｒ）の高い液晶性化合物の方が好ましい。
負の誘電率異方性値を有する種々の化合物が既に知られている。特開平２−４７２４号、特表平２−５０３４４１号、特表平２−５０３４４１号にはΔεが負の液晶化合物として、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン基をその部分構造に有する化合物が開示されている。
このような部分構造を有する化合物では、２位、３位に置換したフッ素原子が分子の短軸方向の双極子モーメントを大きくするように作用をし、長軸方向の双極子モーメントが短軸方向の双極子モーメントより小さくなり、その結果、負の誘電率異方性値を有するようになるものと考えられる。しかしながら、このような部分構造を有する化合物は、フェニレン基がフッ素原子で置換されていないのものと比較して液晶相を示す温度領域が多少狭くなり、かつ、他の液晶性化合物との相溶性、特に極低温下での相溶性は良好とは言い難く、低温領域において液晶組成物中にスメクチック相が発現したり結晶が析出する等の現象が見られる場合があった。
特表平２−５０３４４１号には下記の化合物（ａ）が記載されている。

（式中、Ｒ及びＲ’はアルキル基またはアルコキシ基を示す。）
上記公報には化合物の構造式の記載はあるものの、この化合物の液晶性化合物としての有用性を判断するための物性値等は全く記載されていない。本発明者らの考察では、上記化合物（ａ）は骨格構造中の結合基として、１，２−エチレン基を有していることから、１，２−エチレン基の無いものと比較して相溶性の向上が予想できるが、その効果は充分とは言えない。
発明の開示
本発明の目的は、上記従来技術の課題を克服するため、特に液晶相温度領域が広く、低粘性で、△εが負に大きくさらには低温での溶解性が改善された液晶性化合物、これを含む液晶組成物および該液晶組成物を用いて構成した液晶表示素子を提供することである。
そこで本発明者らは化合物構造中にブチレン基またはプロピレンオキシ基と２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン基とを同時に有する一般式（１）で表される化合物を鋭意検討したところ、これらの化合物は液晶相を示す温度領域が広く、低粘性であり、Δεが負に大きいという特徴を有すると共に、低温下での相溶性に著しく優れた特徴を有することを見いだし本発明を完成するに至った。
すなわち、本願で特許請求される発明は以下のとおりである。
〔１〕一般式（１）

式中、Ｒ¹は炭素数１〜１５のアルキル基を示し、このアルキル基中の相隣接しない任意のメチレン基は酸素原子またはビニレン基で置換されていてもよく、またこのアルキル基中の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく；環Ａ¹、環Ａ²、及び環Ａ³は互いに独立してトランス−１，４−シクロヘキシレン基、ピリミジン−２，５−ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル基、１，３−ジチアン−２，５−ジイル基、テトラヒドロチオピラン−２，５−ジイル基、または六員環上の１個以上の水素原子がハロゲン原子で置換されていてもよい、１，４−フェニレン基を示し；ｍ及びｎは互いに独立して０または１を示し；Ｘ¹、Ｘ²及びＸ³は各々独立して−（ＣＨ₂）₄−、−（ＣＨ₂）₃Ｏ−、−Ｏ（ＣＨ₂）₃−または単結合を示すが、ｍ及びｎが１であるときＸ ¹ 、Ｘ ² 及びＸ ³ のいずれか１つは−（ＣＨ ₂ ） ₄ −、−（ＣＨ ₂ ） ₃ Ｏ−、または−Ｏ（ＣＨ ₂ ） ₃ −であり、ｍが１であってｎが０であるときＸ ¹ 及びＸ ² のいずれか１つは−（ＣＨ ₂ ） ₄ −、−（ＣＨ ₂ ） ₃ Ｏ−または−Ｏ（ＣＨ ₂ ） ₃ −であり、ｍが０であってｎが１であるときＸ ¹ 及びＸ ³ のいずれか１つは−（ＣＨ ₂ ） ₄ −、−（ＣＨ ₂ ） ₃ Ｏ−または−Ｏ（ＣＨ ₂ ） ₃ −であり、そしてｍ及びｎが０であるときＸ ¹ は−（ＣＨ ₂ ） ₄ −、−（ＣＨ ₂ ） ₃ Ｏ−または−Ｏ（ＣＨ ₂ ） ₃ −であり；Ｙ¹は水素原子または炭素数１〜１５のアルキル基を示し、このアルキル基中の相隣接しない任意のメチレン基は酸素原子またはビニレン基で置換されていてもよく；また、この化合物を構成する各原子はその同位体で置換されていてもよい。ただし、ｍ及びｎがいずれも０であって環Ａ ¹ がトランス−１，４−シクロヘキシレン基であるとき、Ｘ ¹ は−（ＣＨ ₂ ） ₄ −または−Ｏ（ＣＨ ₂ ） ₃ −であり；ｍが１であってｎが０であり、環Ａ ¹ 及び環Ａ ² がトランス−１，４−シクロヘキシレン基であり、そしてＸ ¹ が単結合であるとき、Ｘ ² は−（ＣＨ ₂ ） ₄ −、または−Ｏ（ＣＨ ₂ ） ₃ −であり；ｍが０であってｎが１であり、環Ａ ¹ 及び環Ａ ³ がトランス−１，４−シクロヘキシレン基であり、そしてＸ ¹ が単結合であるとき、Ｘ ³ は−（ＣＨ ₂ ） ₄ −、または−Ｏ（ＣＨ ₂ ） ₃ −である。で表される液晶性化合物。
〔２〕一般式（１）において、環Ａ¹がトランス−１，４−シクロヘキシレン基、または六員環上の１個以上の水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい１，４−フェニレン基であり、ｍ及びｎがいずれも０であり、Ｘ¹が−（ＣＨ₂）₄−または−（ＣＨ₂）₃Ｏ−であるが、環Ａ ¹ がトランス−１，４−シクロヘキシレン基であるときＸ ¹ は−（ＣＨ ₂ ） ₄ −である前記〔１〕項に記載の液晶性化合物。
〔３〕一般式（１）において、環Ａ¹、及び環Ａ²が互いに独立して、トランス−１，４−シクロヘキシレン基、または六員環上の１個以上の水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい１，４−フェニレン基であり、Ｘ¹が−（ＣＨ₂）₄−または−（ＣＨ₂）₃Ｏ−であり、Ｘ²が単結合、ｍが１、ｎが０である前記〔１〕項に記載の液晶性化合物。
〔４〕一般式（１）において、環Ａ¹および環Ａ²が互いに独立して、トランス−１，４−シクロヘキシレン基、または六員環上の１個以上の水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい１，４−フェニレン基であり、ｍが１であってｎが０であり、Ｘ ¹ が単結合であり、Ｘ²が−（ＣＨ₂）₄−または−（ＣＨ₂）₃Ｏ−であるが、環Ａ ¹ 及び環Ａ ² が共にトランス−１，４−シクロヘキシレン基であるときＸ ² は−（ＣＨ ₂ ） ₄ −である前記〔１〕項に記載の液晶性化合物。
〔５〕一般式（１）において、環Ａ¹、環Ａ²、及び環Ａ³が互いに独立して、トランス−１，４−シクロヘキシレン基、または六員環上の１個以上の水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい１，４−フェニレン基であり、Ｘ¹が−（ＣＨ₂）₄−または−（ＣＨ₂）₃Ｏ−であり、Ｘ²およびＸ³がいずれも単結合であり、ｍが１、ｎが１である前記〔１〕項に記載の液晶性化合物。
〔６〕一般式（１）において、環Ａ¹、環Ａ²、及び環Ａ³が互いに独立して、トランス−１，４−シクロヘキシレン基、または六員環上の１個以上の水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい１，４−フェニレン基であり、Ｘ²が−（ＣＨ₂）₄−または−（ＣＨ₂）₃Ｏ−であり、Ｘ¹およびＸ³がいずれも単結合であり、ｍが１、ｎが１である前記〔１〕項に記載の液晶性化合物。
〔７〕一般式（１）において、環Ａ¹、環Ａ²、及び環Ａ³が互いに独立して、トランス−１，４−シクロヘキシレン基、または六員環上の１個以上の水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい１，４−フェニレン基であり、Ｘ³が−（ＣＨ₂）₄−または−（ＣＨ₂）₃Ｏ−であり、Ｘ¹およびＸ²がいずれも単結合であり、ｍが１、ｎが１である前記〔１〕項に記載の液晶性化合物。
〔８〕一般式（１）

式中、Ｒ¹は炭素数１〜１５のアルキル基を示し、このアルキル基中の相隣接しない任意のメチレン基は酸素原子またはビニレン基で置換されていてもよく、またこのアルキル基中の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく；環Ａ¹、環Ａ²、及び環Ａ³は互いに独立してトランス−１，４−シクロヘキシレン基、ピリミジン−２，５−ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル基、１，３−ジチアン−２，５−ジイル基、テトラヒドロチオピラン−２，５−ジイル基、または六員環上の１個以上の水素原子がハロゲン原子で置換されていてもよい、１，４−フェニレン基を示し；ｍ及びｎは互いに独立して０または１を示し；Ｘ¹、Ｘ²及びＸ³は各々独立して−（ＣＨ₂）₄−、−（ＣＨ₂）₃Ｏ−、−Ｏ（ＣＨ₂）₃−または単結合を示すが、ｍ及びｎが１であるときＸ ¹ 、Ｘ ² 及びＸ ³ のいずれか１つは−（ＣＨ ₂ ） ₄ −、−（ＣＨ ₂ ） ₃ Ｏ−、または−Ｏ（ＣＨ ₂ ） ₃ −であり、ｍが１であってｎが０であるときＸ ¹ 及びＸ ² のいずれか１つは−（ＣＨ ₂ ） ₄ −、−（ＣＨ ₂ ） ₃ Ｏ−または−Ｏ（ＣＨ ₂ ） ₃ −であり、ｍが０であってｎが１であるときＸ ¹ 及びＸ ³ のいずれか１つは−（ＣＨ ₂ ） ₄ −、−（ＣＨ ₂ ） ₃ Ｏ−または−Ｏ（ＣＨ ₂ ） ₃ −であり、そしてｍ及びｎが０であるときＸ ¹ は−（ＣＨ ₂ ） ₄ −、−（ＣＨ ₂ ） ₃ Ｏ−または−Ｏ（ＣＨ ₂ ） ₃ −であり；Ｙ¹は水素原子または炭素数１〜１５のアルキル基を示し、このアルキル基中の相隣接しない任意のメチレン基は酸素原子またはビニレン基で置換されていてもよく；また、この化合物を構成する各原子はその同位体で置換されていてもよい。ただし、ｍ及びｎがいずれも０であって環Ａ ¹ がトランス−１，４−シクロヘキシレン基であるとき、Ｘ ¹ は−（ＣＨ ₂ ） ₄ −または−Ｏ（ＣＨ ₂ ） ₃ −であり；ｍが１であってｎが０であり、環Ａ ¹ 及び環Ａ ² がトランス−１，４−シクロヘキシレン基であり、そしてＸ ¹ が単結合であるとき、Ｘ ² は−（ＣＨ ₂ ） ₄ −、または−Ｏ（ＣＨ ₂ ） ₃ −であり；ｍが０であってｎが１であり、環Ａ ¹ 及び環Ａ ³ がトランス−１，４−シクロヘキシレン基であり、そしてＸ ¹ が単結合であるとき、Ｘ ³ は−（ＣＨ ₂ ） ₄ −、または−Ｏ（ＣＨ ₂ ） ₃ −である。で表される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とする、少なくとも２成分からなる液晶組成物。
〔９〕第一成分として〔１〕〜〔７〕項のいずれかに記載された液晶性化合物を少なくとも１種類含有し、第二成分として、一般式（２）、（３）及び（４）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とする液晶組成物。

（式中、Ｒ²は炭素数１〜１０のアルキル基を示し、このアルキル基中の相隣接しない任意のメチレン基は、酸素原子またはビニレン基で置換されていてもよく、またこのアルキル基中の任意の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく；Ｙ²はフッ素原子、塩素原子、−ＯＣＦ₃、−ＯＣＦ₂Ｈ、−ＣＦ₃、−ＣＦ₂Ｈ、−ＣＦＨ₂，−ＯＣＦ₂ＣＦ₂Ｈ、または−ＯＣＦ₂ＣＦＨＣＦ₃を示し；Ｌ¹及びＬ²は互いに独立して水素原子またはフッ素原子を示し；Ｚ¹及びＺ²は互いに独立して１，２−エチレン基、ビニレン基、１，４−ブチレン基、−ＣＯＯ−、−ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂−または単結合を示し；環Ｂはトランス−１，４−シクロヘキシレン基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基、または水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい１，４−フェニレン基を示し；環Ｃはトランス−１，４−シクロヘキシレン基、または水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい１，４−フェニレン基を示し；また、これらの化合物を構成する各原子はその同位体で置換されていてもよい。）
〔１０〕第一成分として前記〔１〕〜〔７）項のいずれか１項に記載の液晶性化合物を少なくとも１種類含有し、第二成分として、一般式（５）及び（６）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とする液晶組成物。

（式中、Ｒ³及びＲ⁴は互いに独立して炭素数１〜１０のアルキル基を示し、このアルキル基中の相隣接しない任意のメチレン基は酸素原子またはビニレン基で置換されていてもよく、またこのアルキル基中の任意の水素原子はフッ素原子で置換されていてももよく；Ｙ³は、−ＣＮまたは−Ｃ≡Ｃ−ＣＮを示し；環Ｄはトランス−１，４−シクロヘキシレン基、１，４−フェニレン基、ピリミジン−２，５−ジイル基または１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基を示し；環Ｅはトランス−１，４−シクロヘキシレン基、ピリミジン−２，５−ジイル基、または水素原子がフッ素原子で置換されていてももよい１，４−フェニレン基を示し；環Ｆはトランス−１，４−シクロヘキシレン基または１，４−フェニレン基を示し；Ｚ³は１，２−エチレン基、−ＣＯＯ−または単結合を示し；Ｌ³、Ｌ⁴及びＬ⁵は互いに独立して水素原子またはフッ素原子を示し；ａ、ｂ及びｃは互いに独立して０または１を示し；また、これらの化合物を構成する各原子はその同位体で置換されていてもよい。）
〔１１〕第一成分として前記〔１〕項〜〔７〕項のいずれかに記載の液晶性化合物を少なくとも１種類含有し、第二成分として一般式（２）、（３）及び（４）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有し、第三成分として一般式（７）、（８）及び（９）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とする液晶組成物。

（式中、Ｒ⁵およびＲ⁶は互いに独立して炭素数１〜１０のアルキル基を示し、これらのアルキル基中の相隣接しない任意のメチレン基は酸素原子またはビニレン基で置換されていてもよく、また、これらのアルキル基中の任意の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく；環Ｇ、環Ｉ及び環Ｊは互いに独立して、トランス−１，４−シクロヘキシレン基、ピリミジン−２，５−ジイル基または１つの水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい１，４−フェニレン基を示し；Ｚ⁴及^びＺ⁵は互いに独立して、１，２−エチレン基、ビニレン基、−ＣＯＯ−、−Ｃ≡Ｃ−または単結合を示し；また、これらの化合物を構成する各原子はその同位体で置換されていてもよい。）
〔１２〕第一成分として、前記〔１〕項〜〔７〕項のいずれかに記載の液晶性化合物を少なくとも１種含有し、第二成分として、一般式（２）、（３）及び（４）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有し、第三成分として、一般式（１０）、（１１）及び（１２）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とする液晶組成物。

（式中、Ｒ⁷及びＲ⁸は互いに独立して炭素数１〜１０のアルキル基を示し、これらのアルキル基中の相隣接しない任意のメチレン基は酸素原子またはビニレン基で置換されていてもよく、また、これらのアルキル基中の任意の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく；環Ｋ及び環Ｍは互いに独立してトランス−１，４−シクロヘキシレン、または１，４−フェニレンを示し；Ｌ₆及びＬ₇は互いに独立して水素原子またはフッ素原子を示すが同時に水素原子を示すことはなく；Ｚ₆及びＺ₇は互いに独立して、−ＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＣＯＯ−または単結合を示し；また、これらの化合物を構成する各原子はその同位体で置換されていてもよい。）
〔１３〕第一成分として、前記〔１〕〜〔７〕項のいずれか１項に記載の液晶性化合物を少なくとも１種含有し、第二成分として、前記一般式（７）、（８）及び（９）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有し、第三成分として、前記一般式（１０）、（１１）及び（１２）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とする液晶組成物。
〔１４〕第一成分として、前記〔１〕〜〔７〕項のいずれか１項に記載の液晶性化合物を少なくとも１種含有し、第二成分として、前記一般式（２）、（３）及び（４）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有し、第三成分として、前記一般式（７）、（８）及び（９）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とする液晶組成物。
〔１５〕第一成分として、前記〔１〕〜〔７〕項のいずれか１項に記載の液晶性化合物を少なくとも１種含有し、第二成分として、前記一般式（５）及び（６）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有し、第三成分として、前記一般式（７）、（８）及び（９）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とする液晶組成物。
〔１６〕第一成分として、前記〔１〕〜〔７〕項のいずれか１項に記載の液晶性化合物を少なくとも１種含有し、第二成分として、前記一般式（２）、（３）及び（４）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有し、第三成分として、前記一般式（５）及び（６）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有し、第四成分として、前記一般式（７）、（８）及び（９）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とする液晶組成物。
〔１７〕前記〔８〕〜〔１６〕項のいずれか１項に記載の液晶組成物に加えて、さらに１種類以上の光学活性化合物を含有することを特徴とする液晶組成物。
〔１８〕前記〔８〕〜〔１７〕項のいずれか１項に記載の液晶組成物を用いて構成した液晶表示素子。
一般式（１）で表される本発明の液晶性化合物は、ブチレン基またはプロピレンオキシ基と２，３−ジフルオロフェニル基とを分子構造内に同時に有する２〜４環系の化合物である。これらの液晶性化合物は、液晶表示素子が使用される環境下において物理的および化学的にも極めて安定であることは勿論のこと、液晶相を示す温度領域が広く、低温下でも液晶組成物への溶解性が良く、低粘性であり、さらに△εが負に大きいことを特徴とする。
従来技術の項にも示したように、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン基を部分構造として有する化合物は既に特許公報等に開示されているが、結合基としての１，４−ブチレン基あるいはプロピレンオキシ基と２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン基とを同時に有する化合物が上述の特徴を示すことは本発明者らが初めて発見した事実であり、このような事実を従来の技術から予測することは困難である。
本発明の化合物においては、分子構成要素のうち環構造、結合基または側鎖の構造を適当に選ぶことにより、所望の物性値を任意に調整することが可能である。よって、本発明の化合物を液晶組成物の成分として用いることにより、良好な特性−具体的には、
１）広い液晶相温度領域を有する、
２）低粘性で、△εが負に大きい、
３）極低温下においても結晶の析出、スメクチック相の発現が見られない、
４）化学的および物理的に安定である、
などの特性を示し、かつ、
使用温度領域の拡大、低電圧駆動、高速応答ならびに高コントラストの実現が可能な新規な液晶組成物および液晶表示素子を提供し得る。
本発明の化合物はいずれも好適な物性を示すが、一般式（１）において、環Ａ¹、環Ａ²、環Ａ³、Ｘ¹、Ｘ²、Ｘ³、ｍおよびｎを適切に選択した化合物を使用することにより、目的に応じた物性値を有する液晶組成物を調製できる。
すなわち△εが負に大きな化合物が必要であれば、環Ａ¹、環Ａ²、及び環Ａ³のいずれかに２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン基を適宜選択すればよく、大きな屈折率異方性値の化合物が必要であれば、環Ａ¹、環Ａ²、及び環Ａ³のいずれかが１，４−フェニレン基であり、Ｘ¹、Ｘ²、及びＸ³がいずれも単結合である化合物を適宜選択すれば良い。また、液晶温度領域が高温側にある化合物が必要であれば三環系または四環系化合物を、液晶温度領域が低温側ににある化合物が必要であれば二環系化合物を、それぞれ適宜選択すればよい。
また、１，４−フェニレン基上の水素原子がフッ素原子で置換された化合物は特に優れた低温溶解性を示す。
一般式（１）で表される化合物の中で特に好ましいものとして下記の一般式（１−１）〜（１−１２）で表される化合物を挙げることができる。

（式中、環Ａ¹、環Ａ²、環Ａ³、およびＹ¹は前記と同一の意味を表す。但し、式（１−２）において環Ａ ¹ は１，４−シクロヘキシレン基ではなく、式（１−６）において環Ａ ¹ と環Ａ ² が同時に１，４−シクロヘキシレン基であることはない。）
上記の化合物において、Ｒ¹は炭素数１〜１５の、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、アルケニルオキシ基、アルケニルオキシアルキル基またはアルキルオキシアルケニル基であるが、その中でも特に好ましい基は、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、メトキシメチル、エトキシメチル、プロポキシメチル、ブトキシメチル、メトキシエチル、エトキシエチル、プロポキシエチル、メトキシプロピル、エトキシプロピル、プロポキシプロピル、ビニル、１−プロペニル、２−プロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、３−ペンテニル、４−ペンテニル、２−プロペニルオキシ、２−ブテニルオキシ、２−ペンテニルオキシ、４−ペンチニルオキシ、メトキシ−１−プロペニル、メトキシ−１−ペンテニル、メトキシ−３−ペンテニルである。
上記の化合物において、Ｙ¹は水素原子、炭素数１〜１５の、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、アルケニルオキシ基、アルケニルオキシアルキル基もしくはアルキルオキシアルケニル基であるが、その中でも特に好ましい基は、
メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、メトキシメチル、エトキシメチル、プロポキシメチル、ブトキシメチル、メトキシエチル、エトキシエチル、プロポキシエチル、メトキシプロピル、エトキシプロピル、プロポキシプロピルである。
以下、本発明の液晶組成物に関して説明する。本発明の液晶組成物は、一般式（１）で表される化合物の少なくとも１種類を０．１〜９９．９重量％の割合で含有することが、優良な特性を発現せしめるために好ましい。
さらに好ましくは、本発明により提供される液晶組成物は、一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種類含有する第一成分に加え、液晶組成物の目的に応じて、一般式（２）〜（９）で表される化合物群から選択される化合物を混合することにより完成する。
上記本発明の第１２及び第１３は、Ｎ型（εΔが負）の液晶組成物に関する発明である。Ｎ型の液晶組成物はＰ型（Δεが正）の液晶組成物と同様に、例えばＩＰＳモード（In Plane Switching Mode）のように、種々の駆動方式で駆動できる。また、本発明の第９、１０、１１、１４、１５および１６は、Ｐ型の液晶組成物に関する発明である。このようなＰ型の液晶組成物にＮ型の液晶性化合物を添加することにより、液晶組成物の弾性定数のコントロールや、低温における相溶性を改善することができる。
本発明の液晶組成物に用いられる一般式（２）〜（４）で表されるの化合物として、好ましくは以下の化合物を挙げることができる。（式中、Ｒ²およびＹ²は前記と同一の意味を示す。）

一般式（２）〜（４）で表される化合物は誘電率異方性値が正の化合物であり、熱的安定性や化学的安定性が非常に優れており、特に電圧保持率の高い、あるいは比抵抗値の大きいと言った高信頼性が要求されるＴＦＴ（ＡＭ−ＬＣＤ）表示方式用の液晶組成物を調製する場合に有用な化合物である。
ＴＦＴ表示方式用の液晶組成物を調製する場合、一般式（２）〜（４）で表される化合物の使用量は、液晶組成物の全重量に対して０．１〜９９．９重量％の範囲で使用できるが、好ましくは１０〜９７重量％、より好ましくは４０〜９５重量％である。また、一般式（７）〜（９）で表される化合物を、粘度調整の目的でさらに含有してもよい。ＳＴＮ表示方式またはＴＮ表示方式用の液晶組成物を調製する場合にも一般式（２）〜（４）で表される化合物を使用することができる。その場合、５０重量％以下の使用量が好ましい。
本発明の液晶組成物に用いられる一般式（５）〜（６）で表される化合物として、好ましくは以下の化合物を挙げることができる。（式中、Ｒ³、Ｒ⁴及びＹ³は前記と同一の意味を示す。）

一般式（５）〜（６）で表される化合物は、誘電率異方性値が正でその値が大きく、特に液晶組成物のしきい値電圧を小さくする目的で使用される。また、屈折率異方性値の調整、透明点を高くする等のネマチックレンジを広げる目的にも使用される。さらに、ＳＴＮ表示方式またはＴＮ表示方式用の液晶組成物のＶ−Ｔ曲線の急峻性を改良する目的にも使用される。
一般式（５）〜（６）で表される化合物は、特にＳＴＮ表示方式またはＴＮ表示方式用の液晶組成物を調製する場合に有用な化合物である。
液晶組成物中の一般式（５）〜（６）で表される化合物の含有量を増加させると、液晶組成物のしきい値電圧は小さくなるが、粘度が上昇する。したがって、液晶組成物の粘度が要求特性を満足する限り、多量に使用した方が低電圧駆動を可能とするので有利である。
ＳＴＮ表示方式またはＴＮ表示方式用の液晶組成物を調製する場合、一般式（５）〜（６）で表される化合物の使用量は、０．１〜９９．９重量％の範囲であるが、好ましくは１０〜９７重量％、より好ましくは４０〜９５重量％である。
本発明の液晶組成物に用いられる一般式（７）〜（９）で表される化合物として、好ましくは、以下の化合物を挙げることができる。（式中、Ｒ⁵及びＲ⁶は前記と同一の意味を示す）

一般式（７）〜（９）で表される化合物は、誘電率異方性の絶対値が小さく、中性に近い化合物である。一般式（７）で表される化合物は、主として液晶組成物の粘度調整または屈折率異方性値の調整の目的で使用される。また、一般式（８）および（９）で表される化合物は、液晶組成物の透明点を高くする等のネマチックレンジを広げる目的または屈折率異方性値の調整の目的で使用される。
液晶組成物中の一般式（７）〜（９）で表される化合物の含有量を増加させると、液晶組成物のしきい値電圧は大きくなるが、粘度は小さくなる。従って、液晶組成物のしきい値電圧が要求特性を満足している限り、多量に使用することが望ましい。ＴＦＴ用の液晶組成物を調整する場合、一般式（７）〜（９）で表される化合物の使用量は、好ましくは４０重量％以下、より好ましくは３５重量％以下である。また、ＳＴＮ表示方式またはＴＮ表示方式用の液晶組成物を調整する場合には、好ましくは７０重量％以下、より好ましくは６０重量％以下である。
本発明の液晶組成物に用いられる一般式（１０）〜（１２）で表される化合物として、好ましくは以下の化合物を挙げることができる。（式中、Ｒ⁷およびＲ⁸は前記と同一の意味を示す）

一般式（１０）〜（１２）で表される化合物は誘電率異方性の値が負の化合物である。一般式（１０）で表される化合物は２環化合物であり、主としてしきい値電圧の調整、粘度の調整または屈折率異方正値の調整の目的で使用される。一般式（１１）で表される化合物は透明点を高くする等のネマチックレンジを広げる目的、又は屈折率異方正値の調整の目的で使用される。一般式（１２）で表される化合物はネマチックレンジを広げる目的の他、しきい値電圧を小さくする目的、および屈折率異方正値を大きくする目的で使用される。
一般式（１０）〜（１２）で表される化合物は主としてＮ型（誘電率異方性Δεが負）組成物に使用されるが、その使用量を増加させると液晶組成物のしきい値電圧は小さくなるが、粘度が大きくなる。したがって、液晶組成物のしきいち電圧を満足している限り、少量の使用が望ましい。しかしながら、これらの化合物は誘電異方性値の絶対値が５以下であるので、使用量が４０重量％より少なくなると低電圧駆動ができなくなる場合がある。
液晶組成物中の一般式（１０）〜（１２）で表される化合物の使用量は、Ｎ型のＴＦＴ用液晶組成物を調製する場合には４０重量％以上が好ましく、５０〜９５重量％が公的である。
また、液晶組成物の弾性定数をコントロールし、電圧−透過率曲線（Ｖ−Ｔカーブ）を制御する目的で、一般式（１０）〜（１２）で表される化合物をＰ型（誘電率異方性Δεが正）液晶組成物に添加する場合もある。このような場合には、液晶組成物中の一般式（１０）〜（１２）で表される化合物の使用量は３０重量％以下が好ましい。
また本発明の液晶組成物では、ＯＣＢ（Optically Compensated Birefringence）モード用液晶組成物等の特別な場合を除き、通常、液晶組成物のらせん構造を誘起して必要なねじれ角を調整し、逆ねじれ（reverse twist）を防ぐ目的で、光学活性化合物を添加する。本発明の液晶組成物には、このような目的で使用される公知の光学活性化合物がいずれも使用できるが、好ましくは以下の光学活性化合物を挙げることができる。

本発明の液晶組成物は、通常、これらの光学活性化合物を添加して、ねじれのピッチを調整する。ねじれのピッチは、ＴＦＴ用およびＴＮ用の液晶組成物では４０〜２００μｍの範囲に、ＳＴＮ用の液晶組成物では６〜２０μｍの範囲に調整するのが好ましい。また、双安定（Bistable TN）モード用の場合は、１．５〜４μｍの範囲に調整するのが好ましい。また、ピッチ長の温度依存性を調整する目的で、２種類以上の光学活性化合物を添加してもよい。
本発明の液晶組成物は、それ自体慣用な方法で調製される。一般には、種々の成分を高い温度で互いに溶解させる方法がとられている。
本発明の液晶組成物は、メロシアニン系、スチリル系、アゾ系、アゾメチン系、アゾキシ系、キノフタロン系、アントラキノン系およびテトラジン系等の二色性色素を添加して、ゲストホスト（ＧＨ）モード用の液晶組成物としても使用できる。あるいはネマチック液晶をマイクロカプセル化して作製したＮＣＡＰや、液晶中に三次元網目状高分子を作製したポリマーネットワーク液晶表示素子（ＰＮＬＣＤ）に代表されるポリマー分散型液晶表示素子（ＰＤＬＣＤ）用の液晶組成物としても使用できる。その他、複屈折制御（ＥＣＢ）モードや動的散乱（ＤＳ）モード用の液晶組成物としても使用できる。
〔化合物の製法〕
一般式（１）で表される本発明の化合物は通常の有機合成化学的手法を使用することで容易に製造できる。例えばオーガニック・シンセシス、オーガニック・リアクションズ、新実験化学講座等の成書、雑誌に記載の既知の反応を適当に選択、組み合わせることで容易に合成できる。
結合基（Ｘ¹、Ｘ²およびＸ³）の位置にブチレン基を導入する場合は、例えば下記の経路で製造できる。ただし、下記においてＭＳＧ１、ＭＳＧ２はそれぞれ独立してメソゲン（有機化合物残基）を示し、ＨａｌはＣｌ、ＢｒまたはＩを示し、環Ａはトランス−１，４−シクロヘキシレン基、六員環上の１個以上の水素原子がハロゲン原子で置換されていてもよい１，４−フェニレン基、ピリミジン−２，５−ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル基、１，３−ジチアン−２，５−ジイル基またはテトラヒドロチオピラン−２，５−ジイル基を示し、Ｙ¹は前記と同一の意味を表す。
すなわち、テトラヒドロフラン（以下ＴＨＦと略す）、ジエチルエーテル等のエーテル系溶媒中でナトリウムメチラート、カリウム−ｔ−ブトキシド（ｔ−ＢｕＯＫ）、ブチルリチウム等の塩基の存在下、２−（１，３−ジオキサン−２−イル）エチルトリフェニルホスホニウムハライド（１２）とアルデヒド誘導体（１１）とをウィッテッヒ反応させ、化合物（１３）を得る。次いでトルエン／ソルミックスの混合溶媒中、パラジウム／炭素、ラネーニッケル等の金属触媒の存在下で、化合物（１３）を水素還元した後、塩酸、硫酸等の鉱酸、蟻酸、ｐ−トルエンスルホン酸等の有機酸を作用させることにより、アルデヒド誘導体（１４）を得ることができる。
さらに、（１１）から（１３）を得た方法と同様にして、（１４）と（１５）とをウィッテッヒ反応させることにより（１６）を得ることができ、先と同様の酸を作用させることによりアルデヒド誘導体（１７）を製造できる。次いで、グリニャール試薬（１８）を（１７）に作用させて、グリニャール反応を行い、先と同様の酸を作用させ脱水し、さらに、先と同様の金属触媒を用い水素還元することにより、ブチレン基を有する誘導体（１９）を製造することができる。

結合基（Ｘ¹、Ｘ²およびＸ³）の位置にエーテル結合を有するプロピレンオキシ基を導入する場合は、例えば下記の経路で製造できる。
トルエン、ＴＨＦ、ジエチルエーテルなどの溶媒中、アルデヒド誘導体（１４）に水素化リチウムアルミニウムを作用させて還元し、アルコール誘導体（２０）を得る。このアルコール誘導体（２０）に臭化水素酸を作用させ（２１）を製造しする。水素化ナトリウムの存在下（２１）と（２２）とを反応させることによりエーテル結合を有する（２３）を製造することができる。

環構造部に２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン基を導入する場合は、例えば以下の経路で製造できる。
導入部位がベンゼン誘導体のＭＳＧ１に対して４位の場合は、
ＴＨＦ、ジエチルエーテル等のエーテル系溶媒中、ジフルオロベンゼン誘導体（２４）にｎ−ブチルリチウムまたはｓｅｃ−ブチルリチウムを作用させ、次いで塩化亜鉛を作用させた後、パラジウム（０）の金属触媒存在下２，３−ジフルオロ−１−ブロモベンゼンを作用させてカップリング反応を行うことにより（２５）を得ることができる。
また、導入部位が４位にＭＳＧ１を有するシクロヘキサノン誘導体の場合は、（２６）にグリニャール試薬（２７）を作用させてグリニャール反応を行い、先と同様の操作により脱水し、さらに水素還元することにより、（２８）を製造することができる。

また、環Ａ¹、環Ａ²および環Ａ³がシラシクロヘキサン環である化合物は、特開平７−７０１４８号、特開平７−１１２９９０号および特開平７−１４９７７０号に開示された方法に従い製造できる。
上記の反応を適宜選択することにより本願記載の化合物（１）を製造することができる。
このようにして得られる本発明の液晶性化合物（１）はいずれも液晶相を示す温度領域が広く、低粘性であり、Δεが負に大きいという特徴を有し、また他の種々の液晶材料と低温下においても容易に混合する。したがって、ＴＦＴ型表示方式およびＩＰＳ方式に適したネマチック液晶組成物の構成成分として極めて優れている。
発明を実施するための最良の形態
以下、実施例により本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により制限されるものではない。なお、化合物の構造は核磁気共鳴スペクトル（以下、¹Ｈ−ＮＭＲと略す。）、質量スペクトル（以下、ＭＳと略す。）等で確認した。実施例中、¹Ｈ−ＮＭＲのデータにおいて、ｔは三重線、ｑは四重線、ｍは多重線、Ｊはカップリング定数を表す。ＭＳのデータにおいて、Ｍ⁺は分子イオンピークを表す。また、Ｃは結晶相を、Ｓ_AはスメクチックＡ相を、Ｓ_BはスメクチックＢ相を、Ｎはネマチック相を、Ｉｓｏは等方性液体相を示し、相転移温度の単位は全て℃である。
実施例１
２，３−ジフルオロ−１−プロピル−４−（トランス−４−（４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル）シクロヘキシル）ベンゼン〔一般式（１）において、Ｒ¹がペンチル基、環Ａ¹、Ａ²がトランス−１，４−シクロヘキシレン基、Ｘ¹がブチレン基、Ｘ²が単結合、Ｙ¹がプロピル基、ｍが１、ｎが０である化合物（Ｎｏ．２０）〕の製造
第１段
窒素気流下、ＴＨＦ１００ミリリットル中にマグネシウム５２．３グラム（２１５０ミリモル）を加え、反応温度が約５０℃を保つように２，３−ジフルオロ−１−ブロモベンゼン３７８グラム（１９６０ミリモル）のＴＨＦ４．０リットル溶液を滴下した。さらに室温で１時間攪拌した後、４−（４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル）シクロヘキサノン５００グラム（１６３０ミリモル）のＴＨＦ５．０リットル溶液を滴下し、５０〜６０℃で２時間攪拌した後、飽和塩化アンモニウム水溶液１．０リットルを加えることにより反応を終了させた。反応混合物をセライト濾過し、減圧下で溶媒を留去した後、トルエン２．０リットルで抽出した。有機層を水１．０リットルで３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。濾過により無水硫酸マグネシウムを除去した後、濾液にｐ−トルエンスルホン酸一水和物２３．７グラムを加え、４時間加熱還流した。有機層を水１．０リットルで３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン）に付し、粗製の１，２−ジフルオロ−３−（４−（４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル）シクロヘキセン−１−イル）ベンゼン４３６グラムを得た。
第２段
上記の操作で得た粗製物４３６グラム（１０８０ミリモル）をトルエン／ソルミックス（１／１）の混合溶媒４．０リットルに溶解し、５ｗｔ％−パラジウム／炭素触媒２１．８グラムを加え、水素圧１〜２ｋｇ／ｃｍ²の条件下、室温で６時間攪拌した。濾過により触媒を除去した後、減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン）に付し、ヘプタンから２回再結晶することにより、１，２−ジフルオロ−３−（トランス−４−（４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル）シクロヘキシル）ベンゼン１１４グラムを得た。
第３段
窒素気流下、１，２−ジフルオロ−３−（トランス−４−（４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル）シクロヘキシル）ベンゼン３０．０グラム（７４．１ミリモル）をＴＨＦ３００ミリリットルに溶解した溶液を−７０℃まで冷却し、同温度を保ちながらｓｅｃ−ブチルリチウム（１．０Ｍ，シクロヘキサン溶液）８８．９ミリリットルを滴下し、さらに同温度で２時間攪拌した。次いで、反応液に、ｔ−ＢｕＯＫ９．９８グラム（８８．９ミリモル）をＴＨＦ１００ミリリットルに加えた懸濁溶液を同温度を保ちながら滴下し、さらに同温度で１時間攪拌した。反応液に、プロピルヨージド１５．１グラム（８８．９ミリリモル）のＴＨＦ１５０ミリリットル溶液を同温度を保ちながら滴下し、同温度で５時間攪拌した。反応混合物に水２００ミリリットルを加えることにより反応を終了させ、減圧下で溶媒を留去した。濃縮残査をトルエン５００ミリリットルで抽出し、有機層を水２００ミリリットルで３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン）に付し、粗製の２，３−ジフルオロ−１−プロピル−４−（トランス−４−（４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル）シクロヘキシル）ベンゼンを得た。この粗製物をヘプタンから３回再結晶し、標題化合物５．４０グラム（収率２．８２％）を得た。
相転移温度：Ｃ４０．２Ｓ_B ９０．９Ｎ９８．０Ｉｓｏ
¹Ｈ−ＮＭＲ：δ：（ｐｐｍ）：０．５０〜２．１０（ｍ，４５Ｈ）、２．５９（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．３Ｈｚ）、６．７０〜７．１０（ｍ，２Ｈ）．
ＭＳ：ｍ／ｅ＝４４６（Ｍ⁺）．
実施例２
１−エトキシ−２，３−ジフルオロ−４−（トランス−４−（４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル）シクロヘキシル）ベンゼン〔一般式（１）において、Ｒ¹がペンチル基、環Ａ¹及び環Ａ²がいずれもトランス−１，４−シクロヘキシレン基、Ｘ¹がブチレン基、Ｘ²が単結合、Ｙ¹がエトキシ基、ｍが１、ｎが０である化合物（Ｎｏ．２３）〕の製造
第１段
窒素気流下、１，２−ジフルオロ−３−（トランス−４−（４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル）シクロヘキシル）ベンゼン６０．０グラム（１４８ミリモル）のＴＨＦ６００ミリリットル溶液を−７０℃まで冷却し、ｓｅｃ−ブチルリチウム（１．０Ｍ、シクロヘキサン溶液）１７８ミリリットルを同温度を保ちながら滴下し、同温度で２時間攪拌した。次いで、ホウ酸トリメチル３０．８グラム（２９６ミリモル）のＴＨＦ３００ミリリットル溶液を、同温度を保ちながら滴下し、さらに同温度で２時間攪拌した。反応温度を徐々に室温まで昇温した後、酢酸８８．９グラム（１４８０ミリリモル）を加え、３０％−過酸化水素水１３４グラム（１１８０ミリモル）を滴下し、室温で３時間攪拌した。反応混合物に飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液３００ミリリットルに加えることにより反応を終了させ、減圧下で溶媒を留去した。
濃縮残査をトルエン５００ミリリットルおよびジエチルエーテル１００ミリリットルで抽出し、有機層を飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液１５０ミリリットルで２回、水２００ミリリットルで３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、残査をトルエンから再結晶して、２，３−ジフルオロ−４−（トランス−４−（４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル）シクロヘキシル）フェノール４０．０グラムを得た。
第２段
２，３−ジフルオロ−４−（トランス−４−（４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル）シクロヘキシル）フェノール４０．０グラム（９５．１ミリモル）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（以下、ＤＭＦと略す）４００ミリリットルに溶解し、水浴上で５０℃まで加温した。油性の５５％−水素化ナトリウム４．９７グラム（１１４ミリモル）を加え、同温度で１０分攪拌し、エチルブロミド１５．５グラム（１４２ミリモル）のＤＭＦ１５０ミリリットル溶液を滴下した。滴下終了後、反応温度を８０℃まで昇温し、同温度で５時間攪拌した。室温まで冷却後、反応混合物に水５００ミリリットルに加えることにより反応を終了させ、トルエン１．０リットルで抽出した。有機層を水５００ミリリットルで３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン）に付し、粗製の１−エトキシ−２，３−ジフルオロ−４−（トランス−４−（４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル）シクロヘキシル）ベンゼンを得た。この粗製物をヘプタンから２回、ヘプタン／エタノール（６／１）の混合溶媒から１回再結晶し、標題化合物１０．３グラム（収率１５．５％）を得た。
相転移温度：Ｃ７９．２Ｓ_A ９４．５Ｎ１２５．５Ｉｓｏ
¹Ｈ−ＮＭＲ：δ：（ｐｐｍ）：０．５０〜２．０５（ｍ，４１Ｈ）、２．７３（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．３Ｈｚ）、４．０９（ｑ，２Ｈ，Ｊ＝７．０Ｈｚ）、６．５０〜７．００（ｍ，２Ｈ）．
ＭＳ：ｍ／ｅ＝４４８（Ｍ⁺）．
実施例３
１−エトキシ−２，３−ジフルオロ−４−（４−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）ブチル）ベンゼン〔一般式（１）において、Ｒ¹がプロピル基、環Ａ¹及び環Ａ²がいずれもトランス−１，４−シクロヘキシレン基、Ｘ¹が共有結合、Ｘ²がブチレン基、Ｙ¹がエトキシ基、ｍが１、ｎが０である化合物（Ｎｏ．９４）〕の製造
第１段
２−（１，３−ジオキサン−２−イル）エチルトリフェニルホスホニウムブロミド１３３０グラム（２９３０ミリモル）とＴＨＦ６．０リットルの混合物を−３０℃に冷却し、窒素気流下にｔ−ＢｕＯＫ３０３グラム（２７００ミリモル）を加え１時間撹拌した。この混合物に４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキサノン５００グラム（２２５０ミリモル）のＴＨＦ３．０リットル溶液を−３０℃以下を保ちながら滴下した。滴下終了後、反応温度を徐々に室温まで昇温し、さらに５時間撹拌した。反応混合物をセライト濾過し、減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン／酢酸エチル＝９／１の混合溶媒）に付して、粗製の２−（２−（４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシリデン）エチル）−１，３−ジオキサン６５２グラムを得た。
第２段
上記の操作で得た粗製物６５２グラム（２０３０ミリモル）をトルエン／ソルミックス（１／１）の混合溶媒６．５リットルに溶解し、５ｗｔ％−パラジウム／炭素触媒３２．６グラムを加え、水素圧１〜２ｋｇ／ｃｍ²の条件下、室温で６時間攪拌した。濾過により触媒を除去した後、減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）に付し、ヘプタンから再結晶することにより、２−（２−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）エチル）−１，３−ジオキサン３６６グラムを得た。
第３段
第２段の操作で得た２−（２−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）エチル）−１，３−ジオキサン３００グラム（９３０ミリモル）をトルエン３．０リットルに溶解し、蟻酸４２８グラム（９３００ミリモル）を加え４時間加熱還流した。反応混合物を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液６００ミリリットルで２回、水１．０リットルで５回洗浄し、減圧下で溶媒を留去して、粗製の３−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）プロパナール２４０グラムを得た。
第４段
メトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロリド４０５グラム（１１８０ミリモル）とＴＨＦ４．０ミリリットルの混合物を−３０℃に冷却し、窒素気流下にてｔ−ＢｕＯＫ１２２グラム（１０９０ミリモル）を加え、１時間撹拌した。この混合物に粗製の３−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）プロパナール２４０グラム（９０７ミリモル）のＴＨＦ２．４リットル溶液を−３０℃以下を保ちながら滴下した。滴下終了後、反応温度を徐々に室温まで昇温し、さらに５時間撹拌した。反応混合物をセライト濾過し、減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン）に付して、粗製の１−メトキシ−４−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）ブテン１５２グラムを得た。
第５段
第４段の操作で得た粗製の１−メトキシ−４−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）ブテン５０．０グラム（１７１ミリモル）をトルエン５００ミリリットルに溶解し、蟻酸７８．７グラム（１７１０ミリモル）を加えて４時間加熱還流した。反応混合物を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液３００ミリリットルで２回、水５００ミリリットルで５回洗浄し、減圧下で溶媒を留去して、粗製の４−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）ブタナール４５．１グラムを得た。
第６段
窒素気流下、１−エトキシ−２，３−ジフルオロベンゼン３０．７グラム（１９４ミリモル）のＴＨＦ３００ミリリットル溶液を−７０℃まで冷却し、ｓｅｃ−ブチルリチウム（１．０Ｍ，シクロヘキサン溶液）１９４ミリリットルを同温度を保ちながら滴下し、同温度で２時間攪拌した。この反応混合物に、第５段の反応で得られた粗製の４−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）ブタナール４５．１グラム（１６２ミリモル）のＴＨＦ４５０ミリリットル溶液を同温度を保ちながら滴下し、２時間攪拌し、次いで−５０℃まで昇温し２時間攪拌した。反応混合物を水２００ミリリットルに加えて反応を終了させ、減圧下で溶媒を留去し、残査をトルエン５００ミリリットルで抽出し、有機層を水１００ミリリットルで３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。濾過により無水硫酸マグネシウムを除去した後、濾液にｐ−トルエンスルホン酸一水和物２．８３グラムを加え、４時間加熱還流した。有機層を水２００ミリリットルで３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン／トルエン＝７／３の混合溶媒）に付して、粗製の１−エトキシ−２，３−ジフルオロ−４−（４−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−１−ブテニル）ベンゼン５０．２グラムを得た。
第７段
上記操作で得た粗精製物５０．２グラム（１２０ミリモル）をトルエン／ソルミックス（１／１）の混合溶媒５００ミリリットルに溶解し、５ｗｔ％−パラジウム／炭素触媒１５．１グラムを加え、水素圧１〜２ｋｇ／ｃｍ²の条件下、室温で６時間攪拌した。濾過により触媒を除去した後、減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン／トルエン＝７／３の混合溶媒）に付して、粗製の１−エトキシ−２，３−ジフルオロ−４−（４−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）ブチル）ベンゼンを得た。この粗精製物をヘプタンから２回再結晶し、標題化合物２４．３グラム（収率９．９０％）を得た。
相転移温度：Ｃ４４．４Ｓ_A １０７．２Ｎ１２９．０Ｉｓｏ
¹Ｈ−ＮＭＲ：δ：（ｐｐｍ）：０．４５〜２．１０（ｍ，３６Ｈ）、２．５８（ｔ，２Ｈ，Ｊ=７．０Ｈｚ）、４．０９（ｑ，２Ｈ，Ｊ＝７．０Ｈｚ）、６．５０〜７．００（ｍ，２Ｈ）．
ＭＳ：ｍ／ｅ＝４２０（Ｍ⁺）．
実施例４
３−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）プロピル２，３−ジフルオロ−４−（２，３−ジフルオロ−４−ペンチルフェニル）フェニルエーテル〔一般式（１）において、Ｒ¹がプロピル基、環Ａ¹及び環Ａ²がいずれもトランス−１，４−シクロヘキシレン基、環Ａ³が２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、Ｘ¹及びＸ³いずれもが単結合、Ｘ²がプロピルオキシレン基、Ｙ¹がペンチル基、ｍが１、ｎが１である化合物（Ｎｏ．２３７）〕の製造
第１段
窒素気流下、５℃以下に冷却したＴＨＦ４００ミリリットルに水素化リチウムアルミニウム４３．０グラム（１１３０ミリモル）を加えた混合物に、実施例１の第３段と同様にして得られた粗製の３−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）プロパナール４００グラム（１５１０ミリモル）のＴＨＦ２．０リットル溶液を同温度を保ちながら滴下し、滴下終了後室温で６時間攪拌した。この反応混合物を２Ｎ−水酸化ナトリウム水溶液５００ミリリットル中に徐々に加え、５０℃で３０分間攪拌した。反応混合物をセライト濾過し、減圧下で溶媒を留去し、残査を酢酸エチル２．０リットルで抽出した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で溶媒を留去して、粗製の３−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）プロパノール３４１グラムを得た。
第２段
キシレン３５０ミリリットルに上記操作で得た粗製の３−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）プロパノール３４１グラム（１２８０ミリモル）と４７％−臭化水素酸８８１グラム（５１２０ミリモル）とを加え、共沸蒸留で水を除去した後、１５０℃で２時間攪拌した。反応混合物にトルエン１．０リットルを加え、飽和炭酸ナトリウム水溶液３００ミリリットルで２回、水４００ミリリットルで３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン）に付して、粗製の１−ブロモ−３−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）プロパン１５６グラムを得た。
第３段
窒素気流下、ＤＭＦ１００ミリリットルに油性の５５％−水素化ナトリウム２９．８グラム（６８３ミリモル）を加え水冷し、このうえに２，３−ジフルオロフェノール７４．０グラム（５６９ミリモル）のＤＭＦ７００ミリリットル溶液を滴下し、１時間攪拌した。反応混合物に、粗製の１−ブロモ−３−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）プロパン１５６グラム（４７４ミリモル）のＤＭＦ／トルエン（３／１）混合溶媒４００ミリリットル溶液を滴下し、８０℃で３時間加熱攪拌した。反応混合物を水５００ミリリットル中に加えて反応を終了させ、有機層を分取し、水５００ミリリットルで３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン）に付し、ヘプタンから再結晶することにより、３−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）プロピル２，３−ジフルオロフェニルエーテル１０１グラムを得た。
第４段
窒素気流下、上記操作で得た３−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）プロピル２，３−ジフルオロフェニルエーテル１０１グラム（２６７ミリモル）をＴＨＦ１．０リットルに溶解し、−７０℃まで冷却した。この溶液に、ｓｅｃ−ブチルリチウム（１．０Ｍ、シクロヘキサン溶液）３２０ミリリットルを同温度を保ちながら滴下し、同温度で２時間攪拌した。反応混合物に塩化亜鉛（０．５Ｍ、ＴＨＦ溶液）６４０ミリリットルを滴下し、同温度で１時間攪拌した後、反応温度を徐々に室温まで昇温し、さらに１時間攪拌した。反応混合物にテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）１．００グラムを加え、２，３−ジフルオロ−１−ブロモベンゼン６１．８グラム（１５．９ミリモル）のＴＨＦ６００ミリリットル溶液を滴下し、３時間加熱還流した。反応混合物を水１．０リットル中に加えて反応を終了させ、減圧下で溶媒を留去し、残査をトルエン３．０リットルで抽出した。有機層を水１．０リットルで３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）に付して、粗製の３−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）プロピル２，３−ジフルオロ−４−（２，３−ジフルオロフェニル）フェニルエーテル５５．３グラムを得た。
第５段
窒素気流下、上記の操作で得た３−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）プロピル２，３−ジフルオロ−４−（２，３−ジフルオロフェニル）フェニルエーテル５５．３グラム（１１２ミリモル）をＴＨＦ５５０ミリリットルに溶解した溶液を−７０℃まで冷却し、ｓｅｃ−ブチルリチウム（１．０Ｍ、シクロヘキサン溶液）１３４ミリリットルを同温度を保ちながら滴下し、同温度で２時間攪拌した。反応混合物に、ｔ−ＢｕＯＫ１５．０グラム（１３４ミリモル）をＴＨＦ１５０ミリリットルに加えた懸濁溶液を同温度を保ちながら滴下し、さらに同温度で１時間攪拌した。反応混合物に、ペンチルヨージド２６．５グラム（１３４ミリリモル）のＴＨＦ３００ミリリットル溶液を同温度を保ちながら滴下し、同温度で５時間攪拌した。反応混合物を水３００ミリリットル中に加えて反応を終了させ、減圧下で溶媒を留去した。残査をトルエン７００ミリリットルで抽出し、有機層を水３００ミリリットルで３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン／トルエン＝７／３の混合溶媒）に付して、粗製の３−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）プロピル２，３−ジフルオロ−４−（２，３−ジフルオロ−４−ペンチルフェニル）フェニルエーテルを得た。この粗精製物をヘプタンから２回、ヘプタン／エタノール（４／１）の混合溶媒から１回再結晶して、標題化合物１０．２グラム（収率１．２１％）を得た。
ＭＳ：ｍ／ｅ＝５６０（Ｍ⁺）．
実施例５
１−エトキシ−２，３−ジフルオロ−４−（２，３−ジフルオロ−４−（４−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）ブチル）フェニル）ベンゼン〔一般式（１）において、Ｒ¹がプロピル基、環Ａ¹及び環Ａ²がいずれもトランス−１，４−シクロヘキシレン基、環Ａ³が２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、Ｘ¹及びＸ³がいずれも単結合、Ｘ²がブチレン基、Ｙ¹がエトキシ基、ｍが１、ｎが１である化合物（Ｎｏ．２３８）〕の製造
第１段
窒素気流下、ＴＨＦ２０．０ミリリットル中にマグネシウム８．０５グラム（３３１ミリモル）を加え、反応温度が約５０℃を保つように２，３−ジフルオロ−１−ブロモベンゼン５８．１グラム（３０１ミリモル）のＴＨＦ６００ミリリットル溶液を滴下し、室温で１時間攪拌した。反応混合物に、実施例１の第５段と同様にして得られた粗製の４−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）ブタナール７０．０グラム（２５１ミリモル）のＴＨＦ７００ミリリットル溶液を滴下し、５０〜６０℃で２時間攪拌した後、飽和塩化アンモニウム水溶液２００ミリリットルを加えて反応を終了させた。反応混合物をセライト濾過し、減圧下で溶媒を留去した後、残査をトルエン７００ミリリットルで抽出した。有機層を水４００ミリリットルで３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。無水硫酸マグネシウムを濾別後、濾液にｐ−トルエンスルホン酸一水和物３．５６グラムを加え、４時間加熱還流した。有機層を水３００ミリリットルで３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン）に付して、粗製の２，３−ジフルオロ−４−（４−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−１−ブテニル）ベンゼン６３．５グラムを得た。
第２段
上記操作で得た粗製物６３．５グラム（１７０ミリモル）をトルエン／ソルミックス（１／１）の混合溶媒６００ミリリットルに溶解し、５ｗｔ％−パラジウム／炭素触媒３．１８グラムを加え、水素圧１〜２ｋｇ／ｃｍ²の条件下、室温で６時間攪拌した。濾過により反応混合物から触媒を除去した後、減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン）に付して、粗製の２，３−ジフルオロ−４−（４−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）ブチル）ベンゼン６０．０グラムを得た。
第３段
窒素気流下、上記操作で得た粗製の２，３−ジフルオロ−４−（４−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）ブチル）ベンゼン６０．０グラム（１５９ミリモル）をＴＨＦ６００ミリリットルに溶解し、−７０℃まで冷却し、ｓｅｃ−ブチルリチウム（１．０Ｍ、シクロヘキサン溶液）１９１ミリリットルを同温度を保ちながら滴下し、同温度で２時間攪拌した。反応混合物に、ヨウ素６０．７グラム（２３９ミリモル）のＴＨＦ６００ミリリットル溶液を同温度を保ちながら滴下し、反応温度を徐々に室温まで昇温し、３０分攪拌した。反応混合物を飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液３００ミリリットル中に加えて反応を終了させ、減圧下で溶媒を留去した。残査をトルエン７００ミリリットルで抽出し、有機層を飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液３００ミリリットルで２回、飽和炭酸ナトリウム水溶液２００ミリリットルで１回、水３００ミリリットルで３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン）に付して、粗製の２，３−ジフルオロ−１−ヨード−４−（４−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）ブチル）ベンゼン７２．５グラムを得た。
第４段
窒素気流下、２，３−ジフルオロ−１−エトキシベンゼン９．４６グラム（５９．８ミリモル）をＴＨＦ１００ミリリットルに溶解した溶液を−７０℃まで冷却し、ｓｅｃ−ブチルリチウム（１．０Ｍ，シクロヘキサン溶液）５９．８ミリリットルを同温度を保ちながら滴下し、同温度で２時間攪拌した。反応混合物に塩化亜鉛（０．５Ｍ、ＴＨＦ溶液）１２０ミリリットルを滴下し、同温度で１時間攪拌した後、反応温度を徐々に室温まで昇温し、さらに１時間攪拌した。反応混合物にテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）１．００グラム加え、第３段で得られた粗製の２，３−ジフルオロ−１−ヨード−４−（４−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）ブチル）ベンゼン２５．０グラム（４９．８ミリモル）のＴＨＦ２５０ミリリットル溶液を滴下し、３時間加熱還流した。水２００ミリリットル中に反応混合物を加えて反応を終了させ、減圧下で溶媒を留去し、濃縮残査をトルエン５００リットルで抽出した。有機層を水３００ミリリットルで３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン／トルエン＝７／３の混合溶媒）に付し、粗製の１−エトキシ−２，３−ジフルオロ−４−（２，３−ジフルオロ−４−（４−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）ブチル）フェニル）ベンゼンを得た。この粗精製物をヘプタンから１回、ヘプタン／エタノール（５／１）の混合溶媒から１回再結晶し、標題化合物１３．１グラム（収率２８．３％）を得た。
相転移温度：Ｃ８９．５Ｎ１９３．２Ｉｓｏ
¹Ｈ−ＮＭＲ：δ：（ｐｐｍ）：０．４０〜２．１０（ｍ，３６Ｈ），２．７０（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．９Ｈｚ），４．１７（ｑ，２Ｈ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），６．６０〜７．２０（ｍ，４Ｈ）．
ＭＳ：ｍ／ｅ＝５３２（Ｍ⁺）．
実施例１〜５の方法に準じ次の化合物が製造できる。

Ｎｏ．６、９１および９６の化合物は参考例である。
このように調製される本発明の液晶性化合物を含有するネマチック液晶組成物として以下に示すような組成例（使用例１〜３０）を示すことができる。ただし、組成例中の化合物は、表１に示した取り決めに従い略号で示した。まあた、下記の部分構造式において、トランス−１，４−シクロヘキシレンの水素原子がＱ¹、Ｑ²、Ｑ³の位置で重水素原子によって置換された場合には、記号Ｈ［１Ｄ、２Ｄ、３Ｄ］とし、またＱ⁵、Ｑ⁶、Ｑ⁷の位置で重水素原子によって置換された場合には、記号Ｈ［５Ｄ、６Ｄ、７Ｄ］として［］内の番号で重水素置換の位置を示した。
また、組成例（使用例）中において、特に断りのない限り「％」は「重量％」を示し、「部」は液晶組成物１００重量部に対する光学活性化合物の「重量部」を示す。
粘度（η）の測定は２０．０℃で行い、屈折率異方性（△ｎ）、誘電率異方性（Δε）、しきい値電圧（Ｖｔｈ）およびねじれのピッチ（Ｐ）の測定は、各々２５．０℃で行った。

使用例１
５−Ｈ４ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−３（Ｎｏ．２０）１５．０％
３−ＨＥＢ−Ｏ４２３．４％
４−ＨＥＢ−Ｏ２１７．６％
５−ＨＥＢ−Ｏ１１７．６％
３−ＨＥＢ−Ｏ２１４．７％
５−ＨＥＢ−Ｏ２１１．７％
Ｔ_NI＝７７．０（℃）
Δε＝−１．５
使用例２
５−Ｈ４ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．２３）１５．０％
３−ＨＥＢ−Ｏ４２３．４％
４−ＨＥＢ−Ｏ２１７．６％
５−ＨＥＢ−Ｏ１１７．６％
３−ＨＥＢ−Ｏ２１４．７％
５−ＨＥＢ−Ｏ２１１．７％
Ｔ_NI＝８１．８（℃）
Δε＝−２．１
使用例３
３−ＨＨ４Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．９４）１５．０％
３−ＨＥＢ−Ｏ４２３．４％
４−ＨＥＢ−Ｏ２１７．６％
５−ＨＥＢ−Ｏ１１７．６％
３−ＨＥＢ−Ｏ２１４．７％
５−ＨＥＢ−Ｏ２１１．７％
Ｔ_NI＝８１．０（℃）
Δε＝−１．９
使用例４
３−ＨＨ４Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．２３８）１５．０％
３−ＨＥＢ−Ｏ４２３．４％
４−ＨＥＢ−Ｏ２１７．６％
５−ＨＥＢ−Ｏ１１７．６％
３−ＨＥＢ−Ｏ２１４．７％
５−ＨＥＢ−Ｏ２１１．７％
Ｔ_NI＝９０．２（℃）
Δε＝−２．３
使用例５
３−ＨＨ４Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．９４）１０．０％
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ５．０％
３−ＨＢ−Ｃ２５．０％
１−ＢＴＢ−３５．０％
２−ＢＴＢ−１１０．０％
３−ＨＨ−４６．０％
３−ＨＨＢ−１１１．０％
３−ＨＨＢ−３４．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２４．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３４．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４４．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２６．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３６．０％
ＣＭ３３０．８部
Ｔ_NI＝９０．３（℃）
η＝１７．８（ｍＰａ・ｓ）
Δｎ＝０．１６５
Δε＝６．５
Ｖ_th＝２．１８（Ｖ）
Ｐ＝１１．３μｍ
使用例６
５−Ｈ４ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−３（Ｎｏ．２０）７．０％
Ｖ２−ＨＢ−Ｃ１２．０％
１Ｖ２−ＨＢ−Ｃ１２．０％
３−ＨＢ−Ｃ１５．０％
３−Ｈ［１Ｄ，２Ｄ，３Ｄ］−Ｃ９．０％
３−ＨＢ（Ｆ）−Ｃ５．０％
２−ＢＴＢ−１２．０％
３−ＨＨ−４４．０％
３−ＨＨ−ＶＦＦ６．０％
２−Ｈ［１Ｄ，２Ｄ，３Ｄ］ＨＢ−Ｃ３．０％
３−ＨＨＢ−Ｃ６．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２５．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２５．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３５．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４４．０％
Ｔ_NI＝８７．３（℃）
η＝１９．９（ｍＰａ・ｓ）
Δｎ＝０．１５４
Δε＝８．５
Ｖ_th＝２．０５（Ｖ）
使用例７
５−Ｈ４ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．２３）５．０％
２Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ５．０％
３Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ１５．０％
４Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ１３．０％
５Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ１３．０％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｃ１５．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｃ１５．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２４．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３４．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−４４．０％
３−ＨＨＢ−１３．０％
３−ＨＨＢ−Ｏ１４．０％
Ｔ_NI＝８８．４（℃）
η＝８８．０（ｍＰａ・ｓ）
Δｎ＝０．１４９
Δε＝３０．６．
Ｖ_th＝０．９０（Ｖ）
使用例８
３−ＨＨ４Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．９４）６．０％
５−ＰｙＢ−Ｆ４．０％
３−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ４．０％
２−ＢＢ−Ｃ５．０％
４−ＢＢ−Ｃ４．０％
５−ＢＢ−Ｃ５．０％
２−ＰｙＢ−２２．０％
３−ＰｙＢ−２２．０％
４−ＰｙＢ−２２．０％
６−ＰｙＢ−Ｏ５３．０％
６−ＰｙＢ−Ｏ６３．０％
６−ＰｙＢ−Ｏ７３．０％
６−ＰｙＢ−Ｏ８３．０％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ６．０％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ６．０％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ６．０％
３−ＨＨＢ−３８．０％
２−Ｈ２ＢＴＢ−２４．０％
２−Ｈ２ＢＴＢ−３４．０％
２−Ｈ２ＢＴＢ−４５．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２５．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３５．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４５．０％
Ｔ_NI＝９０．８（℃）
η＝３６．４（ｍＰａ・ｓ）
Δｎ＝０．２０１
Δε＝６．１
Ｖ_th＝２．３１（Ｖ）
使用例９
５−Ｈ４ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−３（Ｎｏ．２０）４．０％
３−ＨＨ４Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．９４）３．０％
３−ＤＢ−Ｃ１０．０％
４−ＤＢ−Ｃ１０．０％
２−ＢＥＢ−Ｃ１２．０％
３−ＢＥＢ−Ｃ４．０％
３−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ６．０％
３−ＨＥＢ−Ｏ４８．０％
４−ＨＥＢ−Ｏ２６．０％
５−ＨＥＢ−Ｏ１６．０％
３−ＨＥＢ−Ｏ２５．０％
５−ＨＥＢ−５５．０％
４−ＨＥＢ−５５．０％
１Ｏ−ＢＥＢ−２４．０％
３−ＨＨＢ−１３．０％
３−ＨＨＥＢＢ−Ｃ３．０％
３−ＨＢＥＢＢ−Ｃ３．０％
５−ＨＢＥＢＢ−Ｃ３．０％
Ｔ_NI＝６８．１（℃）
η＝４０．５（ｍＰａ・ｓ）
Δｎ＝０．１２１
Δε＝１１．１
Ｖ_th＝１．３５（Ｖ）
使用例１０
５−Ｈ４ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−３（Ｎｏ．２０）４．０％
５−Ｈ４ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．２３）４．０％
３−ＨＨ４Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．９４）４．０％
３−ＨＨ４Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．２３８）４．０％
３−ＨＢ−Ｃ１８．０％
７−ＨＢ−Ｃ３．０％
１Ｏ１−ＨＢ−Ｃ１０．０％
３−ＨＢ（Ｆ）−Ｃ１０．０％
２−ＰｙＢ−２２．０％
３−ＰｙＢ−２２．０％
４−ＰｙＢ−２２．０％
１Ｏ１−ＨＨ−３７．０％
２−ＢＴＢ−Ｏ１７．０％
３−ＨＨＢ−１２．０％
３−ＨＨＢ−Ｆ２．０％
３−ＨＨＢ−Ｏ１３．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２３．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３３．０％
２−ＰｙＢＨ−３４．０％
３−ＰｙＢＨ−３３．０％
３−ＰｙＢＢ−２３．０％
Ｔ_NI＝７２．１（℃）
η＝２３．２（ｍＰａ・ｓ）
Δｎ＝０．１４０
Δε＝７．１
Ｖ_th＝１．９０（Ｖ）
使用例１１
５−Ｈ４ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−３（Ｎｏ．２０）１０．０％
２Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ５．０％
３Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ１２．０％
５Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ４．０％
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ１０．０％
３−ＨＨ−ＥＭｅ１０．０％
３−ＨＢ−Ｏ２１８．０％
７−ＨＥＢ−Ｆ２．０％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ２．０％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ２．０％
３−ＨＢＥＢ−Ｆ４．０％
２Ｏ１−ＨＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ２．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＥＢ（Ｆ）−Ｃ２．０％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ２．０％
３−ＨＨＢ−Ｆ４．０％
３−ＨＨＢ−Ｏ１４．０％
３−ＨＨＢ−３３．０％
３−ＨＥＢＥＢ−Ｆ２．０％
３−ＨＥＢＥＢ−１２．０％
Ｔ_NI＝７０．０（℃）
η＝３８．０（ｍＰａ・ｓ）
Δｎ＝０．１１２
Δε＝２３．０
Ｖ_th＝１．０４（Ｖ）
使用例１２
３−ＨＨ４Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．９４）７．０％
５−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ５．０％
Ｖ−ＨＢ−Ｃ１４．０％
５−ＰｙＢ−Ｃ６．０％
４−ＢＢ−３１０．０％
３−ＨＨ−２Ｖ１０．０％
５−ＨＨ−Ｖ６．０％
Ｖ−ＨＨＢ−１７．０％
Ｖ２−ＨＨＢ−１１５．０％
３−ＨＨＢ−１５．０％
１Ｖ２−ＨＢＢ−２１０．０％
３−ＨＨＥＢＨ−３５．０％
Ｔ_NI＝９０．１（℃）
η＝１７．９（ｍＰａ・ｓ）
Δｎ＝０．１１５
Δε＝４．８
Ｖ_th＝２．３７（Ｖ）
使用例１３
５−Ｈ４ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−３（Ｎｏ．２０）５．０％
５−Ｈ４ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．２３）５．０％
２Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ５．０％
３Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ１２．０％
５Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ４．０％
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ１６．０％
３−ＨＢ−Ｏ２１０．０％
３−ＨＨ−４３．０％
３−ＨＨＢ−Ｆ３．０％
３−ＨＨＢ−Ｏ１２．０％
３−ＨＢＥＢ−Ｆ４．０％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ７．０％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ７．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２４．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３４．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４４．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２５．０％
Ｔ_NI＝８４．７（℃）
η＝４３．２（ｍＰａ・ｓ）
Δｎ＝０．１４０
Δε＝２７．５
Ｖ_th＝１．０６（Ｖ）
使用例１４
３−ＨＨ４Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．９４）５．０％
３−ＨＨ３ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−５（Ｎｏ．２３７）４．０％
２−ＢＥＢ−Ｃ１２．０％
３−ＢＥＢ−Ｃ４．０％
４−ＢＥＢ−Ｃ６．０％
３−ＨＢ−Ｃ２８．０％
３−ＨＥＢ−Ｏ４１２．０％
４−ＨＥＢ−Ｏ２８．０％
５−ＨＥＢ−Ｏ１８．０％
３−ＨＥＢ−Ｏ２６．０％
３−ＨＨＢ−１３．０％
３−ＨＨＢ−Ｏ１４．０％
Ｔ_NI＝６５．１（℃）
η＝２９．１（ｍＰａ・ｓ）
Δｎ＝０．１１６
Δε＝９．２
Ｖ_th＝１．４３（Ｖ）
使用例１５
５−Ｈ４ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−３（Ｎｏ．２０）５．０％
２−ＢＥＢ−Ｃ１０．０％
５−ＢＢ−Ｃ１２．０％
７−ＢＢ−Ｃ７．０％
１−ＢＴＢ−３７．０％
２−ＢＴＢ−１１０．０％
１Ｏ−ＢＥＢ−２１０．０％
１Ｏ−ＢＥＢ−５１２．０％
２−ＨＨＢ−１４．０％
３−ＨＨＢ−Ｆ４．０％
３−ＨＨＢ−１７．０％
３−ＨＨＢ−Ｏ１４．０％
３−ＨＨＢ−３８．０％
Ｔ_NI＝６３．４（℃）
η＝２１．２（ｍＰａ・ｓ）
Δｎ＝０．１６０
Δε＝６．２
Ｖ_th＝１．８２（Ｖ）
使用例１６
５−Ｈ４ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−３（Ｎｏ．２０）５．０％
５−Ｈ４ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．２３）５．０％
３−ＨＨ４Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．９４）５．０％
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ８．０％
３−ＨＢ−Ｃ１０．０％
Ｖ２Ｖ−ＨＢ−Ｃ１４．０％
Ｖ２Ｖ−ＨＨ−３１４．０％
３−ＨＢ−Ｏ２４．０％
３−ＨＨＢ−１１０．０％
３−ＨＨＢ−３５．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２４．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３４．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２４．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３４．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４４．０％
Ｔ_NI＝９８．１（℃）
η＝２０．８（ｍＰａ・ｓ）
Δｎ＝０．１３０
Δε＝７．２
Ｖ_th＝２．１８（Ｖ）
使用例１７
５−Ｈ４ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．２３）５．０％
３−ＨＨ４Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．９４）５．０％
５−ＢＴＢ（Ｆ）ＴＢ−３１０．０％
Ｖ２−ＨＢ−ＴＣ１０．０％
３−ＨＢ−ＴＣ１０．０％
３−ＨＢ−Ｃ１０．０％
５−ＨＢ−Ｃ７．０％
５−ＢＢ−Ｃ３．０％
２−ＢＴＢ−１１０．０％
２−ＢＴＢ−Ｏ１５．０％
３−ＨＨ−４５．０％
３−ＨＨＢ−３１１．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２３．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３３．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２３．０％
Ｔ_NI＝９２．８（℃）
η＝１６．７（ｍＰａ・ｓ）
Δｎ＝０．２０３
Δε＝６．３
Ｖ_th＝２．１５（Ｖ）
使用例１８
５−Ｈ４ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−３（Ｎｏ．２０）１０．０％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ１７．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ１７．０％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ１６．０％
２−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ１０．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ５．０％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ６．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ６．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ１３．０％
ＣＮ０．３部
Ｔ_NI＝１００．８（℃）
η＝２７．３（ｍＰａ・ｓ）
Δｎ＝０．０９４
Δε＝４．６
Ｖ_th＝２．２５（Ｖ）
Ｐ＝８１μｍ
使用例１９
５−Ｈ４ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．２３）６．０％
７−ＨＢ（Ｆ）−Ｆ５．０％
５−Ｈ２Ｂ（Ｆ）−Ｆ５．０％
３−ＨＢ−Ｏ２１０．０％
３−ＨＨ−４２．０％
３−ＨＨ［５Ｄ，６Ｄ，７Ｄ］−４３．０％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ１０．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ１０．０％
５−ＨＨ［５Ｄ，６Ｄ，７Ｄ］Ｂ（Ｆ）−Ｆ１０．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ５．０％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ３．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ３．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ６．０％
２−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ５．０％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ６．０％
３−ＨＨＢ−１２．０％
３−ＨＨＢ−Ｏ１５．０％
３−ＨＨＢ−３４．０％
Ｔ_NI＝８３．９（℃）
η＝１９．９（ｍＰａ・ｓ）
Δｎ＝０．０９１
Δε＝３．０
Ｖ_th＝２．６９（Ｖ）
使用例２０
５−Ｈ４ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．２３）５．０％
３−ＨＨ４Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．９４）５．０％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ３．０％
３−ＨＢ−Ｏ２７．０％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ１０．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ１０．０％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ９．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ９．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ１６．０％
２−ＨＢＢ−Ｆ４．０％
３−ＨＢＢ−Ｆ４．０％
５−ＨＢＢ−Ｆ３．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０．０％
Ｔ_NI＝８５．５（℃）
η＝２７．９（ｍＰａ・ｓ）
Δｎ＝０．１１６
Δε＝５．４
Ｖ_th＝２．０３（Ｖ）
使用例２１
５−Ｈ４ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−３（Ｎｏ．２０）５．０％
５−Ｈ４ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（ＮＯ．２３）５．０％
３−ＨＨ４Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．９４）５．０％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ３．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１２．０％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０．０％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５．０％
４−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５．０％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１２．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１２．０％
３−ＨＢＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ６．０％
Ｔ_NI＝７２．１（℃）
η＝２９．５（ｍＰａ・ｓ）
Δｎ＝０．０８７
Δε＝８．１
Ｖ_th＝１．６１（Ｖ）
使用例２２
５−Ｈ４ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．２３）４．０％
３−ＨＨ４Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．９４）３．０％
３−ＨＨ４Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．２３８）３．０％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１２．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０．０％
４−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０．０％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０．０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ３．０％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ３．０％
２−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ３．０％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５．０％
５−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ３．０％
３−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１５．０％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ６．０％
Ｔ_NI＝７７．８（℃）
η＝３７．５（ｍＰａ・ｓ）
Δｎ＝０．０８７
Δε＝１２．４
Ｖ_th＝１．４４（Ｖ）
使用例２３
５−Ｈ４ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．２３）７．０％
３−ＨＨ３ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−５（Ｎｏ．２３７）３．０％
３−ＨＢ−ＣＬ１０．０％
５−ＨＢ−ＣＬ４．０％
７−ＨＢ−ＣＬ４．０％
１Ｏ１−ＨＨ−５３．０％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ８．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ８．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ１４．０％
４−ＨＨＢ−ＣＬ８．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−ＣＬ４．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０．０％
５−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ９．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＶＢ−２４．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＶＢ−３４．０％
Ｔ_NI＝９１．２（℃）
η＝２４．９（ｍＰａ・ｓ）
Δｎ＝０．１２５
Δε＝４．３
Ｖ_th＝２．３９（Ｖ）
使用例２４
３−ＨＨ４Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．９４）８．０％
３−ＨＨ３ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−５（Ｎｏ．２３７）４．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ９．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ８．０％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ８．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ２１．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ２０．０％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０．０％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ３．０％
５−ＨＨＥＢＢ−Ｆ２．０％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ３．０％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−４４．０％
Ｔ_NI＝９５．６（℃）
η＝３９．８（ｍＰａ・ｓ）
Δｎ＝０．１１６
Δε＝８．４
Ｖ_th＝１．８２（Ｖ）
使用例２５
３−ＨＨ４Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．９４）７．０％
５−ＨＢ−Ｆ１２．０％
６−ＨＢ−Ｆ９．０％
７−ＨＢ−Ｆ５．０％
２−ＨＨＢ−ＯＣＦ３７．０％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３７．０％
４−ＨＨＢ−ＯＣＦ３７．０％
３−ＨＨ２Ｂ−ＯＣＦ３４．０％
５−ＨＨ２Ｂ−ＯＣＦ３４．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３５．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ１０．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ１０．０％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ）−Ｆ３．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＢＨ−３３．０％
５−ＨＢＢＨ−３３．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ４．０％
Ｔ_NI＝８５．５（℃）
η＝１８．０（ｍＰａ・ｓ）
Δｎ＝０．０９４
Δε＝４．１
Ｖ_th＝２．４５（Ｖ）
使用例２６
５−Ｈ４ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−３（Ｎｏ．２０）５．０％
５−Ｈ４ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．２３）５．０％
５−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ７．０％
５−Ｈ４ＨＢ−ＯＣＦ３５．０％
３−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３８．０％
５−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３１０．０％
３−ＨＢ−ＣＬ６．０％
５−ＨＢ−ＣＬ４．０％
２−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ５．０％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ１０．０％
５−ＨＶＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５．０％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３５．０％
３−Ｈ２ＨＢ−ＯＣＦ３５．０％
Ｖ−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ５．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ５．０％
５−ＨＨＥＢ−ＯＣＦ３２．０％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５．０％
５−ＨＨ−Ｖ２Ｆ３．０％
Ｔ_NI＝６８．２（℃）
η＝２７．６（ｍＰａ・ｓ）
Δｎ＝０．０９４
Δε＝８．０
Ｖ_th＝１．７８（Ｖ）
使用例２７
５−Ｈ４ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−３（Ｎｏ．２０）１５．０％
３−ＨＥＢ−Ｏ４２３．０％
４−ＨＥＢ−Ｏ２１８．０％
５−ＨＥＢ−Ｏ１１８．０％
３−ＨＥＢ−Ｏ２１４．０％
５−ＨＥＢ−Ｏ２１２．０％
Ｔ_NI＝７７．０（℃）
Δｎ＝０．０８７
Δε＝−１．５
使用例２８
５−Ｈ４ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−３（Ｎｏ．２０）５．０％
３−ＨＨ４Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．２３８）１５．０％
３−ＨＢ−Ｏ２１０．０％
３−ＨＢ−Ｏ４１０．０％
３−ＨＨ−４２．０％
５−ＨＨ−２３．０％
３−ＨＥＢ−Ｏ４１５．０％
４−ＨＥＢ−Ｏ２１２．０％
５−ＨＥＢ−Ｏ１１２．０％
３−ＨＥＢ−Ｏ２９．０％
５−ＨＥＢ−Ｏ２７．０％
Ｔ_NI＝８１．９（℃）
Δｎ＝０．０９０
Δε＝−２．６
使用例２９
３−ＨＨ４Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．９４）１５．０％
３−ＨＢ−Ｏ２１５．０％
３−ＨＢ−Ｏ４１０．０％
３−ＨＥＢ−Ｏ４１０．０％
４−ＨＥＢ−Ｏ２７．０％
５−ＨＥＢ−Ｏ１７．０％
３−ＨＥＢ−Ｏ２６．０％
５−ＨＥＢ−Ｏ２５．０％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２７．０％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２５．０％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−２５．０％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２４．０％
５−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ−３４．０％
Ｔ_NI＝７７．２（℃）
Δｎ＝０．１０５
Δε＝−３．１
使用例３０
５−Ｈ４ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−３（Ｎｏ．２０）１５．０％
５−Ｈ４ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．２３）１０．０％
３−ＨＨ４Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．９４）１５．０％
３−ＨＨ４Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．２３８）５．０％
３−Ｈ４Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．４）５．０％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２２０．０％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２１０．０％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１０１５．０％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−２１０．０％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１０１５．０％
使用例３１
５−Ｈ４ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．２３）１０．０％
３−ＨＨ４Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．９４）１０．０％
３−Ｈ４Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ３（Ｎｏ．７７）１０．０％
５−ＨＨ４ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．２２０）５．０％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ２．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ２．０％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ２．０％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ６．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ６．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ１０．０％
２−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ９．０％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ９．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１４．０％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−４５．０％
使用例３２
３−Ｈ４Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．４）７．０％
３−ＨＨ３ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−３（Ｎｏ．９１）４．０％
５−ＨＨ４ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．２２０）３．０％
５−ＨＢ−ＣＬ１２．０％
３−ＨＨ−４３．０％
３−ＨＢ−Ｏ２１７．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ４．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ８．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ６．０％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ５．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ５．０％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ５．０％
２−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ２．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ１．０％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ２．０％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ４．０％
３−ＨＢＣＦ２ＯＢ−ＯＣＦ３４．０％
５−ＨＢＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３４．０％
３−ＨＨＢ−Ｏ１４．０％
使用例３３
３−Ｈ４Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．４）５．０％
３−ＨＨ３ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−３（Ｎｏ．９１）８．０％
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ６．０％
３−ＨＢ−Ｃ２３．０％
２−ＢＴＢ−１１０．０％
５−ＨＨ−ＶＦＦ２０．０％
１−ＢＨＨ−ＶＦＦ８．０％
１−ＢＨＨ−２ＶＦＦ３．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２５．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３４．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４４．０％
３−ＨＨＢ−１４．０％
使用例３４
５−Ｈ３ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．６）５．０％
５−Ｈ４ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．２３）１５．０％
３−Ｈ４Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ３（Ｎｏ．７７）５．０％
２−ＨＢ−Ｃ５．０％
３−ＨＢ−Ｃ１７．０％
３−ＨＢ−Ｏ２５．０％
２−ＢＴＢ−１３．０％
３−ＨＨＢ−１２．０％
３−ＨＨＢ−Ｆ４．０％
３−ＨＨＢ−Ｏ１５．０％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ４．０％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ４．０％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ７．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ７．０％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ７．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５．０％
本発明の化合物、すなわち骨格構造中にブチレン基またはプロピレンオキシ基と２，３−ジフルオロフェニル基とを同時に有する二〜四環系の化合物はいずれも、上記実施例からわかるように、
１）液晶相を示す温度領域が広く、極めてネマチック相発現性が高い。
２）Δεが負に大きいので、ＩＰＳ方式において応答速度の向上が見られる。
３）低粘性、しきい値電圧の低下、および応答速度の向上が見られる。
４）極低温下においても結晶の析出、スメクチック相の発現が見られず、安定したネマチック液晶組成物を調製できる。
産業上の利用可能性
本発明の化合物は上記１）〜４）の特性を示し外部環境に対して安定であり、使用温度領域の増加、低電圧駆動ならびに高速応答の実現が可能な新規な液晶組成物および液晶表示素子を提供し得る。

Claims

一般式（１）

（式中、Ｒ¹は炭素数１〜１５のアルキル基を示し、このアルキル基中の相隣接しない任意のメチレン基は酸素原子またはビニレン基で置換されていてもよく、またこのアルキル基中の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく；環Ａ¹、環Ａ²、及び環Ａ³は互いに独立してトランス−１，４−シクロヘキシレン基、ピリミジン−２，５−ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル基、１，３−ジチアン−２，５−ジイル基、テトラヒドロチオピラン−２，５−ジイル基、または六員環上の１個以上の水素原子がハロゲン原子で置換されていてもよい、１，４−フェニレン基を示し；ｍ及びｎは互いに独立して０または１を示し；Ｘ¹、Ｘ²及びＸ³は各々独立して−（ＣＨ₂）₄−、−（ＣＨ₂）₃Ｏ−、−Ｏ（ＣＨ₂）₃−または単結合を示すが、ｍ及びｎが１であるときＸ ¹ 、Ｘ ² 及びＸ ³ のいずれか１つは−（ＣＨ ₂ ） ₄ −、−（ＣＨ ₂ ） ₃ Ｏ−、または−Ｏ（ＣＨ ₂ ） ₃ −であり、ｍが１であってｎが０であるときＸ ¹ 及びＸ ² のいずれか１つは−（ＣＨ ₂ ） ₄ −、−（ＣＨ ₂ ） ₃ Ｏ−または−Ｏ（ＣＨ ₂ ） ₃ −であり、ｍが０であってｎが１であるときＸ ¹ 及びＸ ³ のいずれか１つは−（ＣＨ ₂ ） ₄ −、−（ＣＨ ₂ ） ₃ Ｏ−または−Ｏ（ＣＨ ₂ ） ₃ −であり、そしてｍ及びｎが０であるときＸ ¹ は−（ＣＨ ₂ ） ₄ −、−（ＣＨ ₂ ） ₃ Ｏ−または−Ｏ（ＣＨ ₂ ） ₃ −であり；Ｙ¹は水素原子または炭素数１〜１５のアルキル基を示し、このアルキル基中の相隣接しない任意のメチレン基は酸素原子またはビニレン基で置換されていてもよく；また、この化合物を構成する各原子はその同位体で置換されていてもよい。ただし、ｍ及びｎがいずれも０であって環Ａ ¹ がトランス−１，４−シクロヘキシレン基であるとき、Ｘ ¹ は−（ＣＨ ₂ ） ₄ −または−Ｏ（ＣＨ ₂ ） ₃ −であり；ｍが１であってｎが０であり、環Ａ ¹ 及び環Ａ ² がトランス−１，４−シクロヘキシレン基であり、そしてＸ ¹ が単結合であるとき、Ｘ ² は−（ＣＨ ₂ ） ₄ −、または−Ｏ（ＣＨ ₂ ） ₃ −であり；ｍが０であってｎが１であり、環Ａ ¹ 及び環Ａ ³ がトランス−１，４−シクロヘキシレン基であり、そしてＸ ¹ が単結合であるとき、Ｘ ³ は−（ＣＨ ₂ ） ₄ −、または−Ｏ（ＣＨ ₂ ） ₃ −である。）で表される液晶性化合物。
一般式（１）において、環Ａ¹がトランス−１，４−シクロヘキシレン基、または六員環上の１個以上の水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい１，４−フェニレン基であり、ｍ及びｎがいずれも０であり、Ｘ¹が−（ＣＨ₂）₄−または−（ＣＨ₂）₃Ｏ−であるが、環Ａ ¹ がトランス−１，４−シクロヘキシレン基であるときＸ ¹ は−（ＣＨ ₂ ） ₄ −である請求項１に記載の液晶性化合物。
一般式（１）において、環Ａ¹及び環Ａ²が互いに独立して、トランス−１，４−シクロヘキシレン基、または六員環上の１個以上の水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい１，４−フェニレン基であり、Ｘ¹が−（ＣＨ₂）₄−または−（ＣＨ₂）₃Ｏ−であり、Ｘ²が単結合、ｍが１、ｎが０である請求の範囲１に記載の液晶性化合物。
一般式（１）において、環Ａ¹および環Ａ²が互いに独立して、トランス−１，４−シクロヘキシレン基、または六員環上の１個以上の水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい１，４−フェニレン基であり、ｍが１であってｎが０であり、Ｘ ¹ が単結合であり、Ｘ²が−（ＣＨ₂）₄−または−（ＣＨ₂）₃Ｏ−であるが、環Ａ ¹ 及び環Ａ ² が共にトランス−１，４−シクロヘキシレン基であるときＸ ² は−（ＣＨ ₂ ） ₄ −である請求項１に記載の液晶性化合物。
一般式（１）において、環Ａ¹、環Ａ²及び環Ａ³が互いに独立して、トランス−１，４−シクロヘキシレン基、または六員環上の１個以上の水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい１，４−フェニレン基であり、Ｘ¹が−（ＣＨ₂）₄−または−（ＣＨ₂）₃Ｏ−であり、Ｘ²及びＸ³がいずれも単結合であり、ｍが１、ｎが１である請求の範囲１に記載の液晶性化合物。
一般式（１）において、環Ａ¹、環Ａ²及び環Ａ³が互いに独立して、トランス−１，４−シクロヘキシレン基、または六員環上の１個以上の水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい１，４−フェニレン基であり、Ｘ²が−（ＣＨ₂）₄−または−（ＣＨ₂）₃Ｏ−であり、Ｘ¹及びＸ³がいずれも単結合であり、ｍが１、ｎが１である請求の範囲１に記載の液晶性化合物。
一般式（１）において、環Ａ¹、環Ａ²及び環Ａ³が互いに独立して、トランス−１，４−シクロヘキシレン基、または六員環上の１個以上の水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい１，４−フェニレン基であり、Ｘ³が−（ＣＨ₂）₄−または−（ＣＨ₂）₃Ｏ−であり、Ｘ¹及びＸ²がいずれも単結合であり、ｍが１、ｎが１である請求の範囲１に記載の液晶性化合物。
一般式（１）

（式中、Ｒ¹は炭素数１〜１５のアルキル基を示し、このアルキル基中の相隣接しない任意のメチレン基は酸素原子またはビニレン基で置換されていてもよく、またこのアルキル基中の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく；環Ａ¹、環Ａ²、及び環Ａ³は互いに独立してトランス−１，４−シクロヘキシレン基、ピリミジン−２，５−ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル基、１，３−ジチアン−２，５−ジイル基、テトラヒドロチオピラン−２，５−ジイル基、または六員環上の１個以上の水素原子がハロゲン原子で置換されていてもよい、１，４−フェニレン基を示し；ｍ及びｎは互いに独立して０または１を示し；Ｘ¹、Ｘ²及びＸ³は各々独立して−（ＣＨ₂）₄−、−（ＣＨ₂）₃Ｏ−、−Ｏ（ＣＨ₂）₃−または単結合を示すが、ｍ及びｎが１であるときＸ ¹ 、Ｘ ² 及びＸ ³ のいずれか１つは−（ＣＨ ₂ ） ₄ −、−（ＣＨ ₂ ） ₃ Ｏ−、または−Ｏ（ＣＨ ₂ ） ₃ −であり、ｍが１であってｎが０であるときＸ ¹ 及びＸ ² のいずれか１つは−（ＣＨ ₂ ） ₄ −、−（ＣＨ ₂ ） ₃ Ｏ−または−Ｏ（ＣＨ ₂ ） ₃ −であり、ｍが０であってｎが１であるときＸ ¹ 及びＸ ³ のいずれか１つは−（ＣＨ ₂ ） ₄ −、−（ＣＨ ₂ ） ₃ Ｏ−または−Ｏ（ＣＨ ₂ ） ₃ −であり、そしてｍ及びｎが０であるときＸ ¹ は−（ＣＨ ₂ ） ₄ −、−（ＣＨ ₂ ） ₃ Ｏ−または−Ｏ（ＣＨ ₂ ） ₃ −であり；Ｙ¹は水素原子または炭素数１〜１５のアルキル基を示し、このアルキル基中の相隣接しない任意のメチレン基は酸素原子またはビニレン基で置換されていてもよく；また、この化合物を構成する各原子はその同位体で置換されていてもよい。ただし、ｍ及びｎがいずれも０であって環Ａ ¹ がトランス−１，４−シクロヘキシレン基であるとき、Ｘ ¹ は−（ＣＨ ₂ ） ₄ −または−Ｏ（ＣＨ ₂ ） ₃ −であり；ｍが１であってｎが０であり、環Ａ ¹ 及び環Ａ ² がトランス−１，４−シクロヘキシレン基であり、そしてＸ ¹ が単結合であるとき、Ｘ ² は−（ＣＨ ₂ ） ₄ −、または−Ｏ（ＣＨ ₂ ） ₃ −であり；ｍが０であってｎが１であり、環Ａ ¹ 及び環Ａ ³ がトランス−１，４−シクロヘキシレン基であり、そしてＸ ¹ が単結合であるとき、Ｘ ³ は−（ＣＨ ₂ ） ₄ −、または−Ｏ（ＣＨ ₂ ） ₃ −である。）で表される液晶性化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とする、少なくとも２成分からなる液晶組成物。
第一成分として、請求の範囲１〜７のいずれか１項に記載の液晶性化合物を少なくとも１種類含有し、第二成分として、一般式（２）、（３）及び（４）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とする液晶組成物。

（式中、Ｒ²は炭素数１〜１０のアルキル基を示し、このアルキル基中の相隣接しない任意のメチレン基は、酸素原子またはビニレン基で置換されていてもよく、またこのアルキル基中の任意の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく；Ｙ²はフッ素原子、塩素原子、−ＯＣＦ₃、−ＯＣＦ₂Ｈ、−ＣＦ₃、−ＣＦ₂Ｈ、−ＣＦＨ₂、−ＯＣＦ₂ＣＦ₂Ｈ、または−ＯＣＦ₂ＣＦＨＣＦ₃を示し；Ｌ¹及びＬ²は互いに独立して水素原子またはフッ素原子を示し；Ｚ¹及びＺ²は互いに独立して１，２−エチレン基、ビニレン基、１，４−ブチレン基、−ＣＯＯ−、−ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂−または単結合を示し；環Ｂはトランス−１，４−シクロヘキシレン基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基、または水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい１，４−フェニレン基を示し；環Ｃはトランス−１，４−シクロヘキシレン基、または水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい１，４−フェニレン基を示し；また、これらの化合物を構成する各原子はその同位体で置換されていてもよい。）
第一成分として請求の範囲１〜７のいずれか１項に記載の液晶性化合物を少なくとも１種類含有し、第二成分として、一般式（５）及び（６）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とする液晶組成物。

（式中、Ｒ₃及びＲ₄は互いに独立して炭素数１〜１０のアルキル基を示し、このアルキル基中の相隣接しない任意のメチレン基は酸素原子またはビニレン基で置換されていてもよく、またこのアルキル基中の任意の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく；Ｙ³は、−ＣＮまたは−Ｃ≡Ｃ−ＣＮを示し；環Ｄはトランス−１，４−シクロヘキシレン基、１，４−フェニレン基、ピリミジン−２，５−ジイル基または１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基を示し；環Ｅはトランス−１，４−シクロヘキシレン基、ピリミジン−２，５−ジイル基、または水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい１，４−フェニレン基を示し；環Ｆはトランス−１，４−シクロヘキシレン基または１，４−フェニレン基を示し；
Ｚ₃１，２−エチレン基、−ＣＯＯ−または単結合を示し；Ｌ³、Ｌ⁴及びＬ⁵は互いに独立して水素原子またはフッ素原子を示し；ａ、ｂ及びｃは互いに独立して０または１を示し；また、これらの化合物を構成する各原子はその同位体で置換されていてもよい。）
第一成分として請求の範囲１〜７のいずれか１項に記載の液晶性化合物を少なくとも１種類含有し、第二成分として、請求項９に記載の一般式（２）、（３）及び（４）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有し、第三成分として一般式（７）、（８）及び（９）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とする液晶組成物。

（式中、Ｒ⁵及びＲ⁶は互いに独立して炭素数１〜１０のアルキル基を示し、このアルキル基中の相隣接しない任意のメチレン基は酸素原子またはビニレン基で置換されていてもよく、またこのアルキル基中の任意の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく；環Ｇ、環Ｉ及び環Ｊは互いに独立して、トランス−１，４−シクロヘキシレン基、ピリミジン−２，５−ジイル基または１つの水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい１，４−フェニレン基を示し；Ｚ⁴及びＺ⁵は互いに独立して、１，２−エチレン基、ビニレン基、−ＣＯＯ−、−Ｃ≡Ｃ−または単結合を示し；また、これらの化合物を構成する各原子はその同位体で置換されていてもよい。）
第一成分として、請求の範囲１〜７のいずれか１項に記載の液晶性化合物を少なくとも１種類含有し、第二成分として、一般式（１０）、（１１）及び（１２）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とする液晶組成物。

（式中、Ｒ⁷及びＲ⁸は互いに独立して炭素数１〜１０のアルキル基を示し、これらのアルキル基中の相隣接しない任意のメチレン基は酸素原子またはビニレン基で置換されていてももよく、また、これらのアルキル基中の任意の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく；環Ｋおよび環Ｍは互いに独立してトランス−１，４−シクロヘキシレン、または１，４−フェニレンを示し；Ｌ⁶及びＬ⁷は互いに独立して水素原子またはフッ素原子を示すが同時に水素原子を示すことはなく；Ｚ⁶及びＺ⁷は互いに独立して、−ＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＣＯＯ−または単結合を示し；また、これらの化合物を構成する各原子はその同位体で置換されていてもよい。）
第一成分として、請求の範囲１〜７のいずれか１項に記載の液晶性化合物を少なくとも１種類含有し、第二成分として、請求項１１に記載の一般式（７）、（８）及び（９）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有し、第三成分として、請求項１２に記載の一般式（１０）、（１１）及び（１２）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とする液晶組成物。
第一成分として、請求の範囲１〜７のいずれか１項に記載の液晶性化合物を少なくとも１種類含有し、第二成分として、請求項９に記載の一般式（２）、（３）及び（４）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有し、第三成分として、請求項１１に記載の一般式（７）、（８）及び（９）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とする液晶組成物。
第一成分として、請求の範囲１〜７のいずれか１項に記載の液晶性化合物を少なくとも１種類含有し、第二成分として、請求項１０に記載の一般式（５）及び（６）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有し、第三成分として、請求項１１に記載の一般式（７）、（８）及び（９）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とする液晶組成物。
第一成分として、請求の範囲１〜７のいずれか１項に記載の液晶性化合物を少なくとも１種類含有し、第二成分として、請求項９に記載の一般式（２）、（３）及び（４）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有し、第三成分として、請求項１０に記載の一般式（５）及び（６）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有し、第四成分として、請求項１１に記載の一般式（７）、（８）及び（９）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とする液晶組成物。
請求の範囲８〜１６のいずれか１項に記載の液晶組成物に加えて、さらに１種以上の光学活性化合物を含有することを特徴とする液晶組成物。
請求の範囲８〜１７のいずれか１項に記載の液晶組成物を用いて構成した液晶表示素子。