JP4048048B2 - Substrate processing method - Google Patents

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は一般に基板処理技術に係り、特に基板上に高誘電体膜を形成する基板処理方法に関する。
【０００２】
微細化技術の進展により、今日では０．１μｍを切るゲート長のＭＯＳトランジスタを持つ超微細加工半導体デバイスの製造が可能になりつつある。
【０００３】
かかる超微細加工半導体デバイスにおいて、ＭＯＳトランジスタのゲート長の短縮に伴って半導体デバイスの動作速度を向上させようとすると、ゲート絶縁膜の厚さをスケーリング則に従って減少させる必要がある。例えばゲート絶縁膜として従来のシリコン酸化膜を使った場合、ゲート絶縁膜の厚さを従来の１．７ｎｍ以下に減少させる必要がある。しかし、酸化膜の厚さをこのように減少させると、トンネル効果により酸化膜を通って流れるゲートリーク電流が増大してしまう。
【０００４】
このため、従来より、ゲート絶縁膜として従来のシリコン酸化膜の代わりにＴａ2Ｏ5あるいはＺｒＯ2などの高誘電体膜を使うことが検討されている。しかし、これらの高誘電体膜は半導体技術において従来から使われてきているシリコン酸化膜とは性質が大きく異なっており、これらの高誘電体膜をゲート絶縁膜として使うためには、解決しなければならない課題が数多く残っている。
【０００５】
これに対し、シリコン窒化膜は従来の半導体プロセスで使われてきた材料であり、しかもシリコン酸化膜の２倍の比誘電率を有するため、またゲート電極中のドーパント元素のシリコン基板中への拡散を効果的に阻止できることからも、次世代の高速半導体デバイスのゲート絶縁膜として有望な材料と考えられている。
【０００６】
【従来の技術】
従来より、シリコン窒化膜はプラズマＣＶＤ法により形成されるのが一般的であった。しかし、このようなＣＶＤ窒化膜は一般にリーク電流が大きく、ゲート絶縁膜としては不適当であった。このため、従来より窒化膜をゲート絶縁膜に使う試みはなされていない。
【０００７】
これに対し、最近ではマイクロ波励起されたＡｒ，ＫｒあるいはＨｅのような希ガスプラズマ中に窒素ガスあるいは窒素ガスと水素ガス、あるいはＮＨ3のような窒素を含んだガスを導入し、ＮラジカルあるいはＮＨラジカルを発生させ、シリコン酸化膜表面を酸窒化膜に変換する技術が提案されている。このようにして形成された酸窒化膜は界面準位が少なく、シリコン熱酸化膜に匹敵する、あるいはそれを凌ぐリーク電流特性を有し、次世代高速半導体デバイスのゲート絶縁膜として有望であると考えられている。また、シリコン基板表面をかかるマイクロ波プラズマにより直接に窒化する技術、および上記希ガスプラズマ中に酸素を含んだガスを導入し、直接に酸化するラジカル酸化技術も提案されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
一方、同一の装置でシリコン基板表面の酸化処理に引き続いてラジカル窒化処理を行った場合、酸化処理やその他の処理の際に導入された酸素が処理雰囲気中に残留していると、窒化処理と同時に酸化が進行し、結果的に、窒化処理で形成されるゲート絶縁膜の膜厚が増大してしまう問題が生じる。このようなゲート絶縁膜の増膜が生じると、所望のスケーリング側に従った半導体デバイスの動作速度の向上が得られない。このゲート絶縁膜の増膜の問題は、導入された窒素原子を膜厚方向に十分に拡散させるために窒化処理を長時間行った場合に特に顕著になる。
【０００９】
酸化処理と窒化処理を別々の装置で実行する場合には、基板を酸化処理装置から窒化処理装置へと搬送する際に吸着した水分によっても、同様な酸化によるゲート絶縁膜の増膜の問題が生じる。
【００１０】
そこで、本発明は上記の課題を解決した、新規で有用な基板処理装置および処理方法を提供することを概括的課題とする。
【００１１】
本発明のより具体的な課題は、シリコン基板表面の酸化処理に引き続いて形成された酸化膜の窒化処理を行う際に、窒化処理に伴い形成される酸窒化膜の増膜を抑制できる基板処理方法および基板処理装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記の課題を、
請求項１に記載したように、
処理容器中においてシリコン基板表面を、希ガスと酸素ガスを含む処理ガスのプラズマにより酸化処理することにより、酸化膜を形成する工程と、
前記処理容器中において前記酸化膜を、希ガスと窒素を含むガスのプラズマにより窒化処理することにより、酸窒化膜を形成する工程と、
前記酸化処理の後で酸素を前記処理容器から排除する工程と、
を含む基板処理方法であって、
前記酸化処理および窒化処理は前記同一の処理容器中においてプラズマを前記酸化処理工程の始まりから前記窒化処理工程の終わりまで連続的に形成したまま、プラズマ処理により順次実行され、
前記酸素を排除する工程は、前記酸素ガスの供給を、前記酸化処理工程の終了前に遮断し、前記酸素ガスの供給時間を前記酸化処理工程の期間よりも短く設定することにより実行されることを特徴とする基板処理方法により、または
請求項２に記載したように、
前記プラズマは、マイクロ波プラズマであることを特徴とする請求項１記載の基板処理方法により、解決する。
【００１３】
【発明の実施の形態】
［第１実施例］
図１は、本発明で使われるプラズマ基板処理装置１０の概略的構成を示す。
【００１４】
図１を参照するに、プラズマ基板処理装置１０は被処理基板Ｗを保持する基板保持台１２が形成された処理容器１１を有し、処理容器１１は排気ポート１１Ａにおいて排気される。前記基板保持台１２中には、ヒータなどの基板温度制御機構１２ａが形成されている。
【００１５】
前記処理容器１１上には前記基板保持台１２上の被処理基板Ｗに対応して開口部が形成されており、前記開口部は、アルミナ等の低損失セラミックよりなるカバープレート１３により塞がれている。さらにカバープレート１３の下には、前記被処理基板Ｗに対面するように、ガス導入路とこれに連通する多数のノズル開口部とを形成された、アルミナ等の低損失セラミックよりなるシャワープレート１４が形成されている。
【００１６】
前記シャワープレート１３およびカバープレート１４はマイクロ波窓を形成し、前記カバープレート１４の外側には、ラジアルラインスロットアンテナあるいはホーンアンテナ等のマイクロ波アンテナ１５が形成されている。
【００１７】
動作時には、前記処理容器１１内部の処理空間は前記排気ポート１１Ａを介して排気することにより所定の処理圧に設定され、前記シャワープレート１４からＡｒやＫｒ等の希ガスと共に酸化ガスや窒化ガスが導入される。
【００１８】
さらに前記アンテナ１５から周波数が数ＧＨｚのマイクロ波を導入することにより、前記処理容器１１中において被処理基板Ｗの表面に高密度マイクロ波プラズマを励起する。プラズマをマイクロ波により励起することにより、図１の基板処理装置ではプラズマの電子温度が低く、被処理基板Ｗや処理容器１１内壁の損傷が回避できる。また、形成されたラジカルは被処理基板Ｗの表面に沿って径方向に流れ、速やかに排気されるため、ラジカルの再結合が抑制され、効率的で非常に一様な基板処理が、５５０℃以下の低温において可能になる。
【００１９】
図２は、図１の基板処理装置１０を使ってシリコン基板表面を酸化処理し、得られたプラズマ酸化膜を引き続き窒化処理して酸窒化膜を形成した場合の、膜中における酸素原子と窒素原子のＳＩＭＳプロファイルを示す。ただし図２の実験は、前記図１の基板処理装置１０において処理容器１１中にＡｒガスと酸素ガスをそれぞれ１０００ＳＣＣＭおよび２０ＳＣＣＭの流量で供給し、１．３３×１０1Ｐａ程度の圧力下、４００℃の基板温度において２．４５ＧＨｚのマイクロ波を１５００Ｗの電力で供給して約６ｎｍの厚さに形成した酸化膜についてなされたものであり、窒化処理はＡｒガスおよび窒素ガスをそれぞれ１０００ＳＣＣＭおよび２０ＳＣＣＭの流量で供給し、１．３３×１０1Ｐａ程度の圧力下、４００℃の基板温度において前記マイクロ波を１５００Ｗの電力で供給することで行っている。
【００２０】
図２を参照するに、酸化膜表面近傍に窒素の濃集領域が形成されており、このような窒素濃集領域から酸化膜内部に窒素原子が拡散しているのがわかる。このような酸化膜中に窒素原子が拡散して形成された酸窒化膜では、窒素濃集領域と酸化膜との間に界面が形成されることはなく、従って界面準位のようなトラップとして作用する欠陥が形成されることもない。
【００２１】
図２では、また窒化時間を変化させた場合の窒素原子および酸素原子の濃度分布が示されているが、図２よりわかるように窒化時間が長くなると膜中の酸素濃度も同時に増大しているのがわかる。これは、酸素がシリコン基板内部に侵入することで酸化膜に増膜が生じていることを意味する。このような酸化膜の増大をもたらす酸素は、処理容器１１やガス供給ラインの内壁に付着した酸素分子、あるいは基板表面に付着した水分に起因するものであると考えられる。
【００２２】
図３（Ａ）〜（Ｃ）は前記図１の基板処理装置１０において、酸化と窒化を行われた場合の窒化処理の際にこのような酸化膜の増膜が生じるメカニズム、およびこのような酸化膜の増膜を抑制する本発明の第１実施例による基板処理方法を示す。ただし図３（Ａ）は酸化処理および窒化処理の際における処理容器１１中のプラズマ点灯シーケンスを、図３（Ｂ）は前記処理容器１１中における酸素濃度変化を、さらに図３（Ｃ）は同じ処理容器１１中における窒素濃度変化を示す。
【００２３】
図３（Ａ）を参照するに、前記酸化処理および窒化処理の各々において前記処理容器１１中にはＡｒプラズマＡ，Ｂが励起され、酸化処理の際にはさらに前記処理容器１１中に酸素ガスが、また窒化処理の際には窒素ガスが図３（Ｂ），（Ｃ）に示すように導入される。また酸化処理が終了するとプラズマＡは消灯され、また酸素ガスの供給が遮断される。同様に窒化処理が終了すると点灯されていたプラズマＢは消灯され、窒素ガスの供給が遮断される。
【００２４】
特に酸化処理が終了したタイミングにおいては、酸素ガスの供給を遮断した後も処理容器の器壁やガス供給ラインに付着していた酸素分子が徐々に放出され、図３（Ｂ）に示すように前記処理容器１１中における酸素濃度プロファイルにテイルが生じてしまう。
【００２５】
そこで酸素ガスの供給を遮断した直後に窒素ガスを処理容器１１中に導入し、さらにプラズマを点灯した場合には、処理容器１１中に残留していた酸素が活性化されてしまい、その結果生じた酸素ラジカルによりシリコン基板の酸化が、酸化膜の窒化と平行してさらに進行するものと考えられる。
【００２６】
この問題を解決するために、本実施例では図３（Ａ）に示すように窒化処理の際のプラズマの点灯を、酸化処理の終了に伴うプラズマの消灯から１〜６００秒間程度遅らせ、また酸素ガス供給を遮断した直後に窒素ガスをＡｒガスとともに処理容器１１中に導入する。その結果、前記処理容器１１の内部はプラズマが再び点灯するまでの間、このようにして導入されたＡｒガスおよび窒素ガスによりパージされる。このように、酸化処理の後、前記処理容器１１内部を窒素ガスによりパージすることにより、前記処理容器１１内部の酸素は図３（Ｂ）に破線で示すように急速に排除され、全体の基板処理時間を短縮することが可能になる。前記パージ工程では、例えばＡｒガスを、前記酸化処理あるいは窒化処理の場合と同じく１０００ＳＣＣＭの流量で、また窒素ガスを２０ＳＣＣＭの流量で供給すればよい。
【００２７】
以下の表１は、本実施例の代表的なレシピの例を示す。
【００２８】
【表１】

Figure 0004048048
なお、図３（Ｄ）に示すように、パージ期間中に窒素の供給を断続し、いわゆるサイクルパージを行ってもよい。このようなサイクルパージを行うことにより、パージ期間をさらに短縮することができる。勿論、図３（Ｅ）に示すように、前記酸化処理Ａと窒化処理Ｂとの間に十分な時間間隔を置けば、窒素ガスによるパージを省略することも可能である。
［第２実施例］
図４（Ａ）〜（Ｃ）は、図１の基板処理装置１０を使った本発明の第２実施例による基板処理方法を示す。
【００２９】
本実施例では図４（Ａ）に示すようにプラズマを酸化処理工程Ａの始まりから窒化処理工程Ｂの終わりまで連続的に形成する。一方、本実施例では窒化処理工程Ｂにおける酸化膜の増膜を回避するため、図４（Ｂ）に示すように酸素ガスの供給時間ｔを酸化処理工程の期間よりも短く設定する。これにより、酸素ガスの供給工程は酸化処理工程の終了に先立って打ち切られ、処理容器１１あるいはガス供給系に残留した酸素により、残りの酸化処理工程が実行される。
【００３０】
本実施例では、図４（Ｃ）に示す窒素ガスの導入時点においては酸化処理は終了しており、その結果、窒化処理の際に酸化膜が増膜することはない。
【００３１】
本実施例では、プラズマが酸化処理工程の始まりから窒化処理工程の終わりまで連続して形成されているため、図４（Ｂ）において酸素ガスの供給を遮断した後、残留酸素が酸化処理に消費され、残留酸素濃度は急速に低下する。このため、酸化処理工程の後、長い酸素パージ工程を設けなくとも窒化処理工程を開始することができ、基板処理のスループットを向上させることができる。
【００３３】
図５を参照するに、クラスタ型基板処理装置２０はカセットモジュール２１を結合された真空搬送室２１を有しており、前記真空搬送室２１には図１の基板処理装置１０と同一構成の基板処理室２１Ｂ、２１Ｄと、前処理室２１Ｃとが結合されている。前記カセットモジュール２１にロードされたシリコン基板は前記真空搬送室２１中の搬送ロボット（図示せず）により前記基板処理室２１Ｂに搬送され、前記基板処理室２１Ｂにおいてプラズマラジカル酸化処理が行われ、前記シリコン基板表面に酸化膜が形成される。
【００３４】
このようにして酸化処理を終えたシリコン基板は前処理室２１Ｃに搬送され、Ａｒあるいは窒素雰囲気中、３００〜６００℃の温度で数分間保持されることにより、基板表面に吸着していた酸素分子が除去される。
【００３５】
このようにして前処理を施されたシリコン基板は真空搬送室２１中を通って基板処理室２１Ｄに搬送され、先に説明したのと同様な窒化処理が行われる。その際、前記基板処理室２１Ｄでは雰囲気の切り換えがないため、基板が搬送されると直ちに窒化処理が開始され、基板処理全体のスループットを向上させることができる。また本実施例では被処理基板の吸着酸素分子を専用の前処理室２１Ｃにおいて除去することで、除去効率が向上し、窒化処理の際の増膜を効果的に抑制することが可能になる。
【００３６】
なお、図５において、前記前処理室２１ＣにおいてＡｒプラズマ処理を行うことにより、基板前処理の時間を短縮することが可能である。また、このような前処理は、前記基板処理室２１Ｄにおいて行うことも可能である。
［第４実施例］
図６は、本発明の第４実施例によるクラスタ型基板処理装置３０の構成を示す。ただし図６中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【００３７】
図６を参照するに、基板処理装置３０においては基板処理室２１Ｂにおいてプラズマラジカル酸化処理および窒化処理が行われる。
【００３８】
より具体的に説明すると、最初に被処理基板が前記カセットモジュール２１Ａから真空搬送室２１を通って基板処理室２１Ｂに供給され、先に説明したプラズマラジカル酸化処理が行われる。酸化処理を終えた被処理基板は前記真空搬送室２１を通って前記前処理室２１Ｃに搬送され、加熱処理あるいはＡｒプラズマ処理により、吸着酸素分子が除去される。
【００３９】
前記被処理基板が前記前処理室２１Ｃで処理されている間に前記基板処理室２１Ｂでは雰囲気が、先に図３および図４で説明したように酸素雰囲気から窒素雰囲気へと切り換えられる。また、前記前処理基板が前記前処理室２１Ｃにて処理されている間、処理室２１Ｂにダミーウェハを導入し、前記ダミーウェハにプラズマ処理を施すことにより、処理室２１Ｂの雰囲気を窒素雰囲気に切り換えることも可能である。また、同様の処理をダミーウェハ無しで行うことも可能である。
【００４０】
そこで前記前処理室２１Ｃでの前処理が終了した被処理基板が前記処理室２１Ｂに前記真空搬送室２１を通って戻された時点においては、前記処理室２１Ｂ中の雰囲気はすでに窒素雰囲気に切り替わっており、残留酸素分子のパージも終了している。そこで前記処理室２１Ｃにおいてプラズマを点火することにより、前記被処理基板表面に形成された酸化膜を窒化することが可能になる。
【００４１】
このように、本実施例では専用の前処理室２１Ｃ中における被処理基板の吸着酸素分子の除去工程を基板処理室２１Ｂにおける雰囲気切り換え工程と平行して実行することが可能で、基板処理のスループットを向上させることが可能である。また、本実施例の基板処理装置３０では、図１の基板処理装置１０を一つ設けるだけでよく、従って基板処理装置３０の製造費用を低減することが可能である。
【００４２】
なお、図６の構成は、外部の例えばバッチ式の酸化処理装置において形成された熱酸化膜を図１の構成の基板処理装置１０において窒化処理する場合においても有用である。
【００４３】
すなわち、外部の酸化処理装置において熱酸化処理などの酸化処理を施されたシリコン基板は、大気中を搬送される際にかならず大気中の水分を吸着するが、このような水分を吸着したシリコン基板に対して図１のようなマイクロ波プラズマ処理装置において窒化処理を施すと、窒化処理の際の基板温度が低いため水分が十分に除去されず、水分中の酸素により基板の酸化が進行してしまう問題が生じる。
【００４４】
これに対し、図６の基板処理装置３０では、酸化処理を施されたシリコン基板を前記カセットモジュール２１Ａから直接に、図中に破線で示すように前処理室２１Ｃに搬送し、前記前処理室２１ＣにおいてＡｒ雰囲気中、３００〜６００℃程度の加熱処理もしくはプラズマ処理を行うことにより、吸着した水分子を基板表面から離脱させることが可能である。
【００４５】
このようにして前処理を行った被処理基板を前記基板処理室２１Ｂに搬送することにより、酸化による増膜を生じることなく酸化膜を窒化することが可能になる。このような場合には、前記基板処理室２１Ｂは窒化処理に専用されるため、雰囲気の切り換えは必要なく、従って基板処理室２１Ｂ中の残留酸素による酸化が生じることはない。
【００４６】
なお、必要に応じて、前記前処理室２１Ｃの機能を前記基板処理室２１Ｂに統合することも可能である。
【００４７】
この場合には、基板処理室２１Ｂ中に設けられた図１の基板処理装置１０において基板保持台１２中の基板温度制御機構１２ａを駆動し、Ａｒ雰囲気中において所望の３００〜６００℃の温度に基板を加熱する。その際、必要に応じてプラズマを形成することができるのは勿論である。
【００４８】
以上、本発明を好ましい実施例について説明したが、本発明は上記の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載の要旨内において様々な変形・変更が可能である。
【００４９】
【発明の効果】
本発明によれば、シリコン基板表面に形成された酸化膜の窒化処理の際に、雰囲気中に残留している酸素に起因する酸化膜の増膜が抑制され、超高速半導体デバイスのゲート絶縁膜に適した非常に薄い酸窒化膜を形成することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１実施例において使われる基板処理装置の構成を示す図である。
【図２】 図１の基板処理装置において、シリコン基板の酸化処理と窒化処理とを続いて実行した場合の、形成された酸窒化膜中における酸素原子と窒素原子の分布を示す図である。
【図３】 （Ａ）〜（Ｅ）は、本発明の第１実施例による基板処理方法を示す図である。
【図４】 （Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の第２実施例による基板処理方法を示す図である。
【図５】 本発明の第３実施例によるクラスタ型基板処理装置を使った基板処理方法を示す図である。
【図６】 本発明の第４実施例によるクラスタ型基板処理装置を使った基板処理方法を示す図である。
【符号の説明】
１０ 基板処理装置
１１ 処理容器
１１Ａ，１１Ｂ 排気ポート
１２ 試料保持台
１３ カバープレート
１４ シャワープレート
１５ マイクロ波アンテナ
２０ クラスタ型基板処理装置
２１ 真空搬送室
２１Ａ カセットモジュール
２１Ｂ〜２１Ｄ 処理室[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention generally relates to a substrate processing technique, and more particularly to a substrate processing method for forming a high dielectric film on a substrate.
[0002]
With the progress of miniaturization technology, it is now possible to manufacture ultra-fine processed semiconductor devices having MOS transistors with a gate length of less than 0.1 μm.
[0003]
In such a microfabricated semiconductor device, if the operation speed of the semiconductor device is to be improved as the gate length of the MOS transistor is shortened, it is necessary to reduce the thickness of the gate insulating film according to the scaling law. For example, when a conventional silicon oxide film is used as the gate insulating film, it is necessary to reduce the thickness of the gate insulating film to 1.7 nm or less. However, when the thickness of the oxide film is reduced in this way, the gate leakage current flowing through the oxide film increases due to the tunnel effect.
[0004]
For this reason, it has been studied to use a high dielectric film such as Ta 2 O 5 or ZrO 2 instead of the conventional silicon oxide film as the gate insulating film. However, these high dielectric films are very different in nature from the silicon oxide films that have been used in the past in semiconductor technology. In order to use these high dielectric films as gate insulating films, these must be solved. Many issues remain to be solved.
[0005]
In contrast, silicon nitride film is a material that has been used in conventional semiconductor processes, and has a relative dielectric constant twice that of silicon oxide film, and diffusion of dopant elements in the gate electrode into the silicon substrate. Therefore, it is considered as a promising material as a gate insulating film for next-generation high-speed semiconductor devices.
[0006]
[Prior art]
Conventionally, a silicon nitride film has generally been formed by a plasma CVD method. However, such a CVD nitride film generally has a large leakage current and is not suitable as a gate insulating film. For this reason, no attempt has been made to use a nitride film as a gate insulating film.
[0007]
On the other hand, recently, nitrogen gas or nitrogen gas and hydrogen gas, or a gas containing nitrogen such as NH 3 is introduced into a rare gas plasma such as Ar, Kr or He excited by microwaves, and N radicals are introduced. Alternatively, a technique for generating NH radicals and converting the silicon oxide film surface to an oxynitride film has been proposed. The oxynitride film thus formed has few interface states, has a leakage current characteristic comparable to or surpassing that of a silicon thermal oxide film, and is promising as a gate insulating film for next-generation high-speed semiconductor devices. It is considered. In addition, a technique for directly nitriding the surface of a silicon substrate with such microwave plasma and a radical oxidation technique for directly oxidizing a gas containing oxygen into the rare gas plasma have been proposed.
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
On the other hand, when radical nitridation is performed following the oxidation treatment of the silicon substrate surface in the same apparatus, if oxygen introduced during the oxidation treatment or other treatment remains in the treatment atmosphere, nitridation treatment and At the same time, oxidation proceeds, resulting in a problem that the thickness of the gate insulating film formed by nitriding increases. When such an increase in the gate insulating film occurs, the operation speed of the semiconductor device cannot be improved according to the desired scaling side. The problem of increasing the thickness of the gate insulating film becomes particularly prominent when nitriding is performed for a long time in order to sufficiently diffuse introduced nitrogen atoms in the film thickness direction.
[0009]
When the oxidation process and the nitridation process are performed in separate apparatuses, the same problem of increase in the gate insulating film due to oxidation is caused by moisture adsorbed when the substrate is transferred from the oxidation process apparatus to the nitridation apparatus. Arise.
[0010]
Accordingly, it is a general object of the present invention to provide a new and useful substrate processing apparatus and processing method that solve the above-described problems.
[0011]
A more specific problem of the present invention is that a substrate process capable of suppressing an increase in the thickness of an oxynitride film formed in accordance with a nitriding process when performing an nitriding process on an oxide film formed subsequent to an oxidation process on a silicon substrate surface It is to provide a method and a substrate processing apparatus.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
The present invention solves the above problems.
As described in claim 1,
A step of forming an oxide film by oxidizing the surface of the silicon substrate in the processing container with plasma of a processing gas containing a rare gas and an oxygen gas;
Forming an oxynitride film by nitriding the oxide film in a plasma of a gas containing a rare gas and nitrogen in the processing container;
Removing oxygen from the processing vessel after the oxidation treatment;
A substrate processing method comprising:
The oxidation treatment and the nitridation treatment are sequentially performed by the plasma treatment while the plasma is continuously formed in the same treatment vessel from the start of the oxidation treatment step to the end of the nitridation treatment step,
The step of excluding oxygen is performed by cutting off the supply of the oxygen gas before the end of the oxidation treatment step and setting the supply time of the oxygen gas to be shorter than the period of the oxidation treatment step. According to a substrate processing method characterized in that, or as described in claim 2,
2. The substrate processing method according to claim 1, wherein the plasma is a microwave plasma.
[0013]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
[First embodiment]
FIG. 1 shows a schematic configuration of a plasma substrate processing apparatus 10 used in the present invention.
[0014]
Referring to FIG. 1, a plasma substrate processing apparatus 10 includes a processing container 11 in which a substrate holding table 12 that holds a substrate W to be processed is formed, and the processing container 11 is exhausted through an exhaust port 11A. A substrate temperature control mechanism 12 a such as a heater is formed in the substrate holding table 12.
[0015]
An opening is formed on the processing container 11 corresponding to the substrate W to be processed on the substrate holder 12, and the opening is closed by a cover plate 13 made of a low-loss ceramic such as alumina. ing. Furthermore, a shower plate 14 made of a low-loss ceramic such as alumina, which is formed with a gas introduction path and a large number of nozzle openings communicating therewith so as to face the substrate W to be processed, is provided below the cover plate 13. Is formed.
[0016]
The shower plate 13 and the cover plate 14 form a microwave window, and a microwave antenna 15 such as a radial line slot antenna or a horn antenna is formed outside the cover plate 14.
[0017]
During operation, the processing space inside the processing vessel 11 is set to a predetermined processing pressure by exhausting through the exhaust port 11A, and an oxidizing gas or a nitriding gas is supplied from the shower plate 14 together with a rare gas such as Ar or Kr. be introduced.
[0018]
Further, by introducing a microwave having a frequency of several GHz from the antenna 15, high-density microwave plasma is excited on the surface of the substrate W to be processed in the processing container 11. By exciting the plasma with microwaves, the substrate processing apparatus of FIG. 1 has a low plasma electron temperature, and can avoid damage to the substrate W and the inner wall of the processing chamber 11. Further, since the formed radicals flow in the radial direction along the surface of the substrate W to be processed and are quickly exhausted, radical recombination is suppressed, and an efficient and very uniform substrate processing is performed at 550 ° C. It becomes possible at the following low temperatures.
[0019]
FIG. 2 shows a case where the surface of the silicon substrate is oxidized using the substrate processing apparatus 10 of FIG. 1, and the resulting plasma oxide film is subsequently nitrided to form an oxynitride film to form oxygen atoms and nitrogen in the film. The SIMS profile of an atom is shown. However the experiment 2, the Ar gas and oxygen gas into the processing vessel 11 in the substrate processing apparatus 10 of FIG. 1 was supplied at a flow rate of 1000SCCM and 20SCCM respectively, under a pressure of about 1.33 × 10 1 Pa, 400 The oxide film was formed to a thickness of about 6 nm by supplying a microwave of 2.45 GHz with a power of 1500 W at a substrate temperature of ° C., and the nitriding treatment was performed at 1000 SCCM and 20 SCCM of Ar gas and nitrogen gas, respectively. The microwave is supplied at a power of 1500 W at a substrate temperature of 400 ° C. under a pressure of about 1.33 × 10 1 Pa.
[0020]
Referring to FIG. 2, it can be seen that a nitrogen concentrated region is formed in the vicinity of the oxide film surface, and nitrogen atoms are diffused from the nitrogen concentrated region into the oxide film. In such an oxynitride film formed by diffusing nitrogen atoms in the oxide film, an interface is not formed between the nitrogen concentrated region and the oxide film, and therefore, as a trap like an interface state. No working defects are formed.
[0021]
FIG. 2 shows the concentration distribution of nitrogen atoms and oxygen atoms when the nitriding time is changed. As can be seen from FIG. 2, as the nitriding time increases, the oxygen concentration in the film simultaneously increases. I understand. This means that the oxide film is increased due to oxygen entering the silicon substrate. The oxygen that causes the increase in the oxide film is considered to be caused by oxygen molecules adhering to the inner wall of the processing vessel 11 and the gas supply line or moisture adhering to the substrate surface.
[0022]
FIGS. 3A to 3C show a mechanism in which such an increase in the thickness of the oxide film occurs during the nitridation process in the substrate processing apparatus 10 of FIG. 1 illustrates a substrate processing method according to a first embodiment of the present invention that suppresses an increase in oxide film thickness. However, FIG. 3A shows the plasma lighting sequence in the processing vessel 11 during the oxidation treatment and nitriding treatment, FIG. 3B shows the oxygen concentration change in the processing vessel 11, and FIG. 3C shows the same. The nitrogen concentration change in the processing container 11 is shown.
[0023]
Referring to FIG. 3A, Ar plasmas A and B are excited in the processing vessel 11 in each of the oxidation treatment and nitriding treatment, and oxygen gas is further introduced into the processing vessel 11 during the oxidation treatment. However, nitrogen gas is introduced as shown in FIGS. 3B and 3C during nitriding. When the oxidation process is completed, the plasma A is extinguished and the supply of oxygen gas is shut off. Similarly, when the nitriding process is completed, the lit plasma B is extinguished and the supply of nitrogen gas is shut off.
[0024]
In particular, at the timing when the oxidation treatment is finished, oxygen molecules adhering to the vessel wall and gas supply line of the processing vessel are gradually released even after the supply of oxygen gas is shut off, as shown in FIG. A tail occurs in the oxygen concentration profile in the processing container 11.
[0025]
Therefore, when nitrogen gas is introduced into the processing vessel 11 immediately after the supply of oxygen gas is cut off and the plasma is turned on, oxygen remaining in the processing vessel 11 is activated, resulting in the result. It is considered that the oxidation of the silicon substrate further proceeds in parallel with the nitridation of the oxide film by the oxygen radical.
[0026]
In order to solve this problem, in this embodiment, as shown in FIG. 3A, the lighting of the plasma at the time of nitriding is delayed for about 1 to 600 seconds from the extinguishing of the plasma accompanying the end of the oxidation treatment. Immediately after shutting off the gas supply, nitrogen gas is introduced into the processing vessel 11 together with Ar gas. As a result, the inside of the processing vessel 11 is purged with the Ar gas and the nitrogen gas thus introduced until the plasma is turned on again. In this way, after the oxidation treatment, the inside of the processing vessel 11 is purged with nitrogen gas, so that the oxygen inside the processing vessel 11 is rapidly removed as shown by the broken line in FIG. Processing time can be shortened. In the purge step, for example, Ar gas may be supplied at a flow rate of 1000 SCCM, and nitrogen gas may be supplied at a flow rate of 20 SCCM, as in the oxidation treatment or nitridation treatment.
[0027]
Table 1 below shows an example of a typical recipe of this example.
[0028]
[Table 1]
Figure 0004048048
Note that as shown in FIG. 3D, the supply of nitrogen may be interrupted during the purge period, and so-called cycle purge may be performed. By performing such a cycle purge, the purge period can be further shortened. Of course, as shown in FIG. 3E, if a sufficient time interval is provided between the oxidation treatment A and the nitridation treatment B, the purge with nitrogen gas can be omitted.
[Second Embodiment]
4A to 4C show a substrate processing method according to the second embodiment of the present invention using the substrate processing apparatus 10 of FIG.
[0029]
In this embodiment, as shown in FIG. 4A, plasma is continuously formed from the beginning of the oxidation treatment step A to the end of the nitridation treatment step B. On the other hand, in this embodiment, in order to avoid an increase in the thickness of the oxide film in the nitriding step B, the oxygen gas supply time t is set shorter than the period of the oxidizing step as shown in FIG. Thereby, the supply process of oxygen gas is interrupted prior to the end of the oxidation process, and the remaining oxidation process is executed by the oxygen remaining in the processing container 11 or the gas supply system.
[0030]
In this embodiment, the oxidation process is completed when the nitrogen gas is introduced as shown in FIG. 4C, and as a result, the oxide film does not increase during the nitriding process.
[0031]
In this embodiment, since plasma is continuously formed from the beginning of the oxidation treatment process to the end of the nitridation treatment process, after oxygen gas supply is shut off in FIG. 4B, residual oxygen is consumed in the oxidation treatment. As a result, the residual oxygen concentration decreases rapidly. Therefore, the nitriding process can be started after the oxidation process without providing a long oxygen purge process, and the throughput of the substrate processing can be improved.
[0033]
Referring to FIG. 5, the cluster type substrate processing apparatus 20 has a vacuum transfer chamber 21 to which a cassette module 21 is coupled, and the vacuum transfer chamber 21 has a substrate having the same configuration as the substrate processing apparatus 10 of FIG. The processing chambers 21B and 21D and the preprocessing chamber 21C are combined. The silicon substrate loaded in the cassette module 21 is transferred to the substrate processing chamber 21B by a transfer robot (not shown) in the vacuum transfer chamber 21, and plasma radical oxidation is performed in the substrate processing chamber 21B. An oxide film is formed on the silicon substrate surface.
[0034]
The silicon substrate that has been subjected to the oxidation treatment in this manner is transferred to the pretreatment chamber 21C and held in an Ar or nitrogen atmosphere at a temperature of 300 to 600 ° C. for several minutes, whereby oxygen molecules adsorbed on the substrate surface. Is removed.
[0035]
The silicon substrate that has been pretreated in this way is transferred to the substrate processing chamber 21D through the vacuum transfer chamber 21, and the same nitriding treatment as described above is performed. At this time, since the atmosphere is not switched in the substrate processing chamber 21D, the nitriding process is started immediately after the substrate is transferred, and the throughput of the entire substrate processing can be improved. Further, in this embodiment, the adsorption oxygen molecules on the substrate to be processed are removed in the dedicated pretreatment chamber 21C, so that the removal efficiency is improved and the film increase during the nitriding treatment can be effectively suppressed.
[0036]
In FIG. 5, it is possible to shorten the substrate pretreatment time by performing Ar plasma treatment in the pretreatment chamber 21C. Such pretreatment can also be performed in the substrate processing chamber 21D.
[Fourth embodiment]
FIG. 6 shows the configuration of a cluster type substrate processing apparatus 30 according to the fourth embodiment of the present invention. However, in FIG. 6, the part demonstrated previously is attached | subjected the same referential mark, and description is abbreviate | omitted.
[0037]
Referring to FIG. 6, in the substrate processing apparatus 30, plasma radical oxidation processing and nitriding processing are performed in the substrate processing chamber 21B.
[0038]
More specifically, first, a substrate to be processed is supplied from the cassette module 21A through the vacuum transfer chamber 21 to the substrate processing chamber 21B, and the plasma radical oxidation process described above is performed. The substrate to be processed after the oxidation treatment is transferred to the pretreatment chamber 21C through the vacuum transfer chamber 21, and adsorbed oxygen molecules are removed by heat treatment or Ar plasma treatment.
[0039]
While the substrate to be processed is being processed in the pretreatment chamber 21C, the atmosphere in the substrate processing chamber 21B is switched from the oxygen atmosphere to the nitrogen atmosphere as described above with reference to FIGS. Further, while the pretreatment substrate is being processed in the pretreatment chamber 21C, a dummy wafer is introduced into the treatment chamber 21B, and plasma treatment is performed on the dummy wafer, thereby switching the atmosphere in the treatment chamber 21B to a nitrogen atmosphere. Is also possible. Further, the same processing can be performed without a dummy wafer.
[0040]
Therefore, when the substrate to be processed after the pretreatment in the pretreatment chamber 21C is returned to the treatment chamber 21B through the vacuum transfer chamber 21, the atmosphere in the treatment chamber 21B has already been switched to a nitrogen atmosphere. The purge of residual oxygen molecules is also completed. Therefore, by igniting plasma in the processing chamber 21C, it becomes possible to nitride the oxide film formed on the surface of the substrate to be processed.
[0041]
Thus, in this embodiment, the process of removing adsorbed oxygen molecules from the substrate to be processed in the dedicated pretreatment chamber 21C can be executed in parallel with the atmosphere switching step in the substrate processing chamber 21B, and the throughput of the substrate processing can be performed. It is possible to improve. Further, in the substrate processing apparatus 30 of the present embodiment, it is only necessary to provide one substrate processing apparatus 10 of FIG. 1, so that the manufacturing cost of the substrate processing apparatus 30 can be reduced.
[0042]
The configuration shown in FIG. 6 is also useful when a thermal oxide film formed in an external, for example, batch type oxidation processing apparatus is nitrided in the substrate processing apparatus 10 having the configuration shown in FIG.
[0043]
That is, a silicon substrate that has been subjected to an oxidation treatment such as a thermal oxidation treatment in an external oxidation treatment apparatus always adsorbs moisture in the atmosphere when transported in the atmosphere, but a silicon substrate that has absorbed such moisture. On the other hand, when nitriding is performed in the microwave plasma processing apparatus as shown in FIG. 1, the substrate temperature at the time of nitriding is low, moisture is not sufficiently removed, and oxidation of the substrate proceeds due to oxygen in the moisture. Problem arises.
[0044]
On the other hand, in the substrate processing apparatus 30 of FIG. 6, the oxidized silicon substrate is directly transferred from the cassette module 21A to the preprocessing chamber 21C as indicated by the broken line in the drawing, and the preprocessing chamber 30 By performing heat treatment or plasma treatment at about 300 to 600 ° C. in an Ar atmosphere at 21C, the adsorbed water molecules can be separated from the substrate surface.
[0045]
By transferring the substrate to be processed which has been pretreated in this way to the substrate processing chamber 21B, it becomes possible to nitride the oxide film without causing an increase in film thickness due to oxidation. In such a case, since the substrate processing chamber 21B is dedicated to the nitriding process, there is no need to switch the atmosphere, and therefore oxidation due to residual oxygen in the substrate processing chamber 21B does not occur.
[0046]
If necessary, the function of the pretreatment chamber 21C can be integrated into the substrate processing chamber 21B.
[0047]
In this case, the substrate temperature control mechanism 12a in the substrate holder 12 is driven in the substrate processing apparatus 10 of FIG. 1 provided in the substrate processing chamber 21B, and the desired temperature of 300 to 600 ° C. is obtained in the Ar atmosphere. Heat the substrate. At that time, it is needless to say that plasma can be formed as needed.
[0048]
As mentioned above, although this invention was demonstrated about the preferable Example, this invention is not limited to said Example, A various deformation | transformation and change are possible within the summary as described in a claim.
[0049]
【The invention's effect】
According to the present invention, during the nitriding treatment of the oxide film formed on the silicon substrate surface, the increase of the oxide film due to oxygen remaining in the atmosphere is suppressed, and the gate insulating film of the ultrahigh-speed semiconductor device is suppressed. It is possible to form a very thin oxynitride film suitable for the above.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a substrate processing apparatus used in a first embodiment of the present invention.
2 is a diagram showing the distribution of oxygen atoms and nitrogen atoms in a formed oxynitride film when an oxidation process and a nitridation process of a silicon substrate are subsequently performed in the substrate processing apparatus of FIG.
FIGS. 3A to 3E are views showing a substrate processing method according to a first embodiment of the present invention.
[4] (A) ~ (C) are diagrams showing a substrate processing method according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a diagram showing a substrate processing method using a cluster type substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a diagram showing a substrate processing method using a cluster type substrate processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Substrate processing apparatus 11 Processing container 11A, 11B Exhaust port 12 Sample holding stand 13 Cover plate 14 Shower plate 15 Microwave antenna 20 Cluster type substrate processing apparatus 21 Vacuum transfer chamber 21A Cassette module 21B-21D Processing chamber

Claims (2)

処理容器中においてシリコン基板表面を、希ガスと酸素ガスを含む処理ガスのプラズマにより酸化処理することにより、酸化膜を形成する工程と、A step of forming an oxide film by oxidizing the surface of the silicon substrate in a processing container with plasma of a processing gas containing a rare gas and an oxygen gas;
前記処理容器中において前記酸化膜を、希ガスと窒素を含むガスのプラズマにより窒化処理することにより、酸窒化膜を形成する工程と、Forming an oxynitride film by nitriding the oxide film in a plasma of a gas containing a rare gas and nitrogen in the processing container;
前記酸化処理の後で酸素を前記処理容器から排除する工程と、Removing oxygen from the processing vessel after the oxidation treatment;
を含む基板処理方法であって、A substrate processing method comprising:
前記酸化処理および窒化処理は前記同一の処理容器中においてプラズマを前記酸化処理工程の始まりから前記窒化処理工程の終わりまで連続的に形成したまま、プラズマ処理により順次実行され、The oxidation treatment and the nitriding treatment are sequentially performed by the plasma treatment while continuously forming plasma in the same treatment vessel from the beginning of the oxidation treatment step to the end of the nitriding treatment step,
前記酸素を排除する工程は、前記酸素ガスの供給を、前記酸化処理工程の終了前に遮断し、前記酸素ガスの供給時間を前記酸化処理工程の期間よりも短く設定することにより実行されることを特徴とする基板処理方法The step of excluding oxygen is performed by cutting off the supply of the oxygen gas before the end of the oxidation treatment step and setting the supply time of the oxygen gas to be shorter than the period of the oxidation treatment step. Substrate processing method characterized by 前記プラズマは、マイクロ波プラズマであることを特徴とする請求項１記載の基板処理方法。The substrate processing method according to claim 1, wherein the plasma is microwave plasma.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003098678A1 (en) 2002-05-16 2003-11-27 Tokyo Electron Limited Method of treating substrate
WO2005098961A1 (en) * 2004-04-09 2005-10-20 Tokyo Electron Limited Method of forming gate insulating film, storage medium and computer program
JP2006245528A (en) * 2005-02-01 2006-09-14 Tohoku Univ Dielectric film and method for forming the same
JP2007012788A (en) * 2005-06-29 2007-01-18 Elpida Memory Inc Method of manufacturing semiconductor device
JP2008192975A (en) * 2007-02-07 2008-08-21 Hitachi Kokusai Electric Inc Method for processing substrate
JP6039996B2 (en) * 2011-12-09 2016-12-07 株式会社日立国際電気 Semiconductor device manufacturing method, substrate processing method, substrate processing apparatus, and program
JP6032963B2 (en) * 2012-06-20 2016-11-30 キヤノン株式会社 SOI substrate, method for manufacturing SOI substrate, and method for manufacturing semiconductor device

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4001960B2 (en) * 1995-11-03 2007-10-31 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド Method for manufacturing a semiconductor device having a nitrided oxide dielectric layer
JP3485403B2 (en) * 1995-11-28 2004-01-13 沖電気工業株式会社 Method for manufacturing semiconductor device
JPH1027795A (en) * 1996-07-12 1998-01-27 Toshiba Corp Manufacturing method of semiconductor device
JP3399413B2 (en) * 1999-09-13 2003-04-21 日本電気株式会社 Oxynitride film and method for forming the same
JP4731694B2 (en) * 2000-07-21 2011-07-27 東京エレクトロン株式会社 Semiconductor device manufacturing method and substrate processing apparatus
JP4713752B2 (en) * 2000-12-28 2011-06-29 財団法人国際科学振興財団 Semiconductor device and manufacturing method thereof

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